CN103337500A - 主动元件阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种主动元件阵列基板及其制造方法，主动元件阵列基板包含软质基板、无机阻障层与至少一主动元件。无机阻障层覆盖软质基板。上述的无机阻障层具有至少一贯穿孔于其中，此贯穿孔暴露出软质基板。主动元件位于无机阻障层上。

Description

主动元件阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种主动元件阵列基板及其制造方法。
背景技术
近来，业界推出了一种以软质材料作为基板材质的显示器，由于这种显示器本身具有一定程度的可挠性，因此可用来取代传统的纸张或广告看板。但是，也因为基板的材质为软质材料，因此为了方便工艺进行，制造者大多需先将基板固定在载板上，以适用于现有的机台，待制造完成后，再将基板自载板上剥离下来。
一般来说，目前剥离基板与载板的方式有激光取下与光氧化两种。激光取下的成本高昂，且不易降低。在光氧化技术中，基板与载板之间具有感光离型膜。待制造完成后，制造者会以紫外光照射感光离型膜，借此光氧化感光离型膜，以降低基板与载板之间的粘着力。然而，由于一般基板上大多会覆盖一层无机阻障层，这层无机阻障层会阻障氧气接触感光离型膜，使得氧气只能接触感光离型膜暴露出来的侧面部分，因此感光离型膜光氧化的速度极慢，不利于实际应用。
发明内容
本发明的一技术态样在于提供一种主动元件阵列基板，用以解决或改善以上现有技术所提到的问题。
根据本发明一实施方式，一种主动元件阵列基板包含软质基板、无机阻障层与至少一主动元件。无机阻障层覆盖软质基板。上述的无机阻障层具有至少一贯穿孔于其中，此贯穿孔暴露出软质基板。主动元件位于无机阻障层上。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件可包含栅极、栅介电层、通道层、源极与漏极。栅极位于无机阻障层上。栅介电层至少覆盖栅极。通道层位于栅极上方的栅介电层上。源极与漏极分别位于通道层的两侧。
在本发明一或多个实施方式中，上述的栅介电层覆盖栅极与无机阻障层，且此栅介电层具有至少一贯穿孔于其中，其中栅介电层的贯穿孔连通于无机阻障层的贯穿孔。
在本发明一或多个实施方式中，上述的无机阻障层的贯穿孔与栅极之间具有一间距。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板更可包含无机保护层、有机保护层与像素电极。无机保护层覆盖该主动元件，且此无机保护层具有至少一贯穿孔于其中，其中无机保护层的贯穿孔与栅介电层的贯穿孔以及无机阻障层的贯穿孔至少部分重叠。有机保护层覆盖于无机保护层。像素电极位于有机保护层上，并电性连接主动元件。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板更可包含无机保护层，此无机保护层覆盖主动元件，且具有至少一贯穿孔于其中，其中无机保护层的贯穿孔与无机阻障层的贯穿孔至少部分重叠。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板更可包含有机保护层，此有机保护层覆盖于主动元件。
在本发明一或多个实施方式中，上述的有机保护层可具有至少一贯穿孔于其中，其中有机保护层的贯穿孔与无机阻障层的贯穿孔至少部分重叠。
在本发明一或多个实施方式中，至少部分的有机保护层可填充于无机阻障层的贯穿孔中。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板更可包含像素电极，此像素电极位于主动元件上，并电性连接主动元件。
在本发明一或多个实施方式中，上述的像素电极可具有至少一贯穿孔于其中，其中像素电极的贯穿孔与无机阻障层的贯穿孔至少部分重叠。
在本发明一或多个实施方式中，上述的像素电极可覆盖无机阻障层的贯穿孔。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板更可包含至少一无机填充材，此无机填充材共形地覆盖无机阻障层的贯穿孔。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板更可包含一感光离型膜，此感光离型膜设置于软质基板相反于无机阻障层的一表面。
本发明的另一技术态样是提供一种主动元件阵列基板的制造方法。
根据本发明另一实施方式，一种主动元件阵列基板的制造方法包含下列步骤(应了解到，在本实施方式中所提及的步骤，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行。)：
(1)以感光离型膜将软质基板粘着于载板上。
(2)形成无机阻障层覆盖软质基板。
(3)在无机阻障层上形成至少一主动元件。
(4)于无机阻障层中形成至少一贯穿孔，以暴露出软质基板。
(5)以光源照射感光离型膜。
(6)剥离感光离型膜与载板。
在本发明一或多个实施方式中，上述的步骤(3)可包含下列子步骤：
(3.1)于无机阻障层上形成栅极。
(3.2)形成栅介电层至少覆盖栅极。
(3.3)于栅极上方的栅介电层上形成通道层。
(3.4)于通道层的两侧形成源极与漏极。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板的制造方法更可包含：形成贯穿孔于栅介电层中，其中栅介电层的贯穿孔与无机阻障层的贯穿孔构成连通的通气孔，以暴露出软质基板。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板的制造方法更可包含：形成贯穿孔于栅介电层中。形成无机保护层，此无机保护层覆盖主动元件，且此无机保护层具有至少一贯穿孔于其中，其中无机保护层的贯穿孔连通于栅介电层的贯穿孔以及无机阻障层的贯穿孔，以构成通气孔。形成有机保护层于无机保护层上。形成像素电极于有机保护层上，并电性连接主动元件。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板的制造方法更可包含：形成无机保护层覆盖主动元件，其中无机保护层具有至少一贯穿孔于其中，此无机保护层的贯穿孔与无机阻障层的贯穿孔构成连通的通气孔，以暴露出软质基板。
在本发明一或多个实施方式中，上述的主动元件阵列基板的制造方法更可包含：于无机阻障层的贯穿孔中形成无机填充材。
附图说明
图1绘示依照本发明第一实施方式的主动元件阵列基板的俯视图；
图2A～2L绘示图1的主动元件阵列基板的制造流程剖面图，其剖面位置如图1的线段I-I所示；
图3A～3D绘示依照本发明第二实施方式的主动元件阵列基板的制造流程剖面图，其剖面位置与图2A～2J相同；
图4A～4G绘示依照本发明第三实施方式的主动元件阵列基板的制造流程剖面图，其剖面位置与图2A～2G相同；
图5A～5E绘示依照本发明第四实施方式的主动元件阵列基板的制造流程剖面图，其剖面位置与图4A～4B相同；
图6A～6E绘示依照本发明第五实施方式的主动元件阵列基板的制造流程剖面图，其剖面位置与图5A相同；
图7A～7E绘示依照本发明第六实施方式的主动元件阵列基板的制造流程剖面图，其剖面位置与图2A～2H相同；
图8绘示本发明的比较例的荷重对位移曲线；
图9绘示本发明的实施例的荷重对位移曲线。
其中，附图标记
100：主动元件阵列基板              110：软质基板
120：无机阻障层                    122：贯穿孔
130：主动元件                      132：栅极
134：栅介电层                      135：贯穿孔
136：通道层                        138：源极
139：漏极                          140：无机保护层
142：贯穿孔                        150：有机保护层
152：贯穿孔                        160：像素电极
162：贯穿孔                        170：无机填充材
200：载板                          300：感光离型膜
TH：像素电极连通孔                 GH：通气孔
I-I：线段                          G1：间距
G2：间距
具体实施方式
以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。
图1绘示依照本发明第一实施方式的主动元件阵列基板100的俯视图。图2A～2L绘示图1的主动元件阵列基板100的制造流程剖面图，其剖面位置如图1的线段I-I所示。应了解到，图1的主动元件阵列基板100的俯视设计仅用以说明，并不限于上述的附图，本发明所属技术领域中普通技术人员，可依照实际需求适当变化设计。
请先参照图2A。如图所示，制造者在此时可先以感光离型膜300将软质基板110粘着于载板200上，以利进行后续工艺。具体而言，制造者可先以化学气相沉积法将感光离型膜300形成于载板200上，然后再以旋涂法将软质基板110形成于感光离型膜300上。当然，如果条件许可，制造者亦可选择以对贴的方式通过感光离型膜300将软质基板110粘着于载板200上。
在本实施方式中，上述的载板200的材质可为任何硬质材料，例如透明玻璃。载板200的厚度可为约0.7mm(毫米；millimeter)。感光离型膜300的材质可为对紫外光敏感或对特定波段的光线敏感的有机材料，例如聚对二甲苯(Poly(p-xylylene)或Parylene)。感光离型膜300的厚度可为约300nm(纳米；nanometer)。软质基板110的材质可为任何具有可挠性的材料，例如聚酰亚胺(Polyimide；PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate；PET)、聚2，6-萘二酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate；PEN)或上述的任意组合。软质基板110的厚度可为约10～100μm(微米；micrometer)。
接着请参照图2B。如图所示，制造者在此时可形成无机阻障层120，此无机阻障层120覆盖软质基板110。上述的无机阻障层120的材质可为任何能够阻隔水氧的无机介电材料，例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述的任意组合。无机阻障层120的厚度可为约10～1000nm(纳米；nanometer)。无机阻障层120的形成方式可为例如化学气相沉积法。
接着请参照图2C。如图所示，制造者在此时可在无机阻障层120上形成栅极132。具体而言，制造者可先在无机阻障层120上形成第一导电层，并随之图案化此第一导电层，以形成栅极132。
在本实施方式中，上述的第一导电层(或者说，栅极132)的材质可为钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合或合金。第一导电层(或者说，栅极132)的厚度可为约10～500nm(纳米；nanometer)。第一导电层的形成方式可为物理气相沉积法，例如溅镀法。图案化第一导电层的方式可为例如微影及蚀刻法。
接着请参照图2D。如图所示，制造者在此时可形成栅介电层134，此栅介电层134覆盖栅极132与无机阻障层120。上述的栅介电层134的材质可为任何介电材料，例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述的任意组合。栅介电层134的厚度可为约100～1000nm(纳米；nanometer)。栅介电层134的形成方式可为例如化学气相沉积法。
接着请参照图2E。如图所示，制造者在此时可于栅极132上方的栅介电层134上形成通道层136。具体而言，制造者可先在栅介电层134上形成半导体层，并随之图案化此半导体层，以形成通道层136。
上述的半导体层(或者说，通道层136)的材质可为任何半导体材料，例如：非晶硅、复晶硅、单晶硅、氧化物半导体(oxide semiconductor)或上述的任意组合。半导体层(或者说，通道层136)的厚度可为约10～500nm(纳米；nanometer)。半导体层的形成方式可为例如化学气相沉积法。图案化半导体层的方式可为例如微影及蚀刻法。
接着请参照图2F。如图所示，制造者在此时可于通道层136的两侧形成源极138与漏极139。具体而言，制造者可先在通道层136及栅介电层134上形成第二导电层，并随之图案化此第二导电层，以形成源极138与漏极139。
在本实施方式中，上述的第二导电层(或者说，源极138与漏极139)的材质可为钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合或合金。第二导电层(或者说，源极138与漏极139)的厚度可为约10～500nm(纳米；nanometer)。第二导电层的形成方式可为物理气相沉积法，例如溅镀法。图案化第二导电层的方式可为例如微影及蚀刻法。
在此步骤完成后，栅极132、栅介电层134、通道层136、源极138与漏极139将共同构成主动元件130。应了解到，本实施方式虽然将主动元件130绘示为底栅型薄膜晶体管，但此并不限制本发明，实际上主动元件130亦可为其他形式的主动元件，例如顶栅型薄膜晶体管，本发明所属技术领域中普通技术人员，应视实际需要，弹性选择主动元件130的实施方式。
接着请参照图2G。如图所示，制造者在此时可形成无机保护层140，此无机保护层140覆盖主动元件130。上述的无机保护层140的材质可为任何无机介电材料，例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述的任意组合。无机保护层140的厚度可为约100～1000nm(纳米；nanometer)。无机保护层140的形成方式可为例如化学气相沉积法。
接着请参照图2H。如图所示，制造者在此时可形成有机保护层150，此有机保护层150覆盖于主动元件130。在本实施方式中，有机保护层150覆盖无机保护层140，但此并不限制本发明，若主动元件130或无机保护层140上方具有其他叠层，例如其他介电层或阻障层，有机保护层150亦可覆盖这些叠层。亦即，有机保护层150可直接或间接覆盖无机保护层140。
上述的有机保护层150的材质可为任何有机介电材料，例如：丙烯酸类聚合物(acrylic polymer)。有机保护层150的厚度可为约3μm(微米；micrometer)。有机保护层150的形成方式可为例如旋涂法。
接着请参照图2I。如图所示，制造者在此时可形成像素电极160，此像素电极160电性连接主动元件130。具体而言，制造者可先形成像素电极连通孔TH，此像素电极连通孔TH贯穿漏极139上方的叠层，让漏极139暴露出来。在本实施方式中，由于漏极139上方的叠层包含无机保护层140与有机保护层150，因此像素电极连通孔TH将贯穿无机保护层140与有机保护层150，让漏极139暴露出来。
然后，制造者可形成第三导电层覆盖有机保护层150与像素电极连通孔TH，并随之图案化此第三导电层，以形成像素电极160。所形成的像素电极160将通过像素电极连通孔TH，与漏极139电性连接。
上述的第三导电层(或者说，像素电极160)的材质可为任何导电材料。在本实施方式中，第三导电层(或者说，像素电极160)的材质可为透明导电材料，例如：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或其他导电氧化物或上述任意的组合。或者，第三导电层(或者说，像素电极160)的材质亦可为其他不透明的导电材料，例如：钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合或合金。第三导电层(或者说，像素电极160)的厚度可为约10～500nm(纳米；nanometer)。第三导电层的形成方式可为例如物理气相沉积法或化学气相沉积法。形成像素电极连通孔TH及图案化第三导电层的方式可为例如微影及蚀刻法。
接着请参照图2J。如图所示，制造者在此时可形成至少一通气孔GH，此通气孔GH至少贯穿无机阻障层120，以暴露出软质基板110。具体而言，在本实施方式中，通气孔GH的位置可选择主动元件130周边的位置，亦即在软质基板110上不需要穿过栅极132、通道层136、源极138与漏极139的位置。至于通气孔GH所需贯穿的叠层则视该位置上软质基板110上方的叠层而定。
在本实施方式中，通气孔GH将贯穿像素电极160、有机保护层150、无机保护层140、栅介电层134与无机阻障层120，使得软质基板110暴露出来。亦即，本步骤将在像素电极160、有机保护层150、无机保护层140、栅介电层134与无机阻障层120中分别形成贯穿孔162、152、142、135、122，且这些贯穿孔162、152、142、135、122将构成连通的通气孔GH。形成通气孔GH的方式可为例如微影及蚀刻法。
接着请参照图2K。如图所示，制造者在此时可以光源照射感光离型膜300，使得光氧化后的感光离型膜300与载板200之间的粘着力降低。具体而言，制造者可将光源架设于载板200相对于感光离型膜300的背侧，使得光源所发出的光线穿过载板200而照射感光离型膜300。在传统工艺中，由于无机阻障层不能透氧而且也不存在通气孔，因此纵使软质基板的材质能够透氧，氧气也会因为无法透过无机阻障层，而无法接触感光离型膜邻接软质基板的正面，而只能接触感光离型膜暴露出来的侧面部分。但在本实施方式中，由于通气孔GH的存在，因此氧气除了能够接触感光离型膜300暴露出来的侧面部分外，也可以通过通气孔GH与软质基板110而接触感光离型膜300的正面，使得感光离型膜300光氧化的速度变快，减少工艺所需要的时间。
上述的光源可为紫外光灯，例如：长波紫外光灯(Ultraviolet A Light；UVALight)、中波紫外光灯(Ultraviolet B Light；UVB Light)或短波紫外光灯(Ultraviolet C Light；UVC Light)，或其他能够让感光离型膜300光氧化的光源。此外，若将光源架设于载板200的背侧以背曝的方式照射感光离型膜300，则载板200的材质可选择为能够透过光源所发出的光线的材料，例如：透明玻璃。
接着请参照图2L。如图所示，制造者在此时可剥离感光离型膜300与载板200，以获得主动元件阵列基板100。从结构上来看，图2L的主动元件阵列基板100包含软质基板110、无机阻障层120与至少一主动元件130。无机阻障层120覆盖软质基板110。上述的无机阻障层120具有至少一贯穿孔122于其中，且此贯穿孔122暴露出软质基板110。主动元件130位于无机阻障层120上。此外，主动元件阵列基板100更包含感光离型膜300，此感光离型膜300设置于软质基板110上，且设置于相反于无机阻障层120的软质基板110的表面上。
在图2L中，主动元件130可包含栅极132、栅介电层134、通道层136、源极138与漏极139。栅极132位于无机阻障层120上。栅介电层134覆盖栅极132与无机阻障层120。栅介电层134具有至少一贯穿孔135于其中，其中栅介电层134的贯穿孔135连通于无机阻障层120的贯穿孔122。亦即，栅介电层134的贯穿孔135在软质基板110上的垂直投影，与无机阻障层120的贯穿孔122在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。通道层136位于栅极132上方的栅介电层134上。源极138与漏极139分别位于通道层136的两侧。
在本实施方式中，无机阻障层120的贯穿孔122为通气孔GH的一部分，且由于通气孔GH的位置可选择在软质基板110上不需要穿过栅极132、通道层136、源极138与漏极139的位置，因此上述的无机阻障层120的贯穿孔122与栅极132之间具有一间距(如间距G1所标示)。更具体地说，无机阻障层120的贯穿孔122在软质基板110上的垂直投影，与栅极132、通道层136、源极138与漏极139在软质基板110上的垂直投影均不重叠。
此外，栅介电层134的贯穿孔135亦为通气孔GH的一部分，且由于通气孔GH的位置可选择在软质基板110上不需要穿过栅极132、通道层136、源极138与漏极139的位置，因此栅介电层134的贯穿孔135与栅极132之间亦具有一间距(如间距G1所标示)。更具体地说，栅介电层134的贯穿孔135在软质基板110上的垂直投影，与栅极132、通道层136、源极138与漏极139在软质基板110上的垂直投影均不重叠。
在图2L中，主动元件阵列基板100更可包含无机保护层140，此无机保护层140覆盖主动元件130，且具有至少一贯穿孔142于其中。无机保护层140的贯穿孔142亦为通气孔GH的一部分，因此无机保护层140的贯穿孔142亦连通于栅介电层134的贯穿孔135与无机阻障层120的贯穿孔122。或者说，无机保护层140的贯穿孔142在软质基板110上的垂直投影，与无机阻障层120的贯穿孔122在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。此外，无机保护层140的贯穿孔142在软质基板110上的垂直投影，与栅介电层134的贯穿孔135在软质基板110上的垂直投影亦至少部分重叠。
在本实施方式中，由于通气孔GH的位置可选择在软质基板110上不需要穿过栅极132、通道层136、源极138与漏极139的位置，因此上述的无机保护层140的贯穿孔142与主动元件130的漏极139之间具有一间距(如间距G2所标示)。更具体地说，无机保护层140的贯穿孔142在软质基板110上的垂直投影，与栅极132、通道层136、源极138与漏极139在软质基板110上的垂直投影均不重叠。
在图2L中，主动元件阵列基板100更可包含有机保护层150，此有机保护层150覆盖于主动元件130。在本实施方式中，有机保护层150覆盖无机保护层140，且具有至少一贯穿孔152于其中。有机保护层150的贯穿孔152亦为通气孔GH的一部分，因此有机保护层150的贯穿孔152亦连通于无机保护层140的贯穿孔142、栅介电层134的贯穿孔135与无机阻障层120的贯穿孔122。或者说，有机保护层150的贯穿孔152在软质基板110上的垂直投影，与无机阻障层120的贯穿孔122在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。此外，有机保护层150的贯穿孔152在软质基板110上的垂直投影，与栅介电层134的贯穿孔135在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。再者，有机保护层150的贯穿孔152在软质基板110上的垂直投影，与无机保护层140的贯穿孔142在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。
在本实施方式中，由于通气孔GH的位置可选择在软质基板110上不需要穿过栅极132、通道层136、源极138与漏极139的位置，因此上述的有机保护层150的贯穿孔152与主动元件130的漏极139之间具有一间距(如间距G2所标示)。更具体地说，有机保护层150的贯穿孔152在软质基板110上的垂直投影，与栅极132、通道层136、源极138与漏极139在软质基板110上的垂直投影均不重叠。
在图2L中，主动元件阵列基板100更可包含像素电极160，此像素电极160位于主动元件130上，并电性连接主动元件130。在本实施方式中，像素电极160位于有机保护层150上，且具有至少一贯穿孔162于其中。像素电极160的贯穿孔162亦为通气孔GH的一部分，因此像素电极160的贯穿孔162亦连通于有机保护层150的贯穿孔152、无机保护层140的贯穿孔142、栅介电层134的贯穿孔135与无机阻障层120的贯穿孔122。或者说，像素电极160的贯穿孔162在软质基板110上的垂直投影，与无机阻障层120的贯穿孔122在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。此外，像素电极160的贯穿孔162在软质基板110上的垂直投影，与栅介电层134的贯穿孔135在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。再者，像素电极160的贯穿孔162在软质基板110上的垂直投影，与无机保护层140的贯穿孔142在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。另外，像素电极160的贯穿孔162在软质基板110上的垂直投影，与有机保护层150的贯穿孔152在软质基板110上的垂直投影至少部分重叠。
在本实施方式中，由于通气孔GH的位置可选择在软质基板110上不需要穿过栅极132、通道层136、源极138与漏极139的位置，因此像素电极160的贯穿孔162在软质基板110上的垂直投影，与栅极132、通道层136、源极138与漏极139在软质基板110上的垂直投影均不重叠。
图3A～3D绘示依照本发明第二实施方式的主动元件阵列基板100的制造流程剖面图，其剖面位置与图2A～2J相同。本实施方式与第一实施方式的不同点在于：本实施方式在光氧化感光离型膜300后，会在通气孔GH内形成无机填充材170，以保护被通气孔GH暴露出来的叠层。
请先参照图3A。如图所示，制造者在此时可先进行如图2A～2J所绘示的工艺。由于这些工艺、材料与结构细节，均与第一实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图3B。如图所示，制造者在此时可以光源照射感光离型膜300，使得光氧化后的感光离型膜300与载板200之间的粘着力降低。同样地，由于通气孔GH的存在，因此氧气除了能够接触感光离型膜300暴露出来的侧面部分外，也可以通过通气孔GH与软质基板110而接触感光离型膜300的正面，使得感光离型膜300光氧化的速度变快，减少工艺所需要的时间。
接着请参照图3C。如图所示，制造者在此时可于通气孔GH中形成无机填充材170。具体而言，制造者可先形成无机填充材170，此无机填充材170覆盖有机保护层150与像素电极160，并共形地覆盖通气孔GH。然后，制造者可去除位于通气孔GH外的无机填充材170，以形成图3C所绘示的无机填充材170。
由于在形成无机填充材170时，感光离型膜300已经光氧化，因此无机填充材170的形成方式可选择低温工艺，例如：等离子增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced CVD；PECVD)或低温真空溅镀。上述的无机填充材170的材质可为无机介电材料(例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述的任意组合)或金属(例如：钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合或合金)。去除位于通气孔GH外的无机填充材170的方式可为例如蚀刻法。
接着请参照图3D。如图所示，制造者在此时可剥离感光离型膜300与载板200，以获得主动元件阵列基板100。从结构上来看，图3D的主动元件阵列基板100与第一实施方式主要的不同点在于：图3D的主动元件阵列基板100更包含无机填充材170，此无机填充材170至少共形地覆盖无机阻障层120的贯穿孔122(绘示于图3B)。在本实施方式中，无机填充材170共形地覆盖整个通气孔GH。亦即，无机填充材170共形地覆盖无机阻障层120的贯穿孔122(绘示于图3B)、栅介电层134的贯穿孔135(绘示于图3B)、无机保护层140的贯穿孔142(绘示于图3B)、有机保护层150的贯穿孔152(绘示于图3B)与像素电极160的贯穿孔162(绘示于图3B)。此外，在部分实施方式中，无机填充材170亦可仅共形地覆盖部分的通气孔GH，例如仅共形地覆盖无机阻障层120的贯穿孔122(绘示于图3B)。本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择无机填充材170的实施方式。
图4A～4G绘示依照本发明第三实施方式的主动元件阵列基板100的制造流程剖面图，其剖面位置图2A～2G相同。本实施方式与第一实施方式的不同点在于：本实施方式在形成无机保护层140后就形成通气孔GH，并随之光氧化感光离型膜300，然后再进行后续制程。
请先参照图4A。如图所示，制造者在此时可先进行如图2A～2G所绘示的制程。由于这些工艺、材料与结构细节，均与第一实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图4B。如图所示，制造者在此时可形成至少一通气孔GH。与第一实施方式不同的是，在本实施方式中，由于在通气孔GH形成的位置上，软质基板110上方的叠层仅包含无机保护层140、栅介电层134与无机阻障层120，因此通气孔GH只需要贯穿无机保护层140、栅介电层134与无机阻障层120，就能够将软质基板110暴露出来。
接着请参照图4C。如图所示，制造者在此时可以光源照射感光离型膜300，使得光氧化后的感光离型膜300与载板200之间的粘着力降低。同样地，由于通气孔GH的存在，因此氧气除了能够接触感光离型膜300暴露出来的侧面部分外，也可以透过通气孔GH与软质基板110而接触感光离型膜300的正面，使得感光离型膜300光氧化的速度变快，减少工艺所需要的时间。
接着请参照图4D。如图所示，制造者在此时可在通气孔GH中形成无机填充材170。具体而言，制造者可先形成无机填充材170，此无机填充材170覆盖无机保护层140，并共形地覆盖通气孔GH。然后，制造者可去除位于通气孔GH外的无机填充材170，以形成图4D所绘示的无机填充材170。
同样地，由于在形成无机填充材170时，感光离型膜300已经光氧化，因此无机填充材170的形成方式可选择低温工艺，例如：等离子增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced CVD；PECVD)或低温真空溅镀。上述的无机填充材170的材质可为无机介电材料(例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述的任意组合)或金属(例如：钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合或合金)。去除位于通气孔GH外的无机填充材170的方式可为例如蚀刻法。
接着请参照图4E。如图所示，制造者在此时可形成有机保护层150，此有机保护层150覆盖无机保护层140与无机填充材170。由于与此有机保护层150相关的其他工艺、材料与结构细节，均与第一实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图4F。如图所示，制造者在此时可形成像素电极160，此像素电极160位于主动元件130上，并电性连接主动元件130。具体而言，制造者可先形成像素电极连通孔TH，此像素电极连通孔TH贯穿漏极139上方的叠层，让漏极139暴露出来。在本实施方式中，由于漏极139上方的叠层包含无机保护层140与有机保护层150，因此像素电极连通孔TH将贯穿无机保护层140与有机保护层150，让漏极139暴露出来。
然后，制造者可形成第三导电层覆盖有机保护层150与像素电极连通孔TH，并随之图案化此第三导电层，以形成像素电极160。所形成的像素电极160将通过像素电极连通孔TH，与漏极139电性连接。
由于在形成第三导电层时，感光离型膜300已经光氧化，因此第三导电层的形成方式可选择低温工艺，例如：等离子增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced CVD；PECVD)、低温真空溅镀。上述的第三导电层(或者说，像素电极160)的材质可为透明导电材料，例如：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或其他导电氧化物或上述任意的组合。或者，第三导电层(或者说，像素电极160)的材质亦可为其他不透明的导电材料，例如：钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合或合金。第三导电层(或者说，像素电极160)的厚度可为约10～500nm(纳米；nanometer)。形成像素电极连通孔TH及图案化第三导电层的方式可为例如微影及蚀刻法。
接着请参照图4G。如图所示，制造者在此时可剥离感光离型膜300与载板200，以获得主动元件阵列基板100。从结构上来看，图4G的主动元件阵列基板100与第一实施方式主要的不同在于：图4G的通气孔GH仅贯穿无机阻障层120、栅介电层134与无机保护层140，而未贯穿有机保护层150与像素电极160。此外，图4G的主动元件阵列基板100更包含无机填充材170，此无机填充材170共形地覆盖通气孔GH。
由于无机填充材170共形地覆盖通气孔GH，因此有机保护层150与像素电极160将均覆盖通气孔GH的上方。亦即，有机保护层150与像素电极160将均覆盖无机阻障层120的贯穿孔122、栅介电层134的贯穿孔135与无机保护层140的贯穿孔142的上方。
图5A～5E绘示依照本发明第四实施方式的主动元件阵列基板100的制造流程剖面图，其剖面位置与图4A～4B相同。本实施方式与第三实施方式的不同点在于：本实施方式在光氧化感光离型膜300后，不会在通气孔GH中形成无机填充材170，而直接将至少部分的有机保护层150填充于通气孔GH中。
请先参照图5A。如图所示，制造者在此时可先进行如图4A～4B所绘示的工艺。由于这些工艺、材料与结构细节，均与第三实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图5B。如图所示，制造者在此时可以光源照射感光离型膜300，使得光氧化后的感光离型膜300与载板200之间的粘着力降低。同样地，由于通气孔GH的存在，因此氧气除了能够接触感光离型膜300暴露出来的侧面部分外，也可以透过通气孔GH与软质基板110而接触感光离型膜300的正面，使得感光离型膜300光氧化的速度变快，减少制程所需要的时间。
接着请参照图5C。如图所示，制造者在此时可形成有机保护层150，此有机保护层150覆盖无机保护层140，且至少部分的有机保护层150将填充于通气孔GH中。
上述的有机保护层150的材质可为任何有机介电材料，例如：丙烯酸类聚合物(acrylic polymer)。有机保护层150的厚度可为约3μm(微米；micrometer)。有机保护层150的形成方式可为例如旋涂法。
接着请参照图5D。如图所示，制造者在此时可形成像素电极160，此像素电极160位于主动元件130上，并电性连接主动元件130。由于与此像素电极160相关的其他工艺、材料与结构细节，均与第三实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图5E。如图所示，制造者在此时可剥离感光离型膜300与载板200，以获得主动元件阵列基板100。从结构上来看，图5E的主动元件阵列基板100与第三实施方式主要的不同在于：图5E的通气孔GH中没有无机填充材170，且至少部分的有机保护层150将填充于通气孔GH中。亦即，无机阻障层120的贯穿孔122、栅介电层134的贯穿孔135与无机保护层140的贯穿孔142中将没有无机填充材170，且至少部分的有机保护层150将填充于无机阻障层120的贯穿孔122、栅介电层134的贯穿孔135与无机保护层140的贯穿孔142中。
图6A～6E绘示依照本发明第五实施方式的主动元件阵列基板100的制造流程剖面图，其剖面位置与图5A相同。本实施方式与第四实施方式的不同点在于：本实施方式在有机保护层150与像素电极160形成后，才光氧化感光离型膜300。
请先参照图6A。如图所示，制造者在此时可先进行如图5A所绘示的制程。由于这些工艺、材料与结构细节，均与第四实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图6B。如图所示，制造者在此时可形成有机保护层150，此有机保护层150覆盖无机保护层140，且至少部分的有机保护层150将填充于通气孔GH中。在本实施方式中，有机保护层150的材质可为能够透氧的有机介电材料，例如：丙烯酸类聚合物(acrylic polymer)。由于与此有机保护层150相关的其他工艺与结构细节，均与第四实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图6C。如图所示，制造者在此时可形成像素电极160，此像素电极160位于主动元件130上，并电性连接主动元件130。在本实施方式中，像素电极160的材质可为能够透氧的导电材料，例如：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或其他导电氧化物或上述任意的组合。由于与此像素电极160相关的其他工艺与结构细节，均与第四实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图6D。如图所示，制造者在此时可以光源照射感光离型膜300，使得光氧化后的感光离型膜300与载板200之间的粘着力降低。此时由于有机保护层150与像素电极160的材质能够透氧，因此氧气将能穿过像素电极160、有机保护层150与软质基板110，而接触感光离型膜300的正面，以加速感光离型膜300光氧化的速度。
接着请参照图6E。如图所示，制造者在此时可剥离感光离型膜300与载板200，以获得主动元件阵列基板100。从结构上来看，图6E的主动元件阵列基板100的结构与图5E的主动元件阵列基板100的结构大致相同。
图7A～7E绘示依照本发明第六实施方式的主动元件阵列基板100的制造流程剖面图，其剖面位置与图2A～2H相同。本实施方式与第一实施方式的不同点在于：本实施方式在形成有机保护层150后，会先形成像素电极连通孔TH与通气孔GH，使得后续形成的像素电极160覆盖通气孔GH。
请先参照图7A。如图所示，制造者在此时可先进行如第2A～2H图所绘示的制程。由于这些制程、材料与结构细节，均与第一实施方式相同，因此不再重复赘述之。
接着请参照图7B。如图所示，制造者在此时可形成像素电极连通孔TH与通气孔GH。像素电极连通孔TH贯穿无机保护层140与有机保护层150，让漏极139暴露出来，而通气孔GH则贯穿无机阻障层120、栅介电层134、无机保护层140与有机保护层150，让软质基板110暴露出来。在本实施方式中，形成像素电极连通孔TH与通气孔GH的方式可为例如微影及蚀刻法。
接着请参照图7C。如图所示，制造者在此时可以光源照射感光离型膜300，使得光氧化后的感光离型膜300与载板200之间的粘着力降低。同样地，由于通气孔GH的存在，因此氧气除了能够接触感光离型膜300暴露出来的侧面部分外，也可以透过通气孔GH与软质基板110而接触感光离型膜300的正面，使得感光离型膜300光氧化的速度变快，减少制程所需要的时间。
接着请参照图7D。如图所示，制造者在此时可形成像素电极160，此像素电极160位于主动元件130上，并电性连接主动元件130。具体而言，制造者可形成第三导电层覆盖有机保护层150、像素电极连通孔TH与通气孔GH，并随之图案化此第三导电层，以形成像素电极160。所形成的像素电极160将通过像素电极连通孔TH，与漏极139电性连接，并覆盖通气孔GH。
由于在形成第三导电层时，感光离型膜300已经光氧化，因此第三导电层的形成方式可选择低温工艺，例如：等离子增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced CVD；PECVD)、低温真空溅镀。上述的第三导电层(或者说，像素电极160)的材质可为透明导电材料，例如：氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或其他导电氧化物或上述任意的组合。或者，第三导电层(或者说，像素电极160)的材质亦可为其他不透明的导电材料，例如：钛、钼、铬、铱、铝、铜、银、金或上述的任意组合或合金。第三导电层(或者说，像素电极160)的厚度可为约10～500nm(纳米；nanometer)。图案化第三导电层的方式可为例如微影及蚀刻法。
接着请参照图7E。如图所示，制造者在此时可剥离感光离型膜300与载板200，以获得主动元件阵列基板100。从结构上来看，图7E的主动元件阵列基板100与第一实施方式主要的不同在于：本实施方式的像素电极160覆盖通气孔GH。亦即，本实施方式的像素电极160覆盖有机保护层150的贯穿孔152、无机保护层140的贯穿孔142、栅介电层134的贯穿孔135与无机阻障层120的贯穿孔122。
以上各实施方式所提供的主动元件阵列基板100可应用于各种显示器中，其包含但不限于：液晶显示器(Liquid Crystal Display；LCD)、电泳显示器(Electro-Phoretic Display；EPD)与主动矩阵有机发光二极管显示器(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode Display；AMOLED Display)。应了解到，以上所举的主动元件阵列基板100的应用范围仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中普通技术人员，应视实际需要弹性选择主动元件阵列基板100的应用方式。
以下将公开本发明的实施例，借此说明上述实施方式的通气孔，确实能够增加感光离型膜光氧化的速度。应了解到，在以下叙述中，已经在上述实施方式中提到的参数将不再重复赘述，仅就需进一步界定者加以补充，合先叙明。
在以下比较例及实施例中，将提供材质为透明玻璃的载板，尺寸为320mm(毫米；millimeter)×400mm(毫米；millimeter)×0.7mm(毫米；millimeter)。载板上形成有感光离型膜，此感光离型膜的材质为聚对二甲苯(Poly(p-xylylene)或Parylene)，厚度为300nm(纳米；nanometer)。感光离型膜上形成有软质基板，此软质基板的材质为聚酰亚胺(Polyimide；PI)，厚度为10μm(微米；micrometer)。软质基板上形成有无机阻障层，此无机阻障层的材质为氮化硅，厚度为200nm(纳米；nanometer)。比较例与实施例的不同点在于，比较例没有形成通气孔，实施例形成有贯穿无机阻障层，且暴露出软质基板的通气孔，这些通气孔均匀分布于无机阻障层中，通气孔的直径为5μm(微米；micrometer)，且任两相邻的通气孔之间的间距为250μm(微米；micrometer)。
接着，从载板相对于感光离型膜的背侧照射紫外光10分钟。然后，测试感光离型膜与软质基板之间的连接介面的荷重对位移关系，并将结果记录图8与图9中，其中图8绘示比较例的测试结果，图9绘示实施例的测试结果。从图8可以看得出来，在紫外光照射10分钟后，要破坏比较例的感光离型膜与软质基板之间的连接介面，仍要约950gf的力量。相对地，从图9可以看得出来，在紫外光照射10分钟后，要破坏实施例的感光离型膜与软质基板之间的连接介面，只要约1gf的力量。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，包含：
一软质基板；
一无机阻障层，覆盖该软质基板，该无机阻障层具有至少一贯穿孔于其中，该贯穿孔暴露出该软质基板；以及
至少一主动元件，位于该无机阻障层上。
2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中该主动元件包含：
一栅极，位于该无机阻障层上；
一栅介电层，至少覆盖该栅极；
一通道层，位于该栅极上方的该栅介电层上；以及
一源极与一漏极，分别位于该通道层的两侧。
3.根据权利要求2所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中该栅介电层覆盖该栅极与该无机阻障层，且该栅介电层具有至少一贯穿孔于其中，其中该栅介电层的该贯穿孔连通于该无机阻障层的该贯穿孔。
4.根据权利要求3所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中该无机阻障层的该贯穿孔与该栅极之间具有一间距。
5.根据权利要求3所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包含：
一无机保护层，覆盖该主动元件，该无机保护层具有至少一贯穿孔于其中，其中该无机保护层的该贯穿孔与该栅介电层的该贯穿孔以及该无机阻障层的该贯穿孔至少部分重叠；
一有机保护层，覆盖于该无机保护层；以及
一像素电极，位于该有机保护层上，并电性连接该主动元件。
6.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包含：
一无机保护层，覆盖该主动元件，该无机保护层具有至少一贯穿孔于其中，其中该无机保护层的该贯穿孔与该无机阻障层的该贯穿孔至少部分重叠。
7.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包含：
一有机保护层，覆盖于该主动元件。
8.根据权利要求7所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中该有机保护层具有至少一贯穿孔于其中，其中该有机保护层的该贯穿孔与该无机阻障层的该贯穿孔至少部分重叠。
9.根据权利要求7所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中至少部分的该有机保护层填充于该无机阻障层的该贯穿孔中。
10.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包含：
一像素电极，位于该主动元件上，并电性连接该主动元件。
11.根据权利要求10所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中该像素电极具有至少一贯穿孔于其中，其中该像素电极的该贯穿孔与该无机阻障层的该贯穿孔至少部分重叠。
12.根据权利要求10所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中该像素电极覆盖该无机阻障层的该贯穿孔。
13.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包含：
至少一无机填充材，共形地覆盖该无机阻障层的该贯穿孔。
14.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包含：
一感光离型膜，设置于该软质基板相反于该无机阻障层的一表面。
15.一种主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，包含：
以一感光离型膜将一软质基板粘着于一载板上；
形成一无机阻障层覆盖该软质基板；
在该无机阻障层上形成至少一主动元件；
于该无机阻障层中形成至少一贯穿孔，以暴露出该软质基板；
以一光源照射该感光离型膜；以及
剥离该感光离型膜与该载板。
16.根据权利要求15所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，其中形成该主动元件的步骤包含：
在该无机阻障层上形成一栅极；
形成一栅介电层至少覆盖该栅极；
于该栅极上方的该栅介电层上形成一通道层；以及
于该通道层的两侧形成一源极与一漏极。
17.根据权利要求16所述的主动元件阵列基板的制造方法，还包含：
形成一贯穿孔于该栅介电层中，其中该栅介电层的该贯穿孔与该无机阻障层的该贯穿孔构成一连通的通气孔，以暴露出该软质基板。
18.根据权利要求16所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，还包含：
形成一贯穿孔于该栅介电层中；
形成一无机保护层，覆盖该主动元件，该无机保护层具有至少一贯穿孔于其中，其中该无机保护层的该贯穿孔连通于该栅介电层的该贯穿孔以及该无机阻障层的该贯穿孔，以构成一连通的通气孔；
形成一有机保护层于该无机保护层上；以及
形成一像素电极于该有机保护层上，并电性连接该主动元件。
19.根据权利要求15所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，还包含：
形成一无机保护层覆盖该主动元件，其中该无机保护层具有至少一贯穿孔于其中，该无机保护层的该贯穿孔与该无机阻障层的该贯穿孔构成一连通的通气孔，以暴露出该软质基板。
20.根据权利要求15所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，还包含：
于该无机阻障层的该贯穿孔中形成一无机填充材。
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