CN113035910A - 显示面板和包括其的显示设备 - Google Patents

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CN113035910A
CN113035910A CN202011527361.3A CN202011527361A CN113035910A CN 113035910 A CN113035910 A CN 113035910A CN 202011527361 A CN202011527361 A CN 202011527361A CN 113035910 A CN113035910 A CN 113035910A
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CN
China
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disposed
layer
display
auxiliary
display panel
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Application number
CN202011527361.3A
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卜胜龙
全容济
金松莉
朴玉京
孙荣烂
李东浩
李承勳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示面板和包括其的显示设备。所述显示面板包括主显示区域和包含透射区域的组件区域。显示面板包括：基底，包括在基底的深度方向上设置在透射区域中的凹槽；主显示元件，在主显示区域中设置在基底上方；主像素电路，电连接到主显示元件；辅助显示元件，在组件区域中设置在基底上方；以及辅助像素电路，电连接到辅助显示元件。

Description

显示面板和包括其的显示设备
本申请要求于2019年12月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0174360号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及显示面板和包括该显示面板的显示设备，并且涉及一种显示面板和一种包括该显示面板的显示设备，该显示面板具有扩大的显示区域，使得即使在可以布置或设置诸如电子元件的组件的区域中也可以显示一个图像或多个图像。
背景技术
显示设备的应用近来已经变得多样化。此外，由于显示设备已经变得更薄且更轻，因此它们的使用范围已经增加。
考虑到以各种方式利用显示设备，可以使用各种方法来设计显示设备的形状，并且可以连接或链接到显示设备的功能的数量正在增加。
将理解的是，该背景技术部分部分地意图提供用于理解技术的有用背景。然而，该背景技术部分还可以包括在这里公开的主题的相应有效提交日期之前，不是相关领域技术人员已知或理解的内容的一部分的想法、构思或认识。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种显示面板和一种包括显示面板的显示设备，该显示面板具有扩大的显示区域，使得即使在可以布置或设置电子组件的区域中也可以显示图像。然而，一个或更多个实施例仅是示例，并且公开的范围不限于此。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地，通过描述将是明显的，或者可以通过实施例的实践而获知。
根据实施例，一种显示面板可以包括主显示区域和可以包含透射区域的组件区域。显示面板可以包括：基底，包括在基底的深度方向上设置在透射区域中的凹槽；主显示元件，在主显示区域中设置在基底上方；主像素电路，电连接到主显示元件；辅助显示元件，在组件区域中设置在基底上方；以及辅助像素电路，电连接到辅助显示元件。
基底可以包括可以顺序地堆叠的第一基体层、第一无机阻挡层、第二基体层和第二无机阻挡层，第二无机阻挡层可以包括位于透射区域中的第一开口，第二基体层可以包括与第一开口叠置的第二开口，并且凹槽可以包括第一开口、第二开口以及第一无机阻挡层的上表面。
主显示元件可以包括设置在主显示区域中的主子像素，主子像素可以具有第一像素布置结构，辅助显示元件可以包括设置在组件区域中的辅助子像素，辅助子像素可以具有第二像素布置结构，并且第一像素布置结构可以不同于第二像素布置结构。
组件区域可以包括第一组件区域和第二组件区域，设置在第一组件区域中的辅助子像素可以具有第三像素布置结构，并且设置在第二组件区域中的辅助子像素可以具有可以不同于第三像素布置结构的第四像素布置结构。
可以与辅助显示元件的组对应的多个像素组可以设置在组件区域中，多个透射区域可以设置在组件区域中，并且多个像素组和所述透射区域可以彼此交替。
底部金属层可以设置在基底与辅助像素电路之间，底部金属层可以包括位于透射区域中的底部孔，并且底部孔可以具有多边形形状或者可以具有圆形形状，多边形形状具有八条边或更多条边。
上层可以设置在对电极上，对电极可以设置在主显示元件和辅助显示元件中，对电极可以包括位于透射区域中的第一开口，上层可以包括位于透射区域中的第二开口，并且第一开口的内侧表面和第二开口的内侧表面可以共面。
弱粘合层可以设置在透射区域中；并且对电极可以设置在主显示元件和辅助显示元件中。对电极可以包括与弱粘合层对应的透射孔或透射凹槽。
功能层可以设置在主显示元件和辅助显示元件中，并且可以包括有机材料，功能层可以在透射区域中连续地设置，并且对电极可以设置在主显示元件和辅助显示元件中且可以包括与弱粘合层对应的透射孔或透射凹槽。
对电极可以设置在主显示元件和辅助显示元件中。对电极可以包括：第一厚度，在对电极的可以与辅助显示元件的像素电极叠置的部分处；以及第二厚度，在对电极的在辅助显示元件之间的部分处。第二厚度可以大于第一厚度。
辅助显示元件可以包括辅助子像素，辅助子像素可以包括发射第一颜色的辅助子像素，主显示元件可以包括主子像素，主子像素可以包括发射第一颜色的主子像素，并且发射第一颜色的辅助子像素的尺寸可以大于发射第一颜色的主子像素的尺寸。
主像素电路和辅助像素电路中的至少一者可以包括：第一薄膜晶体管，可以包括氧化物半导体层；以及第二薄膜晶体管，可以包括多晶硅半导体层。
辅助显示元件可以包括第一辅助显示元件和第二辅助显示元件，第一辅助显示元件的第一像素电极的厚度可以大于第二辅助显示元件的第二像素电极的厚度，并且第一像素电极可以包括反射层。
辅助显示元件可以包括第一辅助显示元件，第一辅助显示元件的像素电极可以包括第一像素电极单元和第二像素电极单元，第一像素电极单元的厚度可以不同于第二像素电极单元的厚度，第一像素电极单元可以是第一透明电极层、反射层和第二透明电极层的堆叠体，并且第二像素电极单元可以从第一透明电极层延伸。
布线可以设置在透射区域中并且可以包括透明导电材料。
第一显示驱动单元可以驱动主像素电路，并且第二显示驱动单元可以驱动辅助像素电路，其中，施加到主像素电路的驱动电压和公共电压中的至少一个可以不同于施加到辅助像素电路的驱动电压和公共电压中的至少一个。
第一主数据线可以电连接到主像素电路，并且第一辅助数据线可以电连接到辅助像素电路，其中，第一主数据线和第一辅助数据线可以设置在同一列中，并且第一主数据线的端部和第一辅助数据线的端部可以彼此间隔开，并且透射区域设置在第一主数据线的端部与第一辅助数据线的端部之间。
第一布线可以电连接到预定数量的主像素电路和预定数量的辅助像素电路，负载匹配单元可以电连接到第一布线并且可以设置在与组件区域相邻的外围区域中，并且第一负载连接线可以将第一布线电连接到负载匹配单元，其中，第一负载连接线可以设置在基底与主像素电路之间，并且第一布线可以经由接触孔电接触第一负载连接线。
薄膜封装层可以设置为与主显示元件和辅助显示元件对应，并且可以包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，第一无机封装层可以设置在基底的凹槽内。
封装构件可以设置为与主显示元件和辅助显示元件对应；并且触摸屏层可以设置在封装构件上。触摸屏层可以与主显示区域叠置，并且可以包括：感测电极，在第一方向上设置；驱动电极，在与第一方向相交的第二方向上设置；第一连接电极，将感测电极彼此电连接；以及第二连接电极，将驱动电极彼此电连接。触摸屏层可以与组件区域叠置，并且可以包括触摸电极，触摸电极在第一方向和第二方向上设置并且彼此间隔开。
感测电极和驱动电极可以根据互电容方法而驱动，触摸电极可以根据自电容方法而驱动。
触摸屏层可以包括位于透射区域中的触摸开口。
封装构件可以封装主显示元件和辅助显示元件，并且镜构件可以设置在封装构件的表面上。主显示区域和组件区域中的至少一者可以包括镜区域，并且镜构件可以设置在镜区域中，并且可以包括：第一镜层，包括设置为与主显示元件和辅助显示元件对应的第一镜开口；以及第二镜层，设置在镜区域和第一镜开口中。
第一镜层和第二镜层中的至少一个可以是自电容型触摸电极。
封装构件可以设置为与主显示元件和辅助显示元件对应；触摸屏层可以设置在封装构件上；滤光片可以设置在触摸屏层上并且可以包括滤色器和黑矩阵，并且滤光片可以包括位于透射区域中的开口。
基底可以包括：上表面部分；第一侧表面部分，从上表面部分的一侧延伸并且可以以第一曲率半径弯曲；以及第二侧表面部分，从上表面部分的另一侧延伸并且以第二曲率半径弯曲。组件区域可以设置在上表面部分和第一侧表面部分上。
第一曲率半径可以大于第二曲率半径。
根据实施例，一种显示面板可以包括主显示区域、包含辅助显示区域和图像传感器区域的组件区域。显示面板可以包括基底；主显示元件，在主显示区域中设置在基底上方；主像素电路，电连接到主显示元件；辅助显示元件，在辅助显示区域中设置在基底上方；辅助像素电路，电连接到辅助显示元件；光电二极管，在图像传感器区域中设置在基底上方；以及光接收像素电路，电连接到光电二极管。辅助显示区域和图像传感器区域可以彼此交替。
封装构件可以封装主显示元件、辅助显示元件和光电二极管；并且滤光片可以设置在封装构件上并且可以包括可以设置为与主显示元件、辅助显示元件和光电二极管对应的滤色器。
微透镜可以在图像传感器区域中设置在滤光片上方。
触摸屏层可以设置在封装构件与滤色器之间。
辅助显示元件可以包括以pentile矩阵结构设置的辅助子像素，并且包括光电二极管的光接收像素可以以拜耳图案设置。
辅助显示元件中的每个可以是有机发光二极管并且可以包括像素电极、发射层和对电极的堆叠体，光电二极管中的每个可以是PN二极管或者PIN二极管并且可以包括第一电极、活性层和第二电极的堆叠体，活性层可以包括非晶硅半导体，并且像素电极和第一电极可以设置在不同的层上。
根据实施例，一种显示设备可以包括：第一显示面板，可以包括发射光的第一显示元件、主显示区域以及组件区域；第二显示面板，设置在第一显示面板下方并且包括发射光的第二显示元件以及第二显示区域；以及下盖，可以容纳第一显示面板和第二显示面板。
组件可以设置在第一显示面板下方并且可以接收从显示设备的外部获得的光；移动驱动单元可以使第二显示面板相对于第一显示面板移动；并且控制器可以控制移动驱动单元，其中，组件可以设置在第二显示面板上并且可以设置在第二显示区域一侧处。
当组件处于第一状态时，移动驱动单元可以使第二显示面板移动，使得组件可以与组件区域对应，并且当组件处于第二状态时，移动驱动单元可以使第二显示面板移动，使得第二显示区域可以与组件区域对应。
组件可以包括第一组件和第二组件，并且第一组件和第二组件可以选自于成像装置、红外传感器、太阳能电池和闪光灯。
第一显示元件可以是有机发光二极管，第二显示元件可以是无机发光二极管。
第二显示面板可以包括设置在第二显示区域的一侧处的图像传感器区域，并且光接收像素可以设置在图像传感器区域中，并且可以包括设置在设置有第二显示元件的基底上的光电二极管。
第二显示面板的图像传感器区域可以包括：基底，包括光电二极管的光接收像素可以以二维阵列结构设置在基底上，其中，基底可以包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；多重布线层，设置在第一表面上；滤色器和微透镜，设置在第二表面上；以及像素分离结构，设置在基底中。像素分离结构可以将光接收像素彼此分离。
第二显示元件可以设置在第二表面上。
第二显示元件可以是无机发光二极管，并且无机发光二极管可以设置在第一电极与第二电极之间，第一电极和第二电极设置在不同的层上。
第二显示元件可以是无机发光二极管，并且无机发光二极管可以设置在第一电极与第二电极之间，第一电极和第二电极设置在同一层上。
第一显示面板的组件区域可以是透射区域，第二显示面板可以包括光电二极管，并且第二显示元件和光电二极管可以交替地设置。
第一显示面板的组件区域可以是透射区域，第二显示元件可以是发光和光接收元件，并且第二显示元件中的每个可以通过开关元件电连接到用于显示图像的第一像素电路以及用于拍摄图像的第二像素电路。
发光和光接收元件可以是PN二极管或PIN二极管。
第一显示面板的基底可以包括与组件区域对应的通孔。
根据实施例，一种显示设备可以包括：显示面板，可以包括在第一方向上发射光的显示元件、主显示区域和组件区域；组件，设置为面对与第一方向相反的方向；导光单元，可以将入射在组件区域上的光朝向组件引导；以及下盖，可以包括与组件对应的孔。
导光单元可以包括：光引导件，包括至少一个弯曲部分；第一路径改变器，可以改变沿光引导件行进的光的路径；以及路径改变驱动器，连接到第一路径改变器。路径改变驱动器可以改变第一路径改变器的位置。
路径改变驱动器可以改变第一路径改变器的位置，使得第一路径改变器可以与孔叠置或者可以不与孔叠置。
导光单元可以包括可以改变沿光引导件行进的光的路径的第二路径改变器，并且第二路径改变器可以是镜或棱镜。
显示面板的组件区域可以包括透射区域，并且显示面板可以包括：基底，可以包括在基底的深度方向上设置在透射区域中的凹槽；主显示元件，在主显示区域中设置在基底上方；主像素电路，电连接到主显示元件；辅助显示元件，在组件区域中设置在基底上方；以及辅助像素电路，电连接到辅助显示元件。
其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
附图说明
通过以下结合附图的描述，所描述的实施例的以上和其它方面、特征及优点将更加清楚，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的透视图；
图2是根据实施例的显示设备的分解透视图；
图3是根据实施例的显示设备的框图；
图4是根据实施例的显示面板的平面图；
图5是图4的显示面板的示例的侧视图；
图6是根据实施例的显示面板的平面图；
图7是图6的显示面板的示例的侧视图；
图8A至图8I是示出具有根据各种实施例的形状和布置的组件区域的布局图；
图9A至图9E是根据实施例的显示设备的相应部分的示意性剖视图；
图10是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
图11A和图11B是根据实施例的用于驱动子像素的像素电路的等效电路图；
图12是示出根据实施例的显示面板的主显示区域中的像素布置结构的示意性布局图；
图13A至图15是示出根据各种实施例的显示面板的组件区域中的像素布置结构的示意性布局图；
图16A至图16H是示出根据实施例的底部金属层的形状的示意性平面图；
图17是根据实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图；
图18A至图18C是示出根据实施例的将对电极图案化的方法的示意性剖视图；
图19A至图19C是示出根据实施例的将对电极图案化的方法以及使用该方法制造的显示面板的示意性剖视图；
图20A和图20B是示出根据实施例的将对电极图案化的方法的示意性剖视图；
图21A和图21B是示出根据实施例的将对电极图案化的方法的示意性剖视图；
图22A至图22C是示出根据实施例的将对电极图案化的方法的平面图；
图22D是应用图22A至图22C的制造方法的显示面板的一部分的示意性剖视图；
图23A至图23E示出了根据实施例的将对电极图案化的方法；
图24是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图25是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图26是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图27A是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图27B是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图27C是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图27D是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图28是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图29A和图29B是示出根据实施例的组件区域中的像素布置结构的示意性布局图；
图30是沿图29A的线II-II’截取的示意性剖视图；
图31是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图32是根据实施例的显示面板以及布置或设置在显示面板下方的组件的平面图；
图33A和图33B是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图；
图34是根据实施例的显示面板的示意性剖视图，并且示出了布置或设置在透射区域中的布线；
图35是根据实施例的显示面板的示意性剖视图，并且示出了沿图33B的线III-III'和线IV-IV'截取的示意性剖视图；
图36A和图36B是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图；
图37是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图；
图38A和图38B是沿图37的线V-V'截取的示意性剖视图；
图39至图41是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图；
图42是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
图43是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图；
图44是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图；
图45是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
图46是根据实施例的显示面板的负载匹配单元的示意性平面图；
图47是沿图46的线VI-VI'截取的示意性剖视图；
图48是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图49是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图50是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图51A是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图51B是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图51C是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图52是根据实施例的显示面板的触摸屏层的平面图；
图53示出了连接到触摸电极的触摸传感器驱动单元的示例；
图54是根据实施例的触摸屏层的触摸感测区域的放大平面图；
图55是根据实施例的显示面板的触摸屏层的平面图；
图56是连接到图55的每个触摸电极的触摸传感器驱动单元的电路图；
图57是根据实施例的显示面板的触摸屏层的平面图；
图58和图59是根据实施例的触摸屏层的相应部分的放大平面图；
图60至图62是根据实施例的显示面板的相应部分的示意性剖视图；
图63和图64是根据实施例的显示面板的相应部分的示意性剖视图；
图65是根据实施例的显示面板的透视图；
图66是根据实施例的显示面板的展开视图；
图67是图65的显示面板的示例的前视图；
图68是图65的显示面板的示例的后视图；
图69是图65的显示面板的示例的侧视图；
图70A是根据实施例的显示面板的一部分或区域的展开视图；
图70B是根据实施例的显示面板的一部分或区域的展开视图；
图71是根据实施例的显示面板的一部分或区域的展开视图；
图72是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图73A至图73C是示出根据实施例的显示面板与布置或设置在显示面板下方的组件之间的位置关系的示意性剖视图；
图74是根据实施例的显示设备的示意性透视图；
图75示出了其中图74的显示设备折叠的状态；
图76是其中图75的显示设备折叠的状态的示意性剖视图；
图77A至图77C示出了根据实施例的第一组件区域至第三组件区域；
图78是根据实施例的显示面板的组件区域的示意性平面图；
图79A和图79B是示出根据实施例的图78的变形的显示面板的不同形状的示意性剖视图；
图80是图78的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图81和图82是根据实施例的显示设备的相应部分的示意性剖视图；
图83是可以包括在显示设备中的第二显示面板的示意性平面图；
图84A和图84B是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性剖视图；
图85A至图85B是可以包括在显示设备中的第二显示面板的示意性平面图；
图86A是根据实施例的第二显示面板的示意性平面图；
图86B是图86A的实施例的示意性剖视图；
图87是布置或设置在图像传感器区域中的光接收像素的电路图；
图88是根据实施例的第二显示面板的图像传感器区域的示意性剖视图；
图89是适用于根据实施例的显示设备的发光元件的透视图；
图90是根据实施例的第二显示面板的第二显示区域的平面图；
图91是沿图90的线VII-VII'截取的示意性剖视图；
图92和图93是第二显示面板的第二显示区域的示例的平面图；
图94是沿图92的线VIII-VIII'截取的示意性剖视图；
图95是根据实施例的显示设备的示意性剖视图；
图96是图95的第二显示面板的实施例的示意性平面图；
图97是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性剖视图；
图98是包括在图97的显示设备中的第二显示面板的示例的平面图；
图99是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图；
图100是根据实施例的显示面板的组件区域的示意性剖视图；
图101A至图101C是适用于图100的光电二极管的示意性剖视图；
图102A是根据实施例的显示面板的组件区域的示意性平面图；
图102B是图102A的实施例的示意性剖视图；
图103是根据实施例的显示设备的示意性剖视图；以及
图104是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细对实施例做出参照，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里所阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述实施例，以解释描述的方面。
为了描述公开的实施例，可以不提供与描述不相关的一些部分，并且在整个说明书中，同样的附图标记指同样的元件。
如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
术语“和”和“或”可以以结合或分开的意义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”意图包括“从……的组中选择的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指“A、B或A和B”。
下面将参照附图更详细地描述公开的一个或更多个实施例。彼此相同或对应的那些组件被赋予相同的附图标记而与附图编号无关，并且省略了冗余的说明。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件或第一组件可以被命名为第二元件或第二组件。类似地，第二元件或第二组件也可以被命名为第一元件或第一组件。
如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”、“所述(该)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”、“具有”和/或它们的变型时，其可以说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的任何组合。
当层、膜、区、基底或区域或元件被称为“在”另一层、膜、区、基底或区域或元件“上”时，其可以直接在所述另一层、膜、区、基底或区域或元件上，或者其间可以存在中间层、膜、区、基底或区域或元件。相比之下，当层、膜、区、基底或区域或元件被称为“直接在”另一层、膜、区、基底或区域或元件“上”时，其间不会存在中间层、膜、区、基底或区域或元件。此外，当层、膜、区、基底或区域或元件被称为“在”另一层、膜、区、基底或区域或元件“下方”时，其可以直接在所述另一层、膜、区、基底或区域或元件下方，或者其间可以存在中间层、膜、区、基底或区域或元件。相比之下，当层、膜、区、基底或区域或元件被称为“直接在”另一层、膜、区、基底或区域或元件“下方”时，其间不会存在中间层、膜、区、基底或区域或元件。此外，“在……之上”或“在……上”可以包括定位在物体上或定位在物体下方，并且不必然暗示基于重力的方向。
为了易于描述，这里可以使用“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以被放置“在”所述另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下面的位置和上面的位置两者。装置还可以在其它方向上定位，因此可以根据方位不同地解释空间相对术语。
在附图中，为了其更好的理解、清楚和易于描述，可以放大元件的尺寸和厚度。然而，公开不限于示出的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚，可以夸大层、膜、面板、区和其它元件的厚度。在附图中，为了更好的理解和易于描述，可以夸大一些层和区域的厚度。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”表示当从上方观看目标部分时的情况，短语“在示意剖视图中”表示当从侧面观看通过竖直地切割目标部分而截取的示意性剖面时的情况。
另外，术语“叠置”或其变型表示第一物体可以在第二物体的上方或下方或者一侧，反之亦然。另外，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或其变型、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖，或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。术语“面对”及其变型表示第一元件可以直接或间接与第二元件相对。在其中第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对。当元件被描述为“不”与另一元件“叠置”或被类似描述时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开，或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当可以不同地实施实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”或“结合”到另一层、区域或组件时，其可以“直接连接”或“直接结合”到所述另一层、区域或组件和/或可以“间接连接”或“间接结合”到所述另一层、区域或组件，并且其它层、区域或组件置于其间。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“电连接”到另一层、区域或组件时，其可以“直接电连接”到所述另一层、区域或组件和/或可以“间接电连接”到所述另一层、区域或组件，并且其它层、区域或组件置于其间。
此外，当元件被称为与另一元件“接触”或被类似描述时，该元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”；或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里使用的“约”或“近似”包括所陈述的值，并表示在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此可以不垂直的不同方向。
如这里使用的，术语“单元”表示如附图中所示和如说明书中所描述的结构或元件。然而，公开不限于此。术语“单元”不限于附图中所示的结构或元件。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。另外，还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义进行解释，除非这里明确地如此定义。
图1是根据实施例的显示设备1的透视图，图2是根据实施例的显示设备1的分解透视图。图3是根据实施例的显示设备1的框图。
参照图1和图2，根据实施例的显示设备1显示运动图像或静止图像，因此可以用作各种产品的显示屏，所述各种产品诸如不仅便携式电子设备(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC))还有电视机、笔记本计算机、监视器、广告面板和物联网(IoT)装置。根据实施例的显示设备1还可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。根据实施例的显示设备1还可以用作车辆的仪表盘(dashboard)、车辆的中央仪表板(center fascia)或仪表盘(dashboard)的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧镜的室内镜显示器以及布置或设置在前座椅的后侧上以用作用于车辆后座乘客的娱乐装置的显示器。
为了便于解释，图1和图2示出了使用智能电话作为根据实施例的显示设备1。根据实施例的显示设备1可以包括盖窗50、显示面板10、显示电路板30、显示驱动单元32、触摸传感器驱动单元33、支架60、主电路板70、电池80和下盖90。
术语“在……上方”可以指示盖窗50可以相对于显示面板10布置或设置所沿的方向，即，+z方向，术语“在……下方”可以指示下盖90可以相对于显示面板10布置或设置所沿的方向，即，-z方向。术语“左”、“右”、“上”和“下”可以指示在可以从顶部观看显示面板10的情况下的方向。例如，“左”指示-x方向，“右”指示+x方向，“上”指示+y方向，并且“下”指示-y方向。然而，公开不限于此。
根据平面图，显示设备1可以具有基本上矩形的形状。例如，如图1中所示，显示设备1可以具有具备沿第一方向(x方向)的较短边和沿第二方向(y方向)的较长边的基本上矩形的平面形状。沿第一方向(x方向)的较短边与沿第二方向(y方向)的较长边之间的角可以是倒圆的以具有特定或预定的曲率，或者可以具有直角。显示设备1的平面形状不限于矩形，并且可以是在公开的精神和范围内的任何其它多边形、椭圆形或不规则形状。
盖窗50可以位于显示面板10上方以覆盖显示面板10的上表面或与显示面板10的上表面叠置。因此，盖窗50可以用于保护显示面板10的上表面。
盖窗50可以包括与显示面板10对应的透射盖单元DA50以及与除了显示面板10以外的区域对应的遮光盖单元NDA50。遮光盖单元NDA50可以包括遮蔽光的不透明材料。遮光盖单元NDA50可以包括在没有图像可以显示的情况下可以向用户显示的图案。
显示面板10可以设置在盖窗50下方。显示面板10可以与盖窗50的透射盖单元DA50叠置。
显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。主显示区域MDA和组件区域CA两者是可以显示图像的区域，并且组件区域CA可以是在其下方可以布置或设置诸如感测可见光、红外光、声音等的传感器和相机的组件40的区域。根据实施例，组件区域CA可以具有比主显示区域MDA高的透光率和/或高的透声率。根据实施例，在光透射通过组件区域CA的情况下，组件区域CA中的透光率可以为约25％或更大或者约30％或更大，例如，约50％或更大、约75％或更大、约80％或更大、约85％或更大或者约90％或更大。
显示面板10可以是包括发光元件的发光显示面板。例如，显示面板10可以是使用包括有机发射层的有机发光二极管的有机发光显示面板、使用微型发光二极管(LED)的微型LED显示面板、使用包括量子点发射层的量子点LED的量子点发光显示面板或者使用包括无机半导体的无机发光元件的无机发光显示面板。
显示面板10可以是具有刚性并且因此不容易弯曲的刚性显示面板或者具有柔性并且因此容易弯曲、折叠或卷曲的柔性显示面板。例如，显示面板10可以是可折叠显示面板、具有弯曲显示表面的弯曲显示面板、除了显示表面以外的区域弯曲的弯曲显示面板、可卷曲显示面板或可伸展显示面板。
显示面板10可以是透明显示面板，其可以被实现为透明的，使得可以通过显示面板10的上表面看到布置或设置在显示面板10的下表面上的物体或背景。可选择地，显示面板10可以是反射显示面板，其可以将物体或背景反射在显示面板10的上表面上。
第一柔性膜34可以附着到显示面板10的边缘。第一柔性膜34的一侧可以通过使用各向异性导电膜附着到显示面板10的边缘。第一柔性膜34可以是柔性膜，柔性膜可以是可弯曲的。
显示驱动单元32可以位于第一柔性膜34上。显示驱动单元32可以接收控制信号和电源电压，并且产生和输出用于驱动显示面板10的信号和电压。显示驱动单元32可以是集成电路(IC)。
显示电路板30可以附着在第一柔性膜34的另一侧上。第一柔性膜34的另一侧可以通过使用各向异性导电膜附着到显示电路板30的上表面。显示电路板30可以是柔性印刷电路板(FPCB)、刚性印刷电路板(PCB)或者复合PCB，FPCB可以是可弯曲的，刚性PCB具有刚性并因此不会容易弯曲，复合PCB包括刚性PCB和FPCB两者。
触摸传感器驱动单元33可以位于显示电路板30上。触摸传感器驱动单元33可以实现为IC。触摸传感器驱动单元33可以附着到显示电路板30的上表面。触摸传感器驱动单元33可以经由显示电路板30电连接到显示面板10的触摸屏层的触摸电极。
显示面板10的触摸屏层可以通过使用诸如电阻膜方法和电容方法的若干感测方法中的至少一种来感测用户的触摸输入。例如，在显示面板10的触摸屏层通过使用电容方法感测用户的触摸输入的情况下，触摸传感器驱动单元33可以将驱动信号施加到触摸电极之中的驱动电极，并且经由感测电极来感测触摸电极之中的感测电极与驱动电极之间的互电容中充入的电压，从而确定是否存在用户的触摸。用户的触摸可以包括接触触摸和接近触摸。接触触摸表示用户的手指或诸如笔的物体直接触摸布置或设置在触摸屏层上的盖窗50。接近触摸表示用户的手指或诸如笔的物体可以在距盖窗50近距离处定位或设置在盖窗50之上(诸如悬停)。触摸传感器驱动单元33可以根据感测到的电压将传感器数据传输到主处理器710，并且主处理器710可以通过分析传感器数据来计算输入触摸处的触摸坐标。
电源可以另外布置或设置在显示电路板30上，电源可以供应可以驱动显示面板10的像素、扫描驱动单元和显示驱动单元32的驱动电压。可选择地，电源可以与显示驱动单元32成一体。在这种情况下，显示驱动单元32和电源可以实现为单个IC。
用于支撑显示面板10的支架60可以位于显示面板10下方。支架60可以包括塑料、金属或者塑料和金属两者。支架60可以包括相机731可以通过其插入的第一相机孔CMH1、电池80可以布置或设置在其中的电池孔BH以及连接到显示电路板30的电缆35可以穿过其的电缆孔CAH。支架60还可以包括可以与显示面板10的组件区域CA叠置的组件孔CPH。组件孔CPH可以在第三方向(z方向)上与主电路板70的组件40叠置。因此，显示面板10的组件区域CA可以在第三方向(z方向)上与主电路板70的组件40叠置。支架60可以不包括组件孔CPH。在这种情况下，支架60可以定位或设置为在第三方向(z方向)上不与显示面板10的组件区域CA叠置。
可以包括可以与显示面板10的组件区域CA叠置的组件40。例如，第一组件41、第二组件42、第三组件43和第四组件44可以与组件区域CA叠置。第一组件41、第二组件42、第三组件43和第四组件44可以分别是接近传感器、照度传感器、虹膜传感器和相机(或图像传感器)，然而公开不限于此。因为显示面板10的组件区域CA可以包括特定或预定的透光率，所以使用红外光的接近传感器可以检测靠近显示设备1的上表面布置的物体，并且照度传感器可以感测可以入射在显示设备1的上表面上的光的亮度。布置或设置在显示设备1的上表面上的虹膜传感器可以对人的虹膜进行成像，并且相机可以拍摄布置或设置在显示设备1的上表面上的物体的图像。与显示面板10的组件区域CA叠置的组件40不限于接近传感器、照度传感器、虹膜传感器和相机，并且可以是稍后将描述的各种其它传感器。
主电路板70和电池80可以位于支架60下方。主电路板70可以是PCB或FPCB。
主电路板70可以包括主处理器710、相机731、主连接器75和组件40。主处理器710可以被实现为IC。相机731可以布置或设置在主电路板70的上表面和下表面两者上，并且主处理器710和主连接器75中的每个可以布置或设置在主电路板70的上表面和下表面中的一个上。
主处理器710可以控制显示设备1的所有功能。例如，主处理器710可以经由显示电路板30将数字视频数据输出到显示驱动单元32，使得显示面板10显示图像。主处理器710从触摸传感器驱动单元33接收传感器数据。主处理器710可以根据传感器数据确定是否存在用户的触摸，并且可以执行与用户的直接触摸或接近触摸对应的操作。例如，主处理器710可以通过分析传感器数据来计算用户的触摸坐标，然后可以执行通过由用户触摸的图标指示的应用或操作。主处理器710可以是均实现为IC的应用处理器、中央处理单元或系统芯片。
相机731在相机模式下处理通过图像传感器获得的诸如静止图像或运动图像的图像帧，并将处理结果输出到主处理器710。相机731可以包括相机传感器(例如，CCD或CMOS)、光传感器(或图像传感器)和激光传感器中的至少一种。相机731可以连接到与组件区域CA叠置的组件40之中的图像传感器，并且可以处理输入到图像传感器的图像。
穿过支架60的电缆孔CAH的电缆35可以连接到主连接器75，因此，主电路板70可以电连接到显示电路板30。
除了主处理器710、相机731和主连接器75之外，主电路板70还可以包括无线通信接口720中包括的模块中的至少一个、输入接口730中包括的组件中的至少一个、传感器单元740中包括的组件中的至少一个、输出接口750中包括的组件中的至少一个、接口单元760中包括的组件中的至少一个、存储器770和电源780。
无线通信接口720可以包括广播接收模块721、移动通信模块722、无线互联网模块723、短距离通信模块724和位置信息模块725中的至少一个。
广播接收模块721可以经由广播信道从外部广播管理服务器接收广播信号和/或广播相关信息。在公开的精神和范围内，广播信道可以是卫星信道、地波信道等。
移动通信模块722可以将无线信号传输到根据用于移动通信的技术标准或通信方法(例如，全球移动通信系统(GSM)、码分多址(CDMA)、码分多址2000(CDMA2000)、增强型语音数据优化或仅增强型语音数据(EV-DO)、宽带CDMA(WCDMA)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、长期演进(LTE)和高级长期演进(LTE-A))建立的移动通信网络上的基站、外部终端和服务器中的至少一个或者从其中的至少一个接收无线信号。无线信号的示例可以包括语音通话信号、视频通话信号以及根据文本/多媒体消息传输的各种类型的数据。
无线互联网模块723表示用于无线互联网接入的模块。无线互联网模块723可以基于无线互联网技术在通信网络中发送或接收无线信号。无线互联网技术可以是例如无线LAN(WLAN)、无线保真(Wi-Fi)、Wi-Fi直连和数字生活网络联盟(DLNA)。
短距离通信模块724用于短距离通信，并且因此可以通过使用蓝牙TM、射频识别(RFID)、红外数据协会(IrDA)、超宽带(UWB)、紫蜂(ZigBee)、近场通信(NFC)、Wi-Fi、Wi-Fi直连和无线通用串行总线(无线USB)中的至少一种技术来支持短距离通信。短距离通信模块724可以通过无线区域网络来支持显示设备1与无线通信系统之间、显示设备1与另一电子设备之间或者显示设备1与可以定位或设置另一电子设备(或外部服务器)的网络之间的无线通信。无线区域网络可以是无线个人区域网络。另一电子设备可以是可以与显示设备1交换数据(或与显示设备1交互操作)的可穿戴装置。
包括位置信息模块725以获得显示设备1的位置(或当前位置)，因此位置信息模块725的代表性示例包括全球定位系统(GPS)模块和WiFi模块。例如，在可以使用GPS模块的情况下，显示设备1可以通过使用由GPS卫星发送的信号来获得显示设备1的位置。在可以使用Wi-Fi模块的情况下，显示设备1可以基于可以向Wi-Fi模块发送无线信号或从Wi-Fi模块接收无线信号的无线接入点(AP)的信息来获得显示设备1的位置。因为位置信息模块725可以用于获得显示设备1的位置(或当前位置)，所以位置信息模块725不限于直接计算或获得显示设备1的位置的模块。
输入接口730可以包括用于输入图像信号的图像输入接口(诸如相机731)、用于输入音频信号的音频输入接口(诸如麦克风732)以及用于从用户接收信息的输入装置733。
相机731在视频通话模式或图像拍摄模式下处理由图像传感器获得的诸如静止图像或运动图像的图像帧。与处理结果对应的处理后的图像帧可以显示在显示面板10上或者可以存储在存储器770中。
麦克风732将外部音频信号处理为电音频数据。可以根据显示设备1中当前正在被执行的功能(或当前正在被执行的应用)以各种方式使用电音频数据。可以在麦克风732中实现可以去除在接收外部音频信号的同时可能产生的噪声的各种噪声去除算法。
主处理器710可以控制显示设备1的操作以对应于可以经由输入装置733输入的信息。输入装置733可以包括机械输入单元(诸如均定位或设置在显示设备1的后表面或侧表面上的按钮、圆顶开关(dome switch)、缓动轮(jog wheel)和缓动开关(jog swtich))或触摸输入单元。触摸输入单元可以被实现为显示面板10的触摸屏层。
传感器单元740可以包括至少一个传感器，所述至少一个传感器感测显示设备1内的信息、显示设备1的周围环境的信息和用户信息中的至少一种，并且产生与所述至少一种信息对应的感测信号。基于这样的感测信号，主处理器710可以控制显示设备1的驱动或操作，或者可以执行与设置在显示设备1中的应用关联的数据处理、功能或操作。传感器单元740可以包括接近传感器、照度传感器、加速度传感器、磁传感器、重力(G)传感器、陀螺仪传感器、运动传感器、RGB传感器、红外(IR)传感器、手指扫描传感器、超声传感器、光学传感器、电池量表、环境传感器(例如，气压计、湿度计、温度计、辐射传感器、热传感器和气体传感器)和化学传感器(例如，电子鼻、医疗传感器和生物传感器)中的至少一种。
接近传感器可以是可以通过使用电磁力或IR射线在没有机械接触的情况下感测接近预定感测表面或存在于预定感测表面附近的物体的存在的传感器。接近传感器的示例包括透射型光电传感器、直接反射型光电传感器、镜面反射型光电传感器、高频振荡型接近传感器、电容型接近传感器、磁接近传感器和红外型接近传感器。接近传感器不仅可以感测接近触摸操作，而且可以感测接近触摸模式，诸如接近触摸距离、接近触摸方向、接近触摸速度、接近触摸时间、接近触摸位置或接近触摸运动状态。主处理器710可以处理与由接近传感器感测到的接近触摸操作和接近触摸模式两者对应的数据(或信息)，并且可以控制与将被显示在显示面板10上的处理后的数据对应的视觉信息。
超声传感器可以通过使用超声波来识别物体的位置信息。主处理器710可以通过由光学传感器和超声传感器感测的信息来计算物体的位置。因为光的速度与超声波的速度不同，所以可以使用当光到达光学传感器时的时间和当超声波到达超声波传感器时的时间来计算物体的位置。
输出接口750产生与视觉、听觉或触觉关联的输出，并且因此可以包括显示面板10、音频输出接口751、触觉模块752和光学输出接口753中的至少一个。
显示面板10可以显示(或输出)可以由显示设备1处理的信息。例如，显示面板10可以显示正在被显示设备1驱动的应用的执行屏幕信息，或者可以基于执行屏幕信息来显示用户界面(UI)和图形用户界面(GUI)信息。显示面板10可以包括显示图像的显示层和感测用户的触摸输入的触摸屏层。因此，显示面板10可以用作在显示设备1与用户之间提供输入接口的输入装置733，并且还用作在显示设备1与用户之间提供输出接口的输出接口750。
音频输出接口751可以输出在通话信号接收模式、通话或录音模式、语音识别模式、广播接收模式等下从无线通信接口720接收的音频数据或者存储在存储器770中的音频数据。音频输出接口751还输出与由显示设备1执行的功能相关的音频信号(例如，通话信号接收声音或消息接收声音)。音频输出接口751可以包括接收器和扬声器。接收器和扬声器中的至少一个可以是音频产生装置，该音频产生装置可以附着到显示面板10的下部并使显示面板10振动以输出音频。音频产生装置可以是根据电信号而收缩和膨胀的压电元件或压电致动器，或者通过使用音圈产生磁力并使显示面板10振动的激励器。
触觉模块752产生用户可以感受到的各种触觉效果。触觉模块752可以向用户提供振动作为触觉效果。可以根据用户的选择或主处理器710的设置来控制由触觉模块752产生的振动的强度、模式等。例如，触觉模块752可以合成不同的振动并输出合成的结果，或者可以顺序地输出不同的振动。除了振动之外，触觉模块752还可以产生各种其它触觉效果，诸如由于相对于皮肤表面垂直移动的针布置、通过喷嘴或入口的空气的喷射力或吸力、皮肤表面的轻擦、电极的接触和诸如静电力的刺激的效果以及由于通过使用可以吸热和发热的元件再现冷感和热感的效果。触觉模块752可以通过直接接触来传输触觉效果，并且在公开的精神和范围内还可以被实现为使得用户可以通过手指、手臂等的肌肉感觉来感受触觉效果。
光学输出接口753通过使用光源的光来输出用于通知事件发生的信号。在显示设备1中产生的事件的示例可以包括消息接收、通话信号接收、未接通话、警报、日程通知、电子邮件接收和通过应用的信息接收。当显示设备1向其前表面或后表面发射单色光或多色光束时，可以实现由光学输出接口753输出的信号。在显示设备1感测到用户确认事件的情况下，可以终止信号的输出。
接口单元760用作与连接到显示设备1的各种类型的外部设备的通道。接口单元760可以包括有线/无线头戴式耳机(headset)端口、外部充电器端口、有线/无线数据端口、存储器卡端口、连接包括识别模块的装置的端口、音频输入/输出(I/O)端口、视频I/O端口和耳机(earphone)端口中的至少一种。在外部设备连接到接口单元760的情况下，显示设备1可以执行与所连接的外部设备相关的适当控制。
存储器770可以存储支持显示设备1的各种功能的数据。存储器770可以存储由显示设备1驱动的应用程序、用于显示设备1的操作的多条数据以及指令。可以通过无线通信从外部服务器下载至少一些或预定数量的应用程序。存储器770可以存储用于主处理器710的操作的应用，并且可以临时存储输入/输出数据，例如，电话簿、消息、静止图像和运动图像。存储器770还可以存储可以提供到触觉模块752的各种振动模式的触觉数据以及可以提供到音频输出接口751的关于各种声音的音频数据。存储器770可以包括从闪存型、硬盘型、固态盘(SSD)型、硅盘驱动器(SDD)型、多媒体卡微型、卡型存储器(例如，安全数字(SD)或极限数字(XD)存储器)、随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可编程ROM(PROM)、磁存储器、磁盘和光盘中选择的至少一种类型的存储介质。
在主处理器710的控制下，电源780可以接收外部电力和内部电力，并且可以将外部电力和内部电力供应到包括在显示设备1中的组件。电源780可以包括电池80。电源780可以包括连接端口，该连接端口可以是接口单元760的示例，供应电力以对电池80充电的外部充电器可以电连接到接口单元760。可选择地，电源780可以在不使用连接端口的情况下以无线方式对电池80充电。电池80可以通过使用基于磁感应现象的感应耦合方法和基于电磁共振现象的磁共振耦合方法中的至少一种从外部无线电力传输装置接收电力。电池80可以布置或设置为在第三方向(z方向)上不与主电路板70叠置。电池80可以与支架60的电池孔BH叠置。
下盖90可以位于主电路板70和电池80下方。下盖90可以紧固到支架60并固定在适当的位置。下盖90可以形成显示设备1的下表面的外观。下盖90可以包括塑料、金属或者塑料和金属两者。
第二相机孔CMH2可以提供或设置在下盖90中，相机731的下表面可以经由第二相机孔CMH2暴露。相机731的位置以及与相机731对应的第一相机孔CMH1和第二相机孔CMH2的位置不限于图1和图2的实施例。
图4是根据实施例的显示面板10的平面图。图5是图4的显示面板10的示例的侧视图。图4示出了其第一柔性膜34展开的显示面板10的平面图。
参照图4和图5，显示面板10可以包括基底100、显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和面板保护构件PB。
基底100可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英和聚合物树脂。基底100可以是刚性基底或柔性基底，柔性基底可以是可弯曲的、可折叠的或可卷曲的。例如，基底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。基底100可以具有包括包含前述聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。例如，基底100可以包括包含前述聚合物树脂的两层和位于两层之间的无机阻挡层。
显示层DISL可以设置在基底100上。显示层DISL可以包括像素并且可以是可以显示图像的层。显示层DISL可以包括包含薄膜晶体管的电路层、其中可以布置或设置显示元件的显示元件层以及可以封装显示元件层的封装构件。
显示层DISL可以被划分为显示区域DA和外围区域DPA。显示区域DA可以是可以包括布置或设置在其中的像素并且可以显示图像的区域。外围区域DPA可以是在显示区域DA外部或与显示区域DA相邻的区域，并且不会显示图像。外围区域DPA可以布置或设置为围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻。外围区域DPA可以是范围为从显示区域DA的外侧到显示面板10的边缘的区域。在显示区域DA中，不仅像素而且驱动像素的像素电路以及电连接到像素电路的扫描线、数据线和电力线可以布置或设置。可以将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动单元以及可以将数据线电连接到显示驱动单元32的扇出线可以布置或设置在外围区域DPA中。
触摸屏层TSL可以位于显示层DISL上。触摸屏层TSL可以包括触摸电极，并且可以感测是否存在用户的触摸。触摸屏层TSL可以直接位于显示层DISL的封装构件上。可选择地，触摸屏层TSL可以单独提供，然后经由粘合层(诸如光学透明粘合剂(OCA))结合到显示层DISL的封装构件的上表面。
光学功能层OFL可以位于触摸屏层TSL上。光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低可以从外部源朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。
根据实施例，抗反射层可以包括偏振膜。偏振膜可以包括线性偏振片以及诸如四分之一波(λ/4)片的相位延迟膜。相位延迟膜可以位于触摸屏层TSL上，并且线性偏振片可以位于相位延迟膜上。
根据实施例，抗反射层可以包括滤光器层，该滤光器层包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑由显示设备1的像素发射的光束的颜色来布置或设置滤色器。例如，滤光器层可以包括红色、绿色或蓝色的滤色器。
根据实施例，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置或设置在不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，因此可以降低外部光的反射率。
盖窗50可以布置或设置在光学功能层OFL上。盖窗50可以通过诸如OCA膜的透明粘合构件附着到光学功能层OFL的上表面。
面板保护构件PB可以位于显示面板10下方。面板保护构件PB可以通过使用粘合构件附着到显示面板10的下表面。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。面板保护构件PB可以包括用于吸收外部入射光的光吸收层、用于吸收外部冲击的缓冲垫层以及用于有效地消散显示面板10的热的散热器层中的至少一种。
光吸收层可以设置在显示面板10下方。光吸收层可以阻止光的透射，以防止布置或设置在光吸收层下方的组件(例如，显示电路板30)从显示面板10上方可见。光吸收层可以包括光吸收材料，诸如以黑色颜料或黑色染料为例。
缓冲垫层可以设置在光吸收层下方。缓冲垫层可以吸收外部冲击以防止显示面板10被破坏。缓冲垫层可以是单层或多层。例如，缓冲垫层可以包括共聚物树脂(诸如聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯或聚乙烯)，或者可以包括弹性材料(诸如橡胶、聚氨酯类材料或通过将丙烯酸类材料泡沫成型而获得的海绵)。
散热器层可以位于缓冲垫层下方。散热器层可以包括第一散热器层和第二散热器层，第一散热器层包括石墨或碳纳米管，第二散热器层可以屏蔽电磁波并且包括具有高热导率的金属薄膜，诸如铜、镍、铁素体或银。
面板保护构件PB可以包括与组件区域CA对应的开口PB_OP。在面板保护构件PB中包括开口PB_OP可以提高组件区域CA的透光率。
组件区域CA可以具有比可以布置或设置组件40的区域的面积大的面积。因此，包括在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以与组件区域CA的面积不同。组件40可以布置或设置为与开口PB_OP叠置。根据实施例，组件40可以布置或设置为插入在开口PB_OP中。
第一柔性膜34可以位于显示面板10的边缘的外围区域DPA中。第一柔性膜34可以在显示面板10下方弯曲，并且显示电路板30可以定位或设置在面板保护构件PB的下表面上。显示电路板30可以经由第一粘合构件39附着到并固定到面板保护构件PB的下表面。第一粘合构件39可以是PSA。
显示面板10的显示区域DA可以包括组件区域CA和主显示区域MDA，组件40可以布置或设置在组件区域CA下方。组件区域CA可以布置或设置在主显示区域MDA的一侧上。根据实施例，图4示出了组件区域CA可以是包括与主显示区域MDA在x方向上的宽度相同的宽度的条型组件区域。组件区域CA可以设置在外围区域DPA与主显示区域MDA之间，使得组件区域CA的上边缘、右边缘和左边缘可以接触外围区域DPA，并且其下边缘可以接触主显示区域MDA。
图6是根据实施例的显示面板10的平面图。图7是图6的显示面板10的示例的侧视图。图6示出了其第一弯曲区域BA1展开的显示面板10的平面图。
图6和图7的实施例与图4和图5的实施例的不同之处可以在于显示面板10的一侧上的第一弯曲区域BA1可以弯曲，因此第一垫(pad，或称为“焊盘”)区域PDA1可以定位或设置在面板保护构件PB的下表面上。换言之，显示面板10可以是其一侧可以弯曲的显示面板。
参照图6和图7，第一弯曲区域BA1和第一垫区域PDA1可以在-y方向上从显示面板10的一侧的外围区域DPA突出。如图6中所示，第一弯曲区域BA1和第一垫区域PDA1在x方向上的相应长度可以均小于显示区域DA在x方向上的长度。
显示面板10可以在第一弯曲区域BA1处弯曲，并且第一垫区域PDA1可以布置或设置在面板保护构件PB的下表面上。第一垫区域PDA1可以在显示面板10的厚度方向(z方向)上与显示区域DA叠置。显示驱动单元32和显示电路板30可以布置或设置在第一垫区域PDA1中。
尽管在图4和图6中显示区域DA的组件区域CA作为条型被包括，但是实施例不限于此。例如，组件区域CA的形状可以是圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形，并且组件区域CA的位置可以变化。显示设备可以具有两个或更多个组件区域CA，并且组件区域CA可以具有不同的形状和不同的尺寸。
图8A至图8I示出了具有根据各种实施例的形状和布置的组件区域CA。
参照图8A至图8F，每个组件区域CA可以布置或设置在主显示区域MDA内部，并且可以被主显示区域MDA围绕或与主显示区域MDA相邻。组件区域CA可以具有基本上圆形的形状，并且多个组件区域可以被包括。如图8A中所示，组件区域CA可以布置或设置在显示区域DA的右上部中。如图8B中所示，组件区域CA可以布置或设置在显示区域DA的上部的中心处。如图8C中所示，组件区域CA可以布置或设置在显示区域DA的中心处。在诸如相机的图像拍摄装置可以布置或设置为与组件区域CA对应的情况下，该布置可以允许进行自拍或进行视频通话的用户的眼睛被自然地拍摄。
如图8D和图8E中所示，组件区域CA可以包括在y方向上并排布置或设置的第一组件区域CA1和第二组件区域CA2。可选择地，如图8F中所示，组件区域CA可以包括在x方向上并排布置或设置的第一组件区域CA1和第二组件区域CA2。在这种情况下，第一组件区域CA1和第二组件区域CA2可以彼此间隔开，并且第一组件区域CA1和第二组件区域CA2中的每个可以被主显示区域MDA围绕或与主显示区域MDA相邻。在这种情况下，第一相机可以布置或设置为对应于第一组件区域CA1，并且第二相机可以布置或设置为对应于第二组件区域CA2。如图8E中所示，组件区域CA可以布置或设置在显示区域DA的较长边缘的中心处。在显示设备可以以横向模式使用的情况下，这可以是有用的布置。
如图8G中所示，可以包括三个或更多个组件区域CA。组件区域CA可以包括分别位于显示区域DA的四个角部分中的第一组件区域CA1至第四组件区域CA4。组件区域CA还可以包括位于显示区域DA的中心处的第五组件区域CA5。第一相机至第五相机可以布置或设置为分别与第一组件区域CA1至第五组件区域CA5对应。在这种情况下，因为可以以各种角度来拍摄图像，所以可以基于由第一相机至第五相机拍摄的图像来实现图像补偿。
如图8H和图8I中所示，组件区域CA可以布置或设置为使得每个组件区域CA的一侧接触外围区域DPA。参照图8H和图8I，每个组件区域CA可以是可以从显示区域DA的一侧朝向显示区域DA的中心插入的凹口型组件区域。凹口型可以是诸如矩形、半圆形和半椭圆形的各种形状中的任何形状。
图9A至图9E是根据实施例的显示设备1的一部分或区域的示意性剖视图。
参照图9A至图9E，显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置的组件40。显示面板10可以包括与组件40叠置的组件区域CA和其上显示主图像的主显示区域MDA。
显示面板10可以包括基底100、位于基底100上的显示层DISL、触摸屏层TSL和光学功能层OFL以及位于基底100下方的面板保护构件PB。显示层DISL可以包括电路层PCL、显示元件层EDL和封装构件ENCM(诸如薄膜封装层TFEL或封装基底ENS)，电路层PCL包括主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'，显示元件层EDL包括作为显示元件的主发光元件(即，主显示元件)ED和辅助发光元件(即，辅助显示元件)ED'。绝缘层IL和IL'可以布置或设置在基底100与显示层DISL之间以及显示层DISL内。
如上所述，基底100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。基底100可以是刚性基底或柔性基底，柔性基底可以是可弯曲的、可折叠的或可卷曲的。
主薄膜晶体管TFT和电连接到其的主发光元件ED可以布置或设置为在显示面板10的主显示区域MDA中实现或形成主子像素Pm。辅助薄膜晶体管TFT'和电连接到其的辅助发光元件ED'可以布置或设置为在显示面板10的组件区域CA中实现辅助子像素Pa。
其中没有布置或设置显示元件的透射区域TA可以布置或设置在组件区域CA中。透射区域TA可以透射由布置或设置为与组件区域CA对应的组件40发射的光/信号或者入射在组件40上的光/信号。
底部金属层BML可以布置或设置在组件区域CA中。底部金属层BML可以布置或设置在辅助薄膜晶体管TFT'下方。例如，底部金属层BML可以设置在辅助薄膜晶体管TFT'与基底100之间。底部金属层BML可以防止外部光到达辅助薄膜晶体管TFT'。根据实施例，可以将静态电压或信号施加到底部金属层BML，因此底部金属层BML可以防止像素电路被静电放电损坏。底部金属层BML可以布置或设置在组件区域CA内。在一些情况下，可以将不同的电压施加到底部金属层BML。包括与透射区域TA对应的孔的单个底部金属层BML可以定位或设置在组件区域CA内。
显示元件层EDL可以被薄膜封装层TFEL或被封装基底ENS覆盖或者与薄膜封装层TFEL或与封装基底ENS叠置。根据实施例，如图9A中所示，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。根据实施例，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及位于第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。
根据实施例，如图9B中所示，封装基底ENS可以布置或设置为面对基底100，并且显示元件层EDL位于封装基底ENS与基底100之间。间隙可以存在于封装基底ENS与显示元件层EDL之间。封装基底ENS可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以布置或设置在基底100与封装基底ENS之间，并且可以布置或设置在外围区域DPA中。布置或设置在外围区域DPA中的密封剂可以围绕显示区域DA并且可以防止湿气渗透通过显示面板10的侧表面。
触摸屏层TSL可以基于外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和电连接到触摸电极的触摸布线。触摸屏层TSL可以根据自电容方法或互电容方法感测外部输入。
触摸屏层TSL可以位于封装构件ENCM上。可选择地，触摸屏层TSL可以单独提供或设置在触摸基底上，然后经由粘合层(诸如OCA)结合到封装构件ENCM的上表面。根据实施例，如图9A至图9D中所示，触摸屏层TSL可以直接提供或设置在封装构件ENCM上。在这种情况下，触摸屏层TSL与封装构件ENCM之间可以没有粘合层。
光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低可以从外部源朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。
根据实施例，光学功能层OFL可以是偏振膜。光学功能层OFL可以包括与透射区域TA对应的开口OFL_OP。因此，透射区域TA的透光率可以显著提高。开口OFL_OP可以填充有透明材料，诸如光学透明树脂(OCR)。
根据实施例，如图9C中所示，光学功能层OFL可以包括包含黑矩阵和滤色器的滤光片180。滤光片180可以包括基体层181、位于基体层181上的滤色器182、黑矩阵183和外涂层184。
滤色器182可以通过考虑由显示面板10的像素发射的光束的颜色来布置或设置。例如，根据由主发光元件ED和辅助发光元件ED'发射的光束的颜色，每个滤色器182可以具有红色、绿色或蓝色。在透射区域TA中，不存在滤色器182和黑矩阵183。例如，包括滤色器182和黑矩阵183的层可以包括与透射区域TA对应的孔183OP，并且孔183OP的至少一部分可以填充有外涂层184的一部分。外涂层184可以包括诸如树脂的有机材料，并且有机材料可以是透明的。
如图9D中所示，盖窗50可以布置或设置在显示面板10上方以保护显示面板10。盖窗50可以包括嵌入其中的透镜构件50L以与显示面板10的透射区域TA对应。在布置或设置在组件区域CA中的组件40可以是相机或图像传感器的情况下，可以布置或设置透镜构件50L。由于布置或设置了透镜构件50L，外部光可以会聚在可以是相机的组件40上，因此由相机拍摄的图像的质量可以改善。
如图9E中所示，组件40可以附着到显示面板10的下表面。面板保护构件PB可以包括保护层PY、光阻挡层LBY、缓冲垫层CY和散热器层HSY。保护层PY可以附着到基底100的下表面并且保护基底100。例如，保护层PY可以吸收外部物理冲击，或者可以防止异物、湿气等渗透到显示层DISL中。保护层PY可以涂覆在基底100的下表面上，或者可以以膜的形式附着到基底100的下表面。
根据实施例，保护层PY可以包括阻挡紫外线(UV)的材料。例如，保护层PY可以包括基体树脂、UV吸收剂和无机颗粒。UV吸收剂和无机颗粒可以分散并提供到基体树脂。基体树脂可以是丙烯酸酯类树脂，例如聚氨酯丙烯酸酯。然而，实施例不限于此。可以光学透明并且可以分散有UV吸收剂和无机颗粒的基体树脂可以用在保护层PY中，而没有局限或限制。
例如，UV吸收剂可以包括苯并三唑化合物、二苯甲酮化合物、水杨酸化合物、水杨酸酯化合物、氰基丙烯酸酯化合物、肉桂酸酯化合物、草酰苯胺化合物、聚苯乙烯化合物、甲亚胺化合物和三嗪化合物中的至少一种。
光阻挡层LBY可以位于保护层PY的下表面上，并且缓冲垫层CY可以位于光阻挡层LBY的下表面上。光阻挡层LBY可以是保护层PY与缓冲垫层CY之间的双面粘合剂。光阻挡层LBY可以吸收外部入射光。例如，光阻挡层LBY可以设置为黑色层以吸收外部光。然而，实施例不限于此。光阻挡层LBY可以包括可以吸收外部光的各种材料。
缓冲垫层CY可以附着到光阻挡层LBY的下表面以保护显示面板10。缓冲垫层CY可以包括弹性材料，并且可以设置为例如海绵或橡胶。
散热器层HSY可以位于缓冲垫层CY下方。散热器层HSY可以包括第一散热器层和第二散热器层，第一散热器层包括石墨或碳纳米管，第二散热器层可以屏蔽电磁波并且包括具有高热导率的金属薄膜，诸如铜、镍、铁素体或银。
构成面板保护构件PB的保护层PY、光阻挡层LBY、缓冲层CY和散热器层HSY的位置可以变化。
如上所述，面板保护构件PB可以包括与组件区域CA对应的开口PB_OP，并且组件40可以在开口PB_OP内。
组件40可以安装在封装件40SP上，并且封装件40SP可以通过粘合构件40RS附着到基底100的下表面。封装件40SP可以包括电连接到主电路板70和组件40的控制电路。
OCR可以填充在组件40与基底100的下表面之间。OCR可以具有光学透明性，因此可以使入射在组件40上的光的损失最小化。
粘合构件40RS可以将封装件40SP固定或粘合到基底100的下表面。粘合构件40RS可以包括树脂。换言之，在将树脂布置或设置为接触封装件40SP和基底100的下表面之后，可以进行通过UV的固化。粘合构件40RS可以包括光吸收材料。
图10是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。
参照图10，构成显示面板10的各种组件可以布置或设置在基底100上。基底100可以包括显示区域DA以及围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻的外围区域DPA。显示区域DA可以包括其上可以显示主图像的主显示区域MDA以及可以包含透射区域TA且其上可以显示辅助图像的组件区域CA。辅助图像可以与主图像一起形成单个整体图像，或者可以是独立于主图像的图像。
主子像素Pm可以布置或设置在主显示区域MDA中。每个主子像素Pm可以被实现为诸如有机发光二极管的显示元件。每个主子像素Pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在公开的精神和范围内，主显示区域MDA可以被封装构件覆盖或与封装构件叠置，因此可以被保护免受环境空气、湿气等影响。
如上所述，组件区域CA可以定位或设置在主显示区域MDA的一侧上，或者可以布置或设置在显示区域DA内并且被主显示区域MDA围绕或与主显示区域MDA相邻。辅助子像素Pa可以布置或设置在组件区域CA中。每个辅助子像素Pa可以被实现为诸如有机发光二极管的显示元件。每个辅助子像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在公开的精神和范围内，组件区域CA可以被封装构件覆盖或与封装构件叠置，因此可以被保护免受环境空气、湿气等影响。
组件区域CA可以具有透射区域TA。透射区域TA可以布置或设置为围绕辅助子像素Pa或与辅助子像素Pa相邻。可选择地，透射区域TA可以与辅助子像素Pa一起布置或设置为网格构造。
因为组件区域CA具有透射区域TA，所以组件区域CA的分辨率可以低于主显示区域MDA的分辨率。例如，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的约1/2、约3/8、约1/3、约1/4、约2/9、约1/8、约1/9或约1/16。例如，主显示区域MDA的分辨率可以是约400ppi或更大，并且组件区域CA的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。
可以驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路可以电连接到布置或设置在外围区域DPA中的外部电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子单元PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13可以布置或设置在外围区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以经由扫描线SL将扫描信号施加到驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的每个像素电路。第一扫描驱动电路SDRV1可以经由发光控制线EL将发光控制信号施加到每个像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可以定位或设置在主显示区域MDA的可以与第一扫描驱动电路SDRV1可以定位或设置的一侧相对的一侧上，并且可以近似平行于第一扫描驱动电路SDRV1。布置或设置在主显示区域MDA中的主子像素Pm的一些或预定数量的像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其余的像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。布置或设置在组件区域CA中的辅助子像素Pa的一些或预定数量的像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其余的像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。可以不包括第二扫描驱动电路SDRV2。
端子单元PAD可以布置或设置在基底100的一侧上。端子单元PAD可以被暴露而不被绝缘层覆盖或不与绝缘层叠置，并且可以电连接到显示电路板30。显示驱动单元32可以设置在显示电路板30上。显示驱动单元32可以产生可以传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动单元32可以将驱动电压ELVDD(见图11A)供应到驱动电压供应线11，并且可以将公共电压ELVSS(见图11A)供应到公共电压供应线13。驱动电压ELVDD可以经由电连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路，并且公共电压ELVSS可以电连接到公共电压供应线13，因此可以施加到每个显示元件的对电极。显示驱动单元32可以产生数据信号，并且产生的数据信号可以经由扇出布线FW和电连接到扇出布线FW的数据线DL传输到主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路。
驱动电压供应线11可以沿主显示区域MDA的下侧在x方向上延伸。公共电压供应线13可以具有其一侧可以敞开的基本上环形的形状，并且可以围绕主显示区域MDA的一部分或与主显示区域MDA的一部分相邻。
图11A和图11B是根据实施例的用于驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路的等效电路图。
参照图11A，像素电路PC可以电连接到发光元件ED，并且可以实现子像素的发光。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以电连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn将经由数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以电连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以电连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到发光元件ED的驱动电流。发光元件ED可以由于驱动电流而发射具有特定或预定亮度的光。
尽管图11A中示出了像素电路PC可以包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是实施例不限于此。
参照图11B，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
尽管像素电路PC可以包括信号线(即，图11B中的扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1、发光控制线EL和数据线DL)、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是实施例不限于此。根据实施例，信号线(即，扫描线SL、前一扫描线SL-1、后一扫描线SL+1、发光控制线EL和数据线DL)中的至少一条或/和初始化电压线VL可以由相邻的像素电路共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由发光控制薄膜晶体管T6电连接到发光元件ED。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并将驱动电流供应到发光元件ED。
开关薄膜晶体管T2的栅电极可以电连接到扫描线SL，并且其源电极可以电连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以电连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且同时可以经由操作控制薄膜晶体管T5电连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且执行将从数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以电连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可以电连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且同时可以经由发光控制薄膜晶体管T6电连接到发光元件ED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可以电连接到存储电容器Cst的一个电极、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且将驱动薄膜晶体管T1的栅电极和漏电极彼此电连接，因此实现驱动薄膜晶体管T1的二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以电连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以电连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以电连接到存储电容器Cst的所述一个电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据经由前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的栅电极，从而使驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压初始化。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可以电连接到发光控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可以电连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极可以电连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发光控制薄膜晶体管T6的栅电极可以电连接到发光控制线EL。发光控制薄膜晶体管T6的源电极可以电连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发光控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到发光元件ED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发光控制薄膜晶体管T6根据经由发光控制线EL接收的发光控制信号En而同时导通，因此驱动电压ELVDD传输到发光元件ED，并且驱动电流在发光元件ED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以电连接到后一扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以电连接到发光元件ED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以电连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以根据经由后一扫描线SL+1接收的后一扫描信号Sn+1而导通，并且可以使发光元件ED的像素电极初始化。
尽管在图11B中第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7可以分别电连接到前一扫描线SL-1和后一扫描线SL+1，但实施例不限于此。根据实施例，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7两者可以电连接到前一扫描线SL-1，并且可以根据前一扫描信号Sn-1而驱动。
存储电容器Cst的另一电极可以电连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的所述一个电极可以电连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
发光元件ED的对电极(例如，阴极)提供公共电压ELVSS。发光元件ED接收来自驱动薄膜晶体管T1的驱动电流并发射光。
像素电路PC不限于以上参照图11A和图11B描述的薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计全部。薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计可以变化。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可以彼此相同或者可以彼此不同。例如，图11B的像素电路PC可以用作驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的每个像素电路PC。根据实施例，图11B的像素电路PC可以用作驱动主子像素Pm的像素电路PC，并且图11A的像素电路PC可以用作驱动辅助子像素Pa的像素电路PC。
图12是示出根据实施例的主显示区域MDA中的像素布置结构的示意性布局图。
主子像素Pm可以布置或设置在主显示区域MDA中。如这里使用的，子像素可以指作为可以实现图像的最小单元的发光区域。在有机发光二极管用作显示元件的情况下，发光区域可以由像素限定层的开口限定。这将稍后描述。
如图12中所示，布置或设置在主显示区域MDA中的主子像素Pm可以具有pentile(或称为“五瓦片”)结构。红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以分别表示红色、绿色和蓝色。
因此，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以在第一行1N上彼此交替，绿色子像素Pg可以在与第一行1N相邻的第二行2N上彼此间隔预定距离，蓝色子像素Pb和红色子像素Pr可以在与第二行2N相邻的第三行3N上彼此交替，并且绿色子像素Pg可以在与第三行3N相邻的第四行4N上彼此间隔预定距离，该像素布置可以重复直到第N行。在这种情况下，蓝色子像素Pb和红色子像素Pr可以大于绿色子像素Pg。
设置在第一行1N上的红色子像素Pr和蓝色子像素Pb以及设置在第二行2N上的绿色子像素Pg可以以之字形构造布置或设置。因此，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以在第一列1M上彼此交替，绿色子像素Pg可以设置为在与第一列1M相邻的第二列2M上彼此间隔预定距离，蓝色子像素Pb和红色子像素Pr可以在与第二列2M相邻的第三列3M上彼此交替，并且绿色子像素Pg可以在与第三列3M相邻的第四列4M上彼此间隔预定距离，该像素布置可以重复直到第M列。
不同地描述该像素布置结构，红色子像素Pr可以布置或设置在假想四边形VS的四个顶点中的在对角线方向上彼此面对的第一顶点和第三顶点处，假想四边形VS将绿色子像素Pg的中心点作为其中心点，并且蓝色子像素Pb可以布置或设置在其余顶点处，即第二顶点和第四顶点处。在公开的精神和范围内，假想四边形VS可以是矩形、菱形、正方形等。
可以将该像素布置结构称为pentile矩阵结构或pentile结构。通过应用其中像素的颜色可以通过共享其相邻像素的颜色来表示的渲染，可以经由少量像素获得高分辨率。
尽管在图12中主子像素Pm可以以pentile矩阵结构布置或设置，但是实施例不限于此。例如，主子像素Pm可以以诸如条结构、马赛克布置结构和三角布置结构的各种构造来布置或设置。
图13A至图15是示出根据各种实施例的组件区域CA中的像素布置结构的示意性布局图。
参照图13A，辅助子像素Pa可以布置或设置在组件区域CA中。每个辅助子像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
组件区域CA可以包括像素组PG和透射区域TA，像素组PG包括至少一个辅助子像素Pa。像素组PG和透射区域TA可以在x方向和y方向上彼此交替，并且可以布置或设置为例如网格构造。在这种情况下，组件区域CA可以具有像素组PG和透射区域TA。
像素组PG可以定义为其中辅助子像素Pa可以以预定单元成组的子像素集。例如，如图13A中所示，单个像素组PG可以包括以pentile结构布置或设置的八个辅助子像素Pa。换言之，单个像素组PG可以包括两个红色子像素Pr、四个绿色子像素Pg和两个蓝色子像素Pb。
在组件区域CA中，包括特定或预定数量的像素组PG以及特定或预定数量的透射区域TA的基本单元U可以在x方向和y方向上重复。在图13A中，基本单元U可以具有四边形形状，在该四边形形状中两个像素组PG和可以布置或设置在像素组PG周围的两个透射区域TA可以成组。基本单元U是重复结构并且不表示断开的构造。
在主显示区域MDA中，可以设置具有与基本单元U的面积相同的面积的对应单元U'。在这种情况下，包括在对应单元U'中的主子像素Pm的数量可以大于包括在基本单元U中的辅助子像素Pa的数量。换言之，包括在基本单元U中的辅助子像素Pa的数量是16，并且包括在对应单元U'中的主子像素Pm的数量是32，因此布置或设置在相同面积上的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量的比例可以是1:2。
其中辅助子像素Pa可以布置或设置为如图13A中所示的pentile结构并且组件区域CA的分辨率是主显示区域MDA的分辨率的1/2的组件区域CA的像素布置结构被称为1/2pentile结构。可以根据组件区域CA的分辨率来修改像素组PG中包括的辅助子像素Pa的数量或其布置方法。
参照图13B，组件区域CA的像素布置结构可以是1/4pentile结构。根据实施例，像素组PG可以包括以pentile结构布置或设置的八个辅助子像素Pa，但是基本单元U可以包括仅一个像素组PG。基本单元U的未被所述一个像素组PG占据的其余区域可以填充有透射区域TA。因此，布置或设置在相同面积上的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量的比例可以是1:4。在这种情况下，所述一个像素组PG可以被透射区域TA围绕或与透射区域TA相邻。
参照图13C，组件区域CA的像素布置结构可以是1/4pentile分散结构。根据实施例，两个像素组PG可以分散并布置或设置在基本单元U中。单个像素组PG可以基于pentile结构，并且可以包括总共四个辅助子像素Pa，即，一个红色子像素Pr、两个绿色子像素Pg和一个蓝色子像素Pb。
四个辅助子像素Pa可以分别布置或设置在假想四边形VS'的四个顶点处。根据实施例，假想四边形VS'可以是平行四边形。红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以布置或设置在第一行1N上，并且两个绿色子像素Pg可以布置或设置在第二行2N上。
因为像素组PG和透射区域TA可以交替地布置或设置，所以随着包括在每个像素组PG中的辅助子像素Pa的数量减少，辅助子像素Pa可以在基本单元U内更分散。
参照图13D，组件区域CA的像素布置结构可以是3/16pentile结构。根据实施例，两个像素组PG可以分散并布置或设置在基本单元U中。单个像素组PG可以基于pentile结构，并且可以包括总共三个辅助子像素Pa，即，一个红色子像素Pr、一个绿色子像素Pg和一个蓝色子像素Pb。在单个像素组PG中的辅助子像素Pa的布置中，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以分别布置或设置在假想三角形VT的三个顶点处。
与图12的主显示区域MDA中的基本pentile结构相比，根据实施例的像素布置结构可以在第三行3N和第四行4N上不包括子像素，并且还可以在第四列4M上不包括子像素。因此，包括在基本单元U中的辅助子像素Pa的数量为6，并且包括在对应单元U'中的主子像素Pm的数量为32，因此布置或设置在相同面积上的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量的比例可以为3:16。
参照图13E，组件区域CA的像素布置结构可以是S条结构。根据实施例，单个像素组PG可以包括总共三个辅助子像素Pa，即，一个红色子像素Pr、一个绿色子像素Pg和一个蓝色子像素Pb。
根据实施例，一个红色子像素Pr和一个绿色子像素Pg可以在第一列1I上彼此交替，并且一个蓝色子像素Pb可以布置或设置在与第一列1I相邻的第二列2I上。在这种情况下，红色子像素Pr和绿色子像素Pg中的每个可以具有具备沿x方向的较长边的基本上矩形的形状，并且蓝色子像素Pb可以布置或设置为具有具备沿y方向的较长边的基本上矩形的形状。蓝色子像素Pb在y方向上的长度可以等于或大于红色子像素Pr在y方向上的长度和绿色子像素Pg在y方向上的长度之和。因此，蓝色子像素Pb的尺寸可以大于红色子像素Pr和绿色子像素Pg中的每个的尺寸。
根据实施例，基本单元U的由像素组PG占据的面积可以是基本单元U的约1/4。在图13E中，仅一个像素组PG可以包括在基本单元U中。然而，根据实施例，基本单元U可以包括两个或更多个像素组PG。包括在每个像素组PG中的辅助子像素Pa的面积可以变化。
参照图13F，布置或设置在组件区域CA中的基本单元U可以包括基于S条结构的两个像素组PG。两个像素组PG可以彼此分开布置或设置，并且透射区域TA位于两个像素组PG之间。
根据实施例，基本单元U的由两个像素组PG占据的面积可以是基本单元U的约1/4。换言之，图13F的辅助子像素Pa的面积可以小于图13E的辅助子像素Pa的面积。
参照图13G，组件区域CA的像素布置结构可以是条结构。换言之，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在x方向上并列设置。在这种情况下，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的每个可以具有沿y方向的较长边。
可选择地，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在y方向上并列设置。在这种情况下，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的每个可以具有沿x方向的较长边。
参照图14A至图14F，辅助子像素Pa可以在组件区域CA内布置或设置为基本上圆形的构造。例如，辅助子像素Pa可以布置或设置在假想圆VC的圆周方向上，使得红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在假想圆VC的圆周方向上顺序地布置或设置并重复。包括在像素组PG中的辅助子像素Pa的形状、辅助子像素Pa的布置以及包括在像素组PG中的辅助子像素Pa的数量可以变化。
例如，如图14A中所示，每个辅助子像素Pa的形状可以为菱形。可选择地，如图14B中所示，每个辅助子像素Pa可以具有特定或预定的宽度以及在圆周方向上延伸的长度。在辅助子像素Pa可以布置或设置为如上所述的圆形构造的情况下，包括在像素组PG中的辅助子像素Pa可以布置或设置为围绕透射区域TA或与透射区域TA相邻。如图14C中所示，基本单元U可以包括均具有基本上圆形的形状的像素组PG。
参照图14D至图14F，组件区域CA可以包括沿具有同一中心并具有不同直径的假想圆VC1、VC2和VC3的相应圆周布置或设置的辅助子像素Pa。在假想圆VC1、VC2和VC3中的每个的直径方向上，布置或设置在假想圆VC1、VC2和VC3中的辅助子像素Pa可以对齐成行或者可以以之字形构造布置或设置。
参照图15，组件区域CA可以包括具有不同像素布置的第一像素组PG1和第二像素组PG2。图13A至图14F中所示的像素布置结构可以应用于第一像素组PG1和第二像素组PG2。例如，第一像素组PG1的辅助子像素Pa可以以pentile结构布置或设置，并且第二像素组PG2的辅助子像素Pa可以以S条结构布置或设置。
图16A至图16H是示出可以布置或设置在组件区域CA中的底部金属层BML的形状的示意性平面图。
参照图16A至图16H，底部金属层BML可以布置或设置为与组件区域CA对应，并且可以均包括底部孔BMLH。底部金属层BML和底部孔BMLH可以具有各种形状和各种尺寸。
参照图16A，底部孔BMLH可以是矩形的，并且底部孔BMLH可以不面对像素组PG。在这种情况下，透射区域TA的形状和尺寸可以由底部孔BMLH的形状和尺寸限定。根据平面图，两个底部孔BMLH可以包括在每个基本单元U中，并且可以与像素组PG交替。
参照图16B，底部孔BMLH可以面对透射区域TA和一些或预定数量的像素组PG。在这种情况下，底部孔BMLH的形状和尺寸可以与透射区域TA的形状和尺寸不同。
参照图16C，底部金属层BML可以包括与像素组PG对应的第一底部金属层BMLa以及与相邻像素组PG之间的布线WL对应的第二底部金属层BMLb。第二底部金属层BMLb的宽度可以小于第一底部金属层BMLa的宽度，并且第一底部金属层BMLa和第二底部金属层BMLb可以彼此成一体。因此，底部孔BMLH可以具有“+”形状。由于底部金属层BML布置或设置为与布线WL对应，因此可以防止由提供或设置在布线WL之间的狭缝引起的光衍射。
参照图16D和图16E，底部孔BMLH可以具有基本上圆形的形状。在透射区域TA的形状近似圆形的情况下，光的衍射性质可以改善。因此，在设置在组件区域CA下方的组件可以是相机的情况下，透射区域TA可以具有近似圆形的形状。底部孔BMLH可以呈近似圆形并具有8条或更多条边的多边形的形状，或者可以是椭圆形的。可以对底部孔BMLH进行各种修改。例如，单个底部孔BMLH或多个底部孔BMLH可以包括在像素组PG之间。
参照图16F，底部孔BMLH可以包括第一底部孔BMLH1和第二底部孔BMLH2。例如，第一底部孔BMLH1可以是矩形的，并且第二底部孔BMLH2可以是圆形的。
参照图16G和图16H，可以根据各种方法布置或设置底部孔BMLH。例如，如图16G中所示，底部孔BMLH可以在x方向和y方向两者上并排布置或设置。可选择地，如图16H中所示，底部孔BMLH可以在x方向上布置或设置成行，并且可以在y方向上以之字形构造布置或设置。
通过考虑底部孔BMLH的这种布置，可以选择布置或设置在像素组PG中的辅助子像素Pa的形状。例如，布置或设置在图16G的第一像素组PG1中的辅助子像素Pa之中的蓝色子像素Pb可以在y方向上比布置或设置在蓝色子像素Pb的两侧上的红色子像素Pr和绿色子像素Pg长。可选择地，例如布置或设置在图16G的第二像素组PG2中的辅助子像素Pa，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以布置或设置为基本上菱形的形状，并且绿色子像素Pg设置在中心处。
参照图16H，包括在第一像素组PG1中的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以布置或设置为三角形形状，并且定位或设置在第二像素组PG2中包括的辅助子像素Pa之中的中心处的绿色子像素Pg可以布置或设置为在y方向上比布置或设置在绿色子像素Pg的两侧上的红色子像素Pr和蓝色子像素Pb长。
图17是根据实施例的显示面板10的一部分或区域(例如，主显示区域MDA和组件区域CA)的示意性剖视图。
参照图17，显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。主子像素Pm可以布置或设置在主显示区域MDA中，并且辅助子像素Pa和透射区域TA可以布置或设置在组件区域CA中。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的主像素电路PC以及作为电连接到主像素电路PC的显示元件的主有机发光二极管OLED可以布置或设置在主显示区域MDA中。包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PC'以及作为电连接到辅助像素电路PC'的显示元件的辅助有机发光二极管OLED'可以布置或设置在组件区域CA中。
根据实施例，可以采用有机发光二极管作为显示元件。然而，根据实施例，无机发光二极管或量子点发光二极管可以用作显示元件。
现在将描述其中包括在显示面板10中的组件堆叠的结构。显示面板10可以是基底100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL的堆叠体。
如上所述，基底100可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英和聚合物树脂。基底100可以是刚性基底或柔性基底，柔性基底可以是可弯曲的、可折叠的或可卷曲的。
缓冲层111可以位于基底100上，并且可以减少或防止异物、湿气或环境空气从基底100下方渗透，并且可以在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或者有机和无机复合物，并且可以是无机材料和有机材料的单层或多层。阻挡层(未示出)可以位于基底100与缓冲层111之间以防止环境空气的渗透。根据实施例，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。缓冲层111可以包括第一缓冲层111a和第二缓冲层111b，第一缓冲层111a和第二缓冲层111b中的一个堆叠在另一个上。
在组件区域CA中，底部金属层BML可以位于第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。根据实施例，底部金属层BML可以位于基底100与第一缓冲层111a之间。底部金属层BML可以定位或设置在辅助像素电路PC'下方，并且可以防止辅助薄膜晶体管TFT'的特性由于从例如组件发射的光而劣化。底部金属层BML可以防止可以从组件等发射或朝向组件前进的光衍射通过电连接到辅助像素电路PC'的布线之间的窄间隙。底部金属层BML可以不存在于透射区域TA中。
底部金属层BML可以经由接触孔电连接到布置或设置在另一层上的布线GCL。底部金属层BML可以从布线GCL接收静态电压或信号。例如，底部金属层BML可以接收驱动电压ELVDD或扫描信号。由于底部金属层BML接收静态电压或信号，因此可以显著降低静电放电发生的概率。底部金属层BML可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。底部金属层BML可以是包括前述材料的单层或多层。
电路层PCL可以位于缓冲层111上，并且可以包括主像素电路PC和辅助像素电路PC'、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115和平坦化层117。主像素电路PC可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，并且辅助像素电路PC'可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
主薄膜晶体管TFT和/或辅助薄膜晶体管TFT'可以位于缓冲层111上方。主薄膜晶体管TFT可以包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1，并且辅助薄膜晶体管TFT'可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以电连接到主有机发光二极管OLED，并且可以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以电连接到辅助有机发光二极管OLED'，并且可以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以位于缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。根据实施例，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。根据实施例，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括选自于由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
第二半导体层A2可以与底部金属层BML叠置，并且第二缓冲层111b位于第二半导体层A2与底部金属层BML之间。根据实施例，第二半导体层A2的宽度可以小于底部金属层BML的宽度。因此，在垂直于基底100的方向上执行投影的情况下，第二半导体层A2可以完全与底部金属层BML叠置。
第一栅极绝缘层112可以覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2或者与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。第一栅极绝缘层112可以是包括前述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可以定位或设置在第一栅极绝缘层112上方，以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并且可以均是单层或多层。例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以均是Mo的单层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2或者与第一栅电极G1和第二栅电极G2叠置。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。第二栅极绝缘层113可以是包括前述无机绝缘材料的单层或多层。
主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上电极CE2'可以位于第二栅极绝缘层113上方。
在主显示区域MDA中，第一上电极CE2可以与第一栅电极G1叠置。第一栅电极G1和第一上电极CE2彼此叠置，并且第二栅极绝缘层113位于第一栅电极G1与第一上电极CE2之间，第一栅电极G1和第一上电极CE2可以构成主存储电容器Cst。第一栅电极G1可以是主存储电容器Cst的第一下电极CE1。
在组件区域CA中，第二上电极CE2'可以与第二栅电极G2叠置。第二栅电极G2和第二上电极CE2'彼此叠置，并且第二栅极绝缘层113位于第二栅电极G2与第二上电极CE2'之间，第二栅电极G2和第二上电极CE2'可以构成辅助存储电容器Cst'。第二栅电极G2可以是辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'。
第一上电极CE2和第二上电极CE2'可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)，并且可以均是包括前述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'或者与第一上电极CE2和第二上电极CE2'叠置。在公开的精神和范围内，层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)等。层间绝缘层115可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层IIL的情况下，无机绝缘层IIL可以具有与透射区域TA对应的第一孔H1。第一孔H1可以使缓冲层111或基底100的上表面的一部分暴露。第一孔H1可以是与透射区域TA对应的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口的叠置的结果。这些开口可以通过分开的工艺单独形成，或者可以通过同一工艺同时形成。在这些开口通过分开的工艺形成的情况下，第一孔H1的内表面可以不平滑，并且可以具有诸如基本上阶梯形状的台阶。
可选择地，无机绝缘层IIL可以具有除了使缓冲层111暴露的第一孔H1之外的凹槽。可选择地，无机绝缘层IIL可以不具有与透射区域TA对应的第一孔H1或凹槽。因为无机绝缘层IIL总体上可以包括具有高透光率的无机绝缘材料，所以即使在无机绝缘层IIL不具有与透射区域TA对应的孔或凹槽的情况下，无机绝缘层IIL也可以具有足够的透光率，使得图2的组件40可以发送/接收足够量的光。
第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2位于层间绝缘层115上。第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2中的每个可以包括包含Mo、Al、Cu和/或Ti的导电材料，并且可以是包括前述材料的多层或单层。例如，第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2中的每个可以是Ti/Al/Ti的多层。
平坦化层117可以覆盖第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2或者与第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2叠置。平坦化层117可以具有平坦的上表面，使得可以定位或设置在其上的第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成为平坦的。
平坦化层117可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。在公开的精神和范围内，平坦化层117可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物等。平坦化层117可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。在形成平坦化层117的情况下，可以形成层，然后可以对该层的上表面执行化学和机械抛光以提供平坦的上表面。
平坦化层117可以具有第二孔H2以与透射区域TA对应。第二孔H2可以与第一孔H1叠置。图17示出了可以大于第一孔H1的第二孔H2。根据实施例，平坦化层117可以覆盖无机绝缘层IIL的第一孔H1的边缘或者与无机绝缘层IIL的第一孔H1的边缘叠置，并且第二孔H2可以具有比第一孔H1的面积小的面积。
平坦化层117可以具有通路孔，主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的一个经由通路孔暴露，并且第一像素电极121可以经由通路孔接触第一源电极S1或第一漏电极D1并且可以电连接到主薄膜晶体管TFT。平坦化层117可以包括另一开口，辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的一个经由另一开口暴露，并且第二像素电极121'可以经由另一开口接触第二源电极S2或第二漏电极D2并且可以电连接到辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。第一像素电极121和第二像素电极121'中的每个可以包括反射层，该反射层包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者这些材料的复合物。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'中的每个可以具有在前述反射层上方/下方的包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜的结构。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'中的每个可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以布置或设置在平坦化层117上以覆盖第一像素电极121和第二像素电极121'的相应边缘或者与第一像素电极121和第二像素电极121'的相应边缘叠置，并且可以包括分别使第一像素电极121和第二像素电极121'的中心部分暴露的第一开口OP1和第二开口OP2。第一开口OP1和第二开口OP2可以限定主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的发光区域(即，主子像素Pm和辅助子像素Pa)的尺寸和形状。
像素限定层119可以通过增大第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘与对电极123的位于第一像素电极121和第二像素电极121'上的部分之间的距离来防止在第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘上发生电弧等。在公开的精神和范围内，像素限定层119可以由有机绝缘材料(诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或酚醛树脂)经由旋涂等形成。
像素限定层119可以具有定位或设置在透射区域TA中的第三孔H3。第三孔H3可以与第一孔H1和第二孔H2叠置。由于第一孔H1至第三孔H3，透射区域TA中的透光率可以提高。尽管缓冲层111连续延伸以与图17中的透射区域TA对应，但是缓冲层111可以包括定位或设置在透射区域TA中的孔。稍后将描述的对电极123的一部分可以布置或设置在第一孔H1至第三孔H3的内表面上。
第一发射层122b和第二发射层122b'可以分别布置或设置在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2内，以分别与第一像素电极121和第二像素电极121'对应。第一发射层122b和第二发射层122b'可以包括高分子量材料或低分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层122e可以位于第一发射层122b和第二发射层122b'上方和/或下方。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可以位于第一发射层122b和第二发射层122b'下方。第一功能层122a可以是包括有机材料的单层或多层。第一功能层122a可以是可以为单层的空穴传输层(HTL)。可选择地，第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可以一体地设置以与包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'对应。
第二功能层122c可以位于第一发射层122b和第二发射层122b'上方。第二功能层122c可以是包括有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以一体地设置以与包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'对应。
对电极123可以设置在第二功能层122c上方。对电极123可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极123可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或这些材料的合金。可选择地，对电极123可以包括位于包括上述材料中的任何材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极123可以一体地设置以与包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'对应。
布置或设置在主显示区域MDA中的范围从第一像素电极121到对电极123的层可以构成主有机发光二极管OLED。布置或设置在组件区域CA中的范围从第二像素电极121'到对电极123的层可以构成辅助有机发光二极管OLED'。
包括有机材料的上层150可以位于对电极123上。可以设置上层150以保护对电极123并且还提高光提取效率。上层150可以包括具有比对电极123的折射率高的折射率的有机材料。可选择地，上层150可以是具有不同折射率的层的堆叠体。例如，可以通过将高折射率层、低折射率层和高折射率层以该陈述的顺序堆叠来设置上层150。在这种情况下，高折射率层可以具有1.7或更大的折射率，并且低折射率层可以具有1.3或更小的折射率。
上层150可以另外包括氟化锂(LiF)。可选择地，上层150可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150可以包括与透射区域TA对应的透射孔TAH。换言之，第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150可以分别包括与透射区域TA对应的开口。这些开口可以具有基本相同的面积。例如，对电极123的开口的面积可以与透射孔TAH的面积基本相同。
与透射区域TA对应的透射孔TAH可以被理解为与透射区域TA叠置的透射孔TAH。在这种情况下，透射孔TAH可以具有比包括在无机绝缘层IIL中的第一孔H1的面积小的面积。为此，图17示出了透射孔TAH的宽度Wt小于第一孔H1的宽度。透射孔TAH的面积可以被限定为构成透射孔TAH的开口之中的最窄开口的面积。第一孔H1的面积可以被限定为构成第一孔H1的开口之中的最窄开口的面积。
由于透射孔TAH，对电极123的一部分不存在于透射区域TA中，因此透射区域TA中的透光率可以显著提高。可以使用各种方法形成包括透射孔TAH的对电极123。根据实施例，在将用于形成对电极123的材料沉积在基底100的整个表面上之后，经由激光剥离去除沉积材料的与透射区域TA对应的部分，因此可以形成具有透射孔TAH的对电极123。根据实施例，可以通过金属自图案化(MSP)形成具有透射孔TAH的对电极123。根据实施例，可以经由使用精细金属掩模(FMM)的沉积方法来形成具有透射孔TAH的对电极123。
图18A至图18C是示出根据实施例的将对电极图案化的方法的示意性剖视图。详细地，图18A至图18C示出了经由激光剥离方法的对电极图案化。
参照图18A，在形成第一功能层122a之前，形成牺牲金属层SML以与透射区域TA叠置。例如，牺牲金属层SML可以形成在无机绝缘层IIL的第一孔H1内。
牺牲金属层SML可以包括金属，诸如银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)或钛(Ti)。牺牲金属层SML可以包括由在前述金属上方/下方的ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。根据实施例，牺牲金属层SML可以由与第一像素电极121和第二像素电极121'的材料相同或相似的材料并且在可以形成第一像素电极121和第二像素电极121'的同时形成。
接下来，如图18B中所示，在牺牲金属层SML上顺序地形成均在主显示区域MDA和组件区域CA两者中延伸的第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150。
接下来，从基底100的下表面向布置在透射区域TA中的牺牲金属层SML照射激光。换言之，激光可以在+z方向上从基底100的下表面行进，并且可以照射到牺牲金属层SML的下表面上。
根据实施例，底部金属层BML可以布置或设置为与整个组件区域CA对应，并且可以包括与透射区域TA对应的底部孔BMLH。因此，底部金属层BML可以防止激光到达除了透射区域TA之外的区域。在这种情况下，底部金属层BML可以具有在约
Figure BDA0002851187990000491
至约
Figure BDA0002851187990000492
的范围内的厚度。在底部金属层BML具有可能会小于约
Figure BDA0002851187990000493
的厚度的情况下，可能会在底部金属层BML中通过激光产生空隙。
激光可以具有IR波长。在激光是IR光的情况下，因为相对于基底100和缓冲层111的透射率不比在约80％至约90％的范围内小，所以激光可以有效地到达牺牲金属层SML。因为牺牲金属层SML可以包括不透明金属，所以牺牲金属层SML可以吸收激光。因此，在牺牲金属层SML中发生热膨胀，并且用激光照射的牺牲金属层SML可以从基底100或缓冲层111剥离。
由于牺牲金属层SML被剥离，第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150的位于牺牲金属层SML上方的相应部分也可以与牺牲金属层SML一起被剥离。因此，如图18C中所示，可以形成由第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150的相应开口构成的透射孔TAH。在使用激光剥离方法形成透射孔TAH的情况下，第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150的限定透射孔TAH的相应侧表面可以位于同一平面上。可选择地，第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150的相应开口可以具有相同的面积。
图19A至图19C是示出根据实施例的将对电极图案化的方法以及使用该方法制造的显示面板的示意性剖视图。详细地，图19A至图19C示出了金属自图案化(MSP)技术。
用于形成对电极123的沉积材料根据其上沉积沉积材料的表面来提供不同的层形成结果。例如，用于形成对电极123的材料之中的镁(Mg)难以用于在使用诸如MeOH的一些溶剂清洗的界面或可以包括在第一功能层122a中的HIL和HTL的相应界面上来形成层，并且Mg也难以用于在用于形成像素限定层119的材料上来形成层。Mg的这种特性可以用在用于将对电极123图案化的MSP技术中。
参照图19A，在形成对电极123之前，形成弱粘合层WAL以与透射区域TA对应。例如，在无机绝缘层IIL的第一孔H1内，可以在第二功能层122c的上表面上形成弱粘合层WAL。通过使用具有与透射区域TA对应的开口MSPM1_OP的掩模MSPM1，可以形成弱粘合层WAL以与透射区域TA对应。
弱粘合层WAL可以包括相对于对电极123具有弱粘合性的材料，因此在弱粘合层WAL的上表面上可以不形成对电极123，或者在弱粘合层WAL的上表面上可以形成非常薄的对电极123。
例如，在公开的精神和范围内，弱粘合层WAL可以使用8-羟基喹啉锂(Liq)、N,N-二苯基-N,N-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺(HT01)、N(二苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[D]咪唑(LG201)等形成。
接下来，参照图19B，可以通过在弱粘合层WAL上使用开口掩模在主显示区域MDA和组件区域CA两者中形成对电极123。
因为用于形成对电极123的沉积材料相对于弱粘合层WAL具有弱粘合性，所以如图19B中所示，在弱粘合层WAL的上表面上可以不形成对电极，并且可以形成透射孔TAH。可选择地，如图19C中所示，在弱粘合层WAL上方可以非常薄地形成对电极123。换言之，与可以在弱粘合层WAL周围的对电极123的厚度123_t1相比，在弱粘合层WAL上方的对电极123的厚度123_t2可以非常小。在这种情况下，对电极123可以具有与透射区域TA对应的透射凹槽TAG。
根据实施例，显示面板10可以包括布置或设置在透射区域TA中的弱粘合层WAL以及具有均与透射区域TA对应的透射孔TAH或透射凹槽TAG的对电极123。
图20A和图20B是示出根据实施例的将对电极图案化的方法的示意性剖视图。图20A和图20B示出了MSP技术的示例。
参照图20A，在形成对电极之前，形成具有与透射区域TA对应的孔122cH的第二功能层122c。可以使用包括与透射区域TA对应的遮蔽部分的掩模MSPM2经由沉积工艺来形成第二功能层122c。
接下来，如图20B中所示，可以通过使用开口掩模经由沉积而在基底100的整个表面上形成对电极123。因为第一功能层122a可以包括HIL和/或HTL，所以第一功能层122a相对于形成在第一功能层122a上方的对电极123可以具有弱粘合性。因此，如图20B中所示，在第二功能层122c的经由其使第一功能层122a的上表面暴露的孔122cH内可以不形成对电极，并且可以形成透射孔TAH。可选择地，在第二功能层122c的孔122cH内可以布置或设置非常薄的对电极。
根据实施例的显示面板10可以包括在透射区域TA中连续延伸的第一功能层122a、布置或设置在第一功能层122a上方并具有与透射区域TA对应的孔122cH的第二功能层122c以及具有与透射区域TA对应的透射孔TAH的对电极123。
图21A和图21B是示出根据实施例的将对电极图案化的方法的示意性剖视图。详细地，图21A和图21B示出了FMM图案化技术。
参照图21A和图21B，在形成有机功能层122e之后，可以相对于基底100布置或设置包括与透射区域TA对应的遮蔽部分的FMM掩模FMM_M1，然后经由沉积形成对电极123。因为可以使用FMM掩模FMM_M1形成对电极123，所以对电极123可以包括与透射区域TA对应的透射孔TAH。
接下来，可以去除FMM掩模FMM_M1，并且可以形成上层150以与基底100的整个表面对应。因此，第一功能层122a、第二功能层122c和上层150中的至少一个可以布置或设置为与透射区域TA对应。换言之，第一功能层122a、第二功能层122c和上层150中的至少一个可以布置或设置在透射孔TAH内。
图22A至图22C是示出根据实施例的将对电极图案化的方法的平面图。详细地，图22A至图22C示出了FMM图案化技术的示例。图22D是应用图22A至图22C的制造方法的显示面板10的一部分或区域的示意性剖视图。
参照图22A和图22B，用于对电极的掩模M1可以包括彼此间隔开的掩模开口M_OP。在图22A和图22B中，掩模开口M_OP可以具有相同的形状。然而，掩模开口M_OP可以包括具有不同尺寸和/或形状的掩模开口M_OP。掩模开口M_OP可以在x方向和/或y方向上彼此间隔开特定或预定距离的间隔。
用于对电极的掩模M1可以是FMM。可以通过在金属板中形成孔然后延伸孔来制造FMM。因此，每个掩模开口M_OP可以关于在第一方向上横穿掩模开口M_OP的轴对称或者关于在第二方向上横穿掩模开口M_OP的轴对称。
参照图22A，直到在基底100上形成图17的第二功能层122c完成之后，掩模开口M_OP可以布置或设置为与一些或预定数量的像素组PG对应。
接下来，从沉积源(未示出)排出用于形成对电极123的沉积材料，并且在第二功能层122c上初次沉积，以形成对电极123的一部分。此时，可以根据掩模M1的掩模开口M_OP的布置形成对电极123的仅一部分。
接下来，如图22B中所示，可以在x方向和y方向上移动掩模M1并且可以布置掩模M1，然后经由二次沉积形成对电极123的其余部分。对电极123的在二次沉积期间形成的部分可以与对电极123的在初次沉积期间形成的部分叠置并接触。在图22B中，在执行用于对电极123的初次沉积之后，在45度方向上向右且向上移动掩模M1，然后执行用于对电极123的二次沉积。然而，实施例不限于此。例如，在执行用于对电极123的初次沉积之后，可以在45度方向上向左且向下移动掩模M1，然后可以执行用于对电极123的二次沉积。
根据该沉积方法，如图22C中所示，对电极123可以与像素组PG相对应地提供或设置，并且对电极123可以不提供或设置在透射区域TA中。因此，透射区域TA可以具有高透射率。
根据实施例，对电极123的在初次沉积期间形成的部分和对电极123的在二次沉积期间形成的部分可以彼此叠置和接触。因此，如图22D中所示，对电极123的厚度在叠置区域RA1中可以比在辅助有机发光二极管OLED'上方的区域中大。
如上所述，可以使用上述激光剥离方法、上述FMM图案化方法和/或上述MSP方法形成具有透射孔TAH的对电极123。然而，实施例不限于此。例如，可以使用上述激光剥离方法、上述FMM图案化方法和/或上述MSP方法的组合来形成具有透射孔TAH的对电极123。
图23A至图23E示出了通过使用FMM图案化方法和激光剥离方法来将对电极图案化的方法。
首先，图23A和图23B示出了适用于实施例的用于对电极的第一掩模MM1和用于对电极的第二掩模MM2。第一掩模MM1可以包括遮蔽图23C的组件区域CA的遮蔽部分MM1_SP，并且可以包括使主显示区域MDA暴露的第一掩模开口MM1_OP。第二掩模MM2可以包括与组件区域CA的一部分对应的第二掩模开口MM2_OP。根据实施例，每个第二掩模开口MM2_OP可以呈具有在y方向上与组件区域CA的长度对应的较长边的矩形形状。第二掩模开口MM2_OP可以在x方向上彼此分开布置或设置。根据实施例，每个第二掩模开口MM2_OP可以呈具有在x方向上与组件区域CA的长度对应的较长边的矩形形状。
图23C是示出通过使用第一掩模MM1执行初次沉积然后通过使用第二掩模MM2执行二次沉积而获得的对电极123的平面图，并且图23D是图23C的部分AI的放大平面图。
参照图23C和图23D，可以经由沉积工艺获得对电极123，以覆盖主显示区域MDA或与主显示区域MDA叠置，并覆盖组件区域CA的一部分或与组件区域CA的一部分叠置。根据第二掩模MM2的第二掩模开口MM2_OP的形状，对电极123可以形成为覆盖在y方向上布置或设置的像素组PG或者与在y方向上布置或设置的像素组PG叠置。
接下来，如图23E中所示，可以通过使用激光剥离方法去除形成在组件区域CA中的对电极123的一部分或区域来形成透射孔TAH。因此，透射区域TA的透光率可以提高。
图24是根据实施例的显示面板10的一部分或区域的示意性剖视图。图17和图24中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
图24的实施例与图17的实施例的不同之处可以在于显示面板10的辅助像素电路PC'可以包括包含氧化物半导体的薄膜晶体管和包含多晶硅的薄膜晶体管。尽管图24仅示出了组件区域CA，但组件区域CA的辅助像素电路PC'的上述结构可以等同地应用于主显示区域MDA的主像素电路PC。
参照图24，显示面板10的辅助像素电路PC'可以包括第一薄膜晶体管TFT'p和第二薄膜晶体管TFT'o，第一薄膜晶体管TFT'p包括包含多晶硅的半导体层A2，第二薄膜晶体管TFT'o包括包含氧化物半导体的半导体层A3。
第一薄膜晶体管TFT'p可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。第一薄膜晶体管TFT'p可以与上面参照图17描述的辅助薄膜晶体管TFT'基本相同，并且第一薄膜晶体管TFT'p的第二半导体层A2可以包括多晶硅。
根据实施例的电路层PCL与图17的电路层PCL的不同之处可以在于层间绝缘层115可以包括第一层间绝缘层115a和第二层间绝缘层115b。
第二薄膜晶体管TFT'o可以包括第三半导体层A3、第三栅电极G3、第三源电极S3和第三漏电极D3。第三半导体层A3可以位于第一层间绝缘层115a上。换言之，第三半导体层A3和第二半导体层A2可以位于不同的层上。第三半导体层A3可以包括沟道区以及分别布置或设置在沟道区的两侧上的源区和漏区。根据实施例，第三半导体层A3可以包括氧化物半导体。例如，第三半导体层A3可以包括作为Zn氧化物类材料的Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等。可选择地，第三半导体层A3可以包括在ZnO中包含诸如In、Ga或Sn的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。
可以通过控制氧化物半导体的载流子浓度使氧化物半导体导电来形成第三半导体层A3的源区和漏区。例如，可以通过对氧化物半导体执行等离子体处理来增大氧化物半导体的载流子浓度而形成第三半导体层A3的源区和漏区，等离子体处理使用氢(H)类气体、氟(F)类气体或其组合。
第三栅电极G3可以与第三半导体层A3的沟道区叠置，并且第三栅极绝缘层116可以位于第三半导体层A3与第三栅电极G3之间。换言之，第三栅电极G3可以通过第三栅极绝缘层116与第三半导体层A3绝缘。第三栅极绝缘层116可以根据第三栅电极G3的形状来图案化。
第三栅极绝缘层116可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。例如，在公开的精神和范围内，第三栅极绝缘层116可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)等。第三栅电极G3可以位于第三栅极绝缘层116上，可以包括钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以是单层或多层。
第二层间绝缘层115b可以覆盖第二薄膜晶体管TFT'o的第三栅电极G3或与第二薄膜晶体管TFT'o的第三栅电极G3叠置并且可以位于基底100的上表面上。第三源电极S3和第三漏电极D3可以位于第二层间绝缘层115b上方。
第三源电极S3和第三漏电极D3可以经由穿透第二层间绝缘层115b的接触孔分别接触第三半导体层A3的源区和漏区。第三源电极S3和第三漏电极D3中的每个可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti和/或其它导电材料的导电材料，并且可以是包括前述材料的多层或单层。
因为包括包含多晶硅的半导体层的薄膜晶体管具有高可靠性，所以可以通过采用驱动薄膜晶体管来实现高质量显示面板。
因为氧化物半导体具有高载流子迁移率和低漏电流，所以即使在驱动时间可能会长的情况下电压降也不会大。换言之，因为根据电压降的图像的颜色变化即使在低频驱动期间也不大，所以可以低频驱动。因为如上所述氧化物半导体具有低漏电流，所以氧化物半导体可以用在除驱动薄膜晶体管之外的薄膜晶体管中的至少一个中，从而防止电流泄漏并且还降低功耗。
图25是根据实施例的显示面板10的一部分或区域的示意性剖视图。图17和图25中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
图25的实施例与图17的实施例的不同之处在于平坦化层117可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b，第一金属层BML1可以布置或设置在主显示区域MDA中，并且透射区域TA可以由底部金属层BML的底部孔BMLH来限定。
参照图25，显示面板10的电路层PCL可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b。因此，诸如布线的导电图案可以提供或设置在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间，因此可以有利于高集成度。
第一平坦化层117a可以覆盖主像素电路PC和辅助像素电路PC'或者与主像素电路PC和辅助像素电路PC'叠置。第二平坦化层117b可以位于第一平坦化层117a上并且可以具有平坦的上表面，使得第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成为平坦的。第一平坦化层117a和第二平坦化层117b中的每个可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。在公开的精神和范围内，第一平坦化层117a和第二平坦化层117b中的每个可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、PMMA或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物等。在公开的精神和范围内，第一平坦化层117a和第二平坦化层117b中的每个可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)等。在形成第一平坦化层117a和第二平坦化层117b的情况下，可以形成层，然后可以对该层的上表面执行化学和机械抛光，以向该层提供平坦的上表面。
主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'位于第二平坦化层117b上。主有机发光二极管OLED的第一像素电极121和辅助有机发光二极管OLED'的第二像素电极121'可以经由布置或设置在平坦化层117上的连接电极CM和CM'电连接到主像素电路PC和辅助像素电路PC'。
连接电极CM和CM'可以设置在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间。连接电极CM和CM'可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti和/或其它导电材料的导电材料，并且可以形成为包括前述材料的多层或单层。例如，连接电极CM和CM'中的每个可以是Ti/Al/Ti的多层。
显示面板10可以包括布置或设置在主显示区域MDA中的第一金属层BML1。第一金属层BML1可以布置或设置在基底100与主像素电路PC之间，以与主显示区域MDA的主薄膜晶体管TFT对应。根据实施例，第一金属层BML1可以布置或设置为与主显示区域MDA的一部分对应。可选择地，第一金属层BML1可以布置或设置为与整个主显示区域MDA对应。可选择地，第一金属层BML1可以与组件区域CA的底部金属层BML成一体。可以将静态电压或信号施加到第一金属层BML1，因此可以防止由于静电放电而对主像素电路PC的损坏。
第一金属层BML1可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。第一金属层BML1可以是包括前述材料的单层或多层。
组件区域CA的底部金属层BML可以与整个组件区域CA对应。在这种情况下，底部金属层BML可以包括与透射区域TA叠置的底部孔BMLH。根据实施例，透射区域TA的形状和尺寸可以由底部孔BMLH的形状和尺寸来限定。
显示面板10可以包括布置或设置在不同层上的第一布线WL1、第二布线WL2、第三布线WL3和第四布线WL4。
第一布线WL1可以位于第一栅极绝缘层112上，并且可以用作将扫描信号传输到主像素电路PC和辅助像素电路PC'的扫描线SL，第一布线WL1可以位于其上可以布置或设置第一栅电极G1和第二栅电极G2的同一层上。可选择地，第一布线WL1可以用作发光控制线EL。
第二布线WL2可以位于第二栅极绝缘层113上，并且可以用作扫描线SL和/或发光控制线EL，第二布线WL2位于其上布置或设置主存储电容器Cst和辅助存储电容器Cst'的第一上电极CE2和第二上电极CE2'的同一层上。
第三布线WL3可以位于层间绝缘层115上，并且可以用作将数据信号传输到主像素电路PC和辅助像素电路PC'的数据线DL。可选择地，第三布线WL3可以用作将驱动电压传输到主像素电路PC和辅助像素电路PC'的驱动电压线PL。
第四布线WL4可以设置在第一平坦化层117a上，并且可以用作可以将驱动电压传输到主像素电路PC和辅助像素电路PC'的驱动电压线PL或者将数据信号传输到主像素电路PC和辅助像素电路PC'的数据线DL，第四布线WL4可以位于其上可以布置或设置连接电极CM和CM'的同一层上。
第一布线WL1、第二布线WL2、第三布线WL3和第四布线WL4中的每者可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可以形成为包括前述材料的多层或单层。可选择地，第一布线WL1、第二布线WL2、第三布线WL3和第四布线WL4中的每者可以包括透明导电材料。第一布线WL1、第二布线WL2、第三布线WL3和第四布线WL4可以包括相同的材料或者可以包括不同的材料。
图26是根据实施例的显示面板10的一部分或区域的示意性剖视图。图25和图26中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。图26的实施例与图25的实施例的不同之处在于基底100可以具有与透射区域TA对应的凹槽100GR。
参照图26，显示面板10的基底100可以包括可以顺序地堆叠的第一基体层101、第一无机阻挡层102、第二基体层103和第二无机阻挡层104。第一基体层101和第二基体层103中的每个可以包括如上所述的聚合物树脂。第一无机阻挡层102和第二无机阻挡层104中的每个可以防止外部杂质的渗透，因此可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。
根据实施例，基底100可以具有凹槽100GR以与透射区域TA对应。凹槽100GR可以对应于可以布置或设置组件40等的组件区域CA。凹槽100GR可以表示其中基底100的一部分已经在向下方向(-z方向)上被去除并且其一部分保留的区域或区。例如，第一基体层101和第一无机阻挡层102可以在透射区域TA之上连续。第二基体层103和第二无机阻挡层104可以分别具有与透射区域TA对应的开口103OP和104OP。由于这种形状，基底100可以包括凹槽100GR。换言之，基底100的凹槽100GR可以包括第二无机阻挡层104的开口104OP、第二基体层103的开口103OP以及第一无机阻挡层102的经由开口104OP和103OP暴露的上表面102S。
基底100可以包括各种形状的凹槽100GR。例如，第一无机阻挡层102的上表面(+z方向)的一部分可以被去除，而第二基体层103的下表面(-z方向)可以保留而不被去除。由于基底100的凹槽100GR，基底100在透射区域TA中的厚度可以减小，因此，透射区域TA中的透光率可以显著提高。根据实施例，缓冲层111可以包括与透射区域TA对应的缓冲孔111H。
在上述实施例中，为了提高透射区域TA的透光率，基底100可以包括凹槽100GR，或者缓冲层111、无机绝缘层IIL、平坦化层117和像素限定层119可以分别包括缓冲孔111H和第一孔H1至第三孔H3，缓冲孔111H和第一孔H1至第三孔H3均与透射区域TA对应。然而，实施例不限于此。
因为显示面板10的基底100、缓冲层111、无机绝缘层IIL、平坦化层117和像素限定层119可以包括具有高透光率的材料，所以根据布置或设置在组件区域CA下方的图2的组件40的类型，可以不包括缓冲孔111H和第一孔H1至第三孔H3。
图27A至图27D是根据各种实施例的显示面板10的相应部分的示意性剖视图。详细地，图27A至图27D示出了根据各种实施例的显示面板10的组件区域CA的相应部分。
参照图27A，无机绝缘层IIL可以连续延伸以与透射区域TA对应。可选择地，无机绝缘层IIL中的第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115中的至少一个可以连续延伸以与透射区域TA对应。平坦化层117和像素限定层119可以分别包括使无机绝缘层IIL的上表面暴露的第二孔H2和第三孔H3，以与透射区域TA对应。
参照图27B，无机绝缘层IIL和平坦化层117可以连续延伸以与透射区域TA对应，并且像素限定层119可以包括使无机绝缘层IIL的上表面暴露的第三孔H3以与透射区域TA对应。尽管图27B中未示出，但是像素限定层119也可以连续地延伸以与透射区域TA对应。
参照图27C，对电极123可以连续地延伸以与透射区域TA对应。因为对电极123可以包括具有高透光率的材料，所以即使在对电极123不包括与透射区域TA对应的透射孔的情况下，透射区域TA也可以具有特定或预定的透光率。
参照图27D，无机绝缘层IIL可以包括与透射区域TA对应的第一孔H1，并且第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以填充第一孔H1。根据实施例，第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以包括具有与基底100和缓冲层111的折射率相似的折射率的透明有机材料。例如，第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以包括具有高透光率的硅氧烷类有机材料。硅氧烷类有机材料的示例可以包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷。
由于可以具有与基底100和缓冲层111的折射率相似的折射率的平坦化层117布置或设置为与透射区域TA对应，因此可以使由于折射率之间的差异而导致的透射区域TA的透光率的损失最小化。
图28是根据实施例的显示面板的一部分或区域的示意性剖视图。图24和图28中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
参照图28，辅助子像素Pa的尺寸可以大于与辅助子像素Pa表现相同颜色的主子像素Pm的尺寸。换言之，像素限定层119的限定辅助子像素Pa的尺寸的第二开口OP2可以大于像素限定层119的限定主子像素Pm的尺寸的第一开口OP1。
因为组件区域CA可以包括透射区域TA，所以在辅助子像素Pa具有与主子像素Pm的尺寸相同的尺寸并且相同的电流施加到实现主子像素Pm和辅助子像素Pa的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的情况下，整体来看，组件区域CA的亮度可能会降低。在更多电流施加到布置或设置在组件区域CA中的辅助有机发光二极管OLED'以补偿组件区域CA的亮度的情况下，辅助有机发光二极管OLED'可能会容易劣化。
根据实施例，组件区域CA中的辅助子像素Pa具有比与辅助子像素Pa表现相同颜色的主子像素Pm的尺寸大的尺寸，从而防止辅助有机发光二极管OLED'的劣化并且还补偿组件区域CA的亮度。为此，组件区域CA可以采用其中可以包括具有大尺寸的辅助子像素Pa的像素布置结构。
图29A和图29B是示出根据实施例的组件区域CA中的像素布置结构的示意性布局图。
参照图29A，布置或设置在组件区域CA中的辅助子像素Pa可以包括由具有不同透光率的显示元件实现的第一辅助子像素Pa1和第二辅助子像素Pa2。例如，用于实现第一辅助子像素Pa1的显示元件的像素电极可以包括反射层，并且用于实现第二辅助子像素Pa2的显示元件的像素电极可以作为透明电极被包括。因此，其中可以布置或设置包括第二辅助子像素Pa2的第二像素组PG2的区域可以是可以透射一部分光的半透射区域STA。换言之，半透射区域STA可以被定义为具有比其中可以布置或设置包括第一辅助子像素Pa1的第一像素组PG1的区域的透光率高的透光率并且具有比其中没有布置或设置辅助子像素的透射区域TA的透光率低的透光率的区域。由于布置或设置了第二像素组PG2，所以可以确保组件区域CA的透光率，并且还可以提高分辨率。
在图29A中，透射区域TA可以布置或设置在组件区域CA中。然而，在可以布置或设置半透射区域STA的情况下，如图29B中所示，可以不包括透射区域TA。布置或设置在半透射区域STA中的第二辅助子像素Pa2的形状和像素布置结构可以变化。例如，第一辅助子像素Pa1可以以pentile结构布置或设置，并且第二辅助子像素Pa2可以以条结构布置或设置。
参照图29B，布置或设置在组件区域CA中的辅助子像素Pa可以包括可以由具有不同透光率的显示元件实现的第一辅助子像素Pa1和第二辅助子像素Pa2。例如，用于实现第一辅助子像素Pa1的显示元件的像素电极可以包括反射层，并且用于实现第二辅助子像素Pa2的显示元件的像素电极可以作为透明电极被包括。在这种情况下，第一辅助子像素Pa1的尺寸W_Pa1可以小于与第一辅助子像素Pa1表现相同颜色的第二辅助子像素Pa2的尺寸W_Pa2。在相同的条件下，因为第二辅助子像素Pa2的亮度可以小于第一辅助子像素Pa1的亮度，所以可以通过减小第一辅助子像素Pa1的尺寸来均衡亮度。图29B可以包括第一像素组PG1、第二像素组PG2和第三像素组PG3。
图30是根据实施例的组件区域CA的示意性剖视图，并且与沿图29A的线II-II’截取的示意性剖视图对应。图17和图30中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
参照图30，第一辅助子像素Pa1和第二辅助子像素Pa2可以布置或设置在组件区域CA中。第一辅助子像素Pa1可以与第一有机发光二极管OLED1的发光区域对应，并且第二辅助子像素Pa2可以与第二有机发光二极管OLED2的发光区域对应。
第一有机发光二极管OLED1可以包括顺序地堆叠的第一像素电极1211、第一功能层122a、第一发射层1221b'、第二功能层122c和对电极123。第二有机发光二极管OLED2可以包括顺序地堆叠的第二像素电极1212、第一功能层122a、第二发射层1222b'、第二功能层122c和对电极123。
第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极1211可以包括反射层1211b。因为第一像素电极1211可以包括反射层1211b，所以由第一发射层1221b'产生的光可以被反射层1211b反射并在基底100的向上方向(+z方向)上发射。换言之，在基底100的向上方向上的发射光的效率可以提高。根据实施例，第一像素电极1211可以包括顺序地堆叠的第一透明电极层1211a、反射层1211b和第二透明电极层1211c。
第一透明电极层1211a和第二透明电极层1211c可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
反射层1211b可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或这些材料的复合物。
第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极1212可以不包括反射层，并且可以包括透明导电材料。第二像素电极1212可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
因为第二像素电极1212可以不包括反射层并且可以包括透明导电材料，所以外部光可以至少部分地通过第二像素电极1212透射。换言之，由组件40发射的光/信号或入射到组件40上的光/信号可以穿过第二有机发光二极管OLED2。其中可以布置或设置第二有机发光二极管OLED2的区域可以被称为半透射区域STA。半透射区域STA可以是包括可以透射光的显示元件的区域，并且可以具有比透射区域TA的透光率小的透光率。
因为第二有机发光二极管OLED2的第二像素电极1212可以不包括反射层，所以由第二发射层1222b'产生的光可以发射到基底100的上侧和下侧。因此，第二有机发光二极管OLED2在基底100的向上方向上的发光率可以小于第一有机发光二极管OLED1在基底100的向上方向上的发光率。换言之，在相同条件下，第二辅助子像素Pa2的亮度可以小于第一辅助子像素Pa1的亮度。
可以在形成第一像素电极1211的第一透明电极层1211a的情况下同时形成第二像素电极1212。可选择地，当可以形成第一像素电极1211的第一透明电极层1211a时，可以形成第二像素电极1212的一部分，并且当可以形成第一像素电极1211的第二透明电极层1211c时，可以形成第二像素电极1212的其余部分。因此，第二像素电极1212的厚度t2可以小于第一像素电极1211的厚度t1。
第一有机发光二极管OLED1的第一发射层1221b'可以与第二有机发光二极管OLED2的第二发射层1222b'发射相同颜色的光。可选择地，第一有机发光二极管OLED1的第一发射层1221b'可以与第二有机发光二极管OLED2的第二发射层1222b'发射不同颜色的光。
第一有机发光二极管OLED1可以由第一像素电路PC1驱动，并且第二有机发光二极管OLED2可以由第二像素电路PC2驱动。根据实施例，第二像素电路PC2可以布置或设置为与第二像素电极1212最少地叠置。底部金属层BML可以布置或设置为与第一像素电路PC1和第二像素电路PC2叠置。底部金属层BML可以包括与半透射区域STA对应的底部孔BMLH2。
图31是根据实施例的显示面板10的组件区域CA的示意性平面图。图17和图31中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
参照图31，布置或设置在组件区域CA中的一个有机发光二极管OLED可以具有两个发光区域，并且两个发光区域可以分别与第一辅助子像素Pa1和第二辅助子像素Pa2对应。
根据实施例，有机发光二极管OLED的像素电极121可以包括具有反射层1211b的第一像素电极单元1211P以及包括透明导电材料的第二像素电极单元1212P。像素限定层119可以包括使第一像素电极单元1211P暴露的第一开口OP1以及使第二像素电极单元1212P暴露的第二开口OP2，从而限定两个发光区域。
第一发射层1221b'可以布置或设置在第一开口OP1内，并且第二发射层1222b'可以布置或设置在第二开口OP2内。第一发射层1221b'可以与第二发射层1222b'发射相同颜色的光。可选择地，第一发射层1221b'可以与第二发射层1222b'发射不同颜色的光。
第一像素电极单元1211P可以包括顺序地堆叠的第一透明电极层1211a、反射层1211b和第二透明电极层1211c。第二像素电极单元1212P可以是第一像素电极单元1211P的第一透明电极层1211a的延伸部。第二像素电极单元1212P可以仅包括第一透明电极层1211a，或者可以是第一透明电极层1211a和第二透明电极层1211c的堆叠体。
因为第二像素电极单元1212P可以不包括反射层并且可以包括透明导电材料，所以外部光可以透射到有机发光二极管OLED的部分区域。有机发光二极管OLED的第二像素电极单元1212P可以布置或设置在半透射区域STA中。底部金属层BML可以包括与半透射区域STA对应的底部孔BMLH2。
因为有机发光二极管OLED的第二像素电极单元1212P可以不包括反射层，所以在相同条件下，第二辅助子像素Pa2的亮度可以小于第一辅助子像素Pa1的亮度。第二像素电极单元1212P的厚度t2可以小于第一像素电极单元1211P的厚度t1。因为第一辅助子像素Pa1和第二辅助子像素Pa2由单个有机发光二极管OLED实现，所以第一辅助子像素Pa1和第二辅助子像素Pa2可以由单个像素电路PC同时驱动。
图32是根据实施例的显示面板10以及布置或设置在显示面板10下方的组件的平面图。
参照图32，组件区域CA可以包括在显示区域DA中。每个组件区域CA可以是基本上圆形的，并且可以布置或设置在主显示区域MDA内部，因此可以被主显示区域MDA围绕或与主显示区域MDA相邻。
组件区域CA可以彼此间隔开。例如，组件区域CA可以包括布置或设置在显示面板10的上部的中心中的第一组件区域CA1、布置或设置在显示面板10的左下部中的第二组件区域CA2以及布置或设置在显示面板10的右下部中的第三组件区域CA3。第一组件41、第二组件42和第三组件43可以布置或设置在显示面板10下方，以分别与第一组件区域CA1、第二组件区域CA2和第三组件区域CA3对应。第一组件41、第二组件42和第三组件43可以是拍摄图像的相机。在这种情况下，因为可以以各种角度拍摄图像，所以可以基于由第一组件41、第二组件42和第三组件43拍摄的图像来实现图像补偿。
在包括组件区域CA的情况下，组件区域CA的相应像素布置结构和相应分辨率可以彼此不同。例如，第一组件区域CA1至第三组件区域CA3可以采用以上参照图13A至图14F、图29A和图29B描述的像素布置结构之中的不同像素布置结构。可选择地，第一组件区域CA1至第三组件区域CA3可以基于相同的像素布置结构，但是可以包括不同的分辨率。例如，第一组件区域CA1至第三组件区域CA3的相应基本单元可以包括布置或设置在其中的不同数量的辅助子像素。
图33A和图33B是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图。因为这些平面图示出了显示面板的仅一部分，所以可以省略更多的子像素。因为这些平面图示出了布线以便于描述，所以也可以省略更多的布线。这些平面图中的每个示出了组件区域CA和主显示区域MDA以及定位或设置在组件区域CA外部或者与组件区域CA相邻的外围区域DPA。
图33A和图33B的组件区域CA可以是可以从显示区域DA的一侧插入显示区域DA的中心的凹口型组件区域。然而，实施例也可以适用于组件区域CA可以是条型组件区域的情况。换言之，组件区域CA的上侧可以接触外围区域DPA，并且其下侧可以接触主显示区域MDA。尽管在图33A和图33B中主子像素Pm和辅助子像素Pa可以以pentile结构布置或设置，但实施例可以采用上述各种像素布置结构中的任何像素布置结构。
参照图33A，扫描线SL可以均在x方向上延伸，并且可以将扫描信号传输到主子像素Pm的像素电路和辅助子像素Pa的像素电路。数据线DL可以均在y方向上延伸，并且可以将数据信号传输到主子像素Pm的像素电路和辅助子像素Pa的像素电路。
扫描线SL可以包括第一扫描线SL1和第二扫描线SL2。第一扫描线SL1可以均在x方向上延伸，因此可以将在主显示区域MDA内布置或设置在同一行上的主子像素Pm的像素电路彼此电连接，但是可以不电连接到辅助子像素Pa的像素电路，并且可以均在组件区域CA的透射区域TA之上延伸。第二扫描线SL2可以均在x方向上延伸，因此可以将在主显示区域MDA和组件区域CA内布置或设置在同一行上的主子像素Pm的像素电路和辅助子像素Pa的像素电路彼此电连接。
数据线DL可以包括第一数据线DL1和第二数据线DL2。第一数据线DL1可以均在近似y方向上延伸，因此可以将在主显示区域MDA内布置或设置在同一列上的主子像素Pm的像素电路彼此电连接，并且可以均在组件区域CA的透射区域TA之上延伸到外围区域DPA。每条第一数据线DL1的端部DL1_E可以定位或设置在组件区域CA的上边缘上或外围区域DPA中。
第二数据线DL2可以均在y方向上延伸，因此可以将在主显示区域MDA和组件区域CA内布置或设置在同一列上的主子像素Pm的像素电路和辅助子像素Pa的像素电路彼此电连接。数据线DL可以布置或设置在与其上可以布置或设置扫描线SL的层不同的层上。根据实施例，扫描线SL可以布置或设置在其上可以布置或设置图25的第一布线WL1或第二布线WL2的同一层上，并且数据线DL可以布置或设置在其上可以布置或设置图25的第三布线WL3或第四布线WL4的同一层上。
根据实施例，第二数据线DL2的相应端部DL2_E可以与第一数据线DL1的相应端部DL1_E处于同一水平。例如，第二数据线DL2的相应端部DL2_E可以定位或设置在组件区域CA的上边缘上或外围区域DPA中，以包括每条第二数据线DL2的可以与每条第一数据线DL1的电负载相同水平的电负载。
根据实施例，至少一些或预定数量的扫描线SL和数据线DL可以均在透射区域TA之上延伸。根据实施例，扫描线SL和数据线DL可以包括透明导电材料。例如，扫描线SL和数据线DL可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。因为布置或设置在透射区域TA中的布线可以包括透明导电材料，所以透射区域TA的透光率可以保持为高的。
根据实施例，至少一些或预定数量的扫描线SL和数据线DL可以均在透射区域TA之上延伸，但是可以包括不透明金属。根据将要布置或设置为与组件区域CA对应的组件的类型，可以通过考虑透射率来适当地选择包括在至少一些或预定数量的扫描线SL和数据线DL中的材料。
在图33A中，扫描线SL和数据线DL可以均在主显示区域MDA和组件区域CA上连续地延伸。然而，如图33B中所示，扫描线SL和数据线DL可以经由一些或预定数量的区域中的接触孔CNTB1和CNTB2电连接到布置或设置在与扫描线SL和数据线DL不同的层上的扫描桥接线SBL和数据桥接线DBL。
图34是根据实施例的显示面板10的示意性剖视图，并且示出了布置或设置在透射区域中的布线。详细地，图34示出了在无机绝缘层IIL、平坦化层117和像素限定层119包括第一孔H1至第三孔H3以与透射区域TA对应的情况下，布置或设置在透射区域TA中的透明布线的位置。
显示面板10的基底100可以包括顺序地堆叠的第一基体层101、第一无机阻挡层102、第二基体层103和第二无机阻挡层104。
第一透明布线TTL1可以位于基底100的下表面上。无机保护层PVX可以位于基底100的整个下表面上以覆盖第一透明布线TTL1或者与第一透明布线TTL1叠置。第二透明布线TTL2可以位于基底100的第一无机阻挡层102与第二基体层103之间。第三透明布线TTL3可以位于第二无机阻挡层104与缓冲层111之间。第四透明布线TTL4可以位于缓冲层111上。
第一透明布线TTL1至第四透明布线TTL4可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
第一透明布线TTL1至第四透明布线TTL4中的至少一条可以用作可以传输扫描信号的扫描线SL或扫描桥接线SBL，并且第一透明布线TTL1至第四透明布线TTL4中的另一条可以用作可以传输数据信号的数据线DL或数据桥接线DBL。在这种情况下，第一透明布线TTL1至第四透明布线TTL4可以经由接触孔电连接到第一布线WL1至第四布线WL4。
根据实施例，可以在形成像素电极121'的同时形成第四透明布线TTL4。像素电极121'可以是透明导电氧化物和反射层的堆叠体。例如，像素电极121'可以是ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
因此，可以在基底100的整个表面上形成ITO/Ag/ITO以形成像素电极121'和第四透明布线TTL4，并且可以经由使用半色调掩模或狭缝掩模的工艺来形成ITO/Ag/ITO的像素电极121'和ITO的第四透明布线TTL4。
图35是根据实施例的显示面板的示意性剖视图，并且示出了沿图33B的线III-III'和线IV-IV'截取的示意性剖视图。详细地，图35示出了其中扫描线SL和数据线DL可以电连接到被实现为透明布线的桥接线的结构。
参照图35，扫描线SL可以在透射区域TA周围设置在第一栅极绝缘层112上，第一栅极绝缘层112可以是其上可以布置或设置图34的第一布线WL1的同一层，并且扫描桥接线SBL可以设置在基底100的下表面上，扫描桥接线SBL可以设置在其上可以布置或设置第一透明布线TTL1的同一层上，以与透射区域TA对应。扫描线SL可以经由穿透第一栅极绝缘层112、缓冲层111和基底100的接触孔CNTB1电连接到扫描桥接线SBL。
数据线DL可以在透射区域TA周围设置在层间绝缘层115上，层间绝缘层115可以是其上可以布置或设置图34的第三布线WL3的同一层，并且数据桥接线DBL可以位于其上可以布置或设置第四透明布线TTL4的同一层上，以与透射区域TA对应。数据线DL可以在透射区域TA周围经由穿透平坦化层117的接触孔CNTB2电连接到数据桥接线DBL。数据桥接线DBL可以位于缓冲层111的由无机绝缘层IIL的第一孔H1和平坦化层117的第二孔H2限定的部分上，并且数据桥接线DBL可以位于无机绝缘层IIL的第一孔H1和平坦化层117的第二孔H2的相应内侧壁上。
尽管图35示出了扫描桥接线SBL可以设置在其上可以布置或设置第一透明布线TTL1的同一层上，并且数据桥接线DBL可以设置在其上可以布置或设置第四透明布线TTL4的同一层上，但是实施例不限于此。例如，扫描桥接线SBL可以设置在其上可以布置或设置图34的第二透明布线TTL2至第四透明布线TTL4中的一个的同一层上，并且数据桥接线DBL可以设置在其上可以布置或设置图34的第一透明布线TTL1至第三透明布线TTL3中的一个的同一层上。
图36A和图36B是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图。图36A和图36B中与图33A中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
参照图36A，布置或设置在组件区域CA中的扫描线SL和数据线DL可以不位于透射区域TA的中心处，而是可以在透射区域TA的一侧上偏置，以提高组件区域CA中的透光率。为此，可以适当地弯曲布置或设置在组件区域CA中的扫描线SL和数据线DL。因此，在间隔开的像素组PG之间穿过的扫描线SL之间的间隔可以小于穿过包括在像素组PG中的子像素的扫描线SL之间的间隔。在间隔开的像素组PG之间穿过的数据线DL之间的间隔可以小于穿过包括在像素组PG中的子像素的数据线DL之间的间隔。
根据实施例，布置或设置在间隔开的像素组PG之间的第一数据线DL1可以在左侧上偏置，并且布置或设置在间隔开的像素组PG之间的第二数据线DL2可以在右侧上偏置。根据实施例，布置或设置在间隔开的像素组PG之间的第一扫描线SL1可以在下侧上偏置，并且布置或设置在间隔开的像素组PG之间的第二扫描线SL2可以在上侧上偏置。
根据该布线布置结构，透射区域TA的透光率和整个组件区域CA的透光率可以提高。因为光的衍射可能会随着布置或设置在组件区域CA中的布线之间的间隔的减小而发生，所以底部金属层BML可以如图36B中所示布置或设置为与布置或设置在组件区域CA中的布线叠置。根据实施例，底部金属层BML可以布置或设置为与整个组件区域CA对应，并且可以包括与透射区域TA对应的底部孔BMLH。底部孔BMLH的形状可以如以上参照图16A至图16H所述的变化。
图37是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图。图38A和图38B是沿图37的线V-V'截取的示意性剖视图。图36A和图37中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
参照图37，每条第二数据线DL2可以从主显示区域MDA连续地延伸到组件区域CA，但是每条第一数据线DL1可以在组件区域CA的边缘上经由接触孔CNTB电连接到布置或设置在与其上可以布置或设置第一数据线DL1的层不同的层上的每条数据桥接线DBL。第二数据线DL2可以布置或设置在其上可以布置或设置第一数据线DL1的同一层上。
因为数据桥接线DBL可以布置或设置在与其上可以布置或设置第二数据线DL2的层不同的层上，所以数据桥接线DBL可以布置或设置为与第二数据线DL2相邻，或者可以与第二数据线DL2叠置。例如，如图38A中所示，数据桥接线DBL和第二数据线DL2可以在一个方向上彼此交替。可选择地，如图38B中所示，数据桥接线DBL可以至少与第二数据线DL2的部分叠置。
由于该结构，组件区域CA的由布线占据的面积可以减小，因此透射区域TA可以相对地扩大。因此，组件区域CA的透光率可以提高。
图39至图41是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图。因为这些平面图示出显示面板的一部分或区域，所以可以省略更多的子像素。因为这些平面图示出了描述所需的布线，所以也可以省略更多的布线。这些平面图示出了组件区域CA以及定位或设置在组件区域CA外部的主显示区域MDA。
图39至图41的组件区域CA可以布置或设置在显示区域DA内部，并且被主显示区域MDA围绕或者与主显示区域MDA相邻。换言之，组件区域CA的上侧和下侧可以接触主显示区域MDA。尽管在图39至图41中，辅助子像素Pa和主子像素Pm可以以pentile结构布置或设置，但是实施例可以采用上述各种像素布置结构中的任何像素布置结构。
参照图39，扫描线SL可以均在x方向上延伸，并且可以将扫描信号传输到主子像素Pm的像素电路和辅助子像素Pa的像素电路。数据线DL可以均在y方向上延伸，并且可以将数据信号传输到主子像素Pm的像素电路和辅助子像素Pa的像素电路。
扫描线SL可以包括第一扫描线SL1和第二扫描线SL2。第一扫描线SL1可以均在x方向上延伸，因此可以将在主显示区域MDA内布置或设置在同一行上的主子像素Pm的像素电路彼此电连接，但是可以不电连接到辅助子像素Pa的像素电路，并且可以均在透射区域TA之上延伸。第二扫描线SL2可以均在x方向上延伸，因此可以将在主显示区域MDA和组件区域CA内布置或设置在同一行上的主子像素Pm的像素电路和辅助子像素Pa的像素电路彼此电连接。
数据线DL可以包括第一数据线DL1和第二数据线DL2。第一数据线DL1均可以在近似y方向上延伸，因此在主显示区域MDA的存在于组件区域CA下方的部分内将布置或设置在同一列上的主子像素Pm的像素电路彼此电连接，并且均横穿组件区域CA的透射区域TA，并且在主显示区域MDA的存在于组件区域CA上方的部分内将布置或设置在同一列上的主子像素Pm的像素电路彼此电连接。第二数据线DL2可以均在y方向上延伸，因此可以将在主显示区域MDA和组件区域CA内布置或设置在同一列上的主子像素Pm的像素电路和辅助子像素Pa的像素电路彼此电连接。数据线DL可以布置或设置在与其上可以布置或设置扫描线SL的层不同的层上。
根据实施例，至少一些或预定数量的扫描线SL和数据线DL可以均在透射区域TA之上延伸。根据实施例，扫描线SL和数据线DL可以包括透明导电材料。例如，扫描线SL和数据线DL可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。因为横穿透射区域TA的布线包括透明导电材料，所以透射区域TA的透光率可以保持为高的。
根据实施例，至少一些或预定数量的扫描线SL和数据线DL可以均在透射区域TA之上延伸，但是可以包括不透明金属。根据将要布置或设置为与组件区域CA对应的组件的类型，可以通过考虑透射率来适当地选择包括在至少一些或预定数量的扫描线SL和数据线DL中的材料。
尽管在图39中扫描线SL和数据线DL可以均在主显示区域MDA和组件区域CA之上连续地延伸，但是扫描线SL和数据线DL可以在一些或预定区域中电连接到与扫描线SL和数据线DL布置或设置在不同层上的桥接线。
参照图40，布置或设置在组件区域CA中的扫描线SL和数据线DL可以不位于透射区域TA的中心处，而是可以在透射区域TA的一侧上偏置，以提高组件区域CA中的透光率。为此，可以适当地弯曲布置或设置在组件区域CA中的扫描线SL和数据线DL。因此，在间隔开的像素组PG之间穿过的扫描线SL之间的间隔可以小于穿过包括在像素组PG中的子像素的扫描线SL之间的间隔。在间隔开的像素组PG之间穿过的数据线DL之间的间隔可以小于穿过包括在像素组PG中的子像素的数据线DL之间的间隔。
根据实施例，布置或设置在间隔开的像素组PG之间的第一数据线DL1可以在左侧上偏置，并且布置或设置在间隔开的像素组PG之间的第二数据线DL2可以在右侧上偏置。根据实施例，布置或设置在间隔开的像素组PG之间的第一扫描线SL1可以在下侧上偏置，并且布置或设置在间隔开的像素组PG之间的第二扫描线SL2可以在上侧上偏置。
根据该布线布置结构，透射区域TA的透光率和整个组件区域CA的透光率可以提高。因为光的衍射可能会随着布置或设置在组件区域CA中的布线之间的间隔的减小而发生，所以底部金属层可以布置或设置为与布置或设置在组件区域CA中的布线叠置。
参照图41，每条第二数据线DL2可以从主显示区域MDA连续地延伸到组件区域CA，但是每条第一数据线DL1可以在组件区域CA的边缘上经由接触孔CNTB电连接到布置或设置在与其上可以布置或设置第一数据线DL1和第二数据线DL2的层不同的层上的每条数据桥接线DBL。
因为数据桥接线DBL可以布置或设置在与其上可以布置或设置第二数据线DL2的层不同的层上，所以数据桥接线DBL可以布置或设置为与第二数据线DL2相邻或者可以与第二数据线DL2叠置。由于该结构，组件区域CA的由布线占据的面积可以减小，因此透射区域TA可以相对地扩大。因此，组件区域CA的透光率可以提高。尽管附图中未示出，但是至少一些或预定数量的扫描线SL可以电连接到布置或设置在与其上可以布置或设置扫描线SL的层不同的层上的桥接线。
图42是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。图42与图10的不同之处可以在于主显示区域MDA和组件区域CA分别连接到第一显示驱动单元32a和第二显示驱动单元32b。
参照图42，构成显示面板10的各种组件可以布置或设置在基底100上。基底100可以包括显示区域DA和外围区域DPA，外围区域DPA围绕显示区域DA或者与显示区域DA相邻。显示区域DA可以包括其上可以显示一个主图像或多个主图像的主显示区域MDA以及可以包含透射区域TA并且其上可以显示一个辅助图像或多个辅助图像的组件区域CA。辅助图像可以与主图像一起形成单个整体图像，或者可以是独立于主图像的图像。
主子像素Pm可以布置或设置在主显示区域MDA中，并且辅助子像素Pa可以布置或设置在组件区域CA中。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路可以分别电连接到布置或设置在外围区域DPA中的外部电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、第一端子单元PAD1、第二端子单元PAD2、第一驱动电压供应线11a、第二驱动电压供应线11b、第一公共电压供应线13a和第二公共电压供应线13b可以布置或设置在外围区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2可以经由扫描线SL将扫描信号分别施加到驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路。
第一端子单元PAD1可以布置或设置在基底100的一侧上。第一端子单元PAD1可以暴露，而不被绝缘层覆盖或者与绝缘层叠置，并且可以电连接到第一显示电路板30a。第一显示驱动单元32a可以位于第一显示电路板30a上。根据实施例，第一显示驱动单元32a可以设置在显示面板10的外围区域DPA中。第一显示驱动单元32a可以产生可以传输到可以驱动布置或设置在主显示区域MDA中的主子像素Pm的像素电路的数据信号、第一驱动电压、第一公共电压等。
第一显示驱动单元32a可以产生传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。第一显示驱动单元32a可以将第一驱动电压供应到第一驱动电压供应线11a，并且可以将第一公共电压供应到第一公共电压供应线13a。第一驱动电压可以经由电连接到第一驱动电压供应线11a的驱动电压线PL施加到主子像素Pm的像素电路，并且第一公共电压可以电连接到第一公共电压供应线13a，并且可以施加到主子像素Pm的显示元件的对电极。第一显示驱动单元32a可以产生数据信号，并且所产生的数据信号可以经由第一扇出布线FW1和电连接到第一扇出布线FW1的数据线DL传输到主子像素Pm的像素电路。
第二端子单元PAD2可以布置或设置在基底100的另一侧上。第二端子单元PAD2可以暴露，而不被绝缘层覆盖或者与绝缘层叠置，并且可以电连接到第二显示电路板30b。第二显示驱动单元32b可以位于第二显示电路板30b上。根据实施例，第二显示驱动单元32b可以位于显示面板10的外围区域DPA中。第二显示驱动单元32b可以产生可以传输到可以驱动布置或设置在组件区域CA中的辅助子像素Pa的像素电路的数据信号、第二驱动电压和第二公共电压中的至少一种。
第二显示驱动单元32b可以将第二驱动电压供应到第二驱动电压供应线11b，并且可以将第二公共电压供应到第二公共电压供应线13b。第二驱动电压可以经由电连接到第二驱动电压供应线11b的驱动电压线PL施加到辅助子像素Pa的像素电路，并且第二公共电压可以电连接到第二公共电压供应线13b，并且可以施加到辅助子像素Pa的显示元件的对电极。第二显示驱动单元32b可以产生数据信号，并且所产生的数据信号可以经由第二扇出布线FW2和电连接到第二扇出布线FW2的数据线DL传输到辅助子像素Pa的像素电路。
根据实施例，通过第二显示驱动单元32b提供的第二驱动电压可以与通过第一显示驱动单元32a提供的第一驱动电压不同，并且通过第二显示驱动单元32b提供的第二公共电压可以与通过第一显示驱动单元32a提供的第一公共电压不同。
因为组件区域CA的每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于主显示区域MDA的每单位面积的主子像素Pm的数量，所以当相同的驱动电压和相同的公共电压可以施加到主显示区域MDA和组件区域CA时，组件区域CA的亮度可能会小。根据实施例，可以单独采用驱动组件区域CA的第二显示驱动单元32b，因此可以控制组件区域CA的亮度。
根据实施例，由于采用驱动组件区域CA的第二显示驱动单元32b，在驱动位于驱动组件区域CA下方的图2的组件40的同时，可以不驱动组件区域CA的辅助子像素Pa，因此可以减少由驱动辅助子像素Pa引起的噪声。
在图42中，可以包括第二显示电路板30b。然而，根据实施例，可以不包括第二显示电路板30b。在这种情况下，也可以不包括第二端子单元PAD2。第二显示驱动单元32b可以布置或设置在显示面板10的外围区域DPA中，或者可以布置或设置在第一显示电路板30a上。以这种方式，可以进行各种修改。
图43是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图。图43主要描述了在可以单独驱动组件区域CA的情况下，布置或设置在组件区域CA和组件区域CA周围的主显示区域MDA中的主数据线DLm和辅助数据线DLa。
图43的组件区域CA可以是条型的。换言之，组件区域CA的上侧可以接触外围区域DPA，并且其下侧可以接触主显示区域MDA。
参照图43，主数据线DLm可以在主显示区域MDA内均在+y方向上延伸，并且可以电连接到主子像素Pm的像素电路。主数据线DLm可以将由图42的第一显示驱动单元32a产生的第一数据信号传输到主子像素Pm的像素电路。主数据线DLm可以在主显示区域MDA内布置或设置为近似直线。
辅助数据线DLa可以在组件区域CA内均在-y方向上延伸，并且可以电连接到辅助子像素Pa的像素电路。辅助数据线DLa可以将由图42的第二显示驱动单元32b产生的第二数据信号传输到辅助子像素Pa的像素电路。辅助数据线DLa可以布置或设置为在横穿透射区域TA的情况下在一侧上偏置，以提高透射区域TA的透射率。因此，辅助数据线DLa可以适当地弯曲。
根据实施例，因为主子像素Pm和辅助子像素Pa由单独的显示驱动单元驱动，所以主数据线DLm和辅助数据线DLa彼此可以不连接。换言之，主数据线DLm的相应端部DLm_E可以面对辅助数据线DLa的相应端部DLa_E并且可以与其间隔开。
尽管图43中未示出，但传输驱动电压的驱动电压线也可以像主数据线DLm和辅助数据线DLa一样单独地包括在组件区域CA和主显示区域MDA中，并且可以具有与主数据线DLm和辅助数据线DLa类似的方面。
图44是示出根据实施例的显示面板的子像素与布线之间的布置关系的示意性平面图。图44主要描述了在可以单独驱动组件区域CA的情况下，布置或设置在组件区域CA和组件区域CA周围的主显示区域MDA中的数据线。图44的组件区域CA可以被主显示区域MDA围绕或者与主显示区域MDA相邻。换言之，组件区域CA的上侧和下侧两者可以接触主显示区域MDA。
参照图44，第一主数据线DLm1和第二主数据线DLm2可以布置或设置在主显示区域MDA中。第一主数据线DLm1和第二主数据线DLm2可以将由图42的第一显示驱动单元32a产生的第一数据信号传输到主子像素Pm的像素电路。
第一主数据线DLm1可以在组件区域CA周围不连续，并且可以经由接触孔CNTB电连接到与第一主数据线DLm1布置或设置在不同的层上的数据桥接线DBL。第二主数据线DLm2可以横穿组件区域CA的透射区域TA，并且可以电连接到布置或设置在组件区域CA上方和下方的主子像素Pm的像素电路。第二主数据线DLm2可以设置在其上可以布置或设置第一主数据线DLm1的同一层上。例如，第二主数据线DLm2和第一主数据线DLm1可以位于层间绝缘层115上，层间绝缘层115可以是其上可以布置或设置图25的第三布线WL3的同一层。数据桥接线DBL可以设置在第一平坦化层117a上，第一平坦化层117a可以是其上可以布置或设置图25的第四布线WL4的同一层。
数据桥接线DBL和第二主数据线DLm2可以在每个像素组PG的一侧上适当地弯曲和偏置，以确保透射区域TA的透射率。因为数据桥接线DBL和第二主数据线DLm2位于不同的层上，所以数据桥接线DBL和第二主数据线DLm2可以在横穿组件区域CA的情况下彼此相邻或彼此至少部分地叠置。因此，透射区域TA的透射率可以提高。
辅助数据线DLa可以在组件区域CA内均在-y方向上延伸，并且可以电连接到辅助子像素Pa的像素电路。辅助数据线DLa可以将由图42的第二显示驱动单元32b产生的第二数据信号传输到辅助子像素Pa的像素电路。辅助数据线DLa可以布置或设置为在横穿透射区域TA的情况下在一侧上偏置，以提高透射区域TA的透射率。因此，辅助数据线DLa可以适当地弯曲。
根据实施例，辅助数据线DLa可以设置在其上可以布置或设置第一主数据线DLm1和第二主数据线DLm2的同一层上。然而，实施例不限于此。例如，辅助数据线DLa可以设置在其上可以布置或设置数据桥接线DBL的同一层上。
辅助数据线DLa可以布置或设置在主显示区域MDA的定位或设置在组件区域CA上方的部分中，但是辅助数据线DLa可以不电连接到主子像素Pm的像素电路。辅助数据线DLa的相应端部可以位于组件区域CA内。辅助数据线DLa的相应端部可以面对第一主数据线DLm1的相应端部，并且可以彼此间隔开。
图45是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。图45主要描述了布置或设置在显示面板10上的负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC。
参照图45，显示面板10可以包括显示区域DA和外围区域DPA，显示区域DA包括主显示区域MDA和组件区域CA，外围区域DPA位于显示区域DA外部或与显示区域DA相邻。负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以在组件区域CA附近布置或设置在外围区域DPA中。尽管图45的组件区域CA可以是凹口型，但是组件区域CA的形状不限于此。
负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以在组件区域CA附近布置或设置外围区域DPA中，并且可以经由第一负载连接线LW1电连接到布置或设置在主显示区域MDA中的主子像素Pm的像素电路。例如，第一负载连接线LW1可以经由接触孔CNTL1电连接到横穿主子像素Pm的扫描线SL。根据实施例，第一负载连接线LW1可以包括与包括在图17的底部金属层BML中的材料相同或相似的材料，并且可以布置或设置在其上可以布置或设置图17的底部金属层BML的同一层上。因为扫描线SL的横穿组件区域CA的部分可以电连接到辅助子像素Pa的像素电路，所以第一负载连接线LW1可以是布置或设置在与其上可以布置或设置扫描线SL的层不同的层上的导电层。
因为组件区域CA的每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于主显示区域MDA的每单位面积的主子像素Pm的数量，所以施加到横穿组件区域CA的扫描线SL的负载可能会不同于施加到仅横穿主显示区域MDA的扫描线SL的负载。因此，可能会在显示区域DA中会发生亮度不均匀。根据实施例，采用负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以使整个显示区域DA的电负载均匀，从而确保亮度均匀。
可以包括负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC，并且负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以经由第二负载连接线LW2彼此电连接。由于负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC彼此电连接，因此等电位区可以扩大，从而防止显示区域DA被静电损坏。
在图45中，负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以布置或设置在显示面板10的外围区域DPA中。然而，根据实施例，负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以提供或设置在单独的虚设面板上，并且可以电连接到显示面板10。其中布置或设置有负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC的外围区域DPA可以弯曲。
图46是根据实施例的显示面板的负载匹配单元LM的示意性平面图，图47是沿图46的线VI-VI'截取的示意性剖视图。
参照图46和图47，负载匹配单元LM可以包括第一负载导电层LCL1、布置或设置在第一负载导电层LCL1上方的第二负载导电层LCL2以及布置或设置在第二负载导电层LCL2上方的第三负载导电层LCL3。第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以设置在第一负载导电层LCL1至第三负载导电层LCL3之间。
根据实施例，第一负载导电层LCL1可以包括与图17的半导体层A1中包括的材料相同或相似的材料，并且可以布置或设置在其上可以布置或设置图17的半导体层A1的同一层上。第二负载导电层LCL2可以包括与图17的栅电极G1中包括的材料相同或相似的材料，并且可以布置或设置在其上可以布置或设置图17的栅电极G1的同一层上。第三负载导电层LCL3可以包括与图17的源电极S1或漏电极D1中包括的材料相同或相似的材料，并且可以布置或设置在其上可以布置或设置图17的源电极S1或漏电极D1的同一层上。
第一负载导电层LCL1可以经由接触孔CNTL2电连接到第三负载导电层LCL3。第二负载导电层LCL2可以经由接触孔CNTL1电连接到第一负载连接线LW1。第三负载导电层LCL3可以电连接到驱动电压线并接收静态电压。由于第一负载导电层LCL1至第三负载导电层LCL3的布置，负载匹配单元LM可以形成诸如电容器的电负载。
根据实施例，第一负载导电层LCL1至第三负载导电层LCL3可以均被图案化并且在x方向或y方向上延伸。换言之，第一负载导电层LCL1至第三负载导电层LCL3可以是彼此间隔开并且均在一个方向上延伸的导电线。
参照图46，第一负载导电层LCL1可以在+y方向上延伸，并且第二负载导电层LCL2可以在+x方向上延伸。第一负载导电层LCL1和第二负载导电层LCL2可以彼此相交为网格形状。
第三负载导电层LCL3可以位于第二负载导电层LCL2上。如图47中所示，第三负载导电层LCL3可以像第一负载导电层LCL1一样在+y方向上延伸，并且可以与第一负载导电层LCL1叠置。根据实施例，第三负载导电层LCL3可以像第一负载导电层LCL1一样在一个方向上被图案化。在图46中，与第一负载导电层LCL1一样，第三负载导电层LCL3在+y方向上被图案化。然而，根据其它实施例，第三负载导电层LCL3可以在+x方向上被图案化。
根据实施例，负载匹配单元LM可以不包括第一负载导电层LCL1。根据实施例，负载匹配单元LM的第三负载导电层LCL3可以不被图案化，并且可以一体地提供或设置在负载匹配单元LM的整个区域之上。
图48是根据实施例的显示面板10的一部分或区域的示意性剖视图。图48主要描述了布置或设置在显示面板10的外围区域DPA中的虚设像素电路DPC。
参照图48，主像素电路PC和作为显示元件的主有机发光二极管OLED可以布置或设置在显示面板10的主显示区域MDA中。虚设像素电路DPC可以布置或设置在显示面板10的外围区域DPA中。虚设像素电路DPC可以是类似于图45的负载匹配单元LM的调节电负载的组件，并且可以不连接到显示元件。
虚设像素电路DPC可以包括虚设薄膜晶体管TFTd和虚设存储电容器Cstd。虚设薄膜晶体管TFTd可以包括虚设半导体层Ad、虚设栅电极Gd、虚设源电极Sd和虚设漏电极Dd。虚设存储电容器Cstd可以包括虚设下电极Cstd1和虚设上电极Cstd2。
虚设像素电路DPC可以包括薄膜晶体管。根据实施例，虚设像素电路DPC可以具有与主像素电路PC相同或相似的结构。
虚设像素电路DPC可以电连接到布置或设置在主显示区域MDA中的扫描线、数据线和驱动电压线。例如，虚设薄膜晶体管TFTd的虚设栅电极Gd可以电连接到布置或设置在主显示区域MDA中的扫描线。
有机功能层122e、对电极123和上层150可以布置或设置在虚设像素电路DPC上方。因为有机功能层122e、对电极123和上层150可以通过使用开口掩模均在整个显示面板10之上延伸，所以在工艺方面，将有机功能层122e、对电极123和上层150布置为与虚设像素电路DPC对应可以是有利的。
图49是根据实施例的显示面板10的示意性剖视图。图49主要描述了布置或设置为封装构件ENCM的薄膜封装层TFEL可以应用于图26的实施例的情况。
参照图49，薄膜封装层TFEL可以作为封装构件ENCM布置或设置在显示面板10的显示元件层EDL上方。换言之，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以通过薄膜封装层TFEL密封。薄膜封装层TFEL可以定位或设置在上层150上。薄膜封装层TFEL可以防止外部湿气或异物渗入主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'中。
薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于此，图49示出了薄膜封装层TFEL可以是第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133的堆叠体。根据实施例，可以修改有机封装层的数量、无机封装层的数量以及有机封装层和无机封装层堆叠的顺序。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可以包括至少一种无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)，并且可以通过化学气相沉积(CVD)形成。有机封装层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以均一体地设置为覆盖主显示区域MDA和组件区域CA或者与主显示区域MDA和组件区域CA叠置。因此，第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以布置或设置在透射孔TAH内。
如图49中所示，在基底100可以包括凹槽100GR以与透射区域TA对应的情况下，第一无机封装层131可以设置在基底100的凹槽100GR内。第一无机封装层131可以直接接触基底100的第一无机阻挡层102的上表面102S。
根据实施例，有机封装层132可以一体地设置为覆盖主显示区域MDA和组件区域CA或者与主显示区域MDA和组件区域CA叠置，但是可以不存在于透射区域TA中。换言之，有机封装层132可以包括与透射区域TA对应的开口。在这种情况下，第一无机封装层131和第二无机封装层133可以在透射孔TAH内彼此接触。
图50是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性剖视图。图50主要描述了可以将封装基底ENS作为封装构件ENCM应用于图25的实施例的情况。
参照图50，封装基底ENS可以作为封装构件ENCM布置或设置在显示面板10的显示元件层EDL上方。主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以由封装基底ENS密封。基底100和封装基底ENS可以通过外围区域中的玻璃料或密封剂彼此结合。
基底100可以包括玻璃材料，并且封装基底ENS也可以包括玻璃材料。基底100和封装基底ENS中的每个可以包括玻璃基底。内部空间INS可以限定在基底100与封装基底ENS之间并且可以包括空气层。可选择地，内部空间INS可以包括透明材料层。透明材料层可以包括具有与基底100和封装基底ENS的折射率类似的折射率的透明材料。透明材料的示例可以包括各种液体透明材料。透明材料的示例可以包括环氧树脂、聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯或基于硅酮的树脂(例如，双酚A型环氧树脂、脂环族环氧树脂、苯基硅酮树脂或橡胶、丙烯酸环氧树脂、脂肪族聚氨酯丙烯酸酯或者在公开的精神和范围内的其它材料)。可选择地，透明材料可以是选自于在约-40℃至约100℃的温度范围内没有相变并且体积变化率小于约5％的硅酮或硅酮油的材料(例如，六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和聚二甲基硅氧烷)。
图51A至图51C是根据实施例的显示设备的示意性剖视图。图51A至图51C分别主要描述了触摸屏层TSL应用于图17的实施例的情况。
参照图51A，显示面板10可以包括布置或设置在显示层DISL上方的触摸屏层TSL。触摸屏层TSL可以设置在封装构件ENCM上方。封装构件ENCM可以是以上参照图49描述的薄膜封装层TFEL或以上参照图50描述的封装基底ENS。在触摸屏层TSL设置在封装基底ENS上的情况下，触摸屏层TSL可以提供或设置在单独的支撑基底上，然后可以通过诸如OCA的粘合剂附着到封装基底ENS。
触摸屏层TSL可以具有其中第一触摸导电层TCL1、第一触摸绝缘层TINS1、第二触摸导电层TCL2和第二触摸绝缘层TINS2顺序地堆叠的结构。触摸屏层TSL可以包括触摸缓冲层TBF。
根据实施例，第二触摸导电层TCL2可以用作感测接触或非接触的触摸电极，并且第一触摸导电层TCL1可以用作在一个方向上以图案形式连接第二触摸导电层TCL2的连接单元。
根据实施例，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2两者可以用作触摸电极。例如，第一触摸绝缘层TINS1可以包括使第一触摸导电层TCL1的上表面暴露的通路孔，并且第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2可以经由通路孔彼此电连接。如此，由于使用第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2，触摸电极的电阻可以减小，因此触摸屏层TSL的响应速度可以提高。
根据实施例，触摸电极可以具有网状结构，使得从主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'发射的光透射。因此，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2可以布置或设置为不与主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的发光区域叠置。
第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2中的每个可以是包括高导电材料的单层或多层。例如，第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2中的每个可以包括透明导电层或者可以是包括导电材料的单层或多层，导电材料包括铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)和/或钛(Ti)。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)。可选择地，在公开的精神和范围内，透明导电层可以包括导电聚合物(例如，聚(3,4)-乙撑二氧噻吩(PEDOT))、金属纳米线、石墨烯等。根据实施例，第一触摸导电层TCL1可以包括钼(Mo)，并且第二触摸导电层TCL2可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结构。
第一触摸绝缘层TINS1和第二触摸绝缘层TINS2中的每个可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以是氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。有机材料可以是丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂中的至少一种。
在图49的薄膜封装层TFEL用作封装构件ENCM的情况下，触摸缓冲层TBF可以包括在薄膜封装层TFEL与触摸屏层TSL之间。触摸缓冲层TBF可以直接位于薄膜封装层TFEL上。触摸缓冲层TBF可以防止对薄膜封装层TFEL的损坏，并且可以阻挡在触摸屏层TSL驱动的同时可能会产生的干扰信号。触摸缓冲层TBF可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)，并且可以是单层或多层。在图51A中，触摸屏层TSL不包括与透射区域TA对应的开口或凹槽。因为包括在触摸屏层TSL中的绝缘层通常包括具有高透光率的无机绝缘材料，所以即使在触摸屏层TSL不具有与透射区域TA对应的开口或凹槽的情况下，触摸屏层TSL也可以具有足够的透射率，使得图2的组件40可以发送/接收足够量的光。
根据实施例，参照图51B，触摸屏层TSL可以包括与组件区域CA的透射区域TA对应的触摸开口TSL_OP。触摸开口TSL_OP可以是全部布置或设置为与透射区域TA对应的触摸缓冲层TBF的开口、第一触摸绝缘层TINS1的开口和第二触摸绝缘层TINS2的开口的堆叠体。在这些开口可以通过单独的工艺形成的情况下，触摸开口TSL_OP的内表面可以不平滑，并且可以具有诸如阶梯形状的台阶。由于触摸屏层TSL包括与透射区域TA对应的触摸开口TSL_OP，所以透射区域TA的透光率可以进一步提高。相比之下，触摸屏层TSL可以具有不使薄膜封装层TFEL的上表面暴露的凹槽。
参照图51C，触摸屏层TSL可以具有其中第一触摸导电层TCL1和第一触摸绝缘层TINS1顺序地堆叠的结构。触摸屏层TSL可以包括触摸缓冲层TBF。换言之，触摸屏层TSL可以不包括第二触摸导电层TCL2。在这种情况下，第一触摸导电层TCL1可以用作自电容型触摸电极。第一触摸导电层TCL1可以至少与主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的相应部分叠置。
图52是根据实施例的显示面板的触摸屏层TSL的平面图。
在图52中，触摸屏层TSL的触摸电极TE和RE包括两种类型的电极，例如，驱动电极TE和感测电极RE，并且触摸屏层TSL可以根据互电容方法来驱动，在互电容方法中，驱动信号可以施加到驱动电极TE，然后通过感测电极RE来感测在互电容中充入的电压。为了便于说明，图52仅示出了触摸电极TE和RE、触摸布线TL和RL、第一触摸垫TP1和第二触摸垫TP2、第一防护布线GL1至第五防护布线GL5以及第一地线GRL1至第三地线GRL3。
根据实施例，可以根据互电容方法来驱动触摸屏层TSL的与主显示区域MDA对应的部分和驱动触摸屏层TSL的与组件区域CA对应的部分两者。因此，布置或设置在主显示区域MDA中的触摸电极TE和RE可以电连接到布置或设置在组件区域CA中的触摸电极TE和RE。
参照图52，触摸屏层TSL可以包括用于感测用户的触摸的触摸感测区域TSA和在触摸感测区域TSA周围的触摸外围区域TPA。触摸感测区域TSA可以与显示层DISL的显示区域DA叠置，并且触摸外围区域TPA可以与显示层DISL的外围区域DPA叠置。
触摸电极TE和RE可以包括第一触摸电极TE和第二触摸电极RE。在图52的实施例中，第一触摸电极TE是驱动电极TE，并且第二触摸电极RE是感测电极RE。尽管图52中驱动电极TE和感测电极RE中的每个具有菱形平面形状，但是实施例不限于此。
感测电极RE可以在第一方向(x方向)上布置或设置，并且可以彼此电连接。驱动电极TE可以在与第一方向(x方向)相交的第二方向(y方向)上布置或设置，并且可以彼此电连接。驱动电极TE和感测电极RE可以彼此间隔开。驱动电极TE可以在第二方向(y方向)上并排布置或设置。在感测电极RE和驱动电极TE的交叉区域处，在第二方向(y方向)上彼此相邻的两个驱动电极TE可以经由第一连接电极BE1彼此电连接，并且在第一方向(x方向)上彼此相邻的两个感测电极RE可以经由第二连接电极BE2彼此电连接。
触摸布线TL和RL可以布置或设置在触摸外围区域TPA中。触摸布线TL和RL可以包括电连接到感测电极RE的感测布线RL以及电连接到驱动电极TE的第一驱动布线TL1和第二驱动布线TL2。
布置或设置在触摸感测区域TSA的端部中的感测电极RE可以电连接到感测布线RL。例如，如图52中所示，在在第一方向(x方向)上彼此电连接的感测电极RE之中，布置或设置在触摸感测区域TSA的右端部中的感测电极RE可以电连接到感测布线RL。感测布线RL可以电连接到第二触摸垫TP2。
布置或设置在触摸感测区域TSA的端部中的驱动电极TE可以电连接到第一驱动布线TL1，并且布置或设置在触摸感测区域TSA的另一端部中的驱动电极TE可以电连接到第二驱动布线TL2。例如，如图52中所示，在在第二方向(y方向)上彼此电连接的驱动电极TE之中，布置或设置在触摸感测区域TSA的下端部中的驱动电极TE可以电连接到第一驱动布线TL1，并且在在第二方向(y方向)上彼此电连接的驱动电极TE之中，布置或设置在触摸感测区域TSA的上端部中的驱动电极TE可以电连接到第二驱动布线TL2。第二驱动布线TL2可以均横穿触摸感测区域TSA的左侧并延伸到触摸感测区域TSA的上侧，并且可以电连接到驱动电极TE。第一驱动布线TL1和第二驱动布线TL2可以电连接到第一触摸垫TP1。
第一防护布线GL1可以布置或设置在感测布线RL之中的最外面的感测布线RL外侧。第一地线GRL1可以位于第一防护布线GL1外侧。如图52中所示，第一防护布线GL1可以位于感测布线RL之中的最右面的感测布线RL的右侧上，并且第一地线GRL1可以位于第一防护布线GL1的右侧上。
第二防护布线GL2可以位于感测布线RL之中的最里面的感测布线RL与第一驱动布线TL1之中的最右面的第一驱动布线TL1之间。如图52中所示，感测布线RL之中的最里面的感测布线RL可以是感测布线RL之中的最左面的感测布线RL。第二防护布线GL2可以在第一驱动布线TL1之中的最右面的第一驱动布线TL1与第二地线GRL2之间。
第三防护布线GL3可以位于感测布线RL之中的最里面的感测布线RL与第二地线GRL2之间。第二地线GRL2可以连接到第一触摸垫TP1之中的最右面的第一触摸垫TP1和第二触摸垫TP2之中的最左面的第二触摸垫TP2。
第四防护布线GL4可以布置或设置在第二驱动布线TL2之中的最外面的第二驱动布线TL2外侧。如图52中所示，第四防护布线GL4可以布置或设置在第二驱动布线TL2之中的最左面的第二驱动布线TL2的左侧上。
第三地线GRL3可以位于第四防护布线GL4外侧。如图52中所示，第四防护布线GL4可以位于第二驱动布线TL2之中的最左面的和最上面的第二驱动布线TL2的左侧上，并且第三地线GRL3可以位于第四防护布线GL4的左侧上。
第五防护布线GL5可以布置或设置在第二驱动布线TL2之中的最里面的第二驱动布线TL2内侧。如图52中所示，第五防护布线GL5可以设置在第二驱动布线TL2之中的最右面的第二驱动布线TL2与感测电极RE之间。
第一地线GRL1、第二地线GRL2和第三地线GRL3可以具有不同电平的静态电压或相同电平的静态电压。第一防护布线GL1、第二防护布线GL2、第三防护布线GL3、第四防护布线GL4和第五防护布线GL5可以具有不同电平的静态电压或相同电平的静态电压。
图53示出了连接到触摸电极的触摸传感器驱动单元的示例。
为了便于说明，图53仅示出了布置或设置为一列且在第二方向(y方向)上彼此电连接的驱动电极TE以及布置或设置为一行且在第一方向(x方向)上彼此电连接的感测电极RE。
参照图53，触摸传感器驱动单元TSDR可以包括驱动信号输出单元TSDR1、第一传感器感测单元TSDR2和第一模数转换器(ADC)TSDR3。
驱动信号输出单元TSDR1可以经由驱动布线TL将触摸驱动信号TD输出到驱动电极TE。触摸驱动信号TD可以包括脉冲。驱动信号输出单元TSDR1可以以预设顺序将触摸驱动信号TD输出到驱动布线TL。例如，驱动信号输出单元TSDR1可以从布置或设置在图52的触摸感测区域TSA的左部中的驱动电极TE到布置或设置在触摸感测区域TSA的右部中的驱动电极TE顺序地将触摸驱动信号TD输出到驱动电极TE。
第一传感器感测单元TSDR2经由电连接到感测电极RE的感测布线RL感测在第一互电容Cm1中充入的电压。如图53中所示，第一互电容Cm1可以形成在驱动电极TE与感测电极RE之间。
第一传感器感测单元TSDR2可以包括第一运算放大器OPA1、第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1。第一运算放大器OPA1可以包括第一输入端子(-)、第二输入端子(+)和输出端子(out)。第一运算放大器OPA1的第一输入端子(-)可以电连接到感测布线RL，初始化电压VREF可以供应到第一运算放大器OPA1的第二输入端子(+)，并且第一运算放大器OPA1的输出端子(out)可以电连接到第一存储电容器Cs1。第一存储电容器Cs1可以电连接在第一运算放大器OPA1的输出端子(out)与地之间，并且存储第一运算放大器OPA1的输出电压。第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1可以并联电连接在第一运算放大器OPA1的第一输入端子(-)和输出端子(out)之间。第一复位开关RSW1可以控制第一反馈电容器Cfb1的两端之间的连接。当第一复位开关RSW1导通并且因此第一反馈电容器Cfb1的两端可以彼此连接时，第一反馈电容器Cfb1可以复位。
第一运算放大器OPA1的输出电压Vout1可以如等式1中定义。
【等式1】
Figure BDA0002851187990000841
在等式1中，“Vout1”表示第一运算放大器OPA1的输出电压，“Cm1”表示第一互电容，“Cfb1”表示第一反馈电容器Cfb1的电容，并且“Vt1”表示在第一互电容Cm1中充入的电压。
第一ADC TSDR3可以将存储在第一存储电容器Cs1中的输出电压Vout1转换为第一数字数据并且可以输出第一数字数据。因此，触摸屏层TSL可以通过感测在第一互电容Cm1中充入的电压来确定是否存在用户的触摸。
图54是根据实施例的触摸屏层的触摸感测区域的放大平面图。
为了便于说明，图54仅示出了在第一方向(x方向)上彼此相邻的两个感测电极RE以及在第二方向(y方向)上彼此相邻的两个驱动电极TE。
驱动电极TE和感测电极RE中的每个可以具有矩形平面形状，但是实施例不限于此。如图54中所示，当在平面图中观看时，驱动电极TE、感测电极RE、第一连接电极BE1和第二连接电极BE2可以均具有网状结构。
可以包括驱动电极TE、感测电极RE和第二连接电极BE2作为具有网状图案的图51A的第二触摸导电层TCL2，并且可以包括第一连接电极BE1作为具有网状图案的图51A的第一触摸导电层TCL1。根据实施例，可以包括驱动电极TE、感测电极RE和第二连接电极BE2作为具有网状图案的图51A的第一触摸导电层TCL1，并且可以包括第一连接电极BE1作为具有网状图案的图51A的第二触摸导电层TCL2。
第一触摸导电层TCL1和第二触摸导电层TCL2可以包括开口T_OP。开口T_OP可以与显示面板10的子像素P叠置。
感测电极RE可以经由第二连接电极BE2彼此电连接，第二连接电极BE2布置或设置在其上可以布置或设置感测电极RE的同一层上。例如，感测电极RE可以包括与第二连接电极BE2中包括的材料相同或相似的材料，并且可以与第二连接电极BE2成一体。
驱动电极TE可以通过第一连接电极BE1彼此电连接，第一连接电极BE1提供或设置在与其上可以提供或设置驱动电极TE的层不同的层上。驱动电极TE可以经由提供或设置在第一触摸绝缘层TINS1中的接触孔电连接到第一连接电极BE1。
图55是根据实施例的显示面板的触摸屏层TSL的平面图。
在图55中，触摸屏层TSL的触摸电极SE包括一种类型的电极，触摸屏层TSL使用将驱动信号施加到触摸电极SE然后感测充入在触摸电极SE的自电容中的电压的一层自电容方法来驱动。为了便于说明，图55仅示出了触摸电极SE、触摸布线SEL、触摸垫TP以及第一地线GRL1和第二地线GRL2。
根据实施例，可以根据自电容方法来驱动触摸屏层TSL的与主显示区域MDA对应的部分和触摸屏层TSL的与组件区域CA对应的部分两者。
参照图55，触摸电极SE可以彼此电分离。触摸电极SE可以彼此间隔开。触摸电极SE可以分别电连接到触摸布线SEL。尽管在图55中每个触摸电极SE包括网状图案，但是触摸电极SE可以不包括网状图案。
触摸布线SEL可以布置或设置在触摸感测区域TSA和触摸外围区域TPA中。触摸布线SEL可以布置或设置在触摸外围区域TPA的可以位于触摸感测区域TSA的一侧上的部分中。触摸布线SEL可以分别电连接到触摸电极SE。每条触摸布线SEL可以布置或设置在触摸电极SE的一侧上。
地电压可以施加到第一地线GRL1和第二地线GRL2。第一地线GRL1可以布置或设置在触摸外围区域TPA的可以位于触摸感测区域TSA的右侧上的部分中。第二地线GRL2可以布置或设置在触摸外围区域TPA的可以位于触摸感测区域TSA的左侧上的部分和触摸外围区域TPA的可以位于触摸感测区域TSA的上侧上的部分中。防护布线可以布置或设置在触摸外围区域TPA中。
图56是连接到图55的每个触摸电极SE的触摸传感器驱动单元的电路图。为了便于说明，图56示出了连接到触摸电极SE的触摸传感器驱动单元TSDR。
参照图56，触摸传感器驱动单元TSDR可以包括驱动信号输出单元TSDR1、第一传感器感测单元TSDR2和第一ADC TSDR3。
驱动信号输出单元TSDR1可以经由触摸布线SEL将触摸驱动信号TD输出到触摸电极SE。触摸驱动信号TD可以包括脉冲。驱动信号输出单元TSDR1可以以预设顺序将触摸驱动信号TD输出到触摸布线SEL。
第一传感器感测单元TSDR2经由电连接到触摸电极SE的触摸布线SEL感测在自电容Cs中充入的电压。如图56中所示，自电容Cs可以形成在触摸电极SE和与触摸电极SE叠置的另一电极之间。
第一传感器感测单元TSDR2可以包括第一运算放大器OPA1、第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1。第一传感器感测单元TSDR2的第一运算放大器OPA1、第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1与以上参照图53描述的第一运算放大器OPA1、第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1基本相同。第一存储电容器Cs1可以电连接在第一运算放大器OPA1的输出端子(out)和地之间，并且可以存储第一运算放大器OPA1的输出电压。
第一ADC TSDR3可以将存储在第一存储电容器Cs1中的输出电压Vout1转换为第一数字数据，并且可以输出第一数字数据。如此，在自电容方法中，根据触摸驱动信号TD对触摸电极SE的自电容Cs充电，然后感测在自电容Cs中充入的电压。因此，可以确定是否存在用户的触摸。
图57是根据实施例的显示面板的触摸屏层TSL的平面图。
图57说明了根据互电容方法来驱动触摸屏层TSL的一部分或区域并且根据自电容方法来驱动触摸屏层TSL的一部分或区域的情况。为了便于说明，图57仅示出了一些或预定数量的触摸电极SE、RE和TE、一些或预定数量的布线SEL、TL和RL以及触摸垫TP。
根据实施例，触摸屏层TSL的与主显示区域MDA对应的部分可以根据互电容方法来驱动，并且触摸屏层TSL的与组件区域CA对应的部分可以根据自电容方法来驱动。
触摸屏层TSL的与主显示区域MDA对应的部分可以包括驱动电极TE和感测电极RE。感测电极RE可以在第一方向(x方向)上布置或设置，并且可以彼此电连接。驱动电极TE可以在与第一方向(x方向)相交的第二方向(y方向)上布置或设置，并且可以彼此电连接。驱动电极TE和感测电极RE可以彼此间隔开。驱动电极TE可以在第二方向(y方向)上并排布置或设置。在感测电极RE和驱动电极TE的交叉区域处，在第二方向(y方向)上彼此相邻的两个驱动电极TE可以经由第一连接电极BE1彼此电连接，并且在第一方向(x方向)上彼此相邻的两个感测电极RE可以经由第二连接电极BE2彼此电连接。
驱动电极TE和感测电极RE可以分别电连接到布置或设置在触摸外围区域TPA中的驱动布线TL和感测布线RL。驱动布线TL和感测布线RL可以电连接到触摸垫TP，并且可以向电连接到触摸垫TP的传感器驱动单元发送信号或从电连接到触摸垫TP的传感器驱动单元接收信号。在这种情况下，基于布置或设置在主显示区域MDA中的驱动电极TE与感测电极RE之间的电容变化，可以确定是否存在用户的触摸。
组件区域CA可以包括彼此间隔开的触摸电极SE。每个触摸电极SE可以电连接到触摸布线SEL。触摸布线SEL可以电连接到触摸垫TP，并且可以向连接到触摸垫TP的传感器驱动单元发送信号或从连接到触摸垫TP的传感器驱动单元接收信号。在这种情况下，可以通过感测在布置或设置在组件区域CA中的触摸电极SE的自电容Cs中充入的电压来确定是否存在用户的触摸。
通过还在组件区域CA中布置驱动电极和感测电极，可以使用互电容方法来感测用户的触摸的存在或不存在。然而，因为组件区域CA可以包括透射区域TA，所以在驱动电极和感测电极布置或设置为彼此分开大的距离以确保透射区域TA的透射率的情况下，可能会难以感测驱动电极与感测电极之间的电容变化。
根据实施例，因为组件区域CA采用用于根据自电容方法来感测用户的触摸的存在或不存在的结构，所以可以在透射区域TA中布置或设置最少数量的触摸电极。因此，透射区域TA的透射率可以提高。
图58和图59是根据实施例的触摸屏层TSL的相应部分的放大平面图。详细地，图58和图59是组件区域CA和组件区域CA周围的主显示区域MDA的放大平面图。图58和图59仅示出了一些或预定数量的驱动电极TE和一些或预定数量的感测电极RE，并且可以省略更多的触摸电极。
参照图58和图59，感测电极RE可以在主显示区域MDA内在x方向上布置或设置，驱动电极TE可以在主显示区域MDA内在y方向上布置或设置。布置或设置在组件区域CA的左侧和右侧上的感测电极RE可以经由第二连接电极BE2彼此电连接。第二连接电极BE2可以在x方向上延伸跨过组件区域CA。第二连接电极BE2可以布置或设置在其上可以布置或设置感测电极RE的同一层上，并且可以与感测电极RE成一体。
布置或设置在组件区域CA的上侧和下侧上的驱动电极TE可以经由第一连接电极BE1彼此电连接。第一连接电极BE1可以在y方向上延伸跨过组件区域CA。第一连接电极BE1可以设置在与其上可以布置或设置驱动电极TE的层不同的层上，并且可以经由接触孔CNT电连接到驱动电极TE。
第一连接电极BE1和第二连接电极BE2可以不布置或设置在透射区域TA的中心处以确保透射区域TA的透射率，并且可以朝向组件区域CA中的像素组PG偏置。根据实施例，第一连接电极BE1和第二连接电极BE2可以布置或设置为与电连接组件区域CA的像素电路的布线(例如，扫描线和数据线)叠置。可选择地，第一连接电极BE1和第二连接电极BE2可以布置或设置为与底部金属层叠置。
如图58中所示，分别与像素组PG对应的触摸电极SE可以布置或设置在组件区域CA中。可选择地，如图59中所示，单个触摸电极SE可以布置或设置为与像素组PG对应。
触摸电极SE可以分别电连接到触摸布线SEL。触摸布线SEL可以位于与其上可以布置或设置触摸电极SE的层不同的层上。因此，触摸布线SEL可以经由接触孔CNT电连接到触摸电极SE。触摸布线SEL可以不布置或设置在透射区域TA的中心处以确保透射区域TA的透射率，并且可以朝向组件区域CA中的像素组PG偏置。根据实施例，触摸布线SEL可以布置或设置为与电连接组件区域CA的像素电路的布线(例如，扫描线和数据线)叠置。可选择地，触摸布线SEL可以布置或设置为与底部金属层BML叠置。
如图59中所示，在单个触摸电极SE可以布置或设置为与像素组PG对应的情况下，单个触摸电极SE的分别与像素组PG对应的相应区域可以经由第三连接电极BE3和第四连接电极BE4彼此电连接。换言之，单个触摸电极SE可以包括与透射区域TA对应的开口。第三连接电极BE3可以布置或设置在其上可以布置或设置触摸电极SE的同一层上，并且第四连接电极BE4可以布置或设置在与其上可以布置或设置触摸电极SE的层不同的层上，并且可以经由接触孔CNT电连接到触摸电极SE。
根据实施例，可以包括驱动电极TE、感测电极RE、触摸电极SE、第二连接电极BE2和第三连接电极BE3作为图51A的第二触摸导电层TCL2。可以包括均在y方向上延伸的第一连接电极BE1、第四连接电极BE4和触摸布线SEL作为图51A的第一触摸导电层TCL1。驱动电极TE、感测电极RE和触摸电极SE可以均具有网状结构。可选择地，至少一些或预定数量的驱动电极TE、感测电极RE和触摸电极SE可以不具有网状结构，并且在平面图中可以具有基本上矩形的形状。在这种情况下，驱动电极TE、感测电极RE和触摸电极SE可以包括透明导电材料。
图60至图62是根据实施例的显示面板10的相应部分的示意性剖视图。图60至图62主要描述了在显示面板10的主显示区域MDA中包括镜区域MA。图60至图62中的与图17中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
参照图60，显示面板10可以包括镜构件MRM，并且显示面板10的主显示区域MDA可以包括镜区域MA。镜区域MA可以反射从显示面板10的外部入射的光。显示面板10可以通过包括镜构件MRM来执行镜功能。镜构件MRM可以位于封装基底ENS的一个表面上。镜构件MRM可以包括第一镜层MR1和第二镜层MR2。
第一镜层MR1可以布置或设置在封装基底ENS的表面上，并且可以包括与主有机发光二极管OLED的发光区域对应的开口MR1_OP。可选择地，第一镜层MR1可以布置或设置为与布置或设置在显示元件(例如，主有机发光二极管OLED)的发光区域的一侧上的镜区域MA对应。第一镜层MR1可以包括例如铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铁(Fe)、铂(Pt)、汞(Hg)、镍(Ni)、钨(W)、钒(V)或钼(Mo)，并且可以是单层或多层。
第二镜层MR2可以布置或设置在第一镜层MR1和封装基底ENS的表面上，并且可以定位或设置在镜区域MA和第一镜层MR1的开口MR1_OP内。可以包括第二镜层MR2以减少可能会在第一镜层MR1的开口MR1_OP中发生的不规则反射。第二镜层MR2可以包括铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铁(Fe)、铂(Pt)、汞(Hg)、镍(Ni)、钨(W)、钒(V)和钼(Mo)或者导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
第一镜层MR1的反射率可以高于第二镜层MR2的反射率。第二镜层MR2可以具有比第一镜层MR1的厚度小的厚度。因为第一镜层MR1可以仅定位或设置在镜区域MA中并且可以具有相对高的反射率，所以第一镜层MR1可以提高镜区域MA的反射率。因为第二镜层MR2可以定位或设置在整个主显示区域MDA中并且可以具有相对低的反射率和小的厚度，所以第二镜层MR2可以透射从主有机发光二极管OLED发射的光。
参照图61，镜绝缘层MRI可以位于镜构件MRM的第二镜层MR2与第一镜层MR1之间。第二镜层MR2、镜绝缘层MRI和第一镜层MR1可以顺序地布置或设置在封装基底ENS的一个表面上。
第二镜层MR2可以布置或设置在主有机发光二极管OLED的发光区域和镜区域MA中，并且第一镜层MR1可以布置或设置在镜区域MA中。第一镜层MR1可以包括与主有机发光二极管OLED的发光区域对应的开口MR1_OP。第一镜层MR1的反射率可以高于第二镜层MR2的反射率。
根据实施例，第二镜层MR2可以用作自电容型的触摸屏层的触摸电极。然而，实施例不限于此。第一镜层MR1可以用作自电容型的触摸屏层的触摸电极。第一镜层MR1和第二镜层MR2两者可以用作自电容型的触摸屏层的触摸电极。
在第二镜层MR2用作自电容型的触摸屏层的触摸电极的情况下，第二镜层MR2可以被图案化为具有特定或预定的尺寸。第二镜层MR2可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
以上已经参照图60和图61描述了封装基底ENS可以应用为显示面板10的封装构件的情况。然而，即使在薄膜封装层可以应用为显示面板10的封装构件的情况下，也可以应用镜构件MRM。
参照图62，镜构件MRM可以位于显示面板10的薄膜封装层TFEL之上。镜构件MRM可以包括第一镜层MR1和第二镜层MR2，并且镜绝缘层MRI可以位于第一镜层MR1与第二镜层MR2之间。
第一镜层MR1可以具有比第二镜层MR2的反射率高的反射率，并且第一镜层MR1可以包括开口MR1_OP以与主有机发光二极管OLED的发光区域对应。第一镜层MR1可以设置在镜区域MA中，并且第二镜层MR2可以布置或设置为与镜区域MA和主有机发光二极管OLED的发光区域对应。
第二镜层MR2、镜绝缘层MRI和第一镜层MR1可以顺序地堆叠在薄膜封装层TFEL上方。根据实施例，第二镜层MR2可以用作自电容型的触摸屏层的触摸电极。然而，实施例不限于此。第一镜层MR1可以用作自电容型的触摸屏层的触摸电极。第一镜层MR1和第二镜层MR2两者可以用作自电容型的触摸屏层的触摸电极。
在第二镜层MR2用作自电容型的触摸屏层的触摸电极的情况下，第二镜层MR2可以被图案化为具有特定或预定的尺寸。第二镜层MR2可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
图63和图64是根据实施例的显示面板10的相应部分的示意性剖视图。图63和图64主要描述了在显示面板10的组件区域CA中包括镜区域MA。图63和图64中的与图17中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
参照图63，显示面板10可以包括镜构件MRM，并且显示面板10的组件区域CA可以包括镜区域MA。镜构件MRM可以位于封装基底ENS的一个表面上，并且镜构件MRM可以包括第一镜层MR1和第二镜层MR2。
第一镜层MR1可以布置或设置在封装基底ENS的表面上，并且可以包括与辅助有机发光二极管OLED'的发光区域对应的开口MR1_OP1以及与透射区域TA对应的开口MR1_OP2。
第二镜层MR2可以布置或设置在第一镜层MR1和封装基底ENS的表面上，并且可以定位或设置在镜区域MA以及第一镜层MR1的开口MR1_OP1和MR1_OP2中。可以包括第二镜层MR2以减少可能会在第一镜层MR1的开口MR1_OP1和MR1_OP2中发生的不规则反射。
第一镜层MR1的反射率可以高于第二镜层MR2的反射率。第二镜层MR2可以具有比第一镜层MR1的厚度小的厚度。因为第一镜层MR1可以仅定位或设置在镜区域MA中并且可以具有相对高的反射率，所以第一镜层MR1可以提高镜区域MA的反射率。因为第二镜层MR2可以定位或设置在整个组件区域CA中并且可以具有相对低的反射率和小的厚度，所以第二镜层MR2可以透射将从辅助有机发光二极管OLED'向外部发射的光，并且可以透射可以入射在布置或设置在组件区域CA下方的图2的组件40上的光。
尽管在图63中第二镜层MR2可以定位或设置在整个组件区域CA中，但是实施例不限于此。如图64中所示，第二镜层MR2可以具有与透射区域TA对应的开口MR2_OP。因为没有显示元件可以布置或设置在透射区域TA中，所以可能会发生由于显示元件引起的小的不规则反射。因此，在第二镜层MR2中包括与透射区域TA对应的开口MR2_OP可以提高透射区域TA的透射率。
尽管附图中未示出，但是在组件区域CA中，绝缘层可以位于第一镜层MR1与第二镜层MR2之间。尽管以上已经参照图63和图64描述了封装基底ENS可以应用为显示面板10的封装构件ENCM的情况，但是实施例不限于此。镜构件适用于包括薄膜封装层作为封装构件ENCM的显示面板10的组件区域。
图65是根据实施例的显示面板10的透视图。图66是根据实施例的显示面板10的展开视图。图67是图65的显示面板10的示例的前视图。图68是图65的显示面板10的示例的后视图。图69是图65的显示面板10的示例的侧视图。图65至图69主要描述了其中在显示面板的上表面部分和从显示面板的上表面部分延伸的四个侧表面部分上显示图像的4侧边缘显示器。
参照图65至图69，显示面板10可以包括基底100，基底100具有上表面部分PS、第一侧表面部分SS1、第二侧表面部分SS2、第三侧表面部分SS3、第四侧表面部分SS4、第一角部分CS1、第二角部分CS2、第三角部分CS3和第四角部分CS4。
上表面部分PS可以是可以不弯曲而可以平坦的表面。上表面部分PS可以是基本呈矩形形式的表面，该矩形具有沿第一方向(x方向)的较短边缘和沿第二方向(y方向)的较长边缘。上表面部分PS的较短边缘和较长边缘交汇的角可以以特定或预定的曲率弯曲。上表面部分PS可以是显示面板10的上表面。
第一侧表面部分SS1可以从上表面部分PS的第一侧延伸。第一侧表面部分SS1可以从上表面部分PS的左侧延伸。第一侧表面部分SS1可以在第一弯曲线BL1处弯曲。第一弯曲线BL1可以是上表面部分PS与第一侧表面部分SS1之间的边界。根据平面图，第一侧表面部分SS1可以是呈矩形形式的表面，该矩形具有沿第三方向(z方向)的较短边缘和沿第二方向(y方向)的较长边缘。第一侧表面部分SS1可以是显示面板10的左侧表面。
第二侧表面部分SS2可以从上表面部分PS的第二侧延伸。第二侧表面部分SS2可以从上表面部分PS的下侧延伸。第二侧表面部分SS2可以在第二弯曲线BL2处弯曲。第二弯曲线BL2可以是上表面部分PS与第二侧表面部分SS2之间的边界。根据平面图，第二侧表面部分SS2可以是呈矩形形式的表面，该矩形具有沿第三方向(z方向)的较短边缘和沿第一方向(x方向)的较长边缘。第二侧表面部分SS2可以是显示面板10的下侧表面。
第三侧表面部分SS3可以从上表面部分PS的第三侧延伸。第三侧表面部分SS3可以从上表面部分PS的上侧延伸。第三侧表面部分SS3可以在第三弯曲线BL3处弯曲。第三弯曲线BL3可以是上表面部分PS与第三侧表面部分SS3之间的边界。根据平面图，第三侧表面部分SS3可以是呈矩形形式的表面，该矩形具有沿第三方向(z方向)的较短边缘和沿第一方向(x方向)的较长边缘。第三侧表面部分SS3可以是显示面板10的上侧表面。
第四侧表面部分SS4可以从上表面部分PS的第四侧延伸。第四侧表面部分SS4可以从上表面部分PS的右侧延伸。第四侧表面部分SS4可以在第四弯曲线BL4处弯曲。第四弯曲线BL4可以是上表面部分PS与第四侧表面部分SS4之间的边界。根据平面图，第四侧表面部分SS4可以是呈矩形形式的表面，该矩形具有沿第三方向(z方向)的较短边缘和沿第二方向(y方向)的较长边缘。第四侧表面部分SS4可以是显示面板10的右侧表面。
第一角部分CS1可以位于第一侧表面部分SS1与第二侧表面部分SS2之间。第一角部分CS1的宽度可以小于第一侧表面部分SS1的宽度和第二侧表面部分SS2的宽度。因此，可以在第一侧表面部分SS1的一部分与第二侧表面部分SS2的一部分之间提供空的空间或孔或者腔ES。
第二角部分CS2可以位于第一侧表面部分SS1与第三侧表面部分SS3之间。第二角部分CS2的宽度可以小于第一侧表面部分SS1的宽度和第三侧表面部分SS3的宽度。因此，可以在第一侧表面部分SS1的一部分与第三侧表面部分SS3的一部分之间提供空的空间或孔或者腔ES。
第三角部分CS3可以位于第二侧表面部分SS2与第四侧表面部分SS4之间。第三角部分CS3的宽度可以小于第二侧表面部分SS2的宽度和第四侧表面部分SS4的宽度。因此，可以在第二侧表面部分SS2的一部分与第四侧表面部分SS4的一部分之间提供空的空间或孔或者腔ES。
第四角部分CS4可以位于第三侧表面部分SS3与第四侧表面部分SS4之间。第四角部分CS4的宽度可以小于第三侧表面部分SS3的宽度和第四侧表面部分SS4的宽度。因此，可以在第三侧表面部分SS3的一部分与第四侧表面部分SS4的一部分之间提供空的空间或孔或者腔ES。
垫区域PDA可以从第二侧表面部分SS2的一侧延伸。垫区域PDA可以在第五弯曲线BL5处弯曲。第五弯曲线BL5可以是第二侧表面部分SS2与垫区域PDA之间的边界。根据平面图，垫区域PDA可以是呈矩形形式的表面，该矩形具有沿第二方向(y方向)的较短边缘和沿第一方向(x方向)的较长边缘。垫区域PDA可以是显示面板10的可以与显示面板10的上表面相对的下表面。
上表面部分PS可以包括其上可以显示主图像的主显示区域MDA。上表面部分PS可以不包括非显示区域，因此整个上表面部分PS可以是主显示区域MDA。组件区域CA可以布置或设置在上表面部分PS中。尽管在图66中组件区域CA可以被主显示区域MDA围绕或与主显示区域MDA相邻，但是组件区域CA可以采用以上参照图8A至图8I描述的各种布置和各种形状中的任何布置和任何形状。
第一侧表面部分SS1可以包括显示第一子图像的第一副显示区域SDA1和第一非显示区域NDA1。如图66中所示，第一非显示区域NDA1可以位于第一侧表面部分SS1的上边缘、左边缘和下边缘上。第一副显示区域SDA1可以从主显示区域MDA的左侧延伸。第一副显示区域SDA1可以是第一侧表面部分SS1的除了第一非显示区域NDA1之外的区域。
第二侧表面部分SS2可以包括显示第二子图像的第二副显示区域SDA2和第二非显示区域NDA2。如图66中所示，第二非显示区域NDA2可以位于第二侧表面部分SS2的左边缘、下边缘和右边缘上。第二副显示区域SDA2可以从主显示区域MDA的下侧延伸。第二副显示区域SDA2可以是第二侧表面部分SS2的除了第二非显示区域NDA2之外的区域。
第三侧表面部分SS3可以包括显示第三子图像的第三副显示区域SDA3和第三非显示区域NDA3。如图66中所示，第三非显示区域NDA3可以位于第三侧表面部分SS3的左边缘、上边缘和右边缘上。第三副显示区域SDA3可以从主显示区域MDA的上侧延伸。第三副显示区域SDA3可以是第三侧表面部分SS3的除了第三非显示区域NDA3之外的区域。
第四侧表面部分SS4可以包括显示第四子图像的第四副显示区域SDA4和第四非显示区域NDA4。如图66中所示，第四非显示区域NDA4可以位于第四侧表面部分SS4的上边缘、右边缘和下边缘上。第四副显示区域SDA4可以从主显示区域MDA的右侧延伸。第四副显示区域SDA4可以是第四侧表面部分SS4的除了第四非显示区域NDA4之外的区域。
尽管第一角部分CS1、第二角部分CS2、第三角部分CS3和第四角部分CS4在图65至图69中可以是非显示区域，但是实施例不限于此。第一角部分CS1的一部分、第二角部分CS2的一部分、第三角部分CS3的一部分和第四角部分CS4的一部分可以是其上显示图像的显示区域。在这种情况下，第一角部分CS1的所述部分、第二角部分CS2的所述部分、第三角部分CS3的所述部分和第四角部分CS4的所述部分可以从主显示区域MDA延伸。
图70A和图70B是根据实施例的显示面板的一部分的展开视图。图70A和图70B的实施例与图66的实施例的不同之处可以在于组件区域CA可以布置或设置在显示面板10的侧表面部分中。
参照图70A，组件区域CA可以设置在显示面板10的上表面部分PS与第三侧表面部分SS3之间的边界上。因此，组件区域CA可以被主显示区域MDA的一部分和第三副显示区域SDA3的一部分围绕或者与主显示区域MDA的一部分和第三副显示区域SDA3的一部分相邻。组件区域CA可以与第三弯曲线BL3叠置，因此可以位于弯曲区域中。同样地，组件区域CA可以与第一弯曲线BL1、第二弯曲线BL2和/或第四弯曲线BL4叠置。
在显示面板10的弯曲区域中可能会发生比在显示面板10的其它区域中大的因外部光的反射。因此，在组件区域CA可以布置或设置在显示面板10的弯曲区域中的情况下，组件区域CA的可视性可能会降低。因为组件区域CA的分辨率可以小于主显示区域MDA的分辨率，所以用户在视觉上不识别分辨率差异可以是有利的。
参照图70B，组件区域CA可以包括布置或设置在第一侧表面部分SS1中的第一组件区域CA1、布置或设置在上表面部分PS中的第二组件区域CA2以及布置或设置在第四侧表面部分SS4中的第三组件区域CA3。
在显示面板10的展开视图中，第一组件区域CA1、第二组件区域CA2和第三组件区域CA3可以对齐成直线。第一组件41可以布置或设置在第一组件区域CA1下方，第二组件42可以布置或设置在第二组件区域CA2下方，并且第三组件43可以布置或设置在第三组件区域CA3下方。在第一组件41至第三组件43是相机的情况下，其上述布置可以使得能够以各种角度拍摄图像。例如，即使在用户不移动显示面板10的情况下，也可以进行全景成像。
图71是根据实施例的显示面板10的一部分或区域的展开视图。图71的实施例与图66的实施例的不同之处可以在于显示面板10的侧表面部分不显示图像。
参照图71，第三侧表面部分SS3可以不包括副显示区域，并且可以仅包括第三非显示区域NDA3。组件区域CA可以位于上表面部分PS中，但是可以与第三侧表面部分SS3相邻。因此，组件区域CA可以与其连接的负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以布置或设置在与组件区域CA相邻的第三侧表面部分SS3中。
负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以布置或设置在组件区域CA附近的第三侧表面部分SS3中，并且可以经由第一负载连接线LW1电连接到布置或设置在主显示区域MDA中的主子像素Pm的像素电路。例如，第一负载连接线LW1可以经由接触孔CNTL1电连接到横穿主子像素Pm的扫描线SL。根据实施例，第一负载连接线LW1可以包括与图17的底部金属层BML中包括的材料相同或相似的材料，并且可以布置或设置在其上可以布置或设置图17的底部金属层BML的同一层上。因为扫描线SL的横穿组件区域CA的部分可以电连接到辅助子像素Pa的像素电路，所以可以包括第一负载连接线LW1作为布置或设置在与其上可以布置或设置扫描线SL的层不同的层上的导电层。
因为组件区域CA的每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于主显示区域MDA的每单位面积的主子像素Pm的数量，所以施加到横穿组件区域CA的扫描线SL的负载可以不同于施加到仅横穿主显示区域MDA的扫描线SL的负载。因此，在显示区域DA中可能会发生亮度不均匀。根据实施例，采用负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以使整个显示区域DA的电负载均匀，从而确保亮度均匀。
可以包括负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC，并且负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC可以经由第二负载连接线LW2彼此电连接。由于负载匹配单元LM和/或虚设像素电路DPC彼此电连接，因此等电位区可以扩大，从而防止显示区域DA被静电损坏。
图72是根据实施例的显示面板10的一部分或区域的示意性剖视图。图72的实施例与图69的实施例的不同之处可以在于显示面板的第二侧表面部分和第三侧表面部分以不同的曲率从显示面板的上表面部分弯曲。
参照图72，组件区域CA可以设置在上表面部分PS中，但是可以与第三侧表面部分SS3相邻。因为组件40可以叠置地布置或设置在组件区域CA下方，所以第三侧表面部分SS3的曲率半径可以根据组件40的尺寸而改变。根据实施例，第三侧表面部分SS3(组件40可以与其相邻)可以从上表面部分PS按其弯曲的曲率半径R2可以大于第二侧表面部分SS2可以从上表面部分PS按其弯曲的曲率半径R1。
同样地，第三侧表面部分SS3(组件40可以与其相邻)可以从上表面部分PS按其弯曲的曲率半径R2可以大于第一侧表面部分SS1从上表面部分PS按其弯曲的曲率半径或第四侧表面部分SS4从上表面部分PS按其弯曲的曲率半径。
图73A至图73C是示出根据实施例的显示面板10与布置或设置在显示面板10下方的组件之间的位置关系的示意性剖视图。图73A至图73C示出了图69的显示面板10的一部分或区域。
参照图73A，显示面板10的组件区域CA可以设置在显示面板10的上表面部分PS中，并且组件区域CA可以与第三侧表面部分SS3相邻。在这种情况下，由于组件40的尺寸，组件40的光接收表面40S可能会难以面对组件区域CA。在这种情况下，组件40的光接收表面40S可以布置或设置为面对第三侧表面部分SS3，并且改变光路径的反射镜MR40可以布置或设置在组件40的光接收表面40S的前方。
参照图73B，显示面板10的组件区域CA可以位于显示面板10的上表面部分PS中，并且组件40可以附着到第三侧表面部分SS3的下表面。在这种情况下，组件40的光接收表面40S可以布置或设置为面对与朝向第三侧表面部分SS3的方向相反的方向(-y方向)，并且改变光路径的反射镜MR40可以布置或设置在组件40的光接收表面40S的前方。
参照图73C，显示面板10的组件区域CA可以在显示面板10的上表面部分PS和第三侧表面部分SS3之上延伸。在这种情况下，组件40的光接收表面40S可以面对上表面部分PS与第三侧表面部分SS3之间的组件区域CA。组件40的光接收表面40S可以相对于上表面部分PS以各种角度布置或设置。
图74是根据实施例的显示设备1的示意性透视图。图75示出了其中图74的显示设备1折叠的状态。
参照图74，显示设备1可以包括下盖90和显示面板10。下盖90可以包括可以支撑显示面板10的部分的第一部分91和第二部分92。下盖90可以在第一部分91与第二部分92之间围绕折叠轴FAX折叠。根据实施例，位于第一部分91与第二部分92之间的第三部分93可以具有铰链结构。
显示面板10可以包括包含主显示区域和组件区域的显示区域。显示面板10可以与下盖90一起折叠，并且围绕可以跨过显示区域延伸的折叠轴FAX折叠的显示面板10的显示区域的部分可以彼此面对。为了便于解释，可以作为屏幕区域的显示区域的布置或设置在折叠轴FAX的两侧上的部分现在将被称为第一第一显示区域DA1_1和第二第一显示区域DA1_2。第一组件区域CA1可以位于第一第一显示区域DA1_1中，并且第二组件区域CA2可以位于第二第一显示区域DA1_2中。
显示设备1可以围绕折叠轴FAX折叠。在这种情况下，显示面板10的第一第一显示区域DA1_1和第二第一显示区域DA1_2可以彼此面对。布置或设置在第一第一显示区域DA1_1内部的第一组件区域CA1以及布置或设置在第二第一显示区域DA1_2内部的第二组件区域CA2可以布置或设置为彼此面对。换言之，在显示设备1折叠的情况下，第一组件区域CA1和第二组件区域CA2可以彼此叠置。
显示设备1可以包括副显示面板10S，副显示面板10S可以在与显示面板10的图像表面(例如，显示区域)沿其显示图像的方向不同的方向上显示图像。参照图75，折叠的显示设备1中的副显示面板10S可以通过与显示面板10在不同的方向上暴露的显示区域(在下文中，称为副显示区域SDA)来显示图像。副显示面板10S可以由下盖90的一部分(例如，第二部分92)支撑。
第三组件区域CA3可以位于副显示面板10S的副显示区域SDA内部。在显示设备1折叠的情况下，第三组件区域CA3可以与第一组件区域CA1和第二组件区域CA2叠置。
图76是图75的折叠的显示设备1的示意性剖视图，并且图77A至图77C分别示出了根据实施例的第一组件区域CA1至第三组件区域CA3。
参照图76，在显示设备1折叠的情况下，第一组件区域CA1至第三组件区域CA3可以彼此叠置，并且组件40可以布置或设置在第一组件区域CA1至第三组件区域CA3下方。换言之，在显示设备1折叠的情况下，第一组件区域CA1、第二组件区域CA2和第三组件区域CA3可以顺序地堆叠在组件40之上。
第一组件区域CA1可以包括第一透射区域TA1，并且第二组件区域CA2可以包括第二透射区域TA2。第三组件区域CA3可以包括第三透射区域TA3。第三透射区域TA3可以与第二透射区域TA2和第一透射区域TA1叠置。
根据实施例，为了减少从组件40发射或朝向组件40行进的光的干扰，第三透射区域TA3的整个面积可以等于或大于第二透射区域TA2的整个面积，并且第二透射区域TA2的整个面积可以等于或大于第一透射区域TA1的整个面积。为了表达这一点，图76示出了第一透射区域TA1的宽度小于第二透射区域TA2的宽度，并且第二透射区域TA2的宽度小于第三透射区域TA3的宽度。
参照图77A至图77C，第一组件区域CA1的第一透射区域TA1的面积可以是第一组件区域CA1的面积的约一半。在第一组件区域CA1中，辅助子像素Pa可以以1/2pentile结构布置或设置。
第二组件区域CA2的第二透射区域TA2的面积可以是第二组件区域CA2的面积的约3/4。在第二组件区域CA2中，辅助子像素Pa可以以1/4pentile结构布置或设置。
第三组件区域CA3的第三透射区域TA3的面积可以是第三组件区域CA3的面积的约7/8。在第三组件区域CA3中，辅助子像素Pa可以以1/8pentile结构布置或设置。
根据该构造，在第一组件区域CA1至第三组件区域CA3彼此叠置的情况下，因为第一透射区域TA1至第三透射区域TA3可以布置或设置为彼此叠置，所以可以从组件40发射或朝向组件40行进的光可以前进而不被中断。
图78是根据实施例的显示面板的组件区域的示意性平面图。图78主要描述了其中显示面板的至少一部分或区域可以变形的结构。
参照图78，根据实施例，基底100可以包括柔性材料。例如，基底100可以包括可以容易地弯曲、折叠或卷曲的材料。用于形成柔性的基底100的柔性材料可以是超薄玻璃、金属或塑料。在基底100可以包括塑料的情况下，基底100可以包含聚酰亚胺(PI)。根据实施例，基底100可以包括电活性聚合物或压电陶瓷。
基底100可以包括彼此间隔开的岛100I、将岛100I彼此连接的连接单元100C以及在连接单元100C之间穿透基底100的通孔100H。
岛100I可以布置或设置为彼此分开。例如，岛100I可以在第一方向(x方向)和不同于第一方向(x方向)的第二方向(y方向)上重复，从而构成平面网格图案。例如，第一方向(x方向)和第二方向(y方向)可以以直角交汇。作为另一示例，第一方向(x方向)和第二方向(y方向)可以以锐角或钝角交汇。
像素组PG可以分别布置或设置在岛100I上。每个像素组PG可以包括如上所述的辅助子像素，并且辅助子像素可以由诸如有机发光二极管的显示元件实现。
连接单元100C可以将岛100I彼此连接。详细地，四个连接单元100C可以连接到岛100I中的每个，连接到一个岛100I的四个连接单元100C可以在不同方向上延伸以与所述一个岛100I相邻，因此四个连接单元100C可以分别连接到围绕所述一个岛100I的另外四个岛100I。岛100I和连接单元100C可以至少部分地包括相同或相似的材料，并且可以彼此连接。岛100I和连接单元100C可以彼此成一体。
通孔100H可以穿透基底100。通孔100H可以在岛100I之间提供分离区域，减轻基底100的重量，并且提高基底100的柔性。在基底100可以变形的情况下，通孔100H的形状可以改变，因此可以有效地减少在基底100的变形期间的应力产生。因此，可以防止基底100的异常变形，并且基底100的耐久性可以提高。
在公开的精神和范围内，可以通过经由蚀刻、激光照射等去除基底100的一个区域来形成通孔100H。作为另一示例，在基底100的制造期间，基底100可以被制造为包括通孔100H。通孔100H可以以各种方式形成在基底100中，并且形成通孔100H的方法不受限制。根据实施例，通孔100H可以与组件区域CA的透射区域TA对应。
在下文中，设置作为基底100的基本单元的单元UI，并且将参考单元UI更详细地描述基底100的结构。
单元UI可以在第一方向(x方向)和第二方向(y方向)上重复。换言之，基底100可以被理解为是在第一方向(x方向)和第二方向(y方向)上重复的单元UI的组合。每个单元UI可以包括岛100I和连接到岛100I的至少一个连接单元100C。四个连接单元100C可以连接到一个岛100I。
两个相邻的单元UI的岛100I可以彼此间隔开，并且两个相邻的单元UI的连接单元100C可以彼此连接。包括在单元UI中的连接单元100C可以指连接单元100C的可以定位或设置在单元UI内的部分区域，或者可以指两个相邻的岛100I之间的可以将两个相邻的岛100I彼此连接的整个连接单元100C。
单元UI之中的四个相邻的单元UI可以在四个单元UI之间形成闭环，并且闭合的曲线可以限定通孔100H，通孔100H可以是空的空间、孔或腔。通孔100H可以通过去除基底100的一个区域来形成，并且可以提高基底100的柔性并减小在基底100可能会变形的情况下可能会产生的应力。
单元UI之中的两个相邻的单元UI可以彼此对称。具体地，如图78中所示，一个单元UI可以关于可以平行于第一方向(x方向)的对称轴与在第二方向(y方向)上与所述一个单元UI相邻的另一个单元UI对称，并且同时可以关于可以平行于第二方向(y方向)的对称轴与在第一方向(x方向)上与所述一个单元UI相邻的另一个单元UI对称。
连接单元100C可以沿其延伸的方向与连接单元100C可以连接到其的岛100I的侧表面之间的角度可以是锐角。例如，连接单元100C沿其延伸的第一方向(x方向)与连接单元100C连接到其的岛100I的侧表面之间的角度θ可以是锐角。例如，在每个岛100I是基本上四边形的并且可以布置或设置为使得其四个角可以布置或设置为面对第一方向(x方向)和第二方向(y方向)的情况下，连接单元100C可以在与四个角相邻的区域处连接到岛100I，并且可以在与第二方向(y方向)或第一方向(x方向)平行的方向上延伸。换言之，连接到面对第一方向(x方向)的角的连接单元100C可以面对第二方向(y方向)或与第二方向(y方向)相反的方向(-y方向)，并且连接到面对第二方向(y方向)的角的连接单元100C可以面对第一方向(x方向)或与第一方向(x方向)相反的方向(-x方向)。因此，连接到一个连接单元100C的两个相邻的岛100I的侧表面可以分别与连接单元100C沿其延伸的方向成锐角，因此岛100I可以密集地布置或设置，并且通孔100H的面积可以通过使连接单元100C的长度最小化来最大化。基底100可以具有伸长性质，诸如可拉伸或以其它方式伸长。
在外力可以施加到基底100的情况下，由连接单元100C和连接单元100C连接到其的岛100I的侧表面形成的所有角度增加(θ<θ')，因此通孔100H(即，透射区域TA)可以扩大。因此，岛100I之间的间隔可以增加，因此基底100可以在第一方向(x方向)和第二方向(y方向)两者上伸长，因此基底100的形状可以二维地或三维地改变。
因为每个连接单元100C的宽度100C_W小于每个岛100I的一个边缘的宽度，所以在外力可以施加到基底100的同时用于实现上述角度增加(θ<θ')的形状变化可以主要发生在连接单元100C中，并且即使在基底100的伸长期间，岛100I的形状也可以不改变。因此，即使在基底100伸长的情况下，也可以稳定地维持布置或设置在岛100I上的像素组PG。
因为在基底100的伸长期间，应力集中在连接单元100C的连接到岛100I的侧表面的连接部分上，所以连接单元100C的连接部分可以包括弯曲表面，以防止连接单元100C由于应力的集中的撕裂等。
尽管已经聚焦于并参照图78描述了基底100可以包括岛100I、连接单元100C和通孔100H以与组件区域CA对应的情况，但是图78的结构可以适用于主显示区域MDA。
图79A和图79B是示出根据实施例的图78的变形的显示面板10的不同形状的示意性剖视图。
参照图79A，由于变形驱动单元DFD的操作，显示面板10的组件区域CA可以在第三方向(z方向)上突出。根据实施例，显示面板10的图78的基底100可以包括电活性聚合物。在这种情况下，当电压供应到显示面板10的基底100时，显示面板10的基底100可以变形。显示面板10的基底100可以变形为在第三方向(z方向)上突出。由于显示面板10的基底100的变形，显示面板10的布置或设置在组件区域CA中的外表面的面积可以增加，因此图78的透射区域TA可以扩大。
参照图79B，变形驱动单元DFD可以包括致动器DF10和可以由致动器DF10控制的驱动销DF20。致动器DF10可以控制驱动销DF20在竖直方向上的移动。当驱动销DF20在第三方向(z方向)上移动时，基底100可以在第三方向(z方向)上突出。因此，透射区域TA可以扩大。
透射区域TA的扩大表示可以由组件区域CA下方的组件40发射到外部或从外部到达组件40的光的量增加。在组件40可以是成像装置的情况下，组件40可以获得高质量图像。
在组件40未驱动的情况下，变形驱动单元DFD可以不操作。在这种情况下，显示面板10可以保持平坦。在组件40驱动的情况下，变形驱动单元DFD驱动，因此显示面板10的组件区域CA可以突出并且透射区域TA可以扩大。
图80是图78的显示面板10的一部分或区域的示意性剖视图。图17和图80中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
参照图80，包括布置或设置在基底100上的辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'两者的辅助像素电路PC'以及作为显示元件的电连接到辅助像素电路PC'的辅助有机发光二极管OLED'可以布置或设置在显示面板10的组件区域CA中，并且封装前述组件的薄膜封装层TFEL可以布置或设置。辅助有机发光二极管OLED'可以布置或设置在基底100的岛100I上，并且布线W可以布置或设置在连接岛100I的连接单元100C上。
为了与岛100I对应，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131、第二无机封装层133以及位于第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。可以包括有机封装层132以与每个岛100I对应。换言之，有机封装层132可以布置或设置在岛100I上，并且可以不布置或设置在连接单元100C上。因此，第一无机封装层131和第二无机封装层133可以在有机封装层132外部彼此接触，因此可以单独地封装像素组PG。
如此，因为薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133，所以即使在薄膜封装层TFEL由于该多层结构而裂开的情况下，该裂纹也可以不在第一无机封装层131与有机封装层132之间或有机封装层132与第二无机封装层133之间连接。因此，可以防止外部湿气、氧等经由其渗透到像素组PG中的路径的形成或者使外部湿气、氧等经由其渗透到像素组PG中的路径的形成最小化。第二无机封装层133可以在有机封装层132的边缘处接触第一无机封装层131，使得有机封装层132可以不暴露于外部。
台阶补偿层105可以布置或设置在基底100的连接单元100C上。因为基底100的连接单元100C可以具有比岛100I的宽度小的宽度，所以基底100的连接单元100C相对于可能会在显示面板10的形状的变形期间产生的应力可能会是弱的。因此，均包括无机绝缘层的缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115中的至少一个可以不布置或设置在基底100的连接单元100C上方。
例如，可以通过使用诸如蚀刻的工艺从连接单元100C上方去除缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115，替代地，可以提供包括有机材料的台阶补偿层105。
因为将电压或信号传输到辅助像素电路PC'的布线W可以布置或设置在台阶补偿层105上方，所以在布线W通向岛100I的情况下，台阶补偿层105可以防止在布线W与岛100I之间产生高度差，并且还可以吸收可能会施加到布线W的应力。
台阶补偿层105可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或酚醛树脂。台阶补偿层105可以是包括这样的有机绝缘材料的单层或多层。
位于台阶补偿层105上方的布线W可以包括与布置或设置在岛100I中的辅助薄膜晶体管TFT'的源电极S2或漏电极D2中包括的材料相同或相似的材料。可选择地，位于台阶补偿层105上方的布线W可以包括与辅助薄膜晶体管TFT'的栅电极G2中包括的材料相同或相似的材料。布线W可以是将电压或信号传输到辅助像素电路PC'的布线。
布线W可以被平坦化层117和/或像素限定层119覆盖或者与平坦化层117和/或像素限定层119叠置。第一无机封装层131和第二无机封装层133可以堆叠在像素限定层119上方。
图81和图82是根据实施例的显示设备1的一部分或区域的示意性剖视图，图83是可以包括在显示设备1中的第二显示面板20的示意性平面图。
参照图81和图82，显示设备1可以包括第一显示面板10和位于第一显示面板10下方的第二显示面板20。第一显示面板10可以是以上参照图1至图80描述的显示面板10。第二显示面板20可以布置或设置在各种位置处，例如，在图2的第一显示面板10与支架60之间或者在图2的支架60与主电路板70之间。可以通过图2的下盖90容纳第一显示面板10和第二显示面板20。
第一显示面板10可以包括基底100、基底100上的包含薄膜晶体管TFT的电路层、第一发光元件ED1以及它们之间的绝缘层IL和IL'。第一显示面板10可以包括主显示区域MDA和包含透射区域TA的组件区域CA。光可以在第三方向(z方向)上由作为显示元件的第一发光元件ED1发射，并且图像可以在第一显示面板10的上表面上显示。
第二显示面板20可以包括基底200、基底200上的包含薄膜晶体管TFT的电路层、第二发光元件ED2以及它们之间的绝缘层IL。第二显示面板20可以包括与第一显示面板10的组件区域CA对应的孔20H。组件40可以布置或设置在第二显示面板20下方以与孔20H对应。光可以在第三方向(z方向)上由作为显示元件的第二发光元件ED2发射，并且图像可以在第二显示面板20的上表面上显示。
如图82中所示，第二显示面板20可以附着到第一显示面板10的底部。在这种情况下，第二显示面板20的孔20H可以填充有光学透明树脂(OCR)。OCR可以具有光学透明性，因此可以改善可视性。
导光层GUIL可以设置在第二发光元件ED2上方。导光层GUIL可以扩散可以由第二发光元件ED2发射的光。导光层GUIL可以包括丙烯酸材料或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。为了防止在导光层GUIL内扩散的光侧向发射，可以在第二发光元件ED2周围(即，在第二显示面板20周围)布置或设置漏光防止层201。漏光防止层201可以包括黑色颜料、黑色染料和/或诸如Cr或CrOx的材料。
第二发光元件ED2可以布置或设置在第二显示面板20中以与组件区域CA的边缘对应。可选择地，第二发光元件ED2可以布置或设置为与组件40的边缘对应。换言之，如图83中所示，根据平面图，第二发光元件ED2可以围绕组件40或与组件40相邻。可选择地，第二发光元件ED2可以围绕第二显示面板20的孔20H或与第二显示面板20的孔20H相邻。第二发光元件ED2可以是微尺寸或纳米尺寸的无机发光二极管。可选择地，第二发光元件ED2可以是有机发光二极管。
参照图83，第二显示面板20的子像素Ps可以由第二发光元件ED2实现。第二显示面板20的子像素Ps可以包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg、蓝色子像素Pb和/或白色子像素Pw。子像素Ps可以在孔20H周围布置或设置为圆形构造。因此，其中可以布置或设置子像素Ps的第二显示区域DA2可以具有基本上环形的形状。
第二显示面板20的一侧可以连接到第二显示电路板25。第二显示电路板25可以包括可以驱动第二显示面板20的第二显示驱动单元27。第二显示驱动单元27可以结合第一显示面板10的驱动信号和组件40的驱动信号产生可以控制第二显示面板20的子像素Ps的亮度和颜色的信号。
例如，在可以在第一显示面板10的组件区域CA上实现红色图像的情况下，第二显示驱动单元27可以产生可以根据其驱动第二显示面板20的红色子像素Pr的信号。当可以在第一显示面板10的组件区域CA上实现品红色图像时，第二显示驱动单元27可以产生根据其驱动第二显示面板20的红色子像素Pr和蓝色子像素Pb的信号。
因为第一显示面板10的组件区域CA可以包括透射区域TA，所以在组件区域CA中实现的图像可以具有比在主显示区域MDA中实现的图像的亮度低的亮度。
根据实施例，通过采用第二显示面板20在与组件区域CA叠置的第二显示区域DA2中实现图像，因此可以补偿组件区域CA的亮度和颜色，从而提高可视性。
如上所述，第一显示面板10可以包括组件区域CA，并且第二显示面板20可以包括与每个组件区域CA对应的第二发光元件ED2，并且可以布置或设置为围绕每个组件区域CA或与每个组件区域CA相邻。在这种情况下，可以根据在组件区域CA中分别实现的颜色来单独驱动第二显示面板20的子像素Ps。例如，在第一组件区域可以是红色并且第二组件区域可以是绿色的情况下，可以在第二显示面板20的与第一组件区域对应的部分处驱动红色子像素Pr，并且可以在第二显示面板20的与第二组件区域对应的部分处驱动绿色子像素Pg。
图84A和图84B是根据实施例的显示设备1的一部分或区域的示意性剖视图。图85A至图85B是可以包括在显示设备1中的第二显示面板20的示意性平面图。
参照图84A至图85B，显示设备1可以包括位于第一显示面板10下方的第二显示面板20。第一显示面板10可以是以上参照图1至图80描述的显示面板10。可以通过图2的下盖90容纳第一显示面板10和第二显示面板20。
第二显示面板20可以包括基底200、基底200上的包含薄膜晶体管TFT的电路层、第二发光元件ED2以及它们之间的绝缘层IL。组件40可以布置或设置在第二显示面板20上。换言之，组件40可以安装在第二显示面板20上，因此可以构成第二显示面板20的一部分。
如图85B中所示，可以包括组件40，并且第一组件41和第二组件42可以安装在第二显示面板20上。根据实施例，第一组件41可以是图像传感器或者相机，相机包括图像传感器和可以驱动图像传感器的模块，并且第二组件42可以是被包括作为LED的闪光灯。根据实施例，第一组件41可以是图像传感器或相机，并且第二组件42可以是太阳能电池。三个或更多个组件40可以安装在第二显示面板20上。如上所述，组件40可以是各种装置，诸如红外传感器、虹膜传感器和超声传感器，然而，公开不限于此。
考虑到第二显示面板20的可以布置或设置有第二发光元件ED2的区域可以是第二显示区域DA2，组件40可以布置或设置在第二显示区域DA2的一侧上。第二显示区域DA2的面积可以与第一显示面板10的组件区域CA的面积对应。
第二显示面板20可以在与第一显示面板10保持特定或预定距离的同时相对于第一显示面板10移动。换言之，第二显示面板20可以在x-y平面上移动，同时在z方向上与第一显示面板10保持特定或预定的距离。第二显示面板20可以通过连接到第二显示面板20的移动驱动单元21移动。可以根据控制器23的命令来驱动移动驱动单元21。在这种情况下，移动驱动单元21可以具有各种形状中的任何形状。例如，移动驱动单元21可以包括连接到第二显示面板20的线性马达。根据实施例，移动驱动单元21可以包括连接到第二显示面板20的气缸。在这种情况下，移动驱动单元21可以与第二显示面板20间隔开，并且移动驱动单元21的轴可以连接到第二显示面板20。根据实施例，移动驱动单元21可以包括连接到第二显示面板20的移动块、连接到移动块的滚珠螺杆以及连接到滚珠螺杆以使滚珠螺杆旋转的马达。移动驱动单元21不限于此，并且移动驱动单元21可以包括可以连接到第二显示面板20并使第二显示面板20移动的装置和结构中的任何装置和任何结构。为了便于描述，现在将详细描述移动驱动单元21可以包括线性马达的情况。
第二显示面板20可以连接到引导单元24。在这种情况下，引导单元24可以引导第二显示面板20的移动。引导单元24可以具有各种形状中的任何形状。根据实施例，引导单元24可以包括线性运动引导件。在这种情况下，引导单元24可以包括可以连接到第二显示面板20的块以及块可以在其上滑动的轨道。根据实施例，引导单元24可以具有凹槽形状。在这种情况下，尽管附图中未示出，但是引导单元24可以包括在第二显示面板20中，或者可以在可以布置或设置第二显示面板20的情况下被包括。在这种情况下，第二显示面板20或壳体可以包括可以插入引导单元24中的突起部。为了便于描述，现在将详细描述引导单元24可以包括线性运动引导件的情况。
引导单元24可以布置或设置在各种位置中的任何位置处。例如，根据图84A和图84B，引导单元24可以布置或设置在第二显示面板20的下表面或侧表面上。然而，为了便于描述，现在将详细描述根据图84A和图84B的引导单元24可以布置或设置在第二显示面板20的下表面上的情况。
根据实施例，第二显示面板20可以结合组件40的操作而移动。例如，如图84A中所示，在组件40操作或处于第一状态的情况下，第二显示面板20可以布置或设置为使得组件40可以与第一显示面板10的组件区域CA叠置。如图84B中所示，在组件40不操作或处于第二状态的情况下，第二显示面板20可以定位或设置为使得其中可以布置或设置有第二发光元件ED2的第二显示区域DA2可以与组件区域CA叠置。
详细地，在第二显示面板20移动的情况下，移动驱动单元21可以操作。在移动驱动单元21操作的情况下，第二显示面板20可以沿引导单元24移动。例如，第二显示面板20可以沿引导单元24在引导单元24的长度方向上线性地移动。
被实现为第二发光元件ED2的子像素Ps可以布置或设置在第二显示区域DA2中。子像素Ps可以包括红色、绿色、蓝色和/或白色子像素。第二显示区域DA2的形状可以与第一显示面板10的组件区域CA的形状相同或相似。尽管在图85A和图85B中第二显示区域DA2是圆形的，但是根据组件区域CA的形状，第二显示区域DA2可以具有诸如矩形、正方形和多边形的各种其它形状。
根据实施例，在布置或设置在第二显示区域DA2中的子像素Ps可以与第一显示面板10叠置的情况下，子像素Ps可以布置或设置为与透射区域TA对应。根据实施例，在布置或设置在第二显示区域DA2中的子像素Ps可以与第一显示面板10叠置的情况下，子像素Ps可以布置或设置为围绕组件区域CA的边缘或者与组件区域CA的边缘相邻。子像素Ps可以布置或设置为各种像素布置结构，诸如条结构、圆形结构和pentile结构等。然而，公开不限于此。
图86A是根据实施例的第二显示面板20的示意性平面图，图86B是图86A的第二显示面板20的示意性剖视图。详细地，图86A和图86B示出了包括布置或设置在单个基底上的光接收元件和发光元件的第二显示面板。
参照图86A和图86B，第二显示面板20可以包括通过使用光接收元件(诸如光电二极管)拍摄图像的图像传感器区域IMA以及通过使用发光元件显示图像的第二显示区域DA2。
在图像传感器区域IMA中，光接收像素IPx可以布置或设置为二维(2D)阵列。光接收像素IPx可以包括红色光接收像素IPr、绿色光接收像素IPg和蓝色光接收像素IPb。驱动光接收像素IPx的图像传感器驱动单元IMSD可以布置或设置在图像传感器区域IMA的一侧上。图像传感器可以通过布置或设置在图像传感器区域IMA中的光接收像素IPx的阵列来实现。驱动子像素Ps的第二显示驱动单元27可以布置或设置在第二显示区域DA2的一侧上。
布置或设置在图像传感器区域IMA中的光电二极管PD可以位于基底200内，并且可以电连接到分别包括晶体管Tr的光接收像素电路。绝缘层IL'可以布置或设置在基底200下方，并且布线可以提供或设置在绝缘层IL'中。滤色器462和微透镜464可以布置或设置在光电二极管PD上方。稍后将详细描述上述组件。
布置或设置在第二显示区域DA2中的第二发光元件ED2可以位于基底200上。第二发光元件ED2可以电连接到分别包括薄膜晶体管TFT的像素电路，并且绝缘层IL可以位于第二发光元件ED2与像素电路之间。封装构件ENCM可以布置或设置为覆盖第二发光元件ED2或者与第二发光元件ED2叠置。
图87是布置或设置在图像传感器区域IMA中的光接收像素IPx的电路图，图88是图像传感器区域IMA的示意性剖视图。
如图87中所示，每个光接收像素IPx可以包括光电二极管PD和电连接到光电二极管PD的光接收像素电路RPC。光接收像素电路RPC可以包括传输晶体管Tx、源极跟随器晶体管Sx、复位晶体管Rx和选择晶体管Ax。传输晶体管Tx、源极跟随器晶体管Sx、复位晶体管Rx和选择晶体管Ax可以分别包括传输栅极TG、源极跟随器栅极SF、复位栅极RG和选择栅极SEL。
光电二极管PD可以包括N型杂质区和P型杂质区。传输晶体管Tx的漏极可以与浮动扩散区域FD对应。浮动扩散区域FD可以是复位晶体管Rx的源极。浮动扩散区域FD可以电连接到源极跟随器晶体管Sx的源极跟随器栅极SF。源极跟随器晶体管Sx可以电连接到选择晶体管Ax。复位晶体管Rx、源极跟随器晶体管Sx和选择晶体管Ax可以由相邻的光接收像素IPx共享，因此集成度可以提高。
现在将参照图87简要地描述图像传感器的操作。首先，当光被阻挡时，电力电压VDD可以施加到复位晶体管Rx的漏极和源极跟随器晶体管Sx的漏极，因此可以发射浮动扩散区域FD中剩余的电荷。此后，当复位晶体管Rx截止并且外部光可以入射到光电二极管PD上时，可以在光电二极管PD中产生电子-空穴对。空穴朝向P型杂质注入区移动，并且电子朝向N型杂质注入区移动。当传输晶体管Tx导通时，电荷传输到浮动扩散区域FD并在其中累积。源极跟随器晶体管Sx的栅极偏置电压可以与累积的电荷的量成比例地改变，并且源极跟随器晶体管Sx的源极电位改变。此时，通过使选择晶体管Ax导通，可以经由列线读取由于电荷引起的信号。
参照图88，基底200内的光电二极管PD、像素分离结构410、多重布线层440、滤色器462和微透镜464可以布置或设置在图像传感器区域IMA中。
基底200可以被实现为硅体晶圆或外延晶圆。外延晶圆可以包括经由外延工艺在体晶圆上生长的晶体材料层，即，外延层。基底200不限于体晶圆或外延晶圆，并且可以使用诸如抛光晶圆、退火晶圆和绝缘体上硅(SOI)晶圆的各种晶圆来实现。
基底200可以包括前侧FS和背侧BS。在图88中，基底200的上表面可以表示基底200的背侧BS，并且基底200的下表面可以表示基底200的前侧FS。在下面的描述中，上表面和下表面可以可互换地使用。
如图88中所示，多重布线层440可以布置或设置在前侧FS上，并且滤色器462和微透镜464可以布置或设置在背侧BS上。光可以入射在其上已经布置或设置有微透镜464的背侧BS上。具有如上所述的其中光入射在基底200的背侧BS上的结构的图像传感器可以被称为背侧照明(BSI)图像传感器。具有其中光入射在基底200的前侧FS上的结构的图像传感器可以被称为前侧照明(FSI)图像传感器。
每个光接收像素IPx可以吸收入射光，因此产生并累积与入射光的量对应的电荷。每个光接收像素IPx可以包括提供或设置在基底200内的光电二极管PD和阱区域PW。可以通过经由离子注入工艺在基底200的图像传感器区域IMA中掺杂相反类型的杂质来形成光电二极管PD和阱区域PW。例如，在基底200基于P型外延晶圆的情况下，可以在光电二极管PD中掺杂N型杂质，并且可以在阱区域PW中掺杂P型杂质。光电二极管PD可以从基底200的前侧FS到基底200的背侧BS相对深地设置。阱区域PW可以在基底200的前侧FS上相对浅地设置。
像素分离结构410可以包括侧壁绝缘层411以及布置或设置在侧壁绝缘层411内的导电层413。侧壁绝缘层411可以包括具有与基底200的折射率不同的折射率的绝缘材料。例如，侧壁绝缘层411可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。根据实施例，侧壁绝缘层411可以从基底200的前侧FS延伸到基底200的背侧BS。
导电层413可以包括多晶硅或杂质掺杂的多晶硅。然而，导电层413的材料不限于此。导电层413可以包括任何导电材料，只要导电材料能够填充侧壁绝缘层411内的沟槽即可。例如，导电层413可以包括金属、金属硅化物和含金属的导电材料中的至少一种。
像素分离结构410可以具有诸如网格(或网状)结构的一体连接的结构。因此，导电层413也可以具有诸如网格(或网状)结构的一体连接的结构。因此，导电层413可以是电一体的单个主体。换言之，在可以将电施加到导电层413的一部分的情况下，可以将电施加到整个导电层413。
像素分离结构410的范围可以从基底200的前侧FS到基底200的背侧BS，因此光接收像素IPx可以彼此分离，因此可以防止由于倾斜入射光引起的串扰。光电二极管PD可以与像素分离结构410间隔开，或者可以接触像素分离结构410。在光电二极管PD接触像素分离结构410的情况下，光接收面积可以增加，因此填充因子可以提高，因此量子效率(QE)可以提高。
阱区域PW可以在基底200的前侧FS附近布置或设置在光电二极管PD上方，并且晶体管Tr可以布置或设置在阱区域PW上。图88仅示出了晶体管Tr的栅电极405。根据实施例，栅电极405可以是竖直地布置或设置在阱区域PW内的竖直传输栅极(VTG)。浅沟槽隔离(STI)层403a和403b可以布置或设置在阱区域PW上，因此可以限定晶体管Tr的有源区。STI层403a和403b可以均具有比侧壁绝缘层411的深度小的深度。在一些或预定数量的区域中，STI层403a和像素分离结构410可以彼此结合。例如，像素分离结构410可以通过穿透STI层403a结合到STI层403a。因此，STI层403a和像素分离结构410可以具有在光接收像素IPx之间具备“T”的剖面的形状。
层间绝缘层430和多重布线层440可以位于基底200的前侧FS上。层间绝缘层430可以是多层。例如，层间绝缘层430可以包括第一绝缘层431、第二绝缘层433和第三绝缘层435。包括在层间绝缘层430中的堆叠层的数量不限于三个。例如，层间绝缘层430可以是包括四层或更多层的多层结构。多重布线层440可以包括布线层。例如，多重布线层440可以包括位于第一绝缘层431上的第一布线层441和441a以及位于第二绝缘层433上的第二布线层443。包括在多重布线层440中的堆叠层的数量不限于两个。例如，基于包括在层间绝缘层430中的层的数量，多重布线层440可以包括三个或更多个布线层。
多重布线层440的第一布线层441、441a和第二布线层443可以经由竖直接触件442和442a彼此电连接，并且还可以电连接到基底200的有源区和像素分离结构410的导电层413。多重布线层440可以延伸到图像传感器区域IMA外部的外围电路区域。
抗反射层451、滤色器462和微透镜464可以布置或设置在基底200的背侧BS上。抗反射层451可以布置或设置为防止入射在基底200的背侧BS上的光的反射，并且可以包括氧化铪(HfOx)。然而，抗反射层451的材料不限于此。滤色器462可以布置或设置为阵列结构以与光接收像素IPx对应。根据实施例，滤色器462可以具有包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的拜耳图案结构。根据实施例，滤色器462可以包括黄色滤色器、品红色滤色器和青色滤色器。滤色器462可以包括白色滤色器。
外围电路区域可以布置或设置在图像传感器区域IMA外部。可以处理用于图像的信号的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路可以布置或设置在外围电路区域中。
图89是根据实施例的适用于显示设备的发光元件的透视图。图89的发光元件可以是具有微尺寸或超小尺寸的无机发光二极管ILED，并且可以适用于第一显示面板10和/或第二显示面板20。
参照图89，无机发光二极管ILED可以包括第一半导体层275a、第二半导体层275b、活性层275c、第一电极层275d、第二电极层275e和绝缘层275f。
第一半导体层275a可以是具有第一导电类型的半导体，例如，p型半导体，并且第一半导体层275a可以是均掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。例如，在无机发光二极管ILED发射蓝色或绿色波段中的光的情况下，第一半导体层275a可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(其中，0≤x≤1、0≤y≤1并且0≤x+y≤1)的半导体材料。第一半导体层275a可以掺杂有第一导电掺杂剂，诸如Mg、Zn、Ca、Se或Ba。根据实施例，第一半导体层275a可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。
第二半导体层275b可以是具有第二导电类型的半导体，例如，n型半导体。第二半导体层275b可以是均掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。例如，在无机发光二极管ILED发射蓝色波段中的光的情况下，第二半导体层275b可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(其中，0≤x≤1、0≤y≤1并且0≤x+y≤1)的半导体材料。第二半导体层275b可以掺杂有第二导电掺杂剂，诸如Si、Ge或Sn。例如，第二半导体层275b可以是掺杂有n型Si的n-GaN。
活性层275c位于第一半导体层275a与第二半导体层275b之间。活性层275c可以包括具有单量子或多量子阱结构的材料。在活性层275c可以包括具有多量子阱结构的材料的情况下，活性层275c可以是其中量子层和阱层彼此交替多次的结构。可选择地，活性层275c可以是其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料彼此交替的结构，并且可以根据不同波长的光而包括不同的半导体材料，即，Ⅲ族至Ⅴ族的半导体材料。
根据可以通过第一半导体层275a和第二半导体层275b施加的电信号，活性层275c可以由于电子-空穴对的结合而发射光。由活性层275c发射的光不限于蓝色波段中的光，并且活性层275c可以发射红色波段中的光和绿色波段中的光。例如，在活性层275c发射蓝色波段中的光的情况下，活性层275c可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。例如，在活性层275c可以是其中量子层和阱层彼此交替的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括AlGaN或AlGaInN，并且阱层可以包括GaN或AlInN。例如，通过如上所述包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN，活性层275c可以发射具有在约450nm至约495nm的范围内的中心波段的蓝光。
由活性层275c发射的光不仅可以在无机发光二极管ILED的长度方向上朝向无机发光二极管ILED的外表面发射，而且可以朝向无机发光二极管ILED的两个侧表面发射。换言之，由活性层275c发射的光的方向性不限于一个方向。
第一电极层275d和第二电极层275e可以是欧姆接触电极或肖特基接触电极。无机发光二极管ILED可以包括至少一个电极层，即，第一电极层275d和第二电极层275e。在无机发光二极管ILED可以电连接到外部电极的情况下，可以通过第一电极层275d和/或第二电极层275e减小无机发光二极管ILED与外部电极之间的电阻。第一电极层275d和第二电极层275e可以包括导电金属材料，诸如铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。第一电极层275d和第二电极层275e可以包括n型或p型半导体材料。第一电极层275d和第二电极层275e可以包括相同或相似的材料，或者可以包括不同的材料，但是实施例不限于此。
绝缘层275f可以布置或设置为围绕第一半导体层275a、第二半导体层275b和活性层275c的相应外表面或者与第一半导体层275a、第二半导体层275b和活性层275c的相应外表面相邻。绝缘层275f保护第一半导体层275a、第二半导体层275b和活性层275c。绝缘层275f可以在无机发光二极管ILED的长度方向上使无机发光二极管ILED的两端暴露。换言之，第一电极层275d的端部和第二电极层275e的端部可以不被绝缘层275f覆盖或者不与绝缘层275f叠置。
绝缘层275f可以包括具有绝缘性质的材料，例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)。绝缘层275f可以防止在活性层275c直接与将电信号传输到无机发光二极管ILED的外部电极接触的情况下发生的电短路。因为绝缘层275f保护包括活性层275c的无机发光二极管ILED的外表面，所以可以防止发光效率的劣化。
图90是根据实施例的第二显示面板20的第二显示区域DA2的平面图。图91是沿图90的线VII-VII'截取的示意性剖视图。
参照图90和图91，布置或设置在第二显示区域DA2中的每个子像素Ps可以通过与微型的无机发光二极管ILED对应的第二发光元件ED2来实现。
第二显示面板20可以包括布置或设置在基底200上的电路层PCL和显示元件层EDL。可以布置或设置至少一个薄膜晶体管TFT和至少一个电容器Cst，并且可以在电路层PCL中布置或设置第一栅极绝缘层212、第二栅极绝缘层213、层间绝缘层215和平坦化层217作为绝缘层。因为第二显示面板20的电路层PCL与第一显示面板10的电路层PCL基本相同，所以通过第一显示面板10的电路层PCL的描述来代替第二显示面板20的电路层PCL的描述。可以在显示元件层EDL中布置或设置微型的无机发光二极管ILED作为显示元件。
缓冲层211可以包括在基底200上或设置在基底200上，并且电路层PCL和无机发光二极管ILED可以包括在缓冲层211上或设置在缓冲层211上。
在公开的精神和范围内，基底200可以包括玻璃、塑料等。可选择地，在光电二极管可以包括在基底200的一侧内的情况下，可以包括基底200作为如以上参照图88所描述的硅晶圆。
缓冲层211可以执行阻挡不纯元素经由基底200渗透以及使基底200的表面平坦化的功能，并且可以是包括无机材料(诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx))的单层或多层。
限定子像素Ps的区域的隔堤219可以布置或设置在电路层PCL上。隔堤219可以包括凹部RP，无机发光二极管ILED可以容纳在凹部RP中。隔堤219的高度可以由无机发光二极管ILED的高度和视角确定。凹部RP的尺寸(宽度)可以由第二显示面板20的分辨率、子像素密度等确定。根据实施例，无机发光二极管ILED的高度可以大于隔堤219的高度。尽管在图91中凹部RP为四边形的，但是实施例不限于此。凹部RP可以具有诸如多边形、矩形、圆形、锥形、椭圆形或三角形的各种形状中的任何形状。
第一电极221可以沿凹部RP的侧表面和下表面以及隔堤219的在凹部RP周围的上表面布置或设置。第一电极221经由提供或设置在平坦化层217中的通路孔电连接到薄膜晶体管TFT的源电极S3或漏电极D3。在图91中，第一电极221可以电连接到漏电极D3。
隔堤219可以用作具有低透光率的光阻挡单元，以阻挡发射到无机发光二极管ILED的侧表面的光，从而防止从相邻的无机发光二极管ILED产生的光束的颜色混合。隔堤219可以通过吸收和阻挡外部入射光来提高第二显示面板20的对比度。隔堤219可以包括吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料。隔堤219可以包括绝缘材料，该绝缘材料相对于可见光(例如，在约280nm至约750nm波长的范围内的光)可以是半透明的或不透明的。隔堤219可以包括有机绝缘材料，诸如热塑性树脂(例如，聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯醚、聚酰胺、聚醚酰亚胺、降冰片烯系树脂、甲基丙烯酸树脂或环状聚烯烃系列)、热固性树脂(例如，环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、乙烯基酯树脂、酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂、尿素树脂或三聚氰胺树脂)、聚苯乙烯或聚丙烯腈，但是实施例不限于此。隔堤219可以包括无机绝缘材料，诸如无机氧化物或无机氮化物(例如，SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx或ZnOx)，但是实施例不限于此。根据实施例，隔堤219可以包括不透明材料，诸如黑矩阵材料。黑矩阵材料可以包括绝缘材料，诸如有机树脂、包括玻璃膏和黑色颜料的膏或树脂、金属颗粒(例如，镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)和金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)中的至少一种。根据实施例，隔堤219可以是具有高反射率的分布式布拉格反射器(DBR)或者包括金属的镜反射器。
具有微尺寸的无机发光二极管ILED可以布置或设置在隔堤219的凹部RP中。微尺寸可以表示在约1μm至约100μm的范围内的尺寸，但是实施例不限于此。可以使用尺寸可以大于或小于约1μm至约100μm的范围内的尺寸的发光二极管。无机发光二极管ILED可以被转移机构单独地或共同地从晶圆拾取并转移到基底200，因此可以容纳在基底200的凹部RP中。根据实施例，在可以形成堤219和第一电极221之后，无机发光二极管ILED可以容纳在基底200的凹部RP中。无机发光二极管ILED可以发射特定或预定波长的光，特定或预定波长可以属于范围从UV光到可见光的波长。例如，无机发光二极管ILED可以是红色、绿色、蓝色或白色LED或UV LED。
第一电极221可以是反射电极，并且可以包括一个或更多个层。例如，第一电极221可以包括诸如铝、钼、钛、钛和钨的混合物、银、金的金属或其合金。第一电极221可以包括透明导电层和反射层，透明导电层包括导电材料，诸如透明导电氧化物(TCO)(例如，ITO、IZO、ZnO或In2O3)、碳纳米管膜或透明导电聚合物。根据实施例，第一电极221可以是包括上透明导电层和下透明导电层以及位于上透明导电层与下透明导电层之间的反射层的三层。
第二电极223可以是透明或半透明电极。例如，第二电极223可以包括导电材料，诸如TCO(例如，ITO、IZO、ZnO或In2O3)、碳纳米管膜或透明导电聚合物。第二电极223可以是可以对于子像素Ps共用的公共电极，因此可以提供或设置在整个第二显示区域DA2之上。
钝化层240可以在凹部RP内围绕无机发光二极管ILED或者与无机发光二极管ILED相邻。钝化层240可以覆盖隔堤219和无机发光二极管ILED或者与隔堤219和无机发光二极管ILED叠置。钝化层240具有可以不覆盖无机发光二极管ILED的上部(例如，第二电极层275e)或者不与无机发光二极管ILED的上部(例如，第二电极层275e)叠置的高度，因此可以使第二电极层275e暴露。钝化层240可以包括有机绝缘材料。例如，在公开的精神和范围内，钝化层240可以包括亚克力、PMMA、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂、聚酯等。可以电连接到无机发光二极管ILED的图89的暴露的第二电极层275e的第二电极223可以提供或设置在钝化层240上方。
当电压施加到第一电极221和第二电极223时，无机发光二极管ILED发射光，并且发射的光填充隔堤219的凹部RP。换言之，每个子像素Ps的尺寸可以由其上可以布置或设置无机发光二极管ILED的隔堤219的凹部RP来限定。
尽管实施例描述了微型的无机发光二极管ILED可以应用于第二显示面板20的情况，但是实施例的结构也可以适用于第一显示面板10。
图92和图93是第二显示面板20的第二显示区域DA2的示例的平面图。
参照图92，第二显示区域DA2的子像素Ps可以由作为微尺寸或纳米尺寸的无机发光二极管被包括的无机发光二极管ILED来实现。每个无机发光二极管ILED可以设置在第一电极271与第二电极273之间并且可以发射光。
第一电极271可以是阳极电极，并且第二电极273可以是阴极电极。第一电极271和第二电极273可以分别包括均在第一方向(x方向)上延伸的第一电极主干271S和第二电极主干273S以及分别在与第一方向(x方向)相交的第二方向(y方向)上分别从第一电极主干271S和第二电极主干273S延伸的至少一个第一电极分支271B和至少一个第二电极分支273B。
第一电极271可以包括在第一方向(x方向)上延伸的第一电极主干271S和从第一电极主干271S生长出来并在第二方向(y方向)上延伸的至少一个第一电极分支271B。
第一电极主干271S可以与驱动子像素Ps的第一电极主干271S电分离，该子像素Ps可以在第一方向(x方向)上与对应于前一个第一电极主干271S的子像素Ps相邻。第一电极主干271S可以与子像素Ps的第一电极主干271S间隔开，该子像素Ps可以在第一方向(x方向)上与对应于前一个第一电极主干271S的子像素Ps相邻。第一电极主干271S可以经由第一电极接触孔CNTD电连接到薄膜晶体管。
第一电极分支271B可以在第二方向(y方向)上与第二电极主干273S间隔开。第一电极分支271B可以在第一方向(x方向)上与第二电极分支273B间隔开。
第二电极273可以包括在第一方向(x方向)上延伸的第二电极主干273S和从第二电极主干273S生长出来并在第二方向(y方向)上延伸的第二电极分支273B。
第二电极主干273S可以电连接到驱动子像素Ps的第二电极主干273S，该子像素Ps可以在第一方向(x方向)上与对应于前一个第二电极主干273S的子像素Ps相邻。第二电极分支273B可以在第二方向(y方向)上与第一电极主干271S间隔开。第二电极分支273B可以在第一方向(x方向)上与第一电极分支271B间隔开。第二电极分支273B可以在第一方向(x方向)上位于第一电极分支271B之间。
尽管在图92中第一电极分支271B和第二电极分支273B均在第二方向(y方向)上延伸，但是实施例不限于此。例如，第一电极分支271B和第二电极分支273B中的每个可以部分地具有曲率或者可以弯曲。如图93中所示，一个电极可以围绕另一电极或与另一电极相邻。
在图93中，第二电极273可以是基本上圆形的，第一电极271可以布置或设置为围绕第二电极273或者与第二电极273相邻，环形孔HOL可以设置在第一电极271与第二电极273之间，并且第二电极273可以经由第二电极接触孔CNTS接收阴极电压。在图93的实施例中，无机发光二极管ILED可以在各个方向上布置或设置，因此可以根据视角提供均匀的亮度。
通过将第一电极271和第二电极273布置为使得其至少部分区域可以彼此间隔开并且可以彼此面对，在其中可以布置或设置无机发光二极管ILED的空间可以设置在第一电极271与第二电极273之间的情况下，第一电极分支271B和第二电极分支273B可以均具有任何形状。
每个无机发光二极管ILED可以位于第一电极271与第二电极273之间。无机发光二极管ILED的一端可以电连接到第一电极271，并且其另一端可以电连接到第二电极273。无机发光二极管ILED可以彼此间隔开。无机发光二极管ILED可以基本并排布置或设置。
每个无机发光二极管ILED可以具有与杆、线或管的形状基本对应的形状。例如，无机发光二极管ILED可以具有如图93中所示的基本上圆柱形的形状或杆形状。然而，无机发光二极管ILED的形状不限于此。无机发光二极管ILED可以具有与多面体(诸如立方体、直角棱柱或六面体)的形状基本对应的形状，或者可以具有在一个方向上延伸但可以有部分倾斜的外表面的形状。无机发光二极管ILED可以具有在约1μm至约10μm或约2μm至约6μm(例如，约3μm至约5μm)的范围内的长度。无机发光二极管ILED可以具有在约300nm至约700nm的范围内的直径，并且无机发光二极管ILED的纵横比可以在约1.2至约100的范围内。
接触电极274可以包括第一接触电极274a和第二接触电极274b。第一接触电极274a和第二接触电极274b可以均在第二方向(y方向)上延伸。
第一接触电极274a可以位于第一电极分支271B上，并且可以连接到第一电极分支271B。第一接触电极274a可以接触无机发光二极管ILED的一端。第一接触电极274a可以位于第一电极分支271B与无机发光二极管ILED之间。因此，无机发光二极管ILED可以经由第一接触电极274a电连接到第一电极271。
第二接触电极274b可以位于第二电极分支273B上，并且可以连接到第二电极分支273B。第二接触电极274b可以接触无机发光二极管ILED的另一端。第二接触电极274b可以位于第二电极分支273B与无机发光二极管ILED之间。因此，无机发光二极管ILED可以经由第二接触电极274b电连接到第二电极273。
第一接触电极274a的宽度(或在第一方向(x方向)上的长度)可以大于第一电极分支271B的宽度(或在第一方向(x方向)上的长度)，并且第二接触电极274b的宽度(或在第一方向(x方向)上的长度)可以大于第二电极分支273B的宽度(或在第一方向(x方向)上的长度)。
外部隔堤235可以位于子像素Ps之间。外部隔堤235可以均在第二方向(y方向)上延伸。每个子像素Ps的在第一方向(x方向)上的长度可以被定义为外部隔堤235之间的距离。
图94是沿图92的线VIII-VIII'截取的示意性剖视图。
参照图94，第二显示面板20可以包括布置或设置在基底200上的电路层PCL和显示元件层EDL。电路层PCL可以包括至少一个薄膜晶体管TFT和至少一个电容器Cst。因为第二显示面板20的电路层PCL与第一显示面板10的电路层PCL基本相同，所以通过第一显示面板10的电路层PCL的描述来代替第二显示面板20的电路层PCL的描述。
显示元件层EDL可以包括第一内部隔堤231、第二内部隔堤233、第一电极271、第二电极273、接触电极274、无机发光二极管ILED、第一绝缘层281、第二绝缘层282和第三绝缘层283。
第一内部隔堤231、第二内部隔堤233和外部隔堤235可以布置或设置在平坦化层217上。第一内部隔堤231、第二内部隔堤233和外部隔堤235可以从平坦化层217的上表面突出。第一内部隔堤231、第二内部隔堤233和外部隔堤235可以均具有梯形剖面，但是实施例不限于此。第一内部隔堤231、第二内部隔堤233和外部隔堤235中的每个可以包括与平坦化层217的上表面接触的下表面、面对下表面的上表面以及位于上表面与下表面之间的侧表面。第一内部隔堤231的侧表面、第二内部隔堤233的侧表面和外部隔堤235的侧表面可以是倾斜的。
第一内部隔堤231和第二内部隔堤233可以彼此间隔开。第一内部隔堤231和第二内部隔堤233中的每个可以包括有机层，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。
第一电极分支271B可以位于第二内部隔堤233上，并且第二电极分支273B可以位于第一内部隔堤231上。第一电极分支271B可以连接到第一电极主干271S，并且第一电极主干271S可以在第一电极接触孔CNTD中电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极D3。因此，第一电极271可以从薄膜晶体管TFT的漏电极D3接收电压。
第一电极271和第二电极273可以包括具有高反射率的导电材料。例如，第一电极271和第二电极273可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属。因此，由无机发光二极管ILED发射的光之中朝向第一电极271和第二电极273行进的光可以被第一电极271和第二电极273反射，并且因此可以行进到无机发光二极管ILED上方。
第一绝缘层281可以位于第一电极271和第二电极分支273B上。第一绝缘层281可以覆盖第一电极主干271S、布置或设置在第一内部隔堤231的侧表面上的第一电极分支271B以及布置或设置在第二内部隔堤233的侧表面上的第二电极分支273B或者与它们叠置。位于第二内部隔堤233的上表面上的第一电极分支271B和位于第一内部隔堤231的上表面上的第二电极分支273B可以不被第一绝缘层281覆盖或者不与第一绝缘层281叠置。第一绝缘层281可以定位或设置在外部隔堤235上。第一绝缘层281可以包括无机层，例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
无机发光二极管ILED可以设置在第一绝缘层281上，第一绝缘层281布置或设置在第一内部隔堤231与第二内部隔堤233之间。无机发光二极管ILED的一端可以与第一内部隔堤231相邻，并且其另一端可以与第二内部隔堤233相邻。
第二绝缘层282可以布置或设置在无机发光二极管ILED上。第二绝缘层282可以包括无机层，例如，氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化铝(Al2O3)。
第一接触电极274a可以位于未被第一绝缘层281覆盖或不与第一绝缘层281叠置的第一电极分支271B上，并且可以接触无机发光二极管ILED的一端。第一接触电极274a还可以位于第二绝缘层282上。
第三绝缘层283可以设置在第一接触电极274a上。第三绝缘层283可以覆盖第一接触电极274a或与第一接触电极274a叠置，以将第一接触电极274a和第二接触电极274b彼此电分离。第三绝缘层283可以包括无机层，例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
第二接触电极274b可以位于未被第一绝缘层281覆盖或不与第一绝缘层281叠置的第二电极分支273B上，并且可以接触无机发光二极管ILED的另一端。第二接触电极274b还可以在第二绝缘层282和第三绝缘层283上。
如此，第二显示区域DA2的子像素Ps可以通过无机发光二极管ILED来实现。尽管实施例描述了可以将具有超小尺寸的微型无机发光二极管ILED应用于第二显示面板20的情况，但是实施例的结构也可以适用于第一显示面板10。
图95是根据实施例的显示设备1的示意性剖视图。
参照图95，显示设备1可以包括第一显示面板10和位于第一显示面板10下方的第二显示面板20。可以通过图2的下盖90容纳第一显示面板10和第二显示面板20。
第一显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。根据实施例的第一显示面板10与上述显示面板10的不同之处可以在于在组件区域CA中可以不布置或设置发光元件，并且组件区域CA可以仅包括透射区域TA。布置或设置在主显示区域MDA中的第一发光元件ED1在第三方向(z方向)上发射光LP1，因此第一显示面板10可以显示图像。
第二显示面板20可以包括布置或设置在基底200上的第二发光元件ED2和作为光接收元件的光电二极管PD。第二发光元件ED2可以在第三方向(z方向)上发射光LP1，因此第二显示面板20显示图像。第二显示面板20的光电二极管PD可以接收可以在与第三方向(z方向)相反的方向(-z方向)上入射的外部光。光电二极管PD可以用作图像传感器或太阳能电池的电池单体。布置或设置在第二显示面板20中的第二发光元件ED2和光电二极管PD可以彼此交替。
第二显示面板20可以与第一显示面板10的组件区域CA或透射区域TA叠置，因此可以经由第一显示面板10的透射区域TA在视觉上识别可以由第二显示面板20的第二发光元件ED2显示的图像，并且经由透射区域TA入射的外部光可以由第二显示面板20的光电二极管PD接收。
图96是图95的第二显示面板20的实施例的示意性平面图。
参照图96，第二显示面板20可以包括通过将显示图像的区域与拍摄图像的区域进行集成而获得的集成区域IMDA。集成区域IMDA可以具有与图95的第一显示面板10的组件区域CA或透射区域TA的尺寸和形状相同的尺寸和形状。
在集成区域IMDA中，包括由图95的第二发光元件ED2实现的子像素Ps的发光像素组EPG以及包括包含图95的光电二极管PD的光接收像素IPx的光接收像素组IPG可以在第一方向(x方向)和/或第二方向(y方向)上彼此交替。因为集成区域IMDA可以能够通过使用显示元件来实现图像，所以集成区域IMDA可以与第二显示区域对应。
发光像素组EPG可以包括红色、绿色和蓝色子像素Ps，并且光接收像素组IPG可以包括红色、绿色和蓝色光接收像素IPx。包括在发光像素组EPG中的像素的数量、包括在光接收像素组IPG中的像素的数量、包括在发光像素组EPG中的像素的布置以及包括在光接收像素组IPG中的像素的布置可以变化。
图97是根据实施例的显示设备1的一部分或区域的示意性剖视图。图98是图97的显示设备1的第二显示面板20的示例的平面图。
参照图97和图98，显示设备1可以包括第一显示面板10和位于第一显示面板10下方的第二显示面板20。图97和图98的显示设备1与图95的实施例的不同之处可以在于第二显示面板20可以包括可以根据连接的电路发射或接收光的发光和光接收元件ERD。
第一显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。根据实施例，整个组件区域CA与透射区域TA对应。布置或设置在主显示区域MDA中的第一发光元件ED1可以在第三方向(z方向)上发射光，并且可以在第一显示面板10中显示图像。
第二显示面板20可以包括布置或设置在基底200上的发光和光接收元件ERD。发光和光接收元件ERD可以是PN二极管或PIN二极管。在可以将电压施加到作为PN二极管或PIN二极管的发光和光接收元件ERD中的每个的两端的情况下，可以发射光。在光可以入射到发光和光接收元件ERD上的情况下，可以产生电流。
根据实施例，发光和光接收元件ERD中的每个可以经由开关电连接到驱动光发射的第一像素电路和驱动光接收的第二像素电路。第一像素电路可以是参照图11A和图11B描述的像素电路PC。第二像素电路可以是以上参照图87描述的光接收像素电路RPC。
因此，在发光和光接收元件ERD可以作为发光元件驱动的情况下，发光和光接收元件ERD可以电连接到第一像素电路，并且在发光和光接收元件ERD可以作为光接收元件驱动的情况下，发光和光接收元件ERD可以电连接到第二像素电路。
发光和光接收元件ERD可以布置或设置在第二显示面板20的集成区域IMDA中。滤色器可以布置或设置在发光和光接收元件ERD上方，因此实现图像的红色、绿色和蓝色发光像素或者拍摄图像的红色、绿色和蓝色光接收像素可以通过发光和光接收元件ERD来实现。因为集成区域IMDA中的发光和光接收元件ERD可以实现图像，所以集成区域IMDA可以与根据以上描述的实施例的第二显示区域对应。
图像传感器驱动单元IMSD和第二显示驱动单元27可以布置或设置在集成区域IMDA外部的外围区域中。图像传感器驱动单元IMSD和第二显示驱动单元27可以电连接到集成驱动单元IMDD。在通过发光和光接收元件ERD实现图像的情况下，集成驱动单元IMDD可以驱动第二显示驱动单元27的驱动信号传输到可以驱动发光和光接收元件ERD的第一像素电路。在通过发光和光接收元件ERD拍摄图像的情况下，集成驱动单元IMDD可以驱动图像传感器驱动单元IMSD的驱动信号传输到可以驱动发光和光接收元件ERD的第二像素电路。
图99是根据实施例的显示面板10的一部分或区域的示意性剖视图。详细地，图99主要描述了显示面板10的基底100可以包括与组件区域CA对应的通孔100H。图99的实施例与图17的实施例的不同之处可以在于在显示面板10的组件区域CA中可以不布置或设置辅助子像素，并且在基底100中包括通孔100H以与组件区域CA对应。
显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。主子像素Pm可以布置或设置在主显示区域MDA中，并且透射区域TA可以布置或设置在组件区域CA中。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的主像素电路PC以及作为电连接到主像素电路PC的显示元件的主有机发光二极管OLED可以布置或设置在主显示区域MDA中。
基底100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL可以顺序地堆叠，并且薄膜封装层TFEL可以作为封装构件ENCM布置或设置在显示面板10中的显示元件层EDL上方。薄膜封装层TFEL可以包括可以顺序地堆叠的第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133。
根据实施例，基底100可以包括与组件区域CA对应的通孔100H。在+z方向上从基底100的上表面突出的坝单元160可以布置或设置在基底100的通孔100H周围。
可以包括坝单元160以防止薄膜封装层TFEL的有机封装层132朝向通孔100H溢出。可以通过涂覆和固化单体来形成有机封装层132，并且可以通过坝单元160来控制单体的流动。因此，有机封装层132的端部可以定位或设置在坝单元160的可以远离通孔100H的一侧。坝单元160可以布置或设置为围绕通孔100H或与通孔100H相邻。
坝单元160可以具有多层结构。例如，坝单元160可以是第一层161和第二层163的堆叠体。第一层161可以包括与无机绝缘层IIL的材料相同或相似的材料，并且第二层163可以包括与平坦化层117的材料相同或相似的材料。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可以在坝单元160的可以与通孔100H相邻的一侧彼此接触。因此，可以防止可能会经由通孔100H进入的外部空气和湿气渗透到显示元件层EDL中。
在实施例中，已经描述了通孔100H包括在显示面板10的基底100中的情况和薄膜封装层TFEL可以作为封装构件ENCM应用的情况。然而，封装基底可以适用于作为封装构件ENCM。在封装基底可以用作封装构件ENCM的情况下，可以在通孔100H周围引入可以将基底100与封装基底结合的密封剂。
图100是根据实施例的显示面板10的组件区域CA的示意性剖视图。图100的实施例与图17的实施例的不同之处可以在于光电二极管PD可以作为光接收元件布置或设置在显示面板10的组件区域CA中。
显示面板10的组件区域CA可以包括发光区域LEA和光接收区域LRA。在发光区域LEA中，可以布置或设置包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PC'以及电连接到辅助像素电路PC'的作为显示元件的辅助有机发光二极管OLED'。
包括光接收薄膜晶体管TFTr的光接收像素电路RPC和电连接到光接收像素电路RPC的作为光接收元件的光电二极管PD可以布置或设置在光接收区域LRA中。光接收薄膜晶体管TFTr可以包括半导体层A4、栅电极G4、源电极S4和漏电极D4，并且可以布置或设置在电路层PCL中。
光电二极管PD可以是第一电极171、活性层173和第二电极175的堆叠体。第一电极171可以位于像素限定层119上方，并且可以经由接触孔电连接到光接收薄膜晶体管TFTr的一个电极。第一电极171可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且可以是包括前述材料的多层或单层。
第二电极175可以设置在活性层173上方，并且可以经由接触孔电连接到布置或设置在平坦化层117上的偏置布线BiasL。第二电极175可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
活性层173可以具有其中n型导电半导体层和p型导电半导体层堆叠的结构，或者可以具有其中n型导电半导体层、本征半导体层和p型导电半导体层堆叠的结构。活性层173可以包括非晶硅(a-Si)、非晶硅锗(a-SiGe)、氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)。
第一保护层191可以布置或设置为覆盖光电二极管PD的侧表面或者与光电二极管PD的侧表面叠置，并且位于第一保护层191上的第二保护层193可以布置或设置为覆盖光电二极管PD的上表面或者与光电二极管PD的上表面叠置。第一保护层191和第二保护层193中的每个可以包括有机或无机绝缘材料。
因为光电二极管PD通过吸收外光而产生电流，所以光电二极管PD可以用作图像传感器或太阳能电池的电池单体。
图101A至图101C是适用于图100的光电二极管PD的示意性剖视图。
参照图101A，光电二极管PD可以是第一电极171、n型导电半导体层173a、本征半导体层173b、p型导电半导体层173c和第二电极175的堆叠体。
根据实施例，本征半导体层173b可以包括非晶硅锗(a-SiGe)，n型导电半导体层173a可以包括掺杂有n型杂质的非晶硅锗(a-SiGe)，并且p型导电半导体层173c可以包括掺杂有p型杂质的非晶硅(a-Si)。
根据实施例，本征半导体层173b可以包括非晶碳化硅(a-SiC)，n型导电半导体层173a可以包括掺杂有n型杂质的非晶碳化硅(a-SiC)，并且p型导电半导体层173c可以包括掺杂有p型杂质的非晶硅(a-Si)。
参照图101B，光电二极管PD可以是第一电极171、n型导电半导体层173a、p型导电半导体层173c和第二电极175的堆叠体。
根据实施例，n型导电半导体层173a可以包括掺杂有n型杂质的非晶硅锗(a-SiGe)，并且p型导电半导体层173c可以包括掺杂有p型杂质的非晶硅(a-Si)。
根据实施例，n型导电半导体层173a可以包括掺杂有n型杂质的非晶碳化硅(a-SiC)，并且p型导电半导体层173c可以包括掺杂有p型杂质的非晶硅(a-Si)。
参照图101C，可以通过在第一电极171、n型导电半导体层173a、本征半导体层173b、p型导电半导体层173c和第二电极175中的至少一个的表面上提供不规则部或纹理来获得光电二极管PD。不规则部或纹理可以降低第二电极175上方的光反射率，并且可以增加光路，从而可以提高光电二极管PD的发光效率。不规则部或纹理可以经由各种方法形成。例如，可以通过湿法蚀刻、干法蚀刻或使用激光的图案化来形成不规则部或纹理。
图102A是根据实施例的显示面板10的组件区域CA的示意性平面图。图102B是图102A的实施例的示意性剖视图。
参照图102A和图102B，根据实施例的显示面板10可以通过使用被实现为有机发光二极管OLED和OLED'的主子像素Pm和辅助子像素Pa来实现图像，并且可以通过使用包括光电二极管PD的光接收像素IPx来拍摄图像。根据实施例的显示面板10与上述实施例的不同之处可以在于图像传感器区域IMA而不是透射区域TA可以布置或设置在组件区域CA中。
根据实施例，因为显示面板10的主显示区域MDA可以对应于上述各种实施例，所以将省略其描述。图100和图102B中相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复描述。
显示面板10的组件区域CA可以包括其中可以布置或设置有辅助子像素Pa的发光区域LEA以及其中可以布置或设置有光接收像素IPx的图像传感器区域IMA。在发光区域LEA中，可以布置或设置均包括辅助子像素Pa的像素组PG。尽管在图102A中包括在每个像素组PG中的辅助子像素Pa可以以pentile结构布置或设置，但是包括在每个像素组PG中的辅助子像素Pa可以以如以上参照图13A至图15描述的各种像素布置结构布置或设置。包括在像素组PG中的辅助子像素Pa可以包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb。
在图像传感器区域IMA中，光接收像素IPx可以布置或设置为二维(2D)阵列。光接收像素IPx可以包括红色光接收像素IPr、绿色光接收像素IPg和蓝色光接收像素IPb。尽管在图102A中光接收像素IPx可以以拜耳图案布置或设置，但是光接收像素IPx可以以各种其它图案布置或设置。发光区域LEA和图像传感器区域IMA可以在x方向和/或y方向上彼此交替。
参照图102B，作为辅助显示元件的辅助有机发光二极管OLED'和电连接到辅助有机发光二极管OLED'的辅助像素电路PC'可以布置或设置在基底100上，以与显示面板10的发光区域LEA对应。辅助像素电路PC'可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
光电二极管PD和电连接到光电二极管PD的光接收像素电路RPC可以布置或设置在基底100上，以与显示面板10的图像传感器区域IMA对应。光电二极管PD可以是均包括非晶硅半导体的PIN二极管或PN二极管。
封装构件ENCM可以布置或设置为覆盖辅助有机发光二极管OLED'和光电二极管PD或者与辅助有机发光二极管OLED'和光电二极管PD叠置。封装构件ENCM可以是薄膜封装层TFEL或封装基底ENS。
触摸屏层TSL可以设置在封装构件ENCM上。根据实施例，触摸屏层TSL可以包括与图像传感器区域IMA对应的开口。
滤光片180可以布置或设置在触摸屏层TSL上方。滤光片180可以包括滤色器182和黑矩阵183。
滤色器182可以布置或设置为与辅助有机发光二极管OLED'的发光区域和光电二极管PD的光接收区域对应。可以通过考虑分别由辅助子像素Pa发射的光束的颜色或分别由光接收像素IPx接收的光束的颜色来布置或设置滤色器182。例如，根据由辅助有机发光二极管OLED'发射的光的颜色和由光接收像素IPx接收的光的颜色，每个滤色器182可以具有红色、绿色或蓝色。
黑矩阵183可以是用于防止相邻像素之间的颜色干扰以提高颜色清晰度和对比度的构件。黑矩阵183可以设置在辅助子像素Pa之间以及光接收像素IPx之间。在公开的精神和范围内，黑矩阵183可以包括Cr、CrOx、Cr/CrOx、Cr/CrOx/CrNy、树脂(例如，碳颜料或RGB混合颜料)、石墨、非Cr基材料等。
微透镜190可以布置或设置在滤色器182上方以与图像传感器区域IMA对应。微透镜190可以包括用于一个光接收像素IPx的一个凸透镜。微透镜190的布置可以增加入射在光电二极管PD上的光的量。微透镜190可以嵌入盖窗50中。图像传感器可以通过布置或设置在图像传感器区域IMA中的光接收像素IPx的阵列来实现。图像传感器驱动单元可以布置或设置在显示面板10的图10的外围区域DPA中或者与显示面板10电连接的电路板(未示出)中，以驱动光接收像素IPx。
根据实施例，光电二极管PD可以布置或设置在基底100上。然而，根据实施例，如图88中所示，光电二极管PD可以布置或设置在基底100内。以这种方式，可以进行各种修改。
图103是根据实施例的显示设备的示意性剖视图。
参照图103，显示设备1可以包括如以上参照图1和图2描述的盖窗50、显示面板10、显示电路板(未示出)、显示驱动单元(未示出)、触摸传感器驱动单元(未示出)、组件单元(未示出)、支架60、主电路板70、电池80和下盖90。
组件单元可以包括组件40和相机731中的至少一个。组件40和相机731与以上参照图1和图2描述的组件40和相机731相同或相似，因此这里省略其详细描述。
显示设备1可以包括用于将存在于显示设备1的外表面上的光引导到显示设备1中(即，引导到组件40和相机731中的至少一个)的导光单元300。例如，导光单元300可以将入射在组件区域CA上的光引导到组件40和相机731中的至少一个。导光单元300还可以将从下盖90的外表面入射的光引导到组件40和相机731中的至少一个。为了便于描述，现在将详细描述导光单元300将光引导到组件40的情况。
在这样的情况下，组件40可以布置或设置为面对从支架60到下盖90的方向(例如，图103中的-z方向)。换言之，组件40可以布置或设置为面对可以与组件区域CA可以沿其布置或设置的方向相反的方向。在这种情况下，下盖90可以包括与组件40和相机731中的至少一个对应的孔。例如，下盖90可以包括与组件40对应的组件孔(未示出)以及提供或设置为与相机731对应的第二相机孔CMH2。这些孔不限于前述位置。第二相机孔CMH2可以布置或设置为与组件40对应，并且组件孔可以布置或设置为与相机731对应。为了便于描述，组件40可以布置或设置为与下盖90的第二相机孔CMH2对应。
导光单元300可以包括光引导件310、第一路径改变器320、路径改变驱动器330、第二路径改变器340和遮光器350。
光引导件310可以包括透射材料并且可以引导光。光引导件310可以弯曲至少一次。光引导件310可以包括透光树脂、玻璃、亚克力或硅。遮蔽层可以布置或设置在光引导件310的外表面上以遮蔽外部光。在这种情况下，遮蔽层可以以膜的形式附着到光引导件310的外表面上，或者可以涂覆在光引导件310的外表面上。
第一路径改变器320可以改变可以沿光引导件310入射的光的路径。在这种情况下，第一路径改变器320可以反射可以入射在组件区域CA上并且可以沿光引导件310传输的光，并使光入射在组件40上。第一路径改变器320可以设置为各种形状。根据实施例，第一路径改变器320可以包括镜。根据实施例，第一路径改变器320可以包括涂覆在其外表面上的光反射金属层。
路径改变驱动器330可以连接到第一路径改变器320，并且可以改变第一路径改变器320的位置。例如，路径改变驱动器330可以连接到第一路径改变器320并且可以使第一路径改变器320旋转。根据实施例，路径改变驱动器330可以连接到第一路径改变器320，并且可以使第一路径改变器320线性地移动。为了便于描述，现在将详细描述路径改变驱动器330使第一路径改变器320旋转的情况。
路径改变驱动器330可以包括可以连接到第一路径改变器320的马达。根据实施例，路径改变驱动器330可以包括气缸，该气缸可以连接到第一路径改变器320，使得气缸可以相对于第一路径改变器320的旋转中心偏心。路径改变驱动器330不限于此，并且其中可以存在连接到第一路径改变器320并旋转第一路径改变器320的能力的所有情况可以应用到路径改变驱动器330。
第二路径改变器340可以布置或设置在光引导件310中，并且可以通过反射入射在组件区域CA上的光来改变光路径。在这种情况下，第二路径改变器340可以包括可以与第一路径改变器320中包括的材料相同或相似的材料。第二路径改变器340可以固定到光引导件310。
在路径改变驱动器330操作的情况下，遮光器350可以遮蔽入射在组件区域CA上的光。在这种情况下，遮光器350可以布置或设置在各种位置中的任何位置处。例如，遮光器350可以布置或设置在光引导件310中，并且可以选择性地遮蔽穿过光引导件310的光。根据实施例，遮光器350可以布置或设置在支架60上，并且可以选择性地阻挡组件孔CPH和第一相机孔CMH1中的至少一个。在这种情况下，入射在组件孔CPH和第一相机孔CMH1中的一个上的光可以入射在组件40和相机731中的一个上。在这种情况下，入射在组件孔CPH和第一相机孔CMH1中的另一个上的光可以入射在组件40和相机731中的另一个上。为了便于描述，现在将聚焦于并详细描述入射在组件孔CPH上的光可以经由导光单元300入射在组件40上并且遮光器350可以布置或设置在支架60上并选择性地遮蔽组件孔CPH的情况。
遮光器350可以设置为各种形状。根据实施例，遮光器350可以包括可以根据外部信号改变为透明或不透明的膜或窗。根据实施例，遮光器350可以包括选择性地遮蔽组件孔CPH的遮蔽器351以及连接到遮蔽器351以移动遮蔽器351的遮蔽驱动器352。在这种情况下，遮蔽驱动器352可以包括马达以及可以连接到马达和遮蔽器351的滚珠螺杆。根据实施例，遮蔽驱动器352可以包括可以连接到遮蔽器351的线性马达。根据实施例，遮蔽驱动器352可以包括可以连接到遮蔽器351的气缸。根据实施例，遮蔽驱动器352可以包括马达、齿轮和齿条，齿条可以连接到齿轮并且连接到遮蔽器351。遮蔽驱动器352不限于此，并且可以包括可以连接到遮蔽器351并使遮蔽器351线性地移动的任何结构。
在具有上述结构的显示设备1的操作中，组件40可以感测可以从显示设备1的前表面(例如，在显示面板10操作的情况下其上显示图像的表面)入射的光。
在这种情况下，路径改变驱动器330可以定位第一路径改变器320，使得第一路径改变器320可以遮蔽可能会入射在下盖90的第二相机孔CMH2上的光。在这种情况下，第一路径改变器320可以完全遮蔽第二相机孔CMH2，并且可以与组件40的一个表面成角度地布置或设置。已经穿过组件区域CA的光可以沿光引导件310行进，并且可以被第二路径改变器340反射并入射到第一路径改变器320上。已经被第一路径改变器320反射的光可以最终入射在组件40上。
另一方面，在显示设备1感测到可能会从下盖90的外表面(例如，在显示面板10操作的情况下其上不会显示图像的表面)入射的光的情况下，路径改变驱动器330可以使第一路径改变器320旋转。此时，第一路径改变器320可以根据图103顺时针旋转，因此可以不与第二相机孔CMH2叠置。在这种情况下，光可以穿过第二相机孔CMH2并且入射在组件40上。此时，入射在组件区域CA上的光可以经由光引导件310入射在第一路径改变器320上，但是在被第一路径改变器320反射之后不会最终入射在组件40上。根据实施例，在可以包括遮光器350的情况下，遮光器350可以遮蔽经由光引导件310入射的光。
因此，显示设备1可以经由单个组件40或单个相机731感测从显示设备1的两个不同表面入射的光束。
图104是根据实施例的显示设备的一部分或区域的示意性剖视图。
参照图104，显示设备(未示出)可以与图103的显示设备1类似。现在将聚焦于并详细描述图103与图104之间的差异。
导光单元300可以包括光引导件310、第一路径改变器320、路径改变驱动器330和第二路径改变器340。光引导件310和第一路径改变器320与以上参照图103描述的光引导件310和第一路径改变器320相同或相似，因此这里省略其详细描述。
路径改变驱动器330可以连接到第一路径改变器320并且可以使第一路径改变器320线性地移动。此时，路径改变驱动器330可以连接到第一路径改变器320的侧表面，以使对经由第二相机孔CMH2入射的光的干扰最小化。在这种情况下，路径改变驱动器330可以不与第二相机孔CMH2叠置。
路径改变驱动器330可以包括使第一路径改变器320线性地移动的线性驱动器331和线性引导件332。在这种情况下，线性驱动器331可以设置为各种形状。根据实施例，线性驱动器331可以包括马达以及可以连接到马达和第一路径改变器320的滚珠螺杆。根据实施例，线性驱动器331可以包括可以连接到第一路径改变器320的线性马达。根据实施例，线性驱动器331可以包括可以连接到第一路径改变器320的气缸。线性驱动器331不限于此，并且可以包括可以连接到第一路径改变器320并使第一路径改变器320线性地移动的任何装置。线性引导件332可以连接到第一路径改变器320，并且可以在第一路径改变器320线性地移动的情况下引导第一路径改变器320的线性移动。在线性驱动器331可以包括马达的情况下，线性引导件332可以与线性驱动器331成一体。根据实施例，线性引导件332可以包括线性运动引导件，线性运动引导件可以与线性驱动器331分开地被包括。
第二路径改变器340可以包括棱镜。在这种情况下，第二路径改变器340可以将入射在组件区域CA上的光全反射至少一次，并且可以使全反射的光朝向第一路径改变器320移动。
在显示设备的操作中，根据用户的选择，入射在组件区域CA上的光可以入射在组件40和相机731中的至少一个上，或者已经穿过第二相机孔CMH2的光可以入射在组件40和相机731中的至少一个上。为了便于描述，现在将详细描述导光单元300将光引导到组件40的情况。
在仅感测到入射在组件区域CA上的光的情况下，路径改变驱动器330可以驱动第一路径改变器320以遮蔽第二相机孔CMH2。在这种情况下，第一路径改变器320可以完全遮蔽第二相机孔CMH2，并且可以与组件40的一个表面成角度地布置或设置。
入射在组件区域CA上的光可以穿过组件孔CPH并且可以入射在光引导件310上。光可以在光引导件310内行进，可以被第二路径改变器340全反射，并且可以经由光引导件310被引导到第一路径改变器320。第一路径改变器320可以将该光朝向组件40反射。组件40可以感测光。
另一方面，在仅感测到经由第二相机孔CMH2入射的光的情况下，路径改变驱动器330可以改变第一路径改变器320的位置。例如，路径改变驱动器330可以将第一路径改变器320定位为比在初始位置处更靠近或更远离第二路径改变器340。在这种情况下，第一路径改变器320可以布置或设置在与第二相机孔CMH2的位置不同的位置处，并且已经穿过第二相机孔CMH2的光可以入射在组件40上。在这样的情况下，在第一路径改变器320被定位为比在初始位置处更靠近或更远离第二路径改变器340的情况下，经由第二路径改变器340入射在第一路径改变器320上的光可以入射在显示设备的其上可以不布置组件40的部分上，因此入射在组件区域CA上的光不会被组件40感测到。
在这样的情况下，尽管附图中未示出，但是可以包括图103的遮光器350，以防止经由第二相机孔CMH2入射的光受到入射在组件区域CA上的光干扰或因入射在组件区域CA上的光导致畸变。
因此，显示设备可以经由单个组件40或单个相机731感测从显示设备的两个不同表面入射的光束。
一个或更多个实施例包括一种显示面板和一种包含显示面板的显示设备，该显示面板具有扩大的显示区域，使得即使在可以布置或设置作为电子元件的组件的区域中也可以显示图像。然而，公开的范围不限于此。
应该理解的是，应仅以描述性的意义来考虑这里描述的实施例，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (52)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
主显示区域和组件区域，所述组件区域包括透射区域：
基底，包括在所述基底的深度方向上设置在所述透射区域中的凹槽；
主显示元件，在所述主显示区域中设置在所述基底上方；
主像素电路，电连接到所述主显示元件；
辅助显示元件，在所述组件区域中设置在所述基底上方；以及
辅助像素电路，电连接到所述辅助显示元件。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述基底包括顺序地堆叠的第一基体层、第一无机阻挡层、第二基体层和第二无机阻挡层，
所述第二无机阻挡层包括位于所述透射区域中的第一开口，
所述第二基体层包括与所述第一开口叠置的第二开口，并且
所述凹槽包括所述第一开口、所述第二开口以及所述第一无机阻挡层的上表面。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述主显示元件包括设置在所述主显示区域中的主子像素，所述主子像素具有第一像素布置结构，
所述辅助显示元件包括设置在所述组件区域中的辅助子像素，所述辅助子像素具有第二像素布置结构，并且
所述第一像素布置结构不同于所述第二像素布置结构。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，
所述组件区域包括第一组件区域和第二组件区域，
设置在所述第一组件区域中的辅助子像素具有第三像素布置结构，并且
设置在所述第二组件区域中的辅助子像素具有不同于所述第三像素布置结构的第四像素布置结构。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
与所述辅助显示元件的组对应的多个像素组设置在所述组件区域中，
多个透射区域设置在所述组件区域中，并且
所述多个像素组和所述多个透射区域彼此交替。
6.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
底部金属层，设置在所述基底与所述辅助像素电路之间，其中，
所述底部金属层包括位于所述透射区域中的底部孔，并且
所述底部孔具有多边形形状或者具有圆形形状，所述多边形形状具有八条边或更多条边。
7.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
上层，设置在对电极上，所述对电极设置在所述主显示元件和所述辅助显示元件中，其中，
所述对电极包括位于所述透射区域中的第一开口，
所述上层包括位于所述透射区域中的第二开口，并且
所述第一开口的内侧表面与所述第二开口的内侧表面共面。
8.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
弱粘合层，设置在所述透射区域中；以及
对电极，设置在所述主显示元件和所述辅助显示元件中，
其中，所述对电极包括与所述弱粘合层对应的透射孔或透射凹槽。
9.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
功能层，设置在所述主显示元件和所述辅助显示元件中并且包括有机材料，所述功能层在所述透射区域中连续地设置；以及
对电极，设置在所述主显示元件和所述辅助显示元件中并且包括与弱粘合层对应的透射孔或透射凹槽。
10.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
对电极，设置在所述主显示元件和所述辅助显示元件中，所述对电极包括：
第一厚度，在所述对电极的与所述辅助显示元件的像素电极叠置的部分处；以及
第二厚度，在所述对电极的在所述辅助显示元件之间的部分处，
其中，所述第二厚度大于所述第一厚度。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述辅助显示元件包括辅助子像素，所述辅助子像素包括发射第一颜色的辅助子像素，
所述主显示元件包括主子像素，所述主子像素包括发射所述第一颜色的主子像素，并且
发射所述第一颜色的所述辅助子像素的尺寸大于发射所述第一颜色的所述主子像素的尺寸。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述主像素电路和所述辅助像素电路中的至少一者包括：
第一薄膜晶体管，包括氧化物半导体层；以及
第二薄膜晶体管，包括多晶硅半导体层。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述辅助显示元件包括第一辅助显示元件和第二辅助显示元件，
所述第一辅助显示元件的第一像素电极的厚度大于所述第二辅助显示元件的第二像素电极的厚度，并且
所述第一像素电极包括反射层。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述辅助显示元件包括第一辅助显示元件，
所述第一辅助显示元件的像素电极包括第一像素电极单元和第二像素电极单元，所述第一像素电极单元的厚度不同于所述第二像素电极单元的厚度，
所述第一像素电极单元是第一透明电极层、反射层和第二透明电极层的堆叠体，并且
所述第二像素电极单元从所述第一透明电极层延伸。
15.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
布线，设置在所述透射区域中并且包括透明导电材料。
16.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
第一显示驱动单元，驱动所述主像素电路；以及
第二显示驱动单元，驱动所述辅助像素电路，
其中，施加到所述主像素电路的驱动电压和公共电压中的至少一个不同于施加到所述辅助像素电路的驱动电压和公共电压中的至少一个。
17.根据权利要求16所述的显示面板，所述显示面板还包括：
第一主数据线，电连接到所述主像素电路；以及
第一辅助数据线，电连接到所述辅助像素电路，其中，
所述第一主数据线和所述第一辅助数据线设置在同一列中，并且
所述第一主数据线的端部和所述第一辅助数据线的端部彼此间隔开，并且所述透射区域设置在所述第一主数据线的所述端部与所述第一辅助数据线的所述端部之间。
18.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
第一布线，电连接到预定数量的所述主像素电路和预定数量的所述辅助像素电路；
负载匹配单元，电连接到所述第一布线并且设置在与所述组件区域相邻的外围区域中；以及
第一负载连接线，将所述第一布线电连接到所述负载匹配单元，其中，
所述第一负载连接线设置在所述基底与所述主像素电路之间，并且
所述第一布线经由接触孔电接触所述第一负载连接线。
19.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
薄膜封装层，设置为与所述主显示元件和所述辅助显示元件对应，并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
其中，所述第一无机封装层设置在所述基底的所述凹槽内。
20.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
封装构件，设置为与所述主显示元件和所述辅助显示元件对应；以及
触摸屏层，设置在所述封装构件上，其中，
所述触摸屏层与所述主显示区域叠置，并且包括：感测电极，在第一方向上设置；驱动电极，在与所述第一方向相交的第二方向上设置；第一连接电极，将所述感测电极彼此电连接；以及第二连接电极，将所述驱动电极彼此电连接，并且
所述触摸屏层与所述组件区域叠置，并且包括：触摸电极，在所述第一方向和所述第二方向上设置并且彼此间隔开。
21.根据权利要求20所述的显示面板，其中，
所述感测电极和所述驱动电极根据互电容方法而驱动，并且
所述触摸电极根据自电容方法而驱动。
22.根据权利要求21所述的显示面板，其中，所述触摸屏层包括位于所述透射区域中的触摸开口。
23.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
封装构件，封装所述主显示元件和所述辅助显示元件；以及
镜构件，设置在所述封装构件的表面上，其中，
所述主显示区域和所述组件区域中的至少一者包括镜区域，并且
所述镜构件设置在所述镜区域中，并且包括：第一镜层，包括设置为与所述主显示元件和所述辅助显示元件对应的第一镜开口；以及第二镜层，设置在所述镜区域和所述第一镜开口中。
24.根据权利要求23所述的显示面板，其中，所述第一镜层和所述第二镜层中的至少一个是自电容型触摸电极。
25.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
封装构件，设置为与所述主显示元件和所述辅助显示元件对应；
触摸屏层，设置在所述封装构件上；以及
滤光片，设置在所述触摸屏层上并且包括滤色器和黑矩阵，
其中，所述滤光片包括位于所述透射区域中的开口。
26.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述基底包括：
上表面部分；
第一侧表面部分，从所述上表面部分的一侧延伸并以第一曲率半径弯曲；以及
第二侧表面部分，从所述上表面部分的另一侧延伸并以第二曲率半径弯曲，并且
所述组件区域设置在所述上表面部分和所述第一侧表面部分上。
27.根据权利要求26所述的显示面板，其中，所述第一曲率半径大于所述第二曲率半径。
28.一种显示面板，所述显示面板包括：
主显示区域；
组件区域，包括辅助显示区域和图像传感器区域；
基底；
主显示元件，在所述主显示区域中设置在所述基底上方；
主像素电路，电连接到所述主显示元件；
辅助显示元件，在所述辅助显示区域中设置在所述基底上方；
辅助像素电路，电连接到所述辅助显示元件；
光电二极管，在所述图像传感器区域中设置在所述基底上方；以及
光接收像素电路，电连接到所述光电二极管，
其中，所述辅助显示区域和所述图像传感器区域彼此交替。
29.根据权利要求28所述的显示面板，所述显示面板还包括：
封装构件，封装所述主显示元件、所述辅助显示元件和所述光电二极管；以及
滤光片，设置在所述封装构件上，并且包括设置为与所述主显示元件、所述辅助显示元件和所述光电二极管对应的滤色器。
30.根据权利要求29所述的显示面板，所述显示面板还包括：
微透镜，在所述图像传感器区域中设置在所述滤光片上方。
31.根据权利要求29所述的显示面板，所述显示面板还包括：
触摸屏层，设置在所述封装构件与所述滤色器之间。
32.根据权利要求28所述的显示面板，其中，
所述辅助显示元件包括以pentile矩阵结构设置的辅助子像素，并且
包括所述光电二极管的光接收像素以拜耳图案设置。
33.根据权利要求28所述的显示面板，其中，
所述辅助显示元件中的每个是有机发光二极管并且包括像素电极、发射层和对电极的堆叠体，
所述光电二极管中的每个是PN二极管或者PIN二极管并且包括第一电极、活性层和第二电极的堆叠体，所述活性层包括非晶硅半导体，并且
所述像素电极和所述第一电极设置在不同的层上。
34.一种显示设备，所述显示设备包括：
第一显示面板，包括：第一显示元件，发射光；主显示区域；以及组件区域；
第二显示面板，设置在所述第一显示面板下方，并且包括：第二显示元件，发射光；以及第二显示区域；以及
下盖，容纳所述第一显示面板和所述第二显示面板。
35.根据权利要求34所述的显示设备，所述显示设备还包括：
组件，设置在所述第一显示面板下方并且接收从所述显示设备的外部获得的光；
移动驱动单元，使所述第二显示面板相对于所述第一显示面板移动；以及
控制器，控制所述移动驱动单元，
其中，所述组件设置在所述第二显示面板上并且设置在所述第二显示区域的一侧处。
36.根据权利要求35所述的显示设备，其中，
当所述组件处于第一状态时，所述移动驱动单元使所述第二显示面板移动，使得所述组件与所述组件区域对应，并且
当所述组件处于第二状态时，所述移动驱动单元使所述第二显示面板移动，使得所述第二显示区域与所述组件区域对应。
37.根据权利要求35所述的显示设备，其中，
所述组件包括第一组件和第二组件，并且
所述第一组件和所述第二组件选自于成像装置、红外传感器、太阳能电池和闪光灯。
38.根据权利要求34所述的显示设备，其中，
所述第一显示元件是有机发光二极管，并且
所述第二显示元件是无机发光二极管。
39.根据权利要求34所述的显示设备，其中，
所述第二显示面板包括设置在所述第二显示区域的一侧处的图像传感器区域，并且
光接收像素设置在所述图像传感器区域中并且包括光电二极管，所述光电二极管设置在设置有所述第二显示元件的基底上。
40.根据权利要求39所述的显示设备，其中，所述第二显示面板的所述图像传感器区域包括：
所述基底，包括所述光电二极管的所述光接收像素以二维阵列结构设置在所述基底上，所述基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
多重布线层，设置在所述第一表面上；
滤色器和微透镜，设置在所述第二表面上；以及
像素分离结构，设置在所述基底中，所述像素分离结构将所述光接收像素彼此分离。
41.根据权利要求40所述的显示设备，其中，所述第二显示元件设置在所述第二表面上。
42.根据权利要求34所述的显示设备，其中，
所述第二显示元件是无机发光二极管，并且
所述无机发光二极管设置在第一电极与第二电极之间，所述第一电极和所述第二电极设置在不同的层上。
43.根据权利要求34所述的显示设备，其中，
所述第二显示元件是无机发光二极管，并且
所述无机发光二极管设置在第一电极与第二电极之间，所述第一电极和所述第二电极设置在同一层上。
44.根据权利要求34所述的显示设备，其中，
所述第一显示面板的所述组件区域是透射区域，
所述第二显示面板包括光电二极管，并且
所述第二显示元件和所述光电二极管交替地设置。
45.根据权利要求34所述的显示设备，其中，
所述第一显示面板的所述组件区域是透射区域，
所述第二显示元件是发光和光接收元件，并且
所述第二显示元件中的每个通过开关元件电连接到用于显示图像的第一像素电路以及用于拍摄图像的第二像素电路。
46.根据权利要求45所述的显示设备，其中，所述发光和光接收元件是PN二极管或PIN二极管。
47.根据权利要求34所述的显示设备，其中，所述第一显示面板的基底包括与所述组件区域对应的通孔。
48.一种显示设备，所述显示设备包括：
显示面板，包括：显示元件，在第一方向上发射光；主显示区域；以及组件区域；
组件，设置为面对与所述第一方向相反的方向；
导光单元，将入射在所述组件区域上的光朝向所述组件引导；以及
下盖，包括与所述组件对应的孔。
49.根据权利要求48所述的显示设备，其中，所述导光单元包括：
光引导件，包括至少一个弯曲部分；
第一路径改变器，改变沿所述光引导件行进的光的路径；以及
路径改变驱动器，连接到所述第一路径改变器，所述路径改变驱动器改变所述第一路径改变器的位置。
50.根据权利要求49所述的显示设备，其中，所述路径改变驱动器改变所述第一路径改变器的所述位置，使得所述第一路径改变器与所述孔叠置或不与所述孔叠置。
51.根据权利要求49所述的显示设备，其中，
所述导光单元包括改变沿所述光引导件行进的所述光的所述路径的第二路径改变器，并且
所述第二路径改变器是镜或棱镜。
52.根据权利要求48所述的显示设备，其中，
所述显示面板的所述组件区域包括透射区域，并且
所述显示面板包括：
基底，包括在所述基底的深度方向上设置在所述透射区域中的凹槽；
主显示元件，在所述主显示区域中设置在所述基底上方；
主像素电路，电连接到所述主显示元件；
辅助显示元件，在所述组件区域中设置在所述基底上方；以及
辅助像素电路，电连接到所述辅助显示元件。
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