CN103620735B - 用于类衬底度量衡装置的热屏蔽模块 - Google Patents

用于类衬底度量衡装置的热屏蔽模块 Download PDF

Info

Publication number
CN103620735B
CN103620735B CN201280029110.XA CN201280029110A CN103620735B CN 103620735 B CN103620735 B CN 103620735B CN 201280029110 A CN201280029110 A CN 201280029110A CN 103620735 B CN103620735 B CN 103620735B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat shield
substrate
base section
section
shield module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280029110.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103620735A (zh
Inventor
瓦伊巴哈·维尚
梅·孙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
KLA Tencor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KLA Tencor Corp filed Critical KLA Tencor Corp
Publication of CN103620735A publication Critical patent/CN103620735A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103620735B publication Critical patent/CN103620735B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249923—Including interlaminar mechanical fastener

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

一种热屏蔽模块包括由高热材料制成的顶部部分及底部部分。所述顶部部分与所述底部部分彼此附接且形成具有开口的壳体，所述开口经定大小以接纳电子组件封装，其中组件与所述顶部部分及所述底部部分之间无介入隔热材料。一个或一个以上支腿安装到所述顶部部分或所述底部部分。所述支腿经配置以将所述壳体附接到衬底且在所述底部部分的底部表面与所述衬底的顶部表面之间形成间隙。

Description

用于类衬底度量衡装置的热屏蔽模块
技术领域
本发明的实施例一般来说涉及耐高温类衬底度量衡装置，且特定来说涉及在装置于延长的时间周期内暴露于高温度时使装置的组件保持安全的热屏蔽模块。
背景技术
集成电路、显示器或磁盘存储器的制作通常采用众多处理步骤。必须仔细监视每一工艺步骤以便提供操作装置。在整个成像工艺、沉积与生长工艺、蚀刻与掩蔽工艺等中，举例来说，在每一步骤期间仔细控制温度、气流、真空压力、化学气体或等离子组成及暴露距离为关键的。仔细注意每一步骤中所涉及的各种处理条件是最优半导体或薄膜工艺的要求。与最优处理条件的任何偏差均可能致使随后的集成电路或装置以低于标准的等级运转，或更差地，完全失败。
在处理室内，处理条件可变化。例如温度、气体流率及/或气体组成等处理条件的变化极大地影响集成电路的形成且因此影响集成电路的性能。使用具有与集成电路或其它装置相同或类似的材料的类衬底装置来测量处理条件提供对所述条件的最准确测量，因为所述衬底的导热率与将处理的实际电路的导热率相同。具体来说，无线类衬底装置比有线类衬底装置优选，因为有线类衬底装置使用起来麻烦且与此些装置相关联的等待时间不理想。对于实际上所有工艺条件来说，在整个室中存在梯度及变化。因此，跨越衬底的表面也存在这些梯度。为了在衬底处精确地控制处理条件，在衬底上进行测量且读数可供用于自动化控制系统或操作者使得可易于实现室处理条件的优化为关键的。处理条件包括用以控制半导体或其它装置制造的任何参数或制造者将期望监视的任何条件。
为了使此些无线类衬底度量衡装置在高温度环境(例如，大于约150℃的温度)中发挥作用，所述装置的某些关键组件(例如薄电池及微处理器)必须能够在装置暴露于高温度环境时发挥作用。许多装置制作工艺在大于150℃的温度下操作。举例来说，背AR涂覆(BARC)工艺在250℃下操作；化学气相沉积(CVD)工艺可在约500℃的温度下操作；且物理气相沉积(PVD)工艺可在约300℃下操作。遗憾地，适合此装置的要求的电池及微处理器通常无法耐受高于150℃的温度。虽然有线类衬底装置可经配置以耐受高于150℃的温度，但由于上述原因其并非优选的。
此些无线类衬底度量衡装置所面临的额外挑战是装置轮廓的最小化。此些装置应保持在衬底的顶部表面上方5mm或更小的轮廓，以便装配到各种工艺室中。
常规上，使用隔热模块屏蔽温度敏感无线度量衡装置组件(例如，电池、CPU等)以免受高温度影响。在2010年1月20日提出申请的美国专利申请案12/690,882揭示一个此种隔热模块。此隔热模块包含在两个侧上均由隔热层(例如，陶瓷或其它微孔隔热材料)囊封的组件，所述组件进一步在两个侧上均由高比热围合体囊封。接着可将所述隔热模块接合到衬底、借助运动学支撑物附接到衬底，或形成于衬底内。
虽然此些隔热模块确实实现屏蔽温度敏感无线度量衡装置组件的目标，但其展现使其不理想的数个不合意特性。其中之一，由于需要确保组件、隔热层与高比热围合体之间的真空，这些隔热模块制造起来极其复杂。另外，这些隔热模块在暴露于大气压力时由于模块内存在的低压力而具有高的塌陷可能性。此外，使用例如Microsil等隔热可机加工陶瓷及微孔隔热体具有产生可影响处理室的性能的污染粒子的缺点。Microsil为可从纽约佛罗里达的Zircar Ceramics公司购得的微孔隔热材料的特定名称。另外，这些材料还相当难以构造及附接，从而导致组装的增加的复杂性以及可靠性问题。
本发明的实施例就是在此背景内出现的。
发明内容
附图说明
阅读以下详细说明并参考附图后，本发明的其它目的及优点将变得显而易见，附图中：
图1A是根据本发明的实施例具有用于电子组件封装的热屏蔽模块的类衬底度量衡装置的三维分解图。
图1B是图1A中的具有用于电子组件封装的热屏蔽模块的类衬底度量衡装置的横截面图。
图2A是根据本发明的替代实施例具有用于电子组件封装的热屏蔽模块的类衬底度量衡装置的横截面图。
图2B是根据本发明的替代实施例具有用于电子组件封装的热屏蔽模块的类衬底度量衡装置的横截面图。
图2C是根据本发明的替代实施例具有用于电子组件封装的热屏蔽模块的类衬底度量衡装置的横截面图。
图3是具有安装于衬底的顶部上的热屏蔽模块的类衬底度量衡装置的俯视示意图。
图4是图解说明根据本发明的实施例配置的热屏蔽模块的温度相依表现的曲线图。
具体实施方式
尽管以下详细说明出于图解说明目的而含有许多特定细节，但所属领域的任何一般技术人员应了解，以下细节的许多变化及更改形式均在本发明的范围内。因此，下文所描述的本发明的示范性实施例是在不失本发明的一般性的情况下且在不对本发明施加限制的情况下陈述的。
本发明的实施例利用热屏蔽模块来在类衬底度量衡装置于延长的时间周期内暴露于高温度时使所述类衬底度量衡装置的组件(特定来说，温度敏感电子组件封装)保持在安全操作温度范围内。
在一些实施例中，所述热屏蔽模块可用作组件模块的一部分。可将此些模块并入到用以从晶片或衬底的各个位置中的传感器的报告测量处理条件的均匀性的类衬底度量衡装置中且使用所述数据来校正后续处理的条件。如本文中所定义，“处理条件”是指用于制造集成电路、显示器、磁盘存储器等的各种处理参数。处理条件包括用以控制半导体制造的任何参数或制造者将期望监视的任何条件，例如但不限于温度、处理室压力、室内的气体流率、室内的气态化学组成、离子流密度、离子流能量、光能量密度及晶片的振动及加速度。
此些类衬底度量衡装置通常由两个主要件构成：衬底及一组度量衡装置组件。衬底用以安装用于测量半导体制造装备、玻璃衬底处理装备、磁性存储器磁盘处理装备等的处理条件的传感器。具体来说，所述传感器用以测量晶片或衬底在处理期间所经历的条件。此些传感器可测量(例如)温度、电流、电压、粒子通量、热通量或处理期间的其它条件。所述传感器可布置于表面上或衬底内的不同区域上，以便跨越衬底测量处理条件。通过在衬底的不同区域中进行测量，可计算跨越衬底的不均匀性，且另外，可使衬底的特定位置处的条件与衬底的所得特性相关。
所述组度量衡装置组件连接到衬底且经配置以通过借助电池、存储器、中央处理单元(CPU)等为类衬底度量衡装置提供支持而促进对工艺条件的测量及分析。这些类衬底度量衡装置经受通常涉及不利地影响相关联无线度量衡装置组件的功能性、准确性及可靠性的苛刻条件的处理条件。此外，众多其它处理步骤及条件使得屏蔽无线度量衡装置组件为有利的。将无线类衬底度量衡装置分离成两个组件(即，衬底及无线度量衡装置组件)允许装置屏蔽所述组件以免受各种不利处理条件影响，同时仍允许衬底准确地测量工艺条件。
说明书的其余部分在描述热屏蔽模块的实施例时参考度量衡装置组件的特定子组，即，电子组件封装。以举例的方式而非限制的方式，所述电子组件封装可包括电池、存储器、收发器、CPU或经配置以促进对工艺条件的测量及分析的任何其它电子组件。虽然说明书中的其余论述是针对电子组件封装(即，无线度量衡装置组件的子组)，但重要的是注意以下说明书中所描述的热屏蔽模块还可取决于应用而经配置以屏蔽各种替代温度敏感无线度量衡装置组件以免受热影响。
图1A是根据本发明的实施例的类衬底度量衡装置100的三维分解图。度量衡装置100包括可安装到衬底的组件模块101。组件模块101包括热屏蔽模块102。热屏蔽模块102包括顶部部分104、底部部分106及一组一个或一个以上支腿107。热屏蔽模块102可通过支腿107附接到衬底109。衬底109可包括经配置以测量用以形成类衬底度量衡装置100的工艺条件的传感器，如上文所论述。顶部部分104及底部部分106彼此附接以形成围合体103，所述围合体包括经定大小以接纳温度敏感组件105的开口，其中组件105与围合体103的内侧壁之间无介入隔热材料。通过举例的方式，组件105可包括电子组件封装，例如电池、存储器、收发器、CPU等。重要的是注意，取决于应用，热屏蔽模块102除所述电子组件封装以外还可屏蔽各种不同温度敏感度量衡装置组件。在本发明的实施例的上下文内注意，围合体103可大于组件105。组件105可极薄。通过举例的方式，组件105可具有约1.0mm或更小的总厚度，可能薄至375微米或更小或者150微米或更小。
围合体103的大小可稍大于电子组件封装105的大小。在此情况下，电子组件封装105与围合体103的内侧壁之间可存在介入空的空间。或者，可存在粘合材料以将电子组件封装105固定到顶部部分104或底部部分106。然而，空的空间或粘合材料不被视为“隔热材料”，如所述术语在本文中所使用的那样。进一步注意，尽管组件封装105为组件模块101的元件，但组件105并非热屏蔽模块102的所需元件。
热屏蔽部分104、106可(例如)使用适合粘合剂(例如，耐高温胶)或其它接合技术彼此附接以形成接纳电子组件封装的围合体103。此围合体为包封于其中的电子组件封装提供热屏蔽。虽然图1A中所描绘的热屏蔽模块102图解说明形成于底部部分104的顶部表面内用于接纳组件105的凹入开口，但可使用任何数目种其它配置以允许接纳组件105。下文将论述此些替代配置的实例。
顶部部分104及底部部分106由高热容量材料制成。如本文中所使用，术语“热容量”是指材料的体积热容量；其为将物体的温度改变给定量所需的热的量。具有较高热容量的物体需要较大量的热来将其温度升高与具有较低热容量的等同体积物体相同的量。
以举例的方式而非限制的方式，顶部部分104及底部部分106可由不锈钢制成。不锈钢具有极高热容量，且如此需要大量热或延长的热暴露周期才能实现温度的显著增加。或者，顶部部分104及底部部分106可由蓝宝石、Kovar、Invar或展现类似于不锈钢的热容量的热容量的任何其它材料构成。Kovar是宾夕法尼亚州雷丁的卡彭特技术公司(CarpenterTechnology Corporation of Reading,Pennsylvania)的商标。Kovar是指经设计以与硼硅玻璃的热膨胀特性兼容的镍-钴铁合金。Kovar的组成标称地为约29％镍、17％钴、少于0.1％碳、0.2％硅、0.3％锰，其中差额为铁。Invar(还一般称作FeNi36(在美国为64FeNi))是因其独特的低热膨胀系数(CTE或α)而著名的镍钢合金。Invar是法国上塞纳省的法国Imphy合金股份公司(Imphy Alloys Joint Stock Company France of Hauts-De-Seine,France)的商标。
由顶部部分104及底部部分106形成的围合体103进一步安装于一组一个或一个以上支腿107(例如，四个支腿)上以形成热屏蔽模块102。支腿107允许电子组件封装105远离衬底109而定位。此配置存在数个优点且下文加以详细论述。通常，支腿的横截面尺寸使得支腿相对长且细以便减少通过支腿107的热转移。
形成于衬底109的顶部表面与底部部分106的底部表面之间的气隙或真空(即，存在于工艺室中的条件)提供额外隔热层。因此，由于由气隙/真空形成的隔热层，由衬底109保持的热不直接转移到高热容量部分104、106。为了形成有效隔热层，衬底的顶部表面与底部高热容量组件106的底部表面之间的距离d应至少为0.25毫米(mm)。通过利用由气隙/真空形成的隔热层，可消除热屏蔽模块102的高热容量部分104、106内的额外隔热材料，从而产生下文将论述的优于现有技术的优点。
此外，支腿107可经配置以提供从衬底109到热屏蔽模块部分104、106的极有限传导热转移路径。以举例的方式而非限制的方式，可减小支腿107的直径/宽度以便限制热转移。支腿107的直径或宽度(如果不是圆形)范围在大小上可介于从0.05mm到1.0mm以上的范围内，且优选地为约0.5mm的最小直径或宽度。还可限制衬底109与高热容量部分104、106之间的热转移效率，从而由高强度低导热率及/或高热容量材料制成支腿107。以举例的方式而非限制的方式，这些支腿107可由不锈钢、石英或足够强以将热屏蔽模块部分104、106固持于衬底109上方且展现低热转移特性的任何其它材料构成。
因此，支腿107为温度敏感组件105提供额外隔热层(即，空气、真空)，且限制衬底109与包封组件105的部分104、106之间的热转移。
热屏蔽模块102的尺寸可受其中使用度量衡装置100的处理室的尺寸约束。因此，热屏蔽模块102的高度h可经配置以满足处理室的规格。热屏蔽模块102的高度h是指衬底109的顶部表面与顶部部分104的顶部表面之间的距离。举例来说，许多衬底处理室通过具有有限大小的开口的装载锁或狭缝阀接纳衬底。以举例的方式而非限制的方式，热屏蔽模块102的高度h可针对典型处理室限制于约2毫米与约10毫米之间。然而，此高度h可取决于类衬底度量衡装置所用于的特定应用而变化。
高热容量部分104、106可另外经抛光以提供用于进一步热屏蔽的低发射率表面。或者，热屏蔽模块部分104、106的表面可涂覆有低发射率薄膜材料。如本文中所使用，可将具有在0.0与0.2之间的发射率的表面的材料视为“低发射率”。来自工艺室或衬底109的辐射引起部分104、106的温度增加。通过抛光高热容量部分104、106的表面，可从部分104、106反射辐射的热的显著部分。此将减少通过辐射从衬底109及工艺室壁到部分104及106的热转移，此又将导致组件105的较慢加热。
热屏蔽模块102因此为正屏蔽的组件105提供数个保护层(即，高热容量围合体屏蔽、气隙/真空隔热、从支腿的低热转移及辐射的反射)，因此保留现有技术的热屏蔽特性。另外，所发明的热屏蔽模块102还提供下文所描述的优于现有技术的数个优点。
通过将电子组件封装包封于由高热容量部分制成的热屏蔽内，可屏蔽温度敏感电子器件以免受展现高温度的处理条件影响。由于高热容量部分104、106的温度以缓慢速率上升(由于高热容量)，因此由那些高热容量部分104、106包封的电子组件封装105的温度也以缓慢速率上升。这是因为组件105的温度改变紧密追随其屏蔽高热容量部分104、106的温度改变(由于其接近性)。
现有技术热屏蔽模块并入有陶瓷或微孔隔热层作为其设计的部分。然而，发现隔热陶瓷或其它类型的隔热材料(例如微孔隔热体)产生在处理室中呈现严重污染危险的显著量的微粒子。通过消除对隔热层的需要，且简单地使用高热容量部分104、106来屏蔽电子组件封装105，所发明的热屏蔽模块102移除存在于现有技术中的任何粒子污染。
所发明的热屏蔽模块102的另一优点是易于组装。由于所发明的热屏蔽模块102仅由两个部分104、106及一组一个或一个以上支腿107构成，因此其制造及生产比上文关于现有技术所描述的多组件、多层热屏蔽模块简单得多。此外，设计的简单性确保热屏蔽模块102的较高可靠性，因为存在可能出故障的较少组件。
使用不锈钢作为用于形成高热容量部分104、106的高热容量材料具有甚至更简化的制造工艺的增加的益处，因为可容易地给不锈钢高热容量组件机加工易于安装于其上的支腿。
因此，热屏蔽模块102保留存在于现有技术中的热屏蔽特性，同时通过消除占据电子组件封装与围合体的内侧壁之间的空间的陶瓷插入物而消除也存在于现有技术中的制造复杂性及粒子污染可能性。
图1B图解说明图1A的具有用于电子组件封装的热屏蔽模块的无线类衬底度量衡装置100的横截面图。此处，热屏蔽模块102由顶部高热容量部分104、底部高热容量部分106及将安装于衬底109上的一组一个或一个以上支腿107构成。同样，注意，组件105并非热屏蔽102的所要求组件。在此实施例中，顶部部分104与底部部分106为相同长度。底部部分104具有凹入于其顶部表面内的开口，所述开口经定大小以接纳组件105(例如，电子组件封装)，其中封装105与热屏蔽模块部分104、106之间无介入隔热材料。同样，注意，取决于应用热屏蔽模块102除所述电子组件封装以外还可屏蔽类衬底度量衡装置的各种不同温度敏感组件。支腿107安装到底部部分106的底部表面，且经配置以在底部部分106的底部表面与衬底109之间形成隔热气隙/真空。
虽然图1B中所描绘的热屏蔽模块102图解说明形成于底部部分106的顶部表面内用于接纳组件105的凹入开口，但可使用任何数目种其它配置以允许接纳组件105。下文将论述此些替代配置的实例。
图2A到2C图解说明根据本发明的替代实施例具有用于电子组件封装的热屏蔽模块的无线类衬底度量衡装置200的横截面图。
图2A图解说明根据本发明的替代实施例具有电子组件模块201的无线类衬底度量衡装置200的横截面图，所述电子组件模块具有用于电子组件封装的热屏蔽模块202。此处，热屏蔽模块202由顶部高热容量部分204、底部高热容量部分206及将安装于衬底209上的一个或一个以上支腿207构成。热屏蔽模块部分204、206形成经定大小以接纳组件205(例如电子组件封装)的围合体203。同样，注意，取决于应用，热屏蔽模块202除电子组件封装以外还可屏蔽各种不同温度敏感无线度量衡装置组件。组件205并非热屏蔽模块202’的组件。热屏蔽模块202’可由相同材料制成且另外配置为上文关于图1A及图1B所描述的热屏蔽模块102。此外，热屏蔽模块202’可经配置以适应底部部分206的底部表面与衬底209的顶部表面之间的高度约束及距离约束，如上文所描述。注意，在替代实施例中，支腿207’可附接到底部部分206或顶部部分204的侧。
在此实施例中，顶部部分204与底部部分206为大约相同的二维大小及形状，但其可具有不同厚度。顶部部分204(而非底部部分206)具有凹入于其底部表面内的开口，所述开口经定大小以接纳电子组件封装205，其中组件205与顶部部分204及底部部分206之间无介入隔热材料。支腿207可同样安装到底部部分206的底部表面，且经配置以当热屏蔽模块安装到衬底时允许底部部分206的底部表面与衬底209之间的隔热气隙/真空。
图2B图解说明根据本发明的替代实施例具有电子组件模块201’的无线类衬底度量衡装置200’的横截面图，所述电子组件模块具有用于类衬底度量衡装置的热屏蔽模块202’。此处，热屏蔽模块202’包括顶部高热容量部分204’、底部高热容量部分206’及用以促进将热屏蔽模块202’安装到衬底209的一组一个或一个以上支腿207’。当附接在一起时，热屏蔽模块部分204’、206’形成经定大小以接纳组件205的围合体203’。同样，注意，取决于应用热屏蔽模块202’除电子组件封装以外还可屏蔽各种不同温度敏感无线度量衡装置组件。组件205并非热屏蔽模块202’的组件。热屏蔽模块202’可在许多方面与上文关于图1A及1B所描述的热屏蔽模块102类似地配置。此外，热屏蔽模块202’可经配置以适应底部部分206’的底部表面与衬底209的顶部表面之间的高度约束及距离约束。在此实施例中，顶部部分204与底部部分206’具有不同二维形状及/或大小。具体来说，底部部分206’具有小于顶部部分204’的对应尺寸的特性尺寸。顶部部分204’具有凹入于其底部表面内的开口，所述开口经定大小以接纳组件205，其中当经组装以形成电子组件模块201’时封装205与顶部部分204’及底部部分206’之间无介入隔热材料。支腿207’安装到顶部部分204’的底部表面而非底部部分206’的底部表面。支腿207’将热屏蔽模块与衬底209的表面分隔开以在底部部分206’的底部表面与衬底209之间形成隔热气隙/真空。
图2C图解说明根据本发明的另一替代实施例的类衬底度量衡装置200”的横截面图。度量衡装置200”包括具有用于组件205的热屏蔽模块202”的电子组件模块201”。同样，注意，取决于应用热屏蔽模块202”除电子组件封装以外还可屏蔽各种不同温度敏感无线度量衡装置组件。热屏蔽模块202”包括顶部高热容量部分204”、底部高热容量部分206”及一组一个或一个以上支腿207”。在此实施例中，顶部部分204”与底部部分206”为不同大小及可能不同形状。底部部分206”具有小于顶部部分204”的对应尺寸的特性尺寸。底部部分206”(而非顶部部分204”)具有凹入于其顶部表面内的开口，所述开口经定大小以接纳组件205，其中组件205与热屏蔽模块部分204”、206”之间无介入隔热材料。支腿207”安装到顶部部分204”的底部表面而非底部部分206”的底部表面。支腿207”可经配置以当热屏蔽模块202”安装到衬底209时在底部高热容量部分206”的底部表面与衬底209之间提供隔热气隙/真空。注意，在替代实施例中，支腿207”可附接到底部部分204”的侧。
再次注意，组件205并非热屏蔽模块202”的元件。关于先前实例，热屏蔽模块202”可由相同材料构成且可另外与上文关于图1A所描述的热屏蔽模块102类似地配置。此外，电子组件模块201”可经配置以适应热屏蔽模块202”的高度约束及底部部分206”的底部表面与衬底209的顶部表面之间的距离约束，如上文所论述。
虽然图1A到1B、2A、2B及2C图解说明热屏蔽模块、电子组件模块及类衬底度量衡装置配置的一些特定实例，但本发明并不限于这些实施例。可使用形状与大小的任何组合来形成顶部高热容量部分及底部高热容量部分，只要其符合所附的权利要求书即可。举例来说，经定大小以接纳电子组件封装的凹入开口可形成于顶部高热容量部分、底部高热容量部分或两者的组合中。另外，支腿可安装到底部高热容量部分或顶部高热容量部分或者两者的组合，只要在衬底与底部高热容量部分的底部表面之间形成隔热气隙/真空层即可。
图3是无线类衬底度量衡装置300的俯视示意图，其中图1A到1B及图2A到2C中所描绘的类型的热屏蔽模块302安装于衬底301的顶部表面上。衬底301可为与由衬底处理系统处理的标准衬底相同的大小及形状。衬底301还可由与由所述系统处理的标准衬底相同的材料制成。举例来说，如果所述度量衡装置用以监视处理硅晶片的半导体晶片处理系统中的工艺条件，那么衬底301可由硅制成。标准大小的硅衬底的实例包括但不限于150mm、200mm及300mm直径的硅晶片。
图1A到1B及图2A到2C中所描绘的类型的温度敏感电子组件封装304可安装于热屏蔽模块302的开口内，所述开口经定大小以接纳电子组件封装304，其中所述电子组件封装与高热容量组件之间无介入隔热材料，如上文所论述。同样，重要的是注意热屏蔽模块不限于屏蔽电子组件封装，而是可取决于应用而经配置以屏蔽任何温度敏感无线度量衡装置组件。以举例的方式而非限制的方式，此电子组件封装304可包括电池303及CPU 305。取决于应用及所得电力需要，可仅安装单个电池封装或替代地安装一个以上电池。电子组件封装304可电连接到总线317。
无线类衬底度量衡装置300可包括测量电子器件319，其由电池303供电且其经配置以通过总线317与CPU 305交换电子信号。以举例的方式而非限制的方式，测量电子器件319可包括存储器307、收发器309及一个或一个以上工艺条件传感器(例如，电磁传感器311、热传感器313及光学或电传感器315)。在一些实施例中，可将测量电子器件305的某些元件(例如，存储器307、收发器309、热传感器313或光学传感器315)包括在本文中所描述的类型的电子组件封装105内。
CPU 305可经配置以执行存储于主存储器307中的指令以便当无线类衬底度量衡装置300被置于衬底处理工具内时使装置300恰当地测量及记录工艺参数。主存储器307可呈集成电路的形式，例如RAM、DRAM、ROM等。收发器309可经配置以将数据及/或电力传递到装置300或从装置300传递数据及/或电力。
在不锈钢高热容量部分104、106的情况下获得的测试结果展示于图4中。在此测试中，将衬底置于被加热到310℃的热板上。衬底温度在10秒内上升到高于300℃。由通过支腿安装到衬底的不锈钢高热容量部分104、106包封的电池花费243秒来达到150℃。当晶片衬底被置于温度为300℃的热板上时，在电子组件与围合体之间具有隔热材料的热屏蔽的先前设计中的电池花费120秒来达到150℃。
尽管已参考本发明的某些优选版本相当详细地描述了本发明，但仍可能存在其它版本。因此，所附权利要求书的精神及范围不应限于本文中所含有的优选版本的说明。而是，本发明的范围应参考所附权利要求书连同其等效形式的全部范围来确定。除非另有明确说明，否则本说明书(包括任何所附的权利要求、摘要及图式)中所揭示的所有特征均可由用于达到相同、等效或类似目的的替代特征来替换。因此，除非另有明确陈述，否则所揭示的每一特征仅为类属系列的等效或类似特征的一个实例。
虽然上文为本发明的优选实施例的完整说明，但可使用各种替代、修改及等效形式。因此，本发明的范围不应参考以上说明来确定而是应参考所附权利要求书连同其等效形式的全部范围来确定。任何特征(无论是否优选)均可与任何其它特征(无论是否优选)组合。在所附权利要求书中，除非在另有明确陈述的情况下，否则不定冠词“一(A或An)”是指一定量的跟随所述冠词的物项中的一者或一者以上。所附权利要求书不应被解释为包括构件附加功能限制，除非使用短语“用于…的构件”在给定权利要求中明确陈述此限制。未明确陈述“用于”执行规定功能的“构件”的权利要求中的任何元件均不应被解释为“构件”或“步骤”项，如35 USC§112,6中所规定。特定来说，在本文的权利要求书中使用“…的步骤”并非打算援引35 USC§112,6的规定。
读者应将注意力对准与本说明书同时提出申请且对公众查阅本说明书开放的所有论文及文件，且所有此些论文及文件的内容均以引用的方式并入本文中。

Claims (32)

1.一种热屏蔽模块，其包含：
a)顶部部分，其由具有类似于不锈钢的热容量的高热容量材料制成；
b)底部部分，其由具有类似于不锈钢的热容量的高热容量材料制成，附接到所述顶部部分，其中由所述顶部部分及所述底部部分形成的围合体包括开口，所述开口凹入所述顶部部分的底部表面和/或所述底部部分的顶部表面且经定大小以接纳组件，其中所述组件与所述顶部部分及所述底部部分之间无介入隔热材料；
c)一个或一个以上支腿，其安装到所述顶部部分或所述底部部分，所述支腿经配置以将所述热屏蔽模块附接到衬底且在所述底部部分的底部表面与所述衬底的顶部表面之间形成间隙。
2.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述顶部部分或所述底部部分由不锈钢制成。
3.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述顶部部分的整个表面及/或所述底部部分的整个表面各自经抛光以形成具有发射率在0.0与0.2之间的低发射率表面。
4.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述顶部部分的整个表面及/或所述底部部分的整个表面涂覆有具有发射率在0.0与0.2之间的低发射率材料。
5.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述顶部部分及/或所述底部部分由蓝宝石构成。
6.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述顶部部分及/或所述底部部分由镍-钴铁合金构成。
7.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述顶部部分及/或所述底部部分由类属地称作FeNi36的镍-钢合金构成。
8.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述一个或一个以上支腿由不锈钢构成。
9.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述一个或一个以上支腿由石英构成。
10.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述一个或一个以上支腿经配置使得在所述衬底的所述顶部表面与所述底部部分的所述底部表面之间形成的所述间隙为至少0.25毫米。
11.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中顶部部分、底部部分及所述一个或一个以上支腿经配置使得当所述热屏蔽模块安装到所述衬底时所述热屏蔽模块的高度高出所述衬底的所述顶部表面2毫米与10毫米之间。
12.根据权利要求1所述的热屏蔽模块，其中所述围合体经定大小以接纳具有1毫米或更小的厚度的组件。
13.一种组件模块，其包含：
热屏蔽模块，其包括由具有类似于不锈钢的热容量的高热容量材料制成的顶部部分及由具有类似于不锈钢的热容量的高热容量材料制成的底部部分，其中所述顶部部分与所述底部部分形成围合体；
组件，其安置于所述围合体中，其中所述围合体包括开口，所述开口凹入所述顶部部分的底部表面和/或所述底部部分的顶部表面且经定大小以接纳所述组件，其中电子组件封装与所述顶部部分及所述底部部分之间无介入隔热材料，其中所述组件安装到所述围合体的表面，所述组件与所述围合体的所述表面之间无介入隔热材料；及
一个或一个以上支腿，其附接到所述热屏蔽模块，所述支腿经配置以将所述围合体附接到衬底且在所述底部部分的底部表面与所述衬底的顶部表面之间形成间隙。
14.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述组件包括一个或一个以上电池。
15.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述组件包括中央处理单元CPU。
16.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述组件具有1毫米或更小的总厚度。
17.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述顶部部分或所述底部部分由不锈钢制成。
18.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述顶部部分的整个表面及/或所述底部部分的整个表面各自经抛光以形成具有发射率在0.0与0.2之间的低发射率表面。
19.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述顶部部分的整个表面及/或所述底部部分的整个表面涂覆有具有发射率在0.0与0.2之间的低发射率材料。
20.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述顶部部分及/或所述底部部分由蓝宝石构成。
21.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述顶部部分及/或所述底部部分由镍-钴铁合金构成。
22.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述顶部部分及/或所述底部部分由类属地称作FeNi36的镍-钢合金构成。
23.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述一个或一个以上支腿由不锈钢构成。
24.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述一个或一个以上支腿由石英构成。
25.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述一个或一个以上支腿经配置使得在所述衬底的所述顶部表面与所述底部部分的所述底部表面之间形成的所述间隙为至少0.25毫米。
26.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述顶部部分、所述底部部分及所述一个或一个以上支腿经配置使得当所述热屏蔽模块安装到所述衬底时所述热屏蔽模块的高度高出所述衬底的所述顶部表面2毫米与10毫米之间。
27.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述开口略大于所述组件。
28.根据权利要求13所述的组件模块，其中所述组件通过粘合剂固定于所述围合体中。
29.一种类衬底度量衡装置，其包含：
衬底；及
热屏蔽模块，其包括由具有类似于不锈钢热容量的高热容量材料制成的顶部部分及由具有类似于不锈钢热容量的高热容量材料制成的底部部分，其中所述顶部部分与所述底部部分形成围合体，其中所述围合体包括开口，所述开口凹入所述顶部部分的底部表面和/或所述底部部分的顶部表面且经定大小以接纳组件，其中所述组件与所述顶部部分及所述底部部分之间无介入隔热材料；及
一个或一个以上支腿，其附接到所述热屏蔽模块，所述支腿经配置以将所述围合体附接到所述衬底且在所述底部部分的底部表面与所述衬底的顶部表面之间形成间隙。
30.根据权利要求29所述的装置，其进一步包含安置于所述围合体中的组件，其中所述组件是电子组件封装。
31.根据权利要求30所述的装置，其中所述电子组件封装通过粘合剂固定于所述围合体中。
32.根据权利要求30所述的装置，其中所述电子组件封装安装到所述围合体的表面，所述电子组件封装与所述围合体的所述表面之间无介入隔热材料。
CN201280029110.XA 2011-05-10 2012-04-09 用于类衬底度量衡装置的热屏蔽模块 Active CN103620735B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/104,874 2011-05-10
US13/104,874 US8681493B2 (en) 2011-05-10 2011-05-10 Heat shield module for substrate-like metrology device
PCT/US2012/032761 WO2012154359A1 (en) 2011-05-10 2012-04-09 Heat shield module for substrate-like metrology device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103620735A CN103620735A (zh) 2014-03-05
CN103620735B true CN103620735B (zh) 2017-06-09

Family

ID=47139505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280029110.XA Active CN103620735B (zh) 2011-05-10 2012-04-09 用于类衬底度量衡装置的热屏蔽模块

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8681493B2 (zh)
EP (1) EP2707895A4 (zh)
JP (1) JP6000338B2 (zh)
KR (1) KR101935070B1 (zh)
CN (1) CN103620735B (zh)
TW (1) TWI533411B (zh)
WO (1) WO2012154359A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9514970B2 (en) * 2013-01-24 2016-12-06 Kla-Tencor Corporation Methods of attaching a module on wafer substrate
WO2018054471A1 (en) * 2016-09-22 2018-03-29 Applied Materials, Inc. Carrier for supporting a substrate, apparatus for processing a substrate and method therefore
KR102433436B1 (ko) * 2018-07-04 2022-08-17 삼성전자주식회사 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템에서의 에지 링 정렬 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 원반형 비젼 센서
US10916411B2 (en) 2018-08-13 2021-02-09 Tokyo Electron Limited Sensor-to-sensor matching methods for chamber matching

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3589979A (en) 1967-08-10 1971-06-29 Leeds & Northrup Co Insulated heat sensing assemblies and method of making the same
US4410874A (en) * 1975-03-03 1983-10-18 Hughes Aircraft Company Large area hybrid microcircuit assembly
AT368283B (de) 1980-11-07 1982-09-27 Philips Nv Duesenplatte fuer einen tintenstrahlschreibkopf und verfahren zur herstellung einer solchen duesen- platte
USRE32369E (en) 1980-11-17 1987-03-10 Ball Corporation Monolithic microwave integrated circuit with integral array antenna
JPS6073325A (ja) 1983-09-30 1985-04-25 Toshiba Corp 半導体圧力センサ
US4656454A (en) 1985-04-24 1987-04-07 Honeywell Inc. Piezoresistive pressure transducer with elastomeric seals
JPH0792340B2 (ja) * 1989-07-21 1995-10-09 松下電工株式会社 炉内温度モニタ装置
US5001934A (en) 1990-01-02 1991-03-26 Walbro Corporation Solid state pressure sensor
US5184107A (en) 1991-01-28 1993-02-02 Honeywell, Inc. Piezoresistive pressure transducer with a conductive elastomeric seal
US5479197A (en) 1991-07-11 1995-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Head for recording apparatus
JP3231096B2 (ja) 1991-10-15 2001-11-19 キヤノン株式会社 液体噴射記録ヘッド用基体、その製造方法および液体噴射記録ヘッドならびに液体噴射記録装置
EP0563713A3 (en) 1992-04-01 1996-01-24 Hughes Aircraft Co Remote identification sensor system
US5262944A (en) 1992-05-15 1993-11-16 Hewlett-Packard Company Method for use of color and selective highlighting to indicate patient critical events in a centralized patient monitoring system
US5285559A (en) * 1992-09-10 1994-02-15 Sundstrand Corporation Method and apparatus for isolating electronic boards from shock and thermal environments
US5341684A (en) 1992-12-07 1994-08-30 Motorola, Inc. Pressure sensor built into a cable connector
JP2969034B2 (ja) 1993-06-18 1999-11-02 東京エレクトロン株式会社 搬送方法および搬送装置
US5444637A (en) 1993-09-28 1995-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Programmable semiconductor wafer for sensing, recording and retrieving fabrication process conditions to which the wafer is exposed
JPH07120340A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Honda Motor Co Ltd 圧力センサ
US5435646A (en) 1993-11-09 1995-07-25 Hughes Aircraft Company Temperature measurement using ion implanted wafers
US5518593A (en) 1994-04-29 1996-05-21 Applied Komatsu Technology, Inc. Shield configuration for vacuum chamber
DE4415984A1 (de) 1994-05-06 1995-11-09 Bosch Gmbh Robert Halbleitersensor mit Schutzschicht
US5669713A (en) 1994-09-27 1997-09-23 Rosemount Inc. Calibration of process control temperature transmitter
US5711891A (en) 1995-09-20 1998-01-27 Lucent Technologies Inc. Wafer processing using thermal nitride etch mask
US6123413A (en) 1995-10-25 2000-09-26 Hewlett-Packard Company Reduced spray inkjet printhead orifice
US6010538A (en) 1996-01-11 2000-01-04 Luxtron Corporation In situ technique for monitoring and controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication link
US5790151A (en) 1996-03-27 1998-08-04 Imaging Technology International Corp. Ink jet printhead and method of making
DE19707503B4 (de) 1997-02-25 2007-01-04 Infineon Technologies Ag Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
EP0931244A1 (en) 1997-06-12 1999-07-28 Andrew M. Matulek Capacitive liquid level indicator
AUPP653498A0 (en) 1998-10-16 1998-11-05 Silverbrook Research Pty Ltd Micromechanical device and method (ij46a)
US5969639A (en) 1997-07-28 1999-10-19 Lockheed Martin Energy Research Corporation Temperature measuring device
US5970313A (en) 1997-12-19 1999-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Monitoring wafer temperature during thermal processing of wafers by measuring sheet resistance of a test wafer
US6744346B1 (en) 1998-02-27 2004-06-01 Micron Technology, Inc. Electronic device workpieces, methods of semiconductor processing and methods of sensing temperature of an electronic device workpiece
US6244121B1 (en) 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
US6075909A (en) 1998-06-26 2000-06-13 Lucent Technologies, Inc. Optical monitoring system for III-V wafer processing
US6325536B1 (en) 1998-07-10 2001-12-04 Sensarray Corporation Integrated wafer temperature sensors
US6279402B1 (en) 1998-08-10 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Device for measuring pressure in a chamber
US6140833A (en) 1998-11-16 2000-10-31 Siemens Aktiengesellschaft In-situ measurement method and apparatus for semiconductor processing
JP3455458B2 (ja) 1999-02-01 2003-10-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム
JP4776783B2 (ja) 1999-05-07 2011-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US6190040B1 (en) 1999-05-10 2001-02-20 Sensarray Corporation Apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool
US6100506A (en) 1999-07-26 2000-08-08 International Business Machines Corporation Hot plate with in situ surface temperature adjustment
TW522500B (en) 1999-07-28 2003-03-01 Winbond Electronics Corp Measurement of surface pressure distribution of whole wafer surface and feedback method
AU2050901A (en) * 1999-12-01 2001-06-12 Chip Coolers, Inc Thermally conductive electronic device case
US6655835B2 (en) 1999-12-21 2003-12-02 Schweitzer Engineering Laboratories Inc. Setting-free resistive temperature device (RTD) measuring module
TW525213B (en) 2000-02-16 2003-03-21 Hitachi Ltd Process monitoring methods in a plasma processing apparatus, monitoring units, and a sample processing method using the monitoring units
DE10026353A1 (de) * 2000-05-27 2001-11-29 Mannesmann Vdo Ag Abgeschirmte, elektronische Schaltung
US6691068B1 (en) 2000-08-22 2004-02-10 Onwafer Technologies, Inc. Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control
US6966235B1 (en) 2000-10-06 2005-11-22 Paton Eric N Remote monitoring of critical parameters for calibration of manufacturing equipment and facilities
DE10057973A1 (de) * 2000-11-22 2002-05-23 Mannesmann Vdo Ag Vorrichtung für einen getakteten Halbleiterchip
US6995691B2 (en) 2001-02-14 2006-02-07 Heetronix Bonded structure using reacted borosilicate mixture
NL1017593C2 (nl) 2001-03-14 2002-09-17 Asm Int Inspectiesysteem ten behoeve van procesapparaten voor het behandelen van substraten, alsmede een sensor bestemd voor een dergelijk inspectiesysteem en een werkwijze voor het inspecteren van procesapparaten.
US6542835B2 (en) 2001-03-22 2003-04-01 Onwafer Technologies, Inc. Data collection methods and apparatus
JP4801274B2 (ja) 2001-03-29 2011-10-26 本田技研工業株式会社 圧力センサを内蔵した制御箱
US6971036B2 (en) 2001-04-19 2005-11-29 Onwafer Technologies Methods and apparatus for low power delay control
US6789034B2 (en) 2001-04-19 2004-09-07 Onwafer Technologies, Inc. Data collection methods and apparatus with parasitic correction
US6671660B2 (en) 2001-04-19 2003-12-30 Onwafer Technologies, Inc. Methods and apparatus for power control
TW594455B (en) 2001-04-19 2004-06-21 Onwafer Technologies Inc Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control
US6668618B2 (en) 2001-04-23 2003-12-30 Agilent Technologies, Inc. Systems and methods of monitoring thin film deposition
US6583388B2 (en) * 2001-11-13 2003-06-24 Jds Uniphase Corporation High thermal efficiency, small form-factor packages including thermally insulative cavities, and transfer molded variants
US6889568B2 (en) 2002-01-24 2005-05-10 Sensarray Corporation Process condition sensing wafer and data analysis system
US7757574B2 (en) 2002-01-24 2010-07-20 Kla-Tencor Corporation Process condition sensing wafer and data analysis system
US7289230B2 (en) 2002-02-06 2007-10-30 Cyberoptics Semiconductors, Inc. Wireless substrate-like sensor
DE10223035A1 (de) * 2002-05-22 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse, insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul
US7135852B2 (en) 2002-12-03 2006-11-14 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
US7151366B2 (en) 2002-12-03 2006-12-19 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
JP3944465B2 (ja) 2003-04-11 2007-07-11 三菱電機株式会社 熱型赤外線検出器及び赤外線フォーカルプレーンアレイ
US6915589B2 (en) 2003-10-16 2005-07-12 Sensarray Corporation Sensor positioning systems and methods
JP2006032436A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Hitachi Ltd 電子装置の製造方法、はんだ付け方法及び熱遮蔽治具
JP4500726B2 (ja) * 2005-04-21 2010-07-14 アルプス電気株式会社 高周波機器の取付構造
US7385199B2 (en) 2005-09-26 2008-06-10 Teledyne Licensing, Llc Microbolometer IR focal plane array (FPA) with in-situ mirco vacuum sensor and method of fabrication
US8604361B2 (en) 2005-12-13 2013-12-10 Kla-Tencor Corporation Component package for maintaining safe operating temperature of components
TWI405281B (zh) * 2005-12-13 2013-08-11 Sensarray Corp 製程條件感應晶圓及資料分析系統
JP2007178253A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Tokyo Electron Ltd 温度測定装置および温度測定方法
US7555948B2 (en) * 2006-05-01 2009-07-07 Lynn Karl Wiese Process condition measuring device with shielding
CN100422703C (zh) * 2006-07-20 2008-10-01 金竹声 电气结点发热温度等电位监测探头及其安装方法
WO2008042903A2 (en) 2006-10-03 2008-04-10 Kla-Tencor Technologies Corporation Systems for sensing pressure/shear force
JP2010519768A (ja) 2007-02-23 2010-06-03 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション プロセス条件測定デバイス
JP4987546B2 (ja) 2007-04-11 2012-07-25 株式会社リコー 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP5251305B2 (ja) 2007-08-28 2013-07-31 山里産業株式会社 温度計測器の耐熱保護ボックス及びこれを用いた温度計測装置、並びに温度計測方法
JP5098045B2 (ja) * 2008-04-28 2012-12-12 東京電波株式会社 圧電温度センサとシリコンウエハ温度測定冶具

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014519193A (ja) 2014-08-07
KR20140031297A (ko) 2014-03-12
KR101935070B1 (ko) 2019-01-03
EP2707895A4 (en) 2015-08-12
TW201246469A (en) 2012-11-16
US20120287574A1 (en) 2012-11-15
EP2707895A1 (en) 2014-03-19
WO2012154359A1 (en) 2012-11-15
JP6000338B2 (ja) 2016-09-28
CN103620735A (zh) 2014-03-05
US8681493B2 (en) 2014-03-25
TWI533411B (zh) 2016-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6184518B2 (ja) 活性プラズマ内原位置測定のための高温センサウェーハ
CN103620735B (zh) 用于类衬底度量衡装置的热屏蔽模块
US8604361B2 (en) Component package for maintaining safe operating temperature of components
US20120203495A1 (en) Process condition measuring device (pcmd) and method for measuring process conditions in a workpiece processing tool configured to process production workpieces
CN207816885U (zh) 具有自加热和温度补偿功能的薄膜氢气传感器
CN110389136B (zh) 一种基于电磁超表面的无电磁扰动可控温原子气室及其加工工艺流程
JPH11302844A (ja) 薄膜形成装置
TWI604573B (zh) 將一模組附接於晶圓基板上之方法
CN109443999A (zh) 无线无源传感器及其制作方法
KR102547728B1 (ko) 열전도도 측정 장치 및 이의 측정 방법
CN111289169A (zh) 基于lc谐振的无源无线温度压强集成式传感器及其制备方法
Snyder et al. A precision capacitance cell for measurement of thin film out-of-plane expansion. I. Thermal expansion

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant