CN112445369A - 感测电路和显示装置 - Google Patents

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李春协
李康源
金佳英
金樯熙
赵雅拉
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Abstract

提供了一种感测电路和一种显示装置。所述感测电路包括：多个传感器电极；第一电容，在传感器电极之间；多个接近感测电极，与传感器电极电隔离；以及第二电容，在传感器电极中的至少一个传感器电极与接近感测电极之间。接近感测电极中的至少一个接近感测电极的密度小于传感器电极中的至少一个传感器电极的密度。

Description

感测电路和显示装置
技术领域
本公开的示例实施例的方面涉及一种感测单元(例如，感测电路或感测层)、一种显示装置和一种驱动显示装置的方法。
背景技术
随着信息社会已经发展，对用于显示图像的显示装置的需求已经增加并且多样化。例如，显示装置已经应用于各种电子装置，诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置、智能电视机(TV)等。显示装置可以包括用于显示图像的显示面板。显示装置可以包括各种传感器，例如，诸如用于检测用户在显示装置的前面处的存在的接近传感器、用于检测显示装置的前面处的照度的照度传感器、用于识别用户的虹膜的虹膜传感器等。
随着显示装置的应用已经多样化，对各种设计的显示装置的需求已经增加。例如，对于智能电话，可以期望能够使非显示区域最小化的显示装置，并且传感器可以设置在显示区域处(例如，在显示区域中或在显示区域上)，而不设置在非显示区域处(例如，在非显示区域中或在非显示区域上)。然而，在这种情况下，传感器会被显示面板的像素的金属层部分地隐藏，结果，传感器的感测灵敏度会减小(例如，会降低)。
在本背景技术部分中公开的上述信息是为了增强对本公开的背景的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或更多个示例实施例涉及一种能够提高设置在显示区域处(例如，在显示区域中或在显示区域上)的传感器的感测灵敏度的感测单元(例如，感测电路或感测层)。
本公开的一个或更多个示例实施例涉及一种能够提高设置在显示区域处(例如，在显示区域中或在显示区域上)的传感器的感测灵敏度的显示装置。
本公开的一个或更多个示例实施例涉及一种驱动显示装置的方法，该显示装置能够提高设置在显示区域处(例如，在显示区域中或在显示区域上)的传感器的感测灵敏度。
本公开的一些示例实施例的附加方面和特征将在下面的描述中阐述，并且部分地通过下面的描述对于本领域技术人员而言将变得明显，或者可以通过实践本公开的一个或更多个示例实施例来获知。
根据本发明的一个或更多个示例实施例，一种感测电路包括：多个传感器电极；第一电容，在传感器电极之间；多个接近感测电极，与传感器电极电隔离；以及第二电容，在传感器电极中的至少一个传感器电极与接近感测电极之间。接近感测电极中的至少一个接近感测电极的密度小于传感器电极中的所述至少一个传感器电极的密度。
在示例实施例中，接近感测电极和传感器电极在平面图中可以具有网格结构；并且接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的网格孔尺寸可以大于传感器电极的网格孔尺寸。
在示例实施例中，感测电路还可以包括：虚设图案，与传感器电极和接近感测电极电隔离，并且被传感器电极中的一些传感器电极包围，并且接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的密度可以小于虚设图案中的至少一个虚设图案的密度。
在示例实施例中，接近感测电极和虚设图案在平面图中可以具有网格结构；并且接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的网格孔尺寸可以大于虚设图案的网格孔尺寸。
在示例实施例中，感测电路还可以包括：桥接件，与传感器电极电隔离，并且将接近感测电极中的在第一方向上相邻的接近感测电极彼此连接。
根据本发明的一个或更多个示例实施例，一种感测电路包括：多个传感器电极；第一电容，在传感器电极之间；以及虚设图案，与传感器电极电隔离，虚设图案被电浮置。虚设图案中的至少一个虚设图案的密度可以小于传感器电极中的至少一个传感器电极的密度。
在示例实施例中，虚设图案和传感器电极在平面图中可以具有网格结构；并且虚设图案中的所述至少一个虚设图案的网格孔尺寸可以大于传感器电极的网格孔尺寸。
在示例实施例中，感测电路还可以包括：接近感测电极，与传感器电极电隔离；以及第二电容，在传感器电极中的所述至少一个传感器电极与接近感测电极之间。虚设图案中的所述至少一个虚设图案的密度可以大于接近感测电极中的至少一个接近感测电极的密度。
在示例实施例中，虚设图案和接近感测电极在平面图中可以具有网格结构，并且虚设图案中的所述至少一个虚设图案的网格孔尺寸可以大于接近感测电极的网格孔尺寸。
在示例实施例中，虚设图案中的所述至少一个虚设图案位于在第一方向上彼此相邻的接近感测电极之间。
在示例实施例中，感测电路还可以包括：桥接件，与传感器电极电隔离，并且将接近感测电极中的在第一方向上相邻的接近感测电极彼此连接。
在示例实施例中，桥接件可以绕过虚设图案。
在示例实施例中，感测电路在平面图中可以具有网格结构；并且桥接件与传感器电极之间的距离可以大于传感器电极中的每个的网格孔的最大长度。
根据本发明的一个或更多个示例实施例，一种感测电路包括：多个传感器电极；第一电容，在传感器电极之间；多个接近感测电极，与传感器电极电隔离；第二电容，在传感器电极中的至少一个传感器电极与接近感测电极之间；以及桥接件，与传感器电极电隔离，并且将接近感测电极中的在第一方向上相邻的接近感测电极彼此连接。感测电路可以具有由传感器电极中的一个传感器电极包围的空的空间。
在示例实施例中，桥接件可以延伸跨过空的空间。
在示例实施例中，桥接件可以绕过空的空间。
在示例实施例中，感测电路在平面图中可以具有网格结构，并且桥接件与传感器电极之间的距离可以大于传感器电极中的每个的网格孔的最大长度。
根据一个或更多个示例实施例，一种显示装置包括：显示面板，在基底的第一表面上，显示面板包括主显示区域和副显示区域；感测电路，在显示面板上，感测电路包括与主显示区域叠置的第一感测区域以及与副显示区域叠置的第二感测区域；以及传感器，在基底的与基底的第一表面相对的第二表面上。第二感测区域包括传感器电极、接近感测电极和虚设图案，接近感测电极和虚设图案被传感器电极包围，并且传感器与接近感测电极中的至少一个接近感测电极和/或虚设图案中的至少一个虚设图案叠置。
在示例实施例中，接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的密度可以小于传感器电极中的至少一个传感器电极的密度。
在示例实施例中，接近感测电极和传感器电极在平面图中可以具有网格结构，并且接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的网格孔尺寸可以大于传感器电极的网格孔尺寸。
在示例实施例中，接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的密度可以小于虚设图案中的所述至少一个虚设图案的密度。
在示例实施例中，接近感测电极和虚设图案在平面图中可以具有网格结构，并且接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的网格孔尺寸可以大于虚设图案的网格孔尺寸。
在示例实施例中，虚设图案中的所述至少一个虚设图案的密度可以小于传感器电极中的至少一个传感器电极的密度。
在示例实施例中，虚设图案和传感器电极在平面图中可以具有网格结构，并且虚设图案中的所述至少一个虚设图案的网格孔尺寸可以大于传感器电极的网格孔尺寸。
在示例实施例中，显示装置还可以包括：桥接件，与传感器电极电隔离，并且将接近感测电极中的在第一方向上相邻的接近感测电极彼此连接，并且桥接件可以不与传感器叠置。
在示例实施例中，第一感测区域可以包括传感器电极和虚设图案。
根据本发明的一个或更多个示例实施例，一种驱动显示装置的方法包括：通过接近传感器来确定物体是否在显示面板的顶表面的接近度内，显示面板响应于接近传感器确定物体在显示面板的顶表面的接近度内而被关闭；通过接近传感器确定物体不在显示面板的顶表面的接近度内；响应于接近传感器确定物体不在显示面板的顶表面的接近度内，通过显示面板的感测电路根据感测电路的驱动电极与接近感测电极之间的互电容来确定物体是否在显示面板的顶表面的接近度内；通过感测电路根据互电容确定物体在显示面板的顶表面的接近度内；以及响应于感测电路根据互电容确定物体在显示面板的顶表面的接近度内而关闭显示面板。
根据本公开的一个或更多个前述示例实施例和其它示例实施例，因为副显示区域可以包括透射部，所以与副显示区域叠置的传感器可以通过透射部从显示面板的顶部接收光。因此，即使当传感器设置在显示面板的底部处时，也可以防止或基本防止传感器的感测能力降低。
根据一些示例实施例，与传感器叠置的接近传感器电极或虚设图案可以形成为具有比不与传感器叠置的接近传感器电极或虚设图案小的密度。与传感器叠置的接近传感器电极或虚设图案可以形成为具有比驱动电极和/或感测电极小的密度。因此，可以增强显示面板的与传感器叠置的感测单元(例如，感测电路或感测层)的透射率，结果，即使当传感器设置在显示面板的底部处时，也可以防止或减少感测单元的感测能力的劣化。
根据一些示例实施例，可以通过将感测驱动信号并发地(例如，同时或在同一时间)施加到多列驱动电极并且经由多行接近感测电极感测在互电容中充入的电压来检测来自用户的接近输入的存在。因此，即使当省略接近感测电极中的一个接近感测电极或者减小接近感测电极中的一个接近感测电极的密度时，也可以防止或减小接近感测的性能的劣化。
根据一些示例实施例，感测区域可以与传感器叠置，并且可以包括被传感器电极包围(例如，围绕其外围)的空的空间。因此，可以增强显示面板的感测单元的透射率，结果，即使当传感器设置在显示面板的底部处时，也可以防止或减少感测单元的感测能力的劣化。
根据一些示例实施例，不仅可以通过使用接近传感器而且可以通过使用显示面板的感测单元来检测在显示装置的顶表面的接近度内的物体的存在。因此，可以通过显示面板的感测单元来补偿接近传感器的感测能力的劣化。
附图说明
通过以下参照附图对示例实施例的详细描述，本公开的以上和其它方面及特征对本领域技术人员将变得更加明显。
图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图。
图2是图1的显示装置的分解透视图。
图3A和图3B是示出图1的显示装置的显示面板和显示驱动单元的侧视图。
图4是示出与图3A的显示单元相关联的元件的平面图。
图5是示出图4的主显示区域处的像素的平面图。
图6是示出图4的副显示区域处的像素的平面图。
图7是示出与图3A的感测单元相关联的元件的平面图。
图8示出了连接到图7的第一感测区域处的驱动电极和感测电极的示例性感测驱动单元。
图9示出了连接到图7的第二感测区域处的驱动电极、感测电极和接近感测电极的示例性感测驱动单元。
图10是示出图7的第一感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图11A是图10的区域A的放大平面图。
图11B和图11C示出了子像素的布置。
图12是沿图11A的线I-I'截取的剖视图。
图13是示出图7的第二感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图14A和图14B是图13的区域B的放大平面图。
图15是沿图14A的线II-II'截取的剖视图。
图16是沿图14A的线III-III'截取的剖视图。
图17是示出图7的第二感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图18是示出图7的第二感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图19是示出图7的第二感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图20是示出图7的第二感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图21是示出图7的第二感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图22是示出图7的第二感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图23是示出图7的第二感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图24是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的显示面板和显示驱动单元的透视图。
图25是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的显示面板和显示驱动单元的透视图。
图26是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的显示面板和显示驱动单元的透视图。
图27是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的显示面板和显示驱动单元的透视图。
图28是示出根据本公开的实施例的驱动显示装置的方法的流程图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了各种具体细节以提供对本发明的各种示例实施例或实施方式的透彻理解。如这里所使用的，“实施例”和“实施方式”可以是可互换的词语，其是采用这里公开的示例实施例的一个或更多个方面和特征的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例实施例。此外，除非另有说明，否则各种示例实施例可以彼此不同，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，示例实施例的具体形状、构造和/或特性可以与另一示例实施例的具体形状、构造和/或特性一起使用或实施。
除非另有说明，否则所示出的示例实施例应该被理解为提供其中可以在实践中实施本发明的一些示例实施例的变化细节的示例特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明的精神和范围的情况下，各种示例实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(在下文中，单独地或统称为“元件”)可以另外彼此组合、分离、互换和/或重新布置，或者与其它实施例组合、分离、互换和/或重新布置。
如这里所使用的，通常在附图中提供交叉影线和/或阴影以阐明相邻元件之间的边界。如此，除非另有说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或表示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，可以同时或基本同时执行或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记始终表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以以更宽的含义进行解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自于由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
出于描述的目的，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中示出的一个元件与另一(其它)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位处)，如此，应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当术语“包含”和/或“包括”以及其变型用在本说明书中时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和其它类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且如此被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意图指示例或说明。
这里参照作为一些示例实施例和/或中间结构的示意图的剖面和/或分解图示描述了各种示例实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例实施例不应被解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造工艺导致的形状的变化或偏差。就这点而言，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且如此不必意图成为限制。
按照本领域的惯例，在功能块、单元和/或模块方面描述并在附图中示出了一些示例实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元和/或模块通过可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术而形成的电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接等)物理地实施。在通过微处理器或其它类似硬件来实施所述块、单元和/或模块的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制以执行这里讨论的各种功能，并且可以可选择地通过固件和/或软件来驱动所述块、单元和/或模块。还预期的是，每个块、单元和/或模块可以由专用硬件来实施，或者实施为用于执行一些功能的专用硬件和用于执行其它功能的处理器(例如，一个或更多个编程的微处理器和关联电路)的组合。此外，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，一些示例实施例的每个块、单元和/或模块可以被物理地分成两个或更多个交互且分立的块、单元和/或模块。此外，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，一些示例实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于正式的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
图1是根据本公开的实施例的显示装置的透视图。图2是图1的显示装置的分解透视图。
参照图1和图2，显示装置10包括盖窗100、显示面板300、显示电路板310、显示驱动单元(例如，显示驱动器)320、柔性膜340、支架600、主电路板700、传感器740、750、760和770以及下盖900。
如这里所使用的，术语“在……上方”、“顶”和“顶表面”可以表示盖窗100相对于显示面板300沿其设置的方向(例如，Z轴方向)，术语“在……下方”、“底”和“底表面”可以表示支架600相对于显示面板300沿其设置的方向(例如，与Z轴方向相反的方向)。此外，如这里所使用的，术语“右”、“左”、“上”和“下”可以表示当从显示面板300上方观看时的方向。例如，术语“右”可以表示X轴方向，术语“左”可以表示与X轴方向相反的方向，术语“上”可以表示Y轴方向，并且术语“下”可以表示与Y轴方向相反的方向。
显示装置10可以是用于显示运动图像和/或静止图像的装置。显示装置10可以用于便携式电子装置(例如，诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC(UMPC)等)以及用于各种其它合适的装置和/或产品(例如，诸如电视机(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置等)。
显示装置10在平面图中可以具有矩形形状。如这里所使用的，平面图可以指根据平行于或基本平行于(例如，正交于)相关装置、组件、元件或层(例如，显示装置10)的顶表面的平面的视图。例如，显示装置10可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的一对短边以及在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的一对长边。如图1和图2中所示，显示装置10可以具有显示装置10的短边和长边会聚(例如，交汇)的角部，并且角部可以是被倒圆的以具有曲率(例如，预定曲率)或者可以是直角的。然而，显示装置10的形状不限于此，并且显示装置10可以形成为具有各种合适的形状，例如，诸如各种其它多边形形状、圆形形状、椭圆形形状等。
显示装置10可以包括第一区域DR1和多个第二区域DR2。第一区域DR1可以设置在第二区域DR2之间。例如，第一区域DR1可以形成为平坦的，并且第二区域DR2可以从第一区域DR1的左侧和右侧延伸。第二区域DR2可以形成为平坦的或者可以形成为弯曲的。在第二区域DR2形成为平坦的情况下，第一区域DR1与第二区域DR2中的对应的第二区域DR2之间形成的角度可以是钝角。在第二区域DR2形成为弯曲的情况下，第二区域DR2可以具有均匀的或可变的曲率。
图1示出了第二区域DR2从第一区域DR1的左侧和右侧延伸，但本公开不限于此。例如，第二区域DR2可以仅从第一区域DR1的左侧和右侧中的一侧延伸。在另一示例中，除了从第一区域DR1的左侧和右侧延伸之外，第二区域DR2还可以从第一区域DR1的上侧和下侧延伸，或者第二区域DR2可以从第一区域DR1的上侧和下侧延伸而不从第一区域DR1的左侧和右侧延伸。为了方便，在下文中将第二区域DR2描述为设置在显示装置10的左侧和右侧上。
盖窗100可以设置在显示面板300上以覆盖显示面板300的顶表面。因此，盖窗100可以保护显示面板300的顶表面。
盖窗100可以设置在第一区域DR1处(例如，在第一区域DR1中或在第一区域DR1上)和第二区域DR2处(例如，在第二区域DR2中或在第二区域DR2上)。盖窗100可以包括第一透射部MDA100和第二透射部SDA100以及阻光部NDA100，第一透射部MDA100和第二透射部SDA100对应于显示面板300，阻光部NDA100对应于除了显示面板300以外的区域(例如，外围区域)。如图1和图2中所示，第二透射部SDA100可以设置在第一透射部MDA100的一侧处(例如，在第一透射部MDA100的一侧上)，例如，设置在第一透射部MDA100的上侧处(例如，在第一透射部MDA100的上侧上)。第一透射部MDA100和第二透射部SDA100可以设置在第一区域DR1处(例如，在第一区域DR1中或在第一区域DR1上)以及设置在第二区域DR2处(例如，在第二区域DR2中或在第二区域DR2上)。阻光部NDA100可以形成为不透明的。阻光部NDA100可以包括当不显示图像时可以被用户观看到的(例如，可以被用户看见的)装饰层。
显示面板300可以设置在盖窗100下方。显示面板300可以设置在第一区域DR1处(例如，在第一区域DR1中或在第一区域DR1上)以及设置在第二区域DR2处(例如，在第二区域DR2中或在第二区域DR2上)。因此，可以在第一区域DR1处(例如，在第一区域DR1中或在第一区域DR1上)以及在第二区域DR2处(例如，在第二区域DR2中或在第二区域DR2上)观看由显示面板300显示的图像。换言之，由显示面板300显示的图像可以通过盖窗100在显示装置10的顶表面处(例如，在显示装置10的顶表面中或在显示装置10的顶表面上)被观看到，以及通过盖窗100在显示装置10的左边缘和右边缘处(例如，在显示装置10的左边缘和右边缘中或在显示装置10的左边缘和右边缘上)被观看到。
显示面板300可以包括主显示区域MDA和副显示区域SDA。主显示区域MDA可以设置为与盖窗100的第一透射部MDA100叠置。副显示区域SDA可以设置为与盖窗100的第二透射部SDA100叠置。副显示区域SDA可以设置在主显示区域MDA的一侧处(例如，在主显示区域MDA的一侧上)，例如，如图2中所示设置在主显示区域MDA的上侧处(例如，在主显示区域MDA的上侧上)，但本公开不限于此。例如，副显示区域SDA可以设置为与显示面板300的角部相邻，并且可以被主显示区域MDA包围(例如，围绕其外围或部分地围绕其外围)。图2示出了显示面板300包括单个副显示区域SDA，但本公开不限于此。例如，显示面板300可以包括多个(例如，可以包括复数个)副显示区域SDA。
显示面板300可以是包括发光元件的发光显示面板。例如，显示面板300可以是使用有机发光二极管(OLED)的OLED显示面板、使用微发光二极管(μLED)的μLED显示面板、使用量子点发光二极管(QLED)的QLED显示面板、包括无机半导体的无机发光二极管(ILED)显示面板等。为了方便，在下文中将显示面板300描述为OLED显示面板。
显示电路板310的一端可以连接到(例如，可以附着到)显示面板300的一侧。显示电路板310可以是柔性印刷电路板(FPCB)、刚性印刷电路板(PCB)和/或混合PCB等。
显示驱动单元320经由显示电路板310接收控制信号和电源电压，并且产生和/或输出用于驱动显示面板300的信号和电压。显示驱动单元320可以形成为集成电路(IC)，从而以膜上芯片(COF)方式连接到柔性膜340(例如，附着在或安装在柔性膜340上)，或者以玻璃上芯片(COG)方式、塑料上芯片(COP)方式或通过超声键合连接到显示面板300(例如，附着在或安装在显示面板300上)，但本公开不限于此。
感测驱动单元(例如，感测驱动器)330可以设置在显示电路板310上。感测驱动单元330可以形成为IC，并且可以连接到显示电路板310的顶表面(例如，可以附着在或安装在显示电路板310的顶表面上)。感测驱动单元330可以经由显示电路板310电连接到显示面板300的触摸传感器层的触摸电极。感测驱动单元330可以输出包括来自用户的触摸输入的坐标的触摸数据。例如，感测驱动单元330可以将触摸驱动信号施加到触摸传感器层的触摸电极中的一些触摸电极(例如，驱动电极)，并且可以检测触摸传感器层的驱动电极与其它触摸电极(例如，传感器电极)之间的电容的电荷变化以输出触摸数据。电源单元(例如，电源)可以进一步设置在显示电路板310上。电源单元可以提供用于驱动显示驱动单元320的显示驱动电压。
在一些实施例中，柔性膜340可以是柔性的、可弯曲的、可折叠的等的膜。例如，在一些实施例中，柔性膜340可以弯曲，使得当柔性膜340弯曲时，显示电路板310设置在显示面板300下方。在这种情况下，显示电路板310的顶表面可以面向朝向显示装置10的底表面(例如，相对于显示面板300朝向支架600)的方向(例如，与Z轴方向相反的方向)。例如，如下面将更详细描述的图3A中所示，柔性膜340的一侧可以从显示面板300下方延伸以经由各向异性导电膜(ACF)连接到显示面板300的顶表面(例如，附着在显示面板300的顶表面上)。柔性膜340的另一侧可以从显示电路板310上方延伸以经由ACF连接到显示电路板310的顶表面(例如，附着在显示电路板310的顶表面上)。显示驱动单元320可以以COF方式连接到柔性膜340(例如，附着在或安装在柔性膜340上)。
在其它实施例中，可以省略(例如，可以不设置)柔性膜340，并且显示电路板310可以直接连接到显示面板300的一侧(例如，直接附着在显示面板300的一侧上)。在这种情况下，如下面将更详细地描述的图3B中所示，显示面板300的一侧可以朝向显示面板300的底表面弯曲，并且显示电路板310可以连接到显示面板300的一侧(例如，附着在显示面板300的一侧上)。显示驱动单元320可以以COP方式或通过超声键合连接到显示面板300的一侧(例如，附着在或安装在显示面板300的一侧上)。
支架600可以设置在显示面板300下方。支架600可以包括塑料、金属或其组合。支架600可以具有第一相机传感器720插入其中的第一相机孔CMH1、连接到显示电路板310的电缆314在其中延伸通过(例如，穿过)的电缆孔CAH以及传感器740、750、760和770设置在其处(例如，在其中)的传感器孔SH。然而，本公开不限于此。例如，在另一实施例中，传感器孔SH可以从支架600省略(例如，可以不设置在支架600中)，并且在这种情况下，支架600可以形成为不与显示面板300的副显示区域SDA叠置。
主电路板700和电池790可以设置在支架600下方。主电路板700可以是PCB或FPCB。
主电路板700可以包括主处理器710、第一相机传感器720、主连接器730以及传感器740、750、760和770。第一相机传感器720可以设置在主电路板700的顶表面和底表面两者上，主处理器710可以设置在主电路板700的底表面上，并且主连接器730可以设置在主电路板700的底表面上。传感器740、750、760和770可以设置在主电路板700的顶表面上。
主处理器710可以控制显示装置10的各种功能(例如，所有功能)。例如，主处理器710可以经由显示电路板310将数字视频数据输出到显示驱动单元320，使得显示面板300显示图像。此外，主处理器710可以从感测驱动单元330接收触摸数据，可以确定来自用户的触摸输入的坐标，并且可以执行与显示在触摸输入的坐标处的图标(例如，通过触摸输入的坐标选择的图标)对应的应用。
主处理器710可以根据从传感器740、750、760和770接收的传感器信号来控制显示装置10。例如，主处理器710可以根据(例如，基于)从接近传感器740接收的接近传感器信号来确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内(例如，存在于或位于显示装置10的顶表面的接近度内)。在用户在其中使用显示装置10进行呼叫的呼叫模式期间，主处理器710可以控制显示面板300不显示图像，并且可以进一步控制显示装置10以识别由用户输入的触摸输入(例如，当在显示装置10的顶表面的接近度内检测到物体时)。
主处理器710可以根据从照度传感器750接收的照度传感器信号来确定显示装置10的顶表面处的亮度(例如，亮度量或亮度水平)。主处理器710可以根据(例如，基于)显示装置10的顶表面处的亮度来控制由显示面板10显示的图像的亮度。
主处理器710可以根据从虹膜传感器760接收的虹膜传感器信号来确定从用户接收的虹膜图像是否与存储在存储器中(例如，预先或提前存储在存储器中)的虹膜图像相同或基本相同。当来自用户的虹膜图像与存储在存储器中的虹膜图像相同或基本相同时，主处理器710可以解锁显示装置10，并且可以在显示面板300上显示主屏幕。
第一相机传感器720可以处理通过图像传感器获得的(例如，捕获的)静止图像和/或运动图像，并且可以将处理的图像输出到主处理器710。第一相机传感器720可以包括(例如，可以是)互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或电荷耦合器件(CCD)图像传感器。因为第一相机传感器720可以通过第二相机孔CMH2暴露在下盖900的底表面处，所以第一相机传感器720可以从显示装置10的底部(例如，后部或底表面)捕获物体或背景的图像。
延伸通过(例如，穿过)支架600的电缆孔CAH的电缆314可以连接到主连接器730。结果，主电路板700可以电连接到显示电路板310。
传感器740、750、760和770可以包括接近传感器740、照明传感器750、虹膜传感器760和第二相机传感器770。然而，本公开不限于此，并且传感器740、750、760和770可以包括本领域技术人员将已知的任何合适种类的传感器。
接近传感器740可以是用于确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内(例如，存在于或位于显示装置10的顶表面的接近度内)的传感器。例如，接近传感器740可以包括输出光的光源和接收从物体反射的光的光接收器。接近传感器740可以根据(例如，基于)从物体反射的光的量来确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内。因为接近传感器740可以设置为在显示面板300的厚度方向(例如，Z轴方向)上与传感器孔SH、显示面板300的副显示区域SDA和盖窗100的第二透射部SDA100叠置，所以接近传感器740可以根据在显示装置10的顶表面的接近度内的物体的存在来产生接近传感器信号，并且可以将接近传感器信号输出到主处理器710。
照度传感器750可以是用于检测显示装置10的顶表面处的亮度(例如，亮度量或亮度水平)的传感器。例如，照度传感器750可以包括其中电阻根据入射光(例如，入射在其上的光)的亮度而变化的电阻器。在这种情况下，照度传感器750可以根据(例如，基于)由入射光的亮度引起的电阻器的电阻的变化来确定显示装置10的顶表面处的亮度。因为照度传感器750设置为在显示面板300的厚度方向(例如，Z轴方向)上与传感器孔SH、显示面板300的副显示区域SDA和盖窗100的第二透射部SDA100叠置，所以照度传感器750可以根据显示装置10的顶表面处的亮度产生照度传感器信号，并且可以将照度传感器信号输出到主处理器710。
虹膜传感器760可以是用于确定用户的虹膜的图像是否与存储在存储器中(例如，预先或提前存储在存储器中)的虹膜图像相同或基本相同的传感器。例如，虹膜传感器760可以根据用户的虹膜的图像是否与存储在存储器中的虹膜图像相同或基本相同而产生虹膜传感器信号，并且可以将虹膜传感器信号输出到主处理器710。
第二相机传感器770可以处理通过图像传感器获得的(例如，捕获的)静止图像和/或运动图像，并且可以将处理的图像输出到主处理器710。例如，第二相机传感器770可以包括(例如，可以是)CMOS图像传感器或CCD图像传感器。第二相机传感器770的像素的数量可以小于第一相机传感器720的像素的数量，并且第二相机传感器770的尺寸可以小于第一相机传感器720的尺寸。因为第二相机传感器770可以设置为在显示面板300的厚度方向(例如，Z轴方向)上与传感器孔SH、显示面板300的副显示区域SDA和盖窗100的第二透射部SDA100叠置，所以第二相机传感器770可以从显示装置10的顶部(例如，前部或顶表面)捕获物体或背景的图像。
电池790可以设置为在第三方向(例如，厚度方向或Z轴方向)上不与主电路板700叠置。电池790可以与支架600的电池孔BH叠置。
移动通信模块可以进一步设置在主电路板700上，移动通信模块可以经由移动通信网络与基站、外部终端和服务器中的至少一个交换无线信号。例如，无线信号可以包括与音频信号、视频呼叫信号、文本/多媒体消息等的发送/接收相关联的各种类型的数据。
下盖900可以设置在主电路板700和电池790下方。下盖900可以连接到(例如，附着到或紧固到)支架600。下盖900可以形成显示装置10的底部外部(例如，后外部或后部)。下盖900可以包括塑料、金属或其组合。
第二相机孔CMH2可以形成在下盖900中，第一相机传感器720的底表面通过第二相机孔CMH2暴露。然而，本公开不限于此，并且第一相机传感器720以及与第一相机传感器720对应的第一相机孔CMH1和第二相机孔CMH2的位置不限于图2中所示的那些。
图3A和图3B是示出图1的显示装置的显示面板和显示驱动单元的侧视图。
参照图3A和图3B，显示面板300可以包括基底SUB、显示单元(例如，显示电路或显示层)DISL、感测单元(例如，感测电路或感测层)SENL、偏振膜PF和面板底盖PB。
基底SUB可以由绝缘材料(例如，诸如玻璃、石英、聚合物树脂等)形成。基底SUB可以是刚性基底(例如，如图3A中所示)或者可以是可弯曲的、可折叠的和/或可卷曲的柔性基底(例如，如图3B中所示)。
显示单元DISL可以设置在基底SUB上。显示单元DISL可以包括多个像素，并且可以是显示图像的层。显示单元DISL可以包括其中形成有多个薄膜晶体管(TFT)的TFT层、其中形成有发射光的发光元件的发光元件层以及可以封装发光元件层的封装层。
显示单元DISL可以被划分为显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是像素设置在其处(例如，在其中或在其上)以显示图像的区域。非显示区域NDA可以是在其处(例如，在其中或在其上)不显示图像的区域。非显示区域NDA可以设置为包围显示区域DA(例如，围绕显示区域DA的外围)。除了像素之外，连接到像素的扫描线、数据线和电力线还可以设置在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)。用于将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动单元(例如，扫描驱动器)以及用于连接数据线和显示驱动单元320的扇出线可以设置在非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中或在非显示区域NDA上)。
感测单元SENL可以设置在显示单元DISL上。感测单元SENL可以包括传感器电极，并且可以是用于检测来自用户的触摸输入的层。感测单元SENL可以包括感测区域TSA和感测外围区域TPA。感测区域TSA可以是传感器电极设置在其处(例如，在其中或在其上)以检测来自用户的触摸输入的区域。感测外围区域TPA可以是传感器电极未设置在其处(例如，在其中或在其上)的区域，并且可以包围感测区域TSA(例如，围绕感测区域TSA的外围)。
感测单元SENL的感测区域TSA可以与显示单元DISL的显示区域DA叠置。感测单元SENL的感测外围区域TPA可以与显示单元DISL的非显示区域NDA叠置。
偏振膜PF可以设置在感测单元SENL上，以防止或基本防止由显示单元DISL显示的图像的可视性因外部光的反射而减小(例如，降低)。偏振膜PF可以包括线偏振板和延迟膜，例如，诸如四分之一波长(λ/4)板。延迟膜可以设置在感测单元SENL上，并且线偏振板可以设置在延迟膜上。
盖窗100可以设置在偏振膜PF上。盖窗100可以经由透明粘合构件(例如，诸如光学透明粘合剂(OCA))连接到偏振膜PF(例如，附着在偏振膜PF上)。
面板底盖PB可以设置在显示面板300下方。面板底盖PB可以经由粘合构件连接到(例如，可以附着到)显示面板300的底表面。例如，粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。面板底盖PB可以包括用于吸收外部光(例如，从外部入射的光)的光吸收构件、用于吸收外部冲击的缓冲构件以及用于消散(例如，用于有效地释放)由显示面板300产生的热的散热构件。
光吸收构件可以设置在显示面板300下方。光吸收构件阻挡或减少光的透射，因此防止或基本防止设置在其下方的元件(诸如显示电路板310)从显示面板300上方可见。光吸收构件可以包括光吸收材料，例如，诸如黑色颜料、黑色染料等。
缓冲构件可以设置在光吸收构件下方。缓冲构件吸收外部冲击，因此防止或基本防止显示面板300因外部冲击而被破坏或损坏。缓冲构件可以形成为单层或多层膜。例如，缓冲构件可以由聚合物树脂(例如，诸如聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯等)形成，或者可以由弹性材料(例如，诸如从橡胶获得的发泡海绵、氨基甲酸酯类材料、丙烯酸材料等)形成。
散热构件可以设置在缓冲构件下方。散热构件可以包括第一散热层和第二散热层，第一散热层包括石墨或碳纳米管，第二散热层使用能够阻挡电磁波并且/或者具有优异导热性的金属(例如，诸如铜、镍、铁氧体、银等)形成为薄膜。
如图3A中所示，在一些实施例中，柔性膜340可以设置在显示面板300的一侧上。例如，柔性膜340可以设置在显示面板300的下侧上。柔性膜340可以朝向显示面板300的底部弯曲，并且可以连接到(例如，可以附着到)显示电路板310的一侧，显示电路板310可以设置在面板底盖PB的底表面上。显示电路板310可以经由第一粘合构件391连接到面板底盖PB的底表面(例如，可以附着在面板底盖PB的底表面上和/或固定到面板底盖PB的底表面)。例如，第一粘合构件391可以是PSA。
如图3B中所示，在其它实施例中，可以省略(例如，可以不设置)柔性膜340，并且在这种情况下，基底SUB的一侧可以朝向显示面板300的底部弯曲。基底SUB的朝向显示面板300的底部弯曲的一侧可以连接到(例如，可以附着到)显示电路板310，显示电路板310可以设置在面板底盖PB的底表面上。
如图3A和图3B中所示，感测单元SENL可以直接设置在显示单元DISL上。因此，与包括感测单元SENL的单独的触摸面板附着在显示单元DISL上的情况相比，显示装置10的厚度可以减小。
图4是示出与图3A的显示单元相关联的元件的平面图。
参照图4，显示单元DISL可以包括包含多个子像素PX的主显示区域MDA、包含多个子像素PX和透射部的副显示区域SDA以及不包含子像素PX的非显示区域NDA。例如，子像素PX、扫描线SL和数据线DL可以设置在主显示区域MDA和副显示区域SDA处(例如，在主显示区域MDA和副显示区域SDA中或者在主显示区域MDA和副显示区域SDA上)。扫描线SL可以形成为彼此平行并且可以在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。数据线DL可以形成为彼此平行并且可以在与第一方向(例如，X轴方向)交叉的第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。扫描线SL可以在非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中或在非显示区域NDA上)连接到扫描驱动单元(例如，扫描驱动器)380。数据线DL可以在非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中或在非显示区域NDA上)经由扇出线FL连接到显示垫(pad，或称为“焊盘”)DP。
子像素PX中的每个可以连接到扫描线SL中的至少一条并且连接到数据线DL中的一条。子像素PX中的每个可以包括多个TFT、发光元件和电容器。多个TFT可以包括驱动晶体管和至少一个开关晶体管。响应于从扫描线SL接收的扫描信号，子像素PX可以从数据线DL接收数据电压，并且可以根据施加到子像素PX的驱动晶体管的栅电极的数据电压通过向子像素PX的发光元件供应驱动电流来发射光。
非显示区域NDA可以是显示单元DISL的除了包括主显示区域MDA和副显示区域SDA的显示区域DA之外的整个区域。扫描驱动单元380、扫描控制线SCL、扇出线FL以及感测垫TP1和TP2可以设置在非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中或在非显示区域NDA上)。扫描驱动单元380将扫描信号施加到扫描线SL，扇出线FL将数据线DL和显示垫DP彼此连接。感测垫TP1和TP2可以连接到感测线。
扫描驱动单元380可以经由扫描控制线SCL连接到显示垫DP，因此，可以从设置在柔性膜340上的显示驱动单元320接收扫描控制信号。扫描驱动单元380根据扫描控制信号产生扫描信号，并且将扫描信号提供到扫描线SL。可以通过来自扫描驱动单元380的扫描信号来选择要向其提供数据电压的子像素PX，并且可以向所选择的子像素PX提供数据电压。扫描驱动单元380被示出为形成在非显示区域NDA处(例如，形成在非显示区域NDA中或形成在非显示区域NDA上)以及形成在显示区域DA的一侧处(例如，在显示区域DA的一侧上)，例如，形成在显示区域DA的左侧上，但本公开不限于此。例如，在另一实施例中，多个扫描驱动单元380可以设置在非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中或在非显示区域NDA上)，并且扫描驱动单元380可以在显示区域DA的相对侧处(例如，在显示区域DA的相对侧上)，例如，分别在显示区域DA的左侧和右侧上。
显示面板300可以包括连接到数据线DL(例如，经由扇线FL连接到数据线DL)和扫描控制线SCL的显示垫DP以及连接到感测线的感测垫TP1和TP2。在其处(在其中或在其上)设置有显示垫DP的显示垫区域DPA可以设置在第一感测垫区域TPA1与第二感测垫区域TPA2之间。第一感测垫区域TPA1可以包括设置在其上的第一感测垫TP1，第二感测垫区域TPA2可以包括设置在其上的第二感测垫TP2。如图4中所示，显示垫区域DPA可以设置在显示面板300的一侧(例如，下侧)的中间(例如，中心部分)处(例如，在显示面板300的一侧的中间中或在显示面板300的一侧的中间上)，第一感测垫区域TPA1可以设置在显示垫区域DPA的左侧处(例如，在显示垫区域DPA的左侧中或在显示垫区域DPA的左侧上)，第二感测垫区域TPA2可以设置在显示垫区域DPA的右侧处(例如，在显示垫区域DPA的右侧中或在显示垫区域DPA的右侧上)。
图5是示出在图4的主显示区域处(例如，在图4的主显示区域中或在图4的主显示区域上)的像素的平面图。图6是示出在图4的副显示区域处(例如，在图4的副显示区域中或在图4的副显示区域上)的像素的平面图。
参照图5和图6，主显示区域MDA可以包括多个子像素PX1、PX2和PX3以及非发射部NEA。副显示区域SDA可以包括多个子像素PX1、PX2和PX3、非发射部NEA以及透射部TA。
在主显示区域MDA和副显示区域SDA中，一个第一子像素PX1、两个第二子像素PX2和一个第三子像素PX3可以定义为形成像素PXG。第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3中的每个可以包括发射光的发光元件。发光元件可以是包括有机发光层的OLED、微发光二极管(microLED)、包括量子点发光层的量子点发光二极管(QLED)、包括无机半导体的无机发光二极管(LED)等。
第一子像素PX1可以包括发射第一颜色的光的第一发射区域，第二子像素PX2可以包括发射第二颜色的光的第二发射区域，第三子像素PX3可以包括发射第三颜色的光的第三发射区域。例如，第一颜色、第二颜色和第三颜色分别可以是红色、绿色和蓝色，但本公开不限于此。在另一示例中，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以发射相同或基本相同颜色的光。
图5和图6示出了子像素PX1、PX2和PX3形成为具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的一对短边和在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的一对长边，但本公开不限于此。
非发射部NEA可以是子像素PX1、PX2和PX3未设置在其处(例如，在其中或在其上)的区域。驱动单元(例如，像素驱动器或像素驱动层)可以设置在非发射部NEA处(例如，在非发射部NEA中或在非发射部NEA上)。驱动单元可以包括连接到子像素PX1、PX2和PX3的线以及用于驱动子像素PX1、PX2和PX3的TFT。
非发射部NEA可以在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)设置在子像素PX1、PX2和PX3之间。非发射部NEA可以在副显示区域SDA处(例如，在副显示区域SDA中或在副显示区域SDA上)设置在子像素PX1、PX2和PX3之间，并且设置在子像素PX1、PX2和PX3与透射部TA之间。
透射部TA可以是使入射光透射通过其的区域。由于透射部TA，可以从显示面板300的顶表面观看显示面板300的底部(例如，底表面或后部)处的物体或背景。
透射部TA(例如，透射部TA中的每个)可以被非发射部NEA包围(例如，围绕其外围)。透射部TA(例如，透射部TA中的每个)可以被子像素PX1、PX2和PX3包围(例如，至少部分地围绕其外围)。图6示出了透射部TA在平面图中具有矩形形状，但本公开不限于此。例如，在另一实施例中，透射部TA可以具有除矩形形状之外的另一合适的四边形形状、除四边形形状之外的合适的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状、无定形形状等。
如图6中所示，因为副显示区域SDA包括透射部TA，所以在第三方向(例如，厚度方向或Z轴方向)上可以与副显示区域SDA叠置的传感器740、750、760和770可以通过透射部TA从显示面板300的顶表面接收光。因此，即使当传感器740、750、760和770设置在显示面板300下方(例如，设置在显示面板300的底部处)时，也可以防止或减少传感器740、750、760和770的感测能力的降低。
图7是示出与图3A的感测单元(例如，感测电路或感测层)相关联的元件的平面图。
参照图7，感测单元SENL包括两种类型的传感器电极，例如，驱动电极TE和感测电极RE。感测单元SENL可以通过将驱动信号施加到驱动电极TE并通过感测电极RE感测在互电容中(例如，在驱动电极TE与感测电极RE之间)充入的电压来以两层互电容方式驱动，但本公开不限于此。例如，在其它实施例中，感测单元SENL可以以一层互电容方式或自电容方式驱动。
为了方便，图7示出了传感器电极TE和RE、接近感测电极PE、虚设图案DE、感测线TL1、TL2、RL和PL、感测垫TP1和TP2、第一防护线GL1至第五防护线GL5以及第一接地线GRL1至第三接地线GRL3，但本公开不限于此。
感测单元SENL包括感测区域TSA和感测外围区域TPA，感测区域TSA用于感测来自用户的触摸输入，感测外围区域TPA设置在感测区域TSA的外围处(例如，在感测区域TSA的外围中或在感测区域TSA的外围上)。感测区域TSA可以与显示单元DISL的显示区域DA叠置，感测外围区域TPA可以与显示单元DISL的非显示区域NDA叠置。感测区域TSA可以包括与显示单元DISL的主显示区域MDA叠置的第一感测区域TSA1以及与显示区域DA的副显示区域SDA叠置的第二感测区域TSA2。
第二感测区域TSA2可以包括传感器电极TE和RE、接近感测电极PE和虚设图案DE。接近感测电极PE和虚设图案DE可以被传感器电极TE和RE包围(例如，围绕其外围)。传感器电极TE和RE可以包括驱动电极TE和感测电极RE。驱动电极TE或感测电极RE可以包围接近感测电极PE(例如，围绕接近感测电极PE的外围)，并且驱动电极TE和感测电极RE之中的其它电极可以包围虚设图案DE(例如，围绕虚设图案DE的外围)。换言之，接近感测电极PE可以被驱动电极TE或感测电极RE包围(例如，围绕其外围)，并且虚设图案DE可以被驱动电极TE和感测电极RE中的不包围接近感测电极PE(例如，不围绕接近感测电极PE的外围)的其它电极包围(例如，围绕其外围)。例如，如图7中所示，接近感测电极PE可以被感测电极RE包围(例如，围绕其外围)，并且虚设图案DE可以被驱动电极TE包围(例如，围绕其外围)。在另一示例中，当接近感测电极PE被驱动电极TE包围(例如，围绕其外围)时，虚设图案DE可以被感测电极RE包围(例如，围绕其外围)。虚设图案DE可以电浮置。换言之，可以不向虚设图案DE施加电压。
第一感测区域TSA1可以包括传感器电极TE和RE以及由传感器电极TE和RE包围的虚设图案DE。虚设图案DE可以被驱动电极TE或感测电极RE包围。例如，在一些实施例中，在第一感测区域TSA1中，虚设图案DE中的一些虚设图案DE可以被驱动电极TE包围，虚设图案DE中的其它虚设图案DE可以被感测电极RE包围。虚设图案DE可以电浮置。换言之，可以不向虚设图案DE施加电压。
图7示出了驱动电极TE和感测电极RE在平面图中具有菱形形状，但本公开不限于此。
感测电极RE可以沿第一方向(例如，X轴方向)布置，并且可以彼此电连接。驱动电极TE可以沿与第一方向(例如，X轴方向)交叉的第二方向(例如，Y轴方向)布置，并且可以彼此电连接。驱动电极TE可以与感测电极RE电隔离。驱动电极TE可以设置为与感测电极RE间隔开。虚设图案DE可以电浮置。为了在驱动电极TE与感测电极RE之间的交叉区域处将驱动电极TE与感测电极RE电隔离，在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以经由第一桥接件BE1彼此连接(例如，如图8中所示)，在第一方向(例如，X轴方向)上彼此相邻的感测电极RE可以经由第二桥接件BE2彼此连接(例如，如图8中所示)。
虚设图案DE可以与驱动电极TE和感测电极RE电隔离。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以设置为彼此间隔开。虚设图案DE可以电浮置。
接近感测电极PE可以与驱动电极TE和感测电极RE电隔离。驱动电极TE、感测电极RE和接近感测电极PE可以设置为彼此间隔开。接近感测电极PE可以沿第一方向(例如，X轴方向)布置，并且可以彼此平行。为了将接近感测电极PE与驱动电极TE和感测电极RE电隔离，在第一方向(例如，X轴方向)上成对的相邻的接近感测电极PE可以经由第三桥接件BE3彼此连接，例如，如图13中所示。
由于接近感测电极PE和虚设图案DE，发光元件层EML(见图12)的第二电极173(见图12)与驱动电极TE之间的寄生电容可以减小，并且发光元件层EML(见图12)的第二电极173(见图12)与感测电极RE之间的寄生电容可以减小。当寄生电容减小时，可以增强驱动电极TE与感测电极RE之间的互电容，并且可以增强对互电容充电的速度。然而，因为驱动电极TE和感测电极RE的面积会由于接近感测电极PE和虚设图案DE的存在而减小，所以互电容也会减小。在这种情况下，在互电容中充入的电压会受到噪声的影响(例如，会容易地受到噪声的影响)。因此，可以考虑寄生电容和互电容来确定(例如，可以考虑寄生电容和互电容来设定)接近感测电极PE和虚设图案DE的尺寸。
感测线TL1、TL2、RL和PL可以设置在感测外围区域TPA处(例如，在感测外围区域TPA中或在感测外围区域TPA上)。感测线TL1、TL2、RL和PL可以包括连接到感测电极RE的输入感测线RL、连接到驱动电极TE的第一驱动线TL1和第二驱动线TL2以及连接到接近感测电极PE的接近感测线PL。
设置在感测区域TSA的一侧(例如，图7中的右侧)处(例如，设置在感测区域TSA的一侧中或设置在感测区域TSA的一侧上)的感测电极RE可以连接到输入感测线RL。例如，在感测区域TSA上最向右边布置的感测电极RE可以连接到输入感测线RL。输入感测线RL可以连接到第二感测垫TP2。因此，感测驱动单元330可以电连接到感测电极RE。
设置在感测区域TSA的另一侧(例如，图7中的下侧)处(例如，在感测区域TSA的另一侧中或在感测区域TSA的另一侧上)的驱动电极TE可以连接到第一驱动线TL1，设置在感测区域TSA的所述另一侧的相对侧(例如，图7中的上侧)处(例如，在感测区域TSA的所述另一侧的相对侧中或在感测区域TSA的所述另一侧的相对侧上)的驱动电极TE可以连接到第二驱动线TL2。例如，如图7中所示，最下面的驱动电极TE1可以连接到第一驱动线TL1，最上面的驱动电极TE2可以连接到第二驱动线TL2。第二驱动线TL2可以在感测区域TSA的上侧处(例如，在感测区域TSA的上侧中或在感测区域TSA的上侧上)连接到最上面的驱动电极TE2，并且可以在感测区域TSA的左侧处在感测外围区域TPA上在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。第一驱动线TL1和第二驱动线TL2可以连接到第一感测垫TP1。因此，感测驱动单元330可以电连接到驱动电极TE。因为驱动电极TE在感测区域TSA的相对侧处(例如，在感测区域TSA的相对侧中或在感测区域TSA的相对侧上)连接到驱动线TL1和TL2以接收感测驱动信号TD(见图8)，所以可以防止或减小由于感测驱动信号TD中的RC延迟而导致的施加到最上面的驱动电极TE2的感测驱动电压与施加到最下面的驱动电极TE1的感测驱动电压之间的差异。
在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)的接近感测电极PE可以连接到接近感测线PL。在多个行处(例如，在多个行中或在多个行上)的接近感测电极PE可以连接到接近感测线PL。接近感测线PL可以连接到第二感测垫TP2。因此，感测驱动单元330可以电连接到接近感测电极PE。
第一防护线GL1可以设置在最外面的输入感测线RL的外侧(例如，在图7中向右边)处(例如，在最外面的输入感测线RL的外侧中或在最外面的输入感测线RL的外侧上)。第一接地线GRL1可以设置在第一防护线GL1的外侧(例如，在图7中向右边)处(例如，在第一防护线GL1的外侧中或在第一防护线GL1的外侧上)。如图7中所示，第一防护线GL1可以设置在最右面的输入感测线RL的右侧处(例如，在最右面的输入感测线RL的右侧中或在最右面的输入感测线RL的右侧上)，并且第一接地线GRL1可以设置在第一防护线GL1的右侧处(例如，在第一防护线GL1的右侧中或在第一防护线GL1的右侧上)。
第二防护线GL2可以设置在最里面的输入感测线RL与最里面的第一驱动线TL1之间。如图7中所示，最里面的输入感测线RL可以是最左面的输入感测线RL，最里面的第一驱动线TL1可以是最右面的第一驱动线TL1。第二防护线GL2也可以设置在最里面的第一驱动线TL1与第二接地线GRL2之间。
第三防护线GL3可以设置在最里面的输入感测线RL与第二接地线GRL2之间。第二接地线GRL2可以连接到最右面的第一感测垫TP1和最左面的第二感测垫TP2。
第四防护线GL4可以设置在最外面的第二驱动线TL2的外侧(例如，图7中的左侧)处(例如，在最外面的第二驱动线TL2的外侧中或在最外面的第二驱动线TL2的外侧上)。如图7中所示，第四防护线GL4可以设置在最外面的第二驱动线TL2的左侧处(例如，在最外面的第二驱动线TL2的左侧中或在最外面的第二驱动线TL2的左侧上)。
第三接地线GRL3可以设置在第四防护线GL4的外侧(例如，图7中的左侧)处(例如，在第四防护线GL4的外侧中或在第四防护线GL4的外侧上)。如图7中所示，第四防护线GL4可以设置在最外面的第二驱动线TL2的左侧和上侧处(例如，在最外面的第二驱动线TL2的左侧和上侧中或在最外面的第二驱动线TL2的左侧和上侧上)，并且第三接地线GRL3可以设置在第四防护线GL4的左侧和上侧处(例如，在第四防护线GL4的左侧和上侧中或在第四防护线GL4的左侧和上侧上)。
第五防护线GL5可以设置在最里面的第二驱动线TL2的内侧(例如，图7中的右侧)处(例如，在最里面的第二驱动线TL2的内侧中或在最里面的第二驱动线TL2的内侧上)。如图7中所示，第五防护线GL5可以设置在最里面的第二驱动线TL2与传感器电极TE和RE之间。
地电压可以施加到第一接地线GRL1至第三接地线GRL3。地电压也可以施加到第一防护线GL1至第五防护线GL5。
如图7中所示，成对的相邻的(例如，在第二方向或Y轴方向上相邻的)驱动电极TE彼此电连接，成对的相邻的(例如，在第二方向或Y轴方向上相邻的)感测电极RE彼此电隔离。此外，成对的相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)驱动电极TE彼此电隔离，成对的相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)感测电极RE彼此电连接。因此，互电容可以形成在与驱动电极TE和感测电极RE相邻的区域处(例如，在与驱动电极TE和感测电极RE相邻的区域中或在与驱动电极TE和感测电极RE相邻的区域上)。
如图7中所示，因为第一防护线GL1设置在最外面的输入感测线RL与第一接地线GRL1之间，所以第一防护线GL1可以最小化或减小第一接地线GRL1中的电压变化对最外面的输入感测线RL的影响。因为第二防护线GL2设置在最里面的输入感测线RL与最里面的第一驱动线TL1之间，所以第二防护线GL2可以最小化或减小最里面的第一驱动线TL1中的电压变化对最里面的输入感测线RL的影响。因为第三防护线GL3设置在最里面的输入感测线RL与第二接地线GRL2之间，所以第三防护线GL3可以最小化或减小第二接地线GRL2中的电压变化对最里面的输入感测线RL的影响。因为第四防护线GL4设置在最外面的第二驱动线TL2与第三接地线GRL3之间，所以第四防护线GL4可以最小化或减小第三接地线GRL3中的电压变化对最外面的第二驱动线TL2的影响。因为第五防护线GL5设置在最里面的第二驱动线TL2与传感器电极TE和RE之间，所以第五防护线GL5可以最小化或减小最里面的第二驱动线TL2中的电压变化对传感器电极TE和RE的影响。
图8示出了连接到在图7的第一感测区域处(例如，在图7的第一感测区域中或在图7的第一感测区域上)的驱动电极和感测电极的示例性感测驱动单元(例如，感测驱动器)。
为了方便，图8示出了在第一感测区域TSA1处(例如，在第一感测区域TSA1中或在第一感测区域TSA1上)在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此电连接的一列驱动电极TE以及在第一感测区域TSA1处(例如，在第一感测区域TSA1中或在第一感测区域TSA1上)在第一方向(例如，X轴方向)上彼此电连接的一行感测电极RE。
参照图8，感测驱动单元(例如，感测驱动器)330可以包括驱动信号输出部(例如，驱动信号发生器)331、第一感测部(例如，第一感测电路)332和第一模数转换部(例如，第一模数转换器)333。
驱动信号输出部331可以经由第一驱动线TL1并且经由第二驱动线TL2将感测驱动信号TD输出到驱动电极TE。感测驱动信号TD可以包括多个脉冲，每个脉冲具有脉冲幅度VD。
驱动信号输出部331可以以限定的(例如，预限定的)顺序将感测驱动信号TD输出到驱动线TL1和TL2。例如，参照图7，驱动信号输出部331可以按照从与感测区域TSA的左侧相邻的驱动电极TE的列(例如，第一列)到与感测区域TSA的右侧相邻的驱动电极TE的列(例如，最后一列)的相继顺序将感测驱动信号TD输出到驱动电极TE。
第一感测部332经由连接到感测电极RE的输入感测线RL感测在第一互电容Cm1中充入的电压。第一互电容Cm1可以形成在驱动电极TE与感测电极RE之间。
第一感测部332可以包括第一运算放大器OA1、第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1。第一运算放大器OA1可以包括第一输入端子“-”、第二输入端子“+”和输出端子“out”。第一运算放大器OA1的第一输入端子“-”可以连接到输入感测线RL，第一运算放大器OA1的第二输入端子“+”可以接收初始化电压VREF，并且第一运算放大器OA1的输出端子“out”可以连接到第一存储电容器Cs1。第一存储电容器Cs1可以连接在第一运算放大器OA1的输出端子“out”与地(例如，接地源)之间，以存储第一运算放大器OA1的输出电压Vout1。第一反馈电容器Cfb1和第一复位开关RSW1可以并联连接在第一运算放大器OA1的第一输入端子“-”与输出端子“out”之间。第一复位开关RSW1控制第一反馈电容器Cfb1的端部(例如，两端)的连接。例如，当第一复位开关RSW1导通使得第一反馈电容器Cfb1的端部彼此连接时，第一反馈电容器Cfb1可以被复位。
第一运算放大器OA1的输出电压Vout1可以由下面的等式(1)定义。
[等式(1)]
Figure BDA0002639292610000281
参照等式(1)，Vout1指第一运算放大器OA1的输出电压，Cm1指第一互电容，Cfb1指第一反馈电容器Cfb1的电容，Vt1指在第一互电容Cm1中充入的电压。
第一模数转换部333可以将存储在第一存储电容器Cs1中的输出电压Vout1转换为第一数字数据，并且可以输出第一数字数据。第一模数转换部333可以将第一数字数据作为触摸感测数据输出到主处理器710。
如以上参照图8描述的，在第一感测区域TSA1处(例如，在第一感测区域TSA1中或在第一感测区域TSA1上)，可以通过感测在第一互电容Cm1中充入的电压来检测来自用户的触摸输入的存在。
图9示出了连接到在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的驱动电极、感测电极和接近感测电极的示例性感测驱动单元(例如，感测驱动器)。
为了方便，图9示出了在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此电连接的一列驱动电极TE、在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)在第一方向(例如，X轴方向)上彼此电连接的一行感测电极RE以及在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)在第一方向(例如，X轴方向)上彼此电连接的一行接近感测电极PE。
参照图9，感测驱动单元(例如，感测驱动器)330可以包括驱动信号输出部(例如，驱动信号发生器)331、第一感测部(例如，第一感测电路)332、第一模数转换部(例如，第一模数转换器)333、第二感测部(例如，第二感测电路)334和第二模数转换部(例如，第二模数转换器)335。驱动信号输出部331、第一感测部332和第一模数转换部333可以与参照图8描述的它们各自的对应部分相同或基本相同。因此，可以不重复其冗余描述。
第二感测部334经由连接到接近感测电极PE的接近感测线PL感测在第二互电容Cm2中充入的电压。第二感测部334可以包括第二运算放大器OA2、第二反馈电容器Cfb2和第二复位开关RSW2。第二运算放大器OA2可以包括第一输入端子“-”、第二输入端子“+”和输出端子“out”。第二运算放大器OA2的第一输入端子“-”可以连接到接近感测线PL，初始化电压VREF可以提供到第二运算放大器OA2的第二输入端子“+”，并且第二运算放大器OA2的输出端子“out”可以连接到第二存储电容器Cs2。第二存储电容器Cs2可以连接在第二运算放大器OA2的输出端子“out”与地(例如，接地源)之间，以存储第二运算放大器OA2的输出电压Vout2。第二反馈电容器Cfb2和第二复位开关RSW2可以并联连接在第二运算放大器OA2的第一输入端子“-”与输出端子“out”之间。第二复位开关RSW2控制第二反馈电容器Cfb2的端部(例如，两端)的连接。例如，当第二复位开关RSW2导通使得第二反馈电容器Cfb2的端部彼此连接时，第二反馈电容器Cfb2可以被复位。
第二运算放大器OA2的输出电压Vout2可以由下面的等式(2)定义。
[等式(2)]
Figure BDA0002639292610000291
参照等式(2)，Vout2指第二运算放大器OA2的输出电压，Cm2指第二互电容，Cfb2指第二反馈电容器Cfb2的电容，Vt2指在第二互电容Cm2中充入的电压。
第二模数转换部335可以将存储在第二存储电容器Cs2中的输出电压Vout2转换为第二数字数据，并且可以输出第二数字数据。第二模数转换部335可以将第二数字数据作为接近感测数据输出到主处理器710。
如以上参照图9描述的，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，可以通过感测在第一互电容Cm1中充入的电压来检测来自用户的触摸输入的存在，并且可以通过感测充入在第二互电容Cm2中充入的电压来检测来自用户的接近输入的存在。
因为可以通过将感测驱动信号TD并发地(例如，同时或在同一时间)施加到多列驱动电极TE，并且经由多行接近感测电极PE感测在第二互电容Cm2中充入的电压来检测来自用户的接近输入的存在，所以第二互电容Cm2可以大于第一互电容Cm1。
图10是示出图7的第一感测区域处的示例性驱动电极、示例性感测电极和示例性虚设图案的平面图。
为了方便，图10示出了一对相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)感测电极RE以及一对相邻的(例如，在第二方向或Y轴方向上相邻的)驱动电极TE。
参照图10，驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE在平面图中可以具有四边形形状，但本公开不限于此。在实施例中，驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE在平面图中可以具有网格结构或鱼网结构。在这种情况下，驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、多个第一桥接件BE1和第二桥接件BE2可以具有彼此相同或基本相同的网格孔尺寸。
感测电极RE可以沿第一方向(例如，X轴方向)布置，并且可以彼此电连接。驱动电极TE可以沿第二方向(例如，Y轴方向)布置，并且可以彼此电连接。虚设图案DE可以设置为被驱动电极TE或感测电极RE包围(例如，围绕其外围)。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以彼此电隔离。驱动电极TE、感测电极RE和虚设图案DE可以设置为彼此间隔开。
为了使感测电极RE和驱动电极TE在感测电极RE与驱动电极TE之间的交叉区域处彼此电隔离，在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以经由第一桥接件BE1彼此连接，并且在第一方向(例如，X轴方向)上彼此相邻的感测电极RE可以经由第二桥接件BE2彼此连接。第一桥接件BE1可以形成在与驱动电极TE的层不同的层处(例如，在与驱动电极TE的层不同的层中或在与驱动电极TE的层不同的层上)，并且可以经由第一接触孔CNT1连接到驱动电极TE。例如，第一桥接件BE1可以设置在第二缓冲膜BF2上(例如，见图12)，驱动电极TE可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上(例如，见图12)。
第一桥接件BE1可以包括至少一个弯曲部分(例如，可以形成为弯曲至少一次)。图10示出了第一桥接件BE1以尖括号的形状(例如，“<”和“>”)弯曲，但第一桥接件BE1的形状不限于此。因为在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE通过多个第一桥接件BE1彼此连接，所以即使第一桥接件BE1中的一个第一桥接件BE1短路，驱动电极TE也可以稳定地彼此连接。图10示出了驱动电极TE通过两个第一桥接件BE1彼此连接，但第一桥接件BE1的数量不限于此。
第二桥接件BE2可以形成在与感测电极RE的层相同的层处(例如，在与感测电极RE的层相同的层中或在与感测电极RE的层相同的层上)，并且可以从感测电极RE延伸(例如，可以在感测电极RE中的相邻感测电极RE之间延伸)。感测电极RE和第二桥接件BE2可以包括相同或基本相同的材料(例如，可以由相同或基本相同的材料形成)。例如，感测电极RE和第二桥接件BE2可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上(例如，见图12)。
虚设图案DE可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上，并且可以与驱动电极TE和感测电极RE间隔开。
如以上参照图10描述的，第一桥接件BE1可以设置在第二缓冲膜BF2上，驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二桥接件BE2可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上。因此，驱动电极TE和感测电极RE可以在驱动电极TE与感测电极RE之间的交叉区域处彼此电隔离，感测电极RE可以在第一方向(例如，X轴方向)上彼此电连接，并且驱动电极TE可以在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此电连接。
图11A是图10的区域A的放大平面图。
参照图11A，驱动电极TE、感测电极RE、多个第一桥接件BE1和第二桥接件BE2可以形成为在平面图中具有网格结构或鱼网结构。虚设图案DE也可以形成为在平面图中具有网格或鱼网结构。在包括驱动电极TE和感测电极RE的感测单元(例如，感测电路或感测层)SENL直接形成在薄膜封装层TFEL上(例如，见图12)的情况下，因为发光元件层EML的第二电极173会太靠近感测单元SENL的驱动电极TE和感测电极RE，所以大的寄生电容会形成在发光元件层EML的第二电极173与感测单元SENL的驱动电极TE(或感测电极RE)之间。因为寄生电容可以与发光元件层EML的第二电极173和感测单元SENL的驱动电极TE(或感测电极RE)的叠置面积成比例，所以感测单元SENL的驱动电极TE和感测电极RE可以形成为在平面图中具有网格结构或鱼网结构。
因为驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二桥接件BE2可以形成在彼此相同的层处(例如，在彼此相同的层中或在彼此相同的层上)，所以驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE和第二桥接件BE2可以设置为彼此间隔开。在这种情况下，间隙或开口可以形成在驱动电极TE与感测电极RE之间、驱动电极TE与第二桥接件BE2之间、驱动电极TE与虚设图案DE之间以及感测电极RE与虚设图案DE之间。为了方便，在图11A中，驱动电极TE与感测电极RE之间、驱动电极TE与第二桥接件BE2之间、驱动电极TE与虚设图案DE之间以及感测电极RE与虚设图案DE之间的边界用虚线指示。
第一桥接件BE1可以经由第一接触孔CNT1连接到驱动电极TE。一对对应的第一桥接件BE1中的每个的第一端可以经由第一接触孔CNT1连接到一对相邻的(例如，在第二方向或Y轴方向上相邻的)驱动电极TE之中的一个驱动电极TE，并且一对对应的第一桥接件BE1中的每个的第二端可以经由另一第一接触孔CNT1连接到一对相邻的驱动电极TE之中的另一驱动电极TE。如图11A中所示，第一桥接件BE1可以与驱动电极TE和感测电极RE叠置，但本公开不限于此。在另一实施例中，第一桥接件BE1可以与第二桥接件BE2叠置，而不与感测电极RE叠置。在又一实施例中，第一桥接件BE1可以与感测电极RE和第二桥接件BE2叠置。因为第一桥接件BE1形成在与驱动电极TE的层不同的层处(例如，在与驱动电极TE的层不同的层中或在与驱动电极TE的层不同的层上)，所以即使第一桥接件BE1与感测电极RE和/或第二桥接件BE2叠置，第一桥接件BE1也不会与感测电极RE和/或第二桥接件BE2短路。
第二桥接件BE2可以设置在感测电极RE之间。第二桥接件BE2可以形成在与感测电极RE的层相同的层处(例如，在与感测电极RE的层相同的层中或在与感测电极RE的层相同的层上)，并且可以从两个感测电极RE延伸。因此，第二桥接件BE2可以在不使用接触孔的情况下连接到感测电极RE。
子像素的发射区域R、G和B包括用于发射第一颜色的光的第一发射区域R、用于发射第二颜色的光的第二发射区域G和用于发射第三颜色的光的第三发射区域B。第一颜色、第二颜色和第三颜色分别可以是红色、绿色和蓝色。图11A示出了第一发射区域R对应于(例如，可以是)第一子像素PX1的发射区域，第二发射区域G对应于(例如，可以是)第二子像素PX2的发射区域，并且第三发射区域B对应于(例如，可以是)第三子像素PX3的发射区域，但本公开不限于此。如图11A中所示，第一发射区域R、第二发射区域G和第三发射区域B中的每个在平面图中可以具有四边形形状，但本公开不限于此。例如，在其它示例实施例中，第一发射区域R、第二发射区域G和第三发射区域B在平面图中可以具有任何合适的形状，例如，诸如除了四边形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状等。尽管图11A示出了第三发射区域B具有最大尺寸(例如，平面图中的最大面积)，并且第二发射区域G具有最小尺寸(例如，平面图中的最小面积)，但本公开不限于此。
像素PXG可以指可以表示灰度(例如，灰度级)的一组子像素。图11A示出了单个像素PXG包括一个第一发射区域R、两个第二发射区域G和一个第三发射区域B，并且第一发射区域R、第二发射区域G和第三发射区域B被布置为在平面图中形成方块形状或菱形形状。然而，本公开不限于此。例如，在图11B中示出的实施例中，像素PXG可以包括一个第一发射区域R、一个第二发射区域G和一个第三发射区域B，并且第一发射区域R、第二发射区域G和第三发射区域B可以沿第一方向(例如，X轴方向)以条带形式(例如，成线)布置。在另一示例中，在图11C中示出的实施例中，像素PXG可以包括一个第一发射区域R、一个第二发射区域G和一个第三发射区域B，并且第三发射区域B可以在第二方向(例如，Y轴方向)上比在第一方向(例如，X轴方向)上延伸得多(例如，可以延伸得更长)，第三发射区域B在第二方向上可以比第一发射区域R和第二发射区域G中的每个延伸得多(例如，可以延伸得更长)，并且第一发射区域R和第二发射区域G可以设置在第三发射区域B的一侧(例如，在第一方向或X轴方向上的一侧)处。在这种情况下，第一发射区域R和第二发射区域G中的每个在平面图中可以具有正方形形状或基本正方形形状，或者第一发射区域R和第二发射区域G中的每个可以在第一方向(例如，X轴方向)上比在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸得多(例如，可以延伸得更长)。
因为驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、多个第一桥接件BE1和第二桥接件BE2可以形成为在平面图中具有网格结构或鱼网结构，所以发射区域R、G和B可以不与驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一桥接件BE1和第二桥接件BE2叠置。因此，可以防止或基本防止从发射区域R、G和B发射的光被驱动电极TE、感测电极RE、虚设图案DE、第一桥接件BE1和/或第二桥接件BE2阻挡，结果，可以防止或减少从发射区域R、G和B发射的光的亮度的降低。
图12是沿图11A的线I-I'截取的剖视图。
更详细地，图12示出了感测单元(例如，感测电路或感测层)SENL的驱动电极TE与第一桥接件BE1之间的连接结构。
参照图12，显示单元DISL形成在基底SUB上，显示单元DISL包括第一缓冲膜BF1、TFT层TFTL、发光元件层EML和薄膜封装层TFEL。TFT层TFTL可以包括TFT 120、栅极绝缘膜130、层间绝缘膜140、钝化膜150和平坦化膜160。
阻光层BML可以形成在基底SUB的表面上。阻光层BML可以是用于阻挡入射在有源层121上的光的层，并且可以与有源层121叠置。阻光层BML可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和/或其合金的单层膜或多层膜。
第一缓冲膜BF1可以形成在阻光层BML上。第一缓冲膜BF1可以形成在基底SUB的表面上，以保护TFT 120和发光元件层EML的有机发光层172免受会穿透基底SUB的湿气等的影响。第一缓冲膜BF1可以包括彼此交替堆叠的多个无机膜。例如，第一缓冲膜BF1可以形成为其中选自于氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层之中的一种或更多种无机膜彼此交替堆叠的多层膜。然而，本公开不限于此，并且可以省略(例如，可以不设置)第一缓冲膜BF1。
包括TFT 120的TFT层TFTL形成在第一缓冲膜BF1上。TFT 120包括有源层121、栅电极122、源电极123和漏电极124。图12示出了TFT 120具有其中栅电极122设置在有源层121上方的顶栅结构，但本公开不限于此。例如，在其它实施例中，TFT 120可以形成为具有其中栅电极122设置在有源层121下方的底栅结构或者其中栅电极(例如，包括多个栅电极)122设置在有源层121上方和下方两者的双栅结构。
有源层121形成在第一缓冲膜BF1上。有源层121可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括具有(例如，包含)例如铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、Ti、Al、铪(Hf)、锆(Zr)和/或镁(Mg)的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四元化合物(ABxCyDz)。例如，有源层121可以包括氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟镓锌(IGZO)。用于阻挡入射在有源层121上的外部光的阻光层BML可以形成在第一缓冲膜BF1与有源层121之间。
栅极绝缘膜130可以形成在有源层121上。栅极绝缘膜130可以形成为无机膜，例如，诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。图12示出了栅极绝缘膜130形成在栅极绝缘膜130和栅电极122的叠置区域处(例如，在栅极绝缘膜130和栅电极122的叠置区域中或在栅极绝缘膜130和栅电极122的叠置区域上)以及形成在除了叠置区域之外的非叠置区域处(例如，在除了叠置区域之外的非叠置区域中或在除了叠置区域之外的非叠置区域上)，但本公开不限于此。例如，在另一实施例中，栅极绝缘膜130可以形成在栅极绝缘膜130和栅电极122的叠置区域处(例如，在栅极绝缘膜130和栅电极122的叠置区域中或在栅极绝缘膜130和栅电极122的叠置区域上)，并且可以不形成在非叠置区域处(例如，可以从非叠置区域省略)。
栅电极122和扫描线SL可以形成在栅极绝缘膜130上。栅电极122和扫描线SL可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu和/或其合金的单层膜或多层膜。
层间绝缘膜140可以形成在栅电极122和扫描线SL上。层间绝缘膜140可以包括第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142。第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142可以形成为例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
源电极123和漏电极124可以形成在层间绝缘膜140上。源电极123和漏电极124可以通过穿透(例如，延伸通过)栅极绝缘膜130和层间绝缘膜140的接触孔连接到有源层121。源电极123和漏电极124可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu和/或其合金的单层膜或多层膜。
钝化膜150可以形成在源电极123和漏电极124上以使TFT 120绝缘。钝化膜150可以形成为无机膜，例如，诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
平坦化膜160可以形成在钝化膜150上以使由TFT 120产生的高度差平坦化。平坦化膜160可以形成为包括例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
发光元件层EML形成在TFT层TFTL上。发光元件层EML包括发光元件170和像素限定膜180。
发光元件170和像素限定膜180形成在平坦化膜160上。发光元件170可以包括第一电极171、有机发光层172和第二电极173。
第一电极171可以形成在平坦化膜160上。图12示出了第一电极171经由穿透(例如，延伸通过)钝化膜150和平坦化膜160的接触孔连接到TFT120的漏电极124，但本公开不限于此。例如，第一电极171可以经由穿透(例如，延伸通过)钝化膜150和平坦化膜160的接触孔连接到TFT 120的源电极123。
在光在从有机发光层172朝向第二电极173的方向上发射的顶发射结构中，第一电极171可以由具有高反射率的金属材料(例如，诸如Al和Ti的堆叠体(例如，Ti/Al/Ti)、Al和氧化铟锡(ITO)的堆叠体(例如，ITO/Al/ITO)、银-钯-铜(APC)合金或APC合金和ITO的堆叠体(例如，ITO/APC/ITO))形成。在另一实施例中，第一电极171可以形成为包括Mo、Ti、Cu或Al的单层。
在光在从有机发光层172朝向第一电极171的方向上发射的底发射结构中，第一电极171可以由可以使光透射通过其的透明导电氧化物(TCO)材料(例如，诸如ITO或氧化铟锌(IZO))或半透明金属材料(例如，诸如Mg、Ag或其合金)形成。在第一电极171由半透明金属材料形成的情况下，由于微腔效应，可以提高发光元件层EML的发射效率。
像素限定膜180可以形成在平坦化膜160上以限定(例如，以暴露)第一电极171，因此以限定例如第一发射区域R。像素限定膜180可以形成为覆盖第一电极171的边缘。像素限定膜180可以形成为包括例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
第一发射区域R指其中第一电极171、有机发光层172和第二电极173彼此顺序堆叠使得来自第一电极171的空穴和来自第二电极173的电子可以结合在一起以发射光的区域。第二发光区域G和第三发光区域B可以以与图12中示出的第一发射区域R相同或基本相同的方式形成。
有机发光层172形成在第一电极171和像素限定膜180上。有机发光层172可以包括有机材料，并且可以发射具有合适的或期望的颜色(例如，具有预定颜色)的光。例如，有机发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。在该示例中，第一发射区域R的有机发光层172可以发射红色光，第二发射区域G的有机发光层172可以发射绿色光，并且第三发射区域B的有机发光层172可以发射蓝色光。
在另一示例中，第一发射区域R、第二发射区域G和第三发射区域B的有机发光层172可以形成为单层膜，并且可以发射白光、紫外(UV)光或蓝光。在该示例中，第一发射区域R、第二发射区域G和第三发射区域B可以分别与红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层叠置。红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层可以分别使红光、绿光和蓝光透射通过其。红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层可以设置在薄膜封装层TFEL上。第一发射区域R、第二发射区域G和第三发射区域B也可以分别与红色波长转换层、绿色波长转换层和蓝色波长转换层叠置。红色波长转换层、绿色波长转换层和蓝色波长转换层可以分别将UV光或蓝光转换为红光、绿光和蓝光。红色波长转换层、绿色波长转换层和蓝色波长转换层可以设置在薄膜封装层TFEL上。例如，红色波长转换层可以设置在薄膜封装层TFEL与红色滤色器层之间，绿色波长转换层可以设置在薄膜封装层TFEL与绿色滤色器层之间，蓝色波长转换层可以设置在薄膜封装层TFEL与蓝色滤色器层之间。
第二电极173形成在有机发光层172上。第二电极173可以形成为覆盖有机发光层172。第二电极173可以是针对所有像素PXG共同形成的公共层(例如，公共电极)。盖层可以形成在第二电极173上。
在顶发射结构中，第二电极173可以由可以使光透射通过其的TCO材料(例如，诸如ITO或IZO)或半透明金属材料(例如，诸如Mg、Ag或其合金)形成。在第二电极173由半透明金属材料形成的情况下，由于微腔效应，可以提高发光元件层EML的发射效率。
在底发射结构中，第二电极173可以由具有高反射率的金属材料(例如，诸如Al和Ti的堆叠体(例如，Ti/Al/Ti)、Al和ITO的堆叠体(例如，ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的堆叠体(例如，ITO/APC/ITO))形成。在另一示例中，第二电极173可以形成为包括Mo、Ti、Cu、Al或ITO的单层。
薄膜封装层TFEL形成在发光元件层EML上。薄膜封装层TFEL设置在第二电极173上。薄膜封装层TFEL可以包括用于防止或基本防止氧、湿气等渗透到有机发光层172和第二电极173中的至少一个无机膜。薄膜封装层TFEL也可以包括用于保护发光元件层EML免受外来材料(例如，诸如灰尘)的影响的至少一个有机膜。例如，薄膜封装层TFEL可以包括设置在第二电极173上的第一无机膜、设置在第一无机膜上的有机膜以及设置在有机膜上的第二无机膜。第一无机膜和第二无机膜可以形成为氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层，但本公开不限于此。有机膜可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成，但本公开不限于此。
感测单元(例如，感测电路或感测层)SENL形成在薄膜封装层TFEL上。感测单元SENL可以包括驱动电极TE、感测电极RE、接近感测电极PE、虚设图案DE、桥接件(例如，BE1、BE2和BE3)、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、输入感测线RL、接近感测线PL、第一防护线GL1至第五防护线GL5以及第一接地线GRL1至第三接地线GRL3。为了方便，图12示出了感测单元SENL的驱动电极TE与第一桥接件BE1之间的连接结构。
第二缓冲膜BF2可以形成在薄膜封装层TFEL上。第二缓冲膜BF2可以形成为其中选自于氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层之中的一种或更多种无机膜交替堆叠的多层膜。
第一桥接件BE1可以形成在第二缓冲膜BF2上。第一桥接件BE1可以由例如Al和Ti的堆叠体(例如，Ti/Al/Ti)、Al和ITO的堆叠体(例如，ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的堆叠体(例如，ITO/APC/ITO)形成，但本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第一桥接件BE1可以形成为Mo、Ti、Cu、Al或ITO的单层。
第一传感器绝缘膜TINS1形成在第一桥接件BE1上。第一传感器绝缘膜TINS1可以形成为无机膜，例如，诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。在另一实施例中，第一传感器绝缘膜TINS1可以形成为包括例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
驱动电极TE和感测电极RE可以形成在第一传感器绝缘膜TINS1上，并且可以在第一传感器绝缘膜TINS1上彼此间隔开。驱动电极TE和感测电极RE可以由例如Al和Ti的堆叠体(例如，Ti/Al/Ti)、Al和ITO的堆叠体(例如，ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的堆叠体(例如，ITO/APC/ITO)形成，但本公开不限于此。在另一示例实施例中，驱动电极TE和感测电极RE可以形成为Mo、Ti、Cu、Al或ITO的单层。驱动电极TE和感测电极RE可以形成在同一层处(例如，在同一层中或在同一层上)，并且可以包括与感测单元SENL的虚设图案DE、第二桥接件BE2、第一驱动线TL1、第二驱动线TL2、输入感测线RL、第一防护线GL1至第五防护线GL5以及第一接地线GRL1至第三接地线GRL3的材料相同或基本相同的材料，但本公开不限于此。
第一接触孔CNT1可以形成为穿透(例如，延伸通过)第一传感器绝缘膜TINS1，因此，第一接触孔CNT1可以使第一桥接件BE1暴露。驱动电极TE可以通过第一接触孔CNT1连接到第一桥接件BE1。
第二传感器绝缘膜TINS2形成在驱动电极TE和感测电极RE上。第二传感器绝缘膜TINS2可以使由驱动电极TE、感测电极RE和第一桥接件BE1产生的高度差平坦化。第二传感器绝缘膜TINS2可以形成为包括例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
根据图12的实施例，将一对相邻的(例如，在第二方向或Y轴方向上相邻的)驱动电极TE彼此连接的第一桥接件BE1可以设置在第二缓冲膜BF2上，感测电极RE和第二桥接件BE2可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上。因此，驱动电极TE和感测电极RE可以在驱动电极TE与感测电极RE之间的交叉区域处彼此电隔离，感测电极RE可以在第一方向(例如，X轴方向)上彼此电连接，并且驱动电极TE可以在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此电连接。
图13是示出在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
为了方便，图13示出了在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)的一行三个相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)感测电极RE以及在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)的两列相邻的(例如，在第二方向或Y轴方向上相邻的)驱动电极TE。
图13中示出的驱动电极TE、感测电极RE、第一桥接件BE1和第二桥接件BE2与参照图10描述的它们的各自的对应部分相同或基本相同，因此，可以不重复其冗余描述。
参照图13，接近感测电极PE可以沿第一方向(例如，X轴方向)布置，并且可以彼此电连接。驱动电极TE可以沿第二方向(例如，Y轴方向)布置，并且可以彼此电连接。接近感测电极PE可以被感测电极RE和虚设图案DE包围(例如，围绕其外围)。接近感测电极PE可以与感测电极RE电隔离。接近感测电极PE可以设置为与感测电极RE间隔开。虚设图案DE可以与驱动电极TE电隔离。虚设图案DE可以设置为与驱动电极TE间隔开。
为了使接近感测电极PE和驱动电极TE在接近感测电极PE与驱动电极TE之间的交叉区域处彼此电隔离，在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以经由第一桥接件BE1彼此连接，并且在第一方向(例如，X轴方向)上彼此相邻的接近感测电极PE可以经由第三桥接件BE3彼此连接。
参照将在下面更详细地描述的图14A，第三桥接件BE3可以包括第一子桥接件SBE1和第二子桥接件SBE2，第一子桥接件SBE1设置在与接近感测电极PE的层相同的层处(例如，在与接近感测电极PE的层相同的层中或在与接近感测电极PE的层相同的层上)，第二子桥接件SBE2经由第二接触孔CNT2连接到第一子桥接件SBE1。第一子桥接件SBE1可以与感测电极RE电隔离，并且可以设置为与感测电极RE间隔开。例如，参照图14A、图15和图16，第二子桥接件SBE2可以设置在第二缓冲膜BF2上，接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上。
第二子桥接件SBE2可以包括至少一个弯曲部分(例如，可以形成为弯曲至少一次)。图13示出了第二子桥接件SBE2以尖括号的形状(例如，“<”和“>”)弯曲，但第二子桥接件SBE2的形状不限于此。图13示出了第一子桥接件SBE1中的两个第一子桥接件SBE1通过单个第二子桥接件SBE2彼此连接，但本公开不限于此，第一子桥接件SBE1中的两个第一子桥接件SBE1可以通过任何合适数量的第二子桥接件SBE2彼此连接。
参照将在下面更详细地描述的图14B，在另一示例实施例中，第三桥接件BE3可以形成在与接近感测电极PE的层相同的层处(例如，形成在与接近感测电极PE的层相同的层中或形成在与接近感测电极PE的层相同的层上)，可以包括与接近感测电极PE的材料相同或基本相同的材料，并且可以从接近感测电极PE延伸。在这种情况下，第三桥接件BE3可以与感测电极RE和第二桥接件BE2电隔离，并且可以设置为与感测电极RE和第二桥接件BE2间隔开。第三桥接件BE3可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上。
接近感测电极PE和虚设图案DE在平面图中可以具有四边形形状，但本公开不限于此。接近感测电极PE在平面图中可以具有网格结构或鱼网结构。
在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，不与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的密度可以大于与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的密度。换言之，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的密度可以小于不与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的密度。接近感测电极PE的密度指预定区域的接近感测电极PE的面积。
例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的网格孔尺寸可以大于不与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的线宽可以小于不与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的线宽。
在这种情况下，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的密度可以小于虚设图案DE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的网格孔尺寸可以大于虚设图案DE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的线宽可以小于虚设图案DE的线宽。
此外，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的密度可以小于驱动电极TE的密度和感测电极RE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的网格孔尺寸可以大于驱动电极TE和感测电极RE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的线宽可以小于驱动电极TE和感测电极RE的线宽。
因此，因为可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，所以即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减少感测单元SENL的感测能力的劣化。传感器SENS可以是设置在图2的主电路板700上的传感器740、750、760和770之中的一个，但本公开不限于此。例如，在实施例中，传感器SENS可以是感测显示面板300的顶表面处的光的传感器。
如以上参照图9描述的，为了检测来自用户的接近输入，感测驱动信号TD并发地(例如，同时或在同一时间)施加到多列驱动电极TE，并且可以经由多行接近感测电极PE来检测在第二互电容Cm2中充入的电压。因此，第二互电容Cm2可以大于第一互电容Cm1。因此，即使当接近感测电极PE中的一个接近感测电极PE的密度减小时，也可以防止或减小接近感测的性能的劣化。
根据本公开的另一实施例，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE可以具有彼此相同或基本相同的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE可以具有彼此相同或基本相同的网格孔尺寸(例如，与接近感测电极PE是否与传感器SENS叠置无关)。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE可以具有彼此相同或基本相同的线宽(例如，与接近感测电极PE是否与传感器SENS叠置无关)。
在该示例中，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的密度可以小于虚设图案DE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的网格孔尺寸可以大于虚设图案DE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的线宽可以小于虚设图案DE的线宽。
此外，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的密度可以小于驱动电极TE的密度和感测电极RE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的网格孔尺寸可以大于驱动电极TE和感测电极RE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的线宽可以小于驱动电极TE和感测电极RE的线宽。
根据本公开的另一示例实施例，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的密度可以与虚设图案DE的密度相同或基本相同。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的网格孔尺寸可以与虚设图案DE的网格孔尺寸相同或基本相同。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的线宽可以与虚设图案DE的线宽相同或基本相同。
在该示例中，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的密度和虚设图案DE的密度中的每个可以小于驱动电极TE的密度和感测电极RE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE和虚设图案DE的网格孔尺寸可以大于驱动电极TE和感测电极RE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE和虚设图案DE的线宽可以小于驱动电极TE和感测电极RE的线宽。
如图13中所示，因为与传感器SENS叠置的接近感测电极PE的密度小于驱动电极TE的密度和/或感测电极RE的密度，所以可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，结果，即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减小感测单元SENL的感测能力的劣化。
图14A是图13的区域B的放大平面图。
图14A的驱动电极TE、感测电极RE、第一桥接件BE1和第二桥接件BE2可以与上面参照图11A描述的它们各自的对应部分相同或基本相同，因此，可以不重复其冗余描述。
参照图14A，接近感测电极PE以及第三桥接件BE3的第一子桥接件SBE1和第二子桥接件SBE2可以形成为在平面图中具有网格结构或鱼网结构。在包括接近感测电极PE的感测单元SENL直接形成在薄膜封装层TFEL上的情况下(例如，如图12中所示)，因为发光元件层EML的第二电极173会太靠近感测单元SENL的接近感测电极PE，所以在发光元件层EML的第二电极173与感测单元SENL的接近感测电极PE之间会形成大的寄生电容。因为寄生电容可以与发光元件层EML的第二电极173和感测单元SENL的接近感测电极PE的叠置面积成比例，所以感测单元SENL的接近感测电极PE可以形成为在平面图中具有网格结构或鱼网结构。
因为接近感测电极PE、第一子桥接件SBE1和第二子桥接件SBE2可以形成为在平面图中具有网格结构或鱼网结构，所以发射区域R、G和B可以不与接近感测电极PE、第一子桥接件SBE1和第二子桥接件SBE2叠置。因此，可以防止或基本防止从发射区域R、G和B发射的光被接近感测电极PE、第一子桥接件SBE1和第二子桥接件SBE2阻挡，结果，可以防止或减少光的亮度的降低。
因为接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1可以形成在与驱动电极TE、感测电极RE和第二桥接件BE2的层相同的层处(例如，在与驱动电极TE、感测电极RE和第二桥接件BE2的层相同的层中或在与驱动电极TE、感测电极RE和第二桥接件BE2的层相同的层上)，所以接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1可以设置为与驱动电极TE、感测电极RE和第二桥接件BE2间隔开。在这种情况下，间隙或开口可以形成在接近感测电极PE与感测电极RE之间以及第一子桥接件SBE1与感测电极RE之间。为了方便，在图14A中用虚线指示驱动电极TE与感测电极RE之间、驱动电极TE与第二桥接件BE2之间、感测电极RE与第二桥接件BE2之间、接近感测电极PE与感测电极RE之间、第一子桥接件SBE1与感测电极RE之间以及接近感测电极PE与第一子桥接件SBE1之间的边界。
第一子桥接件SBE1可以形成在与接近感测电极PE的层相同的层处(例如，在与接近感测电极PE的层相同的层中或在与接近感测电极PE的层相同的层上)，并且可以从接近感测电极PE延伸。因此，第一子桥接件SBE1可以在不使用接触孔的情况下连接到接近感测电极PE。
第二子桥接件SBE2可以经由第二接触孔CNT2连接到第一子桥接件SBE1。对应的第二子桥接件SBE2的第一端可以经由第二接触孔CNT2连接到一对相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)第一子桥接件SBE1之中的一个第一子桥接件SBE1，并且对应的第二子桥接件SBE2的第二端可以经由其它第二接触孔CNT2连接到一对相邻的第一子桥接件SBE1之中的另一第一子桥接件SBE1。第二子桥接件SBE2可以与驱动电极TE和感测电极RE叠置。因为第二子桥接件SBE2可以形成在与驱动电极TE和感测电极RE的层不同的层处(例如，在与驱动电极TE和感测电极RE的层不同的层中或在与驱动电极TE和感测电极RE的层不同的层上)，所以即使当第二子桥接件SBE2与驱动电极TE和感测电极RE叠置时，第二子桥接件SBE2也可以不与驱动电极TE和感测电极RE短路。
图14B是图13的区域B的放大平面图。
图14B的实施例与图14A的实施例的不同之处可以在于，图14B中的第三桥接件BE3可以形成在与接近感测电极PE的层相同的层处(例如，在与接近感测电极PE的层相同的层中或在与接近感测电极PE的层相同的层上)，并且可以包括与接近感测电极PE的材料相同或基本相同的材料。
参照图14B，第三桥接件BE3可以从接近感测电极PE延伸。第三桥接件BE3可以将相邻的接近感测电极PE彼此连接。对应的第三桥接件BE3的第一端可以连接到一对相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)接近感测电极PE之中的一个接近感测电极PE，并且对应的第三桥接件BE3的第二端可以连接到一对相邻的接近感测电极PE之中的另一接近感测电极PE。
第三桥接件BE3可以与感测电极RE和第二桥接件BE2电隔离，并且可以设置为与感测电极RE和第二桥接件BE2间隔开。因为第三桥接件BE3可以形成在与接近感测电极PE的层相同的层处(例如，在与接近感测电极PE的层相同的层中或在与接近感测电极PE的层相同的层上)，并且可以包括与接近感测电极PE的材料相同或基本相同的材料，所以第三桥接件BE3可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上(例如，见图12)。
图15是沿图14A的线II-II'截取的剖视图。图16是沿图14A的线III-III'截取的剖视图。
图15和图16的显示单元(例如，显示电路或显示层)DISL与参照图12描述的其对应部分相同或基本相同，因此，可以不重复其冗余描述。
参照图15和图16，第三桥接件BE3的第二子桥接件SBE2可以形成在第二缓冲膜BF2上。第二子桥接件SBE2可以形成在与参照图12描述的第一桥接件BE1的层相同的层处(例如，在与参照图12描述的第一桥接件BE1的层相同的层中或在与参照图12描述的第一桥接件BE1的层相同的层上)，并且可以包括与参照图12描述的第一桥接件BE1的材料相同的材料。第二子桥接件SBE2可以由例如Al和Ti的堆叠体(例如，Ti/Al/Ti)、Al和ITO的堆叠体(例如，ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的堆叠体(例如，ITO/APC/ITO)形成，但本公开不限于此。在另一实施例中，第二子桥接件SBE2可以形成为Mo、Ti、Cu、Al或ITO的单层。
第一传感器绝缘膜TINS1可以形成在第二子桥接件SBE2上。接近感测电极PE和第三桥接件BE3的第一子桥接件SBE1可以形成在第一传感器绝缘膜TINS1上。接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1可以形成在与驱动电极TE和感测电极RE的层相同的层处(例如，在与驱动电极TE和感测电极RE的层相同的层中或在与驱动电极TE和感测电极RE的层相同的层上)，并且可以包括与驱动电极TE和感测电极RE的材料相同的材料。接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1可以由例如Al和Ti的堆叠体(例如，Ti/Al/Ti)、Al和ITO的堆叠体(例如，ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的堆叠体(例如，ITO/APC/ITO)形成，但本公开不限于此。在另一实施例中，接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1可以形成为Mo、Ti、Cu、Al或ITO的单层。
第二接触孔CNT2可以形成为穿透(例如，延伸通过)第一传感器绝缘膜TINS1，因此，第二子桥接件SBE2可以通过第二接触孔CNT2暴露。第一子桥接件SBE1可以通过第二接触孔CNT2连接到第二子桥接件SBE2。
第二传感器绝缘膜TINS2形成在接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1上。第二传感器绝缘膜TINS2可以使由接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1产生的高度差平坦化。
根据图15和图16的实施例，第三桥接件BE3的将在第一方向(例如，X轴方向)上相邻的接近感测电极PE彼此连接的第二子桥接件SBE2可以设置在第二缓冲膜BF2上，接近感测电极PE和第一子桥接件SBE1可以设置在第一传感器绝缘膜TINS1上。因此，第三桥接件BE3和驱动电极TE可以在第三桥接件BE3与驱动电极TE之间的交叉区域处彼此电隔离。
图17是示出在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图17的实施例与图13的实施例的不同之处在于，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，代替接近感测电极PE，虚设图案DE可以与传感器SENS叠置。
参照图17，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE在第三方向(例如，Z轴方向)上不与传感器SENS叠置。在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与传感器SENS叠置。
虚设图案DE可以被感测电极RE包围(例如，围绕其外围)。虚设图案DE可以电浮置。例如，可以不向虚设图案DE施加电压。
与传感器SENS叠置的虚设图案DE可以设置在一对相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)接近感测电极PE之间。因此，第三桥接件BE3还可以包括第三子桥接件SBE3。在虚设图案DE在一对相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)接近感测电极PE之间的情况下，第三子桥接件SBE3可以设置为绕过虚设图案DE，因此，可以不连接到虚设图案DE。图17示出了第三子桥接件SBE3在虚设图案DE的上侧处(例如，在虚设图案DE的上侧上)绕过虚设图案DE，但本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第三子桥接件SBE3可以在虚设图案DE的下侧处(例如，在虚设图案DE的下侧上)绕过虚设图案DE。第三子桥接件SBE3可以与传感器SENS叠置。
例如，第三子桥接件SBE3可以包括至少一个弯曲部分(例如，可以弯曲至少一次)以绕过虚设图案DE。图17示出了第三子桥接件SBE3以尖括号的形状(例如，“<”或“>”)弯曲，但第三子桥接件SBE3的形状不限于此。
如图17中所示，第三子桥接件SBE3可以形成在与接近感测电极PE的层相同的层处(例如，在与接近感测电极PE的层相同的层中或在与接近感测电极PE的层相同的层上)，并且可以包括与接近感测电极PE的材料相同的材料，并且可以连接到(例如，经由第一子桥接件SBE1和第二子桥接件SBE2连接到)接近感测电极PE。
在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的密度可以小于不与传感器SENS叠置的虚设图案DE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的网格孔尺寸可以大于不与传感器SENS叠置的虚设图案DE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的线宽可以小于不与传感器SENS叠置的虚设图案DE的线宽。
在这种情况下，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的密度可以小于接近感测电极PE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的网格孔尺寸可以大于接近感测电极PE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的线宽可以小于接近感测电极PE的线宽。
此外，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的密度可以小于驱动电极TE的密度和感测电极RE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的网格孔尺寸可以大于驱动电极TE和感测电极RE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，与传感器SENS叠置的虚设图案DE的线宽可以小于驱动电极TE和感测电极RE的线宽。
因此，因为可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，所以即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减少感测单元SENL的感测能力的劣化。
如以上参照图9描述的，因为可以通过并发地(例如，同时或在同一时间)将感测驱动信号TD施加到多列驱动电极TE并且经由多行接近感测电极PE感测在第二互电容Cm2中充入的电压来检测来自用户的接近输入的存在，所以第二互电容Cm2可以大于第一互电容Cm1。因此，即使当接近感测电极PE中的一个接近感测电极PE用虚设图案DE替换时，也可以防止或减少接近感测的性能的劣化。
在另一实施例中，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE可以具有彼此相同或基本相同的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE可以具有彼此相同或基本相同的网格孔尺寸(例如，与虚设图案DE是否与传感器SENS叠置无关)。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE可以具有彼此相同或基本相同的线宽(例如，与虚设图案DE是否与传感器SENS叠置无关)。
在该示例中，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的密度可以小于虚设图案DE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的网格孔尺寸可以大于虚设图案DE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的线宽可以小于虚设图案DE的线宽。
此外，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的密度可以小于驱动电极TE的密度和感测电极RE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的网格孔尺寸可以大于驱动电极TE和感测电极RE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE的线宽可以小于驱动电极TE和感测电极RE的线宽。
在另一实施例中，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE的密度可以与接近感测电极PE的密度相同或基本相同。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE的网格孔尺寸可以与接近感测电极PE的网格孔尺寸相同或基本相同。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE的线宽可以与接近感测电极PE的线宽相同或基本相同。
在该示例中，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE的密度和接近感测电极PE的密度中的每个可以小于驱动电极TE的密度和感测电极RE的密度。例如，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE和接近感测电极PE的网格孔尺寸可以大于驱动电极TE和感测电极RE的网格孔尺寸。可选择地，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，虚设图案DE和接近感测电极PE的线宽可以小于驱动电极TE和感测电极RE的线宽。
如图17中所示，因为在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)与传感器SENS叠置的虚设电极DE的密度小于驱动电极TE和/或感测电极RE的密度，所以可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，结果，即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减小感测单元SENL的感测能力的劣化。
图18是示出在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图18的实施例与图17的实施例的不同之处可以在于，图18中的第三子桥接件SBE3与感测电极RE之间的距离可以大于感测电极RE中的每个的网格孔的最大长度。
参照图18，第三子桥接件SBE3与感测电极RE之间的距离可以大于感测电极RE中的每个的网格孔的最大长度。此外，第三子桥接件SBE3与感测电极RE之间的距离可以大于驱动电极TE中的每个的网格孔的最大长度、第三子桥接件SBE3的网格孔的最大长度以及接近感测电极PE中的每个的网格孔的最大长度。因此，可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，结果，即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减少感测单元SENL的感测能力的劣化。
图19是示出在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图19的实施例与图17的实施例的不同之处在于第三子桥接件SBE3不与传感器SENS叠置。
参照图19，第三子桥接件SBE3可以不与传感器SENS叠置，并且可以绕过虚设图案DE。
图20是示出在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图20的实施例与图13的实施例的不同之处可以在于，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，代替接近感测电极PE，被感测电极RE包围(例如，围绕其外围)的空的空间ES可以与传感器SENS叠置。
参照图20，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE和虚设图案DE在第三方向(例如，Z轴方向)上可以不与传感器SENS叠置。在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，空的空间ES可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与传感器SENS叠置。因此，可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，结果，即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减少感测单元SENL的感测能力的劣化。
与传感器SENS叠置的空的空间ES可以设置在一对相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)接近感测电极PE之间。在这种情况下，第三桥接件BE3还可以包括第三子桥接件SBE3。
在空的空间ES在一对相邻的(例如，在第一方向或X轴方向上相邻的)的接近感测电极PE之间的情况下，第三子桥接件SBE3可以设置为延伸跨过空的空间ES。
如图20中所示，第三子桥接件SBE3可以形成在与接近感测电极PE的层相同的层处(例如，在与接近感测电极PE的层相同的层中或在与接近感测电极PE的层相同的层上)，并且可以包括与接近感测电极PE的材料相同的材料，并且可以(例如，经由第一子桥接件SBE1和第二子桥接件SBE2)连接到接近感测电极PE。
图21是示出在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的示例性驱动电极，示例性感测电极，示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图21的实施例与图17的实施例的不同之处可以在于，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，代替接近感测电极PE，被感测电极RE包围(例如，围绕其外围)的空的空间ES可以与传感器SENS叠置。
参照图21，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE和虚设图案DE在第三方向(例如，Z轴方向)上可以不与传感器SENS叠置。在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，空的空间ES可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与传感器SENS叠置。因此，可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，结果，即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减少感测单元SENL的感测能力的劣化。
图22是示出在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图22的实施例与图18的实施例的不同之处可以在于，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，代替接近感测电极PE，被感测电极RE包围(例如，围绕其外围)的空的空间ES与传感器SENS叠置。
参照图22，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE和虚设图案DE在第三方向(例如，Z轴方向)上可以不与传感器SENS叠置。在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，空的空间ES可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与传感器SENS叠置。因此，可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，结果，即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减少感测单元SENL的感测能力的劣化。
图23是示出在图7的第二感测区域处(例如，在图7的第二感测区域中或在图7的第二感测区域上)的示例性驱动电极、示例性感测电极、示例性接近感测电极和示例性虚设图案的平面图。
图23的实施例与图19的实施例的不同之处可以在于，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，代替接近感测电极PE，被感测电极RE包围(例如，围绕其外围)的空的空间ES与传感器SENS叠置。
参照图23，在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，接近感测电极PE和虚设图案DE在第三方向(例如，Z轴方向)上可以不与传感器SENS叠置。在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，空的空间ES可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与传感器SENS叠置。因此，可以增强显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元SENL的透射率，结果，即使当传感器SENS设置在显示面板300的底部处时，也可以防止或减少感测单元SENL的感测能力的劣化。
图24是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的显示面板和显示驱动单元(例如，显示驱动器)的透视图。
参照图24，主显示区域MDA可以包括子像素PX1、PX2和PX3以及非发射部NEA(例如，如图5中所示)，副显示区域SDA可以包括子像素PX1、PX2和PX3、非发射部NEA以及透射部TA(例如，如图6中所示)。因为副显示区域SDA包括透射部TA，所以在第三方向(例如，Z轴方向)上与副显示区域SDA叠置的传感器740、750、760和770可以通过透射部TA从显示面板300的顶表面接收光。
如图7中所示，与主显示区域MDA叠置的第一感测区域TSA1可以包括传感器电极TE和RE以及虚设图案DE，并且与副显示区域SDA叠置的第二感测区域TSA2可以包括传感器电极TE和RE、虚设图案DE以及接近感测电极PE。在第二感测区域TSA2处(例如，在第二感测区域TSA2中或在第二感测区域TSA2上)，可以降低与传感器SENS叠置的接近感测电极PE或虚设图案DE的密度或者可以省略接近感测电极PE或虚设图案DE，从而提高显示面板300的与传感器SENS叠置的感测单元(例如，感测电路或感测层)SENL的透射率。
因为副显示区域SDA包括透射部TA，所以副显示区域SDA的每英寸像素(PPI)可以低于主显示区域MDA的PPI。PPI指适合在1英寸区域上的像素的数量，使得显示装置的PPI越高，由显示装置显示的图像的质量越高。为了减小图像质量的任何降低的显著性(例如，可视性)，副显示区域SDA可以设置在显示区域DA的一侧处(例如，在显示区域DA的一侧中或在显示区域DA的一侧上)，例如，如图24中所示，设置在显示区域DA的上侧处(例如，设置在显示区域DA的上侧中或设置在显示区域DA的上侧上)，因为与在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)相比，在副显示区域SDA处(例如，在副显示区域SDA中或在副显示区域SDA上)会更难以显示高质量图像。
然而，副显示区域SDA的位置不限于此。例如，在各种实施例中，副显示区域SDA可以设置在显示区域DA的下侧、左侧和/或右侧处(例如，在显示区域DA的下侧、左侧和/或右侧中或者在显示区域DA的下侧、左侧和/或右侧上)。
在另一实施例中，如图25中所示，副显示区域SDA可以设置在多个主显示区域MDA之间。
在另一实施例中，如图26中所示，副显示区域SDA可以设置在显示区域DA的一侧处(例如，在显示区域DA的一侧中或在显示区域DA的一侧上)，并且感测区域TSA可以沿第二方向(例如，Y轴方向)被划分为两个相等的子感测区域(例如，第一感测区域TSA1和第二感测区域TSA2)。在这种情况下，因为驱动电极TE与接近感测电极PE之间的第二互电容Cm2可以形成在显示面板300的顶表面的一半上，所以可以根据(例如，基于)第二互电容Cm2从显示面板300的顶表面的一半检测来自用户的接近输入的存在。
在另一实施例中，如图27中所示，第二感测区域TSA2可以设置为与主显示区域MDA和副显示区域SDA叠置，并且可以省略(例如，可以不设置)第一感测区域TSA1。在这种情况下，因为第二互电容Cm2可以形成在显示面板300的整个顶表面上，所以可以根据(例如，基于)第二互电容Cm2从显示面板300的整个顶表面检测来自用户的接近输入的存在。
图28是示出根据本公开的实施例的驱动显示装置的方法的流程图。
参照图28，在接近感测模式中，首先根据来自接近传感器740的接近传感器信号来对关于物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内(例如，物体是否存在于显示装置10的顶表面的接近度内)作出确定。
接近传感器740包括输出光的光源和接收从物体反射的光的光接收器，并且接近传感器740可以根据(例如，基于)从物体反射的光的量来确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内。例如，如果由光接收器接收的光的量小于第一阈值，则接近传感器740可以确定物体在显示装置10的顶表面的接近度内。因此，如果由光接收器接收的光的量小于第一阈值，则接近传感器740可以输出具有第一逻辑电平的接近传感器信号，并且如果由光接收器接收的光的量大于第一阈值，则接近传感器740可以输出具有第二逻辑电平的接近传感器信号。
主处理器710可以根据(例如，基于)来自接近传感器740的接近传感器信号来确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内(S101)。在确定物体在显示装置10的顶表面的接近度内的情况下(例如，在S101处为是)，主处理器710可以阻止数字视频数据和时序信号被提供到显示驱动单元(例如，显示驱动器)320以驱动显示面板300。结果，显示面板300可以被关闭(S103)。
在接近感测模式中，如果接近传感器740没有检测到物体，则然后通过使用显示面板300的感测单元(例如，感测电路或感测层)SENL的传感器电极TE和RE以及接近感测电极PE来对关于物体是否在显示装置10的接近度内(例如，物体是否存在于显示装置10的接近度内)作出确定。
在根据(例如，基于)来自接近传感器740的接近传感器信号作出确定没有物体在显示装置10的顶表面的接近度内的情况下(例如，在S101处为否)，主处理器710可以根据(例如，基于)显示面板300的感测单元SENL的驱动电极TE与接近感测电极PE之间的第二互电容Cm2来确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内。主处理器710可以通过驱动感测驱动单元(例如，感测驱动器)330而从感测驱动单元330接收接近感测数据(例如，如图9中所示)。主处理器710可以根据(例如，基于)接近感测数据来确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内(S102)。例如，主处理器710可以通过将接近感测数据与第二阈值进行比较来确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内。
在确定物体在显示装置10的顶表面的接近度内的情况下(例如，在S102处为是)，主处理器710可以阻止数字视频数据和时序时信号被提供到显示驱动单元320以驱动显示面板300。结果，显示面板300可以被关闭(S103)。另一方面，在使用接近感测数据没有检测到物体的情况下(例如，在S102处为否)，该方法可以结束(或者可以在S101处重复)。
在接近传感器740与显示面板300的显示区域DA叠置的情况下，接近传感器740的感测能力会降低，但显示装置10可以不仅使用接近传感器740而且通过使用显示面板300的感测单元SENL来确定物体是否在显示装置10的顶表面的接近度内(例如，如图28中所示)。因此，接近传感器740的感测能力的降低(例如，任何降低)可以由显示面板300的感测单元SENL补偿。
尽管已经描述了一些示例实施例，但本领域技术人员将容易理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，各种修改在示例实施例中是可能的。因此，将理解的是，前述是各种示例实施例的说明，而将不被解释为限于这里公开的具体示例实施例，并且对公开的示例实施例以及其它示例实施例的各种修改意图被包括在如所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (20)

1.一种感测电路，所述感测电路包括：
多个传感器电极；
第一电容，位于所述多个传感器电极之间；
多个接近感测电极，与所述多个传感器电极电隔离；以及
第二电容，位于所述多个传感器电极中的至少一个传感器电极与所述多个接近感测电极之间，
其中，所述多个接近感测电极中的至少一个接近感测电极的密度小于所述多个传感器电极中的所述至少一个传感器电极的密度。
2.根据权利要求1所述的感测电路，其中：
所述多个接近感测电极和所述多个传感器电极在平面图中具有网格结构；并且
所述多个接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的网格孔尺寸大于所述多个传感器电极的网格孔尺寸。
3.根据权利要求1所述的感测电路，所述感测电路还包括：
虚设图案，与所述多个传感器电极和所述多个接近感测电极电隔离，并且被所述多个传感器电极中的一些传感器电极包围，
其中，所述多个接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的密度小于所述多个虚设图案中的至少一个虚设图案的密度。
4.根据权利要求3所述的感测电路，其中：
所述多个接近感测电极和所述多个虚设图案在平面图中具有网格结构；并且
所述多个接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的网格孔尺寸大于所述多个虚设图案的网格孔尺寸。
5.根据权利要求1所述的感测电路，所述感测电路还包括：
桥接件，与所述多个传感器电极电隔离，并且将所述多个接近感测电极中的在第一方向上相邻的接近感测电极彼此连接。
6.一种感测电路，所述感测电路包括：
多个传感器电极；
第一电容，位于所述多个传感器电极之间；以及
虚设图案，与所述多个传感器电极电隔离，所述虚设图案被电浮置，
其中，所述虚设图案中的至少一个虚设图案的密度小于所述多个传感器电极中的至少一个传感器电极的密度。
7.根据权利要求6所述的感测电路，其中：
所述虚设图案和所述多个传感器电极在平面图中具有网格结构；并且
所述虚设图案中的所述至少一个虚设图案的网格孔尺寸大于所述多个传感器电极的网格孔尺寸。
8.根据权利要求6所述的感测电路，所述感测电路还包括：
接近感测电极，与所述多个传感器电极电隔离；以及
第二电容，位于所述多个传感器电极中的所述至少一个传感器电极与所述接近感测电极之间，
其中，所述虚设图案中的所述至少一个虚设图案的密度大于所述接近感测电极中的至少一个接近感测电极的密度。
9.根据权利要求8所述的感测电路，其中，
所述虚设图案和所述接近感测电极在平面图中具有网格结构，并且
所述虚设图案中的所述至少一个虚设图案的网格孔尺寸大于所述接近感测电极的网格孔尺寸。
10.根据权利要求8所述的感测电路，其中，所述虚设图案中的所述至少一个虚设图案位于在第一方向上彼此相邻的接近感测电极之间。
11.根据权利要求10所述的感测电路，所述感测电路还包括：
桥接件，与所述多个传感器电极电隔离，并且将所述接近感测电极中的在所述第一方向上相邻的接近感测电极彼此连接。
12.根据权利要求11所述的感测电路，其中，所述桥接件绕过所述虚设图案。
13.根据权利要求11所述的感测电路，其中：
所述感测电路在平面图中具有网格结构；并且
所述桥接件与所述多个传感器电极之间的距离大于所述多个传感器电极中的每个的网格孔的最大长度。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，位于基底的第一表面上，所述显示面板包括主显示区域和副显示区域；
感测电路，位于所述显示面板上，所述感测电路包括与所述主显示区域叠置的第一感测区域以及与所述副显示区域叠置的第二感测区域；以及
传感器，位于所述基底的与所述基底的所述第一表面相对的第二表面上，
其中，所述第二感测区域包括传感器电极、接近感测电极和虚设图案，所述接近感测电极和所述虚设图案被所述传感器电极包围，并且
其中，所述传感器与所述接近感测电极中的至少一个接近感测电极和/或所述虚设图案中的至少一个虚设图案叠置。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的密度小于所述传感器电极中的至少一个传感器电极的密度。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述接近感测电极和所述传感器电极在平面图中具有网格结构，并且
所述接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的网格孔尺寸大于所述传感器电极的网格孔尺寸。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的密度小于所述虚设图案中的所述至少一个虚设图案的密度。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述接近感测电极和所述虚设图案在平面图中具有网格结构，并且
所述接近感测电极中的所述至少一个接近感测电极的网格孔尺寸大于所述虚设图案的网格孔尺寸。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述虚设图案中的所述至少一个虚设图案的密度小于所述传感器电极中的至少一个传感器电极的密度。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述虚设图案和所述传感器电极在平面图中具有网格结构，并且
所述虚设图案中的所述至少一个虚设图案的网格孔尺寸大于所述传感器电极的网格孔尺寸。
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