TW201717387A - 顯示裝置 - Google Patents

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TW201717387A
TW201717387A TW105136442A TW105136442A TW201717387A TW 201717387 A TW201717387 A TW 201717387A TW 105136442 A TW105136442 A TW 105136442A TW 105136442 A TW105136442 A TW 105136442A TW 201717387 A TW201717387 A TW 201717387A
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蔡奇哲
林柏青
吳威諺
許惠珍
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群創光電股份有限公司
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Abstract

一種顯示裝置。顯示裝置包括一第一基板、一第二基板、一第一阻障層、一第二阻障層、一顯示介質以及一金屬圍牆(metal enclosing wall)。第一阻障層設置於第二基板上，第二阻障層設置於第一基板上，顯示介質設置於第一阻障層和第二阻障層之間。金屬圍牆設置於第一基板和第二基板之間，金屬圍牆圍繞顯示介質。金屬圍牆包括一第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層。第一金屬層位於第二阻障層上，第一金屬層具有複數個第一開口。第二金屬層位於第一阻障層上。第三金屬層形成於第一金屬層和第二金屬層之間。

Description

顯示裝置
本揭露內容是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有良好阻水氧效果的顯示裝置。
隨著顯示科技的進步，各式顯示器係快速的發展。其中，有機發光二極體顯示器已成為顯示科技之研究重點之一。因而，將有機發光二極體設置於可撓式顯示器中之研究與設計亦快速發展。
然而，有機發光二極體很容易受到水氣(濕氣)與氧氣的影響而氧化，進而影響其運作功能。此外，基於顯示器之可撓式的需求，不易採用已經具有良好阻水氧效果之玻璃框膠(frit)作為阻障結構。因此，可撓式有機發光二極體顯示器的阻水氧之研究便成為相當大的挑戰。因此，如何提供一種具有良好阻水氧功能之可撓式有機發光二極體顯示器，乃為相關業者努力之課題之一。
本揭露內容係有關於一種顯示裝置。顯示裝置中，金屬圍牆位於兩個基板之間並圍繞顯示介質，形成側面方向的阻水氧結構，搭配分別位於顯示介質上下方的阻障層，而能夠大幅 提高整體顯示裝置的阻水氣效果。
根據本揭露內容之一實施例，係提出一種顯示裝置。顯示裝置包括一第一基板、一第二基板、一第一阻障層、一第二阻障層、一顯示介質以及一金屬圍牆(metal enclosing wall)。第一阻障層設置於第二基板上，第二阻障層設置於第一基板上，顯示介質設置於第一阻障層和第二阻障層之間。金屬圍牆設置於第一基板和第二基板之間，金屬圍牆圍繞顯示介質。金屬圍牆包括一第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層。第一金屬層位於第二阻障層上，第一金屬層具有複數個第一開口。第二金屬層位於第一阻障層上。第三金屬層形成於第一金屬層和第二金屬層之間。
根據本揭露內容之另一實施例，係提出一種顯示裝置。顯示裝置包括一第一基板、一第二基板、一第一阻障層、一第二阻障層、一顯示介質以及一金屬圍牆。第一阻障層設置於第二基板上，第二阻障層設置於第一基板上，顯示介質設置於第一阻障層和第二阻障層之間。金屬圍牆設置於第一基板和第二基板之間，金屬圍牆圍繞顯示介質。金屬圍牆包括一第一金屬層、一第二金屬層、一第三金屬層及一第一共晶層(cocrystallization layer)。第一金屬層位於第二阻障層上，第二金屬層位於第一阻障層上。第三金屬層形成於第一金屬層和第二金屬層之間。第一共晶層形成於第一金屬層和第三金屬層之間。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100、200、300、400、500‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧第二基板
120‧‧‧第一阻障層
130‧‧‧第一基板
140‧‧‧第二阻障層
150‧‧‧顯示介質
160‧‧‧金屬圍牆
161‧‧‧第一金屬層
161-1、161-2‧‧‧第一開口
162‧‧‧第一共晶層
163‧‧‧第二金屬層
163-1、163-2‧‧‧第二開口
164‧‧‧第二共晶層
165‧‧‧第三金屬層
170‧‧‧第三阻障層
170e‧‧‧外側邊緣
180‧‧‧充填材料
191‧‧‧彩色濾光片
193‧‧‧薄膜電晶體層
195‧‧‧扇出結構
195-1‧‧‧第三開口
197‧‧‧絕緣體
310‧‧‧積體電路元件
320‧‧‧軟性排線
330‧‧‧焊接墊
340‧‧‧封裝膠
350‧‧‧第一功能性膜
360‧‧‧第二功能性膜
370、380‧‧‧無機阻障層
1B-1B’、2-2’、4B-4B’‧‧‧剖面線
D1、D1-1、D2、D2-1‧‧‧口徑
T1‧‧‧厚度
W1、W2‧‧‧剖面寬度
第1A圖繪示根據本揭露內容一實施例之顯示裝置的上視圖。
第1B圖繪示第1A圖沿剖面線1B-1B’之剖面示意圖。
第2圖繪示根據本揭露內容一實施例之第一金屬層和第二金屬層的局部上視圖。
第3A圖繪示第2圖沿剖面線2-2’之剖面示意圖。
第3B~3D圖繪示根據本揭露內容一些實施例的剖面示意圖。
第4A圖繪示根據本揭露內容另一實施例之顯示裝置的上視圖。
第4B圖繪示第4A圖沿剖面線4B-4B’之剖面示意圖。
第5圖繪示根據本揭露內容再一實施例之顯示裝置的示意圖。
第6圖繪示根據本揭露內容又一實施例之顯示裝置的示意圖。
第7圖繪示根據本揭露內容更一實施例之顯示裝置的示意圖。
根據本揭露內容之實施例，係提出一種顯示裝置。顯示裝置中，金屬圍牆位於兩個基板之間並圍繞顯示介質，形成側面方向的阻水氧結構，搭配分別位於顯示介質上下方的阻障層，而能夠大幅提高整體顯示裝置的阻水氣效果。然而，實施例 僅用以作為範例說明，並不會限縮本發明欲保護之範圍。此外，實施例中之圖式係省略部份要之元件，以清楚顯示本發明之技術特點。
請參照第1A~1B圖，第1A圖繪示根據本揭露內容一實施例之顯示裝置的上視圖，第1B圖繪示第IA圖沿剖面線1B-1B’之剖面示意圖。如第1A~1B圖所示，顯示裝置100包括一第一基板130、一第二基板110、一第一阻障層120、一第二阻障層140、一顯示介質150以及一金屬圍牆(metal enclosing wall)160。第一阻障層120設置於第二基板110上，第二阻障層140設置於第一基板130上，顯示介質150設置於第一阻障層120和第二阻障層140之間。金屬圍牆160設置於第一基板130和第二基板110之間，金屬圍牆160圍繞顯示介質150，因此可以密封顯示介質150於第一基板130和第二基板110之間。
本揭露內容之實施例中，顯示介質150可以是一有機發光二極體元件或一液晶層，而顯示裝置100可以是一有機發光二極體顯示裝置或一液晶顯示裝置。然而本揭露內容之顯示介質的類型可以視實際需要做選擇，而不以上述為限。
如第1A~1B圖所示，金屬圍牆160包括一第一金屬層161、一第二金屬層163及一第三金屬層165。第一金屬層161位於第二阻障層140上，第一金屬層161具有一第一開口161-1。第二金屬層163位於第一阻障層120上。第三金屬層165形成於第一金屬層161和第二金屬層163之間。
如第1A~1B圖所示，第二基板110與第一基板130對組，金屬圍牆160環繞顯示介質150，而形成側面方向的阻水 氧結構。搭配分別位於顯示介質150下方和上方的第一阻障層120和第二阻障層140，使得顯示裝置能夠提供具有10-6之水氣穿透率(WVTR)的阻水氧效果。實施例中，如第1A圖所示，金屬圍牆160具有一厚度T1大約540~660微米(μm)，舉例而言，此厚度T1可以是大約600微米。
實施例中，第一基板130和第二基板110的材質例如是可撓式透明基材且具有厚度約10~15微米，其材質例如是聚亞醯胺(PI)，厚度大約是10~15微米。實施例中，第一阻障層120和第二阻障層140可獨立地分別是例如氮化矽(SiN)或氮化矽與氧化矽之堆疊層(SiNx/SiOx)，具有阻水氧效果。
如第1B圖所示，顯示裝置100更可包括一第三阻障層170，第三阻障層170形成於顯示介質150上並包覆顯示介質150。第三阻障層170具有阻水氧效果，有助於防止顯示介質150受到水氣與氧氣的影響而氧化。第三阻障層170例如是氮化矽或氮化矽與氧化矽之堆疊層。
如第1B圖所示，顯示裝置100更可包括一充填材料180。充填材料180充填於金屬圍牆160內並覆蓋顯示介質150。一些實施例中，充填材料180具有複數個親水性官能基相鄰於第一阻障層120和第二阻障層140，充填材料180具有複數個疏水性官能基相鄰於顯示介質150。如此一來，親水性官能基使得充填材料180具有和阻障層120/140之間具有較佳的接著性，而疏水性官能基能夠為顯示介質150提供更佳的阻水氧能力。
實施例中，如第1A~1B圖所示，第一金屬層161可具有複數個第一開口161-1。在製程中，從第一基板側施加雷 射以熱固化金屬圍牆160時，此些第一開口161-1使得雷射束可以到達第一金屬層161之下的第三金屬層165的材料。
實施例中，如第1B圖所示，第二金屬層163具有至少一第二開口163-1。實施例中，如第1B圖所示，第二金屬層163可具有複數個第二開口163-1。
實施例中，如第1A~1B圖所示，顯示裝置100更可包括一彩色濾光片191和/或一薄膜電晶體層193和一扇出(fan-out)結構195。薄膜電晶體層193設置於第一阻障層120和顯示介質150之間。扇出結構195設置於第二基板110和第二金屬層163之間。扇出結構195藉由一絕緣體197而和第二金屬層163電性絕緣。一實施例中，如第1B圖所示，顯示介質150例如是白光有機發光二極體，彩色濾光片191設置於第一基板130和顯示介質150之間。另一實施例中，顯示介質150例如是紅綠藍(RGB)有機發光二極體，顯示裝置則可以不設置彩色濾光片於第一基板130和顯示介質150之間。
實施例中，第一金屬層161的一材料和第二金屬層163的一材料可分別包括銅。實施例中，第一金屬層161的厚度和第二金屬層163的厚度分別例如是300~1000奈米(nm)。
一些實施例中，第三金屬層的一材料可包括一金屬，此金屬滿足以下條件：1<RPB<2，其中RPB=(Moxide*ρmetal)/(n*Mmetal*ρoxide)，Mmetal係為此金屬的原子量，Moxide係為此金屬的一金屬氧化物的分子量，ρmetal係為此金屬的密度，ρoxide係為此金屬的金屬氧化物的密度，n係為此金屬的金屬氧化物之單個分子中的原子數目。
以上的公式可以改寫為：RPB=(Voxide/(Vmetal)，其中Vmetal係為此金屬的分子體積(molar volume)，Voxide係為此金屬的金屬氧化物之分子體積。
實施例中，當金屬圍牆160的第三金屬層165的金屬材料被水/氧所氧化，由於氧化反應開始於金屬層的表面，因此在金屬層的表面會形成一層金屬氧化物覆層。當RPB<1，金屬氧化物覆層會太薄，導致金屬氧化物覆層很容易斷裂或破碎而無法提供保護效果或阻障效果。另一方面，當RPB>2，金屬氧化物覆層的結構會太鬆散而可能會碎落，而無法提供保護效果或阻障效果。根據本揭露內容之實施例，用於製作第三金屬層165的金屬滿足1<RPB<2的條件，因此當第三金屬層165從外表面被氧化時，形成在外表面的金屬氧化物覆層夠厚也夠緊密，因此可以提供保護及阻障效果。
表1呈現滿足上述條件的金屬之選擇，表1所列的金屬可以用做製作第三金屬層165的材料。
如第1B圖所示，顯示裝置100更可包括一軟性排線320和一焊接墊330。如第1B圖所示的實施例中，軟性排線320經由焊接墊330接合於扇出結構195。
第2圖繪示根據本揭露內容一實施例之第一金屬層和第二金屬層的局部上視圖，第3A圖繪示第2圖沿剖面線2-2’之剖面示意圖。本實施例中與前述實施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第2圖和第3A圖所示，第一金屬層161之具有剖面寬度W1的一些部分係為多個肋部(rib)且形成具有多個第一開口161-1的網格圖案(grid pattern)，第二金屬層163之具有剖面寬度W2的一些部分係為多個肋部且形成具有多個第二開口163-1的網格圖案。
一些實施例中，如第2圖所示，第一金屬層161的一肋部的剖面寬度W1小於第二金屬層163的一肋部的剖面寬度W2。第一開口161-1的口徑D1大於第二開口163-1的口徑D2。本實施例中，剖面寬度W1例如是大約10±1微米，第一開口161-1的口徑D1例如是大約50±5微米，剖面寬度W2例如是大約30±3微米，第二開口163-1的口徑D2例如是大約30±3微米。本實施例中，如第3A圖所示，第一金屬層161的單位面積光穿透率係為約66%。
更進一步，實施例中，如第3A圖所示，扇出結構195具有複數個第三開口195-1，此些第三開口195-1位於第二金屬層163之第二開口163-1之下且對應於此些第二開口163-1。本實施例中，扇出結構195可具有與第二金屬層163實質上相同之一圖案，舉例而言，扇出結構195可具有一包含多個第三開口195-1的網格圖案。換言之，扇出結構195並未暴露於第二金屬層163的第二開口163-1之外。如此一來，從第一基板側施加雷射以熱固化金屬圍牆160時，匹配的第二開口163-1和第三開口195-1使得雷射加熱第三金屬層165而不會被任何暴露出來的金屬層(例如是扇出結構195)所反射，因而可以良好地控制雷射束的加熱效率。
第3B~3D圖繪示根據本揭露內容一些實施的例剖面示意圖，其中呈現根據第3A圖之第一金屬層和第二金屬層的一些變化態樣。本實施例中與前述實施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
本實施例中，如第3B圖所示的結構具有一網格圖案，其圖案類似於如第3A圖所示的結構之網格圖案。本實施例中，第一金屬層161之具有剖面寬度W1的一些部分係為多個肋部且形成具有兩種第一開口161-1和161-2的網格圖案，第二金屬層163之具有剖面寬度W2的一些部分係為多個肋部且形成具有多個第二開口163-1的網格圖案。如第3B圖所示，第一金屬層161的一肋部的剖面寬度W1小於第二金屬層163的一肋部的剖面寬度W2。本實施例中，如第3B圖所示，第一金屬層161的單位面積光穿透率係為約33%。
實施例中，第一開口161-1的口徑D1實質上等於第二開口163-1的口徑D2，第一開口161-2的口徑D1-1小於第二開口163-1的口徑D2。本實施例中，剖面寬度W1例如是大約10±1微米，第一開口161-1的口徑D1例如是大約30±3微米，第一開口161-2的口徑D1-1例如是大約10±1微米，剖面寬度W2例如是大約30±3微米，第二開口163-1的口徑D2例如是大約30±3微米。
本實施例中，如第3C圖所示的結構具有一網格圖案，其圖案類似於如第3A圖所示的結構之網格圖案。本實施例中，第一金屬層161之具有剖面寬度W1的一些部分係為多個肋部且形成具有兩種第一開口161-1和161-2的網格圖案，第二金屬層163之具有剖面寬度W2的一些部分係為多個肋部且形成具有多個第二開口163-1的網格圖案。如第3C圖所示，第一金屬層161的一部份的剖面寬度W1小於第二金屬層163的一部份的剖面寬度W2。本實施例中，如第3C圖所示，第一金屬層161的單位面積光穿透率係為約50%。
實施例中，第一開口161-1的口徑D1實質上等於第二開口163-1的口徑D2，第一開口161-2的口徑D1-1小於第二開口163-1的口徑D2。本實施例中，剖面寬度W1例如是大約5±1微米，第一開口161-1的口徑D1例如是大約30±3微米，第一開口161-2的口徑D1-1例如是大約5±1微米，剖面寬度W2例如是大約30±3微米，第二開口163-1的口徑D2例如是大約30±3微米。
本實施例中，如第3D圖所示的結構具有一網格圖 案，其圖案類似於如第3A圖所示的結構之網格圖案。本實施例中，第一金屬層161之具有剖面寬度W1的一些部分係為多個肋部且形成具有兩種第一開口161-1和161-2的網格圖案，第二金屬層163之具有剖面寬度W2的一些部分係為多個肋部且形成具有兩種第二開口163-1和163-2的網格圖案。如第3D圖所示，第一金屬層161的一部份的剖面寬度W1實質上等於第二金屬層163的一部份的剖面寬度W2。本實施例中，如第3D圖所示，第一金屬層161的單位面積光穿透率係為約50%。
實施例中，第一開口161-1的口徑D1實質上等於第二開口163-1的口徑D2，第一開口161-2的口徑D1-1實質上等於第二開口163-2的口徑D2-1。本實施例中，剖面寬度W1例如是大約5±1微米，第一開口161-1的口徑D1例如是大約30±3微米，第一開口161-2的口徑D1-1例如是大約5±1微米，剖面寬度W2例如是大約5±1微米，第二開口163-1的口徑D2例如是大約30±3微米，第二開口163-2的口徑D2-1例如是大約5±1微米。
第4A圖繪示根據本揭露內容另一實施例之顯示裝置200的上視圖，第4B圖繪示第4A圖沿剖面線4B-4B’之剖面示意圖。本實施例中與前述實施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第4A~4B圖所示，顯示裝置200中，金屬圍牆160可更包括一第一共晶層(cocrystallization layer)162，第一共晶層162形成於第一金屬層161和第三金屬層165之間。在接合第一金屬層161和第三金屬層165時，由第一金屬層161和第三金屬層165的材料發生共結晶而形成第一共晶層162。
本揭露內容之一些實施例中，第一共晶層162可具有單層結構或多層結構。
如第4B圖所示，金屬圍牆160可更包括一第二共晶層164，第二共晶層164形成於第二金屬層163和第三金屬層165之間。在接合第二金屬層163和第三金屬層165時，由第二金屬層163和第三金屬層165的材料發生共結晶而形成第二共晶層164。
本揭露內容之一些實施例中，第二共晶層164可具有單層結構或多層結構。
一實施例中，第一金屬層161和第二金屬層163包括銅，第三金屬層165包括錫(Sn)、錫銀合金(Sn-Ag)或錫銀鉍合金(Sn-Ag-Bi)，因此第一共晶層162和第二共晶層164係為銅錫合金層。本實施例中，第一共晶層162和第二共晶層164包括例如六銅五錫合金(Cu6Sn5)，其結構緊密度高於三銅錫合金(Cu3Sn)。
一些實施例中，第一共晶層162和第二共晶層164各自分別具有等於或小於230℃的一共晶溫度，例如是80~230℃。由於共晶溫度相對較低，因此雷射固化製程中所產生的熱不會對顯示介質150造成損害。
一些實施例中，第一共晶層162和第二共晶層164各自可具有等於或小於5埃(Å)的一厚度，例如是2~5埃。當厚度大於5埃，第一共晶層162和第二共晶層164的強度會轉弱而容易破裂。根據本揭露內容之實施例，第一共晶層162和/或第二共晶層164具有等於或小於5埃的厚度可以具有良好的均勻性 以及良好的強度。
第5圖繪示根據本揭露內容再一實施例之顯示裝置300的示意圖。本實施例中與前述實施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第5圖所示，實施例中，顯示裝置300可更包括一無機阻障層370，無機阻障層370鄰接金屬圍牆160的一側壁。更詳細地說，如第5圖所示，無機阻障層370鄰接金屬圍牆160的外側側壁以防止水氣和氧氣穿過金屬圍牆160而損害顯示介質150。
實施例中，如第5圖所示，無機阻障層370鄰接金屬圍牆160的側壁之第一金屬層161和第三金屬層165的接合處及第二金屬層163和第三金屬層165的接合處。由於接合的介面較容易被水氣和氧氣所穿透，無機阻障層370鄰接金屬層之接合處的介面有助於防止顯示介質150被水氣和氧氣所氧化造成的傷害。
實施例中，如第5圖所示，顯示裝置300更可包括一無機阻障層380，無機阻障層380鄰接顯示裝置150的暴露的側壁以及第三阻障層170的外側邊緣170e，此外側邊緣170e位於與顯示介質150接合處。
一些實施例中，無機阻障層370和380的材料可包括金屬、一有機矽烷材料(organo-silane material)、一有機鈦材料(organo-titanium material)、一有機鋁材料(organo-aluminum material)或上述之組合。在上述的有機金屬材料之中，有機部分包括親水性官能基和疏水性官能基，親水性官能基用以接著至金 屬圍牆160，而疏水性官能基用以提供阻水氧的效果。
如第5圖所示，顯示裝置300可更包括一積體電路元件(IC component)310，積體電路元件310設置於第二基板110上。實施例中，軟性排線320經由焊接墊330接合於第二基板110。
第6圖繪示根據本揭露內容又一實施例之顯示裝置400的示意圖。本實施例中與前述實施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第6圖所示，顯示裝置400可更包括一封裝膠(encapsulating glue)340，封裝膠340形成於第二基板110上。實施例中，封裝膠340具有阻水氧之效果。實施例中，如第6圖所示，第一基板130的尺寸例如小於第二基板110的尺寸，封裝膠340包覆第一基板130、第二基板110及金屬圍牆160。實施例中，封裝膠340的上表面例如是平面，有利於在後續製程中形成膜層於封裝膠340上。
如第6圖所示，顯示裝置400更可包括一第一功能性膜(functional film)350。更進一步，如第6圖所示，顯示裝置400更可選擇性地包括一第二功能性膜360。封裝膠340具有足夠的黏性，使得第一功能性膜350可黏合於封裝膠340上，無須額外的黏著層。實施例中，第一功能性膜350之厚度例如是約200~300微米。第二功能性膜360設置於第二基板110之下，實施例中，第二功能性膜360之厚度例如是小於第一功能性膜350之厚度。實施例中，第一功能性膜350和第二功能性膜360例如是透明阻水氧膜材，其材質例如是聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、乙烯對苯二甲酸酯(PET)或聚碳酸酯(PC)。
第7圖繪示根據本揭露內容更一實施例之顯示裝置500的示意圖。本實施例中與前述實施例相同之元件係沿用同樣的元件標號，且相同元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第7圖所示的顯示裝置500與如第6圖所示的顯示裝置400主要的差異在於金屬圍牆160的設計。如第7圖所示的金屬圍牆160採用如第1B圖所示的設計。更進一步，顯示裝置500中，軟性排線320經由焊接墊330接合於第二基板110。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧第二基板
120‧‧‧第一阻障層
130‧‧‧第一基板
140‧‧‧第二阻障層
150‧‧‧顯示介質
160‧‧‧金屬圍牆
161‧‧‧第一金屬層
161-1‧‧‧第一開口
163‧‧‧第二金屬層
163-1‧‧‧第二開口
165‧‧‧第三金屬層
170‧‧‧第三阻障層
180‧‧‧充填材料
191‧‧‧彩色濾光片
193‧‧‧薄膜電晶體層
195‧‧‧扇出結構
197‧‧‧絕緣體
320‧‧‧軟性排線
330‧‧‧焊接墊

Claims (18)

  1. 一種顯示裝置，包括：一第一基板和一第二基板；一第一阻障層，設置於該第二基板上；一第二阻障層，設置於該第一基板上；一顯示介質，設置於該第一阻障層和該第二阻障層之間；以及一金屬圍牆(metal enclosing wall)，設置於該第一基板和該第二基板之間，該金屬圍牆圍繞該顯示介質，其中該金屬圍牆包括：一第一金屬層，位於該第二阻障層上，其中該第一金屬層具有複數個第一開口；一第二金屬層，位於該第一阻障層上；及一第三金屬層，形成於該第一金屬層和該第二金屬層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第二金屬層具有複數個第二開口。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，更包括：一薄膜電晶體層，設置於該第一阻障層和該顯示介質之間；以及一扇出(fan-out)結構，設置於該第二基板和該第二金屬 層之間，其中該扇出結構具有複數個第三開口，該些第三開口位於該第二金屬層之該些第二開口之下且對應於該些第二開口。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第三金屬層的一材料包括一金屬，該金屬滿足以下條件：1<RPB<2，其中RPB=(Moxide*ρmetal)/(n*Mmetal*ρoxide)，Mmetal係為該金屬的原子量，Moxide係為該金屬的一金屬氧化物的分子量，ρmetal係為該金屬的密度，ρoxide係為該金屬的該金屬氧化物的密度，n係為該金屬的該金屬氧化物之單個分子中的原子數目。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一金屬層的一材料和該第二金屬層的一材料分別包括銅。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包括：一無機阻障層，鄰接該金屬圍牆的一側壁。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該無機阻障層的一材料包括金屬、一有機矽烷材料、一有機鈦材料、一有機鋁材料或上述之組合。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包括：一充填材料，充填於該金屬圍牆內並覆蓋該顯示介質，其中該充填材料具有複數個親水性官能基相鄰於該第一阻障層和 該第二阻障層，且該充填材料具有複數個疏水性官能基相鄰於該顯示介質。
  9. 一種顯示裝置，包括：一第一基板和一第二基板；一第一阻障層，設置於該第二基板上；一第二阻障層，設置於該第一基板上；一顯示介質，設置於該第一阻障層和該第二阻障層之間；以及一金屬圍牆，設置於該第一基板和該第二基板之間，該金屬圍牆圍繞該顯示介質，其中該金屬圍牆包括：一第一金屬層，位於該第二阻障層上；一第二金屬層，位於該第一阻障層上；一第三金屬層，形成於該第一金屬層和該第二金屬層之間；及一第一共晶層(cocrystallization layer)，形成於該第一金屬層和該第三金屬層之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，更包括：一第二共晶層，形成於該第二金屬層和該第三金屬層之間。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該第一共晶層和該第二共晶層各自分別具有140~230℃的一共晶溫 度。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示裝置，其中該第一共晶層和該第二共晶層各自具有2~5埃的一厚度。
  13. 如申請專利範圍9項所述之顯示裝置，更包括：一薄膜電晶體層，設置於該第一阻障層和該顯示介質之間；以及一扇出結構，設置於該第二基板和該第二金屬層之間。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第三金屬層的一材料包括一金屬，該金屬滿足以下條件：1<RPB<2，其中RPB=(Moxide*ρmetal)/(n*Mmetal*ρoxide)，Mmetal係為該金屬的原子量，Moxide係為該金屬的一金屬氧化物的分子量，ρmetal係為該金屬的密度，ρoxide係為該金屬的該金屬氧化物的密度，n係為該金屬的該金屬氧化物之單個分子中的原子數目。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第一金屬層的一材料和該第二金屬層的一材料分別包括銅。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，更包括：一無機阻障層，鄰接該金屬圍牆的一側壁。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該無 機阻障層的一材料包括金屬、一有機矽烷材料、一有機鈦材料、一有機鋁材料或上述之組合。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，更包括：一充填材料，充填於該金屬圍牆內並覆蓋該顯示介質，其中該充填材料具有複數個親水性官能基相鄰於該第一阻障層和該第二阻障層，且該充填材料具有複數個疏水性官能基相鄰於該顯示介質。
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