JPS58165324A - マスクアライナ−の積算露光量の測定法 - Google Patents
マスクアライナ−の積算露光量の測定法Info
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- JPS58165324A JPS58165324A JP57048482A JP4848282A JPS58165324A JP S58165324 A JPS58165324 A JP S58165324A JP 57048482 A JP57048482 A JP 57048482A JP 4848282 A JP4848282 A JP 4848282A JP S58165324 A JPS58165324 A JP S58165324A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造工程におけるレジストパター
ン形成に使用するマスクアライナ−の積算露光針に関す
るものである。
ン形成に使用するマスクアライナ−の積算露光針に関す
るものである。
半導体装置、半導体集積回路装置は、従来より、何種類
かの異なるパターンの組合せＫよ抄、所望する特性のト
ランジスタ、抵抗、ダイオード、コンデンサ、並びにそ
れらｔ結合する金属等の配線を形成することによ勤製造
しているが、前記具なるパターンの各々は、コンタクト
法、プロジェクシ璽ン法等ｔｓ用した。レジストパター
ンの形成すなわち写真食刻法によシ作り出されている。
かの異なるパターンの組合せＫよ抄、所望する特性のト
ランジスタ、抵抗、ダイオード、コンデンサ、並びにそ
れらｔ結合する金属等の配線を形成することによ勤製造
しているが、前記具なるパターンの各々は、コンタクト
法、プロジェクシ璽ン法等ｔｓ用した。レジストパター
ンの形成すなわち写真食刻法によシ作り出されている。
このレジストパターンを形成するのがマスクアライナ−
である。
である。
近年、マスクアライナ−としては、紫外線、遠紫外線の
他に、電子線、Ｘ＠などｔ光源として使用するものも表
われては暑ているが、ｔだ大勢は紫外線、遠紫外ａｔ使
用したものである。ｔた、写真食刻法において使用する
レジストにも多種類のものが使用されているが、大勢は
前述した。紫外線に感光骨ａｔ持りものである。また、
この感光特性は、レジメ）Ｋより異なり、感光に最適な
波長も異なるが、その感光特性は一般Ｋ ２００ ｎｍ
から５ＱＱｍｎに広く分布している。
他に、電子線、Ｘ＠などｔ光源として使用するものも表
われては暑ているが、ｔだ大勢は紫外線、遠紫外ａｔ使
用したものである。ｔた、写真食刻法において使用する
レジストにも多種類のものが使用されているが、大勢は
前述した。紫外線に感光骨ａｔ持りものである。また、
この感光特性は、レジメ）Ｋより異なり、感光に最適な
波長も異なるが、その感光特性は一般Ｋ ２００ ｎｍ
から５ＱＱｍｎに広く分布している。
一方、＊述した紫外１．遠紫外線の光源としては、Ｈｇ
ランプ、Ｘｅ−Ｈｇランプ、Ｘｓプンプ等が一般的に使
用されているが、各々のランプが発生する光波長の範囲
は分光特性は異なるものの２００ ｎｍ 以上広い範
囲に渡り分布している。ところで、光源として使用して
いるこれらのランプは、使用時間に比例して、出力は低
下していくが、この出力の低下、各々のランプにより多
少異なるものの、そのランプが発生している全波長範囲
に渡って均一ではない。ま友前述したように、レジスト
の感光波長特性は、かなｐ広い範囲に渡っていて、この
範囲内の波長に、対し、感光し、レジストの適正露光時
間は、この全波長範囲に渡るレジストの感光特性と、光
源としてのランプの分光特性との両方によって決定され
る。しかし、従来より使用されてきているマスクアライ
ナ−は、この露光時間の決定として、狭□い範囲の特定
の単波長□・。
ランプ、Ｘｅ−Ｈｇランプ、Ｘｓプンプ等が一般的に使
用されているが、各々のランプが発生する光波長の範囲
は分光特性は異なるものの２００ ｎｍ 以上広い範
囲に渡り分布している。ところで、光源として使用して
いるこれらのランプは、使用時間に比例して、出力は低
下していくが、この出力の低下、各々のランプにより多
少異なるものの、そのランプが発生している全波長範囲
に渡って均一ではない。ま友前述したように、レジスト
の感光波長特性は、かなｐ広い範囲に渡っていて、この
範囲内の波長に、対し、感光し、レジストの適正露光時
間は、この全波長範囲に渡るレジストの感光特性と、光
源としてのランプの分光特性との両方によって決定され
る。しかし、従来より使用されてきているマスクアライ
ナ−は、この露光時間の決定として、狭□い範囲の特定
の単波長□・。
に検出感度を持つ受光１子に１個だけ使用し、この狭い
波長範囲の光の減衰特性のみｔ検知し、積算露光時間の
決定に使用している。ところが、７ンプが劣化してくる
と、その劣下特性が全波長領域に渡勤均−でなく、前述
の様に受光素子？１個使用しているだけでは、全波長領
域に渡る劣下特性は検知できず、一定の感光特性を有す
るレジストに対する最適な露光時間が検出できなくなる
。
波長範囲の光の減衰特性のみｔ検知し、積算露光時間の
決定に使用している。ところが、７ンプが劣化してくる
と、その劣下特性が全波長領域に渡勤均−でなく、前述
の様に受光素子？１個使用しているだけでは、全波長領
域に渡る劣下特性は検知できず、一定の感光特性を有す
るレジストに対する最適な露光時間が検出できなくなる
。
すなわち、単一の受光素子を使用しているマスクアライ
ナ−では、光源としてのランプが劣下してくると、その
積算露光針の値が初期において設定した値からずれてき
て、露光不足という悪影響が発生し、露光条件の再設定
や、ｔだ使用できるランプを未使用の新しいランプと交
換する必要が出てくる。
ナ−では、光源としてのランプが劣下してくると、その
積算露光針の値が初期において設定した値からずれてき
て、露光不足という悪影響が発生し、露光条件の再設定
や、ｔだ使用できるランプを未使用の新しいランプと交
換する必要が出てくる。
本発明は、前述し九様な従来のマスクアライナ−の積算
露光針の欠点を除去し、より正確な露光時間の検出、決
定を可能にする。積算露光量のＩＩＩ足法を提供するも
のである。
露光針の欠点を除去し、より正確な露光時間の検出、決
定を可能にする。積算露光量のＩＩＩ足法を提供するも
のである。
本発明は、ｇＱＱｎｍから５ Ｑ Ｑ ｎｍ の波長
範囲の一部または全体−分光特性を有する光源を使用し
、集積回路装置の製造工程におけるレジストパター／形
成に使用するマスクアライナ−において。
範囲の一部または全体−分光特性を有する光源を使用し
、集積回路装置の製造工程におけるレジストパター／形
成に使用するマスクアライナ−において。
前記波長領域内の異なる波長に対し、検出感ｆ特性を有
する。複数の受光素子を使用し、前記波長領域の分光特
性を測定し、前記集積回路装置の製造工程におけるレジ
ストパターン形成をするに際し、必要な積算露光量を決
定すること【４？黴とするマスクアライナ−の積算露光
量の測定法にある。
する。複数の受光素子を使用し、前記波長領域の分光特
性を測定し、前記集積回路装置の製造工程におけるレジ
ストパターン形成をするに際し、必要な積算露光量を決
定すること【４？黴とするマスクアライナ−の積算露光
量の測定法にある。
本発明をより良く理解するｔめに、近年、高解像力と量
産適用性から注目【集めている遠紫外線の光源に対し、
本発明’ｉｔ＊ｔｉ＆シ＊例を用いる。仁こで、レジス
トとしては、遠紫外線用レジストとして、増感されたＰ
ＭＩＰＫ（ポリマーにした電子線、遠紫外線用の０ＤＶ
Ｒ−１０ｆ３１例として引用する。ｔａ光源としては、
Ｘｅ−Ｈｇランプ【使用して説明する０周知の様に、Ｘ
ｅ−Ｈ１１ランプは遠紫外線の発生源として開発された
ものである。
産適用性から注目【集めている遠紫外線の光源に対し、
本発明’ｉｔ＊ｔｉ＆シ＊例を用いる。仁こで、レジス
トとしては、遠紫外線用レジストとして、増感されたＰ
ＭＩＰＫ（ポリマーにした電子線、遠紫外線用の０ＤＶ
Ｒ−１０ｆ３１例として引用する。ｔａ光源としては、
Ｘｅ−Ｈｇランプ【使用して説明する０周知の様に、Ｘ
ｅ−Ｈ１１ランプは遠紫外線の発生源として開発された
ものである。
遠紫外線レジストｏＯＤ％ｌ−１０ｔ３は、 ２００
ｎｍから３４ Ｑ ｎｍ において感光特性を有し、
特に２５０ ｎｍ から３３ Ｑ ｎｍ付近が感度の良
いレジストである。［７２Ｘｅ−Ｈｇｙンプは２００
ｎｍ 以上広い範囲に渡り分光出力を有するランプで
あるが。
ｎｍから３４ Ｑ ｎｍ において感光特性を有し、
特に２５０ ｎｍ から３３ Ｑ ｎｍ付近が感度の良
いレジストである。［７２Ｘｅ−Ｈｇｙンプは２００
ｎｍ 以上広い範囲に渡り分光出力を有するランプで
あるが。
前記レジストが感光する範囲では、 ２４ ｇ ｎｍ付
近。
近。
２６２Ｉ １１ｍ付近、２８５ｎｍ付近、３００ａｍ付
近。
近。
３１０１ｍ付近に比較的大きな分光出力【有する。
ここで前記レジストを前記Ｘｓ−ＨｇランプｔＩ！用し
て、感光する場合、受光素子として、ｇ５４ｎｍ。
て、感光する場合、受光素子として、ｇ５４ｎｍ。
ｚ８０ｎｍｓ ２９７ｎｍｅ ３１３ｎｍにピーク感度
【有する４種類のもの【使用し、前記Ｘ＋−Ｈｇ ラン
プの分光出力ｔ ＩＩＩ ｆｆｌする。ここで露光時間
の決定法について述べる。まず、ｖ１→１／２５４ （
ｎｍ）。
【有する４種類のもの【使用し、前記Ｘ＋−Ｈｇ ラン
プの分光出力ｔ ＩＩＩ ｆｆｌする。ここで露光時間
の決定法について述べる。まず、ｖ１→１／２５４ （
ｎｍ）。
Ｖｍ＝１／２８０（ａｍ）、Ｖｌ：１／２９７（ｎｍ）
＠Ｖａ＝１／３１３（ａｍ）として、各波長における分
光出力”Ｌ−ＰＩ、Ｐｌｅ Ｐ４とすれば、積算露晃量
は下記の式で計算で龜る。
＠Ｖａ＝１／３１３（ａｍ）として、各波長における分
光出力”Ｌ−ＰＩ、Ｐｌｅ Ｐ４とすれば、積算露晃量
は下記の式で計算で龜る。
１１算ｊＥ光量（Ｂｘｔ）＝（ｆ’ｓＶｘ＋ＰｓＶｓ＋
ＰｓＶ’ｓ＋Ｐ４Ｖ４ ）−ｔｌ ここでｔｌは感光に必要な露光時間である。ここテｈ
Ｖ１＊ ｖ、、 Ｖ８＠ Ｖａは概籠でＴｏＤ ＊ Ｐ
Ｚ ｅ Ｐ 愈＋Ｐｌ＊Ｐ４は受光素子からの出力で検
知で龜る。そのため、感光に必要な積算露光量ｔ−Ｔｏ
らかしめ決定しておけば、ｔｌは上記計算式より計算さ
れる。
ＰｓＶ’ｓ＋Ｐ４Ｖ４ ）−ｔｌ ここでｔｌは感光に必要な露光時間である。ここテｈ
Ｖ１＊ ｖ、、 Ｖ８＠ Ｖａは概籠でＴｏＤ ＊ Ｐ
Ｚ ｅ Ｐ 愈＋Ｐｌ＊Ｐ４は受光素子からの出力で検
知で龜る。そのため、感光に必要な積算露光量ｔ−Ｔｏ
らかしめ決定しておけば、ｔｌは上記計算式より計算さ
れる。
従来は、上記の計算を単一波長１例えばｖｌのみで行っ
ていたが、ランプの出力低下は波長の長短により均一で
はなく、前記レジストが感光する波長域全体を検知して
いないため、ランプが劣下すると必要積算露光量からの
ズレが生じ、露光不足という現象が発生していた。しか
し２本発明による測定法を使用すれば、検知している波
長域が広範囲に渡り、ランプの劣下による。積算露光量
への影響を極力、減らすことが可ｔＩＡＫなる。
ていたが、ランプの出力低下は波長の長短により均一で
はなく、前記レジストが感光する波長域全体を検知して
いないため、ランプが劣下すると必要積算露光量からの
ズレが生じ、露光不足という現象が発生していた。しか
し２本発明による測定法を使用すれば、検知している波
長域が広範囲に渡り、ランプの劣下による。積算露光量
への影響を極力、減らすことが可ｔＩＡＫなる。
本実施例は、遠紫外線に対するものであるが。
紫外線に対しても、当然適用は可能である。
Claims (1)
- ２ＱＱｎｍから！ＳＯＯｎｍ（ＤｔＩＬ長範囲の一部マ
タは全体に分光出力を有する光源を使用し、半導体装置
の製造工程におけるレジストパターン形成に使用するマ
スクアライナーにおいて、前記波長領域内の異なる波長
に対し検出感度特性を有する複数の受光票子を使用し、
−記波長領域や分光特性を測定し、必要な積算露光量を
決定するととｔ４！黴とするマスクアライナ−の積算露
光量の測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048482A JPS58165324A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | マスクアライナ−の積算露光量の測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048482A JPS58165324A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | マスクアライナ−の積算露光量の測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58165324A true JPS58165324A (ja) | 1983-09-30 |
Family
ID=12804599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048482A Pending JPS58165324A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | マスクアライナ−の積算露光量の測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58165324A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007056437A1 (de) | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Ntn Corp. | Kegelrollenlager |
| WO2009017159A1 (ja) | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Ntn Corporation | 円すいころ軸受 |
| WO2011129178A1 (ja) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Ntn株式会社 | 円すいころ軸受用保持器、保持器製造方法、および円すいころ軸受 |
| US8167503B2 (en) | 2007-06-08 | 2012-05-01 | Ntn Corporation | Taper roller bearing |
| JP2012208351A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Orc Manufacturing Co Ltd | 測光装置および露光装置 |
| US8596877B2 (en) | 2007-11-12 | 2013-12-03 | Ntn Corporation | Tapered roller bearing |
| US8740471B2 (en) | 2009-12-25 | 2014-06-03 | Ntn Corporation | Retainer segment for tapered roller bearing, tapered roller bearing, and method for mounting tapered roller bearing |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214488B2 (ja) * | 1973-11-30 | 1977-04-22 |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP57048482A patent/JPS58165324A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5214488B2 (ja) * | 1973-11-30 | 1977-04-22 |
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| WO2009017159A1 (ja) | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Ntn Corporation | 円すいころ軸受 |
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| WO2011129178A1 (ja) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Ntn株式会社 | 円すいころ軸受用保持器、保持器製造方法、および円すいころ軸受 |
| US8801295B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-08-12 | Ntn Corporation | Retainer for tapered roller bearing, method for manufacturing retainer, and tapered roller bearing |
| JP2012208351A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Orc Manufacturing Co Ltd | 測光装置および露光装置 |
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