CN103369258A - 图像拾取装置和图像拾取显示系统 - Google Patents
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Abstract
一种图像拾取装置包括：图像拾取部分，其包括多个像素；以及，驱动部分，用于读取每个像素中存储的信号电荷。每个像素包括：电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于每个像素被布置；半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生所述信号电荷；第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分电压控制。
Description
技术领域
本发明涉及一种包括光电转换元件的图像拾取装置和包括这样的图像拾取装置的图像拾取显示系统。
背景技术
已经提出了作为图像拾取装置的各种类型的装置，该图像拾取装置包括在像素中的光电转换元件（图像拾取像素）。如上所述的这样的图像拾取装置的示例包括所谓的光学触摸板和放射线（例如，X射线）图像拾取装置等。
所谓的间接转换型放射线图像拾取装置和所谓的直接转换型放射线图像拾取装置可用于作为在上面的图像拾取装置中的放射线图像拾取装置。在上述的装置中，间接转换型放射线图像拾取装置是下述类型的：其使用闪烁器等来通过波长转换来将已经入射的放射线转换为可见光，然后通过光电二极管将可见光进行光电转换以获得信号电荷。另一方面，直接转换型放射线图像拾取装置是使用基于入射的放射线来产生信号电荷的非晶半导体（α-Se等）的类型（例如，参见日本未审查专利申请公布No.2002-311144）。
发明内容
在直接转换型放射线图像拾取装置中，在一对电极之间插入如上所述的非晶体，并且通过在该电极之间施加电压而已经在半导体内产生的电荷（电子/空穴）被移动到相应的电极。通过使用像素电路从一个电极（像素电极）读出电荷（信号电荷）来获得图像信号，该像素电路包括场效应晶体管和保持电容元件等。
然而，在执行读取操作后，信号电荷容易剩余在半导体层的局部区域中，并且，如此剩余的电荷可以引起在拾取的图像的图像质量上的降低。因此，期望通过抑制信号电荷的剩余来实现在图像质量上的改善。
期望提供一种能够实现在拾取图像的图像质量上的改善的图像拾取装置和包括这样的图像拾取装置的图像拾取显示系统。
根据本公开的一个实施例的一种图像拾取装置包括：图像拾取部分，其包括多个像素；以及，驱动部分，用于读取在所述像素的每一个中存储的信号电荷。所述像素的每一个包括：电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于所述像素的每一个被布置；半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生所述信号电荷；第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分电压控制。
根据本公开的一个实施例的一种图像拾取显示系统具有图像拾取装置和基于由所述图像拾取装置获得的图像拾取信号来执行图像显示的显示装置。所述图像拾取装置包括：图像拾取部分，其包括多个像素；以及，驱动部分，用于读取在所述像素的每一个中存储的信号电荷。所述像素的每一个包括：电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于所述像素的每一个被布置；半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生所述信号电荷；第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分在电压上控制。
在根据本公开的上述实施例的图像拾取装置和图像拾取显示系统中，当所述放射线入射在所述像素的每一个中的半导体层上时，在所述半导体层中产生所述信号电荷，并且所述信号电荷被存储在所述像素中。从所述像素的每一个读出如此存储的所述信号电荷，以获得基于所述入射的放射线的拾取的图像。在此，所述第三电极被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述电极相对的区域中，并且由所述驱动部分控制要向所述第三电极施加的电压。因此，抑制了在电场难以达到的区域中的信号电荷的残留，所述区域例如特别地但是非限制地是在所述半导体层的第一电极之间（像素之间）的区域。
根据本公开的上述实施例的图像拾取装置和图像拾取显示系统，读出在像素的每一个中存储的信号电荷，由此获取基于入射的放射线的拾取的图像。在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述电极相对的区域中布置由所述驱动部分在电压上控制的第三电极，这允许抑制在所述半导体层的局部区域中的所述信号电荷的残留。因此，有可能实现在拾取的图像的图像质量上的改善。
应当明白，上述的一般说明和下面的详细说明两者是示例性的，并且意欲提供所要求保护的技术的进一步的说明。
附图说明
附图被包括以进一步理解本公开，并且被包含在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例，并且与说明书一起用于解释本技术的原理。
图1是图示根据本公开的一个实施例的图像拾取装置的一般配置的示例的框图。
图2是图示在图1中所示的图像拾取部分的示意配置的示例的截面图。
图3是像素电路和电极的布局的一个示例的示意图。
图4是图示在图1中所示的列选择部分的详细配置的示例的框图。
图5的（A）和（B）是图示图像拾取驱动操作的一个示例的时序图。
图6是图示在照射期间的操作状态的一个示例的电路图。
图7是图示在读取期间的操作状态的一个示例的电路图。
图8是图示根据比较示例的图像拾取装置中的读出后的电荷的行为的示例的示意图。
图9是图示图1中所示的图像拾取装置中的读出后的电荷的行为的示例的示意图。
图10是图示根据一个修改示例的图像拾取装置的电荷控制电极上所执行的电压控制操作的一个示例的示意图。
图11是图示根据一个应用示例的图像拾取显示系统的示意配置的示例的示意图。
具体实施方式
将参考附图详细描述本公开的一些实施例。应当注意，将以下面的顺序来进行说明。
1．实施例（放射线图像拾取装置的示例，其中，在像素之间布置电荷控制电极，以控制用于改变其阻抗的大小的电压）
2．修改示例（低阻抗下的电荷控制电极的电压控制操作的另一个示例）
3．应用示例（图像拾取显示系统的示例）
<实施例>
[配置]
图1图示了根据本公开的一个实施例的图像拾取装置（图像拾取装置1）的一般方框配置的示例。图像拾取装置1被适配来基于所使用的入射的放射线（例如，X射线）来读取关于物体的信息（拾取该物体的图像），并且是所谓的直接转换型放射线图像拾取装置。图像拾取装置1包括图像拾取部分11、行扫描部分13、A/D转换部分14、列扫描部分15、阻抗控制部分18和系统控制部分16。在上述部分中，行扫描部分13、A/D转换部分14、列扫描部分15、阻抗控制部分18和系统控制部分16对应于在本公开的一个实施例中的“驱动部分”的一个具体示例。应当注意，在下面，将在下述假设下进行描述：在图像拾取部分11内的水平方向（行方向）被称为“H”方向，并且垂直方向（列方向）被称为“V”方向。
（图像拾取部分11）
图2图示了图像拾取部分11相对于两个相邻像素的截面配置的示例。图3图示了像素电路和电极的布局的一个示例连同阻抗控制部分18和在下述的列选择部分17内的电荷放大器电路171。图像拾取部分11基于已经入射的放射线来产生电信号。在图像拾取部分11中，以行和列（以矩阵形式）二维地布置像素（图像拾取像素或单位像素）。另外，在图像拾取部分11中，像素电极21（第一电极）经由电路层211布置在基板210上，并且，跨越多个像素20（跨全部像素）在像素电极21上形成半导体层25。例如在全部像素上在半导体层25上布置了上部电极26（第二电极）。
在电路层211中形成像素电路（下述），该像素电路包括例如TFT（薄膜晶体管）22、信号线电极22b（信号线Lsig）和保持电容元件23。
TFT22例如由N沟道型（N型）场效应晶体管（TFT）构成。替代地，TFT22可以由P沟道（P型）FET等构成。另外，虽然在此将底部栅极结构图示为TFT的结构的一个示例，但是该结构不限于此，并且可以使用顶部栅极结构。
TFT22的栅极（栅极电极22a）连接到读取控制线Lread，并且，其源极和漏极之一连接到例如信号线电极22b（信号线Lsig）。源极和漏极的另一个连接到在电路层211上布置的像素电极21。由例如非晶硅、微晶硅、硅或多晶硅(polysilicon)等构成的基于硅的半导体用于TFT22的沟道层22c。替代地，可以使用由例如铟镓锌氧化物（InGaZnO）或氧化锌（ZnO）等构成的氧化物半导体。
信号线电极22b被布置在电路层211中不与像素电极21相对的区域中（以便不与像素电极21重叠），目的是使得电容耦合难以在信号线电极22b和像素电极21之间出现。例如，信号线电极22b的每一个例如以带状形式在像素之间的区域A中沿着V方向延伸。
保持电容元件23包括一对电容电极23a和23b，该一对电容电极23a和23b被布置使得在它们之间插入夹层绝缘膜211a的一部分，并且保持电容元件23暂时存储经由像素电极21收集的信号电荷。在电容电极23a和23b中，电容电极23a被布置在与例如TFT22的栅极电极22a相同的层中，并且，电容电极23b被布置在与例如信号线电极22b相同的层中。另外，与信号线电极22b类似地，电容电极23b每一个例如以带状形式在像素之间的区域A中沿着V方向延伸。
像素电极21作为用于从在半导体层25中产生的电子空穴对取出例如电子作为信号电荷的电极，并且每个像素地彼此分离地被布置在电路层211上。像素电极21由例如ITO（铟锡氧化物）等构成。
半导体层25由将入射的放射线转换为电信号的半导体形成。如上所述的半导体的示例包括由非晶硒（a-Se）等构成的非晶半导体。替代地，它可以由碲化镉（CdTe）半导体等形成。
上部电极26被布置为在所有像素之间共用的电极，并且作为用于释放在半导体层25中产生的电子空闲对中的另一种电荷（例如，空穴）的电极。上部电极26由例如Au等构成。
在本实施例中，电气独立于像素电极21的电极（电荷控制电极24A和24B）被布置在位于电路层211和半导体层25之间并且不与如上所述的像素电极21相对的区域中。具体地说，电荷控制电极24A和24B（第三电极）被布置在像素20之间（在像素电极21之间）的区域A中与像素电极21相同的层中。
电荷控制电极24A和24B分别经由TFT32A和32B和控制线L1连接到阻抗控制部分18。TFT32A和32B是与TFT22类似地场效应薄膜晶体管，并且以与电荷控制电极24A和24B相同的数量被布置在图像拾取部分11中。在TFT32A和32B的每一个中，栅极连接到控制线L1，源极和漏极之一连接到电荷控制电极24A和24B，并且另一个被保持在预定电势（例如，地电势）。阻抗控制部分18被驱动以向TFT32A和32B的每个栅极应用预定电压脉冲，由此控制以改变TFT32A和32B的接通（ON）操作和截止（OFF）操作。因此，在预定定时改变电荷控制电极24A和24B的每一个的阻抗的大小。如此描述的电荷控制电极24A和24B由与例如像素电极21相同的材料构成。
在电荷控制电极24A和24B中，电荷控制电极24A被布置在与信号线电极22b相对的区域中，电荷控制电极24B被布置在与保持电容元件23相对的区域中。例如，在信号线电极22b上叠置地沿着V方向以带状形式布置电荷控制电极24A，并且在电容电极23b上叠置地沿着V方向以带状形式布置电荷控制电极24B。虽然在像素20之间的区域A中例如相互并排地布置了信号线电极22b和电容电极23b，但是优选地象在本实施例中那样在面向信号线电极22b和电容电极23b的各区域中电气独立地布置电荷控制电极24A和24B。因为电荷控制电极24A与电荷控制电极24B的电分离允许抑制通过在信号线电极22b上的电容耦合的电影响。
（行扫描部分13）
行扫描部分13是包括在附图中未示出的移位寄存器电路和逻辑电路等的像素驱动部分（行扫描电路），并且对于在图像拾取部分11中的多个像素20执行逐行（以水平线为单位）驱动（行顺序扫描）。具体地说，行扫描部分13通过例如行顺序扫描执行图像拾取操作，该图像拾取操作包括下述的读取操作等。
（A/D转换部分14）
A/D转换部分14包括多个列选择部分17，对于每多个（在此为四个）信号线Lsig布置一个列选择部分17，并且A/D转换部分14基于已经经由信号线Lsig输入的信号电压（信号电荷）来执行A/D转换（模数转换）。因此，数字信号的形式的输出数据Dout（图像拾取信号）被产生和输出到外部。
列选择部分17包括例如如图4中所示的电荷放大器电路171、采样/保持（S/H）电路173、包括四个开关SW2的复用器电路（选择电路）174和A/D转换器175。在上述元件中，对于每条信号线Lsig分别布置电荷放大器电路171、S/H电路173和开关SW2。对于每一个列选择部分17布置复用器电路174和A/D转换器175。
电荷放大器电路171包括电荷放大器172和电容元件（电容器或反馈电容元件）C1。电荷放大器172是用于将从信号线Lsig读出的信号电荷转换为电压（Q-V转换）的放大器。
S/H电路173是在电荷放大器172和复用器电路17（开关SW2）之间布置并且被适配来暂时保持来自电荷放大器172的输出电压Vca的电路。
复用器电路174是通过根据由列扫描部分15进行的扫描驱动来将四个开关依序逐个地进入接通状态而选择性地将每一个S/H电路173和A/D转换器175连接或将它们互相断开的电路。
A/D转换器175是通过对于已经经由开关SW2从S/H电路173输入的输出电压执行模数转换来产生和输出上述的输出数据Dout的电路。
（列扫描部分15）
列扫描部分15包括例如在附图中未示出的移位寄存器和地址解码器等，并且在扫描上述的列选择部分17中的各开关SW2的同时依序驱动各开关SW2。经由各信号线Lsig如此读出的各像素20的信号（上述的输出数据Dout）通过由如上所述配置的列扫描部分15执行的选择性扫描被依序输出到外部。
（阻抗控制部分18）
阻抗控制部分18包括在附图中未示出的逻辑电路等，并且控制要施加到图像拾取部分11中的多个电荷控制电极24A和24B的电压以控制电荷控制电极24A和24B的阻抗的大小。足够好的是，阻抗控制部分18与至少一条控制线L1连接，并且这样的一条控制线L1经由TFT32A和32B连接到电荷控制电极24A和24B的每个。因此，阻抗控制部分18总体地控制在图像拾取部分11中布置的所有电荷控制电极24A和24B的电压。
（系统控制部分16）
系统控制部分16控制行扫描部分13、A/D转换部分14、列扫描部分15和阻抗控制部分18的操作。具体地说，系统控制部分16包括产生上述的各种定时信号（控制信号）的定时发生器，并且基于由定时发生器产生的各种定时信号来控制行扫描部分13、A/D转换部分14、列扫描部分15和阻抗控制部分18的驱动。虽然下面将描述细节，但是摄影时，基于系统控制部分16进行的控制，行扫描部分13、A/D转换部分14和列扫描部分15驱动每一个像素20以拾取图像，并且阻抗控制部分18控制要施加到电荷控制电极24A和24B的电压。
[操作和效果]
在根据本实施例的图像拾取装置1中，当放射线入射在图像拾取部分11上时，在每一个像素20中的半导体层25中，该放射线被转换为信号电荷（在半导体层25中产生基于入射的放射线的信号电荷）。详细而言，当施加放射线时在半导体层25中产生与已经入射的放射线数量对应的数量的电子空穴对。在该情况下，通过向上部电极26施加预定的偏置电压（负电压），例如，分别地，作为信号电荷的电子向像素电极21移动，并且空穴向上部电极26移动。在如此移动的电子和空穴中，经由像素电极21在保持电容元件23中存储信号电荷，然后在读取操作的执行中当TFT22进入接通状态时将该信号电荷读出在信号线Lsig上。如此读出的信号电荷经历Q-V转换和A/D转换，然后在已经进行Q-V转换和A/D转换后被输出到外部。在下面，将详细描述这个图像拾取驱动操作。
图5的（A）和（B）是图示图像拾取驱动操作的一个示例的示意图。图6图示了使用放射线（在此，X射线）的照射期间（照射期间Tex）的像素20和在列选择部分17中的电荷放大器电路171的一个操作示例。图7图示了读取期间（读取期间Tr）的像素20和在列选择部分17中的电荷放大器电路171的一个操作示例。应当注意，为了说明方便，在图6和图7中的开关中图示了TFT22、32A和32B的接通和截止状态。
如在图5的（A）中所示，在图像拾取装置1中的放射线照射期间Tex后的读取期间Tr中，从图像拾取部分11中的各像素20行顺序地读出信号电荷。应当注意，在读取期间Tr中的箭头指示从屏幕中的上部上的像素向下部上的像素行顺序地执行读取操作，并且用于读取在整个屏幕上的信号电荷所花费的期间被称为“读取期间”。
在本实施例中，如在图5的（B）中所示，与如上所述的行顺序图像拾取驱动的执行一起，控制要向电荷控制电极24A和24B施加的电压以改变电荷控制电极24A和24B的阻抗的大小。具体地说，电压被控制使得在照射期间Tex获得低阻抗（Low-Z），并且在读取期间Tr获得高阻抗（High-Z）。
详细而言，在如图6中所示，TFT22在照射期间Tex处于截止状态。在该状态中，基于入射在像素20中的半导体层25上的放射线的信号电荷不向信号线Lsig输出（未被读出），并且存储在保持电容元件23中。在照射期间Tex，经由控制线L1向TFT32A和32B施加接通电压（高侧电压脉冲），以使得TFT32A和32B进入接通状态。因此，电荷控制电极24A和24B被保持在其中施加电压的状态（电压施加状态）中，以实现低阻抗。
然后，如图7中所示，TFT22在读取期间Tr进入接通状态，通过这样，从保持电容元件23向信号线Lsig读出信号电荷。在读取期间Tr，经由控制线L1向TFT32A和32B施加OFF电压（低侧电压脉冲）以使得TFT32A和32B进入截止状态。因此，电荷控制电极24A和24B被保持在未施加电压的状态（浮动状态）中以获得高阻抗。
如此读取的信号电荷被输入到电荷放大器电路171。详细而言，读取的信号电荷经由信号线Lsig以多条（在此为四条）像素线为单位被输入到在A/D转换部分14中的列选择部分17内。在列选择部分17中，首先，对每条信号线Lsig，输入的信号电荷在电荷放大器电路171中被Q-V转换（从信号电荷转换为信号电压）。接下来，如此转换的信号电压经由S/H电路173和复用器电路174被A/D转换器175进行A/D转换。以数字信号的形式的输出数据Dout（图像拾取信号）以上述的方式被产生和从每一个列选择部分17输出。输出数据Dout被传送到外部或者被存储于在附图中未示出的内部存储器中。在图像拾取装置1中以上述方式来执行图像拾取驱动操作。
（比较示例）
在此，在图8中图示了根据比较示例的图像拾取装置的照射期间Tex像素中的电荷的行为。在根据比较示例的图像拾取装置中，象在本实施例中那样，在每一个像素中，在基板101上布置了包括TFT106、信号线电极106b和保持电容元件107的电路层102，并且，在电路层102上布置像素电极103。跨域所有像素在像素电极103上形成半导体层104，并且在半导体层104上形成上部电极105。应当注意，在该比较示例中，其中未形成像素电极103的区域（不与像素电极103相对的区域）存在于在像素之间的区域（与信号线电极106b和保持电容元件107相对的区域）。
也在这个比较示例中，象在本实施例中那样，在照射期间Tex，在已经基于入射的放射线产生的空穴（在附图中由“h”指定）和电子（在附图中由“e”指定）的对中，作为信号电荷的电子向像素电极103移动，并且空穴向上部电极105移动，并且信号电荷存储在保持电容元件107中。然后，在读取期间Tr，在保持电容元件107中存储的信号电荷被读出到未示出的信号线上。然而，因为在每一个像素中的半导体层104中的区域B在电场上比与像素电极103相对的区域弱，所以即使在读取操作的执行后也在半导体层104中剩余有信号电荷（在附图中的B1）。
另一方面，在本实施例中，在位于半导体层25和电路层211之间并且不与像素电极21相对的区域（在像素之间的区域A）中布置由阻抗控制部分18电压控制的电荷控制电极24A和24B。具体地说，控制电压使得在预定定时改变电荷控制电极24A和24B的阻抗的大小（进行使得阻抗在照射期间Tex中被设置得低并且阻抗在读取期间Tr中被设置得高的控制）。
通过如上所述在照射期间Tex中将电荷控制电极24A和24B保持在低阻抗，也向在半导体层25中的与电荷控制电极24A和24B相对的部分A1施加电场。在部分A1中产生的每一个电子空穴对中的电子和空穴之一向上部电极26移动，并且另一个向电荷控制电极24A或24B移动。因此，电荷通过电荷控制电极24A和24B向像素20的外部释放（图9）。另一方面，在半导体层25中产生的空穴通过上部电极26向像素20的外部释放。应当注意，在照射期间Tex（其间将电荷控制电极保持在低阻抗的期间）连续地执行电荷通过电荷控制电极24A和24B的这样的释放。因此，抑制了在部分A1中的信号电荷的剩余。另外，在读取期间Tr，通过将电荷控制电极24A和24B保持在高阻抗（通过使得电荷控制电极24A和24B进入浮动状态），降低了电荷控制电极24A和24B的电容，并且减小了与信号线电极22B的电容耦合。
在本实施例中，如上所述，当放射线入射在每一个像素20的半导体层25上时，在半导体层25中产生信号电荷，并且该信号电荷被存储在像素20中。允许通过从每一个像素20读出存储的信号电荷来获得基于入射的放射线的拾取的图像。在位于电路层211和半导体层25之间并且不与像素电极21相对的区域（区域A）中布置了电荷控制电极24A和24B，并且在电压上控制电荷控制电极24A和24B。因此，允许抑制在其中电场难以到达的区域中的信号电荷的剩余，该区域例如具体但是非限制地是在半导体层25中的像素电极21之间的区域。因此，允许抑制由信号电荷的剩余而引起的噪声的产生，由此实现在拾取的图像的图像质量上的改善。
具体地说，允许通过在照射期间Tex将电荷控制电极24A和24B保持在低阻抗，并且在读取期间Tr将电荷控制电极24A和24B保持在高阻抗来控制使得在照射期间Tex中有效地累积信号电荷的同时使得在读取期间Tr后不在半导体层25内剩余信号电荷。
另外，也允许通过在读取期间Tr中将电荷控制电极24A保持在高阻抗来减小在信号线电极22b和电荷控制电极24A和24B的每一个之间的电容耦合。虽然因为将电荷控制电极24A布置得与在区域A中的信号线电极22b相对而担心由电容耦合引起的读取速度上的降低，但是当象在本实施例中那样在读取期间Tr中将电荷控制电极24A保持在高阻抗时，减小了电荷控制电极24A和24B的电容，并且因此允许抑制在读取速度上的降低。另外，因为由于上面的原因而允许通过在信号线电极22b和保持电容元件23上叠置电荷控制电极24A和24B来布置电荷控制电极24A和24B，所以避免了像素电极的面积上的减小和在电极之间的电极安装空间的另外的准备，并且因此，对于孔径比的影响很小。
接着，将描述根据上述实施例的图像拾取装置的修改示例。向与在上面的实施例中的那些相同的构成元件分配相同的标号，并且将省略其说明。
<修改示例>
图10是图示根据修改示例的图像拾取装置的电荷控制电极24A和24B上所执行的电压控制操作的示例的示意图。也在该修改示例中，象在如上所述的实施例中那样，在半导体层25和电路层211之间的且不与像素电极21相对的区域中布置电荷控制电极24A和24B。而且，在图像拾取驱动操作的执行中，执行用于改变阻抗的大小的控制，使得在照射期间Tex将电荷控制电极24A设置在低阻抗，并且在读取期间Tr将电荷控制电极24B设置在高阻抗。
应当注意，在这个修改示例中，执行电压控制使得当在照射期间Tex中将电荷控制电极24A保持在低阻抗时信号电荷显示如图10中所示的行为。即，通过使得电荷控制电极24A和24B保持在预定的电压施加状态中来形成作用来使在半导体层25中的区域A中产生的信号电荷向像素电极21移动的电场。具体地说，向上部电极26施加偏置电压（负电压）以将要向电荷控制电极24A和24B施加的电压设置得小于要向像素电极21施加的电压。因此，在半导体层25中产生的信号电荷变得容易向像素电极21聚集。因此，信号电荷变得难以残留在区域A中，并且也增大了从像素电极21收集电荷的效率。
根据上述实施例和修改示例的图像拾取装置被用作基于入射的放射线来获得电信号的各种类型的放射线图像拾取装置。作为放射线图像拾取装置，它适用于例如医疗X射线图像拾取装置（数字放射线照像等）、在飞机场和其他地方中使用的用于手提包搜索的X射线图像拾取装置、工业X射线图像拾取装置（例如，用于检查容器中的危险物品和检查包内部的装置）和任何其他适当的X射线图像拾取装置。
<应用示例>
根据本实施例和修改示例的图像拾取装置适用于在下面描述的图像拾取显示系统。
图11示意地图示了根据应用示例的图像拾取显示系统（图像拾取显示系统5）的示意配置示例。图像拾取显示系统5包括：上述的包括图像拾取部分11的图像拾取装置1；图像处理部分52；以及显示装置4，并且图像拾取显示系统5在这个示例中被配置为使用放射线的图像拾取显示系统（放射线图像拾取显示系统）。
图像处理部分52对于从图像拾取装置1输出的输出数据Dout（图像拾取信号）执行预定图像处理，以产生图像数据D1。显示装置4在预定监控器屏幕40上基于由图像处理部分52产生的图像数据D1来执行图像显示。
在图像拾取显示系统5中，图像拾取装置1（在此为放射线图像拾取装置）基于已经从光源（在此为诸如X射线源的放射线源）向物体50施加的照射光（在此为放射线）来获得物体50的图像（输出）数据Dout，并且向图像处理部分52输出该数据。图像处理部分52对于输入的图像数据Dout执行上述预定信号处理，并且向显示装置4输出如此经过图像处理的图像数据（显示数据）D1。显示装置4基于输入的图像数据D1在监控器屏幕40上显示图像信息（拾取的图像）。
因为允许本应用示例的图像拾取显示系统5获得作为在图像拾取装置1中的电信号的物体50的图像，所以通过向显示装置4传送所获取的电信号而允许图像显示。即，有可能不使用曾经使用的照像胶片来观察物体50的图像，并且也可能处理运动图像拍摄和运动图像显示。
应当注意，虽然通过作为在应用示例中的示例给出图像拾取装置1被配置为放射线图像拾取装置1并且被应用到使用放射线的类型的图像拾取显示系统的情况而进行了说明，但是根据本公开的任何实施例的图像拾取显示系统也适用于使用其他类型的图像拾取装置的系统。
虽然已经如上所述给出了本公开的示例实施例、修改示例和应用示例，但是本公开的内容不限于上述实施例等，并且可以以多种方式被修改。例如，在图像拾取部分中的像素的电路配置不限于那些（在该实施例等中的像素20的电路配置），并且像素可以具有其他的电路配置。行扫描部分和列选择部分等的电路配置不限于在上述实施例等中描述的那些，并且行扫描部分和列选择部分等可以类似地具有其他电路配置。
另外，可以例如在相同（一个）基板上形成已经在上述实施例等中描述的图像拾取部分、行扫描部分、A/D转换部分（列选择部分）和列扫描部分等。具体地说，有可能通过使用由例如低温多晶硅等构成的多晶半导体来在同一基板上形成上述部分的电路部分中的开关等。因此，例如，有可能基于从外部系统控制部分发送的控制信号来在同一基板上执行驱动操作，并且因此，有可能实现极窄边框（三侧无边框结构）和在布线连接的可靠性上的改善。
而且，虽然已经通过作为上述实施例等中的示例给出了沿着V方向以带状形式在像素之间的区域A中布置了电荷控制电极24A和24B的结构而进行了说明，但是电荷控制电极24A和24B的平面形状和其中安装了电荷控制电极24A和24B的区域不限于上面的情况。例如，电荷控制电极24A和24B可以沿着H方向以带状形式被布置，或者可以被布置使得围绕像素电极21的外周边缘（整体象格子那样）。
另外，虽然在上述实施例等中已经说明了将电荷控制电极24A布置得与信号线电极22b相对并且将电荷控制电极24B布置得与保持电容元件23相对以便电独立于彼此的配置，但是可以一体地布置电荷控制电极24A和24B。即，当在区域A中并排布置信号线电极22b和保持电容元件23（电容元件23b）时，可以布置与信号线电极22b和保持电容元件23两者相对的一个电荷控制电极。应当注意，从减小与信号线电极22b的电容耦合的视点看，如在上述实施例等中描述，期望将电荷控制电极24A和24B彼此电分离。
而且，本技术涵盖在此描述和在此包含的各个实施例和修改的一些或全部的任何可能的组合。
可能从本公开的上述的示例实施例、修改和应用示例至少实现下面的配置。
（1）一种图像拾取装置，包括：
图像拾取部分，其包括多个像素；以及，
驱动部分，用于读取在每个像素中存储的信号电荷，
其中，每个像素包括：
电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；
第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于每个像素布置；
半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生信号电荷；
第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，
第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分电压控制。
（2）根据（1）的图像拾取装置，其中，所述驱动部分通过控制要向所述第三电极施加的电压来改变所述第三电极的阻抗的大小。
（3）根据（2）的图像拾取装置，其中，所述驱动部分控制要向所述第三电极施加的电压，以使得在所述信号电荷的读取期间的所述第三电极的阻抗大于在所述放射线的照射期间的所述第三电极的阻抗。
（4）根据（3）的图像拾取装置，其中，所述驱动部分使得在所述读取期间所述第三电极被保持在其中不施加电压的状态中，并且使得在所述照射期间所述第三电极被保持在其中施加电压的状态中。
（5）根据（4）的图像拾取装置，其中，所述驱动部分控制要向所述第三电极施加的电压，以使得在所述半导体层中的与所述第三电极相对的部分中产生的信号电荷在所述照射期间向所述第一电极移动。
（6）根据（1）到（5）的图像拾取装置，其中，所述第三电极布置在与所述第一电极相同的层中。
（7）根据（1）到（5）的图像拾取装置，其中，其中布置了所述第三电极的区域位于所述像素之间。
（8）根据（7）的图像拾取装置，其中
所述像素以矩阵形式二维地布置，并且
所述第三电极包括多个第三电极，并且所述第三电极沿着其中排列所述像素的方向以带状设置。
（9）根据（1）到（8）的图像拾取装置，其中，所述第三电极与所述信号线和所述保持电容元件相对地布置。
（10）根据（1）到（9）的图像拾取装置，其中，所述放射线包括X射线。
（11）一种图像拾取显示系统，其具有图像拾取装置和基于由所述图像拾取装置获得的图像拾取信号来执行图像显示的显示装置，所述图像拾取装置包括：
图像拾取部分，其包括多个像素；以及，
驱动部分，用于读取在每个像素中存储的信号电荷，
其中，每个像素包括：
电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；
第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于每个像素布置；
半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生所述信号电荷；
第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，
第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分电压控制。
本公开包含与在2012年3月28日在日本专利局中提交的日本优先权专利申请JP2012-072895中公开的主题相关的主题，其整体公开通过引用被并入在此。
本领域内的技术人员应当明白，各种修改、组合、子组合和改变可以根据要求和其他因素而出现，只要它们在所附的权利要求或其等同内容的范围内。
Claims (11)
1.一种图像拾取装置，包括：
图像拾取部分，其包括多个像素；以及
驱动部分，用于读取在每个像素中存储的信号电荷，
其中，每个像素包括：
电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；
第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于每个像素布置；
半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生信号电荷；
第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，
第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分电压控制。
2.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中，所述驱动部分通过控制要向所述第三电极施加的电压来改变所述第三电极的阻抗的大小。
3.根据权利要求2所述的图像拾取装置，其中，所述驱动部分控制要向所述第三电极施加的电压，以使得在所述信号电荷的读取期间的所述第三电极的阻抗大于在所述放射线的照射期间的所述第三电极的阻抗。
4.根据权利要求3所述的图像拾取装置，其中，所述驱动部分使得在所述读取期间所述第三电极被保持在其中不施加电压的状态中，并且使得在所述照射期间所述第三电极被保持在其中施加电压的状态中。
5.根据权利要求4所述的图像拾取装置，其中，所述驱动部分控制要向所述第三电极施加的电压，以使得在所述半导体层中的与所述第三电极相对的部分中产生的信号电荷在所述照射期间向所述第一电极移动。
6.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中，所述第三电极布置在与所述第一电极相同的层中。
7.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中，其中布置了所述第三电极的区域位于所述像素之间。
8.根据权利要求7所述的图像拾取装置，其中
所述像素以矩阵形式二维地布置，并且
所述第三电极包括多个第三电极，并且所述第三电极沿着其中排列所述像素的方向以带状设置。
9.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中，所述第三电极与所述信号线和所述保持电容元件相对地布置。
10.根据权利要求1所述的图像拾取装置，其中，所述放射线包括X射线。
11.一种图像拾取显示系统，其具有图像拾取装置和基于由所述图像拾取装置获得的图像拾取信号来执行图像显示的显示装置，所述图像拾取装置包括：
图像拾取部分，其包括多个像素；以及
驱动部分，用于读取在每个像素中存储的信号电荷，
其中，每个像素包括：
电路层，其包括场效应晶体管、信号线和保持电容元件；
第一电极，其被设置在所述电路层上并且对于每个像素布置；
半导体层，其跨越所述多个像素被设置于所述第一电极上，并且基于入射的放射线来产生信号电荷；
第二电极，其被设置在所述半导体层上；以及，
第三电极，其被布置于在所述电路层和所述半导体层之间并且不与所述第一电极相对的区域中，并且由所述驱动部分电压控制。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106061088A (zh) * | 2015-04-09 | 2016-10-26 | 佳能株式会社 | 放射线成像装置和放射线成像系统 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5895504B2 (ja) | 2011-12-15 | 2016-03-30 | ソニー株式会社 | 撮像パネルおよび撮像処理システム |
| WO2015019609A1 (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-12 | シャープ株式会社 | Ｘ線イメージセンサー用基板 |
| JP6555867B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP7020770B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2022-02-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
| JP6808316B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2021-01-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
| DE102016122658B4 (de) | 2015-12-04 | 2021-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Abbildungsvorrichtung und Abbildungssystem |
| JP6780421B2 (ja) | 2016-03-01 | 2020-11-04 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
| JP7496208B2 (ja) * | 2019-12-23 | 2024-06-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6232607B1 (en) * | 1996-05-08 | 2001-05-15 | Ifire Technology Inc. | High resolution flat panel for radiation imaging |
| CN1132408C (zh) * | 1994-06-01 | 2003-12-24 | 西玛茨有限公司 | 成象装置、成象系统及成象方法 |
| US20090159806A1 (en) * | 2007-12-25 | 2009-06-25 | Fujifilm Corporation | Radiographic image detector |
| US20100014772A1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Fujifilm Corporation | Signal line correction method and apparatus |
| US20100019161A1 (en) * | 2007-01-12 | 2010-01-28 | Scott William Petrick | Systems and methods for reading data |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5591963A (en) * | 1994-08-22 | 1997-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device with dual insulating layer |
| US5677539A (en) * | 1995-10-13 | 1997-10-14 | Digirad | Semiconductor radiation detector with enhanced charge collection |
| DE19616545B4 (de) * | 1996-04-25 | 2006-05-11 | Siemens Ag | Schneller Strahlungsdetektor |
| JPH11218858A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Konica Corp | Ｘ線撮像パネルの残留電荷除去方法 |
| KR100279294B1 (ko) * | 1998-05-21 | 2001-02-01 | 윤종용 | 개선된 이득을 가지는 소오스 팔로워 회로 및그것을 이용한 고체 촬상 장치의 출력 회로 |
| JP4188544B2 (ja) * | 2000-07-03 | 2008-11-26 | 富士フイルム株式会社 | 画像情報記録方法および装置並びに画像情報読取方法および装置 |
| JP3984808B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2007-10-03 | キヤノン株式会社 | 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置並びに放射線撮像システム |
| JP3678162B2 (ja) | 2001-04-12 | 2005-08-03 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出装置 |
| JP2004071638A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
| JP3757946B2 (ja) * | 2003-03-18 | 2006-03-22 | 株式会社島津製作所 | 放射線撮像装置 |
| JP2006005057A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像記録媒体および画像表示媒体 |
| US7304308B2 (en) * | 2005-02-16 | 2007-12-04 | Hologic, Inc. | Amorphous selenium flat panel x-ray imager for tomosynthesis and static imaging |
| US7122803B2 (en) * | 2005-02-16 | 2006-10-17 | Hologic, Inc. | Amorphous selenium flat panel x-ray imager for tomosynthesis and static imaging |
| US20070290142A1 (en) * | 2006-06-16 | 2007-12-20 | General Electeric Company | X-ray detectors with adjustable active area electrode assembly |
| EP2047294B1 (en) * | 2006-07-20 | 2013-11-20 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | A detector for and a method of detecting electromagnetic radiation |
| JP4106397B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2008-06-25 | 株式会社島津製作所 | 光または放射線検出器の製造方法 |
| JP2008089345A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Fujifilm Corp | 放射線変換パネル及びそれを用いた放射線画像情報読取装置並びに読取方法 |
| JP5602390B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2014-10-08 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置 |
| JP5172573B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-03-27 | 富士フイルム株式会社 | 残像補正方法および装置 |
| WO2011006257A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Karim Karim S | Multi-layer flat panel x-ray detector |
| JP5495711B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム、それらの制御方法及びそのプログラム |
-
2012
- 2012-03-28 JP JP2012072895A patent/JP5895650B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-26 US US13/777,250 patent/US8952336B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-21 CN CN201310091011.0A patent/CN103369258B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1132408C (zh) * | 1994-06-01 | 2003-12-24 | 西玛茨有限公司 | 成象装置、成象系统及成象方法 |
| US6232607B1 (en) * | 1996-05-08 | 2001-05-15 | Ifire Technology Inc. | High resolution flat panel for radiation imaging |
| US20100019161A1 (en) * | 2007-01-12 | 2010-01-28 | Scott William Petrick | Systems and methods for reading data |
| US20090159806A1 (en) * | 2007-12-25 | 2009-06-25 | Fujifilm Corporation | Radiographic image detector |
| US20100014772A1 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Fujifilm Corporation | Signal line correction method and apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106061088A (zh) * | 2015-04-09 | 2016-10-26 | 佳能株式会社 | 放射线成像装置和放射线成像系统 |
| US9715021B2 (en) | 2015-04-09 | 2017-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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