CN103650043A - 光学信息记录媒质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供不需要初始化且在高密度记录下的信号品质良好的光学信息记录媒质。光学信息记录媒质具备通过光束的照射而记录信息的记录膜(4)。该记录膜(4)含有Ge、Bi及50at％以上的Te且具有第一记录膜部(411)及第二记录膜部(412)和中间记录膜部(413)，其中，第一记录膜部(411)沿面方向形成且Bi的含量在15at％以上；第二记录膜部(412)在光束照射的一侧沿面方向形成且Bi的含量比第一记录膜部(411)少10at％以上；中间记录膜部(413)用于使第一记录膜部(411)与第二记录膜部(412)之间在膜厚方向上的Bi的含量的变化得以缓和，且设置在第一记录膜部(411)与第二记录膜部(412)之间，并且Bi的含量比第二记录膜部(412)的Bi的含量多、且比第一记录膜部(411)的Bi的含量少。

Description

光学信息记录媒质及其制造方法
技术领域
本公开涉及通过光束的照射能够对信息信号进行记录/再生的光学信息记录媒质及其制造方法。
背景技术
对于在基板上形成的氧属元素材料等的薄膜照射激光而进行局部性的加热，根据照射条件的差异，可以使之在光学常数(折射率n、消光系数k)不同的非晶质相和结晶相之间发生相位变化。这一点已是众所周知的，作为应用这一现象的所谓相变式光学信息记录媒质，可重写型的数字多用途光盘(DVD)、蓝光光碟(BD)等广泛普及。
在具有相变式记录层的光学信息记录媒质中，通过在至少2个功率级间对应信息信号而调制激光器输出功率、且照射到记录层上，可以一边消除现存的信号、一边同时记录新的信号。通常，就相变式记录层而言，在通过溅射等的手段而被形成的时刻是非晶质状态，通过进行激光退火等的初始化而使之结晶化，以此作为初始状态。对于该记录层，通过照射高功率的激光而加热/急冷至熔点以上，成为作为记录状态的非晶质相，通过照射低功率的激光而加热/徐冷至结晶化温度以上，成为作为消去状态的结晶相。
上述的初始化，需要专用的光拾波器和聚焦伺服机构等的专用高价的装置，从量产性的观点出发优选能够省略。另外，由于初始化后记录层结晶化而收缩，所以尤其在基材薄的情况下就容易妨碍稳定生产。对此，在专利文献1中公开了：通过作为记录层的衬底设置结晶化促进层，而使成膜后的记录层为结晶相的状态，就不需要初始化。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：特开2001-209970号公报
但是，在专利文献1中，结晶化促进层与记录层邻接，可以说是两层记录层成为一体的状态，在激光照射时作为一体而被记录消去。因此，以期望的线速度进行了记录消去后的特性、和在成膜时以结晶状态形成记录层之并立困难的情况存在。例如，通过追加结晶化促进层而使与记录层为一体的结晶化速度过剩，虽然记录的消去容易进行，但进行记录变难。即，在期望的线速度下的记录/消去中无法获得充分的特性。若为了对此加以弥补而使记录层成为结晶化速度慢的组成，则相反地在成膜时无法以结晶状态形成，就需要初始化。如此，在以期望的线速度进行记录/消去时的特性、和在成膜时以结晶状态形成记录层之间，会发生权衡。
发明内容
本公开解决上述课题，提供一种不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质及其制造方法。
为了解决同上述课题，本公开的光学信息记录媒质，具备通过光束的照射而记录信息的记录膜。该记录膜含有Ge、Bi及50at％以上的Te，且具有第一记录膜部及第二记录膜部和一个或多个中间记录膜部，所述第一记录膜部沿面方向形成且Bi的含量为15at％以上；所述第二记录膜部在光束被照射侧沿面方向形成，且比第一记录膜部的Bi含量少10at％以上；所述一个或多个中间记录膜部，用于使第一记录膜部与第二记录膜部之间的在膜厚方向上的Bi含量的变化得以缓和，且设置在第一记录膜部与第二记录膜部之间，并且Bi的含量比第二记录膜部的Bi的含量多、且比第一记录膜部的Bi的含量少。
据此，能够提供不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
在上述光学信息记录媒质中，优选记录膜的Bi的含量在膜厚方向阶段性性地变化。
由此，能够提供不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
在上述光学信息记录媒质中，优选中间记录膜部从第一记录膜部侧朝向第二记录膜部侧而Bi的含量连续地变少。
由此，能够提供不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
在上述光学信息记录媒质中，优选还具备：基材；在基材与记录膜之间所述配置的反射膜；在反射膜与记录膜之间所述配置的缓冲膜；在缓冲膜的配置有基材的一侧的相反侧所形成的保护膜，记录膜的被光束照射的一侧是缓冲膜侧。
由此，能够提供不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
在上述光学信息记录媒质中，优选基材在其表面上具有：用于为了进行信息的记录再生所照射的光束的跟踪引导而设置的、间距为0.5μm以下的凹槽。
由此，能够提高记录密度。
为了解决上述课题，本公开的光学信息记录媒质的制造方法，是制造上述光学信息记录媒质的制造方法，其中，具备：Bi的含量最大和最小的相差10at％以上的至少三种以上的组成不同的记录膜靶，分别由一个或多个阴极进行溅射，来制成记录膜的记录膜制作工序，在记录膜制作工序中，使在表面要制作记录膜的对象物，在各个记录膜靶之上静止对置而进行顺次层叠。
由此，能够提供不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
为了解决上述课题，本公开的光学信息记录媒质的制造方法，是制造上述光学信息记录媒质的制造方法，其中，具备：Bi的含量相差10at％以上的至少两种以上的组成不同的记录膜靶，分别由一个或多个阴极进行溅射，来制作所述记录膜的记录膜制作工序，在记录膜制作工序中，使在表面要制作记录膜的对象物，在两种以上的组成不同的靶之上顺次通过，在膜厚方向使组成变化。
由此，能够提供不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
为了解决上述课题，本公开的光学信息记录媒质的制造方法，是制造上述光学信息记录媒质的制造方法，其中，具备：将Bi的含量相差10at％以上的至少两种以上的组成不同的记录膜靶加以接合后的一个接合靶，由一个阴极进行溅射，来制作记录膜的记录膜制作工序，在记录膜制作工序中，使在表面要制作记录膜的对象物，在所述两种以上的组成不同的靶之上顺次通过，在膜厚方向使组成变化。
由此，能够提供不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
根据本公开，能够提供不需要初始化且在高密度记录下的信号品质良好的光学信息记录媒质及其制造方法。
附图说明
图1是实施方式1的光学信息记录媒质的一个构成例的剖面图
图2(a)是实施方式1的光学信息记录媒质的记录膜的一个构成例的剖面图
图2(b)是实施方式1的光学信息记录媒质的记录膜的一个构成例的剖面图
图2(c)是实施方式1的光学信息记录媒质的记录膜的一个构成例的剖面图
图3(a)是实施方式1的光学信息记录媒质的制造方法的方式X的概略图，(b)是实施方式1的光学信息记录媒质的制造方法的方式Y的概略图，(c)是实施方式1的光学信息记录媒质的制造方法的方式Z的概略图
图4(a)是使用实施方式1的光学信息记录媒质的制造方法的方式X时的流程图
图4(b)是使用实施方式1的光学信息记录媒质的制造方法的方式Y时的流程图
图4(c)是使用实施方式1的光学信息记录媒质的制造方法的方式Z时的流程图
图5是实施方式1的变形例的光学信息记录媒质的构成例的剖面图
图6是现有的光学信息记录媒质的制造方法的概略图
具体实施方式
以下，一边适宜参照附图，一边详细地说明实施方式。但是，有省略过于详细的说明的情况。例如，有省略已经众所周知的事项的详细说明和对于实质上相同构成进行重复说明的情况。这是为了避免以下的说明不会过于冗长，使本领域技术人员容易理解。
还有，发明者们为了让本领域技术人员充分地理解本公开而提供附图和以下的说明，但并非想要由此来限定权利要求的范围所述的主题。
(实施方式1)
以下，使用图1～图4，说明实施方式1。
[1-1.构成]
图1是本公开的光学信息记录媒质的一个构成例的局部剖面图。
如图1所示，本实施方式的光学信息记录媒质，在基材1上至少顺次具备反射膜2、缓冲膜3、记录膜4和保护膜5而被构成。此外在其上，还能够根据需要而设置由无机材料薄膜或树脂等构成的保护层。对于该光学信息记录媒质，从保护膜5的一侧将激光6由物镜7会聚、且进行照射而进行记录再生。另外，在基材1的表面形成有跟踪引导用的凹槽8。图1是模式化表示的图，为了明白易懂而变更膜厚等的比例尺。另外，就凹槽8而言，为了示出其形成位置而仅部分性地加以图示。
[1-1-1.基材的构成]
就基材1的材料而言，能够将聚碳酸酯树脂、甲基丙烯酸甲酯树脂、聚烯烃树脂、降冰片烯系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、紫外线固化性树脂、玻璃、或使这些适宜组合的，作为基础材料而加以使用。另外，基材1的厚度没有特别限定，但能够使用0.003～3.0mm左右的，能够为圆板、长方形或带状等各种各样的形状。
在基材1的表面上所形成的激光6的跟踪引导用的凹槽8的间距，为了提高记录密度而优选为0.5μm以下。
另外，该凹槽8也可以在上述基础材料上直接压印由金属材料或树脂材料等构成的凹槽图案的主模而形成，也可以从涂布了紫外线固化性树脂之后压紧主模而照射紫外线光使之固化来形成。
[1-1-2.反射膜的构成]
作为反射膜2的材料，能够使用Ag、Au、Al、Cu等的金属或以其为基础的合金，而其中特别是在蓝色光波长域反射率高的Ag、Al或以其为基础的合金被优选。由此，在作为激光6使用蓝紫激光的高密度记录中，能够得到更良好的信号品质。作为对Ag或Al添加的元素，没有特别限定，例如，以少量而防止凝集和粒径微细化的效果高的Pd、Pt、Ni、Ru、Au、Cu、Zn、Ga、In、S1、Ge、Sn、Sb、B1、Ca、Mg、Y、Nd、Sm、T1、Cr、O、N、F、C、S、B等是适宜的，其中，Pd、Cu、Bi、Nd、Y、Ga、Cr、Ni效果更高，能够使用其中的一个或多个元素。为了一边发挥这样的效果、同时也不会损害Ag或Al的高热传导率反射率，优选添加元素相对于反射膜2全体为0.01at％以上、10at％以下的比例，更优选为0.05at％以上、5at％以下的比例。
[1-1-3.缓冲膜和保护膜的构成]
作为缓冲膜3和保护膜5的材料，其优选完全满足以下条件的：(1)耐热性高，且将记录膜4加以保护而免受热损伤；(2)与记录膜4或反射膜2等邻接的材料的密接性良好，且在高温/高湿条件下也不会发生剥离、腐蚀和扩散等；(3)透明性高，且具有适度的折射率，并使记录膜4的光学变化增强；(4)其自身热稳定，即使在高温高湿下，粒径和组成分布也不会发生变动，例如，其能够使用Si-N、Si-O、Si-C、Ge-N、Ti-N、Ti-O、Zr-O、Hf-O、Nb-O、Ta-O、Cr-N、Cr-O、Mo-N、Mo-O、Ga-N、Ga-O、Y-O、Al-O、C或其混合物。其中，特别是在以Ge-N、Si-N、Si-Ge-N或Zr-O为基础下添加有Ti-N、A1-O、Cr-N，Cr-O或Y-O等的，在耐湿性方面优异。缓冲膜3和保护膜5的膜厚，例如优选为2nm以上、50nm以下，更优选为5nm以上、30nm以下。缓冲膜3和保护膜5的材料，也可以根据需要使用上述不同的材料/组成，也可以使用相同的材料/组成。
[1-1-4.记录膜的构成]
就记录膜4的材料而言，作为优选，含有Ge、Bi和50at％以上的Te，且Bi的含量在缓冲膜3侧为15at％以上、在保护膜5侧比缓冲膜3侧少5at％以上，并且在膜厚方向上至少按3阶段以上使组成变化、或至少在其一部分连续地使组成变化。还有，Ge-Bi-Te这样的相变记录材料，因为使GeTe和Sb2Te3这样两个化合物组成混合后的组成结晶化速度最快，而从该组成越偏离，结晶化速度越慢，越不适于实用上的记录再生，所以Te的组成比例设定在50％以上、60％以下。
图2(a)是表示在膜厚方向上3阶段组成变化的记录膜的局部剖面图。图2(a)所示的记录膜4，具有在面方向以层状形成的第一记录膜部401、中间记录膜部403和第二记录膜部402。此第一记录膜部401、中间记录膜部403和第二记录膜部402，按此顺序在膜厚方向上从缓冲膜3侧形成，且在各个膜部使组成大致均匀地形成。而且，缓冲膜3侧的第一记录膜部401的Bi的含量为15at％以上，保护膜5侧的第二记录膜部402的Bi的含量比第一记录膜部401少5at％以上。另外，在第一记录膜部401和第二记录膜部402之间所配置的中间记录膜部403的Bi含量，比第二记录膜部402的Bi含量多、且比第一记录膜部401的Bi含量少。
如此，图2(a)所示的记录膜4，在膜厚方向上其组成以3阶段变化。
图2(b)是表示在膜厚方向连续地组成变化的记录膜的局部剖面图。图2(b)所示的记录膜4，其组成从缓冲膜3侧至保护膜5侧在膜厚方向上连续地变化。例如，Bi的含量从缓冲膜3侧至保护膜5侧，沿膜厚方向连续地减少。于是，作为与缓冲膜3邻接的部分的第一记录膜部421的Bi的含量为15at％以上，作为与保护膜5邻接的部分的第二记录膜部422的Bi的含量，比与缓冲膜3邻接的第一记录膜部421少5at％以上。除去记录膜4的第一记录膜部421和第二记录膜部422的部分，作为中间记录膜部42表示。
另外，图2(c)是表示在膜厚方向上其一部分连续地使组成变化的记录膜的局部剖面图。图2(c)所示的记录膜4，具有在面方向以层状形成的第一记录膜部411、中间记录膜部413和第二记录膜部412。这些第一记录膜部411、中间记录膜部413和第二记录膜部412，按此顺序在膜厚方向上从缓冲膜3侧形成。而且，缓冲膜3侧的第一记录膜部411的Bi的含量为15at％以上，保护膜5侧的第二记录膜部412的Bi的含量比第一记录膜部411少5at％以上。中间记录膜部413的组成，从第一记录膜部411的组成至第三记录膜部412的组成为止在膜厚方向上连续地变化。另外，中间记录膜部413的Bi的含量，比第二记录膜部412的Bi的含量多、且比第一记录膜部411的Bi的含量少。如此，在记录膜4的膜厚方向，有组成是均匀的部分也可。另外，在图2(c)的构成中，使第一记录膜部411和第二记录膜部412的厚度变薄了的构成，与图2(b)的构成对应。
通过这样将膜厚方向的剧烈的组成变化加以缓和，能够在记录膜4整体上使成膜后的状态为结晶相，还有且作为平均的组成可以成为具有适于期望的记录线速度的结晶化速度之组成。就Ge、Bi、Te以外的成分而言，出于结晶化速度、热传导率或光学常数等的调整，或者重复耐久性或环境可靠性提高等的目的，也可以使Sb、Sn、In、Ga、Zn、Cu、Ag、Au、Cr等的金属，半金属或半导体元素，或者从O、N、F、C、S、B等的非金属元素中选择的1个或多个元素，根据需要以10at％以下的比例适宜含有，更优选以5at％以下的比例适宜含有。
记录膜4的膜厚，优选为4nm以上、20nm以下，更优选为6nm以上、16nm以下。若记录膜4比上述的膜厚要薄，则无法取得充分的反射率和反射率变化的情况、和难以结晶化的情况等发生，因此，C/N比和消去率的一方或双方变低。另外，若比上述的膜厚要厚，则记录膜4的薄膜面内的热扩散相对性地变大，因此记录标记的轮廓不鲜明，C/N比变低。
上述的各薄膜，例如能够通过真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、CVD(化学气相沉积：Chemical Vapor Deposition)法、MBE(分子束外延：Molecular Beam Epitaxy)法等的气相薄膜堆积法形成。还有，上述的各薄膜，可以通过俄歇电子能谱法、X射线光电子能谱法或二次离子质量分析法等的方法(例如应用物理学会/薄膜·表面物理分科学会编“薄膜制作手册”共立出版株式会社，1991年等)来调查各膜的材料和组成。
[1-2.现有的制造方法]
首先，运用图6对于现有的光学信息记录媒质的制造方法进行说明。图6是表示现有的光学信息记录媒质的制造方法的概略的图。如图6所示，在形成记录膜时，历来采用的是方式W，使用组成A和B的各靶而在基材上层叠组成不同的两层。
若详细阐述，则在方式W中，将2个溅射靶、即组成A的靶100和组成B的靶101设有间隔地配置。然后，将基材102移动至与组成A的靶100对置的位置(S200)，在此位置静止(S201)，由此进行组成A的记录膜的成膜。接着，将基材1移动至与组成B的靶101对置的位置(S202)，在此位置静止(S203)，由此进行组成B的记录膜的成膜，为了下面的成膜，从该位置移动(S204)。如此进行溅射，从而形成由组成不同的两层构成的记录膜。
[1-3.本公开的制造方法]
接下来，对于本公开的光学信息记录媒质的制造方法进行说明。
图3是表示本实施方式的光学信息记录媒质的制造方法的概略的图。
相对于上述现有的方式W，在本公开中，使用图3(a)所示的方式X、图3(b)所示的方式Y、图3(c)所示的方式Z来形成记录膜。另外，图4是本实施方式的光学信息记录媒质的制造方法的流程图。图4(a)表示方式X的流程，图4(b)表示方式X的流程，图4(c)表示方式X的流程。
还有，此方式X、方式Y、方式A与记录膜制作工序的一例对应。
首先，如图4(a)～(c)所示，在基材1上通过溅射等的已知的薄膜形成方法形成反射膜2(S1)。接着，在反射膜2上通过溅射等的已知的薄膜形成方法形成缓冲膜3(S2)。接着，使用以下顺次说明的方式X、方式Y、方式Z的任意一种来形成记录膜4。然后，在记录膜4上通过溅射等的已知的薄膜形成方法来形成保护膜5(S5)。如此，本实施方式的光学信息记录媒质被制作完成。
以下，关于方式X、方式Y、方式Z在使用图3和图4下顺次进行详细说明。
[1-3-1.方式X]
如图3(a)和图4(a)所示，在方式X中，通过在方式W进一步追加组成C的靶，来使组成不同的3层得以层叠。
更详细地说，在方式X中，将3个不同组成的溅射靶、即组成A的靶10和组成B的靶11和组成C的靶12设有间隔地配置。然后，使由溅射等形成有反射膜2和缓冲膜3的基材1，移动至与组成A的靶10对置的位置(S10)，且使之在此位置静止(S11)，进行溅射。由此，在缓冲膜3上形成有组成A的膜(与第一缓冲膜部401对应)。其次，停止溅射，从与组成A的靶10对置的位置至与组成B的靶11对置的位置为止进行基材1的移动(S12)。在此位置使之静止(S13)，进行溅射，由此在缓冲膜3上形成组成B的膜(与第二缓冲膜部402对应)。接着，停止溅射，从与组成B的靶11对置的位置至与组成C的靶12对置的位置为止进行基材1的移动(S14)。在此位置使之静止(S15)，进行溅射，由此在缓冲膜3上形成组成C的膜(与第三缓冲膜部403对应)，基材1从与组成C的靶12对置的位置被移动(S16)。
如此在方式X中，可制作图2(a)所示这样构成的记录膜4。
[1-3-2.方式Y]
如图3(b)和图4(b)所示，在方式Y中，使用组成A和B的各靶、且在其上使基材通过，由此在基材上层叠在膜厚方向上至少其一部分连续地组成变化的记录膜。
更详细地说，在方式Y中，将3个不同组成的溅射靶、即组成A的靶10和组成B的靶11设有间隔地配置。然后，在S20中，使由溅射等形成有反射膜2和缓冲膜3的基材1，在与组成A的靶10对置的位置通过、且持续地在与组成B的靶11对置的位置通过，由此在膜厚方向上至少其一部连续地组成变化的记录膜被形成。
[1-3-3.方式Z]
如图3(c)和图4(c)所示，在方式Z中，使用将组成A和B加以接合了的一个靶，且在其上使基材通过，从而在基材上使在膜厚方向上至少其一部连续地组成变化的记录膜被层叠。
更详细地说，在方式Z中，配置有将组成A的靶10和组成B的靶11加以接合了的靶12。然后，在S30中，使基材1沿着组成A的靶10和组成B的靶11的配置方向，在靶12上移动，由此，在膜厚方向上至少其一部连续地组成变化的记录膜被形成。
还有，就由方式Y、Z形成的记录膜而言，根据组成A的靶10以及组成B的靶11的配置、大小和基材1的移动速度等，例如，成为图2(b)所示的构成和图2(c)所示的构成。
根据这些方式X、Y或Z，与现有的方式W相比，膜厚方向的剧烈的组成变化得以缓和，能够在记录膜整体上使成膜后的状态成为结晶相，而且作为平均的组成，可以成为具有适于期望的记录线速度的结晶化速度之组成。
【实施例】
以下，通过实施例更具体地说明本公开，但以下的实施例不限定本公开。
(实施例1)
作为基材，使用由聚碳酸酯树脂构成、直径约12cm、厚度约1.1mm、且预先形成有凹槽间距0.32μm而凹槽深度约30nm的螺旋状的凹槽的圆盘状基材。在该基材的形成有凹槽的表面上，通过溅射法，顺次层叠如下各层：使用Al靶形成膜厚约60nm的反射膜，使用Si3N4靶形成膜厚约15nm的缓冲膜，使用多个Ge-Bi-Te靶形成膜厚约12nm的记录膜，使用Si3N4靶形成膜厚约20nm的保护膜。
还有，就各薄膜而言，均使用在基材的搬送方向的长度为100mm、且在与之垂直的方向的宽度为200mm、并且厚度为10mm左右的靶进行成膜。反射膜、缓冲膜和保护膜在1～4kW的范围内，记录膜在100～600W的范围内，以能够取得期望的膜厚和记录膜的组成比率的方式调整溅射功率，均使用DC电源成膜。作为溅射气体，无论哪层膜都流通Ar气，且使其分压适度地保持在0.2Pa，并且对于缓冲膜和保护膜进一步流通N2而进行适度氮化、且使其分压以0.1Pa左右进行调整而进行成膜。基板的搬送速度，在3～6m/分的范围，以能够取得上述的期望的膜厚的方式进行调整。另外，使用方式X时所制作的第一记录膜部401、中间记录膜部403、第二记录膜部402的各自的膜厚均等(约4nm)，由此，设定在靶间的移动速度和在靶上的静止时间等。
进行记录膜以(表1)所示的各种方式和组成进行成膜，且制成了本公开的实施例和比较例的各盘。
[表1]
Figure BDA0000455433540000121
<各标记的意思>
Figure BDA0000455433540000122
各盘的记录膜的成膜后的状态示出在(表1)中。在此，使用激光初始化装置进行初始化时，反射率变化低于2％的判定为结晶，在2％以上、低于10％的判定为结晶与非晶质的中间，10％以上的判定为非晶质，即，若事实上没有初始化，则判定为信号的记录消去产生故障的水平。
对于从上述各盘的沟槽、即螺旋状的凹槽的激光入射侧观看而向跟前凸出的部分，使用波长405nm、透镜数值孔径0.85的光学系统，一边使之以线速度9.8m/s旋转，一边照射激光，将频率33MHz的单一信号加以记录，将其C/N比以频谱分析仪测量。其结果示出在(表1)中。
如(表1)所示，作为比较例的盘No.1(No.：编号)，虽然记录膜在成膜后的状态为结晶，但作为记录膜整体的平均，因为Bi含量多达约16at％，结晶化速度过剩，所以C/N比不充分。
另一方面，作为比较例的盘No.2，相对于组成A，组成B其Bi含量少20％，这一差距过于剧烈，因此成膜后的状态达不到结晶，成为非晶质。
相对于此，作为实施例的盘No.3，记录膜的组成A与B和B与C的各自间的Bi含量的差比盘No.2小，变化缓和，成膜后的状态为结晶，并且在记录膜整体上Bi含量和结晶化速度适当，因此能够得到十分高的C/N比。
作为实施例的盘No.4，与盘No.3相比，因为组成A的Bi含量少，所以记录膜的成膜后的状态不是完全的结晶，但在允许范围。
作为比较例的盘No.5，因为组成A的Bi含量比盘No.4更少，因此成膜后的状态达不到结晶，成为非晶质。
作为实施例的盘No.6，与盘No.3相比，组成C的Bi含量多，C/N比降低，但在允许范围。
作为比较例的盘No.7，组成C的Bi含量比盘No.6更多，因此结晶化速度过剩，C/N比不充分。
另外，作为实施例的盘No.8，记录膜的组成，在膜厚方向从组成A向组成B连续地变化，因此与盘No.3同样，记录膜的成膜后的状态为结晶，而且能够得到十分高的C/N比。
作为实施例的盘No.9，与盘No.8相比，因为组成A的Bi含量少，所以记录膜的成膜后的状态不是完全的结晶，但在允许范围。
作为比较例的盘No.10，组成A的Bi含量比盘No.9更少，因此成膜后的状态达不到结晶，成为非晶质。
作为实施例的盘No.11，与盘No.8相比，组成B的Bi含量多，虽然C/N比降低，但在允许范围。
作为比较例的盘No.12，组成B的Bi含量比盘No.11更多，因此结晶化速度过剩，C/N比不充分。
作为实施例的盘No.13，记录膜的组成，在膜厚方向从组成A向组成B连续地变化，因此与盘No.3同样，记录膜的成膜后的状态为结晶，而且能够得到十分高的C/N比。
作为实施例的盘No.14，与盘No.13相比，组成A的Bi含量少，因此记录膜的成膜后的状态不是完全的结晶，但在允许范围。
作为比较例的盘No.15，组成A的Bi含量比盘No.14更少，因此成膜后的状态达不到结晶，变成非晶质。
作为实施例的盘No.16，与盘No.13相比，组成B的Bi含量多，C/N比降低，但在允许范围。
作为比较例的盘No.17，因为组成B的Bi含量比盘No.16更多，结晶化速度过剩，C/N比不充分。
由以上可知，在由方式X、方式Y和方式Z的任意一种方式所制作的光学信息记录媒质中，使第一记录膜部401、411、421的Bi的含量为15at％以上，使第二记录膜部402、412、422的Bi的含量比第一记录膜部401、411、421的Bi的含量少10at％以上，且在其间设置用于使Bi的含量的变化缓和的中间记录膜部403、413、423，由此，成膜后结晶化，C/N比也良好。
[1-4.效果等]
如上，在本实施方式中，光信息记录媒质具备记录膜4，该记录膜4中3阶段组成变化。记录膜4具有第一记录膜部401、第二记录膜部402、中间记录膜部403。第一记录膜部401的Bi的含量为15at％以上，第二记录膜部402的Bi的含量比第一记录膜部401少10at％以上。另外，在第一记录膜部401与第二记录膜部402之间所配置的中间记录膜部403的Bi含量，比第二记录膜部402的Bi含量多、且比第一记录膜部401的Bi含量少。
由此，因为膜厚方向剧烈的组成变化得到缓和，所以不需要初始化，并且信号品质良好。
另外，在本实施方式中，光信息记录媒质具备记录膜4，记录膜4中在膜厚方向连续地组成变化。记录膜4具有第一记录膜部421、第二记录膜部422、中间记录膜部423。第一记录膜部401的Bi的含量为15at％以上，第二记录膜部402的Bi的含量比第一记录膜部401少10at％以上。另外，在第一记录膜部401与第二记录膜部402之间所配置的中间记录膜部403的Bi含量，比第二记录膜部402的Bi含量多、且比第一记录膜部401的Bi含量少。
由此，因为膜厚方向剧烈的组成变化得到缓和，所以不需要初始化并且信号品质良好。
另外，在本实施方式中，基材1在其表面上具有：用于为了进行信息的记录再生所照射的光束的跟踪引导而设置的、间距为0.5μm以下的凹槽。
由此，能够提高记录密度。另外，虽然在如此提高了记录密度的状态下信号品质特别容易劣化，但如上述这样根据本实施方式的记录膜的构成，能够使信号品质良好。
另外，在本实施方式中，光学信息记录媒质的制造方法，具备方式X(记录膜制作工序的一例)，其中，Bi的含量最大和最小相差10at％以上的至少三种以上的组成不同的记录膜靶10、11、12，分别由一个或多个阴极进行溅射，制成记录膜4。在方式X中，将形成有缓冲膜3和反射膜2的基材1(在其表面要制作记录膜的对象物的一例)在各个记录膜靶10、11、12之上静止对置而进行顺次层叠。
由此，在膜厚方向阶段性地组成变化的记录膜被制作，因为膜厚方向的剧烈的组成变化得到缓和，所以能够制作不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
另外，在本实施方式中，光学信息记录媒质的制造方法，具备方式Y(记录膜制作工序的一例)，其中，Bi的含量相差10at％以上的至少两种以上的组成不同的记录膜靶10、11，分别由一个或多个阴极进行溅射，制作记录膜。在方式Y中，将形成有缓冲膜3和反射膜2的基材1(在其表面要制作记录膜的对象物的一例)在两种以上的组成之上顺次通过，沿膜厚方向使组成变化。
由此，在膜厚方向至少一部分连续地组成变化的记录膜被制作，因为膜厚方向的剧烈的组成变化得到缓和，所以能够制作不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
另外，在本实施方式中，光学信息记录媒质的制造方法，具备方式Z(记录膜制作工序的一例)，其中，将Bi的含量相差10at％以上的至少两种以上不同组成的记录膜靶加以接合了的一个接合靶13，由一个阴极进行溅射，制作记录膜4。在方式Z中，将形成有缓冲膜3和反射膜2的基材1(在其表面要制作记录膜的对象物的一例)在接合靶13之上通过，沿膜厚方向使组成变化。
由此，在膜厚方向至少一部分连续地组成变化的记录膜被制作，因为膜厚方向的剧烈的组成变化得到缓和，所以能够制作不需要初始化且信号品质良好的光学信息记录媒质。
(其他的实施方式)
如上，作为本申请中公开的技术的例示，说明了实施方式1。但是，本公开的技术不限定于此，也可以适用于适宜进行了变更、置换、附加、省略等的实施方式。另外，也可以使在上述实施方式1之中说明的各构成要素组合，以成为新的实施方式。
因此，以下，例示其他的实施方式。
在实施方式1中，作为Bi的含量阶段性地变化的记录膜的一例，列举图2(a)的记录膜4为例进行了说明。在图2(a)所示的记录膜4中，Bi的含量按3阶段变化，但也可以不限定为3阶段，也可以是4阶段以上、即是具有2个以上的中间记录膜部的记录膜。如此设置2个以上中间记录部，成为4阶段以上，可以使组成的剧烈变化得以进一步缓和。
另外，在图2(a)中，示出的是组成大致均匀的中间记录膜部403，在图2(b)中，示出的是在膜压方向上连续地组成变化的中间记录膜部423，在图2(c)中，示出的是在记录膜的一部分所设置的、连续地组成变化的中间记录膜部413，但并不限于这些构成，使在膜厚方向连续地组成变化的中间记录膜部、和组成均匀的中间记录膜部加以组合也可。图5是这样的构成的记录膜的局部剖面图。图5所示的记录膜4中，相对于图2(a)的构成，在第一记录膜部401与中间记录膜部403之间，设置有在膜厚方向上连续地组成变化的中间记录膜部404；在第二记录膜部402与中间记录膜部403之间，设置有在膜厚方向上连续地组成变化的中间记录膜部405。该图5所示的记录膜，对应于具有多个中间记录膜部的记录膜的一例，就这样的记录膜4而言，能够通过在图3(a)所示的方式X中使靶10、11、12的间隔缩小，使基材1的移动速度变更，在靶10、11、12之间的移动中也进行溅射等，来加以制作。此外，在图2(b)所示的中间记录膜部423的途中，设有均匀的组成的中间记录膜部也可。总之，只要能够使第一记录膜部与第二记录膜部之间的Bi的含量的变化得以缓和即可。
另外，在上述实施方式中，Bi的含量为15at％以上的第一记录膜部401、411、412与缓冲膜3邻接，但也可以在第一记录膜部401、411、412与缓冲膜3之间，设置有Bi含量比第一记录膜部401、411、412的Bi含量少的部分。
另外，在上述实施方式中，作为光学信息记录媒质的一例，说明了具备基材1、反射膜2、缓冲膜3、记录膜4、保护膜5，且从保护膜5侧照射激光6的形态。信息记录媒质只要具备含有Ge、Bi和50at％以上的Te的记录膜即可，且该记录膜具有第一记录膜部及第二记录膜部及一个或多个中间记录膜部，其中，第一记录膜部在面方向形成且Bi的含量为15at％以上；第二记录膜部在光束被照射侧沿面方向形成、且Bi含量比第一记录膜部少10at％以上；一个或多个中间记录膜部用于使第一记录膜部与第二记录膜部之间的膜厚方向上的Bi含量的变化得以缓和，且设置在第一记录膜部与第二记录膜部之间，并且Bi的含量比第二记录膜部的Bi的含量多、且比第一记录膜部的Bi的含量少。因此，光学信息记录媒质不限于为图1的构成。例如，也可以是具备透明的基材、且从基材侧照射激光的构成。这种情况下，反射膜配置在记录膜的基材相反侧。
还有，在作为基材而厚5μm左右的薄膜状的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材上涂布UV树脂而使凹槽间距0.32μm、凹槽深度约30nm的直线状的凹槽得以形成的面上，形成与上述相同的反射膜、缓冲膜、记录膜和保护膜，制成与凹槽平行地以1/2英寸宽所切割的带状的记录媒质，粘贴在鼓状的回转体侧面而使之回转，进行与上述相同的测量。其结果示出与(表1)同样的结果。
如以上，作为本公开的技术的例示，说明了实施方式。为此，提供了附图和详细的说明。
因此，在附图和详细的说明所述的构成要素之中，不仅能够包含用于解决课题所必须的构成要素，而且也能够包含为了例示上述技术在用于解决课题上非必须的构成要素。因此，不应该拿这些非必须的构成要素被记载于附图和详细的说明中就即刻认定这些非必须的构成要素为必须的。
另外，上述的实施方式，是用于例示本公开的技术的，所以能够在专利权利要求的范围或其均等的范围内进行各种变更、置换、附加、省略等。
产业上的可利用性
本公开的光学信息记录媒质及其制造方法，具有不需要初始化且信号品质良好的效果，作为保存影像、音乐、信息等的能够电子化的数据的媒质有用。
符号说明
1  基材
2  反射膜
3  缓冲膜
4  记录膜
5  保护膜
6  激光
7  物镜
401  第一记录膜部
402  第二记录膜部
403  中间记录膜部
411  第一记录膜部
412  第二记录膜部
413  中间记录膜部
421  第一记录膜部
422  第二记录膜部
423  中间记录膜部

Claims (8)

1.一种光学信息记录媒质，其特征在于，具备通过光束的照射而记录信息的记录膜，
所述记录膜含有Ge、Bi和50at％以上的Te，且具有第一记录膜部及第二记录膜部和一个或多个中间记录膜部，
所述第一记录膜部沿面方向形成且Bi的含量为15at％以上；
所述第二记录膜部在所述光束照射的一侧沿面方向形成，且Bi的含量比所述第一记录膜部少10at％以上；
所述一个或多个中间记录膜部，用于使所述第一记录膜部与所述第二记录膜部之间的在膜厚方向上的Bi的含量的变化得以缓和，且设置在所述第一记录膜部与所述第二记录膜部之间，并且Bi的含量比所述第二记录膜部的Bi的含量多、且比所述第一记录膜部的Bi的含量少。
2.根据权利要求1所述的光学信息记录媒质，其中，
所述记录膜的Bi的含量在膜厚方向阶段性地变化。
3.根据权利要求1所述的光学信息记录媒质，其中，
所述中间记录膜部从所述第一记录膜部侧朝向所述第二记录膜部侧而Bi的含量连续地变少。
4.根据权利要求1所述的光学信息记录媒质，其中，还具备：
基材；
反射膜，其配置在所述基材与所述记录膜之间；
缓冲膜，其配置在所述反射膜与所述记录膜之间；
保护膜，其在所述缓冲膜的配置有所述基材的一侧的相反侧形成，
所述记录膜的被所述光束照射的一侧，是所述缓冲膜侧。
5.根据权利要求4所述的光学信息记录媒质，其中，
所述基材在其表面上具有：用于为了进行信息的记录再生所照射的光束的跟踪引导而设置的、间距0.5μm以下的凹槽。
6.一种光学信息记录媒质的制造方法，是制造权利要求2所述的光学信息记录媒质的制造方法，其中，具备：
Bi的含量最大和最小的相差10at％以上的至少三种以上的组成不同的记录膜靶，分别由一个或多个阴极进行溅射，来制成所述记录膜的记录膜制作工序，
在所述记录膜制作工序中，使在表面要制作所述记录膜的对象物，在各个记录膜靶之上静止对置而进行顺次层叠。
7.一种光学信息记录媒质的制造方法，是制造权利要求3所述的光学信息记录媒质的制造方法，其中，具备：
Bi的含量相差10at％以上的至少两种以上的组成不同的记录膜靶，分别由一个或多个阴极进行溅射，来制作所述记录膜的记录膜制作工序，
在所述记录膜制作工序中，使在表面要制作所述记录膜的对象物，在所述两种以上的组成不同的靶之上顺次通过，在膜厚方向使组成变化。
8.一种光学信息记录媒质的制造方法，是制造权利要求3所述的光学信息记录媒质的制造方法，其中，具备：
将Bi的含量相差10at％以上的至少两种以上的组成不同的记录膜靶加以接合后的一个接合靶，由一个阴极进行溅射，来制作所述记录膜的记录膜制作工序，
在所述记录膜制作工序中，使在表面要制作所述记录膜的对象物，在所述两种以上的组成不同的靶之上顺次通过，在膜厚方向使组成变化。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1677526A (zh) * 2004-03-12 2005-10-05 松下电器产业株式会社 光信息记录介质及其制造方法、记录方法和记录装置
CN101194310A (zh) * 2005-06-07 2008-06-04 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法
CN101522431A (zh) * 2006-08-08 2009-09-02 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1010519B (zh) 1985-09-25 1990-11-21 松下电器产业株式会社 可逆的光学情报记录介质
JPH0832482B2 (ja) * 1986-09-22 1996-03-29 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体
JP4227278B2 (ja) 1999-03-26 2009-02-18 パナソニック株式会社 情報記録媒体とその製造方法およびその記録再生方法
JP4064905B2 (ja) 2003-10-29 2008-03-19 株式会社東芝 相変化光記録媒体
JP4542922B2 (ja) * 2004-03-12 2010-09-15 パナソニック株式会社 光学的情報記録媒体とその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1677526A (zh) * 2004-03-12 2005-10-05 松下电器产业株式会社 光信息记录介质及其制造方法、记录方法和记录装置
CN101194310A (zh) * 2005-06-07 2008-06-04 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法
CN101522431A (zh) * 2006-08-08 2009-09-02 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶

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