KR20070025899A - 발광 다이오드 램프 - Google Patents

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KR20070025899A
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토미오 이노우에
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로무 가부시키가이샤
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Abstract

본원 발명은 한 쌍의 리드 단자(2, 3), 한쪽 리드 단자의 선단에 내주면을 원추형의 광반사면(9)이 되도록 오목하게 형성된 컵부(8), 발광 다이오드 칩(4), 상기 양 리드 단자(2, 3)에 있어서의 선단 부분을 패키징하는 투명 합성 수지체(6)로 이루어지는 발광 다이오드 램프에 관한 것이다. 발광 다이오드 칩(4)은 그 상면에 n전극(4d) 또는 p전극(4e)을 하면에 p전극(4e) 또는 n전극(4d)을 구비한다. n전극(4d)과 p전극(4e) 사이에는 n반도체층(4a) 및 p반도체층(4b)을 그 사이에 발광층(4c)을 끼워서 적층상으로 형성한다. 발광 다이오드 칩(4) 중 n전극(4d) 및 p전극(4e)를 제외하는 측면은 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지(10)로 피복한다. 이러한 구조의 발광 다이오드 칩(4)은 n전극(4d) 또는 p전극(4e)이 하향이며, p전극(4e) 또는 n전극(4d)이 상향이 되도록 하여, 컵부(8)의 내저면에 다이 본딩된다.
발광 다이오드 램프, 발광 다이오드 칩, 컵부

Description

발광 다이오드 램프{LIGHT EMITTING DIODE LAMP}
본 발명은 금속제 리드 단자의 선단에 오목하게 형성된 컵부의 내저면에 발광 다이오드 칩을 다이 본딩하고, 상기 리드 단자에 있어서의 선단 부분을 투명 합성 수지로 패키징하고, 상기 컵부내에 투명 합성 수지를 충전하여 이루어지는 발광 다이오드 램프나, 절연체에 오목하게 형성된 컵부의 내면에 광반사성을 갖는 전극막을 형성하고, 상기 컵부의 내저면에 발광 다이오드 칩을 다이 본딩하고, 상기 컵부내에 투명 합성 수지를 충전하여 이루어지는 발광 다이오드 램프에 관한 것이다.
최근에, 예컨대, GaN계에서 청색을 발광하는 발광 다이오드 칩이 개발되어, 이 청색 발광의 발광 다이오드 칩은 고휘도를 나타내는 것이 잘 알려져 있다.
또한, 최근에 있어서는, 상기 청색 발광의 발광 다이오드 칩이 고휘도를 갖는 것을 이용하여, 이 발광 다이오드 칩의 표면을 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 피복하고, 상기 청색 발광의 파장을 상기 피막중의 형광 물질에서 일부 황색으로 변환하고, 이들의 혼색에 의해 고휘도의 백색 발광에 색조 변환하는 것이 행해져 있다.
거기서, 선행 기술로서의 특허문헌 1에 있어서의 도 5에는 2개의 금속제 리드 단자 중 한쪽 리드 단자의 선단에 내주면을 광의 반사면으로 한 컵부를 오목하 게 형성하고, 이 컵부의 내저면에 청색 발광의 발광 다이오드 칩을 다이 본딩하고, 이 발광 다이오드 칩과 다른 쪽 리드 단자 사이를 가느다란 금속선으로 접속하는 한편, 양 리드 단자의 선단 부분을 투명 합성 수지체로 패키징하여 이루어지는 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 컵부내에 미리 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지를 상기 발광 다이오드 칩의 전체를 매몰하도록 충전함으로써 백색 발광으로 색조 변환하는 것이 제안되어 있다.
또한, 종래에 있어서의 다른 발광 다이오드 램프에 있어서는, 절연체의 선단면에 내주면을 외향으로 넓히는 형상으로 오목하게 형성된 컵부를 형성하고, 이 컵부의 내면에 광반사성을 갖는 전극막을 형성하고, 상기 컵부의 내저면에 청색 발광의 발광 다이오드 램프를 다이 본딩한 후, 상기 컵부의 내부에 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지를 상기 발광 다이오드 칩의 전체를 매몰하도록 충전함으로써 백색 발광으로 색조 변환하도록 구성되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개평 11-40848호 공보
그러나, 상기한 종래의 것은 컵부의 내부에 발광 다이오드 칩을 다이 본딩한 후, 상기 컵부의 내부의 전체에 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지를 액체 상태에서 상기 발광 다이오드 칩을 매몰하도록 충전한다고 하는 구성으로서, 상기 발광 다이오드 칩으로부터 출사된 광은 상기 컵부내에 충전된 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지의 내부를 투과하는 과정에서 파장의 변환과, 상기 컵부의 내면에 있어서의 광반사면에 의해 컵부로부터 나가는 방향으로의 방향 변환을 행하는 것이며, 환언하면, 형광 물질이 분산된 광투과성 합성 수지의 내부를 광반사면의 전후에 있어서의 긴 경로에 걸쳐서 투과함으로써, 이 광투과성 합성 수지를 투과할 때에 있어서의 광의 감쇠율이 상당히 커지기 때문에, 광의 휘도가 그만큼 낮아진다고 하는 문제가 있다.
게다가, 상기 컵부내로의 광투과성 합성 수지의 충전에 즈음해서는, 충전량이 많고 적은 편차가 존재하고, 이 편차가 그대로 형광 물질의 양(量)의 편차가 되고, 나아가서는, 색조의 편차가 되어 나타난다고 하는 문제도 있었다.
본 발명은 발광 다이오드 칩으로부터 출사되는 광의 색조를 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 바꾸도록 한 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기와 같은 문제를 초래하는 것이 없도록 하는 것을 기술적 과제로 하는 것이다.
이 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명의 청구항 1은 2개 이상의 한 쌍의 리드 단자, 한쪽 리드 단자의 선단에 내주면을 외향으로 넓히는 형상의 광반사면이 되도록 오목하게 형성된 컵부, 발광 다이오드 칩, 및 상기 양 리드 단자에 있어서의 선단 부분을 패키징하는 투명 합성 수지체, 또는, 상기 컵부내에 상기 발광 다이오드 칩을 패키징하도록 충전된 투명 합성 수지체로 이루어지는 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩을 그 상면에 n전극 또는 p전극을 하면에 p전극 또는 n전극을 구비하고, 이 n전극과 p전극 사이에 n반도체층과 p반도체층을 그 사이에 발광층을 끼워서 적층상으로 형성하고, 더욱이, 상기 n전극 및 p전극을 제외하는 측면을 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 피복한 구조로 하고, 이 발광 다이오드 칩을 그 n전극 또는 p전극을 하향으로 p전극 또는 n전극을 상향으로 해서 상기 컵부의 내부에 설치하여 그 하향의 n전극 또는 p전극을 상기 컵부의 내저면에 전기적으로 접속하도록 다이 본딩하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 청구항 2는 적어도 절연체, 이 절연체에 내주면을 외향으로 넓히는 형상으로 하여 오목하게 형성된 컵부, 상기 컵부의 내면에 광반사성을 가지도록 형성된 전극막, 발광 다이오드 칩, 및 상기 컵부내에 상기 발광 다이오드 칩을 패키징하도록 충전된 투명 합성 수지체로 이루어지는 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩을 그 상면에 n전극 또는 p전극을 하면에 p전극 또는 n전극을 구비하고, 이 n전극과 p전극 사이에 n반도체층과 p반도체층을 그 사이에 발광층을 끼워서 적층상으로 형성하고, 더욱이, 상기 n전극 및 p전극을 제외하는 측면을 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 피복한 구조로 하고, 이 발광 다이오드 칩을 그 n전극 또는 p전극을 하향으로 p전극 또는 n전극을 상향으로 해서 상기 컵부의 내부에 설치하여, 그 하향의 n전극 또는 p전극을 상기 컵부의 내저면에 있어서의 전극막에 접속하도록 다이 본딩하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 청구항 3은, 청구항 1에 기재된 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 컵부를 평면으로 보아 횡으로 긴 장방 형상으로 형성하는 한편, 상기 양 리드 단자의 전체를 판상으로 한 투명 합성 수지체로 상기 양 리드 단자에 있어서의 일부가 해당 투명 합성 수지체에 있어서의 하나의 표면에 접속용 단자로서 노출되도록 패키징한 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 청구항 4는, 청구항 2에 기재된 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 절연체를 판상으로 형성하고, 상기 컵부를 평면으로 보아 횡으로 긴 장방 형상으로 한 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 청구항 5는, 청구항 1∼4 중 어느 하나에 기재된 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩에 있어서의 상향의 p전극 또는 n전극에 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지를 도포하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 발광 다이오드 칩을 그 상면에 상기 n전극 또는 p전극을 하면에 p전극 또는 n전극을 구비하고, 이 n전극과 p전극 사이에 n반도체층과 p반도체층을 그 사이에 발광층을 끼워서 적층상으로 형성하고, 더욱이, 상기 n전극 및 p전극을 제외하는 측면을 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 피복한 구조로 함으로써, 상기 발광 다이오드 칩에 있어서의 발광층에서 발광하는 광은 주로 상기 n전극 및 p전극간에 있어서의 측면에서 해당 측면을 피복하는 광투과성 합성 수지를 투과하여 횡향으로 출사된다.
거기서, 상기 구조의 발광 다이오드 칩을 그 n전극 또는 p전극을 하향으로 p전극 또는 n전극을 상향으로 하여, 리드 단자 또는 절연체에 오목하게 형성된 컵부의 내부에 설치하여, 그 하향의 n전극 또는 p전극을 상기 컵부의 내저면, 또는 내저면에 있어서의 전극막에 전기적으로 접속하도록 다이 본딩함으로써, 측면의 광투과성 합성 수지를 투과하여 횡향으로 출사되는 광은 상기 광투과성 합성 수지를 투과할 때에 있어서 파장이 변환되어, 이 파장이 변환된 후의 광이 상기 컵부의 내주면에 있어서의 광반사면에서 컵부내로부터 나가는 방향으로 반사되게 된다.
결국, 상기 선행 기술과 같이, 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지의 내부를 투과하는 도중에, 파장의 변환과 광의 반사를 행하는 것이 아니고, 최초에 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 파장을 변환하고, 이 파장을 변환한 후에 있어서, 광의 반사를 행함으로써 광의 감쇠율을 상기 선행 기술의 경우보다도 대폭 저감할 수 있기 때문에, 발광 다이오드 램프로서의 광의 휘도를 현저하게 향상할 수 있는 것이다.
게다가, 상기 컵부의 내부에 있어서의 전체에 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지를 충전한다고 하는 구성이 아님으로써, 상기 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 파장을 변환한 색조의 편차를 상기 선행 기술의 경우에 의해서도 근소하게 억제할 수 있다.
청구항 1에 기재된 발광 다이오드 램프에 있어서는, 청구항 3에 나타낸 바와 같이, 상기 컵부를 평면으로 보아 횡으로 긴 장방 형상으로 형성하는 한편, 상기 양 리드 단자의 전체를 판상으로 한 투명 합성 수지체로 상기 양 리드 단자에 있어서의 일부가 해당 투명 합성 수지체에 있어서의 하나의 표면에 접속용 단자로서 노출되도록 패키징함으로써, 광의 휘도가 높아져 색조의 편차가 적은 발광 다이오드 램프를 면실장형으로 구성할 수 있다. 이러한 면실장형의 발광 다이오드 램프는 액정 표시 장치 등에 있어서의 백라이트 광원으로서 사용하면 대단히 유익하다.
청구항 2에 기재된 발광 다이오드 램프에 있어서는, 청구항 4에 나타낸 바와 같이, 상기 절연체를 판상으로 형성하고, 상기 컵부를 평면에서 보변 횡으로 긴 장방 형상으로 함으로써 상술한 청구항 3의 경우와 마찬가지로 광의 휘도가 높아져 색조의 편차가 적은 발광 다이오드 램프를 면실장형으로 구성할 수 있다. 특히 청구항 4의 경우는 전체가 판상체이고 또한 금속제의 리드 단자를 사용하지 않기 때문에, 경량의 면실장형의 발광 다이오드 램프에 구성할 수 있다.
또한, 청구항 1∼4 중 어느 하나에 기재된 발광 다이오드 램프에 있어서, 청구항 5에 나타낸 구성을 채용하면, 발광 다이오드 칩에 있어서의 상향의 p전극 또는 n전극으로부터 누출되는 광을 해당 상향의 p전극 또는 n전극에 대하여 도포된 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로, 발광 다이오드 칩에 있어서의 측면에 있어서의 광투과성 합성 수지와 같은 색조로 변환할 수 있고, 또한, 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지를 발광 다이오드 칩에 있어서의 측면과 상면에 형성함으로써 색도의 미묘한 조정이 가능해진다.
도 1은 제 1 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프를 나타내는 요부 확대도이다.
도 2는 본 발명에 사용하는 발광 다이오드 칩의 일부 절단 측면도이다.
도 3은 도 2의 평면도이다.
도 4는 제 2 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프를 나타내는 요부 확대도이다.
도 5는 제 3 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프를 나타내는 요부 확대도이다.
도 6은 제 4 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프를 나타내는 요부 확대도이다.
도 7은 제 5 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프를 나타내는 종단 정면도이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ에서 본 단면도이다.
도 9는 제 6 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프를 나타내는 종단 정면도이다.
도 10은 도 9의 X-X에서 본 단면도이다.
부호의 설명
1, 11, 21, 31, 41, 51 발광 다이오드 램프
2, 2' 한쪽 리드 단자
3, 3' 다른 쪽 리드 단자
2" 한쪽의 전극막
3" 다른 쪽의 전극막
4 발광 다이오드 칩
4a n형 반도체층
4b p형 반도체층
4c 발광층
4d n전극
4e p전극
5, 5', 5" 금속선
6, 6', 6" 투명 합성 수지체
8, 8', 8" 컵부
9 광반사면
10 광투과성 합성 수지
12, 32 광투과성 합성 수지
52 절연체
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 대해서 설명한다.
도 1은 제 1 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프(1)를 나타낸다.
이 발광 다이오드 램프(1)는 금속판제의 2개의 한 쌍의 리드 단자(2, 3), 이 양 리드 단자(2, 3) 중 한쪽 리드 단자(2)의 선단면에 다이 본딩된 후술되는 구조의 발광 다이오드 칩(4), 이 발광 다이오드 칩(4)과 상기 다른 쪽 리드 단자(3) 사이를 와이어 본딩한 금속선(5), 및 상기 양 리드 단자(2, 3)에 있어서의 선단 부분을 패키징하는 투명 합성 수지제의 몰드부(6)로 이루어져 있다.
또한, 상기 몰드부(6)의 선단은 상기 발광 다이오드 칩(4)의 개소 또는 그 근방에 초점을 갖는 렌즈부(7)로 형성되어 있다.
또한, 상기 한쪽의 선단 중 상기 발광 다이오드 칩(4)이 다이 본딩되는 부분에는 컵부(8)가 오목하게 형성되며, 이 컵부(8)에 있어서의 내주면은 원추형의 광반사면(9)으로 형성되어 있다.
이 경우에 있어서, 상기 양 리드 단자(2, 3)가 광의 반사성을 갖지 않는 금속제인 때에는 상기 양 리드 단자(2, 3)에 있어서의 표면 중 적어도 상기 컵부(8)의 내면에는 광을 반사하는 금속에 의한 도금, 예컨대, 은 도금이 시행되어 있다.
그 다음, 도 2 및 도 3은 상기 발광 다이오드 칩(4)을 상세하게 나타낸다.
이 발광 다이오드 칩(4)은 n형 SiC 결정 기판 등의 투명한 두께가 두꺼운 n형 반도체층(4a)의 하면에 청색 발광의 발광층(4c)을 끼워서 p형 반도체층(4b)을 적층 형성하고, 상기 n형 반도체층(4a)의 상면에 n전극(4d)을 상기 p형 반도체층(4b)의 하면에 p전극(4e)을 각각 형성하여 이루어지는 구조, 즉, n형 반도체층(4a)과 p형 반도체층(4b)을 그 사이에 청색 발광의 발광층(4c)을 끼워서 적층하고, 이 적층 방향의 상면에 상기 n형 반도체층(4a)에 연결되는 n전극(4d)을 상기 적층 방향의 하면에 상기 p형 반도체층(4b)에 연결되는 p전극(4e)을 각각 형성한 구조이다.
또한, 이 발광 다이오드 칩(4)의 주위에 있어서의 측면의 일부에는 그 상부에 있어서의 횡폭 치수(W1)를 하부에 있어서의 횡폭 치수(W2)보다도 작도록 한 경사면(4')이 형성되어 있다.
더욱이, 상기 발광 다이오드 칩(4) 중 그 상면에 있어서의 n전극(4d) 및 하면에 있어서의 p전극(4e)을 제외한 측면은 청색 발광을 백색 발광으로 색조 변환하도록 한 형광 물질을 분말 상태로 포함하는 광투과성 합성 수지(10)로 피복되어 있다.
그리고, 상기 구조의 발광 다이오드 칩(4)을 상기 한쪽 리드 단자(2)에 있어 서의 컵부(8)내에 그 p전극(4e)을 하향으로 n전극(4d)을 상향상으로 해서 공급하여, 상기 p전극(4e)이 컵부(8)의 내저면에 대하여 전기적으로 도통하도록 도전성 페이스트 또는 땜납으로 다이 본딩하고, 이어서, 상기 발광 다이오드 칩(4)에 있어서의 상향의 n전극(4d)에 대하여 다른 쪽 리드 단자(3)로부터의 금속선(5)을 접속한다.
그리고, 최후에, 상기 양 리드 단자(2, 3)의 선단 부분을 선단에 렌즈부를 갖는 투명 합성 수지체(6)로 양 리드 단자(2, 3)의 일부가 해당 투명 합성 수지체(6)로부터 하향으로 돌출되도록 패키징한다.
이 구성에 있어서, 양 리드 단자(2, 3)의 사이에 통전함에 의한 상기 발광 다이오드 칩(4)의 발광층(4c)에서의 청색 발광은 주로 상기 발광 다이오드 칩(4)의 측면으로부터 컵부(8)의 내주면에 있어서의 광반사면(9)을 향하여 횡향으로 출사될 때에 있어서, 상기 측면을 피복하는 광투과성 합성 수지(10)를 투과함으로써 이 광투과성 합성 수지(10)에 포함되어 있는 형광 물질로 백색 발광으로 색조 변환되며, 이어서, 상기 광반사면(9)에서 상기 컵부(8)내로부터 나가는 방향으로 반사된다.
이 경우에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩(4)의 발광층(4c)에서의 청색 발광 중 일부는 상면에 있어서의 n전극(4d)으로부터 상향으로 출사되게 되지만, 이 경우에는 이 상면에 있어서의 n전극(4d)을 도 4에 나타내는 제 2 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프(11)와 같이, 상기 와이어 본딩에 의한 금속선(5)을 접속한 후에 있어서, 마찬가지로 형광 물질을 분말 상태로 포함하는 광투과성 합성 수지(12)로 피복함으로써 상기 발광 다이오드 칩(4)의 발광층(4c)에서의 청색 발광의 전체를 백 색 발광으로 색조 변환할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제 1 및 제 2 실시형태와 같이, 상기 한쪽 리드 단자(2)에 있어서의 컵부(8)내에 상기 발광 다이오드 칩(4)을 그 n전극(4d)을 상향으로 p전극(4e)을 하향으로 해서 다이 본딩하여, 상향의 n전극(4d)에 다른 쪽 리드 단자(3)로부터의 금속선(5)을 접속하는 경우로 제한되지 않고, 도 5에 나타내는 제 3 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프(21)와 같이, 상기 한쪽 리드 단자(2)에 있어서의 컵부(8)내에 상기 발광 다이오드 칩(4)을 그 p전극(4e)을 상향으로 n전극(4d)을 하향으로 해서 다이 본딩하여, 상향으로 p전극(4e)에 다른 쪽 리드 단자(3)로부터의 금속선(5)을 접속한다고 하는 구성으로 해도 좋고, 이것에 의해, 상기 제 1 실시형태의 경우와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 상기 도 5에 나타내는 구성으로 한 경우에 있어서, 청색 발광 중 일부가 상면에 있어서의 p전극(4e)으로부터 상향으로 출사될 때에는, 상기 p전극(4e)을 도 6에 나타내는 제 4 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프(31)와 같이, 상기 와이어 본딩에 의한 금속선(5)을 접속한 후에 있어서, 마찬가지로, 형광 물질을 분말의 상태로 포함하는 광투과성 합성 수지(32)로 피복함으로써 상기 발광 다이오드 칩(4)의 발광층(4c)에서의 청색 발생의 전체를 백색 발광으로 색조 변환할 수 있다.
그 다음, 도 7 및 도 8은 제 5 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프(41)를 나타낸다.
이 발광 다이오드 램프(41)는 금속판제의 2개의 한 쌍의 리드 단자(2', 3') 중 한쪽 리드 단자(2')의 선단면에 컵부(8')를 그 내주면이 외향으로 넓어지는 광반사면(9)이 되도록 오목하게 형성하고, 이 컵부(8')의 내부에 상기 도 2 및 도 3에 나타내는 구조로 된 발광 다이오드 칩(4)을 그 p전극(4e)을 하향으로 n전극(4d)을 상향으로 해서 공급하여, 상기 p전극(4e)이 컵부(8)'의 내저면에 대하여 전기적으로 도통하도록 도전성 페이스트 또는 땜납으로 다이 본딩하고, 이어서, 상기 발광 다이오드 칩(4)에 있어서의 상향의 n전극(4d)에 대하여 다른 쪽 리드 단자(3')로부터의 금속선(5')을 접속한다.
그리고, 최후에, 상기 양 리드 단자(2', 3')의 전체를 판상으로 한 투명 합성 수지체(6')로 양 리드 단자(2', 3')에 있어서의 일부가 해당 투명 합성 수지체(6')에 있어서의 하나의 표면(6a')에 접속용 단자(2a', 3a')로서 노출되도록 패키징한다고 하는 구성으로 한 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 상기한 각 실시형태와 마찬가지의 효과를 얻는 것에 더하여, 판상체이며, 이 판상체에 있어서의 하나의 표면에 납땜하기 위한 접속용 단자(2a', 3a')를 구비한 형태로 함으로써, 면실장형의 발광 다이오드 램프(41)로 구성할 수 있다.
그 다음, 도 9 및 도 10은 제 6 실시형태에 의한 발광 다이오드 램프(51)를 나타낸다.
이 발광 다이오드 램프(51)는 판상으로 된 절연체(52)의 선단면에 내주면을 외향으로 넓히는 형상으로 된 컵부(8")를 오목하게 형성하여, 이 컵부(8")의 내면에 은 등의 금속으로 광반사성을 갖는 전극막(2")을 형성하고, 상기 컵부(8")의 내 부에 상기 도 2 및 도 3에 나타내는 구조로 된 발광 다이오드 칩(4)을 그 p전극(4e)을 하향으로 n전극(4d)을 상향으로 해서 공급하여, 상기 p전극(4e)이 컵부(8")내의 전극막(2")에 대하여 전기적으로 도통되도록 도전성 페이스트 또는 땜납으로 다이 본딩하고, 이어서, 상기 발광 다이오드 칩(4)에 있어서의 상향의 n전극(4d)에 대하여 상기 절연체(52)의 표면에 형성된 다른 쪽의 전극막(3")으로부터의 금속선(5")을 접속한다.
그리고, 최후에, 상기 컵부(8")의 내부에 투명 합성 수지체(6")를, 해당 투명 합성 수지체(6")로 상기 발광 다이오드 칩(4) 및 상기 금속선(5")을 패키징하도록 충전한다고 하는 구성으로 한 것이다.
이와 같이 구성함으로써, 상기한 각 실시형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있는 것에 더하여, 전체가 박형의 판상체이며, 또한, 금속제의 리드 단자를 사용하지 않음으로써, 경량의 면실장형의 발광 다이오드 램프(51)로 구성할 수 있다.
또한, 이들 제 5 및 제 6 실시형태 중 어느 것도, 상기 컵부(8', 8")를 횡으로 긴 장방형으로 함으로써, 액정 표시 장치 등에 있어서의 백라이트 광원으로서 사용할 수 있도록 구성하고 있지만, 이들 제 5 및 제 6 실시형태 중 어느 것도, 상기 도 4에 나타내는 제 2 실시형태, 도 5에 나타내는 제 3 실시형태, 및 도 6에 나타내는 제 4 실시형태를 적용할 수 있는 것은 말할 필요도 없다.

Claims (5)

  1. 2개 이상의 한 쌍의 리드 단자, 한쪽 리드 단자의 선단에 내주면을 외향으로 넓히는 형상의 광반사면이 되도록 오목하게 형성된 컵부, 발광 다이오드 칩, 및 상기 양 리드 단자에 있어서의 선단 부분을 패키징하는 투명 합성 수지체, 또는, 상기 컵부내에 상기 발광 다이오드 칩을 패키징하도록 충전된 투명 합성 수지체로 이루어지는 발광 다이오드 램프에 있어서:
    상기 발광 다이오드 칩을 그 상면에 n전극 또는 p전극을 하면에 p전극 또는 n전극을 구비하고, 이 n전극과 p전극 사이에 n반도체층과 p반도체층을 그 사이에 발광층을 끼워서 적층상으로 형성하고, 더욱이, 상기 n전극 및 p전극을 제외하는 측면을 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 피복한 구조로 하고, 이 발광 다이오드 칩을 그 n전극 또는 p전극을 하향으로 p전극 또는 n전극을 상향으로 해서 상기 컵부의 내부에 설치하여 그 하향의 n전극 또는 p전극을 상기 컵부의 내저면에 전기적으로 접속하도록 다이 본딩하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 램프.
  2. 적어도 절연체, 이 절연체에 내주면을 외향으로 넓히는 형상으로 하여 오목하게 형성된 컵부, 상기 컵부의 내면에 광반사성을 가지도록 형성된 전극막, 발광 다이오드 칩, 및 상기 컵부내에 상기 발광 다이오드 칩을 패키징하도록 충전된 투명 합성 수지체로 이루어지는 발광 다이오드 램프에 있어서:
    상기 발광 다이오드 칩을 그 상면에 n전극 또는 p전극을 하면에 p전극 또는 n전극을 구비하고, 이 n전극과 p전극 사이에 n반도체층과 p반도체층을 그 사이에 발광층을 끼워서 적층상으로 형성하고, 더욱이, 상기 n전극 및 p전극을 제외하는 측면을 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지로 피복한 구조로 하고, 이 발광 다이오드 칩을 그 n전극 또는 p전극을 하향으로 p전극 또는 n전극을 상향으로 해서 상기 컵부의 내부에 설치하여, 그 하향의 n전극 또는 p전극을 상기 컵부의 내저면에 있어서의 전극막에 접속하도록 다이 본딩하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 램프.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 컵부를 평면으로 보아 횡으로 긴 장방 형상으로 형성하는 한편, 상기 양 리드 단자의 전체를 판상으로 한 투명 합성 수지체로 상기 양 리드 단자에 있어서의 일부가 해당 투명 합성 수지체에 있어서의 하나의 표면에 접속용 단자로서 노출되도록 패키징한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 램프.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 절연체를 판상으로 형성하고, 상기 컵부를 평면으로 보아 횡으로 긴 장방 형상으로 한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 램프.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩에 있어서의 상향의 p전극 또는 n전극에 형광 물질의 분말을 포함하는 광투과성 합성 수지를 도포하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 램프.
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