KR20230167911A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230167911A
KR20230167911A KR1020220068148A KR20220068148A KR20230167911A KR 20230167911 A KR20230167911 A KR 20230167911A KR 1020220068148 A KR1020220068148 A KR 1020220068148A KR 20220068148 A KR20220068148 A KR 20220068148A KR 20230167911 A KR20230167911 A KR 20230167911A
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봉준호
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 명세서의 실시예에 따르면 기판의 벤딩 영역에서 신호 배선들의 균열 및 단선이 방지될 수 있는 표시 장치가 제공된다. 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소들을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸며 벤딩 영역을 갖는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 벤딩 영역에 배치된 복수의 신호 배선들, 및 기판 상에서 벤딩 영역 밖의 비표시 영역에 배치되며 복수의 신호 배선들의 적어도 일부와 교차하는 적어도 하나의 더미 배선을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 명세서는 표시 장치에 관한 것이다. 구체적으로, 기판의 벤딩 영역에서 신호 배선들의 균열 및 단선이 방지될 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 시대에 발맞추어 여러 가지 다양한 평판형 표시 장치(Display Apparatus)가 개발되고 있다. 이와 같은 평판형 표시 장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Apparatus: LCD), 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Apparatus: OLED), 양자점 표시 장치(Quantum Dot Display Apparatus)등이 있다.
평판형 표시 장치가 다양하게 활용됨에 따라 사용자들에게 몰입감 및 심미감을 제공하기 위하여 사용자에게 시인되는 비표시 영역의 면적을 줄이는 다양한 설계가 이루어지고 있다.
최근 플렉서블 기판을 이용한 표시 장치가 개발되고 있는 데, 플렉서블 기판의 비표시 영역의 적어도 일부분을 접거나 구부려서 영상이 표시되는 표시 영역의 배면에 위치시킴으로써, 비표시 영역의 면적을 줄이는 시도들이 있다.
　그러나, 플렉서블 기판의 접히거나 구부려진 영역, 즉 벤딩 영역에 가해지는 응력이 벤딩 영역에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들(micro cracks)을 발생시킬 수 있다. 그리고, 표시 장치의 제조 공정 중 제거되지 않은 이온들이 플렉서블 기판 상에 잔존할 수 있다.
표시 장치의 구동 중에 신호 배선들에 발생하는 전기장으로 인해 잔존하는 이온들이 플렉서블 기판의 벤딩 영역에 위치하는 특정 신호 배선들에 집중될 수 있다. 이처럼 특정 신호 배선들에 집중된 이온들이 미세한 균열들에 의해 노출된 신호 배선들의 취약부분에서 화학 반응을 일으키고, 결국에는 신호 배선들의 균열 및 단선을 유발할 수 있다.
균열이 생기거나 단락된 신호 배선을 통해서는 정확한 신호가 전달되지 못하므로, 표시 영역의 구동 등에 문제가 발생하고 영상 품질이 크게 저하될 수 있다. 따라서, 표시 장치의 플렉서블 기판의 벤딩 영역에서 신호 배선들의 균열 및 단선을 막기 위한 해결책이 필요하다.
이에 본 명세서의 발명자들은 표시 장치의 제조 공정 중에 제거되지 않고 잔존하는 이온들을 플렉서블 기판의 벤딩 영역으로부터 제거할 수 있는 표시 장치를 발명하였다.
본 명세서의 실시예에 따른 해결 과제는 기판의 벤딩 영역에 배치된 신호 배선들의 균열 및 단선이 방지될 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 명세서의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소들을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸며 벤딩 영역을 갖는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 벤딩 영역에 배치된 복수의 신호 배선들, 및 기판 상에서 벤딩 영역 밖의 비표시 영역에 배치되며 복수의 신호 배선들의 적어도 일부와 교차하는 적어도 하나의 더미 배선을 포함한다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역의 구동을 위해 기판의 비표시 영역을 지나는 복수의 신호 배선들, 및 기판의 비표시 영역에서 복수의 신호 배선들과 교차하는 적어도 하나의 더미 배선을 포함한다.
적어도 하나의 더미 배선에는 복수의 서브 화소들의 구동과 무관한, 또는 표시 영역의 구동과 무관하면서, 표시 영역의 구동 시에 복수의 신호 배선들에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가될 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 명세서의 실시예들에 따르면, 비표시 영역의 신호 배선들과 교차하도록 기판의 벤딩 영역에 인접하게 적어도 하나의 더미 배선을 배치하고 적어도 하나의 더미 배선에 특정 전압을 인가함으로써, 표시 장치의 제조 공정 중에 제거되지 않고 잔존하는 이온들을 기판의 벤딩 영역으로부터 제거할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 기판의 벤딩 영역에 배치된 신호 배선들의 균열 및 단선이 방지될 수 있다.
본 명세서의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 R 영역을 확대하여 나타낸 것이다.
도 4는 도 3의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도이다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 R 영역을 확대하여 나타낸 것이다.
도 7은 도 6의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도이다.
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도로서, 도 3의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도의 일 실시예이다.
도 9는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도로서, 도 3의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도의 다른 실시예이다.
도 10은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도로서, 도 3의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도의 또 다른 실시예이다.
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도로서, 도 2의 R 영역을 확대한 확대도의 일 실시예이다.
도 12는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도로서, 도 2의 R 영역을 확대한 확대도의 다른 실시예이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들면, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
비록, 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 통상의 기술자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 따른 실시예들에 따른 표시 장치들을 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다. 도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 1은 표시 장치(100)의 기판(110)의 일부분이 접히거나 구부려진 상태를 도시하며, 도 2는 설명의 편이를 위해 표시 장치(100)의 기판(110)이 펼쳐진 상태를 예를 들어 도시하고 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110) 위에 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)의 주위에 배치된 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다. 기판(110)은 플렉서블 기판이고, 플렉서블 기판의 일부분이 접히거나 구부려짐에 의해 곡률을 가진 영역인 벤딩 영역(BA)이 비표시 영역(NA )에 형성될 수 있다.
기판(110)의 표시 영역(AA)은 복수의 서브 화소들이 배치되어 영상이 표시되는 영역이다. 복수의 서브 화소들 각각은 빛을 발광하는 개별 단위로, 각 서브 화소는, 예를 들면, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소들 각각에는 영상을 표시하기 위한 발광 소자와 발광 소자를 구동하기 위한 회로부가 배치될 수 있다. 회로부는 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 적어도 하나의 캐패시터 등을 포함할 수 있다. 발광 소자는 예를 들어, 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode)일 수 있다.
기판(110)의 비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 서브 화소들을 구동하기 위한 구동 회로 및 다양한 배선들이 배치되는 영역이다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)에는 게이트 구동회로(135) 등의 구동 회로와, 스캔라인들(130) 및 신호 배선들(120) 등의 배선들이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NA)에는 데이터 구동회로가 더 배치될 수 있다. 게이트 구동회로(135)는 플렉서블 기판(110) 상에 직접 배치되어 GIP(Gate driver-In-Panel) 형태로 배치될 수 있다. 비표시 영역(NA)은 베젤 영역일 수 있으며, 용어에 한정되는 것은 아니다.
비표시 영역(NA)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)의 가장자리를 둘러싸는 영역일 수 있다. 도 1 및 도 2에서 비표시 영역(NA)이 사각형 형태의 표시 영역(AA)을 둘러싸고 있는 것으로 도시하였으나, 표시 영역(AA)의 형태 및 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)의 형태 및 배치는 도 1 및 도 2에 도시된 예에 한정되지 않는다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)은 표시 장치(100)가 탑재되는 전자 장치의 디자인에 적합한 형태를 가질 수 있다. 표시 영역(AA)의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
비표시 영역(NA)의 일측에는 패드들(190)을 포함하는 패드부(PA)가 배치될 수 있고, 패드부(PA)에는 외부 모듈이 결합될 수 있다. 외부 모듈은, 예를 들면, 타이밍 컨트롤러 및 전원 관리 IC 등이 실장된 FPCB(flexible printed circuit board) 또는 데이터 드라이버가 실장된 COF(chip on film) 등일 수 있다. 패드부(PA)는 기판(110)의 일측에 배치되는 것으로 도시되었으나, 패드부(PA)의 형태 및 배치는 이에 한정되지 않는다.
벤딩 영역(BA)은 비표시 영역(NA)의 일부분으로서, 예를 들어, 표시 영역(AA)과 비표시 영역(NA)에 위치한 패드들(190) 사이에 마련될 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 패드부(PA)에 결합된 외부 모듈을 기판(110) 배면 측에 배치하기 위하여 기판(110)의 비표시 영역(NA)이 화살표와 같이 벤딩 방향으로 구부러짐에 따라 형성된 곡률을 갖는 비표시 영역(NA)의 일부 영역이다.
기판(110)의 비표시 영역(NA)이 구부러짐에 따라 기판(110)의 패드부(PA)에 결합된 외부 모듈이 기판(110) 배면 측으로 이동하게 되면, 기판(110) 상부에서 바라보았을 때 외부 모듈이 시인되지 않을 수 있고, 기판(110) 상부에서 바라보았을 때 시인되는 비표시 영역(NA)의 크기가 감소되어 내로우 베젤(narrow bezel)이 구현될 수 있다.
표시 영역(AA) 및 게이트 드라이버(135) 등에 연결되는 복수의 신호 배선들(120)은 비표시 영역(NA)의 벤딩 영역(BA)을 지나 패드들(190)에 연결될 수 있다. 벤딩 영역(BA)을 지나가는 복수의 신호 배선들(120)은 복수의 데이터 링크 라인, 고전위 게이트 전압 배선, 저전위 게이트 전압 배선, 클럭 배선들, 스타트 배선, 구동 전압 배선, 기저 전압 배선 및 초기화 전압 배선 등을 포함할 수 있다.
표시 장치(100)는 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 배치되며 복수의 신호 배선들(120)과 교차하는 적어도 하나의 더미 배선(122)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 더미 배선(122)은 복수의 신호 배선들(120)의 적어도 일부와 교차하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 더미 배선(122)은 복수의 신호 배선들(120) 모두와 교차하도록 배치될 수 있다. 적어도 하나의 더미 배선(122)은 복수의 신호 배선들(120) 모두와 교차하도록 배치될 수 있다.
예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 더미 배선(122)은 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 이와 달리, 적어도 하나의 더미 배선(122)은 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 벤딩 영역(BA)의 제1 경계는 표시 영역(AA)에 인접한 경계를 지칭하고, 벤딩 영역(BA)의 제2 경계는 패드부(PA)에 인접한 경계를 지칭할 수 있다. 2개 이상의 더미 배선들(122)이 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 또한, 2개 이상의 더미 배선들(122)이 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치될 수 있다.
적어도 하나의 더미 배선(122)에는 표시 영역(AA)의 구동과 무관한, 구체적으로 복수의 서브 화소들의 구동과 무관한 전압이 인가될 수 있다. 적어도 하나의 더미 배선(122)에는 표시 영역(AA)의 구동 시에, 구체적으로 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가될 수 있다.
표시 장치(100)는 적어도 하나의 더미 배선(122)에 상술한 바와 같은 전압을 인가하기 위해 적어도 하나의 더미 배선(122)에 연결되는 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)을 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)은 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 더미 배선(122)의 일단에 연결되는 제1 연결 배선(124) 및 적어도 하나의 더미 배선(122)의 타단에 연결되는 제2 연결 배선(125)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 연결 배선들(124, 125)은 패드부(PA)의 패드들(190)에 각각 연결될 수 있다. 제1 연결 배선(124) 또는 제2 연결 배선(125) 중 어느 하나가 생략될 수 있고, 제1 연결 배선(124)과 제2 연결 배선(125) 사이의 위치에 제3 연결 배선이 추가될 수 있다.
기판(110)의 벤딩 영역(BA)에 가해지는 벤딩 응력은 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들(120)에 미세한 균열들(micro cracks)을 발생시킬 수 있고, 표시 장치(100)의 제조 공정 중 제거되지 않은 이온들이 기판(110) 상에 잔존할 수 있다. 표시 장치(100)의 구동 중에 신호 배선들에 발생하는 전기장으로 인해 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들이 벤딩 영역(BA)의 특정 신호 배선들에 집중되고, 미세한 균열들에 의해 노출된 특정 신호 배선들의 취약부분에서 화학 반응을 일으켜, 결국에는 특정 신호 배선들의 균열 및 단선을 유발할 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 신호 배선들(120)과 교차하는 적어도 하나의 더미 배선(122)을 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 배치시키고, 적어도 하나의 더미 배선(122)에 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되도록 함으로써, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 예를 들어, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들이 양이온인 경우에는 최대 전압보다 더 높은 전압을 더미 배선(122)에 인가함으로써, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이와 달리, 예를 들어, 잔존하는 이온들이 음이온인 경우에는 최소 전압보다 더 낮은 전압을 더미 배선(122)에 인가함으로써, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이처럼, 본 명세서의 일 실시예에서는 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어낼 수 있고, 따라서, 응력 등에 의해 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들이 생긴다고 하더라도, 이러한 미세한 균열들이 신호 배선들의 균열 및 단선으로 악화되는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 도 2의 R 영역을 확대하여 나타낸 것이다. 도 4는 도 3의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도이다.
기판(110) 상에는 버퍼층(161)이 형성될 수 있다. 기판(110)은 플렉서블(flexible) 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)은 플렉시블 기판으로 지칭될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 폴리이미드(Polyimide; PI)로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 폴리이미드(Polyimide)로 이루어지는 경우, 수분이 기판(110)을 통해 박막 트랜지스터 또는 발광 소자층까지 침투하여 표시 장치의 성능을 저하시킬 수 있다. 투습에 의한 표시 장치의 성능이 저하되는 것을 방지하기 위해 기판(110)은 2개 이상의 폴리이미드(Polyimide) 막들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 2개의 폴리이미드(Polyimide) 막들 사이에 무기막을 배치함으로써, 수분이 폴리이미드(Polyimide)에 침투하는 것을 차단하여 표시 장치의 성능 신뢰성을 향상시킬 수가 있다. 무기막은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물의 단일층 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
버퍼층(161)은 기판(110)을 통한 수분 또는 불순물의 침투를 방지할 수 있다. 다만, 버퍼층(161)은 기판(110)의 종류나 사용되는 박막 트랜지스터(140)의 종류에 따라 생략될 수 있다. 버퍼층(161)은 예를 들어, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단일층 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 기판(110)의 비표시 영역(NA)의 연성을 확보하고자, 버퍼층(161)이 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 형성되지 않을 수도 있다.
기판(110)의 표시 영역(AA) 상에는 액티브층(141)이 형성될 수 있다. 버퍼층(161)이 형성되지 않는 경우, 액티브층(141)은 기판(110) 상에 바로 형성될 수 있다. 액티브층(141)은 채널이 형성되는 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 액티브층(141)은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.
액티브층(141) 상에는 게이트 절연층(145)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(145)은 액티브층(141)과 게이트 전극(142)을 절연시킨다. 게이트 절연층(145)은 예를 들어, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단일층 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 게이트 절연층(145)은 액티브층(141)을 포함하는 기판(110)의 표시 영역(AA) 전체에 걸쳐 형성될 수 있으나, 게이트 절연층(145)은 액티브층(141) 상에만 형성될 수도 있다. 또한, 게이트 절연층(145)은 기판(110)의 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA) 모두에 형성될 수도 있다.
게이트 절연층(145) 상에는 게이트 전극(142)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(142)은 표시 영역(AA)에서 액티브층(141)과 적어도 일부가 중첩되고, 특히, 액티브층(141)의 채널 영역과 중첩된다. 게이트 전극(142)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금의 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
게이트 전극(142) 상에 층간 절연막(146)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(146)은 예를 들어, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단일층 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 층간 절연막(146)은 기판(110)의 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 또한, 층간 절연막(146)은 기판(110)의 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA) 모두에 형성될 수도 있다.
층간 절연막(146) 상에는 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)이 형성될 수 있다. 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144) 각각은 층간 절연막(146) 및 게이트 절연층(145)에 형성된 컨택홀을 통해 액티브층(141)의 소스 영역 및 드레인 영역 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금의 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
소스 전극(143) 및 드레인 전극(144) 상에 제1 패시베이션막(162)이 형성될 수 있다. 제1 패시베이션막(162)은 소스 전극(143) 또는 드레인 전극(144)을 노출시키는 컨택홀을 갖도록 형성될 수 있다. 제1 패시베이션막(162)은 보호층으로서, 예를 들어, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단일층 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 패시베이션막(162)은 기판(110)의 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 또한, 패시베이션막(162)은 기판(110)의 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA) 모두에 형성되거나, 생략될 수도 있다.
소스 전극(143) 및 드레인 전극(144) 상에 제2 패시베이션막(163)이 형성될 수 있다. 제2 패시베이션막(163)은 보호층으로서, 예를 들어, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단일층 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제2 패시베이션막(163)은 기판(110)의 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA) 모두에 형성될 수 있다.
제2 패시베이션막(163) 상에는 연결 전극(167)이 형성될 수 있고, 연결 전극(167)은 제2 패시베이션막(163)의 관통홀을 통해 소스 전극(143)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 패시베이션막(163) 및 연결 전극(167) 상에 오버 코팅층(164)이 형성될 수 있다. 오버 코팅층(164)은 평탄화막으로도 지칭될 수 있다. 또한, 오버 코팅층(164)은 연결 전극(167)을 노출시키는 컨택홀을 갖도록 형성될 수 있다. 오버 코팅층(164)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly-phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly-phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
박막 트랜지스터(140)는 액티브층(141), 게이트 절연층(145), 게이트 전극(142), 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)을 포함한다. 박막 트랜지스터(140)는 기판(110) 상에서 표시 영역(AA)의 각각의 서브 화소마다 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(140)는 유기 발광 소자(150)를 발광시킬 수 있다. 본 명세서에서는 설명의 편의를 위해 각각의 서브 화소에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터들 중 구동 박막 트랜지스터(140)만을 도시하였다. 본 명세서에서는 설명의 편의를 위해 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(140)를 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다.
기판(110) 상에는 애노드(151), 유기 발광층(154) 및 캐소드(155)를 포함하는 유기 발광 소자(150)가 형성될 수 있다. 오버 코팅층(164) 상에 애노드(151)가 형성된다. 애노드(151)는 양극, 화소 전극 또는 제1 전극으로도 지칭될 수 있다. 애노드(151)는 표시 영역(AA)의 각각의 서브 화소 별로 분리되어 형성될 수 있다.
애노드(151)는 오버 코팅층(164)에 형성된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(140)의 소스 전극(143)과 연결될 수 있다. 본 명세서에서는 박막 트랜지스터(140)가 N형(N-type) 박막 트랜지스터인 경우를 가정하여, 애노드(151)가 소스 전극(143)과 연결되는 것으로 설명하였으나, 박막 트랜지스터(140)가 P형(P-type) 박막 트랜지스터인 경우에는 애노드(151)가 드레인 전극(144)에 연결될 수도 있다.
애노드(151)는 투명 도전층(153)을 포함할 수 있고, 투명 도전층(153)은 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide; TCO) 로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide), 주석 산화물(Tin Oxide) 로 형성될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 표시 장치인 경우, 애노드(151)는 투명 도전층(153) 하부에 형성되는 반사층(152)을 포함할 수 있다. 반사층(152)은 반사율이 우수한 도전층으로 형성되고, 예를 들어, 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등으로 형성될 수 있다. 표시 장치(100)가 바텀 에미션 방식의 표시 장치인 경우, 애노드(151)는 투명 도전성 물질로만 형성되거나, 마이크로 캐비티(micro-cavity)를 구현하기 위해 투명 도전성 물질과 함께 투명 도전성 물질 하부에 위치하는 반투과 금속층으로 형성될 수도 있다. 도 4에서는 투명 도전층(153)이 소스 전극(143)과 전기적으로 연결되는 것으로 도시되었으나, 오버 코팅층(164)에 형성된 컨택홀을 통해 반사층(152)이 소스 전극(143)과 전기적으로 연결되고, 투명 도전층(153)이 반사층(152) 상에 형성될 수 있다.
애노드(151) 및 오버 코팅층(164) 상에는 뱅크층(165)이 형성될 수 있다. 뱅크층(165)은 인접하는 서브 화소들 사이에 배치될 수 있다. 또한, 뱅크층(165)은 애노드(151)의 일부를 노출시키도록 형성될 수 있다. 뱅크층(165)은 유기 절연 물질, 예를 들어, 폴리이미드, 포토아크릴(photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
뱅크층(165)에 의해 노출된 애노드(151)의 일부 상에는 유기 발광층(154)이 형성될 수 있다. 서브 화소마다 적색, 녹색 또는 청색을 발광하는 유기 발광층이 각각 배치되거나, 서브 화소들에 백색을 발광하는 유기 발광층이 배치될 수 있다.
유기 발광층(154) 상에는 캐소드(155)가 형성된다. 캐소드(155)는 음극, 공통 전극 또는 제2 전극으로도 지칭될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 표시 장치인 경우, 캐소드(155)는 얇은 두께의 일함수가 낮은 금속성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐소드(155)가 일함수가 낮은 금속성 물질로 형성되는 경우, 은(Ag), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴 (Mo), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등과 같은 금속성 물질을 수십 nm 이하의 두께, 예를 들어, 20 nm이하로 형성하여 캐소드(155)를 구성할 수 있다.
유기 발광 소자(150) 상에는 유기 발광 소자(150)를 덮는 밀봉 부재로서 봉지부(170)가 형성될 수 있다. 봉지부(170)는 박막 트랜지스터(140)와 유기 발광 소자(150) 등과 같은 표시 장치(100)의 구성 요소들을 외부의 습기, 공기, 충격 등으로부터 보호할 수 있다. 봉지부(170)는 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다.
기판(110) 상에는 연결부(166)가 형성될 수 있다. 연결부(166)는 기판(110)의 표시 영역(AA)에 형성될 수 있다. 연결부(166)가 기판(110)의 표시 영역(AA)에서 게이트 절연층(145) 상에 형성될 수 있다. 이와 달리, 연결부(166)가 버퍼층(161) 상에 형성되거나 층간 절연막(146) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 연결부(166)가 데이터 배선과 데이터 배선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 드라이버를 연결하기 위한 구성일 경우, 연결부(166)는 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 층 상에, 즉, 층간 절연막(146) 상에 동일한 물질로 형성될 수 있다.
신호 배선(120)은 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 배치되고 기판(110)의 표시 영역(AA)에 형성되는 연결부(166)와 전기적으로 연결될 수 있다. 신호 배선(120)은 표시 영역(AA)를 구동하기 위한 신호들을 표시 영역(AA)에 전달할 수 있다. 신호 배선(120)은 게이트 전극(142), 소스 전극(143), 드레인 전극(144), 연결 전극(167), 반사층(152), 및 캐소드(155) 중 어느 하나와 동일한 물질로 동일한 층 상에 형성된다. 예를 들어, 신호 배선(120)이 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 신호 배선(120)은 연결부(166)와 동일한 층 상에서 일체로 형성될 수도 있다. 신호 배선(120)이 하나의 도전성 물질로 형성되거나, 다양한 도전성 물질을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 신호 배선(120)은 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층 구조로 형성될 수 있다.
적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)이 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)이 벤딩 영역(BA)을 제외한 비표시 영역(NA)에 배치되며, 벤딩 영역(BA)에 인접하게 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)는 신호 배선들(120) 위에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)와 신호 배선들(120) 사이에는 제2 패시베이션막(163)이 배치되고, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)와 신호 배선들(120)은 제2 패시베이션막(163)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)은 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 이와 달리, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)은 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 벤딩 영역(BA)의 제1 경계는 표시 영역(AA)에 인접한 경계를 지칭하고, 벤딩 영역(BA)의 제2 경계는 패드부(PA)에 인접한 경계를 지칭할 수 있다. 2개 이상의 제1 상부 더미 배선들(122)이 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 또한, 2개 이상의 제1 상부 더미 배선들(122)이 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)은 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)과 신호 배선(120) 사이에는 제2 패시베이션막(163)이 배치되고, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)와 신호 배선들(120)은 제2 패시베이션막(163)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다.
표시 패널(110)의 비표시 영역(NA)에는 마이크로 코팅층(175)이 배치될 수 있다. 마이크로 코팅층(175)은 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)을 덮도록 형성될 수 있다. 마이크로 코팅층(175)은 아크릴레이트 폴리머와 같은 아크릴계 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
마이크로 코팅층(175)은 벤딩 영역(BA)의 중립면을 조절할 수 있다. 마이크로 코팅층(175)을 벤딩 영역(BA) 위에 배치시킴으로써, 중립면을 상부 방향으로 상승시킬 수 있으며, 마이크로 코팅층(175)의 두께에 따라 중립면이 신호 배선(120)과 동일한 위치에 형성되거나 신호 배선(120)보다 높은 위치에 형성되어 벤딩 시 응력을 받지 않거나 압축 응력을 받게 되어 크랙 발생이 억제될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 신호 배선들(120)과 교차하는 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)을 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 있는 신호 배선들(120) 위에 배치시키고, 적어도 하나의 더미 배선(122)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되도록 함으로써, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이처럼, 본 명세서의 일 실시예에서는 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어낼 수 있고, 따라서, 벤딩 시의 응력에 의해 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들이 생긴다고 하더라도, 이러한 미세한 균열들이 신호 배선들의 균열 및 단선으로 확대되는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5의 R 영역을 확대하여 나타낸 것이다. 도 7은 도 6의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 표시 장치(100-1)는 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치된 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치된 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)은 신호 배선들(120) 위에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)과 신호 배선들(120) 사이에, 그리고 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)과 신호 배선들(120) 사이에는 제2 패시베이션막(163)이 배치되고, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 더미 배선(122)과 신호 배선들(120)은 제2 패시베이션막(163)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다.
적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)에는 복수의 서브 화소들의 구동과 무관한 전압이 인가될 수 있다. 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가될 수 있다.
표시 장치(100-1)는 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)에 상술한 바와 같은 전압을 인가하기 위해 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)에 연결되는 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)을 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)은 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)의 일단 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)의 일단에 연결되는 제1 연결 배선(124) 및 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)의 타단 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)의 타단에 연결되는 제2 연결 배선(125)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 연결 배선들(124, 125)은 패드부(PA)의 패드들(190)에 각각 연결될 수 있다. 제1 연결 배선(124) 또는 제2 연결 배선(125) 중 어느 하나가 생략될 수 있고, 제1 연결 배선(124)과 제2 연결 배선(125) 사이의 위치에 패드들(190) 중 어느 하나의 패드와 연결된 제3 연결 배선이 추가될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 달리, 제1 연결 배선(124)은 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치된 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)에만 연결되고, 제2 연결 배선(125)은 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치된 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)에만 연결될 수 있다. 이 경우, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)에는 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)과 다른 전압이 인가될 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높은 전압이 인가되고, 적어도 하나의 제2 더미 배선(122)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가될 수 있다. 반대로, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되고, 적어도 하나의 제2 더미 배선(122)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높은 전압이 인가될 수 있다.
표시 패널(110-1)의 비표시 영역(NA)에는 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122), 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126) 및 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)을 덮는 마이크로 코팅층(175)이 배치될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 신호 배선들(120)과 교차하는 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)을 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 있는 신호 배선들(120) 위에 배치시키고, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되도록 함으로써, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이처럼, 본 명세서의 일 실시예에서는 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어낼 수 있고, 따라서, 벤딩 시의 응력에 의해 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들이 생긴다고 하더라도, 이러한 미세한 균열들이 신호 배선들의 균열 및 단선으로 확대되는 것을 방지할 수 있다.
도 8은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도로서, 도 3의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도의 일 실시예이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(100-2)는 신호 배선(120) 아래에 배치되는 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)이 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)이 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 배치되며, 벤딩 영역(BA)에 인접하게 배치될 수 있다.
적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)과 신호 배선(120) 사이에는 버퍼층(161)이 배치되고, 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)과 신호 배선(120)은 버퍼층(161)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 더미 배선(123)은 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 또한, 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)은 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치될 수도 있다. 벤딩 영역(BA)의 제1 경계는 표시 영역(AA)에 인접한 경계를 지칭하고, 벤딩 영역(BA)의 제2 경계는 패드부(PA)에 인접한 경계를 지칭할 수 있다. 2개 이상의 제1 하부 더미 배선들(123)이 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 또한, 2개 이상의 제1 하부 더미 배선들(123)이 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치될 수 있다.
적어도 하나의 연결 배선(124, 125)도 제1 하부 더미 배선들(123)과 동일 층인 신호 배선(120) 아래에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)과 신호 배선(120)은 버퍼층(161)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 신호 배선들(120)과 교차하는 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)을 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 신호 배선들(120) 아래에 배치시키고, 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되도록 함으로써, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이처럼, 본 명세서의 일 실시예에서는 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어낼 수 있고, 따라서, 벤딩 시의 응력에 의해 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들이 생긴다고 하더라도, 이러한 미세한 균열들이 신호 배선들의 균열 및 단선으로 확대되는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도로서, 도 3의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도의 다른 실시예이다.
도 9를 참조하면, 표시 장치(100-3)는 신호 배선들(120) 아래에 배치되는 하나의 제1 하부 더미 배선(123) 및 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)은 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치되고, 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)은 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)과 신호 배선들(120) 사이에, 그리고 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)과 신호 배선들(120) 사이에는 버퍼층(161)이 배치되고, 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123) 및 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)과 신호 배선들(120)은 버퍼층(161)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다.
적어도 하나의 연결 배선(124, 125)도 제1 하부 더미 배선(123) 및 제2 하부 더미 배선(127)과 동일 층인 신호 배선(120) 아래에 배치될 수 있다. 적어도 하나의 연결 배선(124, 125)과 신호 배선(120)은 버퍼층(161)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 신호 배선들(120)과 교차하는 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123) 및 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)을 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 있는 신호 배선들(120) 아래에 배치시키고, 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123) 및 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)에 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되도록 함으로써, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이처럼, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치는 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어낼 수 있다. 따라서, 벤딩 시의 응력에 의해 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들이 생긴다고 하더라도, 이러한 미세한 균열들이 신호 배선들의 균열 및 단선으로 확대되는 것을 방지할 수 있다.
도 10은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도로서, 도 3의 I-I' 절단선을 따라 절단된 단면도의 또 다른 실시예이다.
도 10을 참조하면, 표시 장치(100-4)는 신호 배선들(120) 위에 배치되는 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)을 포함하고, 신호 배선들(120) 아래에 배치되는 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123) 및 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122) 및 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)은 벤딩 영역(BA)의 제1 경계에 인접하게 배치되고, 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126) 및 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)은 벤딩 영역(BA)의 제2 경계에 인접하게 배치될 수 있다. 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(122)과 신호 배선들(120) 사이에, 그리고 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(126)과 신호 배선들(120) 사이에는 제2 패시베이션막(163)이 배치되고, 적어도 하나의 제1 상부 더미 배선(123) 및 적어도 하나의 제2 상부 더미 배선(127)과 신호 배선들(120)은 제2 패시베이션막(163)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다. 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123)과 신호 배선들(120) 사이에, 그리고 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)과 신호 배선들(120) 사이에는 버퍼층(161)이 배치되고, 적어도 하나의 제1 하부 더미 배선(123) 및 적어도 하나의 제2 하부 더미 배선(127)과 신호 배선들(120)은 버퍼층(161)에 의해 전기적으로 절연될 수 있다.
표시 장치(100-4)는 제1 및 제2 상부 더미 배선들(122, 126)에 전압을 인가하기 위해 제1 및 제2 상부 더미 배선들(122, 126)에 연결되는 적어도 하나의 상부 연결 배선, 및 제1 및 제2 하부 더미 배선들(123, 127)에 전압을 인가하기 위해 제1 및 제2 하부 더미 배선들(123, 127)에 연결되는 적어도 하나의 하부 연결 배선을 더 포함할 수 있다. 제1 및 제2 상부 더미 배선들(122, 126)에 인가되는 전압과 제1 및 제2 하부 더미 배선들(123, 127)에 인가되는 전압은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 제1 및 제2 상부 더미 배선들(122, 126)에 인가되는 전압과 제1 및 제2 하부 더미 배선들(123, 127)에 인가되는 전압은 서로 다른 경우, 예를 들어, 제1 및 제2 상부 더미 배선들(122, 126)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높은 전압이 인가되고, 제1 및 제2 하부 더미 배선들(123, 127)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최소 전압보다 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가될 수 있다. 반대로, 제1 및 제2 상부 더미 배선들(122, 126)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되고, 제1 및 제2 하부 더미 배선들(123, 127)에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높은 전압이 인가될 수 있다.
본 명세서의 일 실시예에서는, 상술한 바와 같이, 복수의 더미 배선들(122, 123, 126, 127)을 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에, 그리고 신호 배선들(120) 위 또는/및 아래에 배치시키고, 복수의 더미 배선들(122, 123, 126, 127)에 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들(120)에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되도록 함으로써, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이처럼, 본 명세서의 일 실시예에서는 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어낼 수 있고, 따라서, 벤딩 시의 응력에 의해 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들이 생긴다고 하더라도, 이러한 미세한 균열들이 신호 배선들의 균열 및 단선으로 확대되는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 제1 상부 더미 배선(122) 및 제1 하부 더미 배선(123) 중 적어도 하나가 생략되거나, 제2 상부 더미 배선(126) 및 제2 하부 더미 배선(127) 중 적어도 하나가 생략될 수도 있다.
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도로서, 도 2의 R 영역을 확대한 확대도의 일 실시예이다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(100-5)는 신호 배선들(120)과 교차하며 복수의 제1 돌출부들(122p)을 갖는 적어도 하나의 제1 더미 배선(122')을 포함할 수 있다. 복수의 제1 돌출부들(122p)은 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 배치되며, 벤딩 영역(BA)을 향해 제1 더미 배선(122')의 제1 배선부(122)로부터 돌출될 수 있다. 제1 배선부(122)는 도 2 내지 도 10에서 언급된 제1 상부 더미 배선(122) 또는 제1 하부 더미 배선(123)과 동일한 구조일 수 있다. 복수의 제1 돌출부들(122p)은 균일한 간격으로 배치될 수 있으며, 복수의 제1 돌출부들(122p) 중 일부는 신호 배선(120)과 중첩될 수 있다. 복수의 제1 돌출부들(122p)에는 적어도 하나의 제1 더미 배선(122')에 인가되는 전압에 의해 형성되는 전기장이 집중되므로, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 더 효과적으로 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이처럼, 본 명세서의 일 실시예에서는 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어낼 수 있고, 따라서, 벤딩 시의 응력에 의해 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들이 생긴다고 하더라도, 이러한 미세한 균열들이 신호 배선들의 균열 및 단선으로 확대되는 것을 방지할 수 있다.
도 12는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도로서, 도 2의 R 영역을 확대한 확대도의 다른 실시예이다.
도 12를 참조하면, 표시 장치(100-6)는 신호 배선들(120)과 교차하며 복수의 제1 돌출부들(122p)을 갖는 적어도 하나의 제1 더미 배선(122') 및 신호 배선들(120)과 교차하며 복수의 제2 돌출부들(126p)을 갖는 적어도 하나의 제2 더미 배선(126')을 포함할 수 있다. 복수의 제1 돌출부들(122p)은 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 배치되며, 벤딩 영역(BA)을 향해 제1 더미 배선(122')의 제1 배선부(122)로부터 돌출될 수 있다. 제1 배선부(122)는 도 2 내지 도 10에서 언급된 제1 상부 더미 배선(122) 또는 제1 하부 더미 배선(123)과 동일한 구조일 수 있다. 복수의 제1 돌출부들(122p)은 균일한 간격으로 배치될 수 있으며, 복수의 제1 돌출부들(122p) 중 일부는 신호 배선(120)과 중첩될 수 있다. 복수의 제2 돌출부들(126p)은 벤딩 영역(BA) 밖의 비표시 영역(NA)에 배치되며, 벤딩 영역(BA)을 향해 제2 더미 배선(126')의 제2 배선부(126)로부터 돌출될 수 있다. 제2 배선부(126)는 도 5 내지 도 7, 도 9, 및 도 10에서 언급된 제2 상부 더미 배선(126) 또는 제2 하부 더미 배선(127)과 동일한 구조일 수 있다. 복수의 제2 돌출부들(126p)은 균일한 간격으로 배치될 수 있으며, 복수의 제2 돌출부들(126p) 중 일부는 신호 배선(120)과 중첩될 수 있다. 복수의 제1 돌출부들(122p) 및 복수의 제2 돌출부들(126p)에는 적어도 하나의 제1 더미 배선(122') 및 적어도 하나의 제2 더미 배선(126')에 인가되는 전압에 의해 형성되는 전기장이 집중되므로, 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 더 효과적으로 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어 낼 수 있다. 이처럼, 본 명세서의 일 실시예에서는 벤딩 영역(BA)에 잔존하는 이온들을 벤딩 영역(BA) 밖으로 끌어낼 수 있고, 따라서, 벤딩 시의 응력에 의해 벤딩 영역(BA)에 위치하는 신호 배선들에 미세한 균열들이 생긴다고 하더라도, 이러한 미세한 균열들이 신호 배선들의 균열 및 단선으로 확대되는 것을 방지할 수 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치는 복수의 서브 화소들을 갖는 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸며 벤딩 영역을 갖는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 벤딩 영역에 배치된 복수의 신호 배선들, 및 기판 상에서 벤딩 영역 밖의 비표시 영역에 배치되며 복수의 신호 배선들의 적어도 일부와 교차하는 적어도 하나의 더미 배선을 포함한다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 더미 배선에는 복수의 서브 화소들의 구동과 무관한 전압이 인가될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 더미 배선에는 복수의 서브 화소들의 구동 시에 복수의 신호 배선들에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 더미 배선은 복수의 신호 배선들 모두와 교차하도록 복수의 신호 배선들 위에 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 더미 배선은 복수의 신호 배선들 모두와 교차하도록 복수의 신호 배선들 아래에 배치될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 더미 배선은 복수의 신호 배선들 모두와 교차하도록 복수의 신호 배선들 위에 배치되는 적어도 하나의 상부 더미 배선과, 복수의 신호 배선들 모두와 교차하도록 복수의 신호 배선들 위에 아래에 배치되는 적어도 하나의 하부 더미 배선을 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 비표시 영역에 있는 패드부를 더 포함하고, 적어도 하나의 더미 배선은 표시 영역과 인접한 벤딩 영역의 제1 경계에 인접하게 배치된 적어도 하나의 제1 더미 배선 및 패드부와 인접한 벤딩 영역의 제2 경계에 인접하게 배치된 적어도 하나의 제2 더미 배선을 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 더미 배선은 벤딩 영역을 향해 돌출된 복수의 돌출부들을 가질 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 표시 장치는 적어도 하나의 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 적어도 하나의 더미 배선에 연결되는 적어도 하나의 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 연결 배선은 적어도 하나의 더미 배선의 일단에 연결되는 제1 연결 배선 및 적어도 하나의 더미 배선의 타단에 연결되는 제2 연결 배선을 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 표시 장치는 상부 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 상부 더미 배선에 연결되는 적어도 하나의 상부 연결 배선, 및 하부 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 하부 더미 배선에 연결되는 적어도 하나의 하부 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 표시 장치는 제1 더미 배선 및 제2 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 제1 더미 배선의 일단 및 제2 더미 배선의 일단에 연결되는 제1 연결 배선, 및 제1 더미 배선 및 제2 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 제1 더미 배선의 타단 및 제2 더미 배선의 타단에 연결되는 제2 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 표시 장치는 제1 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 제1 더미 배선에 연결되는 제1 연결 배선, 및 제2 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 제2 더미 배선에 연결되는 제2 연결 배선을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역의 구동을 위해 기판의 비표시 영역을 지나는 복수의 신호 배선들, 및 기판의 비표시 영역에서 복수의 신호 배선들과 교차하는 적어도 하나의 더미 배선을 포함한다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 더미 배선에는 표시 영역의 구동 시에 복수의 신호 배선들에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가될 수 있다.
본 명세서의 몇몇 실시예들에 따르면, 기판의 비표시 영역은 곡률을 가지는 벤딩 영역을 포함하고, 적어도 하나의 더미 배선은 기판의 벤딩 영역 밖에 배치될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시 장치
110: 기판
120: 신호 배선
122: 제1 상부 더미 배선
123: 제1 하부 더미 배선
126: 제2 상부 더미 배선
127: 제2 하부 더미 배선
124: 제1 연결 배선
125: 제2 연결 배선
130: 스캔라인
135: 게이트 드라이버
140: 박막 트랜지스터
150: 유기 발광 소자
AA: 표시 영역
BA: 벤딩 영역
NA: 비표시 영역
PA: 패드부

Claims (16)

  1. 복수의 서브 화소들을 갖는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸며 벤딩 영역을 갖는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에서 상기 벤딩 영역에 배치된 복수의 신호 배선들; 및
    상기 기판 상에서 상기 벤딩 영역 밖의 상기 비표시 영역에 배치되며 상기 복수의 신호 배선들의 적어도 일부와 교차하는 적어도 하나의 더미 배선을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 더미 배선에는 상기 복수의 서브 화소들의 구동과 무관한 전압이 인가되는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 더미 배선에는 상기 복수의 서브 화소들의 구동 시에 상기 복수의 신호 배선들에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되는, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 더미 배선은 상기 복수의 신호 배선들 모두와 교차하도록 상기 복수의 신호 배선들 위에 배치되는, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 더미 배선은 상기 복수의 신호 배선들 모두와 교차하도록 상기 복수의 신호 배선들 아래에 배치되는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 더미 배선은 상기 복수의 신호 배선들 모두와 교차하도록 상기 복수의 신호 배선들 위에 배치되는 적어도 하나의 상부 더미 배선과, 상기 복수의 신호 배선들 모두와 교차하도록 상기 복수의 신호 배선들 위에 아래에 배치되는 적어도 하나의 하부 더미 배선을 포함하는, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 비표시 영역에 있는 패드부를 더 포함하고,
    상기 적어도 하나의 더미 배선은 상기 표시 영역과 인접한 상기 벤딩 영역의 제1 경계에 인접하게 배치된 적어도 하나의 제1 더미 배선 및 상기 패드부와 인접한 상기 벤딩 영역의 제2 경계에 인접하게 배치된 적어도 하나의 제2 더미 배선을 포함하는, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 더미 배선은 상기 벤딩 영역을 향해 돌출된 복수의 돌출부들을 갖는, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 상기 적어도 하나의 더미 배선에 연결되는 적어도 하나의 연결 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 연결 배선은 상기 적어도 하나의 더미 배선의 일단에 연결되는 제1 연결 배선 및 상기 적어도 하나의 더미 배선의 타단에 연결되는 제2 연결 배선을 포함하는, 표시 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 상부 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 상기 상부 더미 배선에 연결되는 적어도 하나의 상부 연결 배선, 및
    상기 하부 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 상기 하부 더미 배선에 연결되는 적어도 하나의 하부 연결 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제1 더미 배선 및 상기 제2 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 상기 제1 더미 배선의 일단 및 상기 제2 더미 배선의 일단에 연결되는 제1 연결 배선, 및
    상기 제1 더미 배선 및 상기 제2 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 상기 제1 더미 배선의 타단 및 상기 제2 더미 배선의 타단에 연결되는 제2 연결 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 제1 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 상기 제1 더미 배선에 연결되는 제1 연결 배선, 및
    상기 제2 더미 배선에 전압을 인가하기 위해 상기 제2 더미 배선에 연결되는 제2 연결 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 표시 영역 및 상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역의 구동을 위해 상기 기판의 상기 비표시 영역을 지나는 복수의 신호 배선들; 및
    상기 기판의 상기 비표시 영역에서 상기 복수의 신호 배선들과 교차하는 적어도 하나의 더미 배선을 포함하는, 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 더미 배선에는 상기 표시 영역의 구동 시에 상기 복수의 신호 배선들에 인가되는 전압들 중 최대 전압보다 더 높거나 최소 전압보다 더 낮은 전압이 인가되는, 표시 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 기판의 상기 비표시 영역은 곡률을 가지는 벤딩 영역을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 더미 배선은 상기 기판의 상기 벤딩 영역 밖에 배치되는, 표시 장치.
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