KR20140053797A

KR20140053797A - 캐리어가 부착된 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 프린트 회로판, 및 프린트 배선판의 제조 방법

Info

Publication number: KR20140053797A
Application number: KR1020130128013A
Authority: KR
Inventors: 데루마사 모리야마; 가즈히코 사카구치; 도모타 나가우라; 미치야 고히키
Original assignee: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2012-10-26
Filing date: 2013-10-25
Publication date: 2014-05-08
Also published as: CN103786389B; JP5358740B1; MY157604A; KR101569253B1; CN103786389A; TWI564144B; TW201431678A; JP2014100905A

Abstract

과제
극박 동층 및 캐리어의 종류, 및 그들의 두께에 대하여 제한받지 않고, 양호하게 동박의 휨이 억제된 캐리어가 부착된 동박을 제공한다.
해결 수단
동박 캐리어와, 동박 캐리어 상에 적층된 중간층과, 중간층 상에 적층된 극박 동층을 구비한 캐리어가 부착된 동박으로서, 캐리어가 부착된 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2)×D] 이, 0 (㎛ㆍ㎫) 이상 155 (㎛ㆍ㎫) 이하인 캐리어가 부착된 동박.

Description

캐리어가 부착된 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 프린트 회로판, 및 프린트 배선판의 제조 방법{COPPER FOIL WITH CARRIER, AND COPPER CLAD LAMINATE, PRINTED WIRING BOARD AND PRINTED CIRCUIT BOARD USING THE SAME, AND METHOD FOR MAUNFACTURING PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은, 캐리어가 부착된 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 프린트 회로판, 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.

프린트 배선판은 지난 반세기에 걸쳐 큰 진전을 이루어, 오늘날에는 거의 모든 전자 기기에 사용되기에 이르렀다. 최근의 전자 기기의 소형화, 고성능화 요구의 증대에 수반하여, 탑재 부품의 고밀도 실장화나 신호의 고주파화가 진전되고, 프린트 배선판에 대해 도체 패턴의 미세화 (파인 피치화) 나 고주파 대응 등이 요구되고 있으며, 특히 프린트 배선판 상에 IC 칩을 얹는 경우, L/S = 20 ㎛/20 ㎛ 이하의 파인 피치화가 요구되고 있다.

프린트 배선판은, 먼저, 동박과 유리 에폭시 기판, BT 수지, 폴리이미드 필름 등을 주된 것으로 하는 절연 기판을 첩합 (貼合) 한 구리 피복 적층체로서 제조된다. 첩합은 절연 기판과 동박을 중첩하여 가열 가압시켜 형성하는 방법 (라미네이트법), 또는 절연 기판 재료의 전구체인 바니시를 동박의 피복층을 갖는 면에 도포하고, 가열ㆍ경화시키는 방법 (캐스팅법) 이 사용된다.

파인 피치화에 수반하여 구리 피복 적층체에 사용되는 동박의 두께도 9 ㎛, 나아가서는 5 ㎛ 이하가 되는 등, 박 두께가 얇아지고 있다. 그런데, 박 두께가 9 ㎛ 이하가 되면 전술한 라미네이트법이나 캐스팅법으로 구리 피복 적층체를 형성할 때의 핸들링성이 매우 악화된다. 그래서, 두께가 있는 금속박을 캐리어로서 이용하고, 이것에 박리층을 개재하여 극박 동층을 형성한 캐리어가 부착된 동박이 등장하고 있다. 극박 동층의 표면을 절연 기판에 첩합하여 열 압착한 후에, 캐리어를 박리층을 개재하여 박리한다는 것이 캐리어가 부착된 동박의 일반적인 사용 방법이다.

그러나, 동박과 절연 기판을 첩합할 때, 동박의 휨이 극단적으로 큰 경우에 동박의 반송 장치가 문제를 일으켜 정지하거나, 동박이 걸려 접힘ㆍ주름이 되는 등, 핸들링상의 문제, 즉 생산 기술적인 문제가 발생하는 경우가 있다. 또, 동박의 휨에서 기인하여 완성된 구리 피복 적층체에도 휨이 잔류하는 경우가 있어, 구리 피복 적층체를 사용하는 다음 공정에서 문제가 발생할 가능성이 있다. 두께가 9 ㎛ 이상인 일반적인 (캐리어가 부착되어 있지 않은) 동박은 기계적 특성, 결정 조직 등이 두께 방향에서 균질한 재료이기 때문에, 또한 두께가 있음으로 인해 고강성이기 때문에, 휨이 커지는 경우는 적다. 한편, 캐리어가 부착된 동박은, 전술한 바와 같이 캐리어박, 박리층, 극박 동층으로 이루어지는 복합체이기 때문에, 이들 구성 요소 각각의 기계적 특성 또는 결정 조직의 차이 등으로 인해 휨이 커지기 쉬운 경향이 있다.

이와 같은 문제에 대해, 예를 들어 특허문헌 1 에는 복합박이 캐리어 동박/유기 박리층/극박 전해 동박의 3 층 구조를 갖는 캐리어 동박이 부착된 극박 전해 동박으로, 당해 복합박을 분위기 온도 120 ℃ ∼ 250 ℃ 에서 1 시간 ∼ 10 시간 가열 처리하는 것을 특징으로 하는 복합박의 컬 교정 방법이 개시되어 있다. 그리고, 이와 같은 구성에 의하면, 복합박에 발생한 컬을 유분의 부착이나 스크래치 등의 데미지를 부여하지 않고 교정하는 방법과, 컬이 교정된 복합박을 제공할 수 있다고 기재되어 있다.

일본 공개특허공보 2011-68142호

그러나, 특허문헌 1 에 기재된 기술에서는, 캐리어가 부착된 동박의 제조 직후의 휨을 열처리에 의해 교정할 뿐, 캐리어가 부착된 동박 제조 단계에서의 휨 발생 자체를 방지하는 것은 아니다. 캐리어가 부착된 동박 제조시에 발생하는 휨은, 동박 제조자에게 있어서도 제조 공정 중의 핸들링에 지장을 초래하는 경우가 있으므로 캐리어가 부착된 동박 제조 단계에서의 휨을 저감시키는 것이 보다 중요하다. 그리고, 캐리어가 부착된 동박 제조 단계에서의 휨 저감은, 열처리에 의한 추가적인 휨 교정 공정을 불필요로 하는 제조 비용 삭감의 관점에서도 바람직하다. 또, 특허문헌 1 에 기재된 방법에서는, 극박 동층 및 캐리어의 종류, 및, 그들의 두께에 대해, 동박의 휨 억제가 가능한 것이 제한될 우려가 있다.

그래서, 본 발명은, 극박 동층 및 캐리어의 종류, 및, 그들의 두께에 대해 제한되지 않고, 양호하게 동박의 휨이 억제된 캐리어가 부착된 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 프린트 회로판, 및, 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 것도 과제로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명자는 예의 연구를 거듭한 결과, 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이 소정 값 이하인 것이 매우 효과적인 것을 알아냈다.

본 발명은 상기 지견을 기초로 하여 완성한 것으로, 일 측면에 있어서, 동박 캐리어와, 동박 캐리어 상에 적층된 중간층과, 중간층 상에 적층된 극박 동층을 구비한 캐리어가 부착된 동박으로서, 상기 캐리어가 부착된 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이, 0 (㎛·㎫) 이상 155 (㎛·㎫) 이하인 캐리어가 부착된 동박이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어가 부착된 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이, 0 (㎛·㎫) 보다 크고 155 (㎛·㎫) 이하이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이, 10 (㎛·㎫) 이상 135 (㎛·㎫) 이하이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이, 15 (㎛·㎫) 이상 130 (㎛·㎫) 이하이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 동박 캐리어가 전해 동박 또는 압연 동박으로 이루어진다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 중간층은, 동박 캐리어와의 계면에 접하고 있는 Ni 층과 극박 동층과의 계면에 접하고 있는 Cr 층으로 구성되고, 상기 중간층에 있어서의 Ni 의 부착량이 1 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하이고, 상기 중간층에 있어서의 Cr 의 부착량이 1 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하이며, 상기 중간층에는 추가로 1 ㎍/d㎡ 이상 70 ㎍/d㎡ 이하의 부착량으로 Zn 이 존재한다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 극박 동층의 두께가 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 극박 동층의 평균 결정립경이 15 ㎛ 미만이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 극박 동층 표면에 조화 처리층을 갖는다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 방청층 및 상기 내열층의 적어도 일방이, 니켈, 코발트, 구리, 아연에서 선택되는 1 개 이상의 원소를 함유한다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 방청층 및 상기 내열층의 적어도 일방이, 니켈, 코발트, 구리, 아연에서 선택되는 1 개 이상의 원소로 이루어진다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층 상에 상기 내열층을 갖는다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층 상에 상기 방청층을 갖는다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 방청층 상에 상기 크로메이트 처리층을 갖는다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 크로메이트 처리층 상에 상기 실란 커플링 처리층을 갖는다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 극박 동층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어가 부착된 동박을 가로세로 10 ㎝ 의 시트상으로 잘라내어 수평면 상에 정치 (靜置) 했을 때의 시트 네 모서리부의 수평면으로부터의 들뜸부 높이의 최대값이 10 ㎜ 이하이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 극박 동층 상에 수지층을 구비한다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층 상에 수지층을 구비한다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층 상에 수지층을 구비한다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 수지층이 유전체를 포함한다.

본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 제조한 구리 피복 적층판이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 제조한 프린트 배선판이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 제조한 프린트 회로판이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정, 상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지층을 형성하는 공정, 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정, 상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어를 박리시키는 공정, 및, 상기 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 극박 동층을 제거함으로써, 상기 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 상기 수지층 상에 다른 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 첩합하고, 상기 수지층에 첩합한 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 상기 회로를 형성하는 공정이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 상기 수지층 상에 첩합하는 다른 캐리어가 부착된 동박이, 청구항 1 ∼ 21 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시된다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어를 박리하기 전에, 캐리어가 부착된 동박의 캐리어측 표면에 기판을 형성하는 공정을 추가로 포함한다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 동박 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박은, 극박 동층 및 캐리어의 종류 및 그들의 두께에 대하여 제한받지 않고, 양호하게 동박의 휨을 억제할 수 있다.

도 1 의 A ∼ C 는 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 회로 도금·레지스트 제거까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 2 의 D ∼ F 는 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 수지 및 2 층째 캐리어가 부착된 동박 적층에서 레이저 천공까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 3 의 G ∼ I 는 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 비아 필 형성에서 1 층째 캐리어 박리까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 4 의 J ∼ K 는 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예에 관련된, 플래시 에칭에서 범프·구리 필러 형성까지의 공정에 있어서의 배선판 단면의 모식도이다.

＜1. 캐리어＞

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어로는 동박을 사용한다. 캐리어는 전형적으로는 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로는 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스강의 드럼 상에 구리를 전해 석출시켜 제조되며, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열처리를 반복하여 제조된다. 동박의 재료로는 터프 피치 구리나 무산소 구리와 같은 고순도의 구리 외에, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 콜슨계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다. 또한, 본 명세서에 있어서 용어 「동박」을 단독으로 사용했을 때에는 구리 합금박도 포함하는 것으로 한다.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 역할을 하는 데에 있어서 적합한 강성을 갖는 두께로 적절히 조절하면 되고, 예를 들어 12 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 지나치게 두꺼우면 생산 비용이 높아지므로 일반적으로는 35 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 12 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하이며, 보다 전형적으로는 18 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하이다.

＜2. 중간층＞

동박 캐리어 상에는 중간층을 형성한다. 동박 캐리어와 중간층 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 중간층은, 동박 캐리어 상에 니켈층 및 크로메이트층이 이 순서로 적층되어 구성할 수 있다. 니켈과 구리의 접착력은 크롬과 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 동층을 박리할 때에 극박 동층과 크롬의 계면에서 박리되게 된다. 또, 중간층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 동층으로 확산되어 가는 것을 방지하는 배리어 효과가 기대된다.

캐리어로서 전해 동박을 사용하는 경우에는, 핀 홀을 감소시키는 관점에서 샤이니면에 중간층을 형성하는 것이 바람직하다.

중간층 중 크로메이트층은 극박 동층의 계면에 얇게 존재하는 것이, 절연 기판에 대한 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 동층이 박리되지 않는 한편, 절연 기판에 대한 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 동층이 박리 가능하다는 특성을 얻는 데에 있어서 바람직하다. 니켈층을 형성하지 않고 크로메이트층을 캐리어와 극박 동층의 경계에 존재시킨 경우에는, 박리성은 거의 향상되지 않는다. 또, 크로메이트층이 없고, 니켈층과 극박 동층을 직접 적층한 경우에는, 니켈층에 있어서의 니켈량에 따라 박리 강도가 지나치게 강하거나 지나치게 약하거나 하여 적절한 박리 강도는 얻어지지 않는다.

크로메이트층이 캐리어와 니켈층의 경계에 존재하면, 극박 동층의 박리시에 중간층도 부수하여 박리되어 버리는, 즉 캐리어와 중간층 사이에서 박리가 생기게 되므로 바람직하지 않다. 이러한 상황은, 캐리어와의 계면에 크로메이트층을 형성한 경우뿐만 아니라, 극박 동층과의 계면에 크로메이트층을 형성하였더라도 크롬량이 지나치게 많으면 생길 수 있다. 이것은 구리와 니켈은 고용되기 쉽기 때문에, 이들이 접촉하고 있으면 상호 확산에 의해 접착력이 높아져 잘 박리되지 않게 되는 한편, 크롬과 구리는 잘 고용되지 않아 상호 확산이 잘 생기지 않기 때문에, 크롬과 구리의 계면에서는 접착력이 약하여 박리되기 쉬운 것이 원인이라고 생각된다. 또, 중간층의 니켈량이 부족한 경우, 캐리어와 극박 동층 사이에는 미량의 크롬밖에 존재하지 않기 때문에 양자가 밀착되어 잘 박리되지 않게 된다.

중간층에 있어서 니켈의 부착량이 1 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하, 크롬의 부착량이 1 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하이다. 니켈 및 크롬의 부착량이 증가함에 따라 극박 동층의 핀 홀의 수가 많아지는 경향이 있지만, 이 범위이면 핀 홀의 수도 억제된다. 극박 동층을 고르고 균일하게 박리하는 관점 및 핀 홀을 억제하는 관점에서는, 니켈의 부착량을 1000 ㎍/d㎡ 이상 10000 ㎍/d㎡ 이하, 크롬의 부착량을 10 ㎍/d㎡ 이상 60 ㎍/d㎡ 이하로 하는 것이 바람직하고, 니켈의 부착량을 2000 ㎍/d㎡ 이상 9000 ㎍/d㎡ 이하, 크롬의 부착량을 15 ㎍/d㎡ 이상 45 ㎍/d㎡ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서는 중간층이 미량의 Zn 을 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 핀 홀의 발생을 유의하게 저감시킬 수 있고, 나아가서는 적절한 박리 강도를 얻기가 용이해지므로, 품질 안정성에 크게 기여한다. 이론에 따라 본 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니지만, 이것은 중간층에 Zn 이 미량 존재함으로써, Cr 과 Zn 으로 이루어지는 산화막이 형성되어 중간층의 전기 전도도가 보다 균일해져, 전기 전도도가 극단적으로 높은 부분이나 전기 전도도가 극단적으로 낮은 부분이 없어진다. 그럼으로써, 극박 동층을 형성할 때의 구리의 전착 입자가 Cr 과 Zn 으로 이루어지는 산화막에 대하여 균일하게 부착되어, 박리 강도가 적절한 값이 되는 (극단적으로 박리 강도가 높아지거나, 극단적으로 박리 강도가 낮아지거나 하지 않게 되는) 것에 의하는 것으로 생각된다.

Zn 은 중간층 중 Ni 층 및 Cr 층 중 어느 일방의 층 또는 양방의 층에 존재할 수 있다. 예를 들어, Ni 층의 형성시에 도금액 중에 아연 성분을 첨가하여 니켈 아연 합금 도금함으로써, 아연을 함유하는 Ni 층이 얻어진다. 또, 크로메이트 처리액 중에 아연 성분을 첨가함으로써, 아연을 함유하는 Cr 층이 얻어진다. 단, 어느 경우라도 Zn 은 중간층 중에서 확산되기 때문에, Ni 층 및 Cr 층의 양자에 있어서 검출되는 것이 일반적이다. 또한, Cr 과 Zn 으로 이루어지는 산화막이 형성되기 쉬운 점에서 Zn 은 Cr 층에 존재하는 것이 바람직하다.

단, 중간층에 있어서의 Zn 의 부착량은, 지나치게 적으면 그 효과가 한정적이기 때문에, 1 ㎍/d㎡ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5 ㎍/d㎡ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 한편, 중간층에 있어서의 Zn 의 부착량은, 지나치게 많으면 박리 강도가 과대해지므로, 70 ㎍/d㎡ 이하로 하는 것이 바람직하고, 30 ㎍/d㎡ 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 20 ㎍/d㎡ 이하로 하는 것이 보다 더 바람직하다.

중간층은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 또는 이들의 합금, 또는 이들의 수화물, 또는 이들의 산화물, 혹은 유기물 중 어느 1 종 이상을 포함하는 층으로 형성되는 층이어도 된다. 또, 중간층은 복수의 층이어도 된다.

예를 들어, 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군 중 어느 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 그 다음에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군에서 선택된 1 종 이상의 원소의 수화물 또는 산화물 또는 유기물로 이루어지는 층으로 구성할 수 있다.

또, 예를 들어 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군 중 어느 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층, 그 다음에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군 중 어느 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 의 원소군에서 선택된 1 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층으로 구성할 수 있다.

＜3. 스트라이크 도금＞

중간층 상에는 극박 동층을 형성한다. 그 전에 극박 동층의 핀 홀을 저감시키기 위해서 중간층 상에 구리-인 합금에 의한 스트라이크 도금을 실시해도 된다. 스트라이크 도금의 처리액에는 피로인산구리 도금액 등을 사용할 수 있다. 이와 같이, 구리-인 합금에 의한 스트라이크 도금을 실시한 캐리어가 부착된 동박은, 중간층 표면과 극박 동층 표면의 양방에 인이 존재하게 된다. 이 때문에, 중간층/극박 동층 사이에서 박리시켰을 때, 중간층 및 극박 동층의 표면으로부터 인이 검출된다. 또, 스트라이크 도금에 의해 형성된 도금층은 얇아지기 때문에, FIB 나 TEM 등으로 단면 관찰을 하여, 중간층 상의 구리인 도금층의 두께가 0.1 ㎛ 이하인 경우에는 스트라이크 도금이라고 판정할 수 있다.

＜4. 극박 동층＞

중간층 상에는 극박 동층을 형성한다. 중간층과 극박 동층 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 극박 동층은, 황산구리, 피로인산구리, 술파민산구리, 시안화구리 등의 전해욕을 이용한 전기 도금에 의해 형성할 수 있으며, 일반적인 전해 동박에서 사용되고, 고전류 밀도에서의 동박 형성이 가능한 점에서 황산구리욕이 바람직하다. 극박 동층의 두께는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇고, 예를 들어 12 ㎛ 이하, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.5 ㎛ 이상 12 ㎛ 이하이며, 보다 전형적으로는 2 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하이다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층은, 극박 동층에 있어서 재결정 혹은 과도한 결정립 성장이 발생되는 가열 처리, 예를 들어 180 ℃ 이상에서 3 시간 이상의 가열 처리가 실시되어 있지 않은 것이다. 이와 같이 재결정 혹은 과도한 결정립 성장을 발생시키는 가열 처리가 이루어져 있지 않은 본 발명에 있어서의 극박 동층은 평균 결정립경이 전형적으로는 15 ㎛ 미만이다. 또, 극박 동층의 강도 향상 관점에서는, 평균 결정립경은 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이하, 더욱 더 바람직하게는 3 ㎛ 이하이다. 또, 이와 같이 재결정 혹은 과도한 결정립 성장을 발생시키는 가열 처리가 이루어져 있지 않은 본 발명에 있어서의 극박 동층의 평균 결정립경은 극박 동층의 두께보다 작은 경우가 많다. 또한, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층은, 상기 재결정 혹은 과도한 결정립 성장이 일어나지 않는 가열 처리이면 실시되어 있어도 된다.

<5. 조화 처리>

극박 동층의 표면에는, 예를 들어 절연 기판과의 밀착성을 양호하게 하는 것 등을 위해서 조화 처리를 실시함으로써 조화 처리층을 형성해도 된다. 조화 처리는, 예를 들어 구리 또는 구리 합금으로 조화 입자를 형성함으로써 실시할 수 있다. 조화 처리는 미세한 것이어도 된다. 조화 처리층은, 구리, 니켈, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬, 코발트 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 단체 또는 어느 1 종 이상을 함유하는 합금으로 이루어지는 층 등이어도 된다. 또, 구리 또는 구리 합금으로 조화 입자를 형성한 후, 추가로 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 2 차 입자나 3 차 입자를 형성하는 조화 처리를 실시할 수도 있다. 그 후, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 또는 방청층을 형성해도 되고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또는 조화 처리를 실시하지 않고, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 또는 방청층을 형성하고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 즉, 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 되고, 극박 동층의 표면에 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 된다. 또한, 상기 서술한 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층은 각각 복수의 층으로 형성되어도 된다 (예를 들어, 2 층 이상, 3 층 이상 등). 또, 각 층은 2 층, 3 층 등 복수의 층이어도 되고, 각 층을 적층하는 순서는 어떠한 순서여도 되고, 각 층을 교대로 적층해도 된다.

여기서, 내열층으로는 공지된 내열층을 사용할 수 있다. 또, 예를 들어 이하의 표면 처리를 사용할 수 있다.

내열층, 방청층으로는 공지된 내열층, 방청층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 층이어도 되고, 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소로 이루어지는 금속층 또는 합금층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 산화물, 질화물, 규화물을 함유해도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금을 함유하는 층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금층이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층은, 불가피 불순물을 제외하고, 니켈을 50 wt％ ∼ 99 wt％, 아연을 50 wt％ ∼ 1 wt％ 함유하는 것이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층의 아연 및 니켈의 합계 부착량이 5 ∼ 1000 ㎎/㎡, 바람직하게는 10 ∼ 500 ㎎/㎡, 보다 바람직하게는 20 ∼ 100 ㎎/㎡ 여도 된다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량과 아연의 부착량의 비 (＝ 니켈의 부착량/아연의 부착량) 가 1.5 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량은 0.5 ㎎/㎡ ∼ 500 ㎎/㎡ 인 것이 바람직하고, 1 ㎎/㎡ ∼ 50 ㎎/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 내열층 및/또는 방청층이 니켈-아연 합금을 함유하는 층인 경우, 스루홀이나 비아홀 등의 내벽부가 디스미어액과 접촉했을 때, 동박과 수지 기판의 계면이 디스미어액에 잘 침식되지 않아 동박과 수지 기판의 밀착성이 향상된다. 방청층은 크로메이트 처리층이어도 된다. 크로메이트 처리층에는 공지된 크로메이트 처리층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 크로메이트 처리층이란 무수 크롬산, 크롬산, 이크롬산, 크롬산염 또는 이크롬산염을 함유하는 액으로 처리된 층을 말한다. 크로메이트 처리층은 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄 등의 원소 (금속, 합금, 산화물, 질화물, 황화물 등 어떠한 형태여도 된다) 를 함유해도 된다. 크로메이트 처리층의 구체예로는, 순크로메이트 처리층이나 아연 크로메이트 처리층 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 무수 크롬산 또는 이크롬산칼륨 수용액으로 처리한 크로메이트 처리층을 순크로메이트 처리층이라고 한다. 또, 본 발명에 있어서는 무수 크롬산 또는 이크롬산칼륨 및 아연을 함유하는 처리액으로 처리한 크로메이트 처리층을 아연 크로메이트 처리층이라고 한다.

예를 들어 내열층 및/또는 방청층은, 부착량이 1 ㎎/㎡ ∼ 100 ㎎/㎡, 바람직하게는 5 ㎎/㎡ ∼ 50 ㎎/㎡ 의 니켈 또는 니켈 합금층과, 부착량이 1 ㎎/㎡ ∼ 80 ㎎/㎡, 바람직하게는 5 ㎎/㎡ ∼ 40 ㎎/㎡ 인 주석층을 순차 적층한 것이어도 되고, 상기 니켈 합금층은 니켈-몰리브덴, 니켈-아연, 니켈-몰리브덴-코발트의 어느 1 종에 의해 구성되어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은, 니켈 또는 니켈 합금과 주석의 합계 부착량이 2 ㎎/㎡ ∼ 150 ㎎/㎡ 인 것이 바람직하고, 10 ㎎/㎡ ∼ 70 ㎎/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 [니켈 또는 니켈 합금 중의 니켈 부착량]/[주석 부착량]＝0.25 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 0.33 ∼ 3 인 것이 보다 바람직하다. 당해 내열층 및/또는 방청층을 사용하면, 캐리어가 부착된 동박을 프린트 배선판으로 가공하여 이후의 회로의 인박 (引剝) 강도, 당해 인박 강도의 내약품성 열화율 등이 양호해진다.

또, 내열층 및/또는 방청층으로서, 부착량이 200 ∼ 2000 ㎍/dm² 인 코발트 - 50 ∼ 700 ㎍/dm² 인 니켈의 코발트-니켈 합금 도금층을 형성할 수 있다. 이 처리는 넓은 의미에서 일종의 방청 처리로 볼 수 있다. 이 코발트-니켈 합금 도금층은, 동박과 기판의 접착 강도를 실질적으로 저하시키지 않을 정도로 실시할 필요가 있다. 코발트 부착량이 200 ㎍/dm² 미만에서는, 내열 박리 강도가 저하되고, 내산화성 및 내약품성이 악화되는 경우가 있다. 또, 다른 이유로서 코발트량이 적으면 처리 표면이 적색으로 되어 버리기 때문에 바람직하지 않다.

실란 커플링 처리층으로는 공지된 내후성층을 사용할 수 있다. 또, 내후성층으로는, 예를 들어 공지된 실란 커플링 처리층을 사용할 수 있고, 또 이하의 실란을 사용하여 형성하는 실란 커플링 처리층을 사용할 수 있다.

실란 커플링 처리에 사용되는 실란 커플링제에는 공지된 실란 커플링제를 사용하면 되고, 예를 들어 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제, 메르캅토계 실란 커플링제를 사용하면 된다. 또, 실란 커플링제에는 비닐트리메톡시실란, 비닐페닐트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 4-글리시딜부틸트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)부톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등을 사용해도 된다.

상기 실란 커플링 처리층은, 에폭시계 실란, 아미노계 실란, 메타크릴옥시계 실란, 메르캅토계 실란 등의 실란 커플링제 등을 사용하여 형성해도 된다. 또한, 이와 같은 실란 커플링제는 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제를 사용하여 형성한 것인 것이 바람직하다.

여기서 말하는 아미노계 실란 커플링제란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 4-아미노부틸트리에톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리스(2-에틸헥속시)실란, 6-(아미노헥실아미노프로필)트리메톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 3-(1-아미노프로폭시)-3,3-디메틸-1-프로페닐트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리스(메톡시에톡시에톡시)실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, ω-아미노운데실트리메톡시실란, 3-(2-N-벤질아미노에틸아미노프로필)트리메톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, (N,N-디에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, (N,N-디메틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)부톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이어도 된다.

실란 커플링 처리층은, 규소 원자 환산으로 0.05 ㎎/㎡ ∼ 200 ㎎/㎡, 바람직하게는 0.15 ㎎/㎡ ∼ 20 ㎎/㎡, 바람직하게는 0.3 ㎎/㎡ ∼ 2.0 ㎎/㎡ 의 범위에서 형성되어 있는 것이 바람직하다. 전술한 범위인 경우, 기재 수지와 표면 처리 동박의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.

[극박 동층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링 처리층 상의 수지층]

또, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박은, 극박 동층 상에 조화 처리층을 구비해도 되고, 상기 조화 처리층 상에 내열층 및/또는 방청층을 구비해도 되며, 상기 내열층 및/또는 방청층 상에 크로메이트 처리층을 구비해도 되고, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 구비해도 된다.

또, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박은, 극박 동층 상에 내열층 및/또는 방청층을 구비해도 되고, 상기 내열층 및/또는 방청층 상에 크로메이트 처리층을 구비해도 되며, 상기 크로메이트 처리층 상에 실란 커플링 처리층을 구비해도 된다.

또, 상기 캐리어가 부착된 동박은 상기 극박 동층 상, 혹은 상기 조화 처리층 상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 크로메이트 처리층, 혹은 실란 커플링 처리층 상에 수지층을 구비해도 된다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 된다.

또한, 상기 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층을 형성하는 순서는 서로 한정되지 않고, 극박 동층 상, 혹은 조화 처리층 상에 어떠한 순서로 이들의 층을 형성해도 된다.

상기 수지층은 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 만져도 점착감은 없고, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 추가로 가열 처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.

상기 수지층은 접착용 수지, 즉 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 만져도 점착감은 없고, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 추가로 가열 처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.

또 상기 수지층은 열경화성 수지를 포함해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 수지층은 열가소성 수지를 포함해도 된다. 상기 수지층은 공지된 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또, 상기 수지층은 예를 들어 국제 공개 번호 WO2008/004399호, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 국제 공개 번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 일본 특허 제3184485호, 국제 공개 번호 WO97/02728, 일본 특허 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 일본 특허 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 일본 특허 제3992225호, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 일본 특허 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 일본 특허 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 일본 특허 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 일본 특허 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 일본 특허 제3949676호, 일본 특허 제4178415호, 국제 공개 번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 일본 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 일본 특허 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 일본 특허 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 일본 특허 제5180815호, 국제 공개 번호 WO2008/114858, 국제 공개 번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개 번호 WO2009/001850, 국제 공개 번호 WO2009/145179, 국제 공개 번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질 (수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 사용하여 형성해도 된다.

또, 상기 수지층은 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리말레이미드 화합물, 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르설폰이라고도 한다), 폴리에테르술폰 (폴리에테르술폰, 폴리에테르술폰이라고도 한다) 수지, 방향족 폴리아미드 수지, 방향족 폴리아미드 수지 폴리머, 고무성 수지, 폴리아민, 방향족 폴리아민, 폴리아미드이미드 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 페녹시 수지, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 비스말레이미드트리아진 수지, 열경화성 폴리페닐렌옥사이드 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카르복실산의 무수물, 다가 카르복실산의 무수물, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 (線狀) 폴리머, 폴리페닐렌에테르 수지, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 인 함유 페놀 화합물, 나프텐산망간, 2,2-비스(4-글리시딜페닐)프로판, 폴리페닐렌에테르-시아네이트계 수지, 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지, 시아노에스테르 수지, 포스파젠계 수지, 고무 변성 폴리아미드이미드 수지, 이소프렌, 수소 첨가형 폴리 부타디엔, 폴리비닐부티랄, 페녹시, 고분자 에폭시, 방향족 폴리아미드, 불소 수지, 비스페놀, 블록 공중합 폴리이미드 수지 및 시아노에스테르 수지의 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 수지를 바람직한 것으로서 들 수 있다.

또 상기 에폭시 수지는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로서, 전기·전자 재료 용도에 사용할 수 있는 것이면, 특별히 문제없이 사용할 수 있다. 또, 상기 에폭시 수지는 분자 내에 2 개 이상의 글리시딜기를 갖는 화합물을 사용하여 에폭시화한 에폭시 수지가 바람직하다. 또, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 비스페놀 AD 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 브롬화 (취소화) 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 고무 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, N,N-디글리시딜아닐린 등의 글리시딜아민 화합물, 테트라하이드로프탈산디글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 화합물, 인 함유 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있거나, 또는 상기 에폭시 수지의 수소 첨가체나 할로겐화체를 사용할 수 있다.

상기 인 함유 에폭시 수지로서 공지된 인을 함유하는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 인 함유 에폭시 수지는 예를 들어, 분자 내에 2 이상의 에폭시기를 구비하는 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터의 유도체로서 얻어지는 에폭시 수지인 것이 바람직하다.

(수지층이 유전체 (유전체 필러) 를 포함하는 경우)

상기 수지층은 유전체 (유전체 필러) 를 포함해도 된다.

상기 어느 수지층 또는 수지 조성물에 유전체 (유전체 필러) 를 포함시키는 경우에는, 커패시터층을 형성하는 용도에 사용하여, 커패시터 회로의 전기 용량을 증대시킬 수 있는 것이다. 이 유전체 (유전체 필러) 에는, BaTiO₃, SrTiO₃, Pb(Zr-Ti)O₃ (통칭 PZT), PbLaTiO₃·PbLaZrO (통칭 PLZT), SrBi₂Ta₂O₉ (통칭 SBT) 등의 페로브스카이트 구조를 갖는 복합 산화물의 유전체 분말을 사용한다.

유전체 (유전체 필러) 는 분상 (粉狀) 이어도 된다. 유전체 (유전체 필러) 가 분상인 경우, 이 유전체 (유전체 필러) 의 분체 특성은, 입경이 0.01 ㎛ ∼ 3.0 ㎛, 바람직하게는 0.02 ㎛ ∼ 2.0 ㎛ 의 범위의 것인 것이 바람직하다. 또한, 유전체를 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 사진 촬영하여, 당해 사진 상의 유전체의 입자 상에 직선을 그은 경우, 유전체의 입자를 가로지르는 직선의 길이가 가장 긴 부분의 유전체의 입자의 길이를 그 유전체의 입자의 직경으로 한다. 그리고, 측정 시야에 있어서의 유전체의 입자의 직경의 평균값을 유전체의 입경으로 한다.

전술한 수지층에 함유되는 수지 및/또는 수지 조성물 및/또는 화합물을 예를 들어 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로펜타논, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 시클로헥사논, 에틸셀로솔브, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 용제에 용해시켜 수지액 (수지 바니시) 으로 하고, 이것을 상기 표면 처리 동박의 조화 처리 표면 상에 예를 들어 롤 코터법 등에 의해 도포하고, 이어서 필요에 따라 가열 건조시켜 용제를 제거하여 B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들어 열풍 건조로를 사용하면 되며, 건조 온도는 100 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 200 ℃ 이면 된다. 상기 수지층의 조성물을, 용제를 사용하여 용해시켜, 수지 고형분 3 wt％ ∼ 70 wt％, 바람직하게는 3 wt％ ∼ 60 wt％, 바람직하게는 10 wt％ ∼ 40 wt％, 보다 바람직하게는 25 wt％ ∼ 40 wt％ 의 수지액으로 해도 된다. 또한, 메틸에틸케톤과 시클로펜타논의 혼합 용제를 사용하여 용해시키는 것이, 환경적인 견지에서 현 단계에서는 가장 바람직하다. 또한, 용제에는 비점이 50 ∼ 200 ℃ 의 범위인 용제를 사용하는 것이 바람직하다.

또, 상기 수지층은 MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여 측정하였을 때의 레진 플로우가 5 ％ ∼ 35 ％ 의 범위에 있는 반경화 수지막인 것이 바람직하다.

본건 명세서에 있어서, 레진 플로우란, MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여, 수지 두께를 55 ㎛ 로 한 수지가 부착된 표면 처리 동박으로부터 가로 세로 10 ㎝ 시료를 4 장 샘플링하고, 이 4 장의 시료를 중첩한 상태 (적층체) 에서 프레스 온도 171 ℃, 프레스압 14 ㎏f/㎠, 프레스 시간 10 분의 조건으로 붙이고, 그 때의 수지 유출 중량을 측정한 결과로부터 수학식 1 에 기초하여 산출한 값이다.

상기 수지층을 구비한 표면 처리 동박 (수지가 부착된 표면 처리 동박) 은, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열압착하여 그 수지층을 열경화시키고, 이어서 표면 처리 동박이 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층인 경우에는 캐리어를 박리하여 극박 동층을 표출시키고 (당연히 표출되는 것은 그 극박 동층의 중간층측의 표면이다), 표면 처리 동박의 조화 처리된 측과는 반대측의 표면으로부터 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.

이 수지가 부착된 표면 처리 동박을 사용하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조시에 있어서의 프리프레그재의 사용 장수를 줄일 수 있다. 게다가, 수지층의 두께를 층간 절연을 확보할 수 있는 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하지 않아도 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또 이 때, 기재의 표면에 절연 수지를 언더코트하여 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.

또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 비용이 절약되고, 또 적층 공정도 간략해지므로 경제적으로 유리해지며, 게다가 프리프레그재의 두께분만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져, 1 층의 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다는 이점이 있다.

이 수지층의 두께는 0.1 ∼ 120 ㎛ 인 것이 바람직하다.

수지층의 두께가 0.1 ㎛ 보다 얇아지면, 접착력이 저하되고, 프리프레그재를 개재시키지 않고 이 수지가 부착된 표면 처리 동박을 내층재를 구비한 기재에 적층하였을 때, 내층재의 회로와의 사이의 층간 절연을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 수지층의 두께를 120 ㎛ 보다 두껍게 하면, 1 회의 도포 공정으로 목적으로 하는 두께의 수지층을 형성하는 것이 곤란해져, 여분의 재료비와 공수 (工數) 가 들기 때문에 경제적으로 불리해지는 경우가 있다.

또한, 수지층을 갖는 표면 처리 동박이 극박의 다층 프린트 배선판을 제조하는 것에 사용되는 경우에는, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 것이, 다층 프린트 배선판의 두께를 작게 하기 때문에 바람직하다.

＜6. 캐리어가 부착된 동박＞

이와 같이 하여, 동박 캐리어와, 동박 캐리어 상에 형성된 중간층과, 중간층 상에 적층된 극박 동층을 구비한 캐리어가 부착된 동박이 제조된다. 캐리어가 부착된 동박 자체의 사용 방법은 당업자에게 주지이지만, 예를 들어 극박 동층의 표면을 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 (布) 기재 에폭시 수지, 유리포·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리포·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리포 기재 에폭시 수지, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름 등의 절연 기판에 첩합하여 열압착 후에 캐리어를 박리하고, 절연 기판에 접착된 극박 동층을 목적으로 하는 도체 패턴으로 에칭하여, 최종적으로 프린트 배선판을 제조할 수 있다. 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박의 경우, 박리 지점은 주로 중간층과 극박 동층의 계면이다. 또, 추가로 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써, 프린트 회로판이 완성된다. 이하에 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇 가지 나타낸다.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 극박 동층측이 절연 기판과 대향하도록 적층한 후, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 세미 애디티브법, 모디파이드 세미 애디티브법, 파틀리 애디티브법 및 서브 트랙티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 절연 기판은 내층 회로가 들어간 것으로 할 수도 있다.

본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하여, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 사용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리하는 공정,

상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 동층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 전부 제거하는 공정,

상기 극박 동층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정,

상기 수지 및 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정,

상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트에 대하여 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전해 도금층을 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 캐리어를 박리하는 공정,

상기 극박 동층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지의 표면에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정,

상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 동층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

본 발명에 있어서, 모디파이드 세미 애디티브법이란, 절연층 상에 금속박을 적층하고, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께 부여를 실시한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시) 에칭으로 제거함으로써, 절연층 상에 회로를 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 모디파이드 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정,

상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 동층 표면에 도금 레지스트를 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트를 형성한 후에, 전해 도금에 의해 회로를 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,

상기 도금 레지스트를 제거함으로써 노출된 극박 동층을 플래시 에칭에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

모디파이드 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 동층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,

본 발명에 있어서, 파틀리 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라 스루홀이나 비아홀용 구멍을 뚫어 이루어지는 기판 상에 촉매핵을 부여하고, 에칭하여 도체 회로를 형성하고, 필요에 따라 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성한 후에, 상기 도체 회로 상, 스루홀이나 비아홀 등에 무전해 도금 처리에 의해 두께 부여를 실시함으로써, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.

따라서, 파틀리 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 촉매핵을 부여하는 공정,

상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 동층 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정,

상기 에칭 레지스트에 대해 노광하여, 회로 패턴을 형성하는 공정,

상기 극박 동층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정,

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정,

상기 극박 동층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여 노출된 상기 절연 기판 표면에, 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 공정,

상기 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 영역에 무전해 도금층을 형성하는 공정을 포함한다.

본 발명에 있어서, 서브 트랙티브법이란, 구리 피복 적층판 상의 동박의 불요 부분을, 에칭 등에 의해 선택적으로 제거하여, 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 서브 트랙티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 무전해 도금층의 표면에, 전해 도금층을 형성하는 공정,

상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 동층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정,

상기 극박 동층 및 상기 무전해 도금층 및 상기 전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정,

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.

서브 트랙티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 무전해 도금층의 표면에 마스크를 형성하는 공정,

마스크가 형성되어 있지 않은 상기 무전해 도금층의 표면에 전해 도금층을 형성하는 공정,

상기 극박 동층 및 상기 무전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정,

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.

스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 및 그 후의 디스미어 공정은 실시하지 않아도 된다.

여기서, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 또한, 여기서는 조화 처리층이 형성된 극박 동층을 갖는 캐리어가 부착된 동박을 예로 설명하지만, 이것에 한정되지 않고, 조화 처리층이 형성되어 있지 않은 극박 동층을 갖는 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 동일하게 하기 프린트 배선판의 제조 방법을 실시할 수 있다.

먼저, 도 1-A 에 나타내는 바와 같이, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 동층을 갖는 캐리어가 부착된 동박 (1 층째) 을 준비한다.

다음으로, 도 1-B 에 나타내는 바와 같이, 극박 동층의 조화 처리층 상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하고, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.

다음으로, 도 1-C 에 나타내는 바와 같이, 회로용 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정 형상의 회로 도금을 형성한다.

다음으로, 도 2-D 에 나타내는 바와 같이, 회로 도금을 덮도록 (회로 도금이 매몰되도록) 극박 동층 상에 매립 수지를 형성하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 캐리어가 부착된 동박 (2 층째) 을 극박 동층측으로부터 접착시킨다.

다음으로, 도 2-E 에 나타내는 바와 같이, 2 층째의 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 박리한다.

다음으로, 도 2-F 에 나타내는 바와 같이, 수지층의 소정 위치에 레이저 천공을 실시하고, 회로 도금을 노출시켜 블라인드 비아를 형성한다.

다음으로, 도 3-G 에 나타내는 바와 같이, 블라인드 비아에 구리를 매립하여 비아 필을 형성한다.

다음으로, 도 3-H 에 나타내는 바와 같이, 비아 필 상에, 상기 도 1-B 및 도 1-C 와 같이 하여 회로 도금을 형성한다.

다음으로, 도 3-I 에 나타내는 바와 같이, 1 층째 캐리어가 부착된 동박으로부터 캐리어를 박리한다.

다음으로, 도 4-J 에 나타내는 바와 같이, 플래시 에칭에 의해 양 표면의 극박 동층을 제거하고, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.

다음으로, 도 4-K 에 나타내는 바와 같이, 수지층 내의 회로 도금 상에 범프를 형성하고, 당해 땜납 상에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용한 프린트 배선판을 제조한다.

상기 다른 캐리어가 부착된 동박 (2 층째) 은, 본 발명의 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 되고, 종래의 캐리어가 부착된 동박을 사용해도 되며, 또한 통상적인 동박을 사용해도 된다. 또, 도 3-H 에 나타내는 2 층째 회로 상에, 추가로 회로를 1 층 혹은 복수 층 형성해도 되고, 그들의 회로 형성을 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시해도 된다.

또, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박은, 당해 캐리어가 부착된 동박의 캐리어측 표면에 기판을 가져도 된다. 당해 기판 또는 수지층을 가짐으로써 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박은 지지되고, 주름이 잘 생기지 않게 되므로, 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판에는, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어가 부착된 동박을 지지하는 효과하는 것이면, 모든 기판을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판으로서 본원 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.

캐리어측 표면에 기판을 형성하는 타이밍에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 캐리어를 박리하기 전에 형성하는 것이 필요하다. 특히, 상기 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지층을 형성하는 공정 전에 형성하는 것이 바람직하고, 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정 전에 형성하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박은, 극박 동층 표면의 색차가 이하 (1) 을 만족하도록 제어되고 있는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서 「극박 동층 표면의 색차」란, 극박 동층의 표면의 색차, 또는 조화 처리 등의 각종 표면 처리가 실시되어 있는 경우에는 그 표면 처리층 표면의 색차를 나타낸다. 즉, 본 발명에 관련된 캐리어가 부착된 동박은, 극박 동층 또는 조화 처리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링층의 표면의 색차가 이하 (1) 을 만족하도록 제어되고 있는 것이 바람직하다.

(1) 극박 동층 또는 조화 처리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링 처리층 표면의 JIS Z 8730 에 기초하는 색차 (ΔE*ab) 가 45 이상이다.

여기서, 색차 (ΔL, Δa, Δb) 는, 각각 색차계로 측정되고, 흑/백/적/녹/황/청을 가미하고, JIS Z 8730 에 기초하는 L*a*b 표색계를 사용하여 나타내는 종합 지표이며, ΔL : 흑백, Δa : 적록, Δb : 황청으로 나타낸다. 또, ΔE*ab 는 이들 색차를 사용하여 하기 식으로 나타낸다.

상기 서술한 색차는, 극박 동층 형성시의 전류 밀도를 높게 하고, 도금액 중의 구리 농도를 낮게 하고, 도금액의 선유속을 높게 함으로써 조정할 수 있다.

또 상기 서술한 색차는, 극박 동층의 표면에 조화 처리를 실시하여 조화 처리층을 형성함으로써 조정할 수도 있다. 조화 처리층을 형성하는 경우에는 구리 및 니켈, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 전해액을 사용하여, 종래보다 전류 밀도를 높게 (예를 들어 40 ∼ 60 A/dm²) 하고, 처리 시간을 짧게 (예를 들어 0.1 ∼ 1.3 초) 함으로써 조정할 수 있다. 극박 동층의 표면에 조화 처리층을 형성하지 않은 경우에는, Ni 의 농도를 그 밖의 원소의 2 배 이상으로 한 도금욕을 사용하여, 극박 동층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링 처리층의 표면에 Ni 합금 도금 (예를 들어 Ni-W 합금 도금, Ni-Co-P 합금 도금, Ni-Zn 합금 도금) 을 종래보다 저전류 밀도 (0.1 ∼ 1.3 A/dm²) 로 처리 시간을 길게 (20 초 ∼ 40 초) 설정하여 처리함으로써 달성할 수 있다.

극박 동층 표면의 JIS Z 8730 에 기초하는 색차 (ΔE*ab) 가 45 이상이면, 예를 들어 캐리어가 부착된 동박의 극박 동층 표면에 회로를 형성할 때에, 극박 동층과 회로의 콘트라스트가 선명해지고, 그 결과, 시인성이 양호해져 회로의 위치 맞춤을 양호한 정밀도로 실시할 수 있다. 극박 동층 표면의 JIS Z 8730 에 기초하는 색차 (ΔE*ab) 는, 바람직하게는 50 이상이고, 보다 바람직하게는 55 이상이며, 더욱 더 바람직하게는 60 이상이다.

극박 동층 또는 조화 처리층 또는 내열층 또는 방청층 또는 크로메이트 처리층 또는 실란 커플링층 표면의 색차가 상기와 같이 제어되고 있는 경우에는, 회로 도금과의 콘트라스트가 선명해지고, 시인성이 양호해진다. 따라서, 상기 서술한 바와 같은 프린트 배선판의 예를 들어 도 1-C 에 나타내는 제조 공정에 있어서, 회로 도금을 양호한 정밀도로 소정의 위치에 형성하는 것이 가능해진다. 또, 상기 서술한 바와 같은 프린트 배선판의 제조 방법에 의하면, 회로 도금이 수지층에 매립된 구성으로 되어 있기 때문에, 예를 들어 도 4-J 에 나타내는 플래시 에칭에 의한 극박 동층의 제거시에, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되어, 그 형상이 유지되고, 이로써 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되기 때문에, 내마이그레이션성이 향상되어, 회로 배선의 도통이 양호하게 억제된다. 이 때문에, 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 도 4-J 및 도 4-K 에 나타내는 바와 같이 플래시 에칭에 의해 극박 동층을 제거했을 때, 회로 도금의 노출면이 수지층으로부터 패인 형상이 되기 때문에, 당해 회로 도금 상에 범프가, 또한 그 위에 구리 필러가 각각 형성되기 쉬워져, 제조 효율이 향상된다.

또, 매립 수지 (레진) 에는 공지된 수지, 프리프레그를 사용할 수 있다. 예를 들어, BT (비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리포인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 주식회사 제조 ABF 필름이나 ABF 를 사용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지 (레진) 에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.

본 발명의 캐리어가 부착된 동박은, 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어에 있어서의 중간층과는 반대측의 표면, 즉 외측 표면의 잔류 응력, 및 극박 동층에 있어서의 중간층과는 반대측의 표면, 즉 외측 표면의 잔류 응력과의 차이 D 의 곱의 절대값 [(T/2)×D] 가, 0 (㎛·㎫) 이상 140 (㎛·㎫) 이하로 제어되고 있다. 당해 (T/2)×D 는, 동박의 중심선 모멘트를 나타내고 있다. 즉, 당해 (T/2)×D 는, 동박의 중심선 (총 두께 T 의 2 분의 1) 으로부터의 거리와, 각 잔류 응력의 곱의 차이를 나타내고 있고, 당해 값이 작을수록, 동박 캐리어 표면 및 극박 동층 표면에서 휨을 발생시키는 구동력이 작아진다. 따라서, 캐리어가 부착된 동박 및 극박 동층의 종류, 나아가서는 그들의 두께에 제한되지 않고, 동박의 휨이 양호하게 억제된다. 또, 보다 양호하게 동박의 휨을 억제하기 위해서는, 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차이 D 의 곱의 절대값 [(T/2)×D] 가, 0.5 (㎛·㎫) 이상 140 (㎛·㎫) 이하인 것이 바람직하고, 10 (㎛·㎫) 이상 135 (㎛·㎫) 이하인 것이 바람직하고, 15 (㎛·㎫) 이상 130 (㎛·㎫) 이하인 것이 더욱 바람직하다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1 ∼ 8)

1. 캐리어가 부착된 동박의 제조

동박 캐리어로서 표 1 에 기재된 두께의 장척 (長尺) 전해 동박 (JX 닛코 닛세키 금속사 제조, JTC (제품명), 두께 12, 18, 70 ㎛) 및 압연 동박 (JX 닛코 닛세키 금속사 제조, C1100 (제품명), 두께 18 ㎛) 를 준비하였다.

각 동박은, 캐리어가 부착된 동박으로 했을 때에 외측이 되는 면의 잔류 응력은 -30 ㎫ 이상 30 ㎫ 이하의 범위로 조절하였다. 여기서, 잔류 응력이 정의 값인 경우에는 수축 응력, 부의 값인 경우에는 인장 응력을 나타낸다. 동박 캐리어로서 전해 동박을 사용하는 경우, 전해욕 조성과 전해 조건을 최적화함으로써, 표층의 잔류 응력을, 후술하는 극박 동층 외측 표면의 잔류 응력 범위에 맞추어 임의의 범위로 조절할 수 있다. 하기 전해욕 조성 및 전해 조건을 이용하여 스테인리스강제의 전해 드럼 상에 전해 동박을 제박 (製箔) 하였다. 또한, 전해액의 유속을 높게 하면 동박의 잔류 응력은 수축 방향으로 작용하는 (수축 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있고, 전해액의 유속을 낮게 하면 동박의 잔류 응력은 인장 방향으로 작용하는 (인장 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있다. 또한, 전류 밀도를 높게 하면 동박의 잔류 응력은 수축 방향으로 작용하는 (수축 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있고, 전류 밀도를 낮게 하면 동박의 잔류 응력은 인장 방향으로 작용하는 (인장 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있다. 또, 전해액의 첨가제 (예를 들어, Cl 이나 아교 등) 를 첨가함으로써도, 잔류 응력을 조정할 수 있다.

(전해욕 조성)

Cu : 80 ∼ 120 g/ℓ

H₂SO₄ : 80 ∼ 120 g/ℓ

Cl : 20 ∼ 80 ㎎/ℓ (실시예 5, 비교예 1)

아교 : 0.1 ∼ 6.0 ㎎/ℓ (실시예 1, 2, 5, 6, 7, 8, 비교예 1)

(전해 조건)

액온 : 55 ∼ 65 ℃

전류 밀도 : 100 A/d㎡

전해액 유속 : 1.5 m/초

동박 캐리어로서 압연 동박을 사용하는 경우, 압연 동박 제조 공정에 있어서의 압연 조건 및 열처리 조건을 최적화함으로써 표층의 잔류 응력을 임의의 범위로 조절할 수 있고, 그 방법은 당업자에게 있어서 용이하며 이미 알려진 바이다. 후술하는 극박 동층 외측 표면의 잔류 응력의 범위에 맞추어 조절하면 된다. 본 실시예에서는, 최종 냉간 압연에서의 압연 가공도를 95 ％, 최종 냉간 압연에서의 최종 패스의 압연 가공도를 5 ％, 최종 냉간 압연의 최종 패스에 사용한 압연 롤의 직경을 80 ㎜ 로 하였다. 또한, 압연 동박의 표층의 잔류 응력은, 최종 냉간 압연에서 사용하는 압연 롤의 롤 직경을 변화시킴으로써도 조정할 수 있으며, 또 최종 냉간 압연의 압연 가공도를 제어함으로써도 조정할 수 있다. 예를 들어, 롤 직경이 큰 경우에는 표층의 잔류 응력은 인장 방향으로 작용하는 (인장 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있고, 롤 직경이 작은 경우에는 표층의 잔류 응력은 수축 방향으로 작용하는 (수축 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있다. 또, 최종 냉간 압연의 압연 가공도가 높은 경우에는, 표층의 잔류 응력은 수축 방향으로 작용하는 (수축 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있고, 최종 냉간 압연의 압연 가공도가 낮은 경우에는, 인장 방향으로 작용하는 (인장 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있다. 또한, 최종 냉간 압연의 최종 패스의 압연 가공도가 작은 경우에는 표층의 잔류 응력은 수축 방향으로 작용하는 (수축 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있고, 최종 냉간 압연의 최종 패스의 압연 가공도가 큰 경우에는, 표층의 잔류 응력은 인장 방향으로 작용하는 (인장 응력이 작용하기 쉬운) 경향이 있다.

이 동박의 샤이니면에 대해, 이하의 조건으로 롤 투 롤형의 연속 라인으로 캐리어 표면 및 극박 동층측에 대해 순서대로 이하의 조건에서 표 1 에 기재된 중간층 형성 처리를 실시하였다. 캐리어 표면측과 극박 동층측의 처리 공정 사이에는, 수세 및 산세를 실시하였다. 라인 장력은, 표 1 에 기재된 것으로 하였다.

ㆍ Ni-Zn 도금 (실시예 1 ∼ 4, 8, 비교예 3)

황산 니켈 : 250 ∼ 300 g/ℓ

염화 니켈 : 35 ∼ 45 g/ℓ

아세트산 니켈 : 10 ∼ 20 g/ℓ

시트르산3나트륨 : 15 ∼ 30 g/ℓ

광택제 : 사카린, 부틴디올 등

도데실황산나트륨 : 30 ∼ 100 ppm

ZnSO₄ : 0.05 ∼ 5 g/ℓ

pH : 4 ∼ 6

욕온 : 50 ∼ 70 ℃

전류 밀도 : 3 ∼ 15 A/d㎡

ㆍNi 도금 (실시예 5, 7, 비교예 2)

황산 니켈 : 250 ∼ 300 g/ℓ

염화 니켈 : 35 ∼ 45 g/ℓ

아세트산 니켈 : 10 ∼ 20 g/ℓ

시트르산3나트륨 : 15 ∼ 30 g/ℓ

광택제 : 사카린, 부틴디올 등

도데실황산나트륨 : 30 ∼ 100 ppm

pH : 4 ∼ 6

욕온 : 50 ∼ 70 ℃

전류 밀도 : 3 ∼ 15 A/d㎡

ㆍ전해 크로메이트 처리

액 조성 : 중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 ∼ 5 g/ℓ

pH : 3 ∼ 4

액온 : 50 ∼ 60 ℃

전류 밀도 : 0.1 ∼ 2.6 A/d㎡

쿨롱량 : 0.5 ∼ 30 As/d㎡

ㆍ침지 크로메이트 처리

액 조성 : 중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ, 아연 0 ∼ 5 g/ℓ

pH : 3 ∼ 4

액온 : 50 ∼ 60 ℃

침지 시간 : 1 ∼ 20 초

계속해서, 롤 투 롤형의 연속 도금 라인 상에서 중간층 상에 두께 3 ∼ 5 ㎛ 의 극박 동층을 이하의 조건으로 전기 도금함으로써 형성하여, 캐리어가 부착된 동박을 제작하였다. 또한, 극박 동층의 잔류 응력도 전해 동박 캐리어와 동일하게 조제할 수 있다. 본건에서는, 실시예, 비교예 모두 염화물 이온 농도와 전류 밀도를 제어함으로써 조정하였다.

ㆍ극박 동층

구리 농도 : 30 ∼ 120 g/ℓ

H₂SO₄ 농도 : 20 ∼ 120 g/ℓ

염화물 이온 농도 : 20 ∼ 80 ㎎/ℓ

전해액 온도 : 20 ∼ 80 ℃

전류 밀도 : 10 ∼ 100 A/d㎡

또한, 실시예 1, 2 및 5 에 대해서는 극박 동층의 표면에 이하의 조화 처리, 방청 처리, 크로메이트 처리, 및 실란 커플링 처리를 이 순서대로 실시하였다.

ㆍ조화 처리

Cu : 10 ∼ 20 g/ℓ

Co : 1 ∼ 10 g/ℓ

Ni : 1 ∼ 10 g/ℓ

pH : 1 ∼ 4

온도 : 40 ∼ 50 ℃

전류 밀도 Dk : 20 ∼ 30 A/d㎡

시간 : 1 ∼ 5 초

Cu 부착량 : 15 ∼ 40 ㎎/d㎡

Co 부착량 : 100 ∼ 3000 ㎍/d㎡

Ni 부착량 : 100 ∼ 1000 ㎍/d㎡

ㆍ방청 처리

Zn : 0 ∼ 20 g/ℓ

Ni : 0 ∼ 5 g/ℓ

pH : 3.5

온도 : 40 ℃

전류 밀도 Dk : 0 ∼ 1.7 A/d㎡

시간 : 1 초

Zn 부착량 : 5 ∼ 250 ㎍/d㎡

Ni 부착량 : 5 ∼ 300 ㎍/d㎡

ㆍ크로메이트 처리

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇ 혹은 CrO₃) : 2 ∼ 10 g/ℓ

NaOH 혹은 KOH : 10 ∼ 50 g/ℓ

ZnO 혹은 ZnSO₄7H₂O : 0.05 ∼ 10 g/ℓ

pH : 7 ∼ 13

욕온 : 20 ∼ 80 ℃

전류 밀도 : 0.05 ∼ 5 A/d㎡

시간 : 5 ∼ 30 초

Cr 부착량 : 10 ∼ 150 ㎍/d㎡

ㆍ실란 커플링 처리

비닐트리에톡시실란 수용액

(비닐트리에톡시실란 농도 : 0.1 ∼ 1.4 wt％)

pH : 4 ∼ 5

시간 : 5 ∼ 30 초

(비교예 1 ∼ 3)

비교예 1 은 동박 캐리어의 제박 전류 밀도를 60 A/d㎡ 로 하고, 중간층을 형성하지 않고 극박 동층을 형성한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 조건으로 캐리어가 부착된 동박을 제작하였다. 비교예 2, 3 은 캐리어인 압연 동박 제조시의 최종 냉간 압연에서의 압연 가공도를 각각 85 ％, 70 ％ 로 하고, 최종 냉간 압연에서의 최종 패스의 압연 가공도를 각각 10 ％, 20 ％ 로 하고, 최종 냉간 압연의 최종 패스에 사용한 압연 롤의 직경을 각각 100 ㎜, 120 ㎜ 로 하고, 중간층으로서 비교예 2 에서는 Ni 도금을, 비교예 3 에서는 Ni-Zn 도금과 전해 크로메이트 처리를 실시한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일한 조건으로 캐리어가 부착된 동박을 제작하였다.

2. 캐리어가 부착된 동박의 각종 평가

상기와 같이 하여 얻어진 캐리어가 부착된 동박에 대해, 이하의 방법으로 각종 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

＜극박 동층의 평균 결정립경의 측정＞

FIB-SIM 을 사용하여 극박 동층의 단면을 관찰하여, 결정립을 둘러싸는 최소원의 직경을 결정립경으로 하고, 관찰 시야에 존재하는 모두 결정립에 대하여 측정을 실시하였다 (구체적으로는, 사진 촬영을 실시하여, 당해 사진에 기초하여 측정하였다). 또한, FIB-SIM 을 사용한 극박 동층의 단면 관찰은, 수속 이온 빔 (FIB) 으로 단면이 노출되도록 가공하고, 이 단면을 주사 이온 현미경 (SIM) 으로 관찰함으로써 실시된다. 그리고, 20 개 이상의 결정립경의 평균값을 평균 결정립경으로 하였다. 관찰 시야에 20 개 이상의 결정립이 존재하지 않는 경우에는, 결정립경의 측정을 실시한 결정립의 수가 20 개 이상이 될 때까지 관찰 시야를 넓혀 측정을 실시하였다. 또한, FIB-SIM 을 사용하여 극박 동층의 단면을 관찰할 때의 배율은 특별히 한정은 되지 않고, 결정립을 관찰할 수 있는 배율이면 된다. 예를 들어, 2500 ∼ 40000 배의 배율로 결정립경을 측정할 수 있다.

＜부착량의 측정＞

니켈 (Ni) 부착량은, 샘플을 농도 20 질량％ 의 질산으로 용해시켜 ICP 발광 분석에 의해 측정하고, 크롬 (Cr) 부착량 및 아연 (Zn) 부착량은, 샘플을 농도 7 질량％ 의 염산으로 용해시키고, 원자 흡광법에 의해 정량 분석을 실시함으로써 측정하였다.

＜잔류 응력의 측정＞

동박 캐리어 외측 표면 및 극박 동층 외측 표면의 잔류 응력은, X 선 회절법에 의해 측정하였다. 이 방법에서는, 측정 대상인 동층을 구성하는 다수의 결정의 격자면 간격 측정값과, 이미 알려져 있는 무응력 상태에서 측정된 구리의 격자면 간격 및 구리의 탄성 정수 (定數) 및 푸아송비로부터 동층 표면의 잔류 응력을 구한다.

본건에서는, 잔류 응력의 측정은, 주식회사 리가쿠 제조 X 선 회절 장치 RINT2100 을 사용하여 실시하였다. 회절각의 교정은, 표준 Si 결정을 사용하여 실시하였다. 또, 잔류 응력의 계산은, 주식회사 리가쿠 제조 X 선 회절 장치 RINT2100 에 부속되어 있는 계산 소프트를 사용하여 회절 피크 톱의 측정값을 사용하여 실시하였다.

X 선의 침입 깊이는 통상적으로 수 ㎛ ∼ 10 ㎛ 정도이기 때문에, 측정면 표층에서부터 이 침입 깊이 범위에서의 X 선 감쇠의 영향을 가미한 평균적인 격자면 간격 및 잔류 응력이 구해진다. 캐리어가 부착된 동박에 있어서 동박 캐리어 및 극박 동층의 두께는, X 선 침입 깊이와 거의 동등하거나 그 이상이기 때문에, 측정된 잔류 응력은, 동박 캐리어 및 극박 동층의 표층의 잔류 응력을 나타내는 것이라고 생각해도 상관없다. 또한, 극박 동층 외측 표면에 조화 처리, 내열 처리, 방청 처리, 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 표면 처리를 한 후에 (당해 표면 처리층 위로부터) 잔류 응력의 측정을 실시하였다. 또, 동박 캐리어 외측 표면에 조화 처리, 내열 처리, 방청 처리, 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 표면 처리를 한 경우에는, 당해 표면 처리를 한 후에 (당해 표면 처리층 위로부터) 잔류 응력의 측정을 실시하는 것이 바람직하다.

또한, 캐리어가 부착된 동박이 수지층을 갖는 경우에는, 수지층을 용제 등으로 제거한 후에 상기 서술한 잔류 응력의 측정을 할 수 있다.

＜휨량의 측정＞

휨량은, 캐리어가 부착된 동박을 가로세로 10 ㎝ 의 시트상으로 잘라내어 극박 동층측을 위로 하여 수평면 상에 24 시간 이상 정치한 후, 시트의 네 모서리부의 수평면으로부터의 들뜸부 높이의 최대값을 측정하였다. 시트의 네 모서리부가 들뜨지 않고 하측 방향으로 휘어져 있는 경우, 극박 동층측을 아래로 해 두고 시트의 네 모서리부의 들뜸부 높이의 최대값을 측정하였다.

(평가 결과)

실시예 1 ∼ 8 은, 캐리어가 부착된 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2)×D] 이 모두 0 (㎛ㆍ㎫) 이상 155 (㎛ㆍ㎫) 이하였다. 이 때문에, 모두 양호하게 동박의 휨이 억제되었다.

비교예 1 ∼ 3 은, 캐리어가 부착된 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2)×D] 이 모두 155 (㎛ㆍ㎫) 를 초과하였다. 이 때문에, 모두 동박의 휨량의 최대값이 10 ㎜ 를 초과하고 있어, 동박의 휨이 억제되고 있지 않은 것을 알 수 있다.

또, 실시예 3 의 캐리어가 부착된 동박에 대하여 195 ℃ 에서 6 시간 가열한 후에 잔류 응력의 측정을 실시하였다. 그 결과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력, 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력 모두 0 ㎫ 가 되었다. 그 결과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2)×D] 은 0 (㎛ㆍ㎫) 이었다. 또, 당해 가열 후의 극박 동층의 평균 결정립경은 16.1 ㎛ 였다.

Claims

동박 캐리어와, 동박 캐리어 상에 적층된 중간층과, 중간층 상에 적층된 극박 동층을 구비한 캐리어가 부착된 동박으로서,
상기 캐리어가 부착된 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이, 0 (㎛·㎫) 이상 155 (㎛·㎫) 이하인, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 캐리어가 부착된 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이, 0 (㎛·㎫) 보다 크고 155 (㎛·㎫) 이하인, 캐리어가 부착된 동박.
제 2 항에 있어서,
상기 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이, 10 (㎛·㎫) 이상 135 (㎛·㎫) 이하인, 캐리어가 부착된 동박.
제 3 항에 있어서,
상기 동박의 총 두께 T 의 2 분의 1 과, 동박 캐리어의 외측 표면의 잔류 응력 및 극박 동층의 외측 표면의 잔류 응력의 차 D 의 곱의 절대값 [(T/2) × D] 이, 15 (㎛·㎫) 이상 130 (㎛·㎫) 이하인, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 동박 캐리어가 전해 동박 또는 압연 동박으로 이루어지는, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 중간층은, 동박 캐리어와의 계면에 접하고 있는 Ni 층과 극박 동층과의 계면에 접하고 있는 Cr 층으로 구성되고, 상기 중간층에 있어서의 Ni 의 부착량이 1 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하이고, 상기 중간층에 있어서의 Cr 의 부착량이 1 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하이며, 상기 중간층에는 추가로 1 ㎍/d㎡ 이상 70 ㎍/d㎡ 이하의 부착량으로 Zn 이 존재하는, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 극박 동층의 두께가 1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 극박 동층의 평균 결정립경이 15 ㎛ 미만인, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 극박 동층 표면에 조화 처리층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 9 항에 있어서,
상기 조화 처리층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 10 항에 있어서,
상기 방청층 및 상기 내열층의 적어도 일방이, 니켈, 코발트, 구리, 아연에서 선택되는 1 개 이상의 원소를 함유하는, 캐리어가 부착된 동박.
제 10 항에 있어서,
상기 방청층 및 상기 내열층의 적어도 일방이, 니켈, 코발트, 구리, 아연에서 선택되는 1 개 이상의 원소로 이루어지는, 캐리어가 부착된 동박.
제 10 항에 있어서,
상기 조화 처리층 상에 상기 내열층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 10 항에 있어서,
상기 조화 처리층 상에 상기 방청층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 13 항에 있어서,
상기 내열층 상에 상기 방청층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 10 항에 있어서,
상기 방청층 상에 상기 크로메이트 처리층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 15 항에 있어서,
상기 방청층 상에 상기 크로메이트 처리층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 10 항에 있어서,
상기 크로메이트 처리층 상에 상기 실란 커플링 처리층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 17 항에 있어서,
상기 크로메이트 처리층 상에 상기 실란 커플링 처리층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 극박 동층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 갖는, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 캐리어가 부착된 동박을 가로세로 10 ㎝ 의 시트상으로 잘라내어 수평면 상에 정치 (靜置) 했을 때의 시트 네 모서리부의 수평면으로부터의 들뜸부 높이의 최대값이 10 ㎜ 이하인, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항에 있어서,
상기 극박 동층 상에 수지층을 구비하는, 캐리어가 부착된 동박.
제 9 항에 있어서,
상기 조화 처리층 상에 수지층을 구비하는, 캐리어가 부착된 동박.
제 10 항에 있어서,
상기 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층 상에 수지층을 구비하는, 캐리어가 부착된 동박.
제 22 항에 있어서,
상기 수지층이 유전체를 포함하는, 캐리어가 부착된 동박.
제 23 항에 있어서,
상기 수지층이 유전체를 포함하는, 캐리어가 부착된 동박.
제 24 항에 있어서,
상기 수지층이 유전체를 포함하는, 캐리어가 부착된 동박.
제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 제조한, 구리 피복 적층판.
제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 제조한, 프린트 배선판.
제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 제조한, 프린트 회로판.
제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,
상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,
상기 캐리어가 부착된 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어가 부착된 동박의 동박 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 회로를 형성하는 공정,
상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어가 부착된 동박의 상기 극박 동층측 표면에 수지층을 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어를 박리시키는 공정, 및,
상기 캐리어를 박리시킨 후에, 상기 극박 동층을 제거함으로써, 상기 극박 동층측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 32 항에 있어서,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 상기 수지층 상에 다른 캐리어가 부착된 동박을 극박 동층측으로부터 첩합 (貼合) 하고, 상기 수지층에 첩합한 캐리어가 부착된 동박을 사용하여 상기 회로를 형성하는 공정인, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 33 항에 있어서,
상기 수지층 상에 첩합하는 다른 캐리어가 부착된 동박이, 제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어가 부착된 동박인, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 32 항에 있어서,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시되는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 32 항에 있어서,
캐리어를 박리하기 전에, 캐리어가 부착된 동박의 캐리어측 표면에 기판을 형성하는 공정을 추가로 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.