JP2989996B2 - 半導体基板へのモノリシックレンズ形成方法 - Google Patents
半導体基板へのモノリシックレンズ形成方法Info
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- JP2989996B2 JP2989996B2 JP5174015A JP17401593A JP2989996B2 JP 2989996 B2 JP2989996 B2 JP 2989996B2 JP 5174015 A JP5174015 A JP 5174015A JP 17401593 A JP17401593 A JP 17401593A JP 2989996 B2 JP2989996 B2 JP 2989996B2
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- lens
- etching
- semiconductor substrate
- forming
- circular
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信等に用いる半導体
受光素子あるいは発光素子に関し、特にそのモノリシッ
クレンズ形成に関するものである。
受光素子あるいは発光素子に関し、特にそのモノリシッ
クレンズ形成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信技術の発展には目を見張るものが
あり、光通信技術の高度化に相伴って各コンポーネント
の改良，高性能化が精力的に進められている。この内、
光信号を送り出す発光素子、あるいは、光信号を検出し
電気信号に変換する受光素子において光（信号）の有効
利用と素子の高性能化を図る手段として、これらの素子
を構成する半導体基板を加工してモノリシックレンズを
素子と一体化する技術が注目されている。
あり、光通信技術の高度化に相伴って各コンポーネント
の改良，高性能化が精力的に進められている。この内、
光信号を送り出す発光素子、あるいは、光信号を検出し
電気信号に変換する受光素子において光（信号）の有効
利用と素子の高性能化を図る手段として、これらの素子
を構成する半導体基板を加工してモノリシックレンズを
素子と一体化する技術が注目されている。
【０００３】例えば、光通信用の半導体受光素子を例と
して取り上げるならば、シリカ光ファイバーの低損失波
長である１．３〜１．５５μｍ域に対して高い感度を有
するＩｎＧａＡｓ材料を光吸収層としたＰＩＮ型のフォ
トダイオード（以下、ＰＩＮ−ＰＤと略称する）が上げ
られる。この一例を図７に示す（「光通信素子工学」、
米津宏雄著、工学図書株式会社刊、３７２頁図６．７
（ｃ））。
して取り上げるならば、シリカ光ファイバーの低損失波
長である１．３〜１．５５μｍ域に対して高い感度を有
するＩｎＧａＡｓ材料を光吸収層としたＰＩＮ型のフォ
トダイオード（以下、ＰＩＮ−ＰＤと略称する）が上げ
られる。この一例を図７に示す（「光通信素子工学」、
米津宏雄著、工学図書株式会社刊、３７２頁図６．７
（ｃ））。
【０００４】ｎ−ＩｎＰ基板３上に気相成長法等でｎ−
ＩｎＰバッファー層４、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層
５、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰウィンドウ層６を順次成長し、
ｐ+ 領域７を選択熱拡散により形成し、ｐ−ｉ−ｎ構造
を形成する。
ＩｎＰバッファー層４、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層
５、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰウィンドウ層６を順次成長し、
ｐ+ 領域７を選択熱拡散により形成し、ｐ−ｉ−ｎ構造
を形成する。
【０００５】プレーナー構造で絶縁膜および反射損防止
膜としての用をなすＡＲ膜８、ｐ電極９、ｎ電極１０に
より素子化される。
膜としての用をなすＡＲ膜８、ｐ電極９、ｎ電極１０に
より素子化される。
【０００６】このような構造では、光をエピ成長側から
導入する点から、表面入射型ＰＩＮと言われることが多
い。このようなＰＩＮ−ＰＤの特性として、より一層の
高速応答が要求される場合には、ＣＲ制限からの回避、
すなわち、ｐｎ接合径を縮小し素子容量を低減すること
が必須となる。
導入する点から、表面入射型ＰＩＮと言われることが多
い。このようなＰＩＮ−ＰＤの特性として、より一層の
高速応答が要求される場合には、ＣＲ制限からの回避、
すなわち、ｐｎ接合径を縮小し素子容量を低減すること
が必須となる。
【０００７】このとき生ずる、受光感度を有するｐｎ接
合領域の縮小による入射光との結合トレランスの低下を
解決する方法として、基板裏面にマイクロレンズを形成
し、その基板裏面から光を有効に入射する方法が注目さ
れている。ここで、マイクロレンズのレンズ効果を利用
することにより、受光感度を有する面積に対し入射光の
基板裏面における有効受光面積を大幅に拡大することが
可能となる。
合領域の縮小による入射光との結合トレランスの低下を
解決する方法として、基板裏面にマイクロレンズを形成
し、その基板裏面から光を有効に入射する方法が注目さ
れている。ここで、マイクロレンズのレンズ効果を利用
することにより、受光感度を有する面積に対し入射光の
基板裏面における有効受光面積を大幅に拡大することが
可能となる。
【０００８】このようなマイクロレンズ形成にはドライ
エッチングあるいはウエットエッチングによる方法が通
常用いられており、後者のウエットエッチングでは、第
１エッチングで円形のパターンにより円形状台地（円形
メサ）を形成し、第２エッチングでこのメサの角をとり
球面化する、２段階エッチングが主に用いられている。
エッチングあるいはウエットエッチングによる方法が通
常用いられており、後者のウエットエッチングでは、第
１エッチングで円形のパターンにより円形状台地（円形
メサ）を形成し、第２エッチングでこのメサの角をとり
球面化する、２段階エッチングが主に用いられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような２段階ウエ
ットエッチングによるマイクロレンズ形成方法では、経
験的要素が大きく所望のレンズのプロセス設計・制御方
法が曖昧で、再現性に乏しいという問題がある。
ットエッチングによるマイクロレンズ形成方法では、経
験的要素が大きく所望のレンズのプロセス設計・制御方
法が曖昧で、再現性に乏しいという問題がある。
【００１０】また、レンズ周辺部分のくずれにより有効
受光部分が大きく左右されるという欠点を有している。
受光部分が大きく左右されるという欠点を有している。
【００１１】本発明は、このような問題点を解決する、
すなわちプロセス工程におけるレンズ曲率の支配因子を
数値的に明確化することにより、制御方法を確立し再現
性に優れたモノリシックレンズの形成方法を提供するこ
とにある。
すなわちプロセス工程におけるレンズ曲率の支配因子を
数値的に明確化することにより、制御方法を確立し再現
性に優れたモノリシックレンズの形成方法を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板への
モノリシックレンズ形成方法は、２段階のウエット・エ
ッチングを施すことによってモノリシックレンズを半導
体基板に作り付ける方法において、半導体の円形領域を
残してこの周縁部をエッチングすることにより円形状台
地を形成する第１の工程と、前記第１の工程によって形
成された円形状台地を含む半導体基板の領域を全体にわ
たってエッチングすることによって、前記円形状台地の
中心領域を所定の曲率を有するレンズとする第２の工程
とを含み、前記第１の工程によって得られる円形状台地
頂上の直径をＬD 、円形状台地の高さ即ちエッチング深
さをＬH で近似し、直径がＬD で高さがＬH の円柱を仮
定し、この円柱の頂上面中心と底面を形成する直径ＬD
の円との両方に接する球の半径をＲM としたとき、前記
第２の工程のエッチングによって形成する所定のレンズ
の曲率半径をＲとすると、前記ＲM として、０．３１Ｒ−１３．８１＜Ｒ M ＜０．３１Ｒ＋４．５５ の関係を満たすように前記第１の工程のエッチングを行
うことを特徴とする。
モノリシックレンズ形成方法は、２段階のウエット・エ
ッチングを施すことによってモノリシックレンズを半導
体基板に作り付ける方法において、半導体の円形領域を
残してこの周縁部をエッチングすることにより円形状台
地を形成する第１の工程と、前記第１の工程によって形
成された円形状台地を含む半導体基板の領域を全体にわ
たってエッチングすることによって、前記円形状台地の
中心領域を所定の曲率を有するレンズとする第２の工程
とを含み、前記第１の工程によって得られる円形状台地
頂上の直径をＬD 、円形状台地の高さ即ちエッチング深
さをＬH で近似し、直径がＬD で高さがＬH の円柱を仮
定し、この円柱の頂上面中心と底面を形成する直径ＬD
の円との両方に接する球の半径をＲM としたとき、前記
第２の工程のエッチングによって形成する所定のレンズ
の曲率半径をＲとすると、前記ＲM として、０．３１Ｒ−１３．８１＜Ｒ M ＜０．３１Ｒ＋４．５５ の関係を満たすように前記第１の工程のエッチングを行
うことを特徴とする。
【００１３】また本発明のモノリシックレンズ形成方法
は、所定のレンズ曲率半径Ｒにより規定される球が、前
記形成レンズの内側に仮想位置することを特徴とする。
は、所定のレンズ曲率半径Ｒにより規定される球が、前
記形成レンズの内側に仮想位置することを特徴とする。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を用い
て説明する。
て説明する。
【００１５】まず始めに、図１を用いてウエットエッチ
ングによるレンズ作製工程について説明する。
ングによるレンズ作製工程について説明する。
【００１６】まず、図１（ａ）に示すように、所望の厚
さまで研磨した半導体基板１の裏面に対し、エッチング
のストッパーとなる円形マスク（例えばＯＭＲレジス
ト）２を、パターニングする。
さまで研磨した半導体基板１の裏面に対し、エッチング
のストッパーとなる円形マスク（例えばＯＭＲレジス
ト）２を、パターニングする。
【００１７】次に、図１（ｂ）に示すように、例えば、
２．５％のＢｒを含んだメタノール液によりエッチング
を行い（第１エッチング）、メサ（円形状台地）を形成
する。
２．５％のＢｒを含んだメタノール液によりエッチング
を行い（第１エッチング）、メサ（円形状台地）を形成
する。
【００１８】次に、図１（ｃ）に示すように、円形マス
ク２を除去する。
ク２を除去する。
【００１９】次に、図１（ｄ）に示すように、全面エッ
チング（第２エッチング）により、メサを球面化する。
チング（第２エッチング）により、メサを球面化する。
【００２０】以上の順でレンズ作製が行われる。
【００２１】ここで、第１および第２のエッチングによ
り得られる形状について、図２に示すように定量化す
る。図２（ａ）に示すように、第１エッチングによる円
形状台地を定量化する。すなわち、図１（ｃ）に対応し
て円形状台地頂上の直径をＬDとし、円形状台地の高
さ、これは第１エッチングの深さに対応するが、これを
ＬH とする。このときＬD とＬH とで定義される円柱を
仮定し、図２（ａ）に示すように円柱頂上面中心と円柱
底面を形成する直径ＬD の円との両方に接する球の半径
を、メサ曲率半径ＲM とする。
り得られる形状について、図２に示すように定量化す
る。図２（ａ）に示すように、第１エッチングによる円
形状台地を定量化する。すなわち、図１（ｃ）に対応し
て円形状台地頂上の直径をＬDとし、円形状台地の高
さ、これは第１エッチングの深さに対応するが、これを
ＬH とする。このときＬD とＬH とで定義される円柱を
仮定し、図２（ａ）に示すように円柱頂上面中心と円柱
底面を形成する直径ＬD の円との両方に接する球の半径
を、メサ曲率半径ＲM とする。
【００２２】次に第２エッチングにより得られるレンズ
の曲率半径をＲとする。ここでレンズは理想的な球面で
あることが望ましいが、第１エッチングの円形状台地中
心から離れるに従って誤差が大きくなる。実験的にはレ
ンズ頂点、すなわち円形状台地中心とレンズ頂点から水
平方向に±２０μｍ離れた３点を通る円の半径をレンズ
曲率半径Ｒとした（曲率半径Ｒの見積り方は本発明の本
質ではない）。
の曲率半径をＲとする。ここでレンズは理想的な球面で
あることが望ましいが、第１エッチングの円形状台地中
心から離れるに従って誤差が大きくなる。実験的にはレ
ンズ頂点、すなわち円形状台地中心とレンズ頂点から水
平方向に±２０μｍ離れた３点を通る円の半径をレンズ
曲率半径Ｒとした（曲率半径Ｒの見積り方は本発明の本
質ではない）。
【００２３】以上のような定義に従うレンズ曲率半径Ｒ
とメサ曲率半径ＲM の関係を種々の第１エッチングに
対応するＬD ，ＬH に対して、種々の第２エッチング
を施した実験データを元にＲとＲM の関係を作図する
と図３のようになる。実験的事実として、所望のレンズ
曲率半径Ｒに対してメサ曲率半径ＲM が０．３１Ｒ−
１３．８１＜Ｒ M ＜０．３１Ｒ＋４．５５の範囲では、
極めて良好なレンズが形成され、レンズ曲率半径Ｒは第
１エッチングの台形の角が取れるほど、第２エッチング
時間にはほとんど依存しない特徴を有する。
とメサ曲率半径ＲM の関係を種々の第１エッチングに
対応するＬD ，ＬH に対して、種々の第２エッチング
を施した実験データを元にＲとＲM の関係を作図する
と図３のようになる。実験的事実として、所望のレンズ
曲率半径Ｒに対してメサ曲率半径ＲM が０．３１Ｒ−
１３．８１＜Ｒ M ＜０．３１Ｒ＋４．５５の範囲では、
極めて良好なレンズが形成され、レンズ曲率半径Ｒは第
１エッチングの台形の角が取れるほど、第２エッチング
時間にはほとんど依存しない特徴を有する。
【００２４】また、得られるレンズ形状としては第２エ
ッチング時間に依存しないと上記したが、厳密には若干
差異があり、これについて図４で説明する。すなわち、
第２エッチングを行い所望のレンズ曲率半径Ｒを得よう
とするとき、Ｒの仮想円（点線で示す）を想定すると、
エッチングが進むにつれてレンズが仮想円に内接する形
状（図４（ｂ））から外接する形状（図４（ｃ））に変
化する。このとき外接型の方が、よりレンズの有効受光
面積として大きい領域を得ることができ、レンズ周辺部
分のくずれの有効利用ができる。
ッチング時間に依存しないと上記したが、厳密には若干
差異があり、これについて図４で説明する。すなわち、
第２エッチングを行い所望のレンズ曲率半径Ｒを得よう
とするとき、Ｒの仮想円（点線で示す）を想定すると、
エッチングが進むにつれてレンズが仮想円に内接する形
状（図４（ｂ））から外接する形状（図４（ｃ））に変
化する。このとき外接型の方が、よりレンズの有効受光
面積として大きい領域を得ることができ、レンズ周辺部
分のくずれの有効利用ができる。
【００２５】次に、実際の受光素子を試作した例につい
て述べる。図５に示すように試作用ウェハとしては半絶
縁性ＩｎＰ基板１１を用い、気相成長法等でｎ+ −Ｉｎ
Ｐバッファー層１２、ＩｎＧａＡｓ光吸収層１３、Ｉｎ
Ｐキャップ層１４を順次成長し、ｐ+ 領域１５を選択熱
拡散により形成する。１％のＢｒを含んだメタノール液
で基板１１をメサ型にウエットエッチングした後、絶縁
膜１６、ｐ電極１７、ｎ電極１８、および独立電極への
配線用金属１９、バンプ電極２０を形成し素子化され
る。さらに光の入射側の基板裏面に上記の方法で作製し
たマイクロレンズ２１、およびＡＲ膜２２を有してい
る。このマイクロレンズ頂点から光吸収層１３までの距
離は、レンズ曲率・屈折率等を考慮し入射光の焦点位置
が光吸収層上になるように設計されている。
て述べる。図５に示すように試作用ウェハとしては半絶
縁性ＩｎＰ基板１１を用い、気相成長法等でｎ+ −Ｉｎ
Ｐバッファー層１２、ＩｎＧａＡｓ光吸収層１３、Ｉｎ
Ｐキャップ層１４を順次成長し、ｐ+ 領域１５を選択熱
拡散により形成する。１％のＢｒを含んだメタノール液
で基板１１をメサ型にウエットエッチングした後、絶縁
膜１６、ｐ電極１７、ｎ電極１８、および独立電極への
配線用金属１９、バンプ電極２０を形成し素子化され
る。さらに光の入射側の基板裏面に上記の方法で作製し
たマイクロレンズ２１、およびＡＲ膜２２を有してい
る。このマイクロレンズ頂点から光吸収層１３までの距
離は、レンズ曲率・屈折率等を考慮し入射光の焦点位置
が光吸収層上になるように設計されている。
【００２６】以上は受光素子の実施例について説明した
が、光を発する場合、すなわち発光領域を狭い領域で形
成して高速性に優れる面発光型の発光ダイオードやレー
ザーダイオードにも本発明が適応できることは言うまで
もない。
が、光を発する場合、すなわち発光領域を狭い領域で形
成して高速性に優れる面発光型の発光ダイオードやレー
ザーダイオードにも本発明が適応できることは言うまで
もない。
【００２７】以下、実際の面発光型発光ダイオードを試
作した例について述べる。図６に示すように試作用ウェ
ハとしてはｎ−ＩｎＰ基板２３を用い、例えば気相成長
法等でｎ−ＩｎＰ第１クラッド層２４、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層２５、ｐ−ＩｎＰ第２クラッド層２６、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２７を順次成長する。次に電
流を発光スポット領域２８に集中させるため、メサ型に
エッチングした後、絶縁膜２９、ｐ電極３０、ｎ電極３
１、Ａｕメッキ３２を形成し素子化される。
作した例について述べる。図６に示すように試作用ウェ
ハとしてはｎ−ＩｎＰ基板２３を用い、例えば気相成長
法等でｎ−ＩｎＰ第１クラッド層２４、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層２５、ｐ−ＩｎＰ第２クラッド層２６、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２７を順次成長する。次に電
流を発光スポット領域２８に集中させるため、メサ型に
エッチングした後、絶縁膜２９、ｐ電極３０、ｎ電極３
１、Ａｕメッキ３２を形成し素子化される。
【００２８】このようにして作製した発光ダイオードの
光出射端にあたるｎ−ＩｎＰ基板２３に前記同様、本発
明のレンズ作製方法を適用することにより、マイクロレ
ンズ３３およびＡＲ膜３４を得ることができる。また、
上記のマイクロレンズ作製方法では、レンズ間隔１００
μｍピッチまで狭めることが可能であり、素子のアレイ
化，集積化への適用も容易である。
光出射端にあたるｎ−ＩｎＰ基板２３に前記同様、本発
明のレンズ作製方法を適用することにより、マイクロレ
ンズ３３およびＡＲ膜３４を得ることができる。また、
上記のマイクロレンズ作製方法では、レンズ間隔１００
μｍピッチまで狭めることが可能であり、素子のアレイ
化，集積化への適用も容易である。
【００２９】
【発明の効果】実施例でも示したように、本発明によ
り、第１エッチングによるＲM を定義すれば第２エッチ
ングによらないＲM のみに依存した曲率半径のマイクロ
レンズを得ることができ、制御性・再現性が向上するほ
か、設計指針が明確化される。
り、第１エッチングによるＲM を定義すれば第２エッチ
ングによらないＲM のみに依存した曲率半径のマイクロ
レンズを得ることができ、制御性・再現性が向上するほ
か、設計指針が明確化される。
【００３０】またレンズ周辺部分のくずれの有効化によ
り有効受光面積を拡大できる。これによりＰＩＮ−ＰＤ
などの半導体受光素子において入射光との結合トレラン
スの低下もなく応答特性の高速化（素子容量の低減によ
る）が得られる。例えば上記実施例において、マイクロ
レンズ付き裏面入射型とすることで、ｐｎ接合径１８μ
ｍに対し有効受光径約１００μｍと５倍以上（面積にし
て約３０倍）に拡大される。
り有効受光面積を拡大できる。これによりＰＩＮ−ＰＤ
などの半導体受光素子において入射光との結合トレラン
スの低下もなく応答特性の高速化（素子容量の低減によ
る）が得られる。例えば上記実施例において、マイクロ
レンズ付き裏面入射型とすることで、ｐｎ接合径１８μ
ｍに対し有効受光径約１００μｍと５倍以上（面積にし
て約３０倍）に拡大される。
【００３１】また、同様に、発光素子に適用すること
で、高い結合効率が実現される。
で、高い結合効率が実現される。
【図１】本発明を説明するためのレンズ形成工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明を説明するための円形メサ断面図および
レンズ断面図である。
レンズ断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるレンズ曲率半径のメサ
曲率依存性を示す図である。
曲率依存性を示す図である。
【図４】本発明の一実施例によるレンズ形成工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の一実施例によるマイクロレンズ付きフ
ォトダイオードの概略横断面図である。
ォトダイオードの概略横断面図である。
【図６】本発明の一実施例によるマイクロレンズ付き発
光ダイオードの概略横断面図である。
光ダイオードの概略横断面図である。
【図７】従来例を示すＰＩＮ−フォトダイオードの断面
図である。
図である。
１ 半導体基板 ２ 円形マスク ３ ｎ−ＩｎＰ基板 ４ ｎ−ＩｎＰバッファー層 ５ ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ６ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰウィンドウ層 ７ ｐ+ −拡散層 ８，２２，３４ ＡＲ膜 ９，１７，３０ ｐ電極 １０，１８，３１ ｎ電極 １１ 半絶縁ＩｎＰ基板 １２ ｎ+ −ＩｎＰバッファー層 １３ ＩｎＧａＡｓ光吸収層 １４ ＩｎＰキャップ層 １５ ｐ+ 拡散領域 １６，２９ 絶縁膜 １９ 配線用金属 ２０ バンプ金属 ２１，３３ マイクロレンズ ２３ ｎ−ＩｎＰ基板 ２４ ｎ−ＩｎＰ第１クラッド層 ２５ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ２６ ｐ−ＩｎＰ第２クラッド層 ２７ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ２８ 発光スポット領域 ３２ Ａｕメッキ
Claims (2)
- 【請求項１】 ２段階のウエット・エッチングを施すこ
とによってモノリシックレンズを半導体基板に作り付け
る方法において、 半導体の円形領域を残してこの周縁部をエッチングする
ことにより円形状台地を形成する第１の工程と、 前記第１の工程によって形成された円形状台地を含む半
導体基板の領域を全体にわたってエッチングすることに
よって、前記円形状台地の中心領域を所定の曲率を有す
るレンズとする第２の工程とを含み、 前記第１の工程によって得られる円形状台地頂上の直径
をＬD 、円形状台地の高さ即ちエッチング深さをＬH で
近似し、直径がＬD で高さがＬH の円柱を仮定し、この
円柱の頂上面中心と底面を形成する直径ＬD の円との両
方に接する球の半径をＲM としたとき、前記第２の工程
のエッチングによって形成する所定のレンズの曲率半径
をＲとすると、前記ＲM として、０．３１Ｒ−１３．８１＜Ｒ M ＜０．３１Ｒ＋４．５５ の関係を満たすように前記第１の工程のエッチングを行
うことを特徴とする半導体基板へのモノリシックレンズ
形成方法。 - 【請求項２】 所定のレンズ曲率半径Ｒにより規定され
る球が、前記形成レンズの内側に仮想位置することを特
徴とする請求項１記載の半導体基板へのモノリシックレ
ンズ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174015A JP2989996B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 半導体基板へのモノリシックレンズ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174015A JP2989996B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 半導体基板へのモノリシックレンズ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730082A JPH0730082A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2989996B2 true JP2989996B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=15971153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5174015A Expired - Lifetime JP2989996B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 半導体基板へのモノリシックレンズ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2989996B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11276790B2 (en) | 2018-02-01 | 2022-03-15 | Kyoto Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor light receiving element |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5853960A (en) * | 1998-03-18 | 1998-12-29 | Trw Inc. | Method for producing a micro optical semiconductor lens |
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