CN103972265A - 显示装置、显示装置的制造方法和电子装置 - Google Patents

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CN103972265A CN201410043330.9A CN201410043330A CN103972265A CN 103972265 A CN103972265 A CN 103972265A CN 201410043330 A CN201410043330 A CN 201410043330A CN 103972265 A CN103972265 A CN 103972265A
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black matrix
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青柳健一
藤井宣年
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Abstract

本发明公开了显示装置、显示装置的制造方法和电子装置，该显示装置包括：第一基板上的多个发光元件；以及，防反射件，用于防止来自第一基板侧的光在与每个发光元件对应的像素区域内的界限部分反射，所述防反射件位于第二基板侧，第二基板朝向第一基板。

Description

显示装置、显示装置的制造方法和电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年2月5日提交的日本在先专利申请JP2013-020655的权益，其全部内容通过引用结合于本文中。
技术领域
本发明涉及显示装置、显示装置的制造方法和电子装置。本发明具体涉及一种包括发光元件的显示装置。
背景技术
在包括采用（例如）有机电致发光（EL）、无机EL等的发光元件的顶部发光型显示装置中，设置有上面设置有发光元件的元件基板和面向元件基板的密封基板，并且从发光元件发出的光穿过将被观看的透明密封基板。例如，在发光元件发出白光的情况下，从每个发光元件发出的光穿过为将被观看的密封基板设置的彩色滤光片，从而作为具有每个像素的颜色的光。进一步，在发光元件发出具有各个像素的颜色（例如，红色、绿色和蓝色）的光的情况下，彩色滤光片可用于提高色纯度。
为了提高对比度，在与各个像素区域之间的界限对应的位置上设置上述密封基板（还被称为滤色基板）和遮光件（称为黑矩阵）。例如，JP2010-008861A公开了一种关于黑矩阵的技术。根据JP2010-008861A中的技术，为了抑制在彩色滤光片的透射区域与黑矩阵区域之间的边界上发生光衍射，透射区域具有光密度梯度。
发明内容
一种钛等材质的金属薄膜常用于黑矩阵，该金属薄膜具有优越的遮光特性和较高光反射系数。由此，存在这样的情况：即，从发光元件发出的光被黑矩阵的表面反射，从而返回到元件基板侧，并进一步被薄膜之间的布线或界面反射，从而导致光混入到与对应于发光元件的像素不同的另一个像素的区域内。
因此，根据本发明，提出了新颖的改进的并且能够有效防止发出的光在像素区域中的边界部分上反射的显示装置、显示装置制造方法和电子装置。
根据本发明的一个实施方式，提供了一种显示装置，包括：第一基板上的多个发光元件；以及防反射件，用于防止来自第一基板侧的光在与每个发光元件对应的像素区域内的界限部分反射，所述防反射件位于第二基板侧上，第二基板朝向第一基板。
根据本发明的另一个实施方式，提供了一种显示装置制造方法，所述方法包括：在第二基板侧设置防反射件，其中，第二基板朝向第一基板，防反射件用于防止来自第一基板侧的光在与第一基板上的每个发光元件对应的像素区域内的界限部分反射；并且，将第二基板与设有多个发光元件的第一基板粘合在一起。
根据本发明的另一个实施方式，提供了一种包括显示装置的电子装置，显示装置包括：第一基板上的多个发光元件；以及，防反射件，用于防止来自第一基板侧的光在与每个发光元件对应的像素区域内的界限部分反射，所述防反射件位于第二基板侧上，第二基板朝向第一基板。
通过将防反射件布置在像素区域中的界限部分上，可防止在该部分上发生发出的光被反射。因此，可防止发出的光混入另一个像素的区域内。
如上所述，根据本发明的一个或多个实施方式，可有效防止在像素区域中的界限部分上发生发出的光被反射。
附图说明
图1示出了根据本发明的相关技术的显示装置的结构的示例；
图2示出了有机EL显示器中设置的像素驱动电路的配置的示例；
图3示出了有机EL显示器中的显示区域的平面结构的示例；
图4示出了沿图3的I-I截取的显示区域的断面结构的示例；
图5示出了根据本发明第一实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例；
图6示出了根据本发明第一实施方式的显示装置制造方法的步骤中显示装置的状态；
图7为根据本发明第一实施方式的电子装置的配置的示意框图；
图8示出了根据本发明第二实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例；
图9示出了根据本发明第二实施方式的显示装置制造方法的步骤中显示装置的状态；
图10示出了根据本发明第三实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例；
图11示出了根据本发明第三实施方式的显示装置制造方法的步骤中的显示装置的状态；
图12示出了根据本发明第四实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例；
图13示出了根据本发明第四实施方式的显示装置制造方法的步骤中的显示装置的状态；
图14A示出了蛾眼结构制造方法的第一示例；
图14B示出了蛾眼结构制造方法的第一示例；
图15A示出了蛾眼结构制造方法的第二示例；
图15B示出了蛾眼结构制造方法的第二示例；
图15C示出了蛾眼结构制造方法的第二示例；
图15D示出了蛾眼结构制造方法的第二示例；
图16A示出了蛾眼结构制造方法的第三示例；
图16B示出了蛾眼结构制造方法的第三示例；
图16C示出了蛾眼结构制造方法的第三示例；以及
图16D示出了蛾眼结构制造方法的第三示例。
具体实施方式
下文中，将参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。注意，在本说明书和附图中，基本具有相同功能和结构的结构元件将用相同参考号表示，并且这些结构元件的重复说明将被省略。
将按以下顺序进行说明。
1.相关技术说明
2.第一实施方式
2-1.显示装置的结构
2-2.显示装置的制造方法
2-3.在电子装置上的应用
3.第二实施方式
3-1.显示装置的结构
3-2.显示装置的制造方法
4.第三实施方式
4-1.显示装置的结构
4-2.显示装置的制造方法
5.第四实施方式
5-1.显示装置的结构
5-2.显示装置的制造方法
6.蛾眼结构
7.补充
（1.相关技术说明）
为了更好理解本发明的实施方式，首先将参照图1至图4对相关技术进行说明。
（整体结构）
图1示出了根据本发明的相关技术的显示装置的结构的示例。根据本发明相关技术的显示装置为有机EL显示器10。
参照图1，有机EL显示器10具有位于元件基板20上的显示区域30，显示区域30包括布置成矩阵的红色发光元件32R、绿色发光元件32G和蓝色发光元件32B。一组红色发光元件32R、绿色发光元件32G和蓝色发光元件32B构成像素32。在显示区域30的外围设置有信号线驱动电路40和扫描线驱动电路50，作为显示图像的驱动器。
显示区域30还包括连接至红色发光元件32R、绿色发光元件32G和蓝色发光元件32B中每一个的像素驱动电路60。下文将参照图2对像素驱动电路60的配置进行进一步说明。
（像素驱动电路的配置）
图2示出了有机EL显示器10中设置的像素驱动电路60的配置的示例。在该实施方式中，像素驱动电路60是形成于下文所述的发光元件的下部电极下方的有源型驱动电路。
参照图2，像素驱动电路60包括驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2，驱动晶体管Tr1与写入晶体管Tr2之间连接有电容器Cs。红色发光元件32R、绿色发光元件32G或蓝色发光元件32B在第一电源线Vcc与第二电源线GND之间串联连接至驱动晶体管Tr1。
此处，驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2均为常用的薄膜晶体管（TFT）。TFT结构的示例包括各种结构，例如，反交错结构（底栅型）和交错结构（顶栅型）。
进一步，在像素驱动电路60中，布置有多个列方向信号线40A和多个行方向扫描线50A。信号线40A与扫描线50A之间的每个交叉点与红色发光元件32R、绿色发光元件32G和蓝色发光元件32B中的任一个对应。每个信号线40A连接至上述信号线驱动电路40，信号线驱动电路40通过信号线40A向写入晶体管Tr2的源极提供图像信号。以类似的方式，每个扫描线50A与上述扫描线驱动电路50连接，扫描线驱动电路50通过扫描线50A向写入晶体管Tr2的栅极按顺序提供扫描信号。
（显示区域的结构）
图3示出了有机EL显示器10中的显示区域30的平面结构的示例。图4示出了沿图3的I-I截取的显示区域30的断面结构的示例。如图3所示，在显示区域30中，红色发光元件32R、绿色发光元件32G和蓝色发光元件32B布置为矩阵。一组红色发光元件32R、绿色发光元件32G和蓝色发光元件32B构成像素32。
如图4所示，在有机EL显示器10中的显示区域30中，元件基板20和密封基板23利用介于其间的粘合层26而彼此结合。多个发光元件21设置于元件基板20上，发光元件21覆盖有保护层22。另一方面，在密封基板23侧设有彩色滤光片24（红色滤光片24R、绿色滤光片24G和蓝色滤光片24B），黑矩阵25设置于具有各个颜色的彩色滤光片24之间的界限部分上。粘合层26位于保护层22与彩色滤光片24之间。下文将对每个结构元件进行说明。
元件基板20为具有平面表面的支撑件。元件基板20的示例包括金属箔、树脂薄膜、树脂片等。由于有机EL显示器10为顶部发光型显示装置，对于顶部发光型显示装置，从密封基板23侧提取来自发光元件的光，元件基板20不必是透明的。尽管未示出，但上文参照图2所述的像素驱动电路60形成于其中的TFT层以及用于使TFT层的表面平坦化的平坦化膜可设置在元件基板20上。
发光元件21通过对具有预定波长范围内的至少一个峰值波长的发光材料施加电压而发出（例如）白色、红色、绿色或蓝色的光。每个发光元件21包括发光材料层以及对发光材料层施加电压的下部电极和上部电极。下部电极使用（例如）铝合金来形成，并且与元件基板20上形成的像素驱动电路连接。上部电极使用（例如）透明电极材料（例如，铟锌氧化物（IZO））来形成。可在发光材料层的上方和下方堆叠空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等的一个或多个。应注意的是，尽管图4示出了独立的发光元件，但下部电极和发光材料层除外的层也可与发光元件共同形成。
保护层22使用（例如）无机非晶态类绝缘材料构成，并且被形成为覆盖元件基板20的整个表面上的发光元件21。保护层22具有（例如）绝缘性或不透水性，从而保护发光元件21。应注意的是，并不一定设置保护层22，并且粘合层26可位于发光元件21（上部电极）上。
密封基板23（透明基板）由玻璃等形成，并且将形成于显示区域30中的堆叠结构密封。在密封基板23上，在与各个发光元件21对应的像素区域内，设有具有各个像素的颜色的彩色滤光片24（红色滤光片24R、绿色滤光片24G和蓝色滤光片24B）。进一步，黑矩阵25设置于具有各个颜色的彩色滤光片之间的界限部分上。
应注意的是，通过黑矩阵25对具有各个颜色的彩色滤光片24之间的界限部分遮光，从而提高了要显示的图像的对比度。黑矩阵25的示例包括含有遮光金属（例如，钛、氮化钛、钽、氮化钽或钨）的树脂薄膜，或黑色色素（例如，碳）。黑矩阵25的厚度小于彩色滤光片24，如图所示，或厚度基本等于彩色滤光片24的厚度。
粘合层26使用热固化树脂、紫外线固化树脂等来形成，通过插入在元件基板20与密封基板23之间而将两者互相粘合。
在上述有机EL显示器10中，从发光元件21发出的部分光可由使用金属薄膜等形成的黑矩阵25的表面反射，从而返回到元件基板20侧，并可进一步被元件基板20上的薄膜之间的布线或界面反射，结果光混入到与被假定为对应于发光元件21的像素区域不同的另一个像素区域内。由此，会降低要显示的图像的对比度。
为了防止图像对比度的降低，例如，可由具有低反射系数的材料形成黑矩阵25。尽管具有低反射系数的金属薄膜可由铬或氧化铬形成，但近年来其使用比较困难，这是因为其制造步骤会对环境产生不利影响。对于其它金属，还没有发现可用于形成黑矩阵25的金属薄膜的材料，该材料具有足够的遮光性、足够低的反射系数和足够的防腐性。可替代地，黑矩阵25可使用反射系数低于金属薄膜的树脂薄膜来形成；但是，这种情况下，也没有获得足够低的反射系数。
由此，在下文所述的本发明的一个或多个实施方式中，提出了无论黑矩阵25采用何种材料都能防止发出的光在像素区域的界限部分反射的结构。应注意的是，在下文所述的实施方式中，由于可与上述相关技术采用相同整体结构、相同像素驱动电路结构和相同显示区域平面结构，其详细说明将被省略。进一步，通过使用相同参考数字表示相同部分，显示区域的断面结构中与上述相关技术相同的部分的详细说明将被省略。
（2.第一实施方式）
首先，下文将对本发明的第一实施方式进行说明。
（2-1.显示装置的结构）
图5示出了根据本发明第一实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例。根据该实施方式的显示装置为有机EL显示器100。
在有机EL显示器100中的显示区域中，元件基板20和密封基板23利用插在其中的粘合层26而互相粘合在一起。多个发光元件21设置于元件基板20上，并且发光元件21覆盖有保护层22。另一方面，密封基板23侧设有彩色滤光片24（红色滤光片24R、绿色滤光片24G和蓝色滤光片24B）。
进一步，在具有各个颜色的彩色滤光片24之间的界限部分上，在彩色滤光片24与密封基板23之间设置有防反射薄膜110与黑矩阵25。如上所述，黑矩阵25为使用金属薄膜或树脂薄膜形成的遮光件。防反射薄膜110沿黑矩阵25的表面设置在元件基板20侧，并且是用于防止元件基板20侧的光（即，从发光元件21发出的光）反射的部件（防反射件）。
防反射薄膜110可由（例如）表面上形成有蛾眼结构的金属、树脂或无机材料薄膜形成。应注意的是，蛾眼结构是一种由微突起以小于光波长的间隔形成凹凸的结构。在具有蛾眼结构的薄膜的表面上，由于没有形成折射率急剧变化的界面，所以可防止入射光反射。如下文所述，防反射薄膜110的蛾眼结构通过（例如）干法蚀刻或纳米压印法形成。进一步，当采用纳米压印法时，可通过热固化或紫外线固化形成形状。采用热固化时，防反射薄膜110使用（例如）环烯烃聚合物（COP）来形成。可替代地，采用紫外线固化时，防反射薄膜110使用（例如）丙烯酸基或环氧基紫外线固化树脂来形成。采用干法蚀刻时，可将能进行微机械加工的指定材料用于防反射薄膜110；例如，可使用二氧化硅或金属材料（例如，铝）。
可替代地，防反射薄膜110可由防反射涂层（ARC）形成。防反射涂层的厚度被设置为，使得来自发光元件的光（即，被防反射涂层的表面反射的光）的相位与防反射涂层与黑矩阵25之间的界面反射的光的相位相反。因此，表面或界面反射的光会产生干涉，由此防止入射光反射。在防反射涂层由单层制成的情况下，防反射薄膜110使用折射率约处于基板材料的折射率与空气的折射率之间的材料来形成。在防反射涂层由多层制成的情况下，可通过堆叠低折射率材料（例如，二氧化硅）层和高折射率材料（例如，二氧化钛）层来形成防反射薄膜110。
以此方式，沿黑矩阵25的表面设置在元件基板20侧的防反射薄膜110防止光到达黑矩阵25的表面附近从发光元件21发出的光进一步反射。因此，在有机EL显示器100中，防止发出的光混入到与被假设为对应于发光元件21的像素区域不同的像素区域内。
应注意的是，采用防反射薄膜110中包括的防反射结构，可最有效地防止一种波长（即，防反射目标波长（下文也简称为目标波长））产生反射。在该实施方式中，由于从发光元件21发出的光透过彩色滤光片24，随后到达防反射薄膜110，因此期望防反射薄膜110的目标波长根据透过在两侧的像素区域中布置的彩色滤光片24的光的波长来设定。更具体地，防反射薄膜110的目标波长可基于透过在两侧的像素区域中布置的彩色滤光片24的光的两个波长中较长的波长来设定。例如，布置在彩色滤光片24R（透过其的光的颜色为红色）与彩色滤光片24G（透过其的光的颜色为绿色）之间的防反射薄膜110的目标波长可基于透过的光的两个波长中较长的一个（即，红色透射光的波长）而设置。
为了设置防反射薄膜110的目标波长，在（例如）蛾眼结构的情况下，特别地，目标波长可通过调整微突起之间的间隔来设置。微突起之间的间隔越长，目标波长越长。另一方面，在（例如）防反射涂层的情况下，目标波长可通过调整其厚度而设置。
（2-2.显示装置的制造方法）
图6示出了根据本发明第一实施方式的显示装置制造方法的步骤中显示装置的状态。参照图6，首先，在密封基板23上形成黑矩阵25和防反射薄膜110。可通过（例如）先在密封基板23上涂敷黑矩阵25的材料，再在上面涂敷防反射薄膜110的材料，随后利用光刻法对材料进行图案化，来形成黑矩阵25和防反射薄膜110。
此处，在防反射薄膜110使用表面上形成有蛾眼结构的金属、树脂或无机材料薄膜形成的情况下，通过（例如）干法蚀刻、纳米压印法等在防反射薄膜110的表面上形成蛾眼结构。蛾眼结构可在将防反射薄膜110图案化成图示形状之前形成，或可在对防反射薄膜110进行图案化之后形成。
随后，形成具有各个颜色的彩色滤光片24。可通过用光刻法或喷墨法进行图案化，来形成彩色滤光片24。在所示示例中，由于黑矩阵25和防反射薄膜110的厚度均小于彩色滤光片24，所以彩色滤光片24被形成为覆盖这些部件。
另一方面，发光元件21和保护层22在不同的过程中形成于元件基板20上，两个基板（包括其上形成的部件）利用插在其中的粘合层26互相粘合在一起。随后，通过对粘合层26进行固化，完成有机EL显示器100。应注意的是，在所示示例中，尽管粘合层26涂敷在元件基板20侧，但粘合层26也可涂敷在密封基板23侧。
（2-3.在电子装置上的应用）
接下来，将参照图7对包括根据本发明第一实施方式的显示装置的电子装置的配置进行说明。图7为根据本发明第一实施方式的电子装置的配置的示意框图。
参照图7，电子装置1000包括有机EL显示器100、控制电路500、操作单元600、存储单元700和通信单元800。电子装置1000是一种包括有机EL显示器100作为显示单元的特定装置，例如，电视机、手机（智能手机）、数字照相机或个人计算机。
控制电路500配置有（例如）中央处理器（CPU）、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）等，并且控制电子装置1000中的每个单元。有机EL显示器100也由该控制电路500控制。
操作单元600配置有（例如）触摸板、按钮、键盘、鼠标等，并且接收使用者对电子装置1000的操作输入。控制电路500根据操作单元600获取的操作输入控制电子装置1000。
存储单元700配置有（例如）半导体存储器、磁盘、光盘等，并且存储电子装置1000能够运行所使用的各种数据。可通过读取和执行存储在存储单元700中的程序而来操作控制电路500。
另外设置通信单元800。通信单元800是与有线或无线网络900连接的通信接口，并且配置有（例如）调制解调器、端口、天线等。控制电路500通过通信单元800从网络900接收数据，并通过通信单元800将数据传输给网络900。
本发明的实施方式不仅包括上述有机EL显示器100，还包括包含有机EL显示器100的电子装置1000。
（3.第二实施方式）
接下来，将对本发明的第二实施方式进行说明。应注意的是，第二实施方式可以与第一实施方式以相同的方式应用于电子装置，因此其重复说明将省略。
（3-1.显示装置的结构）
图8示出了根据本发明第二实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例。根据该实施方式的显示装置为有机EL显示器200。
在有机EL显示器200中的显示区域中，元件基板20和密封基板23利用插在其间的粘合层26而互相粘合在一起。多个发光元件21设置于元件基板20上，发光元件21上覆盖有保护层22。另一方面，密封基板23侧上设有彩色滤光片24（红色滤光片24R、绿色滤光片24G和蓝色滤光片24B）。
进一步，在具有各个颜色的彩色滤光片24之间的界限部分上，在彩色滤光片24与密封基板23之间设有黑矩阵220。黑矩阵220以与上文所述的其它黑矩阵相同的方式为使用金属薄膜或树脂薄膜形成的遮光件。黑矩阵220与其它黑矩阵的不同之处在于，通过对黑矩阵220在元件基板20侧的表面进行处理从而形成防反射结构220a。防反射结构220a具有（例如）蛾眼结构，并且防止来自元件基板20侧的光（即，从发光元件21发出的光）反射。即，在该实施方式中，防反射结构220a的形成使黑矩阵220还具有防反射件的功能。
以此方式，在该实施方式中，通过对黑矩阵220在元件基板20侧的表面进行处理所形成的防反射结构220a防止从发光元件21发出的光到达黑矩阵220的表面时，部分光被进一步反射。因此，在有机EL显示器200中，防止发出的光混入在不同于被假定与发光元件21对应的像素区域的另一个像素区域内。
应注意，防反射结构220a的防反射目标波长可以与上文所述的第一实施方式中的防反射薄膜110的目标波长相同的方式设置，因此其重复说明将省略。
此处，作为上述第一实施方式与该实施方式的比较结果，该实施方式中的显示装置的结构可较为简单，这是因为防反射结构220a设置于黑矩阵220的表面上，不需要再设置其它防反射件。相比之下，在第一实施方式中，防反射薄膜110应作为除黑矩阵25之外的部件来设置，从而显示装置的结构比该实施方式复杂。但是，在第一实施方式中，由于黑矩阵25和防反射薄膜110为分离的部件，可针对各个部件选择光学材料。例如，通过为黑矩阵25选择具有较高遮光性的材料，可减小其厚度。另外，在（例如）蛾眼结构的情况下，通过为防反射薄膜选择易于通过干法蚀刻或纳米压印法进行处理的材料，可形成极其精密的蛾眼结构。
（3-2.显示装置的制造方法）
图9示出了根据本发明第二实施方式的显示装置制造方法的步骤中的显示装置的状态。如图9所示，首先，在密封基板23上形成黑矩阵220，并且对黑矩阵220的表面进行处理以形成防反射结构220a。可通过（例如）在密封基板23上涂敷材料并利用光刻法对材料进行图案化，从而形成黑矩阵220。在（例如）蛾眼结构的情况下，通过用干法蚀刻、纳米压印法等对黑矩阵220的表面进行处理来形成防反射结构220a。防反射结构220a可在将黑矩阵220图案化成所示出的形状之前形成，或可在对黑矩阵220进行图案化之后形成。
随后，形成具有各个颜色的彩色滤光片24。可通过用光刻法或喷墨法进行图案化来形成彩色滤光片24。在所示示例中，由于黑矩阵220的厚度小于彩色滤光片24，所以彩色滤光片24被形成为覆盖黑矩阵220。
另一方面，发光元件21和保护层22在不同过程中形成于元件基板20上，并且两个基板（包括其上形成的部件）利用插在其间的粘合层26而互相粘合在一起。随后，通过对粘合层26进行固化，有机EL显示器200完成。应注意的是，在所示示例中，粘合层26涂敷在元件基板20侧，但粘合层26也可涂敷在密封基板23侧。
（4.第三实施方式）
接下来将对本发明的第三实施方式进行说明。应注意的是，第三实施方式可以以与第一实施方式相同的方式应用于电子装置，因此其重复说明将省略。
（4-1.显示装置的结构）
图10示出了根据本发明第三实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例。根据该实施方式的显示装置为有机EL显示器300。
在有机EL显示器300中的显示区域中，元件基板20和密封基板23利用插在其间的粘合层26而互相粘合在一起。多个发光元件21设置于元件基板20上，并且发光元件21上覆盖有保护层22。另一方面，在密封基板23侧上设有彩色滤光片24（红色滤光片24R、绿色滤光片24G和蓝色滤光片24B）。
进一步，在具有各个颜色的彩色滤光片24之间的界限部分上，防反射薄膜310与黑矩阵25一起设置于彩色滤光片24在元件基板20侧的表面上。如上所述，黑矩阵25为使用金属薄膜或树脂薄膜形成的遮光件。防反射薄膜310沿黑矩阵25在元件基板20侧的表面设置，并且防止元件基板20侧的光（即，从发光元件21发出的光）被这些表面反射。
防反射薄膜310可以以与上述根据第一实施方式的防反射薄膜110相同的方式使用（例如）表面上形成有蛾眼结构的金属、树脂或无机材料的薄膜来形成，或可由防反射涂层形成（ARC）。在该实施方式中，沿黑矩阵25在元件基板20侧的表面设置的防反射薄膜310防止从发光元件21发出的光到达黑矩阵25的表面附近时从发光元件21发出的光被进一步反射。因此，在有机EL显示器300中，防止发出的光混入不同于被假设为与发光元件21对应的像素区域的另一个像素区域内。
此处，作为上述第一实施方式与该实施方式的比较结果，在第一实施方式中，黑矩阵25和防反射薄膜110设置于彩色滤光片24与密封基板23之间。因此，防反射薄膜110的防反射目标为透过彩色滤光片24的光。因此，在第一实施方式中，防反射薄膜110的防反射目标波长可根据透过布置在两侧的像素区域中的彩色滤光片24的光的波长来设定。
另一方面，在该实施方式中，黑矩阵25和防反射薄膜310设置于彩色滤光片24在元件基板20侧的表面上。因此，防反射薄膜310的防反射目标为从发光元件21发出的、在进入彩色滤光片24之前的光。因此，在该实施方式中，防反射薄膜310的防反射目标波长可根据从布置在两侧的像素区域中的发光元件21发出的光的波长来设置。
如上所述，发光元件21可发出具有各个像素的颜色（例如，红色、绿色和蓝色）的光，或可发出像素共有的白光。在前一种情况下，由于发光元件21的发射波长随着像素的不同而不同，所以防反射薄膜310的防反射目标波长可根据（例如）布置在两侧的像素区域中的发光元件21的两个发射波长中较长的波长来设置。在后一种情况下，由于发光元件21的发射波长为像素所共有，所以防反射薄膜310的防反射波长可为像素所共有。由此，根据该实施方式，可在发光元件21发出白光时设置对像素共有的防反射薄膜310的目标波长，因此，其优点在于，简化了形成防反射薄膜310的步骤。
（4-2.显示装置的制造方法）
图11示出了根据本发明第三实施方式的显示装置制造方法的步骤中的显示装置的状态。如图11所示，首先，在密封基板23上形成具有各个颜色的彩色滤光片24。可通过使用例如光刻法或喷墨法进行图案化来形成彩色滤光片24。
接下来,在彩色滤光片24上形成黑矩阵25和防反射薄膜310。可通过（例如）先在彩色滤光片24或下文将描述的保护层上涂敷黑矩阵25的材料，再在上面涂敷防反射薄膜310的材料，随后利用光刻法对材料进行图案化，来形成黑矩阵25和防反射薄膜310。
此时，在考虑形成黑矩阵25和防反射薄膜310的过程中对彩色滤光片24造成损坏的情况下，可在彩色滤光片24的表面上形成保护层（未示出），随后可在其上形成黑矩阵25和防反射薄膜310。进一步，由于光谱特性，将具有各个颜色的彩色滤光片24形成不同厚度，并且还可通过形成台阶在边界部分上形成台阶。另外，在彩色滤光片24之间的边界部分上的台阶较大的情况下，可在彩色滤光片24的表面上形成保护层（未示出），并且通过（例如）化学机械抛光（CMP）对保护层的表面进行抛光，随后可形成黑矩阵25和防反射薄膜310。可替代地，在具有台阶的表面上涂敷黑矩阵25的材料时，可通过（例如）CMP对表面进行抛光。
此处，在使用表面上形成有蛾眼结构的金属、树脂或无机材料的薄膜来形成防反射薄膜310的情况下，通过（例如）干法蚀刻、纳米压印法等在防反射薄膜310的表面上形成蛾眼结构。蛾眼结构可在将防反射薄膜310图案化成所示的形状之前形成，或可在对防反射薄膜310图案化之后形成。
另一方面，发光元件21和保护层22在不同过程中形成于元件基板20上，并且两个基板（包括其上形成的部件）利用插在其间的粘合层26而互相粘合在一起。随后，通过对粘合层26进行固化，有机EL显示器300完成。应注意的是，尽管在所示示例中，粘合层26涂敷在元件基板20侧，但粘合层26也可涂敷在密封基板23侧。
（5.第四实施方式）
接下来将对本发明的第四实施方式进行说明。应注意的是，第四实施方式可以以与第一实施方式相同的方式应用于电子装置，因此其重复说明将省略。
（5-1.显示装置的结构）
图12示出了根据本发明第四实施方式的显示装置中的显示区域的断面结构的示例。根据该实施方式的显示装置为有机EL显示器400。
在有机EL显示器400中的显示区域中，元件基板20和密封基板23利用插在其间的粘合层26而互相粘合在一起。多个发光元件21设置于元件基板20上，并且发光元件21上覆盖有保护层22。同时，密封基板23侧上设有彩色滤光片24（红色滤光片24R、绿色滤光片24G和蓝色滤光片24B）。
进一步，在具有各个颜色的彩色滤光片24之间的边界部分上，黑矩阵25设置于彩色滤光片24在元件基板20侧的表面上。黑矩阵420以与上文所述的其它黑矩阵相同的方式是使用金属薄膜或树脂薄膜形成的遮光件。黑矩阵420与其它黑矩阵的不同之处在于，通过对黑矩阵420在元件基板20侧的表面进行处理而形成防反射结构420a。防反射结构420a具有（例如）蛾眼结构，并且防止元件基板20侧的光（即，从发光元件21发出的光）反射。即，在该实施方式中，防反射结构420a的形成使得黑矩阵420还具有防反射件的功能。
这样，在该实施方式中，通过对黑矩阵420在元件基板20侧的表面进行处理而形成的防反射结构220a防止从发光元件21发出光到达黑矩阵420的表面时部分光被进一步反射。因此，在有机EL显示器400中，防止发出的光混入不同于被假设为与发光元件21对应的像素区域的另一个像素区域内。
应注意的是，防反射结构420a的防反射目标波长可以以与上文所述的第三实施方式中的防反射薄膜310的目标波长相同的方式设置，因此其重复说明将省略。
从图中可以明显地看出，该实施方式与上述第二实施方式的相同之处在于，通过对黑矩阵420的表面进行处理而形成防反射结构420a，并且与上述第三实施方式的相同之处在于，防反射薄膜310形成于彩色滤光片24在元件基板20侧的表面上。因此，当将上述第一实施方式与（例如）该实施方式相比时，该实施方式的特征可包括第二实施方式和第三实施方式的特征。
（5-2.显示装置的制造方法）
图13示出了根据本发明第四实施方式的显示装置制造方法的步骤中的显示装置的状态。如图13所示，首先，在密封基板23上形成具有各个颜色的彩色滤光片24。可通过用光刻法或喷墨法进行图案化来形成彩色滤光片24。
接下来，在彩色滤光片24上形成黑矩阵420，并且通过对黑矩阵420的表面进行处理而形成防反射结构420a。可通过（例如）在彩色滤光片24上涂敷材料，并利用光刻法对材料进行图案化来形成黑矩阵420。在（例如）蛾眼结构的情况下，通过用干法蚀刻、纳米压印法等对黑矩阵420的表面进行处理而形成防反射结构420a。防反射结构420a可在将黑矩阵420图案化成所示的形状之前形成，或可在对黑矩阵420进行图案化之后形成。
此时，在考虑用于形成黑矩阵420的步骤过程中对彩色滤光片24造成损坏的情况下，可在彩色滤光片24的表面上形成保护层（未示出），随后可在其上形成黑矩阵420。进一步，由于光谱特性的原因，具有各个颜色的彩色滤光片24可形成不同厚度，还可通过形成台阶而在边界部分上形成台阶。在彩色滤光片24之间的边界部分上的台阶较大的情况下，可在彩色滤光片24的表面上形成保护层（未示出），并且通过（例如）化学机械抛光（CMP）对保护层的表面进行抛光，随后可形成黑矩阵420。可替代地，在具有台阶的表面上涂敷黑矩阵420的材料时，可通过（例如）CMP对表面进行抛光。
另一方面，发光元件21和保护层22在不同过程中形成于元件基板20上，两个基板（包括其上形成的部件）利用插在其间的粘合层26而互相粘合在一起。随后，通过对粘合层26进行固化，有机EL显示器400完成。应注意的是，尽管在所示示例中粘合层26涂敷在元件基板20侧，但粘合层26也可涂敷在密封基板23侧。
（6.蛾眼结构）
接下来，将对可应用于本发明每个实施方式的蛾眼结构的制造方法的示例进行说明。下文将对采用干法蚀刻的制造方法进行说明，但可应用于本发明的实施方式的制造方法并不限于此。进一步，尽管在以下说明中使用树脂薄膜作为蛾眼结构的材料，但本发明的实施方式中使用的材料并不限于此，还可使用能够进行微机械加工的指定材料，例如，二氧化硅或金属材料（例如，铝）。
（第一实施例）
如图14A所示，通过使用树脂薄膜92中的微粒（未示出）作为掩模对树脂薄膜92进行蚀刻，而且逐渐蚀刻微粒，使得在树脂薄膜92上形成微突起虚设图案94。
随后，如图14B所示，形成上面形成有微突起虚设图案94的树脂薄膜92，并且对处理目标本体91的表面进行回蚀刻（back etch）。因此，树脂薄膜92的表面上形成的微突起虚设图案94的表面形状被转印到处理目标本体91的表面上，使得在处理目标本体91的表面上形成微突起图案95。
（第二实施例）
如图15A所示，微粒93设置于处理目标本体91的表面上。例如，分散有微粒93的溶剂（未示出）以薄膜的形式形成于处理目标本体91的表面上，使得微粒93设置于处理目标本体91的表面上。特别地，将分散有微粒93的溶剂（未示出）通过涂敷法以薄膜的形式涂敷在处理目标本体91的表面上，随后使溶剂蒸发，使得仅将微粒93设置于处理目标本体91的表面上。
具体的薄膜形成方法的示例包括干法凝固、电泳吸收薄膜、气液界面单颗粒薄膜、旋涂、光耦合法和其它液体薄膜法。
例如，使用用作固态成像装置的钝化薄膜的氮化硅薄膜作为处理目标本体91，使用二氧化硅颗粒作为起掩模作用的微粒93。对于溶剂，使用水和粒径约为900nm的二氧化硅颗粒的水溶液（浓度：0.1至90wt%）制备涂布溶液。将涂布溶液涂敷在氮化硅薄膜的处理目标本体91上，氮化硅薄膜已通过（例如）旋涂机形成于硅基板（未示出）最上面的表面上。二氧化硅颗粒的粒径并不一定要严格控制。根据要防止反射的光的波长，只要粒径小于约300nm并可被稳定处理即可接受，即，粒径大于或等于约90nm。进一步，涂敷装置并不限于旋涂机，可使用喷嘴涂敷装置进行涂敷。随后，通过烘烤干燥等将溶剂蒸发，由此获得单颗粒层96（二氧化硅颗粒设置于单层中的状态）。
随后，如图15B至15D所示，进行处理目标本体91的蚀刻速率高于微粒93的蚀刻速率的各向异性蚀刻处理，由此在处理目标本体91的表面上形成微突起图案95。在各向异性蚀刻过程中，处理目标本体91与微粒93之间的蚀刻选择比设为恒定值。
特别地，通过使用（例如）平行平板等离子蚀刻装置对形成有单颗粒层96的处理目标本体91进行各向异性蚀刻处理。使用四氟化碳（CF4）、氩（Ar）和氧（O2）作为各向异性蚀刻的蚀刻气体。例如，将CF4、Ar、O2的流速分别设为90cm3/min、900cm3/min和6cm3/min。进一步，蚀刻气压（腔室的内部压力）设为0.67Pa，电源功率设为9000W，偏置功率设为500W，基板温度设为20℃。这些条件仅为示例，可根据情况改变。
在蚀刻条件中，二氧化硅颗粒和氮化硅薄膜之间的蚀刻选择比为3。即，二氧化硅颗粒和氮化硅薄膜每单位面积的蚀刻比为1:3。
图15B示出了在上述条件下将微粒93（二氧化硅颗粒）蚀刻到其厚度的1/2的状态。图15C示出了将微粒93（二氧化硅颗粒）蚀刻到其厚度的3/4的状态。进一步，图15D示出了将微粒93（二氧化硅颗粒）完全蚀刻的状态。通过蚀刻步骤，可在处理目标本体91的表面上形成宽度约为900nm以及高度约为300nm的纺锤状微突起图案95。这样，由处理目标本体91的整个表面上形成的一簇微突起图案95形成蛾眼结构本体90。
由于微突起图案95越高，折射率的变化越平滑，所以使用蛾眼结构本体是令人想要的。应注意的是，由于蛾眼结构本体90越厚，被吸收的光量越大，微突起图案95的高度可根据反射和吸收情况来设置。
尽管在该实施例中，调整蚀刻选择比，以使纵横比（高度与宽度方向的比）为3，但也可根据装置的预期性能设置微突起图案95的宽度和高度尺寸，由此，可设置微粒93和蚀刻的条件。
即使将使用折射率与氮化硅薄膜的折射率不同的另一种材料的薄膜形成于由此获得的微突起图案95的上部上，将很难产生反射，其中处理目标本体由氮化硅薄膜形成。毫无疑问，即使微突起图案95的上部是空气，而不是使用另一种材料的薄膜，类似地，也很难产生反射。
应注意的是，可使用的微粒93并不限于二氧化硅颗粒（硅石颗粒）。无机颗粒的示例包括由氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物等的化合物制成的颗粒，以及金属颗粒。氧化物的示例包括二氧化硅（硅石）、氧化铝（氧化铝）、氧化锆（氧化锆）、氧化钛（氧化钛）、氧化铈（氧化铈）、氧化锌和氧化锡。氮化物的示例包括氮化硅、氮化铝和氮化硼。碳化物的示例包括碳化硅、碳化硼、金刚石、石墨和富勒烯。硼化物的示例包括硼化锆（ZrB2）和硼化铬（CrB2）。金属颗粒的示例包括金、银、铂、钯、铜、镍、钴和铁。但是，更合适的是，期望使用不含会造成污染的金属元素的材料制成的微粒。因此，合适的是，使用硅、二氧化硅、金刚石、氮化硅和碳化硅（SiC）。
有机材料的示例包括：苯乙烯基树脂（例如，聚苯乙烯）；丙烯基树脂，例如，聚甲基丙烯酸甲酯；通过配位聚合作用获得的聚合物，例如，聚乙烯或聚丙烯；通过缩聚作用获得的聚合物，例如，聚碳酸酯、聚酰胺（例如，尼龙66（注册商标））、聚酯、聚酰亚胺、聚苯醚、聚芳硫醚、聚醚酮或聚醚醚酮；通过开环聚合作用获得的聚合物，例如，尼龙6（注册商标）或聚己酸内酯；以及有机晶体，例如，色素。
合适的是使用多面形或球形等作为微粒93的形状，但特别优选地，应使用球形，这是因为易于控制排列并获得最密置结构。颗粒的尺寸可根据所需蛾眼结构视情况而选择；但是，优选地，平均粒径应大于或等于90nm且小于或等于300nm。尽管对微粒93的粒径分布并没有特别限制，但为了易于形成单颗粒层，与使用具有大粒径分布的颗粒相比，更优选的是，使用具有明显粒径分布，特别是单分散分布的颗粒。
处理目标本体91可使用各种材料的任一种来性成，各种材料的示例包括硅基板、单晶硅薄膜、多晶硅薄膜、非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氧氮化硅薄膜、树脂薄膜、钨薄膜、铝薄膜、铜（Cu）薄膜、玻璃、石英和树脂板。微粒93材料的选择可以顺从适合处理目标本体91的蚀刻条件，蚀刻条件可被调整为使得蚀刻选择比能够符合上述蛾眼结构的形成。
根据上述第二实施例的蛾眼结构本体90的制造方法，在微粒93布置于处理目标本体91的表面上的状态下，进行处理目标本体91的蚀刻速率高于微粒93的蚀刻速率的各向异性蚀刻处理。因此，可通过使用微粒93作为蚀刻掩模来对处理目标本体91的表面进行蚀刻。进一步，由于以低于处理目标本体91的蚀刻速率来蚀刻微粒93，所以微突起图案95被形成为这样的形状，即，突起在其高度方向上分成均等厚度时，每个突起的体积从每个突起的顶点到底部以基本为线性的方式增加。
进一步，由于微粒93为球形，所以在蚀刻微粒93的同时蚀刻处理目标本体91的表面时，在处理目标本体91的表面上形成纺锤状微突起图案95。因此，球形或基本为球形的微粒的使用能够使得在不需要采用任何昂贵光刻装置的情况下形成蛾眼结构所期望的精微二维图案。
另外，通过将微粒93分散到溶剂中，微粒93可均匀分布。因此，处理目标本体91的表面上形成的微粒93（即，分散到溶剂中的微粒93）以均匀分布的形式布置于处理目标本体91的表面上。另外，当溶剂的粘度约为（例如）0.01Pa·s或以上时，还可将微粒93设置在曲面上。
（第三实施例）
如图16A所示，微粒93以与上述第二实施例相同的方式设置于处理目标本体91的表面上。例如，分散有微粒93的溶剂（未示出）以薄膜的形式形成于处理目标本体91的表面上，使得微粒93布置于处理目标本体91的表面上。特别地，将分散有微粒93的溶剂（未示出）通过涂敷法以薄膜的形式涂敷在处理目标本体91的表面上，随后将溶剂蒸发，由此仅将微粒93布置于处理目标本体91的表面上。
具体的薄膜形成方法的示例包括干法凝固、电泳吸收薄膜、气液界面单颗粒薄膜、旋涂、光耦合法和其它液体薄膜法。
例如，使用用作固态成像装置的钝化薄膜的氮化硅薄膜作为处理目标本体91，并且使用二氧化硅颗粒作为起掩模作用的微粒93。对于溶剂，用水和粒径约为900nm的二氧化硅颗粒的水溶液（浓度：0.1至90wt%）制备涂层溶液。将涂层溶液涂敷在氮化硅薄膜的处理目标本体91上，氮化硅薄膜已通过（例如）旋涂机形成于硅基板（未示出）最上面的表面上。并不一定要严格控制二氧化硅颗粒的粒径。根据要防止反射的光的波长，只要粒径小于约300nm并可被稳定处理，即，大于或等于约90nm，便可接受。进一步，涂敷装置并不限于旋涂机，可使用喷嘴涂敷装置进行涂敷。随后，通过烘烤干燥等将溶剂蒸发，由此获得单颗粒层96（二氧化硅颗粒设置于单层中的状态）。
随后，如图16B至图16D所示，进行处理目标本体91的蚀刻速率高于微粒93的蚀刻速率的各向异性蚀刻处理，由此在处理目标本体91的表面上形成微突起图案95。在各向异性蚀刻过程中，处理目标本体91与微粒93之间的蚀刻选择比关系在蚀刻过程中变化，并且处理目标本体91的蚀刻速率高于微粒93的蚀刻速率。由此，微突起图案95的高度方向上的体积变化基本为线性。
具体地，通过使用（例如）平行平板等离子蚀刻装置对形成有单颗粒层96的处理目标本体91进行各向异性蚀刻处理。使用四氟化碳（CF4）、氩（Ar）和氧（O2）作为各向异性蚀刻的蚀刻气体。例如，先将CF4、Ar、O2的流速分别设为4cm3/min、900cm3/min和6cm3/min。进一步，蚀刻气压（腔室的内部压力）设为0.67Pa，电源功率设为9000W，偏置功率设为500W，基板温度设为20℃。这些条件仅为示例，可根据情况改变。
图16B示出了在上述条件下将微粒93（二氧化硅颗粒）蚀刻到其厚度的1/2的状态。
随后，在蚀刻了微粒93（二氧化硅颗粒）的70%时，将氧（O2）的流速设为6cm3/min，并且将蚀刻选择比设为3。图16C示出了将微粒93（二氧化硅颗粒）蚀刻到其厚度的70%的状态。
随后，在蚀刻了微粒93（二氧化硅颗粒）90%的厚度时，将氧（O2）的流速设为8cm3/min，蚀刻选择比设为4。进一步，在微粒93（二氧化硅颗粒）被完全蚀刻时，将氧（O2）的流速设为90cm3/min，并且将蚀刻选择比设为5。图16D示出了将微粒93（二氧化硅颗粒）完全蚀刻的状态。
通过这些步骤，可在处理目标本体91的表面上形成宽度约为900nm、高度约为300nm的纺锤状微突起图案95。这样，由处理目标本体91的整个表面上形成的一簇微突起图案95构成蛾眼结构本体90。
由于微突起图案95越高，折射率的变化越平滑，蛾眼结构是令人想要的。应注意的是，由于蛾眼结构越厚，被吸收的光量越大，所以微突起图案95的高度可根据反射和吸收情况而设置。
尽管在上述示例中，通过改变氧（O2）的流速来改变微粒93（二氧化硅颗粒）与处理目标本体91（氮化硅薄膜）之间的蚀刻选择比，但相似地，也可通过改变腔室压力来控制蚀刻选择比。尽管即使在腔室压力改变，微粒93（二氧化硅颗粒）的蚀刻速率也不会有太大改变，但氮化硅薄膜的蚀刻速率改变。例如，在腔室压力从0.27Pa变为93.3Pa的情况下，氮化硅薄膜的蚀刻速率可增加约三倍。因此，将蚀刻条件设置为，初始蚀刻选择比设为2（微粒93（二氧化硅颗粒）与氮化硅薄膜以每单位面积的比率为1:2进行蚀刻）。进一步，如上所述，通过增加腔室压力，使最终蚀刻选择比变成5，可类似地形成合适的蛾眼结构。
基于根据上述第三实施例的蛾眼结构本体90的制造方法，在微粒93布置于处理目标本体91的表面上的状态下，进行处理目标本体91的蚀刻速率高于微粒93的蚀刻速率的各向异性蚀刻处理。结果，可通过使用微粒93作为蚀刻掩模来对处理目标本体91的表面进行蚀刻。进一步，在各向异性蚀刻过程中，处理目标本体91与微粒93之间的蚀刻选择比关系在蚀刻过程中变化，并且处理目标本体91的蚀刻速率高于微粒93的蚀刻速率。因此，使微突起图案95的高度方向上的体积变化基本为线性。因此，在蛾眼结构本体90中的微突起图案95的高度方向上折射率以线性方式改变。即，折射率从微突起图案95的基部到顶点以线性方式下降。
另外，微粒93的球形形状使微突起图案95的高度方向上的体积变化易于变成基本为线性。即，由于微粒93在蚀刻时尺寸减小，所以将处理目标本体91的表面蚀刻成纺锤状，使得形成微突起图案95。例如，当微粒93具有平面形状时，微粒93的厚度通过蚀刻过程而减小，但其尺寸几乎不变。在这种情况下，处理目标本体91被形成微粒93的平面形状所转印至的柱状而不是纺锤状。
另外，通过将微粒93分散到溶剂中，能够均匀分布微粒93。因此，处理目标本体91的表面上形成的微粒93（分散到溶剂中的微粒93）以均匀分布的形式布置于处理目标本体91的表面上。另外，球形或基本为球形的微粒的使用使得能够在不需要采用任何昂贵光刻装置的情况下，形成蛾眼结构所期望的精微二维图案。
将蚀刻条件设置为随着蚀刻的进行蚀刻选择比增加的方法以与上述第三实施例相同的方式，可应用于根据形成有微突起虚设图案14的上述第一实施例的蚀刻。这种情况下，可将微突起虚设图案14形成为纺锤状。
（7.补充）
尽管上述实施方式的说明中示出了显示装置为有机EL显示器的实施例，但本发明的实施方式并不限于这些实施例。本发明的每个实施方式可应用于任何一种显示装置，例如，无机EL显示器，只要显示装置包括发光元件即可。
本文根据附图对本发明的优选实施方式进行了详细说明，但本发明的技术范围并不限于此。本领域的技术人员应理解的是，只要不脱离附加权利要求或其等同物的范围，可根据设计要求和其他因素进行各种修改、组合、次组合和改变。
另外，本技术还可配置如下。
（1）一种显示装置，包括：
第一基板上的多个发光元件；以及
防反射件，被配置为防止来自第一基板侧的光在与每个所述发光元件对应的像素区域内的边界部分反射，所述防反射件位于第二基板面向所述第一基板的第二基板侧。
（2）根据（1）所述的显示装置，进一步包括：
彩色滤光片，设置于所述第二基板上的所述像素区域内，
其中，所述防反射件设置于所述彩色滤光片与所述第二基板之间。
（3）根据（2）所述的显示装置，其中，所述防反射件的防反射目标波长根据透过所述彩色滤光片的光的波长来设定，其中所述彩色滤光片设置在所述防反射件两侧的像素区域内。
（4）根据（1）所述的显示装置，进一步包括：
彩色滤光片，设置于所述第二基板上的像素区域内，
其中，所述防反射件设置于所述彩色滤光片在所述第一基板侧的表面上。
（5）根据（4）所述的显示装置，其中，所述防反射件的防反射目标波长根据从与所述防反射件两侧的像素区域对应的发光元件发出的光的波长来设定。
（6）根据（1）至（5）任一项所述的显示装置，进一步包括：
黑矩阵，设置于所述像素区域内的界限部分上，
其中，所述防反射件沿着所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面设置。
（7）根据（6）所述的显示装置，其中，防反射件为防反射涂层。
（8）根据（1）至（5）任一项所述的显示装置，进一步包括：
黑矩阵，设置于所述像素区域内的界限部分上，所述黑矩阵被配置为通过对所述黑矩阵在所述第一基板侧上的表面进行处理而还具有防反射件的功能。
（9）根据（1）至（6）任一项所述的显示装置，其中，所述防反射件在所述第一基板侧的表面上形成有蛾眼结构。
（10）一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
在第二基板面向第一基板的第二基板侧上设置防反射件，所述防反射件被配置为防止来自所述第一基板侧的光在与所述第一基板上的多个发光元件中的每一个对应的像素区域内的界限部分反射；并且
将所述第二基板与设置有所述多个发光元件的所述第一基板结合。
（11）根据（10）所述的用于制造显示装置的方法，所述方法进一步包括：
在所述第二基板上的所述像素区域内设置彩色滤光片，
其中，设置所述防反射件的步骤在设置所述彩色滤光片的步骤之前进行。
（12）根据（10）所述的用于制造显示装置的方法，所述方法进一步包括：
在所述第二基板上的所述像素区域内设置彩色滤光片，
其中，设置所述防反射件的步骤在设置所述彩色滤光片的步骤之后进行。
（13）根据（10）至（12）任一项所述的用于制造显示装置的方法，所述方法进一步包括：
在所述像素区域内的界限部分上设置黑矩阵，
其中，沿所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面设置所述防反射件。
（14）根据（10）至（12）任一项所述的用于制造显示装置的方法，其中，设置防反射件的步骤包括
在所述像素区域内的界限部分上设置黑矩阵，并且
通过对所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面进行处理而形成防反射结构。
（15）根据（10）所述的用于制造显示装置的方法，所述方法进一步包括：
在所述防反射件在第一基板侧的表面上形成蛾眼结构。
（16）根据（15）所述的用于制造显示装置的方法，其中，形成蛾眼结构的步骤包括
在所述防反射件的表面上形成散布有微粒的树脂薄膜，
通过用所述树脂薄膜中的微粒作为掩模对树脂薄膜进行蚀刻，并逐渐对所述微粒进行蚀刻而在所述树脂薄膜上形成微突起虚设图案，并且
对形成有所述微突起虚设图案的树脂薄膜和所述防反射件的表面进行回蚀刻，以将形成于所述树脂薄膜的表面上的所述微突起虚设图案的表面形状转印到所述防反射件的表面上，从而在所述防反射件的表面上形成所述微突起虚设图案。
（17）根据（15）所述的用于制造显示装置的方法，其中，形成蛾眼结构的步骤包括
在所述防反射件的表面上布置微粒，并且
通过进行所述防反射件的蚀刻速率高于所述微粒的蚀刻速率的各向异性蚀刻处理而在所述防反射件的表面上形成微突起虚设图案。
（18）一种电子装置，包括：
显示装置，包括
设置于第一基板上的多个发光元件，以及
防反射件，用于防止来自第一基板侧的光在与每个所述发光元件对应的像素区域内的界限部分反射，所述防反射件位于第二基板朝向所述第一基板的第二基板侧上。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：
第一基板上的多个发光元件；以及
防反射件，被配置为防止来自第一基板侧的光在与每个所述发光元件对应的像素区域内的边界部分反射，所述防反射件位于第二基板面向所述第一基板的第二基板侧。
2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
彩色滤光片，设置于所述第二基板上的所述像素区域内，
其中，所述防反射件设置于所述彩色滤光片与所述第二基板之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述防反射件的防反射目标波长根据透过所述彩色滤光片的光的波长来设定，其中所述彩色滤光片设置在所述防反射件两侧的像素区域内。
4.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
彩色滤光片，设置于所述第二基板上的像素区域内，
其中，所述防反射件设置于所述彩色滤光片在所述第一基板侧的表面上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述防反射件的防反射目标波长根据从与所述防反射件两侧的像素区域对应的发光元件发出的光的波长来设定。
6.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
黑矩阵，设置于所述像素区域内的界限部分上，
其中，所述防反射件沿着所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面设置。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述防反射件为防反射涂层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
黑矩阵，设置于所述像素区域内的界限部分上，所述黑矩阵被配置为通过对所述黑矩阵在所述第一基板侧上的表面进行处理而还具有防反射件的功能。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述防反射件在所述第一基板侧的表面上形成有蛾眼结构。
10.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
在第二基板面向第一基板的第二基板侧上设置防反射件，所述防反射件被配置为防止来自所述第一基板侧的光在与所述第一基板上的多个发光元件中的每一个对应的像素区域内的界限部分反射；并且
将所述第二基板与设置有所述多个发光元件的所述第一基板结合。
11.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法，所述方法进一步包括：
在所述第二基板上的所述像素区域内设置彩色滤光片，
其中，设置所述防反射件的步骤在设置所述彩色滤光片的步骤之前进行。
12.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法，所述方法进一步包括：
在所述第二基板上的所述像素区域内设置彩色滤光片，
其中，设置所述防反射件的步骤在设置所述彩色滤光片的步骤之后进行。
13.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法，所述方法进一步包括：
在所述像素区域内的界限部分上设置黑矩阵，
其中，沿所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面设置所述防反射件。
14.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法，其中，设置所述防反射件的步骤包括
在所述像素区域内的界限部分上设置黑矩阵，并且
通过对所述黑矩阵在所述第一基板侧的表面进行处理而形成防反射结构。
15.根据权利要求10所述的用于制造显示装置的方法，所述方法进一步包括：
在所述防反射件在第一基板侧的表面上形成蛾眼结构。
16.根据权利要求15所述的用于制造显示装置的方法，其中，形成所述蛾眼结构的步骤包括
在所述防反射件的表面上形成散布有微粒的树脂薄膜，
通过用所述树脂薄膜中的微粒作为掩模对树脂薄膜进行蚀刻，并逐渐对所述微粒进行蚀刻而在所述树脂薄膜上形成微突起虚设图案，并且
对形成有所述微突起虚设图案的树脂薄膜和所述防反射件的表面进行回蚀刻，以将形成于所述树脂薄膜的表面上的所述微突起虚设图案的表面形状转印到所述防反射件的表面上，从而在所述防反射件的表面上形成所述微突起虚设图案。
17.根据权利要求15所述的用于制造显示装置的方法，其中，形成所述蛾眼结构的步骤包括
在所述防反射件的表面上布置微粒，并且
通过进行所述防反射件的蚀刻速率高于所述微粒的蚀刻速率的各向异性蚀刻处理而在所述防反射件的表面上形成微突起虚设图案。
18.根据权利要求17所述的用于制造显示装置的方法，其中，所述微粒的形状是球形。
19.一种电子装置，包括：
显示装置，包括
设置于第一基板上的多个发光元件，以及
防反射件，用于防止来自第一基板侧的光在与每个所述发光元件对应的像素区域内的界限部分反射，所述防反射件位于第二基板朝向所述第一基板的第二基板侧上。
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