CN104025277A - 用于劈裂键合晶片结构的夹持装置和劈裂方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了用于机械劈裂键合晶片结构的装置和方法。所述装置和方法涉及夹持件，所述夹持件夹持键合晶片结构并且被致动以使该键合结构劈裂。

Description

用于劈裂键合晶片结构的夹持装置和劈裂方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年10月31日提交的美国临时申请No.61/553,447的权益，其通过引用全部并入本文。
技术领域
本发明总地涉及用于劈裂键合晶片结构的装置和方法，更具体地，涉及包括被致动以使键合结构劈裂的夹持件的装置和方法。
背景技术
半导体晶片通常是由切成晶片的单晶锭(例如，硅锭)制备的。该晶片被磨光和/或抛光以生成成品晶片。虽然本文将以硅制成的半导体晶片作参考，但是也可以使用其他材料，例如锗或者砷化镓。
一种类型的晶片是绝缘体上硅(SOI)晶片。SOI晶片包括在绝缘层(例如，氧化物层)上面的薄硅层，该绝缘层又设置在硅衬底上。
一种制造SOI晶片的示例性方法包括在施主晶片(donor wafer)和/或处理晶片(handle wafer)的抛光的前表面上沉积一层氧化物。在施主晶片的前表面下方的规定深度处植入颗粒(例如，氢原子或氢原子和氦原子的组合)。植入的颗粒在它们被植入的规定深度处形成施主晶片中的劈裂面。施主晶片的表面被劈裂以移除在植入过程中沉积在晶片上的有机化合物。
然后，施主晶片的前表面键合到处理晶片上，以便通过亲水键合工艺形成键合晶片对。通过将施主晶片和处理晶片的表面暴露于例如包含氧或氮的等离子体而将施主晶片和处理晶片键合在一起。在通常称为表面激活的处理中，暴露于等离子体改变了晶片表面的结构。然后将晶片压到一起，并在其中形成键合。这种键合较弱，并且必须在进行进一步处理之前被强化。
在一些方法中，通过在约300℃和500℃之间的温度下加热键合晶片对或使其退火来强化施主晶片和处理晶片(即，键合晶片)之间的亲水键合。升高的温度使得在施主晶片和处理晶片的邻接表面之间形成共价键，因此稳固了施主晶片和处理晶片之间的键合。在加热键合晶片或使其退火的同时，早些时候植入在施主晶片中的颗粒使劈裂面弱化。然后，施主晶片的一部分沿劈裂面与键合晶片对分离(即，劈裂)，以形成SOI晶片。
键合晶片首先被放置在固定装置中，在该固定装置中垂直于键合晶片的相对侧施加机械力，以拉动施主晶片的一部分与键合晶片分离。根据一些方法，利用吸盘来施加该机械力。通过在施主晶片和处理晶片之间的界面处在键合晶片的边缘施加机械楔紧力，来启动施主晶片的该部分的分离。施加机械力使裂纹沿劈裂面蔓延。然后，由吸盘施加的机械力将施主晶片的一部分拉离键合晶片，从而形成SOI晶片。
因此，所获得的SOI晶片包括设置在氧化物层和处理晶片上面的薄硅层。该层的厚度可以是不均匀的。该层还可以具有不均匀的粗糙度。该层的这种不均匀的厚度和粗糙度可以是以不同的速度和/或吸盘施加的机械力的作用下蔓延的裂缝的后果。因此，需要额外的处理来减少该层的厚度变化和/或使该层光滑。这些额外的处理步骤是既费时又昂贵的。
因此，对于获得具有较均匀的厚度和粗糙度的表面的结构的用于劈裂键合晶片结构的系统和方法，一直都有持续的需要。
此背景技术部分旨在向读者介绍可能与下文将描述和/或要求保护的本申请的各方面相关的本领域的各方面。此部分内容有助于向读者提供背景信息，以便于他们更好地理解本申请的各个方面。因此，应该理解的是，应该基于这种考虑来阅读这些内容，而不能将其视为对现有技术的认可。
发明内容
本发明的一方面涉及一种用于劈裂包括第一晶片和第二晶片的键合晶片结构的装置。该第一晶片具有包括第一部分的周缘，并且该第二晶片具有包括第二部分的周缘。该第一部分对着该第二部分设置。该装置具有第一臂、第一夹持件、第二臂和第二夹持件。该第一夹持件安装在该第一臂上并具有用于接触该第一晶片的周缘的第一部分的表面。该第二夹持件安装在该第二臂上并具有用于接触该第二晶片的周缘的第二部分的表面。
本发明的另一方面涉及一种劈裂包括第一晶片和第二晶片的键合晶片结构的方法。该第一晶片具有包括第一部分的周缘，并且该第二晶片具有包括第二部分的周缘。该第一部分对着该第二部分设置。使该第一晶片的周缘的第一部分与安装在第一臂上的第一夹持件的表面接触。使该第二晶片的周缘的第二部分与安装在第二臂上的第二夹持件的表面接触。该键合晶片结构通过下述方式中的至少一种被劈裂：(1)通过向上致动第一夹持件而在该第一晶片上施加向上的力，或者(2)通过向下致动第二夹持件而在该第二晶片上施加向下的力。
本发明的又一方面涉及用于劈裂包括第一晶片和第二晶片的键合晶片结构的装置。该第一晶片具有包括第一部分的周缘，并且该第二晶片具有包括第二部分的周缘。该第一部分对着该第二部分设置。该装置包括第一抓持元件和第二抓持元件。该第一抓持元件具有一个或多个环形元件。该环形元件具有用于与第一晶片的周缘的第一部分接触的表面。该第二抓持元件具有一个或多个环形元件。该环形元件具有用于与第二晶片的周缘的第二部分接触的表面。
本发明的再一方面涉及一种劈裂包括第一晶片和第二晶片的键合晶片结构的方法。该第一晶片具有包括第一部分的周缘，并且该第二晶片具有包括第二部分的周缘。该第一部分对着该第二部分设置。使该第一晶片的周缘的第一部分与第一抓持元件的环形元件的表面接触。使该第二晶片的周缘的第二部分与第二抓持元件的环形元件的表面接触。该键合晶片结构通过下述方式中的至少一种被劈裂：(1)通过向上致动第一抓持元件而在该第一晶片上施加向上的力，或者(2)通过向下致动第二抓持元件而在该第二晶片上施加向下的力。
关于本申请的上述各方面所提及的特征存在各种改进。还可以将其他特征结合在本申请的上述各方面中。这些改进和附加的特征可以单独地或者以任意组合方式存在。例如，下文所讨论的与本发明的任一示例性实施例相关的各种特征都可以单独地或者以任意组合方式结合在本申请的任一上述方面中。
附图说明
图1为用于劈裂键合晶片结构的装置的俯视图；
图2为图1的装置的立体图；
图3为沿线3-3剖取的图1的剖视图，其示出了在劈裂键合晶片结构之前的装置；
图4为沿线4-4剖取的图1的剖视图，其示出了在劈裂键合晶片结构之前的装置；
图5为图3的放大的一部分；
图6为图4的放大的一部分；
图7为用在用于劈裂键合晶片结构的装置中的夹持件的立体图；
图8为在固定键合晶片结构之前的用于劈裂键合晶片结构的装置的俯视图；
图9为在固定键合晶片结构之后的用于劈裂键合晶片结构的装置的俯视图；
图10为沿线10-10剖取的图9的剖视图；
图11为用于劈裂键合晶片的装置的俯视图；
图12为通过使用吸盘的传统方法进行劈裂之后的SOI晶片的表面的黑白图像；和
图13为通过在键合晶片边缘处施加相对力的方法进行劈裂之后的SOI晶片的表面的黑白图像。
在所有附图中，对应的参考标号表示对应的部件。
具体实施方式
本文描述的实施例总地涉及用于机械劈裂键合晶片结构(例如键合晶片对)的装置和方法。该装置和方法沿结构中的劈裂面劈裂(即，分离)键合结构，以形成例如为绝缘体上硅(SOI)晶片的新结构。虽然本文将以用于形成绝缘体上硅结构的装置和方法作为参考，但是该系统和方法也可以不受限制地用于形成其他结构。
图1-7示出了用于机械劈裂键合结构102的装置100。示出在图1-7中的键合结构102为键合晶片对。但是，应该注意的是，除了键合晶片对以外，也可以使用装置100劈裂其他结构。参考图3和4，结构102沿虚线示出的劈裂面140分开。键合结构102具有上表面106(总地称为第一表面)和相对的下表面108(总地称为第二表面)。该键合结构包含沿键合界面104键合到施主晶片112(总地称为第二晶片)上的处理晶片110(总地称为第一晶片)。为了清楚起见，施主晶片112中的劈裂面140与键合界面104之间的距离被放大。此外，在其他实施例中，处理晶片110和施主晶片112的位置可以颠倒，以使得处理晶片设置在施主晶片下方。
如图5和6所示，施主晶片112和处理晶片110在它们的周缘处形成斜面。应该注意的是，这些晶片的周缘可以具有各种几何形状(例如，倒圆形、子弹形)。在本文中，术语“形成斜面(beveled)”是指这样的几何形状：其中，该边缘基本上不垂直于晶片的前、后表面并且具有一个或多个锥形边缘，并且该术语不应被认为具有限制意义。此外，应该注意的是，本文中所用的“锥形边缘(tapered edge)”仅指位于晶片边缘的、与前、后表面不平行、而是朝向距离晶片中心最远的边缘部分向上或向下倾斜的表面。此外，这种“锥形边缘”可以是直的或者呈弓形，或者可以同时包含直的和弓形部分。
如图5和6中还示出的，施主晶片112和处理晶片110具有倒圆形边缘。施主晶片112的边缘具有第一部分148，并且处理晶片110的边缘具有第二部分152，该第一部分和第二部分相对设置，从而在两个边缘之间形成凹陷部144。通常，第一部分148和第二部分152为晶片的锥形边缘，该边缘根据键合晶片对的取向而向上或向下成锥形。如图5和6所示，施主晶片112具有锥形边缘146(即，“向上成锥形的边缘”)，该边缘从键合结构的下表面108朝向距离晶片中心最远的边缘部分(或者倒圆形边缘的“点”)154向上倾斜。施主晶片112还包括边缘148(即，“向下成锥形的边缘”或如上所述的“第一部分”)，该边缘148从界面104朝向边缘的最外部分154向下倾斜。与施主晶片112类似，处理晶片110包括朝向处理晶片的边缘的最外部分156倾斜的向上成锥形的边缘152(或如上所述的“第二部分”)，和朝向处理晶片110的边缘的最外部分156成锥形的向下成锥形的边缘150。施主晶片112的向下倾斜边缘148和处理晶片110的向上倾斜边缘152在两个边缘之间形成凹陷部144。
如图1-4中所示，装置100包括可释放地固定处理晶片110的多个第一夹持件170(或“上部夹持件”)，和可释放地固定施主晶片112的多个第二夹持件184。夹持件170,184分别安装到第一臂160和第二臂166上。第一臂160从第一中心盘190延伸，并且第二臂166从第二中心盘192延伸。第一中心盘190可以接触键合结构102的上表面106，以使第一夹持件170相对于结构102适当地对准。类似地，第二中心盘192可以有助于使第二夹持件184对准。第一夹持件170、第一臂160和第一中心盘190一起形成第一抓持元件120(图1)，并且第二夹持件184、第二臂184和第二中心盘192一起形成第二抓持元件122(图4)。
如图1中所示，第一抓持元件120具有四个臂160和四个夹持件170，并且第二抓持元件122也具有四个臂166和四个夹持件184。但是，应该注意的是，装置100的每个元件120,122都可以不受限制地具有更多或更少的臂和夹持件。在一些实施例中，装置100不具有臂，而是具有用于夹持相应晶片的环形元件，如图8-10中所示及下文所述。
每个第一夹持件170都具有与处理晶片110的向上成锥形的边缘152接触的表面130(图3和5)。类似地，每个第二夹持件184都具有与施主晶片112的向下成锥形的边缘148接触的表面130(图4和6)。如图7中进一步详细所示，第一夹持件170的端部部分具有弯曲的轮廓，以使得臂的表面130可以进入凹陷部144并接触处理晶片110的向上成锥形的边缘152(图5)。在这方面，术语“弯曲的(curved)”不应被视为限制性的，而是指这样的轮廓：其中，所述臂相对于臂的其他部分总体上改变其角度方向，并且可以包括一个或多个在方向上的微小变化(例如，所述臂可以在其长度内形成一个或多个角度)。
应该注意的是，虽然第一夹持件170示出为具有180o的曲率，但是在其他实施例中，例如其中所述臂不从键合结构的中心延伸的实施例中，夹持件可以具有不同于180o的曲率。例如，臂160可以垂直于键合结构的前、后表面，并且夹持件170可以弯曲约90o进入凹陷部144中，以使其表面130与锥形边缘152接触。在一些实施例中，夹持件170不像图7中示出的臂那样具有弯曲的轮廓，例如，其中所述臂从相对方向(即，从键合结构的外侧)延伸的实施例。在这方面，第二夹持件184可以具有与第一夹持件170类似的形状和/或尺寸。但是，第二夹持件184的取向与第一夹持件170的取向相对，以允许第二夹持件184抓持施主晶片112(即，夹持件184朝向凹陷部144向上弯曲(图5)，而非向下弯曲)。夹持件170,184可以不受限制地具有其他(例如，彼此不同的)形状和/或尺寸。
如图7所示，第一夹持件170会聚以形成一个边缘，该边缘为与键合结构102的处理晶片110接触的表面130。然而，在其他实施例中，表面130也可以具有一定宽度(即，该表面可以是矩形或方形的，而非一个边缘)，或者可以是与该表面接触的单个点。此外，表面130可以呈弓形，并且可选地可以具有与处理晶片的锥形边缘互补的形状，以增加处理晶片与表面130之间的接触。第二夹持件184的表面130可以具有上文所描述的第一夹持件170的表面130的形状。
为了分离键合结构102，第一抓持元件120和/或第二抓持元件122抓持该键合结构。在抓持之前，可以通过自动装置或者通过使用抓持元件120,122中的一个或多个将键合结构102移动到合适的位置。在劈裂之前，另一个抓持元件抓持该结构。可以通过使用形成第一元件120的一部分或者附连到第一元件120的第一致动器(未示出)延伸和回缩元件120的一个或多个臂160，由第一抓持元件120来抓持键合结构102。类似地，可以通过使用附连到第二元件122或者形成第二元件122的一部分的第二致动器(未示出)来延伸和回缩第二抓持元件122的一个或多个臂166，由第二抓持元件122来抓持键合结构102。可以通过本领域技术人员已知的任何方法(包括例如气动、液压或机械致动)，来实现第一抓持元件120和第二抓持元件122的臂160，166的致动。
在键合结构102由第一抓持元件120和第二抓持元件122抓持之后，在第一抓持元件120和第二抓持元件122中的一个或两者上施加力，以便在劈裂面140处分离键合结构102。在这方面，致动器(未示出)可以附连到第一抓持元件120上。该致动器使得第一抓持元件120向处理晶片110施加向上的力以分离该结构。可选地或者附加地，致动器(相同或不同的致动器)可以附连到第二抓持元件122上，该第二抓持元件122可操作以使第二抓持元件122在施主晶片112上施加向下的力。一个或多个致动器可以附连到轴180,182上或者可以附连到抓持元件120或122的其他部分上。应该注意的是，为了提供用于分离键合结构的力，仅第一抓持元件120和第二抓持元件122中的一个需要被致动，并且另一个夹持件可以保持在静止位置。然而，在一些实施例中，第一抓持元件120和第二抓持元件122都被致动。
可以通过使用在键合结构102上施加力的刀片(未示出)来启动劈裂过程。刀片插入形成在处理晶片110和施主晶片112之间的凹陷部144，并且沿键合结构边缘施加力。该力使得沿劈裂面140产生裂缝。该裂缝结合由抓持元件120,122中的一个或两者所施加的力，使得键合结构沿劈裂面140劈裂和分离。该刀片可以由致动器(未示出)或其他合适的机构沿侧向移动。
在本发明的一些实施例中以及如图8-10所示，抓持元件可以不包括多个臂，而是包括一个或多个环形元件，该环形元件至少部分地包围键合结构。如图8所示，第一抓持元件120包括用于抓持键合结构的处理晶片110的第一环形元件194和第二环形元件196。第二抓持元件122(图10)也可以具有用于抓持施主晶片112的第一环形元件172和第二环形元件188。
第一抓持元件120的第一环形元件194和第二环形元件196均具有表面130(图10)，该表面130接触处理晶片110的第一向上成锥形的边缘。类似地，第一环形元件172和第二环形元件188具有接触施主晶片112的向下成锥形的边缘的表面130。如图8中箭头所示，环形元件194,196被致动以便在处理晶片110的边缘处接触处理晶片110(图9)。第二抓持元件122的环形元件172,188可以通过类似的方式被致动。一旦处理晶片和施主晶片被抓持，则第一抓持元件120和/或第二抓持元件122可以被致动以施加相反的力，并使得键合结构劈裂。
应该注意的是，第一抓持元件120和第二抓持元件122的环形元件不需要设置成使得处理晶片110和施主晶片112在它们相应的周缘处被连续接触。环形元件可以接触周缘的小部分(即，当抓持元件具有两个环形元件时，该环形元件可以具有小于键合结构的一半圆周的长度)。此外，每个抓持元件可以不受限制地具有多于两个的抓持元件。
在一些实施例中，抓持元件中的一个或两者由一个环形元件组成(即，抓持元件为连续环状物)，该环形元件具有允许抓持元件改变直径的被致动边缘，以允许施主和/或处理晶片被抓持和在劈裂后被释放。图11中示出了示例性的抓持元件120。该抓持元件120包括可以具有一个或多个被致动部分108的被致动唇缘176，该被致动部分108在致动时改变抓持元件的内径D。该抓持元件相对于键合结构轴向移动以抓持键合结构(即，从键合结构的上方或下方接近键合结构)，而不是像图8-10中示出的抓持元件120,122那样径向移动。
在不持有任何特定理论的情况下，认为根据现有系统生产的结构(例如，SOI结构)的层的不均匀厚度和/或粗糙度变化是由施加到键合结构的表面上的局部应力引起的。本文描述的实施例通过在晶片边缘处施加力从而减少或消除所获得的器件层的厚度和/或粗糙度变化，减少或消除了这一问题。
示例
通过以下示例进一步示出本发明的方法。这些示例应该被视为非限制性的。
示例1：比较通过使用吸盘劈裂的SOI结构和通过在晶片边缘施 加相对的力劈裂的SOI结构的 图像
通过使用吸盘的传统方法劈裂键合晶片对，以便从所获得的SOI结构分离施主晶片。通过使用劈裂刀片启动劈裂。在利用劈裂刀片启动劈裂后，还通过向键合结构施加向上和向下的力来制备第二SOI结构。
在晶片被劈裂以制得SOI结构后，对器件层的表面成像以生成图像(3220；ADE)。从通过使用吸盘的传统方法劈裂的SOI结构生成的图像在图12中示出，从通过在键合晶片边缘施加相对力劈裂的SOI结构生成的图像在图13中示出。如图12中所示，通过在劈裂期间使用吸盘制得的SOI结构在底部具有较深的劈裂条纹，在图像的左侧远处和右侧远处。图13的SOI结构更对称，并且具有更好的厚度均匀性。
当介绍本发明或本发明的实施例中的元件时，冠词“一”、“该”和“所述”是指有一个或多个该元件。术语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”是指包含在内的，并且意味着除了列出的元件以外可以有其他元件。使用表示特定取向的术语(例如，“顶部”、“底部”、“侧面”等)是为了方便描述，而不是要求所描述的物体的任何特定取向。
由于可以在不偏离本发明的范围的情况下对上述构造和方法进行各种变化，所以以上描述中包含的和附图中示出的所有内容都应解释为示例性的，而非限制性的。

Claims (31)

1.一种用于劈裂包括第一晶片和第二晶片的键合晶片结构的装置，所述第一晶片具有包括第一部分的周缘，并且所述第二晶片具有包括第二部分的周缘，所述第一部分对着所述第二部分设置，所述装置具有：
第一臂，
安装在所述第一臂上的第一夹持件，所述第一夹持件具有用于接触所述第一晶片的周缘的第一部分的表面，
第二臂，和
安装在所述第二臂上的第二夹持件，所述第二夹持件具有用于接触所述第二晶片的周缘的第二部分的表面。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括多个与所述第一臂类似的臂和位于每个臂上的与所述第一夹持件类似的夹持件，并且还包括多个与所述第二臂类似的臂和位于每个臂上的与所述第二夹持件类似的夹持件。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：
用于延伸和回缩至少所述第一夹持件以固定和释放所述第一晶片的第一致动器；和
用于延伸和回缩至少所述第二夹持件以固定和释放所述第二晶片的第二致动器。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的装置，其特征在于，还包括附连到所述第一夹持件的致动器，在启动所述致动器时，所述第一夹持件向所述第一晶片施加向上的力，以便劈裂所述键合晶片结构。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其特征在于，还包括附连到所述第二夹持件的致动器，在启动所述致动器时，所述第二夹持件向所述第二晶片施加向下的力，以便劈裂所述键合晶片结构。
6.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其特征在于，所述第一夹持件包括具有与所述第一晶片的周缘的第一部分互补的形状的边缘，所述边缘包括用于与所述第一晶片的周缘的第一部分接触的表面。
7.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其特征在于，所述第二夹持件包括具有与所述第二晶片的周缘的第二部分互补的形状的边缘，所述边缘包括用于与所述第二晶片的周缘的第二部分接触的表面。
8.一种劈裂包括第一晶片和第二晶片的键合晶片结构的方法，所述第一晶片具有包括第一部分的周缘，所述第二晶片具有包括第二部分的周缘，所述第一部分对着所述第二部分设置，所述方法包括：
使所述第一晶片的周缘的第一部分与安装在第一臂上的第一夹持件的表面接触；
使所述第二晶片的周缘的第二部分与安装在第二臂上的第二夹持件的表面接触；和
通过下述方式中的至少一种劈裂所述键合晶片结构：(1)通过向上致动第一夹持件而在所述第一晶片上施加向上的力，或者(2)通过向下致动第二夹持件而在所述第二晶片上施加向下的力。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括将刀片插入所述第一晶片和所述第二晶片之间，以启动所述键合晶片对的劈裂。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，安装到类似于所述第一臂的臂上的与所述第一夹持件类似的多个夹持件的表面接触所述第一晶片的周缘的第一部分。
11.根据权利要求8-10中的任一项所述的方法，其特征在于，安装到类似于所述第二臂的臂上的与所述第二夹持件类似的多个夹持件的表面接触所述第二晶片的周缘的第二部分。
12.根据权利要求8-11中的任一项所述的方法，其特征在于，包括：
致动至少所述第一夹持件以延伸和回缩至少所述第一夹持件以固定所述第一晶片；
致动至少所述第二夹持件以延伸和回缩至少所述第二夹持件以固定所述第二晶片；
致动至少所述第一夹持件以延伸和回缩至少所述第一夹持件以释放所述第一晶片的至少一部分；和
致动至少所述第二夹持件以延伸和回缩至少所述第二夹持件以释放所述第二晶片的至少一部分。
13.根据权利要求8-12中的任一项所述的方法，其特征在于，包括致动所述第一夹持件，以向所述第一晶片施加向上的力，从而劈裂所述键合晶片结构。
14.根据权利要求8-13中的任一项所述的方法，其特征在于，包括致动所述第二夹持件，以向所述第二晶片施加向下的力，从而劈裂所述键合晶片结构。
15.根据权利要求8-14中的任一项所述的方法，其特征在于，所述第一夹持件包括具有与所述第一晶片的周缘的第一部分互补的形状的边缘，所述边缘包括用于接触所述第一晶片的周缘的第一部分的表面。
16.根据权利要求8-15中的任一项所述的方法，其特征在于，所述第二夹持件包括具有与所述第二晶片的周缘的第二部分互补的形状的边缘，所述边缘包括用于接触所述第二晶片的周缘的第二部分的表面。
17.一种用于劈裂包括第一晶片和第二晶片的键合晶片结构的装置，所述第一晶片具有包括第一部分的周缘，所述第二晶片具有包括第二部分的周缘，所述第一部分对着所述第二部分设置，所述装置包括：
第一抓持元件，所述第一抓持元件具有一个或多个环形元件，所述环形元件具有用于与所述第一晶片的周缘的第一部分接触的表面；和
第二抓持元件，所述第二抓持元件具有一个或多个环形元件，所述环形元件具有用于与所述第二晶片的周缘的第二部分接触的表面。
18.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，所述第一抓持元件的所述一个或多个环形元件连续地接触所述第一晶片的周缘的第一部分。
19.根据权利要求17或18所述的装置，其特征在于，所述第二抓持元件的所述一个或多个环形元件连续地接触所述第二晶片的周缘的第二部分。
20.根据权利要求17-19中的任一项所述的装置，其特征在于，所述第一抓持元件包括一个环形元件，所述环形元件具有用于抓持和释放所述第一晶片的被致动边缘。
21.根据权利要求17-20中的任一项所述的装置，其特征在于，所述第二抓持元件包括一个环形元件，所述环形元件具有用于抓持和释放所述第二晶片的被致动边缘。
22.根据权利要求17-21中的任一项所述的装置，其特征在于，还包括附连到所述第一抓持元件的致动器，在所述致动器启动时，所述第一抓持元件向所述第一晶片施加向上的力，以便劈裂所述键合晶片结构。
23.根据权利要求17-22中的任一项所述的装置，其特征在于，还包括附连到所述第二抓持元件的致动器，在所述致动器启动时，所述第二抓持元件向所述第二晶片施加向上的力，以便劈裂所述键合晶片结构。
24.一种劈裂包括第一晶片和第二晶片的键合晶片结构的方法，所述第一晶片具有包括第一部分的周缘，所述第二晶片具有包括第二部分的周缘，所述第一部分对着所述第二部分设置，所述方法包括：
使所述第一晶片的周缘的第一部分与第一抓持元件的环形元件的表面接触；
使所述第二晶片的周缘的第二部分与第二抓持元件的环形元件的表面接触；和
通过下述方式中的至少一种劈裂所述键合晶片结构：(1)通过向上致动所述第一抓持元件而在所述第一晶片上施加向上的力，或者(2)通过向下致动所述第二抓持元件而在所述第二晶片上施加向下的力。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，还包括在所述第一晶片和所述第二晶片之间插入刀片，以启动所述键合晶片对的劈裂。
26.根据权利要求24或25所述的方法，其特征在于，包括致动所述第一抓持元件，以向所述第一晶片施加向上的力，从而劈裂所述键合晶片结构。
27.根据权利要求24-26中的任一项所述的方法，其特征在于，包括致动所述第二抓持元件，以向所述第二晶片施加向下的力，从而劈裂所述键合晶片结构。
28.根据权利要求24-27中的任一项所述的方法，其特征在于，所述第一抓持元件的一个或多个环形元件连续地接触所述第一晶片的周缘的第一部分。
29.根据权利要求24-28中的任一项所述的方法，其特征在于，所述第二抓持元件的一个或多个环形元件连续地接触所述第二晶片的周缘的第二部分。
30.根据权利要求24-29中的任一项所述的方法，其特征在于，所述第一抓持元件包括一个环形元件，所述环形元件具有被致动边缘，所述方法包括致动所述边缘以抓持和释放所述第一晶片。
31.根据权利要求24-30中的任一项所述的方法，其特征在于，所述第二抓持元件包括一个环形元件，所述环形元件具有被致动边缘，所述方法包括致动所述边缘以抓持和释放所述第二晶片。
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