CN104159947B - 聚合物和有机电致发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供空穴传输能力和电化学稳定性优异且可通过湿式成膜法进行层叠化的聚合物、以及能够使用该聚合物以低电压进行驱动且驱动稳定性高的有机电致发光元件。本发明涉及包含具有下述式(1)所示的部分结构的重复单元和具有交联性基团的重复单元的聚合物、含有该聚合物的有机电致发光元件用组合物、有机层包含使用前述有机电致发光元件用组合物通过湿式成膜法形成的层的有机电致发光元件。

Description

聚合物和有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及作为有机电致发光元件的空穴注入层和/或空穴传输层的材料有用的聚合物、由该聚合物制成的有机电致发光元件材料和含有该聚合物的有机电致发光元件用组合物和有机电致发光元件、以及具备该有机电致发光元件的有机EL显示装置和有机EL照明。
背景技术
作为有机电致发光元件中的有机层的形成方法，可列举出真空蒸镀法和湿式成膜法。真空蒸镀法由于容易进行层叠化，因此具有可改善从阳极和/或阴极的电荷注入、容易将激子封入发光层这样的优点。另一方面，湿式成膜法具有如下优点：不需要真空工艺、大面积化容易、容易向1个层及用于形成该层的涂布液中混合具备各种功能的多种材料等。但是，湿式成膜法难以进行层叠化。因此，与通过真空蒸镀法制造的元件相比，通过湿式成膜法制造的元件的驱动稳定性差，除了一部分以外均未达到实用水平。尤其在湿式成膜法中，使用有机溶剂和水系溶剂等能够进行两层的层叠，但难以层叠三层以上。
为了解决这种层叠化中的课题，专利文献1中提出了具有下述那样的芴环和交联性基团的聚合物(Q-1)，并公开了利用这些交联性基团在加热时发生反应的情况下所得的网状聚合物不溶于有机溶剂来进行层叠化。
[化学式1]
另外，专利文献2中报告了通过同时具有分支结构和交联性部位的聚合物，能够在更温和的加热条件下进行成膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2008-032843号
专利文献2：国际公开第2010-140553号
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1中记载的聚合物(Q-1)通过交联而形成网状聚合物时，原本刚直的主链结构发生弯曲或扭曲，电荷传输能力和氧化还原稳定性显著降低。因此，存在通过专利文献1中记载的技术而得到的有机电致发光元件的驱动电压高、发光效率低、驱动寿命短这样的课题。
另外，专利文献2中虽然报告了同时具有分支结构和交联性部位的聚合物可以在更温和的加热条件下进行成膜，但该聚合物的分支结构的自由度低、分支结构部分是刚直的，因此，聚合物相对于溶剂的溶解性低、难以获得均质的膜。另外，由于分支结构的自由度低，因此在分子间的聚合物链的相互作用弱、在分子间难以发生空穴的交接，从而空穴迁移率低，因此通过专利文献2中记载的技术得到的有机电致发光元件的驱动电压高、空穴容易蓄积在空穴传输层、材料容易损坏，因此存在驱动寿命短这一课题。
因此，本发明的目的在于，鉴于上述课题，提供空穴传输能力和电化学稳定性优异、能够通过湿式成膜法进行层叠化、难以因通电而发生分解等的聚合物、以及含有该聚合物的有机电致发光元件材料和有机电致发光元件用组合物。
本发明的目的还在于，提供能够使用该聚合物以低电压进行驱动且驱动稳定性高的有机电致发光元件、以及具备该元件的有机EL显示器和有机EL照明。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究，其结果发现：通过湿式成膜法形成的具备空穴注入层、空穴传输层以及发光层的有机电致发光元件的驱动电压高、驱动稳定性低的主要原因在于空穴注入层或空穴传输层的空穴传输性低。并且，进一步进行研究时发现：由电荷传输聚合物构成的空穴注入层或空穴传输层的空穴传输性降低的一个原因是：分子间的相互作用小、难以发生分子间的空穴的交接。
本发明人等为了解决该课题而进一步反复地进行了研究，结果发现：包含具有特定的部分结构的重复单元和具有交联性基团的重复单元的聚合物能够通过湿式成膜法进行层叠化，其具有高的空穴传输能力和电化学稳定性，进而使用该聚合物得到的有机电致发光元件的效率高、能够以低电压进行驱动，从而完成了本发明。
即，本发明涉及下述<1>～<12>。
<1>一种聚合物，其包含以下的重复单元：具有下述式(1)所示的部分结构的重复单元以及具有交联性基团的重复单元。
[化学式2]
(式(1)中，Ar1、Ar3、Ar4和Ar5各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar2表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。
R1表示可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的烷氧基，R2～R7各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。
R2和R3可以相互键合而形成环。R4和R5可以相互键合而形成环。R6和R7可以相互键合而形成环。
l、m和n各自独立地表示0～2的整数。
其中，式(1)中，Ar1～Ar5或R2～R7为多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。)
<2>根据前述<1>所述的聚合物，其中，在前述式(1)中，l、m和n中的至少一者是与余者不同的整数。
<3>根据前述<1>或<2>所述的聚合物，其还包含具有下述式(2)所示的部分结构的重复单元。
[化学式3]
(式(2)中，Ar6和Ar7各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar8表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。
R8和R9各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。
R8和R9可以相互键合而形成环。
p表示0～2的整数。
其中，式(2)中，R8、R9和Ar7中的至少一者为多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。
<4>根据前述<1>～<3>中的任一项所述的聚合物，其中，前述交联性基团为选自下述式所示的交联性基团组中的1个以上基团。
[化学式4]
<交联性基团组>
(上述式中，R21～R23各自独立地表示氢原子或可以具有取代基的烷基，Ar10表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。存在多个前述交联性基团且R21～R23或Ar10存在多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。)
<5>根据前述<1>～<4>中的任一项所述的聚合物，其中，前述聚合物的重均分子量(Mw)为20,000以上，分散度(Mw/Mn；Mn表示数均分子量。)为2.5以下。
<6>一种有机电致发光元件用材料，其含有前述<1>～<5>中的任一项所述的聚合物。
<7>一种有机电致发光元件用组合物，其含有前述<1>～<5>中的任一项所述的聚合物。
<8>一种有机电致发光元件，其在基板上具有阳极和阴极以及存在于该阳极与该阴极之间的有机层，前述有机层包含使用前述<7>所述的有机电致发光元件用组合物通过湿式成膜法形成的层。
<9>根据前述<8>所述的有机电致发光元件，其中，前述通过湿式成膜法形成的层为空穴注入层和空穴传输层中的至少一者。
<10>根据前述<9>所述的有机电致发光元件，其中，前述有机层具备空穴注入层、空穴传输层以及发光层，前述空穴注入层、前述空穴传输层以及前述发光层均是通过湿式成膜法形成的层。
<11>一种有机EL显示装置，其包含前述<8>～<10>中的任一项所述的有机电致发光元件。
<12>一种有机EL照明，其包含前述<8>～<10>中的任一项所述的有机电致发光元件。
发明的效果
本发明的聚合物能够通过湿式成膜法来进行层叠化。另外，由于具有高的空穴传输能力和电化学稳定性，因此作为有机电致发光元件用材料是有用的，使用该聚合物得到的有机电致发光元件的电压低、以高效率进行驱动、驱动稳定性优异，作为有机EL显示装置(有机EL显示器)和有机EL照明用途是有用的。
附图说明
图1是示出本发明的有机电致发光元件的实施方式的一例的剖面示意图。
图2是示出基于TOF法测定电荷迁移率中的一般瞬态光电流波形的图。
具体实施方式
以下详细地说明本发明的实施方式，但以下记载的技术特征的说明是本发明的实施方式的一例(代表例)，本发明在不超过其主旨的范围内不限定于这些内容。
[聚合物]
本发明的聚合物包含以下重复单元：具有下述式(1)所示的部分结构(以下有时称为部分结构(1)。)的重复单元以及具有交联性基团的重复单元。
{部分结构(1)}
[化学式5]
(式(1)中，Ar1、Ar3、Ar4和Ar5各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar2表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。
R1表示可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的烷氧基，R2～R7各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。
R2和R3可以相互键合而形成环。R4和R5可以相互键合而形成环。R6和R7可以相互键合而形成环。
l、m和n各自独立地表示0～2的整数。
其中，式(1)中，Ar1～Ar5或R2～R7为多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。)
<结构上的特征>
部分结构(1)是柔软的分支结构，其在sp3碳上进行分支且该sp3碳具有为烷基或烷氧基的R1，对于包含这样的部分结构(1)作为重复单元的本发明的聚合物而言，在分子间聚合物链彼此容易产生相互作用、容易发生分子间的空穴的交接。因此，使用前述聚合物进行制膜而得到的膜的空穴迁移率高，因此，具有用前述聚合物形成的有机层的本发明的有机电致发光元件的驱动电压更低。
另外，使用了前述聚合物的层由于难以捕获空穴、电荷难以蓄积，因此材料难以发生分解，由此，具有用前述聚合物形成的有机层的本发明的有机电致发光元件的驱动稳定性优异。
<关于Ar1～Ar5>
作为构成Ar1～Ar5的可以具有取代基的芳香族烃环基，例如可列举出：具有1个(Ar2的情况)或2个(Ar1、Ar3～Ar5的情况)自由价的苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、1,2-苯并菲环、三亚苯环、苊环、荧蒽环或芴环等6元环的单环或2～5稠合环。
此处，在本发明中，自由价如有机化学·生物化学命名法(上)(第2版修订、南江堂株式会社、1992年发行)所记载的那样，是指能够与其它自由价形成键的状态。
作为构成Ar1～Ar5的可以具有取代基的芳香族杂环基，例如可列举出：具有1个(Ar2的情况)或2个(Ar1、Ar3～Ar5的情况)自由价的呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、呸啶(perimidine)环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、薁环等5元环或6元环的单环或者2～4稠合环。
其中，从溶解性和耐热性的观点出发，Ar1～Ar5优选为选自由具有1个(Ar2的情况)或2个(Ar1、Ar3～Ar5的情况)自由价的苯环、萘环、蒽环、菲环、三亚苯环、芘环、噻吩环、吡啶环以及芴环组成的组中的环。
式(1)中，Ar1～Ar5可以是使两个以上可以具有取代基的芳香族烃环基和/或可以具有取代基的芳香族杂环基键合而成的基团。作为这样的基团，可列举出Ar1和Ar3～Ar5为亚联苯基、亚三联苯基等，优选为4,4’-亚联苯基。另外，Ar2可列举出联苯基、三联苯基等，优选为对苯基苯基。
作为Ar1～Ar5的芳香族烃环基或芳香族杂环基可以具有的取代基，没有特别限定，例如可列举出选自下述取代基组Z中的基团。需要说明的是，Ar1～Ar5可以具有1个取代基，也可以具有2个以上。具有2个以上时，可以具有1种取代基，也可以以任意组合和任意比率具有2种以上的取代基。
(取代基组Z)
例如，甲基、乙基等碳数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷基；
例如，乙烯基等碳数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的烯基；
例如，乙炔基等碳数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的炔基；
例如，甲氧基、乙氧基等碳数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷氧基；
例如，苯氧基、萘氧基、吡啶基氧基等碳数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24的芳基氧基；
例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基等碳数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的烷氧基羰基；
例如，二甲基氨基、二乙基氨基等碳数通常为2以上且通常为24以下、优选为12以下的二烷基氨基；
例如，二苯基氨基、二甲苯基氨基、N-咔唑基等碳数通常为10以上、优选为12以上且通常为36以下、优选为24以下的二芳基氨基；
例如，苯基甲基氨基等碳数通常为7以上且通常36以下、优选为24以下的芳基烷基氨基；
例如，乙酰基、苯甲酰基等碳数通常为2以上且通常为24以下、优选为12的酰基；
例如，氟原子、氯原子等卤素原子；
例如，三氟甲基等碳数通常为1以上且通常12以下、优选为6以下的卤代烷基；
例如，甲硫基、乙硫基等碳数通常为1以上且通常为24以下、优选为12以下的烷硫基；
例如，苯硫基、萘硫基、吡啶基硫基等碳数通常为4以上、优选为5以上且通常为36以下、优选为24以下的芳硫基；
例如，三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等碳数通常为2以上、优选为3以上且通常为36以下、优选为24以下的甲硅烷基；
例如，三甲基甲硅烷氧基、三苯基甲硅烷氧基等碳数通常为2以上、优选为3以上且通常为36以下、优选为24以下的甲硅烷氧基；
氰基；
例如，苯基、萘基等碳数通常为6以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族烃环基；
例如，噻吩基、吡啶基等碳数通常为3以上、优选为4以上且通常为36以下、优选为24以下的芳香族杂环基：
这些取代基之中，从溶解性的观点出发，优选为碳数1～12的烷基和碳数1～12的烷氧基。
另外，上述各取代基还可以进一步具有取代基，作为其例子，可列举出前述取代基组Z中例示出的基团。
作为Ar1～Ar5所示基团的式量，在具有取代基时，包括其取代基在内通常为65以上、优选为75以上，通常为500以下、优选为300以下、更优选为250以下、进一步优选为200以下。Ar1～Ar5所示基团的式量过大时，聚合物的电荷传输能力有可能降低，另外，交联前的聚合物相对于溶剂的溶解性有可能显著降低。
<关于R1>
R1表示可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的烷氧基。
关于本发明的聚合物，通过在分支部分的sp3碳上导入烷基或烷氧基，与导入了芳香族烃环基、芳香族杂环基的情况相比，交联反应前的聚合物相对于溶剂的溶解性会提高，容易获得均质的膜。
作为构成R1的可以具有取代基的烷基，例如可列举出甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳数通常为1以上且通常为24以下的直链或分支的链状烷基。这些之中，碳数为1以上且12以下、尤其为6以下的烷基从耐久性和溶解性的观点出发是进一步优选的。
作为构成R1的可以具有取代基的烷氧基，例如可列举出甲氧基、乙氧基、丁氧基等碳数通常为1以上且通常为24以下的直链或分支的链状烷氧基。这些之中，碳数通常为1以上且12以下、尤其是6以下的烷氧基从耐久性和溶解性的观点出发是进一步优选的。
进而，作为R1的烷基或烷氧基可以具有的取代基，没有特别限定，例如可列举出选自前述取代基组Z中的基团。需要说明的是，R1可以具有1个取代基，也可以具有2个以上。具有2个以上时，可以具有1种取代基，也可以以任意组合和任意比率具有2种以上的取代基。
其中，在有效地获得本发明中的R1的前述效果、即容易引起聚合物链彼此的相互作用这一效果的基础上、R1的烷基或烷氧基具有取代基时，作为其取代基，优选碳数为12以下的芳香族烃环基，特别优选R1的烷基或烷氧基不具有取代基。
另外，作为R1的式量，在具有取代基时，包括其取代基在内优选为500以下、进一步优选为200以下。R1所示的基团的式量过大时，有时无法充分地获得容易引起聚合物链彼此的相互作用这一效果。
<关于R2～R7>
作为构成R2～R7的可以具有取代基的烷基或者可以具有取代基的烷氧基，可列举出作为构成R1的可以具有取代基的烷基或者可以具有取代基的烷氧基而例示出的基团。
另外，作为构成R2～R7的可以具有取代基的芳香族烃环基或者可以具有取代基的芳香族杂环基，可列举出作为构成Ar2的可以具有取代基的芳香族烃环基或者可以具有取代基的芳香族杂环基而例示出的基团。
需要说明的是，R2和R3、R4和R5、R6和R7可以分别相互键合而形成环。此处，从溶解性和耐热性的观点出发，优选形成环戊烷环、环己烷环、环庚烷环、芴环或者茚环。
这些之中，作为R2～R7，甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等碳数通常为1以上且通常为12以下的直链或分支的链状烷基从耐久性和溶解性的观点出发是优选的。
作为构成这些R2～R7的烷基、烷氧基、芳香族烃环基或芳香族杂环基可以具有的取代基，没有特别限定，例如可列举出选自前述取代基组Z中的基团。需要说明的是，R2～R7可以具有1个取代基，也可以具有2个以上。具有2个以上时，可以具有1种取代基，也可以以任意组合和任意比率具有2种以上的取代基。
另外，若提及式量，则对于R2～R7所示基团的式量而言，在具有取代基时，包括其取代基在内通常为15以上，通常为500以下、优选为300以下、更优选为250以下、进一步优选为200以下。R2～R7的式量过大时，交联前的聚合物相对于溶剂的溶解性有可能显著降低。
<关于l、m、n>
l、m和n表示构成式(1)所示的部分结构并用()括起的各个基本结构(重复结构)的重复数，各自独立地表示0～2的整数。l、m和n中的至少1者为不同的整数时，即不为l＝m＝n的情况下，分支结构的对称性降低、聚合物相对于溶剂的溶解性提高，因此能获得更均质的膜，从而更优选。
其中，式(1)中，Ar1～Ar5、R2～R7为多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。
<关于部分结构(1)的式量>
关于部分结构(1)的式量，通常为400以上且通常为3000以下、特别优选为2000以下。部分结构(1)的式量过大时，交联前的聚合物相对于溶剂的溶解性降低。其中，为了向式(1)导入必要的结构，部分结构(1)的式量通常为作为上述下限的400以上的值。
<部分结构(1)的具体例>
以下示出部分结构(1)的具体例，本发明所述的部分结构(1)不限定于以下的例子。
本发明的聚合物可以包含具有1种部分结构(1)的重复单元，也可以包含具有2种以上部分结构(1)的重复单元。
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
[化学式9]
[化学式10]
{交联性基团}
对于本发明的聚合物，通过包含具有交联性基团的重复单元，从而在通过热和/或活性能量射线的照射而引起的反应(难溶化反应)的前后，能够使其相对于有机溶剂的溶解性产生明显的差异。
交联性基团是指通过热和/或活性能量射线的照射而与位于该交联性基团附近的构成其它分子的基团发生反应从而生成新的化学键的基团。此时，要反应的基团可以是与交联性基团相同的基团也可以是不同的基团。
作为交联性基团，可列举出：通过阳离子聚合而进行交联反应的基团、通过自由基聚合而进行交联反应的基团、或者进行环化加成反应的基团等。更具体而言，从容易交联这一点出发，例如可列举出以下的交联性基团组T所示的基团。
[化学式11]
<交联性基团组T>
(式中，R21～R23各自独立地表示氢原子或烷基。Ar10表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。)
此处，作为R21～R23的烷基，优选通常碳数为6以下的直链或分支的链状烷基，例如为甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、异丁基等。特别优选为甲基或乙基。R21～R23的碳数过大时，有立体性地阻碍交联反应、膜的不溶化变得难以发生的担心。
另外，作为Ar10的可以具有取代基的芳香族烃环基，例如可列举出具有1个自由价的苯环、萘环等6元环的单环或2～5稠合环。特别优选为具有1个自由价的苯环。另外，Ar10也可以是键合2个以上上述可以具有取代基的芳香族烃环基而成的基团。作为这样的基团，可列举出亚联苯基、亚三联苯基等，优选为4,4’-亚联苯基。
在这些交联性基团组T所示的基团之中，环氧基、氧杂环丁烷基等环状醚基、乙烯基醚基等通过阳离子聚合进行交联反应的基团从反应性高、容易因交联而不溶化的观点出发是优选的。其中，从容易控制阳离子聚合的速度的观点出发，特别优选为氧杂环丁烷基，从难以生成在阳离子聚合时有可能会招致元件的劣化的羟基的观点出发，优选为乙烯基醚基。
另外，肉桂酰基等芳基乙烯基羰基、具有1价自由价的苯并环丁烯环等会进行环化加成反应的基团从进一步提高元件的电化学稳定性的观点出发是优选的。
另外，在交联性基团之中，从交联后的结构特别稳定的观点出发，特别优选为具有1价自由价的苯并环丁烯环。
作为交联性基团，具体而言，优选为下述式(III)所示的具有1价自由价的苯并环丁烯环。需要说明的是，式(III)的苯并环丁烯环是未经取代的，但具有取代基的苯并环丁烯环也同样是优选的。另外，该取代基可以彼此相互键合而形成环。
[化学式12]
在本发明的聚合物中，交联性基团可以直接键合于芳香族烃环基和/或芳香族杂环基，也可以直接键合于除芳香族烃环基和/或芳香族杂环基以外的基团，还可以介由任意的2价基团键合于这些基团。作为任意的2价基团，优选的是，以任意的顺序连结1～30个-O-基、-C(＝O)-基以及(可以具有取代基的)-CH2-基而成的基团。作为这些介由2价基团键合的交联性基团，作为优选的基团，例如可列举出以下的<包含交联性基团的基团组G3>所示的基团，但本发明不限定于它们。
<包含交联性基团的基团组G3>
[化学式13]
[化学式14]
在本发明的聚合物中，交联性基团的位置在不损害本发明的效果的范围内没有特别限定，从容易交联的观点出发，特别优选以前述式(1)的Ar2的芳香族环的取代基的形式存在。
需要说明的是，前述式(1)中，如前所述，部分结构(1)所包含的2个以上的Ar2可以相同，也可以不同。因此，具有交联性基团作为取代基的Ar2和不具有交联性基团的Ar2可以存在于具有式(1)所示的部分结构的一个重复单元中。
从通过交联而充分地进行不溶化且容易通过湿式成膜法在其上形成其它层的观点出发，本发明的聚合物所具有的交联性基团优选为多。另一方面，从所形成的层难以产生裂纹、未反应交联性基团难以残留、有机电致发光元件(有机EL元件)的寿命容易变长的观点出发，交联性基团优选为少。
本发明的聚合物的1个聚合物链中存在的交联性基团优选平均为1以上、更优选平均为2以上，另外优选为200以下、更优选为100以下。
另外，本发明的聚合物所具有的交联性基团的数量可以用平均每1000分子量的聚合物中存在的数量来表示。
将本发明的聚合物所具有的交联性基团的数量用平均每1000分子量的聚合物中存在的数量来表示时，在平均每1000分子量的聚合物中，交联性基团的数量通常为3.0个以下、优选为2.0个以下、进一步优选为1.0个以下，另外通常为0.01个以上、优选为0.05个以上。
交联性基团的数量在上述范围内时，难以产生裂纹等，容易获得平坦的膜。另外，由于交联密度适度，因此，交联反应后残留在层内的未反应的交联性基团少，难以影响所得元件的寿命。
进而，由于交联反应后相对于有机溶剂的难溶性充分，因此容易通过湿式成膜法形成多层层叠结构。
此处，平均每1000分子量的聚合物中存在的交联性基团的数量可以如下算出：从聚合物去除其末端基团，并由合成时的投料单体的摩尔比和结构式算出。
例如，若用后述合成例1中合成的目标聚合物1的情况进行说明时，在目标聚合物1中，去除了末端基团的重复单元的分子量为平均731.8805，另外，交联性基团相对于1个重复单元为平均0.0639个。通过单纯比例对其进行计算时，平均每1000分子量中存在的交联性基团的数量算出为0.087个。
{部分结构(2)}
本发明的聚合物优选与前述部分结构(1)一起包含具有下述式(2)所示的部分结构(以下有时称为部分结构(2)。)的重复单元。即，本发明的聚合物更优选包含具有部分结构(1)的重复单元、具有部分结构(2)的重复单元、以及具有交联性基团的重复单元，其中，具有交联性基团的重复单元优选为包含具有交联性基团的部分结构(1)的重复单元。
[化学式15]
(式(2)中，Ar6和Ar7各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar8表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。
R8和R9各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃环基、或可以具有取代基的芳香族杂环基。
R8和R9可以相互键合而形成环。
p表示0～2的整数。
需要说明的是，式(2)中，R8、R9和Ar7中的至少一者为多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。)
<结构上的特征>
式(2)中存在亚甲基。像这样，由于主链包含非刚直的亚甲基，从而在使聚合物发生交联而不溶于有机溶剂后也能够维持高的电荷传输能力和氧化还原稳定性。另外，由于主链包含会抑制π共轭体系扩散的亚甲基，从而在使聚合物发生交联而不溶于有机溶剂后也能够将单重态激发能级和三重态激发能级维持为高。因此，由于本发明的聚合物具有部分结构(2)，从而在通过将本发明的聚合物交联而成的网状聚合物形成层时，使该层即使在低电压下也可流通电流且使激子难以失活。
另外，在式(2)中，由于存在亚甲基、π共轭并未扩散，因此空穴边跳跃边迁移聚合物链。在空穴发生跳跃迁移的情况下，若具有柔软的部分结构(1)的分支结构，则容易在分子内、分子间产生聚合物链彼此的相互作用，空穴迁移率大幅提高，因此更优选。
<关于Ar6～Ar8>
构成Ar6、Ar7的可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基与前述部分结构(1)中的Ar1、Ar3～Ar5的可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基相同，具体例和优选的方式也相同。
构成Ar8的可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基与前述部分结构(1)中的Ar2的可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基相同，具体例和优选的方式也相同。
<关于R8和R9>
作为构成R8和R9的可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，与前述部分结构(1)中的R2～R7的可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基相同，具体例和优选的方式也相同。
需要说明的是，R8和R9可以相互键合而形成环。此时，从溶解性和耐热性的观点出发，优选形成环戊烷环、环己烷环、环庚烷环、芴环或茚环。
<关于p>
p表示构成具有式(2)所示的部分结构的重复单位的、括号内所示结构的重复数，为0～2的整数。
p过大时，电荷传输性降低，因此，p优选为0或1。
需要说明的是，式(2)中，Ar7、R8、R9分别为多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。
<关于部分结构(2)的式量>
关于部分结构(2)的式量，通常为300以上且通常为3000以下，特别优选为2000以下。部分结构(2)的式量过大时，交联前的聚合物相对于溶剂的溶解性降低。其中，为了向式(2)导入必要的结构，部分结构(2)的式量通常为作为上述下限的300以上。
<部分结构(2)的具体例>
以下示出部分结构(2)的具体例，但本发明所述的部分结构(2)不限定于以下的例子。
本发明的聚合物可以包含具有1种部分结构(2)的重复单元，也可以包含具有2种以上部分结构(2)的重复单元。
[化学式16]
[化学式17]
[化学式18]
{部分结构(1)与部分结构(2)的比例}
关于本发明的聚合物中包含的部分结构(1)与部分结构(2)的比例，相对于部分结构(1)与部分结构(2)的总量100摩尔％，部分结构(2)优选为0～99.9摩尔％、特别优选为80～99.5摩尔％。由于聚合物具有部分结构(2)，如上所述，会起到提高电荷传输能力、维持氧化还原稳定性、提高空穴迁移率这样的效果。
{聚合物的分子量}
本发明的聚合物的重均分子量通常为3,000,000以下、优选为1,000,000以下、更优选为500,000以下、进一步优选为200,000以下，另外，通常为1,000以上、优选为2,500以上、更优选为5,000以上、进一步优选为20,000以上。
聚合物的重均分子量超过上述上限值时，相对于溶剂的溶解性降低，因此成膜性有可能受损。另外，聚合物的重均分子量低于上述下限值时，聚合物的玻璃化转变温度、熔点和气化温度会降低，因此有时耐热性会减低。
另外，本发明的聚合物的数均分子量(Mn)通常为2,500,000以下、优选为750,000以下、更优选为400,000以下，另外通常为500以上、优选为1,500以上、更优选为3,000以上。
进而，本发明的聚合物的分散度(Mw/Mn)优选为3.5以下，进一步优选为2.5以下、特别优选为2.0以下。另外，分散度的值越小越好，因此下限值理想为1。该聚合物的分散度为上述上限值以下时，容易精制，另外相对于溶剂的溶解性、电荷传输能力良好。
通常，聚合物的重均分子量通过SEC(体积排除色谱法)测定来决定。SEC测定中，越是高分子量成分则溶出时间越短、越是低分子量成分则溶出时间越长，使用由分子量已知的聚苯乙烯(标准试样)的溶出时间算出的校正曲线，将样品的溶出时间换算成分子量，从而算出重均分子量。
{聚合物的具体例}
以下示出本发明的聚合物的具体例，但本发明的聚合物不限定于这些。需要说明的是，化学式中的数字表示重复单元的摩尔比。
这些共聚物为无规共聚物、交互共聚物、嵌段共聚物或者接枝共聚物等均可，对单体的排列顺序没有限定。
[化学式19]
[化学式20]
[化学式21]
[化学式22]
[化学式23]
{聚合物的物性}
本发明的聚合物的玻璃化转变温度通常为50℃以上、优选为80℃以上、更优选为100℃以上，另外，通常为300℃以下。
在上述范围内时，从聚合物的耐热性优异且所得元件的驱动寿命提高的观点出发是优选的。
另外，本发明的聚合物的电离电位通常为4.5eV以上、优选为4.8eV以上、另外，通常为6.0eV以下、优选为5.7eV以下。
在上述范围内时，聚合物的空穴传输能力优异且所得元件的驱动电压减低，故而优选。
{聚合物的制造方法}
对本发明的聚合物的制造方法没有特别限定，只要能够获得本发明的聚合物则是任意的。例如，可以通过基于Suzuki反应的聚合方法、基于Grignard反应的聚合方法、基于Yamamoto反应的聚合方法、基于Ullmann反应的聚合方法、基于Buchwald-Hartwig反应的聚合方法等来制造。
在基于Ullmann反应的聚合方法和基于Buchwald-Hartwig反应的聚合方法的情况下，例如，通过使下述式(1a)、(1b)所示的三卤代芳基、二卤代芳基(式中，X表示I、Br、Cl、F等卤素原子。)与式(2a)所示的伯氨基芳基发生反应，可合成本发明的聚合物。
[化学式24]
(上述式中，Ar1～Ar7、R1～R9、l、m、n和p分别与前述式(1)、(2)中的Ar1～Ar7、R1～R9、l、m、n和p的意义相同。)
另外，如下所示，也可以使用仲氨基芳基(2b)来代替伯氨基芳基(2a)。
[化学式25]
(上述式中，Ar1～Ar7、R1～R9、l、m、n和p分别与前述式(1)、(2)中的Ar1～Ar7、R1～R9、l、m、n和p的意义相同。)
需要说明的是，在前述的聚合方法中，通常，形成N-芳基键的反应例如在碳酸钾、叔丁醇钠、三乙胺等碱的存在下进行。另外，例如也可以在铜、钯络合物等过渡金属催化剂的存在下进行。
在基于Suzuki反应的聚合方法的情况下，例如，如下述式所例示的那样，通过使硼衍生物与二卤代芳基发生反应，可合成本发明的聚合物。
[化学式26]
(上述式中，Ar1～Ar7、R1～R9、l、m、n和p分别与前述式(1)、(2)中的Ar1～Ar7、R1～R9、l、m、n和p的意义相同。
R是任意的取代基，通常表示羟基或可形成环的烷氧基，多个存在的R可以相同也可以不同。
X表示I、Br、Cl、F等卤素原子，多个存在的X可以相同也可以不同。
Ar12表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，多个存在的Ar12可以相同也可以不同。)
另外，在前述的聚合方法中，通常，硼衍生物与二卤代物的反应工序例如在碳酸钾、叔丁醇钠、三乙胺等碱的存在下进行。另外，根据需要，例如也可以在铜、钯络合物等过渡金属催化剂的存在下进行。进而，在与硼衍生物反应的工序中，例如，可以在碳酸钾、磷酸钾、叔丁醇钠、三乙胺等碱或钯络合物等过渡金属催化剂的存在下进行。
另外，通过将羰基化合物、二乙烯基化合物与氨基的对位为氢原子的三芳基胺在三氟甲磺酸、硫酸等酸催化剂下发生聚合，也能够合成本发明的聚合物。
[有机电致发光元件材料]
本发明的聚合物优选用作有机电致发光元件材料。换言之，本发明的聚合物优选为有机电致发光元件材料。
在将本发明的聚合物用作有机电致发光元件材料的情况下，优选作为形成有机电致发元件的空穴注入层和空穴传输层中的至少一者的材料、即电荷传输材料来使用。
在用作电荷传输材料的情况下，可以含有1种本发明的聚合物，也可以以任意组合和任意比率含有2种以上。
在使用本发明的聚合物来形成有机电致发光元件的空穴注入层和空穴传输层中的至少一者的情况下，空穴注入层和/或空穴传输层中的本发明的聚合物的含量通常为1～100重量％、优选为5～100重量％、进一步优选为10～100重量％。为上述的范围时，空穴注入层和/或空穴传输层的电荷传输性提高，驱动电压降低，驱动稳定性提高，故而优选。
本发明的聚合物在前述空穴注入层和/或空穴传输层中不是100重量％时，作为构成空穴注入层和/或空穴传输层的成分，可列举出后述的空穴传输性化合物等。
另外，由于能够简便地制造有机电致发光元件，因此，本发明的聚合物优选用于通过湿式成膜法形成的有机层。
[有机电致发光元件用组合物]
本发明的有机电致发光元件用组合物含有本发明的聚合物。需要说明的是，本发明的有机电致发光元件用组合物可以含有1种本发明的聚合物，也可以以任意组合和任意比率含有2种以上。
{聚合物的含量}
本发明的有机电致发光元件用组合物中的本发明的聚合物的含量通常为0.01～70重量％、优选为0.1～60重量％、进一步优选为0.5～50重量％。
在上述范围内时，所形成的有机层难以产生缺陷、另外难以发生膜厚不均，故而优选。
本发明中的有机电致发光元件用组合物除了本发明的聚合物以外还可以包含溶剂等。
{溶剂}
本发明的有机电致发光元件用组合物通常含有溶剂。该溶剂优选会溶解本发明的聚合物的溶剂。具体而言，在室温下将本发明的聚合物溶解通常0.05重量％以上、优选0.5重量％以上、进一步优选1重量％以上的溶剂是适合的。
作为溶剂的具体例，可列举出：甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等芳香族系溶剂；1,2-二氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等含卤素溶剂；乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、丙二醇-1-单甲基醚醋酸酯(PGMEA)等脂肪族醚、1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚等芳香族醚等醚系溶剂；醋酸乙酯、醋酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯等脂肪族酯；醋酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸异丙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等酯系溶剂等有机溶剂，以及后述的空穴注入层形成用组合物、空穴传输层形成用组合物中使用的有机溶剂。
需要说明的是，溶剂可以使用1种，也可以以任意组合和任意比率组合使用2种以上。
其中，作为本发明的有机电致发光元件用组合物中含有的溶剂，优选的是，20℃下的表面张力通常不足40dyn/cm、优选为36dyn/cm以下、更优选为33dyn/cm以下的溶剂。
在使用本发明的有机电致发光元件用组合物通过湿式成膜法来形成涂膜、并使本发明的聚合物交联来形成有机层的情况下，优选溶剂与基底的亲和性高。这是因为，膜质的均匀性会显著地影响有机电致发光元件的发光的均匀性和稳定性。因此，对于在湿式成膜法中使用有机电致发光元件用组合物，要求表面张力低至使得能够形成流平性更高且更均匀的涂膜。因而，通过使用前述那样的具有低表面张力的溶剂，能够形成含有本发明的聚合物的均匀的层，进而能够形成均匀的交联层，故而优选。
作为低表面张力的溶剂的具体例，可列举出前述的甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等芳香族系溶剂；苯甲酸乙酯等酯系溶剂；苯甲醚等醚系溶剂；三氟甲氧基苯甲醚、五氟甲氧基苯、3-(三氟甲基)苯甲醚、乙基(五氟苯甲酸酯)等。
另外，另一方面，作为本发明的有机电致发光元件用组合物中含有的溶剂，优选的是，25℃下的蒸气压通常为10mmHg以下、优选为5mmHg以下且通常为0.1mmHg以上的溶剂。通过使用这样的溶剂，能够制备出适于通过湿式成膜法制造有机电致发光元件的工艺、且适于本发明的聚合物的性质的有机电致发光元件用组合物。
作为这样的溶剂的具体例，可列举出前述的甲苯、二甲苯、均三甲苯等芳香族系溶剂；醚系溶剂和酯系溶剂。
此外，水分有可能会引起有机电致发光元件的性能劣化，其中，尤其是有可能促进连续驱动时的亮度的降低。因而，为了尽可能降低湿式成膜中残留的水分，在前述的溶剂之中，优选在25℃下的水中的溶解度为1重量％以下的溶剂、更优选为0.1重量％以下的溶剂。
本发明的有机电致发光元件用组合物中含有的溶剂的含量通常为10重量％以上、优选为30重量％以上、更优选为50重量％以上、特别优选为80重量％以上。通过使溶剂的含量为上述下限以上，能够使形成的层的平坦度和均匀度变得良好。
<受电子性化合物>
本发明的有机电致发光元件用组合物在用于形成空穴注入层的情况下，从低电阻化的观点出发，优选还含有受电子性化合物。
作为受电子性化合物，优选为具有氧化力、具有从本发明的聚合物接受单电子的能力的化合物。具体而言，优选电子亲和能为4eV以上的化合物、进一步优选为5eV以上的化合物。
作为这样的受电子性化合物，例如可列举出选自由三芳基硼化合物、金属卤化物、路易斯酸、有机酸、鎓盐、芳基胺与金属卤化物的盐、以及、芳基胺与路易斯酸的盐组成的组中的1种或2种以上化合物等。
具体而言，可列举出：4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、三苯基锍四氟硼酸盐等有机基取代的鎓盐(国际公开第2005/089024号)；氯化铁(III)(日本特开平11-251067号公报)、过二硫酸铵等高原子价的无机化合物；四氰基乙烯等氰基化合物；三(五氟苯基)硼烷(日本特开2003-31365号公报)等芳香族硼化合物；富勒烯衍生物以及碘等。
作为这样的化合物，优选的是，具有由至少一个有机基团通过碳原子键合于属于长周期型元素周期表(以下，在没有特别记载的情况下，提及“周期表”时视为是指长周期型元素周期表。)的第15～17族的元素而成的结构的离子化合物，特别优选为下述式(I-1)所示的化合物。
[化学式27]
式(I-1)中，R11表示与A1通过碳原子进行键合的有机基团，R12表示任意的取代基。R11和R12可以相互键合而形成环。
作为R11，只要是与A1键合的部分具有碳原子的有机基团，则在不违反本发明主旨的情况下，对其种类没有特别限定。R11的分子量以包括取代基的值计通常为1000以下、优选为500以下的范围。
作为R11的优选例，从使正电荷产生离域作用的观点出发，可列举出烷基、烯基、炔基、芳香族烃环基、芳香族杂环基。其中，为了使正电荷产生离域作用且热稳定，优选为芳香族烃环基或芳香族杂环基。
作为芳香族烃环基，可列举出具有1个自由价的5元环或6元环的单环或2～5稠合环、且使正电荷在该基团上发生离域作用的基团。作为其具体例，可列举出具有1个自由价的苯环、萘环、蒽环、菲环、苝环、并四苯环、芘环、苯并芘环、1,2-苯并菲环、三亚苯环、苊环、芴环等。
作为芳香族杂环基，可列举出具有1个自由价的5元环或6元环的单环或2～4稠合环、且使正电荷在该基团上发生离域作用的基团。作为其具体例，可列举出具有1个自由价的呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、三唑环、咪唑环、噁二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、呸啶环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、薁环等。
作为烷基，可列举出直链状、分支链状或环状的烷基，且其碳数通常为1以上、另外通常为12以下、优选为6以下的烷基。作为具体例，可列举出甲基、乙基、正丙基、2-丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环己基等。
作为烯基，可列举出碳数通常为2以上且通常为12以下、优选为6以下的烯基。作为具体例，可列举出乙烯基、烯丙基、1-丁烯基等。
作为炔基，可列举出碳数通常为2以上且通常为12以下、优选为6以下的炔基。作为具体例，可列举出乙炔基、丙炔基等。
R12在不违反本发明主旨的情况下没有特别限定。R12的分子量以包含取代基的值计通常为1000以下、优选为500以下的范围。
作为R12的例子，可列举出烷基、烯基、炔基、芳香族烃环基、芳香族杂环基、氨基、烷氧基、芳氧基、酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基羰基氧基、烷硫基、芳硫基、磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、氰基、羟基、巯基、甲硅烷基等。
其中，从与R11同样地受电子性大的观点出发，优选为与A1键合的部分具有碳原子的有机基，作为例子，优选为烷基、烯基、炔基、芳香族烃环基、芳香族杂环基。尤其是，为了受电子性大且热稳定，优选为芳香族烃环基或芳香族杂环基。
作为R12的烷基、烯基、炔基、芳香族烃环基、芳香族杂环基，可列举出与关于R11而在前面说明的基团相同的基团。
作为氨基，可列举出烷基氨基、芳基氨基、酰基氨基等。
作为烷基氨基，可列举出具有1个以上的碳数通常为1以上且通常为12以下、优选为6以下的烷基的烷基氨基。作为具体例，可列举出甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、二苄基氨基等。
作为芳基氨基，可列举出具有1个以上的碳数通常为3以上、优选为4以上且通常为25以下、优选为15以下的芳香族烃环基或芳香族杂环基的芳基氨基。作为具体例，可列举出苯基氨基、二苯基氨基、甲苯基氨基、吡啶基氨基、噻吩基氨基等。
作为酰基氨基，可列举出具有1个以上的碳数通常为2以上且通常为25以下、优选为15以下的酰基的酰基氨基。作为具体例，可列举出乙酰基氨基、苯甲酰基氨基等。
作为烷氧基，可列举出碳数通常为1以上且通常为12以下、优选为6以下的烷氧基。作为具体例，可列举出甲氧基、乙氧基、丁氧基等。
作为芳基氧基，可列举出具有碳数通常为3以上、优选为4以上且通常为25以下、优选为15以下的芳香族烃环基或芳香族杂环基的芳基氧基。作为具体例，可列举出苯基氧基、萘基氧基、吡啶基氧基、噻吩基氧基等。
作为酰基，可列举出碳数通常为1以上且通常为25以下、优选为15以下的酰基。作为具体例，可列举出甲酰基、乙酰基、苯甲酰基等。
作为烷氧基羰基，可列举出碳数通常为2以上且通常为10以下、优选为7以下的烷氧基羰基。作为具体例，可列举出甲氧基羰基、乙氧基羰基等。
作为芳基氧基羰基，可列举出具有碳数通常为3以上、优选为4以上且通常为25以下、优选为15以下的芳香族烃环基或芳香族杂环基的芳基氧基羰基。作为具体例，可列举出苯氧基羰基、吡啶基氧基羰基等。
作为烷基羰基氧基，可列举出碳数通常为2以上且通常为10以下、优选为7以下的烷基羰基氧基。作为具体例，可列举出乙酰氧基、三氟乙酰氧基等。
作为烷硫基，可列举出碳数通常为1以上且通常为12以下、优选为6以下的烷硫基。作为具体例，可列举出甲硫基、乙硫基等。
作为芳硫基，可列举出碳数通常为3以上、优选为4以上且通常为25以下、优选为14以下的芳硫基。作为具体例，可列举出苯硫基、萘硫基、吡啶基硫基等。
作为烷基磺酰基和芳基磺酰基的具体例，可列举出甲磺酰基、甲苯磺酰基等。
作为磺酰基氧基的具体例，可列举出甲磺酰基氧基、甲苯磺酰基氧基等。
作为甲硅烷基的具体例，可列举出三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等。
以上，作为R11和R12而例示出的基团在不违反本发明的主旨的范围内，可以进一步被其它取代基所取代。对取代基的种类没有特别限定，作为例子，除了作为上述R11和R12而分别例示出的基团之外，还可列举出卤素原子、氰基、硫代氰基、硝基等。其中，从不妨碍离子化合物(受电子性化合物)的耐热性和受电子性的观点出发，优选为烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳基氧基、芳香族烃环基、芳香族杂环基。
式(I-1)中，A1优选为属于周期表的第17族的元素，从受电子性和获取容易性的观点出发，优选为周期表的第5周期以前(第3～第5周期)的元素。即，作为A1，优选为碘原子、溴原子、氯原子之中的任一者。
尤其是，从受电子性、化合物的稳定性的方面来看，优选式(I-1)中的A1是溴原子或碘原子的离子化合物，最优选A1是碘原子的离子化合物。
式(I-1)中，Z1 n1-表示抗衡阴离子。对抗衡阴离子的种类没有特别限定，可以是单原子离子，也可以是络离子。其中，由于抗衡阴离子的尺寸越大则负电荷越会发生离域作用，与其相伴，正电荷也会发生离域作用而受电子能力变大，因此与单原子离子相比，更优选络离子。
n1是与抗衡阴离子Z1 n1-的离子价相当的任意正整数。对n1的值没有特别限定，优选为1或2、最优选为1。
作为Z1 n1-的具体例，可列举出氢氧化物离子、氟化物离子、氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子、氰化物离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子、硫酸根离子、亚硫酸根离子、高氯酸根离子、高溴酸根离子、高碘酸根离子、氯酸根离子、亚氯酸根离子、次亚氯酸根离子、磷酸根离子、亚磷酸根离子、次亚磷酸根离子、硼酸根离子、异氰酸根离子、硫化氢离子、四氟硼酸根离子、六氟磷酸根离子、六氯锑酸根离子；醋酸根离子、三氟醋酸根离子、苯甲酸根离子等羧酸根离子；甲磺酸、三氟甲磺酸根离子等磺酸根离子；甲氧基离子、叔丁氧基离子等烷氧基离子等，优选为四氟硼酸根离子和六氟硼酸根离子。
另外，作为抗衡阴离子Z1 n1-，从化合物的稳定性、在溶剂中的溶解性的观点以及尺寸大的观点出发，由于负电荷发生离域作用，与此相伴，正电荷也发生离域作用而受电子能力变大，因此，特别优选为下述式(I-2)所示的络离子。
[化学式28]
式(I-2)中，E3各自独立地表示属于长周期型元素周期表的第13族的元素。其中，优选为硼原子、铝原子、镓原子，从化合物的稳定性、合成以及精制容易度的观点出发，优选为硼原子。
式(I-2)中，Ar31～Ar34各自独立地表示芳香族烃环基或芳香族杂环基。作为芳香族烃环基、芳香族杂环基的例示，可列举出与关于R11而在前面例示出的基团同样的、具有1个自由价的5元环或6元环的单环或2～4稠合环。其中，从化合物的稳定性、耐热性的观点出发，优选为具有1个自由价的苯环、萘环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环。
作为Ar31～Ar34而例示出的芳香族烃环基、芳香族杂环基，在不违反本发明的主旨的范围内，可以进一步被其它取代基所取代。对取代基的种类没有特别限定，可以适用任意的取代基，优选为吸电子性的基团。
若例示出优选作为Ar31～Ar34任意具有的取代基的吸电子性基团，则可列举出氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子；氰基；硫代氰基；硝基；甲磺酰基等烷基磺酰基；甲苯磺酰基等芳基磺酰基；甲酰基、乙酰基、苯甲酰基等碳数通常为1以上且通常为12以下、优选为6以下的酰基；甲氧基羰基、乙氧基羰基等碳数通常为2以上且通常为10以下、优选为7以下的烷氧基羰基；苯氧基羰基、吡啶基氧基羰基等具有碳数通常为3以上、优选为4以上且通常为25以下、优选为15以下的芳香族烃环基或芳香族杂环基的芳基氧基羰基；氨基羰基；氨基磺酰基；三氟甲基、五氟乙基等在碳数通常为1以上且通常为10以下、优选为6以下的直链状、分支链状或环状的烷基上取代有氟原子、氯原子等卤素原子的卤代烷基等。
其中，Ar31～Ar34之中的至少1个基团更优选具有1个或2个以上氟原子或氯原子作为取代基。尤其是，从使负电荷高效地产生离域作用的观点和具有适度的升华性的观点出发，最优选的是，Ar31～Ar34的氢原子全部被氟原子取代的全氟芳基。作为全氟芳基的具体例，可列举出五氟苯基、七氟-2-萘基、四氟-4-吡啶基等。
本发明中的受电子性化合物的分子量通常为100～5000、优选为300～3000、进一步优选为400～2000。
在上述范围内时，从使正电荷和负电荷充分地产生离域作用、受电子能力良好、另外难以妨碍电荷传输的观点来看是优选的。
以下示出适合于本发明的受电子性化合物的具体例，但本发明不限定于这些例子。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
本发明的有机电致发光元件用组合物可以单独含有上述那样的受电子性化合物中的1种，另外，也可以以任意组合和比率包含2种以上。
本发明的有机电致发光元件用组合物包含受电子性化合物时，本发明的有机电致发光元件用组合物的受电子性化合物的含量通常为0.0005重量％以上、优选为0.001重量％以上且通常为20重量％以下、优选为10重量％以下。另外，有机电致发光元件用组合物中的受电子性化合物相对于本发明的聚合物的比率通常为0.5重量％以上、优选为1重量％以上、更优选为3重量％以上且通常为80重量％以下、优选为60重量％以下、进一步优选为40重量％以下。
有机电致发光元件用组合物中的受电子性化合物的含量为上述下限以上时，电子受体从聚合物接受电子，所形成的有机层发生低电阻化，故而优选，为上述上限以下时，所形成的有机层难以产生缺陷，另外难以产生膜厚不均，故而优选。
<阳离子自由基化合物>
本发明的有机电致发光元件用组合物还可以进一步含有阳离子自由基化合物。
作为阳离子自由基化合物，优选的是，由从空穴传输性化合物中去除单电子而成的化学种即阳离子自由基与抗衡阴离子形成的离子化合物。其中，阳离子自由基源自空穴传输性的高分子化合物时，阳离子自由基成为从高分子化合物的重复单元中去除单电子而成的结构。
作为阳离子自由基，优选的是，从作为空穴传输性化合物的前述的化合物中去除单电子而成的化学种。从作为空穴传输性化合物优选的化合物中去除单电子而成的化学种从非晶质性、可见光透射率、耐热性、以及溶解性等的观点出发是适合的。
此处，阳离子自由基化合物可以通过将前述的空穴传输性化合物与前述的受电子性化合物混合来生成。即，通过将前述的空穴传输性化合物与前述的受电子性化合物混合，从空穴传输性化合物向受电子性化合物发生电子迁移，从而生成由空穴传输性化合物的阳离子自由基与抗衡阴离子形成的阳离子离子化合物。
本发明的有机电致发光元件用组合物包含阳离子自由基化合物时，本发明的有机电致发光元件用组合物的阳离子自由基化合物的含量通常为0.0005重量％以上、优选为0.001重量％以上且通常为40重量％以下、优选为20重量％以下。阳离子自由基化合物的含量为上述下限以上时，所形成的有机层发生低电阻化，故而优选，为上述上限以下时，所形成的有机层难以产生缺陷，另外难以产生膜厚不均，故而优选。
需要说明的是，本发明的有机电致发光元件用组合物中，除了上述成分以外，还可以以后述的含量含有在后述的空穴注入层形成用组合物、空穴传输层形成用组合物中包含的成分。
[有机电致发光元件]
本发明的有机电致发光元件的特征在于，其在基板上具有阳极和阴极以及存在于该阳极与该阴极之间的有机层，该有机层包含使用本发明的有机电致发光元件用组合物通过湿式成膜法形成的层，所述有机电致发光元件用组合物包含本发明的聚合物。
在本发明的有机电致发光元件中，通过湿式成膜法形成的层优选为空穴注入层和空穴传输层中的至少一者，特别优选的是，该有机层具备空穴注入层、空穴传输层以及发光层，这些空穴注入层、空穴传输层以及发光层均是通过湿式成膜法形成的层。
在本发明中，湿式成膜法是指下述方法：作为成膜方法即涂布方法采用例如旋转涂覆法、浸涂法、模头涂布法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、喷涂法、毛细管涂布法、喷墨法、喷头打印法、丝网印刷法、凹印法、胶版印刷法等以湿式方式成膜的方法，并使该涂布膜干燥来进行膜形成。在这些成膜方法当中，优选旋转涂覆法、喷涂法、喷墨法、喷头打印法等。
以下，参照图1对本发明的有机电致发光元件的层构成及其一般的形成方法等实施方式的一例进行说明。
图1是表示本发明的有机电致发光元件10的结构例的剖面的示意图，在图1中分别采用以下表示：1为基板、2为阳极、3为空穴注入层、4为空穴传输层、5为发光层、6为空穴阻挡层、7为电子传输层、8为电子注入层、9为阴极。
{基板}
基板1成为有机电致发光元件的支撑体，通常可以使用石英或玻璃的板、金属板、金属箔、塑料薄膜或片等。这些之中，优选为玻璃板、聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明的合成树脂的板。关于基板，为了难以因外部气体而导致有机电致发光元件发生劣化，优选阻气性高的材质。因此，尤其是如合成树脂制基板等那样使用阻气性低的材质时，在基板的至少单面设置致密的硅氧化膜等来提高阻气性是优选的。
{阳极}
阳极2起到向发光层5侧的层中注入空穴的作用。
阳极2通常由铝、金、银、镍、钯、铂等金属、铟和/或锡的氧化物等金属氧化物、碘化铜等金属卤化物、炭黑和聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等导电性高分子等构成。
阳极2的形成通常多通过溅射法、真空蒸镀法等干式法来进行。另外，在使用银等金属微粒、碘化铜等微粒、炭黑、导电性的金属氧化物微粒、导电性高分子微粉等形成阳极时，也可以通过使这些微粒等分散在适当的粘结剂树脂溶液中并涂布在基板上来形成阳极2。另外，在导电性高分子的情况下，也可以通过电解聚合直接在基板上形成薄膜，或者在基板上涂布导电性高分子来形成阳极(Appl.Phys.Lett.，60卷，2711页，1992年)。
阳极2通常为单层结构，也可以适当制成层叠结构。阳极2为层叠结构时，可以在第1层阳极上层叠不同的导电材料。
关于阳极2的厚度，只要根据所需的透明性和材质等来决定即可。在需要特别高的透明性的情况下，优选为可见光的透射率达到60％以上的厚度、进一步优选为可见光的透射率达到80％以上的厚度。优选的是，阳极2的厚度通常为5nm以上、优选为10nm以上，另外，通常为1000nm以下、优选为500nm以下。另一方面，在不需要透明性的情况下，阳极2的厚度根据所需要的强度等任意地设置厚度即可，此时，阳极2可以与基板为相同的厚度。
在阳极2的表面成膜其它层时，优选的是，在成膜前，通过实施紫外线/臭氧、氧等离子体、氩等离子体等处理，在去除阳极2上的杂质的同时，调整其电离电位来提高空穴注入性。
{空穴注入层}
承担将空穴从阳极2侧向发光层5侧传输的功能的层通常被称为空穴注入传输层或空穴传输层。并且，承担将空穴从阳极2侧向发光层5侧传输的功能的层为2层以上时，有时将距离阳极侧更近的层称为空穴注入层3。空穴注入层3从强化将空穴从阳极2向发光层5侧传输的功能的观点出发而优选形成。在形成空穴注入层3的情况下，空穴注入层3通常在阳极2上形成。
空穴注入层3的膜厚通常为1nm以上、优选为5nm以上，另外，通常为1000nm以下、优选为500nm以下。
空穴注入层的形成方法可以是真空蒸镀法，也可以是湿式成膜法。从成膜性优异的观点来看，优选通过湿式成膜法形成。
空穴注入层3优选包含空穴传输性化合物，更优选包含空穴传输性化合物和受电子性化合物。进而，空穴注入层中优选包含阳离子自由基化合物，特别优选包含阳离子自由基化合物和空穴传输性化合物。
以下，针对一般的空穴注入层的形成方法进行说明，在本发明的有机电致发光元件中，空穴注入层优选使用本发明的有机电致发光元件用组合物通过湿式成膜法来形成。
<空穴传输性化合物>
空穴注入层形成用组合物通常含有会形成空穴注入层3的空穴传输性化合物。另外，在湿式成膜法的情况下，通常还含有溶剂。空穴注入层形成用组合物优选空穴传输性高、能够高效地传输所注入的空穴。因此，优选的是，空穴迁移率大、在制造时、使用时等不易发生会成为缺陷的杂质。另外，优选稳定性优异、电离电位小、相对于可见光的透明性高。特别优选的是，在空穴注入层接触发光层时，不会将从发光层发出的光淬灭的化合物、不会与发光层形成激基复合物而使发光效率降低的化合物。
作为空穴传输性化合物，从阳极到空穴注入层的电荷注入势垒的观点出发，优选为具有4.5eV～6.0eV的电离电位的化合物。作为空穴传输性化合物的例子，可列举出芳香族胺系化合物、酞菁系化合物、卟啉系化合物、低聚噻吩系化合物、聚噻吩系化合物、苄基苯基系化合物、用芴基连结叔胺而成的化合物、腙系化合物、硅氮烷系化合物、喹吖啶酮系化合物等。
在上述的例示化合物之中，从非晶质性和可见光透射率的观点出发，优选为芳香族胺化合物、特别优选为芳香族叔胺化合物。此处，芳香族叔胺化合物是指具有芳香族叔胺结构的化合物，还包括具有源自芳香族叔胺的基团的化合物。
对芳香族叔胺化合物的种类没有特别限定，从通过表面平滑化效果而容易获得均匀的发光的观点出发，优选使用重均分子量为1000以上且1000000以下的高分子化合物(重复单元连结而成的聚合型化合物)。作为芳香族叔胺高分子化合物的优选例，可列举出具有下述式(I)所示的重复单元的高分子化合物等。
[化学式29]
(式(I)中，Ar11和Ar12各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。Ar13～Ar15各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。Y表示选自下述所示的连结基团组中的连结基团。另外，Ar11～Ar15之中，键合于同一N原子的两个基团可以相互键合而形成环。
[化学式30]
(上述各式中，Ar16～Ar26各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基。R15和R16各自独立地表示氢原子或任意的取代基。)
作为Ar16～Ar26的芳香族烃环基和芳香族杂环基，从高分子化合物的溶解性、耐热性、空穴注入传输性的观点出发，优选为具有1个或2个自由价的苯环、萘环、菲环、噻吩环、吡啶环，进一步优选为具有1个或2个自由价的苯环、萘环。
作为具有式(I)所示的重复单元的芳香族叔胺高分子化合物的具体例，可列举出国际公开第2005/089024号中记载的化合物等。
对于空穴注入层3而言，由于通过空穴传输性化合物的氧化能够提高空穴注入层的导电率，因此，优选含有前述的受电子性化合物、前述的阳离子自由基化合物。
PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12卷,481页)、苯胺盐酸盐(J.Phys.Chem.,1990年,94卷,7716页)等源自高分子化合物的阳离子自由基化合物也可以通过氧化聚合(脱氢聚合)来生成。
此处提及的氧化聚合是指：将单体在酸性溶液中使用过二硫酸盐等进行化学性氧化或电化学性氧化。在该氧化聚合(脱氢聚合)的情况下，随着单体被氧化而进行高分子化，生成源自酸性溶液的阴离子成为抗衡阴离子且从高分子的重复单元中去除单电子而成的阳离子自由基。
<基于湿式成膜法的空穴注入层的形成>
通过湿式成膜法来形成空穴注入层3时，通常将构成空穴注入层的材料与可溶的溶剂(空穴注入层用溶剂)混合来制备成膜用的组合物(空穴注入层形成用组合物)，通过将该空穴注入层形成用组合物涂布于相当于空穴注入层的下层的层(通常为阳极)上而成膜，使其干燥，由此形成空穴注入层3。
空穴注入层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度在显著不损害本发明效果的范围内是任意的，从膜厚的均匀性的观点来看，优选为低浓度，另外，另一方面，从空穴注入层难以产生缺陷的观点来看，优选为高浓度。具体而言，优选为0.01重量％以上、进一步优选为0.1重量％以上、特别优选为0.5重量％以上，另外，另一方面，优选为70重量％以下、进一步优选为60重量％以下、特别优选为50重量％以下。
作为溶剂，例如可列举出醚系溶剂、酯系溶剂、芳香族烃系溶剂、酰胺系溶剂等。
作为醚系溶剂，例如可列举出乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、丙二醇-1-单甲基醚醋酸酯(PGMEA)等脂肪族醚以及1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚等芳香族醚等。
作为酯系溶剂，例如可列举出醋酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等。
作为芳香族烃系溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯、环己基苯、3-异丙基联苯、1,2,3,4-四甲基苯、1,4-二异丙基苯、环己基苯、甲基萘等。作为酰胺系溶剂，例如可列举出N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等。
除了这些之外，也可以使用二甲基亚砜等。
关于空穴注入层3的基于湿式成膜法的形成，通常通过在制备空穴注入层形成用组合物后，将其涂布在相当于空穴注入层3的下层的层(通常为阳极2)上并进行成膜、使其干燥，从而进行。
空穴注入层3通常在成膜后通过加热、减压干燥等而使涂布膜干燥。
<基于真空蒸镀法的空穴注入层的形成>
通过真空蒸镀法来形成空穴注入层3时，通常将空穴注入层3的构成材料(前述的空穴传输性化合物、受电子性化合物等)中的1种或2种以上投入到设置在真空容器内的坩埚中(使用2种以上的材料时，通常将各种材料投入到各自的坩埚中)，将真空容器内用真空泵排气至10-4Pa左右后，加热坩埚(使用2种以上的材料时，通常将各自的坩埚加热)，边控制坩埚内的材料的蒸发量边使其蒸发(使用2种以上的材料时，通常边各自独立地控制蒸发量边使其蒸发)，在与坩埚相对放置的基板的阳极上形成空穴注入层。需要说明的是，使用2种以上的材料时，还可以将它们的混合物投入到坩埚中，进行加热而使其蒸发来形成空穴注入层。
蒸镀时的真空度只要在不显著损害本发明效果的范围内就没有限定，通常为0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上且9.0×10-6Torr(12.0×10-4Pa)以下。蒸镀速度只要在不显著损害本发明效果的范围内就没有限定，通常为/秒以上且/秒以下。蒸镀时的成膜温度只要在不显著损害本发明效果的范围内就没有限定，优选在10℃以上且50℃以下的条件下进行。
需要说明的是，空穴注入层3也可以与后述的空穴传输层4同样地进行交联。
{空穴传输层}
空穴传输层4承担将空穴从阳极2侧向发光层5侧传输的功能。空穴传输层4在本发明的有机电致发光元件中不是必须的层，从强化将空穴从阳极2向发光层5传输的功能的观点出发，优选形成该层。在形成空穴传输层4的情况下，通常，空穴传输层4形成在阳极2与发光层5之间。另外，存在上述的空穴注入层3的情况下，其形成于空穴注入层3与发光层5之间。
空穴传输层4的膜厚通常为5nm以上、优选为10nm以上，另外，另一方面，通常为300nm以下、优选为100nm以下。
空穴传输层4的形成方法可以是真空蒸镀法，也可以是湿式成膜法。从成膜性优异的观点来看，优选通过湿式成膜法形成。
以下，针对一般的空穴传输层的形成方法进行说明，在本发明的有机电致发光元件中，空穴传输层优选使用本发明的有机电致发光元件用组合物通过湿式成膜法来形成。
空穴传输层4通常含有空穴传输性化合物。作为空穴传输层4中包含的空穴传输性化合物，尤其是可列举出以4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯为代表的、含有2个以上的叔胺且2个以上的稠合芳香族环在氮原子上取代的芳香族二胺(日本特开平5-234681号公报)；4,4’,4”-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺等具有星形结构的芳香族胺化合物(J.Lumin.，72-74卷、985页、1997年)；由三苯基胺的四聚物形成的芳香族胺化合物(Chem.Commun.，2175页、1996年)；2,2’,7,7’-四-(二苯基氨基)-9,9’-螺环双芴等杂螺化合物(Synth.Metals，91卷、209页、1997年)；4,4’-N,N’-二咔唑基联苯等咔唑衍生物等。另外，例如也可优选地使用聚乙烯基咔唑、聚乙烯基三苯基胺(日本特开平7-53953号公报)、含有四苯基联苯胺的聚芳醚砜(polyarylene ether sulfone)(Polym.Adv.Tech.，7卷、33页、1996年)等。
<基于湿式成膜法的空穴传输层的形成>
通过湿式成膜法来形成空穴传输层时，通常与利用湿式成膜法形成上述的空穴注入层时同样地操作，使用空穴传输层形成用组合物代替空穴注入层形成用组合物来形成空穴传输层。
通过湿式成膜法来形成空穴传输层时，通常，空穴传输层形成用组合物还含有溶剂。空穴传输层形成用组合物中使用的溶剂可以使用与上述空穴注入层形成用组合物中使用的溶剂相同的溶剂。
空穴传输层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度可以设为与空穴注入层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度相同的范围。
空穴传输层的基于湿式成膜法的形成可以与前述的空穴注入层成膜法同样地进行。
<基于真空蒸镀法的空穴传输层的形成>
通过真空蒸镀法来形成空穴传输层时，通常也与通过真空蒸镀法来形成上述的空穴注入层时同样操作，可以使用空穴传输层形成用组合物代替空穴注入层形成用组合物来形成空穴传输层。蒸镀时的真空度、蒸镀速度以及温度等成膜条件等可以利用与前述空穴注入层的真空蒸镀时相同的条件来成膜。
{发光层}
发光层5是承担如下功能的层：在向一对电极之间施加电场时，通过从阳极2注入的空穴与从阴极9注入的电子发生再结合从而激发、发光。发光层5是在阳极2与阴极9之间形成的层，在阳极上具有空穴注入层时，发光层在空穴注入层与阴极之间形成，在阳极上具有空穴传输层时，发光层在空穴传输层与阴极之间形成。
发光层5的膜厚只要在不显著损害本发明效果的范围内就可以是任意的，从膜难以产生缺陷的观点出发优选为厚，另外，另一方面，膜厚较薄从容易制成低驱动电压的观点来看是优选的。因此，优选为3nm以上、进一步优选为5nm以上，另外，另一方面，通常优选为200nm以下、进一步优选为100nm以下。
发光层5中至少含有具有发光性质的材料(发光材料)，同时优选含有具有电荷传输性的材料(电荷传输性材料)。
<发光材料>
发光材料只要在所期望的发光波长下发光、不损害本发明效果的条件下就没有特别限定，可以适用公知的发光材料。发光材料可以是荧光发光材料，也可以是磷光发光材料，优选为发光效率良好的材料，从内部量子效率的观点出发优选为磷光发光材料。
作为荧光发光材料，例如可列举出以下的材料。
作为赋予蓝色发光的荧光发光材料(蓝色荧光发光材料)，例如可列举出萘、苝、芘、蒽、香豆素、对双(2-苯基乙烯基)苯和它们的衍生物等。
作为赋予绿色发光的荧光发光材料(绿色荧光发光材料)，例如可列举出喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、Al(C9H6NO)3等铝络合物等。
作为赋予黄色发光的荧光发光材料(黄色荧光发光材料)，例如可列举出红荧烯、萘嘧啶酮衍生物等。
作为赋予红色发光的荧光发光材料(红色荧光发光材料)，例如可列举出DCM(4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃)系化合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、氮杂苯并噻吨等。
另外，作为磷光发光材料，例如可列举出包含选自长周期型元素周期表的第7～11族中的金属的有机金属络合物等。作为选自周期表的第7～11族中的金属，可优选地列举出钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂、金等。
作为有机金属络合物的配体，优选的是，(杂)芳基吡啶配体、(杂)芳基吡唑配体等(杂)芳基与吡啶、吡唑、菲咯啉等连结而成的配体，特别优选为苯基吡啶配体、苯基吡唑配体。此处，(杂)芳基表示芳基或杂芳基。
作为优选的磷光发光材料，具体而言，例如可列举出三(2-苯基吡啶)铱、三(2-苯基吡啶)钌、三(2-苯基吡啶)钯、双(2-苯基吡啶)铂、三(2-苯基吡啶)锇、三(2-苯基吡啶)铼等苯基吡啶络合物和八乙基铂卟啉、八苯基铂卟啉、八乙基钯卟啉、八苯基钯卟啉等卟啉络合物等。
作为高分子系的发光材料，可列举出聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基))二苯胺)]、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(1,4-苯并-2{2,1’-3}-三唑)]等聚芴系材料；聚[2-甲氧基-5-(2-七己基氧基)-1,4-苯乙炔]等聚苯乙炔系材料。
<电荷传输性材料>
电荷传输性材料为具有正电荷(空穴)或负电荷(电子)传输性的材料，只要在不损害本发明效果的条件下就没有特别限定，可以适用公知的发光材料。
电荷传输性材料可以使用以往在有机电致发光元件的发光层中使用的化合物等，特别优选为用作发光层的主体材料的化合物。
作为电荷传输性材料，具体而言，可列举出芳香族胺系化合物、酞菁系化合物、卟啉系化合物、低聚噻吩系化合物、聚噻吩系化合物、苄基苯基系化合物、用芴基连结叔胺而成的化合物、腙系化合物、硅氮烷系化合物、硅烷胺系化合物、磷酰胺系化合物、喹吖啶酮系化合物等作为空穴注入层的空穴传输性化合物而例示出的化合物等，除此之外，还可列举出蒽系化合物、芘系化合物、咔唑系化合物、吡啶系化合物、菲咯啉系化合物、噁二唑系化合物、噻咯系化合物等电子传输性化合物等。
另外，例如也可以优选地使用以4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯为代表的、含有2个以上叔胺且2个以上的稠合芳香族环在氮原子上取代的芳香族二胺(日本特开平5-234681号公报)；4,4’,4”-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺等具有星形结构的芳香族胺系化合物(J.Lumin.，72-74卷、985页、1997年)；由三苯基胺的四聚物形成的芳香族胺系化合物(Chem.Commun.，2175页、1996年)；2,2’,7,7’-四-(二苯基氨基)-9,9’-螺环双芴等芴系化合物(Synth.Metals，91卷、209页、1997年)；4,4’-N,N’-二咔唑基联苯等咔唑系化合物等作为空穴传输层的空穴传输性化合物而例示出的化合物等。另外，除此之外，还可列举出2-(4-联苯基)-5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、2,5-双(1-萘基)-1,3,4-噁二唑(BND)等噁二唑系化合物；2,5-双(6’-(2’,2”-联吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯(PyPySPyPy)等噻咯系化合物；红菲咯啉(BPhen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP、浴铜灵)等菲咯啉系化合物等。
<基于湿式成膜法的发光层的形成>
发光层的形成方法可以是真空蒸镀法，也可以是湿式成膜法，由于成膜性优异，因此优选为湿式成膜法，进一步优选为旋转涂覆法和喷墨法。尤其是，使用本发明的有机电致发光元件用组合物来形成会成为发光层的下层的空穴注入层或空穴传输层时，基于湿式成膜法的层叠化是容易的，因此优选采用湿式成膜法。通过湿式成膜法来形成发光层时，通常与用湿式成膜法来形成上述空穴注入层时同样操作，将成为发光层的材料代替空穴注入层形成用组合物与可溶的溶剂(发光层用溶剂)进行混合，使用由此制备的发光层形成用组合物来形成发光层。
作为溶剂，例如可列举出针对空穴注入层的形成而列举出的醚系溶剂、酯系溶剂、芳香族烃系溶剂、酰胺系溶剂、以及烷烃系溶剂、卤代芳香族烃系溶剂、脂肪族醇系溶剂、脂环族醇系溶剂、脂肪族酮系溶剂和脂环族酮系溶剂等。以下列举出溶剂的具体例，但在不损害本发明效果的范围内不限定于这些溶剂。
例如可列举出乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、丙二醇-1-单甲基醚醋酸酯(PGMEA)等脂肪族醚系溶剂；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、二苯基醚等芳香族醚系溶剂；醋酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯系溶剂；甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯、四氢萘、3-异丙基联苯、1,2,3,4-四甲基苯、1,4-二异丙基苯、环己基苯、甲基萘等芳香族烃系溶剂；N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等酰胺系溶剂；正癸烷、环己烷、乙基环己烷、十氢萘、双环己烷等烷烃系溶剂；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤代芳香族烃系溶剂；丁醇、己醇等脂肪族醇系溶剂；环己醇、环辛醇等脂环族醇系溶剂；甲基乙基酮、二丁基酮等脂肪族酮系溶剂；环己酮、环辛酮、葑酮等脂环族酮系溶剂等。这些之中，特别优选为烷烃系溶剂和芳香族烃系溶剂。
{空穴阻挡层}
在发光层5与后述的电子注入层8之间也可以设置空穴阻挡层6。空穴阻挡层6是在发光层5上按与发光层5的阴极9侧的界面相接的方式层叠的层。
该空穴阻挡层6具有阻止从阳极2迁移来的空穴达到阴极9的作用、以及高效地将从阴极9注入的电子向发光层5的方向传输的作用。作为构成空穴阻挡层6的材料所要求的物性，可列举出电子迁移率高且空穴迁移率低、能隙(HOMO、LUMO之差)大、激发三重态能级(T1)高。
作为满足这种条件的空穴阻挡层的材料，例如可列举出：双(2-甲基-8-羟基喹啉)(苯酚)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(三苯基硅醇)铝等混合配体络合物、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝-μ-氧-双-(2-甲基-8-羟基喹啉)铝双核金属络合物等金属络合物、二苯乙烯基联苯衍生物等苯乙烯化合物(日本特开平11-242996号公报)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑等三唑衍生物(日本特开平7-41759号公报)、浴铜灵等菲咯啉衍生物(日本特开平10-79297号公报)等。进而，国际公开第2005/022962号中记载的具有至少1个2,4,6位被取代的吡啶环的化合物也优选作为空穴阻挡层的材料。
对空穴阻挡层6的形成方法没有限制。因此，可以通过湿式成膜法、蒸镀法、其他方法来形成。
空穴阻挡层6的膜厚在不显著损害本发明效果的范围内是任意的，通常为0.3nm以上、优选为0.5nm以上，另外，通常为100nm以下、优选为50nm以下。
{电子传输层}
电子传输层7出于进一步提高元件的电流效率的目的而设置在发光层5与电子注入层8之间。
电子传输层7由能够在施加了电场的电极间将从阴极9注入的电子高效地向发光层5的方向传输的化合物形成的。作为可用于电子传输层7的电子传输性化合物，需要从阴极9或电子注入层8注入电子的效率高、且具有高电子迁移率、能够高效地传输所注入的电子的化合物。
作为电子传输层中使用的电子传输性化合物，具体而言，例如可列举出8-羟基喹啉的铝络合物等金属络合物(日本特开昭59-194393号公报)、10-羟基苯并[h]喹啉的金属络合物、噁二唑衍生物、二苯乙烯基联苯衍生物、噻咯衍生物、3-羟基黄酮金属络合物、5-羟基黄酮金属络合物、苯并噁唑金属络合物、苯并噻唑金属络合物、三苯并咪唑基苯(美国专利第5645948号公报)、喹喔啉化合物(日本特开平6-207169号公报)、菲咯啉衍生物(日本特开平5-331459号公报)、2-叔丁基-9,10-N,N’-二氰基蒽醌二亚胺、n型氢化无定形碳化硅、n型硫化锌、n型硒化锌等。
电子传输层7的膜厚通常为1nm以上、优选为5nm以上，另外，通常为300nm以下、优选为100nm以下。
电子传输层7通过与前述同样操作利用湿式成膜法或真空蒸镀法层叠在空穴阻挡层6上从而形成。通常可以使用真空蒸镀法。
{电子注入层}
电子注入层8起到将从阴极9注入的电子高效地注入至电子传输层7或发光层5的作用。
为了高效地进行电子注入，形成电子注入层8的材料优选为功函数低的金属。作为例子，可以使用钠或铯等碱金属、钡或钙等碱土金属等。其膜厚通常优选为0.1nm以上且5nm以下。
进而，在以红菲咯啉等含氮杂环化合物、8-羟基喹啉的铝络合物等金属络合物为代表的有机电子传输材料中掺杂钠、钾、铯、锂、铷等碱金属(记载于日本特开平10-270171号公报、日本特开2002-100478号公报、日本特开2002-100482号公报等)也能够提高电子注入/传输性、兼顾优异的膜质，因而是优选的。
电子注入层8的膜厚通常为5nm以上、优选为10nm以上，另外，通常为200nm以下、优选为100nm以下的范围。
电子注入层8通过湿式成膜法或真空蒸镀法层叠在发光层5或其上的空穴阻挡层6、电子传输层7上从而形成。
湿式成膜法时的详情与前述发光层的情况相同。
{阴极}
阴极9起到向发光层5侧的层(电子注入层或发光层等)注入电子的作用。
作为阴极9的材料，可以使用在前述阳极2中使用的材料，但为了高效地进行电子注入，优选使用功函数低的金属，例如可以使用锡、镁、铟、钙、铝、银等金属或它们的合金等。作为具体例，例如可列举出镁-银合金、镁-铟合金、铝-锂合金等低功函数的合金电极等。
从元件的稳定性的观点来看，优选的是，在阴极上层叠功函数高且对大气稳定的金属层，来保护由低功函数的金属形成的阴极。作为要层叠的金属，例如可列举出铝、银、铜、镍、铬、金、铂等金属。
阴极的膜厚通常与阳极相同。
{其它层}
本发明的有机电致发光元件只要不显著损害本发明的效果则还可以具有其它的层。即，在阳极与阴极之间可以具有除上述以外的任意层。
{其它的元件构成}
本发明的有机电致发光元件也可以层叠为与上述说明相反的结构，即在基板上以阴极、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极的顺序进行层叠。
将本发明的有机电致发光元件适用于有机电致发光装置时，可以以单一的有机电致发光元件的形式使用，也可以制成将多个有机电致发光元件配置成阵列状的构成来使用，还可以制成将阳极和阴极配置成X-Y矩阵状的构成来使用。
[有机EL显示装置]
本发明的有机电致发光元件显示装置(有机EL显示装置)使用了上述本发明的有机电致发光元件。对本发明的有机EL显示装置的型号、结构没有特别限定，可以使用本发明的有机电致发光元件按照常用方法进行组装。
例如，可以通过“有机EL显示器”(Ohmsha,Ltd.，2004年8月20日发行，时任静士、安达千波矢、村田英幸著)中记载的方法来形成本发明的有机EL显示装置。
[有机EL照明]
本发明的有机电致发光元件照明(有机EL照明)使用了上述本发明的有机电致发光元件。对本发明的有机EL照明的型号、结构没有特别限定，可以使用本发明的有机电致发光元件按照常用方法进行组装。
实施例
以下，通过实施例来更具体地说明本发明，但本发明只要不超出其要点，就不限于以下实施例的记载。
[单体的合成]
<化合物1的合成>
[化学式31]
在氮气气氛下向反应容器中投入α,α,α’-三(4-羟基苯基)-1-乙基-4-异丙基苯(15g，35.33mmol)、三乙胺(28.96g，286.20mmol)、以及二氯甲烷(120mL)，在-10℃下进行搅拌。向其中加入三氟甲磺酸酐(35.89g，127.20mmol)，在室温下搅拌2小时。向反应混合物中投入水并用二氯甲烷进行提取，将有机层用水洗涤后，用食盐水进行洗涤，用硫酸镁进行干燥，然后在减压下进行浓缩。将残渣用硅胶柱色谱(己烷/二氯甲烷＝1/1)进行精制，从而得到化合物1(24.1g)。化合物1用1H NMR进行鉴定。
<化合物2的合成>
[化学式32]
在500mL四口烧瓶中添加化合物1(三(三氟甲磺酸酯)体)19.87g(24.22mmol)、双联频哪醇硼酸酯23.06g(90.81mmol)、醋酸钾17.82g(181.62mmol)以及二甲基亚砜(脱水)250mL，边用机械搅拌器进行搅拌边加热至60℃，进行了30分钟的氮气导入。接着，添加[1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁]钯(II)二氯化物二氯甲烷加成物，以80℃进行了3小时的搅拌。将反应溶液注入至纯水600mL中，进行10分钟的搅拌后，滤出所产生的沉淀。使过滤后的沉淀物分散在饱和食盐水200mL中，进行10分钟的搅拌，进行过滤。将过滤后的过滤物溶解于二氯甲烷200mL中，用纯水200mL洗涤2次、用饱和食盐水100mL洗涤1次。回收有机相，用硫酸镁进行干燥，通过活性白土处理来吸附金属化合物，然后减压蒸馏去除溶剂。将所得粗产物用乙醇进行超声波洗涤后，进行过滤、真空干燥，从而以17.15g白色固体的形式得到了化合物2。化合物2用1H NMR进行鉴别。
<化合物3的合成>
[化学式33]
在1L四口烧瓶中添加化合物2(硼酸酯体)17.15g(22.73mmol)、4-溴碘苯25.08(G)(88.65mmol)、甲苯350mL、乙醇175mL、以及2M磷酸三钾水溶液82.96mL(165.93mmol)，用磁力搅拌器边搅拌边加热至60℃，进行30分钟的氮气导入。接着，添加四(三苯基膦)钯(0)1.97g(1.71mmol)，在加热回流下进行8小时的搅拌。反应结束后，将有机相用纯水洗涤2次、用饱和食盐水洗涤1次。用硫酸镁进行干燥后，进行活性白土处理，然后减压蒸馏去除溶剂。将残渣用氧化铝柱(Aluminium Oxide 90N activity I：MERCK)使用甲苯粗精制到洗脱液中，接着用硅胶柱(Silicagel 60N 100～210μm：关东化学株式会社)使用己烷/二氯甲烷(＝1/1～0/1)对洗脱液进行分离精制。进而，用二氯甲烷/甲醇＝1/5的混合溶液进行重结晶，得到化合物3的13.40g白色固体。化合物3用1H NMR进行鉴别。
<化合物4的合成>
[化学式34]
在氮气气氛下向反应容器中投入4,4’-(1,3-二甲基亚丁基)二苯酚(15g，55.48mmol)、三乙胺(22.46g，221.92mmol)、以及二氯甲烷(150mL)，以0℃进行搅拌。向其中加入三氟甲磺酸酐(37.56g，133.16mmol)，在室温下搅拌6小时。在反应混合物中加入水和1N盐酸，用二氯甲烷进行提取，将有机层用水与1N盐酸的混合液进行洗涤后，用食盐水进行洗涤，然后，用硫酸镁进行干燥，在减压下进行浓缩。将残渣用硅胶柱色谱(己烷/二氯甲烷＝3/1)进行精制，从而得到化合物4(19.1g)。
<化合物5的合成>
[化学式35]
在氮气气氛下，将化合物4(19.1g，35.73mmol)、双联频哪醇硼酸酯(21.78g，85.76mmol)以及醋酸钾(17.89g，182.25mmol)的脱水二甲基亚砜(157mL)悬浊液加热至60℃后，添加二氯[1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁]钯(II)二氯甲烷加成物(1.46g，1.79mol)，使温度上升至80℃，搅拌4小时。自然冷却至室温后，向反应混合物中投入水，滤取所析出的晶体，使其溶于二氯甲烷，投入硫酸镁和白土，搅拌后进行过滤，将滤液浓缩，将残渣用硅胶柱色谱(己烷/二氯甲烷＝1/1)进行精制，用己烷进行悬浮洗涤，从而得到化合物5(7.9g)。
<化合物6的合成>
[化学式36]
在氮气气氛下、在室温下向化合物5(13.2g，26.92mmol)、4-溴碘苯(17.67g，62.47mmol)、甲苯(268mL)以及乙醇(134mL)的溶液中添加四(三苯基膦)钯(0)(1.56g，1.35mmol)和2M磷酸三钾水溶液(67mL)，使其回流8个半小时。自然冷却至室温后，将反应混合物用甲苯提取，将有机层用水洗涤后，用硫酸镁进行干燥，然后在减压下进行浓缩。将残渣用硅胶柱色谱(己烷/二氯甲烷＝8/1)进行精制并浓缩后，投入少量己烷而使晶体析出，从而得到化合物6(8.3g)。
<化合物7的合成>
以3-硝基苯基硼酸和4-溴-苯并环丁烯作为原料，按照日本特开2009-263665号公报中记载的公知方法，合成了4-(3-氨基苯基)苯并环丁烯(化合物7)。
<化合物8的合成>
以2-硝基芴和1-溴己烷作为原料，按照日本特开2009-263665号公报中记载的公知方法，合成了2-氨基-9,9-二己基芴(化合物8)。
<化合物9的合成>
[化学式37]
在氮气气氛下将化合物3(5.00g，5.94mmol)、双联频哪醇硼酸酯(5.43g，21.4mmol)以及醋酸钾(4.37g，44.5mmol)的脱水二甲基亚砜(100mL)悬浊液加热至60℃后，添加二氯[1,1’-双(二苯基膦基)二茂铁]钯(II)二氯甲烷加成物(0.36g，0.44mol)，使温度上升至80℃，搅拌6小时。自然冷却至室温后，向反应混合物投入水，滤取所析出的晶体，使其溶于甲苯，投入硫酸镁和白土并搅拌后，进行过滤，将滤液浓缩，将所析出的晶体用乙醇进行悬浮洗涤，从而得到化合物9(5.28g)。
<化合物10的合成>
[化学式38]
在氮气气氛下，向化合物9(5.00g，5.09mmol)、3-溴碘苯(4.72g，16.8mmol)、甲苯(120mL)以及乙醇(60mL)的溶液中添加2M碳酸钠水溶液(60mL)和四(三苯基膦)钯(0)(0.53g，0.46mmol)，使其回流8小时。自然冷却至室温后，将反应混合物用甲苯提取，将有机层用水洗涤后，用硫酸镁进行干燥，然后，在减压下浓缩。将残渣用硅胶柱色谱(己烷/甲苯＝2/1)进行精制，用甲苯进行重结晶，从而得到化合物10(0.87g)。
[聚合物的合成]
<目标聚合物1的合成>
[化学式39]
在反应容器中投入化合物6(5.00g、9.11mmol)、化合物8(5.967g、17.07mmol)、化合物7(0.228g、1.16mmol)、叔丁醇钠(5.958g、62.0mmol)、以及甲苯(50ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液A1)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.113g、0.109mmol)的甲苯10ml溶液中添加三叔丁基膦(0.177g、0.875mmol)，升温至65℃(溶液B1)。在氮气气流中，向溶液A1中添加溶液B1，进行2小时的加热回流反应。追加添加化合物6(4.55g)。进行2.0小时的加热回流，追加添加化合物3(0.153g)。进行1小时的回流后，进一步添加化合物6(0.15g)。进行1小时的回流后，将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇750ml中，使粗聚合物1的晶体析出。
使所得粗聚合物1溶于甲苯150ml中，投入溴苯(0.573g)、叔丁醇钠(5.959g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液C1)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.057g)的甲苯10ml溶液中添加三叔丁基膦(0.088g)，升温至65℃(溶液D1)。在氮气气流中，向溶液C1中添加溶液D1，进行4小时的加热回流反应。向该反应液中添加二苯胺(3.086g)、再配制的溶液D1，进一步进行2小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇750ml中，得到封端了的粗聚合物1。
将该封端了的粗聚合物1溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。将滤出的粗聚合物溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到目标聚合物1(4.3g)。
重均分子量(Mw)＝112000
分散度(Mw/Mn)＝2.04
<目标聚合物2的合成>
[化学式40]
在反应容器中投入化合物6(6.00g、10.9mmol)、化合物8(7.16g、20.5mmol)、化合物7(0.273g、1.39mmol)、叔丁醇钠(7.15g、74.4mmol)、以及甲苯(48ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液A2)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.136g、0.131mmol)的甲苯10ml溶液中添加三叔丁基膦(0.212g、1.05mmol)，升温至65℃(溶液B2)。在氮气气流中，向溶液A2中添加溶液B2，进行2小时的加热回流反应。追加添加化合物6(5.16g)。进行2.0小时的加热回流，追加添加化合物3(0.368g)。进行1小时的回流后，进一步添加化合物6(0.054g)。进行1小时的回流后，将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇1000ml中，使粗聚合物2的晶体析出。
使所得粗聚合物2溶于甲苯280ml中，投入N,N-二苯胺(0.370g)、叔丁醇钠(7.150g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液C2)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.068g)的甲苯18ml溶液中添加三叔丁基膦(0.106g)，升温至65℃(溶液D2)。在氮气气流中，向溶液C2中添加溶液D2，进行4小时的加热回流反应。向该反应液中添加溴苯(1.718g)、再配制的溶液D2，进一步进行2小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇1000ml中，得到封端了的粗聚合物2。
将该封端了的粗聚合物2溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。将滤出的粗聚合物溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到目标聚合物2(7.2g)。
重均分子量(Mw)＝118200
分散度(Mw/Mn)＝1.93
<目标聚合物3的合成>
[化学式41]
在反应容器中投入4,4’-二溴联苯(5.80g、18.6mmol)、化合物8(12.34g、35.3mmol)、化合物7(0.36g、1.86mmol)、叔丁醇钠(12.14g、126.4mmol)、以及甲苯(48ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液A3)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.385g、0.372mmol)的甲苯17ml溶液中添加三叔丁基膦(0.827g、4.09mmol)，升温至65℃(溶液B3)。在氮气气流中，向溶液A3中添加溶液B3，进行2小时的加热回流反应。其后，追加添加4,4’-二溴联苯(4.81g、15.4mmol)。进行2.0小时的加热回流，追加添加化合物6(0.815g)和化合物3(0.313g)。进行1小时的回流后，添加了4,4’-二溴联苯(0.058g)。进行1小时的回流后，将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇1000ml中，使粗聚合物3的晶体析出。
使所得粗聚合物3溶于甲苯280ml中，投入N,N-二苯胺(0.629g)、叔丁醇钠(12.14g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液C3)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.115g)的甲苯18ml溶液中添加三叔丁基膦(0.248g)，升温至65℃(溶液D3)。在氮气气流中，向溶液C3中添加溶液D3，进行4小时的加热回流反应。向该反应液中添加溴苯(2.92g)、再配制的溶液D3，进一步进行2小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇1000ml中，得到封端了的粗聚合物3。
将该封端了的粗聚合物3溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。将滤出的粗聚合物溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到目标聚合物3(9.6g)。
重均分子量(Mw)＝110100
分散度(Mw/Mn)＝1.95
<目标聚合物4的合成>
[化学式42]
投入4,4’-二溴联苯(5.80g、18.6mmol)、化合物8(12.34g、35.3mmol)、化合物7(0.36g、1.86mmol)、叔丁醇钠(12.14g、126.4mmol)、以及甲苯(48ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液A4)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.385g、0.372mmol)的甲苯17ml溶液中添加三叔丁基膦(0.827g、4.09mmol)，升温至65℃(溶液B4)。在氮气气流中，向溶液A4中添加溶液B4，进行2小时的加热回流反应。其后，追加添加4,4’-二溴联苯(4.81g、15.4mmol)。进行2.0小时的加热回流，追加添加化合物6(0.611g)和化合物3(0.626g)。进行1小时的回流后，将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇1000ml中，使粗聚合物4的晶体析出。
使所得粗聚合物4溶于甲苯280ml中，投入N,N-二苯胺(0.629g)、叔丁醇钠(12.14g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液C4)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.115g)的甲苯18ml溶液中添加三叔丁基膦(0.248g)，升温至65℃(溶液D4)。在氮气气流中，向溶液C4中添加溶液D4，进行4小时的加热回流反应。向该反应液中添加溴苯(2.92g)、再配制的溶液D4，进一步进行2小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇1000ml中，得到封端了的粗聚合物4。
将该封端了的粗聚合物4溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。将滤出的粗聚合物溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到目标聚合物4(3.6g)。
重均分子量(Mw)＝135800
分散度(Mw/Mn)＝2.06
<目标聚合物5的合成>
[化学式43]
投入仲丁基苯胺(5.3g、35.5156mmol)、化合物7(2.7g、13.8253mmol)、二溴苯(5.82g、24.6705mmol)、叔丁醇钠(15.17g、157.89mmol)、以及甲苯(45ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至60℃(溶液A5)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.51g、0.49mmol)的甲苯25ml溶液中添加三叔丁基膦(0.8g、3.95mmol)，升温至60℃(溶液B5)。在氮气气流中，向溶液A5中添加溶液B5，进行2.0小时的加热回流反应。添加了4,4’-二溴联苯(6.945g、22.2596mmol)。进行1.0小时的加热回流后，一口气添加化合物6(0.541g、0.9868mmol)和化合物3(0.208g、0.2467mmol)。进行1.0小时的加热回流后，追加添加4,4’-二溴联苯(0.122g、0.391mmol)。30分钟后将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇1500ml中，使粗聚合物5的晶体析出。
使所得粗聚合物5溶于甲苯300ml中，投入N,N-二苯胺(1.67g)、叔丁醇钠(7.6g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至60℃(溶液C5)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.255g)的甲苯20ml溶液中添加三叔丁基膦(0.4g)，升温至60℃(溶液D5)。在氮气气流中，向溶液C5中添加溶液D5，进行2小时的加热回流反应。向该反应液中添加溴苯(3.87g)。进行4小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇/水(1500ml/100ml)溶液中，得到封端了的粗聚合物5。
将该封端了的粗聚合物5溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。使滤出的粗聚合物溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到目标聚合物5(4.1g)。
重均分子量(Mw)＝88300
分散度(Mw/Mn)＝1.55
<目标聚合物6的合成>
[化学式44]
投入仲丁基苯胺(7.285g、48.8mmol)、化合物7(3.711g、19.0mmol)、二溴苯(8.00g、33.9mmol)、叔丁醇钠(20.86g、217.0mmol)、以及甲苯(64ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至60℃(溶液A9)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.70g、0.678mmol)的甲苯32ml溶液中添加三叔丁基膦(1.10g、5.42mmol)，升温至60℃(溶液B9)。在氮气气流中，向溶液A9中添加溶液B9，进行2.0小时的加热回流反应。添加了4,4’-二溴联苯(9.52g、30.5mmol)。进行1.0小时的加热回流后，一口气添加化合物6(0.558g、1.02mmol)和化合物3(0.571g、0.678mmol)。进行1.0小时的加热回流后，追加添加4,4’-二溴联苯(0.106g、0.339mmol)。30分钟后将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇1500ml中，使粗聚合物9的晶体析出。
使所得粗聚合物9溶于甲苯300ml中，投入N,N-二苯胺(1.15g)、叔丁醇钠(20.9g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至60℃(溶液C9)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.351g)的甲苯20ml溶液中添加三叔丁基膦(0.549g)，升温至60℃(溶液D9)。在氮气气流中，向溶液C9中添加溶液D9，进行2小时的加热回流反应。向该反应液中添加溴苯(5.32g)。进行4小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇/水(1500ml/100ml)溶液中，得到封端了的粗聚合物9。
将该封端了的粗聚合物9溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。使滤出的粗聚合物溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到目标聚合物6(5.9g)。
重均分子量(Mw)＝74000
分散度(Mw/Mn)＝2.17
<目标聚合物7的合成>
[化学式45]
在反应容器中投入化合物6(2.19g、4.00mmol)、化合物8(2.62g、7.49mmol)、化合物7(0.100g、0.511mmol)、叔丁醇钠(2.61g、24.0mmol)、以及甲苯(22ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液A1)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.083g、0.080mmol)的甲苯5ml溶液中添加三叔丁基膦(0.129g、0.640mmol)，升温至65℃(溶液B1)。在氮气气流中，向溶液A1中添加溶液B1，进行2小时的加热回流反应。进行2.0小时的加热回流，追加添加化合物6(1.974g)。进行1小时的回流后，添加了化合物10(0.086g)。进行1小时的回流后，将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇350ml中，使粗聚合物7的晶体析出。
使所得粗聚合物7溶于甲苯55ml中，投入溴苯(0.628g)、叔丁醇钠(1.31g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液C1)。在三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.021g)的甲苯10ml溶液中添加三叔丁基膦(0.033g)，升温至65℃(溶液D1)。在氮气气流中，向溶液C1中添加溶液D1，进行4小时的加热回流反应。向该反应液中添加二苯胺(0.135g)、再配制的溶液D1，进一步进行2小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇350ml中，得到封端了的粗聚合物7。
将该封端了的粗聚合物7溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀，滤取粗聚合物。将所滤取的聚合物溶于甲苯，添加丙酮而使聚合物析出。将所析出的聚合物溶于甲苯，用柱色谱进行精制，得到目标聚合物7(2.16g)。
重均分子量(Mw)＝75700
分散度(Mw/Mn)＝1.50
<比较聚合物1的合成>
[化学式46]
投入化合物6(7.000g、12.76mmol)、化合物8(8.354g、23.90mmol)、化合物7(0.318g、1.63mmol)、叔丁醇钠(8.342g、86.8mmol)、以及甲苯(70ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液A6)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.158g、0.153mmol)的甲苯10ml溶液中添加三叔丁基膦(0.248g、1.23mmol)，升温至65℃(溶液B6)。在氮气气流中，向溶液A6中添加溶液B6，进行2小时的加热回流反应。确认化合物6～8消失后，追加添加化合物6(6.58g)。进行2.0小时的加热回流，将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇1000ml中，使粗聚合物6的晶体析出。
使所得粗聚合物6溶于甲苯210ml中，投入溴苯(0.802g、5.11mmol)、叔丁醇钠(8.342g、86.8mmol)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液C6)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.079g、0.076mmol)的甲苯10ml溶液中添加三叔丁基膦(0.124g、0.613mmol)，升温至65℃(溶液D6)。在氮气气流中，向溶液C6中添加溶液D6，进行4小时的加热回流反应。向该反应液中添加二苯胺(4.32g、25.53mmol)、再配制的溶液D6，进一步进行2小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇1000ml中，得到封端了的粗聚合物6。
将该封端了的粗聚合物6溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。将粗聚合物溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到比较聚合物1(9.8g)。
重均分子量(Mw)＝72000
分散度(Mw/Mn)＝1.50
<比较聚合物2的合成>
[化学式47]
投入4,4’-二溴联苯(4.23g、13.6mol)、化合物8(9.00g、25.7mmol)、化合物7(0.265g、1.36mmol)、叔丁醇钠(10.1g、104.5mmol)、以及甲苯(48ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液A7)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.285g、0.275mmol)的甲苯35ml溶液中添加三叔丁基膦(0.285g、2.16mmol)，升温至65℃(溶液B7)。在氮气气流中，向溶液A中添加溶液B，进行2小时的加热回流反应。其后，追加添加4,4’-二溴联苯(3.51g、11.3mmol)。进行2.0小时的加热回流，追加添加化合物6(0.669g)。进行1小时的回流后，添加了4,4’-二溴联苯(0.053g)。进行1小时的回流后，将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇1000ml中，使粗聚合物7的晶体析出。
使所得粗聚合物7溶于甲苯250ml，投入N,N-二苯胺(0.92g)、叔丁醇钠(10.1g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至65℃(溶液C7)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.142g)的甲苯18ml溶液中添加三叔丁基膦(0.219g)，升温至65℃(溶液D7)。在氮气气流中，向溶液C中添加溶液D7，进行4小时的加热回流反应。向该反应液中添加溴苯(4.25g)、再配制的溶液D7，进一步进行2小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇1000ml中，得到封端了的粗聚合物7。
将该封端了的粗聚合物7溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。将滤出的粗聚合物溶于甲苯，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到比较聚合物2(5.2g)。
重均分子量(Mw)＝84800
分散度(Mw/Mn)＝1.38
<比较聚合物3的合成>
[化学式48]
投入仲丁基苯胺(5.30g、35.5mmol)、化合物7(2.70g、13.8mmol)、二溴苯(5.82g、24.7mmol)、叔丁醇钠(15.17g、157.9mmol)、以及甲苯(45ml)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至60℃(溶液A8)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.51g、0.49mmol)的甲苯25ml溶液中添加三叔丁基膦(0.8g、3.95mmol)，升温至60℃(溶液B8)。在氮气气流中，向溶液A8中添加溶液B8，进行2.0小时的加热回流反应。添加了4,4’-二溴联苯(6.945g、22.2596mmol)。进行1.0小时的加热回流后，添加了化合物6(0.642g、1.17mmol)。进行1.0小时的加热回流后，追加添加4,4’-二溴联苯(0.24g、0.769mmol)。30分钟后将反应液自然冷却，将反应液滴加在乙醇1500ml中，使粗聚合物8的晶体析出。
使所得粗聚合物8溶于甲苯300ml中，投入N,N-二苯胺(1.67g)、叔丁醇钠(7.6g)，对体系内充分地进行氮气置换，升温至60℃(溶液C8)。向三(二亚苄基丙酮)二钯氯仿络合物(0.255g)的甲苯20ml溶液中添加三叔丁基膦(0.4g)，升温至60℃(溶液D8)。在氮气气流中，向溶液C8中添加溶液D8，进行2小时的加热回流反应。向该反应液中添加溴苯(3.87g)。进行4小时的加热回流反应。将反应液自然冷却，滴加至乙醇/水(1500ml/100ml)溶液中，得到封端了的粗聚合物8。
将该封端了的粗聚合物8溶于甲苯，再沉淀至丙酮中，滤出所析出的聚合物。使滤出的粗聚合物溶于甲苯中，用稀盐酸洗涤，用含氨的乙醇进行再沉淀。将所滤取的聚合物用柱色谱进行精制，得到比较聚合物3(3.9g)。
重均分子量(Mw)＝71200
分散度(Mw/Mn)＝1.39
[电荷迁移率的测定]
电荷迁移率使用非专利文献：A.Melnyk，and D.M.Pai：Physical Methods ofChemistry，John Wiley&Sons(1993)，p.321.以及H.D.Scher and E.W.Montroll，Phys.Rev.，B12，2445(1975).中示出的时间飞跃(Time of Flight(TOF))法进行测定。以下说明TOF测定方法。
对于具有至少单侧的电极为透明或半透明电极的夹层电极的元件样品，在施加外部电场的状态下照射脉冲激光，测定通过激发测定材料而产生的瞬态光电流。由该瞬态光电流波形相对于时间和电流这两者制作对数图。一般的瞬态光电流波形如图2所示那样具有电流的时间变化少的平稳区域和电流随时间减少的尾部区域。这两个区域的边界点称为拐点(inflection point)。以观察到该拐点的时间作为电荷的飞越时间(transit time(τ))，使用样品的膜厚L、施加电压V，通过以下的关系式求出漂移迁移率μ。
[数学式1]
&mu; = L 2 &tau; V
<测定条件>
在半透明电极上形成作为测定对象的电荷传输材料和对电极的膜后，进行密封，从而制作测定用的样品。关于电荷传输材料的成膜方法，只要能够获得良好的非晶膜，则是湿式法或是干式法均可。关于要成膜的电荷传输膜材料的膜厚，只要在测定电荷迁移时从发生电荷分离的场所至对电极为止的距离充分长、该距离不影响电荷传输性的评价即可。具体而言，优选为500nm以上、进一步优选为1000nm以上。
接着，以半透明电极成为阳极、对电极成为阴极的方式施加一定的电场强度。电场强度从在膜内部迁移的电荷的自然扩散的影响小的观点出发优选为大，另外，另一方面，从将电荷拽至对电极的效果过强、容易正确地评价电荷损失等的观点出发优选为小。具体而言，电场强度优选为90kV/cm以上、进一步优选为120kV/cm以上，另外，另一方面，优选为360kV/cm以下、进一步优选为310kV/cm以下。
在该状态下，对测定用样品从半透明电极侧照射单色光脉冲激光。关于激光照射时的电场强度、激光的激发波长、脉冲宽度以及平均1脉冲的光量，对于要测定电荷检出量之比的对象样品而言，在测定空穴的电荷量Q(h)和电子的电荷量Q(e)时设为相同条件。从因过量的电荷产生的影响而导致电荷传输性被估算得较高的可能性低的观点来看，平均1脉冲的光量优选为少，具体而言，优选为30μJ以下。
对电荷传输材料的膜照射光时，该膜的半透明电极侧产生电荷分离，空穴向对电极侧迁移。通过使用示波器等测定该电流值，算出电荷迁移率。
<目标聚合物1的电荷迁移率的测定>
目标聚合物1的电荷迁移率如下那样地测定。
首先，相对于在玻璃基板上堆积厚度为70nm的ITO透明导电膜(ITO条纹)而成的基板(GEOMATEC Co.,Ltd.制)，按照基于表面活性剂水溶液的超声波洗涤、基于超纯水的水洗、基于超纯水的超声波洗涤、基于超纯水的水洗的顺序进行洗涤后，用压缩空气使其干燥，然后实施紫外线臭氧洗涤。
制作在将甲苯与硅油(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制：KF-96)混合而成的溶剂中以10重量％的浓度溶解有目标聚合物1的溶液，在该洗涤了的基板上用旋转涂覆法进行成膜。需要说明的是，成膜全部在氮气气氛中进行。由此，得到膜厚为2μm的目标聚合物1的膜。接着，将样品搬送至真空蒸镀装置的真空腔室内。将作为阴极蒸镀用掩膜的2mm宽的条纹状阴影掩膜以垂直于ITO条纹的方式与元件密合来设置。其后，将装置内排气至真空度达到8.0×10-4Pa以下后，使用钼舟将铝加热，由此在样品上形成厚度为80nm的电极。需要说明的是，在铝的成膜中，将腔室内的真空度保持在2.0×10-3Pa以下、且蒸镀速度保持在/秒。
关于该样品，以ITO膜成为阳极、铝电极成为阴极的方式在施加电场强度的状态下，使用Spectra-Physics,Inc.制造的“VSL-337ND-S(氮激光)”(激发波长为337nm、脉冲宽度<4ns)进行瞬态光电流的测定。需要说明的是，关于光照射能量，利用反射型的ND过滤器将平均1脉冲的光量调整至10μJ，从ITO电极侧进行照射。瞬态光电流波形使用示波器(Tektronix Company制造的“TDS2022”)进行测定，由拐点算出电荷迁移率。该测定在施加了160kV/cm的电场强度的状态下进行。
电荷迁移率的算出结果用将后述的比较聚合物1的电荷迁移率的算出结果记为“1.0”时的相对值(标准化空穴迁移率)来表示。将结果示于表6。
<目标聚合物2的电荷迁移率的测定>
除了将目标聚合物1变更为目标聚合物2以外，与上述同样操作，求出标准化空穴迁移率，将结果示于表6。
<比较聚合物1的电荷迁移率的测定>
除了将目标聚合物1变更为比较聚合物1以外，与上述同样操作，进行测定，将所算出的电荷迁移率作为1.0。
[表6]
目标聚合物1和目标聚合物2是相对于具有相同主链结构的比较聚合物1导入了分支结构的本发明的聚合物。
如表6所示那样，作为本发明的聚合物的目标聚合物1、2与比较聚合物1相比空穴迁移率格外高。由该结果可知，通过导入本发明所述的特定分支结构，能够改善电荷传输能力。
<目标聚合物6的电荷迁移率的测定>
除了将目标聚合物1变更为目标聚合物6以外，与上述同样操作，求出标准化空穴迁移率，将结果示于表7。
<比较聚合物3的电荷迁移率的测定>
除了将目标聚合物1变更为比较聚合物3以外，与上述同样操作，进行测定，将所算出的电荷迁移率作为1.0。
[表7]
目标聚合物6是相对于具有相同主链结构的比较聚合物3导入了分支结构的本发明的聚合物。
如表7所示那样，作为本发明的聚合物的目标聚合物6与比较聚合物3相比空穴迁移率高。由该结果可知，通过导入本发明所述的特定分支结构，能够改善电荷传输能力。
[有机电致发光元件的制造方法]
<实施例1>
按照以下的步骤来制作有机电致发光元件。
通过溅射成膜在玻璃基板1上堆积铟·锡氧化物(ITO)透明导电膜，使用通常的光刻技术和盐酸蚀刻来形成2mm宽的条纹图案，形成阳极2。将形成了图案的ITO基板按照基于表面活性剂水溶液的超声波洗涤、基于超纯水的水洗、基于超纯水的超声波洗涤、基于超纯水的水洗的顺序进行洗涤后，使其干燥，然后进行紫外线臭氧洗涤。
接着，制备了含有以下结构式(P-1)所示的芳基胺聚合物、结构式(A-1)所示的4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐以及苯甲酸乙酯的下述组成的空穴注入层形成用组合物。按照下述条件通过旋转涂覆法在阳极2上形成该空穴注入层形成用组合物的膜，从而形成膜厚为40nm的空穴注入层3。
[化学式49]
<空穴注入层形成用组合物的组成>
溶剂 苯甲酸乙酯
组合物浓度 P-1：2.5重量％
A-1：0.5重量％
<空穴注入层3的成膜条件>
旋转涂覆气氛 大气中
加热条件 大气中、230℃、1小时
接着，制备含有以下目标聚合物2的下述组成的空穴传输层形成用组合物，将其按照以下的条件通过旋转涂覆法在空穴注入层3上成膜，进行加热而使其聚合，从而形成膜厚为10nm的空穴传输层4。
[化学式50]
<空穴传输层形成用组合物的组成>
溶剂 环己基苯
组合物浓度 目标聚合物2：1.0重量％
<空穴传输层4的成膜条件>
旋转涂覆气氛 氮气中
加热条件 230℃、1小时、氮气中
接着，利用真空蒸镀法将以下所示结构的有机化合物(E1)以/秒的蒸镀速度层叠在空穴传输层4上，得到膜厚为60nm的发光层5。
[化学式51]
接着，将作为阴极蒸镀用掩膜的2mm宽的条纹状阴影掩膜以垂直于阳极2的ITO条纹的方式密合在电子传输层7上。
作为电子注入层8，首先使用钼舟将氟化锂(LiF)以/秒的蒸镀速度、0.5nm的膜厚形成在电子传输层7上。接着，作为阴极9，将铝同样地利用钼舟进行加热，以/秒的蒸镀速度形成膜厚为80nm的铝层。
接着，为了防止元件在保管中因大气中的水分等而发生劣化，按照以下的方法进行密封处理。在氮气手套箱中，在大小为23mm×23mm的玻璃板的外周部以1mm的宽度涂布光固化性树脂(ThreeBond Co.,Ltd.制造的30Y-437)，在中央部设置水分吸收片(DynicCorporation制)。在其上将形成至阴极为止的基板以蒸镀面面向干燥剂片的方式进行贴合。其后，仅对涂布有光固化性树脂的区域照射紫外光，使树脂固化。
如上那样操作，能够得到具有2mm×2mm大小的发光面积部分的有机电致发光元件。对该元件施加电压时能够确认到源自有机化合物(E1)的522nm的发光。
<实施例2>
通过溅射成膜在玻璃基板1上堆积铟·锡氧化物(ITO)透明导电膜，使用通常的光刻技术和盐酸蚀刻对上述透明导电膜形成2mm宽的条纹图案，形成阳极2。将形成了图案的ITO基板按照基于表面活性剂水溶液的超声波洗涤、基于超纯水的水洗、基于超纯水的超声波洗涤、基于超纯水的水洗的顺序进行洗涤后，使其干燥，然后进行紫外线臭氧洗涤。
接着，制备了含有以下结构式(比较聚合物2)和结构式(比较聚合物3)所示的芳基胺聚合物、前述结构式(A-1)所示的4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐以及苯甲酸乙酯的下述组成的空穴注入层形成用组合物。按照以下条件通过旋转涂覆法在阳极2上形成该空穴注入层形成用组合物的膜，从而形成膜厚为60nm的空穴注入层3。
[化学式52]
<空穴注入层3形成用组合物的组成>
溶剂 苯甲酸乙酯
组合物浓度 比较聚合物2：0.875重量％
比较聚合物3：2.625重量％
A-1：0.7重量％
<空穴注入层3的成膜条件>
旋转涂覆气氛 大气中
加热条件 大气中、230℃、1小时
接着，制备含有前述的(目标聚合物2)所示结构式的化合物的下述组成的空穴传输层形成用组合物，将其按照以下的条件通过旋转涂覆法在空穴注入传输层3上成膜，进行加热而使其聚合，从而形成膜厚为10nm的空穴传输层4。
<空穴传输层形成用组合物的组成>
溶剂 环己基苯
组合物浓度 目标聚合物2：1.0重量％
<空穴注入传输层4的成膜条件>
旋转涂覆气氛 氮气中
加热条件 230℃、1小时、氮气中
接着，制备含有以下(RH-1)、(RH-2)以及(RD-1)的结构式的化合物的下述组成的发光层形成用组合物，按照以下条件通过旋转涂覆法对其进行成膜，进行加热，从而将膜厚为50nm的发光层5形成在空穴传输层4上。
[化学式53]
<发光层形成用组合物的组成>
溶剂 环己基苯
组合物浓度 RH-1：1.2重量％
RH-2：3.6重量％
RD-1：0.48重量％
<发光层5的成膜条件>
旋转涂覆气氛 氮气中
加热条件 120℃、20分、氮气中
将成膜至该发光层5为止的基板转移至真空蒸镀装置内，将装置内的真空度排气至2.0×10-4Pa以下后，利用真空蒸镀法以/秒的蒸镀速度在发光层5上层叠以下的(HB-1)所示结构式的化合物，从而得到膜厚为10nm的空穴阻挡层6。
[化学式54]
进而，利用真空蒸镀法以/秒的蒸镀速度将以下所示结构的有机化合物(E1)层叠在空穴阻挡层6上，从而得到膜厚为20nm的电子传输层7。
[化学式55]
此处，将蒸镀至该电子传输层7为止的基板在真空下搬送至与蒸镀空穴阻挡层6和电子传输层7的腔室连接的其它腔室中，将作为阴极蒸镀用掩膜的2mm宽的条纹状阴影掩膜以垂直于阳极2的ITO条纹的方式密合于电子传输层7上。
此处，将蒸镀至该电子传输层7为止的基板从蒸镀空穴阻挡层6和电子传输层7的腔室搬送至其它腔室，将作为阴极蒸镀用掩膜的2mm宽的条纹状阴影掩膜以垂直于阳极2的ITO条纹的方式密合于电子传输层7上。
作为电子注入层8，首先使用钼舟将氟化锂(LiF)以/秒的蒸镀速度、0.5nm的膜厚形成在电子传输层7上。接着，作为阴极9，将铝同样地利用钼舟进行加热，以/秒的蒸镀速度形成膜厚为80nm的铝层。
接着，为了防止元件在保管中因大气中的水分等而发生劣化，按照以下的方法进行密封处理。在氮气手套箱中，在大小为23mm×23mm的玻璃板的外周部以1mm的宽度涂布光固化性树脂(ThreeBond Co.,Ltd.制造的30Y-437)，在中央部设置水分吸收片(DynicCorporation制)。在其上将形成至阴极为止的基板以蒸镀面面向干燥剂片的方式进行贴合。其后，仅对涂布有光固化性树脂的区域照射紫外光，使树脂固化。
如上那样操作，能够得到具有2mm×2mm大小的发光面积部分的有机电致发光元件。
针对该有机电致发光元件，利用以下方法测定驱动寿命，将结果示于表8。
<驱动寿命测定>
驱动寿命的测定方法通过利用光电二极管观察在试验时对所作成的有机电致发光元件通入直流恒定电流(30mA/cm2)的电流时的亮度变化来进行，测定亮度值达到试验开始时的80％为止的时间，求出以比较例1的有机电致发光元件的驱动寿命为“1.0”时的相对值。通电试验在利用空调将室温控制在23±1.5℃的室内进行。
<实施例3>
除了如下那样地变更空穴注入层形成用组合物和空穴传输层形成用组合物的组成以外，与实施例2同样操作，制作有机电致发光元件，同样地进行驱动寿命的评价，将结果示于表8。
<空穴注入层形成用组合物的组成>
溶剂 苯甲酸乙酯
组合物浓度 比较聚合物3：2.625重量％
目标聚合物3：0.875重量％
A-1：0.7重量％
[化学式56]
<空穴传输层形成用组合物的组成>
溶剂 环己基苯
组合物浓度 比较聚合物1：1.0重量％
[化学式57]
<实施例4>
除了如下那样地变更空穴注入层形成用组合物的组成以外，与实施例3同样操作，制作有机电致发光元件，同样地进行驱动寿命的评价，将结果示于表8。
<空穴注入层形成用组合物的组成>
溶剂 苯甲酸乙酯
组合物浓度 比较聚合物3：2.625重量％
目标聚合物4：0.875重量％
A-1：0.7重量％
[化学式58]
<实施例5>
除了如下那样地变更空穴注入层形成用组合物的组成以外，与实施例3同样操作，制作有机电致发光元件，同样地进行驱动寿命的评价，将结果示于表8。
<空穴注入层形成用组合物的组成>
溶剂 苯甲酸乙酯
组合物浓度 目标聚合物5：2.625重量％
比较聚合物2：0.875重量％
A-1：0.7重量％
[化学式59]
<比较例1>
除了如下那样地变更空穴注入层形成用组合物的组成以外，与实施例3同样操作，制作有机电致发光元件，同样地进行驱动寿命的评价，将其值作为“1.0”。
<空穴注入层形成用组合物的组成>
溶剂 苯甲酸乙酯
组合物浓度 比较聚合物3：2.625重量％
比较聚合物2：0.875重量％
A-1：0.7重量％
[表8]
如表8所示那样，使用本发明的聚合物得到的元件的元件寿命长、驱动稳定性高。
<实施例6>
制作了层构成为(阳极/空穴注入层/空穴传输层/阴极)的元件。
在玻璃基板上形成70nm的铟·锡氧化物(ITO)透明导电膜(溅射成膜品、片电阻15Ω)，通过通常的光刻技术对上述透明导电膜形成2mm宽的条纹图案来形成阳极。将形成了图案的ITO基板(阳极)按照基于丙酮的超声波洗涤、基于纯水的水洗、基于异丙基醇的超声波洗涤的顺序进行洗涤后，通过吹送氮气而使其干燥，最后进行紫外线臭氧洗涤。
接着，制备了含有以下结构式所示的目标聚合物6、一下结构式所示的目标聚合物4、结构式(A1)所示的4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐以及苯甲酸乙酯的空穴注入层形成用涂布液。按照下述条件通过旋转涂覆在前述阳极上形成该涂布液的膜，从而得到膜厚为150nm的空穴注入层。
[化学式60]
<空穴注入层形成用涂布液>
溶剂 苯甲酸乙酯
涂布液浓度 目标聚合物6：1.375重量％
目标聚合物4：4.135重量％
A1：0.55重量％
<空穴注入层的成膜条件>
旋转涂覆气氛 大气中
加热条件 大气中230℃1小时
接着，制备含有以下式子所示的比较聚合物1的空穴传输层形成用涂布液，按照下述条件通过旋转涂覆进行成膜，进行加热而使其聚合，从而形成膜厚为12nm的空穴传输层。
[化学式61]
<空穴传输层形成用涂布液>
溶剂 环己基苯
涂布液浓度 1.4重量％
<空穴传输层的成膜条件>
旋转涂覆气氛 氮气中
加热条件 氮气中230℃1小时
其后，通过真空蒸镀法，以作为阴极的铝的膜厚达到80nm的方式层叠成垂直于作为阳极的ITO条纹的形状的2mm宽的条纹状。如上那样操作，能够得到具有2mm×2mm大小的通电部分的元件。将对该元件施加3V电压时的电流密度总结于表9。
<实施例7>
除了如下那样地形成空穴注入层之外，与实施例2同样操作，制作了元件。
制备了含有以下结构式所示的目标聚合物6、以下结构式所示的比较聚合物2、结构式(A1)所示的4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐以及苯甲酸乙酯的空穴注入层形成用涂布液。按照下述条件通过旋转涂覆在阳极上形成该涂布液的膜，从而得到膜厚为150nm的空穴注入层。
[化学式62]
<空穴注入层形成用涂布液>
溶剂 苯甲酸乙酯
涂布液浓度 目标聚合物6：1.375重量％
比较聚合物2：4.135重量％
A1：0.55重量％
<空穴注入层的成膜条件>
旋转涂覆气氛 大气中
加热条件 大气中230℃1小时
将对该元件施加3V电压时的电流密度总结于表9。
<比较例2>
除了如下那样形成空穴注入层之外，与实施例2同样操作来制作元件。
制备了含有以下结构式所示的比较聚合物3、以下结构式所示的目标聚合物2、结构式(A1)所示的4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐以及苯甲酸乙酯的空穴注入层形成用涂布液。按照下述条件通过旋转涂覆在阳极上形成该涂布液的膜，从而得到膜厚为150nm的空穴注入层。
[化学式63]
<空穴注入层形成用涂布液>
溶剂 苯甲酸乙酯
涂布液浓度 比较聚合物3：1.375重量％
比较聚合物2：4.135重量％
A1：0.55重量％
<空穴注入层的成膜条件>
旋转涂覆气氛 大气中
加热条件 大气中230℃1小时
将对该元件施加3V电压时的电流密度总结于表9。
[表9]
如表9所示那样，使用本发明的聚合物得到的元件在施加3V电压时的电流密度高。
对本发明详细并且参照特定的实施方式进行了说明，但本领域技术人员清楚能够不脱离本发明的精神和范围地施加各种各样的变更、修正。
本申请基于2012年2月23日申请的日本特许申请(日本特愿2012-037678)和2012年8月6日申请的日本特许申请(日本特愿2012-173835)，其内容作为参照被引入此处。
附图标记说明
1 基板
2 阳极
3 空穴注入层
4 空穴传输层
5 发光层
6 空穴阻挡层
7 电子传输层
8 电子注入层
9 阴极
10 有机电致发光元件

Claims (17)

1.一种聚合物，其包含以下的重复单元：具有下述式(1)所示的部分结构的重复单元以及具有交联性基团的重复单元，
[化学式1]
式(1)中，Ar1、Ar3、Ar4和Ar5各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar2表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，
R1表示可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的烷氧基，R2～R7各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，
R2和R3可以相互键合而形成环，R4和R5可以相互键合而形成环，R6和R7可以相互键合而形成环，
l、m和n各自独立地表示0～2的整数，
其中，式(1)中，Ar1～Ar5或R2～R7为多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。
2.根据权利要求1所述的聚合物，其中，
构成所述Ar1～Ar5的芳香族烃环基为6元环的单环或2～5稠合环，也可以是使两个以上上述芳香族烃环基键合而成的基团，
构成所述Ar1～Ar5的芳香族杂环基为5元环或6元环的单环或2～4稠合环，也可以是使两个以上上述芳香族杂环基键合而成的基团，
构成所述R1的烷基为碳数1以上且24以下的直链或分支的链状烷基，
构成所述R1的烷氧基为碳数1以上且24以下的直链或分支的链状烷氧基，
所述取代基选自下述基团：
碳数为1以上且24以下的烷基；
碳数为2以上且24以下的烯基；
碳数为2以上且24以下的炔基；
碳数为1以上且24以下的烷氧基；
碳数为4以上且36以下的芳基氧基；
碳数为2以上且24以下的烷氧基羰基；
碳数为2以上且24以下的二烷基氨基；
碳数为10以上且36以下的二芳基氨基；
碳数为7以上且36以下的芳基烷基氨基；
碳数为2以上且24以下的酰基；
卤素原子；
碳数为1以上且12以下的卤代烷基；
碳数为1以上且24以下的烷硫基；
碳数为4以上且36以下的芳硫基；
碳数为2以上且36以下的甲硅烷基；
碳数为2以上且36以下的甲硅烷氧基；
氰基；
碳数为6以上且36以下的芳香族烃环基；
碳数为3以上且36以下的芳香族杂环基，
R2～R7为与R1同样的基团、或与Ar2同样的基团，R2和R3、R4和R5、 R6和R7可以分别相互键合而形成环。
3.根据权利要求1所述的聚合物，其中，
构成所述Ar1～Ar5的芳香族烃环基为选自由苯环、萘环、蒽环、菲环、三亚苯环、芘环、芴环组成的组中的基团，也可以是使两个以上上述芳香族烃环基键合而成的基团，
构成所述Ar1～Ar5的芳香族杂环基为噻吩环或吡啶环，也可以是使两个以上上述芳香族杂环基键合而成的基团，
构成所述R1的烷基为不具有取代基的碳数1以上且12以下的直链或分支的链状烷基，
构成所述R1的烷氧基为不具有取代基的碳数1以上且12以下的直链或分支的链状烷氧基，
所述R2～R7为可以具有取代基的碳数1以上且12以下的直链或分支的链状烷基，
所述芳香族烃环基、芳香族杂环基以及R2～R7可以具有的取代基选自下述基团：
碳数为1以上且12以下的烷基；
碳数为2以上且12以下的烯基；
碳数为2以上且12以下的炔基；
碳数为1以上且12以下的烷氧基；
碳数为5以上且24以下的芳基氧基；
碳数为2以上且12以下的烷氧基羰基；
碳数为2以上且12以下的二烷基氨基；
碳数为12以上且24以下的二芳基氨基；
碳数为7以上且24以下的芳基烷基氨基；
碳数为2以上且12以下的酰基；
卤素原子；
碳数为1以上且6以下的卤代烷基；
碳数为1以上且12以下的烷硫基；
碳数为5以上且24以下的芳硫基；
碳数为3以上且24以下的甲硅烷基；
碳数为3以上且24以下的甲硅烷氧基；
氰基；
碳数为6以上且24以下的芳香族烃环基；
碳数为3以上且24以下的芳香族杂环基。
4.根据权利要求1所述的聚合物，其中，在所述式(1)中，l、m和n中的至少一者是与余者不同的整数。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的聚合物，其还包含具有下述式(2)所示的部分结构的重复单元，
[化学式2]
式(2)中，Ar6和Ar7各自独立地表示可以具有取代基的2价的芳香族烃环基或可以具有取代基的2价的芳香族杂环基，Ar8表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，
R8和R9各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，
R8和R9可以相互键合而形成环，
p表示0～2的整数，
其中，式(2)中，R8、R9和Ar7中的至少一者为多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。
6.根据权利要求5所述的聚合物，其中，
构成所述Ar6～Ar8、R8、R9的芳香族烃环基为6元环的单环或2～5稠合环，也可以是使两个以上上述芳香族烃环基键合而成的基团，
构成所述Ar6～Ar8、R8、R9的芳香族杂环基为5元环或6元环的单环或2～4稠合环，也可以是使两个以上上述芳香族杂环基键合而成的基团，
构成所述R8、R9的烷基为碳数1以上且24以下的直链或分支的链状烷基，
构成所述R8、R9的烷氧基为碳数1以上且24以下的直链或分支的链状烷氧基，
所述Ar6～Ar8、R8、R9可以具有的取代基选自下述基团：
碳数为1以上且24以下的烷基；
碳数为2以上且24以下的烯基；
碳数为2以上且24以下的炔基；
碳数为1以上且24以下的烷氧基；
碳数为4以上且36以下的芳基氧基；
碳数为2以上且24以下的烷氧基羰基；
碳数为2以上且24以下的二烷基氨基；
碳数为10以上且36以下的二芳基氨基；
碳数为7以上且36以下的芳基烷基氨基；
碳数为2以上且24以下的酰基；
卤素原子；
碳数为1以上且12以下的卤代烷基；
碳数为1以上且24以下的烷硫基；
碳数为4以上且36以下的芳硫基；
碳数为2以上且36以下的甲硅烷基；
碳数为2以上且36以下的甲硅烷氧基；
氰基；
碳数为6以上且36以下的芳香族烃环基；
碳数为3以上且36以下的芳香族杂环基。
7.根据权利要求5所述的聚合物，其中，
构成所述Ar6～Ar8、R8、R9的芳香族烃环基为选自由苯环、萘环、蒽环、菲环、三亚苯环、芘环、芴环组成的组中的基团，也可以是使两个以上上述芳香族烃环基键合而成的基团，
构成所述Ar6～Ar8、R8、R9的芳香族杂环基为噻吩环或吡啶环，也可以是使两个以上上述芳香族杂环基键合而成的基团，
所述R8、R9为可以具有取代基的碳数1以上且12以下的直链或分支的链状烷基，
所述Ar6～Ar8、R8、R9可以具有的取代基选自下述基团：
碳数为1以上且12以下的烷基；
碳数为2以上且12以下的烯基；
碳数为2以上且12以下的炔基；
碳数为1以上且12以下的烷氧基；
碳数为5以上且24以下的芳基氧基；
碳数为2以上且12以下的烷氧基羰基；
碳数为2以上且12以下的二烷基氨基；
碳数为12以上且24以下的二芳基氨基；
碳数为7以上且24以下的芳基烷基氨基；
碳数为2以上且12以下的酰基；
卤素原子；
碳数为1以上且6以下的卤代烷基；
碳数为1以上且12以下的烷硫基；
碳数为5以上且24以下的芳硫基；
碳数为3以上且24以下的甲硅烷基；
碳数为3以上且24以下的甲硅烷氧基；
氰基；
碳数为6以上且24以下的芳香族烃环基；
碳数为3以上且24以下的芳香族杂环基。
8.根据权利要求1所述的聚合物，其中，所述交联性基团为选自下述式所示的交联性基团组中的1个以上基团，
[化学式3]
<交联性基团组>
上述式中，R21～R23各自独立地表示氢原子或可以具有取代基的烷基，Ar10表示可以具有取代基的芳香族烃环基或可以具有取代基的芳香族杂环基，存在多个所述交联性基团且R21～R23或Ar10存在多个时，它们可以彼此相同，也可以不同。
9.根据权利要求8所述的聚合物，其中，所述交联性基团为具有取代基的苯并环丁烯环。
10.根据权利要求1所述的聚合物，其中，所述聚合物的重均分子量(Mw)为20,000以上，分散度(Mw/Mn)为2.5以下，其中，Mn表示数均分子量。
11.一种有机电致发光元件用材料，其含有权利要求1～10中的任一项所 述的聚合物。
12.一种有机电致发光元件用组合物，其含有权利要求1～10中的任一项所述的聚合物。
13.一种有机电致发光元件，其在基板上具有阳极和阴极以及存在于该阳极与该阴极之间的有机层，所述有机层包含使用权利要求12所述的有机电致发光元件用组合物通过湿式成膜法形成的层。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光元件，其中，所述通过湿式成膜法形成的层为空穴注入层和空穴传输层中的至少一者。
15.根据权利要求14所述的有机电致发光元件，其中，所述有机层具备空穴注入层、空穴传输层以及发光层，所述空穴注入层、所述空穴传输层以及所述发光层均是通过湿式成膜法形成的层。
16.一种有机EL显示装置，其包含权利要求13～15中的任一项所述的有机电致发光元件。
17.一种有机EL照明，其包含权利要求13～15中的任一项所述的有机电致发光元件。
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