CN102560668B - 一种具有锆英石结构钒酸盐复合激光晶体的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种具有锆英石结构钒酸盐复合激光晶体的制备方法。两段钒酸盐复合晶体通式为ReVO4/LnxRe1-xVO4;三段钒酸盐复合晶体通式为ReVO4/LnxRe1-xVO4/ReVO4;其中Ln=Nd或Yb或Tm或Ho;Re=Lu,Y或Gd。本发明钒酸盐复合晶体采用光浮区法生长,根据通式化学计量比配料,分段制成多晶料棒,并装入光学浮区炉中生长。本发明的方法生长速度快,周期短,并且复合分段明显,工艺简单,通过一次晶体生长过程获得复合钒酸盐激光晶体,所得晶体具有高透明性,开裂少;可作为激光材料、增益介质用于制作激光器件。
Description
技术领域
本发明涉及一种复合钒酸盐激光晶体及其制备方法,具体涉及到应用于高功率激光器件领域。
背景技术
激光由于其高的相干性、高能量密度、方向性等特点,已经广泛的应用于科研、医疗、通讯、军事等领域,可以说激光已经并且正在改变着社会以及人们的生活方式。作为固体激光器中的关键部分,激光增益介质决定了激光的特性及其应用范围。到目前为止,稀土离子或过渡金属离子掺杂的激光晶体已经进行了比较深入的研究和获得了广泛的应用,成为激光增益介质家族中不可替代的一部分,推动了激光器的发展,“一代材料,一代器件”,因此激光晶体也成为了激光器的发展的标志。在激光晶体中,具有锆英石结构的钒酸盐激光晶体具有良好的物理、光谱和激光性能,成为研究和应用最为广泛的一类,也一直是人们探索的重点和热点。而在激光产生的过程中,由于量子效率、散射等因素,使得晶体内部产生了不可避免的热量,而产生的热效应是限制激光光束质量、激光效率和最大输出能量(也就是高功率激光的“三高”问题)的主要因素之一。如何尽量减小热效应对激光晶体的影响,是目前激光器研究特别是高功率激光器研究的重要课题。为了获得“三高”的激光输出,人们采用了多种途径取得了良好的效果,从激光晶体和制冷方式两方面进行研究,综合来说也就是:(1)探索热学性质更好的激光基质材料;(2)加强激光器的制冷效率;(3)激光工作物质的制冷方式上的设计,设计了板条激光器,盘片激光器和把激光工作物质做成光纤,成为晶体光纤激光器,获得高功率和高光学质量的激光输出。而无论是利用哪一种方式,其热量都是通过激光晶体的侧面导出,因此侧面的有效制冷面积决定了晶体内部累计的废热以及其产生的热效应的大小。通过增加有效制冷面积及其热量传播方式,是目前最为有效地制冷方式之一。复合晶体是解决上述问题获得高功率激光输出的重要途径。所谓复合晶体就是把掺质晶体和不掺质晶体采用生长、键和等方法复合到一起。这样使得在掺杂晶体中产生的热量,会通过扩散传递到未掺杂的部分,使得晶体的热量传输方式从简单的由晶体内部的横向传输变为横向和纵向同时制冷,也就是变相的增加了有效制冷面积,增加了晶体能承受的最大泵浦能量从而实现更高的激光输出,解决高功率激光的“三高”问题。参见Huai-Chuan Lee,Patrick L.Brownlie,Helmuth E.Meissner,Edward C.Rea,Jr.,Proc.SPIE 1624,2(1991)。
制备复合晶体现有技术主要包括:水热法,提拉法、液相外延法、热键合法。中国专利文件CN1477239A(CN03141528.8)提供一种复合激光晶体的生长方法,采用水热法直接在掺杂YAG激光单晶(Nd:YAG或Yb:YAG)的两端生长YAG晶体,形成复合激光晶体材料。CN1445388A(CN03116631.8)公开了一种掺钕铝酸钇和铝酸钇复合激光晶体的制备方法,它是将晶面方向为(010)或(100)或(001)的Nd:YAP单晶衬底作大面积籽晶,在YAP单晶的结晶温度下,在电阻加热液相外延炉中与含有YAP多晶料的助熔剂饱和溶液接触的两个界面上生长等厚的YAP单晶,形成YAP/Nd:YAP/YAP复合激光晶体,该晶体的两种晶体间无明显分界、晶体完整性好、重复性好。
以上现有技术的生长方法都有自身的缺点:水热法生长过程复杂不易获得长的晶体;提拉法生长的复合晶体质量差,界面存在大量气泡和包裹物等缺陷;液相外延法生长过程不可控制,复合层难达到较高的厚度;热键合法对工艺要求比较高,制作过程对环境要求高,条件比较苛刻,键合的晶体界面对激光有损耗。以前报道的复合晶体的制备都不是通过一次晶体生长得到的。所以想要生长大尺寸,工艺简单的高质量复合晶体(通过一次晶体生长过程)制备方法,同时能消除不同激活离子界面间的光损耗,需要寻找其他合适的方法来制备晶体。
发明内容
本发明针对现在对高功率激光器件的迫切需求,提供一种具有锆英石结构钒酸盐复合激光晶体的生长方法。
术语说明:
锆英石结构钒酸盐晶体,通式为ReVO4,其中Re=Y,Gd或Lu。
复合激光晶体,是具有锆英石结构的钒酸盐晶体,采用掺杂激活离子和不掺杂激活离子的晶体,复合成一块晶体,此复合晶体具有很好的光学质量和热性质,可以作为优良的激光增益介质。
本发明所述的掺杂浓度x是指激活离子Ln的掺杂浓度,单位为at%。
本发明的技术方案如下:
一种钒酸盐复合激光晶体的生长方法,是在掺杂激活离子的钒酸盐单晶一端或两端生长不掺杂的钒酸盐单晶,所述钒酸盐通式I为ReVO4,Re=Y,Gd或Lu,掺杂激活离子的钒酸盐通式II为LnxRe1-xVO4,Ln=Nd、Yb、Tm或Ho,0<x<1;形成ReVO4/LnxRe1-xVO4或ReVO4/LnxRe1-xVO4/ReVO4复合激光晶体;采用光学浮区法进行晶体生长,包括步骤如下:
(1)制备多晶料
以Re2O3,Ln2O3,V2O5为原料,按照通式I、II中组分的摩尔比分别称量原料,放入Pt坩埚在1000~1100℃烧结,保温8h得钒酸盐多晶料、掺杂激活离子的钒酸盐多晶料,分别碾磨成微细颗粉,平均粒径2~10μm;
(2)制备多晶料棒
将步骤(1)制备的钒酸盐多晶料、掺杂激活离子的钒酸盐多晶料按ReVO4、LnxRe1-xVO4或ReVO4、LnxRe1-xVO4、ReVO4的次序分别装入气球中;装好后抽真空,在50~80MPa静水压制1-1.5分钟,制出长度为60mm、直径为10mm的ReVO4/LnxRe1-xVO4多晶料棒或ReVO4/LnxRe1-xVO4/ReVO4多晶料棒,然后将多晶料棒在旋转烧结炉中1100~1700℃烧结4~5小时;
(3)所用生长装置为光学浮区生长炉,采用四个氙灯加热;
采用a轴方向的YVO4单晶为籽晶,在光学浮区生长炉中上转动杆的位置上固定步骤(2)制得的多晶料棒,在光学浮区生长炉中下转动杆的位置上固定YVO4籽晶,用石英管将籽晶和多晶料棒密封起来,然后通氧保护,用4-4.5小时升温至1800℃使多晶料棒下端和籽晶上端融化,然后将籽晶棒的上端和其上方的多晶料棒下端的熔区相接触,控制生长温度区间为1750-1850℃,设定晶体生长的提拉速度为5-8mm/h和转速为20-30r/min,开始晶体生长。
(4)生长时间为20~28小时,将料棒和籽晶之间的熔区分开,晶体生长结束;经3~5小时降至室温,晶体出炉;出炉的晶体在1200℃的温度下退火30-32h,退火气氛为大气;即得。
根据本发明,优选的,步骤(2)中,所得ReVO4/LnxRe1-xVO4多晶料棒,ReVO4料段长度小于50mm,LnxRe1-xVO4料段长度小于50mm,ReVO4料段与LnxRe1-xVO4料段长度之和为60mm,ReVO4料段和LnxRe1-xVO4料段长度相等,装炉时料棒的下端为掺杂的LnxRe1-xVO4,上端为纯的ReVO4;
根据本发明,优选的,步骤(2)中,所得ReVO4/LnxRe1-xVO4/ReVO4多晶料棒中,两端的ReVO4料段长度相等,每个ReVO4料段长度小于40mm,LnxRe1-xVO4料段长度小于20mm,ReVO4料段、LnxRe1-xVO4料段、ReVO4料段三段长度之和为60mm;ReVO4料段与LnxRe1-xVO4料段长度之比为2∶1。
根据本发明,优选的,步骤(2)用玛瑙研钵分别将纯的多晶料和掺杂激活离子的多晶料磨碎。优选的,步骤(2)中料棒在旋转烧结炉中1500℃烧5个小时,得多晶料棒。
上述步骤(3)中,优选的晶体生长在氧气保护气氛下进行,氧气纯度为99.9%,氧气通气量为100mL/min。
以上步骤(3)中,光学浮区生长炉采用四个氙灯加热,最高温度可达3000℃。
以上所说的升温、降温及晶体提拉速度和转速的设定均参阅光学浮区生长炉的说明书进行。本发明未加详细说明的部分均按光学浮区生长炉的说明书进行。
根据本发明,优选的,通式II中,当Ln=Nd时,0<x≤0.01;当Ln=Yb时,0<x<1;当Ln=Tm时,0<x<0.2;当Ln=Ho时,0<x<0.3。
根据本发明,进一步优选的,所述复合激光晶体是LuVO4/NdxLu1-xVO4两段复合晶体或LuVO4/NdxLu1-xVO4/LuVO4三段复合晶体,x=1%。
本发明方法可实现在约一天的生长周期内生长的得到约50mm长的复合晶体。优选的,所述复合激光晶体是LuVO4/NdxLu1-xVO4两段复合晶体,总长度为50mm,LuVO4晶体和NdxLu1-xVO4晶体长度分别为25mm。
本发明方法制备出的晶体本领域现有技术进行加工、抛光即可。各种具体优选的钒酸盐复合激光晶体均采用a轴方向的YVO4单晶为籽晶。
下面对本发明方法制备的复合晶体详细说明如下:
1)在掺杂激活离子的钒酸盐单晶一端生长不掺杂的钒酸盐单晶,所得复合晶体产品由两段组成,一段为纯的钒酸盐晶体,另一段为掺杂激活离子的晶体,结构通式为ReVO4/LnxRe1-xVO4,本发明复合晶体为四方晶系,空间群为I41/amd,锆英石结构。两段复合方式如表1。
表1.两段复合晶体
分段 | 纯的晶体 | 掺杂激活离子的晶体 |
长度(mm) | L1(0<L1<50) | L2(0<L2<50) |
通式I中,Ln=Nd、Yb、Tm或Ho,0<x<1;Re=Lu,Y或Gd;
优选的,当Ln=Nd,Re=Y,Gd或Lu时,0<x≤0.01;
优选的,当Ln=Yb,Re=Y,Gd或Lu时,0<x<1;
优选的,当Ln=Tm,Re=Y,Gd或Lu时,0<x<0.2;
优选的,当Ln=Ho,Re=Y,Gd或Lu时,0<x<0.3。
上述两段钒酸盐复合晶体中,其中最优选的复合晶体是:LuVO4/NdxLu1-xVO4,x=1%。
2)在掺杂激活离子的钒酸盐单晶两端生长不掺杂的钒酸盐单晶,由三段组成,两端为纯的钒酸盐晶体,中间一段为掺杂激活离子的钒酸盐晶体,结构通式为ReVO4/LnxRe1-xVO4/ReVO4,该三段复合晶体为四方晶系,空间群为I41/amd,锆英石结构。三段复合方式见表2。
表2.三段复合晶体
分段 | 纯的晶体 | 掺杂激活离子的晶体 | 纯的晶体 |
长度(mm) | L1(0<L1<40) | L2(0<L2<20) | L3(0<L3<40) |
掺杂浓度 | 0 | x | 0 |
其中Ln=Nd、Yb、Tm或Ho,0<x<1;Re=Lu,Y或Gd;
优选的,当Ln=Nd,Re=Y,Gd或Lu时,此复合晶体中的0<x≤0.01;
优选的,当Ln=Yb,Re=Y,Gd或Lu时,此复合晶体中的0<x<1;
优选的,当Ln=Tm,Re=Y,Gd或Lu时,此复合晶体中的0<x<0.2;
优选的,当Ln=Ho,Re=Y,Gd或Lu时,此复合晶体中的0<x<0.3。
上述三段复合钒酸盐晶体中,最具代表性的是:LuVO4/NdxLu1-xVO4/LuVO4复合晶体,其中x=1%。
本发明的钒酸盐复合晶体用于制作激光器件。
本发明利用光浮区法生长钒酸盐复合晶体,可一次完成两段或三段复合晶体的生长,可在较短时间内获得厘米量级、高质量的钒酸盐晶体材料。所得复合晶体的分段明显,工艺比较简单,同其他的生长方法相比,所生长的钒酸盐复合晶体具有高透明性,开裂较少,适合作激光材料、增益介质用于制作激光器件。
本发明利用光浮区法生长钒酸盐复合晶体,具有较高的晶体生长速度、生长周期短,可在短时间内获得长的激光晶体;生长过程不使用坩埚,避免了坩埚对晶体的污染,而且采用区域熔化生长方式,这种区域熔化生长方式,可以通过将多晶料棒做成掺杂质和不掺质两段或三段组合而成,然后再依次区域熔化生长出相对应的复合钒酸盐晶体。这种区熔的晶体生长方式是制备完美品质钒酸盐复合晶体的理想方法。
附图说明
图1是本发明晶体生长装置示意图,其中:1、下转动杆(籽晶杆),2、进气口,3、籽晶棒,4、生长的晶体,5、石英管,6、多晶料棒,7、上转动杆(原料杆),8、出气口,9、熔区,10、氙灯,11、晶体生长参数控制台,12、水冷装置,13、氙灯电流控制柜。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明。所用生长装置为光学浮区晶体生长炉,型号:FZ-T-12000-X-I-S-SU(Crysta1 Systems Inc.)日本晶体系统公司产品。所用初始原料均为高纯原料,纯度都为99.99%,可通过常规途径购买。
一、制备两段钒酸盐复合晶体
①选定掺杂浓度的数值,根据分子式ReVO4,LnxRe1-xVO4按化学计量比称量原料,在晶体生长配方中初始原料为Ln2O3,Re2O3,V2O5,化学方程式为:
xLn2O3+(1-x)Re2O3+V2O5=2LnxRe1-xVO4;
Re2O3+V2O5=2ReVO4。
②将根据所称量的原料混合均匀成两份(纯的和掺杂的),分别放入Pt坩埚在1000℃依次烧结,保温8h进行烧结合成两份多晶料。
③将合成好的多晶料分别磨成细粉,按计划好的分段和长度(表1)装入长气球中,经过抽真空和静水压制,做成料棒,放入旋转烧结炉中1500℃烧结5h,得到多晶料棒。
④将合成好的多晶料棒装入浮区炉中,选a轴YVO4单晶作为籽晶,在氧气气氛保护下,采用氙灯加热浮区法生长,为防止晶体开裂,晶体生长完毕后要缓慢降温,降温时间为4个小时。
实施例1:YVO4/Nd:YVO4两段复合晶体
制备NdxY1-xVO4,YVO4,
化学方程式为:xNd2O3+(1-x)Y2O3+V2O5=2NdxY1-xVO4;
Y2O3+V2O5=2YVO4。
采用的原料为Nd2O3,Y2O3和V2O5,先用Y2O3(5N)和V2O5(4N)原料按化学计量比严格称量并充分混匀得到未掺杂的YVO4原料;另外将Nd2O3(4N)、Y2O3(5N)和V2O5(4N)原料配比,掺杂浓度x的数值为1%,在空气中适当的干燥,然后按化学计量比称量并充分混匀得到掺杂的Nd:YVO4原料,依次放入Pt坩埚在1000℃烧结8小时,得到的两份多晶料,用玛瑙研钵分别将纯的多晶料和掺杂激活离子的多晶料磨碎成微细粉平均粒径4μm。
然后将这两份多晶料依次装入长气球中,用玻璃棒压实,抽真空后放入静水压68MPa下压制1分钟,制得多晶料棒,料棒长度为60mm、直径为10mm,其中YVO4料段长度为30mm,Nd:YVO4料段长度为30mm。
然后在旋转烧结炉中1500℃下烧结5h,将得到的多晶棒装入浮区炉中,在光学浮区生长炉中上转动杆的位置上固定好多晶棒(YVO4料段朝上,Nd:YVO4料段朝下),下转动杆固定a轴方向YVO4单晶作为籽晶,设定好程序升温,升温至上方料棒的下端和下方籽晶棒的上端熔化,接触开始生长,生长温度区间为1750-1850℃,生长速率和转速分别为5-8mm/h和20r/min,生长气氛为氧气保护,氧气纯度为99.9%,氧气通气量为100mL/min。
生长周期约为1天,当晶体生长至长度为50mm时,将料棒和籽晶之间的熔区分开,停止上、下转动杆的移动,生长结束后,为防止晶体开裂,至少用5个小时缓慢降温至室温,得到YVO4/Nd:YVO4复合晶体,总长度为50mm,两段长度比例为1∶1。然后将晶体进行退火处理,在1200℃下保温30个小时,然后以每小时30℃的速率降到室温。然后对退火后的晶体进行加工、抛光。
由于开始生长时料棒会先熔化掉一部分,而生长结束时料棒的上端也需留下一部分,故料棒长度适当大于实际生长所得的复合晶体长度。以下同理。
实施例2:GdVO4/Nd:GdVO4两段复合晶体
制备NdxGd1-xVO4、GdVO4,化学方程式为:
xNd2O3+(1-x)Gd2O3+V2O5=2NdxGd1-xVO4;
Gd2O3+V2O5=2GdVO4。
采用的原料为Nd2O3,Gd2O3和V2O5,先用Gd2O3(5N)和V2O5(4N)原料按化学计量比严格称量并充分混匀得到未掺杂的原料,另外将Nd2O3(4N)、Gd2O3(5N)和V2O5(4N)原料配比,掺杂浓度x的数值为1%,在空气中适当的干燥,然后按化学计量比称量并充分混匀得到掺杂的原料,将该两种配料依次放入Pt坩埚在1000℃烧结8小时,将得到的多晶料磨成微细粉平均粒径4μm。按实施例1的方法制得多晶料棒,其中GdVO4料段长度为30mm,Nd:GdVO4料段长度为30mm,然后将多晶料棒与YVO4籽晶一起装入浮区生长炉中,其余生长条件同实施例1。晶体生长周期为1天,生长结束后,经5个小时降温至室温,得到GdVO4/Nd:GdVO4复合晶体的长度为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后GdVO4/Nd:GdVO4两段复合晶体退火、加工等同实施例1。
实施例3:LuVO4/Nd:LuVO4两段复合晶体
制备Ndxlu1-xVO4、LuVO4,化学方程式为:
xNd2O3+(1-x)Lu2O3+V2O5=2NdxLu1-xVO4;
Lu2O3+V2O5=2LuVO4
采用的原料为Nd2O3,Lu2O3和V2O5,掺杂的浓度为1%,后续操作按实施例1,其中LuVO4料段长度为30mm,Nd:LuVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,得到LuVO4/Nd:LuVO4两段复合晶体的长度为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后LuVO4/Nd:LuVO4两段复合晶体退火、加工等同实施例1。
实施例4:YVO4/Yb:YVO4两段复合晶体
制备YbxY1-xVO4、YVO4,化学方程式为:
xYb2O3+(1-x)Y2O3+V2O5=2YbxY1-xVO4;
Y2O3+V2O5=2YVO4
采用的原料为Yb2O3,Y2O3和V2O5,掺杂的浓度x为10%,后续操作按实施例1,其中YVO4料段长度为30mm,Yb:YVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,得到YVO4/Yb:YVO4两段复合晶体的长度为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后YVO4/Yb:YVO4两段复合晶体退火、加工等同实施例1。
实施例5:LuVO4/Yb:LuVO4两段复合晶体
制备YbxLu1-xVO4\LuVO4,化学方程式为:
xYb2O3+(1-x)Lu2O3+V2O5=2YbxLu1-xVO4;
Lu2O3+V2O5=2LuVO4。
采用的原料为Yb2O3,Lu2O3和V2O5,掺杂的浓度x为10%。后续操作按实施例1,其多晶料棒中LuVO4料段长度为30mm,Yb:LuVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,所得LuVO4/Yb:LuVO4复合晶体的尺寸为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后LuVO4/Yb:LuVO4两段复合晶体退火、加工等同实施例1。
实施例6:GdVO4/Yb:GdVO4两段复合晶体
制备YbxGd1-xVO4、GdVO4,化学方程式为:
xYb2O3+(1-x)Gd2O3+V2O5=2YbxGd1-xVO4;
Gd2O3+V2O5=2GdVO4
采用的原料为Yb2O3,Gd2O3和V2O5,掺杂的浓度x为10%,后续操作按实施例1,其多晶料棒中GdVO4料段长度为30mm,Yb:GdVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,所得GdVO4/Yb:GdVO4复合晶体的尺寸为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后GdVO4/Yb:GdVO4两段复合晶体退火、加工等同实施例1。
实施例7:GdVO4/Tm:GdVO4两段复合晶体
制备TmxGd1-xVO4\GdVO4,化学方程式为:
xTm2O3+(1-x)Gd2O3+V2O5=2TmxGd1-xVO4;
Gd2O3+V2O5=2GdVO4
采用的原料为Tm2O3,Gd2O3和V2O5,掺杂的浓度x为5%,后续操作按实施例1,其多晶料棒中GdVO4料段长度为30mm,Tm:GdVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,所得GdVO4/Tm:GdVO4复合晶体的尺寸为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后GdVO4/Tm:GdVO4两段复合晶体的退火、加工等同实施例1。
实施例8:YVO4/Tm:YVO4两段复合晶体
制备TmxY1-xVO4\YVO4,化学方程式为:
xTm2O3+(1-x)Y2O3+V2O5=2TmxY1-xVO4;
Y2O3+V2O5=2YVO4
采用的原料为Tm2O3,Y2O3和V2O5,掺杂的浓度x为5%,后续操作按实施例1,其多晶料棒中YVO4料段长度为30mm,Tm:YVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,所得YVO4/Tm:YVO4复合晶体的尺寸为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后YVO4/Tm:YVO4两段复合晶体的退火、加工等同实施例1。
实施例9:LuVO4/Tm:LuVO4两段复合晶体
制备TmxLu1-xVO4\LuVO4,化学方程式为:
xTm2O3+(1-x)Lu2O3+V2O5=2TmxLu1-xVO4;
Lu2O3+V2O5=2LuVO4
采用的原料为Tm2O3,Lu2O3和V2O5,掺杂的浓度x为5%,后续操作按实施例1,其多晶料棒中LuVO4料段长度为30mm,Tm:LuVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,所得LuVO4/Tm:LuVO4复合晶体的尺寸为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后LuVO4/Tm:LuVO4两段复合晶体的退火、加工等同实施例1。
实施例10:LuVO4/Ho:LuVO4两段复合晶体
制备HoxLu1-xVO4\LuVO4,化学方程式为:
xHo2O3+(1-x)Lu2O3+V2O5=2HoxLu1-xVO4;
Lu2O3+V2O5=2LuVO4
采用的原料为Ho2O3,Lu2O3和V2O5,掺杂的浓度为5%,后续操作按实施例1,其多晶料棒中LuVO4料段长度为30mm,Ho:LuVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,所得LuVO4/Ho:LuVO4复合晶体的尺寸为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后LuVO4/Ho:LuVO4两段复合晶体的退火、加工等同实施例1。
实施例11:YVO4/Ho:YVO4两段复合晶体
制备HoxY1-xVO4\YVO4,化学方程式为:
xHo2O3+(1-x)Y2O3+V2O5=2HoxY1-xVO4;
Y2O3+V2O5=2YVO4
采用的原料为Ho2O3,Y2O3和V2O5,掺杂的浓度为5%,后续操作按实施例1,其多晶料棒中YVO4料段长度为30mm,Ho:YVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,所得YVO4/Ho:YVO4复合晶体的尺寸为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后YVO4/Ho:YVO4两段复合晶体的退火、加工等同实施例1。
实施例12:GdVO4/Ho:GdVO4两段复合晶体
制备HoxGd1-xVO4\GdVO4,化学方程式为:
xHo2O3+(1-x)Gd2O3+V2O5=2HoxGd1-xVO4;
Gd2O3+V2O5=2GdVO4
采用的原料为Ho2O3,Gd2O3和V2O5,掺杂的浓度为5%,后续操作按实施例1,其多晶料棒中GdVO4料段长度为30mm,Ho:GdVO4料段长度为30mm。晶体生长周期为一天,所得GdVO4/Ho:GdVO4复合晶体的尺寸为50mm,两段长度比例为1∶1。
此后GdVO4/Ho:GdVO4两段复合晶体的退火、加工等同实施例1。
二、制备三段钒酸盐复合晶体
①选定掺杂浓度的数值,根据分子式LnxRe1-xVO4,ReVO4按化学计量比称量原料,在晶体生长配方中初始原料为Ln2O3,Re2O3,V2O5,
化学方程式为:
xLn2O3+(1-x)Re2O3+V2O5=2LnxRe1-xVO4;
Re2O3+V2O5=2ReVO4。
②将根据所称量的原料混合均匀成两份(一份纯的和一份不同掺杂浓度的),分别放入Pt坩埚在1000℃依次烧结,保温8h进行烧结合成两份多晶料。
接下来按表2制作料棒,晶体生长过程同制备两段钒酸盐复合晶体的方法一样。
实施例13:YVO4/NdxY1-xVO4/YVO4三段复合晶体
制备NdxY1-xVO4、YVO4,化学方程式为:
xNd2O3+(1-x)Y2O3+V2O5=2NdxY1-xVO4;
Y2O3+V2O5=2YVO4。
采用的原料为Nd2O3,Y2O3和V2O5,先用Y2O3(5N)和V2O5(4N)原料按化学计量比称量并充分混匀得到未掺杂的原料;另外将Nd2O3(4N)、Y2O3(5N)和V2O5(4N)原料,配比中掺杂浓度x的数值为1%,在空气中适当的干燥,然后按化学计量比称量并充分混匀得到掺杂的原料,分别放入Pt坩埚在1000℃烧结8小时,将得到的这两份多晶料磨成微细粉平均粒径4μm,然后将这两份多晶料按YVO4、NdxY1-xVO4、YVO4依次装入长气球中,用玻璃棒压实,抽真空后放入静水压68MPa下压制1分钟,制得长度为60mm、直径为10mm的多晶料棒,其中,YVO4、NdxY1-xVO4、YVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。
将上述多晶料棒在旋转烧结炉中1500℃下烧结5h,将烧结的多晶料棒装入浮区炉中,在光学浮区生长炉中上转动杆的位置上固定好多晶棒,下转动杆固定a轴方向YVO4单晶作为籽晶,设定好程序升温,升温至上方料棒的下端和下方籽晶棒的上端熔化,接触开始生长,生长温度区间为1750-1850℃,生长速率和转速分别为5-8mm/h和20r/min,生长气氛为氧气保护,氧气纯度为99.9%,氧气通气量为100mL/min。晶体生长周期为一天,得YVO4/NdxY1-xVO4/YVO4三段复合晶体,长度为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。
生长结束后,当晶体生长至长度为50mm时,将料棒和籽晶之间的熔区分开,停止上、下转动杆的移动,为防止晶体开裂,至少用5个小时缓慢降温至室温。然后将晶体进行退火处理,在1200℃下保温30个小时,然后以每小时30℃的速率降到室温。然后对退火后的晶体进行加工、抛光。
实施例14:GdVO4/Nd:GdVO4/GdVO4三段复合晶体
制备NdxGd1-xVO4、GdVO4,化学方程式为:
xNd2O3+(1-x)Gd2O3+V2O5=2NdxGd1-xVO4;
Gd2O3+V2O5=2GdVO4。
采用的原料为Nd2O3,Gd2O3和V2O5,先用Gd2O3(5N)和V2O5(4N)原料按化学计量比严格称量并充分混匀得到未掺杂的原料;另外将Nd2O3(4N)、Gd2O3(5N)和V2O5(4N)原料(配比中掺杂浓度x的数值为1%),在空气中适当的干燥,然后按化学计量比严格称量并充分混匀得到掺杂的原料,依次放入Pt坩埚在1000~1100℃烧结8小时,得到的多晶料磨成微细粉平均粒径4μm。按实施例13的方法制得多晶料棒与YVO4籽晶装入浮区生长炉中,其余生长条件同实施例13。生长结束后,经5个小时降温至室温,所得GdVO4/NdxGd1-xVO4/GdVO4三段复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。
此后Nd:GdVO4三段复合晶体的退火,加工同实施例13。
实施例15:LuVO4/Nd:LuVO4/LuVO4三段复合晶体
制备NdxLu1-xVO4、LuVO4,化学方程式为:
xNd2O3+(1-x)Lu2O3+V2O5=2NdxLu1-xVO4;
Lu2O3+V2O5=2LuVO4
采用的原料为Nd2O3,Lu2O3和V2O5,掺杂的浓度为1%,多晶料棒中LuVO4、NdxLu1-xVO4、LuVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续LuVO4/Nd:LuVO4/LuVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,得LuVO4/Nd:LuVO4/LuVO4复合晶体,总长度为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例16:YVO4/Yb:YVO4/YVO4三段复合晶体
制备YbxY1-xVO4,YVO4,化学方程式为:
xYb2O3+(1-x)Y2O3+V2O5=2YbxY1-xVO4;
Y2O3+V2O5=2YVO4
采用的原料为Yb2O3,Y2O3和V2O5,掺杂的浓度为10%,多晶料棒中YVO4、NdxY1-xVO4、YVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续YVO4/Yb:YVO4/YVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,得YVO4/Nd:YVO4/YVO4复合晶体,总长度为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例17:LuVO4/Yb:LuVO4/LuVO4三段复合晶体
制备YbxLu1-xVO4、LuVO4,化学方程式为:
xYb2O3+(1-x)Lu2O3+V2O5=2YbxLu1-xVO4;
Lu2O3+V2O5=2LuVO4
采用的原料为Yb2O3,Lu2O3和V2O5,掺杂的浓度为10%,多晶料棒中LuVO4、YbxLu1-xVO4、LuVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续LuVO4/Yb:LuVO4/LuVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,所得LuVO4/Yb:LuVO4/LuVO4复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例18:GdVO4/Yb:GdVO4/GdVO4三段复合晶体
制备YbxGd1-xVO4、GdVO4,化学方程式为:
xYb2O3+(1-x)Gd2O3+V2O5=2YbxGd1-xVO4;
Gd2O3+V2O5=2GdVO4
采用的原料为Yb2O3,Gd2O3和V2O5,掺杂的浓度为10%,多晶料棒中GdVO4、YbxGd1-xVO4、GdVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续GdVO4/Yb:GdVO4/GdVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,所得GdVO4/Yb:GdVO4/GdVO4复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例19:GdVO4/Tm:GdVO4/GdVO4三段复合晶体
制备TmxGd1-xVO4、GdVO4,化学方程式为:
xTm2O3+(1-x)Gd2O3+V2O5=2TmxGd1-xVO4;
Gd2O3+V2O5=2GdVO4
采用的原料为Tm2O3,Gd2O3和V2O5,掺杂的浓度为5%,多晶料棒中GdVO4、TmxGd1-xVO4、GdVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续GdVO4/Yb:GdVO4/GdVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,所得GdVO4/Tm:GdVO4/GdVO4复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例20:YVO4/Tm:YVO4/YVO4三段复合晶体
制备TmxY1-xVO4、YVO4,化学方程式为:
xTm2O3+(1-x)Y2O3+V2O5=2TmxY1-xVO4;
Y2O3+V2O5=2YVO4
采用的原料为Tm2O3,Y2O3和V2O5,掺杂的浓度为5%,多晶料棒中YVO4、TmxY1-xVO4、YVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续YVO4/Tm:YVO4/YVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,所得YVO4/Tm:YVO4/YVO4复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例21:LuVO4/Tm:LuVO4/LuVO4三段复合晶体
制备TmxLu1-xVO4、LuVO4,化学方程式为:
xTm2O3+(1-x)Lu2O3+V2O5=2TmxLu1-xVO4;
Lu2O3+V2O5=2LuVO4
采用的原料为Tm2O3,Lu2O3V2O5,掺杂的浓度为5%,多晶料棒中LuVO4、TmxLu1-xVO4、LuVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续LuVO4/Tm:LuVO4/LuVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,所得LuVO4/Tm:LuVO4/LuVO4复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例22:LuVO4/Ho:LuVO4/LuVO4三段复合晶体
制备HoxLu1-xVO4、LuVO4,化学方程式为:
xHo2O3+(1-x)Lu2O3+V2O5=2HoxLu1-xVO4;
Lu2O3+V2O5=2LuVO4
采用的原料为Ho2O3,Lu2O3和V2O5,掺杂的浓度为1%,多晶料棒中LuVO4、HoxLu1-xVO4、LuVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续LuVO4/Ho:LuVO4/LuVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,所得LuVO4/Ho:LuVO4/LuVO4复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例23:YVO4/Ho:YVO4/YVO4三段复合晶体
制备HoxY1-xVO4、YVO4,化学方程式为:
xHo2O3+(1-x)Y2O3+V2O5=2HoxY1-xVO4;
Y2O3+V2O5=2YVO4。
采用的原料为Ho2O3,Y2O3和V2O5,掺杂的浓度为1%,多晶料棒中YVO4、HoxY1-xVO4、YVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续YVO4/Ho:YVO4/YVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,所得YVO4/Ho:YVO4/YVO4复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
实施例24:GdVO4/Ho:GdVO4/GdVO4三段复合晶体
制备HoxGd1-xVO4、GdVO4,化学方程式为:
xHo2O3+(1-x)Gd2O3+V2O5=2HoxGd1-xVO4;
Gd2O3+V2O5=2GdVO4
采用的原料为Ho2O3,Gd2O3和V2O5,掺杂的浓度为1%,多晶料棒中GdVO4、HoxGd1-xVO4、GdVO4料段的长度分别为25mm,10mm和25mm。后续GdVO4/Ho:GdVO4/GdVO4三段复合晶体的多晶料棒制备和晶体生长同实施例13。晶体生长周期为一天,所得GdVO4/Ho:GdVO4/GdVO4复合晶体的尺寸为50mm,三段长度比例为2∶1∶2。退火、加工等同实施例13。
Claims (7)
1.一种钒酸盐复合激光晶体的生长方法,是在掺杂激活离子的钒酸盐单晶一端或两端生长不掺杂的钒酸盐单晶,所述钒酸盐通式I为ReVO4,Re= Y, Gd或Lu,掺杂激活离子的钒酸盐通式II为LnxRe1-xVO4,Ln=Nd、Yb、Tm或Ho,0<x < 1;形成ReVO4/ LnxRe1-xVO4或ReVO4/ LnxRe1-xVO4/ReVO4复合激光晶体;采用光学浮区法进行晶体生长,包括步骤如下:
(1)制备多晶料
以Re2O3,Ln2O3, V2O5为原料,按照通式I、II中组分的摩尔比分别称量原料,放入Pt坩埚在1000~1100℃烧结,保温8h得钒酸盐多晶料、掺杂激活离子的钒酸盐多晶料,分别碾磨成微细颗粉,平均粒径2~10μm;
(2)制备多晶料棒
将步骤(1)制备的钒酸盐多晶料、掺杂激活离子的钒酸盐多晶料按ReVO4、 LnxRe1-xVO4或ReVO4、LnxRe1-xVO4、ReVO4的次序分别装入气球中;装好后抽真空,在50~80MPa静水压制1-1.5分钟,制出长度为60mm、直径为10mm的ReVO4/LnxRe1-xVO4多晶料棒或ReVO4/LnxRe1-xVO4/ReVO4多晶料棒,料棒然后在旋转烧结炉中1100~1700℃烧结4~5小时;
(3)所用生长装置为光学浮区生长炉,采用四个氙灯加热;
采用a轴方向的YVO4单晶为籽晶,在光学浮区生长炉中上转动杆的位置上固定步骤(2)制得的多晶料棒,在光学浮区生长炉中下转动杆的位置上固定YVO4籽晶,用石英管将籽晶和多晶料棒密封起来,然后通氧保护,用4-4.5小时升温至1800℃使多晶料棒下端和籽晶上端融化,然后将籽晶棒的上端和其上方的多晶料棒下端的熔区相接触,控制生长温度区间为1750-1850℃,设定晶体生长的提拉速度为5-8mm/h和转速为20-30r/min,开始晶体生长;
(4)生长时间为20~28小时,将料棒和籽晶之间的熔区分开,晶体生长结束;经3~5小时降至室温,晶体出炉;出炉的晶体在1200℃的温度下退火30-32h,退火气氛为大气;即得。
2.如权利要求1所述钒酸盐复合激光晶体的生长方法,其特征在于步骤(2)所述ReVO4/LnxRe1-xVO4多晶料棒,ReVO4料段长度小于50 mm,LnxRe1-xVO4料段长度小于50 mm,ReVO4料段与LnxRe1-xVO4料段长度之和为60mm,ReVO4料段和LnxRe1-xVO4料段长度相等,装炉时料棒的下端为掺杂的LnxRe1-xVO4,上端为纯的ReVO4。
3.如权利要求1所述钒酸盐复合激光晶体的生长方法,其特征在于步骤(2)所述ReVO4/LnxRe1-xVO4/ReVO4多晶料棒中,两端的ReVO4料段长度相等,每个ReVO4料段长度小于40 mm,LnxRe1-xVO4料段长度小于20mm,ReVO4料段、LnxRe1-xVO4料段、ReVO4料段三段长度之和为60mm;每个ReVO4料段与LnxRe1-xVO4料段长度之比为2:1。
4.如权利要求1所述钒酸盐复合激光晶体的生长方法,其特征在于步骤(2)中料棒在旋转烧结炉中1500℃烧5个小时,得多晶料棒。
5.如权利要求1所述钒酸盐复合激光晶体的生长方法,其特征在于步骤(3)中,晶体生长在氧气保护气氛下进行,氧气纯度为99.9%,氧气通气量为100mL/min。
6.如权利要求1所述钒酸盐复合激光晶体的生长方法,其特征在于通式II中,当Ln=Nd时, 0<x ≤ 0.01;当Ln=Yb时,0<x < 1;当Ln=Tm时, 0<x <0.2;当Ln=Ho时,0<x <0.3。
7.如权利要求1所述钒酸盐复合激光晶体的生长方法,其特征在于所述复合激光晶体是LuVO4/NdxLu1-xVO4两段复合晶体或LuVO4/NdxLu1-xVO4 /LuVO4三段复合晶体,x=1%。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
407 W end-pumped multi-segmented Nd: YAG laser;Kracht D, et al.;《Optics Express》;20051231;第13卷(第25期);第10140-10144页 * |
Growth and properties of Nd:Lu3Ga5O12 laser crystal by floating-zone method", Kui Wu, et al., Growth and properties of Nd:Lu3Ga5O12 laser crystal by floating-zone method;Kui Wu,et al.;《Journal of Crystal Growth》;20100929;第312卷(第24期);3631-3633 * |
Laser operation of LD end-pumped grown-together Nd:YVO4/YVO4 composite crystal;X. Li,et al.;《Laser Physics Letters》;20080630;第5卷(第6期);429-432 * |
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