CN103682016A - 一种GaN外延或衬底的制作方法 - Google Patents

一种GaN外延或衬底的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103682016A
CN103682016A CN201210315724.6A CN201210315724A CN103682016A CN 103682016 A CN103682016 A CN 103682016A CN 201210315724 A CN201210315724 A CN 201210315724A CN 103682016 A CN103682016 A CN 103682016A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gan
silicon substrate
hole
resilient coating
micron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210315724.6A
Other languages
English (en)
Inventor
刘继全
季伟
许升高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN201210315724.6A priority Critical patent/CN103682016A/zh
Publication of CN103682016A publication Critical patent/CN103682016A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02513—Microstructure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)

Abstract

本发明公开了一种GaN外延或衬底的制作方法，包括以下步骤：1）在硅衬底上生长缓冲层；2）光刻胶涂布和曝光，在缓冲层上形成定义图形；3）以光刻胶为掩模，刻蚀缓冲层和硅衬底，使硅衬底内部形成多个孔洞；4）去除光刻胶；5）热氧化硅衬底的孔洞内表面，使其被氧化硅覆盖；6）GaN外延生长。该方法可以有效的缓解GaN应力，防止GaN龟裂以及GaN晶格缺陷。

Description

一种GaN外延或衬底的制作方法
技术领域
本发明属于半导体集成电路制造工艺，具体涉及一种GaN外延或衬底的制作方法。
背景技术
GaN(氮化镓)属于宽禁带半导体材料，它具有优异的物理和化学性质，如禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大、热导率高及抗辐照性能强、热导率和介电常数大，化学特性稳定等，特别适合制作高压、高温、高频、高功率、强辐照环境下使用的半导体器件。具体而言，GaN的禁带宽度比Si(硅)材料大，本征载流子浓度比Si低，由此决定了GaN基器件的极限工作温度比Si基器件高。从热稳定性方面考虑，Ⅲ-Ⅴ族化合物的键能比Si材料大，在高温下有更高的稳定性。但是，目前GaN单晶生长较为困难，难以获得高质量、大尺寸、低成本的GaN单晶。GaN难以在Si衬底上生长主要有两个方面，第一是晶格失配，二者的失配度大概是17%；二是热膨胀系数的差异也很大，导致GaN和Si之间的应力很大，GaN很容易龟裂。晶格适配通常是通过增加缓冲层来解决，而热膨胀系数到目前为止还没有很好的解决方法。
中国发明专利申请公布说明书（CN101514484,公开日：2009年8月26日）公开了用多孔的衬底生长GaN外延，可以有效的防止GaN的应力，防止GaN龟裂，但其方法很复杂。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种GaN外延或GaN衬底的制作方法，以防止GaN晶格缺陷或龟裂。
为解决上述技术问题，本发明提供一种GaN外延的制作方法，包括以下步骤：
1）在硅衬底上生长缓冲层；
2）光刻胶涂布和曝光，在缓冲层上形成定义图形；
3）以光刻胶为掩模，刻蚀缓冲层和硅衬底，使硅衬底内部形成多个孔洞；
4）去除光刻胶；
5）热氧化硅衬底的孔洞内表面，使其被氧化硅覆盖；
6）GaN外延生长。
步骤1）中，所述缓冲层为AlN,Al2O3,GaN,AlAs，GaAs中的至少一种。所述缓冲层可以采用MOCVD或ALD方法生长，所述缓冲层的厚度为10-200nm。
步骤2）中，所述在缓冲层上形成定义图形为多个圆形区域，各个圆形区域的半径为0.01-100微米，间距为0.1-100微米。
步骤3）中，所述孔洞的表面为圆形，半径为0.01-100微米，各孔洞的间距为0.1-100微米，孔洞的深度为0.1-10微米。优选的，所述孔洞的表面为圆形，半径为3微米，各孔洞的间距为5微米，孔洞的深度为5微米。
步骤5）中，所述热氧化的温度为500-1200℃，压力为0.01-760Torr；所述氧化硅的厚度为10-500nm。
步骤6）中，GaN只在缓冲层上生长，在硅衬底孔洞内表面因有氧化硅覆盖，不生长GaN。所述GaN外延生长可以采用MOCVD的方法，在700-1300℃下，以H2为载气通入三甲基镓和NH3，形成10nm-500μm厚度的GaN。
此外，本发明还提供一种GaN衬底的制作方法，包括上述的步骤1）-步骤6），且在步骤6）之后增加如下步骤：采用湿法刻蚀或背面减薄的方法去除硅衬底，以形成GaN衬底。
和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明通过在硅衬底内部的孔洞表面覆盖一层氧化硅，氮化镓外延生长时，不会在硅衬底内部的孔洞内生长氮化镓，而只在缓冲层上生长氮化镓。由于硅衬底内有大量孔洞，故可以释放GaN的应力（有效缓解GaN应力），从而减少或防止GaN晶格缺陷和龟裂。本发明方法的工艺步骤简单，制造成本低，可操作性强。
附图说明
图1是本发明方法的步骤1完成后的剖面示意图；
图2是本发明方法的步骤2完成后的剖面示意图；
图3是本发明方法的步骤3完成后的剖面示意图；
图4是本发明方法的步骤4完成后的剖面示意图；
图5是本发明方法的步骤5完成后的剖面示意图。
图6是本发明方法的步骤6完成后的剖面示意图。
图7为图2的俯视图。
图中附图标记说明如下：
10是硅衬底，11是缓冲层，12是光刻胶，13是孔洞，14是氮化硅，15是氮化镓，A是圆形区域。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
如图1-图6所示，本发明的一种GaN外延的制作方法，主要包括如下步骤：
1．在硅衬底10上生长缓冲层11，缓冲层11为AlN,Al2O3,GaN,AlAs，GaAs中的至少一种（见图1）。缓冲层11可以采用MOCVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀）,ALD（原子层淀积）等方式生长，缓冲层11的厚度为10-200nm。
2．光刻胶12涂布和曝光，在缓冲层11上形成定义图形：多个圆形区域A，各个圆形区域A的半径为0.01-100微米（在本实施例中，优选为3微米），间距为0.1-100微米（在本实施例中，优选为5微米）（见图2，图7）。
3．以光刻胶12为掩模，采用干法刻蚀缓冲层11和硅衬底10，使硅衬底10内部形成数目众多的孔洞13，孔洞13的表面为圆形，半径在0.01-100微米,各孔洞之间的间距为0.1-100微米，孔洞13的深度在0.1-10微米。本实施例中，孔洞13的半径为3微米，各孔洞之间的间距为5微米，孔洞13的深度为5微米（见图3）。
4．采用本领域常规工艺方法去除光刻胶12（见图4）。
5．热氧化硅衬底10，是在硅衬底10内部的孔洞13表面覆盖一层氧化硅14（见图5）。热氧化的温度为500-1200℃，压力为0.01-760Torr，厚度为10-500nm。
6．GaN硅外延生长。氮化镓15只在缓冲层11上生长，因孔洞13内表面有氧化硅14覆盖，不会生长氮化镓，以形成只在缓冲层11上生长的GaN外延（见图6）。由于硅衬底内有大量孔洞，故可以释放GaN的应力（有效缓解GaN应力），从而减少或防止GaN晶格缺陷和龟裂。GaN可以采用MOCVD（金属有机化合物化学气相沉淀）的方式生长，在700-1300℃下，以H2为载气通入三甲基镓和NH3，形成10nm-500μm厚度的GaN。
此外，作为本发明的延伸，本发明还提供一种GaN衬底的制作方法，即在上述步骤6之后增加如下步骤：可以采用湿法刻蚀或背面减薄等方法去除硅衬底10，以形成GaN衬底。

Claims (10)

1.一种GaN外延的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）在硅衬底上生长缓冲层；
2）光刻胶涂布和曝光，在缓冲层上形成定义图形；
3）以光刻胶为掩模，刻蚀缓冲层和硅衬底，使硅衬底内部形成多个孔洞；
4）去除光刻胶；
5）热氧化硅衬底的孔洞内表面，使其被氧化硅覆盖；
6）GaN外延生长。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述缓冲层为AlN,Al2O3,GaN,AlAs，GaAs中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述缓冲层采用MOCVD或ALD方法生长，所述缓冲层的厚度为10-200nm。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，所述在缓冲层上形成定义图形为多个圆形区域，各个圆形区域的半径为0.01-100微米，间距为0.1-100微米。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述孔洞的表面为圆形，半径为0.01-100微米，各孔洞的间距为0.1-100微米，孔洞的深度为0.1-10微米。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述孔洞的表面为圆形，半径为3微米，各孔洞的间距为5微米，孔洞的深度为5微米。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5）中，所述热氧化的温度为500-1200℃，压力为0.01-760Torr；所述氧化硅的厚度为10-500nm。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6）中，GaN只在缓冲层上生长，在硅衬底孔洞内表面因有氧化硅覆盖，不生长GaN。
9.如权利要求1或8所述的方法，其特征在于，步骤6）中，所述GaN外延生长采用MOCVD的方法，在700-1300℃下，以H2为载气通入三甲基镓和NH3，形成10nm-500μm厚度的GaN。
10.一种GaN衬底的制作方法，其特征在于，包括权利要求1所述的步骤1）-步骤6），且在步骤6）之后增加如下步骤：采用湿法刻蚀或背面减薄的方法去除硅衬底，以形成GaN衬底。
CN201210315724.6A 2012-08-30 2012-08-30 一种GaN外延或衬底的制作方法 Pending CN103682016A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210315724.6A CN103682016A (zh) 2012-08-30 2012-08-30 一种GaN外延或衬底的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210315724.6A CN103682016A (zh) 2012-08-30 2012-08-30 一种GaN外延或衬底的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103682016A true CN103682016A (zh) 2014-03-26

Family

ID=50318915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210315724.6A Pending CN103682016A (zh) 2012-08-30 2012-08-30 一种GaN外延或衬底的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103682016A (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104241479A (zh) * 2014-09-26 2014-12-24 哈尔滨工业大学 一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层led芯片
CN104993012A (zh) * 2015-05-25 2015-10-21 中国科学院半导体研究所 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法
CN105140351A (zh) * 2015-07-03 2015-12-09 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN105702725A (zh) * 2014-11-27 2016-06-22 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
CN105762188A (zh) * 2014-12-17 2016-07-13 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
CN105789268A (zh) * 2014-12-25 2016-07-20 中国科学院微电子研究所 鳍结构及其制造方法
CN106435720A (zh) * 2016-09-22 2017-02-22 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 一种GaN薄膜材料的制备方法
CN106910807A (zh) * 2017-03-09 2017-06-30 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法
CN106910675A (zh) * 2017-03-09 2017-06-30 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法
CN109346580A (zh) * 2018-08-28 2019-02-15 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片的制造方法
WO2019041490A1 (zh) * 2017-09-01 2019-03-07 苏州云舒新材料科技有限公司 一种GaN热电薄膜材料的制备方法
CN110190163A (zh) * 2019-05-24 2019-08-30 康佳集团股份有限公司 图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及led芯片
CN110320237A (zh) * 2018-03-30 2019-10-11 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于ⅲ-ⅴ族半导体的气体传感器及其制备方法
CN110828628A (zh) * 2018-08-13 2020-02-21 首尔伟傲世有限公司 具有光散射图案的发光二极管
CN111052306A (zh) * 2017-09-07 2020-04-21 苏州晶湛半导体有限公司 衬底及其制备方法
CN111682092A (zh) * 2020-05-18 2020-09-18 福建中晶科技有限公司 一种图形化蓝宝石衬底的制备方法
WO2021026751A1 (zh) * 2019-08-13 2021-02-18 苏州晶湛半导体有限公司 氮化物半导体衬底的制作方法
JP7478928B2 (ja) 2020-05-29 2024-05-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200908374A (en) * 2007-08-07 2009-02-16 Jinn-Kong Sheu Light emitting diode and method for fabricating the same
CN101514484A (zh) * 2009-02-20 2009-08-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法
US20100015739A1 (en) * 2005-06-25 2010-01-21 Epiplus Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having improved luminance and manufacturing method thereof
CN102315347A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管磊晶结构及其制造方法
CN102347214A (zh) * 2011-07-06 2012-02-08 德泓(福建)光电科技有限公司 一种用于生长厚膜GaN材料的图形化模板的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100015739A1 (en) * 2005-06-25 2010-01-21 Epiplus Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having improved luminance and manufacturing method thereof
TW200908374A (en) * 2007-08-07 2009-02-16 Jinn-Kong Sheu Light emitting diode and method for fabricating the same
CN101514484A (zh) * 2009-02-20 2009-08-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法
CN102315347A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管磊晶结构及其制造方法
CN102347214A (zh) * 2011-07-06 2012-02-08 德泓(福建)光电科技有限公司 一种用于生长厚膜GaN材料的图形化模板的制备方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104241479A (zh) * 2014-09-26 2014-12-24 哈尔滨工业大学 一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层led芯片
CN105702725B (zh) * 2014-11-27 2018-12-11 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
CN105702725A (zh) * 2014-11-27 2016-06-22 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
CN105762188A (zh) * 2014-12-17 2016-07-13 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
CN105762188B (zh) * 2014-12-17 2019-01-15 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
CN105789268A (zh) * 2014-12-25 2016-07-20 中国科学院微电子研究所 鳍结构及其制造方法
CN105789268B (zh) * 2014-12-25 2019-05-28 中国科学院微电子研究所 鳍结构及其制造方法
CN104993012A (zh) * 2015-05-25 2015-10-21 中国科学院半导体研究所 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法
CN104993012B (zh) * 2015-05-25 2017-04-12 中国科学院半导体研究所 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法
CN105140351A (zh) * 2015-07-03 2015-12-09 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN105140351B (zh) * 2015-07-03 2017-11-17 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管结构及其制作方法
CN106435720A (zh) * 2016-09-22 2017-02-22 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 一种GaN薄膜材料的制备方法
CN106910675A (zh) * 2017-03-09 2017-06-30 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种用于制备氮化物电子器件的复合衬底及其制备方法
CN106910807A (zh) * 2017-03-09 2017-06-30 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法
CN106910807B (zh) * 2017-03-09 2019-03-26 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法
WO2019041490A1 (zh) * 2017-09-01 2019-03-07 苏州云舒新材料科技有限公司 一种GaN热电薄膜材料的制备方法
CN111052306A (zh) * 2017-09-07 2020-04-21 苏州晶湛半导体有限公司 衬底及其制备方法
CN111052306B (zh) * 2017-09-07 2023-12-15 苏州晶湛半导体有限公司 衬底及其制备方法
CN110320237A (zh) * 2018-03-30 2019-10-11 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种基于ⅲ-ⅴ族半导体的气体传感器及其制备方法
CN110828628A (zh) * 2018-08-13 2020-02-21 首尔伟傲世有限公司 具有光散射图案的发光二极管
CN109346580A (zh) * 2018-08-28 2019-02-15 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片的制造方法
CN110190163A (zh) * 2019-05-24 2019-08-30 康佳集团股份有限公司 图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及led芯片
CN110190163B (zh) * 2019-05-24 2020-04-28 康佳集团股份有限公司 图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及led芯片
CN114207847B (zh) * 2019-08-13 2022-09-02 苏州晶湛半导体有限公司 氮化物半导体衬底的制作方法
CN114207847A (zh) * 2019-08-13 2022-03-18 苏州晶湛半导体有限公司 氮化物半导体衬底的制作方法
WO2021026751A1 (zh) * 2019-08-13 2021-02-18 苏州晶湛半导体有限公司 氮化物半导体衬底的制作方法
TWI808339B (zh) * 2019-08-13 2023-07-11 中國商蘇州晶湛半導體有限公司 氮化物半導體基板的製作方法
US11699586B2 (en) 2019-08-13 2023-07-11 Enkris Semiconductor, Inc. Method of manufacturing nitride semiconductor substrate
CN111682092A (zh) * 2020-05-18 2020-09-18 福建中晶科技有限公司 一种图形化蓝宝石衬底的制备方法
JP7478928B2 (ja) 2020-05-29 2024-05-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103682016A (zh) 一种GaN外延或衬底的制作方法
US7095062B2 (en) Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
JP2015503215A (ja) 炭化ケイ素エピタキシャル成長法
CN105489714B (zh) 一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用
EP2532022B1 (en) Method for manufacturing gallium nitride wafer
CN104143497A (zh) GaN外延或GaN衬底的制作方法
CN110783167B (zh) 一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法
KR101878754B1 (ko) 대면적 갈륨 나이트라이드 기판 제조방법
CN110783177A (zh) 一种在蓝宝石模板上生长图形化GaN的方法及一种GaN外延片
JPS6329928A (ja) シリコン上にガリウムヒ素をエピタキシヤル成長せしめる方法
WO2023231925A1 (zh) 半导体外延结构、半导体器件及其制备方法
US20120021173A1 (en) Base material with single-crystal silicon carbide film, method of producing single-crystal silicon carbide film, and method of producing base material with single-crystal silicon carbide film
JP6248532B2 (ja) ３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法、３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板および半導体装置
CN102286777B (zh) 氢化物气相外延生长GaN单晶用的H3PO4腐蚀籽晶及其制备方法
CN106169497B (zh) 碳化硅基板以及碳化硅基板的制造方法
EP4187576A1 (en) Heteroepitaxial structure with a diamond heat sink
CN103866380B (zh) 一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法
KR101083500B1 (ko) 질화갈륨 기판 제조방법
CN103741221B (zh) 利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法
CN112820626B (zh) 一种氮化物半导体材料的外延生长方法
KR101083496B1 (ko) 질화갈륨 기판 제조방법
RU2802796C1 (ru) Гетероэпитаксиальная структура с алмазным теплоотводом для полупроводниковых приборов и способ ее изготовления
WO2022217542A1 (zh) 半导体结构及其制作方法
CN117936365A (zh) 半导体器件的制作方法
CN111052306B (zh) 衬底及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140326