CN103415930B - 光电二极管载体和使用其的光传感器 - Google Patents

光电二极管载体和使用其的光传感器 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种光电二极管载体，其可以均衡多个所安装的光电二极管的频率响应特征。本发明的光电二极管载体设置有：二极管阵列连接区；连接至二极管阵列连接区的第一和第二信号侧电极；连接至二极管阵列连接区的第一和第二偏压侧电极；以及连接于被设置在地电极和第一和第二偏压侧电极途中的电极之间的第一和第二电容器。被设置在第一和第二偏压侧电极途中的电极被定位在离作为起始点的二极管阵列连接区（7）大约相等的距离处。

Description

光电二极管载体和使用其的光传感器
技术领域
本发明涉及光电二极管载体和使用该光电二极管载体的光传感器，并且特别涉及其上安装多个光电二极管的光电二极管载体和使用该光电二极管载体的光传感器。
背景技术
光电二极管载体是其上安装光电二极管的部件，并且其被用于置入到用于光通信的光学接收器模块内部。图7A是这样的光电二极管载体的顶视图，并且图7B是光电二极管载体的正视图。在光电二极管载体中，在陶瓷衬底101上形成四对信号侧电极102和偏压侧电极103至106。信号侧电极102分别在陶瓷衬底101的主表面上相互平行地布置，并且被形成为使得它们可以延伸到陶瓷衬底101的上表面。偏压侧电极103至106也布置在陶瓷衬底101的主表面上，并且被形成为使得它们可以在被拉绕（draw around）后延伸到陶瓷衬底101的上表面。
图7C是光电二极管111被安装在光电二极管载体上的状态的正视图。图7C示出光电二极管通过倒装而被安装在光电二极管载体上，使得光电二极管的电极表面面对光电二极管载体侧的状态。在此，示出背面入射型四连光电二极管阵列（back face incidencetype quadruple photodiode array）被用作光电二极管的实例。在背面入射型四连光电二极管阵列的电极表面上还形成四对信号侧端子和偏压侧端子。通过倒装安装，这些电极分别连接到光电二极管载体侧上的电极。
图8是示出图7C中所示的具有安装有光电二极管的光电二极管载体被已经置入到光学接收器模块中的状态的侧视图。分别地，安装有光电二极管的光电二极管载体被固定在具有多级的梯级载体（step carrier）113的下梯级部分113L上，并且前置放大器114被固定在上梯级部分113U上。通过引线键合，光电二极管载体表面中的信号侧电极连接到前置放大器114。未被示出地，光电二极管载体表面上的偏压侧电极还通过被连接到梯级载体的上梯级部分上的芯片电容器（chip condenser）而被以交流方式接地。取决于到光学接收器模块的入射光，四连光电二极管输出输出信号，该输出信号分别由前置放大器114放大并且被输出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利申请特开公开No.2001-127561
发明内容
将由本发明解决的问题
然而，上述背景技术的光电二极管载体存在以下问题。即，在根据背景技术的光电二极管载体中，在连接到偏压侧电极103和偏压侧电极104的光电二极管之间，频率响应特征可能不同。这是因为偏压侧电极103的长度不同于偏压侧电极104的长度。关于连接到偏压侧电极105和偏压侧电极106的光电二极管，还存在类似问题。
作为其中安装光电二极管的光学高频接收电路，已知在专利文献1中公开的内容。图9是示出专利文献1中所示的光学高频接收电路的相关部分的部分平面图。在衬底201上形成电极205至208以及接地图案（ground pattern）209至211，并且在其上安装光电二极管202、IC203和高频电容器204。IC203具有DC断路电容器（DC cut condenser）、前置放大器和置入电阻。IC203的每个端子都连接至电极206和207或者接地图案209和210。光电二极管202的两个N电极分别连接至偏压侧电极的电极205，并且光电二极管202的P电极连接至电极206。光电二极管202的输出信号被输出到电极206，并且由IC203中的前置放大器放大，并且从电极207输出。
在图9中所示的光学高频接收电路中，高频电容器204安装在连接到IC203的一个端子的接地图案209和光电二极管202的N电极连接到的偏压侧电极的电极205之间。通过高频电容器204，期望减小接地图案的寄生电感。连接到IC203的端子的电极208在高频电容器204和衬底201之间横切。
专利文献1中描述的光学高频接收电路不提供用于解决在图7和图8中描述的背景技术中的光电二极管载体的上述问题的手段。
本发明的目标在于提供一种光电二极管载体，其可以均衡多个所安装的光电二极管的频率响应特征。
用于解决问题的装置
为了实现上述目标，根据本发明的光电二极管载体包括：二极管阵列连接区；第一和第二信号侧电极，其连接至二极管阵列连接区；第一和第二偏压侧电极，其连接至二极管阵列连接区；以及第一和第二电容器，其连接至被设置在第一和第二偏压侧电极途中的电极和地电极之间；其中
被设置在第一和第二偏压侧电极途中的电极被定位在离作为起始点的二极管阵列连接区大约相等的距离处。
根据本发明的光传感器包括：光电二极管载体，该光电二极管载体包括：二极管阵列连接区；第一和第二信号侧电极，其连接到二极管阵列连接区；第一和第二偏压侧电极，其连接到二极管阵列连接区；以及第一和第二电容器，其连接至被设置在第一和第二偏压侧电极途中的电极和地电极之间；以及
二极管阵列，其中布置多个光电二极管，二极管阵列被安装在二极管阵列连接区中并且连接到信号侧电极和偏压侧电极；其中
被设置在第一和第二偏压侧电极途中的电极被定位在离作为起始点的二极管阵列连接区大约相等的距离处。
本发明的效果
在本发明中，第一偏压侧电极和第二偏压侧电极在离安装在二极管连接区上的光电二极管大致相等的距离处，分别经由第一和第二电容器连接到地电极。从交流分量测量的偏压侧电极的长度变为在第一偏压侧电极和第二偏压侧电极之间大致相等。结果，可以均衡多个所安装的光电二极管的频率响应特征。
附图说明
图1A是根据本发明的第一示例性实施例的二极管载体的顶视图，并且图1B是根据本发明的第一示例性实施例的二极管载体的正视图，并且图1C是根据本发明的第一示例性实施例的二极管载体的底视图。
图2A是示出光电二极管和芯片电容器安装在图1的二极管载体上的状态的正视图，图2B是沿着图2A的A-A线的横截面，并且图2C是示出光电二极管和芯片电容器安装在图1的二极管载体上的状态的侧视图。
图3是示出光电二极管和芯片电容器安装在二极管载体上的状态的细节的正视图。
图4是示出安装了光电二极管后的图2和图3中所示的光电二极管载体被安装在光学接收器模块内部的状态的侧视图。
图5是根据本发明的第二示例性实施例的二极管载体的正视图。
图6A是示出光电二极管和芯片电容器安装在图5的二极管载体上的状态的正视图，图6B是沿着图6A的A-A线的横截面，并且图6C是沿着图6A的B-B线的横截面。
图7A是背景技术的二极管载体的顶视图，图7B是背景技术的二极管载体的正视图，并且图7C是示出光电二极管和芯片电容器被安装在二极管载体上的状态的正视图。
图8是示出安装了光电二极管后的在图7中所示的光电二极管载体被置入光学接收器模块内部的状态的侧视图。
图9是示出关于专利文献1的光学高频接收电路的相关部分的部分平面图。
具体实施方式
将参考附图详细地描述本发明的优选示例性实施例。
[第一示例性实施例]
首先，将参考附图描述根据本发明的第一示例性实施例的光电二极管载体和光传感器。图1A是根据本发明的第一示例性实施例的二极管载体的顶视图，图1B是根据本发明的第一示例性实施例的二极管载体的正视图，并且图1C是根据本发明的第一示例性实施例的二极管载体的底视图。图2A是示出光电二极管和芯片电容器安装在图1的二极管载体上的状态的正视图，图2B是沿着图2A的A-A线的横截面，并且图2C是光电二极管和芯片电容器安装在图1的二极管载体上的状态的侧视图。图3是示出光电二极管和芯片电容器安装在二极管载体上的状态的细节的正视图。图4是示出安装了光电二极管后的图2和图3中所示的光电二极管载体被安装在光学接收器模块内部的状态的侧视图。
构造根据本发明的第一示例性实施例的光电二极管载体，其中，在偏压侧电极途中提供电容器连接区，使得该区域经由芯片电容器以交流方式连接至地电极。
更详细地，通过芯片电容器以交流方式将地连接至构成光电二极管阵列的光电二极管的几乎每个阴极。为了尽可能地均衡从构成光电二极管阵列的光电二极管的每个阴极到每个芯片电容器的供电图案的频率响应特征，芯片电容器被构造成跨越供电图案。为了尽可能地均衡从构成光电二极管阵列的光电二极管的每个阴极到每个芯片电容器的供电图案的频率响应特征，使从光电二极管的每个阴极到每个芯片电容器的供电图案的长度相同。
而且，换句话说，如图1B中所示，本示例性实施例的光电二极管载体包括：陶瓷衬底1，其具有相互面对的一个边缘1A和另一个边缘1B；二极管阵列连接区7，其被布置在上述一个边缘1A和上述另一个边缘1B之间的陶瓷衬底1的主面上，在该二极管阵列连接区7上安装包括多个所布置的光电二极管的二极管阵列；多个电感器连接区10，其被布置在二极管阵列连接区7和上述另一个边缘1B之间；以及第一至第四信号侧电极2，其被形成为从二极管阵列连接区7到上述一个边缘1A几乎相互平行地延伸。第一至第四信号侧电极2被形成为连接至陶瓷衬底1的顶面部分，如图1A中所示。在电容器连接区10中，对应于偏压侧电极3、4、5和6，设置四个电容器连接区10-3、10-4、10-5和10-6。
另外，光电二极管载体具有：第一至第四偏压侧电极3、4、5和6，其分别被从二极管阵列连接区7向衬底1的上述另一个边缘1B拉伸，在途中转变其方向，并且朝向衬底1的一个边缘1A拉绕；以及地电极8，其设置在衬底1的该另一个边缘1B中，并且经由安装在电容器连接区10-3、10-4、10-5和10-6上的电容器，连接至第一至第四上述偏压侧电极3、4、5和6。
在此，第一偏压侧电极3被布置成使得其可以通过电容器连接区10-3。第一偏压侧电极3在其通过电容器连接区10-3的部分处被布置成使得第一偏压侧电极3可以平行于衬底1的另一个边缘1B延伸。第二偏压侧电极4被布置成使得其可以通过电容器连接区10-4。第二偏压侧电极4在其通过电容器连接区10-4的部分处被布置成使得第二偏压侧电极4可以平行于衬底1的另一个边缘1B延伸。
第三偏压侧电极5被布置成使得其可以通过电容器连接区10-5。第三偏压侧电极5在其通过电容器连接区10-5的部分处被布置成使得第三偏压侧电极5可以平行于衬底1的另一个边缘1B延伸。第四偏压侧电极6被布置成使得其可以通过电容器连接区10-6。第四偏压侧电极6在其通过电容器连接区10-6的部分处被布置成使得第四偏压侧电极6可以平行于衬底1的另一个边缘1B延伸。
第二偏压侧电极4被布置成使得其可以通过电容器连接区10-4，而且其可以通过电容器连接区10-3。第三偏压侧电极5被布置成使得其可以通过电容器连接区10-5，而且其可以通过电容器连接区10-6。在电容器被安装在电容器连接区10-3上的状态下，第二偏压侧电极4被布置成在电容器和陶瓷衬底1之间通过。在电容器被安装在电容器连接区10-6上的状态下，第三偏压侧电极5被布置成在电容器和陶瓷衬底1之间通过。如图1A中所示，这些偏压侧电极3、4、5和6还被形成为连接至陶瓷衬底1的顶面部分。地电极8被布置成使得平行于陶瓷衬底1的另一个边缘1B延伸，并且地电极8部分通过电容器连接区10-3、10-4、10-5和10-6。如图1C中所示，地电极8被形成为连接至陶瓷衬底1的下表面部分。
分别将两个电极布置在通过电容器连接区10-3、10-4、10-5和10-6的第一至第四偏压侧电极3、4、5和6上以及地电极8上。作为实例，该电极是具有20μm高度的Au凸块电极9。在布置在第一至第四偏压侧电极3、4、5和6上的Au凸块电极9中，在接近二极管阵列连接区7的一侧上的电极被布置在离作为起始点的二极管阵列连接区7大约相等的距离的位置处。
如图2A至图2C中所示，背面入射型四连光电二极管阵列11和四个芯片电容器12被安装在这样的光电二极管载体上，其构成光传感器。如图3中放大示出的，四对信号侧端子11S和偏压侧端子11B形成在背面入射型四连光电二极管阵列11的电极表面上。正方形的虚线表示背面入射型四连光电二极管阵列11和芯片电容器12的端子。构造成光接收部11R布置在信号侧端子11S和偏压侧端子11B之间，并且四个光接收部11R布置在一维方向上。四个光接收部11R由图3中的圆形虚线表示。在光电二极管阵列11的电极表面面对光电二极管载体侧的情况下，倒装地执行将光电二极管阵列11安装在光电二极管载体上。通过倒装安装，这些电极分别连接至光电二极管载体侧上的电极。
其上安装光电二极管阵列11和芯片电容器12的光电二极管载体被置入光学接收器模块中。如图4中所示，分别地，已经安装有光电二极管的光电二极管载体被固定在具有多级的梯级载体13的下梯级部分13L上，并且前置放大器14被固定在上梯级部分13U上。通过引线键合，光电二极管载体的顶面部分中的信号侧电极连接至前置放大器14。梯级载体13由金属制成，并且用作用于整个光学接收器模块的电学地。光电二极管载体的地电极8连接至梯级载体13，并且地电势被施加至地电极8。
接下来，将描述用于制造这样的光电二极管载体的方法。首先，通过使用传统光刻技术，在陶瓷衬底1上形成如图1A至图1C中所示的电极图案，即，信号侧电极2、偏压侧电极3、4、5和6以及地电极8。接下来，如图1B中所示，在通过电容器连接区10（10-3、10-4、10-5和10-6）的位置处，在偏压侧电极3、4、5和6以及地电极8上形成具有20μm高度的Au凸块电极9。并且如图2A至图2C以及图3中所示，通过安装背面入射型四连光电二极管阵列11和芯片电容器12，实现根据本示例性实施例的光电二极管载体。
在根据本示例性实施例的光电二极管载体中，获得以下效果。将描述根据本示例性实施例的光电二极管载体的第一效果。在布置在第一至第四偏压侧电极3、4、5和6上的Au凸块电极9中，在接近二极管阵列连接区7的一侧上的电极被布置在离作为起始点的二极管阵列连接区7大约相等距离的位置处。结果，对于交流分量，偏压侧电极3、4、5和6的长度几乎相等。结果，四连光电二极管的高频响应特征可以被相互均衡。
接下来，将描述根据本示例性实施例的光电二极管载体的第二效果。在根据本示例性实施例的光电二极管载体中，因为芯片电容器12以桥接方式安装，如图2中所示，特别是在图2B中，第二偏压侧电极4可以交叉并且通过，而不与芯片电容器12和第一偏压侧电极3接触。从而，甚至在安装多个光电二极管的光电二极管载体中，也可以增加偏压侧电极和芯片电容器的位置的布局的自由度。
将描述第三效果。在根据本示例性实施例的光电二极管载体中，如图2A至图2C和图3中所示，偏压侧电极3、4、5和6经由用于交流的芯片电容器12连接至整个光学接收器模块的地。从而，来自四连光电二极管阵列11中的光电二极管的电流的交流分量经由芯片电容器12接地。从交流分量测量的偏压侧电极3、4、5和6的长度变为从作为起始点的、在二极管阵列连接区7中与光电二极管的连接，到与芯片电容器12的连接的长度。从而，通过交流分量测量的偏压侧电极3、4、5和6的长度比偏压侧电极3、4、5和6的物理长度短。从而，在本示例性实施例的光电二极管载体中，可以抑制高频响应特征的劣化，并且获得更高速响应特征。
[第二示例性实施例]
接下来，将参考附图描述根据本发明的第二示例性实施例的光电二极管载体和光传感器。图5是根据本发明的第二示例性实施例的二极管载体的正视图。图6A是光电二极管和芯片电容器安装在图5的二极管载体上的正视图，图6B沿着图6A中的A-A线的横截面，并且图6C是沿着图6A中的B-B线的横截面。将省略与根据第一示例性实施例的光电二极管载体相同的元件的详细说明。根据本示例性实施例，第一偏压侧电极被构造成经由间隙部分划分为前半部分和后半部分。并且构造成使得第二偏压侧电极可以通过该间隙部分，并且连接至光电二极管载体的顶面部分。
换句话说，根据本示例性实施例的光电二极管载体中的偏压侧电极的布置和形状不同于根据第一示例性实施例的光电二极管载体中的偏压侧电极的布置和形状。即，关于陶瓷衬底1、二极管阵列连接区7、四个电容器连接区10、第一至第四信号侧电极2和地电极8的形状和布置与根据第一示例性实施例的光电二极管载体中的那些相同。另外，安装在根据本示例性实施例的光电二极管载体上的背面入射型四连光电二极管阵列11和四个芯片电容器12也与第一示例性实施例中的那些相同。
根据示例性实施例，如图5中所示，第一偏压侧电极包括：前半部分3F，其在陶瓷衬底1的一个主面上朝向陶瓷衬底1的另一个边缘1B拖拉，从二极管阵列连接区7延伸至第一电容器连接区10-3；和后半部分3S，其经由间隙G与前半部分3F隔开，并且从第一电容器连接区10-3拉绕至陶瓷衬底1的一个边缘1A。而且，第二偏压侧电极4通过第一偏压侧电极的前半部分3F和后半部分3S之间的间隙G，并且被布置成朝向衬底1的一个边缘1A拉绕。
根据本示例性实施例，第四偏压侧电极包括：前半部分6F，其朝向陶瓷衬底1的另一个边缘1B拖拉，从二极管阵列连接区7延伸到第四电容器连接区10-6；以及后半部分6S，经由间隙G与前半部分6F隔开，并且从第四电容器连接区10-6拉绕至陶瓷衬底1的一个边缘1A。另外，第三偏压侧电极5被布置成通过第四偏压侧电极的前半部分6F和后半部分6S之间的间隙G朝向衬底1的一个边缘1A拉绕。
特别是，根据本示例性实施例，第一偏压侧电极的后半部分3S的电极长度被设计成，变为等于第二偏压侧电极4设置在电容器连接区10-4之前的部分的电极长度。图5示出第一偏压侧电极的后半部分3S和第二偏压侧电极4设置在电容器连接区10-4之前的部分被布置为相同形状的实例。而且，根据本示例性实施例，第四偏压侧电极的后半部分6S的电极长度被设计成，变为等于第三偏压侧电极5设置在电容器连接区10-5之前的部分的电极长度。图5示出第四偏压侧电极的后半部分6S和第三偏压侧电极5设置在电容器连接区10-5之前的部分被布置为相同形状的实例。
类似于第一示例性实施例，芯片电容器12以桥接方式被安装在根据本示例性实施例的光电二极管载体上。安装在电容器连接区10-3上的芯片电容器12的一端连接至第一偏压侧电极的前半部分3F和第一偏压侧电极的后半部分3S。芯片电容器12的另一端在两个位置处连接至地电极8。第一偏压侧电极的前半部分3F和第一偏压侧电极的后半部分3S经由芯片电容器12内的布线以桥接方式电连接。第一偏压侧电极的前半部分3F和第一偏压侧电极的后半部分3S经由芯片电容器12内的布线构成第一偏压侧电极。
另外，安装在电容器连接区10-6上的芯片电容器12的一端连接至第四偏压侧电极的前半部分6F和第一偏压侧电极的后半部分6S。芯片电容器12的另一端在两个位置处连接至地电极8。第四偏压侧电极的前半部分6F和第四偏压侧电极的后半部分6S经由芯片电容器12内的布线，以桥接方式电连接。第四偏压侧电极的前半部分6F和第四偏压侧电极的后半部分6S经由芯片电容器12内的布线构成第四偏压侧电极。
如图6B中所示，在第一偏压侧电极的前半部分3F和地电极8之间，第二偏压侧电极4能够交叉并且通过，而不与芯片电容器12和第一偏压侧电极的前半部分3F接触。虽然未示出细节，但是在第四偏压侧电极的前半部分6F和地电极8之间，第三偏压侧电极5能够交叉并且通过，而不与芯片电容器12和第四偏压侧电极的前半部分6F接触。
如图6C中所示，在第一偏压侧电极的前半部分3F和后半部分3S之间，第二偏压侧电极4能够交叉并且通过，而不与芯片电容器12、第一偏压侧电极的前半部分3F和后半部分3接触。另外，虽然未示出细节，但是在第四偏压侧电极的前半部分6F和后半部分6S之间，第三偏压侧电极5能够交叉并且通过，而不与芯片电容器12、第四偏压侧电极的前半部分6F和后半部分6S接触。
接下来，将描述用于制造这样的光电二极管载体的方法。首先，通过使用传统光刻技术，在陶瓷衬底1上形成如图5中所示的电极图案，即，用于信号侧电极2、偏压侧电极4和5、偏压侧电极的前半部分3F和6F、偏压侧电极的后半部分3S和6S、以及地电极8的图案。接下来，如图5中所示，在通过电容器连接区10（10-3、10-4、10-5和10-6）的位置处，在偏压侧电极4和5、偏压侧电极的前半部分3F和6F以及偏压侧电极的后半部分3S和6S上形成具有20μm高度的Au凸块电极9。并且如图6中所示，通过安装四连光电二极管阵列11和四个芯片电容器12，完成根据本示例性实施例的光电二极管载体。在其上安装光电二极管阵列11和芯片电容器12的光电二极管载体被组装在如第一示例性实施例的光学接收器模块中。
通过根据本示例性实施例的光电二极管载体，获得以下效果。将描述根据本示例性实施例的光电二极管载体的第一效果。在布置在偏压侧电极4和5上的Au凸块电极9中，接近二极管阵列连接区7一侧的电极被布置在离作为起始点的二极管阵列连接区7大约相等距离的位置处。结果，对于交流分量，偏压侧电极4和5的长度变为几乎相等。结果，光电二极管的高频响应特征可以被相互均衡。另外，布置在偏压侧电极的前半部分3F和6F上的Au凸块电极9被分别布置在离作为起始点的、在二极管阵列连接区7中与光电二极管的连接相等距离的位置处。结果，对于交流分量，偏压侧电极的前半部分3F和6F的长度变得几乎相等。结果，光电二极管的高频响应特征可以被相互均衡。
接下来，将描述根据本示例性实施例的光电二极管载体的第二效果。在根据本示例性实施例的光电二极管中，如图6中所示，特别是在图6B和图6C中，由于以桥接方式安装芯片电容器12，所以第二偏压侧电极4能够交叉并且通过，而不与芯片电容器12或者第一偏压侧电极的前半部分3F和第一偏压侧电极的后半部分3S接触。从而，在安装多个光电二极管的光电二极管载体中，可以增加偏压侧电极和芯片电容器的位置的布局的自由度。
将描述第三效果。在根据本示例性实施例的光电二极管载体中，如图6A至图6C中所示，偏压侧电极的前半部分3F、偏压侧电极4、偏压侧电极5和偏压侧电极的前半部分6F以交流方式经由芯片电容器12连接至整个光学接收器模块的地。从而，来自四连光电二极管阵列11的电流的交流分量经由芯片电容器12接地。通过交流分量测量的偏压侧电极4和偏压侧电极5的长度变为从作为起始点的、在二极管阵列连接区7中与光电二极管的连接，到与芯片电容器12的连接的长度。从而，通过交流分量测量的偏压侧电极4和偏压侧电极5的长度比偏压侧电极4和5的物理长度短。
偏压侧电极的前半部分3F和偏压侧电极的后半部分3S经由关于第一偏压侧电极安装的芯片电容器12内的布线电连接。偏压侧电极的前半部分6F和偏压侧电极的后半部分6S经由关于第四偏压侧电极安装的芯片电容器12内的布线电连接。为此，通过交流分量测量的第一和第四偏压侧电极的长度比第一和第四偏压侧电极的物理长度短。从而，在本示例性实施例的光电二极管载体中，可以抑制高频响应特征的劣化，并且可以获得更高速响应特征。
接下来，将描述根据本示例性实施例的光电二极管的第四效果。在根据本示例性实施例的光电二极管载体中，如图5中所示，将第一偏压侧电极划分为前半部分3F和后半部分3S。第二偏压侧电极4通过分离第一偏压侧电极的前半部分3F和后半部分3S的间隙G的部分，并且连接至光电二极管载体的顶面部分。第一偏压侧电极的后半部分3S的物理电极长度可以通过引入这样的结构被设计成变为等于在第二偏压侧电极4的电容器连接区10-4之前的物理电极长度。从而，通过使在与芯片电容器的连接区之前的物理电极长度相等，即使芯片电容器的特征不理想，例如包括寄生电感分量，也能够以平衡方式均衡连接至第一和第二偏压侧电极的光电二极管的高频响应特征。
虽然已经参考优选示例性实施例描述了本发明，但是本发明不限于上述示例性实施例。可以在本发明的范围内对本发明的结构和细节执行本领域技术人员可以理解的多种修改。
本申请基于2011年3月10日提交的日本专利申请No.2011-52821并且要求其优先权，其公开全部结合于此作为参考。
工业适用性
作为本发明的应用实例，涉及使用多个光电二极管的光学接收器模块。
编码的说明
1 陶瓷衬底
2 信号侧电极
3、4、5和6 偏压侧电极
3F和6F 偏压侧电极的前半部分
3S和6S 偏压侧电极的后半部分
7 二极管阵列连接区
8 地电极
9 Au凸块电极
10、10-3、10-4、10-5和10-6 电容器连接区
11 背面入射型四连光电二极管阵列
11S 信号侧端子
11B 偏压侧端子
11R 光接收部
12 芯片电容器

Claims (9)

1.一种光电二极管载体，包括：
二极管阵列连接区，
第一和第二信号侧电极，所述第一和第二信号侧电极连接至所述二极管阵列连接区，
第一和第二偏压侧电极，所述第一和第二偏压侧电极连接至所述二极管阵列连接区，以及
第一和第二电容器，所述第一和第二电容器连接于被设置在所述第一和第二偏压侧电极途中的电极和地电极之间，
其中，被设置在所述第一和第二偏压侧电极途中的所述电极被定位在离作为起始点的所述二极管阵列连接区相等的距离处，并且
其中，所述第一和第二偏压侧电极从所述二极管阵列连接区到安装在所述第一或第二偏压侧电极途中的所述电极的长度比所述第一或第二偏压侧电极剩余的长度短，
其中，所述第一偏压侧电极包括：前半部分，所述前半部分被设置为从所述二极管阵列连接区到所述第一偏压侧电极途中的所述电极；以及后半部分，所述后半部分被拉绕，并经由间隙与所述前半部分隔开。
2.一种光电二极管载体，包括：
二极管阵列连接区，
第一和第二信号侧电极，所述第一和第二信号侧电极连接至所述二极管阵列连接区，
第一和第二偏压侧电极，所述第一和第二偏压侧电极连接至所述二极管阵列连接区，以及
第一和第二电容器，所述第一和第二电容器连接于被设置在所述第一和第二偏压侧电极途中的电极和地电极之间，
其中，被设置在所述第一和第二偏压侧电极途中的所述电极被定位在离作为起始点的所述二极管阵列连接区相等的距离处，并且
其中，所述第一偏压侧电极包括：前半部分，所述前半部分被设置为从所述二极管阵列连接区到所述第一偏压侧电极途中的所述电极；以及后半部分，所述后半部分被拉绕，并经由间隙与所述前半部分隔开。
3.根据权利要求2所述的光电二极管载体，其中，所述第一偏压侧电极的所述后半部分的长度等于所述第二偏压侧电极的除了设置为从所述二极管阵列连接区到所述第二偏压侧电极途中的所述电极的部分之外的长度。
4.根据权利要求2所述的光电二极管载体，其中，所述第二偏压侧电极被布置成，使得所述第二偏压侧电极能够通过所述第一偏压侧电极的所述前半部分和所述后半部分之间的所述间隙。
5.根据权利要求2所述的光电二极管载体，其中，设置在所述第一偏压侧电极途中的所述电极包括多个电极，其中，一个电极被布置在所述第一偏压侧电极的所述前半部分中，另一个电极被布置在所述第一偏压侧电极的所述后半部分中，并且所述第一偏压侧电极的所述前半部分和所述后半部分经由所述第一电容器电连接。
6.根据权利要求3所述的光电二极管载体，其中，所述第二偏压侧电极被布置成，使得所述第二偏压侧电极能够通过所述第一偏压侧电极的所述前半部分和所述后半部分之间的所述间隙。
7.根据权利要求3所述的光电二极管载体，其中，设置在所述第一偏压侧电极途中的所述电极包括多个电极，其中，一个电极被布置在所述第一偏压侧电极的所述前半部分中，另一个电极被布置在所述第一偏压侧电极的所述后半部分中，并且所述第一偏压侧电极的所述前半部分和所述后半部分经由所述第一电容器电连接。
8.根据权利要求4所述的光电二极管载体，其中，设置在所述第一偏压侧电极途中的所述电极包括多个电极，其中，一个电极被布置在所述第一偏压侧电极的所述前半部分中，另一个电极被布置在所述第一偏压侧电极的所述后半部分中，并且所述第一偏压侧电极的所述前半部分和所述后半部分经由所述第一电容器电连接。
9.一种光传感器，包括：
光电二极管载体，所述光电二极管载体包括：二极管阵列连接区；第一和第二信号侧电极，所述第一和第二信号侧电极连接至所述二极管阵列连接区；第一和第二偏压侧电极，所述第一和第二偏压侧电极连接至所述二极管阵列连接区；以及第一和第二电容器，所述第一和第二电容器连接于被设置在所述第一和第二偏压侧电极途中的电极和地电极之间；以及
二极管阵列，在所述二极管阵列中布置有多个光电二极管，所述二极管阵列被安装在所述二极管阵列连接区中并且连接到所述信号侧电极和所述偏压侧电极，
其中，被设置在所述第一和第二偏压侧电极途中的所述电极被定位在离作为起始点的所述二极管阵列连接区相等的距离处，并且
其中，所述第一偏压侧电极包括：前半部分，所述前半部分被设置为从所述二极管阵列连接区到所述第一偏压侧电极途中的所述电极；以及后半部分，所述后半部分被拉绕，并经由间隙与所述前半部分隔开。
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