CN103359776A - 一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，在一种液体溶剂中加入一种助剂、至少一种硫醇以及至少一种盐类化合物，助剂为路易斯碱，在隔绝空气的反应容器内，将得到的溶液加热，加热温度为100-300℃，加热时间为1.5-3小时，使得单源前驱体受热分解生成若干个黄铜矿结构的纳米粒子，通过离心将纳米粒子与液体溶剂分离，将附着物去除并干燥。本发明可以减少反应时间，降低反应温度，重复性好，更加环保，产量更高，使多种形式的单源前驱体及单源前驱体前共聚物得以有效应用，能更大限度减少产品缺陷，控制成本，表现更高的效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其是指一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法。
背景技术
半导体器件是采用半导体材料制成的设备，通常由硅、锗或砷化镓制成，其导电性介于良导电体与绝缘体之间。常见的半导体器件包括二极管、光伏器件、传感器、固体激光器以及集成电路。光伏器件是一种将光子转化成电流的半导体器件，应用于太阳能电池板上可以将来自太阳的光子转换成电。由于对可再生能源需求的不断增长，光伏器件市场在过去十年以平均每年约25%的速度扩大，而广泛的研究和发展使得光伏材料和器件的成本显著下降，效率显著提高。但是，光伏材料要替代煤等主流能源，其价格还需进一步降低。
目前大多数商业化运用的光伏器件是含有光电二极管的硅基电池，然而，这类硅基光伏器件的性能却受限于硅所固有的物理和化学性质。于是便产生了一种新的光伏器件，它不以硅为基底，而是以光吸收材料（可以是有机或无机材料）为基底。在过去二十年，非晶硅基的光伏器件产量经过稳定的增长，现在已占太阳能市场10%以上，而已预见到大部分的硅基光伏器件市场将最终被非晶硅光伏器件所代替，并且，非晶硅光伏器件因其材料特性和高效发电能力，还将逐步扩大其在太阳能市场的占有率。为了使太阳能发电价格能与目前的化石燃料发电价格竞争，必须进一步研究和优化以光伏材料而非晶硅材料为主的光伏器件。
非晶硅光伏器件可以采用薄膜光敏材料，这种材料可以是多晶硅材料或者是纳米材料。
CIGS薄膜太阳能电池，由Cu（铜）、In（铟）、Ga（镓）、Se（硒）四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池，是组成电池板的关键技术。由于该产品具有光吸收能力强，发电稳定性好、转化效率高，白天发电时间长、发电量高、生产成本低以及能源回收周期短等诸多优势。多种I-III-VI2结构的半导体材料（如满足分子式CuInxGa1-xSySe2-y，并且0 小于或等于 x， y小于或等于1，下同）是当前最有潜力的光伏材料，即人们熟知的CIGS薄膜器件，已经比单晶硅设备表现出更高的效率。目前，基于量子点技术（QD）的太阳能电池因其具有取代薄膜设备的潜能而备受关注。采用量子点的主要优势之一是容易改变粒子尺寸，使它们能吸收从可见光到红外线波段的特定波长范围的光。量子点技术的铜铟硒，瓦尼埃-莫特大部分激子半径大约在8nm左右，其带隙为1.45eV，当量子点半径小于8nm，则其带隙将大于1.45eV。另外，如果对光伏器件进行设计，将多种尺寸的纳米粒子设置在多个层级中，那它就可以增加对太阳能的吸收。要制备量子点技术的多层级光伏器件，极为重要的一点是能传导高数量且尺寸精确的量子点的合成方法。其中一种制备量子点的方法是用分子的单源前驱体制备纳米粒子，这些纳米粒子含有一个微粒必需的所有成分。
近年来，也有一些报道说明了通过热解法使单源前驱体分解，以此来形成铜铟硒纳米粒子的合成方法。每个单元前驱分子含有形成铜铟硒半导体材料必所需的元素，它们在分解过程中，提供一个特有的标准来控制产物的化学计量。然而，这些过程需要10至24小时的长期反应（不包括制备单源前驱体的反应时间），而且通常还需在200℃以上的高温环境下反应。
发明内容
为了解决现有纳米粒子的制备方法反应时间过长、反应温度过高、生产效率不高的问题，本发明提出了一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，可以减少反应时间，降低反应温度，重复性好，更加环保，产量更高，使多种形式的单源前驱体及单源前驱体前共聚物得以有效应用，能更大限度减少产品缺陷，控制成本，表现更高的效率。
本发明所采用的技术方案是：一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，包括如下步骤：
a. 溶液制备：在一种液体溶剂中加入一种助剂、至少一种硫醇以及至少一种盐类化合物，在隔绝空气且反应温度为80℃的反应容器内，制备得到含有至少一种单源前驱体和至少一种无机盐产物的溶液，所述的助剂为路易斯碱；
b.加热：在步骤a所述的反应容器内将步骤a中得到的溶液加热，加热温度为100-300℃，加热时间为1.5-3小时，使得单源前驱体受热分解生成若干个黄铜矿结构的纳米粒子；
c. 分离：通过离心将纳米粒子与液体溶剂分离，将附着物去除；
d. 干燥。
本发明利用传热剂中的单源前驱体或单源前驱体共聚物预聚体制备粒子的方法，制备具有黄铜矿结构的纳米粒子。“黄铜矿结构”是指物质呈现出的一种晶体结构，这种晶体结构是一种有序排列的四面连接体结构，通常以分子式I-III-VI2 表示，这里的I代表元素周期表中I族元素（IA (1)和 IB (11)族）中的一个分子，这里的III代表元素周期表中III 族(IIIB (3) 和 IIIA (13)族)元素中的一个分子，这里的VI代表元素周期表中VI族（VIB (6) 和 VIA (16)族）元素中的一个分子。
作为优选，所述的步骤b中，所述加热温度为120-200℃。
作为优选，所述液体溶剂的沸点高于加热温度。液体溶剂的温度需高于加热温度，不能在加热温度范围内沸腾而影响到单源前驱体的分解反应。
作为优选，所述的液体溶剂为乙酸苄酯，助剂是三苯基膦。乙酸苄酯的沸点为216℃，高于所需的反应温度80℃和加热温度120-200℃。
作为优选，所述的至少一种盐类化合物包括卤化铜和/或卤化银。卤化铜和/或卤化银为生成单源前驱体的重要反应原料，如氯化亚铜CuCl。
作为优选，所述的至少一种盐类化合物还包括卤化铟、卤化镓和/或卤化铝。卤化铟、卤化镓和/或卤化铝为生成单源前驱体的重要反应原料，如三氯化铟InCl3、三氯化镓GaCl3等。
作为优选，所述的至少一种盐类化合物还包括至少一种碱金属的乙基硫化物。碱金属的乙基硫化物为生成单源前驱体的重要反应原料，可以是NaSEt、KSEt、或LiSEt。
作为优选，所述的至少一种硫醇包括3-巯基丙酸、1,2-乙二硫醇、1,1-甲硫醇、3-巯基苯、苯基-1,2-乙二硫醇、苯硫酚、硫代水杨酸、1,3-丙二硫醇、2,2-丙二硫醇、1,2-丙二硫醇、2,2-二甲基-1,3-丙二硫醇、1,3-二苯基-1,2-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、2,3-丁二硫醇、2,2-丁二硫醇、1,3-异丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇和1,2-己二硫醇。硫醇为生成纳米粒子的重要反应原料。
作为优选，所述的单源前驱体的通式为L2NM(ER)4，其中L是路易斯碱与N形成的配位键，N为铜和/或银，M为铝、镓和/或铟，E为氧、硫、硒和/或碲，R为烷基、芳基、乙烯基、氟烷基、氟芳基硅烷或氨基酸甲酸酯。作为六个特殊的非限制例子，单源前驱体包括(Ph3P)2Cu2In(SEt)4、(Ph3P)2CuGa(SEt)4、(Ph3P)2CuAl(SEt)4、(Ph3P)2AgIn(SEt)4、(Ph3P)2AgGa(SEt)4和 (Ph3P)2AgAl(SEt)4。
作为优选，所述的至少一种无机盐产物包括至少一种碱金属的卤化物。碱金属的卤化物为中间产生的附着物，如NaCl。
本发明的有益效果是：可以减少反应时间，降低反应温度，重复性好，更加环保，产量更高，使多种形式的单源前驱体及单源前驱体前共聚物得以有效应用，能更大限度减少产品缺陷，控制成本，表现更高的效率。
附图说明
图1是本发明制备CuInS2纳米粒子的一种流程图；
图2是本发明实施例1中所制得的CuInS2纳米粒子在170℃的温度下的X射线衍射图；
图3是实施例2中170 ℃下向乙酸苄酯中分别添加不同剂量的3-巯基丙酸所制得的CuInS2纳米粒子所吸收的紫红外光谱，3-巯基丙酸的剂量从左到右依次为7.5毫升、15毫升和25毫升；
图4是不同温度下，CuInS2纳米粒子所吸收的紫红外光谱，从左到右依次为150℃、170℃和190℃；
图5是实施例1所制得的CuInS2纳米粒子在170℃的温度下的能谱数据。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
如图1所示，在容积为200毫升的圆底烧瓶内，将质量为10.00克、物质的量为38.13毫摩尔的三苯基膦（Ph3P）添加到50毫升乙酸苄酯（C6H5CH2OCOCH3 含量为99％）中，并搅拌。质量为1.885克、物质的量为19.06毫摩尔的无水氯化亚铜（CuCl）添加入搅拌溶液，Ph3P和CuCl的摩尔比为2:1，在80℃加热约4个小时，得到含有中间产品（Ph3P）2CuCl的白色悬浮液。化学方程式为：2Ph3P + CuCl—→(Ph3P)2CuCl。
温度保持80℃继续搅拌60分钟后，加入质量为4.22克、物质的量为19.06毫摩尔的无水三氯化铟（InCl3），InCl3和CuCl的摩尔比为2:1，并吹氮气保护反应直至获得（Ph3P）4Cu2In2Cl8，溶液呈现浅黄色。化学方程式为：2(Ph3P)2CuCl + 2InCl3 —→（Ph3P）4Cu2In2Cl8。
再加入质量为7.000克、物质的量为83.21毫摩尔的乙基硫化钠（NaSEt），NaSEt和CuCl的摩尔比为4:1，在80℃条件下持续搅拌12小时，制备得到含有单源前驱体（Ph3P）2CuIn(SEt)4的溶液。化学方程式为：（Ph3P）4Cu2In2Cl8 + 8NaSEt—→2(Ph3P)2CuIn(SEt)4 + 8NaCl。
加温至170℃后，加入25毫升的3-巯基丙酸（3-MPA）搅拌120分钟，使（Ph3P）2CuIn(SEt)4受热分解。然后冷却至室温，溶液内产生CuInS2纳米粒沉淀。真空压力下，通过离心分离，将CuInS2纳米粒子从乙酸苄酯中分离出来，用体积比为75%:25%的甲醇和水的混合物洗涤两次，去除附着的NaCl等其他物质。最后，在真空干燥，直到产生黄色至暗橙色粉末，制得4.2克的黄铜矿结构CuInS2粒子。所制得的CuInS2纳米粒子在170℃的温度下的X射线衍射图如图2所示。
150℃、170℃和190℃下CuInS2纳米粒子所吸收的紫红外光谱如图4所示。CuInS2纳米粒子在170℃的温度下的能谱数据如图5所示。
实施例2
实施例2中的反应容器为容积为250毫升的圆底烧瓶，乙酸苄酯体积为100毫升，加热温度至170℃后分别向乙酸苄酯中加入7.5毫升、15毫升和25毫升的3-巯基丙酸，其他和实施例1中相同，最终制备得到的黄铜矿结构CuInS2粒子的所吸收的紫红外光谱如图3所示。
实施例3
实施例3中的加热温度至170℃后加入的硫醇为1毫升的苯基和25毫升的3-巯基丙酸，其他和实施例1中相同，最终制备得到7.1克的黄铜矿结构CuInS2粒子。
实施例4
实施例4中的反应容器为容积为250毫升的圆底烧瓶，乙酸苄酯体积为100毫升，加热温度为150℃，加入的硫醇为1毫升的苯硒酚和25毫升的3-巯基丙酸，其他和实施例1中相同，最终制备得到2.0克的黄铜矿结构CuInS2粒子。
实施例5
在容积为250毫升的圆底烧瓶内，在100毫升乙酸苄酯（C6H5CH2OCOCH3 含量为99％）中投入摩尔比为2:1 的三苯基膦（Ph3P）和无水氯化亚铜（CuCl）并搅拌。在80℃加热约4个小时，得到含有中间产品（Ph3P）2CuCl的白色悬浮液。温度保持80℃继续搅拌60分钟后，加入的无水三氯化镓（GaCl3），GaCl3和CuCl的摩尔比为2:1，再加入乙基硫化钠（NaSEt），NaSEt和CuCl的摩尔比为4:1，在80℃条件下持续搅拌12小时，制备得到含有单源前驱体（Ph3P）2CuGa (SEt)4的溶液。加温至170℃后，加入25毫升的3-巯基丙酸（3-MPA）搅拌120分钟，使（Ph3P）2CuGa（SEt)4受热分解。真空压力下，通过离心分离，将乙酸苄酯分离，得到CuGaS2和NaCl的混合物，用体积比为75%:25%的甲醇和水的混合物洗涤两次，去除NaCl，然后将获得的黄色或黑色粉末晒干，制得4.2克的黄铜矿结构CuGaS2粒子。
实施例6
在容积为200毫升的圆底烧瓶内，将质量为10.00克、物质的量为38.13毫摩尔的三苯基膦（Ph3P）添加到100毫升乙酸苄酯（C6H5CH2OCOCH3含量为99％）中，并搅拌。质量为1.885克、物质的量为19.06毫摩尔的无水氯化亚铜（CuCl）添加入搅拌溶液，Ph3P和CuCl的摩尔比为2:1，在80℃加热约4个小时，得到含有中间产品（Ph3P）2CuCl的白色悬浮液。温度保持80℃继续搅拌60分钟后，加入质量为2.951克、物质的量为13.34毫摩尔的无水氯化铟（InCl3）和质量为0.705克、物质的量为4.003毫摩尔的无水氯化镓（GaCl3），再加入质量为7.000克、物质的量为83.21毫摩尔的乙基硫化钠（NaSEt），InCl3 、GaCl3和CuCl的摩尔比均为1:1，NaSEt和CuCl的摩尔比为4:1，在80℃条件下持续搅拌12小时，制备得到含有单源前驱体（Ph3P）2CuIn(SEt)4和（Ph3P）2CuGa(SEt)4的溶液。加温至170℃后，加入25毫升的3-巯基丙酸（3-MPA）搅拌180分钟，使（Ph3P）2CuIn(SEt)4和（Ph3P）2CuGa(SEt)4受热分解。
真空压力下，通过离心分离，将乙酸苄酯分离，得到CuInxGa1-xS2和NaCl的混合物，用体积比为75%:25%的甲醇和水的混合物洗涤两次，去除NaCl，然后将获得的黄色或黑色粉末晒干，制得4.1克的黄铜矿结构CuInxGa1-xS2粒子。
实施例7
在容积为200毫升的圆底烧瓶内，将质量为10.00克、物质的量为38.13毫摩尔的三苯基膦（Ph3P）添加到50毫升乙酸苄酯（C6H5CH2OCOCH3含量为99％）中，并搅拌。质量为1.885克、物质的量为19.06毫摩尔的无水氯化亚铜（CuCl）添加入搅拌溶液，Ph3P和CuCl的摩尔比为2:1，在80℃加热约4个小时，得到含有中间产品（Ph3P）2CuCl的白色悬浮液。温度保持80℃继续搅拌60分钟后，加入质量为4.22克、物质的量为19.06毫摩尔的无水氯化铟（InCl3），InCl3和CuCl的摩尔比为2:1，再加入质量为7.000克、物质的量为83.21毫摩尔的乙基硫化钠（NaSEt），NaSEt和CuCl的摩尔比为4:1，在80℃条件下持续搅拌12小时，制备得到含有单源前驱体（Ph3P）2CuIn(SEt)4的溶液。加温至170℃后，加入1毫升的苯硒酚(C6H6Se)和25毫升的3-巯基丙酸（3-MPA）搅拌120分钟，使（Ph3P）2CuIn(SEt)4受热分解。真空压力下，通过离心分离，将乙酸苄酯分离，得到CuInSySe2-y和NaCl的混合物，用体积比为75%:25%的甲醇和水的混合物洗涤两次，去除NaCl，然后将获得的黄色或黑色粉末晒干，制得黄铜矿结构CuInSySe2-Y粒子。
以上实施例，只是本发明优选的具体实施例，本领域技术人员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
a.溶液制备：在一种液体溶剂中加入一种助剂、至少一种硫醇以及至少一种盐类化合物，在隔绝空气且反应温度为80℃的反应容器内，制备得到含有至少一种单源前驱体和至少一种无机盐产物的溶液，所述的助剂为路易斯碱；
b.加热：在步骤a所述的反应容器内将步骤a中得到的溶液加热，加热温度为100-300℃，加热时间为1.5-3小时，使得单源前驱体受热分解生成若干个黄铜矿结构的纳米粒子；
c.分离：将纳米粒子与液体溶剂分离，将附着物去除；
d.干燥。
2.根据权利要求1所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述的步骤b中，所述加热温度为120-200℃。
3.根据权利要求1所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述液体溶剂的沸点高于加热温度。
4.根据权利要求1或3所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述的液体溶剂为乙酸苄酯，助剂是三苯基膦。
5.根据权利要求1所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述的至少一种盐类化合物包括卤化铜和/或卤化银。
6.根据权利要求6所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述的至少一种盐类化合物还包括卤化铟、卤化镓和/或卤化铝。
7.根据权利要求7所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述的至少一种盐类化合物还包括至少一种碱金属的乙基硫化物。
8.根据权利要求1所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述的至少一种硫醇包括3-巯基丙酸、1,2-乙二硫醇、1,1-甲硫醇、3-巯基苯、苯基-1,2-乙二硫醇、苯硫酚、硫代水杨酸、1,3-丙二硫醇、2,2-丙二硫醇、1,2-丙二硫醇、2,2-二甲基-1,3-丙二硫醇、1,3-二苯基-1,2-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、2,3-丁二硫醇、2,2-丁二硫醇、1,3-异丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇和1,2-己二硫醇。
9.根据权利要求1所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述的单源前驱体的通式为L2NM(ER)4，其中L是路易斯碱与N形成的配位键，N为铜和/或银，M为铝、镓和/或铟，E为氧、硫、硒和/或碲，R为烷基、芳基、乙烯基、氟烷基、氟芳基硅烷或氨基酸甲酸酯。
10.根据权利要求1所述的一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，其特征在于：所述的至少一种无机盐产物包括至少一种碱金属的卤化物。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103785842A (zh) * | 2014-01-16 | 2014-05-14 | 复旦大学 | 一种纳米金属单质的分离方法 |
| CN104979428A (zh) * | 2015-05-31 | 2015-10-14 | 厦门大学 | 一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法 |
| CN107078181A (zh) * | 2014-10-30 | 2017-08-18 | 东京应化工业株式会社 | 均匀系涂布液及其制造方法、太阳能电池用光吸收层及其制造方法、以及太阳能电池及其制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101428770A (zh) * | 2008-12-08 | 2009-05-13 | 云南大学 | 一种ZnSe荧光量子点的合成方法 |
| US8231848B1 (en) * | 2012-04-10 | 2012-07-31 | Sun Harmonics Ltd | One-pot synthesis of chalcopyrite-based semi-conductor nanoparticles |
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2012
- 2012-12-29 CN CN2012105887864A patent/CN103359776A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101428770A (zh) * | 2008-12-08 | 2009-05-13 | 云南大学 | 一种ZnSe荧光量子点的合成方法 |
| US8231848B1 (en) * | 2012-04-10 | 2012-07-31 | Sun Harmonics Ltd | One-pot synthesis of chalcopyrite-based semi-conductor nanoparticles |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103785842A (zh) * | 2014-01-16 | 2014-05-14 | 复旦大学 | 一种纳米金属单质的分离方法 |
| CN103785842B (zh) * | 2014-01-16 | 2016-01-20 | 复旦大学 | 一种纳米金属单质的分离方法 |
| CN107078181A (zh) * | 2014-10-30 | 2017-08-18 | 东京应化工业株式会社 | 均匀系涂布液及其制造方法、太阳能电池用光吸收层及其制造方法、以及太阳能电池及其制造方法 |
| CN107078181B (zh) * | 2014-10-30 | 2018-11-30 | 东京应化工业株式会社 | 均匀系涂布液及其制造方法、太阳能电池用光吸收层及其制造方法、以及太阳能电池及其制造方法 |
| CN104979428A (zh) * | 2015-05-31 | 2015-10-14 | 厦门大学 | 一种铜铟镓硫硒纳米晶的合成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20131023 |