CN105323958B - 表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器、表面处理铜箔的制造方法及印刷配线板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器、表面处理铜箔的制造方法及印刷配线板的制造方法。其提供一种剥离强度良好、且即便用于高频电路基板也可良好地抑制传输损耗的表面处理铜箔。该表面处理铜箔依序具有：铜箔、含有一种以上选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的金属层、及以铬氧化物形成的表面处理层，金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～2000μg/dm²，施加250℃×10分钟的热处理后，以仅露出表面处理层的表面的状态于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴浸渍30秒时，铜于硝酸浴的溶出量为0.0030g/25cm²以下。

Description

表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器、 表面处理铜箔的制造方法及印刷配线板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器、表面处理铜箔的制造方法及印刷配线板的制造方法。

背景技术

从配线的容易性或轻量性出发，智能手机或平板PC之类的小型电子机器采用柔性印刷配线板(以下为FPC)。另外，FPC中有如下所述的双层柔性印刷配线板：在绝缘体基板上直接设置由金属或金属氧化物等而得的基底层后，使用形成有铜导体层的双层柔性基板，通过减成法(subtractive method)或加成法(additive method)形成所需的配线图案。

这种双层柔性印刷配线板广泛使用平坦的压延铜箔。近年来，为了进一步提高弯曲性、精密蚀刻性，优选使用厚度更薄的铜箔。然而，高弯曲性的压延铜箔的结晶尺寸在再结晶后变大，因此会变软，当为10μm以下较薄的箔时，存在表观剥离强度降低、与树脂基板的贴合产生问题的情况。

因此，为了提高剥离强度，提出有利用含有六价铬的硅烷偶联剂对铜箔与树脂的接着面进行表面处理的方法，但这种方法并不是万能的，如果氨基系硅烷与六价铬混合，就会沉淀。

这些现有技术例如在专利文献1～5有所揭示。

另外，随着近年电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化有所发展，对印刷配线板要求优异的高频应对。

对于高频用基板，为了确保输出信号的品质，要求降低传输损耗。传输损耗主要由下述之情況造成：由树脂(基板侧)引起的介电损耗、及由导体(铜箔侧)引起的导体损耗。树脂的介电常数及介电损耗正切越小，介电损耗越减少。高频信号中，导体损耗的主要原因在于，频率越高，因电流只在导体表面流动的集肤效应(skin effect)而导致电流流动的截面积越减少，电阻越高。

作为旨在降低高频用铜箔的传输损耗的技术，例如专利文献6中揭示了一种高频电路用金属箔，其在金属箔表面的单面或两面被覆银或银合金，在该银或银合金被覆层上，以薄于所述银或银合金被覆层厚度的方式被覆银或银合金以外的被覆层。此外，记载有藉此可提供即便于如卫星通信所使用的超高频区域中也可减少由集肤效应所引起的损耗的金属箔。

另外，专利文献7中揭示了一种高频电路用粗化处理压延铜箔，其特征在于：压延铜箔的再结晶退火后的压延面通过X射线衍射所求出的(200)面的积分强度(I(200))相对于微粉末铜通过X射线衍射所求出的(200)面的积分强度(I0(200))，为I(200)/I0(200)＞40，利用电镀对该压延面进行粗化处理后的粗化处理面的算术平均粗糙度(以下设为Ra)为0.02μm～0.2μm，十点平均粗糙度(以下设为Rz)为0.1μm～1.5μm，且其是印刷电路基板用原材料。此外，记载有藉此可提供能够在超过1GHz的高频率下使用的印刷电路板。

进而，专利文献8中揭示了一种电解铜箔，其特征在于：铜箔表面的一部分为由瘤状突起构成的表面粗度为2μm～4μm的凹凸面。此外，记载有藉此可提供高频传输特性优异的电解铜箔。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利第3292774号公报；

[专利文献2]日本专利第3306404号公报；

[专利文献3]日本专利第3906347号公报；

[专利文献4]国际公开第2009-81889号；

[专利文献5]日本特开平11-158652号公报；

[专利文献6]日本专利第4161304号公报；

[专利文献7]日本专利第4704025号公报；

[专利文献8]日本特开2004-244656号公报。

发明内容

[发明所欲解决之课题]

然而，当利用含有六价铬的硅烷偶联剂对铜箔与树脂基板的接着面进行表面处理时，会产生如下问题：与双层柔性印刷配线板的制作步骤不匹配，剥离强度反而会降低；进而，会促进硅烷偶联剂中硅烷的凝聚。另外，在专利文献5中，是将电解铜箔在铬酸酐的碱性溶液(铬酸酐：6g/L；氢氧化钠：15g/L；pH值：12.5；浴温：25℃)浸渍5秒，在该铜箔的两面形成防锈皮膜，由此制作表面处理铜箔，但是如果使用pH值这么高的处理液，则在将NaOH、KOH自处理液中去除并加以干燥后，会形成盐，无法获得良好的剥离强度。

另外，关于传输损耗，由导体(铜箔侧)引起的导体损耗如上所述，是起因于集肤效应导致电阻变大，但已知该电阻不仅仅是影响铜箔本身的电阻，也存在影响表面处理层的电阻，所述表面处理层是由为了确保与树脂基板的接着性而对铜箔表面进行的粗化处理所形成，具体而言，铜箔表面的粗糙度是导体损耗的主要因素，粗糙度越小，传输损耗越减少。

因此，本发明的目的在于提供一种剥离强度良好、且即便用于高频电路基板也可良好地抑制传输损耗的表面处理铜箔。

[解决课题之技术手段]

本发明者进行了反复锐意研究，结果发现，在铜箔表面与树脂基板接着的此一侧形成铬氧化物的表面处理层，在表面处理层与铜箔之间设置特定元素及附着量的金属层，并且对将该表面处理层浸渍于特定条件的硝酸浴中时的铜溶出量进行控制，由此表面处理铜箔的剥离强度变得良好。

基于以上见解而完成的本发明于一方面是一种表面处理铜箔，该表面处理铜箔依序具有：铜箔、含有一种以上选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的金属层、及以铬氧化物形成的表面处理层，所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～2000μg/dm²，施加250℃×10分钟的热处理后，以仅露出所述表面处理层的表面的状态于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴浸渍30秒时，铜于硝酸浴的溶出量为0.0030g/25cm²以下。

在本发明的表面处理铜箔的一实施形态中，所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～1500μg/dm²。

在本发明的表面处理铜箔的另一实施形态中，所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～1000μg/dm²。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～700μg/dm²。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，在所述表面处理层中，六价铬的附着量为三价铬的附着量的0.1％以下。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述金属层含有加热变色防止层及/或防锈层。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述加热变色防止层与防锈层分别为Zn、Cu或这些金属的合金。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述防锈层含有铬酸盐层或铬酸锌层。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述金属层含有硅烷偶联层。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，在所述表面处理层上形成有硅烷偶联层。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述表面处理层的表面具备树脂层。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述硅烷偶联层的表面具备树脂层。

在本发明的表面处理铜箔的进而另一实施形态中，所述树脂层含有电介质。

本发明于另一方面是一种附载体铜箔，该附载体铜箔在载体的其中一面、或两面依序具有中间层、极薄铜层，且所述极薄铜层为本发明的表面处理铜箔。

在本发明的附载体铜箔的一实施形态中，所述载体的其中一面依序具有所述中间层、所述极薄铜层，所述载体的另一面具有粗化处理层。

本发明于进而另一方面是本发明的表面处理铜箔与树脂基板的积层体。

在本发明的积层体的一实施形态中，所述表面处理铜箔与所述树脂基板是未经由接着剂而积层。

本发明于进而另一方面是本发明的附载体铜箔与树脂基板的积层体。

本发明于进而另一方面是一种积层体，该积层体包含本发明的附载体铜箔与树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

本发明于进而另一方面是一种积层体，是将一个本发明的附载体铜箔自所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。

本发明的积层体于一实施形态中，是所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面，视需要经由接着剂直接进行积层而构成。

本发明的积层体于另一实施形态中，是将所述一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层接合。

本发明的积层体于进而另一实施形态中，所述积层体的端面的一部分或全部被树脂覆盖。

本发明于进而另一方面是使用本发明的积层体的印刷配线板的制造方法。

本发明于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括下述步骤：在本发明的积层体进行至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；及在至少1次形成所述树脂层及电路这两层后，将所述极薄铜层或所述载体自所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。

本发明于进而另一方面是以本发明积层体作为材料的印刷配线板。

本发明于进而另一方面是具备有本发明的印刷配线板的电子机器。

本发明于进而另一方面是一种本发明的表面处理铜箔的制造方法，该表面处理铜箔的制造方法具备下述步骤：将铬酸盐液设置于铜箔的整个处理对象表面的步骤；及将铬酸盐液设置于铜箔表面后，在不进行水洗的情况下加以干燥，由此形成铬氧化物的表面处理层的步骤。

在本发明的表面处理铜箔的制造方法的一实施形态中，在形成所述铬氧化物的表面处理层的步骤中，将铬酸盐液设置于铜箔表面后，进行脱液，然后在不进行水洗的情况下加以干燥，由此形成铬氧化物的表面处理层。

在本发明的表面处理铜箔的制造方法的另一实施形态中，将所述铬酸盐液设置于铜箔表面的量在所述脱液后为5～20mg/dm²。

在本发明的表面处理铜箔的制造方法的另一实施形态中，所述脱液是通过辊、刀片及/或气体的吹送而进行。

在本发明的表面处理铜箔的制造方法的另一实施形态中，将所述铬酸盐液设置于铜箔的整个处理对象表面的步骤是通过利用喷淋器将铬酸盐液涂布于所述铜箔表面而进行。

在本发明的表面处理铜箔的制造方法的另一实施形态中，将所述铬酸盐液设置于铜箔的整个处理对象表面的步骤是通过利用辊将铬酸盐液涂布于所述铜箔表面而进行。

在本发明的表面处理铜箔的制造方法的另一实施形态中，所述铬酸盐液的pH值为1～10。

在本发明的表面处理铜箔的制造方法的另一实施形态中，所述铬酸盐液的pH值为4～10。

本发明于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，该印刷配线板的制造方法包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层体，

其后，通过半加成法(semi additive method)、减成法、部分加成法(partlyadditive method)或改良式半加成法(modified semi additive method)中的任一种方法形成电路的步骤。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中，所述印刷配线板的制造方法包括下述步骤：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；在所述树脂层上形成电路的步骤；在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；以及在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或所述载体，由此使形成于所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且埋没于所述树脂层的电路露出的步骤。

本发明于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；在所述附载体铜箔的与树脂基板积层之侧的相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面进行至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；以及在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层自所述附载体铜箔剥离的步骤。

本发明于进而另一方面是一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：将本发明的附载体铜箔的所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；在所述附载体铜箔的与树脂基板积层之侧的相反侧的极薄铜层侧表面进行至少1次树脂层与电路这两层的设置的步骤；以及在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述极薄铜层自所述附载体铜箔剥离的步骤。

[发明之效果]

根据本发明，可提供一种剥离强度良好、且即便用于高频电路基板也可良好地抑制传输损耗的表面处理铜箔。

附图说明

图1中A～C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例中，至镀敷电路、去除阻剂为止的步骤中的配线板截面的模式图。

图2中D～F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例中，自积层树脂及第二层附载体铜箔至激光打孔为止的步骤中的配线板截面的模式图。

图3中G～I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例中，自形成盲孔填充层至剥离第1层载体为止的步骤中的配线板截面的模式图。

图4中J～K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例中，自闪蚀至形成凸块、铜柱为止的步骤中的配线板截面的模式图。

具体实施方式

〔表面处理铜箔的构成〕

本发明的表面处理铜箔依序具有：铜箔、含有一种以上选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的金属层、及以铬氧化物形成的表面处理层。

可用于本发明的铜箔基材的形态并无特别限制，典型而言，本发明所使用的铜箔可为电解铜箔或压延铜箔中的任一种。一般而言，电解铜箔是使铜自硫酸铜镀浴电解析出至钛或不锈钢的滚筒上而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工与热处理而制造。要求弯曲性的用途中多数情况下应用压延铜箔。

作为铜箔基材的材料，除了通常用作印刷配线板的导体图案的精铜或无氧铜之类的高纯度铜以外，例如也可使用如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金般的铜合金。此外，在本说明书中，在单独使用用语“铜箔”时也包括铜合金箔。

此外，铜箔基材的板厚不必特别限定，例如为1～1000μm、或1～500μm、或1～300μm、或3～100μm、或5～70μm、或6～35μm、或9～18μm。

本发明的表面处理铜箔具有以铬氧化物形成的表面处理层，施加250℃×10分钟的热处理后，以仅露出所述表面处理层的表面的状态于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴浸渍30秒时，铜于硝酸浴的溶出量为0.0030g/25cm²以下。作为表面处理，也有通过溅镀等在铜箔表面形成金属铬层，但对酸的耐蚀性较差，有在柔性基板的电路形成步骤中被蚀刻液腐蚀的可能性。相对于此，本发明的表面处理层是以铬氧化物形成，而且是以于在浓度20mass％且温度25℃的硝酸浴浸渍30秒时，铜于硝酸浴的溶出量为0.0030g/25cm²以下的方式进行控制，因此对蚀刻液的耐腐蚀性良好。另外，如上所述铜于酸中的溶出量受到控制表示利用铬氧化物致密且均匀地形成表面处理层，因此与树脂基板的密合性变得良好，剥离强度提高。此外，所述“施加250℃×10分钟的热处理后”是规定了与聚酰亚胺基板接着时通常的热处理条件。

本发明的表面处理铜箔优选在表面处理层中，六价铬的附着量为三价铬的附着量的0.1％以下。通过这种构成，六价铬的附着量的比例受到控制，就安全方面而言有利。

本发明的表面处理铜箔优选表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。如果如上述般较薄地形成表面处理层的厚度，则表面处理层的蚀刻去除性及制造成本变得良好。表面处理层的厚度更优选0.3～1nm。

金属层含有选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的一种以上元素，该金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的一种以上元素的合计附着量为200～2000μg/dm²。以选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的一种以上元素的合计附着量为200～2000μg/dm²的方式于铜箔与表面处理层之间设置含有选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的一种以上元素的金属层，由此铜箔的耐热性提高，可抑制由加热引起的剥离强度的劣化，还可良好地抑制传输损耗。这里，当传输损耗较小时，以高频进行信号传输时的信号的衰减受到抑制，因此在以高频进行信号传输的电路中，可进行稳定的信号传输。因此，传输损耗的值较小的铜箔适用于以高频进行信号传输的电路用途，故而优选。如果金属层的该元素的合计附着量未达200μg/dm²，则无法获得充分的耐热效果。另外，如果金属层的该元素的合计附着量超过2000μg/dm²，则会产生传输损耗增大的问题。金属层的该元素的合计附着量优选200～1500μg/dm²，更优选200～1000μg/dm²，进而更优选200～700μg/dm²。此外，金属层亦可含有任意元素作为选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的一种以上元素以外的元素，例如可含有Cu、Al、Ti、As、Ag、Fe、Sn、Si、Zr、V、Mg、Mn、Ca、C、N、S、O、In、Au、Pt、Pd、Os、Rh、Ru、Re、Ir、Pb、Cd、Bi或P等。金属层所含的选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的一种以上元素以外的元素的合计附着量不必特别限定，典型而言为0～50000μg/dm²，更典型而言为0～10000μg/dm²，更典型而言为0～5000μg/dm²，更典型而言为0.5～2000μg/dm²。

例如为了使与绝缘基板的密合性进一步变得良好，金属层可含有粗化处理层。粗化处理例如可通过由铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理可为微细的粗化处理。粗化处理层可为含有选自由铜、镍、钴及锌所组成的群中的任一种单质或由任一种以上的合金构成的层。另外，金属层也可含有加热变色防止层及/或防锈层。防止Cu扩散的加热变色防止层与防锈层可分别由Zn、Cu或这些金属的合金形成。防锈层可含有铬酸盐层或铬酸锌层。另外，金属层也可含有硅烷偶联层。

此外，用来设置硅烷偶联层的硅烷偶联剂可使用公知的硅烷偶联剂，例如可使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂、巯基系硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧基系硅烷偶联剂。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂所形成的硅烷偶联层。另外，硅烷偶联剂可使用：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。

这里所谓的氨基系硅烷偶联剂可为选自由下述物质所组成的群中的物质：N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-N-苄基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷。

硅烷偶联层较理想为以硅原子换算计，在0.05mg/m²～200mg/m²、优选0.15mg/m²～20mg/m²、优选0.3mg/m²～2.0mg/m²的范围内进行设置。当为所述范围时，可进一步提高基材树脂与表面处理铜箔的密合性。

〔表面处理铜箔的制造方法〕

对本发明的表面处理铜箔的制造方法进行说明。首先，准备压延铜箔或电解铜箔。其次，通过公知的手段，以含有选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的一种以上元素、且该元素的合计附着量成为200～2000μg/dm²的方式于铜箔表面形成金属层。进而如果有必要，则通过公知的手段在金属层形成粗化处理层、加热变色防止层、防锈层、硅烷偶联层等。另外，如果有必要，则通过公知的手段于铜箔与金属层之间形成粗化处理层、加热变色防止层、防锈层、硅烷偶联层等。再次，在铜箔的整个处理对象表面设置铬酸盐液。然后，在不进行水洗的情况下对铜箔表面加以干燥，由此于铜箔表面形成铬氧化物的表面处理层。在现有方法中，当利用铬酸盐液进行表面处理时，在将铬酸盐液设置于铜箔的表面后、干燥步骤前，为了去除杂质等而进行多次水洗。然而，该水洗导致铬酸盐层不均匀地形成，对剥离强度造成不良影响。相对于此，在本发明中不进行该水洗步骤，将铬酸盐液设置于铜箔的整个处理对象表面后，在不进行水洗的情况下对铜箔表面加以干燥，由此形成均匀的铬酸盐层，提高表面处理铜箔的剥离强度。将铬酸盐液设置于铜箔的整个处理对象表面的步骤可通过利用喷淋器将铬酸盐液涂布于铜箔表面而进行，也可通过利用辊将铬酸盐液涂布于铜箔表面而进行，也可通过利用刀片将铬酸盐液涂布于铜箔表面而进行。利用喷淋器进行的铬酸盐液的涂布可使用公知的喷雾嘴(例如Spraying Systems Japan股份有限公司制造的喷雾嘴或池内股份有限公司制造的喷雾嘴)进行。利用辊进行的铬酸盐液的涂布可通过使用公知的橡胶辊或海绵辊，将铬酸盐液供给至辊表面，并且使该辊表面与铜箔接触而进行。利用刀片进行的铬酸盐液的涂布可使用公知的刮刀或公知的刀片而进行。

另外，在本发明的表面处理铜箔的制造方法中，于形成铬氧化物的表面处理层的步骤中，将铬酸盐液设置于铜箔表面后进行脱液，然后在不进行水洗的情况下加以干燥，由此形成铬氧化物的表面处理层。该脱液可通过辊、刀片及/或气体的吹送而进行。以上述方式将铬酸盐液设置于铜箔表面后进行脱液，对铜箔表面的铬酸盐液的量进行控制，由此具有抑制六价铬附着在产品、残渣离子(K⁺)变得不易被吸收至铬酸盐膜中的效果。另外，将铬酸盐液设置于铜箔表面的量优选脱液后为5～20mg/dm²。如果将铬酸盐液设置于铜箔表面的量未达5mg/dm²，则有产生无法获得所需的剥离强度的问题之虞。另外，如果将铬酸盐液设置于铜箔表面的量超过20mg/dm²，则由于利用下文所述组成的溶液进行处理，因此有产生为了调整pH值而添加的H₂SO₄与K的盐析出的问题之虞。此外，当利用辊进行脱液时，通过控制辊与铜箔接触的力，可控制铬酸盐液的附着量。可将辊与铜箔接触的力设定为相对于铜箔的每单位宽度(1cm)为0.0005～0.015kgf/cm。通过加大辊与铜箔接触的力，可减少铜箔表面的铬酸盐液的量。另外，通过减小辊与铜箔接触的力，可增多铜箔表面的铬酸盐液的量。

另外，当利用刀片进行脱液时，通过控制刀片与铜箔的间隙，可控制铬酸盐液的附着量。刀片与铜箔的间隙可设定为0.5～3μm。通过加大刀片与铜箔的间隙，可增多铜箔表面的铬酸盐液的量。通过减小刀片与铜箔的间隙，可减少铜箔表面的铬酸盐液的量。

另外，当利用气体的吹送进行脱液时，通过控制所吹送的气体的流量，同时控制喷出气体的喷嘴的气体喷出口与铜箔的距离，可控制铬酸盐液的附着量。所吹送的气体的流量设定为25～1000L/min为宜。另外，优选以在铜箔的宽度方向上流量尽可能相等的方式吹送气体。另外，气体喷出口与铜箔的距离可设定为5～150mm。通过增大所吹送的气体的流量及/或减小气体喷出口与铜箔的距离，可减少铜箔表面的铬酸盐液的量。另外，通过减小所吹送的气体的流量及/或增大气体喷出口与铜箔的距离，可增多铜箔表面的铬酸盐液的量。

用于表面处理的铬酸盐液的条件如以下所述。

液组成：CrO₃：1～6g/L、Na₂Cr₂O₇及K₂Cr₂O₇：合计为1.5～9g/L

pH值：1～10、优选4～10

温度：10～60℃、优选25～40℃

当如所述般使用pH值为1～10的处理液时，即便基底处理使用Ni等，也可良好地抑制Ni等的溶出。另外，当使用pH值为4～10的处理液时，即便基底处理使用Zn-铬酸盐，也可良好地抑制Zn的溶出。

此外，只要未明确记载，则用于本发明的电解、表面处理或镀敷等所使用的处理液的剩余部分为水。

〔附载体铜箔〕

作为本发明的另一实施形态的附载体铜箔在载体的其中一面、或两面依序具有中间层、极薄铜层。并且所述极薄铜层为上文所述的作为本发明的实施形态之一的表面处理铜箔。

＜载体＞

可用于本发明的载体典型而言为金属箔或树脂膜，例如可以如下形态提供：铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜(例如聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚酰胺膜、聚酯膜、氟树脂膜等)。

作为可用于本发明的载体，优选使用铜箔。其原因在于，由于铜箔的导电率较高，因此其后的中间层、极薄铜层的形成变得容易。典型而言，载体可以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。一般而言，电解铜箔是使铜自硫酸铜镀浴电解析出至钛或不锈钢的滚筒上而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊进行的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除了精铜或无氧铜之类的高纯度铜以外，例如也可使用如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金般的铜合金。

可用于本发明的载体的厚度也没有特别限制，适当调节为在发挥作为载体的作用方面合适的厚度即可，例如可设为5μm以上。但如果过厚，则生产成本变高，因此通常优选设为35μm以下。因此，典型而言，载体的厚度为12～70μm，更典型而言为18～35μm。

此外，可在载体的设置极薄铜层之侧的表面其相反侧的表面设置粗化处理层。可使用公知的方法设置该粗化处理层，也可通过所述的粗化处理进行设置。在载体的设置极薄铜层之侧的表面其相反侧的表面设置粗化处理层具有如下优点：在将载体自具有该粗化处理层的表面侧积层于树脂基板等支持体时，载体与树脂基板变得不易剥离。

＜中间层＞

在载体上设置中间层。可在载体与中间层之间设置其他层。本发明所使用的中间层只要采用如下构成，则并无特别限定：在附载体铜箔积层于绝缘基板的步骤前，极薄铜层难以自载体剥离，另一方面，在积层于绝缘基板的步骤后，极薄铜层变得可自载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些金属的合金、这些金属的水合物、这些金属的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。另外，中间层也可为多层。

另外，中间层例如可采用如下构成：自载体侧起，形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn组成的元素群中的一种元素所构成的单一金属层，或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn组成的元素群中的一种或两种以上的元素所构成的合金层，在其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn组成的元素群中的一种或两种以上的元素的水合物或氧化物、或有机物所构成的层。

另外，中间层例如可采用如下构成：自载体侧起，形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn组成的元素群中的一种元素所构成的单一金属层，或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn组成的元素群中的一种或两种以上的元素所构成的合金层，在其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn组成的元素群中的一种元素所构成的单一金属层，或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种或两种以上的元素所构成的合金层。

另外，中间层可使用公知的有机物作为所述有机物，另外，优选使用含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的任一种以上。例如，作为具体的含氮有机化合物，优选使用具有取代基的三唑化合物即1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。

含硫有机化合物优选使用巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。

作为羧酸，特别优选使用单羧酸，其中优选使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。

另外，中间层例如可在载体上依序积层镍层、镍-磷合金层或镍-钴合金层与含铬层而构成。由于镍与铜的接着力高于铬与铜的接着力，因此在剥离极薄铜层时，成为在极薄铜层与含铬层的界面处进行剥离。另外，对于中间层的镍，期待具有防止铜成分自载体向极薄铜层扩散的阻挡效果。中间层中的镍的附着量优选100μg/dm²以上且40000μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且4000μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且2500μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且未达1000μg/dm²，中间层中的铬的附着量优选5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。当仅在单面设置中间层时，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。所述中间层的铬层可通过镀铬或铬酸盐处理而设置。

如果中间层的厚度过厚，则存在中间层的厚度对表面处理后的极薄铜层表面的表面粗糙度Rz及光泽度造成影响的情况，因此极薄铜层的表面处理层表面的中间层的厚度优选1～1000nm，更优选1～500nm，进而优选2～200nm，进而优选2～100nm，进而更优选3～60nm。此外，中间层也可设置于载体的两面。

＜极薄铜层＞

在中间层上设置极薄铜层。可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。具有该载体的极薄铜层是作为本发明的实施形态之一的表面处理铜箔。极薄铜层的厚度并无特别限制，一般而言薄于载体，例如为12μm以下。典型而言为0.5～12μm，更典型而言为1.5～5μm。另外，于在中间层上设置极薄铜层前，为了减少极薄铜层的针孔，也可利用铜-磷合金进行预镀(strike plating)。预镀可列举焦磷酸铜镀敷液等。此外，极薄铜层也可设置于载体的两面。

另外，本申请的极薄铜层可在下述条件下形成。

·电解液组成

铜：80～120g/L

硫酸：80～120g/L

氯：30～100ppm

整平剂1(双(3-磺丙基)二硫化物)：10～30ppm

整平剂2(胺化合物)：10～30ppm

所述的胺化合物可使用以下化学式的胺化合物。

(所述化学式中，R₁及R₂是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的群中的基团)

·制造条件

电流密度：70～100A/dm²

电解液温度：50～65℃

电解液线速度：1.5～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟(根据所析出的铜厚、电流密度进行调整)

使用本发明的附载体铜箔可制作积层体(覆铜积层体等)。作为该积层体，例如，可采用依序积层“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸料”的构成，也可采用依序积层“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料”的构成，也可采用依序积层“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸料/载体/中间层/极薄铜层”的构成，也可采用依序积层“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料/极薄铜层/中间层/载体”的构成，也可采用依序积层“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料/载体/中间层/极薄铜层”的构成。所述树脂或预浸料可为下文所述的树脂层，也可含有下文所述的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，俯视时附载体铜箔可小于树脂或预浸料。

〔表面处理表面上的树脂层〕

本发明的表面处理铜箔的表面处理表面上可具备树脂层。所述树脂层可为绝缘树脂层。此外，在本发明的表面处理铜箔中，所谓“表面处理表面”是指粗化处理后，当进行用来设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理时，进行该表面处理后的表面处理铜箔的表面。另外，当表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层时，所谓“表面处理表面”是指粗化处理后，当进行用来设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理时，进行该表面处理后的极薄铜层的表面。

所述树脂层可为接着用树脂、即接着剂，也可为接着用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)包括如下状态：即便用手指接触其表面，也没有粘附感，可将该绝缘树脂层重叠保管，进而如果受到加热处理，则引起硬化反应。

另外，所述树脂层可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层可含有热塑性树脂。所述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。另外，所述树脂层例如可使用如下文献中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成：国际公开编号WO2008/004399、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本专利特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号。

另外，所述树脂层的种类并无特别限定，例如可列举含有选自如下物质的群中的一种以上的树脂作为优选的树脂：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、氨基甲酸酯(urethane)树脂、聚醚砜(亦称为polyether sulphone、polyethersulfone)、聚醚砜(亦称为polyether sulphone、polyethersulfone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、多胺、芳香族多胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羟基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚伸苯醚(polyphenylene oxide)、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚伸苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交联的官能基的线性聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、磷腈系树脂、橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧基树脂、高分子环氧树脂、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂。

另外，如果所述环氧树脂为分子内具有2个以上环氧基、并且可用于电气、电子材料用途的树脂，则可无特别问题地使用。另外，所述环氧树脂优选使用分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。另外，可将选自如下物质的群中的一种或两种以上加以混合而使用，或者使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂。

作为所述含磷环氧树脂，可使用公知的含有磷的环氧树脂。另外，所述含磷环氧树脂例如优选分子内具有2个以上环氧基的以源自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide)的衍生物的形式获得的环氧树脂。

(当树脂层含有电介质(电介质填料)时)

所述树脂层可含有电介质(电介质填料)。

当所述任一种树脂层或树脂组成物中含有电介质(电介质填料)时，可用于形成电容器层的用途而增大电容器电路的电容。该电介质(电介质填料)使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr-Ti)O₃(通称PZT)、PbLaTiO₃·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的电介质粉。

电介质(电介质填料)可为粉状。当电介质(电介质填料)为粉状时，该电介质(电介质填料)的粉体特性优选粒径为0.01μm～3.0μm、优选0.02μm～2.0μm的范围的粉状电介质(电介质填料)。此外，当通过扫描型电子显微镜(SEM)对电介质拍摄照片，在该照片上的电介质粒子之上作直线时，以横切电介质粒子的直线长度最长的部分的电介质粒子的长度作为该电介质粒子的直径。并且以测定视野中的电介质粒子直径的平均值作为电介质的粒径。

将上文所述的树脂层所含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基溶纤剂、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，例如通过辊涂法等将其涂布于所述表面处理铜箔的粗化处理表面上，然后视需要进行加热干燥而将溶剂去除，从而制成B阶段状态。干燥例如使用热风干燥炉即可，干燥温度可为100～250℃，优选130～200℃。可使用溶剂将所述树脂层的组成物溶解，制成树脂固体含量3wt％～70wt％、优选3wt％～60wt％、优选10wt％～40wt％、更优选25wt％～40wt％的树脂液。此外，从环境方面来说，现阶段最优选使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。此外，溶剂优选使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。

另外，所述树脂层优选按照MIL规格中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂流动度(resin flow)处于5％～35％的范围的半硬化树脂膜。

在本说明书中，所谓树脂流动度是如下所述的值：按照MIL规格中的MIL-P-13949G，从将树脂厚度设为55μm的附树脂的表面处理铜箔中采样4片10cm见方试样，于将该4片试样重叠的状态(积层体)下，在压制温度171℃、压制压14kgf/cm²、压制时间10分钟的条件下进行贴合，根据对此时的树脂流出重量进行测定而得的结果，基于数学式1而计算出。

【数学式1】

具备所述树脂层的表面处理铜箔(附树脂的表面处理铜箔)是以如下所述态样而使用：将该树脂层重叠于基材上后，对整体进行热压接而将该树脂层热硬化，其次当表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层时，将载体剥离而露出极薄铜层(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，自表面处理铜箔的被粗化处理之侧其相反侧的表面起形成特定的配线图案。

如果使用该附树脂的表面处理铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时的预浸材料的使用片数。并且可将树脂层的厚度设为可确保层间绝缘的厚度，或即便完全不使用预浸材料也可制造覆铜积层板。另外，此时也可对基材的表面底漆涂布绝缘树脂而进一步改善表面的平滑性。

此外，当不使用预浸材料时，预浸材料的材料成本得以节约，另外积层步骤也变得简单，因此于经济上有利，而且具有如下优点：按预浸材料的厚度而制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。

该树脂层的厚度优选0.1～120μm。

如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则接着力下降，当不介置预浸材料而将该附树脂的表面处理铜箔积层于具备内层材的基材时，有时难以确保内层材与电路之间的层间绝缘。另一方面，如果树脂层的厚度厚于120μm，则存在如下情形：通过1次涂布步骤难以形成目标厚度的树脂层，由于花费了多余的材料费及工时，因此于经济上不利。

此外，当将具有树脂层的表面处理铜箔用于制造极薄的多层印刷配线板时，就减小多层印刷配线板的厚度的方面而言，优选将所述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选0.5μm～5μm、更优选1μm～5μm。

以下例示使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的若干例。

于本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；以极薄铜层侧与绝缘基板相对向的方式积层所述附载体铜箔与绝缘基板后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、改良式半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法形成电路的步骤。绝缘基板也可设为加入内层电路的基板。

于本发明中，所谓半加成法是指于绝缘基板或铜箔籽晶层(seed layer)上进行较薄的无电镀敷而形成图案后，利用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

因此，于使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后剥离所述附载体铜箔的载体的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；在通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；对所述树脂及含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤；在所述无电镀敷层上设置镀敷阻剂的步骤；对所述镀敷阻剂进行曝光，然后去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤；在去除所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；去除所述镀敷阻剂的步骤；通过闪蚀等去除处于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀敷层的步骤。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后剥离所述附载体铜箔的载体的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；在通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂的表面设置无电镀敷层的步骤；在所述无电镀敷层上设置镀敷阻剂的步骤；对所述镀敷阻剂进行曝光，然后去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤；在去除所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；去除所述镀敷阻剂的步骤；通过闪蚀等去除处于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀敷层及极薄铜层的步骤。

在本发明中，所谓改良式半加成法是指如下方法：在绝缘层上积层金属箔，利用镀敷阻剂保护非电路形成部，并且利用电镀加厚电路形成部的铜厚后，将阻剂去除，通过(闪蚀)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路。

因此，在使用改良式半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后剥离所述附载体铜箔的载体的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂的步骤；设置所述镀敷阻剂后，通过电镀形成电路的步骤；去除所述镀敷阻剂的步骤；通过闪蚀去除通过将所述镀敷阻剂去除而露出的极薄铜层的步骤。

另外，于所述树脂层上形成电路的步骤也可为将另一个附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于所述树脂层上，使用贴合于所述树脂层的附载体铜箔形成所述电路的步骤。另外，贴合于所述树脂层上的另一个附载体铜箔可为本发明的附载体铜箔。另外，在所述树脂层上形成电路的步骤可利用半加成法、减成法、部分加成法或改良式半加成法中的任一种方法进行。另外，在所述表面形成电路的附载体铜箔可在该附载体铜箔的载体的表面具有基板或树脂层。

在使用改良式半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后剥离所述附载体铜箔的载体的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂的步骤；对所述镀敷阻剂进行曝光，然后去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤；在去除所述镀敷阻剂的形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；去除所述镀敷阻剂的步骤；通过闪蚀等去除处于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀敷层及极薄铜层的步骤。

在本发明中，所谓部分加成法是指如下方法：对设置导体层而成的基板、视需要穿设通孔或辅助孔用的孔而成的基板上赋予催化核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要而设置阻焊剂或镀敷阻剂后，在所述导体电路上，利用无电镀敷处理对通孔或辅助孔等赋予厚度，由此制造印刷配线板。

因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后剥离所述附载体铜箔的载体的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化核的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂的步骤；对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述催化核而形成电路的步骤；将所述蚀刻阻剂去除的步骤；在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述催化核而露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或镀敷阻剂的步骤；在未设置所述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电镀敷层的步骤。

在本发明中，所谓减成法是指如下方法：利用蚀刻等选择性去除覆铜积层板上铜箔的无用部分，从而形成导体图案。

因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施形态中包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后剥离所述附载体铜箔的载体的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤；在所述无电镀敷层的表面设置电镀层的步骤；在所述电镀层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层、所述无电镀敷层及所述电镀层而形成电路的步骤；将所述蚀刻阻剂去除的步骤。

在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施形态中包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；在积层所述附载体铜箔与绝缘基板后剥离所述附载体铜箔的载体的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤；在所述无电镀敷层的表面形成遮罩的步骤；在未形成遮罩的所述无电镀敷层的表面设置电镀层的步骤；在所述电镀层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除所述极薄铜层及所述无电镀敷层而形成电路的步骤；将所述蚀刻阻剂去除的步骤。

也可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。

这里使用图式对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。此外，这里是以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限于此，也可使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔而同样地进行下述的印刷配线板的制造方法。

首先，如图1-A所示，准备具有在表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。此外，在该步骤中，也可准备具有在表面形成有粗化处理层的载体的附载体铜箔(第1层)。

其次，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布阻剂，进行曝光、显影，将阻剂蚀刻成特定形状。此外，在该步骤中，也可在载体的粗化处理层上涂布阻剂，进行曝光、显影，将阻剂蚀刻成特定形状。

再次，如图1-C所示，形成电路用镀层后，将阻剂去除，由此形成特定形状的电路镀层。

然后，如图2-D所示，以覆盖电路镀层的方式(埋没电路镀层的方式)在极薄铜层上设置嵌入树脂而积层树脂层，然后将另一个附载体铜箔(第二层)自极薄铜层侧进行接着。此外，在该步骤中，也可以覆盖电路镀层的方式(埋没电路镀层的方式)在载体上设置嵌入树脂而积层树脂层，然后将另一个附载体铜箔(第二层)自载体侧或极薄铜层进行接着。

再次，如图2-E所示，将载体自第二层附载体铜箔剥离。此外，当自载体侧接着第二层附载体铜箔时，也可将极薄铜层自第二层附载体铜箔剥离。

再次，如图2-F所示，在树脂层的特定位置进行激光打孔，使电路镀层露出而形成盲孔。

再次，如图3-G所示，在盲孔中嵌入铜而形成盲孔填充层。

再次，如图3-H所示，以如所述图1-B及图1-C的方式在盲孔填充层上形成电路镀层。

再次，如图3-I所示，将载体自第1层附载体铜箔剥离。此外，在该步骤中，也可将极薄铜层自第1层附载体铜箔剥离。

再次，如图4-J所示，通过闪蚀去除两表面的极薄铜层(当在第二层设置有铜箔时为铜箔，当在载体的粗化处理层上设置有第1层电路用镀层时为载体)，使树脂层内的电路镀层的表面露出。

再次，如图4-K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，并在该焊料上形成铜柱。由此制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

所述另一个附载体铜箔(第二层)可使用本发明的附载体铜箔，也可使用现有的附载体铜箔，还可以使用通常的铜箔。另外，还可以在如图3-H所示的第二层电路上形成一层或多层电路，可利用半加成法、减成法、部分加成法或改良式半加成法中的任一种方法形成这些电路。

本发明的附载体铜箔优选以满足以下(1)的方式对极薄铜层表面的色差进行控制。在本发明中所谓“极薄铜层表面的色差”表示极薄铜层的表面的色差、或当实施有粗化处理等各种表面处理时为该表面处理层表面的色差。即，本发明的附载体铜箔优选以满足以下(1)的方式对极薄铜层的粗化处理表面的色差进行控制。此外，在本发明的表面处理铜箔中所谓“粗化处理表面”是粗化处理后，当为了设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理时，指进行该表面处理后的表面处理铜箔(极薄铜层)的表面。另外，当表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层时，所谓“粗化处理表面”是粗化处理后，当为了设置耐热层、防锈层、耐候性层等而进行表面处理时，指进行该表面处理后的极薄铜层的表面。

(1)关于极薄铜层表面采用以白色板(当将光源设为D65、且设为10度视野时，该白色板的X₁₀Y₁₀Z₁₀表色系统(JIS Z8701 1999)的三刺激值为X₁₀＝80.7、Y₁₀＝85.6、Z₁₀＝91.5，L^*a^*b^*表色系统中的该白色板的物体色为L^*＝94.14、a^*＝-0.90、b^*＝0.24)的物体色为基准的颜色时的色差，基于JIS Z8730的色差ΔE＊ab为45以上。

这里，色差ΔL(由JIS Z8729(2004)所规定的L^*a^*b^*表色系统中的两种物体色的CIE亮度L^*的差)、Δa(由JIS Z8729(2004)所规定的L^*a^*b^*表色系统中的两种物体色的色座标a^*的差)、Δb(由JIS Z8729(2004)所规定的L^*a^*b^*表色系统中的两种物体色的色座标b^*的差)是分别利用色差计进行测定，并加入黑/白/红/绿/黄/蓝，使用基于JIS Z8730(2009)的L^*a^*b^*表色系统所表示的综合指标，以ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝的形式所表示。另外，ΔE^*ab是使用这些色差，由下述式所表示。

【数学式2】

所述色差可通过提高形成极薄铜层时的电流密度、降低镀敷液中的铜浓度、提高镀敷液的线流速而进行调整。

另外，所述色差也可通过对极薄铜层的表面实施粗化处理而设置粗化处理层来进行调整。当设置粗化处理层时，可通过使用含有铜及选自由镍、钴、钨、钼所组成的群中的一种以上元素的电解液，使电流密度高于以往的电流密度(例如40～60A/dm²)、使处理时间短于以往的处理时间(例如0.1～1.3秒)而进行调整。当未在极薄铜层的表面设置粗化处理层时，可通过使用将Ni的浓度设为其他元素的2倍以上的镀浴，以较以往更低的电流密度(0.1～1.3A/dm²)，并且将处理时间设定为长于以往的处理时间(20秒～40秒)，对极薄铜层、或耐热层、或防锈层、或铬酸盐层、或硅烷偶联层的表面镀敷Ni合金(例如镀敷Ni-W合金、镀敷Ni-Co-P合金、镀敷Ni-Zn合金)而达成。

如果极薄铜层表面的色差即基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为45以上，则例如当在附载体铜箔的极薄铜层表面形成电路时，极薄铜层与电路的对比度变得鲜明，其结果为视认性变得良好，可精度良好地进行电路的位置对准。极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab优选50以上，更优选55以上，进而更优选60以上。

当以所述方式控制极薄铜层表面的色差时，与电路镀层的对比度变得鲜明，视认性变得良好。因此，在如上所述的印刷配线板的例如图1-C所示的制造步骤中，可在特定位置精度良好地形成电路镀层。另外，通过如上所述的印刷配线板的制造方法，是采用将电路镀层埋入至树脂层中的构成，因此当利用例如图4-J所示的闪蚀去除极薄铜层时，电路镀层受到树脂层保护，其形状得以保持，由此微细电路的形成变得容易。另外，由于电路镀层受到树脂层保护，因此耐迁移性提高，可良好地抑制电路配线的导通。因此，微细电路的形成变得容易。另外，当如图4-J及图4-K所示，通过闪蚀去除极薄铜层时，电路镀层的露出面成为自树脂层凹陷的形状，因此变得容易在该电路镀层上形成凸块，进而在该凸块上形成铜柱，制造效率提高。

此外，嵌入树脂(resin)可使用公知的树脂、预浸料。例如，可使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸BT树脂而成的玻璃布的预浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述嵌入树脂(resin)可使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料。

另外，所述第一层所使用的附载体铜箔可在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层所使用的附载体铜箔受到支持，变得不易起皱，因此具有生产性提高的优点。此外，所述基板或树脂层只要发挥支持所述第一层所使用的附载体铜箔的效果，则可使用全部基板或树脂层。例如作为所述基板或树脂层，可使用本申请说明书所记载的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物板、无机化合物箔、有机化合物板、有机化合物箔。

可将本发明的表面处理铜箔自表面处理层侧贴合于树脂基板而制造积层板。树脂基板只要具有可应用于印刷配线板等的特性，则不受特别限制，例如，刚性PWB用可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、氟树脂含浸布、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，柔性印刷基板(FPC)用可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、氟树脂及氟树脂-聚酰亚胺复合材等。此外，由于液晶聚合物(LCP)介电损耗较小，因此高频电路用途的印刷配线板优选使用液晶聚合物(LCP)膜。

当为刚性PWB用时，贴合的方法为使玻璃布等基材含浸树脂，准备将树脂硬化至半硬化状态而成的预浸料。可通过将铜箔重叠于预浸料上并进行加热加压而进行。当为FPC时，经由接着剂、或不使用接着剂而在高温高压下将液晶聚合物或聚酰亚胺膜等基材积层接着于铜箔，或涂布聚酰亚胺前驱物并进行干燥、硬化等，由此可制造积层板。

本发明的积层板可用于各种印刷配线板(PWB)，并无特别限制，例如，就导体图案的层数的观点而言，可应用于单面PWB、两面PWB、多层PWB(3层以上)，就绝缘基板材料的种类的观点而言，可应用于刚性PWB、柔性PWB(FPC)、软硬复合PWB。

通过在本发明的印刷配线板搭载电子零件类来完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”也包括如此被搭载电子零件类的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。

另外，可使用该印刷配线板制作电子机器，也可使用该被搭载电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可使用该被搭载电子零件类的印刷基板制作电子机器。

进而，通过在本发明的印刷配线板搭载电子零件类来完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”也包括如此被搭载电子零件类的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。

另外，可使用该印刷配线板制作电子机器，也可使用该被搭载电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可使用该被搭载电子零件类的印刷基板制作电子机器。

另外，本发明的印刷配线板的制造方法可为包括如下步骤的印刷配线板的制造方法(空心法)：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；在与所述树脂基板进行积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的相反侧的附载体铜箔的表面进行至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；以及在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层自所述附载体铜箔剥离的步骤。关于该空心法，作为具体的例，首先，将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板进行积层。其后，在与树脂基板进行积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。可进一步自载体侧或极薄铜层侧，在形成于载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层积层另一个附载体铜箔。此时，是采用如下构成：以树脂基板为中心，在该树脂基板的两表面侧，按照载体/中间层/极薄铜层的顺序或极薄铜层/中间层/载体的顺序积层有附载体铜箔。可在两端的极薄铜层或载体露出的表面设置另一层树脂层，并进一步设置铜层或金属层后，通过对该铜层或金属层进行加工而形成电路。还可以在该电路上，以埋没该电路的方式设置另一层树脂层。另外，此种电路及树脂层的形成可进行1次以上(增层法)。然后，关于由此形成的积层体(以下也称为积层体B)，自载体或极薄铜层将各附载体铜箔的极薄铜层或载体剥离而可制作空心基板。此外，上文所述的空心基板的制作也可使用两块附载体铜箔，制作下文所述的具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并将该积层体用于中心。在这些积层体(以下也称为积层体A)两侧的极薄铜层或载体的表面进行1次以上设置树脂层及电路这两层的设置，在进行1次以上设置树脂层及电路这两层后，自载体或极薄铜层将各附载体铜箔的极薄铜层或载体剥离，而可制作空心基板。上文所述的积层体还可在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。此外，在本说明书中，当极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层时，“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”是设为包括该其他层的表面(最表面)的概念。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于，当使用该积层体制作空心基板时，由于在空心基板侧配置极薄铜层，因此使用改良式半加成法容易在空心基板上形成电路。另外，其原因在于，由于极薄铜层的厚度较薄，因此容易去除该极薄铜层，在去除极薄铜层后，使用半加成法，容易在空心基板上形成电路。

此外，在本说明书中，未特别记载为“积层体A”或“积层体B”的“积层体”表示至少包括积层体A及积层体B的积层体。

此外，在所述空心基板的制造方法中，通过以树脂覆盖附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部，当利用增层法制造印刷配线板时，可防止药液渗入构成中间层或积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，而可防止因药液渗入引起的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，从而可提高良率。作为这里所使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可使用可用于树脂层的树脂。另外，在所述空心基板的制造方法中，附载体铜箔或积层体可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分由树脂或预浸料覆盖。另外，利用所述的空心基板的制造方法所形成的积层体(积层体A)可使一对附载体铜箔以互相可分离的方式进行接触而构成。另外，该附载体铜箔可为俯视时，附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周整体由树脂或预浸料覆盖而成的附载体铜箔。通过采用此种构成，当俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸料所覆盖，可防止其他构件自该部分的侧方向、即相对于积层方向为横向的方向进行撞击，结果可减少操作中载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。另外，通过以不露出附载体铜箔或积层体的积层部分的外周的方式覆盖树脂或预浸料，可防止如上文所述的药液处理步骤中药液对该积层部分的界面的渗入，从而可防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，当自积层体的一对附载体铜箔分离其中一附载体铜箔时，或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，需要通过切割等去除由树脂或预浸料所覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)。

可将本发明的附载体铜箔自载体侧或极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可为视需要而经由接着剂，将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面直接积层而得的积层体。另外，可将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。这里，当载体或极薄铜层具有表面处理层时，该“接合”也包括介隔该表面处理层而互相接合的态样。另外，该积层体的端面的一部分或全部可被树脂覆盖。

载体彼此的积层除了简单地重叠以外，例如可通过以下方法进行。

(a)冶金接合方法：熔焊(弧焊、TIG(钨极惰性气体，tungsten inert gas)焊接、MIG(金属惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊)、加压焊接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、软焊；

(b)机械接合方法：敛缝、利用铆钉的接合(利用自冲铆钉的接合、利用铆钉的接合)、钉箱机(stitcher)；

(c)物理接合方法：接着剂、(双面)胶带

通过使用所述接合方法将一个载体的一部分或全部与另一个载体的一部分或全部进行接合，可制造将一个载体与另一个载体进行积层、使载体以彼此可分离的方式接触而构成的积层体。当将一个载体与另一个载体较弱地接合而将一个载体与另一个载体进行积层时，即便不去除一个载体与另一个载体的接合部，一个载体与另一个载体也可分离。另外，当将一个载体与另一个载体较强地接合时，通过利用切割或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除将一个载体与另一个载体接合的部位，可将一个载体与另一个载体分离。

另外，通过实施如下步骤，可制作印刷配线板：在以上述方式构成的积层体上进行至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；及在至少1次形成所述树脂层及电路这两层后，自所述积层体的附载体铜箔剥离所述极薄铜层或载体的步骤。此外，可在该积层体的其中一个表面或两个表面设置树脂层与电路这两层。

【实施例】

作为实施例1～11及比较例1～10，准备表1所记载的厚度的铜箔，对其中一个表面分别进行如表1所示的镀敷处理或溅镀处理，而制作金属层(粗化处理层、加热变色防止层、防锈层、或硅烷偶联层)。这里，使用JX日鉱日石金属公司制造的精铜(JIS H3100C1100R)的压延铜箔作为实施例1～4及7～11、17、18、比较例1～4及7～10的铜箔。另外，使用JX日鉱日石金属公司制造的电解铜箔HLP箔作为实施例5～6、比较例5～6的铜箔。

另外，准备以下所记载的附载体铜箔作为实施例12～16的铜箔基材，对其中一个表面分别进行如表1所示的镀敷处理或溅镀处理来作为金属层(粗化处理层、加热变色防止层、防锈层、或硅烷偶联层)。

关于实施例12～14、16，准备厚度为18μm的电解铜箔作为载体，关于实施例15，准备厚度为18μm的压延铜箔(JX日鉱日石金属制造的C1100R)作为载体。然后，在下述条件下，在载体的表面形成中间层，并且在中间层的表面形成极薄铜层。

·实施例12

＜中间层＞

(1)Ni层(镀Ni)

在以下条件下，利用辊对辊型连续镀敷线对载体进行电镀，由此形成1000μg/dm²的附着量的Ni层。将具体的镀敷条件记于以下。

硫酸镍：270～280g/L

氯化镍：35～45g/L

乙酸镍：10～20g/L

硼酸：30～40g/L

光泽剂：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：55～75ppm

pH值：4～6

浴温：55～65℃

电流密度：10A/dm²

(2)Cr层(电解铬酸盐处理)

其次，对(1)中所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，继续于辊对辊型连续镀敷线上，在以下条件下，通过电解铬酸盐处理而使11μg/dm²的附着量的Cr层附着于Ni层上。

重铬酸钾1～10g/L、锌0g/L

pH值：7～10

液温：40～60℃

电流密度：2A/dm²

＜极薄铜层＞

再次，对(2)中所形成的Cr层表面进行水洗及酸洗后，继续于辊对辊型连续镀敷线上，在以下条件下，通过电镀而在Cr层上形成厚度为1.5μm的极薄铜层，从而制作附载体极薄铜箔。

铜浓度：90～110g/L

硫酸浓度：90～110g/L

氯化物离子浓度：50～90ppm

整平剂1(双(3-磺丙基)二硫化物)：10～30ppm

整平剂2(胺化合物)：10～30ppm

此外，使用下述胺化合物作为整平剂2。

(所述化学式中，R₁及R₂是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的群中的基团)

电解液温度：50～80℃

电流密度：100A/dm²

电解液线速度：1.5～5m/sec

·实施例13

＜中间层＞

(1)Ni-Mo层(镀镍钼合金)

在以下条件下，利用辊对辊型连续镀敷线对载体进行电镀，由此形成3000μg/dm²的附着量的Ni-Mo层。将具体的镀敷条件记于以下。

(液组成)硫酸Ni六水合物：50g/dm³、钼酸钠二水合物：60g/dm³、柠檬酸钠：90g/dm³

(液温)30℃

(电流密度)1～4A/dm²

(通电时间)3～25秒

＜极薄铜层＞

在(1)中所形成的Ni-Mo层上形成极薄铜层。将极薄铜层的厚度设为2μm，除此以外，在与实施例12相同的条件下形成极薄铜层。

·实施例14

＜中间层＞

(1)Ni层(镀Ni)

在与实施例12相同的条件下形成Ni层。

(2)有机物层(有机物层形成处理)

其次，对(1)中所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，继续在下述条件下，对Ni层表面淋洗并喷雾20～120秒的液温为40℃、pH值为5的水溶液，由此形成有机物层，该水溶液含有浓度为1～30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)。

＜极薄铜层＞

在(2)中所形成的有机物层上形成极薄铜层。将极薄铜层的厚度设为3μm，除此以外，在与实施例12相同的条件下形成极薄铜层。

·实施例15、16

＜中间层＞

(1)Co-Mo层(镀钴钼合金)

在以下条件下，利用辊对辊型连续镀敷线对载体进行电镀，由此形成4000μg/dm²的附着量的Co-Mo层。将具体的镀敷条件记于以下。

(液组成)硫酸Co：50g/dm³、钼酸钠二水合物：60g/dm³、柠檬酸钠：90g/dm³

(液温)30℃

(电流密度)1～4A/dm²

(通电时间)3～25秒

＜极薄铜层＞

在(1)中所形成的Co-Mo层上形成极薄铜层。关于极薄铜层的厚度，实施例15是设为5μm，实施例16是设为3μm，除此以外，在与实施例12相同的条件下形成极薄铜层。

【表1】

其次，在表2的条件下，在所述压延铜箔、电解铜箔或附载体铜箔、或者该各铜箔上的基底层(金属层)上，将表面处理液涂布于铜箔的整个处理对象表面，进一步进行任意的水洗及脱液后加以干燥，由此形成表面处理层。

此外，“铬酸盐液的涂布方法”一栏的含义如以下所述。

“喷淋器”是使用喷雾嘴(池内股份有限公司制造的标准扇形喷嘴，喷角区分90°，喷量区分10)进行。

“辊”是使用聚乙烯醇制的海绵辊进行。

“刀片”是使用树脂制的刮刀(聚酯制，厚度0.35mm)进行。

“浸渍铬酸盐”是通过将铜箔于表2所记载的条件的铬酸盐液中浸渍2秒而进行。

“电解铬酸盐”是通过将铜箔浸渍于表2所记载的条件的铬酸盐液中，并且以电流密度2A/dm²在铜箔中流通1秒的电流而进行处理。

另外，“脱液方法”“脱液条件”一栏的含义如以下所述。

“辊”是指利用聚乙烯醇制的海绵辊进行脱液。另外，“脱液方法”为“辊”时的“脱液条件”是指铜箔每单位宽度的辊的挤压力。

“刀片”是指使用硅橡胶制的刮刀(厚度0.7mm)进行脱液。另外，“脱液方法”为“刀片”时的“脱液条件”是指刀片与铜箔的间隙的长度(距离)。

“气体吹送”是指通过自气体吹送喷嘴向铜箔吹送空气而进行脱液。将气体吹送喷嘴的气体喷出口与铜箔的距离设为50mm。另外，“脱液方法”为“气体吹送”时的“脱液条件”是指向铜箔吹送的气体的流量。

实施例17、18在形成所述的表面处理层后，通过进行以下的硅烷偶联处理而在该表面处理层的表面设置硅烷偶联层。

·实施例17

·所使用的硅烷：3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(甲基丙烯酰氧基系硅烷偶联剂)

·硅烷浓度：0.6vol％(剩余部分：水)

·处理温度：30～40℃

·处理时间：5秒

·硅烷处理后的干燥：100℃×3秒

·实施例18

·所使用的硅烷：N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(氨基系硅烷偶联剂)

·硅烷浓度：5.0vol％(剩余部分：水)

·处理温度：45～55℃

·处理时间：5秒

·硅烷处理后的干燥：100℃×3秒

【表2】

如下述般对以上述方式制作的实施例及比较例的各样品进行各种评价。

·金属层的金属附着量：

(1)Ni、Co、W、Mo附着量

关于金属层的各种金属的附着量的测定，是将50mm×50mm的铜箔表面的皮膜溶解于将HNO₃(2重量％)与HCl(5重量％)加以混合而成的溶液中，利用ICP发光分光分析装置(SII NanoTechnology股份有限公司制造，SFC-3100)对该溶液中的金属浓度进行定量，计算并导出每单位面积的金属量(μg/dm²)。此时，为了避免与要测定的面为相反面的金属附着量混入，视需要进行遮蔽而进行分析。再者，当铜箔表面的皮膜难以溶解于所述的溶液时，可使用将硝酸的浓度为60质量％的硝酸水溶液与水以体积比率为1:2的方式混合而成的硝酸水溶液，将铜箔表面的皮膜溶解，之后，以与上述相同的方法进行测定。

(2)Zn及Cr附着量：

在浓度10％的盐酸煮沸3分钟而使处理层溶解，通过原子吸光分析对该溶液进行分析，对Zn附着量以及三价及六价铬附着量(三价及六价铬的合计附着量)进行评价。

另外，六价铬的附着量是通过二苯卡巴肼(diphenyl carbazid)吸光光度法，以如下方式进行测定。

将作为样品的铜箔5g裁小放入50mL的纯水中，煮沸5分钟而浸出。其后，向煮沸浸出而得的液体中加入纯水，使体积成为100mL后，使用该获得的液体，其后按照JIS K0102的65.2中所记载的“铬(VI)[Cr(VI)]”所记载的六价铬(铬(VI))的定量法中的“65.2.1二苯卡巴肼吸光度法”，对六价铬进行测定。

此外，不进行“65.2.1c)操作1)”的中和，使用所述获得的液体作为“2)”的“烧杯(A)的溶液”及“3)”的“烧杯(B)的溶液”，进行“65.2.1c)2)”之后的操作。

此外，吸光光度计是使用日立制作所制造的220A型。吸光度的测定波长是设为540nm，试样槽是使用玻璃制的光程长度为10mm的槽。

三价铬的附着量是通过利用所述原子吸光分析所测定的三价铬与六价铬的合计附着量的值减去利用所述二苯卡巴肼吸光光度法所测定的六价铬的附着量的值而算出。

·由铬氧化物所形成的表面处理层：

利用ESCA对表面及深度方向的元素进行分析，当在表面或相同深度检测出铬与氧时，判断为具有由铬氧化物所形成的表面处理层。此外，对上文所述的各实施例、比较例均进行利用ESCA的表面分析，结果均检测出铬与氧，因此各实施例、比较例的铜箔具有由铬氧化物所形成的表面处理层。

·表面处理层的厚度：

表面处理层的厚度是根据三价铬的附着量，将密度设为7.2g/cm³而进行换算。换算式如以下所述。

表面处理层的厚度(nm)＝三价铬的附着量(μg/dm²)/三价铬的密度7.2g/cm³×0.1(nm×(g/cm³)/(μg/dm²))

·于硝酸的溶出量：

对试样施加250℃×10分钟的热处理后，在使用遮蔽胶带仅使表面处理层的表面露出25cm²的状态，于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴中浸渍30秒。其后，对试样于硝酸浴的溶出量(g/25cm²)进行测定。

此外，溶出量是利用下式而算出。

溶出量(g/25cm²)＝施加250℃×10分钟的热处理后浸渍于硝酸浴之前的试样的重量(g)－施加250℃×10分钟的热处理后在使用遮蔽胶带仅使表面处理层的表面露出25cm²的状态于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴浸渍30秒后的试样的重量(g)

所述试样的重量是利用电子天平测定到小数点后4位(0.1mg)。

·剥离强度：

按照IPC-TM-650，利用拉伸试验机Autograph 100测定常态剥离强度，以所述常态剥离强度为0.7kN/mm以上作为可用于覆铜积层基板用途的样品。

·PCT(高压蒸煮试验)：

作为高压蒸煮试验，在121℃、两个大气压下处理48小时，使用耐久试验后的试片，通过JIS-K7054的方法测定拉伸强度。

·传输损耗

关于18μm厚的各样品，将铜箔经表面处理之侧的表面与树脂基板(LCP：液晶聚合物树脂(Kuraray股份有限公司制造的Vecstar CTZ-50μm(厚度)))贴合后，通过蚀刻，以特性阻抗成为50Ω的方式形成微带线，使用HP公司制造的网络分析仪HP8720C测定透过系数，求出频率20GHz下的传输损耗。此外，铜箔的厚度未达18μm的样品是在将铜箔贴合于树脂基板后(其后，当铜箔具有载体时为自铜箔剥离载体后)，以铜箔与镀铜的合计厚度成为18μm的方式对铜箔的表面进行镀铜后进行所述的测定。

此外，传输损耗是利用下式而算出。

传输损耗(dB/10cm)＝10×log₁₀(输出功率/输入功率)

将所述各试验的条件及评价示于表3。另外，将剥离强度的合格基准示于表4。

【表3】

【表4】

根据表3，关于实施例1～18，当施加250℃×10分钟的热处理后，以仅露出所述表面处理层的表面的状态于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴浸渍30秒时，铜于硝酸浴中的溶出量均为0.0030g/25cm²以下，剥离强度均良好。

另一方面，关于比较例1～5、10，当施加250℃×10分钟的热处理后，以仅露出所述表面处理层的表面的状态于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴浸渍30秒时，铜于硝酸浴中的溶出量均超过0.0030g/25cm²，剥离强度均不良。

另外，比较例6由于金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量未达200μg/dm²，因此剥离强度不良。

另外，比较例7～9由于金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量超过2000μg/dm²，因此剥离强度不良，传输损耗较大。

Claims (56)

1.一种表面处理铜箔，其依序具有：铜箔、含有一种以上选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的金属层、及以铬氧化物形成的表面处理层，

所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～2000μg/dm²，

施加250℃×10分钟的热处理后，以仅露出所述表面处理层的表面的状态于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴浸渍30秒时，铜于硝酸浴的溶出量为0.0030g/25cm²以下。

2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～1500μg/dm²。

3.根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～1000μg/dm²。

4.根据权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～700μg/dm²。

5.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，在所述表面处理层中，六价铬的附着量为三价铬的附着量的0.1％以下。

6.根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，在所述表面处理层中，六价铬的附着量为三价铬的附着量的0.1％以下。

7.根据权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，在所述表面处理层中，六价铬的附着量为三价铬的附着量的0.1％以下。

8.根据权利要求4所述的表面处理铜箔，其中，在所述表面处理层中，六价铬的附着量为三价铬的附着量的0.1％以下。

9.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

10.根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

11.根据权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

12.根据权利要求4所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

13.根据权利要求5所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

14.根据权利要求6所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

15.根据权利要求7所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

16.根据权利要求8所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述金属层含有加热变色防止层及/或防锈层。

18.根据权利要求17所述的表面处理铜箔，其中，所述加热变色防止层与防锈层分别为Zn、Cu或这些金属的合金。

19.根据权利要求17所述的表面处理铜箔，其中，所述防锈层含有铬酸盐层或铬酸锌层。

20.根据权利要求18所述的表面处理铜箔，其中，所述防锈层含有铬酸盐层或铬酸锌层。

21.根据权利要求1至16中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述金属层含有硅烷偶联层。

22.根据权利要求1至16中任一项所述的表面处理铜箔，其在所述表面处理层上形成有硅烷偶联层。

23.根据权利要求1至16中任一项所述的表面处理铜箔，其在所述表面处理层的表面具备树脂层。

24.根据权利要求22所述的表面处理铜箔，其在所述硅烷偶联层的表面具备树脂层。

25.根据权利要求23所述的表面处理铜箔，其中，所述树脂层含有电介质。

26.根据权利要求24所述的表面处理铜箔，其中，所述树脂层含有电介质。

27.一种表面处理铜箔，其依序具有：铜箔、含有一种以上选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的金属层、及以铬氧化物形成的表面处理层，

施加250℃×10分钟的热处理后，以仅露出所述表面处理层的表面的状态于浓度为20mass％且温度为25℃的硝酸浴浸渍30秒时，铜于硝酸浴的溶出量为0.0030g/25cm²以下，

该表面处理铜箔满足下述(1)～(7)中至少一个条件：

(1)满足下述(1-1)～(1-4)中任一项

(1-1)所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～2000μg/dm²，

(1-2)所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～1500μg/dm²，

(1-3)所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～1000μg/dm²，

(1-4)所述金属层中选自由Ni、Co、Zn、W、Mo及Cr所组成的群中的元素的合计附着量为200～700μg/dm²，

(2)在所述表面处理层中，六价铬的附着量为三价铬的附着量的0.1％以下，

(3)所述表面处理层的厚度为0.1～2.5nm，

(4)所述金属层含有加热变色防止层及/或防锈层，或者，所述金属层含有加热变色防止层及防锈层，所述加热变色防止层与防锈层分别为Zn、Cu或这些金属的合金，

(5)所述金属层含有防锈层，所述防锈层含有铬酸盐层或铬酸锌层，

(6)所述金属层含有硅烷偶联层，

(7)在所述表面处理层上形成有硅烷偶联层或树脂层，或者，在所述表面处理层上形成有硅烷偶联层，在所述硅烷偶联层的表面具备树脂层。

28.一种附载体铜箔，其于载体的其中一面或两面依序具有中间层、极薄铜层，且所述极薄铜层为权利要求1至27中任一项所述的表面处理铜箔。

29.根据权利要求28所述的附载体铜箔，其中，在所述载体的其中一面依序具有所述中间层、所述极薄铜层，且在所述载体的另一面具有粗化处理层。

30.一种积层体，其是权利要求1至27中任一项所述的表面处理铜箔与树脂基板的积层体。

31.根据权利要求30所述的积层体，其中，所述表面处理铜箔与所述树脂基板是未经由接着剂而积层。

32.一种积层体，其是权利要求28或29所述的附载体铜箔与树脂基板的积层体。

33.一种积层体，其含有权利要求28或29所述的附载体铜箔与树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

34.一种积层体，其是将一个权利要求28或29所述的附载体铜箔自所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个权利要求28或29所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。

35.根据权利要求34所述的积层体，其是将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面，视需要经由接着剂直接进行积层而构成。

36.根据权利要求34所述的积层体，其是将所述一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层接合。

37.根据权利要求35所述的积层体，其是将所述一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层接合。

38.根据权利要求34所述的积层体，其端面的一部分或全部被树脂覆盖。

39.根据权利要求36所述的积层体，其端面的一部分或全部被树脂覆盖。

40.一种印刷配线板的制造方法，其使用权利要求30至39中任一项所述的积层体。

41.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：在权利要求32至39中任一项所述的积层体进行至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；及

在至少1次形成所述树脂层及电路这两层后，将所述极薄铜层或所述载体自所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。

42.一种印刷配线板，其以权利要求30至39中任一项所述的积层体作为材料。

43.一种电子机器，其具备有权利要求42所述的印刷配线板。

44.一种表面处理铜箔的制造方法，其是权利要求1至27中任一项所述的表面处理铜箔的制造方法，其具备下述步骤：将铬酸盐液设置于铜箔的整个处理对象表面的步骤；及将铬酸盐液设置于铜箔表面后，在不进行水洗的情况下加以干燥，由此形成铬氧化物的表面处理层的步骤。

45.根据权利要求44所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，在形成所述铬氧化物的表面处理层的步骤中，将铬酸盐液设置于铜箔表面后进行脱液，然后在不进行水洗的情况下加以干燥，由此形成铬氧化物的表面处理层。

46.根据权利要求45所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，将所述铬酸盐液设置于铜箔表面的量在所述脱液后为5～20mg/dm²。

47.根据权利要求45所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，所述脱液是通过辊、刀片及/或气体的吹送而进行。

48.根据权利要求46所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，所述脱液是通过辊、刀片及/或气体的吹送而进行。

49.根据权利要求44所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，将所述铬酸盐液设置于铜箔的整个处理对象表面的步骤是通过利用喷淋器将铬酸盐液涂布于所述铜箔表面而进行。

50.根据权利要求44所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，将所述铬酸盐液设置于铜箔的整个处理对象表面的步骤是通过利用辊将铬酸盐液涂布于所述铜箔表面而进行。

51.根据权利要求44所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，所述铬酸盐液的pH值为1～10。

52.根据权利要求51所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，所述铬酸盐液的pH值为4～10。

53.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：准备权利要求28或29所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；以及

于将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层体，

其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良式半加成法中的任一种方法形成电路的步骤。

54.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：在权利要求28或29所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；

以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；

在所述树脂层上形成电路的步骤；

在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；以及

在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或所述载体，由此使形成于所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且埋没于所述树脂层的电路露出的步骤。

55.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：将权利要求28或29所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；

在所述附载体铜箔的与树脂基板积层之侧的相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面进行至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；以及

在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层自所述附载体铜箔剥离的步骤。

56.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：将权利要求28或29所述的附载体铜箔的所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；

在所述附载体铜箔的与树脂基板积层之侧的相反侧的极薄铜层侧表面进行至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；以及

在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述极薄铜层自所述附载体铜箔剥离的步骤。