TWI682516B - 線路結構 - Google Patents

Abstract

一種線路結構，包括可撓基板、無機阻障層、第一導線、第二導線、第三導線、第四導線、有機介電層、第一導電通孔、以及第二導電通孔。無機阻障層設置於可撓基板之上。第一導線和第二導線設置於無機阻障層上，並接觸無機阻障層。第一導線和第二導線彼此分離。有機介電層設置於第一導線和第二導線之上。第三導線設置於有機介電層中。第四導線設置於有機介電層之上。第一導電通孔設置於有機介電層中，並接觸第一導線和第三導線。第二導電通孔設置於有機介電層中，並接觸第二導線和第四導線。

Description

線路結構

本揭示內容係關於一種線路結構。

一般而言，有機薄膜電晶體陣列(Organic TFT Array)顯示裝置在可撓基板的邊緣依序堆疊有有機緩衝層、有機閘極隔離層、以及有機保護層。在有機緩衝層與有機閘極隔離層之間設置有資料線，而在有機閘極隔離層與有機保護層之間設置有閘極線。資料線和閘極線分別連接至積體電路(Integrated Circuit；IC)晶片和軟性電路板。

然而，資料線和閘極線一般為金屬材料，而有機緩衝層、有機閘極隔離層、以及有機保護層一般為有機材質。當在有機材質上形成金屬線路時，存在附著力不佳的問題。如此一來，顯示裝置因受力而彎折時，容易造成附著力不佳的金屬線路位移，從而斷裂。

本揭示內容之一態樣係提供一種線路結構，包括一可撓基板、一無機阻障層、一第一導線、一第二導線、一第三導線、一第四導線、一有機介電層、一第一導電通孔、 以及一第二導電通孔。無機阻障層設置於可撓基板之上。第一導線和第二導線設置於無機阻障層上，並接觸無機阻障層。第一導線和第二導線彼此分離。有機介電層設置於第一導線和第二導線之上。第三導線設置於有機介電層中。第四導線設置於有機介電層之上。第一導電通孔設置於有機介電層中，並接觸第一導線和第三導線。第二導電通孔設置於有機介電層中，並接觸第二導線和第四導線。

在本揭示內容的某些實施方式中，第一導線和第二導線實質上平行。

在本揭示內容的某些實施方式中，第一導線和第二導線之間具有4~10微米的一距離。

在本揭示內容的某些實施方式中，有機介電層具有一第一穿孔和一第二穿孔。第一穿孔暴露出第一導線的一暴露部分，第二穿孔暴露出第二導線的一暴露部分。

在本揭示內容的某些實施方式中，線路結構進一步包括一第一導電墊層和一第二導電墊層。第一導電墊層覆蓋第一穿孔的一側壁和第一導線的暴露部分。第二導電墊層覆蓋第二穿孔的一側壁和第二導線的暴露部分。

在本揭示內容的某些實施方式中，第三導線接觸第一導電墊層，第四導線接觸第二導電墊層。

在本揭示內容的某些實施方式中，線路結構進一步包括積體電路晶片。積體電路晶片與第一導線和第二導線電性連接。第一導電通孔與積體電路晶片的邊緣的水平距離為300微米~600微米，第二導電通孔與積體電路晶片的 邊緣的水平距離為300微米~600微米。

在本揭示內容的某些實施方式中，有機介電層包括一有機緩衝層和設置於有機緩衝層上的一有機閘極隔離層。第三導線設置於有機緩衝層與有機閘極隔離層之間，且第四導線設置於有機閘極隔離層之上。

在本揭示內容的某些實施方式中，第一導線和第二導線包括鉬、鉬鉻合金、鋁、鋁釹合金或鈦。

本揭示內容之另一態樣係提供一種線路結構，包括一可撓基板、一無機阻障層、一第一導線、一第二導線、一第三導線、一第四導線、一第五導線、一有機介電層、一第一導電通孔、以及一第二導電通孔。無機阻障層設置於可撓基板之上。第一導線、一第二導線、以及一第三導線設置於無機阻障層上，並接觸無機阻障層。第一導線、第二導線、以及第三導線彼此分離。第一導線具有一第一導電連接區域，第二導線具有一第二導電連接區域，第三導線具有一第三導電連接區域和一第四導電連接區域。有機介電層設置於第一導線和第二導線之上。第四導線設置於有機介電層中。第五導線設置於有機介電層之上。第一導電通孔設置於有機介電層中，並接觸第一導線和第四導線。第二導電通孔設置於有機介電層中，並接觸第二導線和第五導線。

在本揭示內容的某些實施方式中，第一導線和第二導線實質上平行。

在本揭示內容的某些實施方式中，第一導線和第二導線之間具有4~10微米的一距離。

在本揭示內容的某些實施方式中，第一導線、第二導線、以及第三導線包括鈦、硼化鎳或氧化銦錫。

在本揭示內容的某些實施方式中，線路結構進一步包括一保護層。保護層設置於無機阻障層與有機介電層之間，並覆蓋第一導線、第二導線、以及第三導線。保護層具有暴露出第一導線的第一導電連接區域的一第一穿孔、暴露出第二導線的第二導電連接區域的一第二穿孔、暴露出第三導線的第三導電連接區域的一第三穿孔、以及暴露出第三導線的第四導電連接區域的一第四穿孔。

在本揭示內容的某些實施方式中，線路結構進一步包括一第一導電墊層、一第二導電墊層、一第三導電墊層、以及一第四導電墊層。第一導電墊層覆蓋第一穿孔的一側壁和第一導線的第一導電連接區域。第二導電墊層覆蓋第二穿孔的一側壁和第二導線的第二導電連接區域。第三導電墊層覆蓋第三穿孔的一側壁和第三導線的第三導電連接區域。第四導電墊層覆蓋第三穿孔的一側壁和第三導線的第四導電連接區域。

以下將以實施方式對上述之說明作詳細的描述，並對本揭示內容之技術方案提供更進一步的解釋。

100A、100B、100C、100D、100E‧‧‧線路結構

110‧‧‧可撓基板

114‧‧‧無機阻障層

121、122、123、141、142‧‧‧導線

130‧‧‧有機介電層

131‧‧‧有機緩衝層

132‧‧‧有機閘極隔離層

150‧‧‧源極/汲極層

152‧‧‧源極區

154‧‧‧汲極區

160‧‧‧有機保護層

170‧‧‧半導體層

172‧‧‧第一穿孔

174‧‧‧第二穿孔

172a‧‧‧第三穿孔

180‧‧‧光阻層

181‧‧‧第一導電墊層

181a‧‧‧第三導電墊層

181b‧‧‧第四導電墊層

182‧‧‧第二導電墊層

190‧‧‧保護層

192‧‧‧第四穿孔

194‧‧‧閘極

200‧‧‧顯示裝置

202‧‧‧顯示區

210‧‧‧畫素電極

300‧‧‧積體電路晶片

311‧‧‧第一金屬凸塊

312‧‧‧第二金屬凸塊

320‧‧‧第三金屬凸塊

400、410、420、430‧‧‧異向性導電黏著層

500‧‧‧軟性電路板

C1‧‧‧第一導電通孔

C2‧‧‧第二導電通孔

D1、D2、D3‧‧‧距離

R1‧‧‧區域

R2a‧‧‧第一導電連接區域

R2b‧‧‧第二導電連接區域

R3‧‧‧第三導電連接區域

R4‧‧‧第四導電連接區域

第1圖為本揭示內容一實施方式之顯示裝置的俯視示意圖。

第2圖為第1圖之顯示裝置的線路結構的一區域的局部放大圖。

第3A圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線A-A’的剖面示意圖。

第3B圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線B-B’的剖面示意圖。

第4圖為本揭示內容一實施方式之顯示裝置的顯示區中單一子畫素的剖面示意圖。

第5A圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線A-A’的剖面示意圖。

第5B圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線B-B’的剖面示意圖。

第6A圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線A-A’和C-C’的剖面示意圖。

第6B圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線B-B’和C-C’的剖面示意圖。

第7A圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線A-A’和C-C’的剖面示意圖。

第7B圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線B-B’和C-C’的剖面示意圖。

第8A圖為本揭示內容一實施方式之顯示裝置的俯視示意圖。

第8B圖為本揭示內容一實施方式之線路結構沿著切線D-D’的剖面示意圖。

為了使本揭示內容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本揭示內容的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述；但這並非實施或運用本揭示內容具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施例中附加其他的實施例，而無須進一步的記載或說明。在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而，可在無此等特定細節之情況下實踐本揭示內容之實施例。

以下敘述之成份和排列方式的特定實施例是為了簡化本揭示內容。當然，此等僅僅為實施例，並不旨在限制本揭示內容。舉例而言，在隨後描述中的在第二特徵之上或在第二特徵上形成第一特徵可包括形成直接接觸的第一特徵和第二特徵之實施例，還可以包括在第一特徵和第二特徵之間形成額外特徵，從而使第一特徵和第二特徵不直接接觸之實施例。另外，本揭示內容的各實施例中可重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡化及清楚之目的，且本身不指示所論述各實施例及/或構造之間的關係。

再者，空間相對用語，例如「下方」、「之下」、「上方」、「之上」等，這是為了便於敘述一元件或特徵與另一元件或特徵之間的相對關係，如圖中所繪示。這些空間上的相對用語的真實意義包含其他的方位。例如，當圖示上下翻轉180度時，一元件與另一元件之間的關係，可能從「下 方」、「之下」變成「上方」、「之上」。此外，本文中所使用的空間上的相對敘述也應作同樣的解釋。

茲將本揭示內容的實施方式詳細說明如下，但本揭示內容並非局限在實施例範圍。

第1圖繪示本揭示內容一實施方式之顯示裝置200的俯視示意圖。顯示裝置200具有顯示區202。線路結構100A位於顯示裝置200的邊緣，例如位於顯示區202的外側。積體電路晶片300和軟性電路板500位於顯示區202的外側。

請同時參考第2圖、第3A圖、以及第3B圖。第2圖繪示第1圖之顯示裝置200的線路結構100A的區域R1的局部放大圖。第3A圖和第3B圖則分別繪示本揭示內容一實施方式之線路結構100A沿著第2圖的切線A-A’和切線B-B’的剖面示意圖。

線路結構100A包括可撓基板110、無機阻障層114、第一導線121、第二導線122、第三導線141、第四導線142、有機介電層130、有機保護層160、第一導電通孔C1、以及第二導電通孔C2。

如第3A圖和第3B圖所示，無機阻障層114設置於可撓基板110之上。在一些實施例中，可撓基板110包括聚醯亞胺(Polyimide，PI)或聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)，但不以此為限。在一些實施例中，無機阻障層114包括氮化矽或氧化矽，但不以此為限。

第一導線121和第二導線122設置於無機阻障層114上，並接觸無機阻障層114。此外，第一導線121和第二導線122彼此分離。在一些實施例中，第一導線121和第二導線122包括鉬、鉬鉻合金、鋁、鋁釹合金或鈦等金屬材料，但不以此為限。應理解，由於無機阻障層114非有機材料，因此位於無機阻障層114上的第一導線121和第二導線122與無機阻障層114之間具有優良的附著力。

根據各種實施方式，用於本揭示內容的積體電路晶片300可為整合資料線驅動功能和閘極線驅動功能的整合式驅動晶片。因此，積體電路晶片300具有第一金屬凸塊311(標示在第3A圖)和第二金屬凸塊312(標示在第3B圖)。第一金屬凸塊311和第二金屬凸塊312可例如為晶片接腳，用以分別與資料線和閘極線電性連接。在一些實施例中，第一導線121用以連接積體電路晶片300的金屬凸塊311與第三導線141(例如資料線)，而第二導線122用以連接積體電路晶片300的金屬凸塊312與第四導線142(例如閘極線)。具體地，如第2圖所示，第一導線121和第二導線122實質上平行，並且第一導線121和第二導線122之間具有一距離D1。距離D1為4~10微米。

如第3A圖和第3B圖所示，有機介電層130設置於無機阻障層114之上，並包括有機緩衝層131和有機閘極隔離層132。有機閘極隔離層132設置於有機緩衝層131上。有機保護層160設置於有機閘極隔離層132上。具體地，第三導線141設置於有機緩衝層131與有機閘極隔離層132 之間，而第四導線142設置於有機閘極隔離層132之上。在一些實施例中，第三導線141例如為資料線，而第四導線142例如為閘極線。在一些實施例中，第三導線141和第四導線142包括鋁、銅、鎳或銀等金屬材料。

第一導電通孔C1設置於有機緩衝層131中，並且第一導電通孔C1的兩端分別接觸第一導線121和第三導線141，從而第一導線121與第三導線141電性連接。類似地，第二導電通孔C2設置於有機緩衝層131和有機閘極隔離層132中，並且第二導電通孔C2的兩端分別接觸第二導線122和第四導線142，從而第二導線122與第四導線142電性連接。

須說明的是，在現有技術中，積體電路晶片300附近(例如距離積體電路晶片300的邊緣約300微米~600微米的水平距離內)的資料線和閘極線，容易受到拉扯而斷裂。然而，在本揭示內容的線路結構100A中，第一導線121和第二導線122設置於無機阻障層114上。如前所述，第一導線121和第二導線122與無機阻障層114之間具有優良的附著力。因此，避免了積體電路晶片300附近的導線容易因拉扯而斷裂的問題。

詳細而言，接觸第一導線121的第一導電通孔C1與積體電路晶片300的邊緣的水平距離D2為300微米~600微米。而接觸第二導線122的第二導電通孔C2與積體電路晶片300的邊緣的水平距離D3為300微米~600微米。換句話說，第一導線121遠離積體電路晶片300的一端與積體 電路晶片300的邊緣的水平距離為300微米~600微米。而第二導線122遠離積體電路晶片300的一端與積體電路晶片300的邊緣的水平距離為300微米~600微米。

為了將積體電路晶片300的第一金屬凸塊311與埋設於有機緩衝層131下的第一導線121電性連接，有機保護層160、有機閘極隔離層132、以及有機緩衝層131共同具有一第一穿孔172暴露出第一導線121的一暴露部分。從而，第一導線121可通過第一導電墊層181和覆蓋第一導電墊層181的異向性導電黏著層410，而電性連接至第一金屬凸塊311。具體地，第一導電墊層181覆蓋有機保護層160的一部分、第一穿孔172的側壁、以及第一導線121的暴露部分。異向性導電黏著層410覆蓋第一導電墊層181，並且填入第一穿孔172的剩餘部分中。

類似地，為了將積體電路晶片300的第二金屬凸塊312與埋設於有機緩衝層131下的第二導線122電性連接，有機保護層160、有機閘極隔離層132、以及有機緩衝層131還共同具有一第二穿孔174暴露出第二導線122的一暴露部分。從而，第二導線122可通過第二導電墊層182和覆蓋第二導電墊層182的異向性導電黏著層410，而電性連接至第二金屬凸塊312。具體地，第二導電墊層182覆蓋有機保護層160的一部分、第二穿孔174的側壁、以及第二導線122的暴露部分。異向性導電黏著層410覆蓋第二導電墊層182，並且填入第二穿孔174的剩餘部分中。

請參考第4圖，第4圖繪示第1圖中顯示裝置200 的顯示區202中單一子畫素204的剖面示意圖。如第4圖所示，子畫素204包括子畫素電晶體和畫素電極210。具體地，子畫素電晶體包括源極/汲極層150、半導體層170、光阻層180、以及閘極194。

源極/汲極層150設置於有機緩衝層131上，且具有分離的源極區152和汲極區154。半導體層170設置於源極區152的一部分、汲極區154的一部分、以及源極區152與汲極區154之間的有機緩衝層131上。光阻層180設置於半導體層170上，且位於有機閘極隔離層132與半導體層170之間。光阻層180包括有機材料，可作為有機光阻(Organic Photoresist，OPR)層。閘極194設置於有機閘極隔離層132上，並被有機保護層160所覆蓋。

畫素電極210設置於有機保護層160上。須說明的是，第3A圖中的第三導線141向顯示區202延伸，並連接至源極/汲極層150，例如源極區152。此外，第3B圖中的第四導線142向顯示區202延伸，並連接至閘極194。

第5A圖和第5B圖分別繪示本揭示內容另一實施方式之線路結構100B沿著第2圖的切線A-A’和切線B-B’的剖面示意圖。須說明的是，在第5A圖和第5B圖中，與第3A圖和第3B圖相同或相似之元件被給予相同的符號，並省略相關說明。第5A圖和第5B圖的線路結構100B與第3A圖和第3B圖的線路結構100A相似，差異在第5A圖和第5B圖中的第三導線141朝向第一導電墊層181延伸，並接觸第一導電墊層181，而第四導線142朝向第二導電墊層 182延伸，並接觸第二導電墊層182。如此一來，相較於線路結構100A，即使線路結構100B的第一導線121斷裂，第一金屬凸塊311仍能與第三導線141保持電性連接。同理，即使線路結構100B的第二導線122斷裂，第二金屬凸塊312仍能與第四導線142保持電性連接。

第6A圖繪示本揭示內容另一實施方式之線路結構100C沿著第2圖的切線A-A’和第1圖的切線C-C’的剖面示意圖。第6B圖則繪示線路結構100C沿著第2圖的切線B-B’和第1圖的切線C-C’的剖面示意圖。

請同時參考第2圖、第6A圖、以及第6B圖，線路結構100C包括可撓基板110、無機阻障層114、第一導線121、第二導線122、第三導線123、第四導線141、第五導線142、有機介電層130、有機保護層160、第一導電通孔C1、以及第二導電通孔C2。

無機阻障層114設置於可撓基板110之上。第一導線121、第二導線122、以及第三導線123設置於無機阻障層114上，並接觸無機阻障層114。此外，第一導線121、第二導線122、以及第三導123線彼此分離。應理解，由於無機阻障層114非有機材料，因此位於無機阻障層114上的第一導線121、第二導線122、以及第三導123與無機阻障層114之間具有優良的附著力。

如第2圖所示，第一導線121和第二導線122實質上平行，並且第一導線121和第二導線122之間具有一距離D1。距離D1為4~10微米。

如第6A圖和第6B圖所示，第一導線121具有第一導電連接區域R2a用以通過異向性導電黏著層410，而與積體電路晶片300的第一金屬凸塊311電性連接。第二導線122具有第二導電連接區域R2b用以通過異向性導電黏著層410，而與積體電路晶片300的第二金屬凸塊312電性連接。另外，第三導線123具有第三導電連接區域R3和第四導電連接區域R4。第三導電連接區域R3用以通過異向性導電黏著層420，而與積體電路晶片300的第三金屬凸塊320電性連接。第四導電連接區域R4用以通過異向性導電黏著層430，而與軟性電路板500電性連接。

由於第一導線121的一部分、第二導線122的一部分、以及第三導線123暴露於外部，因此在一些實施例中，第一導線121、第二導線122、以及第三導123包括鈦、硼化鎳或氧化銦錫等抗腐蝕金屬。在一些實施例中，第一導線121、第二導線122、以及第三導123可為多層結構，其中最外層包括抗腐蝕金屬，並覆蓋內層。另外，可撓基板110、無機阻障層114的材料如前所述，將不再贅述之。

如第6A圖和第6B圖所示，有機介電層130設置於無機阻障層114之上，並包括有機緩衝層131和有機閘極隔離層132。有機閘極隔離層132設置於有機緩衝層131上。有機保護層160設置於有機閘極隔離層132上。具體地，第四導線141設置於有機緩衝層131與有機閘極隔離層132之間，而第五導線142設置於有機閘極隔離層132之上。在一些實施例中，第四導線141例如為資料線，而第五導線142 例如為閘極線。在一些實施例中，第四導線141和第五導線142包括鋁、銅、鎳或銀等金屬材料。須說明的是，第四導線141向顯示區202延伸，並連接至第4圖中的源極/汲極層150，例如源極區152。而第五導線142向顯示區202延伸，並連接至第4圖中的閘極194。

第一導電通孔C1設置於有機緩衝層131中，並且第一導電通孔C1的兩端分別接觸第一導線121和第四導線141，從而第一導線121與第四導線141電性連接。類似地，第二導電通孔C2設置於有機緩衝層131和有機閘極隔離層132中，並且第二導電通孔C2的兩端分別接觸第二導線122和第五導線142，從而第二導線122與第五導線142電性連接。

第7A圖繪示本揭示內容另一實施方式之線路結構100D沿著第2圖的切線A-A’和第1圖的切線C-C’的剖面示意圖。第7B圖則繪示線路結構100D沿著第2圖的切線B-B’和第1圖的切線C-C’的剖面示意圖。須說明的是，在第7A圖和第7B圖中，與第6A圖和第6B圖相同或相似之元件被給予相同的符號，並省略相關說明。第7A圖和第7B圖的線路結構100D與第6A圖和第6B圖的線路結構100C相似，差異在第7A圖和第7B圖的線路結構100D進一步包括一保護層190。保護層190設置於無機阻障層114與有機介電層130之間，並覆蓋第一導線121、第二導線122、以及第三導線123。

為了將積體電路晶片300的第一金屬凸塊311 和第二金屬凸塊312與埋設於保護層190下的第一導線121和第二導線122電性連接，保護層190具有第一穿孔172和第二穿孔174。第一穿孔172暴露出第一導線121的第一導電連接區域R2a。第二穿孔174暴露出第二導線122的第二導電連接區域R2b。從而，第一導線121可通過第一導電墊層181和覆蓋第一導電墊層181的異向性導電黏著層410，而電性連接至第一金屬凸塊311。第二導線122則可通過第二導電墊層182和覆蓋第二導電墊層182的異向性導電黏著層410，而電性連接至第二金屬凸塊312。

具體地，第一導電墊層181覆蓋保護層190的一部分、第一穿孔172的側壁、以及第一導線121的第一導電連接區域R2a。異向性導電黏著層410覆蓋第一導電墊層181，並且填入第一穿孔172的剩餘部分中。第二導電墊層182覆蓋保護層190的一部分、第二穿孔174的側壁、以及第二導線122的第二導電連接區域R2b。異向性導電黏著層410覆蓋第二導電墊層182，並且填入第二穿孔174的剩餘部分中。

類似地，為了將積體電路晶片300的第三金屬凸塊320和軟性電路板500與埋設於保護層190下的第三導線123電性連接，保護層190具有第三穿孔172a和第四穿孔192。第三穿孔172a暴露出第三導線123的第三導電連接區域R3。第四穿孔192暴露出第三導線123的第四導電連接區域R4。從而，第三導線123可通過第三導電墊層181a和覆蓋第三導電墊層181a的異向性導電黏著層420，而電性連接 至第三金屬凸塊320。另外，第三導線123可通過第四導電墊層181b和覆蓋第四導電墊層181b的異向性導電黏著層430，而電性連接至軟性電路板500。

具體地，第三導電墊層181a覆蓋保護層190的一部分、第三穿孔172a的側壁、以及第三導線123的第三導電連接區域R3。異向性導電黏著層420覆蓋第三導電墊層181a，並且填入第三穿孔172a的剩餘部分中。第四導電墊層181b覆蓋保護層190的一部分、第四穿孔192的側壁、以及第三導線123的第四導電連接區域R4。異向性導電黏著層430覆蓋第四導電墊層181b，並且填入第四穿孔192的剩餘部分中。

本揭示內容的線路結構亦適用於薄膜覆晶封裝(chip-on-film，COF)技術。具體地，請參考第8A圖及第8B圖。第8A圖繪示本揭示內容另一實施方式之顯示裝置200的俯視示意圖，而第8B圖則繪示線路結構100E沿著第8A圖的切線D-D’的剖面示意圖。須說明的是，在第8B圖中，與第6A圖和第6B圖相同或相似之元件被給予相同的符號，並省略相關說明。第8A圖和第8B圖的線路結構100E與第6A圖和第6B圖的線路結構100C相似，差異在第8A圖和第8B圖的線路結構100E的積體電路晶片300設置於軟性電路板500上，且第一導線121及第二導線(未繪示)直接與軟性電路板500電性連接。具體地，第一導線121具有第一導電連接區域R2a用以通過異向性導電黏著層430，而與軟性電路板500電性連接。類似地，第二導線(未繪示)具 有第二導電連接區域(未繪示)用以通過異向性導電黏著層430，而與軟性電路板500電性連接。據此，第一導線121及第二導線(未繪示)可通過軟性電路板500的內部線路，而分別與積體電路晶片300的第一金屬凸塊311及第二金屬凸塊(未繪示)電性連接。

雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，但其他實施方式亦有可能。因此，所請請求項之精神與範圍並不限定於此處實施方式所含之敘述。

任何熟習此技藝者可明瞭，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧線路結構

110‧‧‧可撓基板

114‧‧‧無機阻障層

121、141‧‧‧導線

130‧‧‧有機介電層

131‧‧‧有機緩衝層

132‧‧‧有機閘極隔離層

160‧‧‧有機保護層

172‧‧‧第一穿孔

181‧‧‧第一導電墊層

300‧‧‧積體電路晶片

311‧‧‧第一金屬凸塊

410‧‧‧異向性導電黏著層

C1‧‧‧第一導電通孔

D2‧‧‧距離

Claims (15)

1. 一種線路結構，包括：一可撓基板，具有一顯示區及一非顯示區；一無機阻障層，設置於該可撓基板的該非顯示區之上；一第一導線和一第二導線，設置於該無機阻障層上，並接觸該無機阻障層，其中該第一導線和該第二導線彼此分離；一有機介電層，設置於該第一導線和該第二導線之上；一第三導線，設置於該有機介電層中；一第四導線，設置於該有機介電層之上；一第一導電通孔，設置於該有機介電層中，位於該可撓基板的該非顯示區之上，並接觸該第一導線的上表面和該第三導線的下表面；以及一第二導電通孔，設置於該有機介電層中，並接觸該第二導線和該第四導線。
2. 如請求項1所述之線路結構，其中該第一導線和該第二導線實質上平行。
3. 如請求項2所述之線路結構，其中該第一導線和該第二導線之間具有4~10微米的一距離。
4. 如請求項1所述之線路結構，其中該有機介電層具有一第一穿孔和一第二穿孔，該第一穿孔暴露出該第一導線的一暴露部分，該第二穿孔暴露出該第二導線 的一暴露部分。
5. 如請求項4所述之線路結構，進一步包括：一第一導電墊層，覆蓋該第一穿孔的一側壁和該第一導線的該暴露部分；以及一第二導電墊層，覆蓋該第二穿孔的一側壁和該第二導線的該暴露部分。
6. 如請求項5所述之線路結構，其中該第三導線接觸該第一導電墊層，該第四導線接觸該第二導電墊層。
7. 如請求項1所述之線路結構，進一步包括：一積體電路晶片，與該第一導線和該第二導線電性連接，其中該第一導電通孔與該積體電路晶片的一邊緣的一水平距離為300微米~600微米，該第二導電通孔與該積體電路晶片的該邊緣的一水平距離為300微米~600微米。
8. 如請求項1所述之線路結構，其中該有機介電層包括一有機緩衝層和設置於該有機緩衝層上的一有機閘極隔離層，該第三導線設置於該有機緩衝層與該有機閘極隔離層之間，且該第四導線設置於該有機閘極隔離層之上。
9. 如請求項1所述之線路結構，其中該第一導線和該第二導線包括鉬、鉬鉻合金、鋁、鋁釹合金或鈦。
10. 一種線路結構，包括：一可撓基板；一無機阻障層，設置於該可撓基板之上；一第一導線、一第二導線、以及一第三導線，設置於該無機阻障層上，並接觸該無機阻障層，其中該第一導線、該第二導線、以及該第三導線彼此分離，該第一導線具有一第一導電連接區域，該第二導線具有一第二導電連接區域，該第三導線具有一第三導電連接區域和一第四導電連接區域；一有機介電層，設置於該第一導線和該第二導線之上；一第四導線，設置於該有機介電層中；一第五導線，設置於該有機介電層之上；一第一導電通孔，設置於該有機介電層中，並接觸該第一導線和該第四導線；以及一第二導電通孔，設置於該有機介電層中，並接觸該第二導線和該第五導線。
11. 如請求項10所述之線路結構，其中該第一導線和該第二導線實質上平行。
12. 如請求項11所述之線路結構，其中該第一導線和該第二導線之間具有4~10微米的一距離。
13. 如請求項10所述之線路結構，其中該第一導線、該第二導線、以及該第三導線包括鈦、硼化鎳或氧化銦錫。
14. 如請求項10所述之線路結構，進一步包括：一保護層，設置於該無機阻障層與該有機介電層之間，並覆蓋該第一導線、該第二導線、以及該第三導線，其中該保護層具有暴露出該第一導線的該第一導電連接區域的一第一穿孔、暴露出該第二導線的該第二導電連接區域的一第二穿孔、暴露出該第三導線的該第三導電連接區域的一第三穿孔、以及暴露出該第三導線的該第四導電連接區域的一第四穿孔。
15. 如請求項14所述之線路結構，進一步包括：一第一導電墊層，覆蓋該第一穿孔的一側壁和該第一導線的該第一導電連接區域；一第二導電墊層，覆蓋該第二穿孔的一側壁和該第二導線的該第二導電連接區域；一第三導電墊層，覆蓋該第三穿孔的一側壁和該第三導線的該第三導電連接區域；以及一第四導電墊層，覆蓋該第三穿孔的一側壁和該第三導線的該第四導電連接區域。

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