KR101083496B1 - 질화갈륨 기판 제조방법 - Google Patents
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- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 190
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 62
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 200
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 68
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 12
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- FYWVTSQYJIPZLW-UHFFFAOYSA-K diacetyloxygallanyl acetate Chemical compound [Ga+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O FYWVTSQYJIPZLW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000034655 secondary growth Effects 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02389—Nitrides
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
실시예에 따른 질화갈륨 기판 제조방법은 기판상에 식각방지층을 형성하는 단계; 상기 식각방지층 상에 제1 질화갈륨층을 형성하는 단계; 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계; 상기 식각된 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 질화갈륨층 상에 제3 질화갈륨층을 형성하는 단계;를 포함한다.
Description
또한, 실시예에 따른 질화갈륨 기판 제조방법은 기판상에 비정질 식각방지층을 형성하는 단계; 상기 비정질 식각방지층 상에 제1 질화갈륨층을 형성하는 단계;하기 화학식 1로 표시되는 실란(silane) 가스로 소정의 각도를 가진 홈이 형성되도록 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계; 상기 식각된 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계;를 포함한다.
[화학식 1]
SinH2n+2(n≥1)
도 8 내지 도 12는 제2 실시예에 따른 질화갈륨 기판 제조방법의 공정 단면도 및 사진 예시.
Claims (20)
- 기판상에 비정질 식각방지층을 형성하는 단계;
상기 비정질 식각방지층 상에 제1 질화갈륨층을 형성하는 단계;
하기 화학식 1로 표시되는 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계;
상기 식각된 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 질화갈륨층 상에 제3 질화갈륨층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화갈륨 기판의 제조방법.
[화학식 1]
SinH2n+2(n≥1)
- 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 비정질 식각방지층은,
LT(low temperature) AlN 또는 SiN 중 적어도 하나를 포함하는 질화갈륨 기판의 제조방법.
- 제3 항에 있어서,
상기 LT(low temperature) AlN는 900℃ 이하에서 형성되는 질화갈륨 기판의 제조방법.
- 제1 항에 있어서,
상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계에서,
상기 실란식각으로 상기 비정질 식각방지층이 일부 노출되는 질화갈륨 기판의 제조방법.
- 제5 항에 있어서,
상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계에서,
식각 마스크 없이 식각공정이 진행되는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제5 항에 있어서,
상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계에서,
상기 식각된 제1 질화갈륨층에 트렌치가 형성되는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제7 항에 있어서,
상기 식각된 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계는,
보이드(void)를 포함하여 제2 질화갈륨층을 형성하는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제7 항에 있어서,
상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계에서,
상기 식각된 제1 질화갈륨층에 수직한 프로파일 또는 수직한 프로파일에 근접한 트렌치가 형성되는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 삭제
- 제8 항에 있어서,
상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계에서,
캐리어 가스로 H2, N2 를 사용하는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제11 항에 있어서,
상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계에서,
NH3는 실란가스를 이용한 에칭공정시 배제되는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계에서,
실리콘 질화막 랜덤 마스크(SixNy Random mask)를 이용하여 식각공정이 진행되는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 질화갈륨층 형성공정과 상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계는 인시튜(in-situ)로 진행하는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 기판상에 비정질 식각방지층을 형성하는 단계;
상기 비정질 식각방지층 상에 제1 질화갈륨층을 형성하는 단계;
하기 화학식 1로 표시되는 실란(silane) 가스로 소정의 각도를 가진 홈이 형성되도록 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계;
상기 식각된 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화갈륨 기판의 제조방법.
[화학식 1]
SinH2n+2(n≥1)
- 제15 항에 있어서,
상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 일부 식각하는 단계에서,
식각 마스크 없이 식각공정이 진행되는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제15 항에 있어서,
상기 제1 질화갈륨층 형성공정과 상기 실란(silane)가스로 상기 제1 질화갈륨층을 홈이 형성되도록 일부 식각하는 단계는 인시튜(in-situ)로 진행하는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제15 항에 있어서,
상기 비정질 식각방지층은,
LT(low temperature) AlN 또는 SiN 중 적어도 하나를 포함하는 질화갈륨 기판의 제조방법.
- 제15 항에 있어서,
상기 식각된 제1 질화갈륨층에 피라미드 모양(Pyramidal shape)의 대미지(damage) 영역이 형성되는 질화갈륨 기판의 제조방법. - 제19 항에 있어서,
상기 식각된 제1 질화갈륨층 상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계는,
상기 제1 질화갈륨층과 상기 제2 질화갈륨층 사이에 피라미드 모양(Pyramidal shape)의 프로파일을 포함하여 제2 질화갈륨층을 형성하는 질화갈륨 기판의 제조방법.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100016034A KR101083496B1 (ko) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 질화갈륨 기판 제조방법 |
JP2012551912A JP5680111B2 (ja) | 2010-02-04 | 2011-01-28 | 窒化ガリウム基板の製造方法 |
CN201180008490.4A CN102754188B (zh) | 2010-02-04 | 2011-01-28 | 用于制造氮化镓晶片的方法 |
PCT/KR2011/000628 WO2011096684A2 (en) | 2010-02-04 | 2011-01-28 | Method for manufacturing galium naitride wafer |
EP11739980.8A EP2532022B1 (en) | 2010-02-04 | 2011-01-28 | Method for manufacturing gallium nitride wafer |
US13/019,146 US8354289B2 (en) | 2010-02-04 | 2011-02-01 | Method for manufacturing gallium nitride wafer |
US13/714,240 US9153450B2 (en) | 2010-02-04 | 2012-12-13 | Method for manufacturing gallium nitride wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100016034A KR101083496B1 (ko) | 2010-02-23 | 2010-02-23 | 질화갈륨 기판 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110096673A KR20110096673A (ko) | 2011-08-31 |
KR101083496B1 true KR101083496B1 (ko) | 2011-11-16 |
Family
ID=44931802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100016034A KR101083496B1 (ko) | 2010-02-04 | 2010-02-23 | 질화갈륨 기판 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101083496B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102011147B1 (ko) * | 2012-12-18 | 2019-08-16 | 에스케이실트론 주식회사 | 반도체 기판 및 그 제조 방법 |
KR102109048B1 (ko) * | 2013-05-14 | 2020-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 기판, 발광 소자 및 전자 소자 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100818452B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-04-01 | 삼성전기주식회사 | Ⅲ족 질화물 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용한 질화물반도체 소자 제조방법 |
-
2010
- 2010-02-23 KR KR1020100016034A patent/KR101083496B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100818452B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-04-01 | 삼성전기주식회사 | Ⅲ족 질화물 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용한 질화물반도체 소자 제조방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110096673A (ko) | 2011-08-31 |
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