CN103716041B - 集成电路和切换方法、振动器件、电子设备、移动体 - Google Patents
集成电路和切换方法、振动器件、电子设备、移动体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103716041B CN103716041B CN201310445763.2A CN201310445763A CN103716041B CN 103716041 B CN103716041 B CN 103716041B CN 201310445763 A CN201310445763 A CN 201310445763A CN 103716041 B CN103716041 B CN 103716041B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- terminal
- circuit
- pattern
- signal
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 47
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 17
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 claims 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 208000030402 vitamin D-dependent rickets Diseases 0.000 description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 201000007224 Myeloproliferative neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000541 pulsatile effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/04—Constructional details for maintaining temperature constant
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B1/00—Details
- H03B1/02—Structural details of power oscillators, e.g. for heating
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
本发明提供集成电路和切换方法、振动器件、电子设备、移动体，其可降低由于在模式切换时施加高电压而引起的对晶体管的应力、维持可靠性的同时通过使用微细制造工艺来降低成本。振荡用(IC2)包含：VDD端子(第1端子)、OUT端子(第2端子)、用于使振荡元件(3)振荡的振荡电路(10)、模式切换电路(70)，其根据VDD端子的电压来切换通常模式(将振荡电路(10)所输出的振荡信号从OUT端子输出至外部的第1模式)和串行接口模式(将振荡信号以外的信号从OUT端子输出或输入的第2模式)；以及控制电路(40)，其根据可从外部变更的设定信息，在串行接口模式下对振荡电路(10)的停止进行控制。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路、振动器件、电子设备、移动体以及集成电路的模式切换方法。
背景技术
温度补偿型石英振荡器(TCXO：Temperature Compensated X’tal Oscillator)通过在预定的温度范围内消除与石英振子的振荡频率的期望频率(公称频率)之间的偏差(频率偏差)来获得较高的频率稳定度，因此广泛使用于移动电话的终端、基站或GPS(GlobalPositioning System：全球定位系统)接收机等需要高精度的定时信号的设备或系统。
一般情况下，TCXO为了进行振荡频率的温度补偿，而在出厂前进行每个温度的频率调整。在该调整中，若内置于TCXO的石英振子的温度变化与TCXO用IC内部的温度传感器的检测温度变化相对一致，则能够进行高精度的温度补偿。但是，上述温度传感器大多搭载在TCXO用IC内，容易受到TCXO用IC的功耗所导致的发热的影响，而且与TCXO用IC的功耗变化相伴的发热变化仅对温度传感器带来影响，所以有时石英振子的温度变化与温度传感器的检测温度变化之间会产生偏差，结果，妨碍了高精度的温度补偿。针对以上的课题，以往的TCXO用IC在为了与内置存储器等进行串行通信而使用的串行接口模式下，也会避免导致发热变化的大的内部状态变化。
另一方面，由于近年来的TCXO的低价格化，当务之急的是使内置于TCXO中的TCXO用IC小面积、低成本化，并且需要通过以微细制造工艺制作出的更小面积的IC。另外，TCXO用IC为了实现小面积、低成本化，而大多是进行少引脚化，因为无法设置为了与内置存储器等进行串行通信而使用的向串行接口模式切换的切换专用引脚，所以存在通过对电源端子施加高电压来进行模式切换的情形(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第5724009号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是，当对通过微细制造工艺制造出的TCXO用IC的电源端子施加高电压时，其结果，对其内部的晶体管施加高电压，从而不能忽视对晶体管施加的应力，并且HCI(HotCarrier Injection：热载流子注入)、NBTI(Negative Bias Temperature Instability：负偏压温度不稳定性)、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown：经时介电击穿)等的特性劣化成为问题。例如，NBTI是在高温下长期保持在晶体管的栅极—衬底之间具有电势差(Negative Bias)的状态时晶体管特性发生偏移的现象，例如，在振荡电路的输出缓冲电路被构成为如图15所示的情况下，当对电源端子(VDD端子)施加高电压时，虚线内的PMOS晶体管的源极(S)-栅极(G)之间的电压差变大，施加产生NBTI的应力。这样的特性劣化的问题妨碍了TCXO用IC由于采用微细制造工艺而降低成本的效果，并且很难确保器件的可靠性。
本发明是鉴于以上这样的问题点而作出的，根据本发明的几个方式，能够提供如下的集成电路、振动器件、电子设备、移动体以及集成电路的模式切换方法：可降低由于在模式切换时施加高电压而产生的对晶体管的应力，在维持可靠性的同时通过使用微细制造工艺来降低成本。
解决问题的手段
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而作出的，可作为以下的方式或应用例来实现。
[应用例1]
本应用例的集成电路包含：第1端子；第2端子；振荡电路，其用于使振荡元件进行振荡；模式切换电路，其根据上述第1端子的电压来切换如下的第1模式和第2模式，其中该第1模式是将上述振荡电路输出的振荡信号从上述第2端子输出至外部的模式，该第2模式是从上述第2端子输出或输入上述振荡信号以外的信号的模式；以及控制电路，其根据设定信息，在上述第2模式下对上述振荡电路的停止进行控制。
例如，第1端子是电源端子，模式切换电路可以在第1端子的电压属于第1电压范围内时选择第1模式。
根据本应用例的集成电路，可根据第1端子的电压来进行第1模式和第2模式的切换，并且在第2模式下能够从外部对振荡电路的停止进行控制。因此，通过设定为在第2模式下使振荡电路停止，能够降低由于在模式切换时施加高电压而引起的对振荡电路内部的元件的应力，在维持可靠性的同时通过使用微细制造工艺实现成本降本。
[应用例2]
在上述应用例的集成电路中也可以是，在投入电源的同时选择了上述第2模式时，上述控制电路使上述振荡电路停止。
根据本应用例的集成电路，在第2模式下，因为在默认设定中振荡电路停止，所以即使对第1端子施加高电压，也能够降低对构成振荡电路的元件的应力。
[应用例3]
也可以是，上述应用例的集成电路还包含输出缓冲电路，该输出缓冲电路输入上述振荡电路所输出的振荡信号并输出到上述第2端子，上述控制电路根据上述设定信息来对上述振荡电路以及上述输出缓冲电路的停止进行控制。
根据本应用例的集成电路，在第2模式下，使振荡电路和输出缓冲电路同时停止，由此即使对第1端子施加了高电压，也能够降低对构成振荡电路和输出缓冲电路的元件的应力。
[应用例4]
也可以是，上述应用例的集成电路还包含温度补偿电路，该温度补偿电路具有温度传感器，并根据该温度传感器的输出信号来进行上述振荡元件的频率的温度补偿，上述控制电路根据上述设定信息来对上述振荡电路以及上述温度补偿电路的停止进行控制。
根据本应用例的集成电路，在第2模式下，使振荡电路和温度补偿电路同时停止，由此即使对第1端子施加了高电压，也能够降低对构成振荡电路和温度补偿电路的元件的应力。另一方面，在进行振荡器等振动器件的温度补偿用的频率调整时，可通过设定成在第2模式下不同时停止振荡电路和温度补偿电路来减小发热变化，在温度传感器的检测温度与振动器件的温度一致的状态下进行高精度的频率调整。
[应用例5]
也可以是，上述应用例的集成电路还包含第3端子，在上述第2模式下，从上述第2端子和上述第3端子的一方输入串行时钟信号，从上述第2端子和上述第3端子的另一方与上述串行时钟信号同步地输入包含上述设定信息的更新数据的串行数据信号，上述控制电路与上述串行时钟信号同步地取得上述串行数据信号，并根据所取得的该串行数据信号中包含的上述更新数据来更新上述设定信息。
例如，在第2模式下，可从第3端子输入串行时钟信号，从第2端子输入串行数据信号。
[应用例6]
也可以是，在上述应用例的集成电路中，上述振荡电路输出基于从上述第3端子输入的频率控制信号的频率。
[应用例7]
也可以是，在上述应用例的集成电路中，在对上述第1端子输入了第1电压范围的电压时，上述模式切换电路选择上述第1模式，在上述第1模式下，在对上述第1端子输入了与上述第1电压范围不同的第2电压范围的电压的同时从上述第2端子或上述第3端子输入了脉冲信号时，所述模式切换电路选择上述第2模式。
根据本应用例的集成电路，即使第1电压由于噪声等的影响而处于第1电压范围，只要没有从第3端子输入脉冲信号，就不从第1模式切换为第2模式。因此，能够降低错误地从第1模式切换到第2模式的可能性。
[应用例8]
本应用例的振动器件包含上述任意的集成电路和通过上述集成电路中包含的上述振荡电路进行振荡的振荡元件。
振动器件是例如作为振荡元件具有振子的振荡器或作为振荡元件具有振动型传感元件的物理量传感器等。
根据本应用例的振动器件，能够维持可靠性并且通过使用微细制造工艺来降低成本。
[应用例9]
本应用例的电子设备包含上述任意的集成电路。
[应用例10]
本应用例的移动体包含上述任意的集成电路。
[应用例11]
在本应用例的集成电路的模式切换方法是如下的集成电路的模式切换方法，该集成电路包含：第1端子、第2端子、第3端子、用于使振荡元件振荡的振荡电路以及模式切换电路，该模式切换电路根据上述第1端子的电压来切换第1模式和第2模式，其中该第1模式是将上述振荡电路输出的振荡信号从上述第2端子输出至外部的模式，该第2模式是从上述第2端子输出或输入上述振荡信号以外的信号的模式，在上述第2模式下，从上述第3端子输入串行时钟信号，上述模式切换电路将在对上述第1端子输入第1电压范围的电压时选择上述第1模式的集成电路从上述第1模式切换为上述第2模式，该集成电路的模式切换方法包含以下步骤：当对上述第1端子输入上述第1电压范围的电压时，将上述第3端子的电压设定为接地电位或电源电位；以及当对上述第3端子输入上述接地电位或上述电源电位的电压时，将对上述第1端子输入的电压从上述第1电压范围变更为与上述第1电压范围不同的第2电压范围。
在第2模式下，当第3端子处于内部元件的逻辑阈值附近的中间电位时，有可能误认为从第3端子输入了串行时钟信号，但根据本应用例的集成电路的模式切换方法，在将第3端子设定为接地电位或电源电位的状态下，将第1端子的电压从第1电压范围变更为第2电压范围，所以能够防止从第1模式切换到第2模式时的误动作。
[应用例12]
也可以是，上述应用例的集成电路的模式切换方法还包含如下步骤：对上述第1端子输入上述第2电压范围的电压，从上述第3端子输入脉冲信号，在选择了上述第1模式，对上述第1端子输入了上述第2电压范围的电压，且从上述第3端子输入脉冲信号时，上述模式切换电路切换为上述第2模式。
根据本应用例的集成电路的模式切换方法，即使第1电压由于噪声等的影响而处于第1电压范围，只要没有从第3端子输入脉冲信号，就不从第1模式切换为第2模式。因此，能够降低错误地从第1模式切换到第2模式的可能性。
附图说明
图1是示出第1实施方式的振荡器的结构例的图。
图2是示出第1实施方式中的模式切换电路的结构例的图。
图3是示出开关A的结构例的图。
图4是示出开关B的结构例的图。
图5是示出第1实施方式中的模式切换的一例的时序图。
图6是示出输出缓冲电路的结构例的图。
图7是示出第2实施方式的振荡器的结构例的图。
图8是示出第2实施方式中的模式切换电路的结构例的图。
图9是示出第2实施方式中的模式切换的一例的时序图。
图10是本实施方式的电子设备的功能框图。
图11是示出本实施方式的电子设备的外观的一例的图。
图12是示出本实施方式的移动体的一例的图。
图13是示出振荡器的结构的变形例的图。
图14是示出开关B的结构的变形例的图。
图15是示出现有振荡电路的输出缓冲电路的结构例的图。
标号说明
1振荡器，2振荡用IC，3振荡元件，10振荡电路，20温度补偿电路，22温度传感器，30输出缓冲电路，40控制电路，42寄存器，50存储器，60串行接口(IF)电路，70模式切换电路，72电阻器，74电阻，76比较器，78NAND电路，79D触发器，80开关A，82AND电路，84模拟开关，90开关B，92AND电路，94AND电路，96三态缓冲器，98选择器，100偏压电路，300电子设备，310振动器件，312振荡用IC，320CPU，330操作部，340ROM，350RAM，360通信部，370显示部，380声音输出部，400移动体，410振荡用IC，420、430、440控制器，450电池，460备用电池
具体实施方式
以下，使用附图来详细说明本发明的优选实施方式。此外，以下说明的实施方式不对权利要求书所记载的本发明的内容进行不当的限定。另外，以下说明的结构并非全是本发明的必要构成要件。
1.振荡器，振荡用IC
1-1.第1实施方式
图1是示出第1实施方式的振荡器(振动器件的一例)的结构例的图。如图1所示，第1实施方式的振荡器1构成为包含振荡用IC2以及振荡元件3。
振荡元件3连接在振荡用IC2的XI端子与XO端子之间。作为振荡元件3例如可采用SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)谐振器、AT切石英振子、SC切石英振子、音叉型石英振子、其它压电振子或MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)振子等。作为振荡元件3的基板材料可采用石英、钽酸锂、铌酸锂等压电单石英、锆钛酸铅等压电陶瓷之类的压电材料或硅半导体材料等。作为振荡元件3的激励手段可采用基于压电效应的手段，或者可采用基于库仑力的静电驱动。
振荡用IC2是用于使振荡元件3振荡的通过CMOS工艺等制造的集成电路，其构成为包含振荡电路10、温度补偿电路20、输出缓冲电路30、控制电路40、存储器50、串行接口(IF)电路60、模式切换电路70、开关A(80)、开关B(90)以及偏压电路100。此外，本实施方式的振荡用IC2可以是省略或变更这些要素的一部分或者追加其它要素后的结构。
偏压电路100是根据从VDD端子供给的电源电压VDD来产生各种基准电压的电路，各个模块通过电源电压VDD和基准电压进行动作。
振荡电路10是形成通过MOSFET或者双极晶体管等放大元件(未图示)来放大振荡元件3的输出信号之后输入到振荡元件3的振荡环路并使振荡元件3进行振荡的电路。在本实施方式中，振荡电路10构成为包含与振荡环路连接的至少1个可变电容元件(未图示)，并且能够根据对可变电容元件施加的电压来改变振荡频率。
温度补偿电路20包含作为输出信号的大小随着温度而变化的感温元件的温度传感器22，根据温度传感器22的输出信号和预先存储在存储器50内的经由控制电路40输入的温度补偿数据CMPD(例如，石英振子等振荡元件3的频率温度特性函数的系数值等)，产生用于消除由于振荡元件3的温度变动而引起的频率变动的温度补偿电压，并施加到振荡电路10的可变电容元件上。另外，温度补偿电路20产生与从VC端子经由开关A(80)输入的频率控制信号VCTL相应的频率控制电压，并施加到振荡电路10的可变电容元件上。例如，温度补偿电路20可以对振荡电路10的1个可变电容元件施加将温度补偿电压与频率控制电压相加而得的电压，或者可以对振荡电路10的另外的可变电容元件施加温度补偿电压和频率控制电压。振荡电路10按照与该温度补偿电压或频率控制电压相应的频率使振荡元件3进行振荡。即，本实施方式的振荡器1是电压控制温度补偿型振荡器，振荡用IC2是电压控制温度补偿型振荡器用的IC。
输出缓冲电路30是将从振荡电路10输出的振荡信号放大整形为预定电平的电路，并输出时钟信号CLKO。输出缓冲电路30的输出与OUT（输出）端子连接。
控制电路40是控制各个模块的动作的电路，其进行对存储器50的访问(读/写)、与模式信号MODE相应的开关A(80)以及开关B(90)的控制、经由串行接口电路60的串行通信的控制和振荡电路10、温度补偿电路20以及输出缓冲电路30的掉电控制等。控制电路40包含寄存器42，进行与寄存器42的设定值相应的控制。
存储器50是可改写的非易失性存储器，例如可通过EEPROM(ElectricallyErasable Programmable Read-Only Memory：电可擦写只读存储器)等来实现。在存储器50中存储有温度补偿数据等各个模块的调整所需的数据。
串行接口电路60是用于在后述的串行接口模式下从外部访问寄存器42或存储器50的串行通信电路。在串行接口模式下，可经由串行接口电路60从外部对寄存器42或存储器50设定各种数据，或者向外部读出寄存器42或存储器50的设定值。
模式切换电路70是用于根据VDD端子(第1端子的一例)的电压电平来切换通常模式(第1模式的一例)与串行接口模式(第2模式的一例)的电路，其生成用于识别通常模式和串行接口模式的模式信号MODE，并提供给控制电路40。通常模式是从VC端子(第3端子的一例)施加频率控制电压并从OUT端子(第2端子的一例)向外部输出由输出缓冲电路30输出的时钟信号CLKO的模式。串行接口模式是用于在串行通信中使用VC端子和OUT端子的模式，在本实施方式中，VC端子用于串行时钟信号的输入，OUT端子用于串行数据信号的输入输出。
开关A(80)是如下这样的切换开关电路：在通常模式下将从VC端子输入的信号VCIN作为频率控制信号VCTL提供给温度补偿电路20，在串行接口模式下将从VC端子输入的信号VCIN作为串行时钟信号SCK提供给串行接口电路60。
开关B(90)是如下这样的切换开关电路：在串行接口模式下，从OUT端子输出串行数据输出信号SDO，或者将从OUT端子输入的信号作为串行数据输入信号SDI提供给串行接口电路60。
这样，本实施方式的振荡用IC2仅具有VDD、GND、XI、XO、VC、OUT这6个外部端子，不能准备用于切换通常模式与串行接口模式的专用端子、串行时钟的输入专用端子以及串行数据信号的输入输出专用端子。因此，在本实施方式中，根据VDD端子的电压电平来切换通常模式和串行接口模式，并且在串行接口模式下，将VC端子和OUT端子用于串行时钟信号和串行数据信号的输入输出。
图2是示出模式切换电路70的结构例的图。如图2所示，模式切换电路70构成为包含两个电阻器72、74以及比较器76，利用比较器76，将通过电阻器72、74对电源电压VDD进行电阻分割后的电压与比较用的电压进行比较。例如，由偏压电路100生成该比较用的电压。
根据这样的结构，模式切换电路70在电源电压VDD低于预定电压VDDR时(第1电压范围的一例)，输出表示通常模式的MODE信号(在本实施方式中为低电平的信号)，在电源电压VDD高于预定电压VDDR时(第2电压范围的一例)，输出表示串行接口模式的MODE信号(在本实施方式中为高电平的信号)。
图3是示出开关A(80)的结构例的图。如图3所示，开关A(80)构成为包含AND电路82以及模拟开关84。
对AND电路82以及模拟开关84输入来自VC端子的输入信号VIN和控制电路40所输出的输入控制信号INCTLA。
控制电路40在通常模式(MODE信号为低电平的信号)时，输出低电平的输入控制信号INCTLA，在串行接口模式(MODE信号为高电平的信号)时，输出高电平的输入控制信号INCTLA。
因此，在通常模式下，模拟开关84接通，输入信号VIN成为频率控制信号VCTL。另一方面，在串行接口模式下，输入信号VIN传输到AND电路82而成为串行时钟信号SCK。
图4是示出开关B(90)的结构例的图。如图4所示，开关B(90)构成为包含两个AND电路92、94以及三态缓冲器96。
对AND电路94输入控制电路40所输出的输入控制信号INCTLB以及输出控制信号OUTCTLB。
三态缓冲器96输入串行数据输出信号SDO和输出控制信号OUTCTLB，在输出控制信号OUTCTLB为低电平时，将串行数据输出信号SDO传输到输出端，在输出控制信号OUTCTLB为高电平时，成为高阻抗输出。
向AND电路92输入AND电路94的输出信号和三态缓冲器96的输出信号，AND电路92的输出信号成为串行数据输入信号SDI。
控制电路40在通常模式(MODE信号为低电平的信号)时输出高电平的输出控制信号OUTCTLB。另外，控制电路40在串行接口模式(MODE信号为高电平的信号)时，输出逻辑电平遵照于内部定序器（sequencer）的输入控制信号INCTLB和输出控制信号OUTCTLB。
因此，在通常模式下，三态缓冲器96的输出为高阻抗，从OUT端子输出时钟信号CLKO。另一方面，在串行接口模式下，来自OUT端子的输入信号IO传输到AND电路92而成为串行数据输入信号SDI，或者串行数据输出信号SDO传输到三态缓冲器96并从OUT端子输出。
在本实施方式中，控制电路40可变更是否在串行接口模式下使振荡电路10以及温度补偿电路20掉电。在掉电时，控制电路40对振荡电路10以及温度补偿电路20输出高电平的掉电信号PD1，在不掉电时控制电路40对振荡电路10以及温度补偿电路20输出低电平的掉电信号PD1。用户可通过是否对寄存器42的预定位写入1来选择是否在串行接口模式下使振荡电路10以及温度补偿电路20掉电。
另外，控制电路40在串行接口模式下对输出缓冲电路30始终输出高电平的掉电信号PD2，使输出缓冲电路30掉电。由此，在串行接口模式下，输出缓冲电路30的输出始终成为高阻抗，可以从OUT端子进行串行数据输入信号SDI的输入或串行数据输出信号SDO的输出。
图5(A)以及图5(B)是示出模式切换的一例的时序图。图5(A)是在串行接口模式下选择掉电模式(使振荡电路10以及温度补偿电路20掉电的模式)时的时序图，图5(B)是在串行接口模式下没有选择掉电模式时的时序图。
图5(A)、图5(B)都是在从通常模式切换为串行接口模式之后又从串行接口模式切换为通常模式。在通常模式下，电源电压VDD成为比预定电压VDDR低的VDDL，从OUT端子输出振幅为VDDL的时钟信号CLKO。
在本实施方式中，在从通常模式切换到串行接口模式时，首先将VC端子的电压设定为VSS(接地电位)，接着在VC端子的电压为VSS的状态下将VDD端子的电压从VDDL变更为比VDDR高的VDDH。由此，切换为串行接口模式。即使未将VC端子的电压设定为VSS就使VDD端子的电压变更为VDDH，也切换为串行接口模式，但如果VC端子的电压是图3所示的AND电路82的逻辑阈值附近的电压，就有可能在切换为串行接口模式之后立刻产生串行时钟SCK而进行误动作。此外，在本实施方式中，在将VC端子的电压设定为VSS的状态下使VDD端子的电压成为VDDH，但也可以在将VC端子的电压设定为VDDH(电源电位)的状态下使VDD端子的电压成为VDDH。
当切换为串行接口模式时，在图5(A)中掉电信号PD1和掉电信号PD2都成为高电平，振荡电路10、温度补偿电路20以及输出缓冲电路30掉电。另一方面，在图5(B)中掉电信号PD1保持低电平的状态，振荡电路10以及温度补偿电路20没有掉电。
在本实施方式中，在电源投入之后，首先在切换为串行接口模式时成为掉电模式。即，在串行接口模式下将掉电模式作为默认设定，所以当希望解除掉电模式时，需要在串行接口模式下改写寄存器42的设定位。
通过将VDD端子的电压从VDDH变更为VDDL，来进行从串行接口模式向通常模式的切换。
当切换为通常模式时，在图5(A)中解除掉电并开始振荡动作，但在振荡振幅超过输出缓冲电路30的逻辑阈值之前，不从OUT端子输出时钟信号CLKO。另一方面，在图5(B)中，串行接口模式期间也持续进行振荡，所以在切换为通常模式之后立即从OUT端子输出时钟信号CLKO。
如以上所说明的那样，根据第1实施方式的振荡器以及振荡用IC，在串行接口模式下掉电模式成为默认设定，所以即使在串行接口模式下对VDD端子施加高电压，也能够对于构成振荡电路10、温度补偿电路20以及输出缓冲电路30的晶体管，降低由于施加高电压而引起的应力。由此，能够在维持可靠性的同时通过使用微细制造工艺来降低成本。例如，当如图6所示构成输出缓冲电路30时，与现有结构(图15)的情况不同，即使在对VDD端子施加高电压时，虚线内的PMOS晶体管的源极(S)-栅极(G)之间的电压差也为零，从而不会施加NBTI应力。
另外，根据第1实施方式的振荡器以及振荡用IC，在串行接口模式下还可以解除振荡电路10以及温度补偿电路20的掉电模式，通过解除掉电模式，能够减少振荡用IC2的内部状态变化，并抑制振荡用IC2的温度变化。由此，例如在振荡器1的最终检查等中实施温度补偿用的频率调整工序(温度补偿数据的制作工序)时，可通过解除串行接口模式下的掉电模式，来在使振荡用IC2内部的温度传感器22的检测温度与振荡元件3的温度一致的状态下，高精度地进行温度补偿用的频率调整。
1-2.第2实施方式
在振荡器1出厂之前，在例如温度补偿用的频率调整时等需要切换至串行接口模式，但在振荡器1出厂之后不需要切换至串行接口模式，不会存在通常动作时错误地切换至串行接口模式、哪怕瞬间地时钟输出停止的情况。另一方面，由于端子数量的限制，不能使用设置用于切换为串行接口模式的专用端子并在出厂时将该专用端子固定为无效状态的方法。因此，第2实施方式的振荡用IC构成为无需增加端子数，很难产生向串行接口模式的误切换。
图7是示出第2实施方式的振荡器(振动器件的一例)的结构例的图。如图7所示，第2实施方式的振荡器1的构成要素与第1实施方式(图1)相同。但是，在第2实施方式的振荡器1中，振荡用IC2的模式切换电路70的结构与第1实施方式不同。
即，如图7所示，对本实施方式中的模式切换电路70不仅输入VDD端子的电压，还输入来自VC端子的输入信号VCIN，根据VDD端子的电压电平与输入信号VCIN，来切换通常模式与串行接口模式。
图8是示出第2实施方式中的模式切换电路70的结构例的图。如图8所示，模式切换电路70构成为包含两个电阻器72、74、比较器76、NAND电路78以及带复位端子的D触发器79。
与第1实施方式(图3)同样地，比较器76将利用电阻器72、74对电源电压VDD进行电阻分割所得的电压与比较用的电压进行比较。
比较器76的输出信号被输入至D触发器79的数据输入端子D以及复位端子R(低电平有效)，同时被输入至NAND电路78。输入信号VCIN也输入至NAND电路78，NAND电路78的输出信号被输入至D触发器79的时钟输入端子C。
然后，从D触发器79的数据输出端子Q输出的信号成为模式信号MODE。
根据这样的结构，模式切换电路70在电源电压VDD低于预定电压VDDR时(第1电压范围的一例)输出表示通常模式的MODE信号(在本实施方式中为低电平的信号)，在电源电压VDD高于预定电压VDDR时(第2电压范围的一例)输入了脉冲信号(时钟信号)作为输入信号VCIN的情况下，在该脉冲信号(时钟信号)的下降沿的时刻，输出表示串行接口模式的MODE信号(在本实施方式中为高电平的信号)。
第2实施方式的振荡用IC2的其它结构与第1实施方式(图1)相同，所以省略其说明。
图9(A)以及图9(B)是示出第2实施方式中的模式切换的一例的时序图。图9(A)是在串行接口模式下选择掉电模式时的时序图，图9(B)是在串行接口模式下未选择掉电模式时的时序图。
图9(A)、图9(B)都是在从通常模式切换为串行接口模式之后又从串行接口模式切换为通常模式。在通常模式下，电源电压VDD为比预定电压VDDR低的VDDL，从OUT端子输出振幅为VDDL的时钟信号CLKO。
在本实施方式中，关于从通常模式向串行接口模式的切换，与第1实施方式同样地，首先将VC端子的电压设定为VSS(接地电位)，接着在VC端子的电压为VSS的状态下将VDD端子的电压从VDDL变更为比VDDR高的VDDH。而且，在VDD端子的电压为VDDH(电源电位)的状态下对VC端子输入VDDH的脉冲信号(时钟信号)。在该脉冲信号(时钟信号)的下降沿处切换为串行接口模式。
当切换为串行接口模式时，在图9(A)中掉电信号PD1和掉电信号PD2都成为高电平，振荡电路10、温度补偿电路20以及输出缓冲电路30掉电。另一方面，在图9(B)中掉电信号PD1仍保持低电平的状态，振荡电路10以及温度补偿电路20不掉电。
在本实施方式中，也因为在串行接口模式下掉电模式也为默认设定，所以当希望解除掉电模式时，需要在串行接口模式下改写寄存器42的设定位。
与第1实施方式相同地，通过将VDD端子的电压从VDDH变更为VDDL来进行从串行接口模式向通常模式的切换。
当切换为通常模式时，在图9(A)中解除掉电并开始振荡动作，但在振荡振幅超过输出缓冲电路30的逻辑阈值之前，不从OUT端子输出时钟信号CLKO。另一方面，在图9(B)中，在串行接口模式期间也持续进行振荡，所以在切换为通常模式之后立即从OUT端子输出时钟信号CLKO。
如以上所说明的那样，根据第2实施方式的振荡器以及振荡用IC，与第1实施方式同样地在串行接口模式下使掉电模式成为默认设定，所以相对于各个晶体管降低由于施加高电压而引起的应力。由此，能够在维持可靠性的同时通过使用微细制造工艺来降低成本。
另外，根据第2实施方式的振荡器以及振荡用IC，与第1实施方式同样地在串行接口模式下可通过解除掉电模式，来减少振荡用IC2的内部状态变化，并抑制振荡用IC2的温度变化。由此，可以在振荡用IC2内部的温度传感器22的检测温度与振荡元件3的温度一致的状态下，高精度地进行温度补偿用的频率调整。
而且，根据第2实施方式的振荡器以及振荡用IC，从通常模式向串行接口模式的切换需要在对VDD端子施加高电压的状态下对VC端子输入一次脉冲信号(时钟信号)，因此能够降低在通常动作时错误地切换至串行接口模式的可能性。
2.电子设备
图10是本实施方式的电子设备的功能框图。另外，图11是示出作为本实施方式的电子设备的一例的智能手机的外观的一例的图。
本实施方式的电子设备300构成为包含振动器件310、CPU(Central ProcessingUnit：中央处理器)320、操作部330、ROM(Read Only Memory：只读存储器)340、RAM(RandomAccess Memory：随机存取存储器)350、通信部360、显示部370、声音输出部380。此外，本实施方式的电子设备可以是省略或变更图10的构成要素(各部)的一部分或者附加其它构成要素后的结构。
振动器件310是包含振荡用IC312的振荡器或振动型的传感器等。作为振动器件310或振荡用IC312，可应用上述各个实施方式的振荡器1的振荡用IC2。
CPU320按照ROM340等中存储的程序，使用振动器件310所生成的信号来进行各种计算处理或控制处理。另外，CPU320还进行与来自操作部330的操作信号相应的各种处理、为了与外部进行数据通信而控制通信部360的处理、发送用于在显示部370中显示各种信息的显示信号的处理、使声音输出部380输出各种声音的处理等。
操作部330是由操作键或按钮开关等构成的输入装置，将与用户的操作相应的操作信号输出给CPU320。
ROM340存储用于CPU320进行各种计算处理或控制处理的程序或数据等。
RAM350被用作CPU320的作业区域，临时存储从ROM340读出的程序或数据、从操作部330输入的数据、CPU320按照各种程序执行的运算结果等。
通信部360进行用于建立CPU320与外部装置之间的数据通信的各种控制。
显示部370是由LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)等构成的显示装置，其根据从CPU320输入的显示信号来显示各种信息。在显示部370上可设置有作为操作部330发挥功能的触摸面板。
声音输出部380是扬声器等的输出声音的装置。
可通过加入上述本实施方式的振荡用IC2作为振荡用IC312，来实现可靠性更高的电子设备。
作为这样的电子设备300考虑了各种电子设备，例如可举出个人计算机(例如，移动型个人计算机、膝上型个人计算机、平板型个人计算机)、移动电话机等移动体终端、数字静态照相机、喷墨式排出装置(例如，喷墨打印机)、路由器或交换机等存储区域网络设备、局域网络设备、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本(还包含带通信功能的电子记事本)、电子辞典、电子计算器、电子游戏设备、游戏控制器、文字处理器、工作站、可视电话、安防用电视监视器、电子望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴式显示器，运动轨迹、运动追踪、运动控制器、PDR(步行者位置方位测量)等。
3.移动体
图12是示出本实施方式的移动体的一例的图(俯视图)。图12所示的移动体400构成为包含振荡用IC410、对发动机系统、制动系统、无钥匙进入系统等进行各种控制的控制器420、430、440、电池450、备用电池460。此外，本实施方式的移动体也可以是省略或变更图12的构成要素(各部)的一部分，或者附加其它构成要素后的结构。
作为振荡用IC410可应用上述各实施方式的振荡用IC2。此外，振荡用IC410可置换为包含振荡用IC2的振动器件(振荡器或物理量传感器等)。虽然省略了其它构成要素的详细说明，但为了进行移动体的移动所需的控制而需要较高的可靠性。例如，通过在电池450之外还具有备用电池460，提高了可靠性。
可通过应用上述各个实施方式的振荡用IC2作为振荡用IC410，来确保较高的可靠性。
作为这样的移动体400考虑了各种移动体，例如可举出汽车(还包含电动汽车)，喷气式飞机或直升机等飞机、船舶、火箭、人造卫星等。
本发明并不限于本实施方式，在本发明主旨的范围内可进行各种变形实施。
例如，在第1实施方式的振荡器1中，输出缓冲电路30在串行接口模式下始终掉电，但与振荡电路10以及温度补偿电路20同样地，输出缓冲电路30也可以变形为可变更是否进行掉电的结构。
图13是示出本变形例的振荡器(振动器件的一例)的结构的图。如图13所示，本变形例的振荡器1的构成要素与第1实施方式(图1)相同。但是，在本变形例的振荡器1中，输出缓冲电路30的输出信号输入至开关B(90)这一点和开关B(90)的结构以及控制电路40的结构与第1实施方式不同。
图14是示出本变形例中的开关B(90)的结构例的图。如图14所示，开关B(90)构成为包含两个AND电路92、94、三态缓冲器96以及选择器98。
AND电路94被输入控制电路40所输出的输入控制信号INCTLB以及输出控制信号OUTCTLB。
选择器98被输入了输出缓冲电路30所输出的时钟信号CLKO、串行接口电路60所输出的串行数据输出信号SDO以及控制电路40所输出的输出选择信号OUTSEL，在输出选择信号OUTSEL为低电平时选择时钟信号CLKO，在输出选择信号OUTSEL为高电平时选择串行数据输出信号SDO进行输出。
三态缓冲器96被输入选择器98的输出信号和输出控制信号OUTCTLB，在输出控制信号OUTCTLB为低电平时，使选择器98的输出信号传输至输出端，在输出控制信号OUTCTLB为高电平时成为高阻抗输出。
AND电路92被输入AND电路94的输出信号和三态缓冲器96的输出信号，AND电路92的输出信号成为串行数据输入信号SDI。
控制电路40在通常模式(MODE信号为低电平的信号)时输出低电平的输出控制信号OUTCTLB和低电平的输出选择信号OUTSEL。另外，控制电路40在串行接口模式(MODE信号为高电平的信号)时输出高电平的输出选择信号OUTSEL，并且输出逻辑电平遵照于内部定序器的输入控制信号INCTLB和输出控制信号OUTCTLB。
因此，在通常模式下，时钟信号CLKO传输到选择器98和三态缓冲器96并从OUT端子输出。另一方面，在串行接口模式下，来自OUT端子的输入信号IO传输到AND电路92并成为串行数据输入信号SDI，或者串行数据输出信号SDO传输到选择器98和三态缓冲器96并从OUT端子输出。
在本变形例中，控制电路40可变更在串行接口模式下是否使振荡电路10、温度补偿电路20以及输出缓冲电路30掉电。在掉电的情况下，控制电路40对振荡电路10、温度补偿电路20以及输出缓冲电路30输出高电平的掉电信号PD，在不掉电的情况下，控制电路40输出低电平的掉电信号PD。用户可通过是否对寄存器42的预定位写入1来选择在串行接口模式下是否使振荡电路10、温度补偿电路20以及输出缓冲电路30掉电。
本变形例的振荡用IC2的其它结构与第1实施方式(图1)相同，所以省略其说明。另外，示出模式切换一例的时序图只要在第1实施方式的图5(A)以及图5(B)的时序图中删除PD2并将PD1变更为PD即可，因此省略其图示以及其说明。
根据本变形例的振荡器以及振荡用IC，可起到与第1形态的振荡器同样的效果。
此外，在本变形例中，在串行接口模式下可选择是否使输出缓冲电路30与振荡电路10以及温度补偿电路20联动地进行掉电，但也可以构成为能够选择是否使输出缓冲电路30独立地进行掉电。另外，关于第2实施方式的振荡器1也同样地可变形为如下这样的结构：可变更是否使输出缓冲电路30与振荡电路10和温度补偿电路20联动或者独立地进行掉电。
在上述实施方式以及变形例中，举例说明了电压控制温度补偿型振荡器(VC-TCXO等)，但本发明的振荡器可以是温度补偿型振荡器(TCXO等)、电压控制型振荡器(VCXO或VCSO等)、恒温型振荡器(OCXO等)等。另外，这些振荡器可以与振荡元件的材质或激励手段无关地，是压电振荡器(石英振荡器等)、SAW振荡器、硅振荡器、原子振荡器等。
在上述实施方式以及变形例中举例说明了作为振动器件一例的振荡器，但本发明的振动器件只要包含振荡用IC(集成电路)和借助该振荡用IC进行振荡的振荡元件(振动体)即可，例如可以是具有振动型传感元件的物理量传感器(角速度传感器(陀螺仪传感器)或加速度传感器等)等。
上述实施方式以及变形例仅为一例，并不限于这些。例如，还可以适当组合各个实施方式以及变形例。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构或者目的以及效果相同的结构)。另外，本发明包含置换了实施方式中说明的结构的非本质部分后的结构。另外，本发明包含能起到与实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或可达成相同目的的结构。另外，本发明包含对于实施方式中所说明的结构附加了公知技术后的结构。
Claims (11)
1.一种集成电路，其包含：
第1端子；
第2端子；
振荡电路，其用于使振荡元件进行振荡；
模式切换电路，其根据所述第1端子的电压来切换如下的第1模式和第2模式，其中该第1模式是将所述振荡电路所输出的振荡信号从所述第2端子输出的模式，该第2模式是从所述第2端子输出或输入所述振荡信号以外的信号的模式；以及
控制电路，其根据设定信息，在所述第2模式下对所述振荡电路的停止进行控制，
所述集成电路还包含第3端子，
在所述第2模式下，从所述第2端子和所述第3端子的一方输入串行时钟信号，从所述第2端子和所述第3端子的另一方，与所述串行时钟信号同步地输入包含所述设定信息的更新数据的串行数据信号，
所述控制电路与所述串行时钟信号同步地取得所述串行数据信号，并根据所取得的该串行数据信号中包含的所述更新数据来更新所述设定信息。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，
在投入电源的同时选择了所述第2模式时，所述控制电路使所述振荡电路停止。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路，其中，
所述集成电路还包含输出缓冲电路，该输出缓冲电路输入所述振荡电路所输出的振荡信号并输出至所述第2端子，
所述控制电路根据所述设定信息来对所述振荡电路以及所述输出缓冲电路的停止进行控制。
4.根据权利要求1或2所述的集成电路，其中，
所述集成电路还包含温度补偿电路，该温度补偿电路具有温度传感器，并根据该温度传感器的输出信号来进行所述振荡元件的频率的温度补偿，
所述控制电路根据所述设定信息，对所述振荡电路以及所述温度补偿电路的停止进行控制。
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，
所述振荡电路输出基于从所述第3端子输入的频率控制信号的频率。
6.根据权利要求1或2所述的集成电路，其中，
在对所述第1端子输入了第1电压范围的电压时所述模式切换电路选择所述第1模式，
在所述第1模式下，在对所述第1端子输入与所述第1电压范围不同的第2电压范围的电压的同时从所述第2端子或所述第3端子输入了脉冲信号时，所述模式切换电路选择所述第2模式。
7.一种振动器件，其包含：
权利要求1或2所述的集成电路；以及
由所述振荡电路进行振荡的振荡元件。
8.一种电子设备，其包含权利要求1或2所述的集成电路。
9.一种移动体，其包含权利要求1或2所述的集成电路。
10.一种集成电路的模式切换方法，其中该集成电路包含：
第1端子、第2端子、第3端子、用于使振荡元件振荡的振荡电路以及模式切换电路，该模式切换电路根据所述第1端子的电压来切换第1模式和第2模式，其中该第1模式是将所述振荡电路输出的振荡信号从所述第2端子输出的模式，该第2模式是从所述第2端子输出或输入所述振荡信号以外的信号的模式，在所述第2模式下，从所述第3端子输入串行时钟信号，所述模式切换电路将在对所述第1端子输入了第1电压范围的电压时选择所述第1模式的集成电路从所述第1模式切换为所述第2模式，该集成电路的模式切换方法包含以下的步骤：
当对所述第1端子输入了所述第1电压范围的电压时，将所述第3端子的电压设定为接地电位或电源电位；以及
当对所述第3端子输入了所述接地电位或所述电源电位的电压时，将对所述第1端子输入的电压从所述第1电压范围变更为与所述第1电压范围不同的第2电压范围。
11.根据权利要求10所述的集成电路的模式切换方法，其中，
还包含如下步骤：对所述第1端子输入所述第2电压范围的电压，从所述第3端子输入脉冲信号，
在选择了所述第1模式，对所述第1端子输入了所述第2电压范围的电压，且从所述第3端子输入了脉冲信号时，所述模式切换电路切换为所述第2模式。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012217441A JP6241587B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 集積回路、振動デバイス、電子機器、移動体及び集積回路のモード切り替え方法 |
| JP2012-217441 | 2012-09-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103716041A CN103716041A (zh) | 2014-04-09 |
| CN103716041B true CN103716041B (zh) | 2018-03-06 |
Family
ID=50384586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310445763.2A Active CN103716041B (zh) | 2012-09-28 | 2013-09-25 | 集成电路和切换方法、振动器件、电子设备、移动体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9294101B2 (zh) |
| JP (1) | JP6241587B2 (zh) |
| CN (1) | CN103716041B (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6582378B2 (ja) * | 2014-09-08 | 2019-10-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、電子機器及び移動体 |
| JP6665408B2 (ja) * | 2015-02-18 | 2020-03-13 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、電子機器、移動体及び発振回路の調整方法 |
| JP6633882B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-01-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびシステム |
| JP6672708B2 (ja) * | 2015-11-02 | 2020-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 信号処理回路、半導体集積回路装置、発振器、電子機器、基地局及び信号処理回路の製造方法 |
| JP6668695B2 (ja) * | 2015-11-12 | 2020-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
| JP6680121B2 (ja) * | 2016-01-06 | 2020-04-15 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
| US10191124B2 (en) * | 2016-08-26 | 2019-01-29 | Sii Semiconductor Corporation | Sensor circuit |
| JP2018151727A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 電源管理装置及びメモリシステム |
| JP6852547B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2021-03-31 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
| JP2020181229A (ja) | 2019-04-23 | 2020-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品、電子機器及び移動体 |
| JP7363521B2 (ja) | 2020-01-27 | 2023-10-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器及び発振回路の動作モード切替方法 |
| JP2022143734A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体集積回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1618166A (zh) * | 2002-01-21 | 2005-05-18 | 西铁城时计株式会社 | 温度补偿型振荡器 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5724009A (en) | 1996-10-29 | 1998-03-03 | Motorola Inc. | Crystal oscillator having input/output pins selectively used for analog or digital signals |
| US6473852B1 (en) * | 1998-10-30 | 2002-10-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method and circuit for performing automatic power on reset of an integrated circuit |
| JP3358619B2 (ja) * | 1999-12-06 | 2002-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 温度補償型発振器、温度補償型発振器の制御方法及び無線通信装置 |
| US6693477B2 (en) * | 2001-10-22 | 2004-02-17 | Research In Motion Limited | Clock circuit for a microprocessor |
| JP4222147B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器及び圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器 |
| JP4867674B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2012-02-01 | ミツミ電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| JP2008187578A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Epson Toyocom Corp | 半導体集積回路、圧電発振器、および特性測定方法 |
| TWI340882B (en) * | 2007-04-09 | 2011-04-21 | Novatek Microelectronics Corp | Real time clock integrated circuit and apparatus thereof |
| JP5144166B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-02-13 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電発振器 |
| JP5058856B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2012-10-24 | セイコーＮｐｃ株式会社 | 発振回路 |
| WO2010093461A1 (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Silego Technology, Inc. | An integrated circuit frequency generator |
| JP5341698B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-11-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP5263791B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2013-08-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2012
- 2012-09-28 JP JP2012217441A patent/JP6241587B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-24 US US14/034,743 patent/US9294101B2/en active Active
- 2013-09-25 CN CN201310445763.2A patent/CN103716041B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1618166A (zh) * | 2002-01-21 | 2005-05-18 | 西铁城时计株式会社 | 温度补偿型振荡器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140091867A1 (en) | 2014-04-03 |
| US9294101B2 (en) | 2016-03-22 |
| JP2014072716A (ja) | 2014-04-21 |
| JP6241587B2 (ja) | 2017-12-06 |
| CN103716041A (zh) | 2014-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103716041B (zh) | 集成电路和切换方法、振动器件、电子设备、移动体 | |
| CN104753485B (zh) | 振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备以及移动体 | |
| CN103715985B (zh) | 振荡电路、振动器件及其调整方法、灵敏度调整电路 | |
| CN104601138B (zh) | 振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备以及移动体 | |
| CN107040208A (zh) | 电路装置、振荡器、电子设备以及移动体 | |
| CN104079291A (zh) | 振荡器、电子设备和移动体 | |
| CN208316684U (zh) | 温度补偿型振荡器及电子设备 | |
| CN108631731A (zh) | 振荡器、电子设备以及移动体 | |
| US10673382B2 (en) | Oscillator, electronic apparatus, vehicle, and method of manufacturing oscillator | |
| CN106487331A (zh) | 电子器件、电子器件的制造方法、电子设备以及移动体 | |
| CN106487332A (zh) | 振荡电路、电子设备以及移动体 | |
| CN105991128A (zh) | 振荡器、电子设备以及移动体 | |
| CN104682870A (zh) | 振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体 | |
| CN105897165A (zh) | 振荡电路、振荡器、电子设备以及移动体 | |
| CN104467671A (zh) | 振荡电路、电子设备、移动体以及振荡电路的制造方法 | |
| JP2016187153A (ja) | 発振器、電子機器及び移動体 | |
| CN105048987B (zh) | 半导体集成电路、振荡器、电子设备及移动体 | |
| CN104601111B (zh) | 振荡电路、振荡器、振荡器制造方法、电子设备及移动体 | |
| CN107231148A (zh) | 振荡器、电子设备以及移动体 | |
| CN103715988B (zh) | 振荡电路、电子设备以及移动体 | |
| CN104753465B (zh) | 振荡电路、振荡器、电子设备和移动体 | |
| CN104242821B (zh) | 可变电容电路、振荡电路、振动器件及其制造方法 | |
| CN105471390A (zh) | 半导体电路、振荡器、电子设备以及移动体 | |
| CN104075737B (zh) | 物理量传感器、电子设备及移动体 | |
| CN104601112A (zh) | 振荡电路、振荡器、振荡器制造方法、电子设备及移动体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |