TWI533411B - 用於似基板之度量裝置之熱屏蔽模組 - Google Patents

用於似基板之度量裝置之熱屏蔽模組 Download PDF

Info

Publication number
TWI533411B
TWI533411B TW101113068A TW101113068A TWI533411B TW I533411 B TWI533411 B TW I533411B TW 101113068 A TW101113068 A TW 101113068A TW 101113068 A TW101113068 A TW 101113068A TW I533411 B TWI533411 B TW I533411B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
module
substrate
heat shield
bottom portion
legs
Prior art date
Application number
TW101113068A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201246469A (en
Inventor
維伯浩 維休
玫 森
Original Assignee
克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 克萊譚克公司 filed Critical 克萊譚克公司
Publication of TW201246469A publication Critical patent/TW201246469A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI533411B publication Critical patent/TWI533411B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249923—Including interlaminar mechanical fastener

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

用於似基板之度量裝置之熱屏蔽模組
本發明之實施例一般而言係關於高溫、似基板之度量裝置，且特定而言係關於在裝置於一延長之時間週期上曝露於高溫度時保持裝置之組件安全之熱屏蔽模組。
一積體電路、顯示器或磁碟記憶體之製作通常採用眾多處理步驟。必須仔細監視每一程序步驟以便提供一操作裝置。在整個成像程序、沈積與生長程序、蝕刻與屏蔽程序等中，舉例而言，在每一步驟期間仔細控制溫度、氣流、真空壓力、化學氣體或電漿組合物及曝露距離極重要。仔細注意每一步驟中所涉及之各種處理條件係最佳半導體或薄膜程序之一要求。自最佳處理條件之任何偏差皆可致使後續積體電路或裝置以一低於標準之等級發揮功能，或更差地，完全失敗。
在一處理室內，處理條件可不同。諸如溫度、氣體流率及/或氣體組合物等處理條件之變化極大地影響積體電路之形成且因此影響積體電路之效能。使用具有與積體電路或其他裝置相同或類似之材料之一似基板裝置來量測處理條件提供對該等條件之最準確量測，此乃因該基板之導熱率與將處理之實際電路之導熱率相同。具體而言，無線似基板裝置較佳於有線似基板裝置，此乃因有線似基板裝置使用起來麻煩且與此等裝置相關聯之延時不理想。對於實際上所有程序條件而言，在整個室中存在梯度及變化。因 此，跨越一基板之表面亦存在此等梯度。為在基板處精確地控制處理條件，在基板上採取量測且讀數可供用於一自動化的控制系統或操作者以便可易於達成室處理條件之最佳化極重要。處理條件包括用以控制半導體或其他裝置製造之任何參數或一製造者將期望監視之任何條件。
為使此等無線似基板之度量裝置在高溫度環境(例如，大於約150℃之溫度)中發揮作用，裝置之某些關鍵組件(諸如薄電池及微處理器)必須能夠在裝置曝露於高溫度環境時發揮作用。諸多裝置製作程序在大於150℃之溫度下操作。舉例而言，一背AR塗佈(BARC)程序在250℃下操作；一化學汽相沈積(CVD)程序可在約500℃之一溫度下操作；且一物理汽相沈積(PVD)程序可在約300℃下操作。遺憾的是，適合此一裝置之要求之電池及微處理器通常不能經受高於150℃之溫度。雖然有線似基板裝置可經組態以經受高於150℃之溫度，但由於上述原因其非較佳的。
此等無線似基板之度量裝置所面臨之一額外挑戰係裝置輪廓之最小化。此等裝置應保持在基板之頂部表面上方5 mm或更小之一輪廓，以便裝配至各種程序室中。
傳統上，使用隔熱模組屏蔽溫度敏感無線度量裝置組件(例如，電池、CPU等)以免受高溫度。在2010年1月20日提出申請之美國專利申請案12/690,882揭示一種此隔熱模組。此一隔熱模組包含在兩個側上皆由一隔熱層(例如，陶瓷或其他微孔隔熱材料)囊封之一組件，該組合進一步在兩個側上皆由高特定熱殼體囊封。然後可將該隔熱模組 接合至基板、藉助運動學支撐物附接至基板，或形成於基板內。
雖然此等隔熱模組確實達成屏蔽溫度敏感無線度量裝置組件之目標，但其展現使其不理想之數個不期望特性。其中之一，由於需要確保組件、隔熱層及高特定熱殼體之間的一真空，此等隔熱模組製造起來極其複雜。另外，此等隔熱模組在曝露於大氣壓力時由於模組內之低壓力之存在而具有高斷裂機率。此外，使用諸如Microsil等隔熱可加工陶瓷及微孔隔熱體具有產生可影響處理室之效能之污染粒子之劣勢。Microsil為可自紐約佛羅裏達之Zircar Ceramics公司購得之一微孔隔熱材料之一特定名稱。另外，此等材料亦相當難以構造及附接，從而造成組裝之增加之複雜度以及可靠度問題。
本發明之實施例係在此背景內。
在本發明之一項態樣中，一種熱屏蔽模組包含：a)一頂部部分，其由一高熱容量材料製成；b)一底部部分，其由附接至該頂部部分之一高熱容量材料製成，其中由該頂部部分及該底部部分形成之一殼體包括一開口，該開口經定大小以在一組件與該頂部部分及該底部部分之間無介入隔熱材料之情形下接納該組件；c)一或多個支腿，其安裝至該頂部部分或該底部部分，該等支腿經組態以將該熱屏蔽模組附接至一基板且在該底部部分之底部表面與該基板之一頂部表面之間形成一間隙。
在本發明之另一態樣中，一種組件模組包含：一熱屏蔽模組，其包括由一高熱容量材料製成之一頂部部分及由一高熱容量材料製成之一底部部分，其中該頂部部分與該底部部分形成一殼體；一組件，其安置於該殼體中，其中該殼體經定大小以在電子組件封裝與該頂部部分及該底部部分之間無介入隔熱材料之情形下接納該組件；及一或多個支腿，其附接至該熱屏蔽模組，該等支腿經組態以將該殼體附接至一基板且在該底部部分之底部表面與該基板之一頂部表面之間形成一間隙。
在本發明之另一態樣中，一種似基板之度量裝置包含：一基板；及一熱屏蔽模組，其包括由一高熱容量材料製成之一頂部部分及由一高熱容量材料製成之一底部部分，其中該頂部部分與該底部部分形成一殼體，其中該殼體經定大小以在一組件與該頂部部分及該底部部分之間無介入隔熱材料之情形下接納該組件；及一或多個支腿，其附接至該熱屏蔽模組，該等支腿經組態以將該殼體附接至該基板且在該底部部分之底部表面與該基板之一頂部表面之間形成一間隙。
閱讀以下詳細說明並參考附圖後，本發明之其他目的及優點將變得顯而易見。
儘管以下詳細說明含有出於圖解說明目的之諸多特定細節，但任何熟習此項技術者應瞭解，以下細節之諸多變化及更改形式皆屬於本發明之範疇內。因此，下文所闡述之 本發明之例示性實施例係在不失本發明之一般性之情形下且在不對本發明施加限制之情形下陳述的。
本發明之實施例利用熱屏蔽模組來在一似基板之度量裝置於一延長之時間週期上曝露於高溫度時將該似基板之度量裝置之組件(特定而言，溫度敏感電子組件封裝)保持在一安全操作溫度範圍內。
在某些實施例中，該熱屏蔽模組可用作一組件模組之一部分。此等模組可併入至用以自位於一晶圓或基板之各個位置中之感測器之報告量測處理條件之均勻性的似基板之度量裝置中且使用該資料來校正後續處理之條件。如本文中所定義，「處理條件」係指用於製造一積體電路、顯示器、磁碟記憶體等之各種處理參數。處理條件包括用以控制半導體製造或一製造者將期望監視之任何參數，諸如但不限於溫度、處理室壓力、室內之氣體流率、室內之氣體化學組合物、離子流密度、離子流能量、光能量密度及晶圓之振動及加速度。
此等似基板之度量裝置通常由兩個主要部分構成：基板及一組度量裝置組件。基板用以安裝用於量測半導體製造裝備、玻璃基板處理裝備、磁性記憶體磁盤處理裝備等之處理條件之感測器。具體而言，感測器用以量測一晶圓或基板在處理期間所經歷之條件。此等感測器可量測(例如)溫度、電流、電壓、粒子通量、熱通量或處理期間之其他條件。該等感測器可配置於表面上或基板內之不同區域上，以便量測跨越基板之處理條件。藉由在基板之不同區 域中進行量測，可計算跨越基板之不均勻性，且另外，可使基板之一特定位置處之條件與基板之所得特性相干。
所述組度量裝置組件連接至基板且經組態以藉由藉助電池、記憶體、中央處理單元(CPU)等為似基板之度量裝置提供支援而促進對程序條件之量測及分析。此等似基板之度量裝置經歷通常涉及不利地影響相關聯無線度量裝置組件之功能性、準確度及可靠度之苛刻條件之處理條件。此外，眾多其他處理步驟及條件使得屏蔽無線度量裝置組件係有利的。將無線似基板之度量裝置分離成兩個組件(亦即，基板及無線度量裝置組件)允許裝置屏蔽該等組件以免各種不利處理條件，同時仍允許基板準確地量測程序條件。
說明書之剩餘部分在闡述熱屏蔽模組(即，一電子組件封裝)之實施例時參考度量裝置組件之一特定子組。以舉例之方式而非限制之方式，該電子組件封裝可包括一電池、記憶體、收發器、CPU或經組態以促進對程序條件之量測及分析之任何其他電子組件。雖然說明書中之剩餘論述係針對電子組件封裝(亦即，無線度量裝置組件之子組)，但重要的是注意以下說明書中所闡述之熱屏蔽模組亦可取決於應用而經組態以屏蔽各種替代溫度敏感無線度量裝置組件免受熱。
圖1A係根據本發明之一實施例之一似基板之度量裝置100之一三維分解圖。度量裝置100包括可安裝至一基板之一組件模組101。組件模組101包括一熱屏蔽模組102。熱 屏蔽模組102包括一頂部部分104、一底部部分106及一組一或多個支腿107。熱屏蔽模組102可藉由支腿107附接至一基板109。基板109可包括經組態以量測用以形成一似基板之度量裝置100之程序條件之感測器，如上文所論述。頂部部分104及底部部分106附接至彼此以形成一殼體103，該殼體包括經定大小以在一溫度敏感組件105與殼體103之內壁之間無介入隔熱材料之情形下接納組件105之一開口。藉由舉例之方式，組件105可包括一電子組件封裝，諸如一電池、記憶體、收發器、CPU等。重要的是注意取決於應用可由熱屏蔽模組102屏蔽除電子組件封裝以外之各種不同溫度敏感度量裝置組件。在本發明之實施例之背景內注意，殼體103可大於組件105。組件105可極薄。藉由舉例之方式，組件105可具有約1.0 mm或更小之一總厚度，可能薄至375微米或更小、或者150微米或更小。
殼體103之大小可稍大於電子組件封裝105之大小。在此情形下，電子組件封裝105與殼體103之內壁之間可存在一介入空空間。另一選擇係，可存在黏合材料以將電子組件封裝105固定至頂部部分104或底部部分106。然而，空空間或黏合材料不被視為「隔熱材料」，如彼術語在本文中所使用的那樣。進一步注意，儘管組件封裝105為組件模組101之一元件，但組件105並非熱屏蔽模組102之一所要求元件。
熱屏蔽部分104、106可(例如)使用一合適黏合劑(例如， 火膠)或其他接合技術附接至彼此以形成接納電子組件封裝之殼體103。此殼體為裝納於其中之一電子組件封裝提供一熱屏蔽。雖然圖1A中所繪示之熱屏蔽模組102圖解說明形成於底部部分104之頂部表面內用於接納組件105之一凹陷開口，但可使用任何數目種其他組態以允許接納組件105。下文將論述此等替代組態之實例。
頂部部分104及底部部分106由高熱容量材料製成。如本文中所使用，術語「熱容量」係指材料之體積熱容量；其為將物件之溫度改變一既定量所需要之熱的量。具有一較高熱容量之一物件需要較大量之熱來將其溫度升高與具有較低熱容量之一相同體積物件之量。
以舉例之方式而非限制之方式，頂部部分104及底部部分106可由不銹鋼製成。不銹鋼具有一極高熱容量，且因此需要大量熱或一延長之熱曝露週期才能達成溫度之顯著增加。另一選擇係，頂部部分104及底部部分106可由藍寶石、Kovar、Invar或展現類似於不銹鋼之熱容量之一熱容量之任何其他材料構成。Kovar係賓夕法尼亞州雷丁之Carpenter Technology公司之一商標。Kovar係指經設計以與硼矽玻璃之熱膨脹特性相容之一鎳鈷鐵合金。Kovar之組合物名義上係約29%鎳、17%鈷、少於0.1%碳、0.2%矽、0.3%錳，其中剩餘部分係鐵。Invar(亦一般稱作FeNi36(在美國為64FeNi))係因其獨特的低熱膨脹係數(CTE或α)而著名之一鎳鋼合金。Invar係法國上塞納省之Imphy Alloys Joint Stock法國公司之一商標。
由頂部部分104及底部部分106形成之殼體103進一步安裝於一組一或多個支腿107(例如，四個支腿)上以形成熱屏蔽模組102。支腿107允許電子組件封裝105遠離基板109而定位。此組態存在數個優點且下文予以詳細論述。通常支腿之剖面尺寸係使得支腿相對長且細以便減少經由支腿107之熱轉移。
形成於基板109之一頂部表面與底部部分106之一底部表面之間的一氣隙或真空(亦即，存在於程序室中之條件)提供一額外隔熱層。因此，由於由氣隙/真空形成之隔熱層，由基板109保持之熱不直接轉移至高熱容量部分104、106。為形成一有效隔熱層，基板之頂部表面與底部高熱容量組件106之底部表面之間的距離d應至少為0.25毫米(mm)。藉由利用由氣隙/真空形成之隔熱層，可消除熱屏蔽模組102之高熱容量部分104、106內之一額外隔熱材料，從而產生下文將論述之優於先前技術之優點。
此外，支腿107可經組態以提供自基板109至熱屏蔽模組部分104、106之一極有限傳導熱轉移路徑。以舉例之方式而非限制之方式，可減小支腿107之直徑/寬度以便限制熱轉移。支腿107直徑或寬度範圍在大小上可自0.05 mm(若不四捨五入)至1.0 mm以上，且較佳為約0.5 mm之一最小直徑或寬度。亦可限制基板109與高熱容量部分104、106之間的熱轉移效率，從而使支腿107形成一高強度低導熱率及/或高熱容量材料。以舉例之方式而非限制之方式，此等支腿107可由不銹鋼、石英或足夠強以將熱屏蔽模組 部分104、106固持於基板109上方且展現低熱轉移特性之任何其他材料構成。
因此，支腿107提供用於溫度敏感組件105之一額外隔熱層(亦即，空氣、真空)，且限制基板109與裝納組件105之部分104、106之間的熱轉移。
熱屏蔽模組102之尺寸可受在其中使用度量裝置100之處理室之尺寸之約束。因此，熱屏蔽模組102之高度h可經組態以滿足處理室之規格。熱屏蔽模組102之高度h係指基板109之頂部表面與頂部部分104之頂部表面之間的距離。舉例而言，諸多基板處理室經由具有一有限大小之開口之一載入鎖或狹縫閥接納基板。以舉例之方式而非限制之方式，熱屏蔽模組102之高度h可針對典型處理室限制至約2毫米與約10毫米之間。然而，此高度h可取決於似基板之度量裝置所用於的特定應用而變化。
高熱容量部分104、106可另外經拋光以提供用於進一步熱屏蔽之一低發射率表面。另一選擇係，熱屏蔽模組部分104、106之表面可塗佈有一低發射率薄膜材料。如本文中所使用，可將具有介於0.0與0.2之間的一發射率之一表面之一材料視為「低發射率」。來自程序室或基板109之輻射可促進部分104、106之溫度增加。藉由拋光高熱容量部分104、106之表面，可自部分104、106反射所輻射熱之一顯著部分。此將減少藉由輻射自基板109及程序室壁至部分104及106之熱轉移，此又將導致組件105之較慢加熱。
熱屏蔽模組102因此為所屏蔽(亦即，高熱容量殼體屏 蔽、氣隙/真空隔熱、來自支腿之低熱轉移及輻射之反射)之組件105提供數個保護層，因此保留先前技術之熱屏蔽特性。另外，所發明之熱屏蔽模組102亦提供下文所闡述之優於先前技術之數個優點。
藉由將一電子組件封裝裝納於由高熱容量部分製成之一熱屏蔽內，可屏蔽溫度敏感電子器件免受展現高溫度之處理條件。優於高熱容量部分104、106之溫度以低速率上升(由於高熱容量)，因此由此等高熱容量部分104、106裝納之電子組件封裝105之溫度亦以一低速率上升。此係由於組件105之溫度改變緊密追隨其屏蔽高熱容量部分104、106之溫度改變(由於其接近性)。
先前技術熱屏蔽模組併入有一陶瓷或微孔隔熱層作為其設計之部分。然而，發現隔熱陶瓷或其他類型之隔熱材料(諸如微孔隔熱體)產生呈現處理室中之一嚴重污染危險之顯著量之微粒子。藉由消除對一隔熱層之需要，且簡單地使用高熱容量部分104、106來屏蔽電子組件封裝105，所發明之熱屏蔽模組102移除存在於先前技術中之任何粒子污染。
所發明之熱屏蔽模組102之另一優點係易於組裝。由於所發明之熱屏蔽模組102僅由兩個部分104、106及一組一或多個支腿107構成，因此其製造及生產起來比上文關於先前技術所闡述之多組件、多層熱屏蔽模組簡單得多。此外，設計之簡單性確保熱屏蔽模組102之較高可靠度，此乃因存在可能出故障之較少組件。
使用不銹鋼作為用於形成高熱容量部分104、106之高熱容量材料具有一甚至更簡單之製造程序之增加之益處，此乃因不銹鋼高熱容量組件可容易地加工有易於安裝於其上之支腿。
因此，熱屏蔽模組102保留存在於先前技術中之熱屏蔽特性，同時藉由消除佔據電子組件封裝與殼體之內壁之間的空間之陶瓷插入物而消除亦存在於先前技術中之製造複雜度及粒子污染可能性。
圖1B圖解說明圖1A之具有用於電子組件封裝之一熱屏蔽模組之無線似基板之度量裝置100之一剖視圖。此處，熱屏蔽模組102由一頂部高熱容量部分104、底部高熱容量部分106及將安裝於一基板109上之一組一或多個支腿107構成。同樣，注意，組件105並非熱屏蔽102之一所要求組件。在此實施例中，頂部部分104與底部部分106係相同長度。底部部分104具有凹陷於其頂部表面內之一開口，該開口經定大小以在一組件105(例如，一電子組件封裝)與熱屏蔽模組部分104、106之間無介入隔熱材料之情形下接納封裝105。同樣，注意，可取決於應用而由熱屏蔽模組102屏蔽除電子組件封裝以外之似基板之度量裝置之各種不同溫度敏感組件。支腿107安裝至底部部分106之一底部表面，且經組態以形成底部部分106之底部表面與基板109之間的一隔熱氣隙/真空。
雖然圖1B中所繪示之熱屏蔽模組102圖解說明形成於底部部分106之頂部表面內用於接納組件105之一凹陷開口， 但可使用任何數目種其他組態以允許接納組件105。下文將論述此等替代組態之實例。
圖2A至圖2C圖解說明根據本發明之替代實施例具有用於電子組件封裝之熱屏蔽模組之無線似基板之度量裝置200之剖視圖。
圖2A圖解說明根據本發明之一替代實施例具有一電子組件模組201之一無線似基板之度量裝置200之一剖視圖，該電子組件模組具有用於一電子組件封裝之一熱屏蔽模組202。此處，熱屏蔽模組202由一頂部高熱容量部分204、一底部高熱容量部分206及將安裝於一基板209上之一或多個支腿207構成。熱屏蔽模組部分204、206形成經定大小以接納一組件205(諸如一電子組件封裝)之一殼體203。同樣，注意，可取決於應用而由熱屏蔽模組202屏蔽除電子組件封裝以外之各種不同溫度敏感無線度量裝置組件。組件205並非熱屏蔽模組202'之一組件。熱屏蔽模組202'可由相同材料製成且另外組態為上文關於圖1A及圖1B所闡述之熱屏蔽模組102。此外，熱屏蔽模組202'可經組態以適應底部部分206之底部表面與基板209之頂部表面之間的高度約束及距離約束，如上文所闡述。注意，在替代實施例中，支腿207'可附接至底部部分206或頂部部分204之側。
在此實施例中，頂部部分204與底部部分206係大約相同之二維大小及形狀，但其可具有不同厚度。頂部部分204(而非底部部分206)具有凹陷於其底部表面內之一開口，該開口經定大小以在電子組件封裝205與頂部部分204及底部 部分206之間無介入隔熱材料之情形下接納組件205。支腿207可同樣安裝至底部部分206之一底部表面，且經組態以當熱屏蔽模組安裝至基板時允許底部部分206之底部表面與基板209之間的一隔熱氣隙/真空。
圖2B圖解說明根據本發明之一替代實施例具有一電子組件模組201'之一無線似基板之度量裝置200'之一剖視圖，該電子組件模組具有用於一似基板之度量裝置之一熱屏蔽模組202'。此處，熱屏蔽模組202'包括一頂部高熱容量部分204'、一底部高熱容量部分206'及用以促進將熱屏蔽模組202'安裝至一基板209之一組一或多個支腿207'。當附接在一起時，熱屏蔽模組部分204'、206'形成經定大小以接納一組件205之一殼體203'。同樣，注意，可取決於應用而由熱屏蔽模組202'屏蔽除電子組件封裝以外之各種不同溫度敏感無線度量裝置組件。組件205並非熱屏蔽模組202'之一組件。熱屏蔽模組202'可在諸多方面與上文關於圖1A及圖1B所闡述之熱屏蔽模組102類似地組態。此外，熱屏蔽模組202'可經組態以適應底部部分206'之底部表面與基板209之頂部表面之間的高度約束及距離約束。在此實施例中，頂部部分204及底部部分206'具有不同二維形狀及/或大小。具體而言，底部部分206'具有小於頂部部分204'之對應尺寸之一特性尺寸。頂部部分204'具有凹陷於其底部表面內之一開口，該開口經定大小以在當經組裝以形成電子組件模組201'時封裝205與頂部部分204'及底部部分206'之間無介入隔熱材料之情形下接納組件205。支腿 207'安裝至頂部部分204'之一底部表面而非底部部分206'之底部表面。支腿207'將熱屏蔽模組與基板209之表面分離以形成底部部分206'之底部表面與基板209之間的一隔熱氣隙/真空。
圖2C圖解說明根據本發明之另一替代實施例之一似基板之度量裝置200"之一剖視圖。度量裝置200"包括具有用於一組件205之一熱屏蔽模組202"之一電子組件模組201"。同樣，注意，可取決於應用而由熱屏蔽模組202"屏蔽除電子組件封裝以外之各種不同溫度敏感無線度量裝置組件。熱屏蔽模組202"包括一頂部高熱容量部分204"、一底部高熱容量部分206"及一組一或多個支腿207"。在此實施例中，頂部部分204"與底部部分206"係相同大小及可能不同形狀。底部部分206"具有小於頂部部分204"之對應尺寸之一特性尺寸。底部部分206"(而非頂部部分204")具有凹陷於其頂部表面內之一開口，該開口經定大小以在組件205與熱屏蔽模組部分204"、206"之間無介入隔熱材料之情形下接納組件205。支腿207"安裝至頂部部分204"之一底部表面而非底部部分206"之底部表面。支腿207"可經組態以當熱屏蔽模組202"安裝至基板209時提供底部高熱容量部分206"之底部表面與基板209之間的一隔熱氣隙/真空。注意，在替代實施例中，支腿207"可附接至底部部分204"之側。
再次注意，組件205並非熱屏蔽模組202"之一元件。關於先前實例，熱屏蔽模組202"可由相同材料構成且可另外 與上文關於圖1A所闡述之熱屏蔽模組102類似地組態。此外，電子組件模組201"可經組態以適應熱屏蔽模組202"之高度約束及底部部分206"之底部表面與基板209之頂部表面之間的距離約束，如上文所論述。
雖然圖1A至圖1B、圖2A、圖2B及圖2C圖解說明熱屏蔽模組、電子組件模組及似基板之度量裝置組態之某些特定實例的，但本發明不限於此等實施例。可使用形狀與大小之任何組合來形成頂部高熱容量部分及底部高熱容量部分，只要其符合下文所陳述之申請專利範圍即可。舉例而言，經定大小以接納一電子組件封裝之凹陷開口可形成於頂部高熱容量部分中、形成於底部高熱容量部分中或兩者之一組合。另外，支腿可安裝至底部高熱容量部分或頂部高熱容量部分或者兩者之一組合，只要在基板與底部高熱容量部分之底部表面之間形成一隔熱氣隙/真空層即可。
圖3係其中圖1A至圖1B及圖2A至圖2C中所繪示之類型之一熱屏蔽模組302安裝於一基板301之一頂部表面上之一無線似基板之度量裝置300之一俯視示意圖。基板301可係與由一基板處理系統處理之一標準基板相同之大小及形狀。基板301亦可由與由該系統處理之一標準基板相同之材料製成。舉例而言，若度量裝置用以監視處理矽晶圓之一半導體晶圓處理系統中之程序條件，則基板301可由矽製成。標準大小之矽基板之實例包括但不限於150 mm、200 mm及300 mm直徑之矽晶圓。
圖1A至圖1B及圖2A至圖2C中所繪示之類型之一溫度敏 感電子組件封裝304可安裝於熱屏蔽模組302之一開口內，該開口經定大小以在一電子組件封裝304與高熱容量組件之間無介入隔熱材料之情形下接納該電子組件封裝，如上文所論述。同樣，重要的是注意熱屏蔽模組不限於屏蔽電子組件封裝，而是可經組態以取決於應用而屏蔽任何溫度敏感無線度量裝置組件。以舉例之方式而非限制之方式，此一電子組件封裝304可包括一電池303及CPU 305。取決於應用及所得電力需要，可僅安裝一單個電池封裝或另一選擇係安裝一個以上電池。電子組件封裝304可電連接至一匯流排317。
無線似基板之度量裝置300可包括量測電子器件319，其由電池303供電且其經組態以經由匯流排317與CPU 305交換電子信號。以舉例之方式而非限制之方式，量測電子器件319可包括一記憶體307、一收發器309及一或多個程序條件感測器(例如，一電磁感測器311、一熱感測器313及一光學或電感測器315)。在某些實施例中，可將量測電子器件305之某些元件(例如，記憶體307、收發器309、熱感測器313或光學感測器315)包括在本文中所闡述之類型之電子組件封裝105中。
CPU 305可經組態以執行存儲於主記憶體307中之指令以便當無線似基板之度量裝置300被置於一基板處理工具內時使裝置300恰當地量測及記錄程序參數。主記憶體307可係呈一積體電路之形式，例如RAM、DRAM、ROM及諸如此類。收發器309可經組態以將資料及/或電功率傳遞至裝 置300或傳遞來自裝置300之資料及或電功率。
在不銹鋼高熱容量部分104、106之情形下獲得之測試結果展示於圖4中。在此測試中，將一基板置於被加熱至310℃之一熱板上。基板溫度在10秒內上升至高於300℃。由藉由支腿安裝至基板之不銹鋼高熱容量部分104、106裝納之一電池用243秒達到150℃。當晶圓基板被置於溫度為300℃之一熱板上時，在電子組件與殼體之間具有隔熱材料之熱屏蔽之一先前設計中之一電池用120秒達到150℃。
儘管已參考本發明之某些較佳版本相當詳細地闡述了本發明，但仍可能存在其他版本。因此，隨附申請專利範圍之精神及範疇不應僅限於本文中所含有之較佳版本之說明。而是，本發明之範疇應參考隨附申請專利範圍連同其等效形式之全部範疇來判定。除非另有明確說明，否則本說明書(包括任何所附申請專利範圍、摘要及圖式)中所揭示之所有特徵皆可由用於達到相同、等效或類似目的之替代特徵來替換。因此，除非另有明確說明，否則所揭示之每一特徵僅係一類等效或類似特徵之一個實例。
雖然上文係本發明之較佳實施例之一完整說明，但可使用各種替代、修改及等效形式。因此，本發明之範疇不應參考以上說明來判定而是應參考隨附申請專利範圍連同其等效形式之全部範疇來判定。任何特徵(無論較佳與否)皆可與任何其他特徵(無論較佳與否)組合。在以下申請專利範圍中，除非另有明確說明，否則不定冠詞「一」或「一個」係指一定量之跟隨該冠詞之物項之一或多者。隨附申 請專利範圍不應被理解為包括手段附加功能限制，除非使用片語「用於...之手段」在一給定請求項中明確陳述此一限制。未明確陳述「用於」執行一規定功能之「手段」之一請求項中之任何元件皆不應被理解為一「手段」或「步驟」項，如35 USC § 112, 6中所規定。特定而言，在本文之申請專利範圍中使用「...之步驟」並非意欲援引35 USC § 112, 6之規定。
閱讀者應將注意力對準與本說明書同時提出申請且對公眾查閱本說明書開放之所有論文及文件，且所有此等論文及文件之內容皆以引用之方式併入本文中。
100‧‧‧似基板之度量裝置/度量裝置
101‧‧‧組件模組
102‧‧‧熱屏蔽模組
103‧‧‧殼體
104‧‧‧頂部部分/不銹鋼高熱容量部分/熱屏蔽部分
105‧‧‧組件/電子組件封裝/組件封裝/溫度敏感組件/封裝
106‧‧‧底部部分/不銹鋼高熱容量部分/熱屏蔽部分
107‧‧‧支腿
109‧‧‧基板
200‧‧‧無線似基板之度量裝置
201‧‧‧電子組件模組
202‧‧‧熱屏蔽模組
203‧‧‧殼體
204‧‧‧頂部高熱容量部分/熱屏蔽模組部分/頂部部分
205‧‧‧組件/電子組件封裝
206‧‧‧底部高熱容量部分/熱屏蔽模組部分/底部部分
207‧‧‧支腿
209‧‧‧基板
200'‧‧‧無線似基板之度量裝置
201'‧‧‧電子組件模組
202'‧‧‧熱屏蔽模組
203'‧‧‧殼體
204'‧‧‧頂部高熱容量部分/熱屏蔽模組部分/頂部部分
206'‧‧‧底部高熱容量部分/熱屏蔽模組部分/底部部分
207'‧‧‧支腿
200"‧‧‧度量裝置
201"‧‧‧電子組件模組
202"‧‧‧熱屏蔽模組
204"‧‧‧頂部高熱容量部分/頂部部分/熱屏蔽模組部分
206"‧‧‧底部高熱容量部分/底部部分/熱屏蔽模組部分
207"‧‧‧支腿
300‧‧‧無線似基板之度量裝置/裝置
301‧‧‧基板
302‧‧‧熱屏蔽模組
303‧‧‧電池
304‧‧‧電子組件封裝
305‧‧‧中央處理單元/量測電子器件
307‧‧‧記憶體/主記憶體
309‧‧‧收發器
311‧‧‧電磁感測器
313‧‧‧熱感測器
315‧‧‧光學或電感測器
317‧‧‧匯流排
319‧‧‧量測電子器件
d‧‧‧距離
h‧‧‧高度
圖1A係根據本發明之一實施例具有用於電子組件封裝之一熱屏蔽模組之一似基板之度量裝置的一三維分解圖。
圖1B係圖1A中之具有用於電子組件封裝之一熱屏蔽模組之似基板之度量裝置之一剖視圖。
圖2A係根據本發明之一替代實施例具有用於電子組件封裝之一熱屏蔽模組之一似基板之度量裝置的一剖視圖。
圖2B係根據本發明之一替代實施例具有用於電子組件封裝之一熱屏蔽模組之一似基板之度量裝置的一剖視圖。
圖2C係根據本發明之一替代實施例具有用於電子組件封裝之一熱屏蔽模組之一似基板之度量裝置的一剖視圖。
圖3係具有安裝於基板之頂部上之一熱屏蔽模組之一似基板之度量裝置之一俯視示意圖。
圖4係圖解說明根據本發明之一實施例組態之一熱屏蔽 模組之溫度相依表現的一曲線圖。
100‧‧‧似基板之度量裝置/度量裝置
101‧‧‧組件模組
102‧‧‧熱屏蔽模組
104‧‧‧頂部部分/不銹鋼高熱容量部分/熱屏蔽部分
105‧‧‧組件/電子組件封裝/組件封裝/溫度敏感組件/封裝
106‧‧‧底部部分/不銹鋼高熱容量部分/熱屏蔽部分
107‧‧‧支腿
109‧‧‧基板

Claims (32)

  1. 一種熱屏蔽模組，其包含：a)一頂部部分，其由一高熱容量材料製成；b)一底部部分，其由一高熱容量材料製成，附接至該頂部部分，其中由該頂部部分及該底部部分形成之一殼體包括一開口，該開口經定大小以在一組件與該頂部部分及該底部部分之間無介入隔熱材料之情形下接納該組件，其中該開口稍大於該組件；c)一或多個支腿，其安裝至該頂部部分或該底部部分，該等支腿經組態以將該熱屏蔽模組附接至一基板且在該底部部分之一底部表面與該基板之一頂部表面之間形成一間隙。
  2. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該頂部部分及/或該底部部分由不銹鋼製成。
  3. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該頂部部分之一整個表面及/或該底部部分之一整個表面經拋光以形成一低發射率表面。
  4. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該頂部部分之一整個表面及/或該底部部分之一整個表面塗佈有一低發射率材料。
  5. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該頂部部分及/或該底部部分由藍寶石構成。
  6. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該頂部部分及/或該底部部分由一鎳鈷鐵合金構成。
  7. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該頂部部分及/或該底部部分由一般稱作FeNi36之一鎳鋼合金構成。
  8. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該一或多個支腿由不銹鋼構成。
  9. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該一或多個支腿由石英構成。
  10. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該一或多個支腿經組態以使得在該基板之該頂部表面與該底部部分之該底部表面之間形成之該間隙為至少0.25毫米。
  11. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中頂部部分、底部部分及該一或多個支腿經組態以使得當該熱屏蔽模組安裝至該基板時該熱屏蔽模組之一高度在該基板之該頂部表面上方介於2毫米與10毫米之間。
  12. 如請求項1之熱屏蔽模組，其中該殼體經定大小以接納具有1毫米或更小之一厚度之一組件。
  13. 一種組件模組，其包含：一熱屏蔽模組，其包括由一高熱容量材料製成之一頂部部分及由一高熱容量材料製成之一底部部分，其中該頂部部分與該底部部分形成一殼體；一組件，其安置於該殼體中，其中該殼體包括一開口，該開口經定大小以在該組件與該頂部部分及該底部部分之間無介入隔熱材料之情形下接納該組件，其中該組件在該組件與該殼體之一表面之間無介入隔熱材料之情形下安裝至該殼體之該表面；及 一或多個支腿，其附接至該熱屏蔽模組，該等支腿經組態以將該殼體附接至一基板且在該底部部分之一底部表面與該基板之一頂部表面之間形成一間隙。
  14. 如請求項13之組件模組，其中該組件包括一或多個電池。
  15. 如請求項13之組件模組，其中該組件包括一中央處理單元(CPU)。
  16. 如請求項13之組件模組，其中該組件具有大約1毫米或更小之一總厚度。
  17. 如請求項13之組件模組，其中該頂部部分及/或該底部部分由不銹鋼製成。
  18. 如請求項13之組件模組，其中該頂部部分之一整個表面及/或該底部部分之一整個表面經拋光以形成一低發射率表面。
  19. 如請求項13之組件模組，其中該頂部部分之一整個表面及/或該底部部分之一整個表面塗佈有一低發射率材料。
  20. 如請求項13之組件模組，其中該頂部部分及/或該底部部分由藍寶石構成。
  21. 如請求項13之組件模組，其中該頂部部分及/或該底部部分由一鎳鈷鐵合金構成。
  22. 如請求項13之組件模組，其中該頂部部分及/或該底部部分由一般稱作FeNi36之一鎳鋼合金構成。
  23. 如請求項13之組件模組，其中該一或多個支腿由不銹鋼構成。
  24. 如請求項13之組件模組，其中該一或多個支腿由石英構成。
  25. 如請求項13之組件模組，其中該一或多個支腿經組態以使得在該基板之該頂部表面與該底部部分之該底部表面之間形成之該間隙為至少0.25毫米。
  26. 如請求項13之組件模組，其中該頂部部分、該底部部分及該一或多個支腿經組態以使得當該熱屏蔽模組安裝至該基板時該熱屏蔽模組之一高度在該基板之該頂部表面上方介於2毫米與10毫米之間。
  27. 如請求項13之組件模組，其中該開口稍大於該組件。
  28. 如請求項13之組件模組，其中該組件係藉由一黏合劑固定至該殼體之該表面。
  29. 一種似基板之度量裝置，其包含：一基板；及一熱屏蔽模組，其包括由一高熱容量材料製成之一頂部部分及由一高熱容量材料製成之一底部部分，其中該頂部部分與該底部部分形成一殼體，其中該殼體包括一開口，該開口經定大小以在一組件與該頂部部分及該底部部分之間無介入隔熱材料之情形下接納該組件，其中該開口稍大於該組件；及一或多個支腿，其附接至該熱屏蔽模組，該等支腿經組態以將該殼體附接至該基板且在該底部部分之底部表面與該基板之一頂部表面之間形成一間隙。
  30. 如請求項29之裝置，其進一步包含安置於該殼體中之一 組件，其中該組件係一電子組件封裝。
  31. 如請求項30之裝置，其中該電子組件封裝係藉由一黏合劑固定於該殼體中。
  32. 如請求項30之裝置，其中該電子組件封裝係在該電子組件封裝與該殼體之一表面之間無介入隔熱材料之情形下安裝至該殼體之該表面。
TW101113068A 2011-05-10 2012-04-12 用於似基板之度量裝置之熱屏蔽模組 TWI533411B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/104,874 US8681493B2 (en) 2011-05-10 2011-05-10 Heat shield module for substrate-like metrology device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201246469A TW201246469A (en) 2012-11-16
TWI533411B true TWI533411B (zh) 2016-05-11

Family

ID=47139505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101113068A TWI533411B (zh) 2011-05-10 2012-04-12 用於似基板之度量裝置之熱屏蔽模組

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8681493B2 (zh)
EP (1) EP2707895A4 (zh)
JP (1) JP6000338B2 (zh)
KR (1) KR101935070B1 (zh)
CN (1) CN103620735B (zh)
TW (1) TWI533411B (zh)
WO (1) WO2012154359A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9514970B2 (en) * 2013-01-24 2016-12-06 Kla-Tencor Corporation Methods of attaching a module on wafer substrate
WO2018054471A1 (en) * 2016-09-22 2018-03-29 Applied Materials, Inc. Carrier for supporting a substrate, apparatus for processing a substrate and method therefore
KR102433436B1 (ko) * 2018-07-04 2022-08-17 삼성전자주식회사 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템에서의 에지 링 정렬 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 원반형 비젼 센서
US10916411B2 (en) 2018-08-13 2021-02-09 Tokyo Electron Limited Sensor-to-sensor matching methods for chamber matching

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3589979A (en) 1967-08-10 1971-06-29 Leeds & Northrup Co Insulated heat sensing assemblies and method of making the same
US4410874A (en) * 1975-03-03 1983-10-18 Hughes Aircraft Company Large area hybrid microcircuit assembly
AT368283B (de) 1980-11-07 1982-09-27 Philips Nv Duesenplatte fuer einen tintenstrahlschreibkopf und verfahren zur herstellung einer solchen duesen- platte
USRE32369E (en) 1980-11-17 1987-03-10 Ball Corporation Monolithic microwave integrated circuit with integral array antenna
JPS6073325A (ja) 1983-09-30 1985-04-25 Toshiba Corp 半導体圧力センサ
US4656454A (en) 1985-04-24 1987-04-07 Honeywell Inc. Piezoresistive pressure transducer with elastomeric seals
JPH0792340B2 (ja) * 1989-07-21 1995-10-09 松下電工株式会社 炉内温度モニタ装置
US5001934A (en) 1990-01-02 1991-03-26 Walbro Corporation Solid state pressure sensor
US5184107A (en) 1991-01-28 1993-02-02 Honeywell, Inc. Piezoresistive pressure transducer with a conductive elastomeric seal
US5479197A (en) 1991-07-11 1995-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Head for recording apparatus
DE69224583T2 (de) 1991-10-15 1998-07-23 Canon Kk Trägermaterial für Flüssigkeitsaufzeichnungskopf, Herstellungsverfahren dafür, Flüssigkeitsaufzeichnungskopf und Flüssigkeitsaufzeichnungsvorrichtung
EP0563713A3 (en) 1992-04-01 1996-01-24 Hughes Aircraft Co Remote identification sensor system
US5262944A (en) 1992-05-15 1993-11-16 Hewlett-Packard Company Method for use of color and selective highlighting to indicate patient critical events in a centralized patient monitoring system
US5285559A (en) * 1992-09-10 1994-02-15 Sundstrand Corporation Method and apparatus for isolating electronic boards from shock and thermal environments
US5341684A (en) 1992-12-07 1994-08-30 Motorola, Inc. Pressure sensor built into a cable connector
JP2969034B2 (ja) 1993-06-18 1999-11-02 東京エレクトロン株式会社 搬送方法および搬送装置
US5444637A (en) 1993-09-28 1995-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Programmable semiconductor wafer for sensing, recording and retrieving fabrication process conditions to which the wafer is exposed
JPH07120340A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Honda Motor Co Ltd 圧力センサ
US5435646A (en) 1993-11-09 1995-07-25 Hughes Aircraft Company Temperature measurement using ion implanted wafers
US5518593A (en) 1994-04-29 1996-05-21 Applied Komatsu Technology, Inc. Shield configuration for vacuum chamber
DE4415984A1 (de) 1994-05-06 1995-11-09 Bosch Gmbh Robert Halbleitersensor mit Schutzschicht
US5669713A (en) 1994-09-27 1997-09-23 Rosemount Inc. Calibration of process control temperature transmitter
US5711891A (en) 1995-09-20 1998-01-27 Lucent Technologies Inc. Wafer processing using thermal nitride etch mask
US6123413A (en) 1995-10-25 2000-09-26 Hewlett-Packard Company Reduced spray inkjet printhead orifice
US6010538A (en) 1996-01-11 2000-01-04 Luxtron Corporation In situ technique for monitoring and controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication link
US5790151A (en) 1996-03-27 1998-08-04 Imaging Technology International Corp. Ink jet printhead and method of making
DE19707503B4 (de) 1997-02-25 2007-01-04 Infineon Technologies Ag Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
EP0931244A1 (en) 1997-06-12 1999-07-28 Andrew M. Matulek Capacitive liquid level indicator
AUPP653498A0 (en) 1998-10-16 1998-11-05 Silverbrook Research Pty Ltd Micromechanical device and method (ij46a)
US5969639A (en) 1997-07-28 1999-10-19 Lockheed Martin Energy Research Corporation Temperature measuring device
US5970313A (en) 1997-12-19 1999-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Monitoring wafer temperature during thermal processing of wafers by measuring sheet resistance of a test wafer
US6744346B1 (en) 1998-02-27 2004-06-01 Micron Technology, Inc. Electronic device workpieces, methods of semiconductor processing and methods of sensing temperature of an electronic device workpiece
US6244121B1 (en) 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
US6075909A (en) 1998-06-26 2000-06-13 Lucent Technologies, Inc. Optical monitoring system for III-V wafer processing
US6325536B1 (en) 1998-07-10 2001-12-04 Sensarray Corporation Integrated wafer temperature sensors
US6279402B1 (en) 1998-08-10 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Device for measuring pressure in a chamber
US6140833A (en) 1998-11-16 2000-10-31 Siemens Aktiengesellschaft In-situ measurement method and apparatus for semiconductor processing
JP3455458B2 (ja) 1999-02-01 2003-10-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム
KR100674624B1 (ko) 1999-05-07 2007-01-25 동경 엘렉트론 주식회사 센서기판, 기판처리방법 및 기판처리장치
US6190040B1 (en) 1999-05-10 2001-02-20 Sensarray Corporation Apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool
US6100506A (en) 1999-07-26 2000-08-08 International Business Machines Corporation Hot plate with in situ surface temperature adjustment
TW522500B (en) 1999-07-28 2003-03-01 Winbond Electronics Corp Measurement of surface pressure distribution of whole wafer surface and feedback method
WO2001041521A1 (en) * 1999-12-01 2001-06-07 Cool Options, Inc. Thermally conductive electronic device case
US6655835B2 (en) 1999-12-21 2003-12-02 Schweitzer Engineering Laboratories Inc. Setting-free resistive temperature device (RTD) measuring module
TW525213B (en) 2000-02-16 2003-03-21 Hitachi Ltd Process monitoring methods in a plasma processing apparatus, monitoring units, and a sample processing method using the monitoring units
DE10026353A1 (de) * 2000-05-27 2001-11-29 Mannesmann Vdo Ag Abgeschirmte, elektronische Schaltung
US6691068B1 (en) 2000-08-22 2004-02-10 Onwafer Technologies, Inc. Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control
US6966235B1 (en) 2000-10-06 2005-11-22 Paton Eric N Remote monitoring of critical parameters for calibration of manufacturing equipment and facilities
DE10057973A1 (de) * 2000-11-22 2002-05-23 Mannesmann Vdo Ag Vorrichtung für einen getakteten Halbleiterchip
US6995691B2 (en) 2001-02-14 2006-02-07 Heetronix Bonded structure using reacted borosilicate mixture
NL1017593C2 (nl) 2001-03-14 2002-09-17 Asm Int Inspectiesysteem ten behoeve van procesapparaten voor het behandelen van substraten, alsmede een sensor bestemd voor een dergelijk inspectiesysteem en een werkwijze voor het inspecteren van procesapparaten.
US6542835B2 (en) 2001-03-22 2003-04-01 Onwafer Technologies, Inc. Data collection methods and apparatus
JP4801274B2 (ja) 2001-03-29 2011-10-26 本田技研工業株式会社 圧力センサを内蔵した制御箱
US6971036B2 (en) 2001-04-19 2005-11-29 Onwafer Technologies Methods and apparatus for low power delay control
US6789034B2 (en) 2001-04-19 2004-09-07 Onwafer Technologies, Inc. Data collection methods and apparatus with parasitic correction
US6671660B2 (en) 2001-04-19 2003-12-30 Onwafer Technologies, Inc. Methods and apparatus for power control
TW594455B (en) 2001-04-19 2004-06-21 Onwafer Technologies Inc Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control
US6668618B2 (en) 2001-04-23 2003-12-30 Agilent Technologies, Inc. Systems and methods of monitoring thin film deposition
US6583388B2 (en) * 2001-11-13 2003-06-24 Jds Uniphase Corporation High thermal efficiency, small form-factor packages including thermally insulative cavities, and transfer molded variants
US7757574B2 (en) 2002-01-24 2010-07-20 Kla-Tencor Corporation Process condition sensing wafer and data analysis system
US6889568B2 (en) 2002-01-24 2005-05-10 Sensarray Corporation Process condition sensing wafer and data analysis system
US7289230B2 (en) 2002-02-06 2007-10-30 Cyberoptics Semiconductors, Inc. Wireless substrate-like sensor
DE10223035A1 (de) * 2002-05-22 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse, insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul
US7135852B2 (en) 2002-12-03 2006-11-14 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
US7151366B2 (en) 2002-12-03 2006-12-19 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
JP3944465B2 (ja) 2003-04-11 2007-07-11 三菱電機株式会社 熱型赤外線検出器及び赤外線フォーカルプレーンアレイ
US6915589B2 (en) 2003-10-16 2005-07-12 Sensarray Corporation Sensor positioning systems and methods
JP2006032436A (ja) * 2004-07-12 2006-02-02 Hitachi Ltd 電子装置の製造方法、はんだ付け方法及び熱遮蔽治具
JP4500726B2 (ja) * 2005-04-21 2010-07-14 アルプス電気株式会社 高周波機器の取付構造
US7385199B2 (en) 2005-09-26 2008-06-10 Teledyne Licensing, Llc Microbolometer IR focal plane array (FPA) with in-situ mirco vacuum sensor and method of fabrication
TWI405281B (zh) * 2005-12-13 2013-08-11 Sensarray Corp 製程條件感應晶圓及資料分析系統
US8604361B2 (en) 2005-12-13 2013-12-10 Kla-Tencor Corporation Component package for maintaining safe operating temperature of components
JP2007178253A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Tokyo Electron Ltd 温度測定装置および温度測定方法
US7555948B2 (en) * 2006-05-01 2009-07-07 Lynn Karl Wiese Process condition measuring device with shielding
CN100422703C (zh) * 2006-07-20 2008-10-01 金竹声 电气结点发热温度等电位监测探头及其安装方法
JP2010506407A (ja) 2006-10-03 2010-02-25 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 圧力、及び／または、せん断力の検知システム
WO2008103700A2 (en) 2007-02-23 2008-08-28 Kla-Tencor Corporation Process condition measuring device
JP4987546B2 (ja) 2007-04-11 2012-07-25 株式会社リコー 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP5251305B2 (ja) * 2007-08-28 2013-07-31 山里産業株式会社 温度計測器の耐熱保護ボックス及びこれを用いた温度計測装置、並びに温度計測方法
JP5098045B2 (ja) * 2008-04-28 2012-12-12 東京電波株式会社 圧電温度センサとシリコンウエハ温度測定冶具

Also Published As

Publication number Publication date
US20120287574A1 (en) 2012-11-15
JP2014519193A (ja) 2014-08-07
KR20140031297A (ko) 2014-03-12
KR101935070B1 (ko) 2019-01-03
EP2707895A1 (en) 2014-03-19
JP6000338B2 (ja) 2016-09-28
CN103620735A (zh) 2014-03-05
CN103620735B (zh) 2017-06-09
TW201246469A (en) 2012-11-16
EP2707895A4 (en) 2015-08-12
WO2012154359A1 (en) 2012-11-15
US8681493B2 (en) 2014-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI601220B (zh) 於活性電漿中用於原位量測之高溫感測器晶圓
TWI751172B (zh) 用於獲取高溫製程應用中之量測參數之裝置及方法
KR101783362B1 (ko) 온도 측정용 판 형상체 및 그것을 구비한 온도 측정 장치
TWI533411B (zh) 用於似基板之度量裝置之熱屏蔽模組
TW201504603A (zh) 用以量測熱通量之方法及系統
WO2009014609A1 (en) Temperature probes having a thermally isolated tip
TWI731929B (zh) 在高溫處理程序應用中用於獲取測量參數之經檢測基板裝置
TW201240003A (en) Process condition measuring device (PCMD) and method for measuring process conditions in a workpiece processing tool configured to process production workpieces
US8604361B2 (en) Component package for maintaining safe operating temperature of components
JP2024019227A (ja) プロセス条件計測ウェハアセンブリ向けのシステム及び方法
KR102045105B1 (ko) 웨이퍼 기판 상에 모듈을 부착하는 방법