KR20110035771A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성되고 관통홀에 의하여 상호 분리된 후면전극층; 상기 관통홀 및 후면전극층의 표면을 따라 형성된 Ⅵ족계의 박막 패턴층; 상기 후면전극층과 상기 박막 패턴층의 계면에 형성된 합금막; 상기 관통홀을 갭필하도록 상기 박막 패턴층 상에 형성된 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함한다.
태양전지, CIGS 광 흡수층
Description
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변화시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 유리기판, 금속 이면 전극층, p형 CIGS계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
특히, 상기 CIGS계 광 흡수층은 CIG층의 증착 후 셀레니제이션(selenization) 공정을 통해 형성하였다.
하지만, 이와 같은 공정은 CIGS 광 흡수층에서 셀레늄(Se)의 화학양론적 조성비의 제어가 곤란하고, 셀레늄(Se)의 소모량이 증가되는 문제가 있다.
실시예에서는 CIGS 광 흡수층의 조성비를 제어할 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지는, 기판 상에 형성되고 관통홀에 의하여 상호 분리된 후면전극층; 상기 관통홀 및 후면전극층의 표면을 따라 형성된 Ⅵ족계의 박막 패턴층; 상기 후면전극층과 상기 박막 패턴층의 계면에 형성된 합금막; 상기 관통홀을 갭필하도록 상기 박막 패턴층 상에 형성된 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계; 상기 후면전극층이 상호 분리되도록 상기 기판을 노출시키는 관통홀을 형성하는 단계; 상기 후면전극층 및 관통홀 상에 Ⅵ족계의 박막층을 형성하는 단계; 상기 박막층 상에 Ⅰ족-Ⅲ족계 소스를 제공하여 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계의 화합물 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광 흡수층을 형성한 후 상기 광 흡수층의 하부 및 관통홀의 바닥면에 박막 패턴층이 형성되는 것을 포함한다.
실시예에 의하면, CIGS 광 흡수층의 화학양론적 조성비를 제어할 수 있다.
즉, CIGS계 광 흡수층을 형성하기 전에 기판 상에 Ⅵ족계의 박막층을 형성함으로써, 상기 광 흡수층에서 Ⅵ족 물질인 셀레늄의 분포가 균일하게 조성될 수 있다.
이에 따라, CIGS계 광 흡수층의 형성시 셀레늄의 소모는 최소화하면서, 상기 광 흡수층을 이루는 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족 화합물이 균일한 조성비를 가질 수 있게 된다.
또한, 상기 Ⅵ족계의 박막층이 셀 사이의 금속 후면전극 사이에 형성될 수 있다.
이에 따라, 상기 후면전극 사이에서 발생되는 션트 패스(shunt path)를 방지하여 태양전지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 9를 참조하여, 실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
도 1을 참조하여, 기판(100) 상에 제1 관통홀(P1)에 의하여 분리된 후면전극 층(200)이 형성된다.
상기 기판(100)은 유리가 사용될 수 있으며, 세라믹 기판, 금속기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
예를 들어, 유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime galss) 또는 고변형점 소다유리(high strained point soda glass)를 사용할 수 있다. 금속기판으로는 스테인레스 스틸 또는 티타늄을 포함하는 기판을 사용할 수 있다. 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)를 사용할 수 있다.
상기 기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible) 할 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 후면전극층(200)은 몰리브덴(Mo)을 타겟(target)으로 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기 전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
상기 후면전극층(200)인 몰리브덴 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야하고, 열팽창 계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록 기판(100)에의 점착성이 뛰어나야 한다.
한편, 상기 후면전극층(200)을 형성하는 물질은 이에 한정되지 않고, 나트륨(Na) 이온이 도핑된 몰리브덴(Mo)으로 형성될 수도 있다.
도면에 도시되지는 않았지만, 상기 후면전극층(200)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 상기 후면전극층(200)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극층(200)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
상기 후면전극층(200)은 상기 기판(100) 상에 전극물질을 형성한 후 상기 제1 관통홀(P1)의 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 관통홀(P1)에 의하여 상기 후면전극층(200)은 다수개로 분리될 수 있다.
상기 제1 관통홀(P1)은 상기 기판(100)의 상면을 선택적으로 노출시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 관통홀(P1)은 기계적 장치 또는 레이저 장치에 의하여 패터닝 될 수 있다. 상기 제1 관통홀(P1)의 폭은 80㎛±20 일 수 있다.
상기 제1 관통홀(P1)에 의하여 상기 후면전극층(200)은 스트라이프(stripe) 형태 또는 매트릭스(matrix) 형태로 배치될 수 있으며, 각각의 셀에 대응할 수 있다.
한편, 상기 후면전극층(200)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 후면전극층(200) 및 제1 관통홀(P1)을 포함하는 상기 기판(100) 상에 Ⅵ족계의 박막층(400)이 형성된다.
예를 들어, 상기 박막층(400)은 셀레늄(Se)으로 형성될 수 있다. 상기 박막층(400)은 1~5㎛의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 박막층(400)은 셀레늄(Se)을 타겟(target)으로 사용하는 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
또는 상기 박막층(400)은 셀레늄 셀을 사용하는 증발법(evaporation)을 통해 형성될 수도 있다.
상기 박막층(400)은 상기 후면전극층(200)의 두께보다 1~5배 정도 두꺼운 두께로 형성될 수 있다.
상기 박막층(400)은 상기 제1 관통홀(P1)의 내부를 갭필하도록 형성되고, 노출된 상기 기판(100) 표면과 접하도록 형성될 수 있다.
상기 박막층(400)이 상기 제1 관통홀(P1)의 바닥면에 형성되어 다수개로 분리된 상기 후면전극층(400)의 사이의 누설전류 발생을 방지할 수 있다.
상기 박막층(400)이 상기 후면전극층(200)을 포함하는 기판(100) 상에 소정의 두께로 형성되어, 이후 형성되는 CIGS 광 흡수층의 형성시 Ⅵ족계 원소의 화학양론적 조성비의 제어가 용이해질 수 있다.
상기 박막층(400)이 상기 후면전극층(200) 상에 형성될 때, 상기 후면전극층(200)을 이루는 금속원소와 상기 박막층(400)의 Ⅵ족 원소가 상호 반응에 의하여 결합할 수 있다.
이에 따라, 상기 후면전극층(200)과 상기 박막층(400)의 계면에 합금막(300)이 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 박막층(400)은 몰리브덴(Mo)과 셀레늄(Se)의 화합물인 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)일 수 있다.
즉, 상기 합금막(300)은 상기 후면전극층(200)의 표면 프로파일을 따라 형성되고, 상기 후면전극층(200)의 보호층 역할 또는 흡수층과의 오믹(ohmic) 접촉을 유도할 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하여, 상기 후면전극층(200) 상에 Ⅰb족-Ⅲb족-Ⅵb족계 화합물 포함하는 광 흡수층(500)이 형성된다.
구체적으로, 상기 광 흡수층(500)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(500)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(500)은 약 2~4㎛ 일 수 있다.
상기 광 흡수층(500)은 외부의 광을 입사 받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(500)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
다시 도 3을 참조하여, 상기 광 흡수층(500)은 증발법(evaporation)에 의하여 형성될 수 있다. 특히, 상기 광 흡수층(500)은 동시 증발법(co-evaporation)을 통해 형성될 수도 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(500)은 구리 소스, 인듐 소스 및 갈륨 소스를 상기 박막층(400)으로 공급함으로써 형성될 수 있다. 또는 상기 광 흡수층(500)은 구리 소스, 인듐 소스, 갈륨 소스 및 셀레늄 소스를 상기 박막층(400)으로 공급함으로써 형성될 수 있다.
이때, 상기 구리 소스는 약 1300℃ 내지 1500℃로 가열되는 구리를 포함하는 구리 셀이다. 상기 인듐 소스는 약 1100℃ 내지 1200℃로 가열되는 인듐을 포함하는 인듐 셀이다. 상기 갈륨 소스는 약 1100℃ 내지 1300℃로 가열되는 갈륨을 포함하는 갈륨 셀이다. 상기 셀레늄 소스는 약 200℃ 내지 400℃로 가열되는 셀레늄을 포함하는 셀레늄 셀이다.
상기 광 흡수층(500)을 형성하는 과정에서 상기 구리 소스, 인듐 소스, 갈륨 소스 및 셀레늄 소스는 고온에서 일정한 속도로 증발되어 상기 박막층(400)의 셀레늄과 화학반응에 의하여 결합됨과 동시에, 상기 셀레늄 소스도 함께 제공됨으로써 화학양론적 조성의 치밀한 CIGS 광 흡수층(500)을 형성할 수 있다.
이때, 상기 박막층(400)의 셀레늄은 높은 휘발성을 가지고 있으므로, 일부는 휘발되고, 대부분은 상기 박막층(400)으로 증착되는 상기 구리 소스, 인듐 소스, 갈륨 소스와 결합하여 구리-갈륨-인듐-셀레늄계 결정구조를 가지는 광 흡수층(500)을 형성할 수 있다.
이때, 가해지는 열에너지에 의하여 상기 박막층(400)의 하부에 위치하는 이셀렌화몰레브덴(MoSe2)층으로 셀레늄의 확산이 다시 한번 진행되어, 상기 이셀렌화몰레브덴(MoSe2)층의 두께는 초기 대비 증가하다가 셀레늄의 임계확산거리 이상이 되면 더 이상의 반응은 진행되지 않는다.
또한, 상기 박막층(400)의 대부분은 구리, 인듐 및 갈륨과 결합하여 상기 광 흡수층(500)이 형성될 때, 상기 후면전극층(200)과 인접하는 상기 박막층(400)의 하부영역은 상기 물질들과 반응하지 않고 그대로 남아있을 수도 있다.
예를 들어, 남아있는 상기 박막층(400)의 하부 영역을 박막 패턴층(410)이라고 지칭하도록 한다.
일반적으로 광 흡수층을 형성할 때 셀레늄은 구리, 인듐 및 갈륨 보다 15~20배 정도 소모량이 크다. 또한, 셀레늄은 휘발성이 높으므로 구리, 인듐 및 갈륨 보다 증착이 잘 되지 않게 되어 CIGS계 광 흡수층에서 셀레늄의 조성이 불균일할 수 있었다.
실시예에서는 셀레늄으로 이루어진 상기 박막층(400)이 상기 광 흡수층(500)을 형성하기 전에 상기 기판(100) 상에 형성시킨 후, CIGS계 광 흡수층(500)을 형성할 수 있으므로, 상기 광 흡수층(500)의 화학양론적 조성비를 제어할 수 있게 된다.
즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 셀레늄의 농도 분포는 상기 박막 패턴층(410)에서 가장 높고, 상기 박막층(400)에 의하여 상기 CIGS 광 흡수층(500)에서는 깊이에 상관없이 일정한 농도 분포를 가질 수 있게 된다.
상기 광 흡수층(500)이 형성된 상기 제1 관통홀(P1) 및 상기 후면전극층(200)의 프로파일을 따라 상기 박막 패턴층(410)이 형성되어 있다.
즉, 상기 후면전극층(200) 사이에 해당하는 상기 제1 관통홀(P1)의 바닥면에 상기 박막 패턴층(410)이 형성되어 있으므로, 상기 후면전극층(200)들 사이의 션트 패스(shunt path)를 방지할 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 광 흡수층(500) 상에 버퍼층(600) 및 고저항 버퍼층(700)이 형성된다.
상기 버퍼층(600)은 상기 광 흡수층(500) 상에 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있으며, 화학 용액 증착법(chemical bath deposition: CBD)에 의하여 황화 카드뮴(CdS)으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 버퍼층(600)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(500)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(500) 및 버퍼층(600)은 pn 접합을 형성한다.
상기 고저항 버퍼층(700)은 상기 버퍼층(600) 상에 투명전극층으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 고저항 버퍼층(700)은 ITO, ZnO 및 i-ZnO 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(700)은 산화 아연(ZnO)을 타겟으로 한 스퍼터링 공정을 진행하여, 산화 아연층으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(600) 및 고저항 버퍼층(700)은 상기 광 흡수층(500)과 이후 형성될 전면전극의 사이에 배치된다.
즉, 상기 광 흡수층(500)과 전면전극은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드 갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(600) 및 고저항 버퍼층(700)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
본 실시예에서 두개의 버퍼층(600)을 상기 광 흡수층(500) 상에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 버퍼층(600)은 단일층으로 형성될 수도 있다.
도 7을 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(700), 버퍼층(600), 광 흡수층(500), 박막 패턴층(400) 및 합금막(300)을 관통하는 제2 관통홀(P2)이 형성된다. 상기 제2 관통홀(P2)은 상기 후면전극층(200)을 노출시킬 수 있다.
또는 상기 제2 관통홀(P2)은 상기 합금막(300)의 표면을 노출시킬 수도 있다.
상기 제2 관통홀(P2)는 레이저 공정 또는 기계적 패터닝 공정에 의하여 형성될 수 있다.
상기 제2 관통홀(P2)은 상기 제1 관통홀(P1)에 인접하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 관통홀(P2)의 폭은 80㎛±20이고 상기 제2 관통홀(P2)과 상기 제1 관통홀(P1)의 갭은 80㎛±20일 수 있다.
도 8을 참조하여, 상기 고저항 버퍼층(700) 상에 투명한 도전물질을 적층하고, 전면전극층(800)이 형성된다.
상기 전면전극층(800)이 형성될 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 제2 관통홀(P2)에 삽입되어 접속배선(900)을 형성할 수 있다.
상기 접속배선(900)은 상기 제2 관통홀(P2)을 통해 상기 후면전극층(200)과 직접 연결될 수 있다.
상기 전면전극층(800)은 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄(Al) 또는 알루미나(Al2O3)로 도핑된 산화 아연으로 형성된다.
상기 전면전극층(800)은 상기 광 흡수층(500)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성된다.
따라서, 상기 산화 아연에 알루미늄 또는 알루미나를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 전면전극층(800)인 산화 아연 박막은 RF 스퍼터링 방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과, Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화학 증착법 등으로 형성될 수 있다.
또한, 전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 산화 아연 박막 상에 증착한 2중 구조를 형성할 수도 있다.
도 9를 참조하여, 상기 전면전극층(800), 고저항 버퍼층(700), 버퍼층(600), 광 흡수층(500), 박막 패턴층(410) 및 합금막(300)을 관통하는 제3 관통홀(P3)이 형성된다.
상기 제3 관통홀(P3)은 상기 후면전극층(200)을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 또는 상기 제3 관통홀(P3)은 상기 합금막(300)의 표면을 선택적으로 노출시킬 수도 있다.
상기 제3 관통홀(P3)은 상기 제2 관통홀(P2)과 인접하도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제3 관통홀(P3)의 폭은 80㎛±20이고 상기 제3 관통홀(P3)과 상기 제2 관통홀(P2)의 갭은 80㎛±20일 수 있다.
상기 제3 관통홀(P3)은 레이저(laser)를 조사하거나, 팁(Tip)과 같은 기계적(mechanical) 방법으로 형성될 수 있다.
상기 제3 관통홀(P3)이 형성될 때 상기 합금막(300)에 의하여 상기 후면전극층(200)의 표면이 보호될 수도 있다.
즉, 상기 합금막(300)이 상기 후면전극층(200)의 표면에 형성되어 있으므로, 상기 레이저 또는 팁을 사용한 식각 공정시 상기 합금막(300)이 상기 후면전극층(200)의 보호층 역할을 하게 되어 상기 후면전극층(200)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제3 관통홀(P3)에 의하여 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 고저항 버퍼 층(500) 및 전면전극층(600)은 셀 별로 상호 분리될 수 있다.
이때, 상기 접속배선(700)에 의해 각각의 셀은 서로 연결될 수 있다. 즉, 상기 접속배선(700)은 상호 인접하는 셀의 후면전극층(200)과 전면전극(600)을 물리적, 전기적으로 연결할 수 있다.
상기와 같이, CIGS 광 흡수층 형성 전에 셀레늄을 포함하는 박막층이 형성되어 상기 광 흡수층에서 Ⅵ족 원소인 셀레늄의 조성비가 깊이에 따라 균일하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 후면전극층 사이의 제1 관통홀 바닥면에 상기 박막 패턴층이 남아있게 되어 셀 사이의 누설전류를 방지할 수 있다.
이에 따라, 태양전지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응 용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 9는 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타내는 도면이다.
Claims (11)
- 기판 상에 형성되고 관통홀에 의하여 상호 분리된 후면전극층;상기 후면전극층의 상부에 형성된 Ⅵ족계의 박막 패턴층;상기 후면전극층과 상기 박막 패턴층의 계면에 형성된 합금막;상기 박막 패턴층 상에 형성된 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물을 포함하는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성된 전면전극층을 포함하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 박막 패턴층은 상기 관통홀을 포함하는 후면전극층의 표면 프로파일을 따라 배치된 것을 포함하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 박막 패턴층은 셀레늄층인 것을 포함하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계 화합물은 구리-인듐-셀레나이드계 화합물이거나, 구리-갈륨-셀레나이드계 화합물이거나, 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계 화합물인 것을 포함하는 태양전지.
- 제1항에 있어서,상기 광 흡수층에서 Ⅵ족계 원소의 농도분포는 상기 박막 패턴층에 가까워질수록 높아지고, 상기 광 흡수층에서 균일한 농도분포를 가지는 태양전지.
- 기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층이 상호 분리되도록 상기 기판을 노출시키는 관통홀을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 Ⅵ족계의 박막층을 형성하는 단계;상기 박막층 상에 Ⅰ족-Ⅲ족계 소스를 제공하여 Ⅰ족-Ⅲ족-Ⅵ족계의 화합물 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광 흡수층을 형성한 후 상기 광 흡수층의 하부에 박막 패턴층이 형성되는 태양전지의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 박막층은 셀레늄을 이용한 스퍼터링 공정에 의하여 형성되는 태양전지의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 셀레늄층을 형성할 때, 상기 후면전극층의 표면에 합금막이 형성되고, 상기 합금막은 이셀렌화몰리브덴(MoSe2)인 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 후면전극층과 상기 셀레늄층의 두께는 1:4~5인 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 광 흡수층은 구리-인듐-셀레나이드 소스, 구리-갈륨-셀레나이드 소스 및 구리-인듐-갈륨-셀레나이드 소스 중 어느 하나를 이용한 증발법(Evaporation method)에 의하여 형성되는 태양전지의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 박막층에 의하여 상기 광 흡수층에서 Ⅵ족계 원소의 농도비율은 상기 후면전극층에 가까워질수록 높아지고, 상기 광 흡수층에서는 균일한 조성을 가지게 되는 태양전지의 제조방법.
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