CN109786431B - 显示基板及其制备方法、和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种显示基板及其制备方法、和显示装置。显示基板包括多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素和第二子像素。所述显示基板的制备方法包括:形成第一材料层和图案化的第二材料层,其中,所述第一材料层包括与第一子像素和第二子像素之间的区域对应的部分,所述第二材料层具有第一开口,所述第一开口露出所述第一材料层的、与所述第一子像素和所述第二子像素之间的区域对应的部分;在所述第二材料层上的、与所述第一子像素对应的第一区域形成第一量子点溶液,以便形成第一彩膜子层,其中,所述第二材料层对所述第一量子点溶液的润湿性大于所述第一材料层对所述第一量子点溶液的润湿性。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及显示基板及其制备方法、和显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展,人们对显示产品的性能要求越来越高。量子点材料由于较窄的光谱半峰宽,发出的光色纯度较高,可提升显示产品的色域,因此受到广泛的关注和研究。
目前,量子点技术的主要应用为在彩膜基板中使用量子点彩膜,搭配背光源实现显示。在相关制备工艺中,量子点彩膜通过喷墨打印等溶液制程来实现。在喷墨打印过程中,需借助于堤坝(bank)来图案化量子点彩膜,以防止混色(color mixing)。
发明内容
根据本公开实施例的第一方面,提供了一种显示基板的制备方法。显示基板包括多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素和第二子像素。所述显示基板的制备方法包括:形成第一材料层和图案化的第二材料层,其中,所述第一材料层包括与第一子像素和第二子像素之间的区域对应的部分,所述第二材料层具有第一开口,所述第一开口露出所述第一材料层的、与所述第一子像素和所述第二子像素之间的区域对应的部分;在所述第二材料层上的、与所述第一子像素对应的第一区域形成第一量子点溶液,以便形成第一彩膜子层,其中,所述第二材料层对所述第一量子点溶液的润湿性大于所述第一材料层对所述第一量子点溶液的润湿性。
在一些实施例中,所述制备方法还包括:在形成步骤之前,对所述第二材料层进行表面处理,以在所述第二材料层的表面上形成第二表面层,所述第二表面层对所述第一量子点溶液的润湿性大于所述第二材料层对所述第一量子点溶液的润湿性。
在一些实施例中,所述制备方法还包括:在形成步骤之前,对露出的第一材料层进行表面处理,以在露出的第一材料层的表面上形成第一表面层,所述第一表面层对所述第一量子点溶液的润湿性小于所述第一材料层对所述第一量子点溶液的润湿性。
在一些实施例中,使用CFx等离子体进行表面处理。
在一些实施例中,所述第一材料层还包括分别与所述第一子像素和所述第二子像素对应的第一部分和第二部分。
在一些实施例中,所述第二材料层包括有机材料层,所述第一材料层包括薄膜封装层。
在一些实施例中,所述第二材料层包括含有烷基和苯环中的至少一种的有机材料层。
在一些实施例中,所述第二材料层包括:第一滤光材料层,用于过滤掉波长在500nm以上的光。
在一些实施例中,所述制备方法还包括:在所述第二材料层上的、与所述第二子像素对应的第二区域形成第二量子点溶液,以便形成第二彩膜子层,其中,所述第二材料层对所述第二量子点溶液的润湿性大于所述第一材料层对所述第二量子点溶液的润湿性。
在一些实施例中,所述制备方法还包括:形成第二滤光材料层,所述第二滤光材料层覆盖所述第一彩膜子层和所述第二彩膜子层,用于过滤掉波长在500nm以下的光。
在一些实施例中,每个像素单元还包括第三子像素,所述第二子像素位于所述第一子像素和所述第三子像素之间;所述第一材料层还包括与所述第三子像素对应的第三部分;所述第二材料层还具有第二开口,所述第二开口露出所述第一材料层的、与所述第三子像素对应的第三部分。
在一些实施例中,所述第一材料层为亲水性,所述第二材料层为疏水性,所述第一量子点溶液为疏水性。
根据本公开实施例的第二方面,提供了一种显示基板,包括多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素和第二子像素,所述显示基板包括:第一材料层,位于衬底基板上,包括与所述第一子像素和所述第二子像素之间的区域对应的第一部分;第二材料层,位于所述衬底基板上,所述第二材料层具有第一开口,所述第一开口露出所述第一材料层的、与所述第一子像素和所述第二子像素之间的区域对应的第一部分;第一彩膜子层,位于所述第二材料层上的、与所述第一子像素对应的第一区域;其中,所述第二材料层对用于形成所述第一彩膜子层的量子点溶液的润湿性大于所述第一材料层对所述量子点溶液的润湿性。
在一些实施例中,所述显示基板还包括:第一表面层,位于所述第一材料层的远离所述衬底基板一侧的表面上,所述第一表面层对所述量子点溶液的润湿性小于所述第一材料层对所述量子点溶液的润湿性。
在一些实施例中,所述第一材料层还包括分别与所述第一子像素和所述第二子像素对应的第一部分和第二部分。
在一些实施例中,所述显示基板还包括:第二表面层,位于所述第二材料层的远离所述衬底基板一侧的表面上,所述第二表面层对所述量子点溶液的润湿性大于所述第二材料层对所述量子点溶液的润湿性。
在一些实施例中,所述第二材料层包括有机材料层,所述第一材料层包括薄膜封装层。
在一些实施例中,所述第二材料层包括含有烷基和苯环中的至少一种的有机材料层。
在一些实施例中,所述量子点彩膜还包括:第二彩膜子层,位于所述第二材料层上的、与所述第二子像素对应的第二区域。
在一些实施例中,所述量子点彩膜还包括:第二滤光材料层,覆盖所述第一彩膜子层和所述第二彩膜子层,用于过滤掉波长在500nm以下的光。
在一些实施例中,所述显示基板还包括:位于所述衬底基板上的发光单元,其中所述第一彩膜子层设置在所述发光单元的出光侧。
根据本公开实施例的第三方面,提供了一种显示装置,包括前述任一实施例所述的显示基板。
通过以下参照附图对本公开的实施例的详细描述,本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
图1A是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制备方法的流程图;
图1B是示出根据本公开另一个实施例的显示基板的制备方法的流程图;
图2A和2B是示出根据图1A的制备方法在各个阶段得到的结构的截面图;
图2C是根据图1B的制备方法在形成第二彩膜子层后的截面图;
图3是示出根据本公开又一个实施例的显示基板的制备方法的流程图;
图4A至图4D是示出根据图3的方法在各个阶段得到的结构的截面图;
图5A是示出根据本公开一个实施例不同材料表面对水的润湿性随不同时间的表面处理的变化曲线;
图5B是示出根据本公开一个实施例经过不同材料的光的透过率随波长的变化曲线;
图6是示出根据本公开再一个实施例的显示基板的制备方法的流程图;
图7A至图7G是示出根据图6的方法在各个阶段得到的结构的截面图。
应当明白,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外,相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种实施例。对实施例的描述仅仅是说明性的,决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现,不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整,并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置应被解释为仅仅是示意性的,而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的部分。“包括”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素,并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中,当描述到特定元件位于第一元件和第二元件之间时,在该特定元件与第一元件或第二元件之间可以存在居间元件,也可以不存在居间元件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同,除非另外特别定义。还应当理解,在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义,而不应用理想化或极度形式化的意义来解释,除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
本公开实施例提出一种显示基板的制备方法,能够无需堤坝实现量子点彩膜的图案化。
图1A是示出根据本公开一个实施例的显示基板的制备方法的流程图。图2A至图2B是示出根据图1的方法在各个阶段得到的结构的截面图。下面参考图1A所示出的流程图描述图2A至图2B所示的根据本公开一些实施例的方法在各个阶段得到的结构的截面图。
如图1A所示,显示基板的制备方法包括步骤S2-S4。
在步骤S2,形成第一材料层110和图案化的第二材料层120。
第一材料层可以形成在衬底基板上。在一些实施例中,第一材料层包括与第一子像素和第二子像素之间的区域对应的第一部分。即,第一材料层可以仅设置在相邻子像素之间,而不设置在第一子像素和第二子像素对应的位置。在这种情况下,图案化的第二材料层与第一材料层在衬底基板上的投影不重合。
在另一些实施例中,第一材料层还包括与第一子像素和第二子像素对应的第二部分。即,第一材料层还设置在第一子像素和第二子像素对应的位置。图案化的第二材料层形成在第一材料层上。在这种情况下,图案化的第二材料层与第一材料层在衬底基板上的投影有部分重合。
图2A示出根据本公开一个实施例在形成第一材料层和第二材料层后的截面图。如图2A所示,显示基板包括多个像素单元P。每个像素单元P包括多个子像素,例如第一子像素P1和第二子像素P2。在一些实施例中,每个像素单元P还包括第三子像素P3,其中第二子像素P2位于第一子像素P1和第三子像素P3之间。
如图2A所示,第一材料层110包括与不同子像素(例如第一子像素和第二子像素)之间的区域对应的部分11M。在一些实施例中,第一材料层110还包括分别与第一子像素和第二子像素对应的第一部分111和第二部分112。在另一些实施例中,第一材料层110还包括与第三子像素对应的第三部分113。
在一些实施例中,第一材料层110为亲水性。第一材料层110的材料可以是阴极材料层,也可以是薄膜封装层(TFE)。阴极材料层的材料可以包括透明的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、石墨(graphene)、碳纳米管(CNT,carbon nano tube),或者半透明的Li、Ag、Ca、Al、Mg。TFE例如选自SiNx、SiO、SiON、SiC、SiCN、AlO等无机材料。在一些实施例中,TFE为无机材料与有机材料的多层结构,靠近第二材料层的表面为无机材料。有机材料可以选自丙烯酸树脂(acryl)、环氧树脂(epoxy)、或其任意组合。
在另一些实施例中,第一材料层包括透明材料层,可透过波长范围在例如400nm-480nm的蓝光。
在第一材料层上形成第二材料层后,可以利用低温光刻工艺实现第二材料层的图案化。光刻工艺通常包括涂光刻胶、烘干、曝光、显影、刻蚀等步骤。低温光刻工艺是指烘烤温度较低,例如低于100度。在一些实施例中,烘烤温度在80~85度,以使得固化后的第二材料层的稳定性较好。
如图2A所示,第二材料层120覆盖第一材料层110的第一部分111和第二部分112。第二材料层120具有第一开口O1。第一开口O1露出第一材料层110的、与第一子像素和第二子像素之间的区域对应的部分11M。第二材料层120还可以具有第二开口O2。第二开口O2露出第一材料层110的、与第三子像素对应的部分113。
在一些实施例中,第二材料层120为疏水性。第二材料层120的材料可以包括有机材料层,例如,包括含有烷基和苯环中的至少一种的有机材料层。
在另一些实施例中,第二材料层的材料包括第一滤光材料层。第一滤光材料层用于过滤掉波长在500nm以上的光,能够防止由于外部入射光的阳极反射导致的对比度低下。
在步骤S4,在第二材料层120上的、与第一子像素对应的第一区域121形成第一量子点溶液,以便形成第一彩膜子层131。
作为示例,形成第一量子点溶液可以通过喷墨打印、旋涂或丝网印刷等溶液制备工艺来实现。量子点溶液的成分例如包括有机溶剂、量子点材料以及其他添加剂等。在一些实施例中,第一量子点溶液为疏水性。由于第二材料层对第一量子点溶液的润湿性大于第一材料层对第一量子点溶液的润湿性,因此第一量子点溶液将从第一材料层(例如11M)的表面流动到第二材料层的第一区域121的表面。第一量子点溶液经过干燥处理后,即可形成第一彩膜子层131。应当理解,在形成第一彩膜子层131的过程中,可以使用掩膜板遮挡第二材料层120上的与第二子像素对应的第二区域122。
图2B示出根据本公开一个实施例在形成第一彩膜子层后的截面图。如图2B所示,第一彩膜子层131位于第二材料层120上的、与第一子像素对应的第一区域121上。
图1B是示出根据本公开另一个实施例的显示基板的制备方法的流程图。图1B与图1A的不同之处在于,图1B还包括步骤S5。图2C是示出根据图1B的方法在步骤S5得到的结构的截面图。下面参考图2C描述图1B所示出的流程图,并仅描述图1B与图1A的不同之处,相同之处不再赘述。
在图1B中,显示基板的制备方法还包括:步骤S5,在第二材料层上的、与第二子像素对应的第二区域形成第二量子点溶液,以便形成第二彩膜子层132。第二彩膜子层132可以采用与第一彩膜子层131相似的工艺形成。第二材料层对第二量子点溶液的润湿性也大于第一材料层对第二量子点溶液的润湿性。
图2C是根据本公开一个实施例在形成第二彩膜子层132后的截面图。如图2C所示,第二彩膜子层132位于第二材料层120上的、与第二子像素对应的第二区域122上。
在上述实施例中,在喷墨打印等溶液制程中,无需堤坝即可实现量子点彩膜的各彩膜子层的图案化。
图3是示出根据本公开又一个实施例的显示基板的制备方法的流程图。图3与图1A的不同之处在于,图3还包括步骤S3、S5、S6。图4A至图4C是示出根据图3的方法在各个阶段得到的结构的截面图。下面参考图4A至图4C描述图3所示出的流程图,并仅描述图3与图1的不同之处,相同之处不再赘述。
在步骤S3,对第二材料层进行表面处理,以在第二材料层的表面上形成第二表面层。
可以利用掩膜板对第二材料层进行表面处理,以在第二材料层的表面上形成第二表面层。第二表面层对第一量子点溶液的润湿性大于第二材料层对第一量子点溶液的润湿性。即,第二材料层的整体疏水性增强。
在一些实施例中,对露出的第一材料层进行表面处理,以在露出的第一材料层上形成第一表面层。第一表面层对第一量子点溶液的润湿性小于第一材料层对所述第一量子点溶液的润湿性。即,第一材料层的整体亲水性增强。
也就是说,可以仅对第二材料层进行表面处理,也可以既对第二材料层进行表面处理又对第一材料层进行表面处理。可以同时进行第一材料层和第二材料层的表面处理,也可以分开进行第一材料层和第二材料层的表面处理。
在一些实施例中,利用CFx等离子体对第二材料层进行表面处理。
使用CFx等离子体进行表面处理后,C-F键替代第二材料层的表面上的C-H键。由于C-F键比C-H键更疏水,所以第二材料层的疏水性增强。在此过程中,如果第一材料层也暴露在CFx等离子体的氛围中,则第一材料层的表面将被CFx等离子体轻度腐蚀,轻度腐蚀后表面的亲水性增强。
图5A示出根据本公开一个实施例不同材料表面对水的润湿性随不同时间的表面处理的变化曲线。在图5A中,第一材料层为无机材料,第二材料层为有机材料,使用CF4等离子体进行表面处理,用接触角的大小来反映润湿性。接触角越大,对水的润湿性越小,即疏水性越强;接触角越小,对水的润湿性越大,即亲水性越强。
使用CF4等离子体进行表面处理,可以使得第二材料层和第一材料层的表面能差异增大,接触角差异增大。如图5A所示,使用CF4等离子体进行表面处理后,水在有机材料上的接触角从接近80度增大为超过100度,而在无机材料上的接触角从50度减小为接近0度。
图4A示出根据本公开一个实施例在表面处理后的截面图。如图4A所示,在图案化的第二材料层的表面上形成第二表面层。即第二材料层120'包括第二表面层,第二表面层包括形成在第二材料层的第一区域121和第二区域122表面上的表面层121S和122S。
如前所述,在露出的第一材料层的表面上形成第一表面层110S。如图4A所示,第一表面层110S可以包括位于与第一子像素和第二子像素之间的区域对应的部分11M上的表面层,还可以包括与第三子像素对应的部分113上的表面层。
在步骤S4',形成第一彩膜子层131'。第一彩膜子层131'可以采用与前述第一彩膜子层131相似的工艺形成。
图4B示出根据本公开又一个实施例在形成第一彩膜子层后的截面图。如图4B所示,第一彩膜子层131'位于第二材料层120的表面层121S上。
在步骤S5',在第二材料层上的、与第二子像素对应的第二区域形成第二量子点溶液,以便形成第二彩膜子层132'。第二彩膜子层132'也可以采用与第一彩膜子层131相似的工艺形成。第二材料层对第二量子点溶液的润湿性也大于第一材料层对第二量子点溶液的润湿性。
图4C示出根据本公开又一个实施例在形成第二彩膜子层后的截面图。如图4C所示,第二彩膜子层132'位于第二材料层120的表面层122S上。
以第一子像素、第二子像素和第三子像素分别对应红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素为例,通过图1B的方法可以依次形成红色彩膜子层和绿色彩膜子层。应当理解,也可以先形成绿色彩膜子层再形成红色彩膜子层。形成红色彩膜子层和绿色彩膜子层的先后顺序不限于本公开实施例描述的顺序。
在上述实施例中,通过将不同区域的材料设置为对量子点溶液的润湿性不同,不需要堤坝即可实现不同彩膜子层的图案化。
在步骤S6,形成第二滤光材料层140。
图4D示出根据本公开一个实施例在形成第二滤光材料层后的截面图。如图4D所示,第二滤光材料层140被图案化为覆盖第一彩膜子层131'和第二彩膜子层132'。在一些实施例中,图案化的第二滤光材料层140还覆盖第一材料层110的、与第一子像素和第二子像素之间的区域对应的部分11M。
第二滤光材料层140的图案化可以利用与第二材料层的图案化类似的低温光刻工艺来实现。
第二滤光材料层用于过滤波长在500nm以下的光。在一些实施例中,第二滤光材料层的材料包括分散在丙烯酸树脂、环氧树脂等有机材料中的颜料或染料,该颜料或染料能够吸收蓝光。
图5B是示出根据本公开一个实施例经过不同材料的光的透过率随波长的变化曲线。
在图5B中,曲线L1表示环境光,包括波长在380nm至780nm的光,在空气中的透过率为100%。曲线L2表示光经第二滤光材料层的透过率,如图5B所示,波长在500nm以下的光经第二滤光材料层的透过率接近0。即,第二滤光材料层能够过滤波长在500nm以下的光。曲线L3表示光经第一滤光材料层的透过率,如图5B所示,波长在500nm以上的光经第一滤光材料层的透过率接近0。即,第一滤光材料层能够过滤波长在500nm以上的光。曲线B表示蓝色发光单元所发出的光的分布,如图5B所示,蓝光的波长在400nm至480nm。曲线R和G分别表示红色彩膜子层和绿色彩膜子层所发出的光的分布,如图5B所示,红光的波长在620nm至760nm,绿光的波长在500nm至620nm。
通过前述任一实施例的制备方法,可以形成显示基板的量子点彩膜。下面结合图2B-2C和图4B-4D描述根据本公开一个实施例的显示基板的结构。
如图所示,显示基板包括:第一材料层110、第二材料层120或120'和第一彩膜子层131或131'。显示基板还可以包括第二彩膜子层132或132'。在一些实施例中,显示基板还包括第二表面层121S和122S。在另一些实施例中,显示基板还包括第一表面层110S。
图6是示出根据本公开再一个实施例的显示基板的制备方法的流程图。图6中显示基板的制备方法除了包括图1A、1B或图3所示的显示基板的制备方法,还包括步骤S11-S12和S7。
图7A至图7E是示出根据图6的方法在各个阶段得到的结构的截面图。下面参考图7A至图7E描述图6所示出的流程图,并且仅描述不同之处,相同之处不再赘述。
在步骤S11,提供背板。
图7A示出根据本公开一个实施例提供的背板的截面图。如图7A所示,背板包括在衬底结构上形成的TFT(薄膜晶体管)。衬底结构包括衬底基板101及其上的缓冲层102。衬底基板的材料可以是例如玻璃。缓冲层102的材料可以是无机物,也可以是有机物。例如,缓冲层102的材料可以包括硅的氧化物、硅的氮化物、聚酰亚胺中的至少一种。
如图7A所示,背板还包括阳极材料层103。阳极材料层103包括通过像素定义层PDL隔开的多个阳极单元。阳极材料层103的材料可以包括导电氧化物,例如氧化铟锡和氧化铟锌等;也可以包括反射金属,例如银、铝等;还可以是包括导电氧化物和反射金属的多层导电材料。阳极单元与对应的TFT相连,例如与源漏相连(图中未具体示出)。
阳极材料层103与TFT之间设置有平坦层PNL。平坦层PNL为阳极材料层提供平坦的表面。平坦层PNL的材料包括:聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺等聚合物材料中的至少一种。
在步骤S12,形成发光功能层。
图7B示出根据本公开一个实施例在形成发光功能层后的截面图。如图7B所示,发光功能层104覆盖阳极材料层103和像素定义层PDL。在一些实施例中,发光材料层包括能够发出蓝光的有机材料。
发光功能层104包括发光材料层。在一些实施例中,发光功能层104还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等载流子功能层,以便提高发光效率。
在另一些实施例中,形成堆叠的发光功能层。例如,形成两层以上的发光材料层以及相应的载流子功能层。
在步骤S2,先形成第一材料层。如图7C所示,
图7C示出根据本公开一个实施例在形成第一材料层后的截面图。如图7C所示,第一材料层110'覆盖发光功能层104。
在一些实施例中,采用蒸镀工艺形成第一材料层110'。第一材料层110'可以包括阴极材料层。第一材料层110'还可以包括在阴极材料层上形成的薄膜封装层TFE。
前面形成的阳极材料层103、发光功能层104和第一材料层110'构成发光单元。在此基础上,制备量子点彩膜,例如执行步骤S2中形成图案化的第二材料层的步骤以及步骤S4-S6,分别形成如图7D、7E和7F所示的结构。
图7D类似于图2A,图案化的第二材料层120”覆盖第一材料层110'的与第一子像素和第二子像素对应的部分。图7E类似于图2B和2C,第一彩膜子层131”形成在第二材料层120”的与第一子像素对应的第一区域上,第二彩膜子层132”形成在第二材料层120”的与第二子像素对应的第二区域上。图7F类似于图4D,第二滤光材料层140'覆盖第一彩膜子层131”和第二彩膜子层132”。在一些实施例中,第二滤光材料层140'覆盖位于第一彩膜子层131”和第二彩膜子层132”之间露出的第一材料层110'和第二材料层120”。
在步骤S7,进行封装处理。
图7G示出根据本公开一些实施例在封装处理后的截面图。显示基板包括量子点彩膜和发光单元。量子点彩膜与发光单元结合使用,可以实现彩色显示。
如图7G所示,显示基板包括盖板160以及位于盖板160与量子点彩膜的第二滤光材料层140'之间的填充层150。填充层150的材料可以选择丙烯酸树脂、环氧树脂、或其任意组合,用于阻挡水、氧等进入量子点彩膜。盖板160的材料可以采用例如玻璃。显示基板还包括光学膜层170。光学膜层170可以采用TOF(透明光学膜,Transparent Optical Film)。
根据本公开实施例,还提供了一种包括前述显示基板的显示装置。在一些实施例中,显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
至此,已经详细描述了本公开的各种实施例。为了避免遮蔽本公开的构思,没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述,完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本公开的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。
Claims (18)
1.一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素和第二子像素,所述制备方法包括:
形成第一材料层和图案化的第二材料层,其中,所述第一材料层包括与第一子像素和第二子像素之间的区域对应的部分,所述第二材料层具有第一开口,所述第一开口露出所述第一材料层的、与所述第一子像素和所述第二子像素之间的区域对应的部分;
在所述第二材料层上的、与所述第一子像素对应的第一区域形成第一量子点溶液,以便形成第一彩膜子层,其中,所述第二材料层对所述第一量子点溶液的润湿性大于所述第一材料层对所述第一量子点溶液的润湿性。
2.根据权利要求1所述的制备方法,还包括:
在形成第一量子点溶液的步骤之前,对所述第二材料层进行表面处理,以在所述第二材料层的表面上形成第二表面层,所述第二表面层对所述第一量子点溶液的润湿性大于所述第二材料层对所述第一量子点溶液的润湿性;和/或,
在形成第一量子点溶液的步骤之前,对露出的第一材料层进行表面处理,以在露出的第一材料层的表面上形成第一表面层,所述第一表面层对所述第一量子点溶液的润湿性小于所述第一材料层对所述第一量子点溶液的润湿性。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其中,使用CFx等离子体进行表面处理。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述第一材料层还包括分别与所述第一子像素和所述第二子像素对应的第一部分和第二部分。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法,其中,所述第二材料层包括有机材料层,所述第一材料层包括薄膜封装层。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述第二材料层包括:第一滤光材料层,用于过滤掉波长在500nm以上的光。
7.根据权利要求1所述的制备方法,还包括:
在所述第二材料层上的、与所述第二子像素对应的第二区域形成第二量子点溶液,以便形成第二彩膜子层,其中,所述第二材料层对所述第二量子点溶液的润湿性大于所述第一材料层对所述第二量子点溶液的润湿性。
8.根据权利要求7所述的制备方法,还包括:
形成第二滤光材料层,所述第二滤光材料层覆盖所述第一彩膜子层和所述第二彩膜子层,用于过滤掉波长在500nm以下的光。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述第一材料层为亲水性,所述第二材料层为疏水性,所述第一量子点溶液为疏水性。
10.一种显示基板,包括多个像素单元,每个像素单元包括第一子像素和第二子像素,所述显示基板包括:
第一材料层,位于衬底基板上,包括与所述第一子像素和所述第二子像素之间的区域对应的部分;
第二材料层,位于所述衬底基板上,所述第二材料层具有第一开口,所述第一开口露出所述第一材料层的、与所述第一子像素和所述第二子像素之间的区域对应的部分;
第一彩膜子层,位于所述第二材料层上的、与所述第一子像素对应的第一区域;
其中,所述第二材料层对用于形成所述第一彩膜子层的量子点溶液的润湿性大于所述第一材料层对所述量子点溶液的润湿性。
11.根据权利要求10所述的显示基板,还包括:
第一表面层,位于所述第一材料层的远离所述衬底基板一侧的表面上,所述第一表面层对所述量子点溶液的润湿性小于所述第一材料层对所述量子点溶液的润湿性;和/或,
第二表面层,位于所述第二材料层的远离所述衬底基板一侧的表面上,所述第二表面层对所述量子点溶液的润湿性大于所述第二材料层对所述量子点溶液的润湿性。
12.根据权利要求10所述的显示基板,其中,所述第一材料层还包括分别与所述第一子像素和所述第二子像素对应的第一部分和第二部分。
13.根据权利要求10所述的显示基板,其中,所述第二材料层包括有机材料层,所述第一材料层包括薄膜封装层。
14.根据权利要求13所述的显示基板,其中,所述第二材料层包括:第一滤光材料层,用于过滤掉波长在500nm以上的光。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的显示基板,还包括:
第二彩膜子层,位于所述第二材料层上的、与所述第二子像素对应的第二区域。
16.根据权利要求15所述的显示基板,还包括:第二滤光材料层,覆盖所述第一彩膜子层和所述第二彩膜子层,用于过滤掉波长在500nm以下的光。
17.根据权利要求10所述的显示基板,还包括:
位于所述衬底基板上的发光单元,其中,所述第一彩膜子层设置在所述发光单元的出光侧。
18.一种显示装置,包括根据权利要求10至17中任一项所述的显示基板。
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