CN104145280B - 卡、卡的制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供能够提高外观品质的卡、卡的制造方法。卡(1)具备:模块基板(30);下层(10)和上层(50),具有大于模块基板(30)的外形的外形,配置于模块基板(30)的上下;以及厚度调整层(11、51),在下层(10)和上层(50)之间,设置于比模块基板(30)的外形更靠外侧的基板外侧区域(S1),通过印刷设置于形成该卡(1)的层中的至少一层,用于调整基板外侧区域(S1)处的厚度。
Description
技术领域
本发明涉及一种在内部具备基板的卡、卡的制造方法。
背景技术
现有技术中存在一种IC卡,将天线基板用上下铁芯片夹住,进行加热以及加压,将铁芯片的大于天线基板的外侧区域热熔敷,将天线基板封入内部(例如专利文献1)。
然而,该外侧区域的厚度比天线基板层叠的区域的厚度薄相当于天线基板的厚度。因此,外侧区域有时在上下的铁芯片之间形成间隙,加热、加压不充分,在卡表面形成伤痕之类的的凹陷,或者出现天线外周部的痕迹,存在外观上出现问题的情况。而且,为了解决上述问题,需要长时间进行挤压,成为生产效率降低的原因。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2007-272806号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的课题是提供能够提高外观品质的卡、卡的制造方法。
解决技术问题的技术方案
本发明通过以下这样的解决方法解决问题。此外,为了容易理解,标记对应于本发明的实施方式的符号进行说明,但并不限定于此。另外,标记符号进行说明的构成可以适当改良,而且,可以将至少一部分替代为其他的构成物。
第一发明是一种卡,通过挤压使层间接合而形成,其特征在于,具备:基板(30、230、330、430、530、630、730);具有大于所述基板的外形的外形,且配置于所述基板的上侧和下侧的上层(50、250、350、450、550、650、750、850、950、1050、1150)和下层(10、210、310、410、510、610、810、910、1010、1110);以及厚度调整层(11、51、211、251、311、351、411、451、551、651、751、811、851),在所述上层和所述下层之间,设置于比所述基板的外形更靠外侧的基板外侧区域(S1、S201、S301、S401、S501、S601、S701、S801、S901、S1001、S1101),通过印刷设置于形成该卡的层中的至少一层,用于调整所述基板外侧区域处的厚度。
第2发明的卡,其特征在于,在第1发明的卡中,在从法线方向观察卡表面时,所述厚度调整层(11、51、211、251、311、351、411、451、、511、551、651、811、851)除设置于所述基板外侧区域(S1、S201、S301、S401、S501、S601、S801、S901、S1001、S1101)之外,至少一部分还设置于与所述基板重叠的区域(S2、S202、S302、S402、S502、S602、S802、S902、S1002、S1102)。
第3发明的卡,其特征在于,在第1或者第2发明的卡中,在挤压时,所述厚度调整层(11、51、211、251、311、351、411、451、551、651、751、811、851)是使挤压板与上层和下层贴紧的厚度。
第4发明的卡,其特征在于,在第1至第3的任一发明的卡中,所述基板(30、230、430、530、630、730)安装有电子部件(32、232、432、532、632、732),所述卡还具备:配置于所述上层(50、250、450、550、650、750、850、950、1050、1150)和所述下层(10、210、410、510、610、710、810、910、1010、1110)之间,并具有所述电子部件退避的贯通孔(20a、40a、240a)或者切口,外形与所述上层和所述下层的大小相同的间隔片(20、40、240、420、440、520、540、620、640、720、740)。
第5发明的卡,其特征在于,在第4发明的卡中,所述厚度调整层(411、451、651、811、851)设置于所述间隔片(420、440、640、20、40)上。
第6发明的卡,其特征在于,在第1至第5的任一发明的卡中,所述厚度调整层(11、51、211、251、311、351、411、451、551、651、751、811、851)设置于设置有所述厚度调整层的所述层(10、50、210、250、310、350、420、440、550、640、750、20、40)的整个周边。
第7发明的卡的制造方法,其特征在于,是第1至第6的任一发明的卡的制造方法,具备:将所述基板(30、230、330、430、530、630、730)以及各层层叠的层叠工序(#1);以及用挤压板(81、82)从上下夹住通过所述层叠工序层叠的状态的所述上层(50、150、250、350、450、550、650、750、850、950、1050、1150)和所述下层(10、110、210、310、410、510、610、710)而使挤压板与上层和下层贴紧并进行挤压的挤压工序(#2)。
第8发明的卡的制造方法,其特征在于,在第7发明的卡的制造方法中,所述基板(30、230、430、530、630、730)安装有电子部件(32、232、432、532、632、732),所述挤压工序(#2)具备:加热工序(#2a),该加热工序将所述电子部件抵接的抵接层(50、250、450、550、650、750)以及所述基板中所述电子部件的安装区域(10、210、410、510、610、710)抵接的抵接层中的至少一个加热至软化;以及电子部件埋入工序(#2b),在通过所述加热工序使所述抵接层软化的状态下,通过逐渐加压,将所述电子部件埋入所述抵接层。
第9发明的卡的制造方法,其特征在于,在第5或者第6发明的卡的制造方法中,通过拼版(多面取り)制造所述卡(1、201、301、401、501、601、701)。
发明效果
根据本发明能够提供一种能够提高外观品质的卡、卡的制造方法。
附图说明
图1是第1实施方式的卡1的俯视图、截面图。
图2是说明第1实施方式的卡1的拼版的形态的俯视图。
图3是说明第1实施方式的卡1的制造工序的截面图。
图4是说明第1实施方式的卡1的制造工序的截面图。
图5是说明第1实施方式的卡1的制造工序的截面图。
图6是示出第1实施方式的热挤压的加压以及热条件的图。
图7是说明比较例的卡101的制造工序的截面图。
图8是第2实施方式的卡201的层构成的说明图。
图9是第2实施方式的卡201的制造工序的说明图。
图10是第3实施方式的卡301的层构成、制造工序的说明图。
图11是第4实施方式的卡401的层构成的说明图。
图12是第5实施方式的卡501的层构成的说明图。
图13是第6实施方式的卡601的层构成的说明图。
图14是第7实施方式的卡701的层构成的说明图。
图15是第8实施方式的卡801的层构成的说明图。
图16是说明第8实施方式的卡801的下间隔片材料20A的俯视图。
图17是示出第8实施方式的热挤压的加压以及热条件的图。
图18是第9实施方式的卡901的层构成的说明图。
图19是第10实施方式的卡1001的层构成的说明图。
图20是示出第10实施方式的热挤压的加压以及热条件的图。
图21是第11实施方式的卡1101的层构成的说明图。
具体实施方式
(第1实施方式)
以下参照附图等对本发明的第1实施方式进行说明。
图1是第1实施方式的卡1的俯视图、截面图。
图1(a)是卡1的俯视图。
图1(b)是说明卡1的层构成的截面图(图1(a)的b-b截面图),示出将各层接合之前的状态。
在实施方式以及附图中,以卡表面的法线方向为上下方向Z并观察卡表面等的附图称为俯视图。另外,以俯视图中的卡1的长边方向为左右方向X,以短边方向为纵方向Y。将俯视图中的形状称为适当俯视形状。
此外,在各附图中,为了明确地图示上下方向Z(厚度方向)等的构成等,适当夸张其大小。并且,在俯视图中,为了明确内部构成,图示出透过内部部件的状态。
卡1是厚度为0.3mm左右的薄型IC卡,例如是预付卡。
卡1从下侧Z1开始依次层叠下层10、下间隔片20、模块基板30(基板)、上间隔片40、上层50。
下层10、下间隔片20、上间隔片40、上层50的平面形状为相同大小的长方形,与卡外形1a一致。下间隔片20、上间隔片40为相同部件(相同材料、相同形状)。
模块基板30的平面形状为比上述部件小一圈的长方形。模块基板30层叠在下间隔片20以及上间隔片40之间,使得比外形更靠外侧处具有几乎均匀幅度的基板外侧区域S1。
各层之间通过热挤压接合。各层的材质、厚度如下所示。
下层10:PET-G、80μm
下间隔片20以及上间隔片40:PET-G、40μm
模块基板30:PET、45μm
上层50:PET-G、80μm
此外,各层不是单一的片材,可以将多片层叠而构成。
在下层10的下面实施与卡1相关的印刷(未图示)。
下层10具备厚度调整层11。
厚度调整层11是通过丝网印刷而在下层10上表面的边缘部整个周边形成的印刷层。在俯视图中,厚度调整层11的印刷范围是从卡外形1a至模块基板30的内侧的区域。即,厚度调整层11的印刷范围是基板外侧区域S1、以及基板外侧区域S1的内侧的下层10以及模块基板30重叠的重叠区域S2。
下间隔片20具备孔部20a。
孔部20a是在上下方向Z贯通下间隔片20的贯通孔。在热挤压时,孔部20a减轻对IC芯片32施加的压力,抑制IC芯片32破损。孔部20a设置于与IC芯片32(后述)相对应的区域。
模块基板30具备IC芯片32等电子部件、天线线圈33。
IC芯片32是半导体集成电路元件,存储有余额、识别信息等。IC芯片32与外部的读写部(未图示)通信,进行余额的改写等。IC芯片32的厚度为120μm。IC芯片32安装在模块基板30的上表面。IC芯片32通过金凸块等与模块基板30的天线线圈33机械地电连接。
天线线圈33是IC芯片32与外部的读写部(未图示)进行通信的环式线圈的天线。天线线圈33是在模块基板30上表面形成的导体,通过蚀刻法等方法形成。天线线圈33在将卡1放在读写部时通过读写部形成的磁场产生电流,向IC芯片32供电。由此,IC芯片32与读写部之间通过非接触进行信息的收发。
上间隔片40具有与下间隔片20的孔部20a相同的孔部40a。
在上层50上表面与下层10下表面同样印刷有与卡1相关的信息。
上层50具备厚度调整层51。
厚度调整层51是在上层50下表面通过丝网印刷形成的印刷层。
厚度调整层51与下层10的厚度调整层11同样,在俯视图中设置于基板外侧区域S1、重叠区域S2。
如后所述,厚度调整层11、51在卡1的制造时间缩短、外观提高方面具有效果。
接着,对卡1的制造工序进行说明。
图2是说明第1实施方式的卡1的拼版的方式的俯视图。
图3、图4、图5是说明第1实施方式的卡1的制造工序的截面图。
图6是示出第1实施方式的热挤压的加压以及热条件的图。
如图2所示,卡1使用大于卡外形1a的片状下层10、下间隔片20、上间隔片40、上层50,通过拼版制造而成。
各厚度调整层11、51的印刷范围大于卡外形1a。这是为了减轻厚度调整层11、51的印刷的定位精度,提高生产效率。
在以下说明中,为了简略说明,对制造卡1单体的方式进行说明。
操作者或者热挤压机按照以下工序进行卡1的制造。
(层叠工序#1)
如图3(a)所示,在热挤压板81上依次层叠下层10、下间隔片20、模块基板30、上间隔片40、上层50,形成层叠体2。
(热挤压工序#2)
如图3(a)所示,热挤压工序#2利用热挤压板81、82夹住层叠体2,具备以下顺序的工序。
热挤压板81、82的温度通过热挤压工序#2维持在120℃~150℃(参照图6)。
(低压加热工序#2a)
如图3(a)所示,利用热挤压板81、82以低压P1(参照图6)对下层10、上层50加压并加热使其软化。
该低压P1维持下层10以及热挤压板81的面接触、上层50以及热挤压板82的面接触,是可以向下层10、上层50传递热挤压板81、82的热即可的程度的压力。低压P1设定在10mN/cm2~30mN/cm2之间。
(压力增加工序#2b(电子部件埋入工序))
如图6所示,从低压P1到高压P2逐渐增加热挤压板81、82的挤压压力。高压P2设定在100mN/cm2~300N/cm2之间。
如图3(b)所示,在压力增加工序#2b中,在低压加热工序#2a中已经软化的下层10(抵接层)上表面中的与安装有模块基板30的IC芯片32的区域抵接的部分发生变形。同样,上层50(抵接层)下表面中的与IC芯片32抵接的部分发生变形。由此,IC芯片32被埋入下层10、上层50。
此外,在本实施方式中,抵接层并不限定于电子部件IC芯片32本身抵接的上层50,还包含模块基板30中IC芯片32的安装区域抵接的下层10。
原本存在于下层10、上层50的埋入IC芯片32的部分的材料10a、50a被IC芯片32挤出,分别被收容到下间隔片20、上间隔片40的孔部20a、40a,。
由此,能够降低在成为卡表面的下层10下表面、上层50上表面中IC芯片32周围的形变而提高平坦性,从而能够改善卡1的外观。而且,由于能够提高下层10下表面、上层50上表面的平坦性,因此在后面的加压工序中,能够抑制压力集中在IC芯片32,从而能够抑制IC芯片32的破损。
(高压维持工序#2c)
如图6所示,高压维持工序#2c是将热挤压板81、82的温度维持为135℃、且维持高压P2的状态的维持加热高压的工序。
在高压维持工序#2c中,各层间的状态变化如下。
(1)如图3(b)所示,如果IC芯片32被进一步埋入,则在重叠区域S2各层间的间隔缩小,各层抵接。即,在重叠区域S2,下层10、厚度调整层11、下间隔片20、模块基板30、上间隔片40、厚度调整层51、上层50抵接。此外,在该状态下,由于下间隔片20以及上间隔片40之间的间隙d等于模块基板30的厚度,因此为45μm。
此外,这些层抵接可以不是在高压维持工序#2c内,也可以是在上述压力增加工序#2b内、在低压加热工序#2a内。是在将挤压压力增加至高压P2的过程中抵接还是在高压P2之后抵接,根据条件等而不同。
(2)如图4(c)所示,间隙d逐渐缩小。可以考虑这是因为由于在卡外形1a附近,热挤压板81、82开始挠曲,因此下层10、下间隔片20开始向上侧Z2挠曲,上间隔片40、上层50开始向下侧Z1挠曲。
(3)如图4(d)所示,间隙d变为0,下间隔片20以及上间隔片40的外部边缘抵接。
(4)如图5(e)所示,从基板外侧区域S1的外部边缘开始热熔敷。
在基板外侧区域S1、重叠区域S2如下所示各层被热熔敷。
下间隔片20以及上间隔片40(PET-G)热熔敷的配合性良好,被牢固地接合。
下层10以及下间隔片20间隔着厚度调整层11接合。即,厚度调整层11使用与下层10以及下间隔片20(PET-G)热熔敷的配合性好的涂料。厚度调整层11通过加压被压缩,被埋入下层10以及下间隔片20。
上层50以及上间隔片40与下层10以及下间隔片20同样,间隔着厚度调整层51接合。
此外,模块基板30(PET)与下间隔片20以及上间隔片40(PET-G)的热熔敷的配合性差。因此,卡1构成为通过接合基板外侧区域S1的下间隔片20以及上间隔片40,将模块基板30密封并保持在下间隔片20以及上间隔片40之间。
(5)如图5(f)所示,如果继续高压P2的挤压,则在基板外侧区域S1,各层的接合面积增加,基板外侧区域S1的大部分的区域被接合。
上述(1)~(5)中的重叠区域S2、基板外侧区域S1中的压力状态、厚度调整层11、51的作用如下所示。
(重叠区域S2的加压状态)
除了设置有IC芯片32的区域以外,具有厚度调整层11、51的重叠区域S2最厚。因此,重叠区域S2最容易被施加压力。
(基板外侧区域S1的加压状态)
基板外侧区域S1由于与重叠区域S2邻接,因此成为容易被施加热挤压板81、82的压力的状态。因此,热挤压板81、82能够稳定地使下层50、上层50变形,使间隙d消失。并且,由于通过厚度调整层11、51,厚度增加,因此下间隔片20、上间隔片40在间隙d变为0后,稳定地接触而提高表面压力。由此,能够提高基板外侧区域S1的各层间的加压、加热的作用。
(冷却工序#3)
如图6所示,高压维持工序#2c结束后,将热挤压板81、82的压力维持为高压P2,并停止热挤压板81、82的加热,冷却层叠体2。
如图6所示,热挤压工序#2、冷却工序#3的时间如下所示。
低压加热工序#2a(加热工序):60秒
压力增加工序#2b(电子部件压力增加工序):30秒
高压维持工序#2c:90秒
冷却工序#3:180秒(3分钟)
合计6分钟
(卡切断工序#4)
从热挤压板81、82之间取出层叠体2,切断为各个片。由此,制造卡1。
(与比较例的制造时间、外观的比较)
关于卡的制造时间、外观,制作比较例的卡101,与第1实施方式的卡1进行比较。比较例的卡101中,对实现与第1实施方式的卡1同样的功能的部分标记相同的符号或者在末尾标记相同的符号,并适当省略重复的说明。
图7是说明比较例的卡101的制造工序的截面图。
图7(a)是与图3(b)相对应的图。
图7(b)是与图4(c)相对应的图。
图7(c)是与图4(d)相对应的图。
图7(d)是与图5(f)相对应的图。
如图7(a)所示,比较例的卡101在下层110、上层150未设置厚度调整层。除此之外的构成与第1实施方式同样。制造工序调整热挤压工序#2、冷却工序#3的时间,使得不发生外观不良。
(制造时间)
比较例的卡101的制造时间如下所示。
低压加热工序:180秒
压力增加工序:30秒
高压维持工序:240秒
冷却工序:7分30秒
合计:15分钟
此外,挤压压力设定为低压20N/cm2、高压160N/cm2。
比较例的卡101的制造时间与第1实施方式的制造时间6分钟相比较,大幅度延长。
(关于外观)
如图7(d)所示,比较例的卡101存在作为卡表面的下层110下表面、上层150上表面产生伤痕状的凹陷C的情况。
与此相对,第1实施方式的卡1不存在下层10下表面、上层50上表面产生凹陷的情况。
这样,比较例的卡101的制造时间、外观比第1实施方式的卡1差。其理由考虑如下。
比较例的卡101由于不具备厚度调整层,因此在基板外侧区域S101,比第1实施方式不易施加来自热挤压板81、82的压力。因此,在热挤压时,在基板外侧区域S101,热挤压板81、82不易挠曲,使下层110、下间隔片120、上间隔片140、上层150挠曲的作用小于第1实施方式。
因此,在图7(b)、图7(c)所示的工序中,至下间隔片120、上间隔片140抵接的时间比第1实施方式长。并且,在下间隔片120、上间隔片140抵接之后同样,在基板外侧区域S101,下层110、下间隔片120、上间隔片140、上层150之间不易被施加压力,用于使这些层之间热熔敷的时间延长。
而且,在基板外侧区域S101,起因于来自热挤压板81、82的压力降低以及热挤压板81、82难以挠曲,热挤压板81以及下层110之间容易产生间隙,而且,热挤压板82以及上层150之间容易产生间隙C2(参照图7(c))。在产生该间隙C2且在下层110下表面、上层150上表面产生热收缩的情况下,伴随着热收缩的形变(凹陷C)呈现为线状的伤痕。并且,为了抑制发生该形变,必须缓慢加热下层110、上层150,工序时间延长。
另一方面,第1实施方式的卡1由于具备厚度调整层11、51,因此形成容易被施加来自热挤压板81、82的压力的状态,能够在某种程度上维持从热挤压板81对下层10的加压,而且,能够在某种程度上维持从热挤压板82对上层50的加压。因此,能够维持热挤压板81以及下层10之间的贴紧,并且,能够维持热挤压板82以及上层50之间的贴紧。由此,卡1即使在急剧加热下层10下表面、上层50上表面,发生热收缩的情况下,也能够抑制产生凹陷,并且能够消减工序时间。
在此,由于第1实施方式的厚度调整层11、51分别为厚度5μm~7μm,因此合计为10μm~14μm左右。因此,间隙d的45mm即使考虑各厚度调整层11、51的厚度,仍然具有30μm以上的间隙。但是,通过与比较例的加工时间、外观的比较,已经确认即使厚度调整层11、51的厚度为合计10μm~14μm左右,也能够在制造时间的缩短、外观提高方面具有充分的效果。
如以上说明所示,本实施方式的卡1由于能够消减外观不良并缩短制造时间,因此能够提高生产效率。
而且,卡1由于厚度调整层11、51与模块基板30重叠,因此能够进一步提高在基板外侧区域S1的表面压力,进一步提高生产效率。
(第2实施方式)
接着,对本发明的第2实施方式进行说明。
在以下的实施方式的说明以及附图中,对实现与上述的第1实施方式同样的功能的部分标记相同的符号或者在末尾标记相同的符号,并适当省略重复说明。
图8是第2实施方式的卡201的层构成的说明图。
图9是第2实施方式的卡201的制造工序的说明图。
图9(a)是与图4(c)相对应的图。
图9(b)是与图4(d)相对应的图。
图9(c)是与图5(f)相对应的图。
如图8所示,由于IC芯片232的厚度比第1实施方式薄,因此卡201不具备上间隔片。
如图9(a)所示,通过高压维持工序,层叠体202被热挤压板81、82夹住。
如图9(b)、图9(c)所示,从基板外侧区域S201的外周侧,下层210以及上间隔片240通过厚度调整层211进行热熔敷,并且,上间隔片240以及上层250通过厚度调整层251进行热熔敷。
此时,层叠体202与第1实施方式同样形成容易被施加来自热挤压板81、82的压力的状态,能够提高基板外侧区域S201中的各层间的表面压力。
由此,卡201与第1实施方式同样,能够提高生产效率。
(第3实施方式)
接着,对本发明的第3实施方式进行说明。
图10是第3实施方式的卡301的层构成、制造工序的说明图。
如图10(a)所示,模块基板330仅安装有配线图案333和薄的电子部件(未图示),没有安装IC芯片这样的厚的电子部件。因此,卡301不需要上间隔片、下间隔片,下层310以及上层350在模块基板330上直接层叠。
即使在该情况下,卡301通过厚度调整层311、351的作用,在基板外侧区域S301也能够提高下层310以及上层350之间的表面压力。
由此,本实施方式的卡301与第1实施方式同样能够提高生产效率。
(第4实施方式)
图11是第4实施方式的卡401的层构成的说明图。
卡401在下间隔片420上表面、上间隔片440下表面通过丝网印刷分别形成厚度调整层411、451。
即使是这样的构成,卡401与第一实施方式同样,也形成容易被施加来自热挤压板81、82的压力的状态,能够提高基板外侧区域S401中的各层间的表面压力。
由此,卡401与第1实施方式同样,能够提高生产效率。并且,根据生产工序的情况,能够在下间隔片420、上间隔片440设置丝网印刷的工序。
(第5实施方式)
图12是第5实施方式的卡501的层构成的说明图。
卡501仅在上层550下表面具备厚度调整层551。
厚度调整层551是将第1实施方式的厚度调整层11、51相加后的厚度。
即使是这样的构成,卡501也与第1实施方式同样,形成容易被施加来自热挤压板81、82的压力的状态,能够提高基板外侧区域S501中的各层间的表面压力。
由此,卡501与第1实施方式同样,能够提高生产效率。并且,由于印刷工序减少,因此能够进一步提高生产效率。
(第6实施方式)
图13是第6实施方式的卡601的层构成的说明图。
卡601仅在上间隔片640上表面具备厚度调整层651。
厚度调整层651是将第1实施方式的厚度调整层11、51相加后的厚度。
即使是这样的构成,卡601也与第1实施方式同样,形成容易被施加来自热挤压板81、82的压力的状态,能够提高基板外侧区域S601中的各层间的表面压力。
由此,卡601与第1实施方式同样,能够提高生产效率。另外,由于印刷工序减少,因此能够进一步提高生产效率,并且能够根据生产工序的情况,设置丝网印刷的工序。
(第7实施方式)
图14是第7实施方式的卡701的层构成的说明图。
卡701仅在上层750下表面具备厚度调整层751。
厚度调整层751仅设置于基板外侧区域S701。厚度调整层751是将第1实施方式的厚度调整层11、51相加后的厚度。
即使是这样的构成,卡701也与第1实施方式同样,能够提高基板外侧区域S701中的各层间的表面压力,能够改善外观、缩短制造时间。此外,该效果通过试作已经确认。
由此,卡701与第1实施方式同样,能够提高生产效率。并且,由于印刷工序减少,因此能够进一步提高生产效率。
(第8实施方式)
图15是第8实施方式的卡801的层构成的说明图。
卡801仅变更了第1实施方式的厚度调整层811、851的配置。各层的厚度与第1实施方式同样。
厚度调整层811通过丝网印刷设置在下间隔片20下表面。
同样,厚度调整层851设置于上间隔片40上表面。此外,考虑到量产等,厚度调整层811、851的厚度设定为5μm~10μm,与第1实施方式相比较,增大了厚度的公差。
在卡801的情况下,根据厚度调整层811、851的作用,在基板外侧区域S801也能够提高各层间的表面压力。
由此,本实施方式的卡801与第1实施方式同样,能够提高生产效率。
图16是说明第8实施方式的卡801的下间隔片材20A的俯视图。
下间隔片材20A是用于以拼版制造卡801而使用的片材。下间隔片材20A是下间隔片20层叠前的片状态。
厚度调整层811以图中阴影线示出。
虚线表示卡外形801a以及基板外形30a。
虽然省略了说明,但上间隔片40也使用与下间隔片材20A同样的上间隔片材。
图17是示出第8实施方式的热挤压的加压以及热条件的图。
在第8实施方式中,从第1实施方式将各工序的时间变更如下。
低压加热工序#2a:60秒(第1实施方式)→100秒
压力增加工序#2b:30秒(与第1实施方式相同)
高压维持工序#2c:90秒(第1实施方式)→120秒
冷却工序#3:180秒(第1实施方式)→300秒
合计9分10秒(550秒)
此外,压力、挤压板温度在相同的范围内进行调整。
使低压加热工序#2a长于第1实施方式的理由是为了进一步可靠地使下层10、上层50加热并软化,在IC芯片32被埋入下层10、上层50的情况下降低IC芯片32承受的负载。由此,在量产时,卡801能够提高成品率。
使高压维持工序#2c长于第1实施方式的理由是为了与下层10、上层50进一步软化相对应。并且,根据同样的理由,使冷却工序#3长于第1实施方式。由此,卡801能够抑制弯曲等,提高品质。
即使在上述条件下,本实施方式的制造时间9分10秒如果与在第1实施方式的比较例中说明的卡101的制造时间15分钟相比较,也大幅度缩短,卡801也能够大幅度缩短制造时间。
(第9实施方式)
图18是第9实施方式的卡901的层构成的说明图。
卡901以卡厚度厚于第1实施方式,约为0.5mm的方式形成层。即,在第8实施方式中,卡厚度约为0.3mm,在第9实施方式中卡厚度约为0.5mm。
卡901从下侧Z1起依次层叠下层910、下间隔片20、模块基板30(基板)、上间隔片40、上层950。
下间隔片20、模块基板30(基板)、上间隔片40与第8实施方式同样。厚度调整层811、851也与第8实施方式同样,设置于下间隔片20、模块基板30、上间隔片40。
下层910、上层950分别是层叠在最下层、最上层的层。在下层910、上层950设置有印刷有卡公司的名称等的印刷层(未图示)。
各层的材质、厚度如下所示。
下层910:PET、190μm
下间隔片20以及上间隔片40:PET-G、40μm
模块基板30:PET、45μm
上层950:PET、190μm
根据以上的构成,形成卡901,使卡厚度比第8实施方式厚。
在此,下间隔片20、模块基板30、上间隔片40的厚度与第8实施方式同样,能够使用与第8实施方式共同的部件。
即,如果模块基板30的IC芯片32的厚度、配置等相同,则在第8以及第9实施方式中,能够共同使用下间隔片20、模块基板30以及上间隔片40。
因此,在制造时,可以事先准备用于加工为下间隔片20以及上间隔片40的片材(参照图16的下间隔片材20A)、模块基板30。然后,可以根据卡的订单,另行准备与该卡的厚度相对应的其他片材。
由此,部件管理变得容易,而且能够期待伴随着部件共同化而来的成本降低。
此外,通过试作已进行确认,卡901即使卡厚度约为0.5mm,也能够抑制产生凹陷C(参照图7(d))。
由此,本实施方式的卡901与第8实施方式同样,能够提高生产效率。
(第10实施方式)
图19是第10实施方式的卡1001的层构成的说明图。
卡1001以卡厚度比第9实施方式更厚,约为0.8mm左右的方式形成层。
卡1001改变第9实施方式的下层1010、上层1050的厚度。其他构成与第9实施方式同样。
即,各层的材质、厚度如下所示。
下层1010:PET-G、350μm
下间隔片20以及上间隔片40:PET-G、40μm
模块基板30:PET、45μm
上层1050:PET-G、350μm
这种情况下同样,在第8~第10实施方式,如果模块基板30的规格相同,则能够共同使用下间隔片20、模块基板30以及上间隔片40,部件管理等变得容易,而且,能够期待成本降低。
图20是示出第10实施方式的热挤压的加压以及热条件的图。
至低压加压工序#2a(100秒)、压力增加工序#2b(30)为止,与第8实施方式同样。高压维持工序#2c、冷却工序#3由第八实施方式进行如下变更。
高压维持工序#2c:120秒(第8实施方式)→100秒
冷却工序#3:300秒(第8实施方式)→250秒
合计8分钟(480秒)
在本实施方式中,具有即使卡成形时间(高压维持工序#2c、冷却工序#3)设定为比第8实施方式短的时间,也不发生弯曲等的趋势。可以考虑原因在于本实施方式由于卡厚度设定为比第8实施方式厚,因此提高了卡的刚性。
此外,卡制造时的各条件可以适当变更。
(第11实施方式)
图21是第11实施方式的卡1101的层构成的说明图。
卡1101的卡厚约为0.8mm,与第10实施方式同样,但是变更了下间隔片20、模块基板30以及上间隔片40以外的层构成。
卡1101从下侧Z1起依次层叠下层1110、下中间层1115、下间隔片20、模块基板30(基板)、上间隔片40、上中间层1145、上层1150。
各层的材质、厚度如下所示。
下层1110:PET-G、50μm
下中间层1115:PET-G、300μm
下间隔片20以及上间隔片40:PET-G、40μm
模块基板30:PET、45μm
上中间层1145:PET-G、300μm
上层1150:PET-G、50μm
在下中间层1114下表面设置有印刷有卡公司的名称等的印刷层(未图示)。
下层1110是透明的层。通过在下中间层1114的下层层叠下层1110,保护下中间层1114的印刷层。
同样,上中间层1116也具备印刷层,上层1150保护上中间层1116的印刷层。
如第10、第11实施方式所示,即使是相同卡厚,根据卡的印刷的规格等,也能够适当变更层构成。
这种情况下同样,在第8~第11实施方式中,如果模块基板30的规格相同,则能够共同使用下间隔片20、模块基板30以及上间隔片40,部件管理等变得容易,而且能够期待成本降低。
以上对本发明的实施方式进行了说明,然而本发明并不限定于上述的实施方式,可以如后述的变形方式那样进行各种变形、变更,且这些也在本发明的技术性范围内。而且,实施方式所记载的效果不过是列举了由本发明产生的最佳效果,然而本发明的效果并不限定于实施方式所记载的内容。此外,上述的实施方式以及后述的变形方式也能够适当组合而使用,省略详细说明。
(变形方式)
(1)在实施方式中,厚度调整层示出了设置2层或者1层的例子,然而并不限定于此。例如,厚度调整层可以设置3层以上。在设置3层以上厚度调整层的情况下,由于能够使厚度调整层的合计更厚,因此可以对应例如厚的模块基板。
(2)厚度调整层的配置并不限定于实施方式的构成。厚度调整层只要设置于各层的至少一层即可。此时,也实现与实施方式相同的效果。由此,根据卡制造工序的情况,能够选择设置厚度调整层的层。
(3)在实施方式中,说明了在下间隔片20、上间隔片40设置有孔部的例子,然而并不限定于此。例如,也可以设置切口代替孔部。
(4)在实施方式中,说明了在低压加热工序中使下层以及上层的双方软化的例子,然而并不限定于此。例如,也可以仅使下层以及上层中被施加大于IC芯片的负载的层(抵接层)软化。
符号说明
1、101、201、301、401、501、601、701、801、901、1001、1101:卡
2、102、202、302:层叠体
10、110、210、310、410、510、610、710、810、910、1010、1110:下层
20、120、420、520、620、720:下间隔片
30、130、230、330、430、530、630、730:模块基板
32、132、232、332、432、532、632、732:IC芯片
33、133、233、333、433、533、633、733:天线线圈
40、140、240、440、540、640、740:上间隔片
50、150、250、350、450、550、650、750、850、950、1050、1150:上层
11、51、211、251、311、351、411、451、551、651、751、811、851:厚度调整层
81、82:热挤压板
Claims (12)
1.一种卡,通过挤压使层间接合而形成,其特征在于,
具备:
基板;
上层和下层,所述上层和所述下层具有大于所述基板的外形的外形,并配置于所述基板的上侧和下侧;以及
厚度调整层,在所述上层和所述下层之间,设置于比所述基板的外形更靠外侧的基板外侧区域,通过印刷设置于形成该卡的层中的至少一层,用于调整所述基板外侧区域处的厚度。
2.根据权利要求1所述的卡,其特征在于,
在从法线方向观察卡表面时,所述厚度调整层除设置于所述基板外侧区域之外,至少一部分还设置于与所述基板重叠的区域。
3.根据权利要求1或2所述的卡,其特征在于,
在挤压时,所述厚度调整层为使挤压板与上层和下层贴紧的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的卡,其特征在于,
所述基板安装有电子部件,
所述卡还具备间隔片,所述间隔片配置于所述上层和所述下层之间,并具有所述电子部件退避的贯通孔或者切口,所述间隔片的外形与所述上层和所述下层的大小相同。
5.根据权利要求4所述的卡,其特征在于,
所述厚度调整层设置于所述间隔片上。
6.根据权利要求1、2、5中任一项所述的卡,其特征在于,
所述厚度调整层设置于设有所述厚度调整层的层的整个周边。
7.根据权利要求3所述的卡,其特征在于,
所述基板安装有电子部件,
所述卡还具备间隔片,所述间隔片配置于所述上层和所述下层之间,并具有所述电子部件退避的贯通孔或者切口,所述间隔片的外形与所述上层和所述下层的大小相同。
8.根据权利要求7所述的卡,其特征在于,
所述厚度调整层设置于所述间隔片上。
9.根据权利要求7或8所述的卡,其特征在于,
所述厚度调整层设置于设有所述厚度调整层的层的整个周边。
10.一种卡的制造方法,其特征在于,是权利要求1~9中任一项所述的卡的制造方法,
所述卡的制造方法具备:
层叠工序,将所述基板以及各层层叠;以及
挤压工序,用挤压板从上下夹住通过所述层叠工序层叠的状态的所述上层和所述下层,使挤压板与上层和下层贴紧并进行挤压。
11.根据权利要求10所述的卡的制造方法,其特征在于,
所述基板安装有电子部件,
所述挤压工序具备:
加热工序,将所述电子部件抵接的抵接层以及所述基板中所述电子部件的安装区域抵接的抵接层中的至少一个加热至软化;以及
电子部件埋入工序,在通过所述加热工序使所述抵接层软化的状态下,通过逐渐加压,将所述电子部件埋入所述抵接层。
12.根据权利要求10或11所述的卡的制造方法,其特征在于,
通过拼版制造所述卡。
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- 2015-02-06 HK HK15101336.4A patent/HK1200950A1/zh unknown
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