JP2010239611A - 光通信システムにおいてクロストークを低減するワイヤボンディング - Google Patents

光通信システムにおいてクロストークを低減するワイヤボンディング Download PDF

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【課題】光受信器において、隣接チャンネル間のクロストークを低減する。
【解決手段】ワイヤボンドは、２以上の光電子装置を有する光電子装置チップを信号処理チップに接続するように形成される。それぞれが光電子装置の１つに対応する２以上の互いに隣接したワイヤボンドグループが形成される。例えば、それぞれのワイヤボンドグループは、ワイヤボンドグループの光電子装置のＰ端子を信号処理チップに接続する第１のワイヤボンドと、ワイヤボンドグループの光電子装置のＮ端子を信号処理チップに接続する第２のワイヤボンドと、また光電子装置チップを信号処理チップに接続する第３のワイヤボンドを備えることができる。
【選択図】図３

Description

ディジタル通信回路では、より高いデータ転送速度は、より高速な信号エッジ遷移すなわち立上り及び立下り時間、及びより短いビット周期を必要とする。隣接するチャネル間の望ましくないクロストークによる電位は、エッジ速度が増加するにつれて増加し、またビット周期が短いと、クロストークの悪影響に対する許容値を減少させる。そのような条件のもとでは、クロストークを最小にすることは、データを確実に受信するためには重要である。
光ファイバーベースの通信システムは一般に、１つ以上のフォトダイオード又は他の光電子検出器を有する受信装置を備えている。この受信装置は、受信した光信号を電気信号に変換する。例えば第１の集積回路チップのような受信装置の出力部は、例えば受信した電気信号を処理する第２のチップのような他の装置の入力部に接続される。
例えば、図１及び図２に例示されているように、光電子受信チップ１０及び処理チップ１２は、マルチチップモジュール（ｍｕｌｔｉ−ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ）１４中に集積することができる。複数の光ファイバー１６、１８、２０などが（図面を明瞭にするために示されていない別のファイバーや他の構成部品は、省略符号（"． ． ．"）によっ
て示される）、光ファイバーコネクタ２２、２４、２６などを介してモジュール１４に接続される。光電子受信チップ１０は、対応する複数の光電子検出器（例えば、フォトダイオード）２８、３０、３２などを備えている。各ファイバー１６、１８、２０の端部などから放射される光信号すなわち光は、対応する検出器２８、３０、３２などによって受信され、これらの検出器はそれに応じて、受信された光信号を表す電気信号を出力する。
後でさらに詳細に説明するが、光電子受信チップ１０と処理チップ１２は、ワイヤボンド（ワイヤボンディング）によって互いに電気的に接続することができる。技術的には周知のように、ワイヤボンディングは固相溶接法であり、それによって極めて微細な径の非絶縁ワイヤが、チップ、リードフレーム又は他の構造体上の対応するワイヤボンドパッドの金属材料に溶接される。ワイヤとボンドパッドは互いに接触して配置され、そして熱、圧力又はその組合せを用いて、一般的に加熱圧縮、超音波又はサーモソニック法によって溶接される。「ワイヤボンド」という用語は、溶接法とこの方法で結果として形成された接続の両方を意味する。
２つのワイヤボンド３４と３６の第１のグループは、光電子検出器２８を処理チップ１２に接続し、２つのワイヤボンド３８と４０の第２のグループは、光電子検出器３０を処理チップ１２に接続し、２つのワイヤボンド４２と４４の第Ｎのグループは、光電子検出器３２を処理チップ１２に接続する、等々。本願で説明を容易にするために、そのようなグループのそれぞれは光「チャネル」に対応すると説明される。このシステムは、任意の数（Ｎ）のそのようなチャネルを有することができる。
例えば、光電子検出器２８のＮ端子は、ワイヤボンド３４を介して電源供給回路によって与えられた正の電源電圧（Ｖ＿ＳＵＰＰＬＹ）に接続される。この電源供給回路は、Ｖ＿ＳＵＰＰＬＹに接続された抵抗４６とグラウンドに接続されたコンデンサ４８の組合せによって表されたフィルタ回路を備えることができる。同様に、光電子検出器３０のＮ端子は、ワイヤボンド３８を介して、抵抗５０とコンデンサ５２の同様の組合せによって表された電源回路に接続され、光電子検出器３２のＮ端子は、ワイヤボンド４２を介して、抵抗５４とコンデンサ５６の同様の組合せによって表された電源回路に接続される、などのように構成される。光電子検出器２８のＰ端子は、ワイヤボンド３６を介して増幅器５８の入力部に接続され、光電子検出器３０のＰ端子は、ワイヤボンド４０を介して増幅器６０の入力部に接続され、光電子検出器３２のＰ端子は、ワイヤボンド４４を介して増幅器６２の入力部に接続される、などのように構成される。図１及び図２では、光チャネル（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と表すことができる）のＮ端子用信号経路とＰ端子用信号経路が、それぞれ、「ＣＨ１＿Ｎ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示されている。図面を分かり易くするために示されていないが、増幅器５８、６０、６２などの出力部は、技術的に周知のように、受信信号を処理するために必要な処理チップ１２内の他の回路に接続される。
動作に当たっては、光電子検出器２８、３０、３２などのそれぞれは、受信した光信号に応答して電流信号を発生する。前述した電源回路は、光電子検出器２８、３０、３２などのそれぞれのＮ端子に電圧を与える。前述した抵抗とキャパシタンスのフィルタリング効果すなわちダンピング効果により、この電圧は比較的一定である。しかしながら、電流は光信号に呼応して変化する。増幅器５８、６０、６２などのそれぞれは、この電流に応答して出力信号を発生する。
前述したワイヤボンドの１つ以上のグループの中で変化する電圧は、１つ以上のワイヤボンドの隣接するグループ内で容量結合されたクロストークを生じる可能性がある。同様に、ワイヤボンドのグループの中で変化する電流によって発生された磁束は、ワイヤボンドの隣接するグループ内で誘導結合されたクロストークを生じる可能性がある。そのようなクロストークを最小にすることが望ましい。
本発明の実施形態は、光電子受信チップ又は光電子送信チップを備えることができる光電子装置チップを、信号処理チップに接続するために、クロストークを減少するワイヤボンドを形成することに関する。この光電子装置チップは、それぞれがＮ端子とＰ端子を有する光電子検出器又は光電子送信機などの複数の光電子装置を有する。例えば、光電子装置はＰＩＮ（Ｐ形、真性層、Ｎ形）ダイオード又は他のフォトダイオードとすることができる。複数のワイヤボンドグループが形成される。各ワイヤボンドのグループは、光電子装置の１つに対応する。各ワイヤボンドのグループは、別のワイヤボンドのグループに隣接する。各ワイヤボンドのグループは、例えば３つのワイヤボンドを備えることができる、すなわち、ワイヤボンドグループの光電子装置のＰ端子を信号処理チップに接続する第１のワイヤボンド、ワイヤボンドグループの光電子装置のＮ端子を信号処理チップに接続する第２のワイヤボンド、及び光電子装置チップを信号処理チップに接続する第３のワイヤボンドである。種々の実施形態では、第１のグループのワイヤボンドと隣接するグループのワイヤボンドとの間に誘導結合又は容量結合が生じないように、第２のワイヤボンド、第３のワイヤボンド、又は組合せた両方のワイヤボンドを第１のワイヤボンドグループに対して配列することができる。
他のシステム、方法、及び利点は、下記の図面と詳細な説明を考察すれば、当業者には明白になるであろう。全てのそのような付加的なシステム、方法、特徴及び利点は、この説明の中又はこの明細書の範囲の中に含まれるか、また添付している請求項によって保護されることを意図している。
下記の図面を参照することにより、本発明をより良く理解することができる。図面内の構成要素は必ずしも寸法どおりではなく、本発明の原理を明確に例示することに重点を置いている。
この技術分野では周知のように、光電子受信チップの一部と、ワイヤボンドによって互いに接続された処理チップの一部を例示する概略図である。 図１の光電子受信チップと処理チップのワイヤボンド接続された部分の、電子部品が点線で示された平面図である。 本発明の第１の具体例としての実施形態による、光電子受信チップと処理チップのワイヤボンド接続された部分の、電子部品が点線で示された平面図である。 本発明の第２の具体例としての実施形態に基づいた、図３と同様の図である。 本発明の第３の具体例としての実施形態に基づいた、図３及び図４と同様の図である。 本発明の第４の具体例としての実施形態に基づいた、図３〜図５と同様の図である。 本発明の第５の具体例としての実施形態に基づいた、図４〜図６と同様の図である。 本発明の第６の具体例としての実施形態に基づいた、図７と同様の図である。 本発明の第７の具体例としての実施形態に基づいた、図３と同様の図である。 本発明の第８の具体例としての実施形態に基づいた、図４と同様の図である。 本発明の第９の具体例としての実施形態に基づいた、図５と同様の図である。
図３に例示されているように、本発明の具体例としての実施形態では、光電子受信チップ６４と処理チップ６６が、マルチチップモジュール（図３には、理解しやすいようにするために、示されていない）中に集積される。受信チップ６４は、ＰＩＮ（Ｐ型、真性層、Ｎ型）ダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器を有している（理解し易くするために、その１つだけが図３に示されている）。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述された方法で、対応する光ファイバーに接続されることができる。それぞれの光電子検出器は、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定あるいは規定する。受信チップ６４の１つの例示的な光電子検出器６８が、理解し易くするために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器６８及び他の光電子検出器のそれぞれは、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と示されることができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド７０、第２のワイヤボンド７２、及び第３のワイヤボンド７４は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。この特許の明細書（「本願」）の中で説明されるワイヤボンドは全て従来の種類であり、この場合、熱、圧力、又はそれらの組合せが極めて微細な径の非絶縁ワイヤの端部を結合するために使用される。第１のワイヤボンド７０は、光電子検出器６８のＰ端子を信号処理チップ６６に接続する。第２のワイヤボンド７２は、光電子検出器６８のＮ端子を信号処理チップ６６に接続する。第３のワイヤボンド７４は同様に、光電子検出器６８のＮ端子を信号処理チップ６６に接続する。この例示的な実施形態では、第１、第２及び第３のワイヤボンド７０、７２及び７４が、互いに平行な直線配列で配置される。第１のワイヤボンド７０は、配列に沿って第２のワイヤボンド７２と第３のワイヤボンド７４との間に配置される。すなわち、第２及び第３のワイヤボンド７２及び７４の一方が第１のワイヤボンド７０の一方の側に配置され、また他方が第１のワイヤボンド７０の他方の側（すなわち、反対側）に配置される。
図３に例示された実施形態では、第１のワイヤボンド７０は光電子検出器６８のＰ端子を信号処理チップ６６の増幅器７６に接続し、第２及び第３のワイヤボンド７２及び７４は、光電子検出器６８のＮ端子を信号処理チップ６６のフィルタ処理された電源回路に接続する。このフィルタ処理された電源回路は、図３では電源電圧に接続された抵抗７８とグラウンドに接続されたコンデンサ８０によって示されているが、別の実施形態では、このフィルタ処理された電源回路は、他の任意の適した構成にすることができる。
第２〜第Ｎのワイヤボンドグループ（別のワイヤボンドグループや他の構成要素は、理解し易くするために示されていないが、省略符号（「．．．」）で表されている）は、第１のワイヤボンドグループに関連して前述された同じ方法で配列される。このため、これらの別のワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループと同じように詳細には説明されない。この例示的な実施形態では、各ワイヤボンドグループが他のワイヤボンドグループに隣接して、グループのワイヤボンドがチップ６４と６６の端部の後に直線配列で集合的に配列されるが、別の実施形態では、グループやそれらのグループが有するワイヤボンドは、曲線状またはアーチ状の配列などの他の任意の適した方法で配列することができることに注意されたい。「隣接する」という用語は本願で使用される場合は、１つのワイヤボンドグループの別のワイヤボンドグループに対する相対位置を述べることだけを意味し、存在する可能性がある他の構造体に対するワイヤボンドグループの位置を記載することを意図していないことも注意されたい。例えば、２つの隣接するワイヤボンドグループ間に１つ以上の別のワイヤボンドなどの他の構造体が存在する可能性があることが考えられる。
動作に当たっては、光電子検出器６８と他の各光電子検出器は、受け取った光信号を表す電気信号を出力する。前述したフィルタ処理された電源は、光電子検出器６８のＮ端子に電圧を与える。フィルタリング効果すなわち減衰効果により、電圧は比較的一定である。しかしながら、電流は光信号に呼応して変化する。増幅器７６は、電流に応答して出力信号を発生する。図示されていない他の光電子検出器も同様に動作するため、本願では同様に詳細には説明しない。
重要なことは、第２及び第３のワイヤボンド７２及び７４の間で第１のワイヤボンド７０をそれぞれ両側で取り囲む効果により、第１のワイヤボンド７０と隣接するワイヤボンドグループのワイヤボンドすなわち第２のワイヤボンドグループとの間で容量結合及び誘導結合（また、これによるクロストーク）が妨げられることである。第１のワイヤボンド７０が第２及び第３のワイヤボンド７２及び７４よりもクロストークに敏感であることに注意されたい。その理由は、第１のワイヤボンド７０が増幅器７６の入力部に接続されているのに対して、第２及び第３のワイヤボンド７２及び７４は、クロストークをもたらす可能性がある高周波電圧変動がない、比較的一定の電圧を供給するフィルタ処理された電源に接続されているためである。第２のワイヤボンドグループの第１、第２及び第３のワイヤボンド間の同じ配列は同様に、第２のグループの第１のワイヤボンドと隣接するグループのワイヤボンドとの間の容量結合及び誘導結合を妨げる。第３〜第Ｎのワイヤボンドグループのそれぞれについても同様である。
図４に例示されているように、本発明の別の例示的な実施形態では、光電子受信チップ８２と処理チップ８４がマルチチップモジュール（理解し易くするために、図示されていない）中に集積される。光電子受信チップ８２は、Ｐ形−真性層−Ｎ形（ＰＩＮ）ダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器（理解し易くするために、図４にはその１つしか示されていない）を備えている。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述されたように、対応する光ファイバーに接続されることができる。光電子検出器のそれぞれは、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定する。光電子受信チップ８２の１つの例示的な光電子検出器８６が、理解し易くするために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器８６及び他の各光電子検出器は、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と示されることができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド８８、第２のワイヤボンド９０、及び第３のワイヤボンド９２は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。第１のワイヤボンド８８は、光電子検出器８６のＰ端子を信号処理チップ８４に接続する。第２のワイヤボンド９０は、光電子検出器８６のＮ端子を信号処理チップ８４に接続する。第３のワイヤボンド９２は同様に、光電子検出器８６のＮ端子を信号処理チップ８４に接続する。この例示的な実施形態では、第１及び第２のワイヤボンド８８及び９０は、１回だけ互いに「Ｘ字」形状の配列で交差する。第３のワイヤボンド９２は、ワイヤボンド８８及び９０の交差した対に直接隣接して配置されるが、第１及び第２のワイヤボンド８８及び９０のどちらとも交差しない。
この実施形態では、第１のワイヤボンド８８は光電子検出器８６のＰ端子を信号処理チップ８４の増幅器９４に接続し、第２及び第３のワイヤボンド９０及び９２は、光電子検出器８６のＮ端子を信号処理チップ８４のフィルタ処理された電源回路に接続する。このフィルタ処理された電源回路は、図４では電源電圧に接続された抵抗９６とグラウンドに接続されたコンデンサ９８によって示されているが、別の実施形態では、このフィルタ処理された電源回路は、他の任意の適した構成にすることができる。
第２〜第Ｎのワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループに関連して前述された同じ方法で配列される。このため、これらの別のワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループと同じように詳細には説明されない。この例示的な実施形態では、各ワイヤボンドグループが他のワイヤボンドグループに隣接して、交差したワイヤボンドの対と他のグループのワイヤボンドがチップ８２と８４の端部の後に直線配列で集合的に配置されるが、別の実施形態では、グループやそれらのグループが有するワイヤボンドは、曲線状またはアーチ状の配列などの他の任意の適した方法で配置されることができることに注意されたい。
動作に当たっては、光電子検出器８６と他の各光電子検出器は、受け取った光信号を表す電気信号を出力する。前述したフィルタ処理された電源は、光電子検出器８６のＮ端子に電源電圧を与える。フィルタリング効果すなわち減衰効果により、電圧は比較的一定である。しかしながら、電流は光信号に呼応して変化する。増幅器９４は、電流に応答して出力信号を発生する。図示されていない他の光電子検出器も同様に動作するため、本願では同じように詳細には説明しない。
重要なことは、第１及び第２のワイヤボンド８８及び９０を交差し、第３のワイヤボンド９２をこの交差したワイヤボンドの対と隣接した（すなわち、第２の）ワイヤボンドグループとの間に配置した効果により、第１のワイヤボンド８８と隣接したワイヤボンドグループのワイヤボンドとの間の容量結合と誘導結合（またこのため、クロストーク）が妨げられることである。第１のワイヤボンド８８が第２及び第３のワイヤボンド９０及び９２よりもクロストークに敏感であることに注意されたい。その理由は、第１のワイヤボンド８８が増幅器９４の入力部に接続されているのに対して、第２及び第３のワイヤボンド９０及び９２は、クロストークをもたらす可能性がある高周波電圧変動がない、比較的一定の電圧を供給するフィルタ処理された電源に接続されているためである。第２のワイヤボンドグループの第１、第２及び第３のワイヤボンド間の同じ配列は同様に、第２のグループの第１のワイヤボンドと隣接するグループのワイヤボンドとの間の容量結合及び誘導結合を妨げる。第３〜第Ｎのワイヤボンドグループのそれぞれについても同様である。
図５に例示されているように、本発明のさらに別の例示的な実施形態では、光電子受信チップ１００と処理チップ１０２がマルチチップモジュール（理解し易くするために、図示されていない）中に集積される。光電子受信チップ１００は、ＰＩＮダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器（理解し易くするために、図５ではその１つしか示されていない）を備えている。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述したように、対応する光ファイバーに接続されることができる。光電子検出器のそれぞれは、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定する。光電子受信チップ１００の１つの例示的な光電子検出器１０４が、理解し易くするために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器１０４及び他の各光電子検出器は、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と表すことができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド１０６、第２のワイヤボンド１０８、及び第３のワイヤボンド１１０は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。第１のワイヤボンド１０６は、光電子検出器１０４のＰ端子を信号処理チップ１０２に接続する。第２のワイヤボンド１０８は、光電子検出器１０４のＮ端子を信号処理チップ１０２に接続する。第３のワイヤボンド１１０は同様に、光電子検出器１０４のＮ端子を信号処理チップ１０２に接続する。この例示的な実施形態では、第１、第２及び第３のワイヤボンド１０６、１０８及び１１０の３つ全ては、互いに星状配列で交差するが、別の実施形態では、それらは互いに違う配列で交差することができる。
この実施形態では、第１のワイヤボンド１０６は光電子検出器１０４のＰ端子を信号処理チップ１０２の増幅器１１２に接続し、第２及び第３のワイヤボンド１０８及び１１０は、光電子検出器１０４のＮ端子を信号処理チップ１０２のフィルタ処理された電源回路に接続する。このフィルタ処理された電源回路は、図５では電源電圧に接続された抵抗１１４とグラウンドに接続されたコンデンサ１１６によって示されているが、別の実施形態では、このフィルタ処理された電源回路は、他の任意の適した構成をとることができる。
第２〜第Ｎのワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループに関連して前述された同じ方法で配列される。このため、これらの別のワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループと同じように詳細には説明されない。この例示的な実施形態では、各ワイヤボンドグループが他のワイヤボンドグループに隣接して、ワイヤボンドグループがチップ１００と１０２の端部の後に直線配列で配置されるが、別の実施形態では、ワイヤボンドグループは、曲線状またはアーチ状の配列などの他の任意の適した方法で配置されることができることに注意されたい。
動作に当たっては、光電子検出器１０４と他の各光電子検出器は、受け取った光信号を表す電気信号を出力する。前述したフィルタ処理された電源は、光電子検出器１０４のＮ端子に電圧を与える。フィルタリング効果すなわち減衰効果により、この電圧は比較的一定である。しかしながら、電流は光信号に呼応して変化する。増幅器１１２は、電流に応答して出力信号を発生する。図示されていない他の光電子検出器も同様に動作するため、本願では同じように詳細には説明しない。
重要なことは、第１、第２及び第３のワイヤボンド１０６、１０８及び１１０を交差した効果により、第１のワイヤボンド１０６と隣接するワイヤボンドグループのワイヤボンドとの間の容量結合及び誘導結合（及びこれにより、クロストーク）が妨げられることである。第１のワイヤボンド１０６が第２及び第３のワイヤボンド１０８及び１１０よりもクロストークに敏感であることに注意されたい。その理由は、第１のワイヤボンド１０６が増幅器１１２の入力部に接続されているのに対して、第２及び第３のワイヤボンド１０８及び１１０は、クロストークをもたらす可能性がある高周波電圧変動がない、比較的一定の電圧を供給するフィルタ処理された電源に接続されているためである。第２のワイヤボンドグループの第１、第２及び第３のワイヤボンド間の同じ配列は同様に、第２のグループの第１のワイヤボンドと隣接するグループのワイヤボンドとの間の容量結合及び誘導結合を妨げる。第３〜第Ｎのワイヤボンドグループのそれぞれについても同様である。
図６に例示されているように、図４に関連して前述されたものと同様の本発明の実施形態では、光電子受信チップ１１８と処理チップ１２０がマルチチップモジュール（理解し易くするために、図示されていない）中に集積される。光電子受信チップ１１８は、ＰＩＮダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器（理解し易くするために、図６ではその１つしか示されていない）を備えている。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述したように、対応する光ファイバーに接続されることができる。光電子検出器のそれぞれは、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定する。光電子受信チップ１１８の１つの例示的な光電子検出器１２２が、理解し易くするために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器１２２及び他の各光電子検出器は、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と表することができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド１２４、第２のワイヤボンド１２６、及び第３のワイヤボンド１２８は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。第１のワイヤボンド１２４は、光電子検出器１２２のＰ端子を信号処理チップ１２０に接続する。第２のワイヤボンド１２６は、光電子検出器１２２のＮ端子を信号処理チップ１２０に接続する。第３のワイヤボンド１２８は、光電子受信チップ１１８のグラウンド端子を信号処理チップ１２０のグラウンド端子に接続する。この例示的な実施形態では、第１及び第２のワイヤボンド１２４及び１２６は、１回だけ互いに「Ｘ字」形状の配列で交差する。第３のワイヤボンド１２８は、ワイヤボンド１２４及び１２６の交差した対に直接隣接して配置されるが、第１及び第２のワイヤボンド１２４及び１２６のどちらとも交差しない。
この実施形態では、第１のワイヤボンド１２４は光電子検出器１２２のＰ端子を信号処理チップ１２０の増幅器１３０に接続し、第２のワイヤボンド１２６は、光電子検出器１２２のＮ端子を信号処理チップ１２０のフィルタ処理された電源回路に接続する。このフィルタ処理された電源回路は、図６では電源に接続された抵抗１３２とグラウンドに接続されたコンデンサ１３４によって示されているが、別の実施形態では、このフィルタ処理された電源回路は、他の任意の適した構成にすることができる。
第２〜第Ｎのワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループに関連して前述された同じ方法で配列される。このため、これらの別のワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループと同じように詳細には説明されない。この例示的な実施形態では、各ワイヤボンドグループが他のワイヤボンドグループに隣接して、交差したワイヤボンドの対と他のグループのワイヤボンドがチップ１１８と１２０の端部の後に直線配列で集合的に配置されるが、別の実施形態では、グループやそれらのグループが有するワイヤボンドは、曲線状またはアーチ状の配列などの他の任意の適した方法で配置されることができることに注意されたい。
図６に例示された実施形態では、第３のワイヤボンド１２８が光電子受信チップ１１８のグラウンド端子を処理チップ１２０のグラウンド端子に接続するが、別の実施形態では、第３のワイヤボンドの１つの端部を、光電子検出器、処理チップ、又は他の装置の上又は近くの金属グラウンド領域などの、グラウンド端子以外の構成部品に取り付けることができる。さらに別の実施形態では、第３のワイヤボンドを接続することができる端子又は領域は、電源電圧又はバイアス電圧などのグラウンド以外の信号を搬送することができる。
動作に当たっては、光電子検出器１２２と他の各光電子検出器は、受け取った光信号を表す電気信号を出力する。前述したフィルタ処理された電源回路は、光電子検出器１２２のＮ端子に電圧を供給する。フィルタリング効果すなわち減衰効果により、この電圧は比較的一定である。しかしながら、電流は光信号に呼応して変化する。増幅器１３０は、電流に応答して出力信号を発生する。図示されていない他の光電子検出器も同様に動作するため、本願では同じように詳細には説明しない。
重要なことは、第１及び第２のワイヤボンド１２４及び１２６を交差して、グラウンド信号を伝える第３のワイヤボンド１２８をこの交差したワイヤボンドの対と隣接した（すなわち、第２の）ワイヤボンドグループとの間に配置した結果、第１のワイヤボンド１２４と隣接したワイヤボンドグループのワイヤボンドとの間に容量結合と誘導結合（またこのため、クロストーク）が妨げられることである。第１のワイヤボンド１２４が第２及び第３のワイヤボンド１２６及び１２８よりもクロストークに敏感であることに注意されたい。その理由は、第１のワイヤボンド１２４が増幅器１３０の入力部に接続されているのに対して、第２のワイヤボンド１２６は、比較的一定の電圧を供給するフィルタ処理された電源の出力部に接続され、また第３のワイヤボンド１２８はグラウンドに接続されているためである。第２のワイヤボンドグループの第１、第２及び第３のワイヤボンド間の同じ配列は同様に、第２のグループの第１のワイヤボンドと隣接するグループのワイヤボンドとの間の容量結合及び誘導結合を妨げる。第３〜第Ｎのワイヤボンドグループのそれぞれについても同様である。
図７に例示されているように、図４及び図６に関連して前述されたものと同様の本発明の実施形態では、光電子受信チップ１３６と処理チップ１３８がマルチチップモジュール（理解し易くするために、図示されていない）中に集積される。光電子受信チップ１３６は、ＰＩＮダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器（理解し易くするために、図７ではその１つしか示されていない）を備えている。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述したように、対応する光ファイバーに接続されることができる。光電子検出器のそれぞれは、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定する。光電子受信チップ１３６の１つの例示的な光電子検出器１４０が、理解し易くするために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器１４０及び他の各光電子検出器は、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と表することができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド１４２及び第２のワイヤボンド１４４は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。第１のワイヤボンド１４２は、光電子検出器１４０のＰ端子を信号処理チップ１３８に接続する。第２のワイヤボンド１４４は、光電子検出器１４０のＮ端子を信号処理チップ１３８に接続する。この例示的な実施形態では、第１及び第２のワイヤボンド１４２及び１４４は、１回だけ互いに「Ｘ字」形状の配列で交差する。第１及び第２のワイヤボンド１４２及び１４４は互いに１回だけ交差するが、それらは従来のワイヤボンドの方法では非絶縁ワイヤすなわち裸線とすることができ、なおかつ互いに接触を避けることができることに注意されたい。
この実施形態では、第１のワイヤボンド１４２は光電子検出器１４０のＰ端子を信号処理チップ１３８の増幅器１４６に接続し、第２のワイヤボンド１４４は、光電子検出器１４０のＮ端子を信号処理チップ１３８のフィルタ処理された電源回路に接続する。このフィルタ処理された電源回路は、図７では電源電圧に接続された抵抗１４８とグラウンドに接続されたコンデンサ１５０によって示されているが、別の実施形態では、このフィルタ処理された電源回路は、他の任意の適した構成にすることができる。
第２〜第Ｎのワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループに関連して前述された同じ方法で配列される。このため、これらの別のワイヤボンドグループは、第１のワイヤボンドグループと同じように詳細には説明されない。この例示的な実施形態では、各ワイヤボンドグループが他のワイヤボンドグループに隣接して、交差したワイヤボンドの対と他のグループのワイヤボンドがチップ１３６と１３８の端部の後に直線配列で集合的に配置されるが、別の実施形態では、グループやそれらのグループが有するワイヤボンドは、曲線状またはアーチ状の配列などの他の任意の適した方法で配置されることができることに注意されたい。
動作に当たっては、光電子検出器１４０と他の各光電子検出器は、受け取った光信号を表す電気信号を出力する。前述したフィルタ処理された電源回路は、光電子検出器１４０のＮ端子に電圧を供給する。フィルタリング効果すなわち減衰効果により、この電圧は比較的一定である。しかしながら、電流は光信号に呼応して変化する。増幅器１４６は、電流に応答して出力信号を発生する。図示されていない他の光電子検出器も同様に動作するため、本願では同じように詳細には説明しない。前述された別の実施形態におけるように、第１及び第２のワイヤボンド１４２及び１４４を交差する効果により、隣接するワイヤボンドグループのワイヤボンドとの間で容量結合及び誘導結合（及びこれにより、クロストーク）が生じることが妨げられる。
さらに別の実施形態では、Ｎ端子を増幅器の入力部に接続するというように、光電子検出器の極性を前述されたものと逆にすることができる。例えば、図８に例示されているように、図７に関連して前述されたものと同様の本発明の実施形態では、光電子受信チップ１５２と処理チップ１５４がマルチチップモジュール（理解し易くするために、図示されていない）中に集積される。光電子受信チップ１５２は、ＰＩＮダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器（理解し易くするために、図８ではその１つしか示されていない）を備えている。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述したように、対応する光ファイバーに接続されることができる。それぞれの光電子検出器は、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定する。光電子受信チップ１５２の１つの例示的な光電子検出器１５６が、理解し易くするために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器１５６及び他の各光電子検出器は、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と表することができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド１５８及び第２のワイヤボンド１６０は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。第１のワイヤボンド１５８は、光電子検出器１５６のＮ端子を信号処理チップ１５４に接続する。第２のワイヤボンド１６０は、光電子検出器１５６のＰ端子を信号処理チップ１５４に接続する。この例示的な実施形態では、第１及び第２のワイヤボンド１５８及び１６０は、１回だけ互いに「Ｘ字」形状の配列で交差する。第１及び第２のワイヤボンド１５８及び１６０は互いに１回だけ交差するが、それらは従来のワイヤボンドの方法では非絶縁ワイヤすなわち裸線とすることができ、なおかつ互いに接触を避けることができることに注意されたい。
この実施形態では、第１のワイヤボンド１５８は光電子検出器１５６のＮ端子を信号処理チップ１５４の増幅器１６２に接続し、第２のワイヤボンド１６０は、光電子検出器１５６のＰ端子を、信号処理チップ１５４に関連したバイアス電圧などのグラウンド電位又は他の固定した所定の電位に接続する。
図９に例示されているように、図３に関連して前述されたものと同様であるが、光電子検出器のＮ端子が増幅器の入力部に接続されている実施形態では、光電子受信チップ１６４と処理チップ６６が、マルチチップモジュール（図９には、理解しやすいようにするために、示されていない）中に集積される。受信チップ１６４は、Ｐ形−真性層−Ｎ形（ＰＩＮ）ダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器を有している（理解し易くするために、その１つだけが図９に示されている）。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述された方法で、対応する光ファイバーに接続されることができる。それぞれの光電子検出器は、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定する。受信チップ１６４の１つの例示的な光電子検出器１６８が、理解し易くするために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器１６８及び他の光電子検出器のそれぞれは、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と示されることができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド１７０、第２のワイヤボンド１７２、及び第３のワイヤボンド１７４は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。第１のワイヤボンド１７０は、光電子検出器１６８のＮ端子を信号処理チップ１６６に接続する。第２のワイヤボンド１７２は、光電子検出器１６８のＰ端子を信号処理チップ１６６に接続する。第３のワイヤボンド１７４は同様に、光電子検出器１６８のＰ端子を信号処理チップ１６６に接続する。この例示的な実施形態では、第１、第２及び第３のワイヤボンド１７０、１７２及び１７４が、互いに平行な直線配列で配置される。第１のワイヤボンド１７０は、配列に沿って第２のワイヤボンド１７２と第３のワイヤボンド１７４との間に配置される。すなわち、第２及び第３のワイヤボンド１７２及び１７４の一方が第１のワイヤボンド１７０の一方の側に配置され、また他方が第１のワイヤボンド１７０の他方の側（すなわち、反対側）に配置される。
図９に例示された実施形態では、第１のワイヤボンド１７０は光電子検出器１６８のＮ端子を信号処理チップ１６６の増幅器１７６に接続し、第２及び第３のワイヤボンド１７２及び１７４のそれぞれは、光電子検出器６８のＰ端子を信号処理チップ１６６に関連したバイアス電圧などのグラウンド電位又は他の固定した所定の電位に接続する。
図１０に例示されているように、図４に関連して前述されたものと同様であるが、光電子検出器のＮ端子が増幅器の入力部に接続されている本発明の例示的な実施形態では、光電子受信チップ１８２と処理チップ１８４がマルチチップモジュール（理解し易くするために、図示されていない）中に集積される。光電子受信チップ１８２は、Ｐ形−真性層−Ｎ形（ＰＩＮ）ダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器（理解し易くするために、図１０にはその１つしか示されていない）を備えている。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述されたように、対応する光ファイバーに接続されることができる。それぞれの光電子検出器は、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定する。光電子受信チップ１８２の１つの例示的な光電子検出器１８６が、理解し易くするために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器１８６及び他の各光電子検出器は、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と示されることができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド１８８、第２のワイヤボンド１９０、及び第３のワイヤボンド１９２は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。第１のワイヤボンド１８８は、光電子検出器１８６のＮ端子を信号処理チップ１８４に接続する。第２のワイヤボンド１９０は、光電子検出器１８６のＰ端子を信号処理チップ１８４に接続する。第３のワイヤボンド１９２は同様に、光電子検出器１８６のＰ端子を信号処理チップ１８４に接続する。この例示的な実施形態では、第１及び第２のワイヤボンド１８８及び１９０は、１回だけ互いに「Ｘ字」形状の配列で交差する。第３のワイヤボンド１９２は、ワイヤボンド１８８及び１９０の交差した対に直接隣接して配置されるが、第１及び第２のワイヤボンド１８８及び１９０のどちらとも交差しない。
この実施形態では、第１のワイヤボンド１８８は光電子検出器１８６のＮ端子を信号処理チップ１８４の増幅器１９４に接続し、第２及び第３のワイヤボンド１９０及び１９２は、光電子検出器８６のＰ端子を信号処理チップ８４に関連したバイアス電圧などのグラウンド電位又は他の固定した所定の電位に接続する。
図１１に例示されているように、図５に関連して前述されたものと同様であるが、光電子検出器のＮ端子が増幅器の入力部に接続されている本発明の例示的な実施形態では、光電子受信チップ２００と処理チップ２０２がマルチチップモジュール（理解し易くするために、図示されていない）中に集積される。光電子受信チップ２００は、ＰＩＮダイオード又は他のフォトダイオードなどの複数の光電子検出器（理解し易くするために、図１１ではその１つしか示されていない）を備えている。それぞれの光電子検出器は、図１に関連して前述したように、対応する光ファイバーに接続されることができる。光電子検出器のそれぞれは、光信号を対応するファイバーから受け取ることができる光チャネルを画定する。光電子受信チップ２００の１つの例示的な光電子検出器２０４が、例証するために点線で示され、その機能が後で説明されるが、図示されていない他の検出器も同じように機能する。光電子検出器２０４及び他の各光電子検出器は、Ｎ端子とＰ端子を備えている。光チャネルのＮ端子信号経路とＰ端子信号経路（便宜上、チャネル「１」〜チャネル「Ｎ」と表すことができる）は、それぞれ「ＣＨ１＿Ｎ」及び「ＣＨ１＿Ｐ」〜「ＣＨＮ＿Ｎ」及び「ＣＨＮ＿Ｐ」とラベル表示される。
第１のワイヤボンド２０６、第２のワイヤボンド２０８、及び第３のワイヤボンド２１０は、第１のチャネルに対応する第１のワイヤボンドグループを画定する。第１のワイヤボンド２０６は、光電子検出器２０４のＮ端子を信号処理チップ２０２に接続する。第２のワイヤボンド２０８は、光電子検出器２０４のＰ端子を信号処理チップ２０２に接続する。第３のワイヤボンド２１０は同様に、光電子検出器２０４のＰ端子を信号処理チップ２０２に接続する。この例示的な実施形態では、第１、第２及び第３のワイヤボンド２０６、２０８及び２１０の３つ全ては、互いに星状配列で交差するが、別の実施形態では、それらは互いに違う配列で交差することができる。
この実施形態では、第１のワイヤボンド２０６は光電子検出器２０４のＮ端子を信号処理チップ２０２の増幅器２１２に接続し、第２及び第３のワイヤボンド２０８及び２１０は、光電子検出器２０４のＰ端子を信号処理チップ２０２に関連したバイアス電圧などのグラウンド電位又は他の固定した所定の電位に接続する。
前述してきた発明の実施形態は、単に実施例又は例証を目的にしている。上記を考慮すれば、本発明の範囲に入る他の実施形態は、当業者には容易に思い浮かぶであろう。例えば、光電子装置がフォトダイオードなどの光電子検出器である実施形態が上記で説明されたが、さらに別の実施形態では、光電子装置はレーザなどの光電子送信機とすることができる。本発明は添付された特許請求の範囲によって定義されるものであり、また説明された特定の実施形態に限定されるものでないことは理解されよう。
６４ 受信チップ
６６ 処理チップ
６８ 光電子検出器
７０ 第１のワイヤボンド
７２ 第２のワイヤボンド
７４ 第３のワイヤボンド
７６ 増幅器
７８ 光電子検出器
８０ コンデンサ

Claims (21)

  1. 複数の光電子装置を有する光電子装置チップを信号処理チップに接続するためのシステムであって、
    それぞれが前記光電子装置の１つに対応し、それぞれが３つのワイヤボンドを備え、それぞれが複数のワイヤボンドグループの中の別のワイヤボンドグループに隣接する、複数のワイヤボンドグループを具備し、
    前記各ワイヤボンドグループは、
    前記ワイヤボンドグループの前記光電子装置のＰ端子を前記信号処理チップに接続する第１のワイヤボンドと、
    前記ワイヤボンドグループの前記光電子装置のＮ端子を前記信号処理チップに接続する第２のワイヤボンドと、
    前記光電子装置チップを前記信号処理チップに接続する第３のワイヤボンドと、
    を備えるシステム。
  2. 前記第２のワイヤボンドが、前記第１のワイヤボンドとほぼ平行であり、かつ前記第１のワイヤボンドの第１の側に配置され、
    前記第３のワイヤボンドが、前記第１のワイヤボンドとほぼ平行であり、かつ前記第１のワイヤボンドの第２の側に配置される、
    ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
  3. 前記第３のワイヤボンドが、前記光電子装置のＮ端子を前記信号処理チップに接続する、ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
  4. 前記第３のワイヤボンドが、前記光電子装置の固定電位端子を前記信号処理チップに接続する、ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
  5. 前記各光電子装置がＰＩＮダイオードを有する光電子検出器である、ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
  6. 前記各光電子装置が光電子検出器であり、かつ前記第１のワイヤボンドが前記光電子検出器のＰ端子を前記信号処理チップの増幅器に接続する、ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
  7. 前記第２及び第３のワイヤボンドが、前記光電子装置のＮ端子を前記信号処理チップのフィルタ処理された電源に接続する、ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
  8. 前記各光電子装置が光電子検出器であり、
    前記第１のワイヤボンドが、前記光電子検出器のＮ端子を前記信号処理チップの増幅器に接続し、
    前記第２及び第３のワイヤボンドが前記光電子検出器のＰ端子を固定電位に接続する、
    ことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
  9. 前記第２のワイヤボンドが前記第１のワイヤボンドと交差し、
    前記第３のワイヤボンドが前記第１及び第２のワイヤボンドのどちらも交差しない、
    ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
  10. 前記第３のワイヤボンドが、前記光電子装置のＮ端子を前記信号処理チップに接続する、ことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
  11. 前記第３のワイヤボンドが、前記光電子装置の固定電位端子を前記信号処理チップに接続する、ことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
  12. 前記各光電子装置がＰＩＮダイオードを備えた光電子検出器である、ことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
  13. 前記各光電子装置が光電子検出器であり、かつ前記第１のワイヤボンドが前記光電子検出器のＰ端子を前記信号処理チップの増幅器に接続する、ことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
  14. 前記第２及び第３のワイヤボンドが、前記光電子装置のＮ端子を前記信号処理チップのフィルタ処理された電源に接続する、ことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
  15. 前記各光電子装置が光電子検出器であり、
    前記第１のワイヤボンドが、前記光電子検出器のＮ端子を前記信号処理チップの増幅器に接続し、
    前記第２及び第３のワイヤボンドが、前記光電子検出器のＰ端子を固定電位に接続する、
    ことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
  16. 前記第２のワイヤボンドが前記第１のワイヤボンドと交差し、
    前記第３のワイヤボンドが前記第１のワイヤボンド及び前記第２のワイヤボンドと交差し、かつ前記光電子装置のＮ端子を前記信号処理チップに接続する、
    ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
  17. 前記各光電子装置がＰＩＮダイオードを備えた光電子検出器である、ことを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
  18. 前記各光電子装置が光電子検出器であり、かつ前記第１のワイヤボンドが前記光電子検出器のＰ端子を前記信号処理チップの増幅器に接続する、ことを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
  19. 前記第２及び第３のワイヤボンドが、前記光電子装置のＮ端子を前記信号処理チップのフィルタ処理された電源に接続する、ことを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
  20. 前記各光電子装置が光電子検出器であり、
    前記第１のワイヤボンドが、前記光電子検出器のＮ端子を前記信号処理チップの増幅器に接続し、
    前記第２及び第３のワイヤボンドが、前記光電子検出器のＰ端子を固定電位に接続する、
    ことを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
  21. 複数の光電子装置を有する光電子装置チップを信号処理チップに接続するためのシステムであって、
    それぞれが前記光電子装置の１つに対応し、それぞれが正確に２つのワイヤボンドを備え、それぞれが複数のワイヤボンドグループの中の別のワイヤボンドグループに隣接する、複数のワイヤボンドグループを具備し、
    前記各ワイヤボンドグループは、
    前記ワイヤボンドグループの前記光電子装置の端子を前記信号処理チップに接続する第１のワイヤボンドと、
    前記ワイヤボンドグループの前記光電子装置の端子を前記信号処理チップに接続する第２のワイヤボンドと、を備えて、
    前記第１及び第２のワイヤボンドが互いに正確に１回交差する、
    システム。
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