CN103620795A - 用于光伏电池的导电衬底 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种导电衬底，其包括包含碱离子的介电衬底（1）、在所述衬底（1）上所形成的并且包括基于钼的层的电极覆盖层（4）、和在所述衬底（1）上所形成的并且被插入在所述衬底（1）和所述电极覆盖层（4）之间的多层堆叠（2）。所述堆叠（2）包括在所述衬底（1）上所形成的第一不透碱离子的层（2A）、在第一不透碱离子的层（2A）上并且以不同于第一不透碱离子的层（2A）的材料所形成的碱离子保持层（2B）和在碱离子保持层（2B）上并且以不同于碱离子保持层（2B）的材料所形成的第二不透碱离子的层（2A’）。在碱保持层（2B）和第一不透碱层（2A）的厚度之间的比等于2或更多。

Description

用于光伏电池的导电衬底
技术领域
本发明涉及光伏电池领域、更具体地涉及基于钼的导电衬底领域，所述导电衬底被用于制造薄层光伏电池。
背景技术
事实上，已知地，某些被称为第二代的薄层光伏电池使用基于钼的导电衬底，所述基于钼的导电衬底上加有吸收剂层，所述吸收剂层通常由铜Cu、铟In和硒Se和/或硫S黄铜矿制成。它可以是例如CuInSe2类型的材料。该类型的材料作为缩写词CIS是已知的。它也可以是CIGS，也就是说此外结合了镓的材料。
对于该类型的应用，电极最常是基于钼（Mo）的，因为该材料呈现一定数目的优点。其是良好电导体（10μΩ.cm的数量级的相对低的比电阻）。其可以经受必要的高热处理，因为其具有高熔点（2610℃）。在某种程度上，其很好地耐硒和耐硫。吸收剂层的沉积最常需要与包含硒或硫的气氛接触，其倾向于损坏大部分金属。钼在表面上与特别是硒起反应，形成MoSe2，但是保留其特性的主要部分、尤其是电特性并且维持与CIS或CIGS层的适当电接触。最后，这是一种CIS或CIGS类型的层在其上黏附得很好的材料，钼甚至倾向于由此促进晶体生长。
然而，当设想工业生产时，钼呈现重大缺点：其是昂贵的材料。事实上，钼层通常通过（由磁场辅助的）阴极溅射所沉积。然而，钼目标是耗费巨大的。对于获得所期望的导电率水平（在包含S或Se的气氛中处理之后小于或等于2Ω/□、并且优选地小于或等于1或0.5Ω/□的每平方电阻），这是更不可忽略的，其需要通常为700nm至1微米数量级的相对厚的钼层。
SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE的专利申请WO-A-02/065554教导提供相对薄（小于500nm）的钼层并且在衬底和基于钼的层之间提供一个或多个不透碱层，以便在随后的热处理时保留基于钼的薄层的质量。
然而，该类型的导电衬底仍然是相对昂贵的。
发明内容
本发明的一个目的是提供基于钼的新导电衬底，其制造成本是相对低的。
为此，本发明的目的在于用于光伏电池的导电衬底，其包括：
-包含碱离子的介电衬底；
-在衬底上所形成的电极覆盖层，所述电极覆盖层包括基于钼的层，所述导电衬底包括在衬底上所形成的并且被插入在所述衬底和所述电极覆盖层之间的多个层的堆叠，其中
·在衬底上所形成的第一不透碱（即不透碱离子）层；
·碱保持层，所述碱（即碱离子）保持层是在第一不透碱层上所形成并且由不同于第一不透碱层的材料所形成，在碱保持层和第一不透碱层的厚度之间的比等于2或更多；
·第二不透碱（即不透碱离子）层，所述第二不透碱层是在碱保持层上所形成的并且由不同于碱保持层的材料所形成。
这种堆叠使得能够在由导电衬底所经受的热处理时、尤其是在沉积基于黄铜矿的吸收剂时确保对于碱（即对于碱离子）的有效屏障。
因为已经证实，由于两种不同原因，某些材料阻止碱向上层迁移。
已经发现，将被命名为“不透碱”的某些材料是难于被碱离子渗透的并且因此阻止碱向上层的迁移。此处被命名为“碱保持”的其它材料就其本身而言发挥存储碱离子的作用并且也阻止碱向上层的迁移。
所述堆叠通过在两个不可渗透的层之间安置保持层来巧妙地组合不可渗透的层和保持层。因此，如果第一不可渗透的层被穿透，则碱离子将大部分在保持层中被捕获，尤其是因为第二不可渗透的层强烈地限制碱离子从保持层离开的可能性。
与为了光学目的优化的堆叠（如在为了该目的而使用Si3N4/SiO2/Si3N4堆叠的WO-A-02/065554中那样）相反地，所述层此处不被选择为具有相同厚度。
堆叠的保持层具有为所述保持层被沉积在其上的不可渗透的层的厚度的至少两倍的厚度。因为已经被证实，基本上只有保持层的厚度对于堆叠对碱的屏障特性具有显著积极影响。因而，所述堆叠特别好地适合于阻止碱离子向上层迁移，并且这对于相对低的成本实现。
由于所述堆叠的作用，碱自衬底的迁移被强烈地限制并且基于钼的层的质量被保留。
由于基于钼的层没有被碱离子作用毁坏的风险，因而提供低厚度、例如大约30nm的基于钼的层是可能的。电极覆盖层的成本因而可以是相对低的。
此外，如在WO-A-02/065554中所解释的，减小钼层的厚度呈现另一个优点：使得能够在导致被强烈约束的层的沉积参数情况下通过阴极溅射来沉积所述相对薄的层，而没有在厚层情况下可能遇到的脱层（délamination）问题。低厚度的层此外倾向于呈现较少以下缺陷，所述缺陷作为术语“针孔”（trous d’épingle）是已知的。
提供这种堆叠此外使得能够作为衬底而使用通过浮法玻璃制造（flottage）所得到的钠钙硅（silico-sodo-calcique）类型的玻璃片材，其是相对低成本的玻璃并且呈现对于该类型材料所已知的所有品质，如例如其透明度、其不透水性及其硬度。
根据特定实施例，以上设备此外包括分离地或根据技术上可能的所有组合所采取的一个或多个以下技术特征：
-在碱保持层和第一不透碱层的厚度之间的比等于3或等多；
-第一不透碱层具有大于或等于3nm、例如大于或等于5nm的厚度；
-第一不透碱层具有小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度；
-碱保持层具有大于或等于20nm、例如大于或等于25nm的厚度；
-碱保持层具有小于或等于60nm、例如小于或等于40nm、例如小于或等于35nm的厚度；
-碱保持层与第一不透碱层相接触；
-在碱保持层和第二不透碱层的厚度之间的比等于2或更多、例如等于3或更多；
-第二不透碱层具有大于或等于3nm、例如大于或等于5nm的厚度；
-第二不透碱层具有小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度；
-第二不透碱层与碱保持层相接触；
-第一不透碱层和第二不透碱层是由相同材料所制成；
-所述堆叠只包括第一不透碱层、碱保持层和第二不透碱层；
-所述堆叠包括在第二不透碱层上所形成的第二碱保持层，所述堆叠包括在第二碱保持层上所形成的第三不透碱层；
-在第二碱保持层和第二不透碱层的厚度之间的比等于2或更多、例如等于3或更多；
-在第二碱保持层和第三不透碱层的厚度之间的比等于2或更多、例如等于3或更多；
-每个不透碱层均基于氮化硅；
-所述碱保持层或每个碱保持层基于氧化硅或基于氧化锡、例如锡和锌的混合氧化物；
-基于钼的层具有至少20nm、例如至少50或80nm的厚度；
-基于钼Mo的层具有至多500nm、例如至多400nm、例如至多300nm或例如至多200nm的厚度。
本发明的目的也在于一种半导体器件，其包括如以上所描述的导电衬底和例如基于黄铜矿的光吸收剂层，所述光吸收剂层在所述导电衬底上所形成。
本发明的目的还在于一种光伏电池，其包括如以上所描述的半导体器件。
本发明的目的还在于一种用于制造导电衬底的方法，其包括在于以下的步骤：
-在包含碱的介电衬底上形成第一不透碱层；
-在第一不透碱层上形成碱保持层，在碱保持层和第一不透碱层的厚度之间的比等于2或更多，并且碱保持层是由不同于第一不透碱层的材料所实现的；
-在碱保持层上并且以不同于碱保持层的材料形成第二不透碱层；
-在第二不透碱层上形成包括基于钼的层的电极覆盖层。
根据特定实施例，以上方法此外包括分离地或根据技术上可能的所有组合所采取的一个或多个以下技术特征：
-在碱保持层和第一不透碱层的厚度之间的比等于3或等多；
-第一不透碱层具有大于或等于3nm、例如大于或等于5nm的厚度；
-第一不透碱层具有小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度；
-碱保持层具有大于或等于20nm、例如大于或等于25nm的厚度；
-碱保持层具有小于或等于60nm、例如小于或等于40nm、例如小于或等于35nm的厚度；
-在第一不透碱层上直接形成碱保持层；
-在碱保持层和第二不透碱层的厚度之间的比等于2或更多、例如等于3或更多；
-第二不透碱层具有大于或等于3nm、例如大于或等于5nm的厚度；
-第二不透碱层具有小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度；
-在碱保持层上直接形成第二不透碱层；
-第一不透碱层和第二不透碱层是由相同材料所制成；
-在形成电极覆盖层之前、甚至在形成基于钼的层之前，只有第一不透碱层、碱保持层和第二不透碱层在衬底上形成；
-所述方法包括在于在第二不透碱层上形成第二碱保持层的步骤和在于在第二碱保持层上形成第三不透碱层的步骤；
-在第二碱保持层和第二不透碱层的厚度之间的比等于2或更多、例如等于3或更多；
-在第二碱保持层和第三不透碱层的厚度之间的比等于2或更多、例如等于3或更多；
-每个不透碱层均基于氮化硅；
-所述碱保持层或每个碱保持层基于氧化硅或基于氧化锡、例如锡和锌的混合氧化物；
-基于钼的层具有至少20nm、例如至少50或80nm的厚度；
-基于钼Mo的层是至多500nm、例如至多400nm、例如至多300nm或例如至多200nm的厚度。
附图说明
在阅读仅仅是作为示例所给出的并且是参考附图所作出的以下描述时，本发明将被更好地理解，其中
图1是导电衬底的剖面示意视图，和
图2是说明包括图1的导电衬底的光伏电池的模拟视图。
为了清楚的表示，图不是依比例绘制的，因为在尤其是衬底和沉积层之间的厚度差是大的，例如为大约500倍。
具体实施方式
在图1中说明用于光伏电池的导电衬底，所述导电衬底包括：
-玻璃制的介电衬底1；
-在所述衬底1上所形成的对碱的屏障堆叠2；和
-在所述对碱的屏障堆叠2上所形成的、基于钼的电极覆盖层4。
贯穿全文，术语“在层B上所形成（或所沉积）的层A”被理解为意味着层A要么直接在层B上形成并且因而与层B相接触，要么在层A和层B之间插入一层或多层的情况下在层B上形成。
此外，贯穿全文，“包括一个”当然应当被理解为“包括至少一个”。
所说明的对碱的屏障堆叠2只包括三层：
-直接在玻璃衬底1上所形成的第一不透碱层2A；
-直接在第一不透碱层2A上所形成的碱保持层2B；
-直接在碱保持层2B上所形成的第二不透碱层2A’。
然而作为变型，对碱的屏障堆叠2包括多于3层、例如奇数层，所述堆叠优选地使不透碱层和碱保持层交替。
也作为变型，第一不可渗透的层2A不是被直接沉积在玻璃衬底1上。
此外，应当注意的是，其它层可以被添入到对碱的屏障堆叠中。
因此，通常，对碱的屏障堆叠2包括：
-在衬底1上所形成的第一不透碱层2A；
-在第一不透碱层2A上、例如直接在第一不透碱层2A上所形成的碱保持层2B；
-在碱保持层2A'上、例如直接在碱保持层2B上所形成的第二不透碱层2A’。
贯穿全文，“包括层”应当被理解为“包括至少一个层”。
碱保持层2B由不同于第一不透碱层2A的材料所形成。此外，在碱保持层2B和第一不透碱层2A的厚度之间的比等于2或更多；例如等于3或更多。
贯穿全文，术语“不透碱层”被理解为意味着由不透碱材料、也就是说难以被碱离子所穿透的材料所构成的层，并且术语“碱保持层”被理解为意味着由碱保持材料、即具有将碱离子保持在材料内部的能力的材料所构成的层。
此处安排两个测试用于描述这些材料。
不透碱材料和碱保持材料的测试：
最小厚度2mm的玻璃衬底被使用，所述玻璃衬底的被标记为C玻璃的钠离子质量浓度为至少5%。要测试的材料作为该材料的100nm厚度的层被直接沉积在衬底上。
所述整体然后在大约1 atm的压强下在空气中在600℃下被退火30 min。
在退火之后，通过SIMS方法（二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectroscopy））在层中50nm的深度处测量钠离子质量浓度。其被标记为C50。对于保持材料的测试，也在退火之前在指示样本（échantillon témoin ）上测量该浓度，并且也标记为C50。
如果在退火之后C50/C玻璃≤0.001，则不透碱材料的测试是成功的。
如果在退火之前C50/C玻璃≤0.001并且在退火之后C50/C玻璃≥0.3，则碱保持材料的测试是成功的。
例如在以下参数的情况下执行SIMS测量，用于确定钠离子浓度：
-在Cs原子的情况下磨蚀（abrasion）（能量=3 keV）；
-在Ga原子的情况下分析（能量=15 keV）。
以上测量方法作为示例被提供。作为变型，钠离子质量浓度的分析是任何适合类型的。
不透碱材料是例如由氮化硅所制成或由氮化铝所制成的。
碱保持材料是例如由氧化硅所制成或由氧化锡所制成或由锡和锌的混合氧化物所制成，其中氧化锌因而是少数组分。
应当注意的是，以上氮化物或氧化物可以是分别在氮或氧中的亚化学计量、化学计量或过化学计量。
碱保持层和/或不透碱层例如由金属、例如由铝掺杂，尤其是在磁控管沉积层的情况下。
相同的材料将例如分别被用于对碱的屏障堆叠的所有不透碱层和所有碱保持层。
第一不透碱层2A具有例如大于或等于3nm、例如大于或等于5nm的厚度和具有例如小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度。
碱保持层2B具有例如大于或等于20nm、例如大于或等于25nm的厚度和例如小于或等于60nm、例如小于或等于40nm、例如小于或等于35nm的厚度。
第二不透碱层2A’具有例如大于或等于3nm、例如大于或等于5nm的厚度和具有例如小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度。
作为变型，对碱的屏障堆叠包括至少两个附加层，即在第二不透碱层上、例如直接在其上所形成的第二碱保持层，和在第二碱保持层上、例如直接在其上所形成的第三不透碱层。
第二碱保持层具有例如大于或等于20nm、例如大于或等于25nm的厚度和小于或等于60nm、例如小于或等于40nm、例如小于或等于35nm的厚度。
第三不透碱层具有例如大于或等于3nm、例如大于或等于5nm的厚度和具有例如小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度。
现在将描述导电衬底的其余部分。
电极覆盖层4特别在于其包括至少一个基于钼的层。该电极覆盖例如是如在WO-A-02/065554中所描述的电极覆盖层。
应当注意的是，贯穿全文，术语“电极覆盖层”被理解为意味着包括至少一个电子传导层的电流输送覆盖层，也就是说因而其导电率由电子迁移率所确保。
贯穿全文，术语“基于钼”被理解为意味着由基本量的钼所构成的材料，也就是说要么是只由钼所构成的材料（因而是金属的），要么是占多数地包括钼的金属合金，要么是基于钼的复合物，例如二硫化钼、二硒化钼、钼二硫化物和二硒化物复合物Mo(S,Se)2，又或是钼氧化物、氮化物或氮氧化物Mo(O,N)。
常规地，标记法（S,Se）指示其是SxSe1-x的组合，其中0≤x≤1。
作为示例，电极覆盖层4包括例如单一层，如在图1和2中所说明的，所述层由钼制成并且具有在300nm和500nm之间、例如在300nm和450nm之间的厚度。
贯穿全文，术语“单一层”（une seule couche）被理解为意味着由相同材料所制的层。然而，该唯一层可以通过叠合相同材料的多层而得到，在所述多层之前存在可能被表征的界面，如在WO-A-2009/080931中所描述的。
通常，在磁控管沉积室（enceinte）中，通过多个目标，将在介电衬底上连续形成相同材料的多层，用于最终形成相同材料、即钼的单一层。
作为变型，在电极覆盖层4包括多个导电层的情况下，覆盖层4的上层是例如钼层，以便确保电极覆盖层4的耐硒化性。钼制的上层因而可以是薄的，具有例如小于或等于50nm的厚度。
由介电衬底1、对碱的屏障堆叠2和电极覆盖层4所形成的导电衬底用于关于光源在光敏层的后面处，也就是说用于在光敏层之后接收入射光。其因而是被称为“后面”的导电衬底。
介电衬底1是例如具有玻璃功能的片材。但是作为变型，其不是透明的。
所述片材可以是平的或凸起的，并且呈现任何类型的尺寸，尤其是至少大于1米的尺寸。
其有利地是玻璃片材。
所述玻璃可以是清透的或超清透的、又或可以是着色的，例如蓝色、绿色、琥珀色、青铜色或灰色。
所述玻璃片材的厚度通常被包括在0.5和19mm之间、尤其是在2和12mm之间、甚至在4和8mm之间。其也可以是厚度大于或等于50μm的薄膜状玻璃（在这种情况下，例如通过卷对卷（roll-to-roll）方法来沉积所述屏障堆叠和所述电极覆盖层）。
通常，所述衬底是任何适合类型的并且包含碱，例如钠和/或钾离子。所述衬底是例如钠钙硅玻璃。
可以通过浮法玻璃制造而得到钠钙硅类型的玻璃。因而其是成本相对低的玻璃并且所述玻璃呈现对于该类型材料所已知的所有品质，如例如其透明度、其不透水性和其硬度。
术语“钠钙硅类型的玻璃”被理解为意味着一种玻璃，所述玻璃的构成包括二氧化硅（SiO2）作为形成氧化物（oxyde formateur）和氧化钠（苏打Na2O）和氧化钙（石灰CaO）。该构成优选地以在以下所限定的重量限制内变化的含量包括以下组分：
SiO2  60-75%
Al2O3  0-10%
B2O3   0-5%、优选为0
CaO  5-15%
MgO  0-10%
Na2O  5-20%
K2O  0-10%
BaO  0-5%、优选为0。
作为变型，它不是钠钙硅玻璃。
通常，以基于二氧化硅的玻璃来实现所述介电衬底，所述基于二氧化硅的玻璃的组分构成呈现至少5质量百分比的Na2O。
本发明的目的也在于一种用于制造以上所述导电衬底的方法。
所述方法包括在于以下的步骤：
-在介电衬底1上形成第一不透碱层2A；
-在第一不透碱层2A上、例如直接在其上形成碱保持层2B，在碱保持层2B和第一不透碱层2A的厚度之间的比等于2或更多，并且所述碱保持层2B是以不同于第一不透碱层2A的材料所实现的；
-在碱保持层2B上、例如直接在其上并且以不同于碱保持层2B的材料形成第二不透碱层2A’；
-在第二不透碱层上、例如直接在其上形成包括基于钼的层的电极覆盖层4。
本发明的目的也在于一种半导体器件，所述半导体器件包括如以上所描述的导电衬底和在所述导电衬底上所形成的、例如基于黄铜矿的光吸收剂层。
其是例如铜Cu、铟In和硒Se和/或硫S黄铜矿层。其可以是例如CuInSe2（CIS）类型的材料。其也可以是此外结合了镓（CIGS）的材料。
通常，其是通过在沉积吸收剂之前或在沉积吸收剂期间添加碱离子而在导电衬底上所形成的吸收剂层。US 5 626 688描述了这种类型的方法。
这种方法，结合对碱的屏障堆叠的存在，阻止碱离子向吸收剂的扩散，其呈现以下优点，即使得能够准确定量在吸收剂层中碱离子的添加。
本发明的目的也在于一种光伏电池，所述光伏电池包括如以上所描述的半导体器件。所述导电衬底用于关于光源在光敏层的后面处，也就是说在光敏层之后由入射光穿过。
如在图2中所说明的，所述电池包括例如：
-如以上所描述的导电衬底；
-直接在包括基于钼的层的电极覆盖层4上所形成的Cu(In,Ga)Se2的p型的掺杂层6；
-在所述Cu(In,Ga)Se2层上所形成的例如由CdS所构成的、被称为缓冲剂的、n型的掺杂层8；
-例如由ZnO:Al所制的透明电极覆盖层10，其中在透明电极覆盖层10和所述缓冲剂层之间可能插入例如本征ZnO的钝化剂层12。
然而，应当注意的是，作为变型，所述电池不包括缓冲剂层，所述Cu(In,Ga)Se2层其自身可以形成p-n同质结（homojonction）。
也作为变型，光吸收剂层是基于锌黄锡矿或黄锡矿的Cu2(Sn,Zn)(S,Se)4形式的层或基于黄铜矿的层，所述基于黄铜矿的层不一定由金属复合物的单独硒化所形成而是例如也由硫化所形成，诸如Cuy(In,Ga)(S,Se)2类型的层。
通常，p型的或具有p-n同质结的层是通过添加碱元素所得到的光敏层。
作为变型，缓冲剂层16例如基于InxSy、Zn(O,S)或ZnMgO。
作为变型，透明电极覆盖层18包括掺杂有镓或硼的氧化锌层又或ITO层。
通常，其是任何适合类型的透明导电材料（TCO）。
为了良好的电连接和良好的电导，金属格栅（grille）然后可选地例如通过掩模（masque）、例如由电子束（未在图2中表示）被沉积在透明电极覆盖层10上。该金属格栅例如是例如大约2μm厚度的Al（铝）格栅，在所述Al（铝）格栅上沉积例如大约50nm厚度的Ni（镍）格栅，用于保护所述Al层。
然后所述电池被保护。如所说明的，所述电池例如为此包括反衬底1'，所述反衬底1'覆盖前电极覆盖层10并且通过热固性塑料制的分层中间层（intercalaire de feuilletage）14而被层叠到衬底1。该分层中间层例如是EVA、PU或PVB制的分层中间层。
本发明的目的还在于一种用于制造以上半导体器件和光伏电池的方法，所述方法包括在电极覆盖层4上形成光吸收剂的步骤。
形成光吸收剂的步骤包括在包括基于硒和/或硫的气体的气氛中并且在大于300℃的温度下所实现的硒化和/或硫化步骤。
吸收剂层是例如由以下方式所形成的CIGS层。
基于Cu、In和Ga的金属堆叠是例如通过在环境温度下溅射而被沉积在电极覆盖层6上，然后在高温下、例如在大约600℃下在基于硒的气氛中被硒化。
预先地，例如通过在电极覆盖层4上沉积硒化钠（Na2Se）层而引入碱离子，以便例如每cm2引入数量级为2.1015的钠原子。
所述金属堆叠被沉积在该硒化钠层上。
所述金属堆叠具有例如Cu/In/Ga/Cu/In/Ga…类型的多层结构。但是作为变型， 所述金属堆叠是Cu-Ga/In合金类型的双层结构或具有Cu/In/Ga类型的三层。
硒层然后例如通过热蒸发而被沉积在所述金属堆叠上。
所述金属堆叠然后在例如由气态硫所构成的、例如基于S或H2S的气氛中被加热到至少300℃、例如至少400℃、例如600℃，因而形成Cu(In,Ga)(S,Se)2层。
作为变型，在被暴露于富硫气氛下之前，在不沉积硒层的情况下而是通过包含气态硒、例如基于Se或H2Se的气氛而得到硒化。
硫化步骤使得能够在需要时避免例如CdS的缓冲剂层。

Claims (12)

1.一种用于光伏电池的导电衬底，包括：
-包含碱离子的介电衬底（1）；
-在衬底（1）上所形成的电极覆盖层（4），所述电极覆盖层（4）包括基于钼的层，所述导电衬底包括在所述衬底（1）上所形成的并且被插入在所述衬底（1）和所述电极覆盖层（4）之间的多层堆叠（2），其中：
     ·在所述衬底（1）上所形成的第一不透碱层（2A）；
     ·碱保持层（2B），所述碱保持层（2B）在第一不透碱层（2A）上并且以不同于第一不透碱层（2A）的材料所形成，在碱保持层（2B）和第一不透碱层（2A）的厚度之间的比等于2或更多；
     ·第二不透碱层（2A’），所述第二不透碱层（2A’）在碱保持层（2B）上并且以不同于碱保持层（2B）的材料所形成。
2.根据权利要求1所述的导电衬底，其中在碱保持层（2B）和第一不透碱层（2A）的厚度之间的比等于3或更多。
3.根据权利要求1或2所述的导电衬底，其中第一不透碱层（2A）具有小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度。
4.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底，其中碱保持层（2B）具有小于或等于60nm、例如小于或等于40nm、例如小于或等于35nm的厚度。
5.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底，其中在碱保持层（2B）和第二不透碱层（2A’）的厚度之间的比等于2或更多、例如等于3或更多。
6.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底，其中第二不透碱层（2A’）具有小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度。
7.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底，其中第一不透碱层（2A）和第二不透碱层（2A’）是以相同材料所制成的。
8.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底，其中每个不透碱层（2A，2A’）是基于氮化硅或氮化铝的。
9.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底，其中所述碱保持层（2B）或每个碱保持层（2B）是基于氧化硅或基于氧化锡、例如锡和锌的混合氧化物的。
10.一种半导体器件，其包括根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底和光吸收剂层（6），所述光吸收剂层例如基于黄铜矿，其中所述光吸收剂层是在导电衬底上所形成的。
11.一种光伏电池，其包括根据权利要求10所述的半导体器件。
12.一种用于制造导电衬底的方法，其包括在于以下的步骤：
- 在包含碱的介电衬底（1）上形成第一不透碱层（2A）；
- 在第一不透碱层（2A）上形成碱保持层（2B），在碱保持层（2B）和第一不透碱层（2A）的厚度之间的比等于2或更多，并且碱保持层（2B）是以不同于第一不透碱层（2A）的材料所实现的；
- 在碱保持层（2B）上并且以不同于碱保持层（2B）的材料形成第二不透碱层（2A’）；
- 在第二不透碱层（2B）上形成电极覆盖层（4），所述电极覆盖层（4）包括基于钼的层。
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