JPH036011A - 半導体装置製造用ウェーハ露光装置 - Google Patents
半導体装置製造用ウェーハ露光装置Info
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- JPH036011A JPH036011A JP1140606A JP14060689A JPH036011A JP H036011 A JPH036011 A JP H036011A JP 1140606 A JP1140606 A JP 1140606A JP 14060689 A JP14060689 A JP 14060689A JP H036011 A JPH036011 A JP H036011A
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- Japan
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- illuminance
- illumination
- spectral
- wafer
- aligning
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- Pending
Links
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 10
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造用ウェーハ露光装置に関する。
半導体装置の製造において、ウェーハ露光装置でウェー
ハを露光する際、ウェーハ上に塗布されたフォトレジス
トにフォトマスクの微細なパターンを安定して焼付けす
るために、ウェーハ面上での照度及び露光エリア内の照
度均一性を測定し、管理する必要がある。
ハを露光する際、ウェーハ上に塗布されたフォトレジス
トにフォトマスクの微細なパターンを安定して焼付けす
るために、ウェーハ面上での照度及び露光エリア内の照
度均一性を測定し、管理する必要がある。
従来のウェーハ露光装置は、照度を測定するフォトセン
サーに、第３図に示すように、特定の光の波長に感度ピ
ークを持つものを使用していた。
サーに、第３図に示すように、特定の光の波長に感度ピ
ークを持つものを使用していた。
ウェーハ露光で使用する超高圧水銀ランプは、第４図に
示すように、４３６ｎｍ、３６５ｎｍこ輝線スペクトル
が強く出るものを使用している。
示すように、４３６ｎｍ、３６５ｎｍこ輝線スペクトル
が強く出るものを使用している。
上述した従来のウェーハ露光装置では、第３図のように
、特定の波長に感度ピークを持つフォトセンサーで照度
を測定するため、第５図（ａ）（ｂ）に示すように、経
時変化により各輝線スペクトルの強度に変化があった場
合、フォトセンサーの感度が低い波長での照度変化が正
確に測定されない。それに、フォトレジストは、光の波
長により感度が異なるが、その点も従来の測定方法では
補正できないという欠点がある。
、特定の波長に感度ピークを持つフォトセンサーで照度
を測定するため、第５図（ａ）（ｂ）に示すように、経
時変化により各輝線スペクトルの強度に変化があった場
合、フォトセンサーの感度が低い波長での照度変化が正
確に測定されない。それに、フォトレジストは、光の波
長により感度が異なるが、その点も従来の測定方法では
補正できないという欠点がある。
本発明の半導体装置製造用ウェーハ露光装置は、露光用
光源と、前記光源からの光を受けて電気量に変換する受
光部と、前記電気量を測定し波長別に分光特性及び照度
を測定する照度計及び測定制御部と、前記測定された分
光特性及び照度のデータから前記露光用光のエネルギー
を制御する照明制御部とを含んで構成される。
光源と、前記光源からの光を受けて電気量に変換する受
光部と、前記電気量を測定し波長別に分光特性及び照度
を測定する照度計及び測定制御部と、前記測定された分
光特性及び照度のデータから前記露光用光のエネルギー
を制御する照明制御部とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のブロック図である。
超高圧水銀ランプ１から出た光２は、照明光学系３によ
り均一な光となってフォトマスク４に照射され、投影光
学系５を経て、ウェーハ面６で露光が行われる。照度測
定時は、このウェーハ面６の分光照度計受光部７から入
った光が光ファイバー８を通り、分光照度計９に送られ
る。分光照度計９で得られた分光照度データは、測定制
御ユニット１０によりフォトレジストの分光感度で補正
する。照度の制御は、超高圧水銀ランプ１の各輝線スペ
クトルの強“度が変動するのを、波長別の照度の積算量
が一定となるように照明制御ユニット１１で調整し、ウ
ェーハ面６上の照度及び露光エリア内の照度の均一化を
はかる。
り均一な光となってフォトマスク４に照射され、投影光
学系５を経て、ウェーハ面６で露光が行われる。照度測
定時は、このウェーハ面６の分光照度計受光部７から入
った光が光ファイバー８を通り、分光照度計９に送られ
る。分光照度計９で得られた分光照度データは、測定制
御ユニット１０によりフォトレジストの分光感度で補正
する。照度の制御は、超高圧水銀ランプ１の各輝線スペ
クトルの強“度が変動するのを、波長別の照度の積算量
が一定となるように照明制御ユニット１１で調整し、ウ
ェーハ面６上の照度及び露光エリア内の照度の均一化を
はかる。
第２図は本発明の第２の実施例のブロック図である。
超高圧水銀ランプ１から出た光２は、照明光学系３によ
り均一な光となってフォトマスク４に照射され、フォト
マスク４と密着したウェーハ面６で露光が行われる。照
度測定は、このウェーハ面６にフォトセンサー１２を置
く。フォトセンサー１２は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、
３６５ｎｍの波長に感度ピークを合わせた物３個で各波
長別強度を測定する。この照度データを測定制御ユニッ
ト１０によりフォトレジストのそれぞれの波長での感度
で補正し、照明制御ユニット１１で照明光量を自動調整
する。
り均一な光となってフォトマスク４に照射され、フォト
マスク４と密着したウェーハ面６で露光が行われる。照
度測定は、このウェーハ面６にフォトセンサー１２を置
く。フォトセンサー１２は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、
３６５ｎｍの波長に感度ピークを合わせた物３個で各波
長別強度を測定する。この照度データを測定制御ユニッ
ト１０によりフォトレジストのそれぞれの波長での感度
で補正し、照明制御ユニット１１で照明光量を自動調整
する。
照度の制御は第１の実施例と同じである。第２の実施例
では分光照度計を使用しないのでコストを安くできる利
点がある。
では分光照度計を使用しないのでコストを安くできる利
点がある。
以上説明した様に、本発明は、ウェーハ露光照明の照度
を分光強度で測定し、フォトレジストの分光感度で補正
をかけてその結果で照度調整を行うことにより、ウェー
ハ面内の照度分布のばらつき、超高圧水銀ランプの経時
変化による照度変動、装置間の照度ばらつきを正確に管
理することができる為、露光により形成されるレジスト
パターンの寸法ばらつきが低減するという効果を有す。
を分光強度で測定し、フォトレジストの分光感度で補正
をかけてその結果で照度調整を行うことにより、ウェー
ハ面内の照度分布のばらつき、超高圧水銀ランプの経時
変化による照度変動、装置間の照度ばらつきを正確に管
理することができる為、露光により形成されるレジスト
パターンの寸法ばらつきが低減するという効果を有す。
スペクトル強度の経時変化を説明するためのスペクトル
分布図である。
分布図である。
１・・・超高圧水銀ランプ、２・・・露光照明光、３・
・・照明光学系、４・・・フォトマスクセット位置、５
・・投影光学系、６・・・ウェーハ面、７・・・分光照
度計受光部、８・・・光ファイバー ９・・・分光照度
計、１０・・・測定制御ユニット、１１・・・照明制御
ユニット、１２・・・フォトセンサー １３・・・照度
計。
・・照明光学系、４・・・フォトマスクセット位置、５
・・投影光学系、６・・・ウェーハ面、７・・・分光照
度計受光部、８・・・光ファイバー ９・・・分光照度
計、１０・・・測定制御ユニット、１１・・・照明制御
ユニット、１２・・・フォトセンサー １３・・・照度
計。
Claims (1)
- 露光用光源と、前記光源からの光を受けて電気量に変換
する受光部と、前記電気量を測定し波長別に分光特性及
び照度を測定する照度計及び測定制御部と、前記測定さ
れた分光特性及び照度のデータから前記露光用光のエネ
ルギーを制御する照明制御部とを含むことを特徴とする
半導体装置製造用ウェーハ露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140606A JPH036011A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置製造用ウェーハ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140606A JPH036011A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置製造用ウェーハ露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036011A true JPH036011A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15272621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140606A Pending JPH036011A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 半導体装置製造用ウェーハ露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036011A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004537176A (ja) * | 2001-07-27 | 2004-12-09 | サイマー インコーポレイテッド | リソグラフィ処理のためのレーザスペクトルエンジニアリング |
| WO2012133616A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 株式会社オーク製作所 | 放電ランプ |
| JP2017161603A (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置及びこれを備えた露光装置 |
| JP2020016758A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社オーク製作所 | 紫外線照射装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482527A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Nikon Corp | Exposure device |
| JPS6484767A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tunable laser device |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1140606A patent/JPH036011A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482527A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Nikon Corp | Exposure device |
| JPS6484767A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tunable laser device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004537176A (ja) * | 2001-07-27 | 2004-12-09 | サイマー インコーポレイテッド | リソグラフィ処理のためのレーザスペクトルエンジニアリング |
| WO2012133616A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 株式会社オーク製作所 | 放電ランプ |
| JP2017161603A (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置及びこれを備えた露光装置 |
| JP2020016758A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社オーク製作所 | 紫外線照射装置 |
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