CN103786389B

CN103786389B - 带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法

Info

Publication number: CN103786389B
Application number: CN201310516575.4A
Authority: CN
Inventors: 森山晃正; 坂口和彦; 永浦友太; 古曳伦也
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2012-10-26
Filing date: 2013-10-28
Publication date: 2017-01-04
Anticipated expiration: 2033-10-28
Also published as: JP5358740B1; TWI564144B; MY157604A; JP2014100905A; KR101569253B1; CN103786389A; TW201431678A; KR20140053797A

Abstract

本发明提供带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法。所述带载体的铜箔能很好地抑制铜箔的翘曲而不会限制极薄铜层和载体的种类、以及它们的厚度。所述带载体的铜箔具有铜箔载体、层叠在铜箔载体上的中间层以及层叠在中间层上的极薄铜层，带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为0μm·MPa以上155μm·MPa以下。

Description

带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法

技术领域

本发明涉及带载体的铜箔、使用它的覆铜板(銅張積層板)、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法。

背景技术

印刷布线板在这半个世纪以来取得了很大的进展，至今已经到了几乎在所有的电子设备中都使用的地步。近年来随着对电子设备的小型化、高性能化需求的增大，搭载部件的高密度安装化和信号高频化得到发展，对印刷布线板要求导体图案的微细化(细间距化)和与高频对应等，特别是在印刷布线板上装有IC芯片的情况下，要求实现L/S＝20μm/20μm以下的细间距化。

印刷布线板首先作为覆铜层叠体被制造，把铜箔和以玻璃环氧基板、BT树脂、聚酰亚胺膜等为主的绝缘基板贴合而得到所述覆铜层叠体。贴合使用下述方法：把绝缘基板和铜箔重叠后加热加压形成的方法(层压法)；把作为绝缘基板材料的前驱体的清漆涂布在铜箔的具有覆盖层的面上，进行加热、固化的方法(浇注法)。

伴随细间距化，用于覆铜层叠体的铜箔的厚度也变成9μm、以至5μm以下等，箔的厚度在持续变薄。可是如果箔的厚度在9μm以下，则在使用前述的层压法和浇注法形成覆铜层叠体时，操作性变得非常差。所以就出现了将具有一定厚度的金属箔作为载体利用并在其上通过剥离层形成极薄铜层的带载体的铜箔。在把极薄铜层的表面贴合在绝缘基板上并热压粘合后，通过剥离层剥离载体是带载体的铜箔的一般使用方法。

可是，在贴合铜箔和绝缘基板时，在铜箔的翘曲非常大的情况下，存在引起铜箔的输送装置产生问题而停止，或铜箔被挂住而产生折断、褶皱等操作上的问题，即有时会产生生产技术的问题。此外，有时因铜箔的翘曲导致完成的覆铜层叠体也残留翘曲，从而造成在使用覆铜层叠体的下一个工序中有可能产生问题。厚度为9μm以上的一般(不带载体)的铜箔由于机械特性、晶体组织等是在厚度方向上均匀的材料，此外因具有一定厚度造成刚性大，因此翘曲变大的情况少。另一方面，如前所述，由于带载体的铜箔是由载体箔、剥离层、极薄铜层构成的复合体，所以存在因这些构成要素的各自的机械特性或晶体组织的不同等而造成翘曲容易变大的倾向。

针对这样的问题，例如在专利文献1中公开了一种复合箔的卷曲矫正方法，其特征在于，复合箔是具有载体铜箔/有机剥离层/极薄电解铜箔的三层结构的带载体铜箔的极薄电解铜箔，把该复合箔在气氛温度为120℃～250℃的环境下加热处理1小时～10小时。而且记载有，按照所述的构成，可以提供不附着油分和不造成擦伤等损坏地矫正复合箔所产生的卷曲的方法、以及矫正了卷曲的复合箔。

现有技术文献

专利文献1：日本专利公开公报特开2011－68142号

可是，在专利文献1记载的技术中，仅仅是通过热处理对带载体的铜箔在刚刚制造后的翘曲进行矫正，而不是防止在带载体的铜箔制造阶段中产生翘曲的问题本身。在制造带载体的铜箔时产生的翘曲对于铜箔的制造者而言，由于会给制造工序中的操作带来障碍，所以减小在带载体的铜箔制造阶段的翘曲是更重要的。此外，从降低制造成本的观点出发，也希望在带载体的铜箔的制造阶段减小翘曲，去掉利用热处理的追加的翘曲矫正工序。此外，在专利文献1记载的方法中，存在可以抑制铜箔的翘曲的极薄铜层和载体的种类、以及它们的厚度会受到限制的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供不会使极薄铜层和载体的种类、以及它们的厚度受到限制就能很好地抑制铜箔翘曲的带载体的铜箔、使用它的覆铜板、印刷布线板、印刷电路板和印刷布线板的制造方法。

为了实现所述目的，本发明人反复进行了专心的研究，发现带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与铜箔载体外侧表面的残余应力和极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱在规定值以下是非常有效的。

本发明是以所述认识为基础完成的。本发明的一个方面提供一种带载体的铜箔，具有铜箔载体、层叠在所述铜箔载体上的中间层以及层叠在所述中间层上的极薄铜层，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为0μm·MPa以上155μm·MPa以下。

本发明的带载体的铜箔在一个实施方式中，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为大于0μm·MPa且为155μm·MPa以下。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为10μm·MPa以上135μm·MPa以下。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为15μm·MPa以上130μm·MPa以下。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述铜箔载体由电解铜箔或压延铜箔构成。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述中间层由Ni层和Cr层构成，所述Ni层与所述中间层和所述铜箔载体的界面接触，所述Cr层与所述中间层和所述极薄铜层的界面接触，所述中间层中的Ni的附着量为1μg/dm²以上40000μg/dm²以下，所述中间层中的Cr的附着量为1μg/dm²以上100μg/dm²以下，在所述中间层中以1μg/dm²以上70μg/dm²以下的附着量还存在有Zn。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述极薄铜层厚度为1μm以上10μm以下。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述极薄铜层的平均结晶粒径小于15μm。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述极薄铜层表面具有粗化处理层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述粗化处理层的表面具有从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述防锈层和所述耐热层中的至少一方含有从镍、钴、铜和锌中选择的一种以上的元素。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述防锈层和所述耐热层中的至少一方由从镍、钴、铜和锌中选择的一种以上的元素构成。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述粗化处理层之上具有所述耐热层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述粗化处理层之上具有所述防锈层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述防锈层之上具有所述铬酸盐处理层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述铬酸盐处理层之上具有所述硅烷偶联处理层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述极薄铜层的表面具有从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，当把所述带载体的铜箔切成边长为10cm的正方形片状、且把所述片静置在水平面上时，所述片的四个角部从水平面浮起的高度的最大值为10mm以下。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述极薄铜层上具有树脂层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述粗化处理层上具有树脂层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，在所述从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层之上具有树脂层。

本发明的带载体的铜箔在另一个实施方式中，所述树脂层含有电介质。

本发明的另一个方面提供一种覆铜板，其是使用所述的带载体的铜箔制造的。

本发明的另一个方面提供一种印刷布线板，其是使用所述的带载体的铜箔制造的。

本发明的另一个方面提供一种印刷电路板，其是使用所述的带载体的铜箔制造的。

本发明的另一个方面提供一种印刷布线板的制造方法，其包括：在所述的带载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面形成电路的工序；以包埋所述电路的方式在所述带载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂层的工序；在所述树脂层上形成电路的工序；在所述树脂层上形成了电路后，把所述载体剥离的工序；以及在把所述载体剥离后，通过去除所述极薄铜层，使形成于所述极薄铜层侧表面的、包埋在所述树脂层中的电路露出的工序。

在本发明的另一个方面中，在所述树脂层上形成电路的工序是把另外的带载体的铜箔从极薄铜层侧粘贴在所述树脂层上，使用粘贴在所述树脂层上的另外的带载体的铜箔形成所述电路的工序。

在本发明的另一个方面中，粘贴在所述树脂层上的另外的带载体的铜箔是所述的带载体的铜箔。

在本发明的另一个方面中，通过半加成法、减成法、部分加成法(パートリーアディティブ法)和改良半加成法(モディファイドセミアディティブ)中的任一种方法进行在所述树脂层上形成电路的工序。

在本发明的另一个方面中，所述印刷布线板的制造方法还包括：在把所述载体剥离之前，在带载体的铜箔的载体侧表面形成基板的工序。

本发明的另一个方面提供一种印刷布线板的制造方法，其包括：准备所述的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和所述绝缘基板的工序；以及在层叠了所述带载体的铜箔和所述绝缘基板后，经过把所述带载体的铜箔的铜箔载体剥离的工序后，形成覆铜板，然后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法，形成电路的工序。

此外，本发明还提供一种电子设备，其使用了所述的印刷布线板。

本发明的带载体的铜箔能很好地抑制铜箔的翘曲而不会使极薄铜层和载体的种类、以及它们的厚度受到限制。

附图说明

图1是使用了本发明的带载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例子，A～C是到形成电路用镀层后除去抗蚀剂为止的工序中的布线板断面的示意图。

图2是使用了本发明的带载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例子，D～F是从层叠树脂和第二层的带载体的铜箔到激光开孔为止的工序中的布线板断面的示意图。

图3是使用了本发明的带载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例子，G～I是从形成通孔填充层到从第一层的带载体的铜箔剥下载体的工序中的布线板断面的示意图。

图4是使用了本发明的带载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例子，J～K是从闪速蚀刻到形成凸点和铜柱的工序中的布线板断面的示意图。

具体实施方式

＜1.载体＞

作为本发明可以利用的载体，使用铜箔。载体典型的是以压延铜箔或电解铜箔的方式提供。通常使铜从硫酸铜电镀浴中电解析出到钛或不锈钢的圆筒上来制造电解铜箔，反复进行利用轧辊的塑性加工和热处理来制造压延铜箔。作为铜箔的材料，除了韧铜和无氧铜这样的高纯度的铜以外，例如也可以使用加Sn的铜、加Ag的铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni和Si等的科森系铜合金。此外，在本说明书中单独使用铜箔这个用语时，也包括铜合金箔。

对于本发明可以使用的载体的厚度没有特别的限制，只要把厚度适当调节成在起到作为载体的作用的基础上还具有适当的刚性的厚度就可以，例如可以采用12μm以上。但是，如果过厚，则由于生产成本增加，所以一般优选的是35μm以下。因此，载体的厚度典型的是12μm以上70μm以下，更典型的是18μm以上35μm以下。

＜2.中间层＞

在铜箔载体上设置有中间层。在铜箔载体和中间层之间可以设置其他的层。把镍层和铬酸盐层依次层叠在铜箔载体上，可以构成中间层。由于镍和铜的附着力比铬和铜的附着力大，所以在剥离极薄铜层时，成为在极薄铜层和铬的界面剥离。此外，期待中间层的镍具有防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻挡效果。

在使用电解铜箔作为载体的情况下，从减少小孔(ピンホール)的观点出发，优选的是在光面上设置中间层。

优选的是，中间层中的铬酸盐层在极薄铜层的界面上薄薄的存在，这是由于能够得到下述特性：在向绝缘基板上层叠的工序之前，极薄铜层不会从载体剥离，另一方面，在向绝缘基板层叠的工序之后，极薄铜层可以从载体剥离。在不设置镍层地使铬酸盐层存在于载体和极薄铜层的界面的情况下，几乎不能提高剥离性能。此外，在没有铬酸盐层，直接把镍层和极薄铜层层叠的情况下，对应于镍层中的镍含量，剥离强度有时过强、有时过弱，不能得到合适的剥离强度。

如果铬酸盐层存在于载体和镍层的界面，则在剥离极薄铜层时中间层也随之被剥离，即，在载体和中间层之间产生剥离，这是不希望的。不仅仅是在中间层与载体的界面设置铬酸盐层的情况下，即使在中间层与极薄铜层的界面设置铬酸盐层，如果铬含量过多，则可能会出现该情况。认为这是由于下述原因造成的：由于铜和镍容易固溶，所以它们一旦接触就因相互扩散而使附着力增大，变得难以剥离，另一方面，由于铬和铜难以固溶，难以产生相互扩散，所以在铬和铜的界面附着力小，容易剥离。此外，在中间层的镍量不足的情况下，由于在载体和极薄铜层之间只存在微量的铬，所以二者贴紧而变得难以剥离。

在中间层中，镍的附着量为1μg/dm²以上40000μg/dm²以下，铬的附着量为1μg/dm²以上100μg/dm²以下。随着镍和铬的附着量增加，存在极薄铜层的小孔数量增加的倾向，但是镍和铬的附着量如果在所述范围内，则也可以抑制小孔的数量。从能均匀地剥离极薄铜层的观点和抑制小孔的观点出发，优选的是使镍的附着量为1000μg/dm²以上10000μg/dm²以下、使铬的附着量为10μg/dm²以上60μg/dm²以下，更优选的是使镍的附着量为2000μg/dm²以上9000μg/dm²以下、使铬的附着量为15μg/dm²以上45μg/dm²以下。此外，在本发明中，优选的是中间层含有微量的Zn。由此，由于能有意义地减少小孔的产生，此外容易得到合适的剥离强度，所以非常有助于质量的稳定性。不是根据理论来意图限定本发明，由于在中间层存在微量Zn，形成由Cr和Zn构成的氧化膜，中间层的电导率变得更均匀，消除了电导率非常高的部位和电导率非常低的部位。由此，认为在形成极薄铜层时，铜的电沉积颗粒针对由Cr和Zn构成的氧化膜均匀附着，剥离强度变成合适的值(不会变成剥离强度非常高或非常低)。

Zn可以存在于中间层中的Ni层和Cr层中的任意一层或两层中。例如，在形成Ni层时，通过在电镀液中添加锌成分进行镍锌合金电镀，可以得到含锌的Ni层。此外，通过在铬酸盐处理液中添加锌成分，可以得到含锌的Cr层。但是，由于在任意的情况下Zn都在中间层中扩散，所以通常在Ni层和Cr层二者中都能检测出来。此外，由于容易形成由Cr和Zn构成的氧化膜，所以优选的是Zn存在于Cr层中。

但是，如果中间层中的Zn的附着量过少，则所述效果受到限制，所以Zn的附着量，优选的是1μg/dm²以上，更优选的是5μg/dm²以上。另一方面，如果中间层中的Zn的附着量过多，则由于剥离强度变得过大，所以Zn的附着量，优选的是70μg/dm²以下，更优选的是30μg/dm²以下，进一步优选的是20μg/dm²以下。

中间层可以是由含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn或它们的合金、或它们的水和物、或它们的氧化物或有机物中的任意一种以上的层形成的层。此外，中间层也可以是多层。

例如，中间层可以由以下的层构成：从载体侧起的、由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素组内任意一种元素构成的单一的金属层或者由从Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素组中选择的一种以上元素构成的合金层；以及接着所述单一的金属层或所述合金层的、由从Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素组中选择的一种以上元素的水和物、氧化物或有机物构成的层。

此外，例如中间层可以由以下的层构成：从载体侧起的、由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素组内任意一种元素构成的单一的金属层或者由从Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素组中选择的一种以上元素构成的合金层；以及接着所述单一的金属层或所述合金层的、由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素组内任意一种元素构成的单一的金属层或者由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素组中选择的一种以上元素构成的合金层。

＜3.闪镀＞

在中间层上设置有极薄铜层。之前，为了减少极薄铜层的小孔，也可以利用铜－磷合金在中间层上进行闪镀。闪镀的处理液可以使用焦磷酸铜电镀液等。利用铜－磷合金进行了闪镀的带载体的铜箔在中间层表面和极薄铜层表面的双方上都存在磷。因此，将中间层/极薄铜层之间剥离后时，从中间层和极薄铜层的表面可以检测到磷。此外，由于通过闪镀形成的镀层非常薄，用FIB或TEM等进行断面观察，在中间层上的铜磷镀层的厚度在0.1μm以下的情况下，可以判断是闪镀。

＜4.极薄铜层＞

在中间层上设置有极薄铜层。在中间层和极薄铜层之间可以设置其他的层。可以通过利用了硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀，形成极薄铜层，由于可以在一般的电解铜箔中使用、可以以高电流密度形成铜箔，所以优选的是硫酸铜浴。对极薄铜层的厚度没有特别的限制，一般比载体薄，例如为12μm以下，优选的是1μm以上10μm以下。典型的是0.5μm以上12μm以下，更典型的是2μm以上5μm以下。

本发明的带载体的铜箔的极薄铜层没有实施例如在180℃以上加热处理3小时以上的、在极薄铜层中产生再结晶或晶粒过度长大的加热处理。没有进行产生再结晶或晶粒过度长大的加热处理的本发明的极薄铜层的平均结晶粒径典型的是小于15μm。此外，从提高极薄铜层的强度的观点出发，平均结晶粒径优选的是10μm以下，更优选的是5μm以下，进一步优选的是3μm以下。此外，没有进行产生再结晶或晶粒过度长大的加热处理的本发明的极薄铜层的平均结晶粒径比极薄铜层的厚度小的情况多。此外，只要是不引起所述再结晶或晶粒过度长大的加热处理，也可以对本发明的带载体的铜箔的极薄铜层实施加热处理。

＜5.粗化处理＞

例如为了使与绝缘基板的贴紧性良好等，也可以在极薄铜层的表面上通过实施粗化处理设置粗化处理层。例如可以通过用铜或铜合金形成粗化颗粒来进行粗化处理。粗化处理可以是微细的。粗化处理层可以是由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、钴和锌构成的组中的任意的单体、或包含由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、钴和锌构成的组中的任意一种以上的合金构成的层等。此外，也可以用铜或铜合金形成粗化颗粒后，再进行用镍、钴、铜、锌的单体或合金等设置二次颗粒或三次颗粒的粗化处理。此后可以用镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成耐热层或防锈层，进而在其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。或不进行粗化处理，用镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成耐热层或防锈层，进而在其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。即，可以在粗化处理层的表面形成从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层，也可以在极薄铜层的表面形成从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层。此外，所述的耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层也可以分别由多个层(例如两层以上、三层以上等)形成。此外，各层也可以是两层、三层等多层，层叠各层的顺序怎么样都可以，可以交替层叠各层。

在此，作为耐热层可以使用公知的耐热层。此外，例如可以使用以下的表面处理。

作为耐热层、防锈层可以使用公知的耐热层、防锈层。例如耐热层和/或防锈层可以是含有从由镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽构成的组中选择的一种以上元素的层，也可以是由选自由镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽构成的组中的一种以上的元素构成的金属层或合金层。此外，耐热层和/或防锈层可以包含氧化物、氮化物、硅化物，所述氧化物、氮化物、硅化物含有从由镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽构成的组中选择的一种以上的元素。此外，耐热层和/或防锈层也可以是含镍－锌合金的层。此外，耐热层和/或防锈层也可以是镍－锌合金层。所述镍－锌合金层除了不可避免的杂质以外，可以含镍50wt％～99wt％、含锌50wt％～1wt％。所述镍－锌合金层的锌和镍合计附着量为5～1000mg/m²，优选的是10～500mg/m²，更优选的是20～100mg/m²。此外，所述的含镍－锌合金的层或所述镍－锌合金层的镍的附着量和锌的附着量之比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选的是1.5～10。此外，所述的含镍－锌合金的层或所述镍－锌合金层的镍的附着量优选的是0.5mg/m²～500mg/m²，更优选的是1mg/m²～50mg/m²。在耐热层和/或防锈层是含镍－锌合金的层的情况下，在通孔(スルーホール)、导通孔(ビアホール)等的内壁部与去污液接触时，铜箔和树脂基板的界面不容易被去污液侵蚀，可以提高铜箔和树脂基板的贴紧性。防锈层也可以是铬酸盐处理层。铬酸盐处理层可以使用公知的铬酸盐处理层。例如所谓的铬酸盐处理层是指用含有铬酸酐、铬酸、重铬酸、铬酸盐或重铬酸盐的液体处理过的层。铬酸盐处理层也可以含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷和钛等元素(可以是金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等形式)。作为铬酸盐处理层的具体例子，可以举出纯铬酸盐处理层或锌铬酸盐处理层等。在本发明中，把在铬酸酐或重铬酸钾水溶液中处理过的铬酸盐处理层称为纯铬酸盐处理层。此外，在本发明中，把在含有铬酸酐或重铬酸钾和锌的处理液中处理过的铬酸盐处理层称为锌铬酸盐处理层。

例如，耐热层和/或防锈层可以是把附着量为1mg/m²～100mg/m²、优选的是5mg/m²～50mg/m²的镍或镍合金层与附着量为1mg/m²～80mg/m²、优选的是5mg/m²～40mg/m²的锡层顺序层叠而成的层，所述镍合金层可以由镍－钼、镍－锌、镍－钼－钴中的任一种构成。此外，耐热层和/或防锈层的镍或镍合金与锡的合计附着量优选的是2mg/m²～150mg/m²，更优选的是10mg/m²～70mg/m²。此外，耐热层和/或防锈层优选的是，[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选的是0.33～3。如果使用该耐热层和/或防锈层，则在将带载体的铜箔加工成印刷布线板之后的电路的剥离强度、该剥离强度的抗化学药剂性劣化率等良好。

此外，作为耐热层和/或防锈层，可以形成附着量为200～2000μg/dm²的钴－附着量为50～700μg/dm²镍的、钴－镍合金镀层。该处理从广义上可以看成是一种防锈处理。所述钴－镍合金镀层需要在实际上不使铜箔和基板的附着强度降低的程度下进行。在钴的附着量小于200μg/dm²的情况下，有时耐热剥离强度降低、抗氧化性和抗化学药剂性恶化。此外，另一个原因是如果钴含量少，则处理表面变成显现红色，是不希望的。

作为硅烷偶联处理层，可以使用公知的耐候性层。此外，作为耐候性层，例如可以使用公知的硅烷偶联处理层，此外，可以使用以下的利用硅烷形成的硅烷偶联处理层。

硅烷偶联处理中使用的硅烷偶联剂可以使用公知的硅烷偶联剂，例如氨基系硅烷偶联剂、环氧系硅烷偶联剂或巯基系硅烷偶联剂。此外，硅烷偶联剂也可以使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ－甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、4－缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ－氨基丙基三乙氧基硅烷、N－β(氨基乙基)γ－氨基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－氨基丙氧基)丁氧基)丙基－3－氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ－巯基丙基三甲氧基硅烷等。

可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶联剂等，形成所述硅烷偶联处理层。此外，所述的硅烷偶联剂也可以混合两种以上使用。其中，优选的是使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂形成的硅烷偶联处理层。

在此所说的氨基系硅烷偶联剂，可以从由下述物质构成的组中选择：N－(2－氨基乙基)－3－氨基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3－氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、N－甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、N－(3－丙烯酰氧基－2－羟基丙基)－3－氨基丙基三乙氧基硅烷、4－氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N－(2－氨基乙基－3－氨基丙基)三甲氧基硅烷、N－(2－氨基乙基－3－氨基丙基)三(2－乙基己氧基)硅烷、6－(氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3－(1－氨基丙氧基)－3,3－二甲基－1－丙烯基三甲氧基硅烷、3－氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3－氨基丙基三乙氧基硅烷、3－氨基丙基三甲氧基硅烷、ω－氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3－(2－N－苄基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－氨基丙基三乙氧基硅烷、(N,N－二乙基－3－氨基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N－二甲基－3－氨基丙基)三甲氧基硅烷、N－甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、γ－氨基丙基三乙氧基硅烷、N－β(氨基乙基)γ－氨基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－氨基丙氧基)丁氧基)丙基－3－氨基丙基三甲氧基硅烷。

希望硅烷偶联处理层设置在下述范围内：以硅原子换算为0.05mg/m²～200mg/m²，优选的是0.15mg/m²～20mg/m²，更优选的是0.3mg/m²～2.0mg/m²。在前述范围内的情况下，可以进一步提高基材树脂和表面处理铜箔的贴紧性。

〔极薄铜层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层或硅烷偶联处理层上的树脂层〕

此外，本发明的带载体的铜箔在极薄铜层上可以具有粗化处理层，在所述粗化处理层上可以具有耐热层和/或防锈层，在所述耐热层和/或防锈层上可以具有铬酸盐处理层，在所述铬酸盐处理层上可以具有硅烷偶联处理层。

此外，本发明的带载体的铜箔在极薄铜层上可以具有耐热层和/或防锈层，在所述耐热层和/或防锈层上可以具有铬酸盐处理层，在所述铬酸盐处理层上可以具有硅烷偶联处理层。

此外，所述带载体的铜箔在所述极薄铜层上、或所述粗化处理层上、或所述耐热层、或防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶联处理层上，可以具有树脂层。所述树脂层可以是绝缘树脂层。

此外，形成所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层的相互顺序没有限定，在极薄铜层上或粗化处理层上以什么样的顺序形成这些层都可以。

所述树脂层可以是粘合剂，也可以是粘合用的半固化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半固化状态(B阶段状态)包括用手指触摸其表面没有粘性感、可以把该绝缘树脂层重叠保管、如果再接受加热处理就引起固化反应的状态。

所述树脂层可以是粘合用树脂，即可以是粘合剂，也可以是粘合用的半固化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半固化状态(B阶段状态)包括用手指触摸其表面没有粘性感、可以把该绝缘树脂层重叠保管、如果再接受加热处理就引起固化反应的状态。

此外，所述树脂层可以含有热固化性树脂，也可以是热塑性树脂。此外，所述树脂层也可以含有热塑性树脂。所述树脂层可以含有公知的树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料(プリプレグ)、骨架材料等。此外，所述树脂层例如可以利用国际公开号WO2008/004399号、国际公开号WO2008/053878号、国际公开号WO2009/084533号、日本专利公开公报特开平11－5828号、日本专利公开公报特开平11－140281号、日本专利第3184485号、国际公开号WO97/02728号、日本专利第3676375号、日本专利公开公报特开2000－43188号、日本专利第3612594号、日本专利公开公报特开2002－179772号、日本专利公开公报特开2002－359444号、日本专利公开公报特开2003－304068号、日本专利第3992225号、日本专利公开公报特开2003－249739号、日本专利第4136509号、日本专利公开公报特开2004－82687号、日本专利第4025177号、日本专利公开公报特开2004－349654号、日本专利第4286060号、日本专利公开公报特开2005－262506号、日本专利第4570070号、日本专利公开公报特开2005－53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开号WO2004/005588号、日本专利公开公报特开2006－257153号、日本专利公开公报特开2007－326923号、日本专利公开公报特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开号WO2006/028207号、日本专利第4828427号、日本专利公开公报特开2009－67029号、国际公开号WO2006/134868号、日本专利第5046927号、日本专利公开公报特开2009－173017号、国际公开号WO2007/105635号、日本专利第5180815号、国际公开号WO2008/114858号、国际公开号WO2009/008471号、日本专利公开公报特开2011－14727号、国际公开号WO2009/001850号、国际公开号WO2009/145179号、国际公开号WO2011/068157号、日本专利公开公报特开2013－19056号所记载的物质(树脂、树脂固化剂、化合物、固化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)和/或树脂层的形成方法、形成装置形成。

此外，所述树脂层对树脂的种类没有格外特别的限定，作为适合使用的树脂，可以例举含有选自由下述的物质构成的组中的一种以上的树脂：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、聚醚砜(也称为ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォン)、聚醚砜(也称为ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォン)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺-酰亚胺树脂、橡胶改性环氧树脂、苯氧树脂、羧基改性的丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热固化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交联的官能团的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2－双(4－氰酰基苯基)丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2－双(4－缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚－氰酸酯系树脂、硅氧烷改性聚酰胺－酰亚胺树脂、氰基酯树脂、磷腈系树脂、橡胶改性聚酰胺－酰亚胺树脂、异戊二烯、加氢型聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧、高分子环氧、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚合酰亚胺树脂以及氰基酯树脂。

此外，所述环氧树脂只要是在分子内有两个以上的环氧基、且可以在电器电子材料中使用的就可以，可以没有什么特别问题地使用。此外，所述环氧树脂优选的是使用在分子内有两个以上缩水甘油基的化合物环氧化得到的环氧树脂。此外，可以从由双苯酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、甲酚酚醛型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化环氧树脂、苯酚酚醛型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛环氧树脂、橡胶改性双酚A型环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树脂、异氰尿酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油基胺化合物；四氢邻苯二甲酸二缩水甘油基酯等缩水甘油基酯化合物；含磷环氧树脂；联苯型环氧树脂；联苯酚醛型环氧树脂；三羟基苯基甲烷型环氧树脂；以及四苯基乙烷型环氧树脂构成的组中选择的一种使用，或混合使用从所述组中选择的两种以上，或使用所述环氧树脂的加氢物或卤化物(ハロゲン化体)。

作为所述含磷环氧树脂，可以使用公知的含磷环氧树脂。此外，所述含磷环氧树脂例如优选的是，作为来自在分子内具有两个以上的环氧基的9,10－二氢－9－氧－10－磷杂菲－10－氧化物的衍生物得到的环氧树脂。

(树脂层含有电介质(电介质填料)的情况)

所述树脂层可以含有电介质(电介质填料)。

在所述任意一种树脂层或树脂组合物中含有电介质(电介质填料)的情况下，用于形成电容器层，可以使电容电路的电容量增大。所述电介质(电介质填料)使用具有BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr－Ti)O3(统称PZT)、PbLaTiO3·PbLaZrO(统称PLZT)、SrBi2Ta2O9(统称SBT)等钙钛矿结构的复合氧化物的电介质粉。

电介质(电介质填料)可以是粉状的。在电介质(电介质填料)是粉状的情况下，所述电介质(电介质填料)的粉末特性中的粒径优选的是0.01μm～3.0μm，更优选的是0.02μm～2.0μm的范围。此外，用扫描电子显微镜(SEM)对电介质拍摄照片，在该照片上的电介质颗粒上划直线的情况下，把横切电介质颗粒的直线的长度最长部分的电介质颗粒长度作为该电介质的粒径。把测量视野中的电介质颗粒的粒径的平均值作为电介质的粒径。

把含在前述的树脂层中的树脂和/或树脂组合物和/或化合物，例如溶解在甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N－甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基溶纤剂、N－甲基－2－吡咯烷酮、N,N－二甲基乙酰胺、N,N－二甲基甲酰胺等溶剂中，成为树脂液(树脂清漆)，例如用辊涂法等把所述树脂液涂布在所述表面处理铜箔的粗化处理表面上，然后根据需要进行加热干燥，除去溶剂，成为B阶段状态。干燥例如可以使用热风干燥炉，干燥温度为100～250℃，优选的是130～200℃。把所述树脂层的组合物用溶剂溶解，可以采用树脂固体成分为3wt％～70wt％的树脂液，优选的是采用树脂固体成分为3wt％～60wt％的树脂液，更优选的是采用树脂固体成分为10wt％～40wt％的树脂液，进一步优选的是采用树脂固体成分为25wt％～40wt％的树脂液。此外，从环境的角度出发，现阶段最优选的是，使用甲基乙基酮和环戊酮的混合溶剂进行溶解。此外，优选的是使用溶剂沸点在50℃～200℃范围内的溶剂。

此外，优选的是，所述树脂层是按照MIL标准中的MIL－P－13949G测量时的树脂流动率为5％～35％范围的半固化树脂膜。

在本说明书中，所谓树脂流动率是按照MIL标准中的MIL－P－13949G，从使树脂厚度为55μm的、带树脂的表面处理铜箔取下四个边长10cm的正方形试样，在把所述四个试样重叠的状态(层叠体)下，在按压温度171℃、按压压力14kgf/cm²、按压时间10分钟的条件下贴在一起，根据此时测量出的树脂流出重量的结果，按照计算式1计算出的值。

[计算式1]

具有所述树脂层的表面处理铜箔(带树脂的表面处理铜箔)以下述方式进行使用：在所述树脂层重叠在基材上后整体热压粘合，使所述树脂层热固化，然后在表面处理铜箔是带载体的铜箔的极薄铜层的情况下，把载体剥离，使极薄铜层露出(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，从表面处理铜箔的与进行了粗化处理的一侧相反一侧的表面形成规定的布线图案。

如果使用所述带树脂的表面处理铜箔，则在制造多层印刷布线基板时可以减少预浸料片材的使用个数。而且可以使树脂层的厚度成为可以确保层间绝缘的厚度，或者即使完全不使用预浸料片材也可以制造覆铜板。此时，把绝缘树脂作为底涂层涂在基材的表面，也可以进一步改善表面的平滑性。

此外，在不使用预浸料片材的情况下，具有下述优点：节约了预浸料片材的材料成本，此外由于简化了层叠工序，所以在经济方面是有利的，而且可以使制造成的多层印刷布线基板的厚度减薄预浸料片材厚度的部分，具有可以制造一层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷布线基板。

所述树脂层的厚度优选的是0.1～120μm。

如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则附着力降低，在不使预浸料片材介于中间把所述带树脂的表面处理铜箔层叠在具有内层材料的基材上时，有时难以确保与内层材料的电路之间的层间绝缘。另一方面，如果树脂层的厚度厚于120μm，则通过一次涂布工序难以形成目标厚度的树脂层，需要多余的材料费和工时，所以在经济上是不利的。

此外，在使用具有树脂层的表面处理铜箔制造极薄的多层印刷布线板的情况下，为了减小多层印刷布线板的厚度，所述树脂层的厚度优选的是0.1μm～5μm，更优选的是0.5μm～5μm，进一步优选的是1μm～5μm。

＜6.带载体的铜箔＞

这样可以制造具有铜箔载体、形成在铜箔载体上的中间层、层叠在中间层上的极薄铜层的带载体的铜箔。带载体的铜箔本身的使用方法对于本领域技术人员是众所周知的，例如把极薄铜层的表面贴合在纸基材苯酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布和纸复合基材环氧树脂、玻璃布和玻璃无纺布复合基材环氧树脂和玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板上，在热压粘合后把载体剥离，把粘合在绝缘基板上的极薄铜层蚀刻成目标的导体图案，最终可以制造印刷布线板。在本发明的带载体的铜箔的情况下，剥离部位主要是中间层和极薄铜层的界面。此外，通过把电子零部件类安装在印刷布线板上，完成印刷电路板。下面表示几个使用了本发明的带载体的铜箔印刷布线板的制造工序的例子。

在本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包括：准备本发明的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和绝缘基板的工序；以及把所述带载体的铜箔和绝缘基板以使极薄铜层侧与绝缘基板相对的方式层叠后，经过把所述带载体的铜箔的载体剥离的工序，形成覆铜板，然后通过半加成法、改良半加成法、部分加成法和减成法中的任一种方法，形成电路的工序。也可以使绝缘基板是具有内层电路的基板。

在本发明中，所谓半加成法是指在绝缘基板或铜箔种子层上进行薄的无电解镀，在形成图案后，利用电镀和蚀刻形成导体图案的方法。

因此，在利用了半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包括：准备本发明的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和绝缘基板的工序；在层叠了所述带载体的铜箔和绝缘基板后，把所述带载体的铜箔的载体剥离的工序；通过使用了酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，把剥离所述载体后露出的极薄铜层全部去除的工序；在通过蚀刻去除所述极薄铜层露出的所述树脂上设置通孔或/和盲孔的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域进行去污处理的工序；在所述树脂和包括所述通孔或/和盲孔的区域设置无电解镀层的工序；在所述无电解镀层上设置镀层抗蚀剂的工序；对所述镀层抗蚀剂曝光，然后去除形成电路的区域的镀层抗蚀剂的工序；在去除了所述镀层抗蚀剂的、形成所述电路的区域设置电解镀层的工序；去除所述镀层抗蚀剂的工序；以及通过闪速蚀刻(フラッシュエッチング)等去除位于所述形成电路的区域以外的区域的无电解镀层的工序。

在利用了半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包括：准备本发明的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和绝缘基板的工序；在层叠了所述带载体的铜箔和绝缘基板后，把所述带载体的铜箔的载体剥离的工序；通过利用了酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，把剥离了所述载体后露出的极薄铜层全部去除的工序；在通过用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂表面设置无电解镀层的工序；在所述无电解镀层上设置镀层抗蚀剂的工序；对所述镀层抗蚀剂曝光，然后去除形成电路的区域的镀层抗蚀剂的工序；在去除了所述镀层抗蚀剂的所述形成电路的区域设置电解镀层的工序；去除所述镀层抗蚀剂的工序；以及通过闪速蚀刻等去除位于所述形成电路的区域以外的区域的无电解镀层和极薄铜层的工序。

在本发明中，所谓改良半加成法是指下述方法：在绝缘层上层叠金属箔，用镀层抗蚀剂保护非电路形成部，在用电解镀进行电路形成部的铜增厚后，去除抗蚀剂，用蚀刻(闪速蚀刻)去除所述电路形成部以外的金属箔，在绝缘层上形成电路。

因此，在利用了改良半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包括：准备本发明的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和绝缘基板的工序；在层叠了所述带载体的铜箔和绝缘基板后，把所述带载体的铜箔的载体剥离的工序；在把所述载体剥离后露出的极薄铜层和绝缘基板上设置通孔或/和盲孔的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域进行去污处理的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域设置无电解镀层的工序；在把所述载体剥离后露出的极薄铜层表面上设置镀层抗蚀剂的工序；在设置了所述镀层抗蚀剂后，通过电解镀形成电路的工序；去除所述镀层抗蚀剂的工序；以及通过闪速蚀刻去除因去除所述镀层抗蚀剂而露出的极薄铜层的工序。

在利用了改良半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包括：准备本发明的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和绝缘基板的工序；在层叠了所述带载体的铜箔和绝缘基板后，把所述带载体的铜箔的载体剥离的工序；在把所述载体剥离后露出的极薄铜层上设置镀层抗蚀剂的工序；对所述镀层抗蚀剂曝光，然后去除形成电路的区域的镀层抗蚀剂的工序；在去除了所述镀层抗蚀剂的所述形成电路的区域设置电解镀层的工序；去除所述镀层抗蚀剂的工序；以及通过闪速蚀刻等去除位于所述形成电路区域以外的区域的无电解镀层和极薄铜层的工序。

在本发明中，所谓部分加成法是指下述方法：把催化剂核赋予设置有导体层的基板或根据需要穿设有通孔或导通孔用的孔的基板，通过蚀刻形成导体电路，在根据需要设置了焊接抗蚀剂或镀层抗蚀剂后，在所述导体电路上，通过用无电解镀处理对通孔或导通孔等进行增厚，由此制造印刷布线板。

因此，在利用了部分加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包括：准备本发明的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和绝缘基板的工序；在层叠了所述带载体的铜箔和绝缘基板后，把所述带载体的铜箔的载体剥离的工序；在把所述载体剥离后露出的极薄铜层和绝缘基板上设置通孔或/和盲孔的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域进行去污处理的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域赋予催化剂核的工序；在把所述载体剥离后露出的极薄铜层表面上设置蚀刻抗蚀剂的工序；对所述蚀刻抗蚀剂曝光，形成电路图案的工序；通过利用了酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，去除所述极薄铜层和所述催化剂核，形成电路的工序；去除所述蚀刻抗蚀剂的工序；在通过利用了酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层和所述催化剂核后露出的所述绝缘基板表面，设置焊接抗蚀剂或镀层抗蚀剂的工序；以及在没有设置所述焊接抗蚀剂或镀层抗蚀剂的区域设置无电解镀层的工序。

在本发明中，所谓减成法是指通过蚀刻等把覆铜板上的铜箔的不需要的部分有选择地去除，形成导体图案的方法。

因此，在利用了减成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包括：准备本发明的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和绝缘基板的工序；在层叠了所述带载体的铜箔和绝缘基板后，把所述带载体的铜箔的载体剥离的工序；在把所述载体剥离后露出的极薄铜层和绝缘基板上设置通孔或/和盲孔的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域进行去污处理的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域设置无电解镀层的工序；在所述无电解镀层的表面设置电解镀层的工序；在所述电解镀层或/和所述极薄铜层的表面设置蚀刻抗蚀剂的工序；对所述蚀刻抗蚀剂曝光，形成电路图案的工序；通过利用了酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，去除所述极薄铜层、所述无电解镀层和所述电解镀层，形成电路的工序；以及去除所述蚀刻抗蚀剂的工序。

在利用了减成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包括：准备本发明的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；层叠所述带载体的铜箔和绝缘基板的工序；在层叠了所述带载体的铜箔和绝缘基板后，把所述带载体的铜箔的载体剥离的工序；在把所述载体剥离后露出的极薄铜层和绝缘基板上设置通孔或/和盲孔的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域进行去污处理的工序；对包括所述通孔或/和盲孔的区域设置无电解镀层的工序；在所述无电解镀层的表面上形成掩膜的工序；在没有形成掩膜的所述无电解镀层的表面设置电解镀层的工序；在所述电解镀层或/和所述极薄铜层的表面设置蚀刻抗蚀剂的工序；对所述蚀刻抗蚀剂曝光，形成电路图案的工序；通过利用了酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法，去除所述极薄铜层和所述无电解镀层，形成电路的工序；以及去除所述蚀刻抗蚀剂的工序。

也可以不进行设置通孔或/和盲孔的工序和其后的去污工序。

在此，参照附图对使用了本发明的带载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例子进行详细说明。此外，在此以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的带载体的铜箔为例进行说明，但是不限于此，使用具有没有形成粗化处理层的极薄铜层的带载体的铜箔也同样可以进行下述的印刷布线板的制造方法。

首先，如图1中的A所示，准备具有在表面形成有粗化处理层的极薄铜层的带载体的铜箔(第一层)。

接着，如图1中的B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光和显影，把抗蚀剂蚀刻成规定的形状。

接着，如图1中的C所示，在形成了电路用的镀层后，通过去除抗蚀剂，形成规定形状的电路镀层。

接着，如图2中的D所示，以覆盖电路镀层(把电路镀层埋入)的方式在极薄铜层上设置包埋树脂、层叠树脂层，然后从极薄铜层侧粘合另外的带载体的铜箔(第二层)。

接着，如图2中的E所示，从第二层的带载体的铜箔剥下载体。

接着，如图2中的F所示，在树脂层的规定位置进行激光开孔，使电路镀层露出，形成盲孔。

接着，如图3中的G所示，在盲孔中埋入铜，形成通孔填充层。

接着，如图3中的H所示，在通孔填充层上以如所述图1中的B和图1中的C所示的方式形成电路镀层。

接着，如图3中的I所示，从第一层的带载体的铜箔上剥下载体。

接着，如图4中的J所示，通过闪速蚀刻去除两个表面的极薄铜层，使树脂层内的电路镀层的表面露出。

接着，如图4中的K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸点，在该焊料上形成铜柱。由此制造成使用了本发明的带载体的铜箔印刷布线板。

所述另外的带载体的铜箔(第二层)可以使用本发明的带载体的铜箔，也可以使用以往的带载体的铜箔，还可以使用一般的铜箔。此外，在图3中的H所示的第二层的电路上，还可以形成一层或多层电路，可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成这些电路。

此外，用于所述第一层的带载体的铜箔也可以在该带载体的铜箔的载体侧表面具有基板。通过具有该基板或树脂层可以支承用于第一层的带载体的铜箔，难以产生褶皱，因此具有能提高生产率的优点。此外，所述基板只要具有支承用于所述第一层的带载体的铜箔的效果，就可以使用所有的基板。例如作为所述基板，可以使用本说明书所述的载体、预浸料、树脂层、或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物板、无机化合物箔、有机化合物板、有机化合物箔。

关于在载体侧表面形成基板的时机没有特别的限制，但是需要在把载体剥离之前形成。优选的是在所述带载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂层的工序之前形成，更优选的是在带载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面形成电路的工序之前形成。

优选的是，将本发明的带载体的铜箔控制成：极薄铜层表面的色差满足以下的(1)。在本发明中，所谓极薄铜层表面的色差表示极薄铜层表面的色差，或者在实施了粗化处理等各种表面处理的情况下，表示其表面处理层表面的色差。即，优选的是，将本发明的带载体的铜箔控制成：极薄铜层、或粗化处理层、或耐热层、或防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶联层的表面的色差满足以下的(1)。

(1)极薄铜层、或粗化处理层、或耐热层、或防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶联处理层的表面的、基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为45以上。

其中，色差ΔL、Δa、Δb分别是用色差计测量的、加入了黑/白/红/绿/黄/青的、使用基于JIS Z8730的L*a*b表色系的综合指标，ΔL表示白黑，Δa表示红绿，Δb表示黄青。此外，ΔE*ab使用了所述的色差，用下式表示。

[计算式2]

ΔE * ab = \sqrt{Δ L^{2} + Δ a^{2} + Δ b^{2}}

可以通过提高极薄铜层形成时的电流密度、降低电镀液中的铜浓度、提高电镀液的线流速，来调整所述的色差。

此外，也可以通过对极薄铜层的表面实施粗化处理，设置粗化处理层，来调整所述的色差。在设置粗化处理层的情况下，使用包含铜和选自由镍、钴、钨和钼构成的组中的一种以上元素的电解液，通过使电流密度比以往的电流密度高(例如为40～60A/dm²)、缩短处理时间(例如为0.1～1.3秒)，可以调整所述的色差。在极薄铜层表面未设置粗化处理层的情况下，通过使用使Ni浓度为其他元素的2倍以上的电镀浴，在极薄铜层、或耐热层、或防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶联处理层的表面上以比以往低的电流密度(0.1～1.3A/dm²)、且设定比以往长的处理时间(20秒～40秒)进行Ni合金电镀(例如Ni－W合金电镀、Ni－Co－P合金电镀、Ni－Zn合金电镀)处理来实现。

如果极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为45以上，则例如在带载体的铜箔的极薄铜层表面形成电路时，极薄铜层和电路的反差鲜明，其结果视觉辨认性好，可以高精度地进行电路的位置调整。极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab优选的是50以上，更优选的是55以上，进一步优选的是60以上。

在极薄铜层、或粗化处理层、或耐热层、或防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶联层的表面的色差控制在所述范围的情况下，与电路镀层的反差鲜明，视觉辨认性好。因此，在所述的印刷布线板的例如图1中的C所示的制造工序中，可以高精度地在规定的位置形成电路镀层。此外，按照所述印刷布线板的制造方法，由于成为把电路镀层埋入树脂层中的结构，所以例如在通过图4中的J所示的闪速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层被树脂层保护，能够保持电路镀层的形状，由此可以容易地形成微细的电路。此外，由于电路镀层被树脂层保护，所以可以提高耐迁移性，可以很好地抑制电路布线导通。因此容易形成微细的电路。此外，在通过图4中的J和图4中的K所示的闪速蚀刻去除极薄铜层时，由于电路镀层的露出面成为从树脂层凹陷的形状，所以在该电路镀层上容易形成凸点，进而在该凸点上容易形成铜柱，能够提高制造效率。

此外，包埋树脂(树脂)可以使用公知的树脂、预浸料。例如可以使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸了BT树脂的玻璃布的预浸料、味の素ファインテクノ株式会社制造的ABF膜、ABF。此外，所述包埋树脂(树脂)可以使用本说明书中记载的树脂层和/或树脂和/或预浸料。

本发明的带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与铜箔载体的与中间层相反一侧的表面亦即外侧表面的残余应力和极薄铜层的与中间层相反一侧的表面亦即外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱，被控制在0(μm·MPa)以上140(μm·MPa)以下。所述(T/2)×D表示铜箔的中心线力矩。即，所述(T/2)×D表示距铜箔中心线(总厚度T的二分之一)的距离和各残余应力的乘积之差，该值越小，在铜箔载体表面和极薄铜层表面产生翘曲的驱动力越小。因此，可以很好地抑制铜箔的翘曲而不会限制带载体的铜箔和极薄铜层的种类、以及它们的厚度。此外，为了更好地抑制铜箔的翘曲，优选的是，带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与铜箔载体外侧表面的残余应力和极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为0.5(μm·MPa)以上140(μm·MPa)以下，更优选的是10(μm·MPa)以上135(μm·MPa)以下，进一步优选的是15(μm·MPa)以上130(μm·MPa)以下。

[实施例]

下面通过本发明的实施例对本发明进行详细的说明，但本发明不受这些实施例的任何限制。

(实施例1～实施例8)

1.带载体的铜箔的制造

作为铜箔载体，准备了表1所记载的厚度的、长的电解铜箔(JX日矿日石金属株式会社制造的JTC(产品名)，厚度为12μm、18μm、70μm)以及压延铜箔(JX日矿日石金属株式会社制造的C1100(产品名)，厚度18μm)。

将各铜箔的、在成为带载体的铜箔时成为外侧的面的残余应力调节到－30MPa以上30MPa以下的范围内。其中，残余应力为正值的情况表示收缩应力，残余应力为负值的情况表示拉伸应力。在作为铜箔载体使用电解铜箔的情况下，通过使电解浴组成和电解条件最优化，能够以与后面叙述的极薄铜层外侧表面的残余应力范围一致的方式，把表层的残余应力调节在任意的范围内。使用下述的电解浴组成和电解条件，在不锈钢制的电解圆筒上制造了电解铜箔。此外，如果提高电解液的流速，则铜箔的残余应力有向收缩方向发生作用(收缩应力容易发生作用)的倾向，如果降低电解液的流速，则铜箔的残余应力有向拉伸方向发生作用(拉伸应力容易发生作用)的倾向。此外，如果提高电流密度，则铜箔的残余应力有向收缩方向发生作用(收缩应力容易发生作用)的倾向，如果降低电流密度，则铜箔的残余应力有向拉伸方向发生作用(拉伸应力容易发生作用)的倾向。此外，通过添加电解液的添加剂(例如Cl或动物胶(ニカワ)等)也可以调整残余应力。

(电解浴组成)

Cu：80～120g/L

H₂SO₄：80～120g/L

Cl：20～80mg/L(实施例5，比较例1)

动物胶：0.1～6.0mg/L(实施例1、2、5、6、7、8，比较例1)

(电解条件)

液温：55～65℃

电流密度：100A/dm²

电解液流速：1.5m/秒

在作为铜箔载体使用压延铜箔的情况下，通过使压延铜箔制造工序中的轧制条件和热处理条件最优化，可以把表层的残余应力调节到任意的范围，其方法对于本领域技术人员而言是容易的、且已知的。只要以与后面叙述的极薄铜层外侧表面残余应力范围一致方式进行调节就可以。在本实施例中，使在最终冷轧中的轧制加工率(圧延加工度)为95％、在最终冷轧中的最终道次(最終パス)的轧制加工率为5％、在最终冷轧的最终道次中使用的轧辊直径为80mm。此外，通过改变在最终冷轧中使用的轧辊的辊直径，可以调整压延铜箔表层的残余应力，此外，通过控制最终冷轧的轧制加工率也可以调整压延铜箔表层的残余应力。例如，在辊直径大的情况下，表层的残余应力有向拉伸方向发生作用(拉伸应力容易发生作用)的倾向，在辊直径小的情况下，表层的残余应力有向收缩方向发生作用(收缩应力容易发生作用)的倾向。此外，在最终冷轧的轧制加工率高的情况下，表层的残余应力有向收缩方向发生作用(收缩应力容易发生作用)的倾向，在最终冷轧的轧制加工率低的情况下，有向拉伸方向发生作用(拉伸应力容易发生作用)的倾向。此外，在最终冷轧的最终道次的轧制加工率小的情况下，表层的残余应力有向收缩方向发生作用(收缩应力容易发生作用)的倾向，在最终冷轧的最终道次的轧制加工率大的情况下，表层的残余应力有向拉伸方向发生作用(拉伸应力容易发生作用)的倾向。

对于所述铜箔的光面，在以下条件下在辊到辊型的连续生产线中，对载体表面和极薄铜层侧依次在以下条件下进行了表1所记载的中间层形成处理。在载体表面侧和极薄铜层侧的处理工序之间，进行了水洗和酸洗。

·Ni-Zn电镀(实施例1～4，实施例8，比较例3)

硫酸镍：250～300g/L

氯化镍：35～45g/L

醋酸镍：10～20g/L

柠檬酸三钠：15～30g/L

光泽剂：糖精，丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：30～100ppm

ZnSO₄：0.05～5g/L

pH：4～6

浴温：50～70℃

电流密度：3～15A/dm²

·Ni电镀(实施例5，实施例7，比较例2)

硫酸镍：250～300g/L

氯化镍：35～45g/L

醋酸镍：10～20g/L

柠檬酸三钠：15～30g/L

光泽剂：糖精，丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：30～100ppm

pH：4～6

浴温：50～70℃

电流密度：3～15A/dm²

·电解铬酸盐处理

溶液组成：重铬酸钾1～10g/L，锌0～5g/L

pH：3～4

液温：50～60℃

电流密度：0.1～2.6A/dm²

库仑量：0.5～30As/dm²

·浸渍铬酸盐处理

溶液组成：重铬酸钾1～10g/L，锌0～5g/L

pH：3～4

液温：50～60℃

浸渍时间：1～20秒

接着，在辊到辊型的连续镀生产线上，在以下条件下在中间层上通过电镀形成了厚度3～5μm的极薄铜层，制作成了带载体的铜箔。此外，可以以与电解铜箔载体一样的方式调节极薄铜层的残余应力。在本发明中，实施例和比较例都通过控制氯离子浓度和电流密度进行了调整。

·极薄铜层

铜浓度：30～120g/L

H₂SO₄浓度：20～120g/L

氯离子浓度：20～80mg/L

电解液温度：20～80℃

电流密度：10～100A/dm²

此外，对于实施例1、实施例2和实施例5，在极薄铜层表面依次进行了以下的粗化处理、防锈处理、铬酸盐处理和硅烷偶联处理。

·粗化处理

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH：1～4

温度：40～50℃

电流密度Dk：20～30A/dm²

时间：1～5秒

Cu附着量：15～40mg/dm²

Co附着量：100～3000μg/dm²

Ni附着量：100～1000μg/dm²

·防锈处理

Zn：0～20g/L

Ni：0～5g/L

pH：3.5

温度：40℃

电流密度Dk：0～1.7A/dm²

时间：1秒

Zn附着量：5～250μg/dm²

Ni附着量：5～300μg/dm²

·铬酸盐处理

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnO或ZnSO₄7H₂O：0.05～10g/L

pH：7～13

浴温：20～80℃

电流密度0.05～5A/dm²

时间：5～30秒

Cr附着量：10～150μg/dm²

·硅烷偶联处理

乙烯基三乙氧基硅烷水溶液

(乙烯基三乙氧基硅烷浓度：0.1～1.4wt％)

pH：4～5

时间：5～30秒

(比较例1～3)

比较例1除了使铜箔载体的制造铜箔的电流密度为60A/dm²、不形成中间层地形成极薄铜层以外，在与实施例2相同的条件下制作了带载体的铜箔。比较例2、3除了使作为载体的压延铜箔制造时的最终冷轧的轧制加工率分别为85％、70％、最终冷轧的最终道次的轧制加工率分别为10％、20％、最终冷轧的最终道次中使用的轧辊直径分别为100mm、120mm、作为中间层在比较例2中进行了Ni电镀、作为中间层在比较例3中进行了Ni-Zn电镀和电解铬酸盐处理以外，通过与实施例3相同的条件制作了带载体的铜箔。

2.带载体的铜箔的各种评价

对于如上所述地得到的带载体的铜箔，利用以下的方法进行了各种评价。其结果示于表1。

＜极薄铜层的平均结晶粒径的测量＞

使用FIB－SIM对极薄铜层的断面进行了观察，把包围晶粒的最小圆的直径作为结晶粒径，对存在于观察视野中的全部晶粒进行了测量(具体地说是拍摄照片，根据该照片进行了测量)。此外，通过用聚焦离子束(FIB)加工成使断面露出，并用扫描离子显微镜(SIM)对所述断面进行观察，由此进行了使用FIB－SIM的极薄铜层的断面观察。把20个以上的结晶粒径的平均值作为平均结晶粒径。在观察视野中没有20个以上晶粒的情况下，以直到进行了结晶粒径测量的晶粒数成为20个以上的方式增大观察视野进行了测量。此外，对于使用FIB－SIM观察极薄铜层的断面时的倍数没有特别的限定，只要是可以观察到晶粒的倍数就可以。例如可以在2500～40000倍的倍率下测量结晶粒径。

＜附着量的测量＞

把试样用20质量％浓度的硝酸溶解，通过ICP原子发射光谱法测量了镍(Ni)附着量。把试样用7质量％浓度的盐酸溶解，通过原子吸收光谱法，定量分析了铬(Cr)附着量和锌(Zn)附着量。

＜残余应力的测量＞

铜箔载体外侧表面和极薄铜层外侧表面的残余应力通过X射线衍射法进行了测量。在该方法中，从构成测量对象的铜层的多数结晶的晶面间距测量值和已知的在无应力状态下测量到的铜的晶面间距、铜的弹性常数和泊松比，求出了铜层表面的残余应力。

在本发明中，使用株式会社リガク制造的X射线衍射装置RINT2100进行了残余应力的测量。使用标准Si结晶进行了衍射角的校正。此外，使用株式会社リガク制造的X射线衍射装置RINT2100带有的计算软件，用衍射峰顶的测量值进行了残余应力的计算。

由于X射线的进入深度通常为数μm～10μm左右，所以考虑了从测量面表层到所述进入深度范围中的X射线衰减，求出了平均的晶面间距和残余应力。在带载体的铜箔中，由于铜箔载体和极薄铜层的厚度与X射线进入深度大体相同或在它以上，所以认为测量出的残余应力是表示铜箔载体和极薄铜层的表层的残余应力也没有影响。此外，在对极薄铜层外侧表面进行了粗化处理、耐热处理、防锈处理、铬酸盐处理、硅烷偶联处理等表面处理的情况下，在进行了所述表面处理后(从所述表面处理层上)测量了残余应力。此外，在对铜箔载体外侧表面进行了粗化处理、耐热处理、防锈处理、铬酸盐处理、硅烷偶联处理等表面处理的情况下，优选的是，在进行了所述表面处理后(从所述表面处理层上)测量残余应力。

此外，在带载体的铜箔具有树脂层的情况下，可以在用溶剂等去除了树脂层后进行所述的残余应力测量。

＜翘曲量的测量＞

翘曲量的测量是把带载体的铜箔切成边长10cm的正方形片状，使极薄铜层侧朝上，在水平面上静置24小时以上后，测量了片的四个角部从水平面升起的高度的最大值；在片四个角部不升起而向下弯的情况下，把极薄铜层侧朝下放置，测量了片的四个角部升起的高度的最大值。

(评价结果)

实施例1～实施例8的带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与铜箔载体外侧表面的残余应力和极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱都为0(μm·MPa)以上155(μm·MPa)以下。因此实施例1～实施例8都能很好地抑制铜箔的翘曲。

比较例1～比较例3的带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与铜箔载体外侧表面的残余应力和极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱都超过了155(μm·MPa)。因此铜箔的翘曲量的最大值都超过了10mm，判明了比较例1～比较例3不能抑制铜箔的翘曲。

此外，对于实施例3的带载体的铜箔，在195℃下加热6小时后，测量了残余应力。其结果，铜箔载体外侧表面的残余应力和极薄铜层外侧表面的残余应力都为0MPa。其结果，带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与铜箔载体外侧表面的残余应力和极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为0(μm·MPa)。此外，该加热后的极薄铜层的平均结晶粒径为16.1μm。

Claims

1.一种带载体的铜箔，具有铜箔载体、层叠在所述铜箔载体上的中间层以及层叠在所述中间层上的极薄铜层，所述带载体的铜箔的特征在于，

所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为0μm·MPa以上155μm·MPa以下，并且所述极薄铜层的平均结晶粒径小于15μm。

2.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为大于0μm·MPa且为155μm·MPa以下。

3.根据权利要求2所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为10μm·MPa以上135μm·MPa以下。

4.根据权利要求3所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述带载体的铜箔的总厚度T的二分之一、与所述铜箔载体外侧表面的残余应力和所述极薄铜层外侧表面的残余应力之差D的乘积的绝对值︱(T/2)×D︱为15μm·MPa以上130μm·MPa以下。

5.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述铜箔载体由电解铜箔或压延铜箔构成。

6.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述中间层由Ni层和Cr层构成，所述Ni层与所述中间层和所述铜箔载体的界面接触，所述Cr层与所述中间层和所述极薄铜层的界面接触，所述中间层中的Ni的附着量为1μg/dm²以上40000μg/dm²以下，所述中间层中的Cr的附着量为1μg/dm²以上100μg/dm²以下，在所述中间层中以1μg/dm²以上70μg/dm²以下的附着量还存在有Zn。

7.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述极薄铜层厚度为1μm以上10μm以下。

8.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述极薄铜层表面具有粗化处理层。

9.根据权利要求8所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述粗化处理层的表面具有从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层。

10.根据权利要求9所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述防锈层和所述耐热层中的至少一方含有从镍、钴、铜和锌中选择的一种以上的元素。

11.根据权利要求9所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述防锈层和所述耐热层中的至少一方由从镍、钴、铜和锌中选择的一种以上的元素构成。

12.根据权利要求9所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述粗化处理层之上具有所述耐热层。

13.根据权利要求9所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述粗化处理层之上具有所述防锈层。

14.根据权利要求12所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述耐热层之上具有所述防锈层。

15.根据权利要求9所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述防锈层之上具有所述铬酸盐处理层。

16.根据权利要求14所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述防锈层之上具有所述铬酸盐处理层。

17.根据权利要求9所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述铬酸盐处理层之上具有所述硅烷偶联处理层。

18.根据权利要求16所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述铬酸盐处理层之上具有所述硅烷偶联处理层。

19.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述极薄铜层的表面具有从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层。

20.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，

当把所述带载体的铜箔切成边长为10cm的正方形片状、且把所述片静置在水平面上时，所述片的四个角部从水平面浮起的高度的最大值为10mm以下。

21.根据权利要求1所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述极薄铜层上具有树脂层。

22.根据权利要求8所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述粗化处理层上具有树脂层。

23.根据权利要求9所述的带载体的铜箔，其特征在于，

在所述从由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层和硅烷偶联处理层构成的组中选择的一种以上的层之上具有树脂层。

24.根据权利要求21所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述树脂层含有电介质。

25.根据权利要求22所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述树脂层含有电介质。

26.根据权利要求23所述的带载体的铜箔，其特征在于，

所述树脂层含有电介质。

27.一种覆铜板，其特征在于，所述覆铜板是使用权利要求1～26中任一项所述的带载体的铜箔制造的。

28.一种印刷布线板，其特征在于，所述印刷布线板是使用权利要求1～26中任一项所述的带载体的铜箔制造的。

29.一种印刷电路板，其特征在于，所述印刷电路板是使用权利要求1～26中任一项所述的带载体的铜箔制造的。

30.一种印刷布线板的制造方法，其特征在于包括：

准备权利要求1～26中任一项所述的带载体的铜箔和绝缘基板的工序；

层叠所述带载体的铜箔和所述绝缘基板的工序；以及

在层叠了所述带载体的铜箔和所述绝缘基板后，经过把所述带载体的铜箔的铜箔载体剥离的工序后，形成覆铜板，然后通过半加成法、减成法、部分加成法和改良半加成法中的任一种方法，形成电路的工序。

31.一种印刷布线板的制造方法，其特征在于包括：

在权利要求1～26中任一项所述的带载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面形成电路的工序；

以包埋所述电路的方式在所述带载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂层的工序；

在所述树脂层上形成电路的工序；

在所述树脂层上形成了电路后，把所述载体剥离的工序；以及

在把所述载体剥离后，通过去除所述极薄铜层，使形成于所述极薄铜层侧表面的、包埋在所述树脂层中的电路露出的工序。

32.根据权利要求31所述的印刷布线板的制造方法，其特征在于，

在所述树脂层上形成电路的工序是把另外的带载体的铜箔从极薄铜层侧粘贴在所述树脂层上，使用粘贴在所述树脂层上另外的带载体的铜箔形成所述电路的工序。

33.根据权利要求32所述的印刷布线板的制造方法，其特征在于，

粘贴在所述树脂层上的另外的带载体的铜箔是权利要求1～26中任一项所述的带载体的铜箔。

34.根据权利要求31所述的印刷布线板的制造方法，其特征在于，

通过半加成法、减成法、部分加成法和改良半加成法中的任一种方法进行在所述树脂层上形成电路的工序。

35.根据权利要求31所述的印刷布线板的制造方法，其特征在于，所述印刷布线板的制造方法还包括：在把所述载体剥离之前，在带载体的铜箔的载体侧表面形成基板的工序。

36.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备使用了权利要求28所述的印刷布线板。