CN103882522A - 离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法,在铝酸钙钆基质中掺入铬铈钕等离子,采用提拉法或浮区法生长出优质的铬铈钕共掺或铈钕,铬钕双掺的铝酸钙钆激光晶体。晶体完整无开裂,可见光波段吸收效率高,是一种非常优良的太阳光泵浦激光增益介质。
Description
技术领域
本发明涉及太阳光泵浦的激光材料,特别是一种离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法。
背景技术
随着自然资源的日益匮乏,环境条件日益恶化,寻找一种清洁的可再生能源逐渐成为一项研究热点。其中,太阳能资源成本低廉,适用范围广泛,无任何污染,越来越受人们重视。目前,太阳能利用形式主要是太阳能电池发电和太阳能热水器,能源利用率低,占地面积大,受气候和时间影响较大,一直限制着太阳能的广泛应用。
太阳能泵浦激光,最早在1963年问世(参见Kiss Z.J.等Sun pumped continuousoptical laser,Appl.Phys.Lett.,1963,2(5):93-94.)。近些年,随着空间技术的不断发展,太阳能泵浦激光逐渐得到重视。在太空中,太阳能资源比地面更加丰富,太阳能辐射不受时间和气候的变化而改变,因此太阳能泵浦激光被认为是新一代的空间能源。
太阳光是连续宽光谱光源,其辐射谱中含有所有的激光泵浦波长。太阳光泵浦激光器的工作原理是将太阳光汇聚后耦合到激光介质中,使阳光中有用的泵浦光被介质吸收而产生激光输出。因此,这就需要激光介质对太阳光有足够的吸收效率。目前广为研究的太阳光泵浦激光介质有Nd:YAG,Nd:YVO4,以及Nd掺杂的激光陶瓷等。这些晶体具有高热导率,但对太阳光吸收效率普遍不超过20%(参见《激光技术与应用》7月刊(2008),16-23)。CaGdAlO4晶体,热导率为6.3-6.7Wm-1K-1,是一种非常优良的激光增益介质。实验中我们发现,掺杂Ce3+和Cr3+离子的CaGdAlO4晶体在400-500nm附近有很高的吸收率,可以有效地吸收太阳光,并通过能级跃迁,敏化Nd3+离子,产生激光。
发明内容
本发明的目的是提供一种离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法,该方法制备离子掺杂铝酸钙钆激光晶体具有很高的光学质量,无开裂,散射颗粒,气泡等缺陷,颜色均匀。晶体可见光400nm-500nm部分吸收效率高,是一种非常优秀的太阳光泵浦激光晶体。
本发明的技术解决方案如下:
一种离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法,其特点在于该方法包括下列步骤:
①按照下列反应方程式,选定比例x、y、z的值,采用纯度为99.999%的高纯CaCO3,Gd2O3,CeO2,Nd2O3,Al2O3,Cr2O3粉末原料,按选定比例称量各氧化物原料:
2CaCO3+(1-x-y)Gd2O3+2xCeO2+yNd2O3+(1-z)Al2O3+zCr2O3
=2CaGd(1-x-y)CexNdyAl(1-z)CrzO4+2CO2
其中0≤x≤0.01,0<y≤0.01,0≤z≤0.001;
②将精确称重的原料放入干净的聚四氟乙烯球磨罐中,然后再放入预先配比好的玛瑙球,倒入适量高纯无水乙醇,密封完毕后,放入球磨机中,设定转速15-25rpm,混料时间12-24h,球磨完毕后,将球磨罐放入烘箱中,设定温度80℃,烘烤6h,确保乙醇完全挥发形成干燥的混合粉料;
③将所述的干燥的混合粉料放入有机模具中,在液压机上压制成块或棒;
④将压好的块或棒料在马弗炉中1250℃烧结20h,除去原料中的水分,并让原料中CaCO3分解,发生固相反应,形成多晶块料或多晶棒料;
⑤将所述的多晶料,采用中频感应加热提拉法生长Cr/Ce/Nd:CaGdAlO4晶体;或者采用浮区法生长Cr/Ce/Nd:CaGdAlO4晶体。
所述的中频感应加热提拉法生长的生长过程如下:将烧结后的多晶块料放进预先装入提拉炉的铱坩埚内,抽真空至10-3Pa后充入高纯氮气,打开中频感应发生器电源,炉内坩埚升温至1900℃,让原料充分融化并通过流动混合均匀,而后再降到晶体熔点1840℃附近,下降a向CaGdAlO4籽晶,晶体提拉速度1-2mm/h,旋转速度10-20rpm,晶体生长完毕,按降温速率为30℃/h-45℃/h,缓慢降至室温,取出晶体。
所述的浮区法生长晶体的过程是:将烧结后的多晶棒料作为上棒,a向CaGdAlO4籽晶作为下棒,空气气氛下生长,上棒下降速度3-15mm/h,下棒下降速度2-10mm/h,上下棒旋转速度5-20rpm,熔区结晶面温度在熔点1840℃附近,保证原料充分融化并混合均匀,晶体生长完毕,按降温速率为900℃/h-1800℃/h,缓慢降至室温,取出晶体。
本发明的特点是采用提拉法或者浮区法生长铬铈钕共掺或铈钕,铬钕双掺的铝酸钙钆太阳光泵浦激光晶体,晶体具有很高的光学质量,无开裂,散射颗粒,气泡等缺陷,颜色均匀。晶体可见光400nm-500nm部分吸收效率高,是一种非常优秀的太阳光泵浦激光晶体。
具体实施方式
下面结合具体实施案例对发明进行进一步阐述,但不应以此限制本发明的包含范围。
实施例1:
用上述的原料配比和工艺流程生长Cr,Nd:CaGdAlO4激光晶体,原料配比中取x=0,y=0.01,z=0.001。将CaCO3,Gd2O3,Nd2O3,Cr2O3,Al2O3高纯原料(纯度均为99.999%),按2:0.99:0.01:0.001:0.999比例称取。乙醇湿法球磨10h混合均匀,并经烘箱干燥处理后,用有机弹性塑料模具在液压机上压制成块,并在马弗炉中1250℃烧结20h。将烧结好的原料装进预先放置在提拉炉内的铱坩埚内。炉内抽真空至10-3Pa后,充入高纯氮气。升温至1900℃,让料充分融化混合后,1小时后,降温至晶体熔点1840℃附近,下降a向CaGdAlO4籽晶,开始生长晶体。晶体提拉速度1mm/h,旋转速度10rpm。晶体生长完毕,缓慢降至室温,降温速率45℃/h,取出晶体。晶体完整无开裂,颜色鲜红且均匀。
实施例2:
用上述的原料配比和工艺流程生长Ce,Nd:CaGdAlO4激光晶体,原料配比中取x=0.01,y=0.01,z=0。将CaCO3,Gd2O3,Nd2O3,CeO2,Al2O3高纯原料(纯度均为99.999%),按2:0.98:0.01:0.02:1比例称取。乙醇湿法球磨10h混合均匀,并经烘箱干燥处理后,用有机弹性塑料模具在液压机上压制成棒并在马弗炉中1250℃烧结20h。而后将棒挂在浮区炉上,作为上棒,a向CaGdAlO4籽晶作为下棒。浮区炉炉腔内通空气,升温至结晶面温度在1840℃,让上棒原料底部充分融化,并和籽晶接触,保持1h后,上棒下降速度3mm/h,旋转速度5rpm,下棒下降速率2mm/h,旋转速度20rpm,开始生长晶体。晶体生长结束后,以900℃/h降温速率降至室温,取出晶体。晶体完整无开裂,表面光滑,颜色淡绿色。
实施例3:
用上述的原料配比和工艺流程生长Cr,Ce,Nd:CaGdAlO4激光晶体,原料配比中取x=0.005,y=0.005,z=0.0005。将CaCO3,Gd2O3,Nd2O3,CeO2,Cr2O3,Al2O3高纯原料(纯度均为99.999%),按2:0.99:0.005:0.01:0.0005:0.9995比例称取。乙醇湿法球磨10h混合均匀,并经烘箱干燥处理后,用有机弹性塑料模具在液压机上压制成块,并在马弗炉中1250℃烧结20h。将烧结好的原料装进预先放置在提拉炉内的铱坩埚内。炉内抽真空至10-3Pa后,充入高纯氮气。升温至1900℃,让料充分融化混合后,1小时后,降温至晶体熔点1840℃附近,下降a向CaGdAlO4籽晶,开始生长晶体。晶体提拉速度2mm/h,旋转速度20rpm。晶体生长完毕,以30℃/h降温速率降至室温,取出晶体。晶体完整无开裂,颜色淡绿且均匀。相比于实施例1,晶体提拉速率增加,旋转速度增加,降温时间延长,晶体质量并无明显变化。
实施例4:
用上述的原料配比和工艺流程生长Cr,Nd:CaGdAlO4激光晶体,原料配比中取x=0,y=0.002,z=0.0008。将CaCO3,Gd2O3,Nd2O3,Cr2O3,Al2O3高纯原料(纯度均为99.999%),按2:0.998:0.002:0.0008:0.9992比例称取。乙醇湿法球磨10h混合均匀,并经烘箱干燥处理后,用有机弹性塑料模具在液压机上压制成棒,并在马弗炉中1250℃烧结20h。而后将棒挂在浮区炉上,作为上棒,a向CaGdAlO4籽晶作为下棒。浮区炉炉腔内通空气,升温至结晶面温度在1840℃,让上棒原料底部充分融化,并和籽晶接触,保持1h后,上棒下降速度15mm/h,旋转速度10rpm,下棒下降速率10mm/h,旋转速度10rpm,开始生长晶体。晶体生长结束后,以1800℃/h降温速率降至室温,取出晶体。晶体完整无开裂,表面光滑,颜色鲜红。相比于实施例2,晶体上下棒下降速率同时增加,晶体生长速率增加,质量并未变差。
实施例5:
用上述的原料配比和工艺流程生长Ce,Nd:CaGdAlO4激光晶体,原料配比中取x=0.008,y=0.004,z=0。将CaCO3,Gd2O3,Nd2O3,CeO2,Al2O3高纯原料(纯度均为99.999%),按2:0.984:0.008:0.008:1比例称取。乙醇湿法球磨10h混合均匀,并经烘箱干燥处理后,用有机弹性塑料模具在液压机上压制成块,并在马弗炉中1250℃烧结20h。将烧结好的原料装进预先放置在提拉炉内的铱坩埚内。炉内抽真空至10-3Pa后,充入高纯氮气。升温至1900℃,让料充分融化混合后,1小时后,降温至晶体熔点1840℃附近,下降a向CaGdAlO4籽晶,开始生长晶体。晶体提拉速度1.5mm/h,旋转速度15rpm。晶体生长完毕,以35℃/h降温速率降至室温,取出晶体。晶体完整无开裂,颜色淡绿色且均匀。
实施例6:
用上述的原料配比和工艺流程生长Cr,Ce,Nd:CaGdAlO4激光晶体,原料配比中取x=0.002,y=0.008,z=0.0002。将CaCO3,Gd2O3,Nd2O3,CeO2,Cr2O3,Al2O3高纯原料(纯度均为99.999%),按2:0.99:0.008:0.004:0.0002:0.9998比例称取。乙醇湿法球磨10h混合均匀,并经烘箱干燥处理后,用有机弹性塑料模具在液压机上压制成棒,并在马弗炉中1250℃烧结20h。而后将棒挂在浮区炉上,作为上棒,a向CaGdAlO4籽晶作为下棒。浮区炉炉腔内通空气,升温至结晶面温度在1840℃,让上棒原料底部充分融化,并和籽晶接触,保持1h后,上棒下降速度10mm/h,旋转速度20rpm,下棒下降速率8mm/h,旋转速度5rpm,开始生长晶体。晶体生长结束后,以1350℃/h降温速率降至室温,取出晶体。晶体完整无开裂,表面光滑,颜色淡绿。
Claims (3)
1.一种离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法,其特征在于该方法包括下列步骤:
①按照下列反应方程式,选定比例x、y、z的值,采用纯度为99.999%的高纯CaCO3,Gd2O3,CeO2,Nd2O3,Al2O3,Cr2O3粉末原料,按选定比例称量各氧化物原料:
2CaCO3+(1-x-y)Gd2O3+2xCeO2+yNd2O3+(1-z)Al2O3+zCr2O3
=2CaGd(1-x-y)CexNdyAl(1-z)CrzO4+2CO2
其中0≤x≤0.01,0<y≤0.01,0≤z≤0.001;
②将精确称重的原料放入干净的聚四氟乙烯球磨罐中,然后再放入预先配比好的玛瑙球,倒入适量高纯无水乙醇,密封完毕后,放入球磨机中,设定转速15-25rpm,混料时间12-24h,球磨完毕后,将球磨罐放入烘箱中,设定温度80℃,烘烤6h,确保乙醇完全挥发形成干燥的混合粉料;
③将所述的干燥的混合粉料放入有机模具中,在液压机上压制成块或棒;
④将压好的块或棒料在马弗炉中1250℃烧结20h,除去原料中的水分,并让原料中CaCO3分解,发生固相反应,形成多晶块料或多晶棒料;
⑤将所述的多晶料,采用中频感应加热提拉法生长Cr/Ce/Nd:CaGdAlO4晶体;或者采用浮区法生长Cr/Ce/Nd:CaGdAlO4晶体。
2.根据权利要求1所述的离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法,其特征在于所述的中频感应加热提拉法生长的生长过程如下:将烧结后的多晶块料放进预先装入提拉炉的铱坩埚内,抽真空至10-3Pa后充入高纯氮气,打开中频感应发生器电源,炉内坩埚升温至1900℃,让原料充分融化并通过流动混合均匀,而后再降到晶体熔点1840℃附近,下降a向CaGdAlO4籽晶,晶体提拉速度1-2mm/h,旋转速度10-20rpm,晶体生长完毕,按降温速率为30℃/h-45℃/h,缓慢降至室温,取出晶体。
3.根据权利要求1所述的离子掺杂铝酸钙钆激光晶体的制备方法,其特征在于所述的浮区法生长晶体的过程是:将烧结后的多晶棒料作为上棒,a向CaGdAlO4籽晶作为下棒,空气气氛下生长,上棒下降速度3-15mm/h,下棒下降速度2-10mm/h,上下棒旋转速度5-20rpm,熔区结晶面温度在熔点1840℃附近,保证原料充分融化并混合均匀,晶体生长完毕,按降温速率为900℃/h-1800℃/h,缓慢降至室温,取出晶体。
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