JPH07297417A - 集積光学装置 - Google Patents
集積光学装置Info
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- JPH07297417A JPH07297417A JP12042295A JP12042295A JPH07297417A JP H07297417 A JPH07297417 A JP H07297417A JP 12042295 A JP12042295 A JP 12042295A JP 12042295 A JP12042295 A JP 12042295A JP H07297417 A JPH07297417 A JP H07297417A
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- Japan
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- optical
- chip
- director
- optical element
- mesa
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/11—Arrangements specific to free-space transmission, i.e. transmission through air or vacuum
- H04B10/114—Indoor or close-range type systems
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/135—Removal of substrate
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】キャパシタンスを増加させることなく、また、
検知装置のスピードを低下さずに、検知のサイズを増加
させる光学ディレクタ（non-imaging optical directo
r:NID,NIDと略称）装置の提供と、製造方法。 【構成】上部と底部表面を有する透明なNID6が、その底
部で光学素子2と一体に集積される。この上部表面5は、
底部表面7よりも広い。この上部と底部とは、導波領域
により接続されている。このNID6の形状と屈折率の制御
は、入射光10が、全体として内部反射されるように行わ
れる。光信号10は、その用途と、特定の光学素子2に応
じてその上部か、底部で受信される。検知装置の場合に
は上部に入射される。導波領域は、この信号を底部表面
に向けてから、光学素子に向ける。光学素子が光ソース
の場合には光信号はディレクタの底部で受信され、上部
表面に向けられる。
検知装置のスピードを低下さずに、検知のサイズを増加
させる光学ディレクタ（non-imaging optical directo
r:NID,NIDと略称）装置の提供と、製造方法。 【構成】上部と底部表面を有する透明なNID6が、その底
部で光学素子2と一体に集積される。この上部表面5は、
底部表面7よりも広い。この上部と底部とは、導波領域
により接続されている。このNID6の形状と屈折率の制御
は、入射光10が、全体として内部反射されるように行わ
れる。光信号10は、その用途と、特定の光学素子2に応
じてその上部か、底部で受信される。検知装置の場合に
は上部に入射される。導波領域は、この信号を底部表面
に向けてから、光学素子に向ける。光学素子が光ソース
の場合には光信号はディレクタの底部で受信され、上部
表面に向けられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学ディレクタ（non-
imaging optical director：ＮＩＤ）に関し、特に、光
学素子を有する光学ディレクタ（ＮＩＤ）の集積方法と
装置に関する。
imaging optical director：ＮＩＤ）に関し、特に、光
学素子を有する光学ディレクタ（ＮＩＤ）の集積方法と
装置に関する。
【０００２】
【従来技術の説明】集積回路（ＩＣチップ）間の自由空
間を介して光学的に相互接続する装置において、光学ビ
ーム列が検知装置列上に入射される際に、検知装置の活
性領域と同程度に小さい光学スポットを得ることは難し
い。かくして、このような光学システムの限界のため
に、検知装置の領域を大きくしなければならない。検知
装置のサイズを増加すると、キャパシタンスが大きくな
り、検知装置のスピードが遅くなる。その結果、システ
ムの性能を劣化させることになる。
間を介して光学的に相互接続する装置において、光学ビ
ーム列が検知装置列上に入射される際に、検知装置の活
性領域と同程度に小さい光学スポットを得ることは難し
い。かくして、このような光学システムの限界のため
に、検知装置の領域を大きくしなければならない。検知
装置のサイズを増加すると、キャパシタンスが大きくな
り、検知装置のスピードが遅くなる。その結果、システ
ムの性能を劣化させることになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、キャパシタンスを増加させることなく、さらに
また、検知装置のスピードを低下させることなしに、検
知装置のサイズを増加させるような光学ディレクタ（no
n-imaging optical director：ＮＩＤ）装置の提供、お
よび、このような光学ディレクタ（ＮＩＤ）装置の製造
方法を提供しようとするものである。
目的は、キャパシタンスを増加させることなく、さらに
また、検知装置のスピードを低下させることなしに、検
知装置のサイズを増加させるような光学ディレクタ（no
n-imaging optical director：ＮＩＤ）装置の提供、お
よび、このような光学ディレクタ（ＮＩＤ）装置の製造
方法を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の光学ディレクタ
（ＮＩＤ）の装置とその製造方法は、集積された光学素
子で実現される。上部表面と底部表面とを有する透明な
光学ディレクタ（ＮＩＤ）は、その底部表面で光学素子
と一体に集積される。この底部表面の面積は、光学素子
の活性領域の面積とほぼ等しい。このディレクタの上部
表面は、この底部表面よりも広い。この上部表面と底部
表面とは、導波路領域により接続されている。この光学
ディレクタ（ＮＩＤ）の形状と屈折率の制御は、ディレ
クタに入る光が、全体として内部反射されるように行わ
れる。
（ＮＩＤ）の装置とその製造方法は、集積された光学素
子で実現される。上部表面と底部表面とを有する透明な
光学ディレクタ（ＮＩＤ）は、その底部表面で光学素子
と一体に集積される。この底部表面の面積は、光学素子
の活性領域の面積とほぼ等しい。このディレクタの上部
表面は、この底部表面よりも広い。この上部表面と底部
表面とは、導波路領域により接続されている。この光学
ディレクタ（ＮＩＤ）の形状と屈折率の制御は、ディレ
クタに入る光が、全体として内部反射されるように行わ
れる。
【０００５】光信号は、その用途に応じて、および、光
学ディレクタ（ＮＩＤ）が集積される特定の光学素子に
応じてディレクタの上部表面、あるいは、底部表面で受
信される。光学素子が検知装置の場合には、光信号は、
この光学ディレクタ（ＮＩＤ）の上部表面に入射され
る。導波路領域は、この光信号をディレクタの底部表面
に向けて、その下の光学素子に向ける。このように構成
することにより、この光学ディレクタ（ＮＩＤ）は、他
の構成に比べて、光信号の光学エネルギーのより大きな
部分を捕獲して、検知装置に向ける。この場合、光学ス
ポットは、検知装置よりもはるかに大きいと仮定してい
る。かくして、この検知装置は、実際寸法を拡大するこ
となく、有効面積が拡大される。
学ディレクタ（ＮＩＤ）が集積される特定の光学素子に
応じてディレクタの上部表面、あるいは、底部表面で受
信される。光学素子が検知装置の場合には、光信号は、
この光学ディレクタ（ＮＩＤ）の上部表面に入射され
る。導波路領域は、この光信号をディレクタの底部表面
に向けて、その下の光学素子に向ける。このように構成
することにより、この光学ディレクタ（ＮＩＤ）は、他
の構成に比べて、光信号の光学エネルギーのより大きな
部分を捕獲して、検知装置に向ける。この場合、光学ス
ポットは、検知装置よりもはるかに大きいと仮定してい
る。かくして、この検知装置は、実際寸法を拡大するこ
となく、有効面積が拡大される。
【０００６】光学素子が光ソース、すなわち、フォトエ
ミッタの場合には、光学信号は、ディレクタの底部表面
で受光され、導波路領域が、この光学信号をディレクタ
の上部表面に向ける。このような集積されたフォトエミ
ッタを複数用いて、表示装置を改良することができる。
ミッタの場合には、光学信号は、ディレクタの底部表面
で受光され、導波路領域が、この光学信号をディレクタ
の上部表面に向ける。このような集積されたフォトエミ
ッタを複数用いて、表示装置を改良することができる。
【０００７】
【実施例】図１において、光学ディレクタ（non-imagin
g optical director：ＮＩＤ）１と光学素子２（検知装
置、あるいは、エミッタ）が集積され、本発明を実現す
る集積光学素子３が構成される。図１は、集積光学素子
３の展開図である。光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の底部
表面７と、光学素子２の活性表面２ａとは、当接関係に
配置されている。すなわち、これら双方の表面の間は、
物理的に分離していない。図２には、チップ４の上に形
成された１個の集積光学素子３が示されているが、複数
の集積光学素子３もチップ４の上に構成することができ
る。
g optical director：ＮＩＤ）１と光学素子２（検知装
置、あるいは、エミッタ）が集積され、本発明を実現す
る集積光学素子３が構成される。図１は、集積光学素子
３の展開図である。光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の底部
表面７と、光学素子２の活性表面２ａとは、当接関係に
配置されている。すなわち、これら双方の表面の間は、
物理的に分離していない。図２には、チップ４の上に形
成された１個の集積光学素子３が示されているが、複数
の集積光学素子３もチップ４の上に構成することができ
る。
【０００８】光学ディレクタ（ＮＩＤ）１は、それが一
体に構成される光学素子２の動作周波数の光に対し、透
明である。
体に構成される光学素子２の動作周波数の光に対し、透
明である。
【０００９】図に示すように光学ディレクタ（ＮＩＤ）
１の上部表面５の面積は、底部表面７の面積よりも大き
い。光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の底部表面７の面積
は、それが一体化される光学素子２の活性表面２ａの面
積にほぼ等しい。この光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の側
壁６は、傾斜している、すなわち、テーパ状となってい
る。
１の上部表面５の面積は、底部表面７の面積よりも大き
い。光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の底部表面７の面積
は、それが一体化される光学素子２の活性表面２ａの面
積にほぼ等しい。この光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の側
壁６は、傾斜している、すなわち、テーパ状となってい
る。
【００１０】光信号１０を生成する光ソースが、図２の
ｃに示されている。この実施例においては、光学素子
は、検知装置、例えば、多重量子井戸（multiple quant
um well：ＭＱＷ）の光ダイオードである。光学ディレ
クタ（ＮＩＤ）１の側壁６のテーパにより、上部表面５
に入った光学信号が、底部表面７に行き、さらに、光学
素子２の活性表面２ａ（図１）に入るようにする。かく
して、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１は、集光器として機
能する。
ｃに示されている。この実施例においては、光学素子
は、検知装置、例えば、多重量子井戸（multiple quant
um well：ＭＱＷ）の光ダイオードである。光学ディレ
クタ（ＮＩＤ）１の側壁６のテーパにより、上部表面５
に入った光学信号が、底部表面７に行き、さらに、光学
素子２の活性表面２ａ（図１）に入るようにする。かく
して、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１は、集光器として機
能する。
【００１１】図２のａに示した他の実施例においては、
光学素子２は、フォトエミッタ、すなわち、光ソースで
ある。光信号１４は、光学素子２により生成され、光学
ディレクタ（ＮＩＤ）１の底部表面７で受光される。側
壁６のテーパにより、光学信号は、上部表面５に向けら
れる。この実施例に対しては、光学ディレクタ（ＮＩ
Ｄ）１は、ディフューザとして機能する。この光信号１
４は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の上部表面５上にイ
メージを形成し、これは、図２のｂに示す光学スポット
１２となる。上部表面５のサイズは、その全表面積が光
学スポット１２の表面積にほぼ等しいように設定する。
光学素子２は、フォトエミッタ、すなわち、光ソースで
ある。光信号１４は、光学素子２により生成され、光学
ディレクタ（ＮＩＤ）１の底部表面７で受光される。側
壁６のテーパにより、光学信号は、上部表面５に向けら
れる。この実施例に対しては、光学ディレクタ（ＮＩ
Ｄ）１は、ディフューザとして機能する。この光信号１
４は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の上部表面５上にイ
メージを形成し、これは、図２のｂに示す光学スポット
１２となる。上部表面５のサイズは、その全表面積が光
学スポット１２の表面積にほぼ等しいように設定する。
【００１２】光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の形状と屈折
率は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１に入る光学エネルギ
ーの全てが受光面の反対側の面に内部で反射されながら
到達するように制御される。この実施例において、ほと
んど全ての光学エネルギーは、かくして反射される。特
に、側壁６のテーパ角θと光学ディレクタ（ＮＩＤ）１
の材料の屈折率は、内部反射が得られるよう形成され
る。一般的な場合として、側壁６のテーパ角θは、図４
に示すように、２０゜〜３５゜で、内部反射を達成でき
る。
率は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１に入る光学エネルギ
ーの全てが受光面の反対側の面に内部で反射されながら
到達するように制御される。この実施例において、ほと
んど全ての光学エネルギーは、かくして反射される。特
に、側壁６のテーパ角θと光学ディレクタ（ＮＩＤ）１
の材料の屈折率は、内部反射が得られるよう形成され
る。一般的な場合として、側壁６のテーパ角θは、図４
に示すように、２０゜〜３５゜で、内部反射を達成でき
る。
【００１３】光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の高さ、すな
わち、上部表面５から底部表面７への距離を最小にする
のが好ましい。また、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の上
部表面５の面積が光学スポットのサイズに近くなるよう
にするのが好ましい。かくして、光学ディレクタ（ＮＩ
Ｄ）１の特定の形状は、様々な相関するパラメータ、例
えば、上部表面５のサイズ、テーパ角θ、光学ディレク
タ（ＮＩＤ）１の材料の屈折率、あるいは、高さに依存
する。さらに、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の形状は、
光学ディレクタ（ＮＩＤ）１がエッチングされる方法に
よってもかわる。この上部表面５が円形であると、光学
ディレクタ（ＮＩＤ）１は、円錐台で、あるいは、上部
表面５が矩形の場合には、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１
は、図４に示したような形状となる。この光学ディレク
タ（ＮＩＤ）１の形状は、所定の形状をエッチングする
能力によって制限される。
わち、上部表面５から底部表面７への距離を最小にする
のが好ましい。また、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の上
部表面５の面積が光学スポットのサイズに近くなるよう
にするのが好ましい。かくして、光学ディレクタ（ＮＩ
Ｄ）１の特定の形状は、様々な相関するパラメータ、例
えば、上部表面５のサイズ、テーパ角θ、光学ディレク
タ（ＮＩＤ）１の材料の屈折率、あるいは、高さに依存
する。さらに、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１の形状は、
光学ディレクタ（ＮＩＤ）１がエッチングされる方法に
よってもかわる。この上部表面５が円形であると、光学
ディレクタ（ＮＩＤ）１は、円錐台で、あるいは、上部
表面５が矩形の場合には、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１
は、図４に示したような形状となる。この光学ディレク
タ（ＮＩＤ）１の形状は、所定の形状をエッチングする
能力によって制限される。
【００１４】図１と図４は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）
１の一般的特徴を表したものである。この光学ディレク
タ（ＮＩＤ）１の物理的構造は、前述の条件を考慮にい
れて選択されるものであり、特定のシステムの物理的制
限に依存して変わるものである。
１の一般的特徴を表したものである。この光学ディレク
タ（ＮＩＤ）１の物理的構造は、前述の条件を考慮にい
れて選択されるものであり、特定のシステムの物理的制
限に依存して変わるものである。
【００１５】本発明の集積光学素子３の側面図を図４に
示す。この図４には、光学素子２の詳細が図示されてい
る。図４に示された構成においては、光学素子２は、光
ダイオードである。この光ダイオードは、電極２０とｐ
型電極２２とｎ型ドープ半導体２４とｐ型ドープ半導体
２８と非ドープ半導体２６とを有する。この光学素子２
は、フォトエミッタでもよい。光ダイオードの構造とフ
ォトエミッタの構造は、当業者には公知である。
示す。この図４には、光学素子２の詳細が図示されてい
る。図４に示された構成においては、光学素子２は、光
ダイオードである。この光ダイオードは、電極２０とｐ
型電極２２とｎ型ドープ半導体２４とｐ型ドープ半導体
２８と非ドープ半導体２６とを有する。この光学素子２
は、フォトエミッタでもよい。光ダイオードの構造とフ
ォトエミッタの構造は、当業者には公知である。
【００１６】この集積光学素子３は、通常のエッチング
技術とボンディング技術、および、米国特許出願第０８
／０８３７４２号に開示された基板除去方法を用いて構
成される。
技術とボンディング技術、および、米国特許出願第０８
／０８３７４２号に開示された基板除去方法を用いて構
成される。
【００１７】本発明の第１の実施例の方法を図５に示
す。同図は、本発明による複数の集積光学素子３の製造
方法を示す。図５のａに示すように、基板４２とエッチ
ストップ層４４とを有する光学チップ４０が用意され
る。この基板４２は、通常、ＧａＡｓである。光学ディ
レクタ（ＮＩＤ）１を最終的に形成するエッチストップ
層４４は、ＡｌＧａＡｓから形成され、この光学ディレ
クタ（ＮＩＤ）と一体に集積される光学素子は、ＧａＡ
ｓ系である。
す。同図は、本発明による複数の集積光学素子３の製造
方法を示す。図５のａに示すように、基板４２とエッチ
ストップ層４４とを有する光学チップ４０が用意され
る。この基板４２は、通常、ＧａＡｓである。光学ディ
レクタ（ＮＩＤ）１を最終的に形成するエッチストップ
層４４は、ＡｌＧａＡｓから形成され、この光学ディレ
クタ（ＮＩＤ）と一体に集積される光学素子は、ＧａＡ
ｓ系である。
【００１８】図５のｂに示す第１ステップにおいて、フ
ォトレジスト層４６が、その後メサ４８が形成されるべ
き場所のエッチストップ層４４の上に堆積される。この
メサ４８の場所は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１が集積
される光学素子２の部分によって示される。エッチング
剤として、例えば、Ｈ2Ｏ2／Ｈ3ＰＯ4／Ｈ2Ｏを用い
て、エッチストップ層４４のメサ４８をエッチングす
る。このエッチングは、図５ｃに示すように、メサが傾
斜側壁４９を残すように行われる。この傾斜側壁４９の
傾斜は、上記の条件を考慮して決められる。このように
してエッチングを制御する方法は、公知である。例え
ば、“J. Electrochem. Soc., V.128(4)”の８７４〜８
８１ページの“Localized GaAs Etching with Acidic H
ydrogen Peroxide Solutions”（Shaw著）を参照のこ
と。光学ディレクタ（ＮＩＤ）１に対する適切な材料の
選択は、所望のテーパを生成できるようなエッチング剤
の機能に一部依存して決定される。このエッチングは、
光学チップ４０の基板４２内まで進む。このエッチング
の後、フォトレジスト層４６が除去される。
ォトレジスト層４６が、その後メサ４８が形成されるべ
き場所のエッチストップ層４４の上に堆積される。この
メサ４８の場所は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１が集積
される光学素子２の部分によって示される。エッチング
剤として、例えば、Ｈ2Ｏ2／Ｈ3ＰＯ4／Ｈ2Ｏを用い
て、エッチストップ層４４のメサ４８をエッチングす
る。このエッチングは、図５ｃに示すように、メサが傾
斜側壁４９を残すように行われる。この傾斜側壁４９の
傾斜は、上記の条件を考慮して決められる。このように
してエッチングを制御する方法は、公知である。例え
ば、“J. Electrochem. Soc., V.128(4)”の８７４〜８
８１ページの“Localized GaAs Etching with Acidic H
ydrogen Peroxide Solutions”（Shaw著）を参照のこ
と。光学ディレクタ（ＮＩＤ）１に対する適切な材料の
選択は、所望のテーパを生成できるようなエッチング剤
の機能に一部依存して決定される。このエッチングは、
光学チップ４０の基板４２内まで進む。このエッチング
の後、フォトレジスト層４６が除去される。
【００１９】次に、光学チップ４０のメサ４８が、光素
子チップ５０の上の複数の光学素子２に接合される。メ
サ４８を光学素子２に接合するのに適した透明材料は、
例えば、透明なエポキシであり、これを光素子チップ５
０上に塗布して、フィルム５２を形成する。次に、光学
チップ４０のメサ４８を光素子チップ５０の光学素子２
と整合する。その後、メサ４８を光素子チップ５０上の
フィルム５２に接触させて、メサ４８を光学素子２に接
続させる（図５ｅ）。この接合材料は、低屈折率で、光
学ディレクタ（ＮＩＤ）１内の光学信号の全内部反射が
維持されるようなものである。
子チップ５０の上の複数の光学素子２に接合される。メ
サ４８を光学素子２に接合するのに適した透明材料は、
例えば、透明なエポキシであり、これを光素子チップ５
０上に塗布して、フィルム５２を形成する。次に、光学
チップ４０のメサ４８を光素子チップ５０の光学素子２
と整合する。その後、メサ４８を光素子チップ５０上の
フィルム５２に接触させて、メサ４８を光学素子２に接
続させる（図５ｅ）。この接合材料は、低屈折率で、光
学ディレクタ（ＮＩＤ）１内の光学信号の全内部反射が
維持されるようなものである。
【００２０】メサ４８を光学素子２に接合した後、光学
チップ４０の基板４２を除去する。チップボンディング
に付随する基板除去は、米国特許出願第０８／０８３７
４２号に開示されている。本発明の方法には、光素子チ
ップ５０の端部に流動性固化剤５６を垂らすことによ
り、光学チップ４０と光素子チップ５０との間に流動性
固化剤５６を流し込む。毛細管現象により、流動性固化
剤５６は、チップ間に形成されたスペース５４の間に流
れ込む。図５ｆに示したように、流動性固化剤５６は、
スペース５４を充填する。このような流動性固化剤５６
の例としては、エポキシ、フォトレジストがあり、この
フォトレジストの例としては、Shipley社（米国マサチ
ューセッツ州ニュートン）から市販されているＡＺ４２
１０のフォトレジストである。あるいはまた、以下に述
べるような基板のエッチングに対し、耐性を有するいか
なるポリマーでもよく、その後、この流動性固化剤５６
を乾燥して、フォトレジストに相当する強固な固体に変
化させる。この流動性固化剤５６は、硬化するが、この
硬化状態においては、流動性固化剤５６は、基板のエッ
チングの間、光学素子２を保護し、光学ディレクタ（Ｎ
ＩＤ）／検知器接合に対する機械的な支持を与える。
チップ４０の基板４２を除去する。チップボンディング
に付随する基板除去は、米国特許出願第０８／０８３７
４２号に開示されている。本発明の方法には、光素子チ
ップ５０の端部に流動性固化剤５６を垂らすことによ
り、光学チップ４０と光素子チップ５０との間に流動性
固化剤５６を流し込む。毛細管現象により、流動性固化
剤５６は、チップ間に形成されたスペース５４の間に流
れ込む。図５ｆに示したように、流動性固化剤５６は、
スペース５４を充填する。このような流動性固化剤５６
の例としては、エポキシ、フォトレジストがあり、この
フォトレジストの例としては、Shipley社（米国マサチ
ューセッツ州ニュートン）から市販されているＡＺ４２
１０のフォトレジストである。あるいはまた、以下に述
べるような基板のエッチングに対し、耐性を有するいか
なるポリマーでもよく、その後、この流動性固化剤５６
を乾燥して、フォトレジストに相当する強固な固体に変
化させる。この流動性固化剤５６は、硬化するが、この
硬化状態においては、流動性固化剤５６は、基板のエッ
チングの間、光学素子２を保護し、光学ディレクタ（Ｎ
ＩＤ）／検知器接合に対する機械的な支持を与える。
【００２１】最後に、基板４２が除去されて、図５のｇ
に示すように、複数の光学ディレクタ（ＮＩＤ）１が光
素子チップ５０の光学素子２に接合される。基板４２
は、ジェットエッチング装置によって化学的に除去され
る。通常、このジェットエッチング装置は、エッチング
が１×１ｍｍのジェットから、基板４２の表面に分配さ
れる。適当なエッチング剤、例えば、１００：１のＨ2
Ｏ2：ＮＨ4ＯＨが基板を除去するが、光学ディレクタ
（ＮＩＤ）１は、エッチングしない。
に示すように、複数の光学ディレクタ（ＮＩＤ）１が光
素子チップ５０の光学素子２に接合される。基板４２
は、ジェットエッチング装置によって化学的に除去され
る。通常、このジェットエッチング装置は、エッチング
が１×１ｍｍのジェットから、基板４２の表面に分配さ
れる。適当なエッチング剤、例えば、１００：１のＨ2
Ｏ2：ＮＨ4ＯＨが基板を除去するが、光学ディレクタ
（ＮＩＤ）１は、エッチングしない。
【００２２】固化した流動性固化剤５６の一部、あるい
は、全部が光素子チップ５０の上に残存してもよい。こ
の固化した流動性固化剤５６が、光素子チップ５０の上
に存在することにより、集積光学素子３の強度が増す。
機械的支持のために、流動性固化剤５６を残すような実
施例においては、適切な流動性固化剤５６は、機械的支
持を与えることができる充分な剛性を有するものであ
る。この流動性固化剤５６が、光学ディレクタ（ＮＩ
Ｄ）１に隣接する光素子チップ５０の表面上に残留する
場合には、この流動性固化剤５６は、光学ディレクタ
（ＮＩＤ）光学特性と干渉しないようにしなければなら
ない。このような場合、流動性固化剤５６は、適切な低
屈折率を有するものでなければならない。
は、全部が光素子チップ５０の上に残存してもよい。こ
の固化した流動性固化剤５６が、光素子チップ５０の上
に存在することにより、集積光学素子３の強度が増す。
機械的支持のために、流動性固化剤５６を残すような実
施例においては、適切な流動性固化剤５６は、機械的支
持を与えることができる充分な剛性を有するものであ
る。この流動性固化剤５６が、光学ディレクタ（ＮＩ
Ｄ）１に隣接する光素子チップ５０の表面上に残留する
場合には、この流動性固化剤５６は、光学ディレクタ
（ＮＩＤ）光学特性と干渉しないようにしなければなら
ない。このような場合、流動性固化剤５６は、適切な低
屈折率を有するものでなければならない。
【００２３】別法として、固化した流動性固化剤５６
を、光素子チップ５０の上から一部、あるいは、全てを
除去することもできる。しかし、流動性固化剤５６の全
てを除去する場合には、エポキシを流動性固化剤５６と
して用いることはできない。このような場合において
は、他のフォトレジスト、あるいは、他の容易に除去可
能な固化剤を用いなければならない。固化剤が除去され
るような実施例に用いられる適切な固化剤は、固化剤が
チップ上に残留するときと同様な機械的支持強度を持つ
必要はない。溶剤を用いて、固化したフォトレジスト、
あるいは、他の固化剤を除去することもできる。図５ｇ
は、固化剤が除去された後の本発明の集積光学素子を表
す。
を、光素子チップ５０の上から一部、あるいは、全てを
除去することもできる。しかし、流動性固化剤５６の全
てを除去する場合には、エポキシを流動性固化剤５６と
して用いることはできない。このような場合において
は、他のフォトレジスト、あるいは、他の容易に除去可
能な固化剤を用いなければならない。固化剤が除去され
るような実施例に用いられる適切な固化剤は、固化剤が
チップ上に残留するときと同様な機械的支持強度を持つ
必要はない。溶剤を用いて、固化したフォトレジスト、
あるいは、他の固化剤を除去することもできる。図５ｇ
は、固化剤が除去された後の本発明の集積光学素子を表
す。
【００２４】本発明の第２の実施例においては、光学素
子チップ、すなわち、光学ディレクタ（ＮＩＤ）と集積
されるべき光学素子を有するチップは、光学素子と光学
ディレクタ（ＮＩＤ）の両方を形成するのに必要な全て
の層を有する。このようにして、本発明の素子を形成す
ることは、完全に集積化されたＩＣチップ（例えば、Ｓ
ｉ、ＧａＡｓ）と素子とを集積するのを容易にする。
子チップ、すなわち、光学ディレクタ（ＮＩＤ）と集積
されるべき光学素子を有するチップは、光学素子と光学
ディレクタ（ＮＩＤ）の両方を形成するのに必要な全て
の層を有する。このようにして、本発明の素子を形成す
ることは、完全に集積化されたＩＣチップ（例えば、Ｓ
ｉ、ＧａＡｓ）と素子とを集積するのを容易にする。
【００２５】図６は、例えば、ＩＣチップのようなホス
トチップ６０と、集積された本発明の集積光学素子３０
０を表す。この集積化された集積光学素子３００は、光
学ディレクタ（ＮＩＤ）１００と光学素子２００とを有
する。この光学素子２００は、様々な層７６、７８を有
する。金属電極８６、８７、８８、８９を用いて、これ
らを溶融することにより、集積光学素子３００をホスト
チップ６０に接合する。
トチップ６０と、集積された本発明の集積光学素子３０
０を表す。この集積化された集積光学素子３００は、光
学ディレクタ（ＮＩＤ）１００と光学素子２００とを有
する。この光学素子２００は、様々な層７６、７８を有
する。金属電極８６、８７、８８、８９を用いて、これ
らを溶融することにより、集積光学素子３００をホスト
チップ６０に接合する。
【００２６】この集積光学素子３００の形成方法を次に
述べる。図７のａに示すように、光学素子チップ７０
は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１００がそれから形成さ
れるエッチストップ層７４と、光学素子２００を形成す
るのに必要な層７６と７８とを有する。
述べる。図７のａに示すように、光学素子チップ７０
は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１００がそれから形成さ
れるエッチストップ層７４と、光学素子２００を形成す
るのに必要な層７６と７８とを有する。
【００２７】フォトレジスト８０が、メサが形成される
べき場所の層７８の上に堆積される（図７ｂ）。前の実
施例と同様に、このメサ８２をエッチングして、適切な
傾斜した８４を形成する（図７ｃ）。このエッチングの
後、フォトレジスト８０を除去する。
べき場所の層７８の上に堆積される（図７ｂ）。前の実
施例と同様に、このメサ８２をエッチングして、適切な
傾斜した８４を形成する（図７ｃ）。このエッチングの
後、フォトレジスト８０を除去する。
【００２８】このメサ８２が、その後、ホストチップ６
０に対し、その適切な場所に接合される。米国特許出願
第０８／０８３７４２号に開示された導電性エポキシ、
あるいは、導電性ハンダ接合技術を用いて、このメサを
ホストチップに接合する。米国特許出願第０８／０８３
７４２号、および、図７ｄと図７ｅに示されたハンダ接
合方法によれば、金属電極８８と８９は、所望の場所の
ホストチップ６０の上に堆積される。この金属電極８６
と８７は、メサ８２の底部にも堆積され、光学素子チッ
プ７０が、ホストチップ６０と接触するようにされる。
この金属電極８６と８７は、それぞれ、金属電極８８と
８９と整合している。熱を加えて、この導電性接点を溶
融して、光学素子チップ７０とホストチップ６０とを図
７ｅに示すように、互いに接触させる。この金属電極８
６、８７、８８、８９は、金属、あるいは、合金、例え
ば、金、金／亜鉛、または、インジウムから形成される
のが好ましい。
０に対し、その適切な場所に接合される。米国特許出願
第０８／０８３７４２号に開示された導電性エポキシ、
あるいは、導電性ハンダ接合技術を用いて、このメサを
ホストチップに接合する。米国特許出願第０８／０８３
７４２号、および、図７ｄと図７ｅに示されたハンダ接
合方法によれば、金属電極８８と８９は、所望の場所の
ホストチップ６０の上に堆積される。この金属電極８６
と８７は、メサ８２の底部にも堆積され、光学素子チッ
プ７０が、ホストチップ６０と接触するようにされる。
この金属電極８６と８７は、それぞれ、金属電極８８と
８９と整合している。熱を加えて、この導電性接点を溶
融して、光学素子チップ７０とホストチップ６０とを図
７ｅに示すように、互いに接触させる。この金属電極８
６、８７、８８、８９は、金属、あるいは、合金、例え
ば、金、金／亜鉛、または、インジウムから形成される
のが好ましい。
【００２９】接合がＩＣチップの光学素子と電極との間
に形成されているため、この接合は、電気信号を導通す
ることができなければならない。エポキシによる接合
を、この実施例において用いているが、このエポキシ
は、それゆえに、導電性でなければならない。この実施
例において、図７ｆと図７ｇに示すように、エポキシ６
２の薄い層が、ホストチップ６０に塗布される。光学素
子チップ７０がホストチップと整合して接触され、メサ
８２をエポキシ６２に接合する。
に形成されているため、この接合は、電気信号を導通す
ることができなければならない。エポキシによる接合
を、この実施例において用いているが、このエポキシ
は、それゆえに、導電性でなければならない。この実施
例において、図７ｆと図７ｇに示すように、エポキシ６
２の薄い層が、ホストチップ６０に塗布される。光学素
子チップ７０がホストチップと整合して接触され、メサ
８２をエポキシ６２に接合する。
【００３０】前述の実施例においては、流動性固化剤５
６が、光学素子チップ７０とホストチップ６０との空間
に塗布される（図７ｈ）。この流動性固化剤５６が硬化
すると、光学素子チップ７２をジェットエッチングによ
り除去して、複数の集積光学素子３００を残す。この各
集積光学素子３００は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１０
０と光学素子２００とを有し、それらは、ホストチップ
の所望の位置に接合されている。適切な溶剤を用いて、
流動性固化剤５６の一部、あるいは、全てをホストチッ
プ６０の表面から除去する。溶剤が除去された後の集積
化された集積光学素子３００とホストチップ６０とが、
図７ｉに示されている。
６が、光学素子チップ７０とホストチップ６０との空間
に塗布される（図７ｈ）。この流動性固化剤５６が硬化
すると、光学素子チップ７２をジェットエッチングによ
り除去して、複数の集積光学素子３００を残す。この各
集積光学素子３００は、光学ディレクタ（ＮＩＤ）１０
０と光学素子２００とを有し、それらは、ホストチップ
の所望の位置に接合されている。適切な溶剤を用いて、
流動性固化剤５６の一部、あるいは、全てをホストチッ
プ６０の表面から除去する。溶剤が除去された後の集積
化された集積光学素子３００とホストチップ６０とが、
図７ｉに示されている。
【００３１】本発明のさらに別の実施例においては、反
射防止コーティング９２が、光学ディレクタ（ＮＩＤ）
１、または、光学ディレクタ１００の上部表面５に、標
準の堆積技術を用いて付加される。この反射防止コーテ
ィング９２は、二酸化シリコン、あるいは、窒化シリコ
ン等の当業者に公知の材料である。この堆積技術に関し
ては、“Thin Film Optical Filters”（Adam Hilger L
td., Bristol, U.K. (1986)、Macleod著）を参照のこ
と。
射防止コーティング９２が、光学ディレクタ（ＮＩＤ）
１、または、光学ディレクタ１００の上部表面５に、標
準の堆積技術を用いて付加される。この反射防止コーテ
ィング９２は、二酸化シリコン、あるいは、窒化シリコ
ン等の当業者に公知の材料である。この堆積技術に関し
ては、“Thin Film Optical Filters”（Adam Hilger L
td., Bristol, U.K. (1986)、Macleod著）を参照のこ
と。
【００３２】光学ディレクタ（ＮＩＤ）が光ダイオード
と集積されて、本発明の集積光学素子３、または、集積
光学素子３００を形成する場合においては、この集積光
学素子３、３００は、光スイッチングにおける検知器と
して用いられる。また、この光学ディレクタ（ＮＩＤ）
が光フォトエミッタと集積されて、本発明の集積光学素
子３、または、３００を形成する場合には、この集積光
学素子３、または、３００のアレイは、図８に示すよう
な表示装置９１として用いられる。この表示装置９１
は、隣接する複数のエミッタ９３の間にスペースを有
し、駆動電子装置が、その間に配置されて、本発明の装
置を用いた表示装置９１が、ほぼ１００％の充填係数、
すなわち、実質的に未使用領域がない状態で使用され
る。本発明による集積化光学素子３、３００を形成する
ことにより、駆動装置９５用の対応するエミッタ９３の
間に充分なスペースが存在するが、表示装置９１を形成
する隣接する光学ディレクタ（ＮＩＤ）１、または、光
学ディレクタ１００の上部表面５の間には、スペースは
存在しないことになる。
と集積されて、本発明の集積光学素子３、または、集積
光学素子３００を形成する場合においては、この集積光
学素子３、３００は、光スイッチングにおける検知器と
して用いられる。また、この光学ディレクタ（ＮＩＤ）
が光フォトエミッタと集積されて、本発明の集積光学素
子３、または、３００を形成する場合には、この集積光
学素子３、または、３００のアレイは、図８に示すよう
な表示装置９１として用いられる。この表示装置９１
は、隣接する複数のエミッタ９３の間にスペースを有
し、駆動電子装置が、その間に配置されて、本発明の装
置を用いた表示装置９１が、ほぼ１００％の充填係数、
すなわち、実質的に未使用領域がない状態で使用され
る。本発明による集積化光学素子３、３００を形成する
ことにより、駆動装置９５用の対応するエミッタ９３の
間に充分なスペースが存在するが、表示装置９１を形成
する隣接する光学ディレクタ（ＮＩＤ）１、または、光
学ディレクタ１００の上部表面５の間には、スペースは
存在しないことになる。
【００３３】光学ディレクタ（ＮＩＤ）１、あるいは、
１００と一体に形成された光電子装置は、本発明を形成
する。また、本発明の装置は、個別に、あるいは、この
ような装置の列の一部として形成することもできる。
１００と一体に形成された光電子装置は、本発明を形成
する。また、本発明の装置は、個別に、あるいは、この
ような装置の列の一部として形成することもできる。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、光
検知装置、あるいは、フォトエミッタと一体に形成され
た光学装置を形成することができ、なおかつ、底部表面
と上部表面とを比較した場合、上部表面の方が底部表面
よりも広いために、底部表面近傍に駆動電子装置を配置
することもでき、上部表面を互いに当接しながら配置す
ることもできる。
検知装置、あるいは、フォトエミッタと一体に形成され
た光学装置を形成することができ、なおかつ、底部表面
と上部表面とを比較した場合、上部表面の方が底部表面
よりも広いために、底部表面近傍に駆動電子装置を配置
することもでき、上部表面を互いに当接しながら配置す
ることもできる。
【００３５】なお、当然のことながら、必ずしも、上部
表面を底部表面よりも広くする必要はなく、ほぼ同一の
ものでもかまわない。
表面を底部表面よりも広くする必要はなく、ほぼ同一の
ものでもかまわない。
【図１】本発明による素子を形成するための光学ディレ
クタ（ＮＩＤ）と光学素子とを一体に成形した展開図。
クタ（ＮＩＤ）と光学素子とを一体に成形した展開図。
【図２ａ】光学素子が光検知器である本発明による一体
光学素子の図。
光学素子の図。
【図２ｂ】図２ａの素子の平面図。
【図２ｃ】光学素子が光エミッタである本発明の一体成
形した光学素子の図。
形した光学素子の図。
【図３】光学ディレクタ（ＮＩＤ）の斜視図。
【図４】光学素子の詳細を示す図１の素子の側面図。
【図５】図１の素子の製造方法を示す各ステップを表す
図。
図。
【図６】本発明の第２の実施例の光学素子の側面図で、
光学ディレクタ（ＮＩＤ）を形成するのに必要な層と光
学素子とが単一のチップ上に形成され、本発明の素子が
集積回路チップに接合された状態を表す図。
光学ディレクタ（ＮＩＤ）を形成するのに必要な層と光
学素子とが単一のチップ上に形成され、本発明の素子が
集積回路チップに接合された状態を表す図。
【図７】図６の素子の形成方法の各ステップを表す図。
【図８】本発明により複数の集積光エミッタを用いた改
良したディスプレイの斜視図。
良したディスプレイの斜視図。
１ 光学ディレクタ（ＮＩＤ） ２ 光学素子 ２ａ 活性表面 ３ 集積光学素子 ４ チップ ５ 上部表面 ６ 側壁 ７ 底部表面 ８ 光ソース １０、１４ 光信号 １２ 光学スポット ２０ 電極 ２２ ｐ型電極 ２４ ｎ型ドープ半導体 ２６ 非ドープ半導体 ２８ ｐ型ドープ半導体 ４０ 光学チップ ４２ 基板 ４４ エッチストップ層 ４６ フォトレジスト層 ４８ メサ ４９ 傾斜側壁 ５０ 光素子チップ ５２ フィルム ５４ スペース ５６ 流動性固化剤 ６０ ホストチップ ６２ エポキシ ７０、７２ 光学素子チップ ７４ エッチストップ層 ７６、７８ 層 ８０ フォトレジスト ８２ メサ ８６、８７、８８、８９ 金属電極 ９１ 表示装置 ９２ 反射防止コーティング ９３ エミッタ ９５ 駆動装置 １００ 光学ディレクタ（ＮＩＤ） ２００ 光学素子 ３００ 集積光学素子
Claims (27)
- 【請求項１】 （ａ）その間を光導波路領域により接続
されて、平行に配置された第１表面と第２表面とを有す
る光学ディレクタと、 前記光学導波路領域は、前記第１表面、あるいは、第２
表面の何れかで受光された光学信号の内部反射が起こる
よう構成され、 （ｂ）前記光学ディレクタの第２表面に隣接して配置さ
れた光学素子と、からなることを特徴とする集積光学装
置。 - 【請求項２】 前記光学ディレクタは、光学素子の動作
周波数において、動作周波数に対し透明な材料製である
ことを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項３】 前記光学ディレクタは、ＡｌＧａＡｓ製
であることを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項４】 前記光学導波路領域は、傾斜側壁を有す
ることを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項５】 前記傾斜側壁のテーパ角は、２０゜〜３
５゜であることを特徴とする請求項４の装置。 - 【請求項６】 前記光学素子は、光検知器であることを
特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項７】 前記光学素子は、フォトエミッタである
ことを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項８】 前記光検知器は、多重量子井戸光ダイオ
ードであることを特徴とする請求項６の装置。 - 【請求項９】 光学エネルギーのコヒーレントソースを
さらに有し、前記光学エネルギーは、光学ディレクタの
第１表面に入射されたときには、光学スポットを形成
し、 前記光学ディレクタの第１表面の面積は、光学スポット
の面積とほぼ等しいことを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項１０】 前記第１、あるいは、第２表面で受光
されたほとんど全ての光は、それぞれ、前記第１、ある
いは、第２表面に反射されることを特徴とする請求項１
の装置。 - 【請求項１１】 前記光学ディレクタは、その第１表面
に反射防止コーティングを施されていることを特徴とす
る請求項１の装置。 - 【請求項１２】 （ａ）その間を光導波路領域により接
続されて、平行に配置された第１表面と第２表面とを有
する光学ディレクタと、 前記光学導波路領域は、前記第１表面、あるいは、第２
表面の何れかで受光された光学信号の内部反射が起こる
よう構成され、 その結果、第１表面で受光された光学信号の大部分は、
第２表面に向けられ、 （ｂ）前記光学ディレクタの第２表面に隣接して配置さ
れた光検知装置と、 前記光検知装置は、光学ディレクタの第２表面に向けら
れた光学信号を受光するからなることを特徴とする集積
光学装置。 - 【請求項１３】 前記光学導波路領域は、傾斜側壁を有
することを特徴とする請求項１２の装置。 - 【請求項１４】 前記光検知器は、多重量子井戸光ダイ
オードであることを特徴とする請求項１２の装置。 - 【請求項１５】 前記光学ディレクタは、その第１表面
に反射防止コーティングを施されていることを特徴とす
る請求項１２の装置。 - 【請求項１６】 集積光学素子の形成方法において、 （ａ）少なくとも基板層とエッチストップ層とを有する
第１チップ上に、メサを形成するステップと、 （ｂ）前記第１チップ上のメサを、第２チップに接合す
るステップと、 （ｃ）前記第１チップと第２チップとの間の空間に充填
する流動性固化剤を流すステップと、 （ｄ）前記第１チップから前記基板を除去するステップ
と からなることを特徴とする集積光学素子の形成方法。 - 【請求項１７】 前記（ａ）のステップは、（ａ１）前
記第１チップのエッチストップ層の上のメサが形成され
るべき領域に、フォトレジストを堆積させるステップ
と、（ａ２）前記第１チップのメサが形成されるべき領
域に、エッチング剤を塗布するステップと、（ａ３）メ
サに所望のテーパを形成するために、エッチングを制御
するステップとを有することを特徴とする請求項１６の
方法。 - 【請求項１８】 前記（ｂ）のステップは、（ｂ１）前
記第２チップ上に、接合材料製の層を形成するステップ
と、（ｂ２）前記第１チップのメサと、前記第２チップ
の光学素子とを整合させるステップと、（ｂ３）前記第
１チップ上のメサと、前記第２チップ上の接合材料層と
を接触させるステップとを有することを特徴とする請求
項１６の方法。 - 【請求項１９】 前記（ｃ）のステップは、流動性固化
剤が固化したときに、前記第１チップから第２チップを
構造的に支持するように、充分な固化剤を流動させるこ
とを特徴とする請求項１６の方法。 - 【請求項２０】 前記流動性固化剤は、エポキシとフォ
トレジストからなるグループから選択された材料製であ
ることを特徴とする請求項１６の方法。 - 【請求項２１】 前記（ｄ）のステップは、集積された
光学素子の構造的支持を改良するために、充分な量の流
動性固化剤を残すことを特徴とする請求項１６の方法。 - 【請求項２２】 前記（ｄ）のステップは、流動性固化
剤の全てを除去することを特徴とする請求項１６の方
法。 - 【請求項２３】 前記基板が除去されたときに形成され
る光学ディレクタ（ＮＩＤ）の上に、反射防止コーティ
ングを堆積するステップをさらに有することを特徴とす
る請求項１６の方法。 - 【請求項２４】 前記（ａ）のステップは、（ａ１）前
記第１チップの第１チップの上のメサが形成されるべき
領域に、フォトレジストを堆積させるステップと、この
第１チップは、光学素子を形成するのに必要な全ての層
を含み、（ａ２）前記第１チップのメサが形成されるべ
き領域に、エッチング剤を塗布するステップと、（ａ
３）メサに所望のテーパを形成するために、エッチング
を制御するステップとを有することを特徴とする請求項
１６の方法。 - 【請求項２５】 前記（ｂ）のステップは、（ｂ１）前
記メサと前記第２チップ上に、導電性接触表面を形成す
るステップと、前記第２チップは、集積回路チップであ
り、（ｂ２）溶融し、固化したときに、接合を形成する
よう、前記導電性接点を加熱するステップと、を有する
ことを特徴とする請求項２４の方法。 - 【請求項２６】 前記流動性固化剤は、エポキシ、およ
び、フォトレジストからなるグループから選択された材
料製であることを特徴とする請求項１６の方法。 - 【請求項２７】 前記（ｂ）のステップは、（ｂ１）集
積回路チップである第２チップの上に、導電性エポキシ
層を形成するステップと、（ｂ２）前記第２チップ上の
特定の位置と、前記第１チップ上のメサとを整合させる
ステップと、（ｂ３）前記第１チップ上のメサと、前記
第２チップ上の導電性エポキシ層とを接触させるステッ
プとを有することを特徴とする請求項１６の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US23288994A | 1994-04-25 | 1994-04-25 | |
| US232889 | 1994-04-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297417A true JPH07297417A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=22875011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12042295A Pending JPH07297417A (ja) | 1994-04-25 | 1995-04-24 | 集積光学装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5698452A (ja) |
| EP (1) | EP0680163A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07297417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057266A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Lumileds Lighting Us Llc | 光取り出し効率が改善された発光装置 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999050890A1 (en) * | 1998-03-27 | 1999-10-07 | Trustees Of Princeton University | Method for making multilayer thin-film electronics |
| US6893896B1 (en) * | 1998-03-27 | 2005-05-17 | The Trustees Of Princeton University | Method for making multilayer thin-film electronics |
| US6311004B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-10-30 | Lightwave Microsystems | Photonic devices comprising thermo-optic polymer |
| US7064355B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-06-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
| JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| US7053419B1 (en) | 2000-09-12 | 2006-05-30 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
| US6987613B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-01-17 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction |
| US20060091411A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Ouderkirk Andrew J | High brightness LED package |
| US20060094322A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Ouderkirk Andrew J | Process for manufacturing a light emitting array |
| US20060091412A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Wheatley John A | Polarized LED |
| US7304425B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-12-04 | 3M Innovative Properties Company | High brightness LED package with compound optical element(s) |
| US7329982B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-02-12 | 3M Innovative Properties Company | LED package with non-bonded optical element |
| US7404756B2 (en) | 2004-10-29 | 2008-07-29 | 3M Innovative Properties Company | Process for manufacturing optical and semiconductor elements |
| US7330319B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-02-12 | 3M Innovative Properties Company | High brightness LED package with multiple optical elements |
| US20060091414A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Ouderkirk Andrew J | LED package with front surface heat extractor |
| US7419839B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
| US7462502B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-12-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Color control by alteration of wavelength converting element |
| US20070257270A1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-08 | 3M Innovative Properties Company | Led package with wedge-shaped optical element |
| US20070258241A1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-08 | 3M Innovative Properties Company | Led package with non-bonded converging optical element |
| US20070257271A1 (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-08 | 3M Innovative Properties Company | Led package with encapsulated converging optical element |
| US7390117B2 (en) * | 2006-05-02 | 2008-06-24 | 3M Innovative Properties Company | LED package with compound converging optical element |
| US7953293B2 (en) * | 2006-05-02 | 2011-05-31 | Ati Technologies Ulc | Field sequence detector, method and video device |
| US7525126B2 (en) | 2006-05-02 | 2009-04-28 | 3M Innovative Properties Company | LED package with converging optical element |
| WO2008011377A2 (en) * | 2006-07-17 | 2008-01-24 | 3M Innovative Properties Company | Led package with converging extractor |
| US9263228B2 (en) | 2014-03-10 | 2016-02-16 | International Business Machines Corporation | Integrated photoemission sources and scalable photoemission structures |
| AU2018213261B2 (en) | 2017-01-26 | 2022-09-08 | Renee Mazaheri | Cyber-retro-reflector technology |
| US11721657B2 (en) * | 2019-06-14 | 2023-08-08 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level chip scale package having varying thicknesses |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3443140A (en) * | 1965-04-06 | 1969-05-06 | Gen Electric | Light emitting semiconductor devices of improved transmission characteristics |
| DE2634264A1 (de) * | 1976-07-30 | 1978-02-02 | Licentia Gmbh | Halbleiter-lumineszenzbauelement |
| US4626322A (en) * | 1983-08-01 | 1986-12-02 | Union Oil Company Of California | Photoelectrochemical preparation of a solid-state semiconductor photonic device |
| GB2145875B (en) * | 1983-08-12 | 1986-11-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Infra-red-detector |
| DE3429812C1 (de) * | 1984-08-14 | 1986-04-10 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn | Monolithischer Bildaufnehmer |
| JPS63308831A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電スイッチ及びその製造方法 |
| JPS63291466A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US5023685A (en) * | 1988-06-06 | 1991-06-11 | Bethea Clyde G | Quantum-well radiation-interactive device, and methods of radiation detection and modulation |
| JPH02105585A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| JPH03152978A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US5124281A (en) * | 1990-08-27 | 1992-06-23 | At&T Bell Laboratories | Method of fabricating a photonics module comprising a spherical lens |
| GB2248964A (en) * | 1990-10-17 | 1992-04-22 | Philips Electronic Associated | Plural-wavelength infrared detector devices |
| US5385632A (en) * | 1993-06-25 | 1995-01-31 | At&T Laboratories | Method for manufacturing integrated semiconductor devices |
| US5418183A (en) * | 1994-09-19 | 1995-05-23 | At&T Corp. | Method for a reflective digitally tunable laser |
-
1995
- 1995-04-12 EP EP95302425A patent/EP0680163A3/en not_active Withdrawn
- 1995-04-24 JP JP12042295A patent/JPH07297417A/ja active Pending
- 1995-08-31 US US08/524,142 patent/US5698452A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057266A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Lumileds Lighting Us Llc | 光取り出し効率が改善された発光装置 |
| JP2011238970A (ja) * | 2003-07-31 | 2011-11-24 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 光取り出し効率が改善された発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0680163A2 (en) | 1995-11-02 |
| EP0680163A3 (en) | 1996-07-03 |
| US5698452A (en) | 1997-12-16 |
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