CN103547698B - 热扩散腔室控制设备和方法 - Google Patents

热扩散腔室控制设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103547698B
CN103547698B CN201180068833.6A CN201180068833A CN103547698B CN 103547698 B CN103547698 B CN 103547698B CN 201180068833 A CN201180068833 A CN 201180068833A CN 103547698 B CN103547698 B CN 103547698B
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluid
control signal
encapsulation process
communicated
process chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201180068833.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103547698A (zh
Inventor
M.R.埃里克森
A.L.丁古斯
A.W.卡斯特三世
H.J.普尔
N.贾姆施迪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
POOLE VENTURA Inc
Original Assignee
POOLE VENTURA Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by POOLE VENTURA Inc filed Critical POOLE VENTURA Inc
Publication of CN103547698A publication Critical patent/CN103547698A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103547698B publication Critical patent/CN103547698B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
    • G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
    • G05D23/1932—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/06—Metallic material
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
    • G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1927—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors
    • G05D23/193—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces
    • G05D23/1932—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces
    • G05D23/1934—Control of temperature characterised by the use of electric means using a plurality of sensors sensing the temperaure in different places in thermal relationship with one or more spaces to control the temperature of a plurality of spaces each space being provided with one sensor acting on one or more control means
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00—Control of temperature
    • G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • G05D23/22—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element being a thermocouple
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28C—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA COME INTO DIRECT CONTACT WITHOUT CHEMICAL INTERACTION
    • F28C3/00—Other direct-contact heat-exchange apparatus
    • F28C3/005—Other direct-contact heat-exchange apparatus one heat-exchange medium being a solid
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D1/00—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators
    • F28D1/02—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators with heat-exchange conduits immersed in the body of fluid
    • F28D1/04—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators with heat-exchange conduits immersed in the body of fluid with tubular conduits
    • F28D1/047—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators with heat-exchange conduits immersed in the body of fluid with tubular conduits the conduits being bent, e.g. in a serpentine or zig-zag
    • F28D1/0477—Heat-exchange apparatus having stationary conduit assemblies for one heat-exchange medium only, the media being in contact with different sides of the conduit wall, in which the other heat-exchange medium is a large body of fluid, e.g. domestic or motor car radiators with heat-exchange conduits immersed in the body of fluid with tubular conduits the conduits being bent, e.g. in a serpentine or zig-zag the conduits being bent in a serpentine or zig-zag
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D21/00—Heat-exchange apparatus not covered by any of the groups F28D1/00 - F28D20/00
    • F28D2021/0019—Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for
    • F28D2021/0077—Other heat exchangers for particular applications; Heat exchange systems not otherwise provided for for tempering, e.g. with cooling or heating circuits for temperature control of elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F1/00—Tubular elements; Assemblies of tubular elements
    • F28F1/10—Tubular elements and assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with projections, with recesses
    • F28F1/12—Tubular elements and assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with projections, with recesses the means being only outside the tubular element
    • F28F1/24—Tubular elements and assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with projections, with recesses the means being only outside the tubular element and extending transversely
    • F28F1/32—Tubular elements and assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with projections, with recesses the means being only outside the tubular element and extending transversely the means having portions engaging further tubular elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Heat-Exchange Devices With Radiators And Conduit Assemblies (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)

Abstract

优选地，获得密封处理腔室(168)的内外热测量值允许控制系统(202)基于内外热测量值与预定值的比较来生成控制信号。向流体处置系统(216)提供控制信号，其中流体处置系统调制第一流体围绕密封处理腔室外部的流动。还向闭环热交换系统(220)提供控制信号，其中闭环热交换系统基于控制信号来调制在密封处理腔室的内腔内的第二流体的流动。还向开环热交换系统(218)提供控制信号，其中开环热交换系统调制密封处理腔室的内腔内的第三流体的流动。

Description

热扩散腔室控制设备和方法
背景技术
一种太阳能产生的形式依赖于太阳电池板，太阳电池板继而依赖于选定材料到基板上的扩散。在一示例中，玻璃用作基板，其向气态硒化物物种暴露以在基板上形成含铜、铟和硒化物的膜。已知气态硒化物物种对人有毒，这强调了谨慎的处置方法，包括热调节系统。
这样，能以高效且可靠方式排除气态硒化物物种从处理腔室内向大气迁移和泄露的热调节系统可显著地改进向基板提供在基板内扩散的含铜、铟和硒化物的膜中所使用的热腔室的操作和生产输出。
因此，存在着对于对热扩散腔室的处理腔室进行热调节的有所改进的机构和方法的持续需要。
发明内容
本公开涉及热扩散腔室，且特定而言，涉及用于控制热扩散腔室器械的处理腔室的内外温度的热控制系统和方法。
根据各种示例性实施例，监视了一种密封处理腔室的外部温度，并且基于密封处理腔室的所监视的外部温度，将外部热测量值传输到一种控制系统。控制系统比较外部热测量值与预定值，并且基于外部热测量值与预定值的比较来生成控制信号。
由控制系统将控制信号提供给第一流体处置系统，其中第一流体处置系统基于控制信号来调制第一流体围绕密封处理腔室的外部的流动。控制系统还向第二流体处置系统提供控制信号，其中第二流体处置系统基于控制信号来调制在密封处理腔室的内腔内第二流体的流动。
在一替代示例性实施例中，监视了密封处理腔室的内外温度；并且基于密封处理腔室的所监视的内外温度；内外热测量值中的每一个被传输到控制系统。控制系统比较内外热测量值与预定值，并且基于内外热测量值与预定值的比较来生成控制信号。
由控制系统将控制信号提供给第一流体处置系统，其中第一流体处置系统基于控制信号来调制第一流体围绕密封处理腔室的外部的流动。控制系统还向第二流体处置系统提供控制信号，其中第二流体处置系统基于控制信号来调制在密封处理腔室的内腔内第二流体的流动。
根据各种替代示例性实施例，监视了密封处理腔室的外部温度，并且基于密封处理腔室的所监视的外部温度；将外部热测量值传输到控制系统。控制系统比较外部热测量值与预定值，并且基于外部热测量值与预定值的比较来生成控制信号。
由控制系统将控制信号提供给一种流体处置系统，其中流体处置系统基于控制信号来调制第一流体围绕密封处理腔室的外部的流动。还向一种闭环热交换系统提供控制信号，其中闭环热交换系统基于控制信号来调制在密封处理腔室的内腔内的第二流体的流动。以及另外，由控制系统将控制信号提供给一种开环热交换系统，其中开环热交换系统调制密封处理腔室的腔内部内的第三流体的流动。
替代地，监视了密封处理腔室的内外温度；并且基于密封处理腔室的监视的内外温度；将内外热测量值中的每一个传输到控制系统。控制系统比较内外热测量值与预定值，并且基于内外热测量值与预定值的比较来生成控制信号。
由控制系统将控制信号提供给流体处置系统，其中流体处置系统基于控制信号来调制第一流体围绕密封处理腔室外部的流动。还向闭环热交换系统提供控制信号，其中闭环热交换系统基于控制信号来调制在密封处理腔室的内腔内的第二流体的流动。另外，由控制系统将控制信号提供给开环热交换系统，其中开环热交换系统调制密封处理腔室的腔内部内的第三流体的流动。
通过阅读下文的详细描述和参看相关联的附图，为所要求保护的本发明的特征的这些和各种其它特点和优点将会变得显然。
附图说明
图1显示了所要求保护的本发明的热腔室的示例性实施例的部分剖视的正交投影。
图2提供被构造用于图1的热腔室的示例性实施例的示例性基板支承框架的正交投影。
图3示出了图1的热腔室的示例性实施例的截面右侧立视图。
图4示出了图1的热腔室的示例性实施例的截面前立面视图，示出了排放歧管和管道。
图5示出了图1的热腔室的示例性实施例的附连有入口管道的流体入口箱的放大详细截面立视图。
图6描绘了图1的热腔室的示例性实施例的截面右侧立视图，示出了示例性闭环内部热交换器。
图7示出了图1的热腔室的示例性实施例的截面右侧立视图，示出了示例性开环内部热交换器。
图8描绘了图1的热腔室的示例性实施例的截面右侧立视图，示出了示例性内部热传感器。
图9大体上示出了图1的热腔室的示例性组合内部热传感器、开环内部热交换器和闭环内部热交换器组件的平面图。
图10显示了图1的热腔室的具有附连的主热偏转组件的示例性门的正交投影。
图11提供了图10的主热分散组件的正交投影。
图12示出了图1的热腔室的次要热分散组件的正交投影。
图13示出了用于冷却图1的热腔室的内部和外部的冷却热交换系统的示意图。
图14总体上示出了对图1的热腔室的示例性实施例进行控制的方法的流程图。
图15展示了对图1的热腔室的示例性实施例进行控制的替代方法的流程图。
图16示出了对图1的热腔室的替代示例性实施例进行控制的替代方法的流程图。
图17显示了对图1的热腔室的示例性实施例进行控制的替代方法的流程图。
具体实施方式
现将详细地参考附图中所描绘的本发明的各种实施例的一个或多个示例。每个示例以解释本发明的各个实施例的方式提供且并不意味着限制本发明。例如，作为一个实施例的部分而图示或描述的特点可用于另一实施例以得到又一不同的实施例。对所描述的实施例的其它修改和变型也被涵盖于所要求保护的本发明的范围和精神内。
转至附图，图1显示了示例性热扩散腔室100，其包括由框架104所支承的至少一种存放腔室102。存放腔室102继而支承着一种处理腔室106。优选地，示例性热扩散腔室100还包括安置于处理腔室106与存放腔室102之间的热源腔室108，和形成于处理腔室106与热源腔室108之间的热调节腔110。图1还示出了设置至少一个流体入口箱112，其与热调节腔110成流体连通。
图2示出了被构造用于(图1的)热扩散腔室100的示例性实施例的一种示例性基板支承框架113。在一优选实施例中，基板支承框架113由石英形成且容纳多个基板115(未图示)。在操作中，基板支承框架113装满基板115并且定位于处理腔室106内。在处理腔室106内，基板支承框架113用作一种在扩散处理/过程期间用于所述基板115的固定件。优选地，基板115为矩形，具有基本上650毫米的宽度和基本上1650毫米的长度，并且由玻璃，优选地钠钙硅玻璃而形成。
图3示出了热扩散腔室100的示例性实施例包括与热调节腔110成流体连通的流体入口箱112。由图3还示出的是优选地位于热源腔室108与处理腔室106之间的多个支承件114。
在优选示例性实施例中，热源腔室由多个加热器116(在本文中也被称作热源)形成，热源模块在示例性实施例中由基本上一共二十二(22)个加热器组成。优选地，每个加热器提供加热器壳118、与加热器壳相邻的加热器绝缘物120、和多个加热元件122。在示例性实施例中，加热元件122被加电且优选地为盘绕元件/线圈式元件。但是，应当指出的是术语“热源”并不限于所公开的多个加热器116。热源116可包括，但不限于天然气、过热蒸汽、地热能、或用以在处理腔室106内产生所希望的温度的任何其它能源。
返回至图1，其示出了流体入口箱112还包括牢固固定到入口歧管126上的入口管道124。优选地，入口歧管126将空气递送到流体入口箱112以用于在处理腔室106上分配，如在图3中所描绘的那样。
图3还示出了示例性热扩散腔室110包括净化管道128，净化管道128与热调节腔110成流体连通且被牢固固定到出口歧管130上，出口歧管130选择性地提供小于大气压力的内部压力以抽吸空气通过流体入口箱112、围绕处理腔室106、且从净化管道128出来。
如也由图3示出的，还示出了与处理腔室16接触相邻的多个外部热传感器132，外部热传感器132延伸穿过相对应的加热器116、且提供用于从存放腔室102外侧连接的电引线133。在示例性热扩散腔室100的优选操作模式，暂停了流体流动，即流体流动经历了流体流动调制，以提供处理腔室106外部温度的更准确读数。从外部热传感器132收集的信息用于交叉检查由图8的内部热传感器组件158所收集的信息。优选地，被内部热传感器收集的信息用于判断哪些流体入口箱112应当经历流体流动的限制，且哪些应被调整为针对最大流体流动。
通过调整流体通过多个流体入口箱112的流动，可实现对处理腔室106更均匀的冷却。另外，在示例性热扩散腔室100的替代优选操作模式，内部热传感器组件158，以及来自多个热传感器132的额外输入，提供用于调节在处理腔室106加热循环期间供应给加热元件122的电量的信息。即，在处理腔室106加热循环期间，电力被供应到多个加热器116中的每一个。通过调制，可被调制的电力被供应到多个加热器116中每一个，且可实现处理腔室106的更均匀加热。
图4描绘了流体入口箱112包括板阀134，板阀134减缓流体从内调节腔110通过流体入口箱112并且到存放腔室102外部的流动。图4还示出了流体入口箱112包括流动调整结构136，流动调整结构136优选地包括由马达137控制的定位轴135。响应于马达137的旋转，定位轴135与板阀134相互作用以控制流体从存放腔室102外部经过板阀134并且到热调节腔110内的流动。
图5提供了流体入口箱112的更详细视图。在一优选实施例中，流体入口箱112还提供支承着与板阀134接触相邻的入口管道124的一种引入端口138。优选地，流体入口箱112还提供排放端口140，排放端口140支承着与热调节腔110成流体连通的出口管道142。在流体入口箱112的操作期间，马达137的一对夹紧辊139作用于定位轴135上以改变定位轴135相对于板阀134的定位。
如由图5所示，在一种优选实施例中，除了提供支承着出口管道142的排放端口140之外，流体入口箱112提供一种延伸管道150，延伸管道150具有近端和远端，近端与出口管道142接触相邻、且牢固固定到出口管道142上，延伸管道150被提供用于将源自存放腔室102的流体传导至图4的热调节腔。延伸管道150的远端优选地被制成具有固定于其上的扩散构件152，其中，扩散构件152被构造成排除了源自存放腔室102外部的流体在垂直于处理腔室106外部的流中供应到图4的处理腔室106。
图5还示出了流体入口箱112还设有安置于板阀134与枢轴支承件156之间的枢轴销154。枢轴支承件156与入口管道124相邻地牢固固定。当流体被抽吸到热调节腔110内时，枢轴销154，与流动调整结构136相组合，促进了板阀134从与入口管道124接触相邻的受控制、预定且可调整的移位。枢轴销还当阻止了源自存放腔室102外部的流体流动时促进了与入口管道124相邻的板阀134的关闭。换言之，当流体未被抽吸到热调节腔110内时，关闭的板阀134制止流体从热调节腔110到存放腔室102外部的传递。
图6示出了热扩散腔室100的示例性实施例包括了与热调节腔110流体连通的流体入口箱112。在图6中还示出了腔室门160。优选地，腔室门160包括牢固固定到主体部164上的面板162、和牢固固定到面板162上的主要热分散组件166。除了底部之外，主要热分散组件166与密封处理腔室168的内表面紧邻对准。当腔室门160被牢固固定成与处理腔室106成密封接触时优选地形成密封处理腔室168。
在图6的示例性实施例中，次要热分散组件170与主要热分散组件166对准并且搁置于密封处理腔室168的内表面的壁相上。结合多个支承构件172，次要热扩散组件170约束并且支承着与密封处理腔室168的底部相邻的闭环热交换器174。闭环热交换器174提供用于使流体循环通过密封处理腔室168内部的器件，以在热扩散腔室100的处理循环期间便利于冷却所述密封处理腔室168的内部。
图7示出了热扩散腔室100的替代示例性实施例包括与热调节腔110流体连通的流体入口箱112。图7还进一步示出了腔室门160，其优选地包括牢固固定到主体部164上的面板162、和牢固固定到面板162上的主要热分散组件166。除了底部之外，主要热分散组件166与密封处理腔室168的内表面紧邻对准。
在图7的替代示例性实施例中，次要热分散组件170与主要热分散组件166对准并且搁置于密封处理腔室168的内表面底部上。结合多个支承构件176，次要热扩散组件170约束并且支承着与密封处理腔室168的底部相邻的开环热交换器178。开环热交换器178提供多个供应端口180，在热扩散处理100的处理循环期间，流体可通过多个供应端口180而被引入到密封热腔室168内，以便利于冷却所述密封处理腔室168。
图8示出了热扩散腔室100的替代示例性实施例包括与热调节腔110流体连通的流体入口箱112。图8还进一步示出了腔室门160，其优选地包括牢固固定到主体部164上的面板162、和牢固固定到面板162上的主要热分散组件166。除了底部之外，主要热分散组件166与密封处理腔室168的内表面紧邻对准。
在图8的替代示例性实施例中，次要热分散组件170与主要热分散组件166对准并且搁置于密封处理腔室168的内表面底部上。结合多个支承构件182，次要热分散组件170约束并且支承着与密封处理腔室168的底部相邻的热传感器组件158。热传感器组件158提供沿着密封处理腔室168的长度而安置的多个热电偶184。多个热电偶184响应于158的温度变化还包括传感器管道186，传感器管道186从密封处理腔室的开口通过密封处理腔室168的至少中部而延伸。传感器管道186屏蔽多个热电偶避免向密封处理腔室168的内部环境暴露。
图8还示出了热传感器组件158优选地还包括连接到并且对应于多个热电偶184中每一个热电偶的多个信号线188。每个信号线188响应于密封处理腔室168内部的温度变化而将信号传送到密封处理腔室168的外部。
如在图9的优选实施例中所示，组合的热交换组件190包括下列中的每一个：图6的闭环热交换器174；图7的开环热交换器178；以及图8的热传感器组件158。闭环热交换器174、开环热交换器178和热传感器组件158各自由多个热交换器支承件192所支承，并且附连到次要热分散组件170并且受到次要热分散组件170约束。
图10提供了腔室门160的更详细描绘。优选地，腔室门160包括牢固固定到主体部164上的面板162、和牢固固定到面板162上的灯支承件194。如图10所示，腔室门160还包括主要热分散组件166，而灯支承件194提供多个对准缺口195(由图11所示)，其中所述热分散组件166在多个对准缺口195上对准；并且在图8的热扩散腔室100的操作模式期间闲置/搁置。
图11还示出了主要热分散组件166包括至少与多个辐射反射板197相邻的扩散板196。扩散板195和多个辐射反射板197优选地保持与灯支承件194对准。在优选示例性实施例中，主体部164、面板162和热分散组件166优选地由石英形成。
图12示出了次要热分散组件170提供多个接入端口198，多个接入端口198用于对准、支承并且约束图8的闭环热交换器174、开环热交换器178、和热传感器组件158。优选地，次要热分散组件170包括至少与多个辐射反射板197a相邻的扩散板196a，在优选实施例中，其优选地由石英形成。
图13示出了用于在热扩散腔室100的处理循环期间对于所述密封的热腔室168的内部和外部进行冷却的热交换系统200的示意图。在一优选实施例中，热交换系统200包括与第一流体处置系统216、第二流体处置系统218、和第三流体处置系统220中每一个相连通的控制系统202(在本文中也被称作控制器202)。优选地，控制系统202包括与至少第一流体处置系统、第二流体处置系统和第三流体处置系统(216, 218, 220)和控制器204相连通的至少一个控制信号总线222。
在一优选实施例中，控制器202包括至少与控制信号总线222相连通的输入/输出模块204；与输入/输出模块204相连通的处理器206；储存着控制逻辑210并且与处理器204连通的存储器208；与处理器204连通的输入装置212；以及与处理器206连通的显示器214。
在热腔室100优选操作期间，在由输入/输出模块204接收围绕密封处理腔室168的外部流动的第一流体的测量温度值时，输入/输出模块204向处理器206提供了围绕密封处理腔室的外部流动的第一流体的所述测量温度值。处理器206存取/访问所储存的控制逻辑210并且基于围绕密封处理腔室168外部的第一流体的测量温度值来确定了控制信号。处理器206向输入/输出模块204传输控制信号，输入/输出模块204通过控制信号总线222使控制信号前移到第一流体处置系统216。
优选地，处理器206还在使用中基于从与第一流体处置系统216的流体转移装置226相连通的流动使用监视装置224所接收的数据来确定通过第一流体处置系统216流动的流体的使用中流量百分比。处理器206还优选地向显示器214提供第一流体转移装置226的使用中流量百分比和围绕密封处理腔室168的外部而流动的第一流体的测量温度值。
图13的示意图示出了热交换系统200优选地利用多个控制阀228，响应于由处理器206生成并且由控制信号总线222提供给多个控制阀228中每一个的控制信号，来控制流体通过第一流体处置系统、第二流体处置系统和第三流体处置系统 (216, 218, 220)中每一个的流动。图13还示出了热交换系统200优选地利用：多个止回阀230，用以控制流体通过第一流体处置系统、第二流体处置系统和第三流体处置系统(216, 218, 220)中每一个的流动的逆流；以及，多个热传感器232，用于向处理器206提供温度测量值，处理器基于温度测量值来确定传输到多个控制阀228的每个相对应的控制阀的多个控制信号。
图13还提供了流动方向符号234，流动方向符号234展示了通过每个相对应的第一流体处置系统、第二流体处置系统和第三流体处置系统(216, 218, 220)的流体流动方向、并且多个热传感器232中的每一个以及多个控制阀228中的每一个与控制信号总线222相连通。在一优选实施例中，第一流体处置系统216包括至少与至少一个流体入口箱112成流体连通的第一流体转移装置226。至少一个流体入口箱112优选地与密封处理腔室168外部成流体连通，并且至少一个流体入口箱112包括至少：流动调整结构137(图5)，用于控制第一流体围绕密封处理腔室168外部的流动；以及流体返回管道130，与密封处理腔室168的外部和第一流体转移装置226中每一个成流体连通，流体返回管道130使绕密封处理腔室168流动的第一流体返回到第一流体转移装置226。
如由图13所示，第一流体处置系统优选地包括与返回的第一流体和控制系统202中每一个相连通的多个流体传感器232的第一热传感器，第一热传感器测量了返回的第一流体的温度值并且向控制系统202提供该值。在由控制系统202接收所测量的温度值时，控制系统202的处理器206比较了所测量的温度值与预定温度值并且将控制信号发送到安置于流体返回管道130与第一流体转移装置226之间的多个控制阀228的第一控制阀。响应于控制信号，第一控制阀调制了返回的第一流体从密封处理腔室168外部到第一流体转移装置226的流动。
由图13进一步示出，第一流体处置系统216优选地还包括一种管线内流体加热器236，例如由USA的Danvers Main的 OSRAM Sylvania制造的SureHeat MAX® 。优选地，管线内加热器236被装设到第一流体处置系统216内在流体转移装置226与多个流体入口箱112之间。可基于由对离开所述流体转移装置226的第一流体进行测量的第二热传感器所提供的温度测量值，通过响应于由控制信号总线222从处理器206提供的控制信号来启动第二控制阀，而将管线内流体加热器236选择性地包括于第一流体的流体路径中。当离开流体转移装置226的第一流体的外流温度小于流体入口箱112的所希望的入口温度时，优选地使用管线内流体加热器236。
此外，第一流体处置系统216优选地还包括热交换器238，热交换器238在外部并且装设于第一流体处置系统216内在热扩散腔室100与流体转移装置226之间。可基于由对离开热扩散腔室100的第一流体进行测量的第三热传感器所提供的温度测量值，通过响应于由控制信号总线222从处理器206提供的控制信号来启动第三控制阀，而将热交换器238选择性地包括于第一流体的流体路径中。优选地，热交换器238用于保护流体转移装置226防止经历超过其操作参数的热条件。
为了提供关于多个热源116(图8)中每一个的使用中热容量的数据，第一流体处置系统216优选地还包括与多个热源116的热元件122和控制系统202中每一个相连通的能量使用监视装置240。能量监视装置240优选地用于保护克服多个热源116中每一个的热逸散（thermal runaway）。即，当多个热源116中的任一个超过优选的预定使用中百分比时，处理器206向一种能源控制单元发布命令，指导能源控制单元停止能量供应到操作范围外的热源116。处理器还优选地向显示器214提供多个热源116中每一个的使用中热容量状况用于由显示器214呈现。
在图13所示的优选实施例中，第三流体处置系统220优选地包括与至少一个流体分配管道224成流体连通的至少一种闭合系统流体转移装置242。至少一个流体分配管道112优选地与密封处理腔室168的内部成流体连通。优选地，进给管道246安置于第二流体转移装置242与至少一个流体分配管道242之间。进给管道246优选地将第二流体从第二流体转移装置242传送到至少一个流体分配管道244。
而且，优选地由第二流体处置系统218设有安置于进给管道246与至少一个流体分配管道244之间的止回阀，止回阀减缓了从密封处理腔室168的内部到第二流体转移装置242的逆流。此外，内部流体控制阀优选地装设于第二流体转移装置242与至少一个流体分配管道244之间，以控制第二流体进入到密封处理腔室168的内部内的流动。优选实施例还设置一种流体收集管道248，流体收集管道248与密封处理腔室168的内部和第二流体转移装置242成流体连通。流体收集管道248使流入到密封处理腔室168内部的第二流体返回到第二流体转移装置242。
优选地，与返回的第二流体和控制系统202相连通的第四热传感器由第二流体处置系统218提供。第四热传感器优选地测量返回的第二流体的温度值，并且向控制系统202提供所述测量的温度值。在由控制系统202接收到测量温度值时，控制系统202比较测量的温度值与预定温度值并且将内部流体控制阀信号发送到内部流体控制阀以响应于内部流体控制阀信号而调制返回的第二流体到第二流体转移装置242的流动。
由图13进一步示出，第二流体处置系统218优选地还包括管线内流体加热器236，例如由USA的Danvers Main的 OSRAM Sylvania制造的SureHeat MAX®。优选地，管线内加热器236装设于第二流体处置系统218内在流体转移装置242与进给管道246之间。可响应于由控制信号总线222从处理器206提供的控制信号通过启动第四控制阀而将管线内流体加热器236选择性地包括于第二流体的流体路径中。控制信号优选地基于由对离开流体转移装置242的第二流体进行测量的第五热传感器所提供的温度测量值。当离开流体转移装置242的第二流体的外流温度小于至少一个流体分配管道112的所希望的入口温度时，优选地使用管线内流体加热器236。
此外，第二流体处置系统218优选地还包括热交换器250，热交换器250在外部并且装设于第二流体处置系统218内在流体收集管道248与第二流体转移装置242之间。可基于由对进入流体收集管道248的第二流体进行测量的第六热传感器所提供的温度测量值，通过响应于由控制信号总线222从处理器206提供的控制信号启动第五控制阀而将热交换器250选择性地包括于第二流体的流体路径中。
优选地，热交换器250用于保护流体转移装置242防止经历超过其操作参数的热条件。另外，为了提供关于流体转移装置242的使用中百分比的数据，一种流动使用监视装置252优选地用于防止超过流体转移装置242的操作能力。
在图13所示的优选实施例中，第三流体处置系统220优选地为闭环流体处置系统220。即，第三流体与闭环流体处置系统220外部的所有环境隔离。闭环流体处置系统220优选地包括与至少一个流体分配管道256成流体连通的至少一种闭环流体转移装置254。至少一个流体分配管道256优选地与密封处理腔室168的内部相邻。优选地，一种进给管道258安置于闭环流体转移装置254与至少一个流体分配管道256之间。进给管道258优选地将隔离的第三流体从闭环流体转移装置254传送到至少一个流体分配管道244。
而且，优选地，闭环流体处置系统220还设置有止回阀，止回阀安置于进给管道258与至少一个流体分配管道256之间，止回阀减缓了从至少一个流体分配管道256到闭环流体转移装置254的逆流。此外，第六流体控制阀优选地装设在闭环流体转移装置254与至少一个流体分配管道256之间，以控制所隔离的第三流体进入到至少一个流体分配管道256的流动。优选实施例也提供与返回管道262和闭环流体转移装置254成流体连通的流体收集管道260。流体收集管道260使流入到至少一个流体分配管道256内的隔离的第三流体返回。
优选地，与返回的隔离的第三流体和控制系统202相连通的第七热传感器由第二流体处置系统218提供。第七热传感器优选地测量返回的隔离的第三流体的温度值，并且向控制系统202提供所述测量的温度值。在由控制系统202接收所测量的温度值时，控制系统202比较测量的温度值与预定温度值、并且将流体控制阀信号发送到流体控制阀，流体控制阀优选地装设于流体收集管道260与返回管道262之间。流体控制阀优选地用来响应于流体控制阀信号来调制返回的隔离的第三流体从返回管道262到闭环流体转移装置254的流动。
由图13进一步示出，闭环流体处置系统220优选地还包括管线内流体加热器264，诸如由USA的Danvers Main的 OSRAM Sylvania制造的SureHeat MAX®。优选地，管线内加热器264装设在闭环流体处置系统220内在进给管道258与至少一个流体分配管道256之间。管线内流体加热器236可响应于控制信号在闭环流体处置系统220的操作模式期间选择性地接合或脱离。控制信号优选地基于由对离开外部气体对气体热交换器266的隔离的第三流体进行测量的第八热传感器所提供的温度测量值。外部气体对气体热交换器266优选地装设于闭环流体处理系统220内在进给管道258与闭环流体转移装置254之间。当离开外部气体对气体热交换器266的隔离的第三流体的外流温度小于至少一个流体分配管道256的所希望的入口温度时，优选地使用了管线内流体加热器264。优选地，外部气体对气体热交换器266从由返回管道262提供的隔离的第三流体而提取热，并且将所提取的热转移到由闭环流体转移装置254所提供的隔离的第三流体。
此外，闭环流体处置系统220优选地还包括热交换器268，热交换器268在闭环流体转移装置254内部并且装设在闭环流体转移装置254内。可基于由对离开外部气体对气体热交换器266的隔离的第三流体进行测量的第九热传感器所提供的温度测量值，通过响应于由控制信号总线222从处理器206提供的控制信号启动第六控制阀而将热交换器268选择性地包括于隔离的第三流体的流体路径中。
优选地，热交换器268用于防止容纳于闭环流体转移装置254内的流体前移装置270经历超过所述流体前移装置270的操作参数的热条件。另外，为了提供关于闭环流体转移装置254的使用中百分比的数据，一种流动使用监视装置272优选地用于在由连接到流体前移装置270的驱动系统274进行操作时防止超过流体转移装置270的操作能力。在一优选实施例中，当流体处于周围温度时，隔离的第三流体保持在低于大气压力的压力，以当隔离的第三流体从密封处理腔室168内部吸收热能时允许隔离的第三流体的热膨胀。
应当指出的是第一流体、第二流体和隔离的第三流体中的每一个可为多种流体中的任何流体，包括(但不限于)空气、水、氮气、氦气、丙二醇、乙二醇或任何其它热转移交感流体(sympathetic fluid)。
还应当指出的是图13示出了优选实施例热交换系统200包括示例性组合的热交换组件190，其优选地包括下列中的每一个：图6的闭环热交换器174；图7的开环热交换器178；以及图8的热传感器组件158。
本领域技术人员将认识到替代实施例固有地由图13展示。其中的许多包括(但不限于)与密封处理腔室168的外部成流体连通的流体处置系统，诸如216，组合着与密封处理腔室168内部成流体连通的闭环热交换系统。其中控制系统202与流体处置系统216和闭环热交换系统中每一个相连通，并且响应于密封处理腔室的测量的内部温度而设置围绕密封处理腔室168的外部流动的流体和穿过闭环热交换系统而流动的流体中每一流体的流率。
在本替代实施例中，闭环热交换系统优选地包括至少一种流体转移装置，诸如与至少一个闭环热交换器（诸如图6的闭环热交换器174）成流体连通的闭环流体转移装置254。在本替代实施例中，示例性闭环热交换器174的外表面与密封处理腔室168的内表面相邻。
第二替代实施例包括至少一种与密封处理腔室168的外部成流体连通的流体处置系统，诸如216，组合着与密封处理腔室168的内部成流体连通的开环热交换系统。第二替代实施例优选地还包括控制系统202，控制系统202与流体处置系统216和开环热交换系统中的每一个连通，并且响应于密封处理腔室的测量的内部温度来设置围绕密封处理腔室168的外部流动的流体，穿过开环热交换系统流入到密封处理腔室168的处理腔的流体中每一个的流率。
在本第二替代实施例中，开环热交换系统优选地包括至少一种流体转移装置，诸如与至少一个开环热交换器（诸如图7的开环热交换器178）成流体连通的流体转移装置242。在本替代实施例中，示例性闭环热交换器174的外表面与密封处理腔室168的内表面相邻。
第三替代实施例包括至少一种与密封处理腔室168的外部成流体连通的流体处置系统，诸如216，组合着闭环热交换系统和开环热交换系统，其中开环热交换系统和闭环热交换系统二者都与密封处理腔室168的内部成流体连通。
第三替代实施例优选地还包括控制系统202，控制系统202与流体处置系统216、闭环热交换系统和开环热交换系统中的每一个连通，并且响应于密封处理腔室的测量的内部温度来设置围绕密封处理腔室168的外部而流动的流体和穿过开环热交换系统和闭环热交换系统中每在本第三替代实施例中，开环热交换系统优选地包括至少一种流体转移装置，诸如与至少一个开环热交换器（诸如图7的开环热交换器178）成流体连通的流体转移装置242。在本替代实施例中，示例性闭环热交换器174的外表面与密封处理腔室168的内表面相邻。另外，在第三替代实施例中，闭环热交换系统优选地包括至少一种流体转移装置，诸如与至少一个闭环热交换器（诸如图6的闭环热交换器174）成流体连通的闭环流体转移装置254。在本替代实施例中，示例性闭环热交换器174的外表面与密封处理腔室168的内表面相邻。
图14提供了控制一种热腔室300的示例性方法，其始于开始步骤302并且以处理步骤304继续。在处理步骤304，监视了处理腔室(诸如168)的外部温度。在处理步骤306，将热测量值传输到控制系统(诸如202)。在处理步骤308，比较热测量值与预定值。在处理步骤310，由控制系统基于温度测量值与预定值的比较来生成控制信号。优选地，密封处理腔室包括至少一种内表面和一种外表面。
在处理步骤312，由控制系统向第一流体处置系统(诸如216)提供控制信号。在处理步骤314，由控制系统向第二流体处置系统(诸如218或220)提供控制信号，并且处理止于结束处理步骤316。
图15提供了控制一种热腔室400的示例性方法，其始于开始步骤402并且以处理步骤404继续。在处理步骤404，监视了处理腔室(诸如168)的内外温度。在处理步骤406，将内外热测量值中的每一个传输到控制系统(诸如202)。在处理步骤408，比较所述内外热测量值中的每一个与预定值。在处理步骤410，由控制系统基于内外测量值与预定值的比较来生成控制信号。优选地，密封处理腔室包括至少一种内表面和一种外表面。
在处理步骤412，由控制系统向第一流体处置系统(诸如216)提供控制信号。优选地，第一流体处置系统设置流体入口箱(诸如112)，流体入口箱设置板阀(诸如134)。板阀减缓了流体从热调节腔通过流体入口箱和所述存放腔室的外部的流动，并且其中流体入口箱还包括与板阀相互作用的流动调整结构(诸如136)以控制流体从存放腔室的外部经过板阀到热调节腔内的流动。
在处理步骤414，由控制系统向第二流体处置系统(诸如218或220)提供控制信号并且处理止于结束处理步骤416。优选地，第二流体处置系统提供在热扩散处理循环期间转移流体进出密封处理腔室内部的装置。
图16提供了控制一种热腔室500的示例性方法，其始于开始步骤502并且以处理步骤504继续。在处理步骤504，监视了处理腔室(诸如168)的外部温度。在处理步骤506，将热测量值传输到控制系统(诸如202)。在处理步骤508，比较热测量值与预定值。在处理步骤510，由控制系统基于温度测量值与预定值的比较生成控制信号。优选地，密封处理腔室包括至少一种内表面和一种外表面。
在处理步骤512，由控制系统向流体处置系统(诸如216)提供控制信号。优选地，第一流体处置系统提供流体入口箱(诸如112)，流体入口箱设置板阀(诸如134)。板阀减缓从内调节腔通过流体入口箱和存放腔室的外部的流动，并且其中流体入口箱还包括与板阀相互作用的一种流动调整结构(诸如136)以控制流体在存腔室的外部经过板阀到热调节腔内的流动。
在处理步骤514，由控制系统向闭环热交换系统(诸如图13的296)提供控制信号。优选地，闭环热交换系统提供用于在热扩散处理循环中转移流体进出密封处理腔室内部的装置，而不会使转移的流体向密封处理腔室的内部环境暴露。在处理步骤516，由控制系统向开环热交换系统(诸如图13的298)提供控制信号；开环热交换系统优选地定位成与密封处理腔室的内部成流体连通。优选地，开环热交换系统提供用于通过牵引所转移的流体通过密封处理腔室的内部环境而在热扩散处理循环期间转移流体进出密封处理腔室内部的装置，并且处理止于结束处理步骤518。
图17提供控制一种热腔室600的示例性方法，该方法始于开始步骤602并且以处理步骤604继续。在处理步骤604，监视了处理腔室(诸如168)的内外温度。在处理步骤606，将内外热测量值中的每一个传输到控制系统(诸如202)。在处理步骤608，比较内外热测量值中的每一个与预定值。在处理步骤610，由控制系统基于比较的内外测量值与预定值来生成控制信号。优选地，密封处理腔室包括至少一种内表面和一种外表面。
在处理步骤612，由控制系统向流体处置系统(诸如216)提供控制信号。优选地，第一流体处置系统设置流体入口箱(诸如112)，流体入口箱设置板阀(诸如134)。板阀减缓流体从热调节腔通过流体入口箱和存放腔室的外部的流动，并且其中流体入口箱还包括与板阀相互作用的一种流动调整结构(诸如136)以控制流体从存放腔室的外部经过板阀到热调节腔内的流动。
在处理步骤614，由控制系统向闭环热交换系统(诸如图13的296)提供控制信号。优选地，闭环热交换系统设置用于在热扩散处理循环期间转移流体进出密封处理腔室内部，而不会使转移的流体向密封处理腔室的内部环境暴露。在处理步骤616，由控制系统向开环热交换系统(诸如图13的298)提供控制信号；开环热交换系统优选地被定位成与密封处理腔室的内部成流体连通。优选地，开环热交换系统设置用于通过牵引所转移的流体通过密封处理腔室的内部环境而在热扩散处理循环期间转移流体进出密封处理腔室内部的装置，并且处理止于结束处理步骤618。
应了解到，尽管在前文的描述中已陈述了本发明的各种实施例的许多特征和优点，以及本发明的各种实施例的结构和功能的细节，这些详细描述仅为说明性的、且在所要求保护的本发明的原理内可做出细节变化，特别是在部件的结构和布置方面，本要求保护的发明的原理完全由所附权利要求中所表达的术语的广泛一般意义来表示。例如，在不偏离所要求保护的本发明的精神和范围的情况下，特定元件可根据特定应用而变化。
将显然的是，本发明特别适于实现所提到的目的和优点以及本发明所固有的那些目的和优点。虽然出于本公开的目的已描述了目前优选的实施例，可做出多种变化，这些变化对于本领域技术人员而言将会显而易见并且涵盖于所附权利要求中。

Claims (22)

1.一种通过包括下列的步骤来控制热扩散腔室的方法：
监视一种密封处理腔室的外部温度；
基于所述监视的密封处理腔室的外部温度来将外部热测量值传输到一种控制系统；
比较所述外部热测量值与预定值；
基于所述外部热测量值与所述预定值的比较来生成控制信号；
向第一流体处置系统提供所述控制信号，其中所述第一流体处置系统基于所述控制信号来调制第一流体围绕所述密封处理腔室外部的流动；以及
向第二流体处置系统提供所述控制信号，其中所述第二流体处置系统基于所述控制信号来调制在所述密封处理腔室的内腔内第二流体的流动。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封处理腔室的所述外部温度通过包括下列的步骤来监视：
将多个热电偶固定成与所述密封处理腔室接触相邻；
将与所述多个热电偶的每个相对应的热电偶相关联的电引线附连到控制信号总线；
将所述控制信号总线连接到所述控制系统；以及
启动所述多个热电偶的所述热电偶中的每一个以指示监视所述密封处理腔室的外部温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述控制系统包括至少：
控制信号总线，与至少所述第一流体处置系统和第二流体处置系统连通；以及
与所述控制信号总线连通的控制器，所述控制器包括：
与所述控制信号总线连通的输入/输出模块；
与所述输入/输出模块连通的处理器；
存储器，储存控制逻辑并且与所述处理器连通；
与所述处理器连通的输入设备；以及
与所述处理器连通的显示器，其中在所述输入/输出模块接收所述测量的外部热测量值时，所述输入/输出模块向所述处理器提供所述测量的外部热测量值，所述处理器存取所述存储的控制逻辑并且基于所述测量的外部热测量值来确定所述控制信号，所述处理器向所述输入/输出模块提供所述控制信号，所述输入/输出模块通过控制信号总线使所述控制信号前移到所述第一流体处置系统和所述第二流体处置系统中的每一个。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一流体处置系统包括：
第一流体转移设备，与至少一个流体入口箱成流体连通，所述至少一个流体入口箱与所述密封处理腔室外部成流体连通，所述至少一个流体入口箱包括至少流动调整结构用于控制所述第一流体围绕所述密封处理腔室外部的流动；
流体返回管道，与所述密封处理腔室外部和所述第一流体转移设备中每一个流体连通，所述流体返回管道使围绕所述密封处理腔室流动的所述第一流体返回到所述第一流体转移设备；
热传感器，与所述返回的第一流体和所述控制系统中的每一个连通，所述热传感器测量所述返回的第一流体的温度值并且向所述控制系统提供所述测量的温度值；以及
控制阀，安置于所述流体返回管道与所述第一流体转移设备之间；其中在所述控制系统接收所述返回的第一流体的所述温度值时，所述控制系统比较所述返回的第一流体的温度值与预定温度值并且将控制信号发送到所述控制阀，且其中所述控制阀响应于所述控制信号调制所述返回的第一流体从所述密封处理腔室外部到所述第一流体转移设备的流动。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，第二流体处置系统包括：
第二流体转移设备，与至少一个流体分配管道成流体连通，所述至少一个流体分配管道与所述密封处理腔室内部流体连通；
进给管道，安置于所述第二流体转移设备与所述至少一个流体分配管道之间，所述进给管道将所述第二流体从所述第二流体转移设备传送到所述流体分配管道；
止回阀，安置于所述进给管道与所述至少一个流体分配管道之间，所述止回阀减缓从所述密封处理腔室内部到所述第二流体转移设备的逆流；
内部流体控制阀，安置于所述第二流体转移设备与所述至少一个流体分配管道之间以控制所述第二流体到所述密封处理腔室内部的流动；
流体收集管道，与所述密封处理腔室内部和所述第二流体转移设备流体连通，所述流体收集管道使流入到所述密封处理腔室内部的第二流体返回到所述第二流体转移设备；以及
热传感器，与所述返回的第二流体和所述控制系统连通，所述热传感器测量所述返回的第二流体的温度值并且向所述控制系统提供所述测量的温度值，其中在所述控制系统接收所述返回的第二流体的所述温度值时，所述控制系统比较所述返回的第二流体的所述温度值与预定温度值并且向所述内部流体控制阀发送内部流体控制阀信号，并且其中所述内部流体控制阀响应于所述内部流体控制阀信号来调制所述返回的第二流体到所述第二流体转移设备的流动。
6.一种通过包括下列的步骤来控制热扩散腔室的方法：
监视密封处理腔室的内外温度中的每一个；
基于所述密封处理腔室的相对应的监视的内外温度，将内部热测量值和外部热测量值中的每一个传输到控制系统；
比较所述内外热测量值中的每一个与预定值；
基于所述内外热测量值中的每一个与所述预定值的比较来生成控制信号；
向第一流体处置系统提供所述控制信号，其中所述第一流体处置系统基于所述控制信号来调制第一流体围绕所述密封处理腔室外部的流动；以及
向第二流体处置系统提供所述控制信号，其中所述第二流体处置系统基于所述控制信号来调制在所述密封处理腔室的内腔内第二流体的流动。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过包括下列的步骤来监视密封处理腔室的内外温度；
在传感器管道以内安置多个内热电偶；
将所述传感器管道封闭的内热电偶定位于所述密封处理腔室内；
将与所述多个内热电偶中的每个相对应的内热电偶相关联的电引线附连到控制信号总线；
将所述控制信号总线连接到所述控制系统；以及
将多个外热电偶固定成与所述密封处理腔室接触相邻；
将与所述多个外热电偶中的每个相对应的外热电偶相关联的电引线附连到控制信号总线；
将所述控制信号总线连接到所述控制系统；以及
轮询所述多个热电偶的所述外热电偶中的每一个以指示监视所述密封处理腔室的外部温度。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述控制系统包括至少：
与至少所述第一流体处置系统和第二流体处置系统连通的所述控制信号总线；以及
与所述控制信号总线连通的控制器，所述控制器包括：
与所述控制信号总线连通的输入/输出模块；
与所述输入/输出模块连通的处理器；
存储器，储存控制逻辑并且与所述处理器连通；
与所述处理器连通的输入设备；以及
与所述处理器连通的显示器，在所述输入/输出模块接收所述测量的内外热测量值中每一个时，所述输出/输出模块向所述处理器提供所述测量内外热测量值中每一个，所述处理器存取所述储存的控制逻辑并且总体上基于所述测量的内外热测量值来确定所述控制信号，所述处理器向所述输入/输出模块提供所述控制信号，所述输入/输出模块通过所述控制信号总线使所述控制信号前移到所述第一流体处置系统和所述第二流体处置系统中的每一个。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，第一流体处置系统包括：
第一流体转移设备，与至少一个流体入口箱成流体连通，所述至少一个流体入口箱与所述密封处理腔室外部成流体连通，所述至少一个流体入口箱包括至少流动调整结构用于控制所述第一流体围绕所述密封处理腔室外部的流动；
流体返回管道，与所述密封处理腔室外部和所述第一流体转移设备中的每一个流体连通，所述流体返回管道围绕所述密封处理腔室流动的第一流体返回到所述第一流体转移设备；
热传感器，与所述返回的第一流体和所述控制系统中的每一个连通，所述热传感器测量所述返回的第一流体的温度值并且向所述控制系统提供所述测量的温度值；以及
控制阀，安置于所述流体返回管道与所述第一流体转移设备之间；其中在所述控制系统接收所述返回的第一流体的所述温度值时，所述控制系统比较所述返回的第一流体的温度值与预定温度值并且将控制信号发送到所述控制阀，且其中所述控制阀响应于所述控制信号调制所述返回的第一流体从所述密封处理腔室外部到所述第一流体转移设备的流动。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，第二流体处置系统包括：
第二流体转移设备，与至少一个流体分配管道成流体连通，所述至少一个流体分配管道与密封处理腔室内部流体连通；
进给管道，安置于所述第二流体转移设备与所述至少一个流体分配管道之间，所述进给管道将所述第二流体从所述第二流体转移设备传送到所述流体分配管道；
止回阀，安置于所述进给管道与所述至少一个流体分配管道之间，所述止回阀减缓从所述密封处理腔室内部到所述第二流体转移设备的逆流；
内部流体控制阀，安置于所述第二流体转移设备与所述至少一个流体分配管道之间以控制第二流体到所述密封处理腔室内部的流动；
流体收集管道，其与所述密封处理腔室内部和所述第二流体转移设备流体连通，所述流体收集管道使流入到所述密封处理腔室内部的第二流体返回到所述第二流体转移设备；以及
热传感器，与所述返回的第二流体和所述控制系统连通，所述热传感器测量所述返回的第二流体的温度值并且向所述控制系统提供所述测量的温度值，其中在所述控制系统接收所述返回的第二流体的温度值时，所述控制系统比较所述返回的第二流体的所述温度值与预定温度值并且向所述内部流体控制阀发送内部流体控制阀信号，且其中所述内部流体控制阀响应于所述内部流体控制阀信号来调制所述返回的第二流体到所述第二流体转移设备的流动。
11.一种通过包括下列的步骤来控制热扩散腔室的方法：
监视密封处理腔室的外部温度；
基于所述密封处理腔室的所述监视的外部温度来将外部热测量值传输到控制系统；
比较所述外部热测量值与预定值；
基于所述外部热测量值与所述预定值的比较来生成控制信号；
向流体处置系统提供所述控制信号，其中所述流体处置系统基于所述控制信号来调制第一流体围绕所述密封处理腔室外部的流动；以及
向闭环热交换系统提供控制信号，其中所述闭环热交换系统基于所述控制信号来调制在所述密封处理腔室的内腔内的第二流体的流动；以及
向开环热交换系统提供所述控制信号，其中所述开环热交换系统调制所述密封处理腔室的腔内部的第三流体的流动。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述密封处理腔室的所述外部温度通过包括下列的步骤来监视：
将多个热电偶固定成与所述密封处理腔室接触相邻；
将与所述多个热电偶的每个相对应的热电偶相关联的电引线附连到控制信号总线；
将所述控制信号总线连接到所述控制系统；以及
启动所述多个热电偶的所述热电偶中的每一个以指示监视所述密封处理腔室的外部温度。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述控制系统包括与至少所述流体处置系统、所述闭环热交换系统和所述开环热交换系统连通的控制信号总线；以及
与所述控制信号总线连通的控制器，所述控制器包括：
与所述控制信号总线连通的输入/输出模块；
与所述输入/输出模块连通的处理器；
存储器，储存控制逻辑并且与所述处理器连通；
与所述处理器连通的输入设备；以及
与所述处理器连通的显示器，其中在所述输入/输出模块接收所述测量的外部热测量值时，所述输出/输出模块向所述处理器提供所述测量的外部热测量值，所述处理器存取所述存储的控制逻辑并且基于所述测量的外部热测量值来确定所述控制信号，所述处理器向所述输入/输出模块提供所述控制信号，所述输入/输出模块使所述控制信号通过所述控制信号总线前移到所述流体处置系统、所述闭环热交换系统和所述开环热交换系统中的每一个。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述流体处置系统包括：
第一流体转移设备，与至少一个流体入口箱成流体连通，所述至少一个流体入口箱与所述密封处理腔室外部流体连通并且包括至少一流动调整结构以控制所述第一流体围绕所述密封处理腔室外部的流动；
流体返回管道，与所述密封处理腔室外部和所述流体转移设备流体连通，所述流体返回管道使围绕所述密封处理腔室流动的所述第一流体返回到所述流体转移设备；
热传感器，与所述返回的第一流体和所述控制系统连通，所述热传感器测量所述返回的第一流体的温度值，所述热传感器还向所述控制系统提供所述返回的第一流体的所述测量温度值；以及
控制阀，装设在所述流体返回管道与所述第一流体转移设备之间；其中在所述控制系统接收所述返回的第一流体的测量温度值时，所述控制系统比较所述返回的第一流体的测量温度值与预定温度值并且将控制信号发送到所述控制阀，且其中所述控制阀响应于所述控制信号调制所述返回的第一流体从所述密封处理腔室外部到所述第一流体转移设备的流动。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述闭环热交换系统包括：
第二流体转移设备；
与所述第二流体转移设备流体连通的至少一个闭环热交换器，其中所述至少一个闭环热交换器的外表面与所述密封处理腔室的内表面相邻；
进给管道，安置于所述至少一个闭环热交换器与所述第二流体转移设备之间，所述进给管道向所述至少一个闭环热交换器内部提供第二流体；以及
止回阀，装设于所述进给管道与所述至少一个闭环热交换器之间，所述止回阀减缓了所述第二流体从所述至少一个闭环热交换器的内部到所述第二流体转移设备的逆流。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述开环热交换系统包括：
第三流体转移设备；
与所述第三流体转移设备流体连通的至少一个开环热交换器，其中所述至少一个开环热交换器的外表面与所述密封处理腔室的内表面相邻；
进给管道，安置于所述至少一个开环热交换器与所述第三流体转移设备之间，所述进给管道向所述至少一个开环热交换器内部提供第三流体；
止回阀，安置于所述进给管道与所述至少一个开环热交换器之间，所述止回阀减缓了所述第三流体从所述至少一个开环热交换器的内部到所述第三流体转移设备的逆流；以及
内部控制阀，安置于所述第三流体转移设备与所述至少一个开环热交换器之间，所述内部控制阀控制所述第三流体到所述至少一个开环热交换器的内部体积内的流动，其中所述至少开环热交换器包括至少一个流体分配管道，所述流体分配管道提供开口以使得所述第三流体从所述至少一个开环热交换器释放到所述密封处理腔室的内部体积内。
17.一种通过包括下列的步骤来控制热扩散腔室的方法：
监视密封处理腔室的内外温度中的每一个；
基于所述密封处理腔室的相对应的监视的内外温度，将内外热测量值中的每一个传输到控制系统；
比较所述内外热测量值中的每一个与预定值；
基于所述内外热测量值中的每一个与所述预定值的比较来生成控制信号；
向流体处置系统提供所述控制信号，其中所述流体处置系统基于所述控制信号来调制第一流体围绕所述密封处理腔室外部的流动；以及
向闭环热交换系统提供控制信号，其中所述闭环热交换系统基于所述控制信号来调制在所述密封处理腔室的内腔内的第二流体的流动；以及
向开环热交换系统提供所述控制信号，其中所述开环热交换系统调制所述密封处理腔室的腔内部的第三流体的流动。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，通过包括下列的步骤来监视密封处理腔室的内外温度；
在传感器管道以内安置多个内热电偶；
将所述传感器管道封闭的内热电偶定位于所述密封处理腔室内；
将与所述多个内热电偶中的每个相对应的内热电偶相关联的电引线附连到控制信号总线；
将所述控制信号总线连接到所述控制系统；以及
启动所述多个内热电偶的内热电偶中的每一个以指示监视所述密封处理腔室的内部温度；
将多个外热电偶固定成与所述密封处理腔室接触相邻；
将与所述多个外热电偶中的每个相对应的外热电偶相关联的电引线附连到控制信号总线；
将所述控制信号总线连接到所述控制系统；以及
启动所述多个热电偶的所述外热电偶中的每一个以指示监视所述密封处理腔室的外部温度。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述控制系统包括至少：
控制信号总线，与至少所述流体处置系统、所述闭环热交换系统和所述开环热交换系统中的每一个连通；
与所述控制信号总线连通的控制器，所述控制器包括：
与所述控制信号总线连通的输入/输出模块；
与所述输入/输出模块连通的处理器；
存储器，储存控制逻辑并且与所述处理器连通；
与所述处理器连通的输入设备；以及
与所述处理器连通的显示器，其中在所述输入/输出模块接收所述测量的内外热测量值中每一个时，所述输出/输出模块向所述处理器提供所述测量内外热测量值中每一个，所述处理器存取所述储存的控制逻辑并且总体上基于所述测量的内外热测量值来确定所述控制信号，所述处理器向所述输入/输出模块提供所述控制信号，所述输入/输出模块使所述控制信号通过所述控制信号总线前移到所述流体处置系统、所述闭环热交换系统和所述开环热交换系统中的每一个。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述流体处置系统包括：
第一流体转移设备，与至少一个流体入口箱成流体连通，所述至少一个流体入口箱与所述密封处理腔室的外部流体连通并且包括至少一流动调整结构以控制所述第一流体围绕所述密封处理腔室外部的流动；
流体返回管道，与所述密封处理腔室和所述流体转移设备的外部流体连通，所述流体返回管道使围绕所述密封处理腔室流动的第一流体返回到所述第一流体转移设备；
热传感器，与所述返回的第一流体和所述控制系统连通，所述热传感器测量所述返回的第一流体的温度值，所述热传感器还向所述控制系统提供所述返回的第一流体的所述测量温度值；以及
控制阀，装设在所述流体返回管道与所述第一流体转移设备之间；其中在由所述控制系统接收所述返回的第一流体的测量温度值时，所述控制系统比较所述返回的第一流体的测量温度值与预定温度值并且将控制信号发送到所述控制阀，且其中所述控制阀响应于所述控制信号调制所述返回的第一流体从所述密封处理腔室外部到所述第一流体转移设备的流动。
21.根据权利要求17所述的方法，其中，所述闭环热交换系统包括：
第二流体转移设备；
与所述第二流体转移设备流体连通的至少一个闭环热交换器，其中所述至少一个闭环热交换器的外表面与所述密封处理腔室的内表面相邻；
进给管道，安置于所述至少一个闭环热交换器与所述第二流体转移设备之间，所述进给管道向所述至少一个闭环热交换器内部提供所述第二流体；以及
止回阀，装设于所述进给管道与所述至少一个闭环热交换器之间，所述止回阀减缓了所述第二流体从所述至少一个闭环热交换器内部到所述第二流体转移设备的逆流。
22.根据权利要求17所述的方法，其中，所述开环热交换系统包括：
第三流体转移设备；
与所述第三流体转移设备流体连通的至少一个开环热交换器，其中所述至少一个开环热交换器的外表面与所述密封处理腔室的内表面相邻；
进给管道，安置于所述至少一个开环热交换器与所述第三流体转移设备之间，所述进给管道向所述至少一个开环热交换器内部提供第三流体；
止回阀，装设于所述进给管道与所述至少一个开环热交换器之间，所述止回阀减缓了所述第三流体从所述至少一个开环热交换器的内部到所述第三流体转移设备的逆流；以及
内部控制阀，装设于所述第三流体转移设备与所述至少一个开环热交换器之间，所述内部控制阀控制所述第三流体到所述至少一个开环热交换器的内部体积内的流动，其中所述至少开环热交换器包括至少一个流体分配管道，所述流体分配管道提供开口以使得所述第三流体从所述至少一个开环热交换器释放到所述密封处理腔室的内部体积内。
CN201180068833.6A 2010-12-30 2011-12-22 热扩散腔室控制设备和方法 Expired - Fee Related CN103547698B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/982370 2010-12-30
US12/982,370 US8950470B2 (en) 2010-12-30 2010-12-30 Thermal diffusion chamber control device and method
US12/982,370 2010-12-30
PCT/US2011/066886 WO2012092134A1 (en) 2010-12-30 2011-12-22 Thermal diffusion chamber control device and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103547698A CN103547698A (zh) 2014-01-29
CN103547698B true CN103547698B (zh) 2016-01-06

Family

ID=46379720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180068833.6A Expired - Fee Related CN103547698B (zh) 2010-12-30 2011-12-22 热扩散腔室控制设备和方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8950470B2 (zh)
EP (1) EP2659021A1 (zh)
KR (1) KR20140006852A (zh)
CN (1) CN103547698B (zh)
WO (1) WO2012092134A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130153201A1 (en) * 2010-12-30 2013-06-20 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber with cooling tubes
US20120168143A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Poole Ventura, Inc. Thermal Diffusion Chamber With Heat Exchanger
US8950470B2 (en) * 2010-12-30 2015-02-10 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber control device and method
US20110254228A1 (en) * 2011-01-28 2011-10-20 Poole Ventura, Inc. Thermal Chamber
KR101581538B1 (ko) * 2014-03-27 2015-12-31 현대제철 주식회사 가열로의 도어장치
US20170207078A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus and semiconductor process
CN105734494B (zh) * 2016-04-12 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀载板及蒸镀装置
KR101930456B1 (ko) * 2018-05-03 2018-12-18 주식회사 유진테크 기판 처리 시스템
CN109594062B (zh) * 2018-12-14 2021-05-18 拓荆科技股份有限公司 伴随射频导入的电加热喷淋板及其温控系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5593608A (en) * 1993-09-09 1997-01-14 Tokyo Electron Limited Temperature control method and apparatus for use in thermal processing equipment
US5616264A (en) * 1993-06-15 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system
US20010042594A1 (en) * 1996-05-13 2001-11-22 Shamouil Shamouilian Process chamber having improved temperature control
US20040134612A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-15 Takeomi Numata Plasma etching device
US20040238649A1 (en) * 2001-07-19 2004-12-02 Nobuyuki Ohminami Thermal treatment apparatus and thermal treatment method
US20070012341A1 (en) * 2000-04-18 2007-01-18 Douglas Stephen B Supercritical fluid delivery system for semiconductor wafer processing

Family Cites Families (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2197876A (en) 1938-07-16 1940-04-23 W G Shelton Company Hair waving machine
US3403243A (en) 1965-05-27 1968-09-24 Tasope Ltd Radiant burn-in unit for photoengraving plates
DE2309032B2 (de) 1973-02-23 1975-01-16 Dr. C. Otto & Co Gmbh, 4630 Bochum Koksofentür
JPS52122958A (en) 1976-04-09 1977-10-15 Hitachi Ltd Cloth drier
US4266338A (en) 1978-02-22 1981-05-12 Grumman Aerospace Method of manufacturing photoelectrochemical cell
US4172925A (en) 1978-02-22 1979-10-30 Refac Electronics Corporation Photoelectrochemical cell
GB2132060B (en) 1982-12-24 1985-12-18 Thorn Emi Domestic Appliances Heating apparatus
JPS59201438A (ja) 1983-04-28 1984-11-15 Toshiba Corp ウエ−ハ移し換え装置
US5259881A (en) 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
KR960012876B1 (ko) * 1988-06-16 1996-09-25 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 열처리 장치
DE3910234C1 (zh) * 1989-03-30 1990-04-12 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De
US4963091A (en) * 1989-10-23 1990-10-16 Surface Combustion, Inc. Method and apparatus for effecting convective heat transfer in a cylindrical, industrial heat treat furnace
US5035610A (en) * 1990-07-23 1991-07-30 Surface Combustion, Inc. Internal heat exchange tubes for inductrial furnaces
DE69222549T2 (de) 1991-02-20 1998-03-05 Canon Kk Solarzellenmodul mit Schutzelement
JPH0739908B2 (ja) * 1991-02-28 1995-05-01 ニチアス株式会社 加熱装置
US6095083A (en) 1991-06-27 2000-08-01 Applied Materiels, Inc. Vacuum processing chamber having multi-mode access
JP3174379B2 (ja) * 1992-02-03 2001-06-11 東京エレクトロン株式会社 加熱装置
US5340091A (en) * 1993-04-21 1994-08-23 Gas Research Institute Batch coil annealing furnace
AU8011394A (en) 1993-10-13 1995-05-04 Materials Research Corporation Vacuum seal of heating window to housing in wafer heat processing machine
US5452396A (en) 1994-02-07 1995-09-19 Midwest Research Institute Optical processing furnace with quartz muffle and diffuser plate
US6002109A (en) 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
JP2915327B2 (ja) 1995-07-19 1999-07-05 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
CN1169228C (zh) 1995-08-24 2004-09-29 佳能株式会社 太阳能电池组件,其制造方法以及建筑物构件
US6433913B1 (en) 1996-03-15 2002-08-13 Gentex Corporation Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same
US5805330A (en) 1996-03-15 1998-09-08 Gentex Corporation Electro-optic window incorporating a discrete photovoltaic device
JP3725612B2 (ja) 1996-06-06 2005-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5849076A (en) * 1996-07-26 1998-12-15 Memc Electronic Materials, Inc. Cooling system and method for epitaxial barrel reactor
US5947718A (en) * 1997-03-07 1999-09-07 Semitool, Inc. Semiconductor processing furnace
JP3740251B2 (ja) 1997-06-09 2006-02-01 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system
JP2002515648A (ja) * 1998-05-11 2002-05-28 セミトゥール・インコーポレイテッド 加熱反応炉の温度制御システム
US6406543B1 (en) 1998-07-23 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Infra-red transparent thermal reactor cover member
US6352430B1 (en) * 1998-10-23 2002-03-05 Goodrich Corporation Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace
EP1063319B1 (en) * 1999-06-04 2005-12-07 Goodrich Corporation Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace
DE19948606A1 (de) * 1999-10-08 2001-04-12 Seho Systemtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Temperieren von Bauteilen, z.B. Halbleiterschaltkreisen und dergl.
JP3479020B2 (ja) * 2000-01-28 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3659863B2 (ja) 2000-04-06 2005-06-15 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP4409714B2 (ja) 2000-04-07 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 枚葉式熱処理装置
WO2001082348A1 (en) 2000-04-20 2001-11-01 Tokyo Electron Limited Thermal processing system
JP4365017B2 (ja) * 2000-08-23 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
US6970644B2 (en) 2000-12-21 2005-11-29 Mattson Technology, Inc. Heating configuration for use in thermal processing chambers
JP3896395B2 (ja) 2001-06-20 2007-03-22 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
AU2002324775A1 (en) 2001-08-23 2003-03-10 Sciperio, Inc. Architecture tool and methods of use
JP3798674B2 (ja) 2001-10-29 2006-07-19 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および熱処理方法
US7255899B2 (en) 2001-11-12 2007-08-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus and heat treatment method of substrate
US6609908B2 (en) 2001-11-13 2003-08-26 Ets Schaefer Corporation Replaceable heater cover
US7450292B1 (en) 2003-06-20 2008-11-11 Los Alamos National Security, Llc Durable electrooptic devices comprising ionic liquids
US6961168B2 (en) 2002-06-21 2005-11-01 The Regents Of The University Of California Durable electrooptic devices comprising ionic liquids
US7253017B1 (en) 2002-06-22 2007-08-07 Nanosolar, Inc. Molding technique for fabrication of optoelectronic devices
US6885815B2 (en) 2002-07-17 2005-04-26 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thermal processing apparatus performing irradiating a substrate with light
JP4133062B2 (ja) 2002-07-19 2008-08-13 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP4437641B2 (ja) 2002-08-21 2010-03-24 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
US7091453B2 (en) 2003-02-27 2006-08-15 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Heat treatment apparatus by means of light irradiation
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7115304B2 (en) 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates
CA2586961A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Daystar Technologies, Inc. Thermal process for creation of an in-situ junction layer in cigs
US7133606B1 (en) 2005-02-11 2006-11-07 Elliott Daniel F Pipe heating assembly with hingedly attached light emitters
US20060251827A1 (en) 2005-05-09 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Tandem uv chamber for curing dielectric materials
US7196262B2 (en) 2005-06-20 2007-03-27 Solyndra, Inc. Bifacial elongated solar cell devices
US7394016B2 (en) 2005-10-11 2008-07-01 Solyndra, Inc. Bifacial elongated solar cell devices with internal reflectors
US20070084406A1 (en) * 2005-10-13 2007-04-19 Joseph Yudovsky Reaction chamber with opposing pockets for gas injection and exhaust
US7259322B2 (en) 2006-01-09 2007-08-21 Solyndra, Inc. Interconnects for solar cell devices
US7235736B1 (en) 2006-03-18 2007-06-26 Solyndra, Inc. Monolithic integration of cylindrical solar cells
US20070295389A1 (en) 2006-05-05 2007-12-27 Nanosolar, Inc. Individually encapsulated solar cells and solar cell strings having a hybrid organic/inorganic protective layer
JP4916802B2 (ja) 2006-07-20 2012-04-18 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP4326570B2 (ja) * 2007-04-17 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 ヒータ素線の寿命予測方法，熱処理装置，記録媒体，ヒータ素線の寿命予測処理システム
US7501292B2 (en) 2007-07-19 2009-03-10 Asm Japan K.K. Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate
US7921803B2 (en) * 2007-09-21 2011-04-12 Applied Materials, Inc. Chamber components with increased pyrometry visibility
US20100300352A1 (en) 2007-10-17 2010-12-02 Yann Roussillon Solution deposition assembly
JP2009164451A (ja) 2008-01-09 2009-07-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US8367983B2 (en) 2008-04-09 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry
EP2144026B1 (de) * 2008-06-20 2016-04-13 Volker Probst Prozessvorrichtung und verfahren zum prozessieren von gestapelten prozessgütern
US20100012187A1 (en) 2008-07-18 2010-01-21 Stellaris Corporation Encapsulation of a photovoltaic concentrator
US8039289B2 (en) 2009-04-16 2011-10-18 Tp Solar, Inc. Diffusion furnaces employing ultra low mass transport systems and methods of wafer rapid diffusion processing
US8430963B2 (en) * 2010-01-07 2013-04-30 Primestar Solar, Inc. Cool-down system and method for a vapor deposition system
US8950470B2 (en) * 2010-12-30 2015-02-10 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber control device and method
US20130153201A1 (en) * 2010-12-30 2013-06-20 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber with cooling tubes
US20120168143A1 (en) * 2010-12-30 2012-07-05 Poole Ventura, Inc. Thermal Diffusion Chamber With Heat Exchanger
US20130153202A1 (en) * 2010-12-30 2013-06-20 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber with convection compressor
US20130192522A1 (en) * 2010-12-30 2013-08-01 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber with convection compressor
US20110254228A1 (en) * 2011-01-28 2011-10-20 Poole Ventura, Inc. Thermal Chamber
US20110249960A1 (en) * 2011-01-28 2011-10-13 Poole Ventura, Inc. Heat Source Door For A Thermal Diffusion Chamber
US8097085B2 (en) * 2011-01-28 2012-01-17 Poole Ventura, Inc. Thermal diffusion chamber

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5616264A (en) * 1993-06-15 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system
US5593608A (en) * 1993-09-09 1997-01-14 Tokyo Electron Limited Temperature control method and apparatus for use in thermal processing equipment
US20010042594A1 (en) * 1996-05-13 2001-11-22 Shamouil Shamouilian Process chamber having improved temperature control
US20070012341A1 (en) * 2000-04-18 2007-01-18 Douglas Stephen B Supercritical fluid delivery system for semiconductor wafer processing
US20040238649A1 (en) * 2001-07-19 2004-12-02 Nobuyuki Ohminami Thermal treatment apparatus and thermal treatment method
US20040134612A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-15 Takeomi Numata Plasma etching device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012092134A1 (en) 2012-07-05
US8950470B2 (en) 2015-02-10
KR20140006852A (ko) 2014-01-16
EP2659021A1 (en) 2013-11-06
US20120168144A1 (en) 2012-07-05
CN103547698A (zh) 2014-01-29
US20150152548A1 (en) 2015-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103547698B (zh) 热扩散腔室控制设备和方法
CN103547703A (zh) 带有热交换器的热扩散腔室
CN104538697B (zh) 电池热管理系统
EP1860388B1 (en) Temperature equalization system
CN103262216A (zh) 热扩散腔室
US20130192522A1 (en) Thermal diffusion chamber with convection compressor
US20130333694A1 (en) Solar energy collection system
CN102316709B (zh) 载车式大功率液体冷却设备
CN104051566A (zh) 具有对流压缩机的热扩散室
CN106059323A (zh) 一种变频器的冷却系统
CN103930743A (zh) 气体加热器/冷却器装置以及方法
US20130153202A1 (en) Thermal diffusion chamber with convection compressor
US20130153201A1 (en) Thermal diffusion chamber with cooling tubes
CN105148432A (zh) 无线控制式砂箱冷却装置
CN101435626B (zh) 热风加热装置
CN113700655A (zh) 一种变频器和电机集成装置内外自循环的冷却系统
CN201133715Y (zh) 热风加热装置
CN202405299U (zh) 光伏玻璃合成器
CN209725583U (zh) 一种环保设备管路加热装置
CN212746643U (zh) 一种用于供热的泵站及供热系统
WO2014126592A1 (en) Thermal diffusion chamber with cooling tubes
CN108987854A (zh) 电池热管理系统、电池组级、电池模块级和电池单元级
CN210720336U (zh) 一种恒温氧分析仪
CN201062876Y (zh) 电热水器
CN112013999A (zh) 测量制热量的装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160106

Termination date: 20161222