JPH04219737A - 光受信器 - Google Patents
光受信器Info
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- JPH04219737A JPH04219737A JP2404166A JP40416690A JPH04219737A JP H04219737 A JPH04219737 A JP H04219737A JP 2404166 A JP2404166 A JP 2404166A JP 40416690 A JP40416690 A JP 40416690A JP H04219737 A JPH04219737 A JP H04219737A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 14
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光受信器、特にコヒー
レント光通信に用いる偏波ダイバーシティ光受信器に関
する。
レント光通信に用いる偏波ダイバーシティ光受信器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光通信は、光のオン・オフ強度変
調を用いたものであったが、近年、通信容量の著しい増
大が期待できるコヒーレント光通信が脚光を浴びている
。コヒーレント光通信に用いる偏波ダイバーシティ光受
信器を図３を用いて説明する。
調を用いたものであったが、近年、通信容量の著しい増
大が期待できるコヒーレント光通信が脚光を浴びている
。コヒーレント光通信に用いる偏波ダイバーシティ光受
信器を図３を用いて説明する。
【０００３】偏波ダイバーシティ光受信器は、受信部に
設けられた半導体レーザ（図示せず）からの局発光と光
ファイバからの信号光とを３ｄＢカプラ２０で混合し、
混合した光を偏光分離器２１により互いに直交する偏光
面を有するＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離する。それ
ぞれの偏光成分の光を受光素子に導いてヘテロダイン検
波を行う。受光素子の出力として、信号光と局発光の光
周波数のビート周波数が取出される。
設けられた半導体レーザ（図示せず）からの局発光と光
ファイバからの信号光とを３ｄＢカプラ２０で混合し、
混合した光を偏光分離器２１により互いに直交する偏光
面を有するＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離する。それ
ぞれの偏光成分の光を受光素子に導いてヘテロダイン検
波を行う。受光素子の出力として、信号光と局発光の光
周波数のビート周波数が取出される。
【０００４】偏波ダイバーシティ光受信器の受光素子は
、二つのＳ偏光成分の光をを受光するためのＰＩＮフォ
トダイオード１１、１１′を一組としたＴｗｉｎ（ツイ
ン）受光素子と、二つのＰ偏光成分の光を検出するため
のＰＩＮフォトダイオード１２、１２′を一組としたＴ
ｗｉｎ受光素子からなる二組のＴｗｉｎ受光素子（Ｑｕ
ａｄ（クワッド）受光素子）で構成されている。
、二つのＳ偏光成分の光をを受光するためのＰＩＮフォ
トダイオード１１、１１′を一組としたＴｗｉｎ（ツイ
ン）受光素子と、二つのＰ偏光成分の光を検出するため
のＰＩＮフォトダイオード１２、１２′を一組としたＴ
ｗｉｎ受光素子からなる二組のＴｗｉｎ受光素子（Ｑｕ
ａｄ（クワッド）受光素子）で構成されている。
【０００５】このような、４個のＰＩＮフォトダイオー
ドを用いた二組のＴｗｉｎ受光素子、即ち、Ｑｕａｄ受
光素子で構成されるバランス型の光受信器を用いること
により、バランス型の光受信器の半導体レーザで発生す
る局発光に含まれる強度雑音を抑圧して、信号光を有効
に利用することができ、偏波ダイバーシティ光受信器の
感度を高くすることができる。
ドを用いた二組のＴｗｉｎ受光素子、即ち、Ｑｕａｄ受
光素子で構成されるバランス型の光受信器を用いること
により、バランス型の光受信器の半導体レーザで発生す
る局発光に含まれる強度雑音を抑圧して、信号光を有効
に利用することができ、偏波ダイバーシティ光受信器の
感度を高くすることができる。
【０００６】従って、偏波ダイバーシティ光受信器の性
能をさらに向上させるには、Ｑｕａｄ受光素子の電気的
、光学的特性の均一性を向上させることが必要である。 従来のＱｕａｄ受光素子用回路基板の配線レイアウトを
図４に示す。Ｑｕａｄ受光素子用の回路基板９上に、Ｐ
ＩＮフォトダイオード１１及び１１′で構成されるＴｗ
ｉｎ受光素子とＰＩＮフォトダイオード１２及び１２′
で構成されるＴｗｉｎ受光素子が形成されている。
能をさらに向上させるには、Ｑｕａｄ受光素子の電気的
、光学的特性の均一性を向上させることが必要である。 従来のＱｕａｄ受光素子用回路基板の配線レイアウトを
図４に示す。Ｑｕａｄ受光素子用の回路基板９上に、Ｐ
ＩＮフォトダイオード１１及び１１′で構成されるＴｗ
ｉｎ受光素子とＰＩＮフォトダイオード１２及び１２′
で構成されるＴｗｉｎ受光素子が形成されている。
【０００７】ＰＩＮフォトダイオード１１の順方向側は
、バンプ（Ｑｕａｄ受光素子と光学系とのフリップチッ
プ接続用電極）３１を介してバイアス供給配線２に接続
され、バイアス供給配線２は回路基板９外の高周波バイ
パスコンデンサ８にワイヤ接続されている。ＰＩＮフォ
トダイオード１１′の逆方向側は、バンプ３２を介して
バイアス供給配線６に接続され、バイアス供給配線６は
回路基板９外の高周波バイパスコンデンサ８にワイヤ接
続されている。バイアス供給配線６は、Ｔｗｉｎ受光素
子に対し、バイアス供給配線２の外側に形成されている
ので、バイアス供給配線２より長く、かつバイアス供給
配線２と異なる形状をしている。
、バンプ（Ｑｕａｄ受光素子と光学系とのフリップチッ
プ接続用電極）３１を介してバイアス供給配線２に接続
され、バイアス供給配線２は回路基板９外の高周波バイ
パスコンデンサ８にワイヤ接続されている。ＰＩＮフォ
トダイオード１１′の逆方向側は、バンプ３２を介して
バイアス供給配線６に接続され、バイアス供給配線６は
回路基板９外の高周波バイパスコンデンサ８にワイヤ接
続されている。バイアス供給配線６は、Ｔｗｉｎ受光素
子に対し、バイアス供給配線２の外側に形成されている
ので、バイアス供給配線２より長く、かつバイアス供給
配線２と異なる形状をしている。
【０００８】ＰＩＮフォトダイオード１２′の逆方向側
はバンプ３４を介してバイアス供給配線７に接続され、
バイアス供給配線７は回路基板９外の高周波バイパスコ
ンデンサ８にワイヤ接続されている。ＰＩＮフォトダイ
オード１２の順方向側は、バンプ３３を介してバイアス
供給配線３に接続され、バイアス供給配線３は回路基板
９外の高周波バイパスコンデンサ８にワイヤ接続されて
いる。バイアス供給配線３は、Ｔｗｉｎ受光素子に対し
、バイアス供給配線７の外側に形成されているので、バ
イアス供給配線７より長く、かつバイアス供給配線７と
異なる形状をしている。
はバンプ３４を介してバイアス供給配線７に接続され、
バイアス供給配線７は回路基板９外の高周波バイパスコ
ンデンサ８にワイヤ接続されている。ＰＩＮフォトダイ
オード１２の順方向側は、バンプ３３を介してバイアス
供給配線３に接続され、バイアス供給配線３は回路基板
９外の高周波バイパスコンデンサ８にワイヤ接続されて
いる。バイアス供給配線３は、Ｔｗｉｎ受光素子に対し
、バイアス供給配線７の外側に形成されているので、バ
イアス供給配線７より長く、かつバイアス供給配線７と
異なる形状をしている。
【０００９】ＰＩＮフォトダイオード１１、１１′間に
バンプ３５を介して信号取出し配線４が接続され、信号
取出し配線４は回路基板９外のアンプ１３とワイヤ接続
されている。ＰＩＮフォトダイオード１２、１２′間に
バンプ３６を介して信号取出し配線５が接続され、信号
取出し配線５は回路基板９外のアンプ１４とワイヤ接続
されている。信号取出し配線４及び５は近接して平行に
形成されている。
バンプ３５を介して信号取出し配線４が接続され、信号
取出し配線４は回路基板９外のアンプ１３とワイヤ接続
されている。ＰＩＮフォトダイオード１２、１２′間に
バンプ３６を介して信号取出し配線５が接続され、信号
取出し配線５は回路基板９外のアンプ１４とワイヤ接続
されている。信号取出し配線４及び５は近接して平行に
形成されている。
【００１０】３ｄＢカプラ２０及び偏光分離器２１は回
路基板９上のＴｗｉｎ受光素子上にバンプ３１〜３６を
介して形成されている（図示せず）。
路基板９上のＴｗｉｎ受光素子上にバンプ３１〜３６を
介して形成されている（図示せず）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この配線レイアウトに
おいては、それぞれのＴｗｉｎ受光素子の信号取出し配
線４、５が近接して平行に形成されているため、またこ
の信号取出し線４、５とアンプ１３、１４をワイヤで接
続するため、Ｔｗｉｎ受光素子（１１、１１′）及び（
１２、１２′）間で高周波信号領域でのクロストークが
増大し、受信感度が劣化するという問題が生じる。
おいては、それぞれのＴｗｉｎ受光素子の信号取出し配
線４、５が近接して平行に形成されているため、またこ
の信号取出し線４、５とアンプ１３、１４をワイヤで接
続するため、Ｔｗｉｎ受光素子（１１、１１′）及び（
１２、１２′）間で高周波信号領域でのクロストークが
増大し、受信感度が劣化するという問題が生じる。
【００１２】また、それぞれのＴｗｉｎ素子に設けたバ
イアス供給配線２及び３と６及び７の形状が異なるため
、電源インピーダンスの周波数特性が異なり、Ｔｗｉｎ
受光素子のそれぞれの受光素子の周波数特性が異なって
しまう。従って、Ｑｕａｄ受光素子の性能上重要な特性
である同相信号抑圧比が劣化し、素子の受信感度が劣化
するという問題がある。
イアス供給配線２及び３と６及び７の形状が異なるため
、電源インピーダンスの周波数特性が異なり、Ｔｗｉｎ
受光素子のそれぞれの受光素子の周波数特性が異なって
しまう。従って、Ｑｕａｄ受光素子の性能上重要な特性
である同相信号抑圧比が劣化し、素子の受信感度が劣化
するという問題がある。
【００１３】本発明の目的は、Ｔｗｉｎ受光素子間の信
号間のクロストークを低減し、また各々の受光素子の周
波数特性の均一化を図ったＱｕａｄ受光素子を有する光
受信器を提供することにある。
号間のクロストークを低減し、また各々の受光素子の周
波数特性の均一化を図ったＱｕａｄ受光素子を有する光
受信器を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、受光素子形
成用の回路基板と、前記回路基板上に形成された第１の
受光素子及び第２の受光素子で構成される第１のツイン
受光素子と、前記第１のツイン受光素子に近接して形成
された第３の受光素子及び第４の受光素子で構成される
第２のツイン受光素子とを有するクワッド受光素子と、
前記回路基板上に設けられ、第１乃至第４のバイアス供
給配線を介して前記第１乃至第４の受光素子のそれぞれ
に接続された第１乃至第４の高周波バイパスコンデンサ
と、前記第１のツイン受光素子に接続された第１の信号
取出し配線と、前記第２のツイン受光素子に接続された
第２の信号取出し配線とを有し、前記第１の信号取出し
配線と前記第２の信号取出し配線は前記クワッド受光素
子に対して対称に配置されていることを特徴とする光受
信器によって達成される。
成用の回路基板と、前記回路基板上に形成された第１の
受光素子及び第２の受光素子で構成される第１のツイン
受光素子と、前記第１のツイン受光素子に近接して形成
された第３の受光素子及び第４の受光素子で構成される
第２のツイン受光素子とを有するクワッド受光素子と、
前記回路基板上に設けられ、第１乃至第４のバイアス供
給配線を介して前記第１乃至第４の受光素子のそれぞれ
に接続された第１乃至第４の高周波バイパスコンデンサ
と、前記第１のツイン受光素子に接続された第１の信号
取出し配線と、前記第２のツイン受光素子に接続された
第２の信号取出し配線とを有し、前記第１の信号取出し
配線と前記第２の信号取出し配線は前記クワッド受光素
子に対して対称に配置されていることを特徴とする光受
信器によって達成される。
【００１５】
【作用】本発明によれば、Ｔｗｉｎ受光素子間の信号間
のクロストークを低減し、また各々の受光素子の周波数
特性の均一化を図ったＱｕａｄ受光素子を有する光受信
器を実現できる。
のクロストークを低減し、また各々の受光素子の周波数
特性の均一化を図ったＱｕａｄ受光素子を有する光受信
器を実現できる。
【００１６】
【実施例】本発明の第１の実施例によるＱｕａｄ受光素
子用回路基板の配線レイアウトを図１を用いて説明する
。Ｑｕａｄ受光素子用の回路基板９上に、ＰＩＮフォト
ダイオード１１及び１１′で構成されるＴｗｉｎ受光素
子とＰＩＮフォトダイオード１２及び１２′で構成され
るＴｗｉｎ受光素子が形成されている。この二組のＴｗ
ｉｎ受光素子は並列に配置され、Ｑｕａｄ受光素子を形
成している。
子用回路基板の配線レイアウトを図１を用いて説明する
。Ｑｕａｄ受光素子用の回路基板９上に、ＰＩＮフォト
ダイオード１１及び１１′で構成されるＴｗｉｎ受光素
子とＰＩＮフォトダイオード１２及び１２′で構成され
るＴｗｉｎ受光素子が形成されている。この二組のＴｗ
ｉｎ受光素子は並列に配置され、Ｑｕａｄ受光素子を形
成している。
【００１７】ＰＩＮフォトダイオード１１の順方向側は
バンプ３１に接続され、バイアス供給配線２を介して回
路基板９内に設けられた高周波バイパスコンデンサ１０
に接続されている。ＰＩＮフォトダイオード１１′の逆
方向側はバンプ３２に接続され、バイアス供給配線６を
介して回路基板９内に設けられた高周波バイパスコンデ
ンサ１０に接続されている。
バンプ３１に接続され、バイアス供給配線２を介して回
路基板９内に設けられた高周波バイパスコンデンサ１０
に接続されている。ＰＩＮフォトダイオード１１′の逆
方向側はバンプ３２に接続され、バイアス供給配線６を
介して回路基板９内に設けられた高周波バイパスコンデ
ンサ１０に接続されている。
【００１８】ＰＩＮフォトダイオード１２の順方向側は
バンプ３３に接続され、バイアス供給配線３を介して回
路基板９内に設けられた高周波バイパスコンデンサ１０
に接続されている。ＰＩＮフォトダイオード１２′の逆
方向側はバンプ３４に接続され、バイアス供給配線７を
介して回路基板９内に設けられた高周波バイパスコンデ
ンサ１０に接続されている。
バンプ３３に接続され、バイアス供給配線３を介して回
路基板９内に設けられた高周波バイパスコンデンサ１０
に接続されている。ＰＩＮフォトダイオード１２′の逆
方向側はバンプ３４に接続され、バイアス供給配線７を
介して回路基板９内に設けられた高周波バイパスコンデ
ンサ１０に接続されている。
【００１９】各高周波バイパスコンデンサ１０はそれぞ
れが接続しているバンプ３１〜３４から等距離の位置に
設けられている。各高周波バイパスコンデンサ１０と各
バンプ３１〜３４を接続しているバイアス供給配線２、
３、６、７は、その形状が合同に形成されている。ＰＩ
Ｎフォトダイオード１１、１１′間にバンプ３５を介し
て信号取出し配線４が接続され、信号取出し配線４は回
路基板９外のアンプ１３とワイヤ接続されている。
れが接続しているバンプ３１〜３４から等距離の位置に
設けられている。各高周波バイパスコンデンサ１０と各
バンプ３１〜３４を接続しているバイアス供給配線２、
３、６、７は、その形状が合同に形成されている。ＰＩ
Ｎフォトダイオード１１、１１′間にバンプ３５を介し
て信号取出し配線４が接続され、信号取出し配線４は回
路基板９外のアンプ１３とワイヤ接続されている。
【００２０】ＰＩＮフォトダイオード１２、１２′間に
バンプ３６を介して信号取出し配線５が接続され、信号
取出し配線５は回路基板９外のアンプ１４とワイヤ接続
されている。信号取出し配線４及び５はＱｕａｄ受光素
子に対して対称に配置されている。３ｄＢカプラ２０及
び偏光分離器２１は回路基板９上のＱｕａｄ受光素子上
部の、受光素子位置合わせマーク１５内の領域に形成さ
れている（図示せず）。
バンプ３６を介して信号取出し配線５が接続され、信号
取出し配線５は回路基板９外のアンプ１４とワイヤ接続
されている。信号取出し配線４及び５はＱｕａｄ受光素
子に対して対称に配置されている。３ｄＢカプラ２０及
び偏光分離器２１は回路基板９上のＱｕａｄ受光素子上
部の、受光素子位置合わせマーク１５内の領域に形成さ
れている（図示せず）。
【００２１】このように、信号取出し配線４、５をＱｕ
ａｄ受光素子に対して対称に配置したことにより、二組
のＴｗｉｎ受光素子の信号間のクロストークの低減を図
ることができる。また、高周波バイパスコンデンサ１０
の形成位置をＱｕａｄ受光素子の各バンプ３１〜３４か
ら等距離に形成し、さらに各バイアス供給配線２、３、
６、７の形状を対称性な合同形状としたことにより、各
バイアス供給配線２、３、６、７のインピーダンスを同
一にすることができ、各ＰＩＮフォトダイオード１１、
１１′、１２、１２′の周波数特性を一致させることが
できる。従って、Ｑｕａｄ受光素子の性能上重要な特性
である同相信号抑圧比の劣化を防止することができ、素
子の受信感度を向上させることができる。
ａｄ受光素子に対して対称に配置したことにより、二組
のＴｗｉｎ受光素子の信号間のクロストークの低減を図
ることができる。また、高周波バイパスコンデンサ１０
の形成位置をＱｕａｄ受光素子の各バンプ３１〜３４か
ら等距離に形成し、さらに各バイアス供給配線２、３、
６、７の形状を対称性な合同形状としたことにより、各
バイアス供給配線２、３、６、７のインピーダンスを同
一にすることができ、各ＰＩＮフォトダイオード１１、
１１′、１２、１２′の周波数特性を一致させることが
できる。従って、Ｑｕａｄ受光素子の性能上重要な特性
である同相信号抑圧比の劣化を防止することができ、素
子の受信感度を向上させることができる。
【００２２】本発明の第２の実施例によるＱｕａｄ受光
素子用回路基板の配線レイアウトを図２に示す。本実施
例のＱｕａｄ受光素子用回路基板の配線レイアウトは、
二組のＴｗｉｎ受光素子が一列に配置されたＱｕａｄ受
光素子についての配線レイアウトである。 図中、Ｐ
ＩＮフォトダイオード１１、１１′で構成されるＴｗｉ
ｎ受光素子の右側に信号取出し配線４が形成され、左側
にＰＩＮフォトダイオード１１、１１′のバイアス供給
配線２、６及びそれに接続される高周波バイパスコンデ
ンサ１０が形成されている。
素子用回路基板の配線レイアウトを図２に示す。本実施
例のＱｕａｄ受光素子用回路基板の配線レイアウトは、
二組のＴｗｉｎ受光素子が一列に配置されたＱｕａｄ受
光素子についての配線レイアウトである。 図中、Ｐ
ＩＮフォトダイオード１１、１１′で構成されるＴｗｉ
ｎ受光素子の右側に信号取出し配線４が形成され、左側
にＰＩＮフォトダイオード１１、１１′のバイアス供給
配線２、６及びそれに接続される高周波バイパスコンデ
ンサ１０が形成されている。
【００２３】一方、ＰＩＮフォトダイオード１２、１２
′で構成されるＴｗｉｎ受光素子の左側に信号取出し配
線５が形成され、右側にＰＩＮフォトダイオード１２、
１２′のバイアス供給配線３、７及びそれに接続される
高周波バイパスコンデンサ１０が形成されている。 従って、第１の実施例と同様に、信号取出し配線４、５
をＱｕａｄ受光素子に対して対称に配置したことにより
、二組のＴｗｉｎ受光素子の信号間のクロストークの低
減を図ることができる。
′で構成されるＴｗｉｎ受光素子の左側に信号取出し配
線５が形成され、右側にＰＩＮフォトダイオード１２、
１２′のバイアス供給配線３、７及びそれに接続される
高周波バイパスコンデンサ１０が形成されている。 従って、第１の実施例と同様に、信号取出し配線４、５
をＱｕａｄ受光素子に対して対称に配置したことにより
、二組のＴｗｉｎ受光素子の信号間のクロストークの低
減を図ることができる。
【００２４】また、各バイアス供給配線２、３、６、７
の形状を合同形状の配線パターンとしたことにより、各
バイアス供給配線２、３、６、７のインダクタンス成分
を同一にすることができる。また、各高周波バイパスコ
ンデンサ１０の容量を同一にし、その形成位置をＱｕａ
ｄ受光素子の各バンプ３１〜３４から等距離に形成した
ことにより、電源インピーダンスを等しくし、電源側の
インピーダンス変動による各ＰＩＮフォトダイオード１
１、１１′、１２、１２′の周波数特性の変化を一致さ
せることができる。従って、Ｑｕａｄ受光素子の性能上
重要な特性である同相信号抑圧比の劣化を防止すること
ができ、素子の受信感度を向上させることができる。
の形状を合同形状の配線パターンとしたことにより、各
バイアス供給配線２、３、６、７のインダクタンス成分
を同一にすることができる。また、各高周波バイパスコ
ンデンサ１０の容量を同一にし、その形成位置をＱｕａ
ｄ受光素子の各バンプ３１〜３４から等距離に形成した
ことにより、電源インピーダンスを等しくし、電源側の
インピーダンス変動による各ＰＩＮフォトダイオード１
１、１１′、１２、１２′の周波数特性の変化を一致さ
せることができる。従って、Ｑｕａｄ受光素子の性能上
重要な特性である同相信号抑圧比の劣化を防止すること
ができ、素子の受信感度を向上させることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、Ｔｗｉｎ
受光素子間の信号間のクロストークを低減し、また各々
の受光素子の周波数特性の均一化を図ったＱｕａｄ受光
素子を有する光受信器を実現できる。
受光素子間の信号間のクロストークを低減し、また各々
の受光素子の周波数特性の均一化を図ったＱｕａｄ受光
素子を有する光受信器を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例によるＱｕａｄ受光素子
用回路基板の配線レイアウトを有する光受信器を示す図
である。
用回路基板の配線レイアウトを有する光受信器を示す図
である。
【図２】本発明の第２の実施例によるＱｕａｄ受光素子
用回路基板の配線レイアウトを有する光受信器を示す図
である。
用回路基板の配線レイアウトを有する光受信器を示す図
である。
【図３】偏波ダイバーシティ光受信器を示す概略図であ
る。
る。
【図４】従来のＱｕａｄ受光素子用回路基板の配線レイ
アウトを有する光受信器を示す図である。
アウトを有する光受信器を示す図である。
２、３…バイアス供給配線
４、５…信号取出し配線
６、７…バイアス供給配線
８…高周波バイパスコンデンサ
９…回路基板
１０…高周波バイパスコンデンサ
１１、１１′…ＰＩＮフォトダイオード１２、１２′…
ＰＩＮフォトダイオード１３、１４…アンプ １５…受光素子位置合わせマーク ２０…３ｄＢカプラ ２１…偏光分離器 ３１〜３６…バンプ
ＰＩＮフォトダイオード１３、１４…アンプ １５…受光素子位置合わせマーク ２０…３ｄＢカプラ ２１…偏光分離器 ３１〜３６…バンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 受光素子形成用の回路基板と、前記回
路基板上に形成された第１の受光素子及び第２の受光素
子で構成される第１のツイン受光素子と、前記第１のツ
イン受光素子に近接して形成された第３の受光素子及び
第４の受光素子で構成される第２のツイン受光素子とを
有するクワッド受光素子と、前記回路基板上に設けられ
、第１乃至第４のバイアス供給配線を介して前記第１乃
至第４の受光素子のそれぞれに接続された第１乃至第４
の高周波バイパスコンデンサと、前記第１のツイン受光
素子に接続された第１の信号取出し配線と、前記第２の
ツイン受光素子に接続された第２の信号取出し配線とを
有し、前記第１の信号取出し配線と前記第２の信号取出
し配線は前記クワッド受光素子に対して対称に配置され
ていることを特徴とする光受信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404166A JPH04219737A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 光受信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404166A JPH04219737A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 光受信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04219737A true JPH04219737A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=18513862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404166A Withdrawn JPH04219737A (ja) | 1990-12-20 | 1990-12-20 | 光受信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04219737A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6115515A (en) * | 1907-09-19 | 2000-09-05 | Nec Corporation | Optical device mounting board |
| WO2012121422A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | 日本電気株式会社 | フォトダイオードキャリア及びこれを用いたフォトセンサ |
| JP2013038216A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光受信モジュール |
| WO2018079086A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | ネットワークシステム |
-
1990
- 1990-12-20 JP JP2404166A patent/JPH04219737A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5644936B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2014-12-24 | 日本電気株式会社 | フォトダイオードキャリア及びこれを用いたフォトセンサ |
| US9013020B2 (en) | 2011-03-10 | 2015-04-21 | Nec Corporation | Photodiode carrier and photo sensor using the same |
| JP2013038216A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光受信モジュール |
| WO2018079086A1 (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-03 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | ネットワークシステム |
| JP2018074273A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | ネットワークシステム |
| US10644822B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Photonics Electronics Technology Research Association | Network system |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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