CN103813653B - 一种盲孔加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种盲孔加工方法，包括：采用控深钻工艺在电路板的外层铜箔上加工盲孔，所述外层铜箔的厚度为a，控深钻深度为b，其中，a大于3OZ，a减去b小于1OZ；采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔，使所述盲孔贯穿所述外层铜箔；采用激光钻工艺将所述盲孔下方的介质层去除。本发明技术方案由于先采用控深钻工艺加工盲孔至一定深度，再采用蚀刻工艺继续加工；可以防止因控深钻精度差在介质层厚度小于4mil的情况下对铜箔层的伤害，并减轻侧蚀的影响，很容易加工出小孔径的合格盲孔。
Description
技术领域
本发明涉及电路板技术领域，具体涉及一种盲孔加工方法。
背景技术
盲孔加工技术是电路板发展的关键技术之一。通常使用的盲孔加工技术包括蚀刻、机械钻和激光钻等。但是，对于铜箔厚度大于3OZ且介质厚度小于4mil的厚铜电路板，现有技术很难加工出合格的盲孔。
采用控深钻工艺时，如果铜厚大于3OZ，则控深钻的精度就无法有效控制，在介质厚度小于4mil时，容易伤害到盲孔下层的铜箔。。采用激光钻工艺时，厚度大于3OZ的铜箔很难被钻穿。采用蚀刻工艺时，如果铜厚大于3OZ，则侧蚀的问题会很严重，无法加工孔径较小，例如小于8密耳（mil）的盲孔。
发明内容
本发明实施例提供一种盲孔加工方法，以解决现有技术对于厚铜电路板很难加工出合格盲孔的技术问题。
一种盲孔加工方法，包括：
采用控深钻工艺在电路板的外层铜箔上加工盲孔，所述外层铜箔的厚度为a，控深钻深度为b，其中，a大于3OZ，a减去b小于1OZ；
采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔，使所述盲孔贯穿所述外层铜箔；
采用激光钻工艺将所述盲孔下方的介质层去除。
本发明实施例技术方案先采用控深钻工艺加工盲孔至一定深度，再采用蚀刻工艺继续加工，可以减少如介质厚度太薄时控深钻精度不足对铜箔层造成的伤害，并减轻侧蚀的影响，很容易加工出小孔径的合格盲孔。
附图说明
图1是本发明实施例提供的盲孔加工方法的流程图；
图2至图7是本发明实施例方法加工过程中各个步骤的电路板的示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种盲孔加工方法，可以解决现有技术对于厚铜电路板很难加工出合格盲孔的技术问题。以下进行详细说明。
实施例一、
请参考图1，本发明实施例提供一种盲孔加工方法，包括：
101、采用控深钻工艺在电路板的外层铜箔上加工盲孔，所述外层铜箔的厚度为a，控深钻深度为b，其中，a大于3OZ，a减去b小于1OZ。
所说的电路板可以包括多层子板，其外层铜箔的厚度a大于3OZ。本实施例中，盲孔加工过程分几个阶段进行。首先，采用控深钻工艺在外层铜箔上钻设盲孔，但不钻穿该外层铜箔。假设控深钻的深度为b，则应使a减去b小于1OZ，即，外层铜箔留下小于1OZ一层不被钻穿。
102、采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔，使所述盲孔贯穿所述外层铜箔。
本步骤中，采用外用蚀刻工艺去除盲孔底部未被钻穿的外层铜箔，使盲孔贯穿外层铜箔，具体步骤包括：先采用干膜保护所述外层铜箔上除所述盲孔以外的区域；再采用蚀刻工艺将所述盲孔蚀刻加深，直到贯穿所述外层铜箔；然后去除所述干膜。本步骤中，由于蚀刻深度小于1OZ，侧蚀的影响被降低到很小，不会对盲孔孔径造成大的不良影响。
103、采用激光钻工艺将所述盲孔下方的介质层去除。
本步骤中，采用激光钻工艺沿着盲孔继续加工盲孔下方的介质层，将外层铜箔和次外层铜箔之间的介质层烧蚀去除。该介质层的厚度优选为小于4mil。激光钻过程中，部分介质层会被去除，但也可能有部分介质层会碳化，形成碳化物遗留在盲孔中。于是，需要清除盲孔内因激光钻工艺产生的碳化物。具体应用中，可以采用高锰酸钾药水清除所述碳化物。然后，还可以采用清水等对盲孔做进一步清洗。
至此，贯穿外层铜箔和紧邻外层铜箔的介质层的盲孔已经加工完毕。后续，可以继续采用常规工艺进行电路板加工，例如，沉铜电路，图形转移，阻焊加工等。
综上，本发明实施例提供了一种盲孔加工方法，该方法先采用控深钻工艺加工盲孔至一定深度，再采用蚀刻工艺继续加工，使盲孔贯穿厚度大于3OZ的外层铜箔，可以减少控深钻深度过大、精度不足时对铜箔层造成的伤害，并减轻侧蚀的影响，很容易加工出孔径较小，例如小于8密耳（mil）的合格盲孔。
实施例二、
下面，结合加工过程中各个步骤的电路板的示意图，对本发明实施例方法做进一步详细的说明，包括以下步骤：
下料和层压：如图2所示，根据产品需要，提供若干依次间隔排列的介质层和铜箔层压合到一起，最外侧的两面都是铜箔层，且外层铜箔201的厚度大于3OZ；
钻孔：如图3所示，在压合后的电路板上钻设出需要的通孔202；
控深钻：如图4所示，采用控深钻工艺钻穿部分层铜箔201，形成具有一定深度的盲孔203，此步骤中，盲孔203的加工深度小于外层铜箔201的厚度，盲孔203底部距离外层铜箔201的底部不超过1OZ；
外层图形：如图5所示，在铜箔201表面设置干膜204，但露出盲孔203，以保护盲孔203以外的区域；
外层蚀刻：如图6所示，蚀刻所述盲孔203，将盲孔203底部的外层铜箔201蚀刻掉，使盲孔203加深至贯穿外层铜箔201，然后去除干膜204；
激光钻：如图7所示，采用激光钻工艺加工盲孔203底部，将下方的介质层205烧除掉或碳化，这里所说的介质层205是外层铜箔201和次外层铜箔之间的介质层；
去钻污：将盲孔203内激光钻烧过形成的碳化物用高猛酸价药水去除干净；
内层清洗：采用清水等清洗盲孔203内残留的污物；
其它流程：例如沉铜电路，图形转移，阻焊加工等。
采用上述流程加工盲孔，可以减轻侧蚀的影响，加工出孔径小于8密耳（mil）的合格盲孔。
本发明实施例方法特别适用于铜箔较厚而介质较薄，例如铜箔厚度超过3OZ，介质厚度小于4mil的电路板。
以上对本发明实施例所提供的盲孔加工方法进行了详细介绍，但以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，不应理解为对本发明的限制。本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种盲孔加工方法，其特征在于，包括：
采用控深钻工艺在电路板的外层铜箔上加工盲孔，所述外层铜箔的厚度为a，控深钻深度为b，其中，a大于3OZ，a减去b小于1OZ,所述电路板为多层子板；
采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔，使所述盲孔贯穿所述外层铜箔；
采用激光钻工艺将所述盲孔下方的介质层去除；
所述盲孔的孔径不大于8mil。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
清除所述盲孔内因激光钻工艺产生的碳化物。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的清除所述盲孔内因激光钻工艺产生的碳化物包括：
采用高锰酸钾药水清除所述碳化物。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的采用蚀刻工艺继续加工所述盲孔包括：
采用干膜保护所述外层铜箔上除所述盲孔以外的区域；
采用蚀刻工艺将所述盲孔蚀刻加深，直到贯穿所述外层铜箔；
然后去除所述干膜。
5.根据权利要求1至4中任一所述的方法，其特征在于：
所述盲孔下方的介质层的厚度小于4mil。
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