CN103460137B - 测光装置和曝光装置 - Google Patents

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Abstract

曝光装置具备:放电灯,其放射包括g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的亮线的光;光测量单元,其具有受光部,对从放电灯放射的光进行测量;以及照明调整单元,其根据光测量单元中的测量值,调整向放电灯供给的功率。并且,光测量单元具有在g线、h线、i线中相邻的2个亮线之间具有峰值灵敏度的分光灵敏度特性。

Description

测光装置和曝光装置
技术领域
本发明涉及对光的照度等进行测量的测光装置,尤其涉及针对在曝光装置等中使用的放电灯的放射光的光测量。
背景技术
在曝光装置中,对于涂敷了光致抗蚀剂等感光材料的基板投影图案光,在感光材料上形成图案。为了形成高精度的图案,需要在曝光动作中以恒定的照射量来照射光。因此,在曝光的间隙使用测光装置来对照度等进行计量,调整向放电灯供给的功率而进行点亮控制(例如,参照专利文献1、2)。
在曝光装置中,使用了发出包括g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的亮线的光的高压/超高压水银灯(参照专利文献3)。感光材料也具有基于亮线的灵敏度特性,在照度测量装置中,设置有去除g线、h线、i线以外的光的滤波器,根据透过了滤波器的光对照度进行测量(例如,参照专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平8-8154号公报
专利文献2:日本特开2002-5736号公报
专利文献3:日本特开2010-85954号公报
专利文献4:日本特开2002-340667号公报
发明内容
发明所要解决的课题
由于在上述的放电灯中放电管内是高压,因此在放射照度中由放电变动引起的噪声容易成为支配性的状态。特别是,在亮线附近,根据光能的自我吸收而产生变化,所计量的亮线附近的光谱值受到噪声的放电变动的影响很大。
因此,存在即使灯输出实质上没有降低,并且整个放射光谱分布的变化小,但在亮线附近的放射光谱发生变动的情况。另一方面,存在即使实际上整个放射光谱分布由于灯的输出降低而变动,但相比于其整体变动量,亮线附近的放射光谱变动小的情况。
对于具有这种放射特性的放电灯,当使用具有对应于亮线的峰值透过率的滤波器来进行照度检测时,被该峰值附近的噪声的光谱变动所影响,无法正确地检测遍及整个光谱的照度。其结果,进行基于错误的照度计量的功率调整,在灯点亮中,频繁地连续进行不必要的功率变动,影响灯寿命。另外,在照度以外的测光运算中,也检测到错误的测光值。
用于解决课题的手段
本发明用于实现如下的测光装置和曝光装置:不受到噪声所支配的放电变动的影响,适当地对放电灯的光进行测量。
本发明的曝光装置包括:发出包含g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的亮线的光谱光的放电灯;对从放电灯放射的光进行测量的照度测量单元;基于测量值,调整向放电灯供给的功率的光调整单元。
作为放电灯,可以应用高压或超高压水银灯,在该情况下,产生包括g线、h线、i线的亮线光谱的光谱,放射光的光谱分布呈现在与三个亮线相应的窄波段中具有大的相对光谱强度的连续的分光分布曲线。例如,关于放电灯,能够应用在放电管内封入0.2mg/mm3以上水银的水银灯。
光测量单元的受光部例如具备光电转换元件等受光元件和配置在入射光路上的滤波器等,基于因入射到受光元件的光而产生的电信号来进行测量。受光部的分光灵敏度特性根据受光元件的分光灵敏度特性和滤波器的分光透过率特性而确定。当受光元件的分光灵敏度不在特定波段中具有偏向性灵敏度、在整个波段中大致恒定的情况下,将滤波器的分光透过特性直接表现为受光部的分光灵敏度特性。
作为测量值,光测量单元能够测量照度、亮度、光量等与放电灯的放射光有关的各种物理量的任何一个。光调整单元调整供给功率,使得将所计量的测光值维持在适当的值或恒定的值。
本发明中,光测量单元的分光灵敏度特性在相邻的2个亮线之间、即在i线(365nm)与h线(405nm)之间,或者,在h线(405nm)与g线(436nm)之间设置有峰值灵敏度。
即,受光部的峰值灵敏度位于从本来应该关注的h线、i线偏移的位置,与分光灵敏度特性中的h线和i线相应的灵敏度(光谱值)低于峰值灵敏度。以峰值灵敏度为顶点,灵敏度(光谱值)朝向i线和h线而下降,因此即使产生亮线附近的噪声所支配的放电变动,也不会受到该变动很大地影响而可对放电灯的光进行测量。
例如,在进行恒定照度点亮控制的情况下,能够根据正确地测量的照度来调整功率,不会因错误的功率调整而产生本来不必要的功率变动,实现稳定的恒定照度点亮。
分光灵敏度特性能够通过以峰值灵敏度为中心的大致高斯分布曲线(正规分布)来表示,或者,也能够通过带通(频带)来表示。作为分光灵敏度曲线,只要构成为使峰值灵敏度尽量从i线、h线或g线离开即可,例如,也可以在中间域具备峰值。
优选为,避免噪声所支配的放电变动的影响,而另一方面在宽范围内无遗漏地对i线与h线之间的波段或者h线与g线之间的波段的光进行检测。例如,光测量单元最好具备分光灵敏度曲线的半值宽比i线与h线之间的波段宽的有效的灵敏度特性。由此,在整体上高精度地检测i线与h线之间的波段中的光谱强度。
例如,在h线与i线的波长处具有峰值灵敏度的85%以下的灵敏度,具备分光灵敏度曲线的半值宽比h线与i线之间的波段宽的有效的灵敏度特性即可。由此,可排除由噪声引起的影响,能够更加可靠地检测整体的光谱变动。
另一方面,本发明的另一方面的测光装置的特征在于,包括具备光电转换元件等受光元件和配置在入射光路上的滤波器的受光部、和基于入射到受光元件的光而进行测光运算的测量部,受光部具有在g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)中相邻的2个亮线之间具有峰值灵敏度的分光灵敏度特性。
在本发明中,根据受光部的分光灵敏度特性,也能够计量正确的照度、亮度、光量等,能够实现放电灯的正确的测光。作为更具体的受光部的分光灵敏度特性,可以应用上述的分光灵敏度特性。
测光装置能够检测例如照度、亮度、光量等,分别能够构成为照度计、亮度计、光量计。测光装置例如能够构成为便携式的测光装置,可以将受光部与测量部形成为一体。或者,也可以构成为经由信号线缆连接受光部与测量部。
另一方面,也可以构成为通过线缆将受光部连接到台式的测光装置主体。而且,将测光装置组入到曝光装置或光源装置内而使用,或者,在曝光准备阶段将测光装置设置于描绘台等而进行测光。
本发明的其他方面的测光装置的特征在于,包括具备受光元件和配置在入射光路上的滤波器的受光部、和基于入射到受光元件的光而进行测光运算的测量部,具有在相邻的2个亮线之间具有峰值灵敏度的分光灵敏度特性。
发明效果
根据本发明,能够不受到噪声所支配的放电变动的影响而适当地对放电灯的光进行测量。
附图说明
图1是作为第1实施方式的曝光装置的概略框图。
图2是示出受光部的分光灵敏度特性的图。
图3是示出放电灯的分光分布特性的图。
图4是第2实施方式中的照度计的示意图。
图5是作为第2实施方式的照度计的框图。
图6是示出与第1实施方式不同的受光部的分光灵敏度特性的图。
图7是示出与i线(365nm)相应的以往受光部(以下,称为第1以往受光部)的分光灵敏度特性的图。
图8是示出与h线(405nm)相应的以往受光部(以下,称为第2以往受光部)的分光灵敏度特性的图。
图9是示出使用图7、图8所示的第1、第2以往受光部进行了恒定照度点亮控制时的灯供给功率的变动的曲线图。
图10是示出使用本实施例的受光部进行了恒定照度点亮控制时的功率变动的曲线图。
图11是示出阶段性地调整了供给功率时所测量的分光分布的变化的图。
图12是绘制了对应于各个功率的光谱相对累计强度的曲线图。
图13是示出光谱相对累计强度的变化率的曲线图。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是作为第1实施方式的曝光装置的概略框图。
曝光装置10是在将光致抗蚀剂等感光材料形成于表面的基板SW上直接形成图案的无掩膜曝光装置,具备放电灯21、DMD(DigitalMicro-mirrorDevice:数字微镜装置)24。根据来自放电灯21的光来照射基板SW,在基板SW的表面形成图案。
放电灯21是高压或超高压水银灯,例如,包括0.2mg/mm3以上的水银。放电灯的光谱为大约在330nm~480nm中连续的光谱分布,并且放射g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的亮线光谱光。
从放电灯21放射的光根据照明光学系统23而成形为平行光,经由反射镜25、半反射镜27A、反射镜27B而被引导至DMD24。DMD24是将几μm~几十μm的微小矩形形状微型反射镜二维地排列成矩阵状的光调制元件阵列(例如,1024×768),由曝光控制部60进行控制。
在DMD24中,基于从曝光控制部60发送过来的曝光数据,各微型反射镜分别选择性地被进行接通/断开控制。在接通状态的微型反射镜中反射的光经由半反射镜27A引导至投影光学系统28。并且,通过来自接通状态反射镜的反射光而形成的光束、即图案像的光照射到基板SW。一边使基板SW移动一边将图案形成于整个基板。
曝光装置10具备由照度运算控制部30和受光部40构成的照度测量控制装置50。照度测量控制装置50测量放电灯21的照度,进行恒定照度点亮控制。通过使受光部40移动到投影光学系统28的照射区域,放电灯21的光被引导至受光部40。在针对一个基板的描绘结束至对下一个基板的描绘开始的期间,基于入射到受光部40的光来进行照度测量。
受光部40具备由光电转换元件等构成的受光元件41和与受光元件41的受光面相对配置的滤波器42,由框体部分的窗(未图示)入射的光通过位于入射光路上的滤波器42入射到受光元件41。
如后所述,滤波器42具有使包括g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的规定频带的光透过的分光透过率特性,去除该频带以外的波段的光。通过入射到受光元件41的光而生成的信号被发送到照度运算控制部30。
输入到照度运算控制部30的信号在通过放大器35进行放大处理之后,在A/D转换器34中转换成数字信号。并且,在运算部36中计算照度。关于照度计算方法,根据以往公知的方法来求出。
照度控制部33根据照度数据而调整从灯驱动部32供给到放电灯21的功率。由此,在灯点亮的期间,以照度恒定的方式,从放电灯21对基板SW照射光。
图2是示出受光部的分光灵敏度特性的图。图3是示出受光部的分光灵敏度特性与放电灯的分光分布特性的图。利用图2、3,对受光部的分光灵敏度特性进行说明。
通过曝光装置10而形成图案的基板SW的感光材料大多具有对作为水银线的g线、h线、或者i线反应的感光特性。如图2所示,受光部40的分光灵敏度曲线L1是在依据这些亮线的波段340~480nm中呈近似于高斯分布的曲线,在385nm处具有峰值灵敏度P1。h线(405nm)处的灵敏度是P2,i线(365nm)处的灵敏度是P3,以相对光谱值最高的峰值P1为中心,成为几乎对称的分布曲线。
在图3中,与受光部的分光灵敏度曲线L1一起图示了放电灯21的分光分布曲线SP。其中,受光部的分光灵敏度曲线L1是基于滤波器42的分光透过率特性与受光元件41的分光灵敏度特性。放电灯21放射包括g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的亮线的连续的光谱光,在436nm、405nm、365nm前后的窄波宽内具有尖锐的光谱功率。另外,由于是超高压水银灯,因此光谱变化比较缓慢,成为在宽范围内扩展的连续的分布曲线。
在灯点亮中,放电灯21的分光分布通过自我吸收(吸收光谱)而变动。在图3中,示出在g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)附近光谱值急剧下降的分光分布曲线,图示了显著地表现出放电灯21的自我吸收现象的分光分布特性。这种特定的窄波段中的光谱变动在点亮中不规则地产生。
本实施方式的受光部40的分光灵敏度曲线L1的峰值P1与h线(405nm)、i线(365nm)偏离,相对于具有相邻2个亮线的大致中间波长的光具有最大的灵敏度。另外,h线的波长处的灵敏度比R11和i线的波长处的灵敏度比R12比P1低,相对于P1=1.0,R11=0.70、R12=0.61,都是P1的85%以下。
另外,分光灵敏度曲线的半值宽(Δλ/2)比h线与i线之间的波段宽,Δλ/2=50nm。这样,将在分光灵敏度曲线L1中灵敏度高的波段从h线、i线处偏离开,不被由自我吸收引起的分光分布的变动所影响,并且,使h线与i线之间的整个波段的光透过。
其结果,入射到受光元件41的光成为光谱功率不被噪声的光谱变动所支配的光,适当地检测出实际的照度。并且,基于适当地检测出的照度,调整供给于放电灯21的功率,而进行恒定照度点亮,抑制了频繁的功率调整。
这样,根据本实施方式,使用放电灯21而形成图案的曝光装置10具备由照度运算控制部30和受光部40构成的照度测量控制装置50,受光部40的分光灵敏度曲线L1的峰值P1与h线(405nm)、i线(365nm)偏离,设于相邻的2个亮线的大致中间的波段。h线和i线处的灵敏度低于峰值灵敏度,h线的波长处的灵敏度比R1和i线的波长处的灵敏度比R2为P1的85%以下。而且,分光灵敏度曲线的半值宽(Δλ/2)比h线与i线之间的波段宽。
接着,使用图4~图6,对作为第2实施方式的测光装置进行说明。在第2实施方式中,与曝光装置独立的测光装置使用于照度测量。
图4是第2实施方式中的照度计的示意图。
便携式(Handy-type)的照度计100包括具备显示部129的主体120和受光部110,受光部110通过安装于受光部110的信号线缆130而与主体120的连接部127连接。为了进行未图示的曝光装置中的照度测量,将照度计100的受光部110设置于基板搭载台,将受光部110移动至规定的测量点。之后,确认在主体120的显示部129上显示的照度,再调整放电灯的供给功率。
图5是作为第2实施方式的照度计的框图。
受光部110在设于受光部主体110H的上表面的窗112的下方具备滤波器114和受光元件116,受光部110与受光元件116相对配置。此处,不仅是具有与第1实施方式相同的分光灵敏度特性的受光部110,还能够将具有后述的分光灵敏度特性的受光部110’选择性地连接到主体120。
图6是示出与第1实施方式不同的受光部的分光灵敏度特性的图。
如图6所示,受光部110’的分光灵敏度分布曲线L2是将422nm大约作为峰值P2的近似于高斯分布的曲线,在g线(436nm)与h线(405nm)的大致中心位置处存在峰值P2。另外,g线的波长处的灵敏度比R21、h线的波长处的灵敏度比R22比P2低,相对于P2=1.0,R21=0.64、R22=0.71,都是P2的85%以下。
而且,分光灵敏度曲线的半值宽(Δλ/2)比g线与h线之间的波段宽,Δλ/2=43nm。这样,在分光灵敏度曲线L2中,在g线与h线的大致中间处存在峰值P2,因此不会受到由自我吸收等引起的噪声支配的光谱变动的影响,并且,使h线与i线之间的整个波段的光谱光适当地透过,引导至受光元件116。
受光部110的受光元件116或受光部110’的受光元件116’中产生的电信号在通过放大器122进行放大处理之后,通过A/D转换器124而转换为数字信号。并且,在运算部128中运算照度。所求出的照度数据显示在显示部129中。控制器126对主体内部的电源电路、信号处理电路进行控制。
另外,在第1、第2实施方式中照度计虽然构成为测光装置,但也可以应用亮度计、累计光量计、累计强度计等其他的测光装置。在该情况下,在测光装置主体中,根据以往公知的运算处理方法,根据基于受光的信号而计算亮度、光量、强度等。另外,主体120不仅是便携式,也可以构成为台式装置。而且,也可以通过使用了导向槽的滑动机构等,选择性地将滤波器可拆装地安装到受光部。
作为放电灯,也可以使用上述以外的水银灯,还可以应用发出作为连续光谱且包含g线、h线、i线的亮线的连续光谱光的放电灯。或者,也可以使用发出包含其他的多个亮线的连续光谱光的放电灯。在该情况下,测光装置构成为具有与放电灯的特性相应的分光灵敏度特性。另外,在照度测量装置如第1实施方式那样组入到曝光装置的情况下,可以是通过滤波器而具有灵敏度特性的结构。
实施例
下面,对本发明的实施例进行说明。
本实施例由包括具有在第1、2实施方式中说明的分光灵敏度特性的受光部的照度计而构成。与包括具有以往的分光灵敏度特性的受光部的照度计进行了比较实验。
图7是示出与i线(365nm)相应的以往受光部(以下,称为第1以往受光部)的分光灵敏度特性的图。图8是示出与h线(405nm)相应的以往受光部(以下,称为第2以往受光部)的分光灵敏度特性的图。
图7所示的分光灵敏度曲线L3是将大约355nm作为峰值灵敏度的分布曲线,在i线(365nm)附近的短波长侧存在最大的灵敏度。h线(405nm)的波长处的灵敏度比R31=0,i线(365nm)的波长处的灵敏度比R32=0.90,分光灵敏度曲线的半值宽Δλ/2=40nm。
图8所示的分光灵敏度曲线L4是将大约405nm作为峰值灵敏度的分布曲线,在h线(405nm)附近的短波长侧具有最大的灵敏度。g线(436nm)的波长处的灵敏度比R41=0.75,h线(405nm)的波长处的灵敏度比R42=0.99,i线(365nm)的波长处的灵敏度比R43=0.35,分光灵敏度曲线的半值宽Δλ/2=75nm。任何分光灵敏度曲线均是在容易受到由自我吸收等引起的噪声的光谱变动的影响的波段设置峰值灵敏度。
图9是示出使用图7、8所示的第1、第2以往受光部而进行恒定照度点亮控制时的灯供给功率的变动的曲线图。图10是示出使用本实施例的受光部而进行恒定照度点亮控制时的功率变动的曲线图。此处,作为放电灯,使用水银0.2mg/mm3以上的超高压水银灯,进行了恒定照度点亮控制。
在使用了图7、图8所示的第1、第2以往受光部的照度计的情况下,在灯的使用中,连续不断地产生大的功率变动(参照图9的M1、M2)。这表示受到噪声所支配的放电变动的影响而检测出不正确的照度,与此相应地进行伴随大的功率变动的不必要的功率调整。
图10是示出使用本实施例的受光部而进行了恒定照度点亮控制时的灯供给功率的变动的曲线图。如图10所示,在几乎不产生大的功率变动的情况下进行功率调整。这表示通过使用上述的本实施例的受光部,不受到噪声所支配的放射光谱变动的影响,可靠地检测整体的光谱功率,进行适当的功率调整。另外,在图10中示出作为与第1实施方式相应的实施例的放电灯的功率变动,在作为与第2实施方式相应的实施例的放电灯中也同样不伴随大的功率变动。
接着,对改变了放电灯的供给功率时的光谱相对累计强度和光谱相对累计强度的变化进行了比较实验。关于照度计,使用了与本实施例中的第1实施方式相应的实施例,与以往例进行了比较。
图11是示出阶段性地调整供给功率时所测量的分光分布的变化的图。在170W~250W的范围内,使功率以每20W阶段性地变化,对此时的光谱分布SL1~SL5进行了图示。供给功率越减少,分光分布曲线的光谱强度整体越下降。另外,图11所示的光谱分布是基于利用多(multi)测光系统MC-3000-28C(大塚电子株式会社制造)来测量从放电灯放射并通过了光学系统的光的分光分布曲线而制作的曲线图。
图12是绘制了对应于各个功率的光谱相对累计强度的曲线图。此处,对在各个供给功率所计量的分光分布曲线乘以受光部的灵敏度曲线所得的值进行累计的相对累计值在各受光部中做了对比,并绘制了曲线图。此处,以供给功率为250W时的第2以往受光部的累计值作为基准(100%),示出了各受光部的对应于供给功率的累计强度的比例。
例如,关于本实施例的受光部,按照每个单位波长(1nm)将图11所示的在各个供给功率所计算的分光分布曲线乘以图2所示的分光灵敏度曲线,求出300nm到500nm之间的累计值,作为相对于用相同的方法计算的供给功率为250W时的第2以往受光部的累计值的比例而示出。
如图12所示,各受光部中的光谱相对累计强度以供给功率250W为基准下降,累计强度与功率变化量几乎成比例地下降。在使用了本实施例的受光部和第2以往受光部时,整体上光谱相对累计强度大。
图13是示出了光谱相对累计强度的变化率的曲线图。此处,按照比例示出以输入功率170W时为基准的情况下的累计强度的变化率。变化率越大,分辨率越高,能够更加详细地检测累计强度的变化,能够精确地掌握照度变动。如图13所示,使用了本实施例的受光部时的变化率最大。
如上所述,通过使用本实施例的受光部,不受到噪声所支配的放电变动的影响,并且,能够精确地掌握实际的放电变化(照度变化)。因此,通过使用本实施例的受光部,显然还能够正确地进行亮度测量、光量测量等其他的测光运算。
关于本发明,在不脱离根据所附的权利要求所定义的本发明的意图和范围的情况下可进行各种变更、替换、代替。另外,在本发明中,并不限定于说明书所记载的特定的实施方式的过程、装置、制造、结构物、手段、方法以及步骤。本领域技术人员应该认识到从本发明的公开中能够导出实际上发挥与此处记载的实施方式所带来的功能相同的功能,或者实际上带来相同的作用、效果的装置、手段、方法。因此,所附的权利要求范围包括在这样的装置、手段、方法的范围中。
本申请是将日本申请(特愿2011-074420号,2011年3月30日申请)作为基础申请而主张优先权的申请,基础申请的包括说明书、附图以及权利要求的公开内容以参照的方式合并到整个本申请中。
标号说明:
10曝光装置
21放电灯
30照度运算控制部
40受光部
41受光元件
42滤波器
50照度测量控制装置
100照度计
110受光部
114滤波器
120主体

Claims (14)

1.一种曝光装置,其特征在于,具备:
放电灯,其放射包括g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的亮线的光;
光测量单元,其具有受光部,对从所述放电灯放射的光进行测量;以及
照明调整单元,其根据所述光测量单元中的测量值,调整向所述放电灯供给的功率,
所述光测量单元具有分光灵敏度特性,在所述分光灵敏度特性中,在g线、h线、i线中相邻的2个亮线之间具有峰值灵敏度。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
所述分光灵敏度特性中的分光灵敏度曲线的半值宽比所述相邻的2个亮线之间的波段宽。
3.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
在所述分光灵敏度特性中,所述相邻的2个亮线处的灵敏度均是所述峰值灵敏度的85%以下。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述分光灵敏度特性在i线与h线之间的波段(365nm~405nm)具有峰值灵敏度。
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述分光灵敏度特性在h线与g线之间的波段(405nm~436nm)具有峰值灵敏度。
6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述分光灵敏度特性中的分光灵敏度曲线由以所述峰值灵敏度为中心的大致高斯分布曲线来表示。
7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述光测量单元对从所述放电灯放射的光的照度进行测量,
所述照明调整单元调整供给功率,以维持恒定照度。
8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述放电灯是封入了0.2mg/mm3以上的水银的水银灯。
9.一种测光装置,其特征在于,具备:
受光部,其具有受光元件和配置在入射光路上的滤波器;以及
测量部,其根据入射到所述受光元件的光,进行测光运算,
所述受光部具有分光灵敏度特性,在所述分光灵敏度特性中,在g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)中相邻的2个亮线之间具有峰值灵敏度。
10.根据权利要求9所述的测光装置,其特征在于,
所述分光灵敏度特性中的分光灵敏度曲线的半值宽比所述相邻的2个亮线之间的波段宽。
11.根据权利要求9所述的测光装置,其特征在于,
在所述分光灵敏度特性中,所述相邻的2个亮线处的灵敏度均是所述峰值灵敏度的85%以下。
12.根据权利要求9至11中的任意一项所述的测光装置,其特征在于,
所述分光灵敏度特性在i线与h线之间的波段(365nm~405nm)具有峰值灵敏度。
13.根据权利要求9至11中的任意一项所述的测光装置,其特征在于,
所述分光灵敏度特性在h线与g线之间的波段(405nm~436nm)具有峰值灵敏度。
14.一种测光装置的受光部,其特征在于,
该测光装置的受光部能够通过信号线缆与测光装置主体连接,
所述受光部具备受光元件和配置在入射光路上的滤波器,
所述受光部具有分光灵敏度特性,在所述分光灵敏度特性中,在作为亮线的g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)中相邻的2个亮线之间具有峰值灵敏度。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI629568B (zh) 2013-08-09 2018-07-11 日商奧克製作所股份有限公司 照明裝置及包含該照明裝置的曝光裝置
KR20150134527A (ko) 2014-05-22 2015-12-02 주식회사 만도 유압 밸브의 코일 전류 측정 장치 및 그 코일 전류 측정 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101325000A (zh) * 2006-06-28 2008-12-17 索尼株式会社 红外线信号接收装置、液晶显示器及光学元件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4319830A (en) * 1979-08-06 1982-03-16 Terence Roach Multispectral light detection system
JPS58165324A (ja) * 1982-03-25 1983-09-30 Nec Corp マスクアライナ−の積算露光量の測定法
JPS62137527A (ja) * 1985-12-12 1987-06-20 Toshiba Corp 分光分布検査装置
JPH036011A (ja) * 1989-06-02 1991-01-11 Nec Yamagata Ltd 半導体装置製造用ウェーハ露光装置
JPH04142020A (ja) * 1990-10-02 1992-05-15 Nec Yamagata Ltd 露光装置
JPH04343032A (ja) * 1991-05-21 1992-11-30 Nec Yamagata Ltd 露光装置用照度計
JP2947303B2 (ja) * 1991-07-08 1999-09-13 三菱電機株式会社 放電灯点灯装置
JP3526652B2 (ja) * 1995-05-11 2004-05-17 倉敷紡績株式会社 光学的測定方法および光学的測定装置
JP2002005736A (ja) 2000-06-23 2002-01-09 Orc Mfg Co Ltd 紫外線照度分布測定装置
JP2002340667A (ja) 2001-05-15 2002-11-27 Nikon Corp 照度計測装置および露光装置
JP2003257846A (ja) * 2002-03-07 2003-09-12 Nikon Corp 光源ユニット、照明装置、露光装置及び露光方法
JP2004170325A (ja) * 2002-11-22 2004-06-17 Shimadzu Corp 分光計測装置
JP4262032B2 (ja) * 2003-08-25 2009-05-13 キヤノン株式会社 Euv光源スペクトル計測装置
JP5181138B2 (ja) * 2006-11-02 2013-04-10 友達光電股▲ふん▼有限公司 液晶パネル製造装置及び液晶パネルの製造方法
JP2009021971A (ja) * 2007-06-15 2009-01-29 Toshiba Lighting & Technology Corp 光通信システム
JP2009251551A (ja) * 2008-04-11 2009-10-29 Ushio Inc 紫外線照射装置および該装置の制御方法
JP5320006B2 (ja) 2008-10-03 2013-10-23 株式会社オーク製作所 露光描画装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101325000A (zh) * 2006-06-28 2008-12-17 索尼株式会社 红外线信号接收装置、液晶显示器及光学元件

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