CN104081878B - 有机电致发光元件、有机el照明和有机el显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供驱动电压低、并且白色发光效率高、再现性也优异的有机电致发光元件。一种有机电致发光元件，其为包含阳极和阴极、以及在该阳极与阴极之间形成的发光层的有机电致发光元件，其中，发光层自阳极侧起依序包含利用湿式成膜法形成的含有为低分子化合物的磷光发光材料与电荷传输材料的层、以及利用真空蒸镀法形成的含有为低分子化合物的荧光发光材料与电荷传输材料的层；发光光谱在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域具有极大发光波长。

Description

有机电致发光元件、有机EL照明和有机EL显示装置
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件、有机EL照明和有机EL显示装置。更详细地说，本发明涉及驱动电压低，并且白色发光效率高、再现性也优异的有机电致发光元件以及使用了该有机电致发光元件的有机EL照明和有机EL显示装置。
背景技术
在柯达社发布了使用蒸镀法的层积型有机电致发光(electroluminescence：下文中有时简称为“EL”。)元件以来，积极进行了有机EL显示器的开发，目前正在进行实用化。
在这样的层积型有机电致发光元件中，在阳极与阴极之间层积设有2个以上的有机层(发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层等)。这样的层积型有机电致发光元件为自发光的，因而可视角宽、可见性高、并且为薄膜型的，因而从节省空间等方面出发也受到了注目。
此外，有机电致发光元件与以往供于实际使用的发光二极管或冷阴管不同，其为面发光的，这也是其一大特征。作为有效利用该特征的用途，有背光源或照明、使用了滤色器的全彩色显示装置等。
为了作为这些用途使用，白色光源为适宜的，因而需要有白色发光的有机电致发光元件。
以往，作为得到该白色发光的有机电致发光元件的方法，例如在专利文献1中公开了在一个层中添加多种红、绿、蓝各发光材料的方法。在这种情况下，为了利用真空蒸镀法形成发光层，至少同时蒸镀红、绿、蓝以及主体材料计4种材料。
在专利文献2～4中公开了将含有单独的发光掺杂剂且发光波长不同的发光层层积多层的方法。
在专利文献5中，作为得到白色发光的方法，公开了将红、绿、蓝任意一色与作为该色互补色的颜色进行组合的方法。
在专利文献6中，作为使用2层以上的发光层来得到白色发光的方法，公开了下述方法，其具有第一发光层与第二发光层，第一发光层是使用高分子材料作为电荷传输材料利用湿式成膜法形成的；第二发光层是使用低分子材料利用干式成膜法形成的。
在专利文献7中公开了在使发光层为2层并使2个以上客体材料同时发光从而能够得到白色发光的有机电致发光元件，以及上述2层发光层之中，一层利用涂布法形成、另一层利用真空蒸镀法得到。此外，在2层发光层的各层中，记载了使用磷光化合物作为客体化合物的内容。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2006-093007号
专利文献2：日本特开2003-187977号公报
专利文献3：日本特开2004-63349号公报
专利文献4：日本特开2006-287154号公报
专利文献5：日本特开2001-52870号公报
专利文献6：日本特开2008-159367号公报
专利文献7：日本特开2010-034484号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在上述现有技术之中，在专利文献1的方法中，如上所述，需要至少同时蒸镀红、绿、蓝与主体材料计4种材料；在真空蒸镀法中，3种材料的同时蒸镀为其限度，非常难以控制4种以上材料的蒸镀，因而具有再现性差的问题。
专利文献2～4所记载的将含有单独的发光掺杂剂且发光波长不同的发光层层积多层的方法对于得到高显色性是有效的，但其容易产生色度变化，并且发光层的膜厚容易变厚，因而具有驱动电压容易变大的问题。
在专利文献5所记载的将红、绿、蓝任意一色与作为该色互补色的颜色进行组合的方法中，在利用真空蒸镀法形成层的情况下，任意一方的发光多会变强，色度调整难，难以得到有效白色发光的有机电致发光元件。
在专利文献6所记载的使用高分子材料利用湿式成膜法形成第一发光层、使用低分子材料利用干式成膜法形成第二发光层的方法中具有下述问题。
即，与低分子化合物相比，高分子材料难以精制、难以高纯度化，因而杂质相对较多。从而，在使用高分子化合物作为发光层材料的情况下，这些杂质成为电荷阱，存在有机电致发光元件的驱动电压上升、发光效率降低、驱动寿命短等问题。
此外，从提高发光效率、降低驱动电压的方面出发，优选发光单元与电荷传输单元在发光层中均匀分布。但是，为了使这2种单元在高分子化合物的分子中均匀存在，需要采用交替共聚、嵌段共聚等特殊的聚合方法，制造工艺方面的负荷高。
另外还已知含有高分子电荷传输材料与低分子发光材料的发光层。但是，在这种情况下，在高分子电荷传输材料中，非常难以将利用高分子链相连的电荷传输单元的间隔控制在容易进行电荷传输或激子移动的距离。
在专利文献7所记载的使发光层为2层并使2个以上的客体材料同时发光从而能够得到白色发光的有机电致发光元件中，含有磷光化合物作为发光层材料，在2层发光层之中，1层利用涂布法形成、另1层利用真空蒸镀法形成；该元件具有下述问题。
即，在形成发光层时，在使用磷光化合物作为真空蒸镀对象的情况下，具有较大热能的磷光发光材料分子与已经形成的下层碰撞，下层的表面可能会变粗糙。平坦性受损的层表面(界面)促进层中所含有的材料的凝集，凝集体会成为电荷阱形成的原因(详细内容后述)。
本发明的课题在于提供一种有机电致发光元件，其解决了上述现有问题，驱动电压低，并且白色发光效率高、再现性也优异。
解决课题的手段
本发明人为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，作为发光层的电荷传输材料和发光材料均使用低分子化合物、且形成某一特定的元件构成，从而能够解决上述课题，完成了本发明。
即，本发明的要点如下述(1)～(6)。
(1)一种有机电致发光元件，其为包含阳极和阴极、以及在该阳极与该阴极之间形成的发光层的有机电致发光元件，其中：
该发光层由含有各不相同的发光材料的2层以上构成；
该发光层自阳极侧起依序包含利用湿式成膜法形成的层(下文中有时称为“涂布发光层”或“第一发光层”)、利用真空蒸镀法形成的层(下文中有时称为“蒸镀发光层”或“第二发光层”)；
该利用湿式成膜法形成的层为含有磷光发光材料与电荷传输材料的层，其中磷光发光材料与电荷传输材料为低分子化合物；
该利用真空蒸镀法形成的层为含有荧光发光材料与电荷传输材料的层，其中荧光发光材料与电荷传输材料为低分子化合物；
该有机电致发光元件的发光光谱在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域具有极大发光波长。
(2)如上述(1)所述的有机电致发光元件，其中，上述利用湿式成膜法形成的层为在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域中的至少2个区域具有极大发光波长的层。
(3)如上述(1)或(2)所述的有机电致发光元件，其中，在上述阳极与上述发光层之间具有空穴传输层。
(4)如上述(3)所述的有机电致发光元件，其中，上述空穴传输层为利用湿式成膜法形成的层。
(5)一种有机EL照明，其包含上述(1)～(4)任一项所述的有机电致发光元件。
(6)一种有机EL显示装置，其包含上述(1)～(4)任一项所述的有机电致发光元件。
发明效果
根据本发明，在具有良好再现性的基础上提供驱动电压低、发光效率高、白色发光的有机电致发光元件。
本发明的有机电致发光元件据信可应用于作为面发光体发挥特征的白色光源(例如复印机的光源、液晶显示器或计量表类的背光光源、滤色器显示装置)、显示板、标识灯中，其技术价值较高。
附图说明
图1为示意性示出本发明的有机电致发光元件的结构的一例的截面图。
具体实施方式
下面对本发明的有机电致发光元件、有机EL照明和有机EL显示装置的实施方式进行详细说明，但以下记载的构成要件的说明为本发明的实施方式的一例(代表例)，只要不超出其要点，本发明并不限定于这些内容。
《有机电致发光元件》
本发明的有机电致发光元件包含阳极和阴极、以及在该阳极与该阴极之间形成的发光层。其特征在于，该发光层由含有各不相同的发光材料的2层以上构成，该发光层自阳极侧起依序包含利用湿式成膜法形成的层(涂布发光层)以及利用真空蒸镀法形成的层(蒸镀发光层)；涂布发光层为含有磷光发光材料与电荷传输材料的层，其中磷光发光材料与电荷传输材料为低分子化合物；蒸镀发光层为含有荧光发光材料与电荷传输材料的层，其中荧光发光材料与电荷传输材料为低分子化合物，该有机电致发光元件的发光光谱在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域具有极大发光波长。
即，在本发明的有机电致发光元件中，涂布发光层含有低分子量的电荷传输材料与低分子量的磷光发光材料，蒸镀发光层含有低分子量的电荷传输材料与低分子量的荧光发光材料。
本发明中，使用为低分子化合物的发光材料与电荷传输材料是基于下述理由。
即，如上所述，在含有高分子电荷传输材料与低分子发光材料的发光层中，在高分子电荷传输材料中，非常难以将利用高分子链相连的电荷传输单元的间隔控制在容易进行电荷传输或者激子移动的距离。
此外，由于使用低分子量的电荷传输材料的湿式成膜和真空蒸镀中的膜密度高于使用高分子量的电荷传输材料的湿式成膜中的膜密度、涂布/蒸镀界面处的分子间密合性增高，因而容易进行电荷授受、使电压降低，从这方面来看也是优选的。
基于这样的原因，本发明的有机电致发光元件中，作为发光层材料，全部使用低分子化合物。
为了从阳极向最靠近阴极的发光层注入充分的空穴，优选本发明的有机电致发光元件进一步在阳极与发光层之间具有空穴传输层。
[低分子化合物]
本发明的有机电致发光元件的发光层的特征在于，其含有为低分子化合物的发光材料与电荷传输材料。
本发明中的“低分子化合物”的分子量通常为10000以下、优选为5000以下、更优选为4000以下、进一步优选为3000以下，并且通常为100以上、优选为200以上、更优选为300以上、进一步优选为400以上的范围。
发光材料的分子量若过小，则可能会使耐热性显著降低、或成为气体发生的原因、或者在膜形成时可能会招致膜质的降低、或者会由于迁移等而招致有机电致发光元件的形态学变化。另一方面，发光材料的分子量若过大，则具有有机化合物的精制困难、或溶解在溶剂中时需要时间的倾向。
发光材料的分子量为上述范围内时，玻璃化转变温度或熔点、分解温度等较高，发光层材料和所形成的发光层的耐热性良好，不易由于再结晶化或分子的迁移等而引起膜质的降低、或不易由于材料的热分解而引起杂质浓度的上升等，不易降低元件性能；并且容易精制；从这些方面等考虑，上述范围的分子量为优选的。
本发明的有机电致发光元件的发光层含有除发光材料和电荷传输材料以外的化合物的情况下，该化合物也优选为下述的低分子化合物，该低分子化合物的分子量优选为10000以下、更优选为5000以下、进一步优选为4000以下、特别优选为3000以下，并且优选为100以上、更优选为200以上、进一步优选为300以上、特别优选为400以上的范围。
[发光光谱的极大发光波长]
本发明的有机电致发光元件的特征在于，在其发光光谱中，在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域具有极大发光波长。
作为得到这样的本发明的有机电致发光元件的方法，有下述方法：适当选择使用发光层的形成中所用的发光材料，以使有机电致发光元件的发光光谱在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域分别具有极大发光波长。
此外，还可以应用滤色器、偏振片、相位差板、漫射板、和荧光转换膜等并进行设计，以使得在各区域具有极大发光波长；在本发明的有机电致发光元件中，优选适当选择使用发光层中所用的发光材料，以使有机电致发光元件的发光光谱在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域分别具有极大发光波长。
[发光光谱的测定方法]
本发明的有机电致发光元件的发光光谱例如可使用分光器USB4000(Oceanoptics社制造)进行测定。
需要说明的是，只要能进行与上述同等的测定，则发光光谱的测定仪器并不限于上述的测定仪器，也可以使用其它测定仪器；但优选使用上述测定仪器。
[发光层]
本发明中的发光层为下述层：在提供电场的电极间，其由于从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子的再结合而被激发，主要为发光光源；如上所述，其自阳极侧起包含涂布发光层与蒸镀发光层，该涂布发光层含有为低分子化合物的磷光发光材料与电荷传输材料，该蒸镀发光层含有为低分子化合物的荧光发光材料与电荷传输材料。
发光层自阳极起依序具有涂布发光层与蒸镀发光层，由此使得所得到的发光层的膜质均匀。此外，涂布发光层中含有磷光发光材料时，能够得到高效率；蒸镀发光层中含有荧光发光材料时，能够得到充分的发光强度；同时，通过在含有磷光发光材料的涂布发光层上层积形成含有荧光发光材料的蒸镀发光层，能够以下述作用机制实现发光效率优异的有机电致发光元件。
即，首先，作为第一发光层(涂布发光层)，进行含有磷光发光材料与电荷传输材料的组合物的湿式成膜。一般来说，磷光发光材料为含有Ir、Pt等原子量大的金属原子的络合物。据认为，由于含有原子量大的金属原子的化合物不在膜的最外表面存在时化学表面能低、为稳定的，因而在溶剂存在下处于磷光发光材料几乎不在最外表面存在的状态，其结果，在干燥后膜的最外表面的极薄区域中存在大量的电荷传输材料。
据认为，该电荷传输材料多的区域阻碍从设置在其上的第二发光层中的荧光发光材料向第一发光层中的磷光发光材料中的能量移动。结果认为，第一和第二发光层均充分发光，得到了发光效率高的有机电致发光元件。
需要说明的是，在使用磷光发光材料作为第二发光层(蒸镀发光层)的发光材料时，可能会产生下述问题，因而在本发明的有机电致发光元件中，使用荧光发光材料作为蒸镀发光层的发光材料。
即，如上所述，磷光发光材料为含有原子量大的金属原子的分子量大的分子，因而通过真空蒸镀而飞来的该分子具有较大的热能。据认为，真空蒸镀磷光发光材料作为在第一发光层上形成的第二发光层的发光材料时，具有较大热能的磷光发光材料分子发生碰撞，从而第一发光层的表面变得粗糙。平坦性受损的层表面(界面)促进层中所含有的材料的凝集，凝集体成为电荷阱的形成原因。
此外，作为上述本发明的元件的特色的、第一发光层表面的电荷传输材料带来的阻隔功能会由于通过蒸镀而飞来的磷光发光材料分子而受损，因而第一发光层中的三重态能量会移动到第二发光层中，导致第一发光层的发光不充分，可能会破坏发光色的平衡。
{发光材料}
<荧光发光材料>
下面对发光材料中的蒸镀发光层中所用的荧光发光材料进行说明。
(1)440nm～500nm区域(蓝)
作为在440nm～500nm区域具有极大发光波长、提供蓝色发光的荧光发光材料(蓝色荧光色素)，可以举出例如萘、1,2-苯并菲、二萘嵌苯、芘、蒽、香豆素、对双(2-苯基乙烯基)苯、芳胺和它们的衍生物等。其中优选蒽、1,2-苯并菲、芘、芳胺和它们的衍生物等。
其中，从蓝的色纯度高、高效率、长寿命的方面考虑，优选为苯乙烯基胺化合物和芳胺化合物。
作为苯乙烯基胺化合物，从在发光层中有效捕获空穴的方面考虑，优选下式(A)所表示的物质。
[化1]
(式(A)中，Ar22为选自联苯基、三联苯基、均二苯代乙烯基、二苯乙烯基芳基中的基团，Ar23和Ar24各自独立地为氢原子或碳原子数为6～20的芳香族基团，Ar22、Ar23和Ar24也可以带有取代基。p为1～4的整数。优选Ar23或Ar24中的至少一者取代有苯乙烯基。)
此处，作为碳原子数为6～20的芳香族基团，可以举出苯基、萘基、蒽基、菲基、三联苯基等芳香族烃基。
此外，作为芳胺化合物，从在发光层中有效捕获空穴的方面考虑，优选下式(B)所表示的物质。
[化2]
(式(B)中，Ar25为取代或无取代的核碳原子数为10～40的芳基，Ar26和Ar27各自独立地为取代或无取代的核碳原子数为5～40的芳基。q为1～4的整数。)
此处，作为Ar25的核碳原子数为10～40的芳基，可以举出例如萘基、蒽基、菲基、芘基、屈(chrysenyl)基、晕苯(コロニル)基、联苯基、三联苯基、二苯基蒽基、咔唑基、苯并喹啉基、荧蒽基、苊并荧蒽基、均二苯代乙烯基等。
此外，作为Ar26、Ar27的核碳原子数为5～40的芳基，可以举出例如苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、屈基、晕苯基、联苯基、三联苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、荧蒽基、苊并荧蒽基、均二苯代乙烯基等。
这些芳基具有取代基的情况下，作为优选的取代基，可以举出碳原子数为1～6的烷基(乙基、甲基、异丙基、正丙基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、环戊基、环己基等)、碳原子数为1～6的烷氧基(乙氧基、甲氧基、异丙氧基、正丙氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环戊氧基、环己氧基等)、核原子数为5～40的芳基、被核原子数为5～40的芳基取代的氨基、具有核原子数为5～40的芳基的酯基、具有碳原子数为1～6的烷基的酯基、氰基、硝基、卤原子等。
以下，在下面示出了本发明中的提供蓝色发光的荧光发光材料的优选具体例，但本发明并不限于这些。
[化3]
[化4]
上述提供蓝色发光的荧光发光材料可以单独使用1种，并且也可以以任意组合和比例使用两种以上。
(2)510nm～550nm区域(绿)
作为在510nm～550nm区域具有极大发光波长、提供绿色发光的荧光发光材料(绿色荧光色素)，可以举出例如喹吖啶酮、香豆素、Al(C9H6NO)3等铝络合物和它们的衍生物等。它们可以单独使用1种，并且也可以以任意组合和比例使用两种以上。
(3)580nm～630nm区域(红)
作为在580nm～630nm区域具有极大发光波长、提供红色发光的荧光发光材料(红色荧光色素)，可以举出例如DCM(4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲氨基苯乙烯)-4H-吡喃)系化合物、苯并吡喃、若丹明、苯并噻吨、氮杂苯并噻吨等呫吨以及它们的衍生物等。它们可以单独使用1种，并且也可以以任意组合和比例使用两种以上。
<磷光发光材料>
接下来，对发光材料中的涂布发光层中所用的磷光发光材料进行说明。
作为磷光发光材料，可以举出例如含有选自长周期型周期表(以下，只要没有特别注明，在称为“周期表”的情况下，指的是长周期型周期表。)第7～11族中的金属作为中心金属的维尔纳(Werner)型络合物或有机金属络合物。
作为选自周期表第7～11族中的金属，优选可以举出钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等，其中更优选为铱或铂。
作为络合物的配位体，优选(杂)芳基吡啶配位体、(杂)芳基吡唑配位体等(杂)芳基与吡啶、吡唑、菲咯啉等连结而成的配位体，特别优选苯基吡啶配位体、苯基吡唑配位体。此处，(杂)芳基表示芳基或杂芳基。
作为磷光发光材料，具体地说，可以举出三(2-苯基吡啶)铱、三(2-苯基吡啶)钌、三(2-苯基吡啶)钯、双(2-苯基吡啶)铂、三(2-苯基吡啶)锇、三(2-苯基吡啶)铼、八乙基卟啉铂、八苯基卟啉铂、八乙基卟啉钯、八苯基卟啉钯等。
对于作为磷光发光材料的磷光性有机金属络合物，特别优选可以举出下式(III)或式(IV)所表示的化合物。
ML(q-j)L′j (III)
(式(III)中，M表示金属，q表示上述金属的价数。并且，L和L′表示二齿配位体。j表示0、1或2的数。)
[化5]
(式(IV)中，M7表示金属，T表示碳原子或氮原子。R92～R95各自独立地表示取代基。但是，在T为氮原子的情况下，无R94和R95。)
下面首先对式(III)所表示的化合物进行说明。
式(III)中，M表示任意的金属，作为优选的具体例，可以举出作为选自周期表第7～11族中的金属的上述金属。
此外，式(III)中，二齿配位体L表示具有下述部分结构的配位体。
[化6]
上述L的部分结构中，环A1表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基。
作为该芳香族烃基，可以举出来自5或6元环的单环或2～5稠环的基团。
作为具体例，可以举出来自苯环、萘环、蒽环、菲环、二萘嵌苯环、并四苯环、芘环、苯并芘环、1,2-苯并菲环、苯并[9,10]菲环、苊环、荧蒽环、芴环的1价基团等。
作为该芳香族杂环基，可以举出来自5或6元环的单环或2～4稠环的基团。
作为具体例，可以举出来自呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、甘菊环的1价基团等。
此外，上述L的部分结构中，环A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族杂环基。
作为该含氮芳香族杂环基，可以举出来自5或6元环的单环或2～4稠环的基团。
作为具体例，可以举出来自吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、呋喃并吡咯环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环的1价基团等。
作为环A1或环A2各自可以具有的取代基的示例，可以举出：卤原子；烷基；链烯基；烷氧羰基；烷氧基；芳氧基；二烷基氨基；二芳氨基；咔唑基；酰基；卤烷基；氰基；芳香族烃基等。
此外，式(III)中，二齿配位体L′表示具有下述部分结构的配位体。其中，在下式中，“Ph”表示苯基。
[化7]
其中，从络合物稳定性的方面出发，作为L′更优选下面举出的配位体。
[化8]
作为式(III)所表示的化合物，进一步优选可以举出下式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)所表示的化合物。
[化9]
(式(IIIa)中，M4表示与M同样的金属，w表示上述金属的价数，环A1表示具有或不具有取代基的芳香族烃基，环A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族杂环基。)
[化10]
(式(IIIb)中，M5表示与M同样的金属，w表示上述金属的价数，环A1表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基，环A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族杂环基。)
[化11]
(式(IIIc)中，M6表示与M同样的金属，w表示上述金属的价数，j表示0、1或2，环A1和环A1′各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基，环A2和环A2′各自独立地表示具有或不具有取代基的含氮芳香族杂环基。)
上述式(IIIa)～(IIIc)中，作为环A1和环A1′的优选例，可以举出苯基、联苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、咔唑基等。
上述式(IIIa)～(IIIc)中，作为环A2和环A2′的优选例，可以举出吡啶基、嘧啶基、吡唑基、三嗪基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、菲啶基等。
作为上述式(IIIa)～(IIIc)所表示的化合物可以具有的取代基，可以举出：卤原子；烷基；链烯基；烷氧羰基；烷氧基；芳氧基；二烷基氨基；二芳氨基；咔唑基；酰基；卤烷基；氰基等。
需要说明的是，这些取代基也可以相互连结形成环。作为具体例，可以通过环A1所具有的取代基与环A2所具有的取代基结合、或者环A1′所具有的取代基与环A2′所具有的取代基结合而形成一个稠环。作为这样的稠环，可以举出7,8-苯并喹啉基等。
其中，作为环A1、环A1′、环A2和环A2′的取代基，更优选可以举出烷基、烷氧基、芳香族烃基、氰基、卤原子、卤烷基、二芳氨基、咔唑基。
此外，作为式(IIIa)～(IIIc)中的M4～M6的优选例，可以举出钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂或金。
上述式(III)所表示的有机金属络合物中，特别优选配位体L和L′的至少一者为2-芳基吡啶系配位体、即2-芳基吡啶，并具有在其上结合有任意取代基的结构的化合物，以及，具有在其上缩合任意基团而成的结构的化合物。
此外，国际公开第2005/019373号中记载的化合物也可作为发光材料使用。
接下来对式(IV)所表示的化合物进行说明。
式(IV)中，M7表示金属。作为具体例，可以举出作为选自周期表第7～11族中的金属的上述金属。其中优选可以举出钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂或金，特别优选可以举出铂、钯等2价金属。
此外，式(IV)中，R92和R93各自独立地表示氢原子、卤原子、烷基、芳烷基、链烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧羰基、羧基、烷氧基、烷基氨基、芳烷基氨基、卤烷基、羟基、芳氧基、芳香族烃基或芳香族杂环基。
进一步地，在T为碳原子的情况下，R94和R95各自独立地表示由与R92和R93同样的示例物表示的取代基。此外，T为氮原子的情况下，无R94和R95。
另外，R92～R95也可以进一步带有取代基。在具有取代基的情况下，其种类没有特别限制，可以将任意基团作为取代基。
进一步地，R92～R95中的任意2个以上的基团可以相互连结形成环。
下面对磷光发光材料的具体例按照其吸收极大波长所存在的波长区域来示出。下面的磷光发光材料均可以单独使用1种，并且也可以以任意组合和比例使用两种以上。需要说明的是，下述式中的“Ph”表示苯基。
(1)在440nmnm～500nm区域具有吸收极大波长的磷光发光材料(蓝)的具体例
[化12]
[化13]
(2)在510nm～550nm区域具有吸收极大波长的磷光发光材料(绿)的具体例
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
[化19]
(3)在580nm～630nm区域具有吸收极大波长的磷光发光材料(红)的具体例
[化20]
[化21]
[化22]
[化23]
[化24]
[化25]
[化26]
[化27]
[化28]
[化29]
{涂布发光层}
本发明的有机电致发光元件中，第一发光层(发光层中的位于阳极侧的层)为涂布发光层。
即，如上所述，磷光发光材料通常分子量较大。假设在通过真空蒸镀工艺形成了该第一发光层的情况下，通过蒸镀飞来的磷光发光材料的分子具有较大的热能，在蒸镀工序的最终阶段附着在层的最外表面的该分子使层表面发生移动，之后该分子彼此凝集、稳定化。也即，可认为与发光层内部相比，磷光发光材料分子的凝集体更多地存在于最表层。该凝集体成为在第一发光层和第二发光层这两层存在的激发子或电荷阱，因而认为会引起元件驱动电压的上升或发光效率的降低。因而优选第一发光层为涂布发光层。
需要说明的是，荧光发光材料的分子量通常不会像磷光发光材料那么大。因此可认为，通过蒸镀工序飞来并附着在基板上的荧光发光材料的分子所具有的热能比较小，即使是层的最外表面也不会进行太多移动(形成凝集体的概率低)。
在本发明中，“湿式成膜法”是指旋涂法、浸渍涂布法、模涂法、棒涂法、刮板涂布法、辊涂法、喷涂法、毛细管涂布法、喷嘴印刷法、喷墨法、丝网印刷法、凹版印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷等使用含有溶剂的油墨进行成膜的方法。从易于图案化的方面考虑，优选喷嘴印刷法、模涂法、辊涂法、喷涂法、喷墨法、凹版印刷法或苯胺印刷法；从得到均匀膜质的方面考虑，特别优选喷嘴印刷法、喷墨法、凹版印刷法、苯胺印刷法。
涂布发光层是使用含有上述磷光发光材料与低分子量电荷传输材料、进而含有溶剂的发光层形成用组合物，通过上述湿式成膜法来形成的。
<溶剂>
溶剂只要为可良好地溶解磷光发光材料和后述电荷传输材料的溶剂就没有特别限定。
作为溶剂的溶解性，在常温·常压下，优选分别以通常为0.01重量％以上、优选为0.05重量％以上、进一步优选为0.1重量％以上溶解磷光发光材料和电荷传输材料。
下面举出溶剂的具体例，但只要无损于本发明的效果，其并不限于这些。
可以举出例如：正癸烷、环己烷、乙基环己烷、十氢化萘、二环己烷等链烷烃类；甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己苯、四氢化萘等芳香族烃类；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤代芳香族烃类；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、二苯基醚等芳香族醚类；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯类；环己酮、环辛酮、葑酮等脂环族酮类；环己醇、环辛醇等脂环族醇类；甲基乙基酮、二丁基酮等脂肪族酮类；丁醇、己醇等脂肪族醇类；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚类；等等。
其中优选链烷烃类、芳香族烃类。
这些溶剂可以单独使用1种，并且也可以以任意组合和比例使用两种以上。
此外，为了得到更均匀的膜，优选以适当的速度使溶剂从刚完成成膜后的液膜中进行蒸发。因此，溶剂的沸点通常为80℃以上、优选为100℃以上、更优选为120℃以上，并且通常为270℃以下、优选为250℃以下、更优选为沸点230℃以下。
只要不显著损害本发明的效果，溶剂的用量为任意的；相对于发光层形成用组合物100重量份，溶剂的用量优选为10重量份以上、更优选为50重量份以上、特别优选为80重量份以上，并且优选为99.95重量份以下、更优选为99.9重量份以下、特别优选为99.8重量份以下。发光层形成用组合物中的溶剂含量若低于上述下限，则粘性过高，成膜作业性可能会降低。另一方面，若超过上述上限，则在成膜后除去溶剂所得到的膜未能获得厚度，具有难以成膜的倾向。需要说明的是，作为发光层形成用组合物混合使用2种以上的溶剂的情况下，使这些溶剂的合计满足该范围。
<发光材料>
本发明中，涂布发光层优选为在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域中的至少2个区域具有极大发光波长的层。因而，涂布发光层特别优选具有在440nm～500nm区域具有极大发光波长的蓝色发光材料、在510nm～550nm区域具有极大发光波长的绿色发光材料、以及在580nm～630nm区域具有极大发光波长的红色发光材料中的2种以上，特别优选具有在510nm～550nm区域具有极大发光波长的绿色发光材料以及在580nm～630nm区域具有极大发光波长的红色发光材料。
如上所述，从得到高发光效率的方面考虑，涂布发光层优选含有磷光发光材料；涂布发光层特别优选含有红色磷光发光材料和绿色磷光发光材料中的至少一者。
这是由于，通过将含有能隙窄的红色发光材料或绿色发光材料的层配置在阳极侧，可抑制从能隙宽的蓝色发光材料向与发光层的阳极侧相邻的层(例如空穴传输层)的能量移动。
本发明的发光层形成用组合物中含有的发光材料通常为0.01重量％以上、优选为0.05重量％以上、进一步优选为0.1重量％以上，并且通常为20重量％以下、优选为10重量％以下、进一步优选为5重量％以下。
<电荷传输材料>
本发明中所用的发光层形成用组合物进一步含有电荷传输材料。即，在涂布发光层中含有电荷传输材料。
电荷传输材料为具有空穴传输性或电子传输性等电荷传输性的化合物，其是被规定为单一分子量的化合物。本发明的发光层含有发光材料作为掺杂剂材料、含有电荷传输材料作为主体材料。
电荷传输材料只要为以往在有机电致发光元件的发光层中所用的低分子量化合物即可，特别优选作为发光层的主体材料使用的化合物。
作为电荷传输材料，具体地说，可以举出芳香族胺系化合物、酞菁系化合物、卟啉系化合物、低聚噻吩系化合物、聚噻吩系化合物、苄基苯基系化合物、利用芴基连结叔胺而成的化合物、腙系化合物、硅氮烷系化合物、硅烷胺系化合物、膦胺系化合物、喹吖啶酮系化合物、蒽系化合物、芘系化合物、咔唑系化合物、吡啶系化合物、苯乙烯基系化合物、菲咯啉系化合物、噁二唑系化合物、噻咯系化合物等。
此外，电荷传输材料大致区分为空穴传输性化合物与电子传输性化合物。
(空穴传输性化合物)
在涂布发光层中，作为其构成材料，可以含有空穴传输性化合物。此处，在空穴传输性化合物中，作为低分子量空穴传输性化合物的示例，可以举出例如：以4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯为代表的、含有2个以上叔胺且2个以上的缩合芳香环取代在氮原子上的芳香族二胺(日本特开平5-234681号公报)；4,4’,4”-三(1-萘基苯基氨基)三苯胺等具有星爆结构的芳香族胺化合物(Journal of Luminescence,1997年,Vol.72-74,pp.985)；由三苯胺的四聚体形成的芳香族胺化合物(Chemical Communications,1996年,pp.2175)；2,2’,7,7’-四-(二苯基氨基)-9,9’-螺双芴等螺环化合物(Synthetic Metals,1997年,Vol.91,pp.209)；等等。
需要说明的是，在涂布发光层中，空穴传输性化合物可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
(电子传输性化合物)
在涂布发光层中，作为其构成材料，可以含有电子传输性化合物。此处，在电子传输性化合物中，作为低分子量电子传输性化合物的示例，可以举出：2,5-双(1-萘基)-1,3,4-噁二唑(BND)；2,5-双(6’-(2’,2”-联吡啶基))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯(PyPySPyPy)；红菲绕啉(BPhen)；2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP、浴铜灵)；2-(4-联苯基)-5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)；4,4’-双(9-咔唑)-联苯(CBP)等。
需要说明的是，在涂布发光层中，电子传输性化合物可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
需要说明的是，上述电荷传输材料可以仅使用任意1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。特别是在将2种以上组合时，优选将上述空穴传输性化合物与电子传输性化合物合用。
特别是在涂布发光层中含有红色磷光发光材料和绿色发光材料的情况下，作为电荷传输材料，可以举出芳香族胺系化合物、叔胺经芴基连结而成的化合物、咔唑系化合物、吡啶系化合物、噻咯系化合物。
下面举出本发明中适宜的电荷传输材料的具体例，但本发明并不受下述物质的任何限定。
[化30]
[化31]
[化32]
[化33]
[化34]
[化35]
本发明中的发光层形成用组合物所含有的电荷传输材料通常为0.1重量％以上、优选为0.5重量％以上、进一步优选为1重量％以上，并且通常为20重量％以下、优选为10重量％以下、进一步优选为5重量％以下。
此外，发光层形成用组合物中的发光材料与电荷传输材料的含量比(发光材料/电荷传输材料)通常为0.01以上、优选为0.03以上，并且通常为0.5以下、优选为0.2以下。
<其它成分>
只要不显著损害本发明的效果，本发明的发光层形成用组合物中可以进一步含有来自后述的空穴传输层或空穴注入层的成分；流平剂、消泡剂、增稠剂等涂布性改良剂；电子接受性化合物或电子给予性化合物等电荷传输辅助剂；粘结剂树脂等。需要说明的是，这些其它成分可以仅使用1种，也可以以任意组合和比例合用两种以上。
此外，从不会显著阻碍所形成的薄膜(涂布发光层)的电荷转移、不会阻碍发光材料的发光、不会降低薄膜的膜质等方面出发，以在涂布发光层中的含量计，这些其它成分的含量通常为5重量％以下、优选为1重量％以下、更优选为0.5重量％以下、特别优选为0重量％(不含有)。
需要说明的是，从本发明效果的方面出发，优选不仅发光层形成用组合物所含有的发光材料和电荷传输材料、而且涂布发光层所含有的全部材料为低分子化合物。
{蒸镀发光层}
本发明的有机电致发光元件中，第二发光层(在发光层中，自阳极侧起隔着第一发光层而形成的层)为蒸镀发光层。
本发明中，“真空蒸镀法”是指在真空中使化合物蒸发而形成层的方法。
作为其真空度，为了防止与真空蒸镀机内的残存气体分子发生碰撞、以及降低蒸镀材料的蒸发温度使蒸发容易进行，其通常为10-2Pa以下、10-6Pa以上，优选为10-3Pa以下、10-5Pa以上。
本发明中，从蒸镀容易性的方面出发，蒸镀发光层为含有荧光发光材料的层。此外，蒸镀发光层特别优选至少含有在440nm～500nm区域具有极大发光波长的蓝色发光材料。
<电荷传输材料>
本发明的蒸镀发光层中，除发光材料以外，通常还含有电荷传输材料。
对于蒸镀发光层中含有的电荷传输材料，只要无损于本发明的效果就没有特别限制，可以使用公知的低分子量材料。
特别是在蒸镀发光层中含有蓝色荧光发光材料的情况下，从耐久性优异的方面考虑，特别优选使用下式(3)所表示的化合物作为电荷传输材料。
[化36]
(式(3)中，Ar1A和Ar1B各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香族烃基、或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基。另外，式(3)中的蒽环也可以具有Ar1A、Ar1B以外的取代基。)
Ar1A和Ar1B各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香族烃基、或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基。
作为Ar1A和Ar1B的芳香族烃基，可以举出苯环、萘环、菲环、蒽环、芘环、1,2-苯并菲环、并四苯环、苯并菲环等来自苯环或2～5个苯环缩合而成的稠环的基团。
作为Ar1A和Ar1B的芳香族杂环基的具体例，可以举出来自呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、甘菊环等的基团。
作为Ar1A和Ar1B中的芳香族烃基可以具有的取代基，可以举出烷基、芳香族烃基、芳香族杂环基、烷氧基、(杂)芳氧基、烷硫基、(杂)芳硫基、氰基、二烷基氨基、烷基芳氨基、二芳氨基等有机基团，这些之中，从化合物的稳定性的方面考虑，优选烷基和芳香族烃基，特别优选芳香族烃基。需要说明的是，上述“(杂)芳基”表示“芳基”和“杂芳基”这两者。另外，“芳基”表示“芳香族烃基”与“芳香族杂环基”这两者。
对于作为Ar1A和Ar1B中的芳香族烃基可以具有的取代基的烷基，优选碳原子数1～20的烷基，可以举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、己基、辛基、环己基、癸基、十八烷基等。优选甲基、乙基、异丙基、仲丁基、叔丁基。这些之中，从原料获得的容易性、低成本性等方面考虑，优选甲基、乙基；出于在非极性溶剂中具有高溶解性的原因，优选异丁基、仲丁基、叔丁基。
作为芳香族烃基，优选碳原子数为6～25的基团，优选来自6元环的单环或2～5稠环的芳香族烃基。可以举出例如来自苯环、萘环、蒽环、菲环、二萘嵌苯环、并四苯环、芘环、苯并芘环、1,2-苯并菲环、苯并[9,10]菲环、荧蒽环等的基团。
作为芳香族杂环基，优选碳原子数为3～20的基团，可以举出例如来自呋喃环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、甘菊环等的基团。
作为烷氧基，优选碳原子数为1～20的基团，可以举出例如甲氧基、乙氧基、异丙氧基、环己氧基、十八烷氧基等。
作为(杂)芳氧基，优选碳原子数为3～20的基团，可以举出例如苯氧基、1-萘氧基、9-蒽氧基、2-噻吩氧基等。
作为烷硫基，优选碳原子数为1～20的基团，可以举出例如甲硫基、乙硫基、异丙硫基、环己硫基等。
作为(杂)芳硫基，优选碳原子数为3～20的基团，可以举出例如苯硫基、1-萘硫基、9-蒽硫基、2-噻吩硫基等。
作为二烷基氨基，优选碳原子数为2～29的基团，可以举出例如二乙基氨基、二异丙基氨基、甲基乙基氨基等。
作为烷基芳氨基，优选碳原子数为7～30的基团，可以举出例如甲基苯基氨基等。
作为二芳氨基，优选碳原子数为12～30的基团，可以举出例如二苯基氨基、苯基萘基氨基等。
此外，这些取代基可以进一步具有取代基，作为其取代基，可以举出例如上述的烷基、芳基、烷氧基、二芳氨基等。其中不包括该取代基彼此结合形成环的情况。
下面示出蒸镀发光层所含有的电荷传输材料的优选具体例，但本发明并不限于这些。
[化37]
[化38]
上述电荷传输材料可以仅使用任意1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
<其它成分>
只要无损于本发明的效果，本发明的蒸镀发光层中也可以含有其它成分。可以含有的其它成分与上述{涂布发光层}的<其它成分>项中记载的相同。
<成分含量>
本发明的蒸镀发光层所含有的发光材料通常为0.001重量％以上、优选为0.005重量％以上、进一步优选为0.01重量％以上，并且通常为30重量％以下、优选为20重量％以下、进一步优选为15重量％以下。
此外，本发明的蒸镀发光层所含有的电荷传输材料通常为0.001重量％以上，并且通常为99.999重量％以下、优选为99.995重量％以下、进一步优选为99.99重量％以下。
此外，蒸镀发光层中的发光材料与电荷传输材料的含量比(发光材料/电荷传输材料)通常为0.01以上、优选为0.03以上，并且通常为0.5以下、优选为0.2以下。
本发明中的蒸镀发光层含有其他成分的情况下，从不会显著阻碍所形成的薄膜(蒸镀发光层)的电荷转移、不会阻碍发光材料的发光、不会降低薄膜的膜质等方面出发，该成分通常为5重量％以下、优选为1重量％以下、更优选为0.5重量％以下、特别优选为0重量％(不含有)。
需要说明的是，从本发明效果的方面出发，优选不仅蒸镀发光层所含有的发光材料和电荷传输材料、而且该发光层所含有的全部材料为低分子化合物。
{中间层}
本发明的有机电致发光元件中，出于抑制涂布发光层与蒸镀发光层之间的能量移动的目的，可以在涂布发光层与蒸镀发光层之间使用非发光性的中间层，该非发光性的中间层是使用电荷传输材料利用真空蒸镀法层积而成的。(需要说明的是，从驱动电压的方面出发，优选不设置中间层。)
作为非发光性的中间层中所用的电荷传输材料，可以与涂布发光层和/或蒸镀发光层所含有的电荷传输性材料相同、也可以不同。优选可以与相邻的2个发光层中的至少一个发光层所含有的电荷传输性材料相同。需要说明的是，从本发明效果的方面出发，中间层中所用的电荷传输材料也优选为低分子化合物。
中间层可以为后述的空穴缓和层。
{膜厚}
本发明的发光层中，上述涂布发光层的膜厚优选处于2nm～100nm的范围，从可降低所得到的元件的驱动电压的方面考虑，特别优选处于3nm～60nm的范围。
此外，蒸镀发光层的膜厚优选处于2nm～100nm的范围，从可降低所得到的元件的驱动电压的方面考虑，特别优选处于3nm～100nm的范围。
另外，在发光层含有中间层的情况下，中间层的膜厚优选处于1nm～50nm的范围、更优选处于3nm～10nm的范围。据认为，通过处于该范围，不会对元件的电流电压特性施加大负荷。
本发明的发光层的全部膜厚(即，涂布发光层与蒸镀发光层、以及在进一步含有中间层的情况下将该中间层也计入的合计膜厚)优选处于5nm～100nm的范围，从所得到的元件的驱动电压低、以及发光色的稳定性的方面考虑，特别优选处于10nm～80nm的范围。
[有机电致发光元件的层构成]
下面参照图1对本发明的有机电致发光元件的层构成及其一般的形成方法等进行说明。
图1为示出本发明的有机电致发光元件10的结构例的截面的示意图，在图1中，1表示基板、2表示阳极、3表示空穴注入层、4表示空穴传输层、5表示发光层、6表示空穴阻止层、7表示电子传输层、8表示电子注入层、9表示阴极。
{基板}
基板1为有机电致发光元件的支持体，使用石英或玻璃板、金属板或金属箔、塑料膜或塑料片等。特别优选玻璃板或聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚砜等透明合成树脂板。在使用合成树脂基板的情况下，需要留意气体阻隔性。基板的气体阻隔性若过小，则通过了基板的外气有时会导致有机电致发光元件劣化，因而不优选。因此，在合成树脂基板的至少单面设置致密的硅氧化膜等来确保气体阻隔性的方法也是优选的方法之一。
{阳极}
阳极2为起到向发光层5侧的层中注入空穴的作用的电极。
该阳极2通常由下述材料构成：铝、金、银、镍、钯、铂等金属；铟和锡的氧化物等金属氧化物；碘化铜等卤化金属；炭黑；或聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等导电性高分子等。
阳极2的形成通常多利用溅射法、真空蒸镀法等来进行。此外，在使用银等金属微粒、碘化铜等微粒、炭黑、导电性金属氧化物微粒、导电性高分子微粉末等来形成阳极2的情况下，也可通过将其分散在适当的粘结剂树脂溶液中并涂布在基板1上来形成阳极2。进而，在为导电性高分子的情况下，还可通过电解聚合在基板1上直接形成薄膜、或在基板1上涂布导电性高分子来形成阳极2(Appl.Phys.Lett.,60卷,2711页,1992年)。
阳极2通常为单层结构，但根据需要，也可以为由多种材料构成的层积结构。
阳极2的厚度根据所需要的透明性的不同而不同。在需要透明性的情况下，优选可见光的透过率通常为60％以上、优选为80％以上。这种情况下，阳极2的厚度通常为5nm以上、优选为10nm以上，并且通常为1000nm以下、优选为500nm以下的程度。在可以为不透明的情况下，阳极2的厚度为任意的，阳极2可以与基板1为相同厚度。此外，在上述阳极2上也可以进一步层积不同的导电材料。
出于除去附着在阳极2上的杂质、调整电离势来提高空穴注入性的目的，优选对阳极2表面施以紫外线(UV)/臭氧处理、或施以氧等离子体、氩等离子体处理。
{空穴注入层}
空穴注入层3为从阳极2向发光层5传输空穴的层，通常在阳极2上形成。
本发明的空穴注入层3的形成方法可以为真空蒸镀法，也可以为湿式成膜法，没有特别限制；从降低暗斑的方面出发，空穴注入层3优选通过湿式成膜法形成。
空穴注入层3的膜厚通常为5nm以上、优选为10nm以上，并且通常1000nm以下、优选为500nm以下的范围。
<基于湿式成膜法的空穴注入层的形成>
在通过湿式成膜法形成空穴注入层3的情况下，通常将构成空穴注入层3的材料与适当的溶剂(空穴注入层用溶剂)混合来制备成膜用组合物(空穴注入层形成用组合物)，采用适当的方法将该空穴注入层3形成用组合物涂布在相当于空穴注入层下层的层(通常为阳极2)上来进行成膜并干燥，由此来形成空穴注入层3。
(空穴传输性化合物)
空穴注入层形成用组合物通常含有空穴传输性化合物和溶剂作为空穴注入层3的构成材料。
对于空穴传输性化合物来说，只要是通常用于有机电致发光元件的空穴注入层3的具有空穴传输性的化合物即可，可以为聚合物等高分子化合物，也可以为单体等低分子化合物，但优选为高分子化合物。
作为空穴传输性化合物，从由阳极2到空穴注入层3的电荷注入势垒(電荷注入障壁)的方面出发，优选为具有4.5eV～6.0eV电离势的化合物。作为空穴传输性化合物的示例，可以举出芳香族胺衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、低聚噻吩衍生物、聚噻吩衍生物、苄基苯基衍生物、叔胺经芴基连结而成的化合物、腙衍生物、硅氮烷衍生物、硅烷胺衍生物、膦胺衍生物、喹吖啶酮衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚噻吩乙炔衍生物、聚喹啉衍生物、聚喹喔啉衍生物、碳等。
需要说明的是，在本发明中，所谓衍生物，例如若以芳香族胺衍生物为例，则该衍生物包括芳香族胺本身和以芳香族胺为主骨架的化合物，其可以为聚合物、也可以为单体。
作为空穴注入层3的材料使用的空穴传输性化合物可以单独含有这样的化合物中的任意1种，也可以含有2种以上。在含有2种以上空穴传输性化合物的情况下，其组合为任意的，但优选将1种或2种以上芳香族叔胺高分子化合物与1种或2种以上其它空穴传输性化合物合用。
在上述示例物中，从非晶质性、可见光透过率的方面考虑，优选芳香族胺化合物、特别优选芳香族叔胺化合物。此处所谓的芳香族叔胺化合物为具有芳香族叔胺结构的化合物，其也包括具有来自芳香族叔胺的基团的化合物。
芳香族叔胺化合物的种类没有特别限制，从基于表面平滑化效果的均匀发光的方面考虑，更优选重均分子量为1000以上、1000000以下的高分子化合物(重复单元连接而成的聚合型化合物)。作为芳香族叔胺高分子化合物的优选例，可以举出具有下式(I)所示重复单元的高分子化合物。
[化39]
(式(I)中，Ar1和Ar2各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基。Ar3～Ar5各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基。Zb表示选自下述的连接基团组中的连接基团。此外，Ar1～Ar5中，键合在同一N原子上的二个基团可以相互键合而形成环。
[化40]
(上述各式中，Ar6～Ar16各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或者具有或不具有取代基的芳香族杂环基。R5和R6各自独立地表示氢原子或任意的取代基。))
对于作为Ar1～Ar16的芳香族烃基和芳香族杂环基，从高分子化合物的溶解性、耐热性、空穴注入·传输性的方面考虑，优选来自苯环、萘环、菲环、噻吩环、吡啶环的基团，更优选来自苯环、萘环的基团。
作为Ar1～Ar16的芳香族烃基和芳香族杂环基还可以进一步带有取代基。作为取代基的分子量，通常为400以下，其中优选为250以下的程度。作为取代基，优选烷基、链烯基、烷氧基、芳香族烃基、芳香族杂环基等。
R5和R6为任意取代基的情况下，作为该取代基，可以举出烷基、链烯基、烷氧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳香族烃基、芳香族杂环基等。
作为具有式(I)所表示的重复单元的芳香族叔胺高分子化合物的具体例，可以举出国际公开第2005/089024号中所记载的化合物。
并且，作为空穴传输性化合物，还优选为将作为聚噻吩衍生物的3,4-乙撑二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene)在高分子量聚苯乙烯磺酸中聚合而成的导电性聚合物(PEDOT/PSS)。并且可利用甲基丙烯酸酯等对该聚合物的末端进行封端。
需要说明的是，空穴传输性化合物也可以为下述{空穴传输层}一项中所记载的交联性化合物。在使用该交联性化合物的情况下的成膜方法也是同样的。
只要不显著损害本发明的效果，空穴注入层形成用组合物中的空穴传输性化合物的浓度是任意的，但从膜厚的均一性的方面考虑，该浓度通常为0.01重量％以上、优选为0.1重量％以上、进一步优选为0.5重量％以上，并且通常为70重量％以下、优选为60重量％以下、进一步优选为50重量％以下。该浓度若过大，则可能会产生膜厚不均；并且若过小，则成膜后的空穴注入层中可能会产生缺陷。
(电子接受性化合物)
空穴注入层形成用组合物优选含有电子接受性化合物作为空穴注入层3的构成材料。
电子接受性化合物优选为具有氧化力、具有接受来自上述空穴传输性化合物的单电子的能力的化合物，具体地说，优选电子亲和力为4eV以上的化合物、更优选为5eV以上的化合物。
作为这样的电子接受性化合物，可以举出例如选自由三芳基硼化合物、卤化金属、路易斯酸、有机酸、鎓盐、芳胺与卤化金属的盐、芳胺与路易斯酸的盐组成的组中的1种或2种以上的化合物等。更具体地说，可以举出：4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、三苯基锍四氟硼酸盐等有机基团取代的鎓盐(国际公开2005/089024号)；氯化铁(III)(日本特开平11-251067号公报)、过硫酸铵等高化合价的无机化合物；四氰基乙烯等氰化合物；三(五氟苯基)硼(日本特开2003-31365号公报)等芳香族硼化合物；富勒烯衍生物；碘；聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子、樟脑磺酸根离子等磺酸根离子等。
这些电子接受性化合物可以通过对空穴传输性化合物进行氧化来提高空穴注入层3的电导率。
空穴注入层3或空穴注入层形成用组合物中的电子接受性化合物相对于空穴传输性化合物的含量通常为0.1摩尔％以上、优选为1摩尔％以上。但通常为100摩尔％以下、优选为40摩尔％以下。
(其它构成材料)
作为空穴注入层3的材料，只要不显著损害本发明的效果，除了上述的空穴传输性化合物、电子接受性化合物之外，还可以进一步含有其它成分。作为其它成分的示例，可以举出各种发光材料、电子传输性化合物、粘结剂树脂、涂布性改良剂等。需要说明的是，其它成分可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
(溶剂)
湿式成膜法中所用的空穴注入层形成用组合物的溶剂中的至少1种优选为可溶解上述空穴注入层3的构成材料的化合物。并且，该溶剂的沸点通常为110℃以上、优选为140℃以上、其中优选为200℃以上，通常为400℃以下、其中优选为300℃以下。溶剂的沸点若过低，则干燥速度过快，膜质可能会恶化。另外，若溶剂的沸点过高，则需要增高干燥工序的温度，可能会对其它层或基板带来不良影响。
作为溶剂，可以举出例如醚类溶剂、酯类溶剂、芳香族烃类溶剂、酰胺类溶剂等。
作为醚类溶剂，可以举出例如：乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚等芳香族醚等。
作为酯类溶剂，可以举出例如乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等。
作为芳香族烃类溶剂，可以举出例如甲苯、二甲苯、环己基苯、3-异丙基联苯、1,2,3,4-四甲基苯、1,4-二异丙基苯、环己基苯、甲基萘等。
作为酰胺类溶剂，可以举出例如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等。
此外还可以使用二甲亚砜等。
这些溶剂可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例使用2种以上。
(成膜方法)
空穴注入层形成用组合物制备后，将该组合物利用湿式成膜法涂布在相当于空穴注入层3的下层的层(通常为阳极2)上进行成膜、并干燥，从而形成空穴注入层3。
为了防止在组合物中产生结晶而导致膜缺损，涂布工序中的温度优选为10℃以上、优选为50℃以下。
只要不显著损害本发明的效果，涂布工序中的相对湿度并无限定，通常为0.01ppm以上、通常为80％以下。
在涂布后，通常通过加热等对空穴注入层形成用组合物的膜进行干燥。若举出加热工序中使用的加热手段的实例，则可举出洁净烘箱、加热板、红外线、卤素加热器、微波照射等。其中，为了对膜整体均匀地加热，优选洁净烘箱和加热板。
对于加热工序中的加热温度，只要不显著损害本发明的效果，优选在空穴注入层形成用组合物中所用溶剂的沸点以上的温度进行加热。并且，在空穴注入层中所用的溶剂为包含两种以上的混合溶剂的情况下，优选在至少1种溶剂的沸点以上的温度进行加热。考虑到溶剂的沸点上升，在加热工序中，优选在120℃以上、优选在410℃以下进行加热。
在加热工序中，只要加热温度为空穴注入层形成用组合物的溶剂的沸点以上、且不会发生涂膜的充分不溶化，则加热时间并无限定，优选为10秒以上、通常为180分钟以下。加热时间若过长，则其它层的成分有发生扩散的倾向；若过短，则有空穴注入层不均匀的倾向。加热可以分2次进行。
<基于真空蒸镀法的空穴注入层3的形成>
在通过真空蒸镀来形成空穴注入层3的情况下，可将1种或2种以上的空穴注入层3的构成材料(上述空穴传输性化合物、电子接受性化合物等)投入到设于真空容器内的坩埚中(在使用2种以上材料的情况下，投入到各自的坩埚中)，用适当的真空泵将真空容器内排气到10-4Pa左右，之后对坩埚进行加热(在使用2种以上材料的情况下，对各自的坩埚进行加热)，控制蒸发量使其蒸发(在使用2种以上材料的情况下，各自独立地控制蒸发量进行蒸发)、在与坩埚相向放置的基板1的阳极2上形成空穴注入层3。需要说明的是，在使用2种以上材料的情况下，也可以将它们的混合物投入到坩埚中，进行加热、蒸发，从而形成空穴注入层3。
只要不显著损害本发明的效果，蒸镀时的真空度并无限定，通常为0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上、通常为9.0×10-6Torr(12.0×10-4Pa)以下。只要不显著损害本发明的效果，蒸镀速度并无限定，通常为/秒以上、通常为/秒以下。只要不显著损害本发明的效果，蒸镀时的成膜温度并无限定，优选在10℃以上、优选在50℃以下进行。
{空穴传输层}
对于空穴传输层4，在有空穴注入层3的情况下，可以在空穴注入层3的上面形成；在无空穴注入层3的情况下，可以在阳极2的上面形成。此外，本发明的有机电致发光元件也可以为省略空穴传输层4的构成，但如上所述，本发明的有机电致发光元件优选具有空穴传输层。
空穴传输层4的形成方法可以为真空蒸镀法、也可以为湿式成膜法，没有特别限制；从降低暗斑的方面出发，优选通过湿式成膜法形成空穴传输层4。
作为形成空穴传输层4的材料，优选为空穴传输性高、且可效率良好地传输所注入的空穴的材料。因此，该材料优选电离势小、对可见光的透明性高、空穴迁移率大、稳定性优异、在制造时或使用时不易产生会成为阱的杂质。另外，在多数情况下，由于空穴传输层4与发光层5相接，因而优选其不会使来自发光层5的发光消光、不会在与发光层5之间形成激态复合物而使效率降低。
作为这样的空穴传输层4的材料，只要是以往作为空穴传输层4的构成材料使用的材料即可，可以举出例如作为在上述空穴注入层3中使用的空穴传输性化合物而示例出的材料。并且可以举出芳胺衍生物、芴衍生物、螺环衍生物、咔唑衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲咯啉衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、噻咯衍生物、低聚噻吩衍生物、稠合多环芳香族衍生物、金属络合物等。
此外，可以举出例如聚乙烯基咔唑衍生物、聚芳胺衍生物、聚乙烯基三苯胺衍生物、聚芴衍生物、聚亚芳基衍生物、含有四苯基联苯胺的聚亚芳基醚砜衍生物、聚亚芳基亚乙烯基衍生物、聚硅氧烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)衍生物等。它们可以为交替共聚物、无规聚合物、嵌段聚合体或接枝共聚物中的任意一种。另外，也可以是在主链具有分枝并且具有3个以上末端部的高分子或所谓树状高分子。
其中优选聚芳胺衍生物、聚亚芳基衍生物。
作为聚芳胺衍生物，优选为含有下式(II)所表示的重复单元的聚合物。特别优选由下式(II)所表示的重复单元构成的聚合物，这种情况下，各重复单元中的Ara或Arb可以不同。
[化41]
(式(II)中，Ara和Arb各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基。)
作为Ara、Arb的具有或不具有取代基的芳香族烃基，可以举出例如：来自苯环、萘环、蒽环、菲环、二萘嵌苯环、并四苯环、芘环、苯并芘环、1,2-苯并菲环、苯并[9,10]菲环、苊环、荧蒽环、芴环等6元环的单环或2～5稠环的基团以及2个以上的这些环通过直接键合而连结成的基团。
作为具有或不具有取代基的芳香族杂环基，可以举出例如来自呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、甘菊环等5或6元环的单环或2～4稠环的基团以及2个以上的这些环直接键合而连结成的基团。
从溶解性、耐热性的方面考虑，优选Ara和Arb各自独立地为来自选自由苯环、萘环、蒽环、菲环、苯并[9,10]菲环、芘环、噻吩环、吡啶环、芴环组成的组中的环的基团或2个以上的苯环连结而成的基团(例如联苯基(二聚苯基)或三聚苯基(三联苯基))。
其中优选来自苯环的基团(苯基)、2个苯环连结而成的基团(联苯基)和来自芴环的基团(芴基)。
作为Ara和Arb中的芳香族烃基和芳香族杂环基可以具有的取代基，可以举出烷基、链烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、二烷氨基、二芳氨基、酰基、卤原子、卤烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃环基、芳香族杂环基等。
作为聚亚芳基衍生物，可以举出在其重复单元中具有下述基团的聚合物，所述基团为在上述式(II)中作为Ara或Arb而示例出的具有或不具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基等亚芳基。
作为聚亚芳基衍生物，优选为具有由下式(V-1)和下式(V-2)中的至少一者构成的重复单元的聚合物。
[化42]
(式(V-1)中，Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示烷基、烷氧基、苯基烷基、苯基烷氧基、苯基、苯氧基、烷基苯基、烷氧基苯基、烷基羰基、烷氧羰基、或者羧基。t和s各自独立地表示0～3的整数。t或s为2以上的情况下，一分子中所含有的2个以上的Ra或Rb可以相同也可以不同，相邻的Ra或Rb相互间可以形成环。)
[化43]
(式(V-2)中，Re和Rf各自独立地与上述式(V-1)中的Ra、Rb、Rc或Rd含义相同。r和u各自独立地表示0～3的整数。r或u为2以上的情况下，一分子中所含有的2个以上的Re和Rf可以相同也可以不同，相邻的Re或Rf相互间可以形成环。X表示构成5元环或6元环的原子或原子组。)
作为X的具体例，为-O-、-BR-、-NR-、-SiR2-、-PR-、-SR-、-CR2-或它们键合而成的基团。需要说明的是，R表示氢原子或任意的有机基团。本发明中的有机基团指的是包含至少一个碳原子的基团。
另外，作为聚亚芳基衍生物，除了具有由上述式(V-1)和上述式(V-2)中的至少一者构成的重复单元外，优选还进一步具有下式(V-3)所表示的重复单元。
[化44]
(式(V-3)中，Arc～Arj各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香族烃基或芳香族杂环基。v和w各自独立地表示0或1。)
作为Arc～Arj的具体例，与上述式(II)中的Ara和Arb相同。
上述式(V-1)～(V-3)的具体例以及聚亚芳基衍生物的具体例等可以举出日本特开2008-98619号公报所记载的物质等。
在利用湿式成膜法形成空穴传输层4的情况下，与上述空穴注入层3的形成同样地在制备空穴传输层形成用组合物后进行湿式成膜，之后进行加热干燥。
在空穴传输层形成用组合物中，除了上述的空穴传输性化合物以外，还含有溶剂。所使用的溶剂与上述空穴注入层形成用组合物中使用的溶剂相同。另外，成膜条件、加热干燥条件等也与形成空穴注入层3的情况相同。
在利用真空蒸镀法形成空穴传输层4的情况下，其成膜条件等也与形成上述空穴注入层3的情况相同。
空穴传输层4除了上述空穴传输性化合物以外还可以含有各种发光材料、电子传输性化合物、粘结剂树脂、涂布性改良剂等。
空穴传输层4也可以为将交联性化合物交联而形成的层。交联性化合物为具有交联性基团的化合物，其通过交联形成网状高分子化合物。
若举出该交联性基团的实例，则可以举出：来自氧杂环丁烷、环氧等环状醚的基团；乙烯基、三氟乙烯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、肉桂酰基等来自不饱和双键的基团；来自苯并环丁烯的基团等。
交联性化合物可以是单体、低聚物、聚合物中的任意一种。交联性化合物可以仅具有1种，也可以以任意的组合和比例具有2种以上。
作为交联性化合物，优选使用具有交联性基团的空穴传输性化合物。作为空穴传输性化合物，可以举出上述示例的物质等；可以举出交联性基团相对于这些空穴传输性化合物键合在主链或侧链上而成的物质。特别优选交联性基团藉由亚烷基等连接基团而键合在主链上。此外，特别是作为空穴传输性化合物，优选为包含具有交联性基团的重复单元的聚合物；优选为具有下述重复单元的聚合物，该重复单元为交联性基团直接或藉由连接基团键合在上述式(II)或式(V-1)～(V-3)上而成的重复单元。
作为交联性化合物，优选使用具有交联性基团的空穴传输性化合物。若举出空穴传输性化合物的实例，则可以举出：吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲咯啉衍生物、咔唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等含氮芳香族化合物衍生物；三苯胺衍生物；噻咯衍生物；低聚噻吩衍生物、稠合多环芳香族衍生物、金属络合物等。其中优选吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲咯啉衍生物、咔唑衍生物等含氮芳香族衍生物；三苯胺衍生物、噻咯衍生物、稠合多环芳香族衍生物、金属络合物等，进而特别优选三苯胺衍生物。
为了将交联性化合物交联来形成空穴传输层4，通常将交联性化合物溶解或分散在溶剂中制备空穴传输层形成用组合物，通过湿式成膜使其成膜并进行交联。
在空穴传输层形成用组合物中，除了交联性化合物之外，还可以含有促进交联反应的添加物。若举出促进交联反应的添加物的示例，则可以举出：烷基苯酮化合物、酰基氧化膦化合物、茂金属化合物、肟酯化合物、偶氮化合物、鎓盐等聚合引发剂和聚合促进剂；稠合多环烃、卟啉化合物、二芳基酮化合物等光敏剂；等等。
此外还可以进一步含有流平剂、消泡剂等涂布性改良剂；电子接受性化合物；粘结剂树脂；等等。
空穴传输层形成用组合物中所含有的交联性化合物通常为0.01重量％以上、优选为0.05重量％以上、进一步优选为0.1重量％以上，通常为50重量％以下、优选为20重量％以下、进一步优选为10重量％以下。
将以这样的浓度含有交联性化合物的空穴传输层形成用组合物成膜在下层(通常为空穴注入层3)上之后，通过加热和光等至少一种活性能量的照射使交联性化合物发生交联，形成网状高分子化合物。
成膜时的温度、湿度等条件与上述空穴注入层的湿式成膜时相同。
成膜后的加热方法没有特别限定。作为加热温度条件，通常为120℃以上、优选为400℃以下。
作为加热时间通常为1分种以上、优选为24小时以下。作为加热手段没有特别限定，可以使用将具有成膜后的层的层积体载置于加热板上或在烘箱内进行加热等手段。例如可以使用在加热板上以120℃以上加热1分钟以上等的条件。
在利用光等活性能量照射的情况下，可以举出下述方法：直接使用超高压水银灯、高压水银灯、卤素灯、红外灯等紫外·可见·红外光源进行照射的方法；或者使用内置有上述光源的掩模对准器、输送机型光照射装置进行照射的方法等。对于光以外的活性能量照射，可以举出使用例如照射由磁控管产生的微波的装置、使用所谓微波炉进行照射的方法。作为照射时间，优选设定成为了降低膜的溶解性所必要的条件，通常照射0.1秒以上、优选照射10小时以下。
加热和光等活性能量照射可以分别单独、或者组合进行。组合的情况下，实施的顺序没有特别限定。
如此形成的空穴传输层4的膜厚通常为5nm以上、优选为10nm以上，并且通常为300nm以下、优选为100nm以下。
{发光层}
在空穴注入层3的上面、或者在设有空穴传输层4的情况下在空穴传输层4的上面设置发光层5。发光层5为下述层：在施加电场的电极之间通过从阳极2注入的空穴与从阴极9注入的电子的再结合而被激发，成为主要的发光源。
关于该发光层5，适用上述[发光层]的说明。
{空穴缓和层}
尽管在图1中未示出，但本发明的有机电致发光元件可以具有空穴缓和层。
空穴缓和层为与发光层的阴极侧相邻形成的层，其为发挥出缓和空穴在发光层与空穴缓和层界面的蓄积的功能的层。此外还具有将电子向发光层的方向有效传输的作用。
需要说明的是，空穴缓和层可以在上述涂布发光层与蒸镀发光层之间形成。
空穴缓和层的电离势通常为5.5eV以上、优选为5.6eV以上、更优选为5.7eV以上，并且通常为6.7eV以下、优选为6.4eV以下、更优选为6.0eV以下。该电离势的值过大或过小均可能使空穴留在发光层与空穴缓和层的界面处。
只要不显著损害本发明的效果，空穴缓和层的膜厚为任意的，但优选为0.3nm以上、更优选为0.5nm以上，优选为100nm以下、更优选为50nm以下。空穴缓和层的膜厚若过薄，则有薄膜发生缺陷的可能性；若过厚，则有驱动电压增高的可能性。
空穴缓和层优选通过真空蒸镀法形成，作为真空蒸镀法，可以举出上述的方法。
在空穴缓和层的阴极侧通常相邻地形成电子传输层，只要不显著损害本发明的效果，空穴缓和层与电子传输层的电离势之差为任意的，但通常小于0.5eV、优选小于0.3eV、更优选小于0.2eV。电离势的差若过大，则空穴滞留在空穴缓和层内，可能成为劣化的原因。
本发明中，在空穴缓和层中使用具有空穴传输性的单元与电子传输性的单元的有机化合物作为空穴缓和材料。此处，空穴传输性的单元(空穴传输单元)是指对空穴的耐久性优异、具有空穴传输特性的结构(单元)。
另外，电子传输性的单元(电子传输单元)是指对电子的耐久性优异、具有电子传输特性的结构(单元)。
本发明中，空穴缓和材料的空穴迁移率μH利用下述电荷迁移率的测定方法测定通常为1×10-6cm-2/V·s以上、优选为1×10-4cm-2/V·s以上、更优选为1×10-3cm-2/V·s以上。
由于空穴迁移率越快，制成元件的情况下的驱动电压越能够降低，因而并无特别上限值，但通常为1×10-1cm-2/V·s以下。
此外，空穴缓和材料的电子迁移率μE利用下述电荷迁移率的测定方法测定通常为1×10-6cm-2/V·s以上、优选为1×10-5cm-2/V·s以上、更优选为1×10-4cm-2/V·s以上。
由于电子迁移率越快，制成元件的情况下的驱动电压越能够降低，因而并无特别上限值，但通常为1×10-1cm-2/V·s以下。
为上述范围内时，电荷在层内的滞留时间短，不易由于空穴或电子而使层劣化，因而优选。
此外，空穴缓和材料的电子迁移率与空穴迁移率的比例(μE/μH)通常为100～0.1、优选为50～0.5、更优选为10～0.5的范围。
该比例(μE/μH)为上述范围内时，空穴或电子不易从发光层流入到其它层中，因而不易由于空穴或电子而使元件发生劣化，所得到的元件的驱动寿命长，从这方面考虑为优选的。
本发明中使用的空穴缓和材料为具有将1个以上空穴传输单元与1个以上电子传输单元以任意比例组合而成的结构的有机化合物。
本发明中的空穴传输单元是指对空穴的耐久性优异、具有空穴传输性的结构(单元)。更具体地说，其为具有容易地从发光层取出空穴的电离势、并且对空穴稳定的单元。
对于容易地从发光层取出空穴的电离势，通常为5.4eV～6.3eV、优选为5.5eV～6.2eV、更优选为5.6eV～6.1eV。
此外，对空穴稳定是指空穴传输单元即使为自由基状态也不易分解。这是指，自由基阳离子发生非局域化，从而即使为自由基状态也会稳定化。
作为具有上述这样性能的单元的结构，可以举出包含具有sp3轨道的杂原子的结构或碳原子数为4n系的芳香族稠环。
更具体地说，可以举出咔唑环、酞菁环、萘酞菁结构、卟啉结构、三芳胺结构、三芳基膦结构、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、芘环、苯二胺结构、吡咯环、联苯胺结构、苯胺结构、二芳胺结构、咪唑啉酮结构、吡唑环等。
其中优选咔唑环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、芘环、三芳胺结构，更优选咔唑环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、芘环，特别优选咔唑环、芘环，最优选咔唑环。
本发明中的电子传输单元为对电子的耐久性优异、具有电子传输特性的结构(单元)。更具体地说，为电子容易进入到单元中、并且容易将进入的电子稳定化的单元。例如吡啶环等由于氮原子的缘故，环稍微为缺电子，容易接受电子，进入到环中的电子发生非局域化，从而在吡啶环上稳定化。
作为具有上述这样性能的单元的结构，可以举出包含含有sp2杂化轨道的杂原子的单环或稠环。
更具体地说，可以举出喹啉环、喹唑啉环、喹喔啉环、菲咯啉环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、噻二唑环、苯并噻二唑环、羟基喹啉金属络合物、菲咯啉金属络合物、六氮杂苯并[9,10]菲结构、四氰基苯并喹啉结构等。
其中优选可以举出喹啉环、喹唑啉环、喹喔啉环、菲咯啉环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环；其中，从电气稳定性优异的方面考虑，特别优选喹啉环、喹唑啉环、吡啶环、嘧啶环、三嗪环、1,10-菲咯啉环。
需要说明的是，上述电子传输单元为含有氮原子的6元环的单环或稠环的情况下，优选氮原子的邻位和对位全部被芳香环所取代。
这是由于，含有氮原子的6元环的邻位和对位为活性部位，通过将此处用芳香环基团取代，电子发生非局域化，因此，其利用电子而呈稳定化。
即，本发明中的空穴缓和材料对电氧化还原的耐久性优异。
需要说明的是，上述电子传输单元为稠环的情况下，在氮原子的邻位和对位之中，未形成稠环的一部分的部位被芳香环基团所取代即可。
作为空穴缓和材料，更优选为具有下述(a)组(空穴传输单元)所举出的环的衍生物与下述(b)组(电子传输单元)所举出的环的衍生物的组合的有机化合物。
[化45]
(其中，上述(b)组所含有的环均在氮原子的邻位和对位被芳香环所取代。)
对上述(b)组中的将相对于氮原子为同一环状的2,4,6位碳原子上的氢原子取代了的芳香环基团没有特别限制。即，其可以为芳香族烃基、也可以为芳香族杂环基，从对电氧化具有优异耐久性的方面考虑，优选为芳香族烃基。
作为空穴缓和材料，可以举出例如具有下述通式(1)所表示的结构的化合物。
[化46]
(通式(1)中，A各自独立地表示碳原子数为1～30的空穴传输单元，B各自独立地表示碳原子数为1～30的电子传输单元，Q表示碳原子数为1～10的亚烷基、碳原子数为2～10的亚链烯基、或碳原子数为6～30的2价芳香族烃基，它们可以带有取代基。n和m表示1～4的整数，l表示0～3的整数。通式(1)中，l、m、n为2以上的情况下，所含有的多个Q、A、B分别可以相同、也可以不同。)
作为空穴传输单元A和电子传输单元B，可以举出上述物质。具体例以及优选方式也相同。
式(1)中，Q表示碳原子数为1～10的亚烷基、碳原子数为2～10的亚链烯基或碳原子数为6～30的2价芳香族烃基。
作为碳原子数为1～10的亚烷基，优选碳原子数为1～8的亚烷基；作为其具体例，可以举出亚甲基、1,2-亚乙基、1,3-亚丙基、1,4-亚丁基、1,5-亚戊基、1,8-亚辛基等，从合成简便的方面考虑，优选亚甲基、1,2-亚乙基。
此外，作为碳原子数为2～10的亚链烯基，优选碳原子数为2～6的亚链烯基；作为其具体例，可以举出1,2-亚乙烯基、1,3-亚丙烯基、1,2-亚丙烯基、1,4-亚丁烯基等，进一步地，出于通过提高分子的平面性而使共轭面变宽、使电荷进一步非局域化而提高化合物稳定性的方面考虑，优选1,2-亚乙烯基。
此外，作为碳原子数为6～30的2价芳香族烃基，可以举出单环和2～5稠环、或它们2个以上连结而成的2价基团。此处，从环的稳定性高的方面考虑，该2个以上通常为2～8个、优选为2～5个。
作为该2价芳香族烃基的具体例，可以举出来自苯环、萘环、菲环、蒽环、苯并[9,10]菲环、1,2-苯并菲环、并四苯环、二萘嵌苯环、六苯并苯环等的2价芳香族烃基；从环的稳定性高的方面考虑，优选来自苯环、萘环、蒽环、苯并[9,10]菲环的2价基团。
空穴缓和材料的分子量通常为10000以下、优选为5000以下、更优选为4000以下、进一步优选为3000以下，并且通常为100以上、优选为200以上、更优选为300以上、进一步优选为400以上的范围。
{空穴阻止层}
在发光层5与后述的电子注入层8之间可以设有空穴阻止层6。空穴阻止层6为按照与发光层5的阴极9侧的界面相接的方式层积在发光层5的上面的层。即，也可以不设置上述空穴缓和层而设置空穴阻止层6。
该空穴阻止层6具有如下作用：阻止从阳极2迁移来的空穴到达阴极9的作用；以及将从阴极9注入的电子有效地向发光层5的方向传输的作用。
作为构成空穴阻止层6的材料所要求的物性，可以举出电子迁移率高且空穴迁移率低、能隙(HOMO、LUMO之差)大、激发三重态能级(T1)高。作为满足这样的条件的空穴阻止层6的材料，可以举出例如：双(2-甲基-8-羟基喹啉络)(苯酚络)铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉络)(三苯基硅氧络)铝等混合配位体络合物；双(2-甲基-8-喹啉络)铝-μ-氧-双-(2-甲基-8-羟基喹啉)铝双核金属络合物等金属络合物；二苯乙烯基联苯衍生物等苯乙烯基化合物(日本特开平11-242996号公报)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑等三唑衍生物(日本特开平7-41759号公报)；浴铜灵等菲咯啉衍生物(日本特开平10-79297号公报)等。此外，国际公开第2005-022962号中记载的至少具有1个2,4,6位被取代的吡啶环的化合物也优选作为空穴阻止层6的材料。
需要说明的是，空穴阻止层6的材料可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
空穴阻止层6的形成方法并无限制。因而，其可利用湿式成膜法、蒸镀法或其它方法来形成。
只要不显著损害本发明的效果，空穴阻止层6的膜厚为任意的，但通常为0.3nm以上、优选为0.5nm以上，并且通常100nm以下、优选为50nm以下。
{电子传输层}
在发光层5与后述的电子注入层8之间可以设有电子传输层7。
电子传输层7是出于进一步提高元件的发光效率的目的而设置的，其由下述化合物形成，该化合物可在提供电场的电极间将由阴极9注入的电子有效地向发光层5的方向传输。
作为电子传输层7中所用的电子传输性化合物，通常使用下述化合物，该化合物由阴极9或由电子注入层8进行的电子注入效率高，且具有高电子迁移率、能够有效地对注入的电子进行传输。作为满足这样的条件的化合物，可以举出例如：8-羟基喹啉的铝络合物等金属络合物(日本特开昭59-194393号公报)、10-羟基苯并[h]喹啉的金属络合物、噁二唑衍生物、二苯乙烯基联苯衍生物、噻咯衍生物、3-羟基黄酮金属络合物、5-羟基黄酮金属络合物、苯并噁唑金属络合物、苯并噻唑金属络合物、三苯并咪唑基苯(美国专利第5645948号说明书)、喹喔啉化合物(日本特开平6-207169号公报)、菲咯啉衍生物(日本特开平5-331459号公报)、2-叔丁基-9,10-N,N’-二氰基蒽醌二亚胺、n型氢化非晶态碳化硅、n型硫化锌、n型硒化锌等。
需要说明的是，电子传输层7的材料可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
电子传输层7的形成方法并无限制。因而，可利用湿式成膜法、蒸镀法或其它方法来形成。
只要不显著损害本发明的效果，电子传输层7的膜厚为任意的，但通常为1nm以上、优选为5nm以上，并且通常为300nm以下、优选为100nm以下的范围。
{电子注入层}
电子注入层8发挥出将由阴极9注入的电子有效地注入到发光层5中的作用。为了有效地进行电子注入，形成电子注入层8的材料优选为功函低的金属。作为示例，可使用钠或铯等碱金属、钡或钙等碱土金属等，其膜厚通常为0.1nm以上、优选为5nm以下。
进一步地，通过在以红菲绕啉等含氮杂环化合物或8-羟基喹啉的铝络合物等金属络合物为代表的有机电子传输化合物中掺杂钠、钾、铯、锂、铷等碱金属(记载于日本特开平10-270171号公报、日本特开2002-100478号公报、日本特开2002-100482号公报等中)，能够在提高电子注入·传输性的同时兼具优异的膜质，因而优选这种情况。这种情况下的膜厚通常为5nm以上、其中优选为10nm以上；并且通常为200nm以下、其中优选为100nm以下。
需要说明的是，电子注入层8的材料可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
电子注入层8的形成方法并无限制。从而能够利用湿式成膜法、蒸镀法或其它方法来形成。
{阴极}
阴极9发挥出将电子注入到发光层5侧的层(电子注入层8或发光层5等)的作用。
作为阴极9的材料，可以使用上述阳极2中所使用的材料；为了有效地进行电子注入，优选功函低的金属，例如可使用锡、镁、铟、钙、铝、银等适当的金属或它们的合金。作为具体例，可以举出镁-银合金、镁-铟合金、铝-锂合金等低功函合金电极。
需要说明的是，阴极9的材料可以仅使用1种，也可以以任意组合和比例合用2种以上。
阴极9的膜厚通常与阳极2相同。
进一步地，出于对由低功函金属构成的阴极9进行保护的目的，在其上进一步层积功函高且对大气稳定的金属层时，元件的稳定性会增加，因而优选层积该金属层。为了该目的，可使用例如铝、银、铜、镍、铬、金、铂等金属。需要说明的是，这些材料可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
{其它层}
在不脱离其宗旨的范围内，本发明的有机电致发光元件也可以具有其它构成。例如，只要不损害其性能，在阳极2与阴极9之间也可以具有除上述说明的层以外的任意层，并且也可省略任意层。
作为除了上述说明的层以外还可以具有的层，可以举出例如电子阻止层。
电子阻止层设置在空穴注入层3或空穴传输层4与发光层5之间，阻止从发光层5迁移来的电子到达空穴注入层3，从而增大了发光层5内空穴与电子的再结合概率，具有将所生成的激子限制在发光层5内的作用、以及将由空穴注入层3注入的空穴有效地在发光层5的方向进行传输的作用。特别是在使用磷光材料或蓝色发光材料作为发光材料的情况下，设置电子阻止层是有效的。
作为电子阻止层所要求的特性，可以举出空穴传输性高、能隙(HOMO、LUMO之差)大、激发三重态能级(T1)高等。此外，在本发明中，在通过湿式成膜法来制作发光层5作为本发明的有机层的情况下，对于电子阻止层也要求湿式成膜的适宜性。作为这样的电子阻止层中所用的材料，可以举出以F8-TFB为代表的二辛基芴与三苯胺的共聚物(国际公开第2004/084260号)等。
需要说明的是，电子阻止层的材料可以仅使用1种，也可以以任意的组合和比例合用2种以上。
电子阻止层的形成方法并无限制。从而，可利用湿式成膜法、蒸镀法或其它方法来形成。
进一步地，在阴极9与发光层5或电子传输层7的界面处插入由例如氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氧化锂(Li2O)、碳酸铯(II)(CsCO3)等形成的极薄绝缘膜(0.1～5nm)也是提高元件效率的有效方法(参照Applied Physics Letters,1997年,Vol.70,pp.152；日本特开平10-74586号公报；IEEE Transactions on Electron Devices,1997年,Vol.44,pp.1245；SID04Digest,pp.154等)。
另外，在以上说明的层构成中，也可以以相反顺序进行基板以外的构成要件的层积。例如，在为图1的层构成时，在基板1上可以依阴极9、电子注入层8、电子传输层7、空穴阻止层6或空穴缓和层、发光层5、空穴传输层4、空穴注入层3、阳极2的顺序设置其它构成要件。
进而，也可以通过在至少一方具有透明性的2片基板之间层积基板以外的构成要件来构成本发明的有机电致发光元件。
此外，还可以形成将除基板以外的构成要件(发光单元)多段重叠而成的结构(层积多个发光单元而成的结构)。在该情况下，若设置例如由五氧化钒(V2O5)等形成的电荷产生层(Carrier Generation Layer：CGL)来代替各段间(发光单元间)的界面层(阳极为ITO、阴极为Al的情况下为这2层)，则段间的势垒减少，从发光效率·驱动电压的方面考虑是更为优选的。
进一步地，本发明的有机电致发光元件可以构成为单一的有机电致发光元件，也可以适用于2个以上的有机电致发光元件配置成阵列状的构成，还可以适用于阳极与阴极配置成X-Y矩阵状的构成。
并且，只要不显著损害本发明的效果，上述各层中还可以包含所说明的成分以外的成分作为材料。
《有机EL显示装置》
本发明的有机EL显示装置使用上述本发明的有机电致发光元件。对于本发明有机EL显示装置的型号、结构并无特别限制，可以使用本发明的有机电致发光元件按照常规方法进行组装。
例如，可以利用“有机EL显示器”(Ohmsha、平成16年8月20日发行、时任静士、安达千波矢、村田英幸著)中记载的方法来形成本发明的有机EL显示装置。
《有机EL照明》
本发明的有机EL照明使用上述本发明的有机电致发光元件。对于本发明的有机EL照明的型号、结构并无特别限制，可以使用本发明的有机电致发光元件按照常规方法进行组装。
实施例
下面通过实施例对本发明进行更具体的说明，但只要不超出其要点，本发明并不限定于以下实施例的记载。
需要说明的是，下述实施例和比较例中使用的发光材料的极大发光波长如下求得：对于各材料，制备1.0×10-5M至1.0×10-6M程度的甲苯(难溶的情况下为二氯甲烷)溶液，使用该溶液，利用(株)日立制作所制造的分光光度计“F4500”进行发光光谱测定，求得该极大发光波长。下述表1中示出了各发光材料的极大发光波长。
[表1]
发光材料 极大发光波长(nm)
GD-1 515
GD-2 518
RD-1 616
RD-2 596
RD-3 629
BD-1 461
BD-2 456
BD-3 459
[实施例1]
除了省略空穴阻止层6以外，制造图1所示构成的有机电致发光元件。
<阳极>
在玻璃基板上以厚度150nm进行铟·锡氧化物(ITO)透明导电膜的成膜，将成膜品(溅射成膜品、表面电阻15Ω)利用通常的照相平版印刷术技术以2mm宽度的条纹进行图案化，形成阳极2。对于形成有阳极2的基板1，依次进行利用丙酮的超声波清洗、利用纯水的水洗、利用异丙醇的超声波清洗，清洗后利用氮气流进行干燥，最后进行紫外线臭氧清洗等处理。
<空穴注入层>
接下来，如下利用湿式成膜法形成空穴注入层3。
作为空穴注入层形成用组合物，将具有下式(P1)的重复结构的空穴传输性高分子化合物2重量％与作为氧化剂的4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐0.8重量％溶解在苯甲酸乙酯中，制备组合物，将该组合物旋涂在上述ITO基板上进行成膜。
[化47]
作为旋涂条件，以旋涂器转速500rpm、旋涂器旋转时间2秒以及旋涂器转速1500rpm、旋涂器旋转时间30秒这2个阶段来进行。干燥通过利用230℃的洁净烘箱加热1小时来进行，形成膜厚为40nm的空穴注入层3。
<空穴传输层>
接下来，在所形成的空穴注入层3上如下形成空穴传输层4。
作为交联性化合物，制备含有如下所示重复结构的高分子化合物(HT-1)(重均分子量：45000)和作为溶剂的环己基苯的空穴传输层形成用组合物。在该空穴传输层形成用组合物中，该高分子化合物(HT-1)的浓度为1.0重量％。
[化48]
将该空穴传输层形成用组合物以旋涂器转速500rpm、旋涂器旋转时间2秒以及旋涂器转速1500rpm、旋涂器旋转时间120秒这2个阶段旋涂在空穴注入层3上。其后在230℃下加热60分钟，使该高分子化合物(HT-1)发生交联反应、进行固化。
通过以上的操作，形成膜厚为10nm的均匀的空穴传输层4的薄膜。
<涂布发光层>
接下来，在所形成的空穴传输层4上如下形成涂布发光层。
将如下所示的化合物(GH-1)、(GH-2)、(GD-1)和(RD-1)以25：75：10：0.7的重量比混合，将该混合物1.7重量％溶解在环己基苯中制备组合物，在氮气气氛下通过旋涂将该组合物在上述空穴传输层4上成膜。
[化49]
作为旋涂条件，以旋涂器转速500rpm、旋涂器旋转时间2秒以及旋涂器转速1500rpm、旋涂器旋转时间120秒这2个阶段进行。其后在130℃进行1小时干燥，从而形成膜厚为20nm的涂布发光层。
需要说明的是，上述化合物(GD-1)为在515nm具有极大发光波长的绿色磷光发光材料，上述化合物(RD-1)为在616nm具有极大发光波长的红色磷光发光材料。
<蒸镀发光层>
接下来，通过真空蒸镀法在所形成的涂布发光层上形成蒸镀发光层。
将如下所示的化合物(BH-1)与(BD-1)按100：5的重量比通过真空蒸镀法进行蒸镀来成膜，从而形成膜厚为30nm的蒸镀发光层。
[化50]
需要说明的是，上述化合物(BD-1)为在461nm具有极大发光波长的蓝色荧光发光材料。
<电子传输层>
接下来通过真空蒸镀法在所形成的蒸镀发光层上以膜厚20nm形成如下所示的化合物(ET-1)作为电子传输层7。
[化51]
<电子注入层·阴极>
此处，将进行蒸镀至电子传输层7为止的元件暂且由上述真空蒸镀装置内取出到大气中，将与作为阳极2的ITO条纹呈正交的形状的2mm宽的条纹状荫罩作为阴极蒸镀用掩模与元件密合，设置在另外的真空蒸镀装置内，利用与电子传输层7同样的真空蒸镀法分别以膜厚0.5nm层积作为电子注入层8的氟化锂(LiF)、接下来以膜厚80.0nm层积作为阴极9的铝。
<密封>
接着，为了防止元件在保存中由于大气中的水分等而劣化，按以下所记载的方法进行密封处理。
在与真空蒸镀装置连结的氮气手套箱中，在23mm×23mm尺寸玻璃板的外周部以约1mm的宽度涂布光固化性树脂，在中央部设置吸水片材。在其上按照进行了蒸镀的面与干燥剂片材相向的方式贴合结束了阴极形成的基板。其后，仅对涂布有光固化性树脂的区域照射紫外光，使树脂固化。由此得到具有2mm×2mm尺寸的发光面积部分的有机电致发光元件。
[比较例1]
除了如下所述将发光层变更为仅由2层蒸镀发光层构成之外，与实施例1同样地制备元件。
由于受到蒸镀装置的制约仅能进行3元蒸镀，因而将作为发光层材料的上述化合物(GH-2)、(GD-1)和(RD-1)以100：10：0.7的重量比通过真空蒸镀法进行蒸镀来成膜，在空穴传输层4上形成膜厚为40nm的蒸镀发光层。
接下来，将上述化合物(BH-1)与(BD-1)以100：5的重量比通过真空蒸镀法进行蒸镀来成膜，层积形成膜厚为20nm的蒸镀发光层。
[实施例2]
在实施例1中，作为涂布发光层的形成中使用的材料，使用如下所示的化合物(GH-3)、(GH-4)与上述化合物(GD-1)和(RD-1)，将其混合比例变更为(GH-3)：(GH-4)：(GD-1)：(RD-1)＝25：75：7：1.5的比例(重量比)，除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。
[化52]
[实施例3]
在实施例1中，作为涂布发光层的形成中使用的材料，使用如下所示的化合物(GH-5)与上述化合物(GH-4)、(GD-1)、以及如下所示的化合物(RD-2)，使其混合比例为(GH-5)：(GH-4)：(GD-1)：(RD-2)＝25：75：10：1的比例(重量比)，将该混合物2.5重量％溶解在环己基苯中制备组合物，在氮气气氛下将该组合物旋涂在上述空穴传输层上进行成膜，形成膜厚为30nm的涂布发光层；除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。
[化53]
需要说明的是，上述化合物(RD-2)为在596nm具有极大发光波长的红色磷光发光材料。
[实施例4]
在实施例2中，将蒸镀发光层中使用的发光材料的化合物(BD-1)变更为如下所示的化合物(BD-2)，除此以外，与实施例2同样地制作有机电致发光元件。
[化54]
需要说明的是，上述化合物(BD-2)为在456nm具有极大发光波长的蓝色荧光发光材料。
[实施例5]
在实施例1中，使涂布发光层中使用的材料为如下所示的化合物(GH-6)、(GH-7)、(GD-2)和(RD-3)，将其混合比例变更为(GH-6)：(GH-7)：(GD-2)：(RD-3)＝25：75：10：0.7的比例(重量比)并同样地形成涂布发光层，其后与实施例1同样地形成蒸镀发光层，进一步使用上述化合物(GH-1)通过真空蒸镀法在其上形成膜厚为5nm的空穴缓和层；除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。
[化55]
需要说明的是，上述化合物(GD-2)为在518nm具有极大发光波长的绿色磷光发光材料，化合物(RD-3)为在629nm具有极大发光波长的红色磷光发光材料。
[实施例6]
在实施例1中，将空穴传输层中使用的高分子化合物(HT-1)变更为如下所示重复结构的高分子化合物(HT-2)(重均分子量：68000)，将蒸镀发光层中所用的化合物(BH-1)变更为如下所示的化合物(BH-2)，同样地形成蒸镀发光层，之后通过真空蒸镀法使用上述化合物(GH-1)在其上形成膜厚为10nm的空穴缓和层；除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。
[化56]
[实施例7]
在实施例2中，进一步使用上述化合物(BH-2)通过真空蒸镀法在涂布发光层上形成膜厚为5nm的中间层，除此以外，与实施例2同样地制作有机电致发光元件。
[比较例2]
在实施例1中，将蒸镀发光层中所用的材料变更为如下所示的化合物(BH-3)与(BD-3)，通过真空蒸镀法以(BH-3)：(BD-3)＝100：5的重量比进行真空蒸镀；除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。
[化57]
需要说明的是，上述化合物(BD-3)为在459nm具有极大发光波长的蓝色磷光发光材料。
[比较例3]
在比较例2中，不形成空穴传输层而在空穴注入层上直接层积涂布发光层，除此以外，与比较例2同样地制作元件。
[比较例4]
在实施例1中，使涂布发光层的形成中使用的材料为聚乙烯基咔唑(PVK。重均分子量：440000)与上述化合物(GD-1)和(RD-1)，以PVK：(GD-1)：(RD-1)＝100：10：0.7的比例(重量比)进行混合，将所得到的混合物以浓度0.35重量％溶解在甲苯：苯甲醚的1：1(体积比)混合溶剂中，使用所得到的组合物；除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。需要说明的是，该PVK为高分子电荷传输性材料。
[实施例8]
在实施例1中，作为涂布发光层的形成中使用的材料，使用上述的化合物(GH-2)、(GD-1)和(RD-1)，以(GH-2)：(GD-1)：(RD-1)＝100：10：0.7的比例(重量比)进行混合，将该混合物3.3重量％溶解在环己基苯中，制备组合物；在氮气气氛下通过旋涂将该组合物成膜在上述空穴传输层上，形成膜厚为40nm的涂布发光层；使蒸镀发光层的膜厚为20nm；除此以外，与实施例1同样地制作有机电致发光元件。
[元件的评价]
使用分光器USB4000(Oceanoptics社制造)对实施例1～8和比较例1～4中得到的元件的发光光谱进行测定，研究极大发光波长。另外测定施加8V作为驱动电压时的CIE色度。结果示于表2、3。
另外，在实施例1～8和比较例1～4中得到的各元件中流经10mA/cm2电流密度的电流，测定此时的驱动电压与电力发光效率。进一步流经250mA/cm2电流密度的电流，测定在通电32秒后相对于初期亮度的相对亮度，进行耐久性评价。结果示于表2、3。
由以上结果可知，本发明的有机电致发光元件为在低电压下可高效率地进行白色发光、并且耐久性高的元件。
尽管参照特定的实施方式详细地对本发明进行了说明，但对于本领域技术人员来说，已知能够不脱离本发明的精神和范围进行各种变更和修正。本申请基于2012年1月17日提交的日本专利申请(日本特愿2012-007131)，以参考的形式将其内容引入本说明书。
符号说明
1 基板
2 阳极
3 空穴注入层
4 空穴传输层
5 发光层
6 空穴阻止层
7 电子传输层
8 电子注入层
9 阴极
10 有机电致发光元件

Claims (16)

1.一种有机电致发光元件，其为包含阳极和阴极、以及在该阳极与该阴极之间形成的发光层的有机电致发光元件，该有机电致发光元件在该阳极与该发光层之间包含由空穴传输性材料构成的空穴传输层，其中，
该发光层由含有各不相同的发光材料的2层以上构成，
该发光层自阳极侧起依序包含利用湿式成膜法形成的层和利用真空蒸镀法形成的层，
该利用湿式成膜法形成的层为含有磷光发光材料与电荷传输材料的层，其中所述磷光发光材料与所述电荷传输材料为低分子化合物，该利用湿式成膜法形成的层的膜厚处于2nm～100nm的范围，
该利用真空蒸镀法形成的层为含有荧光发光材料与电荷传输材料的层，其中所述荧光发光材料与所述电荷传输材料为低分子化合物，
该荧光发光材料为下式(B)所表示的物质，
式(B)中，Ar25为取代或无取代的萘基、蒽基、菲基、芘基、屈基、晕苯基、联苯基、三联苯基、二苯基蒽基、咔唑基、苯并喹啉基、荧蒽基、苊并荧蒽基或均二苯代乙烯基，Ar26和Ar27各自独立地为取代或无取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、屈基、晕苯基、联苯基、三联苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、荧蒽基、苊并荧蒽基或均二苯代乙烯基，
另外，Ar25、Ar26和Ar27具有取代基的情况下，取代基是选自碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、核原子数为5～40的芳基、被核原子数为5～40的芳基取代的氨基、具有核原子数为5～40的芳基的酯基、具有碳原子数为1～6的烷基的酯基、氰基、硝基、卤原子的组中的至少一种，
q为1～4的整数；
该磷光发光材料为下式(III)所表示的化合物，
ML(q-j)L′j (III)
式(III)中，M表示金属，q表示所述金属的价数，L和L′表示二齿配位体，并且，L和/或L′表示2-芳基吡啶系配位体，j表示0、1或2的数；
该空穴传输性材料为具有交联性基团的聚芳胺衍生物和/或具有交联性基团的聚亚芳基衍生物。
2.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，该磷光发光材料为选自下式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)所表示的化合物中的一种以上的物质，
式(IIIa)中，M4表示钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂或金，w表示金属M4的价数，环A1表示具有或不具有取代基的苯基、联苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基或咔唑基，环A2表示具有或不具有取代基的吡啶基；
环A1和环A2可以具有的取代基为选自卤原子、烷基、链烯基、烷氧羰基、烷氧基、芳氧基、二烷基氨基、二芳氨基、咔唑基、酰基、卤烷基、氰基中的至少一种，该取代基相互连结形成环或不形成环；
式(IIIb)中，M5表示钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂或金，w表示金属M5的价数，环A1表示具有或不具有取代基的苯基、联苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基或咔唑基，环A2表示具有或不具有取代基的吡啶基；
环A1和环A2可以具有的取代基为选自卤原子、烷基、链烯基、烷氧羰基、烷氧基、芳氧基、二烷基氨基、二芳氨基、咔唑基、酰基、卤烷基、氰基中的至少一种，该取代基相互连结形成环或不形成环；
式(IIIc)中，M6表示钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂或金，w表示金属M6的价数，j表示0、1或2，环A1和环A1′各自独立地表示具有或不具有取代基的苯基、联苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基或咔唑基，环A2表示具有或不具有取代基的吡啶基，环A2′表示具有或不具有取代基的吡啶基、嘧啶基、吡唑基、三嗪基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基或菲啶基；
环A1、环A1′、环A2和环A2′可以具有的取代基为选自卤原子、烷基、链烯基、烷氧羰基、烷氧基、芳氧基、二烷基氨基、二芳氨基、咔唑基、酰基、卤烷基、氰基中的至少一种，该取代基相互连结形成环或不形成环。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光元件，其中，聚芳胺衍生物为含有下式(II)所表示的重复单元的聚合物，
式(II)中，Ara和Arb各自独立地表示来自选自由苯环、萘环、蒽环、菲环、苯并[9,10]菲环、芘环、噻吩环、吡啶环、芴环组成的组中的环的基团或2个以上的苯环连结而成的基团；另外，这些环具有或不具有烷基、链烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、二烷氨基、二芳氨基、酰基、卤原子、卤烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃环基或芳香族杂环基作为取代基。
4.如权利要求3所述的有机电致发光元件，其中，所述式(II)中，Ara和Arb为来自苯环的基团或来自芴环的基团。
5.如权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，聚亚芳基衍生物为具有由下式(V-1)和/或下式(V-2)构成的重复单元的聚合物，
式(V-1)中，Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示烷基、烷氧基、苯基烷基、苯基烷氧基、苯基、苯氧基、烷基苯基、烷氧基苯基、烷基羰基、烷氧羰基、或者羧基；t和s各自独立地表示0～3的整数；t或s为2以上的情况下，一分子中所含有的2个以上的Ra或Rb可以相同也可以不同，相邻的Ra或Rb相互间形成环或不形成环；
式(V-2)中，Re和Rf各自独立地与上述式(V-1)中的Ra、Rb、Rc或Rd含义相同；r和u各自独立地表示0～3的整数；r或u为2以上的情况下，一分子中所含有的2个以上的Re和Rf可以相同也可以不同，相邻的Re或Rf相互间形成环或不形成环；X为-O-、-BR-、-NR-、-SiR2-、-PR-、-SR-、-CR2-或它们键合而成的基团，其中R表示氢原子或任意的有机基团，该有机基团指的是包含至少一个碳原子的基团。
6.如权利要求5所述的有机电致发光元件，其中，聚亚芳基衍生物还进一步具有下式(V-3)所表示的重复单元，
式(V-3)中，Arc～Arj各自独立地表示来自选自由苯环、萘环、蒽环、菲环、苯并[9,10]菲环、芘环、噻吩环、吡啶环、芴环组成的组中的环的基团或2个以上的苯环连结而成的基团；另外，这些环具有或不具有烷基、链烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、二烷氨基、二芳氨基、酰基、卤原子、卤烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃环基或芳香族杂环基作为取代基；v和w各自独立地表示0或1。
7.如权利要求1或2所述的有机电致发光元件，其中，所述发光层中所包含的所述利用湿式成膜法形成的层为在440nm～500nm区域、510nm～550nm区域和580nm～630nm区域中的至少2个区域具有极大发光波长的层。
8.如权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述发光层中所包含的所述利用湿式成膜法形成的层为在510nm～550nm区域和580nm～630nm区域具有极大发光波长的层。
9.一种有机EL照明，其包含权利要求1～8任一项所述的有机电致发光元件。
10.一种有机EL显示装置，其包含权利要求1～8任一项所述的有机电致发光元件。
11.一种有机电致发光元件的制造方法，该有机电致发光元件为包含阳极和阴极、以及在该阳极与该阴极之间形成的发光层的有机电致发光元件，该有机电致发光元件在该阳极与该发光层之间包含由空穴传输性材料构成的空穴传输层，其中，
该发光层由含有各不相同的发光材料的2层以上构成，
该制造方法包括利用湿式成膜法形成该发光层中的位于阳极侧的第一发光层的工序、以及利用真空蒸镀法形成该发光层中的自阳极侧起隔着第一发光层而形成的第二发光层的工序；
该第一发光层为含有磷光发光材料与电荷传输材料的层，其中所述磷光发光材料与所述电荷传输材料为低分子化合物，该第一发光层的膜厚处于2nm～100nm的范围，
该第二发光层为含有荧光发光材料与电荷传输材料的层，其中所述荧光发光材料与所述电荷传输材料为低分子化合物，
该荧光发光材料为下式(B)所表示的物质，
式(B)中，Ar25为取代或无取代的萘基、蒽基、菲基、芘基、屈基、晕苯基、联苯基、三联苯基、二苯基蒽基、咔唑基、苯并喹啉基、荧蒽基、苊并荧蒽基或均二苯代乙烯基，Ar26和Ar27各自独立地为取代或无取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、屈基、晕苯基、联苯基、三联苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、荧蒽基、苊并荧蒽基或均二苯代乙烯基，
另外，Ar25、Ar26和Ar27具有取代基的情况下，取代基是选自碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、核原子数为5～40的芳基、被核原子数为5～40的芳基取代的氨基、具有核原子数为5～40的芳基的酯基、具有碳原子数为1～6的烷基的酯基、氰基、硝基、卤原子的组中的至少一种，
q为1～4的整数；
该磷光发光材料为下式(III)所表示的化合物，
ML(q-j)L′j (III)
式(III)中，M表示金属，q表示所述金属的价数，L和L′表示二齿配位体，并且，L和/或L′表示2-芳基吡啶系配位体，j表示0、1或2的数；
该空穴传输性材料为具有交联性基团的聚芳胺衍生物和/或具有交联性基团的聚亚芳基衍生物。
12.如权利要求11所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，该磷光发光材料为选自下式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)所表示的化合物中的一种以上的物质，
式(IIIa)中，M4表示钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂或金，w表示金属M4的价数，环A1表示具有或不具有取代基的苯基、联苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基或咔唑基，环A2表示具有或不具有取代基的吡啶基；
环A1和环A2可以具有的取代基为选自卤原子、烷基、链烯基、烷氧羰基、烷氧基、芳氧基、二烷基氨基、二芳氨基、咔唑基、酰基、卤烷基、氰基中的至少一种，该取代基相互连结形成环或不形成环；
式(IIIb)中，M5表示钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂或金，w表示金属M5的价数，环A1表示具有或不具有取代基的苯基、联苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基或咔唑基，环A2表示具有或不具有取代基的吡啶基；
环A1和环A2可以具有的取代基为选自卤原子、烷基、链烯基、烷氧羰基、烷氧基、芳氧基、二烷基氨基、二芳氨基、咔唑基、酰基、卤烷基、氰基中的至少一种，该取代基相互连结形成环或不形成环；
式(IIIc)中，M6表示钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂或金，w表示金属M6的价数，j表示0、1或2，环A1和环A1′各自独立地表示具有或不具有取代基的苯基、联苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基或咔唑基，环A2表示具有或不具有取代基的吡啶基，环A2′表示具有或不具有取代基的吡啶基、嘧啶基、吡唑基、三嗪基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基或菲啶基；
环A1、环A1′、环A2和环A2′可以具有的取代基为选自卤原子、烷基、链烯基、烷氧羰基、烷氧基、芳氧基、二烷基氨基、二芳氨基、咔唑基、酰基、卤烷基、氰基中的至少一种，该取代基相互连结形成环或不形成环。
13.如权利要求11或12所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，聚芳胺衍生物为含有下式(II)所表示的重复单元的聚合物，
式(II)中，Ara和Arb各自独立地表示来自选自由苯环、萘环、蒽环、菲环、苯并[9,10]菲环、芘环、噻吩环、吡啶环、芴环组成的组中的环的基团或2个以上的苯环连结而成的基团；另外，这些环具有或不具有烷基、链烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、二烷氨基、二芳氨基、酰基、卤原子、卤烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃环基或芳香族杂环基作为取代基。
14.如权利要求13所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，所述式(II)中，Ara和Arb为来自苯环的基团或来自芴环的基团。
15.如权利要求11所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，聚亚芳基衍生物为具有由下式(V-1)和/或下式(V-2)构成的重复单元的聚合物，
式(V-1)中，Ra、Rb、Rc和Rd各自独立地表示烷基、烷氧基、苯基烷基、苯基烷氧基、苯基、苯氧基、烷基苯基、烷氧基苯基、烷基羰基、烷氧羰基、或者羧基；t和s各自独立地表示0～3的整数；t或s为2以上的情况下，一分子中所含有的2个以上的Ra或Rb可以相同也可以不同，相邻的Ra或Rb相互间形成环或不形成环；
式(V-2)中，Re和Rf各自独立地与上述式(V-1)中的Ra、Rb、Rc或Rd含义相同；r和u各自独立地表示0～3的整数；r或u为2以上的情况下，一分子中所含有的2个以上的Re和Rf可以相同也可以不同，相邻的Re或Rf相互间形成环或不形成环；X为-O-、-BR-、-NR-、-SiR2-、-PR-、-SR-、-CR2-或它们键合而成的基团，其中R表示氢原子或任意的有机基团，该有机基团指的是包含至少一个碳原子的基团。
16.如权利要求15所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，聚亚芳基衍生物还进一步具有下式(V-3)所表示的重复单元，
式(V-3)中，Arc～Arj各自独立地表示来自选自由苯环、萘环、蒽环、菲环、苯并[9,10]菲环、芘环、噻吩环、吡啶环、芴环组成的组中的环的基团或2个以上的苯环连结而成的基团；另外，这些环具有或不具有烷基、链烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、二烷氨基、二芳氨基、酰基、卤原子、卤烷基、烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香族烃环基或芳香族杂环基作为取代基；v和w各自独立地表示0或1。
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WO (1) WO2013108787A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5182441B1 (ja) 2012-05-24 2013-04-17 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機電界発光照明装置及び有機電界発光表示装置
US9843008B2 (en) * 2014-04-03 2017-12-12 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element and electronic device
US20190319210A1 (en) * 2016-11-25 2019-10-17 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element and composition for organic materials
JP2019003735A (ja) * 2017-06-12 2019-01-10 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器
US11569448B2 (en) 2018-02-19 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Cross-linkable arylamine-based compound, polymer obtained therefrom, light-emitting device including the polymer, and electronic apparatus including the light-emitting device
US20220352476A1 (en) * 2020-02-28 2022-11-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5931865B2 (ja) 1975-09-10 1984-08-04 富士通株式会社 半導体装置
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
JP3562652B2 (ja) 1992-04-03 2004-09-08 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06207169A (ja) 1992-11-17 1994-07-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2734341B2 (ja) 1993-03-26 1998-03-30 住友電気工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1079297A (ja) 1996-07-09 1998-03-24 Sony Corp 電界発光素子
US5776622A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11242996A (ja) 1998-02-25 1999-09-07 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2001052870A (ja) 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2002100482A (ja) 2000-09-20 2002-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2002100478A (ja) 2000-09-20 2002-04-05 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP4023204B2 (ja) 2001-05-02 2007-12-19 淳二 城戸 有機電界発光素子
JP4032733B2 (ja) 2001-12-20 2008-01-16 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
JP4230732B2 (ja) 2002-07-30 2009-02-25 パナソニック電工株式会社 白色有機電界発光素子の設計方法
JP2005123205A (ja) * 2002-10-24 2005-05-12 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ素子
GB0306409D0 (en) 2003-03-20 2003-04-23 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
WO2005022962A1 (ja) 2003-07-31 2005-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation 化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
EP2325191A1 (en) 2004-03-11 2011-05-25 Mitsubishi Chemical Corporation Composition for charge-transporting film and ion compound, charge-transporting film and organic electroluminescent device using same
JPWO2006093007A1 (ja) 2005-03-02 2008-08-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示装置および照明装置
JP5061423B2 (ja) 2005-04-05 2012-10-31 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007227117A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Sony Corp 有機電界発光素子
JP2008098619A (ja) 2006-09-14 2008-04-24 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008146904A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Sony Corp 有機電界発光素子および表示装置
JP2008159367A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法並びに電子機器
US20080166566A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
JP2008277193A (ja) * 2007-05-02 2008-11-13 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法及びラインヘッド
JP2009021343A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8143613B2 (en) * 2007-11-27 2012-03-27 The Regents Of The University Of Michigan Organic light emitting device having multiple separate emissive layers
JP2010034484A (ja) 2008-07-01 2010-02-12 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102008035413A1 (de) * 2008-07-29 2010-02-04 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
US9461253B2 (en) * 2008-12-10 2016-10-04 Udc Ireland Limited Organic electroluminescence device and luminescence apparatus
WO2011083588A1 (ja) * 2010-01-08 2011-07-14 三菱化学株式会社 有機ｅｌ素子及び有機発光デバイス
JP2010205815A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US8980443B2 (en) * 2009-04-14 2015-03-17 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element
JP6035706B2 (ja) * 2010-04-09 2016-11-30 三菱化学株式会社 有機電界素子用組成物の製造方法、有機電界素子用組成物、有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明
JP5668330B2 (ja) * 2010-06-02 2015-02-12 三菱化学株式会社 有機電界発光素子、有機ｅｌ照明及び有機ｅｌ表示装置

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Publication number Publication date
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