CN104124237A - 发光二极管封装件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管封装件及其制造方法。根据本发明实施例的发光二极管封装件包括：相互分开的第一引线框架和第二引线框架；倒装接合于所述第一引线框架和第二引线框架的发光二极管芯片；粘贴于所述第一引线框架和第二引线框架，以支撑所述第一引线框架和第二引线框架，且具有使所述发光二极管芯片的上部区域露出的开口部的封装件主体。而且，所述发光二极管芯片的至少一个侧面紧贴于所述封装件主体。据此，可提供能够实现小型化的发光二极管封装件。

Description

发光二极管封装件及其制造方法
技术领域
本发明涉及应用于发光二极管模块的单独的发光二极管封装件及其制造方法。
背景技术
发光二极管模块通常是在诸如印刷电路板的电路基板上安装至少一个发光二极管封装件而制作。而且，发光二极管封装件是在制造用于支撑发光二极管芯片的封装件主体之后，在封装件主体上贴装发光二极管芯片而制作。
图1为用于说明现有技术中的发光二极管封装件的概略的剖视图。
参照图1，所述发光二极管封装件包括：第一引线框架11a、第二引线框架11b、封装件主体13、发光二极管芯片15、键合引线17、包封部19。
所述发光二极管封装件为了使封装件的尺寸实现小型化，使第一引线框架11a和第二引线框架11b的底面露出，且封装件主体13将第一引线框架11a和第二引线框架11b予以结合。
所述发光二极管封装件首先准备第一引线框架11a和第二引线框架11b并在其上面形成封装件主体13。封装件主体13包括用于使第一引线11a和第二引线11b露出的开口部，且开口部的内壁13a具有倾斜的形状。封装件主体13由非透明树脂形成，且在开口部的内壁13a反射光。
然后，在所述开口部之内贴装发光二极管芯片15，并利用键合引线17将发光二极管芯片15和第一引线框架11a及第二引线框架11b予以电连接。
即，现有技术中的发光二极管封装件首先形成封装件主体13之后，在封装件主体13的开口部贴装发光二极管芯片15。为了贴装发光二极管芯片15并将键合引线17连接到发光二极管芯片15和引线框架11a、11b，封装件主体13需要足够宽的空间。据此，封装件主体13的开口部应相对大，据此难以实现封装件主体13的小型化。
难以实现封装件主体13的小型化的问题不仅仅局限于如图1所示的特定的发光二极管封装件，在开口部之内贴装发光二极管芯片的所有种类的封装件均涉及该问题。
尤其是，用于制造发光二极管芯片的衬底基板趋于大型化（从2英寸到4英寸或6英寸），且对单个的发光二极管芯片要求较高的光输出。据此，需要大面积的发光二极管芯片。发光二极管芯片的大面积化将导致封装件主体13的尺寸的增加。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种可实现小型化的发光二极管封装件及其制造方法。
本发明所要解决的另一问题在于，提供一种可简化制造工艺的发光二极管封装件及其制造方法。
根据本发明实施例的发光二极管封装件包括：相互分开的第一引线框架和第二引线框架；倒装接合到所述第一引线框架和第二引线框架的发光二极管芯片；粘贴于所述第一引线框架和第二引线框架，以支撑所述第一引线框架和第二引线框架，且具有使所述发光二极管芯片的上部区域露出的开口部的封装件主体。而且，所述发光二极管芯片的至少一个侧面紧贴于所述封装件主体。
根据本发明实施例的发光二极管封装件与现有技术中的发光二极管封装件的区别点在于，发光二极管芯片和封装件主体之间不需要任何作业空间。所述封装件主体可粘贴于发光二极管芯片的侧面。
所述封装件主体可由非透明的树脂形成。从紧贴于所述封装件主体的侧面发出的光可被封装件主体所阻断。
所述发光二极管封装件还可以包括填充所述开口部的透明的包封部。所述透明的包封部还可以具备透镜形状。可利用所述开口部和透明包封部的形状来调整从所述发光二极管封装件发出的光的指向角。
另外，所述开口部的内壁可具有使所述开口部的宽度变窄的倾斜面，所述倾斜面的下部端部位于相比所述发光二极管芯片的下表面更高的位置。进而，所述倾斜面的下部端部可位于与所述发光二极管芯片的上表面相同高度的位置或者更高的位置。
而且，所述开口部的入口可相比所述发光二极管芯片的上表面更宽，所述开口部的底部可相比所述发光二极管芯片的上表面更窄。
另外，所述发光二极管封装件还可以包括镀覆于所述发光二极管芯片上的厚度均匀的荧光体层。所述厚度均匀的荧光体层的一部分可位于所述封装件主体和发光二极管芯片的侧面之间。
而且，所述开口部可使所述荧光体层露出，所述发光二极管芯片的侧面可由所述封装件主体密封。
所述第一引线框架和第二引线框架可具有向所述封装件主体内突出而埋设于封装件主体内的弯曲部。通过形成所述弯曲部，可缓和来自外部的水分的渗透。
而且，所述发光二极管封装件还可以包括覆盖所述开口部的透镜，所述透镜可以是平板透镜或全内反射（TIP）透镜。
在若干实施例中，所述发光二极管封装件还可以包括覆盖所述开口部的荧光体片或荧光体层。所述荧光体片或荧光体层位于从所述发光二级管芯片分开的位置，据此可以缓和因发光二极管芯片中生成的光和热引起荧光体的效率下降的缺陷。
在若干实施例中，所述发光二极管芯片的所有侧面均可以紧贴到所述封装件主体。
在另一些实施例中，所述发光二极管芯片的相向的两个侧面可紧贴于所述封装件主体，另外的两个侧面可从所述封装件主体分开。进而，所述发光二极管封装件可以是侧面发光型(Side-View Type)封装件。
所述发光二极管封装件还可以进一步包括另一发光二极管芯片。所述另一发光二极管芯片的至少一个侧面紧贴于所述封装件主体。进而，所述另一发光二极管芯片可串联连接于所述发光二极管芯片。
根据本发明各实施例的发光二极管封装件的制造方法包括如下步骤：准备彼此分开的第一引线框架和第二引线框架；在所述第一引线框架和第二引线框架上倒装接合发光二极管芯片；形成封装件主体，该封装件主体粘贴于所述第一引线框架和第二引线框架，以支撑所述第一引线框架和第二引线框架，并具有使所述发光二极管芯片的上部区域露出的开口部。
由于在发光二极管芯片被倒装接合之后形成封装件主体，因此无需在封装件主体内部配备用于贴装发光二极管芯片的作业空间。据此，可以减小所述开口部的大小，实现封装件主体的小型化。
所述封装件主体可紧贴于所述发光二极管芯片的至少一个侧面。
所述发光二极管封装件的制造方法还可以进一步包括在所述发光二极管芯片上形成厚度均匀的荧光体层的步骤。形成所述荧光体层的步骤可以在形成所述封装件主体之前或者倒装接合发光二极管芯片之前执行。
所述发光二极管封装件的制造方法还可以包括形成用于覆盖所述开口部的荧光体片或荧光体层的步骤。
而且，所述发光二极管封装件的制造方法还可以包括形成用于填充所述开口部的包封部的步骤。
在若干实施例中，所述第一引线框架和第二引线框架可分别具有用于贴装所述发光二极管芯片的贴装面和从所述贴装面弯曲的连接部，所述封装件主体可埋设所述贴装面的同时使所述连接部露出。
根据本发明的实施例，可以使封装件主体和发光二极管芯片紧贴，据此可提供能够实现小型化的发光二极管封装件及其制造方法。
而且，通过在贴装发光二极管芯片之后形成封装件主体，据此可简化封装件制造工艺。
附图说明
图1为用于说明根据现有技术的发光二极管封装件的概略的剖视图。
图2为用于说明根据本发明一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
图3为用于说明根据本发明一实施例的发光二极管封装件制造方法的概略的剖视图。
图4为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
图5为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
图6为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
图7为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
图8为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的立体图。
图9为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
11a、21a、41a、71a、81a：第一引线框架
11b、21b、41b、71b、81b：第二引线框架  81c：第三引线框架
13、23、33、43、63、73、83：封装件主体
15、25：发光二极管芯片
23a、33a、43a、63a：开口部的内壁  24：封装件主体的开口部
26、86：荧光体层
27a、27b、87a、87b：凸块   29、89：包封部
59：平板透镜   66：荧光体片
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。以下介绍的实施例是为了将本发明的思想充分地传递到本领域技术人员而作为示例提供的。据此，本发明并不局限于以下说明的实施例，可具体化为其他的形态。而且，在图中，构成要素的宽度、长度、厚度等可被夸张地表示，以便于进行说明。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要素。
图2为用于说明根据本发明一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
参照图2，所述发光二极管封装件包括第一引线框架21a、第二引线框架21b、封装件主体23、发光二极管芯片25、荧光体层26、多个凸块27a、27b、包封部29。
第一引线框架21a和第二引线框架21b可相互分开。第一引线框架21a和第二引线框架21b可制作成单个的引线框架。
发光二极管芯片25可通过凸块27a、27b倒装接合于第一引线框架21a和第二引线框架21b上。发光二极管芯片25例如可以是氮化镓(GaN)系列的发光二极管芯片，但并不局限于此，还可以是砷化镓(GaAs)系列或磷化镓(GaP)系列的发光二极管芯片。而且，所述发光二极管芯片25可具有单个的发光单元，但并不局限于此，还可以具备多个发光单元。另外，所述凸块27a、27b将发光二极管芯片25电连接到第一引线框架21a和第二引线框架21b。第一引线框架21a和第二引线框架21b可具有收容多个凸块27a、27b的凹槽，据此可降低发光二极管芯片25的高度。
荧光体层26可镀覆于发光二极管芯片25之上。荧光体层26具有均匀的厚度，可位于发光二极管芯片25的上表面之上。荧光体层26吸收从发光二极管芯片25发出的光而发出波长被变换后的光。
封装件主体23被粘贴到第一引线框架21a和第二引线框架21b上，以支撑第一引线框架21a和第二引线框架21b。封装件主体23可由具有反射特性的非透明树脂形成。封装件主体23紧贴于发光二极管芯片25的至少一个侧面之上。封装件主体23可紧贴于发光二极管芯片25的所有侧面之上，但并不局限于此。封装件主体23可粘贴于发光二极管芯片25而支撑发光二极管芯片25。进而，如图2所示，封装件主体23的一部分可位于发光二极管芯片25的下部而被粘贴在发光二极管芯片25上。
另外，如图2所示，所述第一引线框架21a和第二引线框架21b可朝封装件主体23的侧面外侧延伸。但是，本发明并不局限于此，所述第一引线框架21a和第二引线框架21b的端部的侧面可被封装件主体23封盖。
封装件主体23具有使发光二极管芯片25的上部区域露出的开口部24。所述开口部24的内壁23a可具有使开口部24的宽度从开口部24的入口越靠近下侧则越变窄的倾斜面。所述倾斜面反射从发光二极管芯片25发出的光，从而可以调整从封装件发出的光的指向角。
另外，所述内壁23a倾斜面的下部端部位于相比发光二极管芯片25的下表面更高的位置。如图2所示，所述内壁23a倾斜面的下部端部可位于相比发光二极管芯片25的上表面更高的位置，但本发明并不局限于此，还可以位于与发光二极管芯片25的上表面相同或比上表面更低的位置。但是，需要防止从发光二极管芯片25发出的光不入射于荧光体层26而直接发射到外部，为此，可以使所述下部端部位于与发光二极管芯片25的上表面相同或高于上表面的位置。此时，发光二极管芯片25的侧面被封装件主体23密封。
包封部29填充所述开口部24而包封发光二极管芯片25。包封部29可由透明的树脂，例如硅树脂或环氧树脂形成。所述包封部29可具有多种形状，以调节光的指向角，并且如图所示，可具有凸透镜的形状。
根据本实施例，由于封装件主体23紧贴于发光二极管芯片25，因此无需使开口部24形成为大于发光二极管芯片25，据此，可提供实现小型化的发光二极管封装件。进而，由于倒装接合发光二极管芯片25，因此无需键合引线，从而可简化封装件制造工艺。而且，由于使用厚度均匀的荧光体层26，因此可实现从封装件发出的光的均匀的色度分布。
图3为用于说明根据本发明一实施例的发光二极管封装件制造方法的概略的剖视图。
首先，参照图3的（a），备好第一引线框架21a和第二引线框架21b。第一引线框架21a和第二引线框架21b可通过加工单个的引线框架而制造。单个的引线框架中可具有多对的第一引线框架21a和第二引线框架21b。
在所述第一引线框架21a和第二引线框架21b上倒装接合发光二极管芯片25。发光二极管芯片25可通过凸块27a、27b倒装接合于第一引线框架21a和第二引线框架21b。第一引线框架21a和第二引线框架21b上可形成凹槽（未图示），多个凸块27a、27b可粘贴于凹槽之内。据此，可提高凸块27a、27b和引线框架21a、21b的粘贴力，且可以降低发光二极管芯片25的高度，进一步使发光二极管封装件实现小型化。
所述发光二极管芯片25可以包括在其上面镀覆的厚度均匀的荧光体层26。荧光体层26可预先镀覆到发光二极管芯片25之上，但并不局限于此，还可以在发光二极管芯片倒装接合之后，镀覆到发光二极管芯片25之上。
参照图3的（b），在第一引线框架21a和第二引线框架21b之上形成封装件主体23。封装件主体23可利用热固性树脂或热塑性树脂形成。尤其，封装件主体23可由具备反射特性的非透明树脂形成。
封装件主体23具有使发光二极管芯片25的上部区域露出的开口部24。开口部24的内壁23a可具有使开口部24的宽度从开口部24的入口侧越靠近底部则越变窄的倾斜面。倾斜面的下部端部位于相比所述发光二极管芯片25的下表面更高的位置，进而可位于相比发光二极管芯片25的上表面更高的位置。
封装件主体23是在发光二极管芯片25倒装接合于引线框架21a、21b上之后形成。据此，封装件主体23的开口部24无需具备用于贴装发光二极管芯片25的较宽的作业空间。进而，封装件主体23可紧贴或粘贴于发光二极管芯片25的至少一个侧面。
参照图3的（c），形成填充开口部24的包封部29。包封部29可由诸如硅树脂或环氧树脂的透明树脂形成。包封部29还可以具有透镜形状。
然后，从引线框架分离出第一引线框架21a和第二引线框架21b，从而完成单个的发光二极管封装件。
根据本实施例，发光二极管芯片25贴装于引线框架21a、21b之后，形成封装件主体23。据此，可以使封装件主体23的尺寸小型化。
另外，在本实施例中，图示并说明了荧光体层26的位置被限定于发光二极管芯片25的上表面的情形，而荧光体层26的一部分还可以覆盖发光二极管芯片25的侧面。此时，封装件主体23可被粘贴于镀覆于发光二极管芯片25的侧面的荧光体层26。
而且，在本实施例中，说明了利用引线框架提供第一引线框架21a和第二引线框架21b的情形，但并不局限于此。例如，还可以利用印刷电路板上的电路图案提供第一引线框架21a和第二引线框架21b。然而如同本实施例，通过利用引线框架制造第一引线框架21a和第二引线框架21b，并向外部露出所述第一引线框架21a和第二引线框架21b的底面，据此可以提供具有良好的散热性能的发光二极管封装件。
图4为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
参照图4，根据本实施例的发光二极管封装件与参照图2说明的发光二极管封装件大致类似，区别就在于封装件主体33的开口部形状上。
即，图2的开口部内壁23a的倾斜面下部端部示出为位于荧光体层26的下侧，然而在本实施例中，开口部内壁33a的倾斜面的下部端部位于荧光体层26的上面。当发光二极管芯片25上没有镀覆荧光体层26时，开口部内壁33a的倾斜面的下部端部将位于发光二极管芯片25的上面。据此，开口部入口具有相比发光二极管芯片25的上表面更宽的面积，开口部底部的宽度与发光二极管芯片25的上表面相同或比上表面更小。
根据本实施例，可以防止经由发光二极管芯片25的侧面的水分的渗透，且可以通过封装件主体33稳定地固定发光二极管芯片25。
根据本实施例的发光二极管封装件在形成封装件主体33时，使开口部内壁33a的下部端部位于发光二极管芯片25或荧光体层26之上，除此之外，可采用参照图3说明的制造方式制造。
图5为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
参照图5，根据本实施例的发光二极管封装件与参照图2说明的发光二极管封装件大致上类似，但在第一引线框架41a和第二引线框架41b的形状方面存在差异。
即，在图2的实施例中，第一引线框架21a和第二引线框架21b具有平板形状，但是在本实施例中，第一引线框架21a和第二引线框架21b具有向封装件主体43内部突出而被埋设的弯曲部41c。第一引线框架21a和第二引线框架21b可以通过所述弯曲部41c稳定地被固定到封装件主体43上。而且，通过弯曲部41c还可以防止来自外部的水分的渗透，因此可提高发光二极管封装件的可靠性。
根据本实施例的发光二极管封装件在形成封装件主体43之前准备具有弯曲部43c的第一引线框架41a和第二引线框架41b，然后形成封装件主体43，以埋设所述第一引线框架41a和第二引线框架41b的弯曲部41c，除此之外，可采用参照图3说明的制造方式制造。
图6为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
参照图6，根据本实施例的发光二极管封装件与参照图2说明的发光二极管封装件大致类似，但在进一步包括平板透镜59方面存在差异。
平板透镜59覆盖封装件主体23的开口部24。平板透镜59可具有上表面和下表面均平坦的结构。而且，平板透镜59可在内部包括扩散材料，以改善光的色均匀率和外观。
另外，所述封装件主体23的开口部24可保持为腾出的空间或填充而成为包封部29。
在本实施例中，虽然图示和说明了发光二极管封装件进一步包括平板透镜59的情形，但可采用其他透镜来替代平板透镜59。例如，可通过上表面平坦而下表面能利用内部全反射来调整光的指向角的全内反射（TIR）透镜覆盖开口部24。
所述平板透镜59或TIR透镜具有平坦的上表面，因此适合于制造照相机模块用封装件。
根据本实施例的发光二极管封装件在形成封装件主体33之后，粘贴用于覆盖开口部的透镜59，除此之外，可采用参照图3说明的制造方式制造。此时，包封部29可以被省略，还可以填充开口部，以使上表面成为平坦的面。
图7为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
参照图7，根据本实施例的发光二极管封装件与参照图2说明的发光二极管封装件大致类似，但在采用荧光体片66替代了荧光体层26的方面存在差异。
封装件主体63内壁63a的倾斜面的下部端部位于发光二极管芯片25的上表面。据此，从发光二极管芯片25的侧面发出的光可被封装件主体63阻断并反射到发光二极管芯片25之内。
另外，荧光体片66覆盖封装件主体63的开口部。荧光体片66可以是在玻璃上分散布置荧光体的玻璃片，但并不局限于此。例如，还可以是在其他透明树脂上分散布置荧光体的树脂片或者将荧光体粉末烧结而得的荧光体片。
所述封装件主体23的开口部24可以为空间，或者可以由包封部29所填充。
在本实施例中，虽然说明了荧光体片66覆盖封装件主体63的开口部的情形，但可以将厚度均匀的荧光体层形成于包封部39之上，以替代荧光体片66。
所述荧光体片66或荧光体层在空间上布置在远离发光二极管芯片25的位置。据此，可以缓和从发光二极管芯片25产生的热量或发出的光导致的荧光体被劣化的现象。
根据本实施例的发光二极管封装件中，荧光体片66或荧光体层是在形成封装件主体63之后形成，除此之外，可根据参照图3说明的制造方法制造。
图8为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的立体图，是用于说明侧面发光型(Side-View Type)封装件的一个示例的立体图。图8的（a）示出形成封装件主体73之前发光二极管芯片25被倒装接合的状态，图8的（b）示出形成有封装件主体73和包封部79的发光二极管封装件。
参照图8的（a）和图8的（b），根据本实施例的发光二极管封装件包括第一引线框架71a和第二引线框架71b、发光二极管芯片25、多个凸块27a、27b、封装件主体73、包封部79。
第一引线框架71a和第二引线框架71b与参照图2说明的第一引线框架21a和第二引线框架21b大致类似，区别在于包括分别沿垂直方向弯曲的第一连接部72a和第二连接部72b。如同参照图2进行的说明，发光二极管芯片25通过多个凸块27a、27b倒装接合到第一引线框架71a和第二引线框架71b上。
厚度均匀的荧光体层（未图示）可布置在发光二极管芯片25之上。荧光体层可以在倒装接合发光二极管芯片25之前或之后被镀覆。
封装件主体73是在倒装接合发光二极管芯片25之后形成。封装件主体73中埋设第一引线框架71a和第二引线框架71b，并使第一连接部72a和第二连接部72b露出。另外，封装件主体73具有使发光二极管芯片25露出的长形状的开口部。封装件主体73在所述开口部的短轴方向上紧贴于发光二极管芯片25的两侧面，而在所述开口部的长轴方向上则位于从发光二极管芯片25的两侧面分离的位置。据此，发光二极管芯片25的各侧面中的两个侧面被封装件主体73覆盖，其余的两个侧面则通过封装件主体73的开口部露出。
另外，可使所述开口部的长轴方向的内壁具有平缓的倾斜角，短轴方向的内壁具有急剧的倾斜角。据此，可以提供发光为在长轴方向具有较大指向角而短轴方向具有较小指向角的侧面发光型封装件。
另外，包封部79形成为覆盖所述封装件主体73内的发光二极管芯片25。包封部79可以填充封装件主体73的开口部，且还可以具有透镜形状。
根据本实施例，可以提供短轴方向上非常薄的侧面发光型封装件。
图9为用于说明根据本发明另一实施例的发光二极管封装件的概略的剖视图。
参照图9，根据本实施例的发光二极管封装件与参照图2说明的发光二极管封装件大致类似，区别在于包括多个发光二极管芯片25。在此，示出两个发光二极管芯片25。
所述发光二极管芯片25可以串联或并联连接。如图9所示，利用多个凸块87a、87b在第一引线框架81a和第二引线框架81b上倒装接合一个发光二极管芯片25，并利用多个凸块87a、87b在第二引线框架81b和第三引线框架81c上倒装接合另一个发光二极管芯片25，从而可以串联连接两个发光二极管芯片25。在本实施例中，虽然图示和说明了两个发光二极管芯片25，但可以倒装接合更多数量的发光二极管芯片25，并可以利用增加的引线框架进行串联连接。
另外，具有均匀的厚度的单个荧光体层86可以覆盖发光二极管芯片25，该荧光体层86可以在引线框架81a、81b、81c上倒装接合发光二极管芯片25之后形成。与此不同，可将预先镀覆荧光体层的发光二极管芯片25倒装接合于引线框架81a、81b、81c之上。
封装件主体83是在倒装接合多个发光二极管芯片25之后形成，该封装件主体83紧贴或粘贴于位于边缘的发光二极管芯片25的侧面。封装件主体83具有使所述发光二极管芯片25的上部区域露出的开口部，该开口部可以被包封部89填充。
根据本实施例，可通过多个发光二极管芯片25提供高电压和高功率的发光二极管封装件。

Claims (21)

1.一种发光二极管封装件，包括：
相互分开的第一引线框架和第二引线框架；
倒装接合于所述第一引线框架和第二引线框架的发光二极管芯片；
粘贴于所述第一引线框架和第二引线框架，以支撑所述第一引线框架和第二引线框架，且具有使所述发光二极管芯片的上部区域露出的开口部的封装件主体，
其中，所述发光二极管芯片的至少一个侧面紧贴于所述封装件主体。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述封装件主体由非透明树脂形成。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括填充所述开口部的透明包封部。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述开口部的内壁具有使所述开口部的宽度变窄的倾斜面，所述倾斜面的下部端部位于相比所述发光二极管芯片的下表面更高的位置。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装件，其中，所述倾斜面的下部端部位于与所述发光二极管芯片的上表面相同高度的位置或者更高的位置。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述开口部的入口相比所述发光二极管芯片的上表面更宽，所述开口部的底面相比所述发光二极管芯片的上表面更窄。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括镀覆于所述发光二极管芯片上的厚度均匀的荧光体层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管封装件，其中，所述开口部露出所述荧光体层，所述发光二极管芯片的侧面被所述封装件主体密封。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述第一引线框架和第二引线框架具有向所述封装件主体内突出而埋设于封装件主体内的弯曲部。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括覆盖所述开口部的透镜，所述透镜为平板透镜或全内反射透镜。
11.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括覆盖所述开口部的荧光体片或荧光体层。
12.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管芯片的相向的两个侧面紧贴于所述封装件主体，其余两个侧面从所述封装件主体分开。
13.根据权利要求12所述的发光二极管封装件，其中，所述发光二极管封装件为侧面发光型封装件。
14.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括另外的发光二极管芯片，所述另外的发光二极管芯片的至少一个侧面紧贴于所述封装件主体。
15.根据权利要求14所述的发光二极管封装件，其中，所述另外的发光二极管芯片串联连接于所述发光二极管芯片。
16.一种发光二极管封装件的制造方法，包括如下步骤：
准备彼此分开的第一引线框架和第二引线框架；
在所述第一引线框架和第二引线框架上倒装接合发光二极管芯片；
形成封装件主体，该封装件主体粘贴于所述第一引线框架和第二引线框架，以支撑所述第一引线框架和第二引线框架，并具有使所述发光二极管芯片的上部区域露出的开口部。
17.根据权利要求16所述的发光二极管封装件的制造方法，其中，所述封装件主体紧贴于所述发光二极管芯片的至少一个侧面。
18.根据权利要求16所述的发光二极管封装件的制造方法，其中，在所述发光二极管芯片上形成厚度均匀的荧光体层。
19.根据权利要求16所述的发光二极管封装件的制造方法，其中，还包括形成用于覆盖所述开口部的荧光体片或荧光体层的步骤。
20.根据权利要求16所述的发光二极管封装件的制造方法，其中，还包括形成用于填充所述开口部的包封部的步骤。
21.根据权利要求16所述的发光二极管封装件的制造方法，其中，所述第一引线框架和第二引线框架分别具有用于贴装所述发光二极管芯片的贴装面和从所述贴装面弯曲的连接部，所述封装件主体埋设所述贴装面的同时使所述连接部露出。
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