CN103646910B - 一种sgoi结构的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种SGOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、预设Ge浓度SiGe层及SiO2层的叠层结构；S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到SGOI结构。本发明结合离子注入技术和锗浓缩工艺制备高质量高Ge浓度的SGOI结构，离子注入减弱了顶层硅与所述SiGe层之间的晶格失配，且伴随退火过程的进行，位错环在纵向方向上相互作用并相互抵消，使应力得到释放，从而使最终获得的SGOI结构中穿透位错密度大大降低。

Description

一种SGOI结构的制备方法
技术领域
本发明属于半导体制造领域，涉及一种SGOI结构的制备方法。
背景技术
SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅)技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。但是，根据国际半导体产业发展蓝图(ITRS2009)的规划，集成电路已经逐步从微电子时代发展到了微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，遇到了严峻的挑战。
从材料角度来说，我们需要从传统的单晶硅材料拓展到新一代硅基材料。SiGe材料由于其高迁移率和可以作为其他材料的虚拟衬底而受到广泛关注。SGOI(SiliconGermaniumOnInsulater，绝缘层上锗硅)结合了SiGe和SOI的优点，为研发新型的超高速、低功耗、抗辐射、高集成度硅基器件和芯片提供一种新的解决方案，在光电集成、系统级芯片等方面也有着重要的应用前景。而绝缘体上锗(GOI)是高端硅基衬底材料领域的一项最新开发成果，它对高性能CMOSIC以及光电探测器和太阳能电池都具有十分重要的意义。能用作光电探测器GOI（锗吸收850nm波长的光的效率是硅的70倍），而且也能用来制作高速晶体管。基于锗材料的晶体管的转换速度能比硅的大3到4倍。由于锗金属能提高材料的电子迁移率，在未来的高速逻辑IC应用上，锗材料远景看好。GOI用作制造高速光电探测器（运行在30GHz），这使其理论上适用于探测速度大于50Gb/sec的信号，使芯片上的光互连更接近现实。
在传统锗浓缩工艺制备SGOI或GOI的过程中，应力释放主要发生在SOI顶层Si和外延SiGe的界面，导致穿透位错密度很高，严重影响了最终SGOI或GOI的质量和后期器件的性能。从穿透位错的形成机理上来讲，是由于浓缩开始时SiGe/Si界面的失配位错下降到SGOI/BOX界面，进一步浓缩，失配位错向上穿透形成了穿透位错。
因此，提供一种新的绝缘体上锗硅的制备方法以获得高质量的SGOI结构或GOI结构实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种SGOI结构的制备方法，用于解决现有技术中制备的SGOI结构中穿透位错密度高、质量不好的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种SGOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：
S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；
S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；
S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；
S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、预设Ge浓度SiGe层及SiO2层的叠层结构；
S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到SGOI结构。
可选地，所述预设Ge浓度SiGe层中，Ge的组分范围是50%～100%。
可选地，于所述步骤S1中，所述单晶SiGe层中Ge的组分小于40%。
可选地，于所述步骤S1中，所述单晶SiGe层的厚度小于其在所述顶层硅上生长的临界厚度。
可选地，于所述步骤S3中，采用H、He、C、Si及Ge中的至少一种元素进行离子注入，离子注入剂量小于2E16cm-2。
可选地，于所述步骤S4中，锗浓缩的步骤包括：
S4-1：将步骤S3获得的结构首先在第一预设温度的含氧气氛下中氧化第一预设时间，然后在第一预设温度的氮气气氛中保持第二预设时间；
S4-2：重复步骤S4-1若干次直至所述单晶SiGe层中的Ge组分达到55～65%；
S4-3：将温度下降至第二预设温度，并将步骤S4-2获得的结构首先在所述第二预设温度的含氧气氛下氧化第三预设时间，然后在所述第二预设温度的氮气气氛中保持第四预设时间；
S4-4：重复步骤S4-3若干次直至完成锗浓缩，得到所述叠层结构。
可选地，所述第一预设温度为1050℃，第二预设温度为900℃；所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间及第四预设时间均为30min。
可选地，通过调整所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间及第四预设时间的长短以使得到的所述SGOI结构为绝缘体上应变锗硅或绝缘体上应变锗。
可选地，所述SGOI结构中，所述预设Ge浓度SiGe层的厚度范围是15～100nm。
可选地，所述顶层硅的厚度范围是30～100nm。
如上所述，本发明的SGOI结构的制备方法，具有以下有益效果：本发明结合离子注入技术和锗浓缩工艺制备高质量高Ge浓度的SGOI结构。离子注入于所述顶层硅中，在后续锗浓缩的退火过程中，注入的离子在所述顶层硅中形成位错环，减弱了顶层硅与所述SiGe层之间的晶格失配，且伴随退火过程的进行，位错环在纵向方向上相互作用并相互抵消，使应力得到释放，从而使最终获得的SGOI结构中穿透位错密度大大降低，获得高质量的SGOI结构。此外，本发明是在顶层硅上外延单晶SiGe层并形成Si帽层之后再进行离子注入，外延的单晶SiGe层不受影响，能够保持较好的质量，且离子注入的射程有所提高，有利于采用更高的注入能量进行离子注入，注入深度更容易精确控制。本发明的SGOI结构的制备方法还可以通过调整浓缩过程中的退火循环次数得到需要浓度的绝缘体上锗硅（Ge的组分范围是50%～100%），当Ge浓度达到100%时，即得到绝缘体上锗；同时还可以通过调整浓缩工艺参数使得到的所述SGOI结构为绝缘体上应变锗硅或绝缘体上应变锗。
附图说明
图1显示为本发明的SGOI结构的制备方法中在SOI衬底上形成单晶SiGe层示意图。
图2显示为本发明的SGOI结构的制备方法中在单晶SiGe层表面形成Si帽层的示意图。
图3显示为本发明的SGOI结构的制备方法中在顶层硅中注入离子的示意图。
图4显示为本发明的SGOI结构的制备方法中进行锗浓缩形成叠层结构的示意图。
图5显示为本发明的SGOI结构的制备方法中去除叠层结构表面的SiO2层得到SGOI结构的示意图。
元件标号说明
1背衬底
2埋氧层
3顶层硅
4单晶SiGe层
5Si帽层
6预设锗浓度SiGe层
7SiO2层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种SGOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：
S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；
S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；
S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；
S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、预设Ge浓度SiGe层及SiO2层的叠层结构；
S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到SGOI结构。
首先请参阅图1，执行步骤S1：提供一自下而上依次包括背衬底1、埋氧层2及顶层硅3的SOI衬底，在所述顶层硅3表面外延生长一单晶SiGe层4。
具体的，所述顶层硅3的厚度范围是30～100nm，优选为30～50nm。采用较薄的顶层硅有利于最终得到高浓度、超薄的绝缘体上锗硅或超薄的绝缘体上锗。本实施例中，所述顶层硅3的厚度以30nm为例。
所述单晶SiGe层4中Ge的组分可调，但是Ge的组分不宜太高，优选为小于40%。对于不同Ge浓度的单晶SiGe层，其在硅上生长的临界厚度不同。本发明中，所述单晶SiGe层4的厚度小于其相应Ge浓度在所述顶层硅3上生长的临界厚度。本实施中，外延的单晶SiGe层4以160nm厚的Si0.75Ge0.25为例。
然后请参阅图2，执行步骤S2：通过化学气相沉积法或其它方法在所述单晶SiGe层4表面形成一Si帽层5。由于Ge的易氧化性，所述Si帽层5的存在可以防止所述单晶SiGe层4直接暴露于外部，在后续锗浓缩的氧化过程中可以避免所述单晶SiGe层4中的锗发生氧化而流失。本实施例中，所述Si帽层5的厚度以4nm为例。
接着请参阅图3，执行步骤S3：从所述Si帽层5正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅1中。
具体的，采用H、He、C、Si及Ge中的至少一种进行离子注入，离子注入剂量小于2E16cm-2。离子注入到所述顶层硅3中，可以减弱所述顶层硅3与所述单晶SiGe层4之间的晶格失配。
本实施例中，优选为采用He离子进行离子注入，注入剂量为5E15cm-2，并使离子注入深度为所述单晶SiGe层4与所述顶层硅3的界面以下20nm。由于本发明的离子注入是在外延形成单晶SiGe层之后，外延单晶SiGe层时，顶层硅3中还未进行离子注入，因此外延的单晶SiGe层的质量不受影响，因此注入的深度只要位于所述顶层硅3中即可，无需严格的控制。同时由于所述单晶SiGe层4及所述Si帽层5的存在，离子注入的射程有所提高，有利于采用更高的注入能量进行离子注入，注入深度更容易精确控制。
再请参阅图4，执行步骤S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底1、埋氧层2、预设Ge浓度SiGe层6及SiO2层7的叠层结构。
具体的，锗浓缩过程包括在含氧气氛中的退火步骤，在该退火步骤中，所述顶层硅3中注入的离子在所述顶层硅3中形成位错环，减弱了所述顶层硅3与所述单晶SiGe层4之间的晶格失配，且伴随退火过程的进行，位错环在纵向方向上相互作用并相互抵消，使应力得到释放，从而使最终获得的SGOI结构中穿透位错密度大大降低，获得高质量的SGOI结构。
具体的，锗浓缩过程包括：在氧气气氛下对步骤S3获得的结构中的单晶SiGe层4进行热氧化，且热氧化的温度低于所述单晶SiGe层4的熔点。在氧化过程中，一方面表面的Si帽层5首先与氧气反应生成SiO2，防止所述单晶SiGe层4中的Ge直接暴露于表面与氧气接触被氧化，从而起到了防止锗流失的作用；另一方面所述单晶SiGe层4与其下的顶层硅3发生相互扩散，使所述顶层硅3逐渐被“吃掉”，形成Si浓度上升的SiGe层；随着所述Si帽层5被完全氧化，其下的SiGe层也开始被氧化，其中，SiGe层中的Si原子优先与氧气结合生成SiO2，Ge原子在SiGe层中的组分逐渐升高，而Si原子的组分不断减少，越来越多的Ge原子析出，析出的Ge原子被抑制于其上方生成的SiO2层与下方的埋氧层之间，最终形成一层高Ge组分的SiGe层或纯Ge层。本实施例中进行锗浓缩的具体操作过程包括以下步骤：
S4-1：将步骤S3获得的结构首先在第一预设温度的含氧气氛下中氧化第一预设时间，然后在第一预设温度的氮气气氛中保持第二预设时间；
S4-2：重复步骤S4-1若干次直至所述单晶SiGe层中的Ge组分达到60%左右（55%～65%）；
S4-3：将温度下降至第二预设温度，并将步骤S4-2获得的结构首先在所述第二预设温度的含氧气氛下氧化第三预设时间，然后在所述第二预设温度的氮气气氛中保持第四预设时间；
S4-4：重复步骤S4-3若干次直至完成锗浓缩，得到含有预设Ge浓度SiGe层6的叠层结构。
本实施例中，优选以下工艺参数：所述第一预设温度为1050℃，第二预设温度为900℃；所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间及第四预设时间均为30min。
上述锗浓缩工艺中，分别在1050℃和900℃进行热氧化反应，这是由于在1050℃进行热氧化反应后，SiGe层中的Ge组分升高，造成SiGe的熔点降低，因此一段时间后，需在较低的温度即900℃下进一步热氧化，以提高锗浓缩后预设Ge浓度SiGe层6的纯度。另外，在氮气气氛下保持一段时间的作用是使浓缩过后的SiGe层或Ge层中各处组分均匀，这是由于靠近表面的区域会优先与氧气反应，Ge的含量相对下层偏高，从而在SiGe中形成一个梯度。
由于Si的熔点为1410℃，Ge的熔点为938℃，在其它实施例中，随着所述SiGe层5中Ge组分的改变及其的厚度发生变化，上述第一预设温度、第二预设温度也可以进行相应调整，此处不应过分限制本发明的保护范围。对于所述预设Ge浓度SiGe层6中Ge组分的设定值小于60%时，也可以没有上述由第一预设温度降为第二预设温度的过程。本发明中，所述预设Ge浓度SiGe层的厚度范围是15～100nm；所述预设Ge浓度SiGe层6中，Ge的组分范围是50%～100%，当Ge浓度达到100%时，即得到绝缘体上锗，具体可以通过增加或减少上述氧化和热退火的循环次数来实现。
特别的，还可以通过调整所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间及第四预设时间的长短以使得到的所述SGOI结构为绝缘体上应变锗硅或绝缘体上应变锗。比如通过降低热氧化的循环时间间隔（例如由上述30分钟将为几分钟），使热应力保留在SiGe层或Ge层中，得到绝缘体上应变锗硅或应变锗。此为本领域的常规技术手段，不应过分限制本发明的保护范围。
最后请参阅图5，执行步骤S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层7以得到SGOI结构。
本实施例中，采用5%的HF溶液腐蚀掉所述SiO2层7，最终得到高质量的SGOI结构。如图5所示，所述SGOI结构自下而上依次包括背衬底1、埋氧层2及预设Ge浓度SiGe层6。所述预设Ge浓度SiGe层6的厚度范围是15～100nm，所述预设Ge浓度SiGe层6中Ge的组分范围是50%～100%。
综上所述，本发明的SGOI结构的制备方法结合离子注入技术和锗浓缩工艺制备高质量高Ge浓度的SGOI结构。离子注入于所述顶层硅中，在后续锗浓缩的退火过程中，注入的离子在所述顶层硅中形成位错环，减弱了顶层硅与所述SiGe层之间的晶格失配，且伴随退火过程的进行，位错环在纵向方向上相互作用并相互抵消，使应力得到释放，从而使最终获得的SGOI结构中穿透位错密度大大降低，获得高质量的SGOI结构。此外，本发明是在顶层硅上外延单晶SiGe层并形成Si帽层之后再进行离子注入，外延的单晶SiGe层不受影响，能够保持较好的质量，且离子注入的射程有所提高，有利于采用更高的注入能量进行离子注入，注入深度更容易精确控制。本发明的SGOI结构的制备方法还可以通过调整浓缩过程中的退火循环次数得到需要浓度的绝缘体上锗硅（Ge的组分范围是50%～100%），当Ge浓度达到100%时，即得到绝缘体上锗；同时还可以通过调整浓缩工艺参数使得到的所述SGOI结构为绝缘体上应变锗硅或绝缘体上应变锗。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种SGOI结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；
S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；
S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中，离子注入剂量小于2E16cm-2；
S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、预设Ge浓度SiGe层及SiO2层的叠层结构；
S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到SGOI结构。
2.根据权利要求1所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：所述预设Ge浓度SiGe层中，Ge的组分范围是50％～100％。
3.根据权利要求1所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：于所述步骤S1中，所述单晶SiGe层中Ge的组分小于40％。
4.根据权利要求1所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：于所述步骤S1中，所述单晶SiGe层的厚度小于其在所述顶层硅上生长的临界厚度。
5.根据权利要求1所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：于所述步骤S3中，采用H、He、C、Si及Ge中的至少一种元素进行离子注入。
6.根据权利要求1所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：于所述步骤S4中，锗浓缩的步骤包括：
S4-1：将步骤S3获得的结构首先在第一预设温度的含氧气氛下中氧化第一预设时间，然后在第一预设温度的氮气气氛中保持第二预设时间；
S4-2：重复步骤S4-1若干次直至所述单晶SiGe层中的Ge组分达到55～65％；
S4-3：将温度下降至第二预设温度，并将步骤S4-2获得的结构首先在所述第二预设温度的含氧气氛下氧化第三预设时间，然后在所述第二预设温度的氮气气氛中保持第四预设时间；
S4-4：重复步骤S4-3若干次直至完成锗浓缩，得到所述叠层结构。
7.根据权利要求6所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：所述第一预设温度为1050℃，第二预设温度为900℃；所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间及第四预设时间均为30min。
8.根据权利要求6所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：通过调整所述第一预设时间、第二预设时间、第三预设时间及第四预设时间的长短以使得到的所述SGOI结构为绝缘体上应变锗硅或绝缘体上应变锗。
9.根据权利要求1所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：所述SGOI结构中，所述预设Ge浓度SiGe层的厚度范围是15～100nm。
10.根据权利要求1所述的SGOI结构的制备方法，其特征在于：所述顶层硅的厚度范围是30～100nm。
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