CN104601138B - 振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备以及移动体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备以及移动体，能够提高振子的检查可靠性。振荡电路(1)构成为包括：振荡部(10)，其具有与振子(100)连接的第1端子(11)和第2端子(12)；第3端子(13)；第4端子(14)，其被施加电源电位(VDD)和用于检查振子(100)的信号中的至少一方；第1切换部(21)，其切换第1端子(11)和第3端子(13)的电连接；以及第2切换部(22)，其切换第2端子(12)和第4端子(14)的电连接。

Description

振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及振荡电路、振荡器、振荡器的制造方法、电子设备以及移动体。
背景技术
对于石英振子(压电振子)和MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)振子等振子，进行过激励(overdrive)检查或激励电平检查等来检查振子的特性，在过激励检查中，施加大的电流、电压或功率的交流信号来驱动振子，从而检查振子的频率特性等，在激励电平检查中，施加使大的电流、电压或功率的交流信号阶段性地增减而得到的信号来驱动振子，从而检查振子的频率特性等的变动。
另一方面，为了振荡器的小型化，开发了将石英振子和振荡电路收容在相同的收容容器内的振荡器。因此，为了将石英振子和振荡电路搭载在相同的收容容器内之后检查振子的特性，进行了各种设计。
在专利文献1中公开了一种石英振荡器，该石英振荡器构成为具有模拟开关，关于该模拟开关，通过对检查石英振子的特性时所使用的检查专用的检查用端子和电力输入端子施加特定的直流电压来控制该模拟开关，在石英振子的检查时，经由模拟开关将石英振子与检查用端子导通连接，在振荡器的通常动作时，将检查用端子从石英振子分离。
并且，在专利文献2中公开了一种将振荡器的功能端子兼用作石英振子的检查用端子的石英振荡器。
在专利文献2中，通过将石英振子的检查用端子兼用作石英振荡器的输出端子和备用(standby)端子，与如专利文献1那样具有专用的检查用端子的结构相比，能够实现振荡器的小型化。
在专利文献2中，选择输出端子和备用端子作为与石英振子的检查用端子兼用的端子的原因是考虑到，在检查石英振子的特性时，切换电路是由电源电压来控制的。
为了使切换电路的动作稳定，还需要对电源端子和接地端子施加稳定度高的电位。如果将这些端子兼用作石英检查端子，则会导致在直流电压中叠加石英振子的信号，从而电源电压变得不稳定。因此，作为石英振子的这2个端子，限定于输出端子和备用端子。
专利文献1：日本特开2001－102870号公报
专利文献2：日本特开2009－201097号公报
在专利文献1和专利文献2的任一方中，在振子的检查时，除了与振子连接的2个石英检查用端子以外，都需要电源端子和接地端子用以控制模拟开关和切换电路，因此，必须对与这4个端子电连接的电极和探头等的连接进行管理。而且，所要管理的连接部位越多，则发生由连接不良引起的检查问题的可能性就越高，有时导致振子的检查可靠性降低。
发明内容
本发明是鉴于以上的技术课题而完成的，根据本发明的若干方面，能够提供可提高振子的检查可靠性的振荡电路、振荡器、振荡器的制造方法、电子设备以及移动体。
[应用例1]
本应用例的振荡电路是这样的振荡电路，其包括：振荡部，其具有与振子连接的第1端子和第2端子；第3端子；第4端子，其被施加电源电位和用于驱动所述振子的交流电压中的至少一方；第1切换部，其切换所述第1端子和所述第3端子的电连接；以及第2切换部，其切换所述第2端子和所述第4端子的电连接。
根据本应用例，例如，通过向第3端子和第4端子之间提供用于驱动振子的交流信号、例如用于检查振子的电压信号，由此能够进行过激励检查、激励电平检查等振子的特性检查。在振荡电路的通常动作时和振子的检查时，能够将第4端子兼用作被提供电源电位的端子和被提供用于检查振子的电压信号的端子，因此，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少检查中使用的端子数量。因此，例如，能够降低由用于输入检查用信号的探头与振荡电路侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，因此，能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。并且，能够不经由振荡部、而是经由第3端子和第4端子向振子提供用于检查振子的特性的电压信号，因此，与经由振荡部向振子提供电压信号的情况相比，与电压信号的大小相关的限制减少。并且，由于使检查专用的端子与通常动作时的端子共用，因此能够减少端子数量，还能够使振荡电路小型化。
[应用例2]
在上述的振荡电路中，优选的是，所述第3端子是与接地电位连接的端子。
一般将与连接到接地电位的第3端子连接的配线设计得较粗，并且一般在第3端子和第1端子之间不配置除了第1切换部以外的元件。因此，在第3端子和第1端子之间，除了第1切换部以外的电阻成分减少。同样地，一般将与被提供电源电位的第4端子连接的配线设计得较粗，并且一般在第4端子和第2端子之间不配置除了第2切换部以外的元件。因此，在第4端子和第2端子之间，除了第2切换部以外的电阻成分减少。由此，根据本应用例，例如在进行过激励检查、激励电平检查等振子的特性检查的情况下，能够减小向第3端子和第4端子之间提供的电压信号的振幅。
[应用例3]
在上述的振荡电路中，优选的是，所述第1切换部是具有如下功能的电路：保护所述振荡部免受比所述振荡部工作的状态下施加给所述第1端子的最大电压高的电压的影响。
根据本应用例，由于能够将第1切换部兼用作例如具有保护振荡部免受静电等、比振荡部工作的状态下施加给所述第1端子的最大电压高的电压的影响的功能的电路，因此，与独立地设置作为第1切换部的专用开关和静电保护用的电路的情况相比，能够减小电路规模。因此，能够实现可小型化的振荡电路。
[应用例4]
在上述的振荡电路中，优选的是，所述第2切换部是具有如下功能的电路：保护所述振荡部免受比所述振荡部工作的状态下施加给所述第2端子的最大电压高的电压的影响。
根据本应用例，由于能够将第2切换部兼用作例如具有保护振荡部免受静电等、比振荡部工作的状态下施加给所述第2端子的最大电压高的电压的影响的功能的电路，因此，与独立地设置作为第2切换部的专用开关和静电保护用的电路的情况相比，能够减小电路规模。因此，能够实现可小型化的振荡电路。
[应用例5]
在上述的振荡电路中，优选的是，所述第1端子与所述振荡部的输入端子侧电连接。
根据本应用例，例如，能够经由第1端子将接地电位等固定电位与振荡部的输入端子侧连接，因此，在振子的检查时，容易停止振荡部的动作。因此，例如，能够减少在振子的检查时从振荡部产生的信号被施加给振子的情况，因此，能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。并且，能够实现即使施加了振子的检查信号，振荡部劣化的危险也较小的振荡电路。
[应用例6]
在上述的振荡电路中，优选的是，所述第1切换部包括晶体管。
根据本应用例，例如，通过将晶体管用作开关电路，能够容易地控制第1端子和与接地电位连接的第3端子之间的电连接。并且，能够使用第3端子、以及与第2端子电连接的被提供电源电位的第4端子这2个端子进行振子的检查。因此，能够降低由第1端子和第3端子之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，并且能够以较少的端子数量检查振子，因此，能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。
[应用例7]
在上述的振荡电路中，优选的是，所述第2切换部包括晶体管。
根据本应用例，例如，通过将晶体管用作开关电路，能够容易地控制第2端子和被提供电源电位的第4端子之间的电连接。并且，能够使用与第1端子电连接且与接地电位连接的第3端子以及第4端子这2个端子进行振子的检查。因此，能够降低由第2端子和第4端子之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，并且能够以较少的端子数量检查振子，因此，能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。
[应用例8]
在上述的振荡电路中，优选的是，所述振荡电路还包括控制所述第1切换部和所述第2切换部的控制部，所述第1切换部和所述第2切换部具有：第1模式，以使所述第1端子和所述第3端子电连接的方式控制所述第1切换部，并以使所述第2端子和所述第4端子电连接的方式控制所述第2切换部；以及第2模式，以不使所述第1端子和所述第3端子电连接的方式控制所述第1切换部，并以不使所述第2端子和所述第4端子电连接的方式控制所述第2切换部，所述控制部根据在所提供的电源电位为基准值以上的期间中输入的时钟信号，从所述第2模式切换到所述第1模式。
根据本应用例，控制部根据电源电位的大小和时钟信号这2个信号进行模式切换，因此，不会仅在电源电位变动时就切换模式，因而能够降低无意地切换模式这样的错误动作的可能性。
[应用例9]
本应用例的振荡电路是这样的振荡电路，其包括：振荡单元，其以振子为频率源，且与所述振子之间具有反馈用的导电通路；以及阻抗控制单元，其控制从所述振荡单元向所述振子输入信号的路径与电源用导电通路之间的阻抗，所述电源用导电通路是被施加用于驱动所述振子的交流电压的路径。
根据本应用例，通过向电源用导电通路提供用于驱动振子的交流电压、例如用于检查振子的特性的电压信号，并利用阻抗控制单元控制成减小从振荡单元朝向振子的信号的路径与电源用导电通路之间的阻抗，能够进行过激励检查、激励电平检查等振子的特性检查。在振荡电路的通常动作时和振子的检查时，能够将电源用导电通路兼用作用于提供用于检查振子的特性的电压信号的导电通路，因此，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少检查中使用的端子数量。因此，例如，能够降低由用于输入检查用信号的探头与振荡电路侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，因此，能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电路。并且，能够不经由振荡单元、而是经由电源用导电通路和阻抗控制单元向振子提供用于检查振子的特性的电压信号，因此，与经由振荡单元向振子提供电压信号的情况相比，与电压信号的大小相关的限制减少。并且，能够实现即使施加了振子的检查信号，振荡部劣化的危险也较小的振荡电路。
[应用例10]
本应用例的振荡器是这样的振荡器，其包括：上述的任一项的振荡电路；以及振子。
[应用例11]
在上述的振荡器中，优选的是，所述振荡器还包括封装，所述封装收容所述振荡电路和所述振子。
根据这些应用例的振荡器，由于包括提高了振子的检查可靠性的振荡电路，因而能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡器。
[应用例12]
在本应用例的振荡器的制造方法中，包括以下步骤：准备步骤，准备具有振荡电路和振子的结构，其中，所述振荡电路具有：振荡部，其具有与振子连接的第1端子和第2端子；第3端子；第4端子，其被提供电源电位；第1切换部，其切换所述第1端子和所述第3端子的电连接；以及第2切换部，其切换所述第2端子和所述第4端子的电连接，并且在所述结构中，将所述振荡电路和所述振子电连接，以使所述第1端子和所述第3端子电连接的方式切换所述第1切换部，并以使所述第2端子和所述第4端子电连接的方式切换所述第2切换部；电压施加步骤，对所述第3端子和所述第4端子施加交流电压；以及切换步骤，以不使所述第1端子和所述第3端子电连接的方式切换所述第1切换部，并以不使所述第2端子和所述第4端子电连接的方式切换所述第2切换部。
根据本应用例，在电压施加步骤中，在第3端子和第4端子之间提供例如用于检查振子的电压信号作为交流电压，由此能够进行过激励检查、激励电平检查等振子的特性检查。在振荡电路的通常动作时和振子的检查时，能够将第4端子兼用作被提供电源电位的端子和被提供用于检查振子的电压信号的端子，因此，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少检查中使用的端子数量。因此，例如，能够降低由用于输入检查用信号的探头与振荡电路侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，因此，能够实现提高了振子的检查可靠性的振荡电器的制造方法。
[应用例13]
在上述的振荡器的制造方法中，优选的是，在所述电压施加步骤中施加给所述第3端子和所述第4端子的交流电压是过激励检查用的电压和激励电平检查用的电压中的至少一方。
根据本应用例，作为振子的检查，通过进行过激励检查和激励电平检查中的至少一方，能够在振子的检查中将作为优良品的振荡器判别为优良品。因此，能够制造可靠性高的振荡器。
[应用例14]
本应用例的电子设备是这样的电子设备，其包括上述的任一项的振荡电路、或者上述的任一项的振荡器。
[应用例15]
本应用例的移动体是这样的移动体，其包括上述的任一项的振荡电路、或者上述的任一项的振荡器。
根据所述应用例中的电子设备和移动体，由于包括提高了振子的检查可靠性的振荡电路或振荡器，因此能够实现可靠性高的电子设备和移动体。
附图说明
图1是第1实施方式的振荡电路1的电路图。
图2是示出振荡部10的结构的一例的电路图。
图3是示出作为振荡部10的变型例的振荡部10a的结构的一例的电路图。
图4是用于说明控制部30的模式切换动作的时序图。
图5是第2实施方式的振荡电路1a的电路图。
图6是本实施方式的振荡器1000的截面图。
图7是作为本实施方式的变型例的振荡器1000a的截面图。
图8是示出本实施方式的振荡器1000的制造方法的流程图。
图9是示出信号施加步骤的概要的框图。
图10是本实施方式的电子设备300的功能框图。
图11是示出作为电子设备300的一例的智能电话的外观的一例的图。
图12是示出本实施方式的移动体400的一例的图(俯视图)。
标号说明
1、1a：振荡电路；2：电子部件；10、10a：振荡部；11：第1端子；12：第2端子；13：第3端子；14：第4端子；15：第5端子；16：第6端子；21：第1切换部；22、22a：第2切换部；30、30a：控制部；31：串行接口；32：寄存器；33：存储器；41：偏置生成电路；42：频率控制部；43：输出缓冲器；100：振子；300：电子设备；310：倍增电路；320：CPU：330：操作部；340：ROM；350：RAM：360：通信部；370：显示部；380：声音输出部；400：移动体；420：控制器；430：控制器；440：控制器；450：电池；460：备用电池；1000、1000a：振荡器；1100、1100a：封装；1200：盖；1300：电极；1400、1400a、1400b：收容室；1500：密封部件；3000：信号发生器；C11～C15：电容器；CS11：电流源；M11：晶体管；N1～N3：NMOS晶体管；P1～P3：PMOS晶体管；R1～R3：电阻；R11～R12：电阻；VDD：电源电位；VSS：接地电位。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的优选实施例进行详细说明。使用的附图是为了便于说明。另外，以下说明的实施例并不是对权利要求书中记载的本发明的内容进行不当限定。并且以下说明的所有结构并非都是本发明的必要构成要素。
1.第1实施方式的振荡电路
图1是第1实施方式的振荡电路1的电路图。振荡电路1的一部分或全部可以由半导体装置构成。并且，作为本发明的一例，第1实施方式的振荡电路1是不包含振子100的结构，然而也可以是在振荡电路1中包含振子100的结构。
本实施方式的振荡电路1包括：振荡单元，其以振子100为频率源，且与振子100之间具有反馈用的导电通路；以及阻抗控制单元，其控制从振荡单元向振子100输入信号的路径与电源用导电通路之间的阻抗。
更具体地，振荡电路1构成为包括：振荡部10，其具有被提供来自振子100的信号的第1端子11和输出提供给振子100的信号的第2端子12；第3端子13；第4端子14，其被提供电源电位VDD；第1切换部21，其控制第1端子11和第3端子13的电连接状态；以及第2切换部22，其控制第2端子12和第4端子14的电连接状态。上述的振荡单元的功能主要由振荡部10来实现。信号施加单元的功能主要由第2端子12和第4端子14来实现。上述的阻抗控制单元主要由第2切换部22来实现。并且，在图1所示的例子中，振荡电路1构成为包括：控制部30，其控制第1切换部21和第2切换部22；第5端子15，其被输入频率控制用的控制信号；以及第6端子16，其输出振荡信号。
振荡部10与振子100电连接而进行振荡动作。作为振荡部10，例如可以采用皮尔斯振荡电路、逆变式振荡电路、考毕兹振荡电路、哈特利振荡电路等各种公知的振荡电路。在本实施方式中，振荡部10是皮尔斯振荡电路。并且，在本实施方式中，与振荡部10相关联地构成为包括偏置生成电路41、频率控制部42和输出缓冲器43。
图2是示出振荡部10的结构的一例的电路图。在图2所示的例子中，振荡部10构成为包括：晶体管M11、电容器C11～C15、电阻R11～R12和电流源CS11。电容器C11和电容器C12是直流截止电容。电容器C13和电容器C14是频率控制用的可变电容。通过设置电容器C11和电容器C12，能够从晶体管M11等分离出施加给频率控制用的可变电容即电容器C13和电容器C14的偏置电压而进行控制。并且，在过激励检查、激励电平检查等检查振子100的特性的情况下，能够降低贯穿电流流入晶体管M11的危险。
第1端子11和晶体管M11的基极经由电容器C11连接。第2端子12和晶体管M11的集电极经由电容器C12连接。晶体管M11的基极和集电极经由电阻R11连接。晶体管M11的集电极和电源电位VDD经由电流源CS11连接。晶体管M11的集电极与输出缓冲器43的输入端子连接。晶体管M11的发射极与接地电位VSS连接。电容器C13和电容器C15串联连接，电容器C13的一端(一个端子)与第1端子11连接，电容器C15的一端(一个端子)与接地电位VSS连接。电容器C14的一端与第2端子12连接。电容器C14的另一端(另一个端子)与电容器C13和电容器C15的公共连接点连接，并且经由电阻R12与频率控制部42的输出端子连接。偏置生成电路41输出的偏置电压被提供到电容器13的一端和电容器C14的一端。
图3是示出作为振荡部10的变型例的振荡部10a的结构的一例的电路图。振荡部10a是去除了振荡部10的作为直流截止电容的电容器C11和电容器C12的结构。伴随于此，从偏置生成电路41接收偏置电压的提供的结构也被去除。其它结构与振荡部10相同。
另外，在图2所示的振荡部10和图3所示的振荡部10a中，输入端子侧为第1端子11，输出端子侧为第2端子12，然而也可以使输入端子侧为第2端子12，使输出端子侧为第1端子11。
回到图1，偏置生成电路41根据从第4端子14提供的电力，生成偏置电压并提供到振荡部10。在本实施方式中，向振荡部10的电容器C13和电容器C14提供偏置电压。
频率控制部42根据输入到第5端子15的控制信号，控制振荡部10中包含的可变电容(图2中的电容器C13和电容器C14)。即，在图1所示的例子中，第5端子15也作为频率控制用的端子执行功能。由此，能够控制振荡部10的振荡频率。频率控制部42例如可以构成为包括放大电路，该放大电路对输入到第4端子14的控制信号进行放大并输出到振荡部10。
输出缓冲器43由放大电路构成。输出缓冲器43被输入由振荡部10输出的振荡信号，并将信号输出到第6端子16。
第1切换部21控制振荡部10的第1端子11和第3端子13的电连接状态。在图1所示的例子中，第1切换部21根据控制部30输出的控制信号，控制第1端子11和第3端子13之间的电连接状态(阻抗的大小)，以便控制要从第1端子11经由配线(在图1中是接地用的配线)提供到第3端子13的交流信号的大小。第1切换部21例如可以构成为包括连接在第1端子11和第3端子13之间的开关作为控制第1端子11和第3端子13之间的阻抗大小的部件。在图1所示的例子中，NMOS晶体管N1作为开关执行功能。另外，在图1所示的例子中，与第1切换部21连接的第3端子13是与接地电位VSS连接的端子，然而作为第3端子13，也可以使用其它功能端子(频率控制用的端子、振荡信号的输出端子等)或专用端子。
第2切换部22控制振荡部10的第2端子12和第4端子14的电连接状态。在图1所示的例子中，第2切换部22根据控制部30输出的控制信号，控制第2端子12和第4端子14之间的电连接状态(阻抗的大小)，以便控制要从第2端子12经由配线(在图1中是电源用导电通路)输出到第4端子14的交流信号的大小。第2切换部22例如可以构成为包括连接在第2端子12和第4端子14之间的开关作为控制第2端子12和第4端子14之间的阻抗大小的部件。在图1所示的例子中，PMOS晶体管P1作为开关执行功能。
根据本实施方式的振荡电路1，通过向电源用导电通路提供用于检查振子100的特性的电压信号(用于驱动振子的交流电压的一例)，并利用阻抗控制单元控制成减小从振荡单元朝向振子100的信号路径与电源用导电通路之间的阻抗，能够进行例如过激励检查(对振子100施加交流信号而使振子100进行强激励振荡的试验)、激励电平检查(在使交流信号的激励电平在通常使用频带内变化的情况下的频率稳定性检查)、振子100的频率调整(测定振子100的谐振频率，进行振子100的调整以便成为期望的谐振频率)等、振子100的特性检查。在振荡电路1的通常动作时和振子100的检查时，能够将电源用导电通路兼用作用于提供用于检查振子100的特性的电压信号的导电通路，因此，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少检查中使用的端子数量。因此，例如，能够降低由用于输入检查用信号的探头与振荡电路1侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，因此，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。并且，能够不经由振荡单元、而是经由电源用导电通路和阻抗控制单元向振子100提供用于检查振子100的特性的电压信号，因此，与经由振荡单元向振子100提供电压信号的情况相比，与电压信号的大小相关的限制减少。并且，能够实现即使施加了振子100的检查信号，振荡部10劣化的危险也较小的振荡电路1。
更具体地，根据本实施方式的振荡电路1，例如，通过向第3端子13和第4端子14之间提供用于检查振子100的电压信号(用于驱动振子100的交流电压的一例)，由此能够进行例如过激励检查、激励电平检查等振子100的特性检查。在振荡电路1的通常动作时和振子100的检查时，能够将第4端子14兼用作被提供电源电位VDD的端子和被提供用于检查振子100的电压信号的端子，因此，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少检查中使用的端子数量。因此，例如，能够降低由用于输入检查用信号的探头与振荡电路1侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，因此，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。并且，能够不经由振荡部10、而是经由第3端子13和第4端子14向振子100提供用于检查振子100的特性的电压信号，因此，与经由振荡部10向振子100提供电压信号的情况相比，与电压信号的大小相关的限制减少。并且，由于将检查专用的端子兼用作通常动作时的端子，因此，能够减少端子数量，还能够使振荡电路1小型化。
如图1所示，优选的是，第3端子13是与接地电位VSS连接的端子。
一般将与连接到接地电位VSS的第3端子13连接的配线设计得较粗，并且一般在第3端子13和第1端子11之间不配置除了第1切换部21以外的元件。因此，在第3端子13和第1端子11之间，除了第1切换部21以外的电阻成分减少。同样地，一般将与被提供电源电位VDD的第4端子14连接的配线设计得较粗，并且一般在第4端子14和第2端子12之间不配置除了第2切换部22以外的元件。因此，在第4端子14和第2端子12之间，除了第2切换部22以外的电阻成分减少。由此，根据本实施方式，在进行过激励检查、激励电平检查等振子100的特性检查的情况下，能够减小向第3端子13和第4端子14之间提供的电压信号的振幅。
如图1所示，第1切换部21可以是具有保护振荡部10免受静电的影响的功能的电路(静电放电保护电路，保护振荡部10免受比振荡部10工作的状态下施加给第1端子11的最大电压高的电压的影响的电路的一例)。在图1所示的例子中，第1切换部21构成为包括NMOS晶体管N1和电阻R1，作为针对振荡部10或振子100的第1端子11侧的静电放电保护电路执行功能。
NMOS晶体管N1的漏极与第1端子11连接，NMOS晶体管N1的源极与接地电位VSS连接。电阻R1的一端(一个端子)与NMOS晶体管N1的栅极连接，电阻R1的另一端(另一个端子)与接地电位VSS连接。来自控制部30的控制信号被输入到NMOS晶体管N1的栅极，NMOS晶体管N1根据所输入的控制信号，切换接通状态和断开状态。
根据本实施方式的振荡电路1，由于能够将第1切换部21兼用作具有保护振荡部10免受静电的影响的功能的电路，因此，与单独地设置作为第1切换部21的专用开关和静电保护用的电路的情况相比，能够减小电路规模。因此，能够实现可小型化的振荡电路1。
如图1所示，第2切换部22可以是具有保护振荡部10免受静电的影响的功能的电路(静电放电保护电路，保护振荡部10免受比振荡部10工作的状态下施加给第2端子12的最大电压高的电压的影响的电路的一例)。在图1所示的例子中，第2切换部22构成为包括PMOS晶体管P2和电阻R2，作为针对振荡部10或振子100的第2端子12侧的静电放电保护电路执行功能。
PMOS晶体管P2的漏极与第2端子12连接，PMOS晶体管P2的源极与电源电位VDD连接。电阻R2的一端(一个端子)与PMOS晶体管P2的栅极连接，电阻R2的另一端(另一个端子)与电源电位VDD连接。来自控制部30的控制信号被输入到PMOS晶体管P2的栅极，PMOS晶体管P2根据所输入的控制信号，切换接通状态和断开状态。
根据本实施方式的振荡电路1，由于能够将第2切换部22兼用作具有保护振荡部10免受静电的影响的功能的电路，因此，与单独地设置作为第2切换部22的专用开关和静电保护用的电路的情况相比，能够减小电路规模。因此，能够实现可小型化的振荡电路1。
如图1和图2所示，第1端子11可以与振荡部10的输入端子侧电连接。并且，如图1和图2所示，第2端子12可以与振荡部10的输出端子侧电连接。
根据本实施方式的振荡电路1，例如，能够经由第1端子11将接地电位VSS等固定电位与振荡部10的输入端子侧连接，因此，在振子100的检查时，容易停止振荡部10的动作。因此，能够减少在振子100的检查时从振荡部10产生的信号被施加给振子100的情况，因此，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。并且，能够实现即使施加了振子100的检查信号，振荡部10劣化的危险也较小的振荡电路1。
如图1所示，第1切换部21可以构成为包括晶体管。在图1所示的例子中，第1切换部21构成为包括NMOS晶体管N1。
根据本实施方式的振荡电路1，例如，通过将NMOS晶体管N1用作开关电路，能够容易地控制第1端子11和与接地电位VSS连接的第3端子13之间的电连接。并且，能够使用第3端子13、以及与第2端子12电连接的被提供电源电位VDD的第4端子14这2个端子进行振子100的检查。因此，能够降低由第1端子11和第3端子13之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，并且能够以较少的端子数量检查振子100，因此，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。
如图1所示，第2切换部22可以构成为包括晶体管。在图1所示的例子中，第2切换部22构成为包括PMOS晶体管P1。
根据本实施方式的振荡电路1，例如，通过将PMOS晶体管P1用作开关电路，能够容易地控制第2端子12和被提供电源电位VDD的第4端子14之间的电连接。并且，能够使用与第1端子11电连接且与接地电位VSS连接的第3端子13以及第4端子这2个端子进行振子100的检查。因此，能够降低由第2端子12和第4端子14之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，并且能够以较少的端子数量检查振子100，因此，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1。
如图1所示，振荡电路1也可以是，还包括控制第1切换部21和第2切换部22的控制部30，第1切换部21和第2切换部22具有：第1模式，以使第1端子11和第3端子13电连接的方式控制第1切换部21，并以使第2端子12和第4端子14电连接的方式控制第2切换部22；以及第2模式，以不使第1端子11和第3端子13电连接的方式控制第1切换部21，并以不使第2端子12和第4端子14电连接的方式控制第2切换部22，根据在所提供的电源电位VDD为基准值Vt以上的期间中输入的时钟信号SCLK，从第2模式切换到第1模式。
在图1所示的例子中，控制部30构成为包括：串行接口31、寄存器32、存储器33、PMOS晶体管P1和NMOS晶体管N2。
串行接口31接收电源电位VDD的提供并被输入时钟信号SCLK，根据所输入的时钟信号SCLK来控制寄存器32和存储器33。在本实施方式中，时钟信号SCLK是从第5端子15输入的。并且，在本实施方式中，串行接口31具有：在寄存器32内写入数据的寄存器写入模式；和在寄存器32和存储器33内写入数据的存储器写入模式。并且，串行接口31也可以具有读取寄存器32和存储器33中的至少一方的数据并输出到第5端子15的存储器读取模式。
寄存器32存储用于控制第1切换部21、第2切换部22、频率控制部42和振荡部10的数据，根据所存储的数据控制第1切换部21、第2切换部22、频率控制部42和振荡部10。在振荡电路1的通电时，寄存器32读入存储在存储器33内的数据并存储，在通过串行接口31写入了新数据的情况下，存储通过串行接口31写入的新数据。
存储器33存储振荡电路1的通电时存储在寄存器32内的数据。存储器33例如可以由EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，可电擦除的可编程只读存储器)、快闪存储器、不可电改写但通过照射紫外线可擦除的FAMOS(Floating gateAvalanche injection Metal Oxide Semiconductor，浮栅雪崩注入型金属氧化物半导体)存储器等可改写的非易失性存储器、掩模ROM(Read-Only Memory，只读存储器)等不可改写的非易失性存储器等各种公知的非易失性存储器构成。另外，FAMOS存储器是通过雪崩注入将电荷蓄积在浮栅内的方式，这种存储器是作为一次性可编程(OTP：One TimeProgrammable)存储器使用的非易失性存储器。
PMOS晶体管P1的漏极与电源电位VDD连接，PMOS晶体管P1的源极与第1切换部21的NMOS晶体管N1的栅极连接，来自寄存器32的控制信号被输入到PMOS晶体管P1的栅极。PMOS晶体管P1向第1切换部21的NMOS晶体管N1的栅极输出控制信号。
NMOS晶体管N2的漏极与接地电位VSS连接，NMOS晶体管N2的源极与第2切换部22的PMOS晶体管P2的栅极连接，来自寄存器32的控制信号被输入到NMOS晶体管N2的栅极。NMOS晶体管N2向第2切换部22的PMOS晶体管P2的栅极输出控制信号。
在第1模式中，控制部30以使第1端子11和第3端子13之间的电连接状态成为接通状态的方式控制第1切换部21。并且，在第1模式中，控制部30以使第2端子12和第4端子14之间的电连接状态成为接通状态的方式控制第2切换部22。并且，在第1模式中，控制部30以使频率控制部42的动作停止的方式控制频率控制部42。
在第2模式中，控制部30以使第1端子11和第3端子13之间的电连接状态成为断开状态的方式控制第1切换部21。并且，在第2模式中，控制部30以使第2端子12和第4端子14之间的电连接状态成为断开状态的方式控制第2切换部22。并且，在第2模式中，控制部30以使频率控制部42的动作成为通常动作的方式控制频率控制部42。
图4是用于说明控制部30的模式切换动作的时序图。图4的横轴对应于时间，纵轴对应于电压。图4上方的时序图表示提供到控制部30的电源电位VDD，图4下方的时序图表示输入到控制部30的时钟信号SCLK。
在图4所示的例子中，电源电位VDD在时刻t0处为0V，在时刻t1处为电压VDDL，在时刻t2处为基准值Vt，之后上升到电压VDDH。在电源电位VDD是电压VDDH的期间所输入的最初的时钟信号SCLK的脉冲的下降时刻即时刻t3处，模式切换动作开始，根据之后的时钟信号SCLK的脉冲，控制第1切换部21和第2切换部22，例如，作为第1模式，在电源电位VDD回到电压VDDL的时刻t4处，控制部30控制第1切换部21和第2切换部22，例如将模式切换到第2模式。
根据本实施方式的振荡电路1，控制部30根据电源电位VDD的大小和时钟信号SCLK这2个信号进行模式的切换，因此，不会仅在电源电位VDD变动时就切换模式，因而能够降低无意地切换模式这样的错误动作的可能性。
控制部30可以在第1模式的情况下，以使振荡部10或者振荡部10a的电流源CS11的动作停止的方式控制电流源CS11。由此，能够抑制提供到振荡部10或者振荡部10a的晶体管M11的集电极的电流，因此，能够降低振荡部10或者振荡部10a进行错误动作的可能性。
2.第2实施方式的振荡电路
图5是第2实施方式的振荡电路1a的电路图。对与图1所示的振荡电路1相同的结构附上相同标号，省略详细说明。
本实施方式的振荡电路1a的控制部30a、第2切换部22a的结构、以及用于控制第2切换部22a的晶体管是PMOS晶体管P3这一结构与第1实施方式的振荡电路1不同，其它结构与振荡电路1相同。
如图5所示，第2切换部22a可以是具有保护振荡部10免受静电的影响的功能的电路(静电放电保护电路)。在图5所示的例子中，第2切换部22a构成为包括NMOS晶体管N3和电阻R3，作为针对振荡部10或振子100的第2端子12侧的静电放电保护电路执行功能。
NMOS晶体管N3的漏极与第4端子14连接，NMOS晶体管N3的源极和背栅极与第2端子12连接。电阻R1的一端(一个端子)与NMOS晶体管N3的栅极连接，电阻R1的另一端(另一个端子)与第2端子12连接。来自控制部30a的控制信号被输入到NMOS晶体管N3的栅极，NMOS晶体管N3根据所输入的控制信号，切换接通状态和断开状态。
PMOS晶体管P3的漏极与电源电位VDD连接，PMOS晶体管P3的源极与第2切换部22的NMOS晶体管N3的栅极连接，来自寄存器32的控制信号被输入到PMOS晶体管P3的栅极。PMOS晶体管P3向第2切换部22的NMOS晶体管N3的栅极输出控制信号。
根据本实施方式的振荡电路1a，由于能够使用同相的控制信号来控制PMOS晶体管P1和PMOS晶体管P3，因此不需要用于生成反相的控制信号的未图示的逆变电路等。因此，能够减小电路规模。并且，振荡电路1a基于与第1实施方式的振荡电路1相同的原因而取得相同的效果。
3.振荡器
图6是本实施方式的振荡器1000的截面图。振荡器1000构成为包括构成振荡电路1的电子部件2和振子100。并且，在图6所示的例子中，振荡器1000构成为包括将电子部件2和振子100收容在同一空间内的封装1100。并且，在图6所示的例子中，振荡器1000构成为包括盖1200和电极1300。在图6所示的例子中，电子部件2构成为单芯片的半导体装置。并且，作为振子100，可以采用石英振子、SAW谐振子等压电振子、MEMS振子等。
在封装1100内设置有凹部，通过用盖1200覆盖凹部而成为收容室1400。在封装1100内，在凹部的表面或者封装1100的内部设置有用于使振荡电路1和振子100电连接的配线和端子。并且，在封装1100内设置有分别与振荡电路1的第3端子13(VSS)、第4端子14(VC)、第5端子15(VDD)和第6端子16(OUT)电连接的电极1300。
图7是变型例的振荡器1000a的截面图。振荡器1000a构成为包括构成振荡电路1的电子部件2和振子100。并且，在图7所示的例子中，振荡器1000a构成为包括将电子部件2和振子100收容在不同空间内的封装1100a。并且，在图7所示的例子中，振荡器1000a构成为包括盖1200、电极1300和密封部件1500。在图7所示的例子中，电子部件2构成为单芯片的半导体装置。并且，作为振子100，可以采用石英振子、SAW谐振子等压电振子、MEMS振子等。
在封装1100a内，在对置的面上设置有2个凹部，通过用盖1200覆盖一个凹部而成为收容室1400a，通过用密封部件1500覆盖另一个凹部而成为收容室1400b。在图7所示的例子中，在收容室1400a内收容有振子100，在收容室1400b内收容有电子部件2。在封装1100a内，在凹部的表面或者封装1100a的内部设置有用于使振荡电路1和振子100电连接的配线和端子。并且，在封装1100a内设置有分别与振荡电路1的第3端子13(VSS)、第4端子14(VC)、第5端子15(VDD)以及第6端子16(OUT)电连接的电极1300。
根据本实施方式的振荡器1000和振荡器1000a，由于包括提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1，因此能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡器1000和振荡器1000a。即使在取代振荡电路1，而采用了振荡电路1a的情况下，也会基于相同的原因而取得相同的效果。
4.振荡器的制造方法
图8是示出本实施方式的振荡器1000的制造方法的流程图。
关于本实施方式的振荡器1000的制造方法，其中，该振荡器1000的制造方法包括以下步骤：准备步骤，准备具有振荡电路1和振子100的结构，振荡电路1具有：振荡部10，其具有与振子100连接的第1端子11和第2端子12；第3端子13；第4端子14，其被提供电源电位VDD；第1切换部21，其切换第1端子11和第3端子13的电连接；以及第2切换部22，其切换第2端子12和第4端子14的电连接，并且在所述结构中，将振荡电路1和振子100电连接，以使第1端子11和第3端子13电连接的方式切换第1切换部21，并以使第2端子12和第4端子14电连接的方式切换第2切换部22；信号施加步骤，对第3端子13和第4端子14施加信号；以及切换步骤，以不使第1端子11和第3端子13电连接的方式切换第1切换部21，并以不使第2端子12和第4端子14电连接的方式切换第2切换部22。
首先，准备下述结构，即，将振荡电路1和振子100电连接，并且以使第1端子11和第3端子13电连接的方式控制第1切换部21，以使第2端子12和第4端子14电连接的方式控制第2切换部22(准备步骤；步骤S100)。更具体地，准备在振荡电路1的第1端子11和第2端子12之间电连接有振子100的结构。例如，既可以在将振荡电路1和振子100连接之后通过控制部30将振荡电路1设定为第1模式，也可以将预先通过控制部30设定为第1模式的振荡电路1和振子100连接。
在步骤S100之后，对第3端子13和第4端子14施加信号(信号施加步骤；步骤S102)。
图9是示出信号施加步骤的概要的框图。在图9所示的例子中，使用信号发生器3000来进行振子100的过激励检查。另外，可以取代信号发生器3000，而使用能与振子100谐振的外挂振荡电路、例如考毕兹振荡电路等来进行振子100的过激励检查。并且，可以取代过激励检查，而进行激励电平检查，也可以进行过激励检查和激励电平检查这2种检查。
与振荡电路1的第4端子14(VDD)电连接的振荡器1000的电极1300(VDD)与信号发生器3000的输出端子连接。与振荡电路1的第3端子13(VSS)电连接的振荡器1000的电极1300(VSS)与接地电位VSS连接。与振荡电路1的第5端子15(VC)电连接的振荡器1000的电极1300(VC)、和与振荡电路1的第6端子16(OUT)电连接的振荡器1000的电极1300(OUT)与哪里都不连接。
信号发生器3000输出的电压信号是在第3端子13和第4端子14之间施加如下范围的电压的电压信号，所述范围是：能够控制第1切换部21和第2切换部22的最低电压(例如，晶体管的最低工作电压)以上且不会破坏振荡电路1的最高电压(例如，晶体管的耐压)以下。
根据图9所示的结构，能够在第3端子13和第4端子14之间施加电压信号。由此，能够进行过激励检查、激励电平检查等振子100的特性检查。
在步骤S102之后，以不使第1端子11和第3端子13电连接的方式控制第1切换部21，并且以不使第2端子12和第4端子14电连接的方式控制第2切换部22(切换步骤；步骤S104)。具体地，例如，利用控制部30控制第1切换部21和第2切换部22而切换到第2模式。由此，振荡器1000成为能够进行通常动作的状态。
根据本实施方式的振荡器1000的制造方法，在信号施加步骤(步骤S102)中，通过向第3端子13和第4端子14之间提供用于检查振子100的电压信号，能够进行例如过激励检查、激励电平检查等振子100的特性检查。在振荡电路1的通常动作时和振子100的检查时，能够将第4端子14兼用作被提供电源电位VDD的端子和被提供用于检查振子100的电压信号的端子，因此，与设置检查专用的检查用端子的情况相比，能够减少检查中使用的端子数量。因此，例如，能够降低由用于输入检查用信号的探头与振荡电路1侧的端子之间的电连接不良引起的检查问题的发生可能性，因此，能够实现提高了振子100的检查可靠性的振荡器1000的制造方法。
在上述的振荡器1000的制造方法中，在信号施加步骤(步骤S102)中对第3端子13和第4端子14施加的信号可以是过激励检查用的信号和激励电平检查用的信号中的至少一方。
作为振子100的检查，通过进行过激励检查和激励电平检查中的至少一方，能够在振子100的检查中将作为优良品的振荡器1000判别为优良品，因此能够制造可靠性高的振荡器1000。
另外，即使在取代振荡电路1，而采用了振荡电路1a的情况下，也会基于相同的原因而取得相同的效果。并且，振荡器1000a也可以与振荡器1000同样地进行制造，并取得相同的效果。
5.电子设备
图10是本实施方式的电子设备300的功能框图。另外，对与上述的各实施方式相同的结构附上相同标号，省略详细说明。
本实施方式的电子设备300是包括振荡电路1、振荡电路1a、振荡器1000或者振荡器1000a的电子设备300。在图10所示的例子中，电子设备300构成为包括：振子100、振荡电路1、倍增电路310、CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)320、操作部330、ROM(Read Only Memory，只读存储器)340、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)350、通信部360、显示部370、声音输出部380。另外，本实施方式的电子设备300可以省略或变更图9所示的构成要素(各部分)中的一部分，也可以采用附加有其它构成要素的结构。
倍增电路310将时钟脉冲不仅提供到CPU320而且提供到各个部分(省略图示)。时钟脉冲例如可以是利用倍增电路310从来自与振子100连接的振荡电路1的振荡信号中取出期望的高次谐波信号后的信号，也可以是利用具有PLL合成器的倍增电路310将来自振荡电路1的振荡信号倍增后的信号(省略图示)。
CPU320依据存储于ROM340等中的程序，使用倍增电路310输出的时钟脉冲来进行各种计算处理和控制处理。具体地，CPU320进行与来自操作部330的操作信号对应的各种处理、为了与外部进行数据通信而控制通信部360的处理、发送用于使显示部370显示各种信息的显示信号的处理、使声音输出部380输出各种声音的处理等。
操作部330是由操作键和按钮开关等构成的输入装置，将与用户的操作对应的操作信号输出到CPU320。
ROM340存储用于CPU320进行各种计算处理和控制处理的程序和数据等。
RAM350用作CPU320的作业区域，临时存储从ROM340读取出的程序和数据、从操作部330输入的数据、以及CPU320依据各种程序而执行的运算结果等。
通信部360进行用于使CPU320和外部装置之间的数据通信成立的各种控制。
显示部370是由LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)或电泳显示器等构成的显示装置，根据从CPU320输入的显示信号显示各种信息。
并且，声音输出部380是扬声器等输出声音的装置。
根据本实施方式的电子设备300，由于包括提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1、振荡电路1a、振荡器1000或者振荡器1000a，因此能够实现可靠性高的电子设备300。
作为电子设备300，考虑了各种电子设备。例如可以列举出：个人计算机(例如，移动型个人计算机、膝上型个人计算机，平板型个人计算机)、便携电话机等移动体终端、数字静态照相机、喷墨式排出装置(例如，喷墨打印机)、路由器和开关等存储区域网络设备、局域网设备、移动体终端基站用设备、电视机、摄像机、录像机、车载导航装置、寻呼机、电子记事本(还包含带有通信功能的电子记事本)、电子词典、计算器、电子游戏设备、游戏用控制器、文字处理器、工作站、视频电话、保安电视监视器、电子望远镜、POS(point of sale，销售点)终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类(例如，车辆、航空器、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴式显示器、运动描绘器(motion trace)、运动跟踪器、运动控制器、PDR(行人位置方位测量)等。
图11是示出作为电子设备300的一例的智能电话的外观的一例的图。作为电子设备300的智能电话具有作为操作部330的按钮和作为显示部370的LCD。而且，作为电子设备300的智能电话包括振荡电路1、振荡电路1a、振荡器1000或者振荡器1000a，因此能够实现提高了振子100的检查可靠性的电子设备300。
6.移动体
图12是示出本实施方式的移动体400的一例的图(俯视图)。另外，对与上述的各实施方式相同的结构附上相同标号，省略详细说明。
本实施方式的移动体400是包括振荡电路1、振荡电路1a、振荡器1000或者振荡器1000a的移动体400。图12示出包括振荡器1000的移动体400。并且，在图12所示的例子中，移动体400构成为包括：进行发动机系统、制动系统、无钥匙进入系统等的各种控制的控制器420、控制器430、控制器440、电池450和备用电池460。另外，本实施方式的移动体400可以省略或变更图12所示的构成要素(各部分)中的一部分，也可以采用附加有其它构成要素的结构。
根据本实施方式的移动体400，由于包括提高了振子100的检查可靠性的振荡电路1、振荡电路1a、振荡器1000或者振荡器1000a，因此能够实现可靠性高的移动体400。
作为这样的移动体400，考虑了各种移动体，例如可以列举出汽车(也包括电动车)、喷气机和直升机等航空器、船舶、火箭、人造卫星等。
以上，对本实施方式或者变型例作了说明，然而本发明不限于这些本实施方式或者变型例，能够在不脱离其宗旨的范围内以各种方式实施。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质上相同的结构(例如，功能、方法和结果相同的结构、或者目的和效果相同的结构)。并且，本发明包含置换了在实施方式中说明的结构的非本质部分后的结构。并且，本发明包含能够取得与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或者能够达到相同的目的的结构。并且，本发明包含在实施方式中说明的结构中附加了公知技术的结构。

Claims (16)

1.一种振荡电路，所述振荡电路包括：
振荡部，其具有与振子连接的第1端子和第2端子；
第3端子；
第4端子，在进行所述振荡电路的通常动作的第2模式中该第4端子被施加电源电位，在进行所述振子的检查的第1模式中该第4端子被施加用于驱动所述振子的交流电压；
第1切换部，其切换所述第1端子和所述第3端子的电连接；
第2切换部，其切换所述第2端子和所述第4端子的电连接；以及
控制部，其控制所述第1切换部和所述第2切换部，
其中，在所述第1模式中，以使所述第1端子和所述第3端子电连接的方式控制所述第1切换部，并以使所述第2端子和所述第4端子电连接的方式控制所述第2切换部，
在所述第2模式中，以不使所述第1端子和所述第3端子电连接的方式控制所述第1切换部，并以不使所述第2端子和所述第4端子电连接的方式控制所述第2切换部。
2.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，所述第3端子是与接地电位连接的端子。
3.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，所述第1切换部是具有如下功能的电路：保护所述振荡部免受比所述振荡部工作的状态下施加给所述第1端子的最大电压高的电压的影响。
4.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，所述第2切换部是具有如下功能的电路：保护所述振荡部免受比所述振荡部工作的状态下施加给所述第2端子的最大电压高的电压的影响。
5.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，所述第1端子与所述振荡部的输入端子侧电连接。
6.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，所述第1切换部包括晶体管。
7.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，所述第2切换部包括晶体管。
8.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，
所述控制部根据在所提供的电源电位为基准值以上的期间中输入的时钟信号，从所述第2模式切换到所述第1模式。
9.根据权利要求8所述的振荡电路，其中，
第2模式是通常振荡，第1模式是通常振荡以外的模式。
10.根据权利要求8所述的振荡电路，其中，
第2模式是通常振荡，第1模式是检查模式。
11.一种振荡器，所述振荡器包括：
权利要求1所述的振荡电路；以及
振子。
12.根据权利要求11所述的振荡器，其中，所述振荡器还包括封装，所述封装收容所述振荡电路和所述振子。
13.一种振荡器的制造方法，所述振荡器的制造方法包括以下步骤：
准备步骤，准备具有振荡电路和振子的结构，其中，所述振荡电路具有：振荡部，其具有与振子连接的第1端子和第2端子；第3端子；第4端子，在进行所述振荡电路的通常动作的第2模式中该第4端子被提供电源电位，在进行所述振子的检查的第1模式中该第4端子被施加用于驱动所述振子的交流电压；第1切换部，其切换所述第1端子和所述第3端子的电连接；第2切换部，其切换所述第2端子和所述第4端子的电连接；以及控制部，其控制所述第1切换部和所述第2切换部，并且在所述结构中，将所述振荡电路和所述振子电连接，在所述第1模式中，以使所述第1端子和所述第3端子电连接的方式切换所述第1切换部，并以使所述第2端子和所述第4端子电连接的方式切换所述第2切换部；
电压施加步骤，对所述第3端子和所述第4端子施加交流电压；以及
切换步骤，在所述第2模式中，以不使所述第1端子和所述第3端子电连接的方式切换所述第1切换部，并以不使所述第2端子和所述第4端子电连接的方式切换所述第2切换部。
14.根据权利要求13所述的振荡器的制造方法，其中，在所述电压施加步骤中施加给所述第3端子和所述第4端子的交流电压是过激励检查用的电压和激励电平检查用的电压中的至少一方。
15.一种电子设备，所述电子设备包括权利要求1所述的振荡电路。
16.一种移动体，所述移动体包括权利要求1所述的振荡电路。
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