CN111334831A - 一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 203
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 187
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 177
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 177
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000001914 filtration Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 116
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 26
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 24
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 20
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 16
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 14
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 14
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 13
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 8
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 16
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- -1 graphite alkene Chemical class 0.000 description 8
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 5
- 230000001580 bacterial effect Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[P] Chemical compound [Cu].[P] RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000840 anti-viral effect Effects 0.000 description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 210000002390 cell membrane structure Anatomy 0.000 description 2
- 229960003964 deoxycholic acid Drugs 0.000 description 2
- KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N deoxycholic acid Chemical compound C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N 0.000 description 2
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003385 bacteriostatic effect Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 210000000170 cell membrane Anatomy 0.000 description 1
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- YDEXUEFDPVHGHE-GGMCWBHBSA-L disodium;(2r)-3-(2-hydroxy-3-methoxyphenyl)-2-[2-methoxy-4-(3-sulfonatopropyl)phenoxy]propane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].COC1=CC=CC(C[C@H](CS([O-])(=O)=O)OC=2C(=CC(CCCS([O-])(=O)=O)=CC=2)OC)=C1O YDEXUEFDPVHGHE-GGMCWBHBSA-L 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 208000030159 metabolic disease Diseases 0.000 description 1
- 230000002503 metabolic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004060 metabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000036542 oxidative stress Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000003904 phospholipids Chemical class 0.000 description 1
- 230000001766 physiological effect Effects 0.000 description 1
- 230000035790 physiological processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229920005552 sodium lignosulfonate Polymers 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
- B01D29/01—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with flat filtering elements
- B01D29/03—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with flat filtering elements self-supporting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/54—Particle separators, e.g. dust precipitators, using ultra-fine filter sheets or diaphragms
- B01D46/543—Particle separators, e.g. dust precipitators, using ultra-fine filter sheets or diaphragms using membranes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D15/00—Electrolytic or electrophoretic production of coatings containing embedded materials, e.g. particles, whiskers, wires
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法,该方法包含:步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液;步骤2,制备铜电镀液;步骤3,将低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入铜电镀液中,搅拌均匀;步骤4,向所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源;步骤5,继续添加更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,继续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。本发明还提供了通过该方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。本发明提供的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法,将石墨烯均匀的复合在铜网内外表面,不仅增加铜网的过滤面积,还增加了铜过滤芯的抗菌性,且石墨烯的加入加快了电镀反应。
Description
技术领域
本发明涉及一种石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法,具体地,涉及一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法。
背景技术
石墨烯是一种由一层碳原子构成的二维片状材料,石墨烯材料的抗菌抗病毒能力主要基于以下几种机制的混合协同作用:1)物理切割,也称纳米刀(Nano-Knives),石墨烯材料尖锐物理边缘可有效切割细菌病毒表面,破坏细胞壁和膜结构,造成胞内物质泄漏和代谢紊乱,最终导致细菌病毒死亡,是石墨烯材料的主要抗菌抗病毒机制之一;2)膜表面成分提取(Insertion and Extraction),石墨烯材料具有大的比表面积和疏水性,可以有效通过接触或插入方式吸附结合细菌病毒表面的磷脂分子,从而破坏其细胞膜结构引起细菌病毒死亡;3)物理捕获(Wrapping),石墨烯材料会通过包裹方式将细菌同周围介质隔离,进而阻断其增殖,起到抑菌作用;4)氧化应激作用(ROS),在同细菌接触过程中,石墨烯表面缺陷和尖锐的边缘结构均会诱导细菌产生活性氧成分,从而导致其正常生理代谢紊乱,造成细菌死亡。除了上述主要抗菌抗病毒机制外,电荷传导也是重要的石墨烯抗菌机制,该机制通过石墨烯传导细菌表面电荷,破坏细胞膜的生理活动和功能,造成细菌代谢紊乱,进而促进细菌死亡。
铜网过滤膜是将铜线通过一定的编织方式,形成铜网,可以用于各种颗粒粉沫、瓷土及玻璃器印花的过滤液体、气体等。将石墨烯复合在铜网上,可以增加了铜复合过滤膜的抗菌性,扩展铜网的用途,具有较大的市场前景。
发明内容
本发明的目的是提供一种石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法,制备稳定性的水溶性改性石墨烯溶液,通过不断加入新的电镀液,保持电镀液中石墨烯的浓度,从而使得改性石墨烯和铜复合协同生长在铜网上,形成石墨烯复合铜过滤膜,不仅增加铜网的过滤面积,还增加了铜过滤芯的抗菌性,且石墨烯的加入加快了电镀反应。
为了达到上述目的,本发明提供了一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的方法包含:步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液;步骤2,制备铜电镀液;步骤3,将步骤1中制备的低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入步骤2制备的铜电镀液中,搅拌均匀;步骤4,向步骤3所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,进行反应;步骤5,继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
上述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的步骤1中包含:步骤1.1,制备氧化石墨烯浆料;步骤1.2,在氧化石墨烯上接枝铜离子;步骤1.3,制成一定浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
上述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的步骤1.1中,将氧化石墨烯粉体及改性剂加入到去离子水中,搅拌40~60min,将温度升至50~80℃后,超声分散处理15~20min,制备改性氧化石墨烯浆料。
上述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的步骤1.2中,向改性氧化石墨烯浆料中加入含铜离子的水溶性化合物,再通过超声处理20~30min,进行接枝;含铜离子的水溶性化合物包含氯化铜、硫酸铜,加入后混合物中的铜离子与氧化石墨烯的质量比为1:1。
上述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的步骤1.3中,将步骤1.2所得的混合物分成若干份,分别加入不同量的去离子水,配置成具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液,按质量百分比计其浓度梯度分别为1%、2%、5%、8%、10%。
上述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的步骤2中,制备电镀液是向去离子水中加入焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜,搅拌均匀,再加入酸碱添加剂并搅匀,以调节pH值范围到6~7;酸碱添加剂包含盐酸。
上述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的步骤3中,低浓度水溶性改性石墨烯溶液与铜电镀液的体积比为1:1~5。
上述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的步骤4中,将纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,正极的纯铜电极形成铜离子,在负极改性石墨烯与铜离子复合到铜芯表面,形成石墨烯复合铜过滤膜。
上述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其中,所述的步骤5中,每反应5~10分钟,依次按浓度顺序继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,每次的添加量与原混合液的体积比均为1:1~5,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
本发明还提供了通过上述的方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。
本发明提供的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法具有以下优点:
本发明通过化学法,利用石墨烯与铜离子一起协同生长在铜网上面,提高复合金属过滤膜的过滤精度,同时将石墨烯的抗菌性移植到薄膜上,增加使用寿命等。
该石墨烯复合铜过滤膜将石墨烯均匀的复合在铜网内外表面,不仅增加铜网的过滤面积,还增加了铜过滤芯的抗菌性,且石墨烯的加入加快了电镀反应。该制备方法工艺简单,成本较低,具有较大的市场前景。
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式作进一步地说明。
本发明提供的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其包含:
步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液;步骤2,制备铜电镀液;步骤3,将步骤1中制备的低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入步骤2制备的铜电镀液中,搅拌均匀;步骤4,向步骤3所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,进行反应;步骤5,继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
步骤1中包含:步骤1.1,制备氧化石墨烯浆料;步骤1.2,在氧化石墨烯上接枝铜离子;步骤1.3,制成一定浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
步骤1.1中,将氧化石墨烯粉体及改性剂加入到去离子水中,搅拌40~60min,将温度升至50~80℃后,超声分散处理15~20min,制备改性氧化石墨烯浆料;按质量百分比计,溶液中加入的氧化石墨烯为1%~10%,改性剂为0.1%~1%。
氧化石墨烯是采用机械剥离法、化学气相沉积法、氧化还原法等中的任意一种方法制备的氧化石墨烯。
改性剂包含聚乙烯醇、羟丙基纤维素、聚乙二醇、木质素磺酸钠、聚乙烯吡络烷酮(PVP)、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十六烷基三甲基溴化铵、脱氧胆酸钠、氨基硅氧烷、十八胺、硅烷偶联剂等中的任意一种或多种。
步骤1.2中,向改性氧化石墨烯浆料中加入含铜离子的水溶性化合物,再通过超声处理20~30min,进行接枝;含铜离子的水溶性化合物包含氯化铜和/或硫酸铜,加入后混合物中的铜离子与氧化石墨烯的质量比为1:1。
步骤1.3中,将步骤1.2所得的混合物分成若干份,分别加入不同量的去离子水,配置成具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液,按质量百分比计其浓度梯度分别为1%、2%、5%、8%、10%等。
步骤2中,制备电镀液是向去离子水中加入焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜,搅拌均匀,混合后按质量百分比计焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜的浓度范围分别为1%~10%,再加入酸碱添加剂并搅匀,以调节pH值范围到6~7;酸碱添加剂包含盐酸,其加入量根据调节pH值所需的范围而定。
步骤3中,低浓度水溶性改性石墨烯溶液与铜电镀液的体积比为1:1~5。
步骤4中,将纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,正极的纯铜电极形成铜离子,在负极改性石墨烯与铜离子复合到铜芯表面,形成石墨烯复合铜过滤膜。铜芯优选为铜网的形式。铜网的材质包含黄铜丝、紫铜丝、磷铜丝。铜网的编织方式为平织或斜织而成。
步骤5中,每反应5~10分钟,依次按浓度顺序继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,每次的添加量与原混合液的体积比均为1:1~5,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
本发明还提供了通过该方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。
下面结合实施例对本发明提供的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法做更进一步描述。
实施例1
一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其包含:
步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
步骤1中包含:
步骤1.1,制备氧化石墨烯浆料。
将氧化石墨烯粉体及改性剂加入到去离子水中,搅拌40~60min,将温度升至50~80℃后,超声分散处理15~20min,制备改性氧化石墨烯浆料。按质量百分比计,溶液中加入的氧化石墨烯为1%,改性剂为0.1%。
氧化石墨烯是采用机械剥离法制备的氧化石墨烯。
改性剂包含聚乙烯醇、羟丙基纤维素、聚乙二醇中的任意一种或多种。
步骤1.2,在氧化石墨烯上接枝铜离子。
向改性氧化石墨烯浆料中加入含铜离子的水溶性化合物,再通过超声处理20~30min,进行接枝;含铜离子的水溶性化合物包含氯化铜和/或硫酸铜,加入后混合物中的铜离子与氧化石墨烯的质量比为1:1。优选地,按质量百分比计含铜离子的水溶性化合物的加入量为混合物的10%。
步骤1.3,制成一定浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
将步骤1.2所得的混合物分成若干份,分别加入不同量的去离子水,配置成具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液,按质量百分比计其浓度梯度分别为1%、2%、5%、8%、10%等。
步骤2,制备铜电镀液。
向去离子水中加入焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜,搅拌均匀,混合后按质量百分比计焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜的浓度范围分别为1%~10%,再加入酸碱添加剂并搅匀,以调节pH值范围到6~7;酸碱添加剂包含盐酸,其加入量根据调节pH值所需的范围而定,按质量百分比计优选为混合溶液的0.5%。
步骤3,将步骤1中制备的低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入步骤2制备的铜电镀液中,搅拌均匀。
低浓度水溶性改性石墨烯溶液与铜电镀液的体积比为1:1。
步骤4,向步骤3所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,进行反应。
优选地,将纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,正极的纯铜电极形成铜离子,在负极改性石墨烯与铜离子复合到铜芯表面,形成石墨烯复合铜过滤膜。铜芯优选为铜网的形式。铜网的材质包含黄铜丝。铜网的编织方式为平织。
步骤5,继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
优选地,每反应5~10分钟,依次按浓度顺序继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,每次的添加量与原混合液的体积比均为1:1,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
本实施例还提供了通过该方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。
实施例2
一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其包含:
步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
步骤1中包含:
步骤1.1,制备氧化石墨烯浆料。
将氧化石墨烯粉体及改性剂加入到去离子水中,搅拌40~60min,将温度升至50~80℃后,超声分散处理15~20min,制备改性氧化石墨烯浆料。
按质量百分比计,溶液中加入的氧化石墨烯为2%,改性剂为0.3%。
氧化石墨烯是采用化学气相沉积法制备的氧化石墨烯。
改性剂包含木质素磺酸钠或聚乙烯吡络烷酮。
向改性氧化石墨烯浆料中加入含铜离子的水溶性化合物,再通过超声处理20~30min,进行接枝;含铜离子的水溶性化合物包含氯化铜和/或硫酸铜,加入后混合物中的铜离子与氧化石墨烯的质量比为1:1。优选地,按质量百分比计含铜离子的水溶性化合物的加入量为混合物的20%。
步骤1.3,制成一定浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
将步骤1.2所得的混合物分成若干份,分别加入不同量的去离子水,配置成具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液,按质量百分比计其浓度梯度分别为1%、2%、5%、8%、10%等。
步骤2,制备铜电镀液。
向去离子水中加入焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜,搅拌均匀,混合后按质量百分比计焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜的浓度范围分别为1%~10%,再加入酸碱添加剂并搅匀,以调节pH值范围到6~7;酸碱添加剂包含盐酸,其加入量根据调节pH值所需的范围而定,按质量百分比计优选为混合溶液的1.5%。
步骤3,将步骤1中制备的低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入步骤2制备的铜电镀液中,搅拌均匀。
低浓度水溶性改性石墨烯溶液与铜电镀液的体积比为1:2。
步骤4,向步骤3所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,进行反应。
优选地,将纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,正极的纯铜电极形成铜离子,在负极改性石墨烯与铜离子复合到铜芯表面,形成石墨烯复合铜过滤膜。铜芯优选为铜网的形式。铜网的材质包含紫铜丝。铜网的编织方式为斜织。
步骤5,继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
优选地,每反应5~10分钟,依次按浓度顺序继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,每次的添加量与原混合液的体积比均为1:2,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
本实施例还提供了通过该方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。
实施例3
一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其包含:
步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
步骤1中包含:
步骤1.1,制备氧化石墨烯浆料。
将氧化石墨烯粉体及改性剂加入到去离子水中,搅拌40~60min,将温度升至50~80℃后,超声分散处理15~20min,制备改性氧化石墨烯浆料。
按质量百分比计,溶液中加入的氧化石墨烯为5%,改性剂为0.5%。
氧化石墨烯是采用氧化还原法制备的氧化石墨烯。
改性剂包含十二烷基苯磺酸钠和十二烷基硫酸钠。
步骤1.2,在氧化石墨烯上接枝铜离子。
向改性氧化石墨烯浆料中加入含铜离子的水溶性化合物,再通过超声处理20~30min,进行接枝;含铜离子的水溶性化合物包含氯化铜和/或硫酸铜,加入后混合物中的铜离子与氧化石墨烯的质量比为1:1。优选地,按质量百分比计含铜离子的水溶性化合物的加入量为混合物的30%。
步骤1.3,制成一定浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
将步骤1.2所得的混合物分成若干份,分别加入不同量的去离子水,配置成具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液,按质量百分比计其浓度梯度分别为1%、2%、5%、8%、10%等。
步骤2,制备铜电镀液。
向去离子水中加入焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜,搅拌均匀,混合后按质量百分比计焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜的浓度范围分别为1%~10%,再加入酸碱添加剂并搅匀,以调节pH值范围到6~7;酸碱添加剂包含盐酸,其加入量根据调节pH值所需的范围而定,按质量百分比计优选为混合溶液的3%。
步骤3,将步骤1中制备的低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入步骤2制备的铜电镀液中,搅拌均匀。
低浓度水溶性改性石墨烯溶液与铜电镀液的体积比为1:3。
步骤4,向步骤3所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,进行反应。
优选地,将纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,正极的纯铜电极形成铜离子,在负极改性石墨烯与铜离子复合到铜芯表面,形成石墨烯复合铜过滤膜。铜芯优选为铜网的形式。铜网的材质包含磷铜丝。铜网的编织方式为平织或斜织而成。
步骤5,继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
优选地,每反应5~10分钟,依次按浓度顺序继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,每次的添加量与原混合液的体积比均为1:3,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
本实施例还提供了通过该方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。
实施例4
一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其包含:
步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
步骤1中包含:
步骤1.1,制备氧化石墨烯浆料。
将氧化石墨烯粉体及改性剂加入到去离子水中,搅拌40~60min,将温度升至50~80℃后,超声分散处理15~20min,制备改性氧化石墨烯浆料。
按质量百分比计,溶液中加入的氧化石墨烯为7%,改性剂为0.8%。
氧化石墨烯是采用机械剥离法或化学气相沉积法制备的氧化石墨烯。
改性剂包含十六烷基三甲基溴化铵或脱氧胆酸钠。
步骤1.2,在氧化石墨烯上接枝铜离子。
向改性氧化石墨烯浆料中加入含铜离子的水溶性化合物,再通过超声处理20~30min,进行接枝;含铜离子的水溶性化合物包含氯化铜和/或硫酸铜,加入后混合物中的铜离子与氧化石墨烯的质量比为1:1。优选地,按质量百分比计含铜离子的水溶性化合物的加入量为混合物的40%。
步骤1.3,制成一定浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
将步骤1.2所得的混合物分成若干份,分别加入不同量的去离子水,配置成具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液,按质量百分比计其浓度梯度分别为1%、2%、5%、8%、10%等。
步骤2,制备铜电镀液。
向去离子水中加入焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜,搅拌均匀,混合后按质量百分比计焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜的浓度范围分别为1%~10%,再加入酸碱添加剂并搅匀,以调节pH值范围到6~7;酸碱添加剂包含盐酸,其加入量根据调节pH值所需的范围而定,按质量百分比计优选为混合溶液的4%。
步骤3,将步骤1中制备的低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入步骤2制备的铜电镀液中,搅拌均匀。
低浓度水溶性改性石墨烯溶液与铜电镀液的体积比为1:4。
步骤4,向步骤3所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,进行反应。
优选地,将纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,正极的纯铜电极形成铜离子,在负极改性石墨烯与铜离子复合到铜芯表面,形成石墨烯复合铜过滤膜。铜芯优选为铜网的形式。铜网的材质包含黄铜丝或紫铜丝。铜网的编织方式为平织。
步骤5,继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
优选地,每反应5~10分钟,依次按浓度顺序继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,每次的添加量与原混合液的体积比均为1:4,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
本实施例还提供了通过该方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。
实施例5
一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其包含:
步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
步骤1中包含:
步骤1.1,制备氧化石墨烯浆料。
将氧化石墨烯粉体及改性剂加入到去离子水中,搅拌40~60min,将温度升至50~80℃后,超声分散处理15~20min,制备改性氧化石墨烯浆料。
按质量百分比计,溶液中加入的氧化石墨烯为10%,改性剂为1%。
氧化石墨烯是采用机械剥离法、化学气相沉积法、氧化还原法等中的任意一种方法制备的氧化石墨烯。
改性剂包含氨基硅氧烷、十八胺、硅烷偶联剂等中的任意一种或多种。
步骤1.2,在氧化石墨烯上接枝铜离子。
向改性氧化石墨烯浆料中加入含铜离子的水溶性化合物,再通过超声处理20~30min,进行接枝;含铜离子的水溶性化合物包含氯化铜和/或硫酸铜,加入后混合物中的铜离子与氧化石墨烯的质量比为1:1。优选地,按质量百分比计含铜离子的水溶性化合物的加入量为混合物的50%。
步骤1.3,制成一定浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
将步骤1.2所得的混合物分成若干份,分别加入不同量的去离子水,配置成具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液,按质量百分比计其浓度梯度分别为1%、2%、5%、8%、10%等。
步骤2,制备铜电镀液。
向去离子水中加入焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜,搅拌均匀,混合后按质量百分比计焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜的浓度范围分别为1%~10%,再加入酸碱添加剂并搅匀,以调节pH值范围到6~7;酸碱添加剂包含盐酸,其加入量根据调节pH值所需的范围而定,按质量百分比计优选为混合溶液的5%。
步骤3,将步骤1中制备的低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入步骤2制备的铜电镀液中,搅拌均匀。
低浓度水溶性改性石墨烯溶液与铜电镀液的体积比为1:5。
步骤4,向步骤3所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,进行反应。
优选地,将纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,正极的纯铜电极形成铜离子,在负极改性石墨烯与铜离子复合到铜芯表面,形成石墨烯复合铜过滤膜。铜芯优选为铜网的形式。铜网的材质包含黄铜丝、紫铜丝、磷铜丝中的任意一种。铜网的编织方式为斜织。
步骤5,继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
优选地,每反应5~10分钟,依次按浓度顺序继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,每次的添加量与原混合液的体积比均为1:5,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
本实施例还提供了通过该方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。
本发明提供的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜及其制备方法,该石墨烯复合铜过滤膜的主要成分包括水溶性改性石墨烯、铜网、化学电镀铜液、酸碱添加剂等。该方法中制备了稳定性的水溶性改性石墨烯溶液,通过不断加入新的电镀液,保持电镀液中石墨烯的浓度,从而使得改性石墨烯和铜复合协同生长在铜网上,形成石墨烯复合铜过滤膜。该石墨烯复合铜过滤膜将石墨烯与铜离子一起生长在铜网内外表面,形成了石墨烯复合铜过滤膜,不仅增加铜网的过滤效率,加快了电镀反应,还增加了铜复合过滤膜的抗菌性。该制备方法工艺简单,成本较低,具有较大的市场前景。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍,但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后,对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此,本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的方法包含:
步骤1,制备具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液;
步骤2,制备铜电镀液;
步骤3,将步骤1中制备的低浓度水溶性改性石墨烯溶液加入步骤2制备的铜电镀液中,搅拌均匀;
步骤4,向步骤3所得的溶液中放入纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,进行反应;
步骤5,继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
2.如权利要求1所述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的步骤1中包含:
步骤1.1,制备氧化石墨烯浆料;
步骤1.2,在氧化石墨烯上接枝铜离子;
步骤1.3,制成一定浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液。
3.如权利要求2所述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的步骤1.1中,将氧化石墨烯粉体及改性剂加入到去离子水中,搅拌40~60min,将温度升至50~80℃后,超声分散处理15~20min,制备改性氧化石墨烯浆料。
4.如权利要求2所述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的步骤1.2中,向改性氧化石墨烯浆料中加入含铜离子的水溶性化合物,再通过超声处理20~30min,进行接枝;含铜离子的水溶性化合物包含氯化铜、硫酸铜,加入后混合物中的铜离子与氧化石墨烯的质量比为1:1。
5.如权利要求2所述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的步骤1.3中,将步骤1.2所得的混合物分成若干份,分别加入不同量的去离子水,配置成具有浓度梯度的水溶性改性石墨烯溶液,按质量百分比计其浓度梯度分别为1%、2%、5%、8%、10%。
6.如权利要求1所述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的步骤2中,制备电镀液是向去离子水中加入焦磷酸铜、焦磷酸钾和硝酸铜,搅拌均匀,再加入酸碱添加剂并搅匀,以调节pH值范围到6~7;酸碱添加剂包含盐酸。
7.如权利要求1所述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的步骤3中,低浓度水溶性改性石墨烯溶液与铜电镀液的体积比为1:1~5。
8.如权利要求1所述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的步骤4中,将纯铜作为正极,铜芯作为负极,通入电源,正极的纯铜电极形成铜离子,在负极改性石墨烯与铜离子复合到铜芯表面,形成石墨烯复合铜过滤膜。
9.如权利要求1所述的通过化学法制备的石墨烯复合铜过滤膜的方法,其特征在于,所述的步骤5中,每反应5~10分钟,依次按浓度顺序继续添加步骤1中制备的更高浓度的水溶性改性石墨烯溶液,每次的添加量与原混合液的体积比均为1:1~5,并持续通电直到铜电镀液中的铜离子全部还原成铜。
10.一种通过如权利要求1~9中任意一项所述的方法制备的石墨烯复合铜过滤膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
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Country Status (1)
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Legal Events
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20200626 |