KR20110036173A - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 태양전지는 셀 영역과 에지 영역을 포함하는 기판 상의 상기 셀 영역 상에 배치된 후면전극; 상기 후면전극 상에 배치된 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치된 전면전극; 및 상기 에지 영역의 상기 기판에 형성된 홈을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 셀 영역과 에지 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 에지 영역의 상기 기판에 홈을 형성하는 단계; 상기 홈의 내부에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막이 채워진 홈을 포함하는 상기 기판의 전면에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면전극 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거하는 단계를 포함한다.
홈, 에지 제거(edge deletion)

Description

태양전지 및 이의 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF FABIRCATING THE SAME}
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.
특히, 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS 계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.
이러한 태양전지를 이루는 층들은 기판 상에 차례로 증착되고, 각층들이 부분적으로 증착 수준이 다르며, 이는 에지 영역의 태양전지 셀에서 전기적 문제를 발생시킬 수 있다.
이에, 태양전지 형성시, 레이저(laser)를 이용하거나, 팁(tip)을 이용한 기계적인(mechanical) 방법으로 에지 영역의 구조물들을 제거하는 공정이 진행되고 있다.
실시예는 기판의 에지 영역에 형성된 구조물을 용이하게 제거할 수 있는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 태양전지는 셀 영역과 에지 영역을 포함하는 기판 상의 상기 셀 영역 상에 배치된 후면전극; 상기 후면전극 상에 배치된 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치된 전면전극; 및 상기 에지 영역의 상기 기판에 형성된 홈을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 셀 영역과 에지 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 에지 영역의 상기 기판에 홈을 형성하는 단계; 상기 홈의 내부에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막이 채워진 홈을 포함하는 상기 기판의 전면에 후면전극을 형성하는 단계; 상기 후면전극 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거하는 단계를 포함한다.
설명한 실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 기판에 홈을 형성하여, 에지 영역의 구조물을 제거하는 공정(edge deletion)을 진행할 때, 상기 홈을 따라 공정을 진행함으로써, 공정이 용이하게 진행될 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 7은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 태양전지는 셀 영역(A)과 에지 영역(B)을 포함하는 기판(100), 후면전극 패턴(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400), 전면전극(500) 및 홈(110)을 포함한다.
상기 홈(110)은 상기 에지 영역(B)의 상기 기판(100)에 형성되며, 상기 홈(110)의 내부에는 절연막 잔류물(130)이 배치된다.
상기 절연막 잔류물(130)은 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2), 산화 아연(ZnO) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 절연막 잔류물(130)은 상기 홈(110) 내부의 측벽 및 바닥면을 따라 형성되며, 상기 기판(100)의 상면보다 낮게 형성될 수 있다.
상기 홈(110)과 상기 기판(100)의 끝단 사이의 기판(100) 상에도 상기 후면전극(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면전극(500)이 적층된 구조물(650) 이 배치될 수 있다.
또한, 상기 셀 영역(A)에 형성된 상기 후면전극 패턴(200), 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물과 상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에 형성된 구조물은 서로 이격되도록 배치된다.
이하, 태양전지 제조공정에 따라 상기 태양전지를 더 자세히 설명하도록 한다.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.
우선, 도 1a에 도시된 바와 같이, 셀 영역(A)과 에지 영역(B)을 포함하는 기판(100)에 홈(110)을 형성한다.
상기 홈(110)은 상기 에지 영역(B)에 형성될 수 있으며, 상기 에지 영역(B)에 형성되는 구조물들은 이후 제거될 수 있다.
즉, 상기 에지 영역(B)에 상기 홈(110)을 형성하여, 이후 구조물들을 제거할 때 보다 용이하게 제거할 수 있다.
이때, 상기 홈(110)은 상기 기판(100)의 끝단으로부터 거리를 두고 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 홈(110)은 바닥면을 가지는 단면이 사각의 형태로 형성되는 것을 도시하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 홈(110)은 도 1b에 도시된 바와 같이, 역삼각의 형태로 홈의 하부가 좁아지는 형태로 형성될 수도 있다.
이어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 홈(110) 내부를 절연막(120)으로 채 우고, 상기 기판(100) 상에 후면전극 패턴(200)을 형성한다.
상기 기판(100)은 유리(glass)가 사용되고 있으며, 알루미나와 같은 세라믹 기판, 스테인레스 스틸, 티타늄기판 또는 폴리머 기판 등도 사용될 수 있다.
유리 기판으로는 소다라임 유리(sodalime glass)를 사용할 수 있으며, 폴리머 기판으로는 폴리이미드(polyimide)를 사용할 수 있다.
또한, 상기 기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다.
상기 홈(110) 내부를 채우는 상기 절연막(120)은 스퍼터링(sputtering) 공정과 같은 PVD(physical vapor deposition) 공정을 진행하여 형성될 수 있으며, 상기 절연막(120)은 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2) 또는 산화 아연(ZnO)으로 형성될 수 있다.
상기 후면전극 패턴(200)은 후면전극막에 포토 리소그라피(photo-lithography) 공정을 진행하여 패터닝 될 수 있다.
상기 후면전극 패턴(200)은 금속 등의 도전체로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 후면전극 패턴(200)은 몰리브덴(Mo) 타겟을 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다.
이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다.
또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 후면전극 패턴(200)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다.
상기 후면전극 패턴(200)이 복수개의 층으로 형성될 때, 상기 후면전극 패턴(200)을 이루는 층들은 서로 다른 물질로 형성될 수 있다.
또한, 상기 후면전극 패턴(200)은 스트라이프(stripe) 형태 또는 매트릭스(matrix) 형태로 배치될 수 있으며, 각각의 셀에 대응할 수 있다.
그러나, 상기 후면전극 패턴(200)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
이때, 상기 후면전극 패턴(200) 사이로 상기 기판(100)에 형성된 상기 패턴(150)의 일부가 노출될 수 있다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 후면전극 패턴(200) 상에 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)을 형성한다.
상기 광 흡수층(300)은 Ⅰb-Ⅲb-Ⅵb계 화합물을 포함한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.
이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극 패턴(200) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다.
이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다.
또한, 상기 금속 프리커서막을 형성하는 공정 및 셀레니제이션 공정 동안에, 상기 기판(100)에 포함된 알칼리(alkali) 성분이 상기 후면전극 패턴(200)을 통해서, 상기 금속 프리커서막 및 상기 광 흡수층(300)에 확산된다.
알칼리(alkali) 성분은 상기 광 흡수층(300)의 그레인(grain) 크기를 향상시키고, 결정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 광 흡수층(300)은 구리,인듐,갈륨,셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다.
상기 광 흡수층(300)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(300)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다.
상기 버퍼층(400)은 적어도 하나 이상의 층으로 형성되며, 상기 광 흡수층(300)이 형성된 상기 기판(100) 상에 황화 카드뮴(CdS), ITO, ZnO, i-ZnO 중 어느 하나 또는 이들의 적층으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 버퍼층(400)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)은 pn 접합을 형성한다.
상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)과 이후 형성될 전면전극의 사이에 배치된다.
즉, 상기 광 흡수층(300)과 전면전극은 격자상수와 에너지 밴드 갭의 차이가 크기 때문에, 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(400)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 한 개의 버퍼층을 상기 광 흡수층(300) 상에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 상기 버퍼층은 복수개의 층으로 형성될 수도 있다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)을 관통하는 콘택패턴(310)을 형성한다.
상기 콘택패턴(310)은 기계적인(mechnical) 방법 또는 레이저(laser)를 사용하는 공정을 진행하여 형성할 수 있으며, 상기 후면전극 패턴(200)의 일부가 노출된다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(400) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면전극(500) 및 접속배선(700)을 형성한다.
상기 투명한 도전물질을 상기 버퍼층(400) 상에 적층시킬 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 콘택패턴(310)의 내부에도 삽입되어, 상기 접속배선(700)을 형성할 수 있다.
상기 후면전극 패턴(200)과 전면전극(500)은 상기 접속배선(700)에 의해 전기적으로 연결된다.
상기 전면전극(500)은 상기 기판(100) 상에 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄으로 도핑된 산화 아연으로 형성된다.
상기 전면전극(500)은 상기 광 흡수층(300)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 하기 때문에 광투과율이 높고 전기 전도성이 좋은 산화 아연(ZnO)으로 형성된다.
이때, 상기 산화 아연에 알루미늄를 도핑함으로써 낮은 저항값을 갖는 전극을 형성할 수 있다.
상기 전면전극(500)인 산화 아연 박막은 RF 스퍼터링방법으로 ZnO 타겟을 사용하여 증착하는 방법과 Zn 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링, 그리고 유기금속화학증착법 등으로 형성될 수 있다.
또한, 전기광학적 특성이 뛰어난 ITO(Indium tin Oxide) 박막을 산화 아연 박막 상에 층착한 2중 구조를 형성할 수도 있다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면전극(500)을 관통하는 분리패턴(320)을 형성한다.
상기 분리패턴(320)은 기계적인(mechnical) 방법 또는 레이저(laser)를 사용하는 공정을 진행하여 형성될 수 있으며, 상기 후면전극 패턴(200)의 일부가 노출된다.
상기 버퍼층(400) 및 전면전극(500)은 상기 분리패턴(320)에 의해 구분될 수 있으며, 상기 분리패턴(320)에 의해 각각의 셀은 서로 분리될 수 있다.
상기 분리패턴(320)에 의해 상기 전면전극(500) 버퍼층(400) 및 광 흡수층(300)은 스트라이프 형태 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.
상기 분리패턴(320)은 상기의 형태에 한정되지 않고, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 에지 영역(B)의 절연막(120) 상에 형성된 상기 후면전극 패턴(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면전극(500)의 적층된 구조물 일부를 제거하여, 에지 패턴(330)을 형성한다.
즉, 상기 홈(110)의 상부에 형성된 구조물을 제거할 수 있다.
이때, 상기 에지 패턴(330)은 상기 절연막(120)이 채워진 상기 홈(110) 상에 팁(tip)을 이용한 스크라이빙(scribing) 공정을 진행하여 형성될 수 있다.
상기 스크라이빙 공정으로 상기 홈(110) 내부의 절연막(120)도 일부가 제거되어, 상기 홈(110) 내부의 측벽 및 바닥면을 따라 절연막 잔여물(130)이 남겨진다.
상기 절연막 잔여물(130)은 상기 기판(100)의 상면보다 낮게 형성될 수 있다.
또한, 상기 홈(110)의 상부에 형성된 구조물만 제거되어, 상기 홈(110)과 상기 기판(100)의 끝단 사이의 기판(100) 상에도 상기 후면전극 패턴(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면전극(500)의 적층된 구조물(650)이 남겨질 수 있다.
이때, 상기 홈(110) 상에 형성된 구조물은 모두 제거되기 때문에, 상기 셀 영역(A)에 형성된 상기 후면전극 패턴(200), 광 흡수층(300), 버퍼층(400) 및 전면전극(500)의 구조물과, 상기 에지 영역(B)에 형성된 구조물(650)은 서로 이격될 수 있다.
이상에서 설명한 실시예에 따른 태양전지 및 이의 제조방법은 기판에 홈을 형성하여, 에지 영역의 구조물을 제거하는 공정(edge deletion)을 진행할 때, 상기 홈을 따라 공정을 진행함으로써, 공정이 용이하게 진행될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도이다.

Claims (11)

  1. 셀 영역과 에지 영역을 포함하는 기판 상의 상기 셀 영역 상에 배치된 후면전극;
    상기 후면전극 상에 배치된 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 배치된 전면전극; 및
    상기 에지 영역의 상기 기판에 형성된 홈을 포함하는 태양전지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 홈의 내부에 절연막이 배치되며,
    상기 절연막은 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2), 산화 아연(ZnO) 중 어느 하나로 형성된 것을 포함하는 태양전지.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 홈 내부의 측벽 및 바닥면을 따라 형성되며,
    상기 기판의 상면보다 낮게 형성된 것을 포함하는 태양전지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에도 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물이 배치된 것을 포함하는 태양전지.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 셀 영역에 형성된 상기 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물과 상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에 형성된 구조물은 서로 이격된 것을 포함하는 태양전지.
  6. 셀 영역과 에지 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 에지 영역의 상기 기판에 홈을 형성하는 단계;
    상기 홈의 내부에 절연막을 형성하는 단계;
    상기 절연막이 채워진 홈을 포함하는 상기 기판의 전면에 후면전극을 형성하는 단계;
    상기 후면전극 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수층 상에 전면전극을 형성하는 단계; 및
    상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거하는 단계는,
    상기 홈을 따라 스크라이빙 공정을 진행하여 상기 구조물을 제거하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거할 때, 상기 절연막의 일부도 제거되어,
    상기 홈 내부의 측벽 및 바닥면을 따라 상기 절연막의 일부가 남겨지고,
    상기 남겨진 절연막은 상기 기판의 상면보다 낮게 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 절연막 상에 형성된 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극의 구조물을 제거할 때, 상기 절연막 상의 구조물만 제거되어,
    상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에도 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물이 남겨지는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 셀 영역에 형성된 상기 후면전극, 광 흡수층 및 전면전극이 적층된 구조물과 상기 홈과 상기 기판의 끝단 사이의 기판 상에 형성된 구조물은 서로 이격된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
  11. 제 6항에 있어서,
    상기 절연막은 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2), 산화 아연(ZnO) 중 어느 하나로 형성된 것을 포함하는 태양전지의 제조방법.
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