CN104409652B - 玻璃薄膜的制备方法、光电器件及其封装方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种玻璃薄膜的制备方法、光电器件及其封装方法、显示装置，该玻璃薄膜的制备方法包括：在衬底基板上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜；固化所述玻璃料薄膜；以及去除所述牺牲层之后，得到玻璃薄膜。该方法可以获得可独立存在的玻璃薄膜，并且所获得的玻璃薄膜有利于光电器件的窄边框设计。
Description
技术领域
本发明的至少一个实施例涉及一种玻璃薄膜的制备方法、光电器件及其封装方法、显示装置。
背景技术
近年来，有机电致发光显示器(OLED)装置作为一种新型的平板显示器逐渐受到关注。由于OLED装置具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，所以其有可能发展为代替液晶显示器的下一代显示技术。
OLED装置一般包括相互对置的两个电极，在这两个电极之间设置有机发光元件，有机发光元件在电流通过时可发光。由于有机发光元件的材料对水汽和氧气比较敏感，因而需要对OLED装置进行封装，以提高OLED装置的使用寿命。
发明内容
本发明的至少一个实施例提供了一种玻璃薄膜的制备方法、光电器件及其封装方法、显示装置，以实现可以独立存在的玻璃薄膜，并且该玻璃薄膜有利于光电器件的窄边框设计。
本发明的至少一个实施例提供了一种光电器件的封装方法，其包括：提供玻璃薄膜；将第一基板和第二基板相对设置，且将光电元件夹置在所述第一和第二基板之间；使所述玻璃薄膜与所述第一基板和第二基板的叠层的侧面形成密封结构，以将所述光电元件密封在所述第一基板和所述第二基板之间。
例如，所述玻璃薄膜的厚度可以大于0μm且小于等于10μm。
例如，在衬底基板上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜，固化所述玻璃料薄膜，以及去除所述牺牲层，得到玻璃薄膜。
例如，所述牺牲层可以采用金属制作。例如，所述制作牺牲层的金属可以为铝、镁、银或铜。例如，所述牺牲层的厚度可以为10nm～1000nm。例如，可以将所述牺牲层放入酸性溶液中进行溶解以去除所述牺牲层。
例如，可以将玻璃粉分散在溶剂和粘结剂中以形成玻璃浆料，将所述玻璃浆料涂覆在所述牺牲层上以形成所述玻璃料薄膜。
例如，所述玻璃粉可以为包括氧化铅、氧化硼和氧化硅的化合物，包括氧化锌、氧化硼和氧化硅的化合物，包括氧化铅、氧化硼、氧化硅和氧化铝的化合物，或者包括氧化铅、氧化锌、氧化硼和氧化硅的化合物。
例如，所述形成密封结构可以包括：将所述玻璃薄膜与所述第一基板和所述第二基板的侧面贴合；利用激光对所述玻璃薄膜进行照射，使所述玻璃薄膜分别与所述第一基板和所述第二基板的侧面熔接。
例如，上述光电器件的封装方法还可以包括：在所述第一基板和所述第二基板之间设置所述玻璃薄膜，使所述玻璃薄膜包围所述光电元件并分别与所述第一基板和所述第二基板的相对的表面熔接。
本发明的至少一个实施例还提供了一种光电器件，其包括相互对置的第一基板和第二基板、设置于所述第一基板和所述第二基板之间的光电元件，以及玻璃薄膜。所述玻璃薄膜设置于所述第一基板和所述第二基板的侧面并形成密封结构。
例如，在上述光电器件中，在所述第一基板和所述第二基板之间还可以设置有所述玻璃薄膜，所述玻璃薄膜包围所述光电元件并分别与所述第一基板和所述第二基板的相对的表面熔接。
例如，所述光电元件可以为OLED或太阳能电池。
本发明的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括上述光电器件。例如，所述光电元件为OLED元件。
本发明的至少一个实施例还提供了一种玻璃薄膜的制备方法，其包括：在衬底基板上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜；固化所述玻璃料薄膜；以及去除所述牺牲层之后，得到玻璃薄膜。
例如，所述牺牲层可以采用金属制作。例如，可以将所述牺牲层放入酸性溶液中进行溶解以去除所述牺牲层。
相比于直接在两个基板之间形成玻璃薄膜的方式，本发明实施例具有如下优点：
1、本发明实施例提供的玻璃薄膜可独立存在，因而其厚度和宽度的可控空间更大、图形的设计更灵活，其可以应用的领域更广泛；
2、将本发明实施例提供的玻璃薄膜应用于光电器件中，由于玻璃薄膜占据的空间较小，有利于实现窄边框设计；
3、在本发明实施例中，可以将玻璃薄膜的沿宽度方向的侧面或沿厚度方向的侧面与光电器件的两个基板相对应的侧面熔接，这进一步有利于实现窄边框设计；并且由于玻璃薄膜设置在光电器件的两个基板相对应的侧面，玻璃薄膜离光电元件较远，因此在对玻璃薄膜进行激光照射以使其与基板熔接时，激光对光电元件的损坏程度较小。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种OLED装置的封装结构示意图；
图2为本发明实施例提供的光电器件的封装方法的流程图；
图3为本发明实施例提供的玻璃薄膜的制备方法的流程图；
图4a至图4d为本发明实施例提供的玻璃薄膜的制备方法的各步骤的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的采用玻璃薄膜进行封装的光电器件的封装结构示意图。
附图标记说明：
1、10-第一基板；2、20-第二基板；3、30-光电元件；4、40-钝化层；5、50-玻璃薄膜；51-衬底基板；52-牺牲层；53-玻璃料薄膜。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
玻璃薄膜封装方法可应用于但不限于中小尺寸OLED装置的封装。但是，由于粉末状或块体状的玻璃材料无法得到具有稳定特性的薄膜体，因此对OLED装置进行封装的一种方法可如下进行。首先将玻璃粉(frit)分散在粘结剂中形成玻璃浆料，然后可以利用例如丝网印刷或涂覆的方式使玻璃浆料在基板的表面形成玻璃料薄膜，之后利用激光束直接加热该玻璃料薄膜并使其熔化，使得熔化的玻璃料薄膜形成分别与上下两基板熔接在一起的玻璃薄膜，该上下基板以及玻璃薄膜形成密封结构，将有机发光元件密封在其中，以防止外界的水汽、氧等造成的不利影响。
图1为一种OLED装置的封装结构示意图。如图1所示，第一基板1和第二基板2之间形成有光电元件3，光电元件3上设置有钝化层4；第一基板1和第二基板2分别与涂覆在例如第一基板1上的玻璃薄膜5密封连接。玻璃薄膜5为通过激光束对形成在第一基板1和第二基板2之间的玻璃料薄膜直接进行加热形成，并且该玻璃薄膜5包围光电元件3，通过其与第一基板1和第二基板2所形成的密封结构防止外界的水汽、氧气等进入OLED装置内部后对光电元件3造成损坏。
本申请的发明人注意到，通过丝网印刷直接制备在基板上的玻璃料薄膜的方式所形成的玻璃薄膜无法从基板上剥离，这在一定程度上限制了该玻璃薄膜的应用范围。并且，在采用丝网印刷方法将frit制备在一个基板上，并通过激光束熔接方法使其与这两个基板熔接在一起的方式所制得的产品中，虽然目前玻璃薄膜的宽度已经能够控制在600～800μm这个范围内，但对于制备窄边框或无边框的显示器件来说，仍然过大。此外，采用玻璃薄膜封装方法对OLED装置进行封装时，利用激光束熔化玻璃料薄膜的过程是在图1所示的第一基板1和第二基板2之间进行的，由于玻璃薄膜5比较靠近光电器件3，激光束会对光电器件3造成一定程度的损坏。
本发明的至少一个实施例提供了一种玻璃薄膜的制备方法、光电器件及其封装方法、显示装置，该玻璃薄膜的制备方法包括：在衬底基板上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜；固化所述玻璃料薄膜；以及去除所述牺牲层之后，得到玻璃薄膜。本发明实施例提供的玻璃薄膜的制备方法，通过在牺牲层上制备具有一定厚度、宽度和图案的玻璃料薄膜，然后经过固化步骤，之后将牺牲层去除，可以获得独立存在的玻璃薄膜。与所获得的玻璃薄膜不能从基板上分离的方法相比，本发明实施例提供的方法制备的玻璃薄膜可以应用的领域更广泛，并且有利于窄边框设计。
下面结合附图具体说明本发明实施例提供的玻璃薄膜的制备方法、光电器件及其封装方法、显示装置。
本发明的至少一个实施例提供的一种光电器件的封装方法，如图2所示，包括以下步骤S10至S30，下面逐一描述。
步骤S10：提供玻璃薄膜。
例如，所述玻璃薄膜可以通过在牺牲层上形成一层玻璃料薄膜，然后将玻璃料薄膜固化，之后将该牺牲层去除获得。也就是说，所述提供玻璃薄膜，如图3所示，可以包括以下步骤S101至S104。
步骤S101：在衬底基板上形成牺牲层。如图4a所示，在衬底基板51上形成牺牲层52。
在一个实施例中，牺牲层52可以采用金属制作。例如，可以采用铝、镁、银或铜等金属。衬底基板51可以为玻璃基板或石英基板。
在本发明实施例中，可以在衬底基板51的表面通过磁控溅射或真空蒸镀的方法制作一层金属薄膜作为牺牲层52。例如，该金属薄膜的厚度可以为10nm-1000nm，即牺牲层52采用金属制作时，其厚度可以根据所采用的金属设置在10nm-1000nm的范围内，这可以保证后续步骤中在牺牲层52上形成的玻璃料薄膜能够与衬底基板51顺利分离，同时，牺牲层52也可以比较容易地被去除。
此外，在衬底基板上形成牺牲层之前，根据需要还可以对衬底基板51进行清洗，然后将上述经过清洗的衬底基板51放置于烘箱中进行干燥处理以去除衬底基板51表面的水汽。对衬底基板进行清洗，可以使在衬底基板上形成的薄膜更好地展开，从而使形成的薄膜的平整度更好。
步骤S102：在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜。如图4b所示，在步骤S102中得到的牺牲层52上形成玻璃料薄膜53。
例如，可以采用玻璃粉制作玻璃料薄膜53。在至少一个实施例中，可以采用本领域技术人员常用的用于制备玻璃薄膜的玻璃粉，例如，玻璃粉可以为包括氧化铅、氧化硼和氧化硅的化合物(PbO-B2O3-SiO2)，包括氧化锌、氧化硼和氧化硅的化合物(ZnO-B2O3-SiO2)，包括氧化铅、氧化硼、氧化硅和氧化铝的化合物(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3)，或者包括氧化铅、氧化锌、氧化硼和氧化硅的化合物(PbO-ZnO-B2O3-SiO2)。本发明实施例不做限定。
在一个实施例中，可以将玻璃粉分散在溶剂和粘结剂中以形成玻璃浆料，将玻璃浆料利用例如丝网印刷或涂覆的方式涂覆在牺牲层上以形成玻璃料薄膜，并通过调整丝网印刷或涂覆工艺的参数使所述玻璃料薄膜具有设定的厚度、宽度和图形。在至少一个实施例中，玻璃料薄膜的厚度可以为大于0μm且小于等于10μm，优选为1～10μm，例如1μm、3μm、5μm、7μm、8μm、9μm等；玻璃薄膜的宽度最小可达到微米级别。当然，玻璃料薄膜的厚度还可以大于10μm。所述溶剂和粘结剂均可以采用本领域技术人员所知的有机材料，本发明实施例不做限定。
步骤S103：固化所述玻璃料薄膜。
例如，将步骤S102中得到的玻璃料薄膜53放入氮气氛围的烘箱中进行加热，例如加热温度为300-500℃；玻璃料薄膜53中的有机材料(溶剂和粘结剂)在加热过程中被去除，从而使玻璃料薄膜53固化。
步骤S104：去除所述牺牲层。
如图4c所示，牺牲层52被去除，使得玻璃料薄膜53可以从衬底基板51上分离。分离后的玻璃料薄膜53可以经过清洗、烘干等处理之后形成如图4d所示的可以独立存在的玻璃薄膜50。例如，所得到的玻璃薄膜50的厚度可以大于0μm且小于等于10μm，优选为1～10μm，例如1μm、3μm、5μm、7μm、8μm、9μm等；玻璃薄膜的宽度最小可达微米级别。玻璃薄膜的厚度、宽度和图形可以在上述的制作玻璃料薄膜的过程中通过调整丝网印刷或涂覆工艺的参数实现。当然，玻璃薄膜的厚度还可以大于10μm，本发明实施例不做限定。
在本发明实施例中，可以采用化学溶蚀的方法溶解牺牲层52。例如，可以将步骤S103中得到的形成有玻璃料薄膜53和牺牲层52的衬底基板51放入可以溶解牺牲层52的溶液中并在一定温度下浸泡一段时间，当牺牲层52被完全溶解后，可以将玻璃料薄膜53从所述溶液中取出，然后进行清洗、烘干，得到玻璃薄膜50。
由于牺牲层可以采用金属制作，因此，在一个实施例中，可以利用能够溶解该金属的酸性溶液去除该牺牲层，即将牺牲层放入酸性溶液中进行溶解以去除所述牺牲层。例如，牺牲层采用镁、铝等金属时，酸性溶液可以为盐酸；例如，牺牲层采用银、铜等金属时，酸性溶液可以为硝酸溶液。
需要注意的是，在本发明实施例中，玻璃料薄膜53形成在牺牲层52上，在步骤S103中对玻璃料薄膜53进行加热固化时，牺牲层52也被加热，因此，牺牲层52需要满足能够耐受玻璃料薄膜53固化过程中所需的温度这一要求。此外，在步骤S104中，形成有玻璃料薄膜53和牺牲层52的衬底基板51被放入溶液中浸泡以去除牺牲层52，在此过程中，要求所述溶液既能去除牺牲层52，又不会损坏玻璃料薄膜53。因此，优选牺牲层能够耐受玻璃料薄膜53的固化温度，能够被去除以分离玻璃薄膜，且在被去除的过程中不会对经固化的玻璃料薄膜造成损坏。例如，本发明至少一个实施例中的牺牲层采用金属制作。但本发明实施例并不限于此，任何满足上述要求的其他材料也可用于制作本发明实施例中所述的牺牲层。
下面接着描述图2所示的实施例的方法的步骤S20和S30。
步骤S20：将第一基板和第二基板相对设置，且将光电元件夹置在所述第一和第二基板之间。
例如，如图5所示，第一基板10上可以形成有光电元件30和其他功能层或结构层；第二基板20可以为在其内侧贴附有干燥剂的玻璃盖板；然后将第一基板10的形成有光电元件30的一侧与第二基板20的贴附有干燥剂的一侧相互对置，使第一基板10和第二基板20贴合在一起。
如图5所示，光电元件30上还可以设置有钝化层40，以保护光电元件30。例如，钝化层40可以为采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，PECVD)或其它工艺依次形成的氮化硅薄膜和氧化硅薄膜的复合膜。
步骤S30：使所述玻璃薄膜与所述第一基板和第二基板的叠层的侧面形成密封结构，以将所述光电元件密封在所述第一基板和所述第二基板之间。
例如，如图5所示，第一基板10和第二基板20上下堆叠在一起，将玻璃薄膜50与第一基板10和第二基板20的叠层的侧面贴合，此时玻璃薄膜50为扁平的长条状，例如，其表面贴附在第一基板10和第二基板20的侧面上，厚度方向与第一基板10和第二基板20的侧面垂直，同时长度方向与第一基板10和第二基板20的侧面的长度方向相同；利用激光对玻璃薄膜50进行照射，使玻璃薄膜50分别与第一基板10和第二基板20的侧面熔接。当然，还可以利用其他外力(例如磁力或机械重物压力)实现将玻璃薄膜50分别与第一基板10和第二基板20的相对应的侧面连接以形成密封结构。本发明实施例不做限定。
此外，在形成所述密封结构之前，本发明实施例提供的光电器件的封装方法还可以采用如图1所示的封装方式，即在至少一个实施例中，还可以将步骤S10中制得的玻璃薄膜设置于第一基板和第二基板之间，使该玻璃薄膜包围光电元件并分别与第一基板和第二基板的相对的表面熔接。这种封装结构结合后续在第一基板和第二基板的侧面设置的玻璃薄膜，可以形成双重密封结构，这样能够实现更好的封装效果。
在图1所示的通过激光束直接熔化两个基板之间的玻璃料薄膜并使其与这两个基板熔接在一起的方式形成的光电器件中，玻璃薄膜的宽度为600～800μm，相比之下，本发明实施例采用可独立存在的玻璃薄膜对光电器件进行封装，该玻璃薄膜的厚度可以大于0μm且小于等于10μm，其宽度最小可达到微米级别，因而本发明实施例中的玻璃薄膜占据的空间较小，有利于实现光电器件的窄边框设计。在本发明实施例的光电器件中，可以将独立存在的玻璃薄膜设置于两个基板的叠层的侧面上，而图1所示的光电器件中，通过激光束直接熔化玻璃料薄膜的方式形成的玻璃薄膜不能设置于两个基板的叠层的侧面上；相比于玻璃薄膜水平设置于两个基板之间的方式，将玻璃薄膜设置于两个基板的叠层的侧面上的方式，可以实现将玻璃薄膜的沿宽度方向的侧面或沿厚度方向的侧面与光电器件的两个基板相对应的侧面熔接，这可以进一步有利于光电器件的窄边框设计。此外，在本发明实施例中，玻璃薄膜设置于两个基板的叠层的侧面上，与将玻璃设置于两个基板之间的方式相比，玻璃薄膜离光电元件较远，对玻璃薄膜进行激光照射时，激光对光电元件的损坏程度较小。
本发明的至少一个实施例还提供了一种光电器件，如图5所示，该光电器件包括相互对置的第一基板10和第二基板20、设置于第一基板10和第二基板20之间的光电元件30，以及玻璃薄膜50。玻璃薄膜50设置于第一基板10和第二基板20的侧面并与第一基板10和第二基板20形成密封结构。
例如，所述光电元件可以为OLED、太阳能电池、或其他光电系统。
在一个实施例中，另一玻璃薄膜还可以设置于第一基板10和第二基板20之间并包围所述光电元件，该玻璃薄膜分别与第一基板10和第二基板20的相对的表面熔接以形成另一密封结构。这样，结合在第一基板和第二基板的侧面设置的玻璃薄膜，可以形成双重密封结构，能够实现更好的封装效果。
本发明实施例提供的光电器件的实施方式，可以参见上述光电器件的封装方法的实施例，重复之处不再赘述。
本发明的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任一项所述的光电器件。例如，所述光电元件为OLED元件。该显示装置例如可以为：OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例提供的显示装置的实施方式可以参见上述光电器件的实施例，重复之处不再赘述。
本发明的至少一个实施例还提供了一种玻璃薄膜的制备方法，该方法包括：在衬底基板上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜；固化所述玻璃料薄膜；以及去除所述牺牲层之后，得到玻璃薄膜。
在一个实施例中，所述牺牲层采用金属制作，例如通过溅射、真空蒸镀等方法制作。在一个实施例中，将所述牺牲层放入酸性溶液中进行溶解以去除所述牺牲层。
该玻璃薄膜的制备方法的实施方式，可以参见上述光电器件的封装方法的实施例，重复之处不再赘述。
在本发明实施例中，玻璃粉与溶剂和粘结剂混合后所得到的玻璃浆料可以通过丝网印刷或涂覆的方式涂覆在形成有牺牲层的衬底基板上，得到玻璃料薄膜，通过调整丝网印刷或涂覆工艺的参数可以使玻璃料薄膜经过固化和除去牺牲层处理后形成的玻璃薄膜的厚度大于0μm且小于等于10μm，宽度最小可达到微米级别，并且可以形成设定的图形。相比于在基板上直接对玻璃料薄膜进行激光束处理形成的玻璃薄膜，本发明实施例提供的玻璃薄膜可单独存在，并且其厚度和宽度的可控空间更大、图形的设计更灵活，因此，其可以应用的领域更广泛。例如，可以将该玻璃薄膜设置于光电器件的两个基板相对应的侧面上，尤其是可以将玻璃薄膜的沿宽度方向的侧面或沿厚度方向的侧面与光电器件的两个基板相对应的侧面熔接。
综上所述，本发明实施例通过化学溶蚀牺牲层的方法将制备在其上的玻璃料薄膜剥离之后形成可以独立存在的玻璃薄膜，该玻璃薄膜的厚度可以大于0μm且小于等于10μm，其宽度和图形可通过调整丝网印刷或涂覆工艺的参数进行设计，并且将其应用于光电器件的封装中，可达到良好的封装效果。相比于直接在两个基板之间形成玻璃薄膜的方式，本发明实施例具有如下优点：
1、本发明实施例提供的玻璃薄膜可以独立存在，因而其厚度和宽度的可控空间更大、图形的设计更灵活，其可以应用的领域更广泛；
2、将本发明实施例提供的玻璃薄膜应用于光电器件中，由于玻璃薄膜占据的空间较小，有利于实现窄边框设计；
3、在本发明实施例中，可以将玻璃薄膜的沿宽度方向的侧面或沿厚度方向的侧面与光电器件的两个基板相对应的侧面熔接，这进一步有利于实现窄边框设计；并且由于玻璃薄膜设置在光电器件的两个基板相对应的侧面，玻璃薄膜离光电元件较远，因此在对玻璃薄膜进行激光照射以使其与基板熔接时，激光对光电元件的损坏程度较小。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (16)
1.一种光电器件的封装方法，包括：
提供玻璃薄膜，其中，在衬底基板上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜，固化所述玻璃料薄膜，以及将所述牺牲层放入酸性溶液中进行溶解以去除所述牺牲层，得到所述玻璃薄膜；
将第一基板和第二基板相对设置，且将光电元件夹置在所述第一和第二基板之间；
使所述玻璃薄膜与所述第一基板和第二基板的叠层的侧面形成密封结构，以将所述光电元件密封在所述第一基板和所述第二基板之间。
2.如权利要求1所述的封装方法，其中，所述牺牲层采用金属制作。
3.如权利要求1所述的封装方法，其中，所述玻璃薄膜的厚度大于0μm且小于等于10μm。
4.如权利要求1所述的封装方法，其中，将玻璃粉分散在溶剂和粘结剂中以形成玻璃浆料，将所述玻璃浆料涂覆在所述牺牲层上以形成所述玻璃料薄膜。
5.如权利要求4所述的封装方法，其中，所述玻璃粉为包括氧化铅、氧化硼和氧化硅的化合物，包括氧化锌、氧化硼和氧化硅的化合物，包括氧化铅、氧化硼、氧化硅和氧化铝的化合物，或者包括氧化铅、氧化锌、氧化硼和氧化硅的化合物。
6.如权利要求2所述的封装方法，其中，所述制作牺牲层的金属为铝、镁、银或铜。
7.如权利要求2所述的封装方法，其中，所述牺牲层的厚度为10nm～1000nm。
8.如权利要求1所述的封装方法，其中，所述形成密封结构包括：
将所述玻璃薄膜与所述第一基板和所述第二基板的侧面贴合；
利用激光对所述玻璃薄膜进行照射，使所述玻璃薄膜分别与所述第一基板和所述第二基板的侧面熔接。
9.如权利要求1-8任一所述的封装方法，还包括：
在所述第一基板和所述第二基板之间设置所述玻璃薄膜，使所述玻璃薄膜包围所述光电元件并分别与所述第一基板和所述第二基板的相对的表面熔接。
10.一种光电器件，包括：相互对置的第一基板和第二基板、设置于所述第一基板和所述第二基板之间的光电元件，以及玻璃薄膜，其中，
所述玻璃薄膜设置于所述第一基板和所述第二基板的侧面，所述玻璃薄膜与所述第一基板和所述第二基板形成密封结构；
所述玻璃薄膜通过在衬底基板上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜，固化所述玻璃料薄膜，以及将所述牺牲层放入酸性溶液中进行溶解以去除所述牺牲层得到。
11.如权利要求10所述的光电器件，其中，在所述第一基板和所述第二基板之间还设置有所述玻璃薄膜，所述玻璃薄膜包围所述光电元件并分别与所述第一基板和所述第二基板的相对的表面熔接。
12.如权利要求10或11所述的光电器件，其中，所述光电元件为OLED或太阳能电池。
13.一种显示装置，包括如权利要求10-12任一所述的光电器件。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，所述光电元件为OLED元件。
15.一种用于封装光电器件的玻璃薄膜的制备方法，包括：
在衬底基板上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成玻璃料薄膜；
固化所述玻璃料薄膜；以及
将所述牺牲层放入酸性溶液中进行溶解以去除所述牺牲层，得到玻璃薄膜。
16.如权利要求15所述的制备方法，其中，所述牺牲层采用金属制作。
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