CN103996689B - 有机发光二极管显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。有机发光二极管显示装置包括一第一软性(flexible)基板、一第二软性基板、一第一阻障(barrier)层、一第二阻障层、一有机发光二极管元件以及一金属围墙(metal enclosing wall)。第一阻障层设置于第一软性基板上，第二阻障层设置于第二软性基板上。有机发光二极管元件设置于第一阻障层和第二阻障层之间。金属围墙接合第一软性基板和第二软性基板，金属围墙围绕有机发光二极管元件。

Description

有机发光二极管显示装置及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种有机发光二极管显示装置及其制造方法，且特别是关于一种具有良好阻水氧效果的有机发光二极管显示装置及其制造方法。

背景技术

随着显示科技的进步，各式显示器快速的发展，特别是可挠式显示器相关的研究也与日俱增。其中，有机发光二极管显示器已成为显示科技的研究重点之一，因而将有机发光二极管设置于可挠式显示器中的研究与设计亦快速发展。

然而，有机发光二极管很容易受到水气与氧气的影响而氧化，进而影响其运作功能。基于显示器的可挠式的需求，不易采用已经阻水氧效果良好的玻璃框胶(frit)作为阻障结构，因此可挠式有机发光二极管显示器的阻水氧的研究便成为相当大的挑战。因此，如何提供一种具有良好阻水氧功能的可挠式有机发光二极管显示器，乃为相关业者努力的课题之一。

发明内容

本发明提出一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。有机发光二极管显示装置中，金属围墙接合两个软性基板并围绕有机发光二极管元件，形成侧面方向的阻水氧结构，搭配分别位于有机发光二极管元件上下方的阻障层，而能够大幅提高整体显示装置的阻水气效果。

根据本发明的一方面，提出一种有机发光二极管显示装置。有机发光二极管显示装置包括一第一软性(flexible)基板、一第二软性基板、一第一阻障(barrier)层、一第二阻障层、一有机发光二极管元件以及一金属围墙(metal enclosing wall)。第一阻障层设置于第一软性基板上，第二阻障层设置于第二软性基板上。有机发光二极管元件设置于第一阻障层和第二阻障层之间。金属围墙接合第一软性基板和第二软性基板，金属围墙围绕有机发光二极管元件。

根据本发明的另一方面，提出一种有机发光二极管显示装置的制造方法。有机发光二极管显示装置的制造方法包括以下步骤。提供一第一软性基板和一第二软性基板。设置一第一阻障层于第一软性基板上。设置一第二阻障层于第二软性基板上。设置一有机发光二极管元件于第一软性基板上。分别形成一第一图案化金属层于第一软性基板上以及一第二图案化金属层于第二软性基板上。对组第一软性基板与第二软性基板。加热第一图案化金属层及第二图案化金属层以形成一金属围墙，金属围墙接合第一软性基板和第二软性基板，金属围墙围绕有机发光二极管元件。

根据本发明的再一方面，提出一种有机发光二极管显示装置的制造方法。有机发光二极管显示装置的制造方法包括以下步骤。提供一第一软性基板和一第二软性基板。设置一第一阻障层于第一软性基板上。设置一第二阻障层于第二软性基板上。设置一有机发光二极管元件于第一软性基板上。分别形成一第一金属层于第一软性基板上以及一第二金属层于第二软性基板上。形成一第三金属层于第一金属层和第二金属层之间，其中第三金属层的材质系与第一金属层和第二金属层的材质不同。提供一封装填料包覆有机发光二极管元件。对组第一软性基板与第二软性基板。加热第一金属层、第二金属层及第三金属层以形成一金属围墙，金属围墙接合第一软性基板和第二软性基板，金属围墙围绕有机发光二极管元件。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1A绘示依照本发明一实施例的有机发光二极管显示装置的示意图。

图1B绘示图1A的半导体结构沿剖面线1B-1B’的剖视图。

图2绘示依照本发明另一实施例的有机发光二极管显示装置的示意图。

图3绘示依照本发明又一实施例的有机发光二极管显示装置300的示意图。

图4A至图4F绘示依照本发明的一实施例的一种有机发光二极管显示面板的制造方法示意图。

图5A至图5D绘示依照本发明的另一实施例的一种有机发光二极管显示装置的制造方法示意图。

主要元件符号说明：

100、200、300、400：有机发光二极管显示装置

110：第一软性基板

120：第一阻障层

130：第二软性基板

140：第二阻障层

150：有机发光二极管元件

160、260：金属围墙

160a、160b：表面

170：第三阻障层

180：封装填料

191：彩色滤光片

193：薄膜晶体管层

261：第一金属层

262、264：介面

263：第二金属层

265：第三金属层

310：集成电路元件

320：软性排线

330：焊接垫

340：封装胶

350：第一功能性膜

360：第二功能性膜

410：硬质载板

561：第一图案化金属层

563：第二图案化金属层

1B-1B’：剖面线

R：箭头

具体实施方式

以下实施例系提出一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。有机发光二极管显示装置中，金属围墙接合两个软性基板并围绕有机发光二极管元件，形成侧面方向的阻水氧结构，搭配分别位于有机发光二极管元件上下方的阻障层，而能够大幅提高整体显示装置的阻水气效果。然而，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本发明欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对这些步骤加以修饰或变化。

请参考图1A~1B，图1A绘示依照本发明一实施例的有机发光二极管显示装置100的示意图，图1B绘示图1A的半导体结构沿剖面线1B-1B’的剖视图。如图1A~1B所示，有机发光二极管显示装置100包括：第一软性(flexible)基板110、第一阻障(barrier)层120、第二软性基板130、第二阻障层140、有机发光二极管元件150以及金属围墙(metal enclosingwall)160。第一阻障层120设置于第一软性基板110上，第二阻障层140设置于第二软性基板130上)。有机发光二极管元件150设置于第一阻障层120和第二阻障层140之间。金属围墙160接合第一软性基板110和第二软性基板130，且金属围墙160围绕有机发光二极管元件150，因此可以密封有机发光二极管元件150于第一软性基板110和第二软性基板130之间。

如图1A所示，第二软性基板130与第一软性基板110对组，金属围墙160环绕有机发光二极管元件150，而形成侧面方向的阻水氧结构。搭配位于有机发光二极管元件150下方和上方的第一阻障层120和第二阻障层140，而能够提供具有10^-6的水气穿透率(WVTR)的阻水氧效果。

如图1B所示，金属围墙160接合于第一软性基板110的表面160a上可具有一微结构(未绘示)，金属围墙160接合于第二软性基板130的表面160b上亦可具有一微结构(未绘示)。微结构例如是粗糙化表面。膜层之间因为热膨胀系数不同，彼此之间会产生的抓应力容易造成膜层剥离(peeling)，微结构有利于缓冲应力并减缓剥离的问题。此外，微结构亦增强金属围墙160与第一软性基板110和第二软性基板130之间的接合力，进而提高阻水气效果。再者，微结构在形成于膜层的接合面，可以有效延长水氧穿透(penetration)的路径，进而亦提高阻水氧的效果。

实施例中，金属围墙160的材质可以包括低熔点的金属或固溶金属。实施例中，低熔点金属例如是锡(Sn)。实施例中，固溶金属例如是锡金合金(SnAu)、锡镍合金(SnNi)、锡锑合金(SnSb)、锡铅合金(SnPb)、锡铋合金(SnBi)、和/或锡铜合金(SnCu)，此些合金系以具一定比例的溶质原子溶入金属溶剂的晶格中所组成的合金相。两组元素在液态下互溶，两组元素于固态也相互溶解，且形成均匀一致的物质。一实施例中，锡铅合金例如包括原子比例为63％的锡和37%的铅，其熔点为183℃。

实施例中，第一软性基板110和第二软性基板130的材质例如是耐高温的薄型透明基材，其材质例如是聚亚酰胺(PI)，厚度大约是10~15微米(μm)。实施例中，第一阻障层120和第二阻障层140可独立地分别是例如氮化硅(SiN)或氮化硅与氧化硅的堆叠层(SiN_x/SiO_x)，具有阻水氧效果。

如图1B所示，有机发光二极管显示装置100更可包括第三阻障层170，第三阻障层170形成于有机发光二极管元件150上并包覆有机发光二极管元件150。第三阻障层170具有阻水氧效果，有助于防止有机发光二极管元件150受到水气与氧气的影响而氧化。第三阻障层170例如是氮化硅或氮化硅与氧化硅的堆叠层。

如图1B所示，有机发光二极管显示装置100更可包括封装填料(filler)180，封装填料180充填于金属围墙160内并包覆有机发光二极管元件150。

有机发光二极管显示装置100更可包括彩色滤光片191和/或薄膜晶体管层193。一实施例中，如图1B所示，有机发光二极管元件150例如是白光有机发光二极管，彩色滤光片191设置于第二软性基板130和有机发光二极管元件150之间，薄膜晶体管层193设置于第一软性基板110和有机发光二极管元件150之间。另一实施例中，有机发光二极管元件150例如是红绿蓝(RGB)有机发光二极管，有机发光二极管显示装置则可以不设置彩色滤光片于第二软性基板130和有机发光二极管元件150之间。

请参考图2，图2绘示依照本发明另一实施例的有机发光二极管显示装置200的示意图。如图2所示，本实施例与图1A~1B的实施例的差别在于，有机发光二极管显示装置200中，金属围墙260更包括第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265。第一金属层261接合于第一软性基板110，第二金属层263接合于第二软性基板130，第三金属层265形成于第一金属层261和第二金属层263之间。实施例中，第一金属层261的材质和第二金属层263的材质可以相同或不同，第三金属层265的材质与第一金属层261和第二金属层263的材质不同。本实施例中与前述实施例相同的元件系沿用同样的元件标号，且相同元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图2所示，第一金属层261与第三金属层265的介面(interface)262上可具有一微结构(未绘示)，第二金属层263与第三金属层265的介面264上亦可具有一微结构(未绘示)。微结构可增强第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265之间的接合力，有助于形成具有连续壁的金属围墙260，换句话说，金属围墙260结构中，第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265之间的接合面可以视同不存在，因此整体的阻水气效果系大幅提高。

实施例中，第一金属层261的厚度及第二金属层263的厚度例如是300~1000纳米(nm)。

实施例中，第一金属层261及第二金属层263的材质可以包括一般制程常用的导电金属，例如是铝(Al)、钼(Mo)、或铝铌合金(AlNb)。实施例中，第一金属层261及第二金属层263的材质亦可以包括低熔点的金属或固溶金属，低熔点金属例如是锡。固溶金属例如是锡金合金、锡镍合金、锡锑合金、锡铅合金、锡铋合金、和/或锡铜合金，此些合金系以具一定比例的溶质原子溶入金属溶剂的晶格中所组成的合金相。两组元素在液态下互溶，两组元素于固态也相互溶解，且形成均匀一致的物质。一实施例中，锡铅合金例如包括原子比例为63%的锡和37%的铅，其熔点为183℃。实施例中，第三金属层265的材质例如包括有机与无机混合材料，有机材料部分为一般防水性胶材，例如是环氧树脂(epoxy)或硅氧化合物(silicone)，无机材料部分例如是低熔点的金属或固溶金属，低熔点的金属例如是锡。固溶金属例如是锡金合金、锡镍合金、锡锑合金、锡铅合金、锡铋合金、和/或锡铜合金。

实施例中，金属围墙260的结构特征例如是将金属微粒含浸且均匀分散于初始材料(例如是胶材)中，组立后再经由热压、微波等制程促使金属微粒产生熔融而形成一连续介面，而达到形成有机无机多层阻隔结构的阻障层。第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265的材质具有高同质性，有利于后续经过加热加压之后能形成具有连续壁的金属围墙260。

请参考图3，图3绘示依照本发明又一实施例的有机发光二极管显示装置300的示意图。本实施例系以图2的实施例中的金属围墙260为例，然不限于此，亦可选用图1A～1B的实施例中的金属围墙160。本实施例中与前述实施例相同的元件系沿用同样的元件标号，且相同元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图3所示，有机发光二极管显示装置300更可包括集成电路元件(IC component)310或软性排线(flexible cable)320，亦可同时包括集成电路元件310和软性排线320。集成电路元件310和软性排线320接合(bond)于第一软性基板110。如图3所示，软性排线320经由焊接垫330接合于第一软性基板110。换句话说，集成电路元件310和软性排线320经由第一软性基板110电性连接至有机发光二极管元件150和/或薄膜晶体管层193。

如图3所示，有机发光二极管显示装置300更可包括封装胶(encapsulating glue)340，封装胶340形成于第一软性基板110上。实施例中，封装胶340亦具有阻水氧的效果。实施例中，如图3所示，第二软性基板120的尺寸例如小于第一软性基板110的尺寸，封装胶340包覆第一软性基板110、第二软性基板120及金属围墙260。实施例中，封装胶340的上表面例如是平面，有利于在后续制程中形成膜层于封装胶340上。

如图3所示，有机发光二极管显示装置300更可包括第一功能性膜(functionalfilm)350和/或第二功能性膜360。封装胶340具有足够的粘性，使得第一功能性膜350可粘合于封装胶340上，无须额外的粘着层。实施例中，第一功能性膜350的厚度例如是约200~300微米。第二功能性膜360设置于第一软性基板110之下，实施例中，第二功能性膜360的厚度例如是小于第一功能性膜350的厚度。实施例中，第一功能性膜350和第二功能性膜360例如是透明阻水氧膜材，其材质例如是聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、乙烯对苯二甲酸酯(PET)或聚碳酸酯(PC)。

以下系提出实施例的一种有机发光二极管显示装置300的制造方法，然这些步骤仅为举例说明之用，并非用以限缩本发明。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对这些步骤加以修饰或变化。请参照图4A至图4F。图4A至图4F绘示依照本发明的一实施例的一种有机发光二极管显示面板的制造方法示意图。

请参照图4A，提供硬质载板(rigid carrier)410，以及提供第一软性基板110和第二软性基板130，第一软性基板110例如是形成于硬质载板410上。实施例中，硬质载板410的材质例如是不锈钢或玻璃。

如图4A所示，接着，设置第一阻障层120于第一软性基板上110，设置第二阻障层140于第二软性基板130上，以及设置有机发光二极管元件150于第一软性基板110上。

如图4A所示，更可设置薄膜晶体管层193于有机发光二极管元件150和第一阻障层120之间，以及第三阻障层170于有机发光二极管元件150上并包覆有机发光二极管元件150，第三阻障层170有利于保护有机发光二极管元件150不受到水气与氧气的损害，特别是在后续充填液态或胶态封装填料的制程中。实施例中，当有机发光二极管元件150系为白光有机发光二极管，更可设置彩色滤光片191于第二阻障层140和第二软性基板130之间。

请参照图4B，形成第一金属层261于第一软性基板110上，以及形成第二金属层263于第二软性基板130上。接着，形成第三金属层265于第一金属层261和第二金属层263之间，其中第三金属层265的材质与第一金属层261和第二金属层263的材质不同。实施例中，如图4B所示，第三金属层265例如是形成于第一金属层261上。

实施例中，形成第一金属层261和第二金属层263之前，可在预定形成此两金属层的表面上制作微结构。实施例中，形成第三金属层265之前，亦可在预定的第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265的介面上制作微结构。实施例中，例如是在第一阻障层120和第二阻障层140预定形成金属层261和263的局部表面上制作微结构，以及在第一金属层261的表面和第二金属层263的表面上制作微结构。如此一来，金属层261和263的金属原料较容易渗透入膜层介面上微结构的孔隙中，使得金属层261和263与阻障层120和140的介面的结构较致密，降低水气或氧气从封装结构的金属围墙260的底面穿透(penetration)及扩散(diffusion)入元件内部的情况，进而使得最终形成的金属围墙(侧面的阻水氧结构)具有良好的阻水氧特性。同样地，微结构使得第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265的介面的结构较致密，有利于形成的金属围墙260具有无接缝的连续壁，进而使得最终形成的金属围墙(侧面的阻水氧结构)具有良好的阻水氧特性。

实施例中，第一金属层261和第二金属层263例如是以开掩模(open mask)方式以喷镀(sputtering)制程形成。相较于传统以塑胶材料制作框胶，而塑胶材料的粘度较高难以渗透入膜层介面的孔隙中，本发明的实施例中，以气体喷镀方式将金属原料经由一层一层逐步形成(layer by layer)的方式形成第一金属层261和第二金属层263，加热融熔后液态的金属原料较容易渗透入膜层介面的孔隙中，使得第一金属层261和第二金属层263的结构较致密，降低水气或氧气从封装的侧面穿透及扩散入元件内部的情况，进而使得最终形成的金属围墙(侧面的阻水氧结构)在底部不会有产生缺陷的问题。然而，形成第一金属层261和第二金属层263的方式不限于此，任何可以形成图案化的第一金属层261和第二金属层263的制程方式均可应用。实施例中，第三金属层265例如是具有高粘度的焊锡粒子混合材料，例如是将高粘度的焊锡粒子混合材料涂布于第一金属层261上。具有固定型态的第三金属层265形成于第一金属层261上之后，有利于限制后续液态或胶态的封装填料不溢流到基板之外。

接着，提供封装填料180包覆有机发光二极管元件150。实施例中，例如是提供液态或胶态的封装填料180于第三金属层265圈限出的范围内。实施例中，更可添加吸湿剂于封装填料180中，或者将吸湿剂涂布于第一金属层261和第三金属层265的内壁上。封装填料180(无论有没有添加吸湿剂)尚可帮助吸附制程过程中残留在有机发光二极管元件150周围的水气。

请参照图4C，对组第一软性基板110与第二软性基板130，以及加热第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265以形成金属围墙260。形成的金属围墙260接合第一软性基板110和第二软性基板130并围绕有机发光二极管元件150，因此可以密封有机发光二极管元件150于第一软性基板110和第二软性基板130之间。

实施例中，加热金属层261、263和265之前，固化封装填料180，使封装填料180由液态或胶态转换为固态。封装填料180在加热金属层261、263和265之前固化，如此一来，固态的封装填料180可以防止后续金属层261、263和265因加热而融熔(melting)成液态而往内溢流至显示装置的可视区。实施例中，更可添加吸湿剂于封装填料180的表面上。

实施例中，例如是以局部加热方式仅加热第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265的区域，加热的同时亦加压该区域，例如在如图4C中所示的箭头R指向的区域加热及箭头R标示的方向加压。实施例中，第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265的材质具有高同质性，因此经过加热加压之后，第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265形成具有连续壁的金属围墙260，因此具有较致密的结构，而能具有较佳的阻水气及阻氧气的效果。实施例中，第一金属层261第二金属层与263例如是以一般制程常用的导电金属，例如是铝、钼、或铝铌合金。实施例中，第一金属层261及第二金属层263的材质亦可以包括低熔点的金属或固溶金属，低熔点金属例如是锡。固溶金属例如是锡金合金、锡镍合金、锡锑合金、锡铅合金、锡铋合金、和/或锡铜合金，此些合金系以具一定比例的溶质原子溶入金属溶剂的晶格中所组成的合金相。两组元素在液态下互溶，两组元素于固态也相互溶解，且形成均匀一致的物质。一实施例中，锡铅合金例如包括原子比例为63%的锡和37%的铅，其熔点为183℃。实施例中，第三金属层265的材质例如是一有机与无机混合材料，有机材料部分为一般防水性胶材，例如是环氧树脂或硅氧化合物，无机材料部分例如是低熔点的金属或固溶金属，低熔点的金属例如是锡。固溶金属例如是锡金合金、锡镍合金、锡锑合金、锡铅合金、锡铋合金、和/或锡铜合金。

实施例中，金属围墙260的制作方法例如是将金属微粒含浸且均匀分散于初始材料(例如是胶材)中，组立后再经由热压、微波等制程促使金属微粒产生熔融而形成一连续介面，而达到形成有机无机多层阻隔结构的阻障层。实施例中，例如是以低于230°C的温度加热第一金属层261、第二金属层263及第三金属层265，例如是以小于2MPa的压力加压第一金属层261、第二金属层262及第三金属层265。一实施例中，例如是以180°C及1Mpa加热加压金属层261、263和265约10秒钟。然而，第一金属层261、第二金属层262及第三金属层263的加热、加压及其处理时间不限于上述所列条件，亦视应用情况做适当选用。实际上，只要能够在不影响已形成的元件的特性(加热温度太高可能会造成元件或软性基板损坏或是造成膜层剥离)、以及能够使金属层261、263和265融熔而形成具有连续壁的金属围墙260即可。

请参照图4D，更可设置集成电路元件310和软性排线320接合于第一软性基板110，软性排线320经由焊接垫330接合于第一软性基板110。

请参照图4E，更可形成封装胶340于第一软性基板110上。封装胶340涂布于第一软性基板110上后，接着可贴合第一功能性膜350于封装胶340上。第一功能性膜350除了具有阻水氧的效果，其厚度例如是约200~300微米，相对于第一软性基板110和第二软性基板130具有较高刚性，因此亦可以在后续移除硬质载板410之后对整个结构提供足够的支撑，使整个结构不至于弯折(bending)，并且易于后续其他制程的进行(例如是贴合第二功能性膜360)。

请参照图4F，更可移除硬质载板410。

接着，可贴合贴合第二功能性膜360于第二软性基板130的下。至此，形成如图4F(图3)所示的有机发光二极管显示装置300。

图5A至图5D绘示依照本发明的另一实施例的一种有机发光二极管显示装置的制造方法示意图。请同时参照图5A至图5D及图4D至图4F。

请参照图5A，提供硬质载板410，形成第一软性基板110于硬质载板410上。接着，分别设置第一阻障层120和第二阻障层140于第一软性基板上110和第二软性基板130上，以及设置有机发光二极管元件150于第一软性基板110上。接着，更可设置第三阻障层170、薄膜晶体管层193和/或彩色滤光片191。

请参照图5B，形成第一图案化金属层561于第一软性基板110上，以及形成第二图案化金属层563于第二软性基板130上。第一图案化金属层561的材质及第二图案化金属层563的材质系为相同。实施例中，形成第一图案化金属层561的材质及第二图案化金属层563之前，可在预定形成此两金属层的表面上制作微结构，使得最终形成的金属围墙(侧面的阻水氧结构)具有良好的阻水氧特性。

实施例中，第一图案化金属层561的材质及第二图案化金属层563例如是以开掩模(open mask)方式以喷镀(sputtering)制程形成。实施例中，第一图案化金属层561的材质及第二图案化金属层563的厚度例如是4~5微米。

请参照图5C，对组第一软性基板110与第二软性基板130，以及加热第一图案化金属层561及第二图案化金属层563以形成金属围墙160。金属围墙160接合第一软性基板110和第二软性基板130并围绕有机发光二极管元件150，因此可以密封有机发光二极管元件150于第一软性基板110和第二软性基板的130间。实施例中，对组基板之前，提供封装填料180包覆有机发光二极管元件150。

实施例中，例如是以局部加热方式仅加热第一图案化金属层561及第二图案化金属层563的区域，加热的同时亦加压该区域，例如在如图5C中所示的箭头R指向的区域加热及箭头R标示的方向加压。实施例中，第一图案化金属层561及第二图案化金属层563的材质系为相同，因此经过加热加压之后，图案化金属层561和563融熔而一体成型形成具有连续壁的金属围墙160，因此具有较致密的结构，而能具有较佳的阻水气及阻氧气的效果。实施例中，第一图案化金属层561及第二图案化金属层563的材质例如是低熔点的金属或固溶金属，低熔点金属例如是锡。固溶金属例如是锡金合金、锡镍合金、锡锑合金、锡铅合金、锡铋合金、和/或锡铜合金，此些合金系以具一定比例的溶质原子溶入金属溶剂的晶格中所组成的合金相。两组元素在液态下互溶，两组元素于固态也相互溶解，且形成均匀一致的物质。一实施例中，锡铅合金例如包括原子比例为63%的锡和37%的铅，其熔点为183℃。实施例中，例如以低于230℃的温度加热第一图案化金属层561及第二图案化金属层563，例如是以小于2Mpa的压力加压第一图案化金属层561及第二图案化金属层563。然而，图案化金属层561和563的加热及加压的条件不限于上述所列，亦视应用情况做适当选用。实际上，只要能够在不影响已形成的元件的特性(加热温度太高可能会造成元件或软性基板损坏或是造成膜层剥离)、以及能够使图案化金属层561和563融熔而形成具有一体成型的金属围墙160即可。

接着，如前述图4D~4F的实施例的方式设置集成电路元件310、软性排线320、焊接垫330、形成封装胶340、贴合第一功能性膜350、移除硬质载板410以及贴合第二功能性膜360。至此，形成如图5D所示的有机发光二极管显示装置400。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (19)

1.一种有机发光二极管显示装置，包括：

一第一软性(flexible)基板；

一第一阻障层(barrier)设置于该第一软性基板上；

一第二软性基板；

一第二阻障层设置于该第二软性基板上；

一有机发光二极管元件，设置于该第一阻障层和该第二阻障层之间；

一金属围墙(metal enclosing wall)，该金属围墙接合该第一软性基板和该第二软性基板，该金属围墙围绕该有机发光二极管元件；以及

一封装胶(encapsulating glue)，该封装胶包覆该第二软性基板及该金属围墙。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，该金属围墙接合于该第一软性基板的表面上以及该金属围墙接合于该第二软性基板的表面上分别具有一微结构。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，该金属围墙的材质包括锡(Sn)或一固溶金属，其中该固溶金属为锡金合金(SnAu)、锡镍合金(SnNi)、锡锑合金(SnSb)、锡铅合金(SnPb)、锡铋合金(SnBi)、锡铜合金(SnCu)或前述任两者的组合。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，该金属围墙还包括：

一第一金属层，接合于该第一软性基板；

一第二金属层，接合于该第二软性基板；以及

一第三金属层，形成于该第一金属层和该第二金属层之间，其中该第三金属层的材质与该第一金属层和该第二金属层的材质不同。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，该第一金属层与该第三金属层的介面(interface)上以及该第二金属层与该第三金属层的介面上分别具有一微结构。

6.如权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，该第一金属层的厚度及该第二金属层的厚度为300～1000纳米(nm)。

7.如权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，该第一金属层及该第二金属层的材质包括铝(Al)、钼(Mo)、铝铌合金(AlNb)、锡、或一固溶金属，其中该固溶金属为锡金合金、锡镍合金、锡锑合金、锡铅合金、锡铋合金、锡铜合金或前述任两者的组合。

8.如权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，该第三金属层的材质包括一有机与无机混合材料，该有机与无机混合材料包括一有机材料部分和一无机材料部分，其中该有机材料部分包括一防水性胶材，该无机材料部分包括锡或一固溶金属，其中该固溶金属系为锡金合金、锡镍合金、锡锑合金、锡铅合金、锡铋合金、锡铜合金或前述任两者的组合。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，还包括一第三阻障层包覆该有机发光二极管元件。

10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，还包括一封装填料(filler)充填于该金属围墙内并包覆该有机发光二极管元件。

11.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，还包括一集成电路元件(ICcomponent)和一软性排线(flexible cable)的至少其中之一接合(bond)于该第一软性基板。

12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，该封装胶还包覆该第一软性基板。

13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，还包括一第一功能性膜(functional film)粘合于该封装胶上，该第一功能性膜的厚度为200～300微米(μm)。

14.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，还包括一彩色滤光片设置于该第二软性基板和该有机发光二极管元件之间。

15.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，还包括一薄膜晶体管层设置于该第一软性基板和该有机发光二极管元件之间。

16.一种有机发光二极管显示装置的制造方法，包括：

提供一第一软性基板和一第二软性基板；

设置一第一阻障层于该第一软性基板上；

设置一第二阻障层于该第二软性基板上；

设置一有机发光二极管元件于该第一软性基板上；

分别形成一第一图案化金属层于该第一软性基板上以及一第二图案化金属层于该第二软性基板上，其中该第一图案化金属层的材质及该第二图案化金属层的材质为相同；

对组该第一软性基板与该第二软性基板；以及

加热该第一图案化金属层及该第二图案化金属层以形成一金属围墙，该金属围墙接合该第一软性基板和该第二软性基板，该金属围墙围绕该有机发光二极管元件；

以一封装胶包覆该第二软性基板及该金属围墙。

17.如权利要求16所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于，是以低于230℃的温度加热该第一图案化金属层及该第二图案化金属层。

18.一种有机发光二极管显示装置的制造方法，包括：

提供一第一软性基板和一第二软性基板；

设置一第一阻障层于该第一软性基板上；

设置一第二阻障层于该第二软性基板上；

设置一有机发光二极管元件于该第一软性基板上；

分别形成一第一金属层于该第一软性基板上以及一第二金属层于该第二软性基板上；

形成一第三金属层于该第一金属层和该第二金属层之间，其中该第三金属层的材质与该第一金属层和该第二金属层的材质不同；

提供一封装填料包覆该有机发光二极管元件；

对组该第一软性基板与该第二软性基板；以及

加热该第一金属层、该第二金属层及该第三金属层以形成一金属围墙，该金属围墙接合该第一软性基板和该第二软性基板，该金属围墙围绕该有机发光二极管元件；

以一封装胶包覆该第二软性基板及该金属围墙。

19.如权利要求18所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于，是以低于230℃的温度加热该第一金属层、该第二金属层及该第三金属层。