CN103329287B - 光接收装置、光学装置和用于制造光接收装置的方法 - Google Patents

光接收装置、光学装置和用于制造光接收装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103329287B
CN103329287B CN201280005421.2A CN201280005421A CN103329287B CN 103329287 B CN103329287 B CN 103329287B CN 201280005421 A CN201280005421 A CN 201280005421A CN 103329287 B CN103329287 B CN 103329287B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pickup apparatus
lenticule
optical pickup
pixel
inp substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280005421.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103329287A (zh
Inventor
猪口康博
齐藤格
藤村康
田中和典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of CN103329287A publication Critical patent/CN103329287A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103329287B publication Critical patent/CN103329287B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0075—Arrays characterized by non-optical structures, e.g. having integrated holding or alignment means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光接收装置，包含位于与像素相对应的各个区域中的微透镜(21)，所述微透镜(21)布置在InP衬底(1)的背面上。所述微透镜通过使用树脂材料形成，所述树脂材料对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率的变化范围为25%以下，所述透过率为70%以上。

Description

光接收装置、光学装置和用于制造光接收装置的方法
技术领域
本发明涉及光接收装置、光学装置和用于制造光接收装置的方法。更具体地，本发明涉及光接收装置和光学装置以及用于制造所述光接收装置的方法，所述光接收装置和光学装置对波长为至少1μm～2.5μm的近红外到红外区域的光具有高响应性。
背景技术
包含以高密度二维排列的光接收元件的图像传感器中，为了提高光使用效率，即为了提高响应性，使用其中对于每个光接收元件都布置微透镜的结构。例如，在InP衬底上形成的光接收元件中，已经提出了其中将InP衬底的背面加工成透镜形状以形成整体透镜(专利文献1)的方法。还公开了如下方法：其中对薄板状硅、锗或蓝宝石进行加工以形成微透镜阵列，并然后将微透镜阵列结合至光接收元件阵列(传感器)(专利文献2)。在另一种提出的方法中，在传感器上形成用作透镜底层的树脂层，并在所述树脂层上形成由树脂构成的微透镜从而在其表面上形成细小的不规则，由此抑制反射并提高聚光效率(专利文献3)。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本特开平7-30082号公报
专利文献2：日本特开平10-209414号公报
专利文献3：日本特开2009-116056号公报
发明内容
技术问题
然而，在其中如上所述在InP衬底上整体地形成微透镜的情况中，难以获得均匀的透镜形状。特别地，InP难以加工并具有3.4的高折射率，由此，除非在高加工精确度下对InP进行加工，否则难以提高聚光度。在其中在硅等上形成微透镜阵列的情况中，难以将微透镜阵列的位置在高精确度下调节至光接收元件阵列的位置并将微透镜阵列结合至光接收元件阵列，从而导致制造收率下降。
在设置在用作底层的树脂层上的微透镜阵列中，光被树脂吸收，从而导致在预定范围内的响应性下降。
本发明的目的是提供光接收装置和光学装置以及用于制造所述光接收装置的方法，其中利用所述光接收装置和光学装置能够在波长为至少1μm～2.5μm的近红外到红外区域内在高响应性下获得高品质的光接收信号。
解决问题的手段
本发明的光接收装置包含形成在InP衬底上的多个像素。所述光接收装置包含：微透镜，所述微透镜位于与所述像素相对应的各个区域中，且所述微透镜布置在所述InP衬底的背面上。所述微透镜通过使用树脂材料形成，所述树脂材料对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率的变化范围为25%以下，所述透过率为70%以上。
在InP衬底上外延生长的III～V族化合物半导体具有与近红外区域或近红外到红外区域的光的波长相对应的带隙，并用于接收近红外区域或近红外到红外区域的光。光接收部比像素小并在像素内部的预定范围中形成。这种结构对于使得像素独立发挥功能并防止在像素之间发生串扰等是必要的。由于在平面图中在像素边缘与光接收部之间具有的间隙的情况下在小范围中形成光接收部，所以并不是所有到达InP衬底背面的光都有助于光接收。因此，可进一步提高所使用的光在到达InP衬底的光中的比例。
利用上述结构，能够将微透镜(聚光透镜)布置在与像素相对应的各个区域中。聚光透镜能够在焦点附近聚集平行光线或基本平行的光线。因此，可以将到达InP衬底背面的大部分光或几乎所有光聚集到光接收部，由此能够提高光使用效率。
通过使用对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率的变化范围为25%以下，该透过率为70%以上的树脂材料而形成微透镜。在此情况中，能够在实现树脂材料的加工容易性的同时制造对具有0.7μm～3μm波长的光具有高可靠性的微透镜。由此，能够在高响应性下接收具有至少1μm～2.5μm波长的光，并能够获得不被形成微透镜的材料干扰的高品质图像或高品质光接收信号。
所述多个像素可以以一维或二维方式布置。在二维阵列的情况中，因为将读出集成电路(ROIC)的读出电极连接至像素电极，所以必要的是，光接收装置具有其中光从衬底背面入射的结构(下文中，将这种结构称作“背部照射结构”)。在一维阵列的情况中，光可从衬底的背面入射或可从位于衬底的相反侧的外延层的表面入射。然而，考虑到与ROIC的读出电极的突起连接(bumpconnection)的简便，即使在一维阵列的情况中，背部照射结构也是优选的。在本发明中，假设即使在一维阵列的情况中，光也从衬底的背面入射。
为各组多个像素设置微透镜的产品具有片状形状并被称作“微透镜阵列”、“微透镜片”等。
优选地，所述树脂材料基本不包含C-H键。该问题的原因如下。包含C-H键的树脂在0.7μm～3μm的波长范围内具有大吸收带。因此，当通过使用包含C-H键的树脂材料形成微透镜时，接收的信号因所述吸收带而经受大于光接收信号的变化。结果，光接收信号的可靠性下降。通过使用基本不包含C-H键的树脂材料形成微透镜，能够在提高响应性的同时得到高度可靠的高品质光接收信号。
为了实现上述目的，优选选择氟树脂作为微透镜的材料。在氟树脂中，优选选择含有不含C-H键的透明脂环族氟树脂作为主要组分的非结晶氟树脂。具体地，由如下化学式(1)表示的材料对应于非结晶氟树脂，且其实例包括由日本旭硝子株式会社(AsahiGlassCo.,Ltd)制造的CYTOP和LUMIFLON(商品名)。当使用这些氟树脂中的任一种时，对0.7μm～3μm波长范围内的光的透过率的变化范围为25%以下且该透过率为70%以上。因此，光接收装置的响应性提高，且能够获得高品质的光接收信号。
[化学式1]
在式中，m(>1)表示重复数，且在()m中的结构为基本单元。
在InP衬底的背面与微透镜之间优选设置有SiN涂膜或SiON涂膜。
利用这种结构，获得了由SiN膜或SiON膜实现的抗反射效果，并能够提高响应性。另外，由于SiN膜或SiON膜与诸如氟树脂的树脂具有良好的粘合性(粘附性质)，所以能够可靠地固定微透镜或微透镜阵列。
在InP衬底的背面与微透镜之间可以设置有SiN涂膜或SiON涂膜，(i)在SiN膜或SiON膜的表面上可以设置有用于增强SiN膜或SiON膜的粘合力的处理剂，或者(ii)在构成微透镜的树脂材料中可以含有用于增强粘合力的处理剂，以及利用在微透镜与SiN膜或SiON膜之间的处理剂将微透镜固定至SiN膜或SiON膜。
在SiN膜或SiON膜与氟树脂之间的粘合性方面存在问题的情况中，使用用于增强粘合力的处理剂。例如，将痕量添加剂并入氟树脂中。或者，可将含有添加剂(粘合增强剂)的溶剂涂布到SiN膜或SiON膜上，并然后可以将所得衬底在高温下静置以挥发溶剂，由此进一步提高与SiN膜或SiON膜的粘合力。用作痕量处理剂的大部分合适材料的实例包括具有相对低含量的C-H键的硅烷处理剂如胺类硅烷偶联剂(由信越化学工业株式会社(Shin-EtsuChemicalCo.,Ltd.)制造的KBM903)、巯基类硅烷偶联剂(由信越化学工业株式会社制造的KBM803)以及甲基丙烯酰基类硅烷偶联剂(KBM503)。从SiN膜或SiON膜与氟树脂之间的粘合性和由C-H键的增加造成的对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率下降的观点来看，相对于100重量份的非结晶氟树脂，硅烷处理剂的用量优选为约1重量份以下。
在InP衬底的背面上可以设置有由用于增强粘合力的处理剂构成的底部处理层，并可以利用在微透镜与InP衬底的背面之间的底部处理层将微透镜固定至InP衬底的背面。在此情况中，通过处理剂而不使用SiN膜或SiON膜来增强粘合力。
优选以包围微透镜的方式沿像素之间的边界设置沟槽或壁，所述沟槽的深度或所述壁的高度等于或小于所述微透镜的厚度。
利用这种结构，通过在避免微透镜与相邻像素的微透镜接触的同时在像素上尽可能大地设置微透镜，能够提高光使用效率。在此情况中，通过利用微喷嘴排出液滴状树脂而形成微透镜。
在InP衬底上设置有吸收层和窗口层，构成像素中的各个像素的核并接收光的光接收部包含通过从窗口层选择性扩散杂质而在吸收层中形成的p-n结，该光接收部通过未经历选择性扩散的区域而与相邻的光接收部隔开，像素以使得光接收部位于中心的方式被未经历选择性扩散的区域包围。微透镜优选与光接收部同心并优选覆盖未经历选择性扩散的区域。
优选地，所述p-n结可广泛解释如下。在吸收层中，当在与通过选择性扩散而由其引入杂质元素的表面相反侧的区域为其中杂质浓度足够低而使得可以将其看作本征半导体的杂质区域(称作“i区域”)时，在这种i区域与通过选择性扩散形成的杂质区域之间形成的结也包括在所述p-n结中。即，所述p-n结可以为p-i结、n-i结等，且所述p-i中的p浓度或所述n-i结中的n浓度基本与背景一样低。
利用这种结构，包含p-n结作为主要部分的光接收部和与所述光接收部相邻的另一个光接收部在其间间隙相对大的情况下设置，所述p-n结是通过选择性扩散而在前面形成的杂质。因此，入射在作为未经历选择性扩散的区域的间隙上的光在许多情况下不被接收且通过。通过布置上述微透镜，即使在通过选择性扩散形成光接收部时仍能够获得高响应性。
优选地，光接收部的直径与未经历选择性扩散的区域的最小宽度基本相同，并以占据像素的方式形成微透镜，从而使所述微透镜的形状与所述像素的分区内接。
利用这种结构，可基本消除被未被接收的光照射的区域，由此能够提高响应性。
吸收层可由II型多量子阱结构(MQW)构成，所述II型多量子阱结构(MQW)由在±0.5%的范围内与InP晶格匹配的两种不同的III～V族化合物半导体构成。
当使用II型MQW以在近红外区域的长波长下提供响应性时，在由不同类型的III～V族化合物半导体构成的两个层之间的界面处接收光。基于该目的，为了确保响应性，通常形成几十到几百个层界面或几十到几百个层对。然而，响应性仍然可能不足。在光接收装置包含具有这种II型MQW的吸收层的情况中，通过布置微透镜，能够在光接收波长范围扩大到近红外区域的长波长侧的同时获得高响应性。
本发明的光学装置包含上述光接收装置中的任一种和读出集成电路(ROIC)。
利用这种结构，可提供具有高响应性且能够获得高度可靠的光接收信号的光学装置。所述光学装置可具有任意结构，只要包含上述光接收装置和ROIC即可。
用于制造本发明的光接收装置的方法包括：在InP衬底上形成在至少1μm～2.5μm波长下具有响应性的光接收元件的阵列的步骤，所述光接收元件充当像素；以及通过在所述InP衬底的背面上设置用于所述像素中的各个像素的微透镜而在所述InP衬底的整个表面上形成微透镜阵列的步骤，所述微透镜含有氟树脂作为主要组分。在所述形成微透镜阵列的步骤中，使用微喷嘴将含有氟树脂的试剂排出，以在所述像素的区域的各个区域内形成由所述含有氟树脂的试剂构成的滴状体或山状体，然后实施干燥处理以形成由所述氟树脂构成的所述微透镜阵列，其中所述含有氟树脂的试剂通过将氟树脂溶于溶剂中并对所得溶液的粘度进行调节而制得。所述含有氟树脂的试剂可以为通过将非结晶氟树脂和充当处理剂的硅烷偶联剂(如氨基硅烷偶联剂)在氟树脂对硅烷偶联剂为100:0.1的比率下溶于溶剂中并对所得溶液的粘度进行调节而制备的含有氟树脂的试剂。可使用微喷嘴将这种含有氟树脂的试剂排出以在像素的区域中的各个区域内形成由所述含有氟树脂的试剂构成的滴状体或山状体，然后实施干燥处理以形成由所述氟树脂构成的微透镜阵列。如果需要，所述方法可在形成由含有氟树脂的试剂构成的滴状体或山状体之前还包括在InP衬底上喷雾作为处理剂的硅烷偶联剂并然后进行干燥处理的步骤。
此外，可在InP衬底的背面上作为SiN膜或SiON膜的形成涂膜，且可以通过SiN膜或SiON膜的粘合力以将InP衬底更稳定地固定至由氟树脂构成的微透镜阵列。
或者，在形成SiN膜或SiON膜时，可以将用于增强SiN膜或SiON膜的粘合力的处理剂涂布到SiN膜或SiON膜的表面上，并然后可以形成所述微透镜阵列。由此，可增强微透镜阵列的粘合力。
利用上述方法，通过微灌(micropotting)或喷墨来排出滴状的含有氟树脂的试剂并进行干燥处理，可在高效率下容易地得到由氟树脂构成的微透镜阵列。由于含有氟树脂的试剂具有拒水性，所以能够在与底层的接触角大的情况下形成滴状体或山状体。因此，能够容易地制造具有高经济效率和高响应性并能够提供高品质光接收信号的光接收装置。
优选地，所述方法，在所述形成微透镜阵列的步骤之前还包括：在相邻像素之间的边界处形成沟槽或壁以防止由含有氟树脂的试剂构成的滴状体或山状体与相邻的像素的由含有氟树脂的试剂构成的滴状体或山状体接触和结合的步骤。
在喷墨法或微灌法中，含有氟树脂的试剂以约90%的量含有溶剂并由此基本为液体。因此，当相邻像素的滴状体相互接触时，滴状体因表面张力等而影响结合，拒水性下降，且滴状体不形成各微透镜的形状。通过在像素边界处设置沟槽或壁，能够防止滴状体之间的接触，并能够由各个滴状体或山状体形成微透镜。
如上所述，作为提高要形成为微透镜的氟树脂与InP衬底之间的粘合性的手段，在形成由含有氟树脂的试剂构成的滴状体或山状体之前，可利用喷雾器向InP衬底上喷雾充当处理剂的硅烷偶联剂两次或三次，然后可以在85℃下将衬底干燥约2小时。在此情况中，不需要提前将充当处理剂的硅烷偶联剂并入形成微透镜的非结晶氟树脂中。另外，通过实施干燥步骤，可抑制不需要的含C-H键的物质在微透镜等中的存在，所述含C-H键的物质不利地影响0.7μm～3μm的波长范围内的光透过性。
在形成壁的步骤中，优选在InP衬底的背面上形成覆盖层，并通过腐蚀将覆盖层的形成为壁的部分之外的部分除去。
在此情况中，例如，将SiN膜或亲水性抗蚀膜形成为覆盖层，并易于形成这种膜的壁。由此，能够在不造成滴状体结合的情况下形成用于各像素的一个微透镜。
用于制造本发明的光接收装置的另一种方法包括：在InP衬底上形成在至少1μm～2.5μm的波长下具有响应性的光接收元件的阵列的步骤，所述光接收元件充当像素；以及通过在所述InP衬底的背面上设置用于所述像素中的各个像素的微透镜而在所述InP衬底的整个表面上形成微透镜阵列，所述微透镜含有氟树脂作为主要组分。所述形成微透镜阵列的步骤包括：准备充当所述微透镜阵列的阴模的模具的步骤；将含有氟树脂的试剂涂布到所述InP衬底的背面上以形成涂层的步骤，所述含有氟树脂的试剂通过将所述氟树脂溶于溶剂中并对所得溶液的粘度进行调节而制得；以及将所述模具压到经适度干燥的所述涂层上，同时将所述模具的位置调节至所述像素的位置，从而形成其中布置有充当微透镜的凸透镜的微透镜阵列的步骤。
利用使用模具的上述方法，能够在高效率下简单地形成微透镜阵列。用于将含有氟树脂的试剂涂布到InP衬底的背面上的方法没有特别限制。例如，优选使用丝网印刷法或旋涂法。
此外，在使用模具形成微透镜阵列的情况中，与使用微喷嘴的方法中同样，可通过插入作为SiN膜或SiON膜的涂膜而稳定微透镜阵列与InP衬底之间的粘合。不管是否存在涂膜，通过使用用于增强粘合力的处理剂(可将其直接涂布到InP衬底的背面上、并入含有氟树脂的试剂中或者涂布到SiN膜或SiON膜的表面上)可增强粘合。利用处理剂的这些处理可单独或以组合的方式实施。
发明有利效果
根据本发明的光接收装置，能够在具有至少1μm～2.5μm波长的近红外到红外区域内在高响应性下获得高品质的光接收信号。
附图说明
[图1]图1是显示根据本发明实施方案1的光接收装置和光学装置的图。
[图2]图2是图1中的光接收装置的一部分的平面图。
[图3A]图3A是显示氟树脂的透过率与波长之间的关系并显示2.0μm以上波长范围的图表。
[图3B]图3B是显示氟树脂的透过率与波长之间的关系并显示0.7～2.0μm波长范围的图表。
[图4]图4是显示图1中的光接收装置的修改例并显示本发明的光接收装置和包含所述光接收装置的光学装置的图。
[图5]图5是显示用于制造根据实施方案1的光接收装置的方法的流程图。
[图6A]图6A是显示用于形成沟槽的方法的流程图。
[图6B]图6B是显示用于形成壁的方法的流程图。
[图7]图7是显示根据本发明实施方案2的光接收装置和光学装置的图(其中在将光接收装置与ROIC结合之前在光接收装置上单独实施压制模具的步骤)。
[图8]图8是显示制造根据实施方案2的光接收装置的方法的流程图。
[图9A]图9A是显示根据本发明实施方案3的光接收装置和光学装置的图。
[图9B]图9B是显示图9A中的光接收装置中的吸收层的图。
[图10]图10是显示根据本发明实施方案4的光接收装置和光学装置的图。
[图11]图11是根据本发明实施方案5的光接收装置的部分放大图。
附图标记
1：InP衬底；3：吸收层；3a：GaAsSb；3b：InGaAs；4：扩散浓度分布控制层；5：窗口层；6：p型区域；9：突起；11：像素电极(p部电极)；15：p-n结；17：选择性扩散掩模图案(钝化膜)；21：微透镜；21a：含有氟树脂的试剂层；22：沟槽；23：壁；27：SiN膜或SiON膜；29：底部处理层；33：II型MQW吸收层；35：模具；35f：模具的表面；50：光接收装置；70：ROIC；71：读出电极；70：突起；100：光学装置；K：MQW对的边界；P：像素。
具体实施方式
(实施方案1)
图1是显示根据本发明实施方案的光接收装置50和光学装置100的图。光接收装置50包含多个像素P。在InP衬底1上形成有包含吸收层3和窗口层5的InP基外延层。p型区域6通过从选择性扩散掩模图案17的开口选择性扩散，从而引入p型杂质如锌(Zn)而形成，且所述p型区域6延伸至吸收层3的内部。选择性扩散掩模图案17还充当钝化膜。在将选择性扩散掩模图案17用于作为p型杂质的锌(Zn)的选择性扩散之后，将选择性扩散掩模图案17静置而不做进一步处理。当在共通的接地电极(未示出)与跟p型区域欧姆接触的像素电极11之间施加反向偏压时，像素P中的各个像素在从p-n结15突出的耗尽层中接收目标近红外光。此时，产生电子-空穴对，并将其从像素电极和接地电极读出以得到光接收信号。
读出光接收信号的读出IC(ROIC)70的读出电极71和光接收装置50的像素电极11相互面对并通过连接突起9和79相互电连接。在使用ROIC将源自光接收装置的像素P的光接收信号读出的情况中，光接收装置具有衬底(背面)照射结构，如上所述。
本实施方案具有如下两个特征。
(1)将充当聚光透镜的微透镜21布置在InP衬底1的背面上。微透镜21各自为凸透镜并由氟树脂构成。下面显示氟树脂的0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率。由于氟树脂不包含C-H键，所以氟树脂在0.7μm～3μm的波长范围内不具有大的吸收带。另外，氟树脂具有约1.3～约1.5的折射率。因此，通过在像素P的各个区域中设置凸透镜，即使在不实施高度精确加工的情况下，平行光束或基本平行的光束也能够聚集在焦平面附近或p-n结15附近的光接收部上。微透镜表面的曲率所需要的精确度不是很高，因为即使当焦距短至某种程度时(即使当光聚焦在p-n结15之上的上部时)，光仍在该上部交叉，然后扩大，并聚集在光接收部上。另外，即使当焦距长至某种程度时，光束仍可靠地聚集在光接收部上。
结果，能够提高响应性。如上所述，在通过选择性扩散形成的p型区域6的前端部中形成p-n结15，并通过施加反向偏压在从p-n结15中突出的耗尽层中接收光。因此，在平面图中，施加到InP衬底1的背面上的光的大部分通过，而不通过p-n结15(参考图2)。
图2是图1中所示的光接收装置的一部分的平面图。图2显示了p型区域6和像素P的二维阵列。在图1和图2中，例如，用于形成p型区域6的选择性扩散掩模图案17的开口的直径为15μm，且像素间距为30μm。p型区域6对像素P的平面占有率为约20%。换言之，在平行光束或基本平行的光束到达InP衬底之后，在假设反射的光线的量为零时，仅可以接收约20%的光线。
通常，当通过选择性扩散形成p型区域6或像素P时，需要确保相邻像素P之间的足够间隙，从而在像素P之间不会发生诸如串扰的干涉。此外，在选择性扩散中，需要考虑从开口引入的杂质不仅在深度方向上而且在横向上扩散，尽管在横向上的扩散量非常小。为此，实际上，在平面图中形成基本与p型区域6的直径相同的间隙(即未经历选择性扩散的区域的最小宽度，所述区域位于p型区域6之间)。结果，如图2中所示，p型区域6具有约20%的平面占有率。然而，这种方法的有利之处在于，与用于保持像素P与其他像素的独立性的另一种方法如其中通过台面腐蚀在像素之间的边界处形成深沟槽的方法相比，晶体不易受到损伤且能够降低暗电流。
如图2中所示，当尽可能大地形成微透镜21从而使得微透镜21的形状内接在像素的形状中以提高响应性时，能够有助于光接收的光的量明显提高至约78%。如图1中所示，凸透镜能够将施加到凸透镜上的平行光束或基本平行的光束聚集在位于焦平面附近或p-n结15附近的光接收部上。从物体等的表面反射的并到达光接收装置50的光几乎平行并通过凸透镜或微透镜21的作用而聚集在焦平面附近。
图3A和3B是显示氟树脂的透过率的图表。如图3B和3A中所示，在0.7μm～2.0μm和2.0μm～3.5μm的波长范围内，氟树脂的透过率分别为95%和93%。另外，透过率相对于波长不发生变化且基本平坦。
在包含C-H键的树脂的情况中，透过率相对于波长明显变化。即，包含C-H键的树脂在1μm～2.5μm的最重要波长范围内具有吸收带。另外，例如，氧化硅在1μm～3μm的重要波长范围内也具有多个非常大的吸收带。因此，即使通过设置由包含C-H键的树脂或氧化硅构成的微透镜以提高响应性来提高有助于光接收的光的量，微透镜的透过率变化仍通过光的聚集而强调并包括在所得光接收信号中。因此，光接收信号的可靠性受到损害。
通过将由氟树脂构成的微透镜21用于本实施方案中，能够在提高有助于光接收的光的量以提高响应性的同时得到高度可靠的光接收信号。
(2)另一个特征是设置在像素边界处的沟槽22。在设置微透镜以将微透镜21的形状内接在像素P的正方形内从而使得微透镜21的面积尽可能大的情况中，产生如下问题。当以具有最大面积的方式通过微灌或喷墨对各像素布置由粘度接近液体的含有氟树脂的试剂构成的滴状体时，滴状体易于相互接触(下面将对制造方法进行说明)。如果在干燥之前滴状体相互接触，则两个滴状体因表面张力等的影响而结合，与底层的接触角下降，不保持各液滴的形状，且滴状体基本在底层上展开。结果，未形成透镜的形状。因此，如图1和2中所示在像素P之间设置沟槽22，并可以通过沟槽防止滴状体越过边界。
所述沟槽22可以为壁。图4是显示光接收装置50的图，在光接收装置50中，用壁23代替图1中所示的沟槽22。壁23还能够防止滴状体越过像素P之间的边界。
例如，沟槽22或壁23可具有如下尺寸。
<沟槽>：宽度：1μm，深度：1μm～2μm
<壁>：宽度：1μm，高度：0.11μm～0.3μm
图5是显示用于制造根据本发明实施方案的光接收装置50的方法的流程图。首先，在InP衬底上形成光接收元件的阵列。然后，如图1或图4中所示，根据包含沟槽22或壁23的结构在InP衬底1的背面上形成沟槽22或壁23。
在形成沟槽22或壁23期间，准备用于形成微透镜的含有氟树脂的试剂。优选选择包含不含C-H键的透明脂环族氟树脂作为主要组分的非结晶氟树脂作为氟树脂。具体地，由如下化学式(1)表示的非结晶氟树脂是优选的，且其实例包括由日本旭硝子株式会社制造的CYTOP和LUMIFLON(商品名)。当使用这些氟树脂中的任一种时，对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率的变化范围为25%以下且该透过率为70%以上。
[化学式2]
在式中，m(>1)表示重复数，且在()m中的结构为基本单元。
稀释溶剂没有特别限制，只要稀释溶剂能够充当溶剂即可。稀释溶剂的实例包括乙醇、异丙醇/乙酸异丁酯和水。在通过使用微喷嘴的喷墨或微灌对各个像素放置滴状体的情况中，例如，氟树脂聚合物的含量优选为约5%～约15%且剩余的溶剂等的含量优选为约95%～约85%。如上所述，滴状体或山状体的表面的曲率所需要的精确度不是很高，因为即使当焦距短至某种程度时(即使当光聚焦在p-n结15之上的上部时)，光仍聚集在光接收部上。另外，即使当焦距长至某种程度时，光仍可靠地聚集而提高响应性。
通过使用微喷嘴对各个像素P形成由含有氟树脂的试剂构成的滴状体或山状体。在对所有像素P布置滴状体之后，开始干燥处理。在干燥处理中，将所得衬底放入保持在70℃～250℃范围中的恒定温度下的恒温室中以除去溶剂。可通过从低温室到高温室逐步升温而将干燥处理分开实施几次。
图6A是显示用于形成沟槽22的方法的流程图。图6B是显示用于形成壁23的方法的流程图。在沟槽22的情况中，通过沿像素P的边界实施切割或腐蚀，形成沟槽。在壁23的情况中，通过例如化学气相沉积(CVD)法在InP衬底1的背面上形成SiN膜。SiN膜的厚度优选与壁23的厚度相同，例如0.11μm～0.3μm。随后，通过腐蚀除去要形成为壁23的区域之外的区域。
根据上述制造方法，可以在防止滴状体或山状体越过像素之间的边界的同时，在不需要特殊的大型装置的情况下在高制造收率下通过微灌法或喷墨法简单并容易地制造明显提高响应性的微透镜21的阵列。
(实施方案2)
图7是显示根据本发明实施方案2的光接收装置50和光学装置100以及用于制造光接收装置50和光学装置100的方法的图。本实施方案与实施方案1的类似之处在于，将包含微透镜21的光接收装置50与ROIC70结合。本实施方案与实施方案1的不同之处在于，使用模具35通过盖印法形成微透镜21，所述模具35为与微透镜21的表面形状对应的阴模。
在图7中，为了便于说明，将微透镜21显示为在制造光学装置100之后形成微透镜21。实际上，在将光接收装置50与ROIC结合之前，单独在光接收装置50上实施通过对模具进行压制而形成微透镜的步骤。在上述前提的假设下，如图7中所示，通过将模具35的表面35f压到含有氟树脂的试剂层21a上而形成微透镜21的阵列，所述含有氟树脂的试剂层21a为干燥之前的稀释树脂并处于所述层21a可以容易地进行塑性加工的状态下。
图8显示了通过盖印法形成微透镜阵列的程序。在盖印法中，模具35的制造是重要的。用于压制的模具35的制造需要微细加工，且可以通过使用电子束曝光的光刻形成不规则而制造模具35。优选将石英等用作模具35的材料，因为所述材料要求耐磨损性。
当形成含有氟树脂的试剂层21a时，优选将含有氟树脂的试剂的粘度控制为略高于微灌法或喷墨法的情况中的粘度。通过对由上述方法制造的模具35进行压制，可以容易地得到微透镜21的阵列。
通过利用显微镜对微透镜进行观察能够确定是通过微灌法还是盖印法形成微透镜。当通过微灌法形成微透镜时，通常设置沟槽22或壁23，由此通过沟槽或壁的存在与否也能够识别形成微透镜的方法。
(实施方案3)
图9A是显示根据本发明实施方案3的光接收装置50和光学装置100的图。图9B是包含在像素中的吸收层33等的放大图。本实施方案中的吸收层33具有包含GaAsSb3a和InGaAs3b作为基本对的II型多量子阱结构(MQW)。在这种II型MQW中，GaAsSb的价带中的电子跃迁到InGaAs的导带而产生电子/空穴对，由此发生光接收。由于GaAsSb的价带与InGaAs的导带之间的能量差小于GaAsSb(InGaAs)中的价带与导带之间的能量差，所以能够接收能量低的长波长光。然而，如上所述，由于GaAsSb的价带中的电子跃迁到InGaAs的导带，所以仅在多量子阱结构(MQW)的界面处，即在图9B中例示的界面K处接收光。以此方式，在II型MQW中，与在本体中发生的跃迁现象相比，发生跃迁的部位受到限制。因此，即使当MQW对的数量增多时，响应性仍然低。
为了保持良好的晶体品质，包含II型MQW吸收层33的光接收元件具有特殊结构。例如，如果杂质浓度过高，则MQW的晶体品质劣化。因此，布置用于选择性扩散的扩散浓度分布控制层4，且在扩散浓度分布控制层4中p型杂质的浓度明显下降，从而使得吸收层33具有在低范围内稳定的浓度分布。另外，考虑到II型MQW的晶体品质，通过选择性扩散形成像素也是优选的。
包含II型MQW吸收层33的这种光接收装置本身响应性低，但响应性能够扩大到长波长侧的原因是因为光吸收机理。在这种光接收装置中，上述微透镜21能够实现明显的优势。具体地，在根据本实施方案的光接收装置50和光学装置100中，对由光吸收机理造成的低响应性进行补偿并且能够在响应性扩大到近红外区域的长波长范围内的光的同时，确保在预定水平以上的响应性。此外，由于微透镜21由氟树脂构成，所以能够在近红外区域和近红外区域的长波长区域内获得高品质的光接收信号。
(实施方案4)
图10是显示根据实施方案4的光接收装置50和光学装置100的图。在实施方案1～3中，将微透镜21直接布置在InP衬底1的背面上。相反，在本实施方案中，将SiN膜或SiON膜27布置在微透镜21与InP衬底1的背面之间。利用这种结构，获得了由SiN膜或SiON膜27实现的抗反射效果，并能够提高响应性。另外，由于SiN膜或SiON膜与诸如氟树脂的树脂具有良好的粘合性(粘附性质)，所以能够可靠地固定微透镜或微透镜阵列。可以通过实施方案1～3中所述的任一种方法制造微透镜。尽管在图10中未显示微透镜之间的沟槽或壁，但是可以在微透镜21之间布置沟槽或壁。
在特定情况中，在SiN膜或SiON膜与氟树脂之间的粘合性方面可能存在问题。在这种情况中，将痕量的添加剂并入氟树脂中。或者，可将含有添加剂的溶剂涂布到SiN膜或SiON膜上，并然后可以将所得衬底在高温下静置以挥发溶剂，由此进一步提高与SiN膜或SiON膜的粘合力。用作痕量处理剂的大部分合适材料的实例包括具有相对低含量的C-H键的硅烷处理剂如胺类硅烷偶联剂(由信越化学工业株式会社制造的KBM903)、巯基类硅烷偶联剂(由信越化学工业株式会社制造的KBM803)以及甲基丙烯酰基类硅烷偶联剂(KBM503)。从SiN膜或SiON膜与氟树脂之间的粘合性和由C-H键的增加造成的对0.7μm～3μm的波长范围内的透过率的下降的观点来看，相对于100重量份的非结晶氟树脂，硅烷处理剂的用量优选为约1重量份以下。
(实施方案5)
图11是根据实施方案5的光接收装置50的部分放大图。在实施方案4中，将SiN膜或SiON膜布置在微透镜21与InP衬底1之间。在本实施方案中，为了提高要形成为微透镜的氟树脂与InP衬底之间的粘合性，在InP衬底1的背面上形成底部处理层29。具体地，在形成由含有氟树脂的试剂构成的滴状体或山状体之前，可利用喷雾器向InP衬底1的背面上喷雾充当处理剂的硅烷偶联剂两次或三次，并可以在85℃下将衬底干燥约2小时。由此，形成底部处理层29。在随后的步骤中，可通过实施方案1～4中所述的任一种方法制造微透镜21。利用这种结构，将微透镜21牢固地固定到InP衬底1的背面上。
在此情况中，不需要提前将充当处理剂的硅烷偶联剂并入形成微透镜21的非结晶氟树脂中。另外，通过实施干燥步骤，可抑制不需要的含C-H键的物质在微透镜等中的存在，所述含C-H键的物质会不利地影响在0.7μm～3μm的波长范围内的光透过性。
上面已经对本发明的实施方案和实施例进行了描述。上面公开的本发明的实施方案和实施例仅是示例性的，且本发明的范围不限于本发明的这些实施方案。应理解，本发明的范围由权利要求书的说明限定并包括权利要求书中的说明的等价物和权利要求书范围内的所有变体。
工业实用性
根据本发明的光接收装置等，通过布置特殊的微透镜，能够在波长为约0.7μm～3μm的近红外到红外区域中在高响应性下得到高品质光接收信号。由于微透镜由氟树脂构成，所以微透镜具有平坦的透过率-波长特性，其中在近红外区域和近红外区域的长波长区域内不存在吸收。因此，能够在获得树脂的加工容易性的优势的同时，得到高度可靠的光接收信号。

Claims (12)

1.一种光接收装置，包含形成在InP衬底上的多个像素，所述光接收装置包含：
微透镜，所述微透镜位于与所述像素相对应的各个区域中，且所述微透镜布置在所述InP衬底的背面上，
其中所述微透镜通过使用树脂材料形成，所述树脂材料对0.7μm～3μm的波长范围内的光的透过率的变化范围为25％以下，所述透过率为70％以上，以及
其中在所述InP衬底的背面与所述微透镜之间设置有SiN涂膜或SiON涂膜。
2.如权利要求1所述的光接收装置，其中所述树脂材料不包含C-H键。
3.如权利要求1或2所述的光接收装置，其中所述树脂材料为氟树脂。
4.如权利要求3所述的光接收装置，其中所述氟树脂为非结晶氟树脂，其具有由化学式(1)表示的基本单元：
其中m(>1)表示重复数，且在()m中的结构为基本单元。
5.如权利要求1或2所述的光接收装置，其中在所述InP衬底的背面与所述微透镜之间设置有SiN涂膜或SiON涂膜，
(i)在所述SiN膜或所述SiON膜的表面上设置有用于增强所述SiN膜或所述SiON膜的粘合力的处理剂，或者
(ii)在构成所述微透镜的所述树脂材料中含有用于增强粘合力的处理剂，以及
利用在所述微透镜与所述SiN膜或所述SiON膜之间的所述处理剂将所述微透镜固定至所述SiN膜或所述SiON膜。
6.如权利要求1或2所述的光接收装置，其中在所述InP衬底的背面上设置有由用于增强粘合力的处理剂构成的底部处理层，并利用在所述微透镜与所述InP衬底的背面之间的所述底部处理层将所述微透镜固定至所述InP衬底的背面。
7.如权利要求1或2所述的光接收装置，其中以包围所述微透镜的方式沿所述像素之间的边界设置沟槽或壁，所述沟槽的深度或所述壁的高度等于或小于所述微透镜的厚度。
8.如权利要求1或2所述的光接收装置，其中在所述InP衬底上设置有吸收层和窗口层，构成所述像素中的各个像素的核并接收光的光接收部包含通过从所述窗口层选择性扩散杂质而在所述吸收层中形成的p-n结，所述光接收部通过未经历选择性扩散的区域而与相邻的光接收部隔开，所述像素以使得所述光接收部位于中心的方式被所述未经历选择性扩散的区域包围，且所述微透镜与所述光接收部同心并覆盖所述未经历选择性扩散的区域。
9.如权利要求8所述的光接收装置，其中所述p-n结为p-i结或n-i结，且所述p-i结中的p浓度或所述n-i结中的n浓度与背景材料一样低。
10.如权利要求8所述的光接收装置，其中所述光接收部的直径与所述未经历选择性扩散的区域的最小宽度相同，并以占据所述像素的方式形成所述微透镜，从而在平面图中使所述微透镜的形状与所述像素的分区内接。
11.如权利要求8所述的光接收装置，其中所述吸收层由II型多量子阱结构(MQW)构成，所述II型多量子阱结构(MQW)由在±0.5％的范围内与InP晶格匹配的两种III～V族化合物半导体构成。
12.一种光学装置，包含权利要求1～11中任一项的光接收装置和读出集成电路(ROIC)。
CN201280005421.2A 2011-01-14 2012-01-07 光接收装置、光学装置和用于制造光接收装置的方法 Active CN103329287B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011006139 2011-01-14
JP2011-006139 2011-01-14
JP2011109658A JP2012160691A (ja) 2011-01-14 2011-05-16 受光装置、光学装置および受光装置の製造方法
JP2011-109658 2011-05-16
PCT/JP2012/050213 WO2012096239A1 (ja) 2011-01-14 2012-01-07 受光装置、光学装置および受光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103329287A CN103329287A (zh) 2013-09-25
CN103329287B true CN103329287B (zh) 2015-11-25

Family

ID=46507139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280005421.2A Active CN103329287B (zh) 2011-01-14 2012-01-07 光接收装置、光学装置和用于制造光接收装置的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8809985B2 (zh)
EP (1) EP2665102A4 (zh)
JP (1) JP2012160691A (zh)
KR (1) KR20140001971A (zh)
CN (1) CN103329287B (zh)
WO (1) WO2012096239A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6112472B2 (ja) * 2013-01-15 2017-04-12 住友電気工業株式会社 受光デバイスの製造方法
JP6163851B2 (ja) * 2013-04-25 2017-07-19 凸版印刷株式会社 ウェハレベルレンズ及びその製造方法
FR3006108B1 (fr) * 2013-05-22 2016-12-02 Electricite De France Procede de fabrication d'un dispositif photosensible
JP6500442B2 (ja) * 2014-02-28 2019-04-17 住友電気工業株式会社 アレイ型受光素子
JP6287612B2 (ja) 2014-06-16 2018-03-07 住友電気工業株式会社 赤外線受光半導体素子
JP2016096163A (ja) * 2014-11-12 2016-05-26 ソニー株式会社 固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器
US10867834B2 (en) * 2015-12-31 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
JP2019078970A (ja) * 2017-10-27 2019-05-23 富士通コンポーネント株式会社 レンズシート及び光モジュール
CN111512444A (zh) 2017-12-28 2020-08-07 索尼半导体解决方案公司 相机封装件、相机封装件的制造方法以及电子设备
CN110391307A (zh) * 2018-04-18 2019-10-29 苏州大学 一种InGaAs探测器与OLED结合的上转换器件的制备方法
WO2022202006A1 (ja) * 2021-03-25 2022-09-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子及びその製造方法並びに撮像装置
JP2022176627A (ja) * 2021-05-17 2022-11-30 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体チップおよびその製造方法、並びに電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396090A (en) * 1993-02-17 1995-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Solid state imaging device having partition wall for partitioning bottom portions of micro lenses
CN1228614A (zh) * 1998-02-27 1999-09-15 佳能株式会社 用于半导体的密封树脂构件及半导体元件
CN101243028A (zh) * 2005-08-17 2008-08-13 出光兴产株式会社 含氟金刚烷衍生物、含有聚合性基团的含氟金刚烷衍生物以及含有它们的树脂组合物

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02103962A (ja) * 1988-10-13 1990-04-17 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JPH0653537A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Japan Energy Corp 半導体受光素子
JP2989996B2 (ja) 1993-07-14 1999-12-13 日本電気株式会社 半導体基板へのモノリシックレンズ形成方法
JPH10209414A (ja) 1997-01-22 1998-08-07 Nikon Corp 熱型赤外線イメージセンサ
JP2000307090A (ja) * 1999-04-16 2000-11-02 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子用マイクロレンズアレイ及びそれを用いた固体撮像素子並びにそれらの製造方法
JP2002289904A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体受光素子とその製造方法
TWI278991B (en) * 2002-07-09 2007-04-11 Toppan Printing Co Ltd Solid image-pickup device and method of manufacturing the same
JP4537758B2 (ja) * 2003-11-11 2010-09-08 株式会社リコー 光伝送素子モジュール
JP4916096B2 (ja) * 2004-07-01 2012-04-11 イビデン株式会社 光通信用デバイス
JP5092251B2 (ja) * 2006-02-22 2012-12-05 住友電気工業株式会社 光検出装置
JP2007256674A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Fujifilm Corp 光結合素子、光コネクタ、及び光伝送システム
JP2009116056A (ja) 2007-11-07 2009-05-28 Sony Corp レンズの製造方法および固体撮像装置の製造方法
JP2009283557A (ja) * 2008-05-20 2009-12-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光デバイスの製造方法
JP5172584B2 (ja) * 2008-10-07 2013-03-27 株式会社東芝 撮像装置
JP5417850B2 (ja) * 2009-01-05 2014-02-19 住友電気工業株式会社 検出装置およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396090A (en) * 1993-02-17 1995-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Solid state imaging device having partition wall for partitioning bottom portions of micro lenses
CN1228614A (zh) * 1998-02-27 1999-09-15 佳能株式会社 用于半导体的密封树脂构件及半导体元件
CN101243028A (zh) * 2005-08-17 2008-08-13 出光兴产株式会社 含氟金刚烷衍生物、含有聚合性基团的含氟金刚烷衍生物以及含有它们的树脂组合物

Also Published As

Publication number Publication date
US20130292646A1 (en) 2013-11-07
WO2012096239A1 (ja) 2012-07-19
JP2012160691A (ja) 2012-08-23
EP2665102A4 (en) 2018-04-04
US8809985B2 (en) 2014-08-19
CN103329287A (zh) 2013-09-25
EP2665102A1 (en) 2013-11-20
KR20140001971A (ko) 2014-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103329287B (zh) 光接收装置、光学装置和用于制造光接收装置的方法
US7332751B2 (en) Rear-illuminated-type photodiode array
US20210273120A1 (en) Photodetectors, preparation methods for photodetectors, photodetector arrays, and photodetection terminals
US7795656B2 (en) Image sensor device having black pixel region
US6953925B2 (en) Microlens integration
JP2002289904A (ja) 半導体受光素子とその製造方法
US8274127B2 (en) Photodiode array for image pickup device
WO2013142815A1 (en) Pixel isolation elements, devices, and associated methods
CN109216495B (zh) 雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统
US20210327942A1 (en) Germanium based focal plane array for the short infrared spectral regime
US6781211B2 (en) Photodiode having an active region shaped in a convex lens
US9373733B2 (en) Semiconductor light-receiving device and semiconductor light-receiving device array
KR100829378B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
KR102142885B1 (ko) 어레이형 광검출기를 제조하는 방법
US9721983B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20040032026A (ko) 애벌란치 포토다이오드 및 그 제조 방법
US11309347B2 (en) Integrated circuit photodetector
KR100516594B1 (ko) 포토다이오드 및 그 제조방법
CN117936596A (zh) 有源像素传感器和用于制造有源像素传感器的方法
KR20230006597A (ko) 단파 적외선 초점면 어레이, 그 활용 및 제조 방법
KR20240048352A (ko) 이미지 센서
FR3129247A1 (fr) Filtre angulaire optique et procédé de fabrication d&#39;un tel filtre
CN115347060A (zh) 一种波导探测器及其制备方法
CN111769127A (zh) 图像传感器、基于飞行时间技术的摄像装置及制备方法
KR20100042445A (ko) 웨이퍼 레벨 패키지를 이용한 카메라 모듈 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant