CN104060317A - 一种铜-石墨烯复相的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的铜-石墨烯复相的制备方法,步骤如下:1)将基板用盐酸去除表面氧化物;2)将硫酸铜、硫酸、盐酸和表面活性剂配制成铜镀液;3)将石墨烯纳米片加入到铜镀液中,得到含石墨烯纳米片的电镀液;4)以磷铜片为阳极,基板为阴极,置于电镀液中电镀,得到铜-石墨烯复相。本发明直接将石墨烯与铜复合,避免了传统方法中GO的还原过程,工艺简单,可控性好,适用范围广,且制得的铜-石墨烯复相电性能、抗氧化性能、机械性能和抗腐蚀性能好。
Description
技术领域
本发明涉及一种铜-石墨烯复相的制备方法。
背景技术
石墨烯具有极高的载流子迁移率、热导率以及抗氧化性能,将石墨烯与铜复合不仅能提高铜的电导和热导,且可提高铜的抗氧化性能。
现有的铜-石墨烯复相是将氧化石墨烯(GO)与铜复合,再将GO还原为石墨烯,从而得到铜-石墨烯复相。然而,由于GO的还原效果受制于铜基体,这种方法得到的铜-石墨烯复相中的氧含量很高,导致复相的电阻率低于铜箔。此外,GO的还原过程涉及高温等较为复杂的过程,且其还原的过程对最终制备得到的铜-石墨烯复相的形成会产生一定的影响,造成工艺的可控性比较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种工艺简单,可控性好的铜-石墨烯复相的制备方法。
本发明的铜-石墨烯复相的制备方法,包括如下步骤:
1)基板处理:使用摩尔浓度为5-30%的盐酸去除基板表面的氧化物,之后用去离子水冲洗;
2)铜镀液配置:将硫酸铜用水溶解,在其中依次加入硫酸、表面活性剂和盐酸,搅拌均匀,获得铜镀液;铜镀液中的硫酸铜为150-250g/L,硫酸为40-110 g/L,氯离子为50-120 ppm,表面活性剂为0.1-2g/L;
3) 电镀液配置:将石墨烯纳米片先用少量步骤2) 配置的铜镀液润湿并超声后,再加入到剩余铜镀液中,石墨烯纳米片的浓度为0.01-4g/L,充分搅拌,得到含石墨烯的电镀液;
4)电镀:以磷铜片为阳极,经步骤1)处理的基板作为阴极,置于步骤3)的电镀液中,调节温度为10-40oC、电流密度为0.5-16A/dm2,在搅拌条件下电镀,得到铜-石墨烯复相。
本发明中,所述的石墨烯纳米片可以为单层或多层。
所述的基板可以是任意几何形状的铜或铝。
所述的表面活性剂可以为十二烷基苯磺酸钠或十二烷基硫酸钠。
本发明与现有技术相比具有的有益效果有:
直接将石墨烯与铜复合,避免了GO的还原过程,工艺简单,可控性好,适用范围广;本发明方法制得的铜-石墨烯复相导电性、抗氧化性能、机械性能和抗腐蚀性能好。
具体实施方式
以下结合实施例进一步说明本发明。
实施例1
1)基板处理:使用摩尔浓度为5%的盐酸去除铜板表面的氧化物,之后用去离子水冲洗;
2)铜镀液配置:将硫酸铜用水溶解,在其中依次加入硫酸、十二烷基苯磺酸钠和盐酸,搅拌均匀,获得铜镀液;铜镀液中的硫酸铜为200g/L,硫酸为80 g/L,氯离子为80 ppm,十二烷基苯磺酸钠为0.1g/L;
3) 电镀液配置:将单层石墨烯纳米片先用少量步骤2) 配置的铜镀液润湿并超声后,再加入到剩余铜镀液中,石墨烯纳米片的浓度为0.01g/L,充分搅拌,得到含石墨烯的电镀液;
4)电镀:以磷铜片为阳极,经步骤1)处理的铜板作为阴极,置于步骤3)的电镀液中,调节温度为25oC、电流密度为8A/dm2,在搅拌条件下电镀,得到铜-石墨烯复相。
实施例2
1)基板处理:使用摩尔浓度为30%的盐酸去除铝板表面的氧化物,之后用去离子水冲洗;
2)铜镀液配置:将硫酸铜用水溶解,在其中依次加入硫酸、十二烷基苯磺酸钠和盐酸,搅拌均匀,获得铜镀液;铜镀液中的硫酸铜为150g/L,硫酸为90 g/L,氯离子为50 ppm,十二烷基苯磺酸钠为2g/L;
3) 电镀液配置:将多层石墨烯纳米片先用少量步骤2) 配置的铜镀液润湿并超声后,再加入到剩余铜镀液中,石墨烯纳米片的浓度为4g/L,充分搅拌,得到含石墨烯的电镀液;
4)电镀:以磷铜片为阳极,经步骤1)处理的铝板作为阴极,置于步骤3)的电镀液中,调节温度为40oC、电流密度为16A/dm2,在搅拌条件下电镀,得到铜-石墨烯复相。
实施例3
1)基板处理:使用摩尔浓度为20%的盐酸去除铜管表面的氧化物,之后用去离子水冲洗;
2)铜镀液配置:将硫酸铜用水溶解,在其中依次加入硫酸、十二烷基苯磺酸钠和盐酸,搅拌均匀,获得铜镀液;铜镀液中的硫酸铜为150g/L,硫酸为40 g/L,氯离子为50ppm,十二烷基苯磺酸钠为1g/L;
3) 电镀液配置:将单层石墨烯纳米片先用少量步骤2) 配置的铜镀液润湿并超声后,再加入到剩余铜镀液中,石墨烯纳米片的浓度为0.1g/L,充分搅拌,得到含石墨烯的电镀液;
4)电镀:以磷铜片为阳极,经步骤1)处理的铜管作为阴极,置于步骤3)的电镀液中,调节温度为10oC、电流密度为0.5A/dm2,在搅拌条件下电镀,得到铜-石墨烯复相。
实施例4
1)基板处理:使用摩尔浓度为15%的盐酸去除铝管表面的氧化物,之后用去离子水冲洗;
2)铜镀液配置:将硫酸铜用水溶解,在其中依次加入硫酸、十二烷基磺酸钠和盐酸,搅拌均匀,获得铜镀液;铜镀液中的硫酸铜为200g/L,硫酸为110 g/L,氯离子为120 ppm,十二烷基磺酸钠为0.5g/L;
3) 电镀液配置:将多层石墨烯纳米片先用少量步骤2) 配置的铜镀液润湿并超声后,再加入到剩余铜镀液中,石墨烯纳米片的浓度为1g/L,充分搅拌,得到含石墨烯的电镀液;
4)电镀:以磷铜片为阳极,经步骤1)处理的铝管作为阴极,置于步骤3)的电镀液中,调节温度为25oC、电流密度为4A/dm2,在搅拌条件下电镀,得到铜-石墨烯复相。
实施例5
1)基板处理:使用摩尔浓度为22%的盐酸去除铜箔表面的氧化物,之后用去离子水冲洗;
2)铜镀液配置:将硫酸铜用水溶解,在其中依次加入硫酸、十二烷基磺酸钠和盐酸,搅拌均匀,获得铜镀液;铜镀液中的硫酸铜为180g/L,硫酸为70 g/L,氯离子为60 ppm,十二烷基磺酸钠为1.5g/L;
3) 电镀液配置:将单层石墨烯纳米片先用少量步骤2) 配置的铜镀液润湿并超声后,再加入到剩余铜镀液中,石墨烯纳米片的浓度为3g/L,充分搅拌,得到含石墨烯的电镀液;
4)电镀:以磷铜片为阳极,经步骤1)处理的铜箔作为阴极,置于步骤3)的电镀液中,调节温度为30oC、电流密度为2A/dm2,在搅拌条件下电镀,得到铜-石墨烯复相。
实施例6
1)基板处理:使用摩尔浓度为10%的盐酸去除铜环表面的氧化物,之后用去离子水冲洗;
2)铜镀液配置:将硫酸铜用水溶解,在其中依次加入硫酸、十二烷基磺酸钠和盐酸,搅拌均匀,获得铜镀液;铜镀液中的硫酸铜为240g/L,硫酸为50g/L,氯离子为80 ppm,十二烷基磺酸钠为1.2g/L;
3) 电镀液配置:将多层石墨烯纳米片先用少量步骤2) 配置的铜镀液润湿并超声后,再加入到剩余铜镀液中,石墨烯纳米片的浓度为2.5g/L,充分搅拌,得到含石墨烯的电镀液;
4)电镀:以磷铜片为阳极,经步骤1)处理的铜环作为阴极,置于步骤3)的电镀液中,调节温度为18oC、电流密度为1A/dm2,在搅拌条件下电镀,得到铜-石墨烯复相。
Claims (4)
1.一种铜-石墨烯复相的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
1)基板处理:使用摩尔浓度为5-30%的盐酸去除基板表面的氧化物,之后用去离子水冲洗;
2)铜镀液配置:将硫酸铜用水溶解,在其中依次加入硫酸、表面活性剂和盐酸,搅拌均匀,获得铜镀液;铜镀液中的硫酸铜为150-250g/L,硫酸为40-110 g/L,氯离子为50-120 ppm,表面活性剂为0.1-2g/L;
3) 电镀液配置:将石墨烯纳米片先用少量步骤2) 配置的铜镀液润湿并超声后,再加入到剩余铜镀液中,石墨烯纳米片的浓度为0.01-4g/L,充分搅拌,得到含石墨烯的电镀液;
4)电镀:以磷铜片为阳极,经步骤1)处理的基板作为阴极,置于步骤3)的电镀液中,调节温度为10-40oC、电流密度为0.5-16A/dm2,在搅拌条件下电镀,得到铜-石墨烯复相。
2.根据权利要求1所述的铜-石墨烯复相的制备方法,其特征在于:所述的石墨烯纳米片为单层或多层。
3.根据权利要求1所述的铜-石墨烯复相的制备方法,其特征在于:所述的基板为任意几何形状的铜或铝。
4.根据权利要求1所述的铜-石墨烯复相的制备方法,其特征在于:所述的表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠或十二烷基硫酸钠。
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