JP2003258320A - 発光ダイオードランプ - Google Patents

発光ダイオードランプ

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JP2003258320A JP2002054625A JP2002054625A JP2003258320A JP 2003258320 A JP2003258320 A JP 2003258320A JP 2002054625 A JP2002054625 A JP 2002054625A JP 2002054625 A JP2002054625 A JP 2002054625A JP 2003258320 A JP2003258320 A JP 2003258320A
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慎二 磯川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 内周面８ａを円錐状の光反射面にしたカップ
部８を設けて成る少なくとも一本のリード端子２と、前
記カップ部内の底面８ｂにダイボンディングしたＬＥＤ
チップ４と、前記リード端子の前記カップ部の部分をパ
ッケージする透明合成樹脂製のモールド部６とを備えた
発光ダイオードランプにおいて、前記ＬＥＤチップのダ
イボンディングに際して、このＬＥＤチップが前記カッ
プ部の軸線方向にずれて光の反射性が低下すること、前
記ＬＥＤチップにショート又は発光低下が発生すること
を防止する。 【解決手段】 前記リート端子におけるカップ部内の底
面８ｂに、凹み部９を、当該凹み部内に前記ＬＥＤチッ
プが嵌まらない大きさにして設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子の部分
を、透明の合成樹脂によるモールド部にてパッケージし
て成る発光ダイオードランプに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の発光ダイオードランプ
は、例えば、特開平１−１５２６７６号公報及び実公昭
６２−４４５３０号公報等に記載されているように、一
対のリード端子のうち一方のリード端子の先端に、逆向
き裁頭円錐形のカップ部を凹み形成して、このカップ部
における円錐状の内周面を光反射面にする一方、このカ
ップ部内の底面に、ＬＥＤチップをダイボンディング
し、このＬＥＤチップと他方のリード端子との間を、細
い金属線にてワイヤボンディングしたのち、これらの全
体を、レンズ部を有する透明合成樹脂製のモールド部に
てパッケージするという構成にしている。
【０００３】この発光ダイオードランプにおいては、前
記ＬＥＤチップにおいて発生した光を、カップ部におけ
る円錐状内周面の光反射面にて所定の方向に反射集光す
るものであることにより、前記ＬＥＤチップは、前記カ
ップ部における円錐状内周面の中心に位置するか、この
中心に出来るだけ近づけて位置することが極めて重要で
ある。
【０００４】この場合、従来は、前記ＬＥＤチップのダ
イボンディングに際しては、前記カップ部内の底面に、
半田ペースト等のようなダイボンディング剤を塗着し、
このダイボンディング剤の上に前記ＬＥＤチップを載せ
たのち、前記ダイボンディング剤が半田ペースト等の加
熱溶融性のときには、加熱にて一旦溶融したのち凝固す
るか、前記ダイボンディング剤が銀ペースト等の導電性
ペースト又は非導電性ペーストのような加熱硬化性のと
きには、加熱にて硬化するという方法を採用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この場合において、従
来の構造では、前記カップ部内の底面が、カップ部にお
ける軸線と直角な同一平面であることにより、この底面
に塗着したダイボンディング剤の上に載せたＬＥＤチッ
プは、カップ部内の底面に対するダイボンディング剤の
塗着量の多い少ないによって、前記底面からの浮き上が
り高さが変化し、換言すると、前記ＬＥＤチップの高さ
位置が、ダイボンディング剤の塗着量によって、前記カ
ップ部における円錐状反射面の軸線に沿って変位するか
ら、前記ＬＥＤチップを、カップ部における円錐状反射
面の軸線方向に沿った所定位置に固定して設けることの
精度が低く、ひいては、カップ部における光の集光性が
低下するのであり、しかも、余分のダイボンディング剤
が、前記ＬＥＤチップの側面に沿って伝い上がって、Ｌ
ＥＤチップに電気的ショートが発生したり、ＬＥＤチッ
プからの発光量が減少したりするという問題があった。
【０００６】本発明は、これらの問題を解消することを
技術的課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明の請求項１は、「内周面を円錐状の光反射
面にしたカップ部を設けて成る少なくとも一本のリード
端子と、前記カップ部内の底面にダイボンディング剤に
てダイボンディングしたＬＥＤチップと、前記リード端
子のうち少なくとも前記カップ部の部分をパッケージす
る透明合成樹脂製のモールド部とを備えた発光ダイオー
ドランプにおいて、前記リート端子におけるカップ部内
の底面に、凹み部を、当該凹み部内に前記ＬＥＤチップ
が嵌まることがない大きさにして設ける。」ことを特徴
としいてる。
【０００８】また、本発明の請求項２は、「前記請求項
１の記載において、ダイボンディング剤を加熱硬化性に
する一方、前記凹み部を、前記ＬＥＤチップの矩形と相
似の矩形にする。」ことを特徴としている。
【０００９】更にまた、本発明の請求項３は、「前記請
求項２の記載において、凹み部における矩形の長さ寸法
及び幅寸法を、前記ＬＥＤチップにおける矩形の長さ寸
法及び幅寸法の０．５倍以上にする。」ことを特徴とし
ている。
【００１０】
【発明の作用・効果】このように、カップ部内の底面
に、凹み部を、前記底面にダイボンディングされるＬＥ
Ｄチップが嵌まることがない大きさにして設けると、前
記カップ部内の底面に、従来の同じ量のダイボンディン
グ剤を塗着した場合に、この塗着したダイボンディング
剤のうち盛り上がり厚さの厚い部分における一部が前記
凹み部内に入りることにより、前記隆起部における頂面
のうち前記凹み部を除く部分におけるダイボンディング
剤の厚さを薄くできるとともに、この部分におけるダイ
ボンディング剤の厚さが塗着量によって変化する割合を
小さくできるから、このダイボンディング剤に載せられ
たＬＥＤチップの高さ位置が、前記ダイボンディング剤
の塗着量によって、前記カップ部における軸線方向に変
位することを、前記凹み部を設けていない場合よりも確
実に低減でき、ＬＥＤチップを、カップ部における円錐
状反射面の軸線方向に沿った所定位置に固定して設ける
ことの精度が高く、ひいては、カップ部における光の集
光性をより向上できるのであり、しかも、ダイボンディ
ング剤がＬＥＤチップの側面に沿って伝い上がることが
少なくなり、ダイボンディング剤の伝い上がりに起因し
て、ＬＥＤチップに電気的ショートが発生したり、ＬＥ
Ｄチップからの発光量が減少したりすることを、確実に
低減できるのである。
【００１１】また、請求項２に記載した構成にすること
により、後述するように、矩形のＬＥＤチップを、カッ
プ部における軸線方向から見て、その各側面が前記矩形
の凹み部における各内側面と平行又は略平行になる姿勢
に向きを揃えること、及び、このＬＥＤチップにおける
中心を前記凹み部における中心に正確に位置すること
が、加熱溶融性のダイボンディング剤を加熱溶融したと
きにおける表面張力にて自動的にでき、そして、この状
態で、前記ＬＥＤチップを底面に対してダイボンディン
グできるから、前記ＬＥＤチップを、カップ部における
軸線方向から見て、カップ部における中心又はその近傍
の位置に固定して設けることの精度を向上できるととも
に、矩形のＬＥＤチップにおける各側面が前記矩形の凹
み部における各内側面に対して非平行の向き姿勢になる
ことに起因して発生する発光性のバラ付きを確実に小さ
くできるのである。
【００１２】この加熱溶融したダイボンディング剤にお
ける表面張力による前記した自動的な修正は、請求項３
に記載した構成にすることにより、より確実に達成でき
るのである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１〜図５の図面について説明する。
【００１４】この図において、符号１は、発光ダイオー
ドランプを示し、この発光ダイオードランプ１は、一対
のリード端子２，３と、この両リード端子２，３のうち
一方のリード端子２の先端にダイボンディングしたＬＥ
Ｄチップ４と、このＬＥＤチップ４と前記他方のリード
端子３との間をワイヤボンディングした細い金属線５
と、前記両リード端子２，３の先端の部分を、パッケー
ジする透明合成樹脂製のモールド部６とから成り、前記
モールド部６の先端には、前記ＬＥＤチップ４の箇所又
はその近傍に焦点を有するレンズ部７を一体的に備えて
いる。
【００１５】そして、前記一方のリード端子の先端に対
してＬＥＤチップ４をダイボンディングするに際して
は、前記一方のリード端子２の先端に、カップ部８を凹
み形成して、その円錐状の内周面８ａを光反射面にする
一方、前記カップ部８内の底面８ｂに、凹み部９を、当
該凹み部９内に前記ＬＥＤチップ４が嵌まらない大きさ
に設け、この凹み部９内に、半田ペースト１０の適宜量
を塗着し、次いで、この半田ペースト１０の上に、前記
ＬＥＤチップ４を載せ、この状態で、半田の溶融点以上
の温度に加熱したのち冷却して半田を凝固するというよ
うにする。
【００１６】このように構成することにより、前記凹み
部９内に、従来の同じ量の半田ペースト１０を塗着した
場合に、加熱溶融した半田のうち盛り上がり厚さの厚い
部分における一部が前記凹み部９内に入ることにより、
前記底面８ｂのうち前記凹み部９を除く部分における溶
融半田の厚さを薄くできるとともに、この部分における
溶融半田の厚さが塗着量によって変化する割合を小さく
できるから、この溶融半田の上に載せられているＬＥＤ
チップ４の高さ位置が、前記半田ペースト１０の塗着
量、ひいては、溶融半田の量の多い少ないによって、前
記カップ部８における軸線８ｃの方向に変位すること
を、前記凹み部９を設けていない場合よりも確実に低減
できるとともに、溶融半田がＬＥＤチップ４の側面に沿
って伝い上がることを確実に少なくできる。
【００１７】特に、本実施の形態によると、透明合成樹
脂製のモールド部６の先端部にレンズ部７を一体的に備
えている場合に、前記カップ部８内の底面８ｂに凹み部
９を設けたことによって、前記ＬＥＤチップ４を、前記
レンズ部７における焦点、又はその近傍に正確に位置す
ることができる。
【００１８】また、前記したダイボンディングにおい
て、ＬＥＤチップ４が、カップ部８における軸線８ｃの
方向から見た図３に示すように、長さ寸法Ｌ０で幅寸法
Ｗ０の矩形である場合に、このＬＥＤチップ４をダイボ
ンディングする底面８ｂにおける凹み部９を、カップ部
８における軸線８ｃの方向から見て図３に示すように、
同じく長さ寸法Ｌ１で幅寸法Ｗ１にした相似の矩形にす
る。
【００１９】このように構成することにより、前記矩形
のＬＥＤチップ４を、前記矩形の凹み部９に対して、カ
ップ部８における軸線８ｃの方向から見た図５に二点鎖
線で示すように、当該ＬＥＤチップ４における各側面が
凹み部９における各内側面に対して非平行の向き姿勢で
載せられているとか、或いは、ＬＥＤチップ４が前記凹
み部９の中心がずれた位置に載せられている場合に、加
熱溶融した半田における表面張力がＬＥＤチップ４の各
側面と、凹み部９の各内側面との間に同時に作用するこ
とで、前記ＬＥＤチップ４を、図５に実線で示すよう
に、その各側面が凹み部９における各内側面と平行又は
略平行になる姿勢の向きに自動的に修正できるととも
に、当該ＬＥＤチップ４における中心を隆起部９におけ
る中心に正確に位置するように自動的に修正できるので
ある。
【００２０】この場合において、本発明者達の実験によ
ると、加熱溶融した半田における表面張力による前記し
た自動的な修正は、前記ＬＥＤチップ４と相似形の矩形
にした前記凹み部９における矩形の長さ寸法Ｌ１及び幅
寸法Ｗ１を、前記ＬＥＤチップ４における矩形の長さ寸
法Ｌ０及び幅寸法Ｗ０の０．５倍以上にした場合に限り
確実に達成でき、最も好ましく達成できるのは、０．７
５倍以上であった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による発光ダイオードラン
プを示す要部拡大縦断正面図である。
【図２】前記発光ダイオードランプにおいて一方のリー
ド端子の先端部を示す拡大縦断正面図である。
【図３】図２の平面図である。
【図４】前記一方のリード端子の先端におけるカップ部
内にＬＥＤチップをダイボンディングした状態を示す拡
大縦断正面図である。
【図５】図４の平面図である。
【符号の説明】
１ 発光ダイオードランプ ２，３ リード端子 ４ ＬＥＤチップ ５ 金属線 ６ モールド部 ７ レンズ部 ８ カップ部 ８ａ 円錐状の光反射面 ８ｂ 底面 ８ｃ 軸線 ９ 凹み部 １０ 半田ペースト １１ 凹み部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F041 AA10 AA25 AA37 DA03 DA07 DA12 DA18 DA25 DA26 DA43 5F047 AA01 BA21 CA08

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】内周面を円錐状の光反射面にしたカップ部
    を設けて成る少なくとも一本のリード端子と、前記カッ
    プ部内の底面にダイボンディング剤にてダイボンディン
    グしたＬＥＤチップと、前記リード端子のうち少なくと
    も前記カップ部の部分をパッケージする透明合成樹脂製
    のモールド部とを備えた発光ダイオードランプにおい
    て、 前記リート端子におけるカップ部内の底面に、凹み部
    を、当該凹み部内に前記ＬＥＤチップが嵌まることがな
    い大きさにして設けることを特徴とする発光ダイオード
    ランプ。
  2. 【請求項２】前記請求項１の記載において、ダイボンデ
    ィング剤を加熱硬化性にする一方、前記凹み部を、前記
    ＬＥＤチップの矩形と相似の矩形にすることを特徴とす
    る発光ダイオードランプ。
  3. 【請求項３】前記請求項２の記載において、凹み部にお
    ける矩形の長さ寸法及び幅寸法を、前記ＬＥＤチップに
    おける矩形の長さ寸法及び幅寸法の０．５倍以上にする
    ことを特徴とする発光ダイオードランプ。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288067A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP2009105161A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
US7772597B2 (en) * 2004-05-27 2010-08-10 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode lamp
JP2010205788A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Nichia Corp 発光装置
TWI487150B (zh) * 2011-06-30 2015-06-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構及其製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7772597B2 (en) * 2004-05-27 2010-08-10 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode lamp
JP2007288067A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP2009105161A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2010205788A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Nichia Corp 発光装置
TWI487150B (zh) * 2011-06-30 2015-06-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構及其製造方法

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