CN103747614A - 基于多种样品的合拼板及其生产工艺 - Google Patents

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本发明公开了一种基于多种样品的合拼板及其生产工艺，它包括至少两个拼接在同一合拼板上的不同种类样板的拼接单元（1），拼接单元（1）保留有间隔；所述的拼接单元（1）由至少两个拼接子单元（11）构成，拼接子单元（11）由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元（11）之间设有间隔；所述的拼接单元（1）拼接在线路区，所述的非导电区（2）为不包含任何导电线路的区域；所述的非导电区（2）的表面覆有油墨。本发明将板材相同、结构相同的同一类板拼成一个大板来生产，以满足PCB板生产设备和工具的要求，从而降低了PCB样板的生产成本，提高了生产速率、缩短了生产进度。

Description

基于多种样品的合拼板及其生产工艺
技术领域
本发明涉及PCB板制作领域，特别是涉及一种基于多种样品的合拼板及其生产工艺。 
背景技术
印制电路板简称PCB板，采用在绝缘材料上按预先电路原理图设计制成印制线路、印制元件或者两者的组合而成的导电图形称为印制电路，而在绝缘基材上提供元器件之间的电连接的导电图形，称为印制线路，将上述印制电路或印制线路制作成成品板称为印制线路板，或称为印制板或印制电路板。其主要由线路与图面、介电层以及能够使两层以上的线路彼此导通的孔构成，除此之外，对于一些印制电路板还会会印一层隔绝铜面吃锡的物质，避免非吃锡的线路间短路的防焊油墨以及一些用于识别各零件的名称、位置框，以便于后序组装及维修识别用的丝印。 
    在PCB板批量投入制作加工前，需对每种的PCB板进行试样过程，当试样的产品成功后才进行小批量的生产、测试以及试用，待小批量的样品在试用过程中全部符合商家所规定的标准后才进行批量生产。随着电子技术的发展，电子产品的不断升级换代，新产品的不断开发、试制，对PCB样板的需求量越来越多。为了适应电子产品试制的需求，PCB板制造商对PCB样板采用拼板方式进行样板生产，从而提高PCB样板的生产速率。目前，PCB制作厂家采用的拼板方法为：将每一款样板作为单独的一个料号在正常的生产线上生产，如图1所示，生产完成后才将样本进行分板。采用上述拼板方法需将样板拼成大板，以便满足PCB板生产设备和工具的要求，将每一款样板拼成大板以满足PCB板生产设备和工具的要求，这样将会增加PCB样板的加工成本以及降低生产效率。 
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种将板材相同、结构相同的同一类板拼成一个大板来生产，以满足PCB板生产设备和工具的要求，从而降低PCB样板的生产成本，提高生产速率、缩短生产进度的基于多样品的合拼板及其生产工艺。 
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：基于多种样品的合拼板，它包括至少两个拼接在同一合拼板上的不同种类样板的拼接单元，拼接单元保留有间隔。 
优选的，所述的拼接单元由至少两个拼接子单元构成，拼接子单元由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元之间设有间隔。 
优选的，所述的合拼板上设有线路区和非导电区，所述的拼接单元拼接在线路区，所述的非导电区为不包含任何导电线路的区域。 
优选的，所述的非导电区的表面覆有油墨。 
基于多种样品的合拼板的生产工艺，它包括： 
图形设计：将由不同种类样板构成的拼接单元设计在同一合拼板上，并制成线路纸片；
图形转移：线路纸片贴覆在基板上，依次进行曝光和显影；
第一蚀刻：加90%～100%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为8.0～9.0，氯离子的浓度为150g/L～190g/L，铜离子的浓度为130g/L～170g/L，对基板进行蚀刻，，使基板上露出铜面；
退膜：采用浓度为3%～5%、温度为45°～55°的氢氧化钠溶液对基板进行退膜处理，避免因氢氧化钠浓度不够或者浓度过高而造成基板不能完全退膜或者退膜强度过大的情况；
钻孔；
电镀：镀铜使孔壁上的非导体部分进行金属化，以及加厚线路及孔内的铜厚，并在镀铜后的基板上镀一层锡；
第二蚀刻：加90%～100%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为8.0～9.0，氯离子的浓度为150g/L～190g/L，铜离子的浓度为130g/L～170g/L，对基板进行蚀刻，使基板上非线路底铜蚀刻掉，形成最终线路图形。
优选的，在图形设计时，各个拼接单元之间设有间隔，每个拼接单元至少由两个拼接子单元构成，拼接子单元由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元之间设有间隔。 
优选的，所述的合拼板上设有线路区和非导电区，所述的拼接单元拼接在线路区，所述的非导电区为不包含任何导电线路的区域，在完成所述第二蚀刻步骤后，对非导电进行油墨处理，使非导电区的表面覆着油墨。 
优选的，它还包括一个在完成退膜之后钻孔之前，对基板进行贴铝片的步骤。 
本发明的有益效果是： 
1）将板材相同、结构一样的同一类板拼成一个大板来生产，以满足PCB板生产设备和工具的要求，从而降低了PCB样板的生产成本，提高了生产速率、缩短了生产进度；
2）在拼接单元之间设置覆有油墨的非导电区，因此，不需要对其进行电镀，从而减低了镀金面积，进一步降低了加工成本。 
附图说明
图1为现有的PCB拼板结构示意图； 
图2为本发明的结构示意图；
图3为本发明的拼接单元结构示意图；
图中，1-拼接单元，11-拼接子单元，2-非导电区。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。 
如图2和3所示，基于多种样品的合拼板，它包括至少两个拼接在同一合拼板上的不同种类样板的拼接单元1，相邻的两个拼接单元1之间保留有间隔。 
优选的，所述的拼接单元1由至少两个拼接子单元11构成，拼接子单元11由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元11之间设有间隔。 
优选的，所述的合拼板上设有线路区和非导电区2，所述的拼接单元11拼接在线路区，所述的非导电区2为不包含任何导电线路的区域。
优选的，所述的非导电区2的表面覆有油墨。 
本发明基于多种样品的合拼板的生产工艺的实施例一，它包括： 
图形设计：将由不同种类样板构成的拼接单元1设计在同一合拼板上，并制成线路纸片，其中所述的不同种类的样板是指用于拼接的样板的电路原理不同，例如用于拼接的样板分别为LED驱动电路和声控电路；
图形转移：线路纸片贴覆在基板上，依次进行曝光和显影；
第一蚀刻：加90%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为8.0，氯离子的浓度为190g/L，铜离子的浓度为170g/L，对基板进行蚀刻，使基板上露出铜面；
退膜：采用浓度为3%、温度为45°的氢氧化钠溶液对基板进行退膜处理，避免因氢氧化钠浓度不够或者浓度过高而造成基板不能完全退膜或者退膜强度过大的情况；
钻孔；
电镀：镀铜使孔壁上的非导体部分进行金属化，以及加厚线路及孔内的铜厚，并在镀铜后的基板上镀一层锡；
第二蚀刻：加90%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为8.0，氯离子的浓度为190g/L，铜离子的浓度为170g/L，对基板进行蚀刻，使基板上非线路底铜蚀刻掉，形成最终线路图形。
优选的，在图形设计时，各个拼接单元1之间设有间隔，每个拼接单元1至少由两个拼接子单元11构成，拼接子单元11由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元11之间设有间隔，所述的同种类的样板是指的样板的层数相同，即都为单面板、双面板或多层板。 
优选的，所述的合拼板上设有线路区和非导电区2，所述的拼接单元1拼接在线路区，所述的非导电区2为不包含任何导电线路的区域，在完成所述第二蚀刻步骤后，对非导电2进行油墨处理，使非导电区2的表面覆着油墨。 
优选的，它还包括一个在完成退膜之后钻孔之前，对基板进行贴铝片的步骤；铝片的尺寸和需要钻孔的基板的尺寸一样，避免因铝片太小而造成断针；用胶纸贴铝片时要尽量靠边，避免造成断针；用于粘贴铝片的胶纸需贴在铝片的四周，从而抱枕铝片的平整牢固。 
本发明基于多种样品的合拼板的生产工艺的实施例二，它包括： 
图形设计，将由不同种类样板构成的拼接单元1设计在同一合拼板上，并制成线路纸片，其中所述的不同种类的样板是指用于拼接的样板的电路原理不同，例如用于拼接的样板分别为LED驱动电路和声控电路；
图形转移：线路纸片贴覆在基板上，依次进行曝光和显影；
第一蚀刻：加100%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为9.0，氯离子的浓度为150g/L，铜离子的浓度为130g/L，对基板进行蚀刻，使基板上露出铜面；
退膜：采用浓度为5%、温度为55°的氢氧化钠溶液对基板进行退膜处理，避免因氢氧化钠浓度不够或者浓度过高而造成基板不能完全退膜或者退膜强度过大的情况；
钻孔；
电镀：镀铜使孔壁上的非导体部分进行金属化，以及加厚线路及孔内的铜厚，并在镀铜后的基板上镀一层锡；
第二蚀刻：加100%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为9.0，氯离子的浓度为150g/L，铜离子的浓度为130g/L，对基板进行蚀刻，使基板上非线路底铜蚀刻掉，形成最终线路图形。
优选的，在图形设计时，各个拼接单元1之间设有间隔，每个拼接单元1至少由两个拼接子单元11构成，拼接子单元11由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元11之间设有间隔，所述的同种类的样板是指的样板的层数相同，即都为单面板、双面板或多层板。 
优选的，所述的合拼板上设有线路区和非导电区2，所述的拼接单元1拼接在线路区，所述的非导电区2为不包含任何导电线路的区域，在完成所述第二蚀刻步骤后，对非导电2进行油墨处理，使非导电区2的表面覆着油墨。 
优选的，它还包括一个在完成退膜之后钻孔之前，对基板进行贴铝片的步骤；铝片的尺寸和需要钻孔的基板的尺寸一样，避免因铝片太小而造成断针；用胶纸贴铝片时要尽量靠边，避免造成断针；用于粘贴铝片的胶纸需贴在铝片的四周，从而抱枕铝片的平整牢固。 
本发明基于多种样品的合拼板的生产工艺的实施例三，它包括： 
图形设计：将由不同种类样板构成的拼接单元1设计在同一合拼板上，并制成线路纸片，其中所述的不同种类的样板是指用于拼接的样板的电路原理不同，例如用于拼接的样板分别为LED驱动电路和声控电路；
图形转移：线路纸片贴覆在基板上，依次进行曝光和显影；
第一蚀刻：加95%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为8.5，氯离子的浓度为170g/L，铜离子的浓度为150g/L，对基板进行蚀刻，使基板上露出铜面；
退膜：采用浓度为4%、温度为50°的氢氧化钠溶液对基板进行退膜处理，避免因氢氧化钠浓度不够或者浓度过高而造成基板不能完全退膜或者退膜强度过大的情况；
钻孔；
电镀：镀铜使孔壁上的非导体部分进行金属化，以及加厚线路及孔内的铜厚，并在镀铜后的基板上镀一层锡；
第二蚀刻：加95%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为8.5，氯离子的浓度为170g/L，铜离子的浓度为150g/L，对基板进行蚀刻，使基板上非线路底铜蚀刻掉，形成最终线路图形。
优选的，在图形设计时，各个拼接单元1之间设有间隔，每个拼接单元1至少由两个拼接子单元11构成，拼接子单元11由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元11之间设有间隔，所述的同种类的样板是指的样板的层数相同，即都为单面板、双面板或多层板。 
优选的，所述的合拼板上设有线路区和非导电区2，所述的拼接单元1拼接在线路区，所述的非导电区2为不包含任何导电线路的区域，在完成所述第二蚀刻步骤后，对非导电2进行油墨处理，使非导电区2的表面覆着油墨。 
优选的，它还包括一个在完成退膜之后钻孔之前，对基板进行贴铝片的步骤；铝片的尺寸和需要钻孔的基板的尺寸一样，避免因铝片太小而造成断针；用胶纸贴铝片时要尽量靠边，避免造成断针；用于粘贴铝片的胶纸需贴在铝片的四周，从而抱枕铝片的平整牢固。 

Claims (8)

1.基于多种样品的合拼板，其特征在于：它包括至少两个拼接在同一合拼板上的不同种类样板的拼接单元（1），拼接单元（1）保留有间隔。
2.根据权利要求1所述的基于多种样品的合拼板，其特征在于：所述的拼接单元（1）由至少两个拼接子单元（11）构成，拼接子单元（11）由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元（11）之间设有间隔。
3.根据权利要求1所述的基于多种样品的合拼板，其特征在于：所述的合拼板上设有线路区和非导电区（2），所述的拼接单元（1）拼接在线路区，所述的非导电区（2）为不包含任何导电线路的区域。
4.根据权利要求1所述的基于多种样品的合拼板，其特征在于：所述的非导电区（2）的表面覆有油墨。
5.基于多种样品的合拼板的生产工艺，其特征在于：它包括：
图形设计：将由不同种类样板构成的拼接单元（1）设计在同一合拼板上，并制成线路纸片；
图形转移：线路纸片贴覆在基板上，依次进行曝光和显影；
第一蚀刻：加90%～100%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为8.0～9.0，氯离子的浓度为150g/L～190g/L，铜离子的浓度为130g/L～170g/L，对基板进行蚀刻，使基板上露出铜面；
退膜：采用浓度为3%～5%、温度为45°～55°的氢氧化钠溶液对基板进行退膜处理；
钻孔；
电镀：镀铜使孔壁上的非导体部分进行金属化，以及加厚线路及孔内的铜厚，并在镀铜后的基板上镀一层锡；
第二蚀刻：加90%～100%的硫酸对蚀刻液进行调节，使得蚀刻液的PH值为8.0～9.0，氯离子的浓度为150g/L～190g/L，铜离子的浓度为130g/L～170g/L，对基板进行蚀刻，使基板上非线路底铜蚀刻掉，形成最终线路图形。
6.根据权利要求5所述的基于多种样品的合拼板的生产工艺，其特征在于：在图形设计时，各个拼接单元（1）之间设有间隔，每个拼接单元（1）至少由两个拼接子单元（11）构成，拼接子单元（11）由至少一个同种类的样板构成，拼接子单元（11）之间设有间隔。
7.根据权利要求5所述的基于多种样品的合拼板的生产工艺，其特征在于：所述的合拼板上设有线路区和非导电区（2），所述的拼接单元（1）拼接在线路区，所述的非导电区（2）为不包含任何导电线路的区域，在完成所述第二蚀刻步骤后，对非导电（2）进行油墨处理，使非导电区（2）的表面覆着油墨。
8.根据权利要求5所述的基于多种样品的合拼板的生产工艺，其特征在于：它还包括一个在完成退膜之后钻孔之前，对基板进行贴铝片的步骤。
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Denomination of invention: Composite board based on multiple samples and its production process

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Denomination of invention: Composite board based on multiple samples and its production process

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