JP5092251B2 - 光検出装置 - Google Patents
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Description
AR多層膜における多層膜を酸化ケイ素(SiO 2 )とアモルファスシリコンとの繰り返し多層膜とすることができる。これにより既存の設備を用いて簡単にAR多層膜を形成することができ、クロストークをより確実に抑制することができる。
図1は、参考例として挙げる実施の形態1の光検出装置を示す図である。この光検出装置50において、InP基板51のトップ側にAR膜13が配置され、ボトム側すなわち実装側に受光層3を含むエピタキシャル層が形成されている。p部電極は、リング状でも三日月状でもよいが、ここではリング状p部電極7が、SiN保護膜12から露出するように形成されている。p部電極7からは配線電極33が引き出されており、このためp部電極7およびn部電極6は、In半田34を介在させてマルチプレクサ35の配線に接続される。各受光素子10からの信号は、マルチプレクサ35によって画像形成のために処理される。図2は、本発明の実施の形態1の受光素子アレイを説明するための図である。以後の説明では、マルチプレクサおよびIn半田等はクロストークにほとんど関係しないため省略して、受光素子アレイ内での現象について説明する。このため検出装置50を受光素子アレイと呼ぶことがある。図3は、図2の受光素子アレイ50のうちの1つの受光素子を示す図である。図2において、受光素子アレイ50の受光素子10は、共通のInP基板51に設けられている。各受光素子で入射光を受光することにより生じた電流信号は、たとえば実装基板を兼ねたマルチプレクサに送られ、画像形成の処理がなされ画像が形成される。各受光素子のサイズやピッチ、アレイの大きさを変えながら、画素数を変化させる。図2に示す受光素子アレイ50は9万画素のものである。図3に示す受光素子10は、InP基板51の上に形成された複数のエピタキシャル層を有し、エピタキシャル層側にp部領域9が配置されている。このp部領域9はリング状でも三日月状でもよいが、ここではリング状のものを示している。p部領域9はSiN保護膜12中に形成され電極配線33に電気的に接続され、さらにこの電極配線33はIn半田34を介在させてマルチプレクサの配線に接続される。本実施の形態は、p部電極7が、上記のようなリング形状を有する点に特徴がある。
図5は、図4に示す参考例として挙げる実施の形態1の光検出装置の改良例1を示す図である。参考例として挙げる改良例1の光検出装置50は、エピタキシャル層側の保護膜12の上にさらに、放出手段であるAR膜13bを設けた点に特徴がある。この光入射側と反対側の面(実装側、またはエピダウン実装のエピ面)に配置したAR膜13bのために、大きく傾いた入射角で入射する光は、一度、その受光素子10の受光箇所16で受光されたのち、隣の受光素子に、そのp型領域9をかすめるように混入したとしても、裏面で反射されずに、その裏面を通過する。このため、図4に示す光検出装置に比べて、裏面での反射がないので、クロストークをより確実に抑えることができる。
図6は、図4に示す参考例として挙げる実施の形態1の光検出装置の改良例2を示す図である。参考例として挙げる改良例2の光検出装置50は、リング状のエピ側電極7のリング内側に、放出手段であるレンズ21を配置した点に特徴がある。この光入射側と反対側の面に配置したレンズ21のために、大きく傾いた入射角で入射する光は、一度、その受光素子10の受光箇所16で受光されたのち、隣の受光素子に、そのp型領域9をかすめるように混入したとしても、裏面で反射されずにレンズ21の領域を通って抜け出る。このため、図4に示す光検出装置に比べて、裏面での反射がないので、クロストークをより確実に抑えることができる。
図7は、参考例として挙げる実施の形態2における、光検出装置を示す断面図である。この光検出装置50は、エピダウン実装(フリップチップ実装)の受光素子10のアレイを備える。受光素子10は、共通のn型InP基板51上に形成され、InP基板51に設けられた素子分離溝17によって隣の受光素子と分離されている。各受光素子ごとに、InP基板側から順に、n型InPバッファ層2/受光層3/InP窓層4/保護膜12が形成されている。本実施の形態では、エピダウン実装における光入射側のInP基板51の表面において、受光素子の中央部に凹部22が設けられ、その凹部の底面にAR層23が設けられている点に特徴がある。この凹部22が、入射側限定集光部である。n部電極6はn型InPバッファ層2に設けられ、フリップチップ実装を可能にしている。またエピ側電極であるp部電極7は、実施の形態1と同様に、実装面側のp型領域9に接してリング状に形成されている。
図8は、図7に示す参考例として挙げる実施の形態2の光検出装置の改良例1を示す図である。参考例として挙げる改良例1の光検出装置50は、InP基板51の凹部22の側壁面と頂面(底面以外の露出面)を光を通さない光遮断膜24で覆った点に特徴がある。光遮断膜24は、HR(高反射膜:High
Reflection)でも、金属膜でも、また光吸収膜でもよい。凹部の底面以外の露出面を覆う光遮断膜24のために、大きく傾いた入射角で入射する光は、たとえば凹部22の側壁面において、光遮断膜24たとえば反射膜または金属膜に反射され、凹部の底面のAR膜23を通過し、その受光素子において受光され、そのまま通り抜ける。このため、大きく傾いた入射光であっても、凹部22の側面から隣の受光素子に向かわず、その受光素子で受光されるので、図7に示す光検出装置に比べて、クロストークをより確実に抑えることができる。金属膜としては光を透過しないものであれば何でもよい。たとえば、一般的な成膜装置で形成が容易である、Ti、Cr、Co、Ni、Fe、Zn、Mo、W、Au、Al、Ag、Ptなどを含む単層膜(単一金属膜もしくは合金膜)、または、これら膜の積層膜を用いることができる。光吸収膜としては光を吸収するものであれば何でもよい。たとえば、受光する光の波長よりもバンドギャップ波長が大きい半導体膜や半導体粉末、黒体となるような膜、たとえばカーボン膜等を挙げることができる。また、光反射膜としては光を反射するものであれば何でもよい。たとえばSWIR光に対しては、SiとSiO2とからなる多層膜、Al2O3とSiとからなる多層膜などを挙げることができる。
図9は、図7に示す参考例として挙げる実施の形態2の光検出装置の改良例2を示す図である。参考例として挙げる改良例2の光検出装置50は、InP基板51の凹部22に、”光入射側で屈折率が高く、底面側で屈折率が高くなるような、屈折率傾斜層25”が埋め込まれている点に特徴を有する。凹部の底面以外の露出面である、側壁面および頂面が光遮断層24で覆われている点は、図8の改良例1と同じである。したがって、本改良例2は、上記改良例1に対する改良例でもある。
(屈折率傾斜層R1);(空気:外部)/SiO2(屈折率1.5)/SiON(屈折率1.8)/(InP:受光素子基板)
(屈折率傾斜層R2);(空気:外部)/エポキシ樹脂(屈折率1.6)/SiON(屈折率1.8)/(InP:受光素子基板)
屈折率傾斜層R1の場合、受光素子に対し60°の角度θ(基準垂直線となす角)で入射した光は、SiO2中では35°、SiON中では29°、そしてInP中では17°と、より垂直に変換される。また、屈折率傾斜層R2の場合では、受光素子に対し60°の角度θで入射した光は、エポキシ樹脂中では33°、SiON中では29°、そしてInP中では17°と、やはり垂直に近づけることができる。この結果、上記の屈折率傾斜層25を用いることにより、クロストークを抑制することが可能となる。
図11は、図7に示す参考例として挙げる実施の形態2の光検出装置の改良例3を示す図である。参考例として挙げる改良例3の光検出装置50は、InP基板51の凹部22の側壁面と頂面(底面以外の露出面)を、光を透過させないようにした加工処理層26で覆った点に特徴がある。加工処理層26は、光を透過させない加工処理が施された層である。微細な凹凸が一面に形成される不透明化処理など、どのような処理であってもよい。たとえば、加工処理層26の加工処理方法としては、ダイサーや細かい砥石のようなもので機械加工することにより表面を微細に凹凸化させる方法、材質によるがウエットエッチングやRIE(反応性イオンエッチング)による凹凸化方法、または熱処理により表面を酸化し、もしくは変質させる凹凸化方法を挙げることができる。たとえば、SWIR用受光素子の基板として用いられるInP基板の場合、熱処理により表面のPを部分的に脱離して凹凸化する方法が可能である。凹部の底面以外の露出面を覆う加工処理層26のために、大きく傾いた入射角で入射する光は、たとえば凹部22の側壁面を通過することができない。このため、大きく傾いた入射光は、凹部22の側壁面を通過できず、したがって隣の受光素子に向かわない。このため、図7に示す光検出装置に比べて、クロストークをより確実に抑えることができる。
図12〜図14は、参考例として挙げる実施の形態3における、光検出装置を示す断面図である。この光検出装置50は、エピダウン実装(フリップチップ実装)の受光素子10のアレイを備える。受光素子10は、共通のn型InP基板51上に形成され、素子分離溝17によって隣の受光素子と分離されている。各受光素子ごとに、InP基板側から順に、n型InPバッファ層2/受光層3/InP窓層4/保護膜12が形成されている。本実施の形態では、エピダウン実装における光入射面であるInP基板51の表面に、入射側限定集光部である光学素子が配置される点に特徴を有する。光学素子は、図12の光検出装置の場合はレンズ27であり、図13の場合は回折格子28であり、図14の場合はフォトニック結晶29が配置されている。n部電極6はn型InPバッファ層2に設けられ、またエピ側電極のp部電極5は、実施の形態2と同様に、実装面側のp型領域9に接してリング状に形成されている。
図15は、本発明の実施の形態4における、光検出装置を示す断面図である。この光検出装置50は、エピダウン実装(フリップチップ実装)の受光素子10のアレイを備える。受光素子10は、共通のn型InP基板51上に形成され、素子分離溝17によって隣の受光素子と分離されている。各受光素子ごとに、InP基板側から順に、n型InPバッファ層2/受光層3/InP窓層4/保護膜12が形成されている。本実施の形態では、エピダウン実装における光入射側のInP基板51の表面に、大きく傾いた入射光を反射して通さないAR多層膜(AR膜+多層膜)31が設けられている点に特徴がある。このAR多層膜31が、入射側限定集光部である。受光素子50に光を効率よく入れるために、AR膜は必要とされるが、このAR膜に多層膜を加えることにより、入射角による光の選別を精度よく行うことができる。たとえば、(S1)AR膜なし、(S2)AR膜のみ、(S3)AR多層膜、の各場合について、どの程度斜めに傾いた入射光線を除くことができるかを、まとめて表1に示す。
図16〜図18は、図15に示した本発明に係る光検出装置の参考例である変形例1〜3を示す図である。これら参考例として挙げる変形例1〜3では、図15におけるAR多層膜31を、エピタキシャル多層膜で代替した点に特徴を有する。図16の変形例1では、InP基板51とInPバッファ層2との間に位置するエピタキシャル多層膜31aに、AR多層膜の機能を持たせたものである。また、図17の変形例2では、InP基板51上のバッファ層31bをエピタキシャル多層膜で構成して、AR多層膜の機能を持たせている。また、図18の変形例3では、InPバッファ層2と受光層3との間に位置するエピタキシャル多層膜31cにより、AR多層膜31を代替する。上記の変形例1〜3の光検出装置では、InP基板51上に受光層3を含むエピタキシャル膜を積層する処理の際に、上記エピタキシャル多層膜31a,31b,31cを容易に形成することができる利点を有する。エピタキシャル多層膜としては、光の吸収がそれほど大きくなく、基板や受光層との格子定数差もそれほど大きくなければ何でもよい。たとえば、SWIR光を対象としたInP基板上のGaInNAs、GaInNAsP、GaInNAsSbなどの受光層を有する受光素子を対象にする場合、受光波長にもよるが、(EP1)InGaAs、(EP2)GaInNAs、(EP3)InGaAs、GaInNAsにAlまたはPを添加したもの、(EP4)InGaAs、GaInNAsと、InGaAs、GaInNAsにAlまたはPを添加したものとの組み合わせ、(EP5)InGaAsまたはGaInNAsに添加量の異なるAlまたはPを添加したもの同士の組み合わせ、等を挙げることができる。
図19は、参考例として挙げる実施の形態における光検出装置を示す図である。これまで説明した実施の形態1〜4では、エピダウン実装された受光素子を備える光検出装置であったが、本実施の形態では、光入射側にエピタキシャル層を配置したエピトップ実装された受光素子を備える光検出装置である点に特徴がある。受光素子10は、共通のn型InP基板51上に形成され、InP基板51に設けられた素子分離溝17によって隣の受光素子と分離されている。各受光素子ごとに、InP基板側から順に、n型InPバッファ層2/受光層3/InP窓層4/保護膜12が形成されている。p型領域9は、InP窓層4から受光層3内にまで形成されている。エピ側電極であるp部電極7はリング状であり、そのリング内側にレンズ21tが設けられている。また、エピ側電極と対をなす基板側電極であるn部電極6rが、n型InP基板51の裏面に、複数の受光素子に対応する領域をリング内側に囲むようにリング状に設けられている。InP基板51の裏面には、放出手段であるAR膜13bが配置されている。また、エピ側表面には、p型不純物を拡散法により導入する際に用いた拡散マスク5が残っている。
図21は、上記本発明の構成を部分的に共有する参考例のクロストーク測定結果を示す図であり、また図22は比較例の測定結果を示す図である。図22の比較例の測定結果では、中央の受光素子の両隣に緩やかに尾を引く出力を有し、クロストークが大きいことを示す。一方、本発明の構成を部分的に共有する参考例では、中央の受光素子は、両隣に対して受光の重なりはあるものの、中央の受光素子から遠ざかるにつれ急峻に出力が低下しており、重なりは無視できるレベルである。
Claims (3)
- 共通の半導体基板にエピタキシャル成長した受光層を含みそれぞれにエピタキシャル側電極を形成した受光素子が、複数個、前記共通の半導体基板上に配置された光検出装置であって、
前記受光素子は前記半導体基板裏面を光入射面とするようにエピダウン実装されており、
前記受光素子の間を分離する素子分離溝と、リング状の前記エピタキシャル側電極と、各受光素子に共通の一つのn部電極と、前記エピタキシャル側表面に接して位置するSiN保護膜と、を備え、
入射光をその受光素子へ向かうものに限定して集光する入射側限定集光部を備え、該入射側限定集光部が、前記半導体基板裏面に接して位置する、反射防止(AR)膜と多層膜とを組み合わせたAR多層膜であることを特徴とする、光検出装置。 - 前記AR多層膜における多層膜が酸化ケイ素(SiO 2 )とアモルファスシリコンとの繰り返し多層膜であることを特徴とする、請求項1に記載の光検出装置。
- 前記受光層から見て光入射側と反対側に位置して光入射側からの光を前記受光素子外に放出し易くするための放出手段を備え、該放出手段が前記SiN保護膜に接して位置する反射防止膜であることを特徴とする、請求項1または2に記載の光検出装置。
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